JPS59229825A - 半導体ペレツトのダイボンデング装置 - Google Patents
半導体ペレツトのダイボンデング装置Info
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- JPS59229825A JPS59229825A JP58094367A JP9436783A JPS59229825A JP S59229825 A JPS59229825 A JP S59229825A JP 58094367 A JP58094367 A JP 58094367A JP 9436783 A JP9436783 A JP 9436783A JP S59229825 A JPS59229825 A JP S59229825A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、発光ダイオード等の半導体部の製造人
に際して、薄金属板から打ち抜かれたリードフレームの
所定箇所に半導体ペレットを、導電性のペーストを用い
てダイボンデングする装置に関するものである。
所定箇所に半導体ペレットを、導電性のペーストを用い
てダイボンデングする装置に関するものである。
リードフレームの所定箇所に半導体ペレットを導電性を
有するペーストを用いてダイボンデングする場合、半導
体ペレットのペーストによる接着後においてペーストの
乾燥工程を必要とする。このペーストの乾燥に際しての
温度を高（すると乾燥時間は短かくなるが、乾燥温度が
高いとペーストに泡を発生したりもろくなったりして、
ペーストによる接着強度が低下するので、従来は、半導
体ペレットをペーストによって接着したあとのリードフ
レームを、これを複数個づつマガジンに装填したのち、
オーブン式乾燥器に入れ、約１５０℃の温度で約３０分
程度の低温乾燥を行なうようにしている。
有するペーストを用いてダイボンデングする場合、半導
体ペレットのペーストによる接着後においてペーストの
乾燥工程を必要とする。このペーストの乾燥に際しての
温度を高（すると乾燥時間は短かくなるが、乾燥温度が
高いとペーストに泡を発生したりもろくなったりして、
ペーストによる接着強度が低下するので、従来は、半導
体ペレットをペーストによって接着したあとのリードフ
レームを、これを複数個づつマガジンに装填したのち、
オーブン式乾燥器に入れ、約１５０℃の温度で約３０分
程度の低温乾燥を行なうようにしている。
しかし、このように半導体ペレットのペーストによる接
着後のリードフレームをオーブン式乾燥器に入れて長い
時間をかけて低温乾燥することは、ペーストによる接着
強度を損なうことがない反曲、次の工程であるワイヤポ
ンデング工程に至る一連の工程を、連続化することがで
きないことに加えて、マガジンへのリードフレームの装
填及びオーブン式乾燥器への出入れ、更にはリードフレ
ームのマガジンからの取外しに多大の手数を−するから
、生産性が低（、製造コストが著しく嵩むのであった。
着後のリードフレームをオーブン式乾燥器に入れて長い
時間をかけて低温乾燥することは、ペーストによる接着
強度を損なうことがない反曲、次の工程であるワイヤポ
ンデング工程に至る一連の工程を、連続化することがで
きないことに加えて、マガジンへのリードフレームの装
填及びオーブン式乾燥器への出入れ、更にはリードフレ
ームのマガジンからの取外しに多大の手数を−するから
、生産性が低（、製造コストが著しく嵩むのであった。
本発明は、所定の位置に半導体ペレットをペーストにて
接着したリードフレームに、乾燥工程を施すにおいて、
その乾燥時間は乾燥温度を２５０〜３００℃に高めると
１〜２分程に短縮できて連続乾燥が可能となる反面、リ
ードフレームを一挙に２５０〜３００℃に加熱するとペ
ーストによる接着強度が著しく低ドするが、この２５０
〜３００℃の乾燥の前に、これより低い温度の予備加熱
を行なうと、ペーストによる接着強度の低下を防止でき
るという実験結果に鑑み、リードフレームを適宜速度で
移送する搬送経路に沿って、先づリードフレームの所定
個所に半導体ペレットをペーストによって接着する手段
と、その前方にリードフレームを２５０〜３００℃に加
熱する手段とを設けると共に、前記半導体ペレットの接
着手段と、２５０〜ｇｏθ℃の加熱手段との間に、リー
ドフレームをこれより低い温度に予備加熱する手段を少
なくとも１箇所設けることにより、ダイボンデングから
その後のワイヤボンデングに至る一連の工程を連続化で
きるようにしたものである。
接着したリードフレームに、乾燥工程を施すにおいて、
その乾燥時間は乾燥温度を２５０〜３００℃に高めると
１〜２分程に短縮できて連続乾燥が可能となる反面、リ
ードフレームを一挙に２５０〜３００℃に加熱するとペ
ーストによる接着強度が著しく低ドするが、この２５０
