JP3055511B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子（半導体
チップまたは半導体ペレットなど）等を搭載する半導体
装置の製造方法に関するものである。
チップまたは半導体ペレットなど）等を搭載する半導体
装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は側面からみた従来のワイヤーボン
ディング工程と各工程位置でのブロックの温度或いは雰
囲気温度を示している。まず、トレー１からリードフレ
ーム３が搬送方向４で示されるように搬出され、ヒータ
ー８ａにより温度調整されている予熱ブロック５の上で
リードフレーム３を予熱温度Ｔｐまで加熱する。なお、
リードフレーム３には、図５に示されているように半導
体素子１４（以下単にＩＣチップという）が搭載されて
おり（図５において、リードフレームは符号１５で示さ
れており、ボンディングワイヤーは符号１６で示されて
いる）、ＩＣチップもリードフレームと同様に温度Ｔｐ
まで加熱される。次にヒーター８ｂにより温度調整され
ているヒートブロック６の上までリードフレーム３の搬
送が行われ、リードフレームとＩＣチップをボンディン
グ温度Ｔｂまで加熱した後、ＩＣチップ上の電極とリー
ドフレーム側の電極であるリードを電気的に接合するた
めのワイヤーボンディングが行われる。１枚のリードフ
レームには通常数個のＩＣチップが搭載されており、リ
ードフレーム上の全ＩＣチップのボンディング終了後、
リードフレームは収納トレー２に搬送されボンディング
工程は終了する。各位置での予熱ブロックとヒーターブ
ロック及び雰囲気の温度は図２で示されるようになって
おり、ボンディング後のＩＣチップは雰囲気温度Ｔａま
で自然冷却されることになる。このときリードフレーム
及びＩＣチップの温度は図４に示すような履歴１２を示
すことが、本発明者の評価により明らかになっており、
雰囲気温度Ｔａが２５℃、ボンディング温度Ｔｂが２０
０℃であるとき、該ボンディング温度Ｔｂから雰囲気温
度Ｔａ＋５℃に達するまでの時間ｔ０はＩＣチップとリ
ードフレームの種類に依存するが約１５秒〜３０秒であ
り、（Ｔａ＋５−Ｔｂ）／ｔ０であらわされる平均温度
勾配は約−６℃／秒〜−１２℃／秒となっている。
ディング工程と各工程位置でのブロックの温度或いは雰
囲気温度を示している。まず、トレー１からリードフレ
ーム３が搬送方向４で示されるように搬出され、ヒータ
ー８ａにより温度調整されている予熱ブロック５の上で
リードフレーム３を予熱温度Ｔｐまで加熱する。なお、
リードフレーム３には、図５に示されているように半導
体素子１４（以下単にＩＣチップという）が搭載されて
おり（図５において、リードフレームは符号１５で示さ
れており、ボンディングワイヤーは符号１６で示されて
いる）、ＩＣチップもリードフレームと同様に温度Ｔｐ
まで加熱される。次にヒーター８ｂにより温度調整され
ているヒートブロック６の上までリードフレーム３の搬
送が行われ、リードフレームとＩＣチップをボンディン
グ温度Ｔｂまで加熱した後、ＩＣチップ上の電極とリー
ドフレーム側の電極であるリードを電気的に接合するた
めのワイヤーボンディングが行われる。１枚のリードフ
レームには通常数個のＩＣチップが搭載されており、リ
ードフレーム上の全ＩＣチップのボンディング終了後、
リードフレームは収納トレー２に搬送されボンディング
工程は終了する。各位置での予熱ブロックとヒーターブ
ロック及び雰囲気の温度は図２で示されるようになって
おり、ボンディング後のＩＣチップは雰囲気温度Ｔａま
で自然冷却されることになる。このときリードフレーム
及びＩＣチップの温度は図４に示すような履歴１２を示
すことが、本発明者の評価により明らかになっており、
雰囲気温度Ｔａが２５℃、ボンディング温度Ｔｂが２０
０℃であるとき、該ボンディング温度Ｔｂから雰囲気温
度Ｔａ＋５℃に達するまでの時間ｔ０はＩＣチップとリ
ードフレームの種類に依存するが約１５秒〜３０秒であ
り、（Ｔａ＋５−Ｔｂ）／ｔ０であらわされる平均温度
勾配は約−６℃／秒〜−１２℃／秒となっている。
【０００３】また、最近はパッケージの熱抵抗低下を目
的とし銅合金製のリードフレーム等が用いられている
が、銅合金製リードフレームでは熱膨張率が大きく加熱
時のリードフレームの熱変化が大きいため、搬送時のト
ラブル防止を目的として乾燥空気や窒素等でボンディン
グ中やボンディング後のリードフレームの冷却が行われ
ている。その場合リードフレームに搭載されたＩＣチッ
プは図４で示した温度履歴１２よりもさらに急激な温度
降下を示すことになる。
的とし銅合金製のリードフレーム等が用いられている
が、銅合金製リードフレームでは熱膨張率が大きく加熱
時のリードフレームの熱変化が大きいため、搬送時のト
ラブル防止を目的として乾燥空気や窒素等でボンディン
グ中やボンディング後のリードフレームの冷却が行われ
ている。その場合リードフレームに搭載されたＩＣチッ
プは図４で示した温度履歴１２よりもさらに急激な温度
降下を示すことになる。
【０００４】このように温度勾配が激しいと、接合部に
生じる圧着ボールと電極の熱膨張差によって生じる熱応
力が電極の表層を構成するアルミニウム膜内で充分に緩
和されず、最悪の場合アルミニウム膜下のバリア層や層
間膜、あるいはシリコンで剥離やクラックが発生し、電
極にダメージが生じるという問題が生じるようになって
きている。
生じる圧着ボールと電極の熱膨張差によって生じる熱応
力が電極の表層を構成するアルミニウム膜内で充分に緩
和されず、最悪の場合アルミニウム膜下のバリア層や層
間膜、あるいはシリコンで剥離やクラックが発生し、電
極にダメージが生じるという問題が生じるようになって
きている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】近年、ＩＣチップの微
細加工技術が進み、同一規模の回路構成ではＩＣチップ
