JPH0536748A - ワイヤボンデイング装置 - Google Patents

ワイヤボンデイング装置

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JPH0536748A
JPH0536748A JP3192234A JP19223491A JPH0536748A JP H0536748 A JPH0536748 A JP H0536748A JP 3192234 A JP3192234 A JP 3192234A JP 19223491 A JP19223491 A JP 19223491A JP H0536748 A JPH0536748 A JP H0536748A
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ionized gas
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智 後藤
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 線径の小さい金属細線に対して、放電距離を
調整することなく、低い放電電圧でもって適正な放電ス
パークを確実に発生させて良好な金属ボールを形成する
ことにある。 【構成】 キャピラリ(4)から導出された金属細線
(3)の先端部に放電電極(1)を対向配置し、その金
属細線(3)の先端部と放電電極(1)との間での放電
スパークにより金属細線(3)の先端部に金属ボール
(5)を形成するものにおいて、上記金属細線(3)の
先端部と放電電極(1)との間での放電スパーク領域
(m)にイオン化ガスを供給してその放電スパーク領域
(m)をイオン化ガス雰囲気にするイオン化ガス供給手
段(6)を付設する。このイオン化ガス供給手段(6)
は、例えば、放電スパーク領域(m)の上方でキャピラ
リ(4)の近傍に配置した吐出ノズル(7)を有するも
のである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はワイヤボンディング装置
に関し、詳しくは、半導体装置の製造などに使用され、
そのワイヤボンディング工程において半導体ペレットと
リードとを金属細線で電気的に接続するワイヤボンディ
ング装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の製造では、そのワイヤボン
ディング工程において、リードフレームのランド部上に
マウントされた半導体ペレットとそのランド部の周辺に
配置された多数のリードとをAu等の金属細線で電気的
に接続している。このワイヤボンディングは、キャピラ
リと称されるボンディングツールで金属細線をガイドし
ながら半導体ペレットの電極パッドやリードの先端部に
超音波圧着や熱圧着でもって接続する。ワイヤボンディ
ング時には、まず、上記金属細線を挿通させたキャピラ
リからその金属細線の先端部を導出し、その先端部を溶
融させてボール状に成形する。その上で、キャピラリを
移動させて金属細線の先端部の金属ボールを半導体ペレ
ットの電極パッドに押し付けて圧着することにより電極
パッドに金属細線を電気的に接続する。次に、上記キャ
ピラリから金属細線を導出させながらリードに向けて移
動させ、その金属細線をリードに押し付けて圧着した上
で引きちぎることによりリードに金属細線を電気的に接
続する。
【0003】ところで、ワイヤボンディングを行なうに
際しては、上述したようにキャピラリから導出した金属
細線の先端部を溶融させてその先端部に金属ボールを形
成する手段として放電を利用した電気トーチがある。こ
れは、図8に示すようにワイヤボンディング装置本体に
金属ブロック状の放電電極(1)を装着し、その放電電
極(1)の基端部から一体的に延びる平板状の先端部
(2)を、下方に向けて金属細線(3)の先端部を導出
したキャピラリ(4)の下方で水平方向に旋回自在に配
置する。尚、上記キャピラリ(4)は接地電位に、放電
電極(1)はマイナス電位に設定されている。
【0004】ワイヤボンディング時、放電電極(1)の
先端部(2)をキャピラリ(4)の下方で水平方向に旋
回させることにより、放電電極(1)の先端部(2)が
キャピラリ(4)から導出した金属細線(3)の先端部
に最も接近してその直下に位置した瞬間、放電電極
(1)の先端部(2)と金属細線(3)の先端部との間
で放電スパークが発生し、この放電スパークにより金属
細線(3)の先端部が溶融して金属ボール(5)が形成
される。この金属ボール(5)の形成後、放電電極
(1)の先端部(2)が金属細線(3)の先端部から遠
ざかった時点で前述したように半導体ペレット及びリー
ドへの接続が行なわれる。尚、図示しないが、上記金属
