KR102641232B1 - 기판 처리 시스템 및 기판 처리 시스템의 제어 방법 - Google Patents

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KR102641232B1
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

복수매의 기판을 동시에 반송하는 반송 장치를 구비하는 기판 처리 시스템에 있어서, 기판의 위치를 적합하게 보정하는 기판 처리 시스템 및 기판 처리 시스템의 제어 방법을 제공한다. 복수의 기판에 처리를 실시하는 처리실과, 상기 처리실과 접속되는 진공 반송실과, 상기 진공 반송실에 마련되어, 복수의 기판을 동시에 반송하는 반송 장치와, 기판을 적재하는 스테이지를 복수 갖고, 상기 진공 반송실과 접속되는 모듈과, 제어부를 구비하고, 상기 제어부는, 처리가 끝난 기판을 반송한 상기 반송 장치의 암의 변형량을 측정하고, 상기 반송 장치의 상기 암의 변화량에 기초하여, 상기 스테이지의 위치를 보정하는, 기판 처리 시스템.

Description

기판 처리 시스템 및 기판 처리 시스템의 제어 방법
본 개시는, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 시스템의 제어 방법에 관한 것이다.
특허문헌 1에는, 반송 대상물을 보유 지지하는 보유 지지부와, 일단부가 상기 보유 지지부에 연결되는 직선 형상의 제2 암과, 당해 제2 암의 다른 쪽 단부에 관절부를 통해서 연결되는 직선 형상의 제1 암을 갖는 반송 장치에 있어서, 반송 대상물을 반송하는 반송 위치에 보정을 실시하는 보정 방법이며, 상기 제1 암 및 상기 제2 암의 회전 각도로부터 상기 보유 지지부의 위치를 산출하는 공정과, 상기 제2 암의 위치를 검출하는 위치 검출 센서에 의해 당해 제2 암의 위치 정보를 검출하는 공정과, 상기 제1 암 및 상기 제2 암의 회전 각도로부터 산출된 상기 보유 지지부의 위치 정보와, 상기 위치 검출 센서에 의해 검출된 제2 암의 위치 정보를 비교하여, 양자의 차분에 기초해서 반송 대상물을 반송하는 반송 위치에 보정을 실시하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는, 보정 방법이 개시되어 있다.
일본 특허 공개 제2017-100261호 공보
그런데, 특허문헌 1에 개시된 반송 장치의 보정 방법은, 1매의 기판을 반송하는 반송 장치에서의 보정 방법이 개시되어 있고, 복수매의 기판을 반송하는 반송 장치에 대해서는 개시되어 있지 않다.
일 측면에서는, 본 개시는, 복수매의 기판을 동시에 반송하는 반송 장치를 구비하는 기판 처리 시스템에 있어서, 기판의 위치를 적합하게 보정하는 기판 처리 시스템 및 기판 처리 시스템의 제어 방법을 제공한다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 일 양태에 의하면, 복수의 기판에 처리를 실시하는 처리실과, 상기 처리실과 접속되는 진공 반송실과, 상기 진공 반송실에 마련되어, 복수의 기판을 동시에 반송하는 반송 장치와, 기판을 적재하는 스테이지를 복수 갖고, 상기 진공 반송실과 접속되는 모듈과, 제어부를 구비하고, 상기 제어부는, 처리가 끝난 기판을 반송한 상기 반송 장치의 암의 변형량을 측정하고, 상기 반송 장치의 상기 암의 변화량에 기초하여 상기 스테이지의 위치를 보정하는, 기판 처리 시스템이 제공된다.
일 측면에 의하면, 복수매의 기판을 동시에 반송하는 반송 장치를 구비하는 기판 처리 시스템에 있어서, 기판의 위치를 적합하게 보정하는 기판 처리 시스템 및 기판 처리 시스템의 제어 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 일례를 도시하는 평면도이다.
도 2는 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템이 구비하는 처리실의 일례를 도시하는 단면 모식도이다.
도 3a는 로드 로크실(LLM)의 단면 모식도의 일례이다.
도 3b는 로드 로크실(LLM1)의 평면도의 일례이다.
도 3c는 로드 로크실(LLM2)의 평면도의 일례이다.
도 4는 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템에 의한 기판의 반송을 설명하는 흐름도이다.
도 5a는 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 로드 로크실의 동작을 설명하는 종단면도의 일례이다.
도 5b는 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 로드 로크실의 동작을 설명하는 종단면도의 일례이다.
도 5c는 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 로드 로크실의 동작을 설명하는 종단면도의 일례이다.
도 5d는 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 로드 로크실의 동작을 설명하는 종단면도의 일례이다.
도 6a는 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 로드 로크실의 동작을 설명하는 종단면도의 일례이다.
도 6b는 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 로드 로크실의 동작을 설명하는 종단면도의 일례이다.
도 7은 제2 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 일례를 도시하는 평면도이다.
도 8은 제3 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 일례를 도시하는 평면도이다.
이하, 도면을 참조하여 본 개시를 실시하기 위한 형태에 대해서 설명한다. 각 도면에 있어서 동일 구성 부분에는 동일 부호를 붙이고, 중복된 설명을 생략하는 경우가 있다.
<기판 처리 시스템>
제1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 일례에 대해서, 도 1을 사용해서 설명한다. 도 1은, 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 일례를 도시하는 평면도이다. 또한, 도 1은, 처리실(PM1)에 반도체 웨이퍼 등의 기판(W)을 반입하고 있는 상태를 나타내고 있다. 또한, 로드 로크실(LLM)로부터 기판(W)을 반출하고 있는 상태를 이점쇄선으로 나타내고 있다. 또한, 기판(W)에는, 도트의 해칭을 부여해서 도시하고 있다.
도 1에 도시하는 기판 처리 시스템은, 클러스터 구조(멀티 챔버 타입)의 시스템이다. 기판 처리 시스템은, 처리실(PM(Process Module)1 내지 4), 반송실(VTM)(Vacuum Transfer Module), 로드 로크실(LLM)(Load Lock Module), 로더 모듈(LM(Loader Module)1 내지 2), 로드 포트(LP(Load Port)1 내지 4) 및 제어부(900)를 구비하고 있다.