の大きさは小さくなりつつあり、回路を構成する配線の
幅が細くなるに伴い、配線並びに電極を構成するアルミ
ニウム膜の厚さも薄くなりつつある。
細加工技術が進み、同一規模の回路構成ではＩＣチップ
の大きさは小さくなりつつあり、回路を構成する配線の
幅が細くなるに伴い、配線並びに電極を構成するアルミ
ニウム膜の厚さも薄くなりつつある。
【０００６】一方、従来のワイヤーボンディング工程で
は図６（Ａ），（Ｂ）で示されるように、アルミニウム
膜１８ａ，１８ｂ上に圧着ボール１７の接合が行われる
が、ＩＣチップは前述のように自然冷却、或いは乾燥空
気等により強制冷却されているため、電極の接合部は図
４の温度履歴１２で示されるような急冷状態となり２１
ａ，２１ｂに示されるような熱応力が圧着ボールとアル
ミニウム膜１８ａ，１８ｂの界面に生じる。ここで図６
（Ａ）はアルミニウム膜厚が充分に厚い場合であり、図
６（Ｂ）はアルミニウム膜厚が薄い場合を示す。アルミ
ニウム膜厚が厚い場合は２１ａで示される応力は、アル
ミニウム膜内の塑性変形により十分緩和されるため、ア
ルミニウム膜とバリア層１９との界面での熱応力２２ａ
ならびにバリア層１９と層間膜２０の界面での熱応力２
３ａは小さなものとなるが、アルミニウム膜厚が薄い場
合は２１ｂの熱応力がアルミニウム膜内で充分に緩和さ
れないために、それぞれの界面での応力２２ｂ，２３ｂ
は２２ａ，２３ａと比較して大きなものとなる。
は図６（Ａ），（Ｂ）で示されるように、アルミニウム
膜１８ａ，１８ｂ上に圧着ボール１７の接合が行われる
が、ＩＣチップは前述のように自然冷却、或いは乾燥空
気等により強制冷却されているため、電極の接合部は図
４の温度履歴１２で示されるような急冷状態となり２１
ａ，２１ｂに示されるような熱応力が圧着ボールとアル
ミニウム膜１８ａ，１８ｂの界面に生じる。ここで図６
（Ａ）はアルミニウム膜厚が充分に厚い場合であり、図
６（Ｂ）はアルミニウム膜厚が薄い場合を示す。アルミ
ニウム膜厚が厚い場合は２１ａで示される応力は、アル
ミニウム膜内の塑性変形により十分緩和されるため、ア
ルミニウム膜とバリア層１９との界面での熱応力２２ａ
ならびにバリア層１９と層間膜２０の界面での熱応力２
３ａは小さなものとなるが、アルミニウム膜厚が薄い場
合は２１ｂの熱応力がアルミニウム膜内で充分に緩和さ
れないために、それぞれの界面での応力２２ｂ，２３ｂ
は２２ａ，２３ａと比較して大きなものとなる。
【０００７】このように電極の表層を構成するアルミニ
ウム膜が薄くなるにつれて、圧着ボールとアルミニウム
膜間で発生する熱応力が緩和されずに直接アルミニウム
膜下の層間膜やさらにその下のシリコン層に及ぶように
なってきている。そのため、従来技術でボンディングさ
れた最近のＩＣチップにおいては層間膜の剥離やシリコ
ンにマイクロクラックが発生するなど、ボンディング後
の電極にダメージが入る現象が目につくようになってき
た。電極のダメージは、導電抵抗の増加やシリコンと端
子の間でリーク電流を引き起こすばかりでなく、これら
の不良が発生しない場合でも電極を構成する層間の接着
強度の低下を招くため、信頼性に大きな問題が残ること
になる。
ウム膜が薄くなるにつれて、圧着ボールとアルミニウム
膜間で発生する熱応力が緩和されずに直接アルミニウム
膜下の層間膜やさらにその下のシリコン層に及ぶように
なってきている。そのため、従来技術でボンディングさ
れた最近のＩＣチップにおいては層間膜の剥離やシリコ
ンにマイクロクラックが発生するなど、ボンディング後
の電極にダメージが入る現象が目につくようになってき
た。電極のダメージは、導電抵抗の増加やシリコンと端
子の間でリーク電流を引き起こすばかりでなく、これら
の不良が発生しない場合でも電極を構成する層間の接着
強度の低下を招くため、信頼性に大きな問題が残ること
になる。
【０００８】本発明は以上の問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、熱応力による電極の破壊を生ずるこ
となくボンディングし、ボンディング後の電極を構成す
る層間の接着信頼性の向上を実現させることにある。
ので、その目的は、熱応力による電極の破壊を生ずるこ
となくボンディングし、ボンディング後の電極を構成す
る層間の接着信頼性の向上を実現させることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、以上の
如き目的を達成するものとして、半導体素子及び該半導
体素子と外部との電気的接続のために用いられる部材を
含む半導体装置を製造する方法において、前記半導体素
子の電極と前記外部との電気的接続のために用いられる
部材とを加熱下でボンディングする工程と、該ボンディ
ング工程後に前記半導体素子を徐冷する工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法、が提供され
る。半導体素子と外部との電気的接続のために用いられ
る部材としては、金属製リードフレーム（のリード）が
例示されるが、この部材は金属製のリードフレームに限
らず、例えばポリイミド樹脂に配線パターンを施したフ
ィルム状のものや、ＩＣチップが搭載される配線基盤な
どであっても良い。また、この部材は、ボンディング工
程及び徐冷工程では最終的な半導体装置における形態と
必ずしも同一である必要はなく、徐冷工程後に適宜の整
形あるいは加工が施されて最終的な半導体装置となるも
のであってもよい。
如き目的を達成するものとして、半導体素子及び該半導
体素子と外部との電気的接続のために用いられる部材を
含む半導体装置を製造する方法において、前記半導体素
子の電極と前記外部との電気的接続のために用いられる
部材とを加熱下でボンディングする工程と、該ボンディ
ング工程後に前記半導体素子を徐冷する工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法、が提供され
る。半導体素子と外部との電気的接続のために用いられ
