JP2526100Y2 - 銀ペーストキュア装置 - Google Patents
銀ペーストキュア装置Info
- Publication number
- JP2526100Y2 JP2526100Y2 JP5828991U JP5828991U JP2526100Y2 JP 2526100 Y2 JP2526100 Y2 JP 2526100Y2 JP 5828991 U JP5828991 U JP 5828991U JP 5828991 U JP5828991 U JP 5828991U JP 2526100 Y2 JP2526100 Y2 JP 2526100Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silver paste
- lead frame
- curing device
- heater block
- curing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は半導体素子とリードフレ
ームを接合する為の銀ペーストを熱硬化するキュア装置
に関する。
ームを接合する為の銀ペーストを熱硬化するキュア装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来この種のキュア装置は、銀ペースト
によるダイボンディング後のリードフレームを高温槽に
入れ 150℃，１時間程で熱硬化していた。近年半導体装
置の製造における自動化に伴い速硬化性の銀ペーストが
開発され、タイボンディング，銀ペーストキュア装置，
ワイヤボンディングとを連結した一環ラインが構築でき
る様になった。図４は一環ラインで使用する銀ペースト
キュア装置の平面図である。ダイボンダ１で半導体素子
がマウントされたリードフレームＬは銀ペーストキュア
装置２′に送られヒータブロック４で加熱されながらリ
ードフレームＬの幅方向に順次移送される。キュア装置
２′での加熱終了後はワイヤボンダ３に送られ、ワイヤ
ボンディング工程が行われる。尚、銀ペーストキュア装
置２′における加熱温度は 150℃〜 300℃であり、合計
加熱時間は約１分でその間に銀ペーストの硬化は完了す
る。
によるダイボンディング後のリードフレームを高温槽に
入れ 150℃，１時間程で熱硬化していた。近年半導体装
置の製造における自動化に伴い速硬化性の銀ペーストが
開発され、タイボンディング，銀ペーストキュア装置，
ワイヤボンディングとを連結した一環ラインが構築でき
る様になった。図４は一環ラインで使用する銀ペースト
キュア装置の平面図である。ダイボンダ１で半導体素子
がマウントされたリードフレームＬは銀ペーストキュア
装置２′に送られヒータブロック４で加熱されながらリ
ードフレームＬの幅方向に順次移送される。キュア装置
２′での加熱終了後はワイヤボンダ３に送られ、ワイヤ
ボンディング工程が行われる。尚、銀ペーストキュア装
置２′における加熱温度は 150℃〜 300℃であり、合計
加熱時間は約１分でその間に銀ペーストの硬化は完了す
る。
【０００３】
【考案が解決しようとする課題】この従来のキュア装置
２′は、ダイボンダ１とワイヤボンダ３を結ぶ方向と直
角な方向にリードフレームＬを移動させる構成であるた
め、全体をその移動方向に沿って長く構成する必要があ
り、装置全体の設置面積が例えば約 1.5ｍ2 と大きな面
積が必要となる。又、ダンボンダ１とワイヤボンダ３と
は独立した移送機構をキュア装置２′に設ける必要があ
るため、機構的に複雑となり、高価になるという問題も
ある。更に、従来の装置ではフープ状リードフレームを
適用することができない。本考案の目的は、構造を簡略
化するとともに設置面積を低減し、かつフープ状リード
フレームを適用することができる銀ペーストキュア装置
を提供することにある。
２′は、ダイボンダ１とワイヤボンダ３を結ぶ方向と直
角な方向にリードフレームＬを移動させる構成であるた
め、全体をその移動方向に沿って長く構成する必要があ
り、装置全体の設置面積が例えば約 1.5ｍ2 と大きな面
積が必要となる。又、ダンボンダ１とワイヤボンダ３と
は独立した移送機構をキュア装置２′に設ける必要があ
るため、機構的に複雑となり、高価になるという問題も
ある。更に、従来の装置ではフープ状リードフレームを
適用することができない。本考案の目的は、構造を簡略
化するとともに設置面積を低減し、かつフープ状リード
フレームを適用することができる銀ペーストキュア装置
を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本考案の銀ペーストキュ
ア装置は、前工程から移送されるリードフレームを同一
方向に送る移送機構と、移送されるリードフレームを加
熱するヒータブロックと、このヒータブロックをリード
フレームに接触させ或いは離反させるように駆動するヒ
ータブロック上下機構とを備えている。又、ヒータブロ
ックは移送機構による移送方向に沿って複数個設けら