처리실(PM1 내지 4)은, 소정의 진공 분위기로 감압되어, 그 내부에서 기판(W)에 원하는 처리(에칭 처리, 성막 처리, 클리닝 처리, 애싱 처리 등)를 실시한다. 처리실(PM1 내지 4)은, 반송실(VTM)에 인접해서 배치된다. 처리실(PM1 내지 4)과 반송실(VTM)은, 게이트 밸브(GV1 내지 4)의 개폐에 의해 연통한다. 처리실(PM1)은, 평면으로 보아 2×2의 행렬상으로 합계 4매의 기판(W)을 적재하는 스테이지(S)를 갖는다. 마찬가지로, 처리실(PM2 내지 4)은, 4매의 기판(W)을 적재하는 스테이지(S)를 각각 갖고 있다. 또한, 처리실(PM1 내지 4)에서의 처리를 위한 각 부의 동작은, 제어부(900)에 의해 제어된다.
반송실(VTM)은, 소정의 진공 분위기로 감압되어 있다. 또한, 반송실(VTM)의 내부에는, 기판(W)을 반송하는 반송 장치(ARM1)가 마련되어 있다. 반송 장치(ARM1)는, 게이트 밸브(GV1 내지 4)의 개폐에 따라, 처리실(PM1 내지 4)과 반송실(VTM)의 사이에서 기판(W)의 반입 및 반출을 행한다. 또한, 반송 장치(ARM1)는, 게이트 밸브(GV5)의 개폐에 따라, 로드 로크실(LLM)과 반송실(VTM)의 사이에서 기판(W)의 반입 및 반출을 행한다. 또한, 반송 장치(ARM1)의 동작, 게이트 밸브(GV1 내지 5)의 개폐는, 제어부(900)에 의해 제어된다.
반송 장치(ARM1)는, 베이스(210)와, 제1 링크(220)와, 제2 링크(230)와, 엔드 이펙터(240)를 구비하는 다관절 암으로서 구성된다. 제1 링크(220)의 일단측은, 베이스(210)에 대하여 상하 방향을 회전축으로 해서 회동 가능하게 설치되어 있다. 또한, 베이스(210)는, 제1 링크(220)를 상하 방향으로 승강할 수 있도록 되어 있다. 제2 링크(230)의 일단측은, 제1 링크(220)의 타단측에 대하여 상하 방향을 회전축으로 해서 회동 가능하게 설치되어 있다. 엔드 이펙터(240)의 기단측은, 제2 링크(230)의 타단측에 대하여 상하 방향을 회전축으로 해서 회동 가능하게 설치되어 있다. 엔드 이펙터(240)의 선단측은, 기판(W)을 보유 지지하는 보유 지지부가 복수 마련되어 있다. 제1 링크(220)의 승강, 베이스(210)와 제1 링크(220)의 관절, 제1 링크(220)와 제2 링크(230)의 관절, 제2 링크(230)와 엔드 이펙터(240)의 관절을 구동하는 액추에이터는 제어부(900)에 의해 제어된다.
엔드 이펙터(240)는, 선단측이 분기하는 포크 형상으로 형성되어 있고, 기단부(241)와, 기단부(241)로부터 신장되는 2조의 포크(242, 243)를 갖고 있다. 포크(242)는 2개의 블레이드(242a, 242b)를 갖고 있다. 마찬가지로, 포크(243)는 2개의 블레이드(243a, 243b)를 갖고 있다. 4개의 블레이드(242a, 242b, 243a, 243b)는, 기단부(241)로부터 동일한 방향으로 신장되어 있고, 동일한 높이에 형성되어 있다. 포크(242)는, 기판(W)을 블레이드(242a)와 블레이드(242b)의 사이에서 걸치도록 해서 보유 지지한다. 또한, 포크(242)는, 블레이드(242a, 242b)의 길이 방향을 따라 2매의 기판(W)을 보유 지지한다. 마찬가지로, 포크(243)는, 기판(W)을 블레이드(243a)와 블레이드(243b)의 사이에서 걸치도록 해서 보유 지지한다. 또한, 포크(243)는, 블레이드(243a, 243b)의 길이 방향을 따라 2매의 기판(W)을 보유 지지한다. 이와 같이, 반송 장치(ARM1)는, 동시에 4매의 기판(W)을 반송할 수 있도록 구성되어 있다.
로드 로크실(LLM)은, 반송실(VTM)과 로더 모듈(LM1 내지 2)의 사이에 마련되어 있다. 로드 로크실(LLM)은, 대기 분위기와 진공 분위기를 전환할 수 있도록 구성되어 있다. 로드 로크실(LLM)과 진공 분위기의 반송실(VTM)은, 게이트 밸브(GV5)의 개방에 의해 연통한다. 로드 로크실(LLM)과 대기 분위기의 로더 모듈(LM1)은, 게이트 밸브(GV6)의 개방에 의해 연통한다. 로드 로크실(LLM)과 대기 분위기의 로더 모듈(LM2)은, 게이트 밸브(GV7)의 개방에 의해 연통한다. 로드 로크실(LLM)은, 평면으로 보아 2×2의 행렬상으로 합계 4매의 기판(W)을 적재하는 스테이지를 갖는다. 또한, 로드 로크실(LLM) 내의 진공 분위기 또는 대기 분위기의 전환은, 제어부(900)에 의해 제어된다.
또한, 로드 로크실(LLM)은, 후술하는 도 3a 내지 도 3c에 도시하는 바와 같이, 상하 방향으로 2실 마련되어, 로드 로크실(LLM1)과, 로드 로크실(LLM2)을 갖고 있다. 또한, 게이트 밸브(GV5)는, 로드 로크실(LLM1) 및 로드 로크실(LLM2) 각각에 독립적으로 마련되어(GV51, GV52), 독립적으로 개폐 가능하게 되어 있다. 마찬가지로, 밸브(GV6, 7)는, 로드 로크실(LLM1) 및 로드 로크실(LLM2) 각각에 독립적으로 마련되어(GV61, GV62, GV71, GV72), 독립적으로 개폐 가능하게 되어 있다.
로더 모듈(LM1 내지 2)은, 대기 분위기로 되어 있고, 예를 들어 청정 공기의 다운 플로우가 형성되어 있다. 또한, 로더 모듈(LM1)의 내부에는, 기판(W)을 반송하는 반송 장치(ARM2)가 마련되어 있다. 반송 장치(ARM2)는, 게이트 밸브(GV6)의 개폐에 따라, 로드 로크실(LLM)과 로더 모듈(LM1)의 사이에서 기판(W)의 반입 및 반출을 행한다. 마찬가지로, 로더 모듈(LM2)의 내부에는, 기판(W)을 반송하는 반송 장치(ARM3)가 마련되어 있다. 반송 장치(ARM3)는, 게이트 밸브(GV7)의 개폐에 따라, 로드 로크실(LLM)과 로더 모듈(LM2)의 사이에서 기판(W)의 반입 및 반출을 행한다. 또한, 로드 로크실(LLM)의 하방에는, 기판(W)을 적재하는 전달부(도시하지 않음)가 마련되어 있다. 반송 장치(ARM2, 3)는, 전달부를 통해서 기판(W)을 전달할 수 있다. 또한, 반송 장치(ARM2, 3)의 동작, 게이트 밸브(GV6, 7)의 개폐는, 제어부(900)에 의해 제어된다.
반송 장치(ARM2)는, 베이스(410)와, 제1 링크(420)와, 제2 링크(430)와, 엔드 이펙터(440)를 구비하는 다관절 암으로서 구성된다. 제1 링크(420)의 일단측은, 베이스(410)에 대하여 상하 방향을 회전축으로 해서 회동 가능하게 설치되어 있다. 또한, 베이스(410)는, 제1 링크(420)를 상하 방향으로 승강할 수 있도록 되어 있다. 제2 링크(430)의 일단측은, 제1 링크(420)의 타단측에 대하여 상하 방향을 회전축으로 해서 회동 가능하게 설치되어 있다. 엔드 이펙터(440)의 기단측은, 제2 링크(430)의 타단측에 대하여 상하 방향을 회전축으로 해서 회동 가능하게 설치되어 있다. 엔드 이펙터(440)의 선단측은, 기판(W)을 보유 지지하는 포크(441)가 마련되어 있다. 제1 링크(420)의 승강, 베이스(410)와 제1 링크(420)의 관절, 제1 링크(420)와 제2 링크(430)의 관절, 제2 링크(430)와 엔드 이펙터(440)의 관절을 구동하는 액추에이터는 제어부(900)에 의해 제어된다. 반송 장치(ARM3)는, 반송 장치(ARM2)와 마찬가지의 다관절 암으로서 구성된다.
로더 모듈(LM1)의 벽면에는, 로드 포트(LP1, 2)가 마련되어 있다. 또한, 로더 모듈(LM2)의 벽면에는, 로드 포트(LP3, 4)가 마련되어 있다. 로드 포트(LP1 내지 4)는, 기판(W)이 수용된 캐리어(C) 또는 빈 캐리어(C)가 설치된다. 캐리어(C)로서는, 예를 들어 FOUP(Front Opening Unified Pod) 등을 사용할 수 있다.
반송 장치(ARM2)는, 로드 포트(LP1, 2)에 수용된 기판(W)을 반송 장치(ARM2)의 포크(441)로 보유 지지하여 취출할 수 있다. 또한, 포크(441)에 보유 지지되어 있는 기판(W)을 로드 포트(LP1, 2)에 수용할 수 있다. 마찬가지로, 반송 장치(ARM3)는, 로드 포트(LP3, 4)에 수용된 기판(W)을 반송 장치(ARM3)의 보유 지지부에서 보유 지지하여 취출할 수 있다. 또한, 보유 지지부에 보유 지지되어 있는 기판(W)을 로드 포트(LP3, 4)에 수용할 수 있다.
제어부(900)는, CPU(Central Processing Unit), ROM(Read Only Memory), RAM(Random Access Memory) 및 HDD(Hard Disk Drive)를 갖는다. 제어부(900)는, HDD에 한하지 않고 SSD(Solid State Drive) 등의 다른 기억 영역을 가져도 된다. HDD, RAM 등의 기억 영역에는, 프로세스의 수순, 프로세스의 조건, 반송 조건이 설정된 레시피가 저장되어 있다.
CPU는, 레시피에 따라서 각 처리실(PM)에서의 기판(W)의 처리를 제어하고, 기판(W)의 반송을 제어한다. HDD나 RAM에는, 각 처리실(PM)에서의 기판(W)의 처리나 기판(W)의 반송을 실행하기 위한 프로그램이 기억되어도 된다. 프로그램은, 기억 매체에 저장해서 제공되어도 되고, 네트워크를 통해서 외부 장치로부터 제공되어도 된다.
<처리실>
이어서, 처리실(PM1 내지 4)에 대해서, 도 2를 사용해서 더 설명한다. 도 2는, 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템이 구비하는 처리실(PM1)의 일례를 도시하는 단면 모식도이다. 또한, 처리실(PM2 내지 4)의 구성은, 처리실(PM1)과 마찬가지이며, 중복되는 설명을 생략한다. 또한, 도 2에서, 처리실(PM1)이 플라스마 처리 장치인 경우를 예로 들어 설명한다.
처리실(PM1)은 챔버(1)를 갖는다. 챔버(1)는, 용기(12) 및 덮개(11)를 갖는다. 용기(12) 및 덮개(11)는, 예를 들어 알루미늄으로 형성되고, 바닥이 있는 용기(12)의 개구에 덮개(11)가 마련된다. 챔버(1)와 덮개(11)는, O링(13)에 의해 밀봉되어 있다. 이에 의해, 챔버(1)의 내부는 진공 상태로 밀폐 가능하게 되어 있다. 용기(12) 및 덮개(11)의 내벽에는, 플라스마에 대한 내부식성을 갖는 막이 형성되어도 된다. 당해 막은, 산화알루미늄, 산화이트륨 등의 세라믹스이어도 된다.