る部材としては、金属製リードフレーム（のリード）が
例示されるが、この部材は金属製のリードフレームに限
らず、例えばポリイミド樹脂に配線パターンを施したフ
ィルム状のものや、ＩＣチップが搭載される配線基盤な
どであっても良い。また、この部材は、ボンディング工
程及び徐冷工程では最終的な半導体装置における形態と
必ずしも同一である必要はなく、徐冷工程後に適宜の整
形あるいは加工が施されて最終的な半導体装置となるも
のであってもよい。
【００１０】本発明の一態様においては、前記徐冷工程
におけるボンディング温度から室温＋５℃までの平均温
度勾配を−２．０℃／秒またはそれより緩やかにする。
におけるボンディング温度から室温＋５℃までの平均温
度勾配を−２．０℃／秒またはそれより緩やかにする。
【００１１】本発明の一態様においては、前記ボンディ
ング工程に続いて前記徐冷工程を行う。本発明の一態様
においては、前記徐冷工程をヒータープレートを用いて
行う。
ング工程に続いて前記徐冷工程を行う。本発明の一態様
においては、前記徐冷工程をヒータープレートを用いて
行う。
【００１２】本発明の一態様においては、前記ボンディ
ング工程に続いて保温工程を行い、該保温工程に続いて
前記徐冷工程を行う。本発明の一態様においては、前記
保温工程をヒータープレートを用いて行う。本発明の一
態様においては、前記徐冷工程を収納手段内で行う。本
発明の一態様においては、前記徐冷工程をホットエアー
噴射を用いて行う。
ング工程に続いて保温工程を行い、該保温工程に続いて
前記徐冷工程を行う。本発明の一態様においては、前記
保温工程をヒータープレートを用いて行う。本発明の一
態様においては、前記徐冷工程を収納手段内で行う。本
発明の一態様においては、前記徐冷工程をホットエアー
噴射を用いて行う。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面を参照しながら説明する。
図面を参照しながら説明する。
【００１４】［第１の実施形態］本発明の第１の実施の
形態を図１に示す。トレー１より、ヒーター８ａによっ
て温度調整された予熱ブロック５上にリードフレーム３
が矢印４で示される搬送方向に搬送され、雰囲気温度Ｔ
ａと同じ温度であったリードフレームとリードフレーム
に搭載されたＩＣチップは予熱温度Ｔｐまで加熱され
る。なお予熱ブロックについてはリードフレームとＩＣ
チップに予熱を与えるのが目的であるためリードフレー
ムに接触させても非接触でも構わない。その後ヒーター
８ｂによって温度調整されたヒーターブロック６上にリ
ードフレームの搬送が行われ、ボンディング温度Ｔｂま
で加熱が行われた後、ＩＣチップ上の電極とリードフレ
ーム側の電極であるリードとの間でワイヤーボンディン
グが行われる。
形態を図１に示す。トレー１より、ヒーター８ａによっ
て温度調整された予熱ブロック５上にリードフレーム３
が矢印４で示される搬送方向に搬送され、雰囲気温度Ｔ
ａと同じ温度であったリードフレームとリードフレーム
に搭載されたＩＣチップは予熱温度Ｔｐまで加熱され
る。なお予熱ブロックについてはリードフレームとＩＣ
チップに予熱を与えるのが目的であるためリードフレー
ムに接触させても非接触でも構わない。その後ヒーター
８ｂによって温度調整されたヒーターブロック６上にリ
ードフレームの搬送が行われ、ボンディング温度Ｔｂま
で加熱が行われた後、ＩＣチップ上の電極とリードフレ
ーム側の電極であるリードとの間でワイヤーボンディン
グが行われる。
【００１５】ボンディング終了後、ヒーターブロックと
収納トレー２の間に位置する徐冷ブロック（ヒータープ
レートからなる）７へリードフレームの搬送が行われる
ことになるが、通常ヒーターブロックはボンディング時
にはリードフレームに接触させており、搬送時にはリー
ドフレームとのクリアランスを得るために降下動作を行
う。このヒーターブロックの降下時にはリードフレーム
はヒーターブロックと非接触になり、ＩＣチップの温度
降下が発生するので、ホットエアー１０ａをノズル９ａ
を用いてＩＣチップ表面に噴射するなどして徐冷ブロッ
ク７へＩＣチップが到達するまでの温度降下を防止する
ことが望ましい。また、ホットエアーの噴射のタイミン
グはボンディング後にのみ行う。あるいはホットエアー
でなくても温度低下を防止するためであれば赤外線等を
ＩＣチップ表面に照射しても良い。
収納トレー２の間に位置する徐冷ブロック（ヒータープ
レートからなる）７へリードフレームの搬送が行われる
ことになるが、通常ヒーターブロックはボンディング時
にはリードフレームに接触させており、搬送時にはリー
ドフレームとのクリアランスを得るために降下動作を行
う。このヒーターブロックの降下時にはリードフレーム
はヒーターブロックと非接触になり、ＩＣチップの温度
降下が発生するので、ホットエアー１０ａをノズル９ａ
を用いてＩＣチップ表面に噴射するなどして徐冷ブロッ
ク７へＩＣチップが到達するまでの温度降下を防止する
ことが望ましい。また、ホットエアーの噴射のタイミン
グはボンディング後にのみ行う。あるいはホットエアー
でなくても温度低下を防止するためであれば赤外線等を
ＩＣチップ表面に照射しても良い。
【００１６】この後リードフレームとリードフレームに
搭載された複数のＩＣチップはヒーター８ｃ，８ｄ，８
ｅでそれぞれ温度調整されている各徐冷ブロック７上に
順次搬送され、ＩＣチップの徐冷が行われる。徐冷ブロ
ックは図１で示すように複数の徐冷ブロック上に温度差
を設けたものである。徐冷ブロックとリードフレームの
間隔については、接触させても、非接触としても本発明
の目的は達成できるが、リードフレームと徐冷ブロック
とは若干のクリアランスを設け、非接触とすることが徐
冷ブロック間の温度差に起因する温度変化をより緩やか
なものにするためにも望ましい。実際のＩＣチップの温
度履歴はリードフレームの搬送タイミングとの組み合わ
せで決まり、例えばステップ状に搬送を行った場合、Ｉ
Ｃチップの図４で示されるような温度履歴１３が決定さ
れる。また、その際電極のダメージ防止に効果のあるボ
ンディング温度から室温＋５℃に至るまでの平均温度勾
配は−２．０℃／秒またはそれより緩やかにすることが
望ましいことが、表１に示すように本発明者らの評価に
より判明している。
搭載された複数のＩＣチップはヒーター８ｃ，８ｄ，８
ｅでそれぞれ温度調整されている各徐冷ブロック７上に
順次搬送され、ＩＣチップの徐冷が行われる。徐冷ブロ
ックは図１で示すように複数の徐冷ブロック上に温度差
を設けたものである。徐冷ブロックとリードフレームの
間隔については、接触させても、非接触としても本発明
の目的は達成できるが、リードフレームと徐冷ブロック
とは若干のクリアランスを設け、非接触とすることが徐
冷ブロック間の温度差に起因する温度変化をより緩やか
なものにするためにも望ましい。実際のＩＣチップの温
度履歴はリードフレームの搬送タイミングとの組み合わ
せで決まり、例えばステップ状に搬送を行った場合、Ｉ
Ｃチップの図４で示されるような温度履歴１３が決定さ
れる。また、その際電極のダメージ防止に効果のあるボ
ンディング温度から室温＋５℃に至るまでの平均温度勾
配は−２．０℃／秒またはそれより緩やかにすることが
望ましいことが、表１に示すように本発明者らの評価に
より判明している。
【００１７】
【表１】 このように徐冷ブロックで十分に徐冷が行われた後、リ
ードフレームは収納トレーに収納される。
ードフレームは収納トレーに収納される。
【００１８】なお、本実施の形態では徐冷ブロックの温
度勾配は８ｃ〜８ｅに示されるような３本のヒーター等
を用いることで温度設定を行っており、また図１では徐
冷ブロックはヒーター毎に分割され３つからなるように
示されているが、ヒーターの本数と徐冷ブロックの数に
制限はなく、徐冷ブロック間の温度差を小さくするため
にさらに増やしても良い。また逆にヒーターや徐冷ブロ
ックは単一のものとし、徐冷ブロックの一部を冷却する
などして温度勾配を同一徐冷ブロック上に設定するよう
なものであっても当然良い。
度勾配は８ｃ〜８ｅに示されるような３本のヒーター等
を用いることで温度設定を行っており、また図１では徐
冷ブロックはヒーター毎に分割され３つからなるように
示されているが、ヒーターの本数と徐冷ブロックの数に
制限はなく、徐冷ブロック間の温度差を小さくするため
にさらに増やしても良い。また逆にヒーターや徐冷ブロ
ックは単一のものとし、徐冷ブロックの一部を冷却する
などして温度勾配を同一徐冷ブロック上に設定するよう
なものであっても当然良い。
【００１９】また、本発明の目的はＩＣチップの徐冷で
あるから、ＩＣチップの徐冷と同時にリードフレームの
熱変形防止のためリードフレームの冷却を乾燥空気等で
行っても良く、本発明による効果を妨げるものではな
い。
あるから、ＩＣチップの徐冷と同時にリードフレームの
熱変形防止のためリードフレームの冷却を乾燥空気等で
行っても良く、本発明による効果を妨げるものではな
い。
【００２０】なお、本実施の形態ではリードフレーム上
のＩＣチップの徐冷について説明を行ったが、本発明の
主旨はＩＣチップの徐冷であるから、金属製のリードフ
レームに限らず、例えばポリイミド樹脂に配線パターン
を施したフィルム状のものや、基盤上にＩＣチップが搭
載されたようなものであっても同様の効果が得られる。
のＩＣチップの徐冷について説明を行ったが、本発明の
主旨はＩＣチップの徐冷であるから、金属製のリードフ
レームに限らず、例えばポリイミド樹脂に配線パターン
を施したフィルム状のものや、基盤上にＩＣチップが搭
載されたようなものであっても同様の効果が得られる。
【００２１】実施例１ 以下、本発明の実施例を示して第１の実施の形態を更に
説明する。
説明する。
【００２２】室温２５℃の環境下においてワイヤーボン
ディング前のリードフレームが収納されているトレーよ
り搬送方向の長さ１５０ｍｍ、幅５０ｍｍ、厚さ１２５
μｍである銅合金製のリードフレームとリードフレーム
にＡｇペーストを用いて搭載されたＩＣチップ（５．０
０ｍｍ□、厚さ３００μｍ）を幅５０ｍｍ、搬送方向の
長さ５０ｍｍのステンレス製の予熱ブロック上に搬送す
る。予熱ブロック表面は内蔵されたセラミックヒーター
によりＴｐ：１００℃に温度調整されている。なお、リ
ードフレーム１枚当たりには３つのＩＣチップが等間隔
で搭載されており、予熱、ボンディング、徐冷はステッ
プ状にＩＣチップ毎に行われる。
ディング前のリードフレームが収納されているトレーよ
り搬送方向の長さ１５０ｍｍ、幅５０ｍｍ、厚さ１２５
μｍである銅合金製のリードフレームとリードフレーム
にＡｇペーストを用いて搭載されたＩＣチップ（５．０
０ｍｍ□、厚さ３００μｍ）を幅５０ｍｍ、搬送方向の
長さ５０ｍｍのステンレス製の予熱ブロック上に搬送す
る。予熱ブロック表面は内蔵されたセラミックヒーター
によりＴｐ：１００℃に温度調整されている。なお、リ
ードフレーム１枚当たりには３つのＩＣチップが等間隔
で搭載されており、予熱、ボンディング、徐冷はステッ
プ状にＩＣチップ毎に行われる。
【００２３】予熱後、リードフレームは内蔵のセラミッ
クヒーターにより表面がＴｂ：２００℃に調整され、ス
テンレス製で長さ４０ｍｍ、幅４０ｍｍであるヒーター
ブロック上に搬送され、線径３０μｍの金線を用いてＩ
Ｃチップ上の電極とリードを結合するワイヤーボンディ
ングが圧着ボール径：５５μｍで行われる。このとき１
つのＩＣチップ当たりのワイヤー数は３００であり、１
ＩＣチップのボンディングが終了するまでの時間は２分
である。
クヒーターにより表面がＴｂ：２００℃に調整され、ス
テンレス製で長さ４０ｍｍ、幅４０ｍｍであるヒーター
ブロック上に搬送され、線径３０μｍの金線を用いてＩ
Ｃチップ上の電極とリードを結合するワイヤーボンディ
ングが圧着ボール径：５５μｍで行われる。このとき１
つのＩＣチップ当たりのワイヤー数は３００であり、１
ＩＣチップのボンディングが終了するまでの時間は２分
である。
【００２４】ボンディング終了後、２００℃に加熱され
たホットエアーをノズルよりＩＣチップ表面に噴射し、
ボンディング済みのＩＣチップ表面温度をボンディング
温度に保ったまま、３つのブロックから構成されるステ
ンレス製の徐冷ブロック上へとリードフレームの搬送が
１ＩＣチップ分行われる。３つの各徐冷ブロックは搬送
方向の長さ５０ｍｍ、幅２０ｍｍと形状は同一のもので
あり、ブロックの幅をリードフレームの幅より３０ｍｍ
狭めることでＩＣチップの徐冷のみを行い、リードフレ
ーム周辺部分の変形を防止するようになっている。
たホットエアーをノズルよりＩＣチップ表面に噴射し、
ボンディング済みのＩＣチップ表面温度をボンディング
温度に保ったまま、３つのブロックから構成されるステ
ンレス製の徐冷ブロック上へとリードフレームの搬送が
１ＩＣチップ分行われる。３つの各徐冷ブロックは搬送
方向の長さ５０ｍｍ、幅２０ｍｍと形状は同一のもので
あり、ブロックの幅をリードフレームの幅より３０ｍｍ
狭めることでＩＣチップの徐冷のみを行い、リードフレ
ーム周辺部分の変形を防止するようになっている。
【００２５】まず、１９０℃にブロック表面が加熱され
た第１の徐冷ブロック上にボンディング済みのＩＣチッ
プが搬送されるが、０．３ｍｍの間隙がリードフレーム
底面と徐冷ブロックの間に設けられているために、ＩＣ
チップの温度は緩やかな温度勾配をたどりながら１７０
℃程度まで降下する。その後第２の徐冷ブロックへＩＣ
チップは移動するが、ここでのブロックの表面温度は１
２０℃に設定されており、実際のＩＣチップの温度は緩
やかに降下しながら１００℃程度となる。さらに第３の
徐冷ブロック上に搬送されるが、第３の徐冷ブロックの
表面温度は６０℃であり、ＩＣチップの温度は４０℃程
度となる。以上の３ブロック上で徐冷が行われた後、収
納トレーへ搬送されるが、収納中或いは収納後にＩＣチ
ップは雰囲気温度近くまで冷却される。
た第１の徐冷ブロック上にボンディング済みのＩＣチッ
プが搬送されるが、０．３ｍｍの間隙がリードフレーム
底面と徐冷ブロックの間に設けられているために、ＩＣ
チップの温度は緩やかな温度勾配をたどりながら１７０
℃程度まで降下する。その後第２の徐冷ブロックへＩＣ
チップは移動するが、ここでのブロックの表面温度は１
２０℃に設定されており、実際のＩＣチップの温度は緩
やかに降下しながら１００℃程度となる。さらに第３の
徐冷ブロック上に搬送されるが、第３の徐冷ブロックの
表面温度は６０℃であり、ＩＣチップの温度は４０℃程
度となる。以上の３ブロック上で徐冷が行われた後、収
納トレーへ搬送されるが、収納中或いは収納後にＩＣチ
ップは雰囲気温度近くまで冷却される。
【００２６】また、徐冷ブロック間のリードフレームの
搬送は、ボンディング時間に合わせステップ状に行わ
れ、１つの徐冷ブロックに一つのＩＣチップがある時間
はボンディング時間と同じ２分とする。つまり本実施例
では１ＩＣチップ当たり３徐冷ブロック合計で６分の徐
冷時間があることになり、このときのボンディング温度
から室温＋５℃までの平均温度勾配は−０．４５℃／秒
となる。
搬送は、ボンディング時間に合わせステップ状に行わ
れ、１つの徐冷ブロックに一つのＩＣチップがある時間
はボンディング時間と同じ２分とする。つまり本実施例
では１ＩＣチップ当たり３徐冷ブロック合計で６分の徐
冷時間があることになり、このときのボンディング温度
から室温＋５℃までの平均温度勾配は−０．４５℃／秒
となる。
【００２７】［第２の実施形態］図３を示し、本発明の
第２の実施の形態について説明する。トレー１からリー
ドフレーム３の搬送（搬送方向４）が行われ、予熱ブロ
ック５でリードフレーム及びＩＣチップの予熱が行われ
た後、ヒーターブロック６上でワイヤーボンディングが
行われ、ホットエアー１０ａを用いてボンディング直後
の搬送時のＩＣチップの温度低下防止が行われるまでは
第１の実施の形態と同じである。
第２の実施の形態について説明する。トレー１からリー
ドフレーム３の搬送（搬送方向４）が行われ、予熱ブロ
ック５でリードフレーム及びＩＣチップの予熱が行われ
た後、ヒーターブロック６上でワイヤーボンディングが
行われ、ホットエアー１０ａを用いてボンディング直後
の搬送時のＩＣチップの温度低下防止が行われるまでは
第１の実施の形態と同じである。
【００２８】その後、リードフレームはヒーターブロッ
クと収納トレー２の間に位置する保温ブロック１１上に
搬送され、収納トレーへリードフレームを収納するまで
ＩＣチップの保温が行われる。このときリードフレーム
と保温ブロックは接触させても非接触としても良い。な
お保温ブロックの温度については、ヒーター８ｃ，８
ｄ，８ｅにより調整が行われるが、ボンディングの行わ
れるヒーターブロックと同じ温度かＩＣチップの急激な
温度降下が起きない程度、例えば第１の実施の形態で示
した最初の徐冷ブロックと同じ温度に低下させておく。
クと収納トレー２の間に位置する保温ブロック１１上に
搬送され、収納トレーへリードフレームを収納するまで
ＩＣチップの保温が行われる。このときリードフレーム
と保温ブロックは接触させても非接触としても良い。な
お保温ブロックの温度については、ヒーター８ｃ，８
ｄ，８ｅにより調整が行われるが、ボンディングの行わ
れるヒーターブロックと同じ温度かＩＣチップの急激な
温度降下が起きない程度、例えば第１の実施の形態で示
した最初の徐冷ブロックと同じ温度に低下させておく。
【００２９】保温ブロックでの保温後、リードフレーム
は収納トレーに収納されるが、保温ブロックと収納トレ
ーとの間に隙間がある場合には、そこでのＩＣチップの
温度低下も予想されるのでノズル９ｂからホットエアー
１０ｂを噴射して温度低下を防止することが効果的であ
る。
は収納トレーに収納されるが、保温ブロックと収納トレ
ーとの間に隙間がある場合には、そこでのＩＣチップの
温度低下も予想されるのでノズル９ｂからホットエアー
１０ｂを噴射して温度低下を防止することが効果的であ
る。
【００３０】収納トレーへ収納後、ＩＣチップの徐冷が
行われることになるが、本実施形態では複数の温度に設
定されたホットエアーをトレー内部に噴射することによ
り、徐冷を行う場合を説明する。通常、収納トレーはリ
ードフレームが収納されるにつれて図３で示されるよう
に下方向へ移動し、次のリードフレーム収納に備える。
そこで、図３に示すようにＺ軸方向の各位置にノズル９
ｃ，９ｄ，９ｅを設置し、複数の温度に設定されたホッ
トエアー１０ｃ，１０ｄ，１０ｅをそれぞれ平行に収納
トレー内部に噴射する。このときホットエアーの温度は
下方向に進むに従いつまりＺ０，Ｚ１，Ｚ２となるに従
って低くなるように設定する。つまり、実際の収納トレ
ー内部の雰囲気温度は図３に示したようにＺ軸位置が下
ほど低くなる。すなわち収納トレーがリードフレームを
収納し、下方向に移動するに従ってリードフレームに搭
載されたＩＣチップは徐冷されることになる。
行われることになるが、本実施形態では複数の温度に設
定されたホットエアーをトレー内部に噴射することによ
り、徐冷を行う場合を説明する。通常、収納トレーはリ
ードフレームが収納されるにつれて図３で示されるよう
に下方向へ移動し、次のリードフレーム収納に備える。
そこで、図３に示すようにＺ軸方向の各位置にノズル９
ｃ，９ｄ，９ｅを設置し、複数の温度に設定されたホッ
トエアー１０ｃ，１０ｄ，１０ｅをそれぞれ平行に収納
トレー内部に噴射する。このときホットエアーの温度は
下方向に進むに従いつまりＺ０，Ｚ１，Ｚ２となるに従
って低くなるように設定する。つまり、実際の収納トレ
ー内部の雰囲気温度は図３に示したようにＺ軸位置が下
ほど低くなる。すなわち収納トレーがリードフレームを
収納し、下方向に移動するに従ってリードフレームに搭
載されたＩＣチップは徐冷されることになる。
【００３１】ところで第２の実施の形態ではヒーターブ
ロックから収納トレーへの搬送中に保温ブロックを設
け、ＩＣチップの温度降下を防止するという形態を説明
したが、収納トレーに収納されるまでのＩＣチップの急
激な温度降下を防止することが目的であるので、保温ブ
ロックのかわりにヒーターブロックと収納トレーの間に
ノズルを設置し、リードフレーム搬送中にＩＣチップ表
面にホットエアーを噴射しても良いし、赤外線をＩＣチ
ップ表面に照射することでＩＣチップの急激な温度降下
を防止しても良い。
ロックから収納トレーへの搬送中に保温ブロックを設
け、ＩＣチップの温度降下を防止するという形態を説明
したが、収納トレーに収納されるまでのＩＣチップの急
激な温度降下を防止することが目的であるので、保温ブ
ロックのかわりにヒーターブロックと収納トレーの間に
ノズルを設置し、リードフレーム搬送中にＩＣチップ表
面にホットエアーを噴射しても良いし、赤外線をＩＣチ
ップ表面に照射することでＩＣチップの急激な温度降下
を防止しても良い。
【００３２】一方、前述の第１の実施の形態との大きな
違いは、第１の実施の形態が収納トレーへの搬送中にＩ
Ｃチップの徐冷を行うのに対し、第２の実施の形態は収
納トレーの中で徐冷を行うことである。第１の実施の形
態が１つのＩＣチップ当たりのワイヤー数が多いためボ
ンディング時間が長く、後続のＩＣチップのボンディン
グ中に徐冷がボンディング装置の処理能力の低下なく十
分に行われる場合に適し、第２の実施の形態は１つのＩ
Ｃチップ当たりのワイヤー数が少ないためにボンディン
グ時間が短く、第１の実施の形態が示すようにリードフ
レームの搬送中に徐冷を行おうとするとボンディング装
置の処理能力が犠牲となる場合に適する。
違いは、第１の実施の形態が収納トレーへの搬送中にＩ
Ｃチップの徐冷を行うのに対し、第２の実施の形態は収
納トレーの中で徐冷を行うことである。第１の実施の形
態が１つのＩＣチップ当たりのワイヤー数が多いためボ
ンディング時間が長く、後続のＩＣチップのボンディン
グ中に徐冷がボンディング装置の処理能力の低下なく十
分に行われる場合に適し、第２の実施の形態は１つのＩ
Ｃチップ当たりのワイヤー数が少ないためにボンディン
グ時間が短く、第１の実施の形態が示すようにリードフ
レームの搬送中に徐冷を行おうとするとボンディング装
置の処理能力が犠牲となる場合に適する。
【００３３】また、更に別の実施の形態としてＩＣチッ
プの保温をトレー全体をヒーター等で加熱することでト
レー収納後も行い、収納トレーにボンディング予定の全
リードフレームを収納後、恒温層等の温度調節のできる
環境下にボンディング済みのＩＣチップが収納されたト
レーを置き、トレーごと徐冷を行うのも本発明の目的を
達成するために有効的な手段である。
プの保温をトレー全体をヒーター等で加熱することでト
レー収納後も行い、収納トレーにボンディング予定の全
リードフレームを収納後、恒温層等の温度調節のできる
環境下にボンディング済みのＩＣチップが収納されたト
レーを置き、トレーごと徐冷を行うのも本発明の目的を
達成するために有効的な手段である。
【００３４】実施例２ 以下、本発明の実施例を示して第２の実施の形態を更に
説明する。
説明する。
【００３５】室温２５℃の環境下においてワイヤーボン
ディング前のリードフレームが収納されているトレーよ
り搬送方向の長さ２００ｍｍ、幅３０ｍｍ、厚さ１５０
μｍである４２合金製のリードフレームとリードフレー
ムにＡｇペーストを用いて搭載されたＩＣチップ（２．
００ｍｍ□、厚さ４００μｍ）を搬送方向の長さ３０ｍ
ｍ、幅３０ｍｍのステンレス製の予熱ブロック上に搬送
する。予熱ブロック表面は内蔵されたセラミックヒータ
ーによりＴｐ：１００℃に温度調整されている。なお、
リードフレーム１枚当たりには１０個のＩＣチップが等
間隔で搭載されており、予熱、ボンディングはステップ
状に１ＩＣチップ毎に行われる。
ディング前のリードフレームが収納されているトレーよ
り搬送方向の長さ２００ｍｍ、幅３０ｍｍ、厚さ１５０
μｍである４２合金製のリードフレームとリードフレー
ムにＡｇペーストを用いて搭載されたＩＣチップ（２．
００ｍｍ□、厚さ４００μｍ）を搬送方向の長さ３０ｍ