れ、各ヒータブロックの温度を同一或いは異なる温度に
設定可能に構成する。
ア装置は、前工程から移送されるリードフレームを同一
方向に送る移送機構と、移送されるリードフレームを加
熱するヒータブロックと、このヒータブロックをリード
フレームに接触させ或いは離反させるように駆動するヒ
ータブロック上下機構とを備えている。又、ヒータブロ
ックは移送機構による移送方向に沿って複数個設けら
れ、各ヒータブロックの温度を同一或いは異なる温度に
設定可能に構成する。
【０００５】
【作用】本考案によれば、リードフレームを前工程から
移送される方向と同一方向に移送させるため、移送機構
を前工程のものと一体的に構成して構造の簡略化を可能
とする。又、前工程からの移送方向と直角な方向に長く
構成する必要がないために、設置面積を低減する。
移送される方向と同一方向に移送させるため、移送機構
を前工程のものと一体的に構成して構造の簡略化を可能
とする。又、前工程からの移送方向と直角な方向に長く
構成する必要がないために、設置面積を低減する。
【０００６】
【実施例】次に、本考案について図面を参照して説明す
る。図１は本考案の第１実施例の概略平面図であり、図
２はその正面図である。これらの図において、１はリー
ドフレームＬに半導体素子をダイボンディングするダイ
ボンダ、２はダイボンダに使用した銀ペーストを熱硬化
させる銀ペーストキュア装置、３はダイボンディングさ
れた半導体素子とリードフレームとを金属細線で接続す
るワイヤボンダである。前記銀ペーストキュア装置２
は、複数個のヒータブロック４をダイボンダ１とワイヤ
ボンダ３とを結ぶ方向に配列し、各ヒータブロック４は
夫々独立して温度設定できるように構成するとともに、
各ヒータブロック４をヒータブロック上下機構５によっ
て夫々独立して上下移動できるように構成している。
又、前記ダイボンダ１、銀ペーストキュア装置２、及び
ワイヤボンダ３にわたって往復移動動作されるフレーム
送り爪６を設けており、リードフレームＬをピッチ動作
で移送するようになっている。
る。図１は本考案の第１実施例の概略平面図であり、図
２はその正面図である。これらの図において、１はリー
ドフレームＬに半導体素子をダイボンディングするダイ
ボンダ、２はダイボンダに使用した銀ペーストを熱硬化
させる銀ペーストキュア装置、３はダイボンディングさ
れた半導体素子とリードフレームとを金属細線で接続す
るワイヤボンダである。前記銀ペーストキュア装置２
は、複数個のヒータブロック４をダイボンダ１とワイヤ
ボンダ３とを結ぶ方向に配列し、各ヒータブロック４は
夫々独立して温度設定できるように構成するとともに、
各ヒータブロック４をヒータブロック上下機構５によっ
て夫々独立して上下移動できるように構成している。
又、前記ダイボンダ１、銀ペーストキュア装置２、及び
ワイヤボンダ３にわたって往復移動動作されるフレーム
送り爪６を設けており、リードフレームＬをピッチ動作
で移送するようになっている。
【０００７】この構成によれば、ダイボンダ１により半
導体素子がマウントされたリードフレームＬはフレーム
送り爪６によって銀ペーストキュア装置２に送られる。
銀ペーストキュア装置２に送られたリードフレームＬは
ヒータブロック４により加熱される。リードフレームＬ
はフレーム送り爪６により１ピッチづつ順次送られ熱硬
化を促進する。このとき、各ヒータブロック４を同一温
度に固定し、或いは異なる温度で温度勾配をつけること
で、好適な熱硬化が実現できる。硬化の終了したリード
フレームＬはワイヤボンダ３に送られる。尚、何らかの
要因で銀ペーストキュア装置２内でリードフレームＬが
停滞した場合に、ヒータによる過度の熱影響を避けるた
めに、ヒータブロック上下機構５によってヒータブロッ
ク４を下降させ、リードフレーム１から離反させる。
導体素子がマウントされたリードフレームＬはフレーム
送り爪６によって銀ペーストキュア装置２に送られる。
銀ペーストキュア装置２に送られたリードフレームＬは
ヒータブロック４により加熱される。リードフレームＬ
はフレーム送り爪６により１ピッチづつ順次送られ熱硬
化を促進する。このとき、各ヒータブロック４を同一温
度に固定し、或いは異なる温度で温度勾配をつけること
で、好適な熱硬化が実現できる。硬化の終了したリード
フレームＬはワイヤボンダ３に送られる。尚、何らかの
要因で銀ペーストキュア装置２内でリードフレームＬが
停滞した場合に、ヒータによる過度の熱影響を避けるた
めに、ヒータブロック上下機構５によってヒータブロッ
ク４を下降させ、リードフレーム１から離反させる。
【０００８】この銀ペーストキュア装置を採用すること
により、ダイボンダ１、銀ペーストキュア装置２、及び
ワイヤボンダ３の各移送方向が同一直線上に設定するこ
とが可能となり、各装置における移送機構をフレーム送
り爪６として一体化させ、構造の簡略化を図ることが可
能となる。又、キュア装置を移送方向と直角な方向に大
きくする必要がないため、設置面積の低減を図ることも
