JP2956217B2 - ワイヤボンド用加熱装置及びワイヤボンド用加熱方法 - Google Patents

ワイヤボンド用加熱装置及びワイヤボンド用加熱方法

Info

Publication number
JP2956217B2
JP2956217B2 JP41234090A JP41234090A JP2956217B2 JP 2956217 B2 JP2956217 B2 JP 2956217B2 JP 41234090 A JP41234090 A JP 41234090A JP 41234090 A JP41234090 A JP 41234090A JP 2956217 B2 JP2956217 B2 JP 2956217B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
wire bonding
main surface
heater stage
heating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP41234090A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH04219941A (ja
Inventor
克也 小菅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP41234090A priority Critical patent/JP2956217B2/ja
Publication of JPH04219941A publication Critical patent/JPH04219941A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2956217B2 publication Critical patent/JP2956217B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/859Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector involving monitoring, e.g. feedback loop
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はワイヤボンド用加熱装置
及びワイヤボンド用加熱方法に係わり、特に、表面のみ
ならず裏面にも部品が実装されている基板を加熱するも
のに用いて好適なものである。
【0002】
【従来の技術】例えば、COB型ハイブリッドICをワ
イヤボンドで実装する場合には、上記ICを実装する基
板をヒータステージ上に載置し、その表面温度を例えば
150℃程度に加熱して、上記ワイヤボンドが良好に行
われるようにしている。上記基板を上記ヒータステージ
でヒートアップするに際し、上記基板の片面にのみ部品
が実装される場合は部品が実装されない方の面がフラッ
トなので、上記部品が実装されない方の面と上記ヒータ
ステージの載置面とを全面的に密着させることができ
る。しかし、上記基板の両面に部品を実装する場合は、
部品が既に実装されている面を上記ヒータステージに対
面させて支持しなければならないが、上記ヒータステー
ジの載置面に上記部品が当接してしまうので、上記基板
を上記載置面上に良好に接触させることができなくなっ
てしまう。そこで、このような不都合を防止するため
に、図2の(a)および(b)で示すように、ヒータス
テージ40の略中央部に凹部41を形成し、基板42を
上記ヒータステージ40上に載置したときに上記基板4
2上に実装されている部品がヒータステージ40に当た
らないようにしている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな凹部41を形成するとヒータステージ40と直接接
触するのは基板42の周囲だけとなってしまうので、既
に部品が実装された後の面を均一に加熱することができ
なくなる不都合があった。特に、最近は実装密度が上が
っているため、凹部41を形成しないで残せる部分が少
なくなっており、上記部品を実装する面を益々均一に加
熱しにくくなってきている。
【0004】このような不都合を解消するために、図3
の(a),(b)および図4(a),(b)に示すよう
に、部品が実装される面内に対応する部分においても凹
部41をできるだけ形成しないようにして、上記基板4
2と直接接触する部分をできるだけ残し、基板42とヒ
ータステージ40とを直接接触させる面積をなるべく多
くすることが考えられる。このようにすれば、部品が実
装される面内においても上記基板42を直接加熱するこ
とができるので、図5に示した場合よりは上記基板42
を均一に加熱することが可能になる。しかし、上記した
ように最近は実装密度を上げるために各部品と部品との
スペースを小さくしているので、部品間を通してヒータ
ステージ40を基板42に当接させるのが非常に困難に
なってきた。したがって、図3および図4に示すように
部品が実装される面内に対応する部分に凹部41を形成
しないで残すことができず、したがって基板42を均一
に加熱することができないことが多かった。本発明は上
述た問題点に鑑み、一側に部品が既に実装されている基
板の他側を良好に加熱できるようにすることを目的とす
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明のワイヤボンド用
加熱装置は、ヒータステージと加熱手段とを備えてい
る。上記ヒータステージは、基板の一主面上に実装され
ている部品を収容する凹部を有し、上記部品を上記凹部
内に収容させた状態で上記基板を支持するものである。
また、上記加熱手段は、上記凹部の開口上部から上記凹