ｍ、幅３０ｍｍのステンレス製の予熱ブロック上に搬送
する。予熱ブロック表面は内蔵されたセラミックヒータ
ーによりＴｐ：１００℃に温度調整されている。なお、
リードフレーム１枚当たりには１０個のＩＣチップが等
間隔で搭載されており、予熱、ボンディングはステップ
状に１ＩＣチップ毎に行われる。
【００３６】予熱後、リードフレームは内蔵のセラミッ
クヒーターにより表面がＴｂ：２００℃に調整され、ス
テンレス製で搬送方向の長さ４０ｍｍ、幅２０ｍｍであ
るヒーターブロック上に搬送され、線径３０μｍの金線
を用いてＩＣチップ上の電極とリードを結合するワイヤ
ーボンディングが圧着ボール径：５５μｍで行われる。
このとき１つのＩＣチップ当たりのワイヤー数は２０で
あり、１ＩＣのボンディングが終了するまでの時間は１
０秒である。
クヒーターにより表面がＴｂ：２００℃に調整され、ス
テンレス製で搬送方向の長さ４０ｍｍ、幅２０ｍｍであ
るヒーターブロック上に搬送され、線径３０μｍの金線
を用いてＩＣチップ上の電極とリードを結合するワイヤ
ーボンディングが圧着ボール径：５５μｍで行われる。
このとき１つのＩＣチップ当たりのワイヤー数は２０で
あり、１ＩＣのボンディングが終了するまでの時間は１
０秒である。
【００３７】ボンディング終了後、ＩＣチップ表面に２
００℃に加熱されたホットエアーが噴射され、保温ブロ
ックにボンディング済みのＩＣチップが搬送される。
００℃に加熱されたホットエアーが噴射され、保温ブロ
ックにボンディング済みのＩＣチップが搬送される。
【００３８】保温ブロックは１ブロックからなり搬送方
向の長さ２００ｍｍ、幅３０ｍｍのステンレス製であ
る。保温ブロックは３本のセラミックヒーターにより２
２０℃に一様に加熱されているが、実施例１と同様リー
ドフレーム底面と保温ブロックとの間には０．３ｍｍ程
度のクリアランスがあるため実際のＩＣチップの温度は
２００℃となる。１枚のリードフレームに搭載された全
ＩＣチップ（１０個）のボンディングが終了し、保温ブ
ロック上に全ＩＣチップが搬送された後、収納トレーに
リードフレームは収納されるが、保温ブロックと収納ト
レーの間で温度低下を防止するために２００℃に加熱さ
れたホットエアーをＩＣチップ表面に噴射する。
向の長さ２００ｍｍ、幅３０ｍｍのステンレス製であ
る。保温ブロックは３本のセラミックヒーターにより２
２０℃に一様に加熱されているが、実施例１と同様リー
ドフレーム底面と保温ブロックとの間には０．３ｍｍ程
度のクリアランスがあるため実際のＩＣチップの温度は
２００℃となる。１枚のリードフレームに搭載された全
ＩＣチップ（１０個）のボンディングが終了し、保温ブ
ロック上に全ＩＣチップが搬送された後、収納トレーに
リードフレームは収納されるが、保温ブロックと収納ト
レーの間で温度低下を防止するために２００℃に加熱さ
れたホットエアーをＩＣチップ表面に噴射する。
【００３９】収納トレーへリードフレームを収納後ＩＣ
チップの徐冷が行われるが、収納トレー後方に設置され
た４つのノズルから温度の違うホットエアーを噴射する
ことによって行われる。図７に詳細を示すが、ノズルは
Ｚ方向に等間隔に設置されており、その間隔は収納され
ているリードフレーム２ピッチ分とし、それぞれの温度
は２００℃、１５０℃、１００℃、５０℃とし、１つの
ノズルから噴射されるホットエアー２５ａ〜２５ｄを２
枚のリードフレームの隙間に通す。２６は収納トレーノ
移動方向を示す。すなわち、１つのノズルで２枚のリー
ドフレームを同時に加熱し、各リードフレームはリード
フレームが収納トレーに収納される周期が１００秒（１
０秒×１０ＩＣチップ）となるため、同じ温度のホット
エアーに２００秒ずつさらされることになる。従って、
１枚のリードフレームならびにリードフレームに搭載さ
れたＩＣチップが４つのノズルから噴射されるホットエ
アーにさらされる合計時間は８００秒となり、ボンディ
ング温度から室温＋５℃以下になるまでの平均温度勾配
は−０．２℃／秒程度になる。
チップの徐冷が行われるが、収納トレー後方に設置され
た４つのノズルから温度の違うホットエアーを噴射する
ことによって行われる。図７に詳細を示すが、ノズルは
Ｚ方向に等間隔に設置されており、その間隔は収納され
ているリードフレーム２ピッチ分とし、それぞれの温度
は２００℃、１５０℃、１００℃、５０℃とし、１つの
ノズルから噴射されるホットエアー２５ａ〜２５ｄを２
枚のリードフレームの隙間に通す。２６は収納トレーノ
移動方向を示す。すなわち、１つのノズルで２枚のリー
ドフレームを同時に加熱し、各リードフレームはリード
フレームが収納トレーに収納される周期が１００秒（１
０秒×１０ＩＣチップ）となるため、同じ温度のホット
エアーに２００秒ずつさらされることになる。従って、
１枚のリードフレームならびにリードフレームに搭載さ
れたＩＣチップが４つのノズルから噴射されるホットエ
アーにさらされる合計時間は８００秒となり、ボンディ
ング温度から室温＋５℃以下になるまでの平均温度勾配
は−０．２℃／秒程度になる。
【００４０】
【発明の効果】以上の様な本発明によれば、半導体素子
のの徐冷を行い、電極接合部においての熱応力を緩和す
ることで、層間膜の剥離やシリコンでのクラックなどの
電極のダメージを防止することができ、それにより層間
膜の剥離やシリコンでのクラックを防止することが可能
となり、電極を構成する層間の高い接着信頼性を得るこ
とができる。
のの徐冷を行い、電極接合部においての熱応力を緩和す
ることで、層間膜の剥離やシリコンでのクラックなどの
電極のダメージを防止することができ、それにより層間
膜の剥離やシリコンでのクラックを防止することが可能
となり、電極を構成する層間の高い接着信頼性を得るこ
とができる。
【００４１】また、本発明によれば、電極にダメージを
与えないボンディングが可能となるため、電極アルミニ
ウム膜厚の薄いＩＣチップへのボンディングが可能とな
る。
与えないボンディングが可能となるため、電極アルミニ
ウム膜厚の薄いＩＣチップへのボンディングが可能とな
る。
【図１】本発明の第１の実施の形態を示す説明図であ
る。
る。
【図２】従来のボンディング工程を示す説明図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態を示す説明図であ
る。
る。
【図４】ＩＣチップの温度履歴を示す説明図である。
【図５】リードフレームへのＩＣチップの搭載方法を示
す説明図である。
す説明図である。
【図６】圧着ボールの電極への接合状態を示す断面図で
ある。
ある。
【図７】実施例２において収納トレーに収納されている
リードフレームとホットエアーの位置関係を示す説明図
である。
リードフレームとホットエアーの位置関係を示す説明図
である。
１ トレー ２ 収納トレー ３ リードフレーム ４ リードフレーム搬送方向 ５ 予熱ブロック ６ ヒーターブロック ７ 徐冷ブロック ８ａ〜８ｅ ヒーター ９ａ〜９ｅ ノズル １０ａ〜１０ｅ ホットエアー １１ 保温ブロック １２ 自然冷却によるＩＣチップの温度履歴 １３ 徐冷を行うことによるＩＣチップの温度履歴 １４ ＩＣチップ １５ リードフレーム １６ ワイヤー １７ 圧着ボール １８ａ，１８ｂ アルミニウム膜 １９ バリア層 ２０ 層間膜 ２１ａ〜２１ｂ 圧着ボールとアルミニウム膜間の熱
応力 ２２ａ〜２２ｂ アルミニウム膜とバリア層間での熱
応力 ２３ａ〜２３ｂ バリア層と層間膜間での熱応力 ２４ リードフレーム ２５ａ〜２５ｄ ホットエアー ２６ 収納トレー移動方向
応力 ２２ａ〜２２ｂ アルミニウム膜とバリア層間での熱
応力 ２３ａ〜２３ｂ バリア層と層間膜間での熱応力 ２４ リードフレーム ２５ａ〜２５ｄ ホットエアー ２６ 収納トレー移動方向
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体素子及び該半導体素子と外部との電
気的接続のために用いられる部材を含む半導体装置を製
造する方法において、前記半導体素子の電極と前記外部
との電気的接続のために用いられる部材とを加熱下でボ
ンディングする工程と、該ボンディング工程後に前記半
導体素子を徐冷する工程とを有しており、前記ボンディ
ング工程に続いて保温工程を行い、該保温工程に続いて
前記徐冷工程を行うことを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項２】 前記保温工程をヒータープレートを用いて
行うことを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置の
製造方法。 - 【請求項３】 前記徐冷工程を収納手段内で行うことを特
徴とする、請求項１〜２のいずれかに記載の半導体装置
の製造方法。 - 【請求項４】 前記徐冷工程をホットエアー噴射を用いて
行うことを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載
の半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記徐冷工程におけるボンディング温度か
ら室温＋５℃までの平均温度勾配を−２．０℃／秒また
はそれより緩やかにすることを特徴とする、請求項１〜
４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33217297A JP3055511B2 (ja) | 1997-12-02 | 1997-12-02 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33217297A JP3055511B2 (ja) | 1997-12-02 | 1997-12-02 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11163025A JPH11163025A (ja) | 1999-06-18 |
| JP3055511B2 true JP3055511B2 (ja) | 2000-06-26 |
Family
ID=18251973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33217297A Expired - Fee Related JP3055511B2 (ja) | 1997-12-02 | 1997-12-02 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3055511B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3770237B2 (ja) | 2002-03-22 | 2006-04-26 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス製造装置および電子デバイスの製造方法 |
| JP5790196B2 (ja) * | 2011-06-23 | 2015-10-07 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP5978589B2 (ja) * | 2011-10-18 | 2016-08-24 | 富士電機株式会社 | パワー半導体装置の製造方法 |
| JP7054315B2 (ja) * | 2020-07-27 | 2022-04-13 | キヤノンマシナリー株式会社 | 搬送装置、搬送方法、ダイボンダ、およびボンディング方法 |
-
1997
- 1997-12-02 JP JP33217297A patent/JP3055511B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11163025A (ja) | 1999-06-18 |
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