可能となる。例えば、リードフレーム１列に半導体素子
を８個マウントし、１送りピッチを15mmとし、約１分間
熱硬化した場合を想定すると、キュア装置におけるヒー
タブロック長が300mm弱となりキュア装置が小型化さ
れ、装置全体の床面積も0.25ｍ2 と従来装置に比較し改
善される。
により、ダイボンダ１、銀ペーストキュア装置２、及び
ワイヤボンダ３の各移送方向が同一直線上に設定するこ
とが可能となり、各装置における移送機構をフレーム送
り爪６として一体化させ、構造の簡略化を図ることが可
能となる。又、キュア装置を移送方向と直角な方向に大
きくする必要がないため、設置面積の低減を図ることも
可能となる。例えば、リードフレーム１列に半導体素子
を８個マウントし、１送りピッチを15mmとし、約１分間
熱硬化した場合を想定すると、キュア装置におけるヒー
タブロック長が300mm弱となりキュア装置が小型化さ
れ、装置全体の床面積も0.25ｍ2 と従来装置に比較し改
善される。
【０００９】図３は本考案の第２実施例の正面図であ
り、第１実施例と同一部分には同一符号を付してある。
この実施例ではダイボンダ１と銀ペーストキュア装置２
の間、及び銀ペーストキュア装置２とワイヤボンダ３の
間に夫々余裕を設け、かつフープ状リードフレームＬ′
をフープ送り爪７によって移送させるようにしている。
このため、フープ状リードフレームＬ′にはバッファＬ
ａ′が設けられることになり、ダイボンダ１、銀ペース
トキュア装置２、ワイヤボンダ３の夫々に移送の同期を
とる必要が無くなる。又、フープ送り爪７はダイボンダ
１やワイヤボンダ３の動作にかかわらず単独で動作させ
ることができる。
り、第１実施例と同一部分には同一符号を付してある。
この実施例ではダイボンダ１と銀ペーストキュア装置２
の間、及び銀ペーストキュア装置２とワイヤボンダ３の
間に夫々余裕を設け、かつフープ状リードフレームＬ′
をフープ送り爪７によって移送させるようにしている。
このため、フープ状リードフレームＬ′にはバッファＬ
ａ′が設けられることになり、ダイボンダ１、銀ペース
トキュア装置２、ワイヤボンダ３の夫々に移送の同期を
とる必要が無くなる。又、フープ送り爪７はダイボンダ
１やワイヤボンダ３の動作にかかわらず単独で動作させ
ることができる。
【００１０】
【考案の効果】以上説明したように本考案は、前工程か
ら移送されてくるリードフレームの移送方向と同一方向
に移送する構成であるため、キュア装置の移送機構を他
の装置の移送機構と一体化させ、キュア装置の構成を簡
略化することができる。又、前工程からの移送方向と直
角な方向に長く構成する必要がないために、設置面積を
低減することができる。更に、従来では不可能であった
フープ状リードフレームでの銀ペーストマウント技術が
可能となる。
ら移送されてくるリードフレームの移送方向と同一方向
に移送する構成であるため、キュア装置の移送機構を他
の装置の移送機構と一体化させ、キュア装置の構成を簡
略化することができる。又、前工程からの移送方向と直
角な方向に長く構成する必要がないために、設置面積を
低減することができる。更に、従来では不可能であった
フープ状リードフレームでの銀ペーストマウント技術が
可能となる。
【図１】本考案の第１実施例の概略平面図である。
【図２】図１の正面図である。
【図３】本考案の第２実施例の概略正面図である。
【図４】従来の銀ペーストキュア装置を含む半導体製造
装置の概略平面図である。
装置の概略平面図である。
【符号の説明】 １ ダイボンダ ２ 銀ペーストキュア装置 ３ ワイヤボンダ ４ ヒータブロック ５ ヒータブロック上下機構 ６ フレーム送り爪 ７ フープ送り爪 Ｌ，Ｌ′ リードフレーム
Claims (2)
- 【請求項１】 リードフレームに半導体素子を接着する
銀ペーストを熱硬化するキュア装置において、前記銀ペ
ーストキュア装置は、前工程から移送されるリードフレ
ームをその移送方向と同一方向に送る移送機構と、移送
されるリードフレームを加熱するヒータブロックと、こ
のヒータブロックをリードフレームに接触させ或いは離
反させるように駆動するヒータブロック上下機構とを備
えることを特徴とする銀ペーストキュア装置。 - 【請求項２】 ヒータブロックは移送機構による移送方
向に沿って複数個設けられ、各ヒータブロックの温度を
同一或いは異なる温度に設定可能に構成してなる請求項
１の銀ペーストキュア装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5828991U JP2526100Y2 (ja) | 1991-06-29 | 1991-06-29 | 銀ペーストキュア装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5828991U JP2526100Y2 (ja) | 1991-06-29 | 1991-06-29 | 銀ペーストキュア装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH054469U JPH054469U (ja) | 1993-01-22 |
