JP2012084574A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、反応室2外に設けられたトレイステージ30、ウエハWが載置されたトレイ14をトレイステージ30と反応室2との間で搬送するロボット22、反応室2外に設けられたウエハWを収納するウエハケース32、トレイステージ30上のトレイ14からプラズマ処理済みのウエハWを取り出してウエハケース32に収納すると共にウエハケース32からプラズマ処理前のウエハWを取り出してトレイステージ30上のトレイ14に載置する移載用ロボット34、トレイステージ30上に載置されるトレイ14の温度を所定温度範囲に維持する赤外線ヒータ38を備える。
【選択図】図1
Description
例えば特許文献1には、ウエハを処理する反応室と、未処理のウエハを予備加熱するための予備加熱室とを備え、反応室と予備加熱室の間をトレイに載置した状態でウエハを搬送する基板処理装置が開示されている。
また、特許文献2には、ウエハを処理する反応室と、ウエハを搬送する搬送室と、搬送室内に設けられた加熱ヒータを有するトレイステージとを備えた基板処理装置が開示されている。特許文献2の基板処理装置では、搬送室に搬入されたウエハはトレイを介してトレイステージに載置される。
そこで、ウエハをトレイに載置した状態で反応室内に搬入し、そのままプラズマ処理を行うプラズマ処理装置が提供されている。
移載用ロボットにはトレイ上のウエハの位置情報が予め記憶されており、移載用ロボットは該位置情報に基づいてベルヌーイチャック等の捕捉手段によって処理済みウエハを捕捉し、座繰り部から取り出す。また、移載用ロボットはウエハケース等から未処理のウエハを取り出し、トレイの座繰り部に載置する。
このような現象は、高温のトレイが冷却される場合だけでなく、低温のトレイが室温まで昇温する場合にも起こり得る。
a)前記反応室の外部に設けられたトレイステージと、
b)前記被処理基板が載置された前記トレイを前記トレイステージと前記反応室の間で搬送するトレイ搬送機構と、
c)前記トレイステージ上のトレイからプラズマ処理済みの被処理基板を取り出すと共に、プラズマ処理前の被処理基板を前記トレイステージ上のトレイに載置する基板移載機構と、
d)前記トレイステージ上に載置されるトレイの温度を所定温度範囲に維持する温度維持手段と
を備えることを特徴とする。
前記トレイステージに載置されたトレイの温度を検出する第2温度検出手段と、
前記第1温度検出手段の検出結果及び前記第2温度検出手段の検出結果に基づき、前記トレイステージ上のトレイの温度が、前記プラズマ処理中における前記反応室内のトレイの温度に維持されるように前記温度維持手段を制御する制御手段を更に備えることを特徴とする。
また、トレイ表面には被処理基板と略同じ大きさ・形状の座繰り部(凹部)が設けられていることが好ましい。このようなトレイを用いることにより、被処理基板を安定して搬送することができる。また、被処理基板とトレイの表面を面一にすることができ、プラズマ処理の均一性が向上する。
トレイ14はアルミニウム製であり、その表面には複数の座繰り部(凹部)14aが設けられている。これら座繰り部14aに被処理基板である半導体ウエハW(以下、単に「ウエハ」という。)が載置される。座繰り部14aの大きさ(内径及び深さ)はウエハWの外径及び厚みとほぼ同じに設定されており、座繰り部14aに収容されたウエハWは、トレイ14の表面と面一になる。
まず、ロボット34により未処理のウエハWがウエハケース32から取り出されて、トレイステージ30上のトレイ14の座繰り部14aに載置される。このとき、トレイ14はトレイステージ30内の赤外線ヒータ38により所定の温度に加熱されている。
トレイ14の座繰り部14aにウエハWが載置された後、ゲートバルブ10が開放され、搬送室4内のロボット22によってトレイステージ30上のトレイ14が搬送室4内に搬送される。その後、ゲートバルブ10が閉じられ、搬送室4内が所定圧力まで減圧される。続いて、ゲートバルブ8が開放されてロボット22によりトレイ14が真空反応室2内に搬送され、載置台16上に載置される。載置台16上に載置されたトレイ14は静電チャックによって吸着されると共に加熱ヒータ20によって加熱される。
プラズマ処理が終了すると、ゲートバルブ8が開放されて載置台16上のトレイ14がロボット22により所定圧力まで減圧されている搬送室4内に搬送される。続いて、ゲートバルブ8を閉じて、搬送室4内を大気圧に戻した後、ゲートバルブ10を開放して、ロボット22によりトレイステージ30上にトレイ14が搬送される。
4…搬送室
6…大気室
8…ゲートバルブ
10…ゲートバルブ
12…シャワーヘッド
14…トレイ
14a…座繰り部
16…載置台
18…赤外線温度センサ(第1温度検出手段)
20…加熱ヒータ
22…ロボット(トレイ搬送機構)
30…トレイステージ
32…ウエハケース
34…ロボット(基板移載機構)
34a…アーム
34b…ベルヌーイチャック
36…赤外線温度センサ(第2温度検出手段)
38…赤外線ヒータ
40…制御装置
W…半導体ウエハ(被処理基板)
Claims (3)
- 被処理基板をトレイに載置した状態で反応室内に搬入して該被処理基板をプラズマ処理するプラズマ処理装置において、
a)前記反応室の外部に設けられたトレイステージと、
b)前記被処理基板が載置された前記トレイを前記トレイステージと前記反応室の間で搬送するトレイ搬送機構と、
c)前記トレイステージ上のトレイからプラズマ処理済みの被処理基板を取り出すと共に、プラズマ処理前の被処理基板を前記トレイステージ上のトレイの載置する基板移載機構と、
d)前記トレイステージ上に載置されるトレイの温度を所定温度範囲に維持する温度維持手段と
を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。 - プラズマ処理中における前記反応室内のトレイの温度を検出する第1温度検出手段と、
前記トレイステージに載置されたトレイの温度を検出する第2温度検出手段と、
前記第1温度検出手段の検出結果及び前記第2温度検出手段の検出結果に基づき、前記トレイステージ上のトレイの温度が、前記プラズマ処理中における前記反応室内のトレイの温度に維持されるように前記温度維持手段を制御する制御手段を更に備えることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。 - 前記反応室と前記トレイステージとの間に設けられた、トレイ搬送室を備えることを特徴とする請求項1又は2記載のプラズマ処理装置。
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