部側に向けて熱風を吹き出すものである。本発明のワイ
ヤボンド用加熱方法は、一主面上に部品を実装してなる
基板の他主面にワイヤボンドを行うために、上記他主面
を加熱するワイヤボンド用加熱方法であって、次のよう
に行う。先ず、上記部品をヒータステージの凹部内に収
容させる状態で、上記基板を上記ヒータステージ上に支
持させる。次に、上記ヒータステージ上に支持された上
記基板の他主面に熱風を吹き付けることによって上記他
主面を加熱する
【0006】
【作用】上記ワイヤボンド用加熱装置では、加熱手段か
ら吹き出された熱風は、ヒータステージに設けられた凹
部の開口上部から凹部側に吹き出される。このため、基
板の一主面上に実装された部品を上記凹部に収容させた
状態で上記基板をヒータステージ上に支持させた状態に
おいては、上記熱風は、上記基板の他主面に吹き付けら
れることになり、この熱風によって上記他主面が加熱さ
れる。したがって、上記基板の一主面上における部品の
実装状態に関わりなく、この基板における他主面が均等
に加熱される。また、上記ワイヤボンド用加熱方法で
は、一主面上に部品が実装された基板の他主面が、熱風
の吹き付けによって加熱される。このため、基板の一主
面上における部品の実装状態に関わりなく均等に加熱さ
れた上記基板の他主面に対して、ワイヤボンドが行われ
る。
【0007】
【実施例】図1は、本発明の一実施例を示すワイヤボン
ド用加熱装置の構成図である。図1から明らかなよう
に、本実施例のワイヤボンド用加熱装置は、ヒータステ
ージ1、熱風発生装置2および制御回路3等によって構
成されている。ヒータステージ1は、その表面(すなわ
ち一主面)4a上に部品5が実装されている基板4を載
置支持しながら加熱するためのもので、本実施例におい
ては部品5が実装されている実装面に対面するヒータス
テージ1の中央部に、ヒータステージ1の載置面と部品
5とが当たらないようにするための凹部6を形成してい
る。したがって、図1に示すように基板4の一主面4a
に部品5を実装した後にその裏面(すなわち他主面)
4b上に部品5を実装する場合、既に表面4aに実装さ
れている部品5を凹部6内に収容した状態で基板4をヒ
ータステージ1上に載置することができ、両面に部品が
実装される基板4を良好に加熱することができる。
【0008】 また、熱風発生装置2には、ブロワー配管
15が接続されており、この熱風発生装置2とブロワー
配管15とは、基板4の他主面4bを加熱するための加
熱手段として凹部6の外側に配置されている。このブロ
アー配管15の吹出口は、凹部6の開口上部において凹
部6側に向けられている。すなわち、熱風発生装置2で
発生されブロアー配管15から吹き出された熱風11
は、凹部6の開口上部から凹部6側に向かって吹き出さ
れ、上述のようにしてヒータステージ1上に基板4を載
置した状態においては、この熱風11は基板4の他主面
4bに直接吹き付けられることになる。このため、ワイ
ヤボンドを行って部品5を実装しようとしている基板4
の他主面4bが、この熱風11によって加熱される。
【0009】熱風発生装置2と制御回路3とは、制御回
線8を介して接続されていて、例えば、基板4の実装面
の温度が150℃になるように上記熱風発生装置2の加
熱動作が上記制御回路3により自動制御される。この温
度自動制御は、基板4の実装面の温度を検出するセンサ
(図示せず)を設けてクローズループで行ってもよく、
或いは熱風発生装置2に供給する電力量を制御するなど
の方法によりオープンループで行ってもよい。
【0010】 以上のように、ワイヤボンド用加熱装置に
よる加熱は熱風11により基板4の他主面4bを直接加
熱するものであるから、基板4の一主面4a側における
部品5の実装状態に関わらず、実装面となる他主面4b
を均一に加熱することができる。また、この他主面4b
に熱風11を直接吹きつけることにより、基板4の熱伝
導率に左右されない加熱を行うことができ、加熱効率を
向上させることができる。
【0011】上記装置を使用して基板4を加熱した結果
を“表1”に示す。
【表1】 “表1”から明らかなように、本実施例のワイヤボンド
用加熱装置は両面に部品が実装される基板4において、
その実装面A(すなわち他主面)を加熱するための装置
として、良好に使用することができる。
【0012】
【発明の効果】以上説明したように本発明のワイヤボン
ド用加熱装置によれば、基板の一主面上に実装された部
品を収容するためにヒータステージに設けられた凹部の
開口上部から凹部側に向かって熱風を吹き出す加熱手段
を設けたことで、同一基板の一主面上における部品の実
装状態に関わりなく他主面を効率良く均等に加熱するこ
とが可能になる。この結果、実装面となる上記他主面内
における温度のばらつきを小さくすることができるとと
もに、ヒートアップタイムを大幅に向上させることがで
きる。また、本発明のワイヤボンド用加熱方法によれ
ば、一主面上に部品を実装してなる基板の他主面に熱風
を吹き付ける構成にしたことで、一主面上における部品
の実装状態に関わりなく効率良く均等に加熱された上記
基板の他主面に対して、部品を実装するためのワイヤボ
ンドを行うことが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例を示すワイヤボンド用加熱装置
の概略構成図である。
【図2】凹部を形成した例を示すヒータステージの概略
構成図である。
【図3】基板と直接接触する部分を凹部内に残した例を
示すヒータステージの概略構成図である。
【図4】基板と直接接触する部分を凹部内に残した他の
例を示すヒータステージの概略構成図である。
【符号の説明】
1 ヒータステージ 2 熱風発生装置(加熱手段) 4 基板 5 部品 6 凹部 11 熱風15 ブロワー配管(加熱手段)