| JP2526100Y2 true JP2526100Y2 (ja) | 1997-02-12 |
Family
ID=13080046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5828991U Expired - Lifetime JP2526100Y2 (ja) | 1991-06-29 | 1991-06-29 | 銀ペーストキュア装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2526100Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59126836U (ja) * | 1983-02-09 | 1984-08-27 | 森田 義雄 | １８ｌ缶取付用提手 |
| KR101440345B1 (ko) * | 2013-05-06 | 2014-09-15 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 패키지 제조용 스테이지 블럭 및 이를 이용한 반도체 칩 부착 방법 |
-
1991
- 1991-06-29 JP JP5828991U patent/JP2526100Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH054469U (ja) | 1993-01-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0287111B1 (en) | Method for manufacturing an electronic part | |
| JP2526100Y2 (ja) | 銀ペーストキュア装置 | |
| JP3016658B2 (ja) | リードフレーム並びに半導体装置およびその製法 | |
| US5361970A (en) | Method of producing a semiconductor integrated circuit device having terminal members provided between semiconductor element and leads | |
| JP2570583B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法及びその製造装置 | |
| US20080197465A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JP2970115B2 (ja) | 半導体の製造方法 | |
| US7152308B2 (en) | Wirebonder to bond an IC chip to a substrate | |
| JPH0294552A (ja) | リードフレームおよび半導体装置の製造方法 | |
| JPH0720915Y2 (ja) | 銀ペーストキュア炉 | |
| JP2544947B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2882013B2 (ja) | 封止済リードフレームの加工方法 | |
| JPS6149430A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62256472A (ja) | 密着型イメ−ジセンサ−の組み立て方法 | |
| JPS63272043A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2531636B2 (ja) | サ−マルヘツド | |
| JP2818515B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH0555279A (ja) | 半導体の製造方法 | |
| JPH0238443Y2 (ja) | ||
| KR0138213B1 (ko) | 볼 그리드 어레이 패키지 | |
| JPH0438135B2 (ja) | ||
| JP2525772Y2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH0621314A (ja) | リードフレームおよびその製造方法 | |
| JPS5928048B2 (ja) | 自動ワイヤボンデイング装置 | |
| JPS6081850A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R323111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |