JP2001015545A - ワイヤボンディング装置及び方法 - Google Patents

ワイヤボンディング装置及び方法

Info

Publication number
JP2001015545A
JP2001015545A JP18893899A JP18893899A JP2001015545A JP 2001015545 A JP2001015545 A JP 2001015545A JP 18893899 A JP18893899 A JP 18893899A JP 18893899 A JP18893899 A JP 18893899A JP 2001015545 A JP2001015545 A JP 2001015545A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
heater block
resin substrate
wire bonding
heater
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP18893899A
Other languages
English (en)
Inventor
Ryuichi Kyomasu
隆一 京増
Fumio Miyano
文男 宮野
Toshihiko Tomiyama
俊彦 富山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinkawa Ltd
Original Assignee
Shinkawa Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinkawa Ltd filed Critical Shinkawa Ltd
Priority to JP18893899A priority Critical patent/JP2001015545A/ja
Priority to TW89111213A priority patent/TW511196B/zh
Priority to KR10-2000-0036879A priority patent/KR100370986B1/ko
Priority to US09/607,259 priority patent/US6491202B1/en
Publication of JP2001015545A publication Critical patent/JP2001015545A/ja
Priority to US09/912,960 priority patent/US6467679B2/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/002—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
    • B23K20/004—Wire welding
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/26—Auxiliary equipment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K37/00—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups
    • B23K37/003—Cooling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/78251—Means for applying energy, e.g. heating means in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/787—Means for aligning
    • H01L2224/78703—Mechanical holding means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/85048—Thermal treatments, e.g. annealing, controlled pre-heating or pre-cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85053—Bonding environment
    • H01L2224/85054—Composition of the atmosphere
    • H01L2224/85075—Composition of the atmosphere being inert
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/859—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector involving monitoring, e.g. feedback loop
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/049—Nitrides composed of metals from groups of the periodic table
    • H01L2924/0495—5th Group
    • H01L2924/04953—TaN

Abstract

(57)【要約】 【課題】デバイスの上面を必要な温度に保ち、かつ樹脂
製基板の軟化及び変形を起こさない温度に保ってワイヤ
ボンディングを行うことができる。 【解決手段】ヒータ１１を有するヒータブロック４の上
方に配設され、デバイス１のチップ３部分を加熱するチ
ップ加熱手段２０と、ヒータブロック４を冷却するよう
に該ヒータブロック４に設けられた冷却パイプ１０とを
備え、デバイス１のボンディング表面温度をボンディン
グ可能な温度に保ち、ヒータブロック４の温度を冷却パ
イプ１０に流す冷水又は冷風で冷却して樹脂製基板２を
軟化しない低温に保つ。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ワイヤボンディン
グ装置及び方法に係り、特に半導体装置等のデバイスの
加熱に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、デバイスの基板は金属からなっ
ている。最近、コスト低減の面から樹脂製基板に多数の
チップを密集して搭載し、それにワイヤボンディングし
た後、一括してモールドし、その後個々のデバイスとす
る方法が採られるようになってきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ワイヤボンディングに
おいては、ボンディングの信頼性を向上させるためデバ
イスの表面温度を高く保つ目的で、基板の下面をヒータ
ブロックで加熱している。しかしながら、樹脂は軟化温
度が１５０°Ｃ程度と低く、かつ断熱性が高いので、基
板の下面をヒータブロックで加熱する方法は、ボンディ
ングするチップの表面を高温にすることが難しい。な
お、ヒータブロックを備えたワイヤボンディング装置と
して、例えば特開平４−２６２５４５号公報があげられ
る。
【０００４】そこで、チップの上方から熱風をボンディ
ング部分に吹き付けて加熱することが考えられる。この
方法でも、安定したボンディングを行うために２００°
Ｃの温度の熱を長時間かけると、基板が軟化する可能性
がある。基板が軟化すると、ボンディング時にキャピラ
リの超音波エネルギー及び荷重が基板に吸収されて逃げ
てしまい、安定したボンディングが行えないという問題
があるので、軟化を防止することが課題となっている。
なお、チップの上方に熱風を吹き付けて加熱するものと
して、例えば特開昭５９−１８４５３７号公報があげら
れる。
【０００５】本発明の課題は、デバイスの上面を必要な
温度に保ち、かつ樹脂製基板の軟化及び変形を起こさな
い温度に保ってワイヤボンディングを行うことができる
ワイヤボンディング装置及び方法を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明のワイヤボンディング装置の第１の手段は、樹
脂製基板を有するデバイスを、ヒータを有するヒータブ
ロック上に載置し、フレーム押さえでクランプしてワイ
ヤボンディングするワイヤボンディング装置において、
デバイスのボンディング表面温度をボンディング可能な
温度に保ち、前記ヒータブロックの温度を冷却手段で冷
却して前記樹脂製基板を軟化しない低温に保つことを特
徴とする。
【０００７】上記課題を解決するための本発明のワイヤ
ボンディング装置の第２の手段は、樹脂製基板を有する
デバイスを、ヒータを有するヒータブロック上に載置
し、フレーム押さえでクランプしてワイヤボンディング
するワイヤボンディング装置において、前記ヒータブロ
ックの上方に配設され、前記デバイスのチップ部分を加
熱するチップ加熱手段と、前記ヒータブロックを冷却す
るように該ヒータブロックに設けられたヒータブロック
冷却手段とを備え、前記デバイスのボンディング表面温
度をボンディング可能な温度に保ち、前記ヒータブロッ
クの温度を冷却手段で冷却して前記樹脂製基板を軟化し
ない低温に保つことを特徴とする。
【０００８】上記課題を解決するための本発明のワイヤ
ボンディング方法は、樹脂製基板を有するデバイスを、
ヒータを有するヒータブロック上に載置し、フレーム押
さえでクランプしてワイヤボンディングするワイヤボン
ディング方法において、デバイスのボンディング表面温
度をボンディング可能な温度に保ち、前記ヒータブロッ
クの温度を冷却手段で冷却して前記樹脂製基板を軟化し
ない低温に保つことを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態を図１によ
り説明する。デバイス１は、樹脂製基板２上にチップ３
が貼り付けられている。樹脂製基板２はヒータブロック
４上に位置決め載置され、フレーム押さえ５によりクラ
ンプされる。チップ３のパッドと樹脂製基板２のリード
には、超音波ホーン６の先端に固定されたキャピラリ７
により、キャピラリ７に挿通されたワイヤ８が接続され
る。以上は周知の構造であるので、これ以上の説明は省
略する。
【００１０】ヒータブロック４の中心には、冷水又は冷
風を流す冷却パイプ１０が配設されている。ヒータブロ
ック４の冷却パイプ１０の両側には、ヒータ１１が配設
されている。
【００１１】ヒータブロック４の上方には、チップ３を
加熱するチップ加熱手段２０が配設されている。チップ
加熱手段２０は、加熱本体２１の内部に電熱線２２が配
設され、加熱本体２１の上端部には圧縮エア２３を供給
するパイプ２４が接続されている。加熱本体２１の下端
部には、熱風を層流として流す蜂の巣状の整流板２５が
固定されている。
【００１２】次に作用について説明する。圧縮エア２３
は、電熱線２２により加熱されて熱風２６となり、この
熱風２６は整流板２５により層流となってチップ３及び
その周辺を加熱し、デバイス１のボンディング面を必要
な温度にする。樹脂製基板２の下面は、ヒータ１１とパ
イプ２４に流す冷水又は冷風により温度を制御し、樹脂
製基板２の温度を軟化点以下、例えば１３０°Ｃに保
つ。
【００１３】これにより、デバイス１上面はボンディン
グに十分な温度が得られると共に、樹脂製基板２の温度
を樹脂製基板２の軟化点以下に保つことができる。な
お、樹脂製基板２に必要な温度は、樹脂製基板２の材質
により異なる。また樹脂製基板２の下面の温度は、ヒー
タブロック４に温度計を設置することにより容易に測定
できる。またデバイス１の上面の温度制御は、デバイス
表面から放射する赤外線を測定して行うことができる。
簡易な方法としては、デバイス１が加熱されて発生する
ガスを測定して行うことができる。
【００１４】このように、パイプ２４に流す冷水又は冷
風を制御することによりデバイス１のボンディング表面
の温度をボンディング可能な温度に保ち、また樹脂製基
板２を軟化しない十分な低温に保ってボンディングを行
うことができる。
【００１５】
【発明の効果】本発明は、デバイスのボンディング表面
温度をボンディング可能な温度に保ち、ヒータを有する
ヒータブロックの温度を冷却手段で冷却して前記樹脂製
基板を軟化しない低温に保つので、デバイスの上面を必
要な温度に保ち、かつ樹脂製基板の軟化及び変形を起こ
さない温度に保ってワイヤボンディングを行うことがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のワイヤボンディング装置の一実施の形
態を示す断面図である。
【符号の説明】
１ デバイス ２ 樹脂製基板 ３ チップ ４ ヒータブロック ７ キャピラリ ８ ワイヤ １０ 冷却パイプ １１ ヒータ ２０ チップ加熱手段 ２２ 電熱線 ２６ 熱風
フロントページの続き (72)発明者 富山 俊彦 東京都武蔵村山市伊奈平２丁目51番地の１ 株式会社新川内 Ｆターム(参考） 5F044 AA02 BB25 CC04

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 樹脂製基板を有するデバイスを、ヒータ
    を有するヒータブロック上に載置し、フレーム押さえで
    クランプしてワイヤボンディングするワイヤボンディン
    グ装置において、デバイスのボンディング表面温度をボ
    ンディング可能な温度に保ち、前記ヒータブロックの温
    度を冷却手段で冷却して前記樹脂製基板を軟化しない低
    温に保つことを特徴とするワイヤボンディング装置。
  2. 【請求項２】 樹脂製基板を有するデバイスを、ヒータ
    を有するヒータブロック上に載置し、フレーム押さえで
    クランプしてワイヤボンディングするワイヤボンディン
    グ装置において、前記ヒータブロックの上方に配設さ
    れ、前記デバイスのチップ部分を加熱するチップ加熱手
    段と、前記ヒータブロックを冷却するように該ヒータブ
    ロックに設けられたヒータブロック冷却手段とを備え、
    前記デバイスのボンディング表面温度をボンディング可
    能な温度に保ち、前記ヒータブロックの温度を冷却手段
    で冷却して前記樹脂製基板を軟化しない低温に保つこと
    を特徴とするワイヤボンディング装置。
  3. 【請求項３】 樹脂製基板を有するデバイスを、ヒータ
    を有するヒータブロック上に載置し、フレーム押さえで
    クランプしてワイヤボンディングするワイヤボンディン
    グ方法において、デバイスのボンディング表面温度をボ
    ンディング可能な温度に保ち、前記ヒータブロックの温
    度を冷却手段で冷却して前記樹脂製基板を軟化しない低
    温に保つことを特徴とするワイヤボンディング方法。
JP18893899A 1999-07-02 1999-07-02 ワイヤボンディング装置及び方法 Pending JP2001015545A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18893899A JP2001015545A (ja) 1999-07-02 1999-07-02 ワイヤボンディング装置及び方法
TW89111213A TW511196B (en) 1999-07-02 2000-06-09 Apparatus and method for wire bonding
KR10-2000-0036879A KR100370986B1 (ko) 1999-07-02 2000-06-30 와이어본딩장치 및 방법
US09/607,259 US6491202B1 (en) 1999-07-02 2000-06-30 Wire bonding apparatus and method
US09/912,960 US6467679B2 (en) 1999-07-02 2001-07-25 Wire bonding method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18893899A JP2001015545A (ja) 1999-07-02 1999-07-02 ワイヤボンディング装置及び方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001015545A true JP2001015545A (ja) 2001-01-19

Family

ID=16232538

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP18893899A Pending JP2001015545A (ja) 1999-07-02 1999-07-02 ワイヤボンディング装置及び方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US6491202B1 (ja)
JP (1) JP2001015545A (ja)
KR (1) KR100370986B1 (ja)
TW (1) TW511196B (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008007940A1 (en) * 2006-07-11 2008-01-17 Advance Solution Material Technology Sdn.Bhd.(594714-V) Dissipative ceramic wire clamp
KR101120718B1 (ko) * 2004-08-20 2012-03-23 프리스케일 세미컨덕터, 인크. 듀얼 게이지 리드프레임
US20180050406A1 (en) * 2015-04-24 2018-02-22 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Device, method, and system for cooling a flat object in a nonhomogeneous manner
CN112025144A (zh) * 2020-09-07 2020-12-04 九江海天设备制造有限公司 一种用于铝合金焊接工作台的散热装置及其使用方法

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100781150B1 (ko) * 2001-12-28 2007-11-30 삼성테크윈 주식회사 와이어 본딩 장치
JP4014579B2 (ja) 2004-04-01 2007-11-28 沖電気工業株式会社 ワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング方法
EP2014406A3 (de) * 2004-11-02 2010-06-02 HID Global GmbH Verlegevorrichtung, Kontaktiervorrichtung, Zustellsystem, Verlege- und Kontaktiereinheit Herstellungsanlage, Verfahren zur herstellung und eine Transpondereinheit
US8286332B2 (en) * 2006-09-26 2012-10-16 Hid Global Gmbh Method and apparatus for making a radio frequency inlay
US7971339B2 (en) * 2006-09-26 2011-07-05 Hid Global Gmbh Method and apparatus for making a radio frequency inlay
DE602007010634D1 (de) * 2007-09-18 2010-12-30 Baile Na Habhann Co Galway Verfahren zur Kontaktierung eines Drahtleiters gelegt auf ein Substrat
SG155779A1 (en) * 2008-03-10 2009-10-29 Micron Technology Inc Apparatus and methods of forming wire bonds
CN102259246A (zh) * 2011-07-19 2011-11-30 东莞佰鸿电子有限公司 Led连接线焊接防氧化装置
CN104057221B (zh) * 2014-07-11 2015-10-14 威海永崮耐磨制品有限公司 耐磨板堆焊机水冷装置
DE102014011219B4 (de) * 2014-07-29 2017-10-26 Audi Ag Vorrichtung und Verfahren zur Ausbildung einer elektrischen Kontaktierung zwischen einer Energiespeicherzelle und einer Leiterblechstruktur
CN105364344B (zh) * 2015-11-03 2017-03-08 中冶辽宁德龙钢管有限公司 一种带钢接板焊接用铜垫板的固定方法及结构
US11393807B2 (en) 2020-03-11 2022-07-19 Peter C. Salmon Densely packed electronic systems
US10966338B1 (en) 2020-03-11 2021-03-30 Peter C. Salmon Densely packed electronic systems
US11546991B2 (en) 2020-03-11 2023-01-03 Peter C. Salmon Densely packed electronic systems
US11523543B1 (en) 2022-02-25 2022-12-06 Peter C. Salmon Water cooled server
US11445640B1 (en) 2022-02-25 2022-09-13 Peter C. Salmon Water cooled server

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59184537A (ja) 1983-04-01 1984-10-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 加熱装置付きワイヤボンダ
US4692839A (en) * 1985-06-24 1987-09-08 Digital Equipment Corporation Multiple chip interconnection system and package
JP3094374B2 (ja) 1991-02-15 2000-10-03 株式会社新川 ワイヤボンダ用フレーム固定装置
KR940001270Y1 (ko) * 1991-07-15 1994-03-09 금성일렉트론 주식회사 와이어 본드의 히터블록
JP3005789B2 (ja) * 1993-11-25 2000-02-07 株式会社新川 ワイヤボンデイング装置
US5923086A (en) * 1997-05-14 1999-07-13 Intel Corporation Apparatus for cooling a semiconductor die
US6031216A (en) * 1998-06-17 2000-02-29 National Semiconductor Corporation Wire bonding methods and apparatus for heat sensitive metallization using a thermally insulated support portion

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101120718B1 (ko) * 2004-08-20 2012-03-23 프리스케일 세미컨덕터, 인크. 듀얼 게이지 리드프레임
WO2008007940A1 (en) * 2006-07-11 2008-01-17 Advance Solution Material Technology Sdn.Bhd.(594714-V) Dissipative ceramic wire clamp
US20180050406A1 (en) * 2015-04-24 2018-02-22 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Device, method, and system for cooling a flat object in a nonhomogeneous manner
US10391572B2 (en) * 2015-04-24 2019-08-27 SEMIKRON ELEKTRONIK GbmH & CO. KG Device, method, and system for cooling a flat object in a nonhomogeneous manner
CN112025144A (zh) * 2020-09-07 2020-12-04 九江海天设备制造有限公司 一种用于铝合金焊接工作台的散热装置及其使用方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20010015104A (ko) 2001-02-26
KR100370986B1 (ko) 2003-02-06
US6467679B2 (en) 2002-10-22
US6491202B1 (en) 2002-12-10
US20010042777A1 (en) 2001-11-22
TW511196B (en) 2002-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001015545A (ja) ワイヤボンディング装置及び方法
US6031216A (en) Wire bonding methods and apparatus for heat sensitive metallization using a thermally insulated support portion
JP3303832B2 (ja) フリップチップボンダー
US6041994A (en) Rapid and selective heating method in integrated circuit package assembly by means of tungsten halogen light source
JP2502947Y2 (ja) ワイヤボンダ―のヒ―タブロック
US7614540B2 (en) Thermal insulation for a bonding tool
JP2004179484A (ja) ワイヤが接合されている半導体装置の製造方法
JPH05198608A (ja) 半導体素子の封止方法及びその装置
US7681775B2 (en) Multi-layer thermal insulation for a bonding system
JPH07176549A (ja) ダイボンド装置
JPH10335392A (ja) バンプ付きワークのボンディング装置
KR100529863B1 (ko) 플립칩 본더장치
JP2000332050A (ja) ワイヤボンディング装置
JP2004193539A (ja) 半導体素子の接合方法および装置
JPH10189643A (ja) タングステン・ハロゲン光源を用いる集積回路パッケージ・アッセンブリの高速及び選択的加熱方法
JP2002050726A (ja) 半導体装置
JP2956217B2 (ja) ワイヤボンド用加熱装置及びワイヤボンド用加熱方法
JP3324144B2 (ja) 電極接合装置及び方法
JPH04346450A (ja) ワイヤボンディング装置
JPH02276258A (ja) ワイヤボンディング装置
JPH025537Y2 (ja)
JPH04165635A (ja) 混成集積回路装置の製造方法
KR100518978B1 (ko) 플립칩 본더장치
JPH09148499A (ja) 半導体気密封止型パッケージ及びその製造方法
KR0164131B1 (ko) 와이어 본딩용 히터 블럭

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050808

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060216

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060221

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060623