JPS63144528A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
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- JPS63144528A JPS63144528A JP61293820A JP29382086A JPS63144528A JP S63144528 A JPS63144528 A JP S63144528A JP 61293820 A JP61293820 A JP 61293820A JP 29382086 A JP29382086 A JP 29382086A JP S63144528 A JPS63144528 A JP S63144528A
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- gas
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/83053—Bonding environment
- H01L2224/83054—Composition of the atmosphere
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- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造装置に関し、特に半導体素子
が形成されたペレットを樹脂接着剤にてリードフレーム
に接着した後に加熱し、樹脂接着剤を硬化させ、ペレッ
トをリードフレームに固着させるベータ装置に関する。
が形成されたペレットを樹脂接着剤にてリードフレーム
に接着した後に加熱し、樹脂接着剤を硬化させ、ペレッ
トをリードフレームに固着させるベータ装置に関する。
１従来の技術〕
従来、ペレットを樹脂接着剤によりリードフレームに固
着する場合、第３図に示す様に、まず−リードフレーム
３のペレット搭載部４に樹脂接着剤２を塗布し、次いで
ペレット１を接着した後、リードフレーム３をオーブン
に収納し、２００℃近辺で数時間加熱する方法と、ある
いは、３５０℃近辺で数十秒程度の短時間加熱する方法
とがある。
着する場合、第３図に示す様に、まず−リードフレーム
３のペレット搭載部４に樹脂接着剤２を塗布し、次いで
ペレット１を接着した後、リードフレーム３をオーブン
に収納し、２００℃近辺で数時間加熱する方法と、ある
いは、３５０℃近辺で数十秒程度の短時間加熱する方法
とがある。
最近では後者の方法が広く行なわれており、第４図に示
す様なベーク装置が使用されている。
す様なベーク装置が使用されている。
第４図において、樹脂接着剤２にてペレットｌが接着さ
れてたリードフレーム３は、２本のレール６と送り爪（
図示せず）により、ヒーターブロック５の上を順次間欠
送りされる。そして樹脂接着剤２は次第に硬化し、ペレ
ット１をリードフレーム３に固着させる。この時樹脂接
着剤２より多量のガス７が発生するため、ガス排気口９
をリードフレーム３の上部に備えて排気している。
れてたリードフレーム３は、２本のレール６と送り爪（
図示せず）により、ヒーターブロック５の上を順次間欠
送りされる。そして樹脂接着剤２は次第に硬化し、ペレ
ット１をリードフレーム３に固着させる。この時樹脂接
着剤２より多量のガス７が発生するため、ガス排気口９
をリードフレーム３の上部に備えて排気している。
また、発生ガス７がペレット１上に付着するとワイヤー
ボンディング時に、ワイヤーがペレットに圧着しずらく
なるため、不活性ガスを矢印１０に示すように穴のあい
たガス供給パイプ８から吹きつけ、ペレット１の表面に
発生ガス７が付着するのを防いでいる。
ボンディング時に、ワイヤーがペレットに圧着しずらく
なるため、不活性ガスを矢印１０に示すように穴のあい
たガス供給パイプ８から吹きつけ、ペレット１の表面に
発生ガス７が付着するのを防いでいる。
（発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来のベーク装置は、空気中でリードフレーム
３を加熱するため、リードフレーム３が酸化される。特
に銅系のリードフレームは、酸化がひどく、形成された
この酸化層より水分がペレット上に浸入し、半導体装置
の耐湿性を低下させるという品質問題があった。
３を加熱するため、リードフレーム３が酸化される。特
に銅系のリードフレームは、酸化がひどく、形成された
この酸化層より水分がペレット上に浸入し、半導体装置
の耐湿性を低下させるという品質問題があった。
本発明の目的は耐湿性の向上した半導体装置を製造する
為の半導体装置の製造装置を提供することにある。
為の半導体装置の製造装置を提供することにある。
本発明の半導体装置の製造装置は、半導体ペレットを搭
載したリードフレームを搬送するリードフレーム搬送手
段と、前記リードフレームの上部に設けられ前記半導体
ペレットに加熱された不活性ガスを吹付ける不活性ガス
供給部と、前記リードフレームの下部に設けられ前記不
活性ガスを強制排気する排気手段とを含んで構成される
。
載したリードフレームを搬送するリードフレーム搬送手
段と、前記リードフレームの上部に設けられ前記半導体
ペレットに加熱された不活性ガスを吹付ける不活性ガス
供給部と、前記リードフレームの下部に設けられ前記不
活性ガスを強制排気する排気手段とを含んで構成される
。
次に、本発明の実施例について図面を用い、詳細に説明
する。
する。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図である。
ペレット１を樹脂接着剤２により１．接着されたリード
フレーム３は、リードフレーム搬送手段を構成する♀本
のレール６と図示していない送り爪により、順次間欠送
りされる。一方、不活性ガスは、不活性ガス導入口１８
より導入され不活性ガス加熱部１１により、高温（約４
００”Ｃ）に加熱され、レール６の上部に固定されに不
活性ガス供給箱１２の穴より、リードフレーム３のペレ
ット１上に矢印１３で示すように吹き付けられる。
フレーム３は、リードフレーム搬送手段を構成する♀本
のレール６と図示していない送り爪により、順次間欠送
りされる。一方、不活性ガスは、不活性ガス導入口１８
より導入され不活性ガス加熱部１１により、高温（約４
００”Ｃ）に加熱され、レール６の上部に固定されに不
活性ガス供給箱１２の穴より、リードフレーム３のペレ
ット１上に矢印１３で示すように吹き付けられる。
そして、リードフレーム３の下側には不活性ガスとリー
ドフレームとの温度を高温に保つためにヒーターブロッ
ク５を有し、２本のレール６と不活性ガス供給箱１２と
前記ヒーターブロック５とにより、不活性ガスの雰囲気
を作り出し、リードフレーム３を覆い、樹脂接着剤２を
硬化させている。
ドフレームとの温度を高温に保つためにヒーターブロッ
ク５を有し、２本のレール６と不活性ガス供給箱１２と
前記ヒーターブロック５とにより、不活性ガスの雰囲気
を作り出し、リードフレーム３を覆い、樹脂接着剤２を
硬化させている。
また、樹脂接着剤２が加熱される時、発生する“ ガス
７は、レール６の下側に取りつけられた強制排気口１４
により下側に流れ、図中の矢印１５で示す様に強制排気
口１４に吸引される。したがって発生ガス７がペレット
１の表面に付着することはない。
７は、レール６の下側に取りつけられた強制排気口１４
により下側に流れ、図中の矢印１５で示す様に強制排気
口１４に吸引される。したがって発生ガス７がペレット
１の表面に付着することはない。
このように構成された第１の実施例によれば、リードフ
レーム３は不活性ガス雰囲気中に加熱されるため、酸化
されることがなくなる。従って従来のように、リードフ
レーム表面に形成された酸化層より水分がペレット１上
に浸入し、半導体装置の耐湿性を低下させることはない
。
レーム３は不活性ガス雰囲気中に加熱されるため、酸化
されることがなくなる。従って従来のように、リードフ
レーム表面に形成された酸化層より水分がペレット１上
に浸入し、半導体装置の耐湿性を低下させることはない
。
第２図は本発明の第２の実施例の断面図である。
ペレット１が接着されているリードフレーム３は、リー
ドフレーム搬送手段を構成する４本のワイヤー１６の上
に置かれ、連続的に恒湿槽１７の中を送られて加熱され
る。そして不活性ガス１３は、恒湿槽１７の上部で加熱
され、リードフレーム３上に吹き付けられ、恒湿槽の中
を不活性ガスの高濃度雰囲気に保っている。
ドフレーム搬送手段を構成する４本のワイヤー１６の上
に置かれ、連続的に恒湿槽１７の中を送られて加熱され
る。そして不活性ガス１３は、恒湿槽１７の上部で加熱
され、リードフレーム３上に吹き付けられ、恒湿槽の中
を不活性ガスの高濃度雰囲気に保っている。
また、樹脂接着剤２が加熱される時に発生するガス７は
強制排気口１４により、下側に流れ、排気される。従っ
てリードフレーム３表面は酸化されることがなく、第１
の実施例と同様に半導体装置の耐湿性は向上する。
強制排気口１４により、下側に流れ、排気される。従っ
てリードフレーム３表面は酸化されることがなく、第１
の実施例と同様に半導体装置の耐湿性は向上する。
以上説明したように、本発明は、不活性ガス雰囲気中に
てリードフレームを加熱するため、り一ドフーレームの
酸化を防止できる。また、加熱時に発生するガスを下側
に排気することにより、ペレット表面への発生ガスの付
着も防止でき、半導体装置の耐湿性を向上させる効果が
ある。
てリードフレームを加熱するため、り一ドフーレームの
酸化を防止できる。また、加熱時に発生するガスを下側
に排気することにより、ペレット表面への発生ガスの付
着も防止でき、半導体装置の耐湿性を向上させる効果が
ある。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図、第２図は本発
明の第２の実施例の断面図、第３図は樹脂接着剤にてペ
レットをリードフレームに接着した時の断面図、第４図
は従来のベーク装置の断面図である。 １・・・ペレット、２・・・樹脂接着剤、３・・・リー
ドフレーム、４・・・ベレット搭載部、５・・・ヒータ
ーブロック、６・・・レール、７・・・発生ガス、８・
・・ガス供給パイプ、９・・・ガス排気口、１１・・・
不活性ガス加熱部、１２・・・不活性ガス供給箱、１４
・・・強制排気口、１６・・・ワイヤー、１７・・・恒
湿槽。
明の第２の実施例の断面図、第３図は樹脂接着剤にてペ
レットをリードフレームに接着した時の断面図、第４図
は従来のベーク装置の断面図である。 １・・・ペレット、２・・・樹脂接着剤、３・・・リー
ドフレーム、４・・・ベレット搭載部、５・・・ヒータ
ーブロック、６・・・レール、７・・・発生ガス、８・
・・ガス供給パイプ、９・・・ガス排気口、１１・・・
不活性ガス加熱部、１２・・・不活性ガス供給箱、１４
・・・強制排気口、１６・・・ワイヤー、１７・・・恒
湿槽。
Claims (1)
- 半導体ペレットを搭載したリードフレームを搬送するリ
ードフレーム搬送手段と、前記リードフレームの上部に
設けられ前記半導体ペレットに加熱された不活性ガスを
吹付ける不活性ガス供給部と、前記リードフレームの下
部に設けられ前記不活性ガスを強制排気する排気手段と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61293820A JPS63144528A (ja) | 1986-12-09 | 1986-12-09 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61293820A JPS63144528A (ja) | 1986-12-09 | 1986-12-09 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63144528A true JPS63144528A (ja) | 1988-06-16 |
Family
ID=17799577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61293820A Pending JPS63144528A (ja) | 1986-12-09 | 1986-12-09 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63144528A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH028033U (ja) * | 1988-06-24 | 1990-01-18 | ||
| JPH03206628A (ja) * | 1990-01-08 | 1991-09-10 | Nec Corp | ダイボンディング用樹脂接着剤キュア装置 |
| JPH03120037U (ja) * | 1990-03-22 | 1991-12-10 |
-
1986
- 1986-12-09 JP JP61293820A patent/JPS63144528A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH028033U (ja) * | 1988-06-24 | 1990-01-18 | ||
| JPH03206628A (ja) * | 1990-01-08 | 1991-09-10 | Nec Corp | ダイボンディング用樹脂接着剤キュア装置 |
| JPH03120037U (ja) * | 1990-03-22 | 1991-12-10 |
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