JPH054469U - 銀ペーストキユア装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 構造を簡略化するとともに設置面積を低減
し、かつフープ状リードフレームの適用が可能な銀ペー
ストキュア装置を得る。 【構成】 ダイボンダ等の前工程から移送されるリード
フレームＬを同一方向に送る移送機構（フレーム送り爪
６）と、移送されるリードフレームを加熱するヒータブ
ロック４と、このヒータブロックをリードフレームに接
触させ或いは離反させるように駆動するヒータブロック
上下機構５とを備えており、キュア装置２の移送機構を
ダイボンダ１、或いは後工程のワイヤボンダ３の各移送
機構と一体化させて構造の簡略化を図り、かつ移送方向
と直角な方向に沿うキュア装置２の長さを短くして設置
面積の低減を図る。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は半導体素子とリードフレームを接合する為の銀ペーストを熱硬化する キュア装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】

従来この種のキュア装置は、銀ペーストによるダイボンディング後のリードフ レームを高温槽に入れ 150℃，１時間程で熱硬化していた。近年半導体装置の製 造における自動化に伴い速硬化性の銀ペーストが開発され、タイボンディング， 銀ペーストキュア装置，ワイヤボンディングとを連結した一環ラインが構築でき る様になった。 図４は一環ラインで使用する銀ペーストキュア装置の平面図である。ダイボン ダ１で半導体素子がマウントされたリードフレームＬは銀ペーストキュア装置２ ′に送られヒータブロック４で加熱されながらリードフレームＬの幅方向に順次 移送される。キュア装置２′での加熱終了後はワイヤボンダ３に送られ、ワイヤ ボンディング工程が行われる。尚、銀ペーストキュア装置２′における加熱温度 は 150℃〜 300℃であり、合計加熱時間は約１分でその間に銀ペーストの硬化は 完了する。

【０００３】

【考案が解決しようとする課題】

この従来のキュア装置２′は、ダイボンダ１とワイヤボンダ３を結ぶ方向と直 角な方向にリードフレームＬを移動させる構成であるため、全体をその移動方向 に沿って長く構成する必要があり、装置全体の設置面積が例えば約 1.5ｍ² と大 きな面積が必要となる。又、ダンボンダ１とワイヤボンダ３とは独立した移送機 構をキュア装置２′に設ける必要があるため、機構的に複雑となり、高価になる という問題もある。更に、従来の装置ではフープ状リードフレームを適用するこ とができない。 本考案の目的は、構造を簡略化するとともに設置面積を低減し、かつフープ状 リードフレームを適用することができる銀ペーストキュア装置を提供することに ある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】

本考案の銀ペーストキュア装置は、前工程から移送されるリードフレームを同 一方向に送る移送機構と、移送されるリードフレームを加熱するヒータブロック と、このヒータブロックをリードフレームに接触させ或いは離反させるように駆 動するヒータブロック上下機構とを備えている。 又、ヒータブロックは移送機構による移送方向に沿って複数個設けられ、各ヒ ータブロックの温度を同一或いは異なる温度に設定可能に構成する。

【０００５】

【作用】

本考案によれば、リードフレームを前工程から移送される方向と同一方向に移 送させるため、移送機構を前工程のものと一体的に構成して構造の簡略化を可能 とする。又、前工程からの移送方向と直角な方向に長く構成する必要がないため に、設置面積を低減する。

【０００６】

【実施例】

次に、本考案について図面を参照して説明する。図１は本考案の第１実施例の 概略平面図であり、図２はその正面図である。これらの図において、１はリード フレームＬに半導体素子をダイボンディングするダイボンダ、２はダイボンダに 使用した銀ペーストを熱硬化させる銀ペーストキュア装置、３はダイボンディン グされた半導体素子とリードフレームとを金属細線で接続するワイヤボンダであ る。前記銀ペーストキュア装置２は、複数個のヒータブロック４をダイボンダ１ とワイヤボンダ３とを結ぶ方向に配列し、各ヒータブロック４は夫々独立して温 度設定できるように構成するとともに、各ヒータブロック４をヒータブロック上 下機構５によって夫々独立して上下移動できるように構成している。又、前記ダ イボンダ１、銀ペーストキュア装置２、及びワイヤボンダ３にわたって往復移動 動作されるフレーム送り爪６を設けており、リードフレームＬをピッチ動作で移 送するようになっている。