細線(3)と放電電極(1)との間の放電スパーク領域
(m)では空気の回り込みにより金属ボール(5)表面
に酸化膜が形成されないようにN2等の不活性ガスを供
給し、不活性ガス雰囲気中で放電スパークにより金属ボ
ール(5)を形成するようにしている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体装置
が信号用ICなどの場合、ワイヤボンディングに使用す
る金属細線(3)は細いもので十分であるので、コスト
低減を図る目的のために極力細い金属細線(3)を使用
する傾向にある。一方、従来のワイヤボンディング装置
では、線径が25〜32μm程度である通常の金属細線
(3)に合わせて放電電圧を3kV程度に設定している
ため、上述のように25〜32μmよりもかなり細い金属細
線(3)の先端部に金属ボール(5)を放電スパークに
より形成する際に、その放電エネルギーが大き過ぎて上
記金属ボール(5)が金属細線(3)の先端部から溶断
し、その結果、良好なワイヤボンディングを行なうこと
が困難となる。この問題を解消するために、放電電圧を
低くしたり或いは金属細線(3)の先端部と放電電極
(1)の先端部(2)との距離を大きくすることによ
り、金属ボール(5)が溶断しないようにしようとして
も、逆に放電スパークが発生しない場合もあり、放電電
圧或いは放電距離を適正に調整することは非常に難しい
ものであった。
【0006】そこで、本発明は上記問題点に鑑みて提案
されたもので、その目的とするところは、線径の小さい
金属細線に対して、放電距離を調整することなく、低い
放電電圧でもって適正な放電スパークを確実に発生させ
て良好な金属ボールを形成し得るワイヤボンディング装
置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明における上記目的
を達成するための技術的手段は、キャピラリから導出さ
れた金属細線の先端部に放電電極を対向配置し、その金
属細線の先端部と放電電極との間での放電スパークによ
り金属細線の先端部に金属ボールを形成するものにおい
て、上記金属細線の先端部と放電電極との間での放電ス
パーク領域にイオン化ガスを供給してその放電スパーク
領域をイオン化ガス雰囲気にするイオン化ガス供給手段
を付設したことである。
【0008】また、上記イオン化ガス供給手段は、金属
細線の先端部と放電電極との間での放電方向に沿ってイ
オン化ガスを流すようにすることが望ましい。
【0009】この場合、放電スパーク領域の上方でキャ
ピラリの近傍に吐出ノズルを配置したり、上記キャピラ
リの金属細線が貫挿された挿通孔をイオン化ガス吐出孔
としたり、放電電極にイオン化ガスの吐出路を形成し、
その吐出路でもってイオン化ガスを放電電極の先端部か
ら金属細線の先端部に向けて吹き上げるようにすればよ
い。
【0010】更に、上記イオン化ガス供給手段は、放電
スパーク領域の側方に配置され、その側方から放電スパ
ーク領域に向けてイオン化ガスを供給する吐出ノズルと
してもよい。
【0011】
【作用】本発明に係るワイヤボンディング装置では、金
属細線の先端部と放電電極との間での放電スパーク領域
にイオン化ガスを供給してその放電スパーク領域をイオ
ン化ガス雰囲気にするイオン化ガス供給手段を付設した
ことにより、実質的な放電距離を小さくすることにな
り、線径の小さい金属細線に対して低い放電電圧でもっ
て所定の放電エネルギーを有する適正な放電スパークを
生成させることができ、良好な金属ボールの形成が実現
可能となる。
【0012】
【実施例】本発明に係るワイヤボンディング装置の実施
例を図1乃至図7を参照しながら説明する。尚、図8に
示すワイヤボンディング装置と同一部分には同一参照符
号を付して重複説明は省略する。
【0013】図1乃至図7は本考案のワイヤボンディン
グ装置において、キャピラリ(4)から導出した金属細
線(3)の先端を溶融させてその先端に金属ボール
(5)を形成する手段として放電電極(1)を有する電
気トーチを示す。
【0014】本発明の特徴は、金属細線(3)の先端部
と放電電極(1)の先端部(2)との間での放電スパー
ク領域(m)にイオン化ガスを供給してその放電スパー
ク領域(m)をイオン化ガス雰囲気にするイオン化ガス
供給手段(6)を付設したことにある。
【0015】以下、このイオン化ガス供給手段(6)に
ついて具体的に説明する。
【0016】まず、図1及び図2に示す第1の実施例に
おけるイオン化ガス供給手段(6)は、イオン化ガスを
吐出する吐出ノズル(7)を放電スパーク領域(m)の
上方でキャピラリ(4)の近傍に配置し、その吐出ノズ
ル(7)の吐出孔(8)を金属細線(3)の先端部と放
電電極(1)との間での放電スパーク領域(m)に向け
る。この第1の実施例では、吐出ノズル(7)の吐出孔
(8)から吐出されたイオン化ガスは、金属細線(3)
の先端部から放電電極(1)に向けて下方に流下し、そ
の金属細線(3)の先端部と放電電極(1)との間での
放電スパーク領域(m)をイオン化ガス雰囲気にする。
これにより実質的に放電距離が小さくなったことにな
り、キャピラリ(4)から導出された金属細線(3)の
線径が小さい場合であっても、低い放電電圧でもって所
定の放電エネルギーを発生させることができ、高い放電
電圧による過剰な放電エネルギーでもって金属細線
(3)の先端部が溶断したり、或いは放電距離が大き過
ぎることにより放電スパークが発生しないような不具合
は皆無となる。
【0017】尚、本発明のイオン化ガス供給手段(6)
は、上述した第1の実施例に限らず、例えば、図3乃至
図7に示す第2〜第4の実施例のようなものでもよい。
【0018】まず、図3に示す第2の実施例におけるイ
オン化ガス供給手段(6)は、キャピラリ(4)におけ
る金属細線(3)の挿通孔(9)を利用したもので、そ
の挿通孔(9)をイオン化ガスの吐出孔としてキャピラ
リ(4)の先端部からイオン化ガスを吐出させる。この
挿通孔(9)から吐出されたイオン化ガスは、第1の実
施例と同様、金属細線(3)の先端部から放電電極
(1)に向けて下方に流下し、その金属細線(3)の先
端部と放電電極(1)との間での放電スパーク領域
(m)をイオン化ガス雰囲気にする。
【0019】以上説明した第1及び第2の実施例では、
イオン化ガスを金属細線(3)の先端部から放電電極
(1)に向けて下方に流下させるようにした場合につい
て説明したが、例えば、図4及び図5に示す第3の実施
例のようにしてもよい。
【0020】即ち、この第3の実施例のイオン化ガス供
給手段(6)は、放電電極(1)の上面に沿って両側に
絶縁性のガイド板(10)を取り付けると共に放電電極
(1)の先端部を上方に向けて屈曲させて立ち上がり部
(11)を形成し、その放電電極(1)の基端部にイオン
化ガスを吐出する吐出ノズル(12)を配置する。上記放
電電極(1)のガイド板(10)及び立ち上がり部(11)
により囲まれた部分が吐出ノズル(12)から吐出される
イオン化ガスの吐出路(13)となる。このイオン化ガス
供給手段(6)では、吐出ノズル(12)から吐出された
イオン化ガスは、ガイド板(10)によって誘導されなが
ら放電電極(1)の上面をその先端部に向けて流出し、
その先端部に達すると立ち上がり部(11)により流出方
向が上方に変えられてキャピラリ(4)の金属細線
(3)の先端部に向けて吹き出すことになり、その金属
細線(3)の先端部と放電電極(1)との間での放電ス
パーク領域(m)をイオン化ガス雰囲気にする。
【0021】また、第4の実施例におけるイオン化ガス
供給手段(6)は、イオン化ガスを吐出する吐出ノズル
(14)を金属細線(3)の先端部と放電電極(1)との
間の放電スパーク領域(m)の側方に配置し、その吐出
孔(15)を放電スパーク領域(m)に向ける。この第4
の実施例では、吐出ノズル(14)の吐出孔(15)から吐
出されたイオン化ガスは、金属細線(3)の先端部と放
電電極(1)との間での放電スパーク領域(m)の側方
から供給されてその放電スパーク領域(m)をイオン化
ガス雰囲気にする。
【0022】尚、上述した各実施例では、金属細線
(3)の先端部と放電電極(1)との間の放電スパーク
領域(m)、及びキャピラリ(4)や放電電極(1)を
含む領域を全体的に不活性ガス雰囲気にした場合につい
て説明したが、本発明はこれに限定されることなく、上
記放電スパーク領域(m)のみを不活性ガス雰囲気にし
た場合にも適用可能である。この場合、不活性ガスとイ
オン化ガスとを同時に供給する第1吐出ノズルと第2吐
出ノズルとを同軸的に配置した二重管構造とすることも
できる。
【0023】
【発明の効果】本発明に係るワイヤボンディング装置に
よれば、金属細線の先端部と放電電極との間での放電ス
パーク領域にイオン化ガスを供給してその放電スパーク
領域をイオン化ガス雰囲気にするイオン化ガス供給手段
を付設したことにより、放電距離を調整することなく、
実質的な放電距離を小さくすることになり、線径の小さ
い金属細線に対して低い放電電圧でもって所定の放電エ
ネルギーを有する適正な放電スパークを生成させること
ができ、良好な金属ボールの形成が実現可能となって作
業効率が大幅にアップすると共に歩留まりの向上が図れ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るワイヤボンディング装置の第1の
実施例を示す斜視図
【図2】図1の正面図
【図3】本発明の第2の実施例を示す正面図
【図4】本発明の第3の実施例を示す斜視図
【図5】図4の正面図
