JPS61295637A - Ｉｃリ−ドフレ−ムの過剰モ−ルド除去方法 - Google Patents
Ｉｃリ−ドフレ−ムの過剰モ−ルド除去方法Info
- Publication number
- JPS61295637A JPS61295637A JP13746485A JP13746485A JPS61295637A JP S61295637 A JPS61295637 A JP S61295637A JP 13746485 A JP13746485 A JP 13746485A JP 13746485 A JP13746485 A JP 13746485A JP S61295637 A JPS61295637 A JP S61295637A
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- JP
- Japan
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- lead frame
- chemical solvent
- pressure water
- mold
- hyper
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- Pending
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＩＣ（集積回路）の製造工桿において、ＩＣ
リードフレームの過剰モールドを除去する方法に関する
ものである。
リードフレームの過剰モールドを除去する方法に関する
ものである。
一般的に、第２図に示すように、ＩＣの製造Ｔ稈で、ダ
イボンγイングそしてワイへ７ボンデイングを終了した
ＩＣパッケージ１は、１枚の銅板等のリードフレーム２
に複数１５載された状態のまま、七−ルディング（８Ｉ
脂封入）が実施される。その際、ＩＣパッケージ１の外
周部の小孔に過剰なモールド（樹脂）３が目詰りする。
イボンγイングそしてワイへ７ボンデイングを終了した
ＩＣパッケージ１は、１枚の銅板等のリードフレーム２
に複数１５載された状態のまま、七−ルディング（８Ｉ
脂封入）が実施される。その際、ＩＣパッケージ１の外
周部の小孔に過剰なモールド（樹脂）３が目詰りする。
そこで、前記モールディング後に、この過剰モールド３
を除去し、そして、リード部分１の分列および成形を行
ない、さらに、このリード部分４を酸化防止のためはん
だ付（）づ゛るようにしている。
を除去し、そして、リード部分１の分列および成形を行
ない、さらに、このリード部分４を酸化防止のためはん
だ付（）づ゛るようにしている。
従来、前記過剰モールド３を除去づ゛る方法としては、
金属性のブラシで除去１゛る方法また【、１液体ホーニ
ング法（液体プラスディング法）が知られている。
金属性のブラシで除去１゛る方法また【、１液体ホーニ
ング法（液体プラスディング法）が知られている。
しかし、前記ブラシによる除去方法は、能・＜／が悪く
、かつ細部の過剰モールドまでは除去できない欠点があ
り、また前記液体ホーニング法ｃＪ玉、水中に含まれる
砥粒がリードフレーム２の全屈表面に食込み＼′）ｔＪ
”く、またその全屈表面をＩｃ１（０リ−る欠点がある
。
、かつ細部の過剰モールドまでは除去できない欠点があ
り、また前記液体ホーニング法ｃＪ玉、水中に含まれる
砥粒がリードフレーム２の全屈表面に食込み＼′）ｔＪ
”く、またその全屈表面をＩｃ１（０リ−る欠点がある
。
本発明は、かかる不都合を改善するものであり、リード
フレームに付着した過剰モールドを、能率良く、細部ま
で効果的に、かつリードフレームの金属表面を損傷する
ことなく除去できるように覆ることを目的とづるもので
ある。
フレームに付着した過剰モールドを、能率良く、細部ま
で効果的に、かつリードフレームの金属表面を損傷する
ことなく除去できるように覆ることを目的とづるもので
ある。
本発明は、ＩＣリードフレーム２に付着している過剰モ
ールド３を除去する方法において、前記ＩＣリードフレ
ーム２を搬送しつつ、前記過剰モールド３を化学溶剤３
４により軟潤化させ、ついで前記過剰モールド３に超高
圧水４４を噴射する過剰モールド除去方法である。
ールド３を除去する方法において、前記ＩＣリードフレ
ーム２を搬送しつつ、前記過剰モールド３を化学溶剤３
４により軟潤化させ、ついで前記過剰モールド３に超高
圧水４４を噴射する過剰モールド除去方法である。
本発明は、リードフレーム２の小孔等に付着した過剰モ
ールド３を、化学溶剤３４により軟潤化させてリードフ
レーム２から離脱しやすくした後に、超高圧水４４の水
圧、水撃により、前記小孔等から押出づようにする。
ールド３を、化学溶剤３４により軟潤化させてリードフ
レーム２から離脱しやすくした後に、超高圧水４４の水
圧、水撃により、前記小孔等から押出づようにする。
以下、本発明を図面に示す一実施例を参照して詳細に説
明する。
明する。
第１図に示すように、ＩＣリードフレーム押出装置１１
と、多数のＩＣリードフレーム２を積層状に装填してな
るローディング用のマガジン１２ど、ＩＣリードフレー
ム２を搬送する搬送コンベ１３と、ＩＣリードフレーム
２を回収するアンローディング用のマガジン１４とを、
順次配設づ−る。
と、多数のＩＣリードフレーム２を積層状に装填してな
るローディング用のマガジン１２ど、ＩＣリードフレー
ム２を搬送する搬送コンベ１３と、ＩＣリードフレーム
２を回収するアンローディング用のマガジン１４とを、
順次配設づ−る。
前記搬送コンベヤ１３は、１対のエンドレスチェンを平
行に配設し、その両側ヂエンに設けた搬送爪により前記
リードフレーム２を挟持して搬送する。
行に配設し、その両側ヂエンに設けた搬送爪により前記
リードフレーム２を挟持して搬送する。
さらに前記搬送コンベヤ１３に沿って、ＩＣリードフレ
ーム２に付着した過剰モールド３を化学溶剤により軟潤
化させる前処理装置２１と、前記過剰モールド３等に超
高圧水を噴射する超高圧水噴射装置２２と、リードフレ
ーム２等に付着した水分を除去する乾燥装置２３どを、
順次配設する。
ーム２に付着した過剰モールド３を化学溶剤により軟潤
化させる前処理装置２１と、前記過剰モールド３等に超
高圧水を噴射する超高圧水噴射装置２２と、リードフレ
ーム２等に付着した水分を除去する乾燥装置２３どを、
順次配設する。
前記前処理装置２１は、前処理槽本体３１の内部に噴流
ノズル３２を設け、前記槽本体３１の下部からポンプ３
３により前記噴流ノズル３２内に水酸化ナトリウム等の
化学溶剤３４を加圧供給し、この化学溶剤３４を前記ノ
ズル３２から噴流させるものである。
ノズル３２を設け、前記槽本体３１の下部からポンプ３
３により前記噴流ノズル３２内に水酸化ナトリウム等の
化学溶剤３４を加圧供給し、この化学溶剤３４を前記ノ
ズル３２から噴流させるものである。
また前記超高圧水噴射装置２２は、前記搬送コンベヤ１
３の上側および下側に設けた高圧水ノズル４１゜４２に
、超高圧水供給ユニツ１〜４３から超高圧（１０００Ｋ
ｇ／ ｃｍ程度）の超高圧水４４を加圧供給するように
したものである。
３の上側および下側に設けた高圧水ノズル４１゜４２に
、超高圧水供給ユニツ１〜４３から超高圧（１０００Ｋ
ｇ／ ｃｍ程度）の超高圧水４４を加圧供給するように
したものである。
さらに前記乾燥装置２３は、前記搬送コンベヤ１３の下
側に熱風ヒータ５１を設け、前記コンベヤ１３の上側お
よび下側に輻射熱ヒータ５２を設けたものである。
側に熱風ヒータ５１を設け、前記コンベヤ１３の上側お
よび下側に輻射熱ヒータ５２を設けたものである。
そうして、前記押出装置１１により、前記ローディング
用マガジン１２内にある１枚のＩＣリードフレーム２を
搬送コンペＡ７１３の搬送爪間に押出ず。
