JP5207215B2 - 加熱加圧システム - Google Patents
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 65
- 238000003825 pressing Methods 0.000 title claims description 23
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 232
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 146
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 35
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 29
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 7
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 4
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 15
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 12
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 210000003722 extracellular fluid Anatomy 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Description
なお、接触熱抵抗(=1/接触熱伝達率)とは物体同士の接触面が完全に密着しないことにより生じる熱抵抗のことであり、接触熱抵抗は加圧力や物体同士の表面粗さなどによって変化する。「接触熱抵抗を含む界面」とは、接触熱抵抗が発生している物体と物体との界面を意味する。
このような構成によれば、2つの物体が接合する面の温度が目標温度になるように制御することができるため、物質同士の接合不良が極めて少なくすることができる。
図1はウエハ張り合わせ装置100の全体斜視図であり、図2はウエハ張り合わせ装置100の上面概略図である。
ウエハ張り合わせ装置100は、ウエハローダーWL及びウエハホルダローダーWHLを有している。ウエハローダーWL及びウエハホルダローダーWHLは、多関節ロボットであり六自由度方向(X,Y,Z,θX,θY,θZ)に移動可能である。さらにウエハローダーWLはレールRAに沿ってY方向に長い距離移動可能であり、ウエハホルダローダーWHLはレールRAに沿ってX方向に長い距離移動可能である。
図3は加熱加圧装置70を示した側面の概念図である。
第2ベースプレートBP2は、耐摩耗用又は耐衝撃用に優れている合金から構成されている。
図4(b)は第2半導体ウエハW2と第2ウエハホルダWH2との界面であり、この界面における接触熱伝達率(=1/接触熱抵抗)をK(w、wh)とする。(c)は第2ウエハホルダWH2と第2トッププレートTP2との界面であり、この界面における接触熱伝達率をK(wh、tp)とする。(d)は第2トッププレートTP2と第2温度調整プレートAT2との界面であり、この界面における接触熱伝達率をK(tp、at)とする。(e)は第2温度調整プレートAT2とヒーターHTとの界面であり、この界面における接触熱伝達率をK(at、ht)とする。
図5は、主制御装置90のうちの熱流体解析システムを示したブロック図である。熱流体解析システムは、バスBで相互に接続されている表示部91と、キーボード及びマウス等で構成された入力部92と、接触熱抵抗算出部93と、接触熱抵抗モデルテーブル94と、温度予測部95と、温度制御部96と、記憶部99とを有している。
接触熱抵抗算出部93は、接触熱抵抗モデルごとにその接触面における接触熱抵抗又は熱伝導率Kを算出し、その算出結果を接触熱抵抗モデルテーブル94に記録する。
なお、表示部91に表示された熱流体解析プログラムによるGUI(Graphic User Interface)に従って、操作者は接合面の目標温度、使用するウエハホルダWHの種類などを入力部92により入力する。
図6は、「橘の式」を用いて接触熱抵抗を算出する例である。
図6(a)は「橘の式」を示す。この「橘の式」において、各パラメータの意味は以下の通りである。
K:接触熱伝達率(W/m2℃)
δ1:接触面を構成する一方の部材の表面粗さ(μm)
δ2:接触面を構成する他方の部材の表面粗さ(μm)
δ0:接触相当長さ(=23μm)
λ1:接触面を構成する一方の部材の熱伝導率(W/m℃)
λ2:接触面を構成する他方の部材の熱伝導率(W/m℃)
P:接触圧力(MPa)
H:接触面を構成する部材のうち軟らかい方の硬度(HB)
λf:介在流体熱伝導率(W/m℃)。接触面の隙間にできる空気の熱伝導率を想定している。真空中であれば流体熱伝導率は0として考える。
接触熱抵抗は加圧力の影響を受けるため、半導体ウエハW同士の加圧力によって半導体ウエハの温度が変わってしまうことを説明する。
接触熱抵抗算出部93は加圧プロファイルBになったことによる、半導体ウエハWからヒーターHTまでの接触熱抵抗を算出する。算出結果は接触熱抵抗モデルテーブル94に記録される。
図7C(e)の加圧プロファイルCでは、ヒーターHTの加熱が始まってからしばらくして内側加圧アクチュエータ73及び外側加圧アクチュエータ75が半導体ウエハWの接合面に加圧力P0になるように加圧している。そして、内側加圧アクチュエータ73及び外側加圧アクチュエータ75は時刻t4で加圧力P0から加圧力ゼロになるように減圧している。
図8は、半導体ウエハWの接合のフローチャートである。