【図6】本発明の第4の実施例を示す斜視図
【図7】図6の正面図
【図8】ワイヤボンディング装置の従来例を示す斜視図
【符号の説明】
1 放電電極 3 金属細線 4 キャピラリ 5 金属ボール 6 イオン化ガス供給手段 m 放電スパーク領域

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 キャピラリから導出された金属細線の先
    端部と放電電極との間で放電させ金属細線の先端部に金
    属ボールを形成するものにおいて、 金属細線と放電電極との間の放電スパーク領域をイオン
    化ガス雰囲気にするイオン化ガス供給手段を付設したこ
    とを特徴とするワイヤボンディング装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載のイオン化ガス供給手段
    は、金属細線の先端部と放電電極との間での放電方向に
    沿ってイオン化ガスを流すようにしたことを特徴とする
    ワイヤボンディング装置。
  3. 【請求項3】 請求項2記載のイオン化ガス供給手段
    は、放電スパーク領域の上方でキャピラリの近傍に配置
    した吐出ノズルを有することを特徴とするワイヤボンデ
    ィング装置。
  4. 【請求項4】 請求項2記載のイオン化ガス供給手段
    は、キャピラリの金属細線が貫挿された挿通孔をイオン
    化ガスの吐出孔としたことを特徴するワイヤボンディン
    グ装置。
  5. 【請求項5】 請求項2記載のイオン化ガス供給手段
    は、放電電極にイオン化ガスの吐出路を形成し、その吐
    出路でもってイオン化ガスを放電電極の先端部から金属
    細線の先端部に向けて吹き上げるようにしたことを特徴
    とするワイヤボンディング装置。
  6. 【請求項6】 請求項1記載のイオン化ガス供給手段
    は、放電スパーク領域の側方に配置され、その側方から
    放電スパーク領域に向けてイオン化ガスを供給する吐出
    ノズルを有することを特徴とするワイヤボンディング装
    置。
JP3192234A 1991-07-31 1991-07-31 ワイヤボンデイング装置 Pending JPH0536748A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5957371A (en) * 1996-10-17 1999-09-28 Kabushiki Kaisha Shinkawa Method and apparatus for forming a ball in wire bonding
US5958259A (en) * 1996-10-17 1999-09-28 Kabushiki Kaisha Shinkawa Method for forming a ball in wire bonding
US5988482A (en) * 1997-02-24 1999-11-23 Kabushiki Kaisha Shinkawa Discharge abnormality detection device and method for use in wire bonding apparatus
US6776324B2 (en) 2001-11-29 2004-08-17 Kabushiki Kaisha Shinkawa Wire bonding apparatus

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5957371A (en) * 1996-10-17 1999-09-28 Kabushiki Kaisha Shinkawa Method and apparatus for forming a ball in wire bonding
US5958259A (en) * 1996-10-17 1999-09-28 Kabushiki Kaisha Shinkawa Method for forming a ball in wire bonding
US5988482A (en) * 1997-02-24 1999-11-23 Kabushiki Kaisha Shinkawa Discharge abnormality detection device and method for use in wire bonding apparatus
US6776324B2 (en) 2001-11-29 2004-08-17 Kabushiki Kaisha Shinkawa Wire bonding apparatus

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