【０００７】 この構成によれば、ダイボンダ１により半導体素子がマウントされたリードフ レームＬはフレーム送り爪６によって銀ペーストキュア装置２に送られる。銀ペ ーストキュア装置２に送られたリードフレームＬはヒータブロック４により加熱 される。リードフレームＬはフレーム送り爪６により１ピッチづつ順次送られ熱 硬化を促進する。このとき、各ヒータブロック４を同一温度に固定し、或いは異 なる温度で温度勾配をつけることで、好適な熱硬化が実現できる。硬化の終了し たリードフレームＬはワイヤボンダ３に送られる。 尚、何らかの要因で銀ペーストキュア装置２内でリードフレームＬが停滞した 場合に、ヒータによる過度の熱影響を避けるために、ヒータブロック上下機構５ によってヒータブロック４を下降させ、リードフレーム１から離反させる。

【０００８】 この銀ペーストキュア装置を採用することにより、ダイボンダ１、銀ペースト キュア装置２、及びワイヤボンダ３の各移送方向が同一直線上に設定することが 可能となり、各装置における移送機構をフレーム送り爪６として一体化させ、構 造の簡略化を図ることが可能となる。又、キュア装置を移送方向と直角な方向に 大きくする必要がないため、設置面積の低減を図ることも可能となる。例えば、 リードフレーム１列に半導体素子を８個マウントし、１送りピッチを15mmとし、 約１分間熱硬化した場合を想定すると、キュア装置におけるヒータブロック長が 300mm弱となりキュア装置が小型化され、装置全体の床面積も0.25ｍ² と従来装 置に比較し改善される。

【０００９】 図３は本考案の第２実施例の正面図であり、第１実施例と同一部分には同一符 号を付してある。この実施例ではダイボンダ１と銀ペーストキュア装置２の間、 及び銀ペーストキュア装置２とワイヤボンダ３の間に夫々余裕を設け、かつフー プ状リードフレームＬ′をフープ送り爪７によって移送させるようにしている。 このため、フープ状リードフレームＬ′にはバッファＬａ′が設けられること になり、ダイボンダ１、銀ペーストキュア装置２、ワイヤボンダ３の夫々に移送 の同期をとる必要が無くなる。又、フープ送り爪７はダイボンダ１やワイヤボン ダ３の動作にかかわらず単独で動作させることができる。

【００１０】

【考案の効果】

以上説明したように本考案は、前工程から移送されてくるリードフレームの移 送方向と同一方向に移送する構成であるため、キュア装置の移送機構を他の装置 の移送機構と一体化させ、キュア装置の構成を簡略化することができる。又、前 工程からの移送方向と直角な方向に長く構成する必要がないために、設置面積を 低減することができる。更に、従来では不可能であったフープ状リードフレーム での銀ペーストマウント技術が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の第１実施例の概略平面図である。

【図２】図１の正面図である。

【図３】本考案の第２実施例の概略正面図である。

【図４】従来の銀ペーストキュア装置を含む半導体製造
装置の概略平面図である。

【符号の説明】

１ ダイボンダ ２ 銀ペーストキュア装置 ３ ワイヤボンダ ４ ヒータブロック ５ ヒータブロック上下機構 ６ フレーム送り爪 ７ フープ送り爪 Ｌ，Ｌ′ リードフレーム

Claims (2)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 リードフレームに半導体素子を接着する
   銀ペーストを熱硬化するキュア装置において、前記銀ペ
   ーストキュア装置は、前工程から移送されるリードフレ
   ームをその移送方向と同一方向に送る移送機構と、移送
   されるリードフレームを加熱するヒータブロックと、こ
   のヒータブロックをリードフレームに接触させ或いは離
   反させるように駆動するヒータブロック上下機構とを備
   えることを特徴とする銀ペーストキュア装置。
2. 【請求項２】 ヒータブロックは移送機構による移送方
   向に沿って複数個設けられ、各ヒータブロックの温度を
   同一或いは異なる温度に設定可能に構成してなる請求項
   １の銀ペーストキュア装置。