ステップP31において、操作者は表示部91に表示されたGUIに従って、半導体ウエハ枚数、目標温度H1、加圧力P、加圧プロファイル、半導体ウエハWの面粗さ、保持時間TT、冷却時間TCなどの条件を入力する。これらすべての条件を入力する必要はなく、例えば操作者は導体ウエハ枚数、目標温度H1及び加圧力P以外はデフォルトで設定されている条件を入力するようにしても良い。
ステップ33において、温度予測部95は、記録された接触熱抵抗などに基づいて所定の計算モジュールに従い半導体ウエハWの接合面の温度を算出する。
ステップP37において、ウエハ張り合わせ装置100を動作させ、加熱加圧装置70の温度制御部96がヒーターHTなどを制御する。
BP … ベースプレート
CL1 … 第1冷却管
CL2 … 第2冷却管
W … 半導体ウエハ (W1 … 第1半導体ウエハ、W2 … 第2半導体ウエハ)
HT … ヒーター
TP … トッププレート
TS … 温度センサー
WH … ウエハホルダ
WL … ウエハローダー
WHL … ウエハホルダローダー
10 … ウエハストッカー
20 … ウエハプリアライメント装置
30 … ウエハホルダストッカー
40 … ウエハホルダプリアライメント装置
50 … アライナー
70 … 加圧装置(73 … 内側加圧アクチュエータ、75 … 外側加圧アクチュエータ)
80 … 分離冷却ユニット
70 … 加圧装置
80 … 分離冷却ユニット
90 … 主制御装置(91 … 表示部、92 … 入力部、93 … 接触熱抵抗算出部、94 … 接触熱抵抗モデルテーブル、95 … 接合面温度算出部、96 … 温度制御部)
100 … ウエハ張り合わせ装置
Claims (19)
- 少なくとも2つの半導体ウエハを加熱及び加圧して接合する加熱加圧システムであって、
前記2つの半導体ウエハの一方を加熱する第一のヒーター部と、
他方を加熱する第二のヒーター部と、
前記半導体ウエハの加熱加圧の条件を入力する入力部と、
前記入力された加圧に基づいて前記前記半導体ウエハを加圧する加圧部と、
少なくとも前記加圧部によって2つの半導体ウエハが加圧される加圧力に基づいて、前記2つの半導体ウエハが重ねて加圧された接合面の温度を予測する温度予測部と、
前記温度予測部により予測された温度に基づいて、前記二つの半導体ウエハの接合面の温度が目標温度になるように前記第一のヒーター部及び前記第二のヒーター部をそれぞれ制御する温度制御部と、
を備える加熱加圧システム。 - 前記条件は、前記第一のヒーター部および前記第二のヒーター部の温度、前記一方の半導体ウエハと前記第一のヒーター部との間または前記他方の半導体ウエハと前記第二のヒーター部との間に配置される構成部材同士の接触部分に存在する接触熱抵抗または熱伝導率、前記構成部材と前記半導体ウエハとの接触部分に存在する接触熱抵抗または熱伝導率、前記接触部分の接触面の面粗さ、前記接触面の硬度、前記2つの半導体ウエハが配置される気体の熱伝導率の少なくとも一つを含む請求項1に記載の加熱加圧システム。
- 前記気体の熱伝導率は、前記加圧加熱システム内の気体の熱伝導率、及び、真空状態の熱伝導率を含む請求項2に記載の加熱加圧システム。
- 前記構成部材同士の接触部分、又は、前記構成部材と前記半導体ウエハとの接触部分に接触熱抵抗モデルを生成して前記接触熱抵抗又は前記熱伝導率を算出する接触熱抵抗算出部を有し、
前記温度予測部は、前記接触熱抵抗算出部で算出された前記接触熱抵抗又は前記熱伝導率に基づいて前記接合面の温度を予測する請求項3に記載の加熱加圧システム。 - 前記接触熱抵抗モデルは、前記構成部材の表面粗さ、接触圧力、前記構成部材の熱伝導率、前記構成部材の硬度、及び前記接触部分の面積の少なくとも一つを含む請求項4に記載の加熱加圧システム。
- 前記第一のヒーター部の付近、前記第一のヒーター部と前記一方の半導体ウエハとの間、前記第二のヒーター部の付近、及び前記第二のヒーター部と前記他方の半導体ウエハとの間の少なくとも一カ所に配置された温度センサーを備え、
前記温度制御部は、前記温度センサーからの情報を参照し、前記接触熱抵抗モデルの計算精度を向上させる学習機能を持つ請求項4又は請求項5に記載の加熱加圧システム。 - 前記温度制御部は、前記温度予測部により予測された温度と前記第一ヒータ部および第ニのヒーター部の少なくとも一方の温度とに基づいて、前記第一ヒータ部および第ニのヒーター部の少なくとも一方を制御する請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の加熱加圧システム。
- 前記第一のヒーター部の付近、前記第一のヒーター部と前記一方の半導体ウエハとの間、前記第二のヒーター部の付近、及び前記第二のヒーター部と前記他方の半導体ウエハとの間の少なくとも一カ所に配置された温度センサーを備え、
前記温度制御部は、前記温度予測部により予測された温度と前記センサーにより検出された温度とに基づいて前記第一のヒータ部および前記第ニのヒーター部の少なくとも一方を制御する請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の加熱加圧システム。 - 前記温度予測部は、実験で得られた結果を記憶する記憶部を有し、前記結果に基づいて、前記半導体ウエハの接合面の温度を予測する請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の加熱加圧システム。
- 前記温度予測部は、温度予測のための計算モジュールを有する請求項6又は請求項8に記載の加熱加圧システム。
- 前記温度予測部は、前記温度センサーが配置された箇所の温度を予測し、前記箇所の予測温度と前記温度センサーの温度とが異なる場合、前記計算モジュールを補正する請求項10に記載の加熱加圧システム。
- 前記温度予測部は、時間成分を考慮した熱特性計算を前記計算モジュールにより行い、前記半導体ウエハの目標温度到達時間又は冷却完了時間を予測する請求項10又は請求項11に記載の加熱加圧システム。
- 前記温度予測部は、前記時間成分により前記2つの半導体ウエハを加熱し且つ加圧し一体物に加工するスループット予測を行い、生産管理情報として出力する請求項12に記載の加熱加圧システム。
- 前記加圧部の加圧力は、前記温度予測部により予測された温度に基づいて可変である請求項1から請求項13のいずれか一項に記載の加熱加圧システム。
- 前記構成部材は、重ね合わされた前記2つの半導体ウエハを保持し、前記加圧加熱システムに搬送される半導体ウエハホルダーであり、前記第一のヒーター部及び前記第二のヒーター部は、前記半導体ウエハホルダーを介して前記半導体ウエハを加熱する請求項2から請求項14のいずれか一項に記載の加熱加圧システム。
- 前記半導体ウエハホルダーは、セラミック材料から構成される請求項15に記載の加熱加圧システム。
- 前記温度制御部は、前記二つの半導体ウエハの前記接合面の温度がそれぞれ同一の温度になるように前記第一のヒーター部及び前記第二のヒーター部をそれぞれ制御する請求項1から請求項16のいずれか一項に記載の加熱加圧システム。
- 前記2つの半導体ウエハを張り合わせる張り合わせ装置であって、
前記2つの半導体ウエハをアライメントするアライメント装置と、
前記アライメント装置でアライメントされた前記2つの半導体ウエハを加熱及び加圧して接合する加熱加圧システムと、を備え、
前記加熱加圧システムは、請求項1から請求項17のいずれか一項に記載の加熱加圧システムである張り合わせ装置。 - 前記2つの半導体ウエハを保持する半導体ウエハホルダーと、
前記2つの半導体ウエハを保持した前記半導体ウエハホルダーを前記アライメント装置から搬送するローダーと、
所定の気体内又は真空内で、前記ローダーにより搬送された前記半導体ウエハホルダーを支えるプレートと、を備え、
前記第一のヒーター部および前記第二のヒーター部は、前記プレートおよび前記半導体ウエハホルダーを介して前記半導体ウエハを加熱する請求項18に記載の張り合わせ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011083411A JP5207215B2 (ja) | 2011-04-05 | 2011-04-05 | 加熱加圧システム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011083411A JP5207215B2 (ja) | 2011-04-05 | 2011-04-05 | 加熱加圧システム |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007268867A Division JP5229679B2 (ja) | 2007-10-16 | 2007-10-16 | 加熱加圧システム |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013034081A Division JP5403494B2 (ja) | 2013-02-25 | 2013-02-25 | 加熱システム及び張り合わせ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011193003A JP2011193003A (ja) | 2011-09-29 |
JP5207215B2 true JP5207215B2 (ja) | 2013-06-12 |
Family
ID=44797547
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011083411A Expired - Fee Related JP5207215B2 (ja) | 2011-04-05 | 2011-04-05 | 加熱加圧システム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5207215B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014154749A (ja) * | 2013-02-12 | 2014-08-25 | Olympus Corp | 基板、半導体装置、撮像装置および基板の製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63119538A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体封止装置 |
JP4935043B2 (ja) * | 2005-10-06 | 2012-05-23 | 株式会社ニコン | 3次元積層型半導体装置の製造装置および製造方法 |
-
2011
- 2011-04-05 JP JP2011083411A patent/JP5207215B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011193003A (ja) | 2011-09-29 |
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Date | Code | Title | Description |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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R250 | Receipt of annual fees |
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