용기(12)에는 4개의 스테이지(S)가 마련되고, 도 2에서는, 4개의 스테이지 중 2개가 도시되어 있다. 스테이지(S)는, 편평한 원판상으로 형성되어, 기판(W)을 적재한다. 스테이지(S)는, 예를 들어 알루미나(Al2O3) 등의 유전체에 의해 형성되어 있다. 스테이지(S)의 내부에는, 기판(W)을 가열하기 위한 히터(20)가 매설되어 있다. 히터(20)는, 예를 들어 세라믹스의 시트상 또는 판상의 저항 발열체에 의해 구성되고, 전원부로부터 전력이 공급되어서 발열하여, 스테이지(S)의 적재면을 가열함으로써, 성막에 적합한 소정의 프로세스 온도까지 기판(W)을 승온한다. 예를 들어, 히터(20)는, 스테이지(S) 상에 적재된 기판(W)을 100℃ 내지 300℃로 가열한다.
스테이지(S)는, 하면 중심부로부터 하방을 향해서 신장되어, 용기(12)의 저부를 관통하는, 일단이 승강 기구(35)에 지지된 지지부(22)를 갖는다. 승강 기구(35)가 지지부(22)를 승강시킴으로써, 스테이지(S)는, 기판(W)의 처리가 행하여지는 처리 위치(도 2에 도시한 위치)와, 기판(W)의 전달이 행하여지는 전달 위치의 사이를 승강할 수 있다. 또한, 승강 기구(35)에 의해, 스테이지(S)와 상부 전극(14)의 사이의 거리(Gap)를 조정할 수 있다.
전달 위치는, 도 2의 이점쇄선으로 나타내는 스테이지(S)의 위치이다. 이 위치에서, 반입출구를 통해서 외부의 반송 기구와의 사이에서 기판(W)의 전달이 행하여진다. 스테이지(S)는, 승강 핀(30)의 축부가 삽입 관통하는 관통 구멍이 형성되어 있다.
스테이지(S)를 기판(W)의 처리 위치(도 2 참조)로부터 기판(W)의 전달 위치까지 이동시킨 상태에서, 승강 핀(30)의 헤드부가 스테이지(S)의 적재면으로부터 돌출된다. 이에 의해, 승강 핀(30)의 헤드부가 기판(W)의 하면으로부터 지지하여, 스테이지(S)의 적재면으로부터 기판(W)을 들어 올려서, 외부의 반송 기구와의 사이에서 기판(W)의 전달을 행한다.
각 스테이지(S)의 상방이며 덮개(11)의 하부에는, 샤워 헤드로서도 기능하는 4개의 상부 전극(14)이 각 스테이지(S)에 대향해서 마련되어 있다. 상부 전극(14)은, 알루미늄 등의 도체로 형성되고, 대략 원반 형상을 갖는다. 상부 전극(14)은 덮개(11)에 지지되어 있다. 스테이지(S)에는, 히터(20)와 평행하게 메쉬상의 금속 전극판(21)이 매설되어 있다. 이에 의해, 스테이지(S)는, 상부 전극(14)에 대향하는 하부 전극으로서도 기능한다.
상부 전극(14)에는, 다수의 가스 공급 구멍(16)이 마련되어 있다. 밸브(V) 및 유량 제어기(MFC)에 의한 제어에 의해, 가스 공급부(15)로부터 출력된 소정의 유량의 성막용 가스(반응성 가스)는, 소정의 타이밍에 가스 라인(17)을 통해서 가스 도입구(18)에 도입된다. 도입된 가스는, 덮개(11)에 형성된 관통 구멍(19) 및 상부 전극(14)의 상면과 덮개(11)의 사이에 형성된 유로(24)를 통해서 다수의 가스 공급 구멍(16)으로부터 용기(12) 내에 도입된다.
또한, 상부 전극(14)마다 정합기(37)를 통해서 RF 전원(36)이 접속되고, RF 전원(36)으로부터 상부 전극(14)에, 예를 들어 0.4MHz 내지 2450MHz의 주파수의 고주파의 파워가 인가된다. 용기(12) 내에 도입된 가스는, 고주파의 파워에 의해 플라스마화한다. 상부 전극(14)과 스테이지(S)의 사이의 공간에 생성된 플라스마에 의해, 스테이지(S) 상의 기판(W)에 성막 처리 등의 플라스마 처리가 실시된다.
스테이지(S)의 주위에는, 스테이지(S)에 이격되어(도 2의 간극(44)을 참조), 석영 등의 유전체로 형성되는 환상 부재(40)가 마련되어 있다. 또한, 환상 부재(40) 상이며 상부 전극(14)의 외주에는 배기 매니폴드(41)가 배치되어 있다. 환상 부재(40) 및 배기 매니폴드(41)는 일체적으로 형성되고, 용기(12)의 측벽 및 상부 전극(14)의 외주에 고정되어 있다.
배기 매니폴드(41)는 세라믹스로 형성되고, 둘레 방향으로 배기로(42)를 갖는다. 배기로(42)를 통과한 가스는, 배기 매니폴드(41)와 환상 부재(40)의 사이에 마련된 복수의 배기구(43)를 통과하여, 스테이지(S) 아래를 통과해서 용기(12)의 저부의 배기구(6)측으로 흘려져서, 진공 펌프(45)에 의해 배기구(6)로부터 챔버(1)의 밖으로 배출된다. 배기구(43)는 복수로 나누어져 있지 않고, 스테이지(S)측에 둘레 방향으로 개구되는 하나의 배기구이어도 된다.
또한, 배기구(6)는, 챔버(1)의 저부에 1개 마련되어 있는 예를 들어서 설명했지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 배기구(6)를 챔버(1)의 천장부에 1개 또는 복수 마련해도 되고, 챔버(1)의 저부와 천장부에 1개 또는 복수 마련해도 된다.
처리실(PM1)은, 제어부(50)를 더 구비할 수 있다. 제어부(50)는, 프로세서, 메모리 등의 기억부, 입력 장치, 표시 장치, 신호의 입출력 인터페이스 등을 구비하는 컴퓨터일 수 있다. 제어부(50)는 처리실(PM1)의 각 부를 제어한다. 제어부(50)에서는, 입력 장치를 사용하여, 오퍼레이터가 처리실(PM1)을 관리하기 위해서 커맨드의 입력 조작 등을 행할 수 있다. 또한, 제어부(50)에서는, 표시 장치에 의해, 처리실(PM1)의 가동 상황을 가시화해서 표시할 수 있다. 또한, 기억부에는, 제어 프로그램 및 레시피 데이터가 저장되어 있다. 제어 프로그램은, 처리실(PM1)에서 각종 처리를 실행하기 위해서 프로세서에 의해 실행된다. 프로세서가, 제어 프로그램을 실행하여, 레시피 데이터에 따라서 처리실(PM1)의 각 부를 제어한다.
제어부(900)(도 1 참조)는, 제어부(50)에 지령함으로써, 처리실(PM1)의 동작을 제어한다. 이와 같은 구성을 가짐으로써, 처리실(PM1)은, 스테이지(S)에 적재된 기판(W)에 원하는 처리(예를 들어, 성막 처리)를 실시한다.
또한, 처리실(PM1)이 플라스마 처리 장치인 경우를 예로 들어 설명했지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 처리실(PM1)은, 예를 들어 열 CVD(chemical vapor deposition) 장치, 플라스마 CVD 장치, 열 ALD(Atomic Layer Deposition) 장치, 플라스마 ALD 장치, Capacitively Coupled Plasma(CCP), Inductively Coupled Plasma(ICP), Radial Line Slot Antenna, Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR), Helicon Wave Plasma(HWP)의 어느 타입에서든 적용 가능하다. 또한, 처리실(PM1)에서의 기판(W)의 처리는, 성막 처리에 한정되는 것은 아니다. 처리실(PM1)에서의 기판(W)의 처리는, 예를 들어 에칭 처리, 클리닝 처리, 애싱 처리 등이어도 된다.
<로드 로크실>
이어서, 로드 로크실(LLM)에 대해서, 도 3a 내지 도 3c를 사용해서 더 설명한다. 도 3a 내지 도 3c는, 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템이 구비하는 로드 로크실(LLM)의 일례를 도시하는 모식도이다. 도 3a는 로드 로크실(LLM)의 단면 모식도의 일례이다. 도 3b는 로드 로크실(LLM1)의 평면도의 일례이다. 도 3c는 로드 로크실(LLM2)의 평면도의 일례이다. 또한, 수평 방향을 x축 및 y축으로 하고, 높이 방향을 z축으로 해서 설명한다.
도 3a에 도시하는 바와 같이, 로드 로크실(LLM)은, 로드 로크실(LLM1)과, 로드 로크실(LLM2)을 구비하고 있다. 또한, 로드 로크실(LLM1)이 상단에 배치되고, 로드 로크실(LLM2)이 하단에 배치되어 있는 것으로서 설명하는데, 배치 관계는 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 로드 로크실(LLM1)이 하단에 배치되고, 로드 로크실(LLM2)이 상단에 배치되어 있어도 된다. 또한, 로드 로크실(LLM1)과 로드 로크실(LLM2)이 수평하게 배치되어 있어도 된다.
로드 로크실(LLM1)은, 미처리 기판(W)이 적재되는 4개의 자기 부상 스테이지(310)를 갖는다. 자기 부상 스테이지(310)는, 기판(W)을 적재한 상태에서 x축 방향 및 y축 방향으로 위치 조정이 가능하게 구성되어 있다. 예를 들어, 자기 부상 스테이지(310)는, 영구 자석(도시하지 않음)을 갖고, 받침대(311)는, 자장을 생성하는 자장 생성부(도시하지 않음)를 갖는다. 제어부(900)에 의해 자장 생성부를 제어함으로써, 자기 부상 스테이지(310)의 위치가 제어된다. 또한, 자기 부상 스테이지(310)의 폭(Ws)은, 포크(242)(블레이드(242a, 242b)간)의 폭(Wa)보다도 작게 구성되어 있다.
로드 로크실(LLM2)은, 처리가 끝난 기판(W)이 적재되는 4개의 고정 스테이지(320)를 구비하고 있다. 고정 스테이지(320)는, 처리실(PM1 내지 4)의 스테이지(S)와 마찬가지로, 평면으로 보아 2×2의 행렬상으로 합계 4매의 기판(W)을 적재한다. 또한, 고정 스테이지(320)에는, 기판(W)을 이면으로부터 지지해서 들어 올리는 승강 핀(321)을 갖고 있다. 승강 핀(321)의 승강은, 제어부(900)에 의해 제어된다.
자기 부상 스테이지(310)를 갖는 로드 로크실(LLM1)과는 별도로, 고정 스테이지(320)를 갖는 로드 로크실(LLM2)을 구비함으로써, 고온으로 되는 처리가 끝난 기판(W)이 자기 부상 스테이지(310)에 적재되는 것을 방지할 수 있다. 이에 의해, 자기 부상 스테이지(310)의 영구 자석이 열소자되는 것을 방지한다. 또한, 처리가 끝난 기판(W)을 고정 스테이지(320)에 적재함으로써, 처리가 끝난 기판(W)의 열을 고정 스테이지(320)에 방열하여, 기판(W)을 냉각할 수 있다.
또한, 기판 처리 시스템은, 반송 장치(ARM1)의 신장량(변화량)을 검출하는 신장량 센서(350)를 구비하고 있다. 로드 로크실(LLM1, 2)과 처리실(PM1 내지 4)의 사이에서 기판을 반송하는 반송 장치(ARM1)는, 처리실(PM1 내지 4)의 열에 의해, 예를 들어 제1 링크(220), 제2 링크(230), 엔드 이펙터(240) 등이 열 신장된다. 신장량 센서(350)는, 예를 들어 로드 로크실(LLM2)에 마련되어, 처리가 끝난 기판(W)을 처리실(PM1 내지 4)로부터 로드 로크실(LLM2)에 복귀시킬 때, 반송 장치(ARM1)의 신장량을 검출한다. 예를 들어, 처리가 끝난 기판(W)을 고정 스테이지(320)에 전달하기 위한 교시 위치로 반송 장치(ARM1)를 위치 제어했을 때, 엔드 이펙터(240)의 마커(도시하지 않음)의 위치를 검출함으로써, 반송 장치(ARM1)의 신장량을 검출한다. 또한, 신장량 센서(350)에 의한 반송 장치(ARM1)의 신장량의 검출 방법은, 이것에 한정되는 것은 아니고, 다양한 방법을 사용할 수 있다. 또한, 신장량 센서(350)의 위치는 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 신장량 센서(350)는 반송실(VTM)에 마련되어 있어도 된다.
<기판 반송 제어>
이어서, 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템에 있어서, 처리실(PM1 내지 4)의 스테이지(S)에 적합하게 기판(W)을 반송하는 제어에 대해서, 도 4, 도 5a 내지 도 5d 및 도 6a 내지 도 6b를 사용해서 설명한다. 도 4는, 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템에 의한 기판의 반송을 설명하는 흐름도이다. 도 5a 내지 도 5d 및 도 6a 내지 도 6b는, 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 로드 로크실(LLM)의 동작을 설명하는 종단면도의 일례이다.
스텝 S1에서, 도 5a에 도시하는 바와 같이, 로드 로크실(LLM1)에 미처리 기판(W)을 반입한다. 즉, 제어부(900)는 게이트 밸브(GV61, 71)를 개방한다. 제어부(900)는, 반송 장치(ARM2, 3)를 제어하여, 로드 포트(LP)의 캐리어(C)로부터 미처리 기판(W)을 취출하여, 자기 부상 스테이지(310)에 적재한다. 4매의 미처리 기판(W)이 로드 로크실(LLM1)의 자기 부상 스테이지(310)에 적재되고, 반송 장치(ARM2, 3)가 로드 로크실(LLM1)로부터 퇴피하면, 제어부(900)는 게이트 밸브(GV61, 71)를 닫는다. 제어부(900)는, 로드 로크실(LLM1)의 배기 장치(도시하지 않음)를 제어해서 실내의 공기를 배기하여, 로드 로크실(LLM1)을 대기 분위기에서 진공 분위기로 전환한다.
스텝 S2에서, 처리실(PM1)에서 처리된 처리가 끝난 기판(W)을 처리실(PM1)로부터 반출한다. 즉, 제어부(50)는, 승강 기구(35)를 제어하여, 스테이지(S)를 하강시켜서 처리가 끝난 기판(W)을 승강 핀(30)으로 지지한다. 제어부(900)는 게이트 밸브(GV1)를 개방한다. 제어부(900)는, 반송 장치(ARM1)를 제어하여, 처리실(PM1) 내에 포크(242, 243)를 진입시켜 교시 위치까지 이동시킨다. 제어부(900)는, 반송 장치(ARM1)를 제어하여, 교시 위치로부터 포크(242, 243)를 상승시킴으로써, 처리가 끝난 기판(W)을 승강 핀(30)으로부터 포크(242, 243)에 전달한다. 제어부(900)는, 반송 장치(ARM1)를 제어하여, 포크(242, 243)에 보유 지지된 처리가 끝난 기판(W)을 처리실(PM1)로부터 반출시킨다. 제어부(900)는 게이트 밸브(GV1)를 닫는다.
스텝 S3에서, 도 5b에 도시하는 바와 같이, 로드 로크실(LLM2)에 처리가 끝난 기판(W)을 반입한다. 즉, 제어부(900)는 게이트 밸브(GV52)를 개방한다. 제어부(900)는, 반송 장치(ARM1)를 제어하여, 처리실(PM1) 내에 처리가 끝난 기판(W)을 보유 지지한 포크(242, 243)를 진입시켜, 교시 위치까지 이동시킨다.
스텝 S4에서, 반송 장치(ARM1)의 신장량을 측정한다. 즉, 제어부(900)는, 신장량 센서(350)의 검출값에 기초하여, 반송 장치(ARM1)의 신장량을 측정한다. 그 후, 제어부(900)는, 승강 핀(321)을 상승시켜서, 처리가 끝난 기판(W)을 포크(242, 243)로부터 승강 핀(321)에 전달한다. 제어부(900)는, 반송 장치(ARM1)를 제어하여, 포크(242, 243)를 로드 로크실(LLM2)로부터 퇴피시킨다. 제어부(900)는 게이트 밸브(GV52)를 닫는다. 제어부(900)는, 승강 핀(321)을 하강시켜 처리가 끝난 기판(W)을 고정 스테이지(320)에 적재한다. 이에 의해, 처리가 끝난 기판(W)의 열은 고정 스테이지(320)에 방열되어, 처리가 끝난 기판(W)이 냉각된다.
스텝 S5에서, 제어부(900)는 스테이지 보정량을 산출한다. 여기서, 처리실(PM1 내지 PM4)에서의 4개의 스테이지(S)의 배치 관계에는, 기차를 갖고 있다. 제어부(900)는, 다음으로 기판(W)을 반입하는 처리실(PM)에서의 스테이지(S)의 배치 관계의 기차 정보와, 스텝 S4에서 측정한 반송 장치(ARM1)의 신장량에 기초하여, 미처리 기판(W)을 적재하는 자기 부상 스테이지(310)의 보정량을 산출한다.
스텝 S6에서, 도 5c에 도시하는 바와 같이, 제어부(900)는, 산출한 스테이지 보정량에 기초하여, 자기 부상 스테이지(310)의 위치 보정을 행한다.
스텝 S7에서, 미처리 기판(W)을 로드 로크실(LLM1)로부터 반출한다. 즉, 제어부(900)는 게이트 밸브(GV51)를 개방한다. 도 5d에 도시하는 바와 같이, 제어부(900)는, 반송 장치(ARM1)를 제어하여, 로드 로크실(LLM1) 내에 포크(242, 243)를 진입시켜, 교시 위치까지 이동시킨다. 이때, 도 3b를 사용해서 상술한 바와 같이, 포크(242)(블레이드(242a, 242b)간)의 폭(Wa)은 자기 부상 스테이지(310)의 폭(Ws)보다도 충분히 크게 되어 있어, 자기 부상 스테이지(310)의 위치를 보정한 후에도, 포크(242)와 자기 부상 스테이지(310)가 접촉하지 않도록 구성되어 있다. 이어서, 도 6a에 도시하는 바와 같이, 제어부(900)는, 반송 장치(ARM1)를 제어하여, 교시 위치로부터 포크(242, 243)를 상승시킴으로써, 미처리 기판(W)을 자기 부상 스테이지(310)로부터 포크(242, 243)에 전달한다. 도 6b에 도시하는 바와 같이, 제어부(900)는, 반송 장치(ARM1)를 제어하여, 포크(242, 243)에 보유 지지된 미처리 기판(W)을 로드 로크실(LLM1)로부터 반출시킨다. 제어부(900)는 게이트 밸브(GV51)를 닫는다.
스텝 S8에서, 처리실(PM1)에 미처리 기판(W)을 반입한다. 즉, 제어부(900)는 게이트 밸브(GV1)를 개방한다. 제어부(900)는, 반송 장치(ARM1)를 제어하여, 처리실(PM1) 내에 미처리 기판(W)을 보유 지지한 포크(242, 243)를 진입시켜, 교시 위치까지 이동시킨다. 제어부(900)는, 반송 장치(ARM1)를 제어하여, 교시 위치로부터 포크(242, 243)를 하강시킴으로써, 미처리 기판(W)을 포크(242, 243)로부터 승강 핀(30)에 전달한다. 제어부(900)는, 반송 장치(ARM1)를 제어하여, 포크(242, 243)를 처리실(PM1)로부터 퇴피시킨다. 제어부(900)는 게이트 밸브(GV1)를 닫는다. 제어부(50)는, 승강 기구(35)를 제어하여, 스테이지(S)를 상승시켜서 미처리 기판(W)을 스테이지(S)에 적재한다. 그리고, 제어부(50)는 기판(W)에 원하는 처리를 실시한다.
스텝 S9에서, 로드 로크실(LLM2)로부터 처리가 끝난 기판(W)을 반출한다. 즉, 제어부(900)는, 로드 로크실(LLM2)의 배기 장치(도시하지 않음)를 제어하여, 로드 로크실(LLM2)을 진공 분위기에서 대기 분위기로 전환한다. 제어부(900)는 게이트 밸브(GV62, 72)를 개방한다. 제어부(900)는, 승강 핀(321)을 상승시켜서, 고정 스테이지(320)에 적재된 처리가 끝난 기판(W)을 들어 올린다. 제어부(900)는, 반송 장치(ARM2, 3)를 제어하여, 처리가 끝난 기판(W)을 로드 로크실(LLM2)로부터 취출하여, 로드 포트(LP)의 캐리어(C)에 수납한다. 4매의 처리가 끝난 기판(W)이 로드 로크실(LLM2)로부터 반출되고, 반송 장치(ARM2, 3)가 로드 로크실(LLM2)로부터 퇴피하면, 제어부(900)는 게이트 밸브(GV62, 72)를 닫는다.
또한, 도 4에 나타내는 흐름도에서는, 스텝 S8의 처리 후에, 스텝 S9의 처리를 실시하는 것으로 하고 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 스루풋의 관점에서, 스텝 S4(게이트 밸브(GV52)를 닫은 후) 내지 스텝 S8의 어느 것의 처리와 병행해서 스텝 S9의 처리를 실시하는 것이 바람직하다. 또한, 스텝 S1의 처리에 대해서도 마찬가지로, 스루풋의 관점에서, 스텝 S2 내지 스텝 S5의 어느 것의 처리와 병행해서 스텝 S1의 처리를 실시해도 된다.
이상, 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템에 의하면, 처리실(PM1 내지 4)의 스테이지(S) 배치의 기차, 반송 장치(ARM1)의 열 신장(변화량)을 고려하여, 복수의 기판(W)을 동시에 처리실(PM1 내지 4)에 반송할 수 있다. 이에 의해, 처리실(PM1 내지 4)의 스테이지(S)의 바람직한 위치로 기판(W)을 반송할 수 있다.
또한, 로드 로크실(LLM1)의 스테이지는, 모터 구동하는 스테이지이어도 된다. 또한, 자기 부상 스테이지(310)로 함으로써, 모터 구동의 구성과 비교하여, 마찰 등에 의한 티끌 등의 발생을 억제할 수 있다. 이에 의해, 기판(W)에 티끌 등이 부착되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 예를 들어 반송 장치(ARM1 내지 3)는, 회전 각도를 제어 가능한 모터에 의해 구동되어, 포크의 위치가 제어된다. 모터는, 구조에 따라 제어 가능한 회전 각도의 최소 단위(스텝 각)가 규정된다. 이 때문에, 반송 장치(ARM1 내지 3)에 의한 위치 제어에서는, 모터의 특성에 따라 위치 제어의 분해능이 규정된다. 이에 반해, 자기 부상 스테이지(310)는, 위치 제어의 분해능을 모터보다도 높게 할 수 있다. 이에 의해, 처리실(PM1 내지 4)의 스테이지(S)에 기판(W)을 적재할 때의 위치 정렬 정밀도를 향상시킬 수 있다.
또한, 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템에서는, 처리실(PM1 내지 4)의 기차에 의한 위치 정렬은, 스텝 S5 및 스텝 S6에서 행하여진다. 이에 반해, 종래의 방법에서는, 기판(W)을 로드 로크실(LLM1)에 반입할 때, 처리실(PM1 내지 4)의 기차에 의한 위치 정렬을 행할 필요가 있다. 이 때문에, 당초에는 처리실(PM1)에 기판(W)을 반송할 예정이었던 것이, 예를 들어 처리실(PM1)의 트러블 등에 의해, 먼저 처리실(PM2)에 기판(W)을 반송할 필요가 생긴 경우, 로드 로크실(LLM1)을 진공 분위기에서 대기 분위기로 되돌리고, 게이트 밸브(GV61, 71)를 개방하여, 반송 장치(ARM2, 3)에서 위치 조정을 다시 행한 후, 게이트 밸브(GV61, 71)를 닫고, 로드 로크실(LLM1)을 대기 분위기에서 진공 분위기로 되돌릴 필요가 있었다. 이 때문에, 처리 시간이 길어지게 되었다. 이에 반해, 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템에서는, 로드 로크실(LLM1)을 진공 분위기인채 그대로 위치 조정할 수 있으므로, 처리 시간을 짧게 할 수 있다.
이어서, 제2 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 일례에 대해서, 도 7을 사용해서 설명한다. 도 7은, 제2 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 일례를 도시하는 평면도이다. 제2 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템은, 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템과 비교하여, 얼라인먼트 장치(500)를 갖고 있다. 얼라인먼트 장치(500)는, 로드 로크실(LLM1)과 마찬가지로, 4개의 자기 부상 스테이지(310) 및 받침대(311)를 구비하고 있다.
제2 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템에 의하면, 예를 들어 처리실(PM1)에서 기판(W)에 처리를 실시한 후, 처리실(PM2)에서 기판(W)에 또한 처리를 실시하는 구성의 경우, 로드 로크실(LLM1)로부터 얼라인먼트 장치(500)에 기판을 반송하여, 얼라인먼트 장치(500)에서 처리실(PM1)의 기차 및 반송 장치(ARM1)의 열 신장량에 따른 보정을 행한 후, 처리실(PM1)에 반송한다. 처리실(PM1)에서의 처리 후에, 처리실(PM1)로부터 얼라인먼트 장치(500)에 기판(W)을 반송하여, 얼라인먼트 장치(500)에서 처리실(PM2)의 기차 및 반송 장치(ARM1)의 열 신장량에 따른 보정을 행한 후, 처리실(PM2)에 반송할 수 있다.
이어서, 제3 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 일례에 대해서, 도 8을 사용해서 설명한다. 도 8은, 제3 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 일례를 도시하는 평면도이다. 제3 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템은, 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템과 비교하여, 처리실(PM1 내지 4), 반송 장치(ARM1) 및 반송실(VTM1)로 이루어지는 모듈(M1)과, 처리실(PM11 내지 14), 반송 장치(ARM11) 및 반송실(VTM2)로 이루어지는 모듈(M2)을 접속하는 패스 모듈(600)을 구비하고 있다. 패스 모듈(600)은, 로드 로크실(LLM1)과 마찬가지로, 4개의 자기 부상 스테이지(310) 및 받침대(311)를 구비하고 있다.
제3 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템에 의하면, 예를 들어 처리실(PM1)에서 기판(W)에 처리를 실시한 후, 처리실(PM11)에서 기판(W)에 또한 처리를 실시하는 구성의 경우, 로드 로크실(LLM1)로부터 패스 모듈(600)에 기판(W)을 반송하여, 패스 모듈(600)에서 처리실(PM1)의 기차 및 반송 장치(ARM1)의 열 신장량에 따른 보정을 행한 후, 처리실(PM1)에 반송한다. 처리실(PM1)에서의 처리 후에, 처리실(PM1)로부터 패스 모듈(600)에 기판(W)을 반송하여, 패스 모듈(600)에서 처리실(PM11)의 기차 및 반송 장치(ARM11)의 열 신장량에 따른 보정을 행한 후, 처리실(PM11)에 반송할 수 있다.
이상, 제1 내지 3 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 실시 형태 등에 대해서 설명했지만, 본 개시는 상기 실시 형태 등에 한정되는 것은 아니고, 특허 청구 범위에 기재된 본 개시의 요지의 범위 내에서, 다양한 변형, 개량이 가능하다.
또한, 본원은, 2019년 5월 28일에 출원한 일본 특허 출원 2019-099729호에 기초하는 우선권을 주장하는 것이며, 이들 일본 특허 출원의 전체 내용을 본원에 참조에 의해 원용한다.
310: 자기 부상 스테이지
311: 받침대
320: 고정 스테이지
321: 승강 핀
900: 제어부
PM1 내지 4: 처리실
VTM: 반송실
ARM1: 반송 장치
LLM1, 2: 로드 로크실
LM1, 2: 로더 모듈
LP1 내지 4: 로드 포트
GV1 내지 7: 게이트 밸브
C: 캐리어

Claims (8)

  1. 복수의 기판에 처리를 실시하는 처리실과,
    상기 처리실과 접속되는 진공 반송실과,
    상기 진공 반송실에 마련되어, 복수의 기판을 동시에 반송하는 반송 장치와,
    기판을 적재하는 스테이지를 복수 갖고, 상기 진공 반송실과 접속되는 모듈과,
    제어부를 포함하고,
    상기 제어부는,
    처리가 끝난 기판을 반송한 상기 반송 장치의 암의 변형량을 측정하고,
    상기 반송 장치의 상기 암의 변화량에 기초하여, 상기 스테이지의 위치를 보정하는, 기판 처리 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 스테이지는, 자기 부상하는, 기판 처리 시스템.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 모듈은, 로드 로크실인, 기판 처리 시스템.
  4. 제3항에 있어서, 상기 로드 로크실은,
    상기 반송 장치의 상기 암의 변화량에 기초하여 위치를 보정하는 상기 스테이지를 갖는 제1 로드 로크실과,
    고정 스테이지를 갖는 제2 로드 로크실을 포함하는, 기판 처리 시스템.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1 로드 로크실과 상기 제2 로드 로크실은, 상하로 배치되는, 기판 처리 시스템.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 모듈은, 얼라인먼트 장치인, 기판 처리 시스템.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 모듈은, 패스 모듈인, 기판 처리 시스템.
  8. 복수의 기판에 처리를 실시하는 처리실과,
    상기 처리실과 접속되는 진공 반송실과,
    상기 진공 반송실에 마련되어, 복수의 기판을 동시에 반송하는 반송 장치와,
    기판을 적재하는 스테이지를 복수 갖고, 상기 진공 반송실과 접속되는 모듈을 포함하는 기판 처리 시스템의 제어 방법이며,
    처리가 끝난 기판을 반송한 상기 반송 장치의 암의 변형량을 측정하고,
    상기 반송 장치의 상기 암의 변화량에 기초하여, 상기 스테이지의 위치를 보정하는, 기판 처리 시스템의 제어 방법.
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