〜３００℃の乾燥の前に、これより低い温度の予備加熱
を行なうと、ペーストによる接着強度の低下を防止でき
るという実験結果に鑑み、リードフレームを適宜速度で
移送する搬送経路に沿って、先づリードフレームの所定
個所に半導体ペレットをペーストによって接着する手段
と、その前方にリードフレームを２５０〜３００℃に加
熱する手段とを設けると共に、前記半導体ペレットの接
着手段と、２５０〜ｇｏθ℃の加熱手段との間に、リー
ドフレームをこれより低い温度に予備加熱する手段を少
なくとも１箇所設けることにより、ダイボンデングから
その後のワイヤボンデングに至る一連の工程を連続化で
きるようにしたものである。
以下本発明を発光ダイオールドに８けるダイボンデング
の場合について説明すると、図において（１）は、一つ
の発光ダイオードを形成するために対をなすアノードリ
ード（２）とカソードリード（３）とを適宜間隔（ｐ）
で多数個連接するように薄金属板から打ち抜いたリード
フレームを示し、該リードフレーム（１）を−列状に適
宜速度で矢印（Ａ）方向に移送する搬送経路（４）に沿
って、該リードフレーム（１）に８ける各アノードリー
ド（２）の先端に半導体ペレットを導電性ペーストを介
して接着する手段（５）と、各アノードリード（２）の
半導体ペレットとこのアノードリード（２）に対をなす
カソードリード（３）とをワイヤボンデングする手段（
６ンを、搬送方向に適宜間隔を隔てて設ける一方、前記
搬送経路（４）には、前記半導体ペレット接着手段（４
）とワイヤボンデング手段（６）との間の部分の左右両
側に、搬送中のリードフレーム（１）を加熱するための
三つのヒータ（７）（３）（９）を搬送方向に沿って列
状に配設して、該ヒータ（７）（８） （９）による加
熱温度を、半導体ペレット接着手段（５）より遠ざかる
につれて順次高くなるように、つまり、第１ヒータ（７
）の温度が最も低（、第２ヒータ（８）の温度が次いで
高く、そして最後の第３ヒータ（９）の温度が最も高く
なるように設定する。
の場合について説明すると、図において（１）は、一つ
の発光ダイオードを形成するために対をなすアノードリ
ード（２）とカソードリード（３）とを適宜間隔（ｐ）
で多数個連接するように薄金属板から打ち抜いたリード
フレームを示し、該リードフレーム（１）を−列状に適
宜速度で矢印（Ａ）方向に移送する搬送経路（４）に沿
って、該リードフレーム（１）に８ける各アノードリー
ド（２）の先端に半導体ペレットを導電性ペーストを介
して接着する手段（５）と、各アノードリード（２）の
半導体ペレットとこのアノードリード（２）に対をなす
カソードリード（３）とをワイヤボンデングする手段（
６ンを、搬送方向に適宜間隔を隔てて設ける一方、前記
搬送経路（４）には、前記半導体ペレット接着手段（４
）とワイヤボンデング手段（６）との間の部分の左右両
側に、搬送中のリードフレーム（１）を加熱するための
三つのヒータ（７）（３）（９）を搬送方向に沿って列
状に配設して、該ヒータ（７）（８） （９）による加
熱温度を、半導体ペレット接着手段（５）より遠ざかる
につれて順次高くなるように、つまり、第１ヒータ（７
）の温度が最も低（、第２ヒータ（８）の温度が次いで
高く、そして最後の第３ヒータ（９）の温度が最も高く
なるように設定する。
このようにすると、リードフレーム（１）は、その搬送
中に先づ半導体ペレット接着手段（５）箇所において、
各アノードリード（２）の先端に半導体ペレットが導電
性ペーストを介して接着されたのち、第１ヒータ（７）
箇所において予備加熱され、次いで第２ヒータ（８）箇
所においてより高温度に加熱され、更に第３ヒータ（９
）箇所において最終温度に加熱されて導電性ペーストの
乾燥が行なわれ、この乾燥後に次の工程であるワイヤボ
ンデング手段（６）箇所に送られるのである。
中に先づ半導体ペレット接着手段（５）箇所において、
各アノードリード（２）の先端に半導体ペレットが導電
性ペーストを介して接着されたのち、第１ヒータ（７）
箇所において予備加熱され、次いで第２ヒータ（８）箇
所においてより高温度に加熱され、更に第３ヒータ（９
）箇所において最終温度に加熱されて導電性ペーストの
乾燥が行なわれ、この乾燥後に次の工程であるワイヤボ
ンデング手段（６）箇所に送られるのである。
この場合、実験によると、最終の第８ヒータ（９）番こ
よる加熱温度は２５０〜８００℃に設定すべきであって
、３００℃を越えると、その前の予備加熱を如何様に変
えてもペーストによる接着強度が低下する現象が認めら
れ、２５０℃に達しないときには第８ヒータ（９）で加
熱する区間を長くしないとペーストの乾燥不良を生じ、
完全乾燥のためには第８ヒータ（９）での加熱区間を長
くなって設備が大型化するのである。
よる加熱温度は２５０〜８００℃に設定すべきであって
、３００℃を越えると、その前の予備加熱を如何様に変
えてもペーストによる接着強度が低下する現象が認めら
れ、２５０℃に達しないときには第８ヒータ（９）で加
熱する区間を長くしないとペーストの乾燥不良を生じ、
完全乾燥のためには第８ヒータ（９）での加熱区間を長
くなって設備が大型化するのである。
また、予備加熱として第１ヒータ（７）と第２ヒータ（
８）を用いた場合には、第１ヒータ（７）による加熱温
度を約１５０℃に、第２ヒータ（８）による加熱温度を
約２１０℃に設定するのが最適であり、３つのヒータ（
７） （８） （９）のうち第１ヒータ（７）及び第２
ヒータ（８）を共に１５０〜２１０℃とし、第３ヒータ
（９）のみを２５０〜３００℃に設定したり、（この場
合は、ｍｌ及びＭ２ヒータが予備加熱に、第３ヒークが
乾燥加熱になる）第１ヒータ（７）のみを１５０〜２１
０℃とし、第２ヒータ（８）及び第３ヒータ（９）を共
に２５０〜８００℃に設定したり（この場合は、第１ヒ
ータが予備加熱に、第２及び第８ヒータが乾燥加熱にな
る）、或いはヒータを第１ヒータ（７ンと第２ヒータ（
８）との２つにし、第１ヒータ（７）を１５０〜２１０
℃とし、第２ヒータ（８）を２５０〜３００℃に設定し
たりしても同様の結果が得られたのである。
８）を用いた場合には、第１ヒータ（７）による加熱温
度を約１５０℃に、第２ヒータ（８）による加熱温度を
約２１０℃に設定するのが最適であり、３つのヒータ（
７） （８） （９）のうち第１ヒータ（７）及び第２
ヒータ（８）を共に１５０〜２１０℃とし、第３ヒータ
（９）のみを２５０〜３００℃に設定したり、（この場
合は、ｍｌ及びＭ２ヒータが予備加熱に、第３ヒークが
乾燥加熱になる）第１ヒータ（７）のみを１５０〜２１
０℃とし、第２ヒータ（８）及び第３ヒータ（９）を共
に２５０〜８００℃に設定したり（この場合は、第１ヒ
ータが予備加熱に、第２及び第８ヒータが乾燥加熱にな
る）、或いはヒータを第１ヒータ（７ンと第２ヒータ（
８）との２つにし、第１ヒータ（７）を１５０〜２１０
℃とし、第２ヒータ（８）を２５０〜３００℃に設定し
たりしても同様の結果が得られたのである。
そして、これら結果からみて、ヒータは４個以上の複数
個にしても良いことは容易に推測できることであり、ま
た、リードフレーム（１）を最終的に２５０〜３００℃
に加熱することは、リードフレーム（１）表面の酸化を
庄することが考えられるが、これを防止するには、前記
の加熱を窒素ガス又はアルゴンガス等の不活性ガスの雰
囲気中で行なうようにすれば良く、更に本発明は、前記
実施例の発光ダイオードに限らず、他の半導体部品につ
いても同様に適用できることはいうまでもない。
個にしても良いことは容易に推測できることであり、ま
た、リードフレーム（１）を最終的に２５０〜３００℃
に加熱することは、リードフレーム（１）表面の酸化を
庄することが考えられるが、これを防止するには、前記
の加熱を窒素ガス又はアルゴンガス等の不活性ガスの雰
囲気中で行なうようにすれば良く、更に本発明は、前記
実施例の発光ダイオードに限らず、他の半導体部品につ
いても同様に適用できることはいうまでもない。
以上要するに本発明は、半導体ペレットを導電性ペース
トにて接着したリードフレームを適宜速度で移送する搬
送経路は、搬送中のリードフレームを２５０〜３００℃
に加熱する乾燥加熱手段を設けると共に、この乾燥加熱
手段の搬送方向手前側の部位に、リードフレームを前記
乾燥加熱温度より適宜低い温度に予備加熱する手段を設
けたことを特徴するもので、これにより、半導体ペレッ
トをペーストにて接着したリードフレームの搬送中にお
いて、そのペーストを当該ペーストによる接着強度を低
トすることなく乾燥できるから、従来のようにペースト
にて半導体を接着したリードフレームを、オーブン式乾
燥器に入れて乾燥を行なう工程が不安になって、次の工
程であるワイヤボンデングに連続することができ、換言
すればボンデングからワイヤボンデングに至る工程を連
続工程とすることができるから、生産性を著しく向上で
きるのであり、しかも、本発明によれは加熱乾燥のため
の搬送区間が短かくて設備を小型１ｂできる効果を有す
る。
トにて接着したリードフレームを適宜速度で移送する搬
送経路は、搬送中のリードフレームを２５０〜３００℃
に加熱する乾燥加熱手段を設けると共に、この乾燥加熱
手段の搬送方向手前側の部位に、リードフレームを前記
乾燥加熱温度より適宜低い温度に予備加熱する手段を設
けたことを特徴するもので、これにより、半導体ペレッ
トをペーストにて接着したリードフレームの搬送中にお
いて、そのペーストを当該ペーストによる接着強度を低
トすることなく乾燥できるから、従来のようにペースト
にて半導体を接着したリードフレームを、オーブン式乾
燥器に入れて乾燥を行なう工程が不安になって、次の工
程であるワイヤボンデングに連続することができ、換言
すればボンデングからワイヤボンデングに至る工程を連
続工程とすることができるから、生産性を著しく向上で
きるのであり、しかも、本発明によれは加熱乾燥のため
の搬送区間が短かくて設備を小型１ｂできる効果を有す
る。
図面は本発明の実施例を示し、第１図は発光ダイオード
用のリードフレームの図、第２図は装置の概略平面図で
ある。 （１）・・・リードフレーム、（４）・・・搬送経路、
（５）・・・半導体ペレット接着手段、（７） （８）
（９）・・・ヒータ、（６）パ°ワイヤボンデング手
段。
用のリードフレームの図、第２図は装置の概略平面図で
ある。 （１）・・・リードフレーム、（４）・・・搬送経路、
（５）・・・半導体ペレット接着手段、（７） （８）
（９）・・・ヒータ、（６）パ°ワイヤボンデング手
段。
Claims (1)
- （１）、半導体ペレットを導電性ペーストにて接着した
リードフレームを適宜速度で移送する搬送経路に、搬送
中のリードフレームを２５０〜３００℃に加熱する乾燥
加熱手段を設けると共に、この乾燥加熱手段の搬送方向
手前側の部位に、リードフレームを前記乾燥加熱温度よ
り適宜低い温度に予備加熱する手段を設けたことを特徴
とする半導体ペレットのダイボンデング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58094367A JPS59229825A (ja) | 1983-05-27 | 1983-05-27 | 半導体ペレツトのダイボンデング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58094367A JPS59229825A (ja) | 1983-05-27 | 1983-05-27 | 半導体ペレツトのダイボンデング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59229825A true JPS59229825A (ja) | 1984-12-24 |
Family
ID=14108341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58094367A Pending JPS59229825A (ja) | 1983-05-27 | 1983-05-27 | 半導体ペレツトのダイボンデング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59229825A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6016430A (ja) * | 1983-07-08 | 1985-01-28 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6065541A (ja) * | 1983-09-20 | 1985-04-15 | Shinkawa Ltd | 半導体部品の製造方法 |
| JPS6231129A (ja) * | 1985-08-02 | 1987-02-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置組立てボンダ−用ワ−ク加熱装置 |
| CN108817180A (zh) * | 2018-07-11 | 2018-11-16 | 无锡雷德环保设备有限公司 | 一种新型直插式led支架成型架构 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5834933A (ja) * | 1981-08-26 | 1983-03-01 | Nec Corp | ダイボンデイング装置 |
-
1983
- 1983-05-27 JP JP58094367A patent/JPS59229825A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5834933A (ja) * | 1981-08-26 | 1983-03-01 | Nec Corp | ダイボンデイング装置 |
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| CN108817180A (zh) * | 2018-07-11 | 2018-11-16 | 无锡雷德环保设备有限公司 | 一种新型直插式led支架成型架构 |
| CN108817180B (zh) * | 2018-07-11 | 2024-04-23 | 无锡雷德环保设备有限公司 | 一种直插式led支架成型架构 |
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