JP5882939B2 - 接合方法、接合装置および接合システム - Google Patents
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Description
<1.接合システムの構成>
まず、本実施形態に係る接合システムの構成について、図1および図2を参照して説明する。図1は、本実施形態に係る接合システムの構成を示す模式平面図である。また、図2は、被処理基板およびガラス基板の模式側面図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸方向、Y軸方向およびZ軸方向を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。
次に、接合装置45の構成について図3を参照して説明する。図3は、接合装置45の構成を示す模式平断面図である。
次に、接合部90の構成について図4を参照して説明する。図4は、接合部90の構成を示す模式側断面図である。なお、図4では、接合部90の特徴を説明するために必要な構成要素のみを示しており、一般的な構成要素についての記載を省略している。
次に、上記のように構成された接合部90が実行する接合処理の処理手順について図11Aおよび図11Bを参照して説明する。図11Aおよび図11Bは、接合処理の動作例を示す説明図である。
ところで、本実施形態に係る接合システム1では、支持基板としてガラス基板Sを使用し、このガラス基板Sを保持する第2保持部201として静電チャックを用いることとしている。また、本実施形態に係る接合システム1では、上述したようにチャンバ501内の温度を第1の温度から第2の温度に昇温する昇温工程が行われる。
次に、第1温度検出部301,303および第2温度検出部302,304を用いたフェールセーフ処理の処理手順について図13を参照して説明する。図13は、フェールセーフ処理の処理手順を示すフローチャートである。なお、図13に示すフェールセーフ処理は、たとえば上述した昇温工程および本接合工程中に実行される。
S ガラス基板
T 重合基板
1 接合システム
2 搬入出ステーション
4 接合ステーション
5 制御装置
45 接合装置
90 接合部
101 第1保持部
102 第1冷却機構
103 第3加熱機構
106 加圧機構
111 静電吸着部
117 第1加熱機構
201 第2保持部
202 第2冷却機構
203 第4加熱機構
211 静電吸着部
217 第2加熱機構
301,303 第1温度検出部
302,304 第2温度検出部
401 第1保持機構
402 第2保持機構
501 チャンバ
Claims (8)
- 被処理基板を保持する第1保持工程と、
ガラス基板を静電吸着により保持する第2保持工程と、
前記第1保持工程および前記第2保持工程後に、前記被処理基板と前記ガラス基板とを所望の加圧力よりも低い加圧力かつ前記ガラス基板のガラス転移点以下の温度で仮接合する仮接合工程と、
前記仮接合工程と同時にまたは前記仮接合工程後に、前記ガラス基板の静電吸着を解除し、前記ガラス転移点以上の温度まで昇温する昇温工程と、
前記昇温工程後に、前記被処理基板と前記ガラス基板とを前記所望の加圧力で本接合する本接合工程と
を含むことを特徴とする接合方法。 - 前記第1保持工程および前記第2保持工程後かつ前記仮接合工程前に、前記被処理基板および前記ガラス基板が収容されるチャンバ内を減圧する減圧工程
を含むことを特徴とする請求項1に記載の接合方法。 - 前記被処理基板を保持する第1保持部の保持面と反対側に設けられ、前記第1保持部を介して前記被処理基板を冷却する第1冷却機構を用いて、前記本接合工程後の前記被処理基板を冷却する第1冷却工程と、
前記ガラス基板を保持する第2保持部の保持面と反対側に設けられ、前記第2保持部を介して前記ガラス基板を冷却する第2冷却機構を用いて、前記本接合工程後の前記ガラス基板を冷却する第2冷却工程と
を含み、
前記昇温工程は、
前記第1保持部に設けられた第1加熱機構を用いて前記被処理基板を加熱する第1加熱工程と、