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板の一主面上に実装されている部品を
    収容する凹部を有し、上記部品を上記凹部内に収容させ
    た状態で上記基板を支持するヒータステージと、 上記凹部の開口上部から上記凹部側に向けて熱風を吹き
    出す加熱手段とを備えたことを特徴とするワイヤボンド
    用加熱装置。
  2. 【請求項2】 一主面上に部品を実装してなる基板の他
    主面にワイヤボンドを行うために、上記他主面を加熱す
    るワイヤボンド用加熱方法であって、 上記部品をヒータステージの凹部内に収容させる状態
    で、上記基板を上記ヒータステージ上に支持させ、 上記ヒータステージ上に支持された上記基板の他主面に
    熱風を吹き付けることによって上記他主面を加熱するこ
    とを特徴とするワイヤボンド用加熱方法。
JP41234090A 1990-12-19 1990-12-19 ワイヤボンド用加熱装置及びワイヤボンド用加熱方法 Expired - Fee Related JP2956217B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP41234090A JP2956217B2 (ja) 1990-12-19 1990-12-19 ワイヤボンド用加熱装置及びワイヤボンド用加熱方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP41234090A JP2956217B2 (ja) 1990-12-19 1990-12-19 ワイヤボンド用加熱装置及びワイヤボンド用加熱方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04219941A JPH04219941A (ja) 1992-08-11
JP2956217B2 true JP2956217B2 (ja) 1999-10-04

Family

ID=18521191

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP41234090A Expired - Fee Related JP2956217B2 (ja) 1990-12-19 1990-12-19 ワイヤボンド用加熱装置及びワイヤボンド用加熱方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2956217B2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH04219941A (ja) 1992-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2704309B2 (ja) 基板処理装置及び基板の熱処理方法
KR970071993A (ko) 기판 온도 제어방법, 기판 열처리장치 및 기판 지지장치
JP2001015545A (ja) ワイヤボンディング装置及び方法
JP2956217B2 (ja) ワイヤボンド用加熱装置及びワイヤボンド用加熱方法
JPH0531231U (ja) ワイヤボンダーのヒータブロツク
JP2000329821A (ja) 半導体試験装置のハンドラ
JPH11168131A (ja) ウエハ搬送チャック
JPH0345634U (ja)
JPH1083978A (ja) 半導体ウェーハを研磨ブロック上に装着する方法及びその装置
JP2582012Y2 (ja) ウェーハ加熱用ヒータ
JPH05110242A (ja) 基 板
JPH0661165A (ja) 熱処理装置
JPH1154248A (ja) 両面型プレートヒータ及び二重加熱恒温槽
JPH06104198A (ja) ランプアニール装置
JPH03288440A (ja) 半導体基板用加熱装置
JPH11271389A (ja) Ic試験装置
JPH05121598A (ja) Icソケツト
JP2606874Y2 (ja) 食器洗浄機のヒータ装置
JPS6165173A (ja) 電子部品検査用ソケツト
JPH07176549A (ja) ダイボンド装置
JPH05109811A (ja) ワイヤボンデイング装置
JPH029446B2 (ja)
JP2003303870A (ja) 半導体ウェハー搬送機構
JPS6021383Y2 (ja) 熱処理炉
JP2004134475A (ja) 半導体装置の昇降温装置

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees