JPS61176126A - ダイボンデイング装置 - Google Patents
ダイボンデイング装置Info
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- JPS61176126A JPS61176126A JP1732685A JP1732685A JPS61176126A JP S61176126 A JPS61176126 A JP S61176126A JP 1732685 A JP1732685 A JP 1732685A JP 1732685 A JP1732685 A JP 1732685A JP S61176126 A JPS61176126 A JP S61176126A
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- Japan
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- package
- heater block
- pga
- heater
- die
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
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- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体ダイを基板に接着するダイデンディン
グ装置に関し、特にAu−8i共晶にてPGA型セラミ
ック・母、ケージに接着するダイボンディング装置に関
する。
グ装置に関し、特にAu−8i共晶にてPGA型セラミ
ック・母、ケージに接着するダイボンディング装置に関
する。
IC等の半導体装置を製造する際には、装置の主体とな
る半導体ダイを、その支持体でありかつ電極導出部であ
るICノやッケージに取付けること、即ちダイデンディ
ングが行なわれる。ダイデンディングの際には、金−シ
リコン共晶合金をロー材として利用することが行われる
が、このためにはICノやッケージをヒーターブロック
と接触させ、400〜450℃に加熱する必要がある。
る半導体ダイを、その支持体でありかつ電極導出部であ
るICノやッケージに取付けること、即ちダイデンディ
ングが行なわれる。ダイデンディングの際には、金−シ
リコン共晶合金をロー材として利用することが行われる
が、このためにはICノやッケージをヒーターブロック
と接触させ、400〜450℃に加熱する必要がある。
ところで、近年ICの集積度が高くなったため、外部接
続を行う!7−ド数も増加し、100ピン〜200ピン
程度のものが生産されるようになっているが、セラミッ
クICノや、ケージにおいては第5図(a) 、 (b
)に示すように接続ピン6を格子状に配列したピングリ
ッドアレイ(PGAと以下略称する)と呼ばれるICC
ハラケージが採用されている。
続を行う!7−ド数も増加し、100ピン〜200ピン
程度のものが生産されるようになっているが、セラミッ
クICノや、ケージにおいては第5図(a) 、 (b
)に示すように接続ピン6を格子状に配列したピングリ
ッドアレイ(PGAと以下略称する)と呼ばれるICC
ハラケージが採用されている。
従来PGA ICパ、ケージ1を加熱する場合、第6図
に示すPGAICノfッケージ1の接続ピン6に当たる
部分をプロ、り状に切取ったヒーターブロック2bが用
いられるのが一般的であった。8は温度測定端子である
◎ 〔発明が解決しようとする問題点〕 上述した従来のヒーターブロック2bでは、第7図に示
す様にPGA ICパッケージ1との接触面がPGAI
C−”ッケージ真面の中央付近に偏っている為、加熱前
のPGA ICノ#ッケージlに対し、ヒータープ07
り2bの温度を高めに設定すると、局部加熱とナリ、P
GAICノ母ッケージlにクラックが生じる、或いは割
れてしまうことが有り、この為ヒーターブロック2bの
温度を所望の温度より低めに設定し、しかも加熱時間を
充分に取る必要があった。また、・ぐッケージlの搬送
の際には搬送爪3aによってPGAIC−”ッケージl
を接続ピン部長さt十数ミリ分だけ上昇させ、次のヒー
ターブロックに横送すしてから下降させる必要があるの
で搬送機構が複雑となり、また搬送中にPGA IC/
4ッケージ1が冷めてしまうという問題がある。またロ
ー材の酸化防止の為、一般的に不活性ガス〔例えば窒素
ガス〕を吹付ける必要があるが、搬送中のPGA IC
パッケージlを覆う為に設置する窒素カバーが大型とな
ってしまう欠点があった。
に示すPGAICノfッケージ1の接続ピン6に当たる
部分をプロ、り状に切取ったヒーターブロック2bが用
いられるのが一般的であった。8は温度測定端子である
◎ 〔発明が解決しようとする問題点〕 上述した従来のヒーターブロック2bでは、第7図に示
す様にPGA ICパッケージ1との接触面がPGAI
C−”ッケージ真面の中央付近に偏っている為、加熱前
のPGA ICノ#ッケージlに対し、ヒータープ07
り2bの温度を高めに設定すると、局部加熱とナリ、P
GAICノ母ッケージlにクラックが生じる、或いは割
れてしまうことが有り、この為ヒーターブロック2bの
温度を所望の温度より低めに設定し、しかも加熱時間を
充分に取る必要があった。また、・ぐッケージlの搬送
の際には搬送爪3aによってPGAIC−”ッケージl
を接続ピン部長さt十数ミリ分だけ上昇させ、次のヒー
ターブロックに横送すしてから下降させる必要があるの
で搬送機構が複雑となり、また搬送中にPGA IC/
4ッケージ1が冷めてしまうという問題がある。またロ
ー材の酸化防止の為、一般的に不活性ガス〔例えば窒素
ガス〕を吹付ける必要があるが、搬送中のPGA IC
パッケージlを覆う為に設置する窒素カバーが大型とな
ってしまう欠点があった。
本発明は前記問題点を解決した装置を提供するものであ
る。
る。
本発明はPGA ICノ’?ッケージ1に接触し加熱す
るヒータープロ、りにおいて、前記IC/#ッケージの
接触面に取付けられた複数個の接続ピンに相対する位置
に複数個の溝をパッケージの搬送方向に形成することに
より、IC/IPッケージ1を平面内で間欠送りし、し
かも短時間で加熱することを可能としたダイボンディン
グ装置である。
るヒータープロ、りにおいて、前記IC/#ッケージの
接触面に取付けられた複数個の接続ピンに相対する位置
に複数個の溝をパッケージの搬送方向に形成することに
より、IC/IPッケージ1を平面内で間欠送りし、し
かも短時間で加熱することを可能としたダイボンディン
グ装置である。
以下本発明について図面を参照して説明する0第1図は
本発明の一実施例の斜視図であり、ヒーターブロック2
0表面にはPGA ICノ#ッケージ1の接触面に取付
けられた複数個の接続ピン6に相対する位置に搬送方向
に複数個の溝M・・・を有し、ま7’c PGA IC
Iや、ケージ1のセラミック部5により搬送方向に案内
するがイドGがヒーターブロック2の表面両サイドに形
成され、搬送爪取付部品4の搬送爪3がA→B−+C4
Dの間欠送り動作を行うことにより、PGA ICIや
、ケージ1はヒーターブロック2の上面を滑りながら、
次のヒーターブロック2a上に移される。この動作を繰
返し数個の図示しないヒータープロ、り2及び2aと同
様な形状のヒーターブロックにより加熱された後、ヒー
ターブロック2及び2aと同様な形状のヒーターブロッ
ク上にてダイボンディングされる。第2図はヒーターブ
ロック2及び2aの詳細な斜視図である。
本発明の一実施例の斜視図であり、ヒーターブロック2
0表面にはPGA ICノ#ッケージ1の接触面に取付
けられた複数個の接続ピン6に相対する位置に搬送方向
に複数個の溝M・・・を有し、ま7’c PGA IC
Iや、ケージ1のセラミック部5により搬送方向に案内
するがイドGがヒーターブロック2の表面両サイドに形
成され、搬送爪取付部品4の搬送爪3がA→B−+C4
Dの間欠送り動作を行うことにより、PGA ICIや
、ケージ1はヒーターブロック2の上面を滑りながら、
次のヒーターブロック2a上に移される。この動作を繰
返し数個の図示しないヒータープロ、り2及び2aと同
様な形状のヒーターブロックにより加熱された後、ヒー
ターブロック2及び2aと同様な形状のヒーターブロッ
ク上にてダイボンディングされる。第2図はヒーターブ
ロック2及び2aの詳細な斜視図である。
また第3図はヒーターブロック2.2aの溝の拡大図で
あり、PGA I(/#ッケージ1の接続ピンが搬送の
際に円滑に溝Mに案内される様に溝Mの端部を成る角度
〔10°〜20°程度〕で切取っである。第4図に本発
明によるヒーターブロック2によりPGA IC−4’
ツケージlを加熱する場合の断面図を示すが、同図より
明らかな様にPGA ICパッケージlはヒーターブロ
ック2と裏面全域である幅をもった複数の線領域で接触
し加熱されると共に、接続ピン6も形成された溝Mの中
で同時に加熱される。
あり、PGA I(/#ッケージ1の接続ピンが搬送の
際に円滑に溝Mに案内される様に溝Mの端部を成る角度
〔10°〜20°程度〕で切取っである。第4図に本発
明によるヒーターブロック2によりPGA IC−4’
ツケージlを加熱する場合の断面図を示すが、同図より
明らかな様にPGA ICパッケージlはヒーターブロ
ック2と裏面全域である幅をもった複数の線領域で接触
し加熱されると共に、接続ピン6も形成された溝Mの中
で同時に加熱される。
この様にPGA IC/#ッケージlは裏面全域に渡っ
て加熱され、均一な温度分布となる為に、ヒーターブロ
ック2の設定温度をかなり上げてもPGA ICI4
ツケージ1のクラックあるいは割れの発生は無くなるの
で、加熱時間が短縮できる。またPGA IC・9.ケ
ージlが搬送中に冷やされるという問題もない為、加熱
にロスがない。また、PGA IC/#ッケージlの搬
送が平面内で行なわれるので搬送部を覆うカバーの設置
が容易となる。
て加熱され、均一な温度分布となる為に、ヒーターブロ
ック2の設定温度をかなり上げてもPGA ICI4
ツケージ1のクラックあるいは割れの発生は無くなるの
で、加熱時間が短縮できる。またPGA IC・9.ケ
ージlが搬送中に冷やされるという問題もない為、加熱
にロスがない。また、PGA IC/#ッケージlの搬
送が平面内で行なわれるので搬送部を覆うカバーの設置
が容易となる。
以上説明したように本発明によれば、PGAICパッケ
ージの加熱時間が従来のヒーターブロックを使用した場
合に比べ大幅に短縮される為、半導体ペレy ) t”
PGA ICパッケージにダイボンディングする際に
、短時間で作業でき生産性の向上が期待できる効果を有
するものである。
ージの加熱時間が従来のヒーターブロックを使用した場
合に比べ大幅に短縮される為、半導体ペレy ) t”
PGA ICパッケージにダイボンディングする際に
、短時間で作業でき生産性の向上が期待できる効果を有
するものである。
第1図は本発明による加熱搬送部を示す斜視図、第2図
は本発明によるヒータープロ、りを示す斜視図、第3図
は第2図の溝部の拡大図、第4図は本発明によりPGA
IC/4′ッケージを加熱する際の断面図、第5図はP
GA型ICパッケージを示す図であって、(a)は半導
体ダイ取付面の斜視図、伽)は接続ピン側の面の斜視図
、第6図は従来のヒータープロ、りを示す斜視図、第7
図は従来のヒータープロックでPGA型IC/#ッケー
ジを加熱する際の断面図である。 l・・・PGAセラミックパッケージ、2*2a・・・
ヒーターブロック、6・・・PGA ICパッケージの
接続ピン、M・・・溝。 第1図 第2図 (α)
は本発明によるヒータープロ、りを示す斜視図、第3図
は第2図の溝部の拡大図、第4図は本発明によりPGA
IC/4′ッケージを加熱する際の断面図、第5図はP
GA型ICパッケージを示す図であって、(a)は半導
体ダイ取付面の斜視図、伽)は接続ピン側の面の斜視図
、第6図は従来のヒータープロ、りを示す斜視図、第7
図は従来のヒータープロックでPGA型IC/#ッケー
ジを加熱する際の断面図である。 l・・・PGAセラミックパッケージ、2*2a・・・
ヒーターブロック、6・・・PGA ICパッケージの
接続ピン、M・・・溝。 第1図 第2図 (α)
Claims (1)
- (1)セラミックパッケージを対象としたダイボンディ
ング装置において、前記セラミックパッケージを加熱す
るヒーターブロックの接触面に、前記セラミックパッケ
ージの搬送方向に沿って複数の溝を形成したことを特徴
とするダイボンディング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1732685A JPS61176126A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | ダイボンデイング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1732685A JPS61176126A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | ダイボンデイング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61176126A true JPS61176126A (ja) | 1986-08-07 |
Family
ID=11940918
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1732685A Pending JPS61176126A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | ダイボンデイング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61176126A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0514316U (ja) * | 1991-08-09 | 1993-02-23 | 大松 敏一 | 伸縮継手 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56161648A (en) * | 1980-05-16 | 1981-12-12 | Hitachi Ltd | Heating block for pellet fitting device |
-
1985
- 1985-01-31 JP JP1732685A patent/JPS61176126A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56161648A (en) * | 1980-05-16 | 1981-12-12 | Hitachi Ltd | Heating block for pellet fitting device |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0514316U (ja) * | 1991-08-09 | 1993-02-23 | 大松 敏一 | 伸縮継手 |
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