前記第2保持部に設けられた第2加熱機構を用いて前記ガラス基板を加熱する第2加熱工程と、
前記第1冷却機構の前記第1保持部が配置される側と反対側に設けられ、前記第1冷却機構を加熱する第3加熱機構を用いて前記第1冷却機構を加熱する第3加熱工程と、
前記第2冷却機構の前記第2保持部が配置される側と反対側に設けられ、前記第2冷却機構を加熱する第4加熱機構を用いて前記第2冷却機構を加熱する第4加熱工程と
を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の接合方法。 - 前記昇温工程において、前記被処理基板または前記ガラス基板の温度を検出する第1温度検出工程と、
前記昇温工程において、前記第1冷却機構または前記第2冷却機構の温度を検出する第2温度検出工程と、
前記被処理基板または前記ガラス基板の温度と前記第1冷却機構または前記第2冷却機構の温度との差が閾値以上である場合に、前記第1加熱機構、前記第2加熱機構、前記第3加熱機構および前記第4加熱機構による加熱を中止する加熱中止工程と
を含むことを特徴とする請求項3に記載の接合方法。 - 第1加熱機構を有し、被処理基板を保持する第1保持部と、
前記第1保持部に対向して配置され、第2加熱機構を有し、ガラス基板を保持する第2保持部と、
前記第1保持部と前記第2保持部とを相対的に移動させることによって、前記被処理基板と前記ガラス基板とを接触させて加圧する加圧機構と、
前記第1保持部、前記第2保持部および前記加圧機構を制御する制御部と
を備え、
前記制御部は、
前記第1保持部、前記第2保持部および前記加圧機構を制御して、前記被処理基板と前記ガラス基板とを所望の圧力よりも低い圧力かつ前記ガラス基板のガラス転移点以下の温度で仮接合し、前記仮接合と同時にまたは前記仮接合後に、前記第2保持部による前記ガラス基板の静電吸着を解除し、前記ガラス転移点以上の温度まで昇温した後で、前記被処理基板と前記ガラス基板とを前記所望の圧力で本接合すること
を特徴とする接合装置。 - 前記第1保持部の保持面と反対側に設けられ、前記第1保持部を介して前記被処理基板を冷却する第1冷却機構と、
前記第2保持部の保持面と反対側に設けられ、前記第2保持部を介して前記ガラス基板を冷却する第2冷却機構と、
前記第1冷却機構の前記第1保持部が配置される側と反対側に設けられ、前記第1冷却機構を加熱する第3加熱機構と、
前記第2冷却機構の前記第2保持部が配置される側と反対側に設けられ、前記第2冷却機構を加熱する第4加熱機構と
を備えることを特徴とする請求項5に記載の接合装置。 - 前記第1保持部および前記第2保持部が収容されるチャンバと、
前記チャンバ内を減圧する減圧機構と
を備えることを特徴とする請求項5または6に記載の接合装置。 - 被処理基板およびガラス基板が載置される搬入出ステーションと、
前記搬入出ステーションに載置された前記被処理基板および前記ガラス基板を搬送する基板搬送装置と、
前記基板搬送装置によって搬送された前記被処理基板および前記ガラス基板を接合する接合装置が設置される接合ステーションと、
前記接合装置を制御する制御部と
を備え、
前記接合装置は、
第1加熱機構を有し、前記被処理基板を保持する第1保持部と、
前記第1保持部に対向して配置され、第2加熱機構を有し、前記ガラス基板を保持する第2保持部と、
前記第1保持部と前記第2保持部とを相対的に移動させることによって、前記被処理基板と前記ガラス基板とを接触させて加圧する加圧機構と、
を備え、
前記制御部は、
前記第1保持部、前記第2保持部および前記加圧機構を制御して、前記被処理基板と前記ガラス基板とを所望の圧力よりも低い圧力かつ前記ガラス基板のガラス転移点以下の温度で仮接合し、前記仮接合と同時にまたは前記仮接合後に、前記第2保持部による前記ガラス基板の静電吸着を解除し、前記ガラス転移点以上の温度まで昇温した後で、前記被処理基板と前記ガラス基板とを前記所望の圧力で本接合すること
を特徴とする接合システム。
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