用マガジン１２内にある１枚のＩＣリードフレーム２を
搬送コンペＡ７１３の搬送爪間に押出ず。
そして、このコンベＮ７１３により前記リードフレーム
２を搬送しながら、前記前処理装置２１において、前記
リードフレーム２を前記噴流化学溶剤３４中に挿入する
ことにより、前記過剰モールド３をその化学溶剤３４の
作用により軟潤化させる。さらに、前記超高圧水噴射装
置２２において、最初は上側ノズル４１から前記過剰モ
ールド３に超高圧水４４を哨０４ シ、次に下側ノズル
４２から前記過剰モールド３に超高圧水４４を噴射する
と、これらの超高圧水４４の水圧およびその水撃作用に
Ｊ：す、前記軟潤化された過剰モールド３がリードフレ
ーム２の小孔から反対側に押出され、同時にＩＣパッケ
ージ１およびリードフレーム２に付着されていた化学溶
剤が洗い落とされる。
２を搬送しながら、前記前処理装置２１において、前記
リードフレーム２を前記噴流化学溶剤３４中に挿入する
ことにより、前記過剰モールド３をその化学溶剤３４の
作用により軟潤化させる。さらに、前記超高圧水噴射装
置２２において、最初は上側ノズル４１から前記過剰モ
ールド３に超高圧水４４を哨０４ シ、次に下側ノズル
４２から前記過剰モールド３に超高圧水４４を噴射する
と、これらの超高圧水４４の水圧およびその水撃作用に
Ｊ：す、前記軟潤化された過剰モールド３がリードフレ
ーム２の小孔から反対側に押出され、同時にＩＣパッケ
ージ１およびリードフレーム２に付着されていた化学溶
剤が洗い落とされる。
このようにして、過剰モールド３を除去されたリードフ
レーム２は、前記乾燥装置２３で水分を除去乾燥された
後、前記アンローディング用マガジン１４内に回収され
る。
レーム２は、前記乾燥装置２３で水分を除去乾燥された
後、前記アンローディング用マガジン１４内に回収され
る。
なお、前記前処理装置２１は、化学溶剤３４をノズル３
２から噴流するタイプのものであるが、本発明は、これ
に限定されるものではナク、例えば、前記搬送コンペ１
７１３の一部を前処理槽本体３１の内部に引込み、リー
ドフレーム２をこの前処理槽本体３１内の化学溶剤中に
浸漬するようにしてもよい。
２から噴流するタイプのものであるが、本発明は、これ
に限定されるものではナク、例えば、前記搬送コンペ１
７１３の一部を前処理槽本体３１の内部に引込み、リー
ドフレーム２をこの前処理槽本体３１内の化学溶剤中に
浸漬するようにしてもよい。
また、前記前処理装置２１での化学溶剤処理が長時間の
場合は、前記超高圧水噴射装置２２のノズル４１、４２
に供給される超高圧水は、３００１ｘｇ／ｍ程度でもＪ
：い。
場合は、前記超高圧水噴射装置２２のノズル４１、４２
に供給される超高圧水は、３００１ｘｇ／ｍ程度でもＪ
：い。
〔発明の効果）
本発明によれば、ＩＣリードフレームの過剰モールドを
除去づる場合、過剰モールドを化学溶剤により軟潤化さ
けておいて、その軟潤化モールドを超高圧水の物理的衝
撃により前記リードフレームから除去するようにしたか
ら、従来の金属ブラシによる除去方法に比べ能率良く、
ＨＪ部まで効果的に除去でき、かつ従来の液体ホーニン
グ法のようにリードフレームの金属表面を砥粒ににり損
傷するおそれがない。
除去づる場合、過剰モールドを化学溶剤により軟潤化さ
けておいて、その軟潤化モールドを超高圧水の物理的衝
撃により前記リードフレームから除去するようにしたか
ら、従来の金属ブラシによる除去方法に比べ能率良く、
ＨＪ部まで効果的に除去でき、かつ従来の液体ホーニン
グ法のようにリードフレームの金属表面を砥粒ににり損
傷するおそれがない。
第１図は本発明の過剰モールド除去方法の一実施例を示
す説明図、第２図は過剰モールドを有するＩＣリードフ
レームの平面図である。 ２・・ＩＣリードフレーム、３・・過剰モールド、３４
・・化学溶剤、４４・・超高圧水。
す説明図、第２図は過剰モールドを有するＩＣリードフ
レームの平面図である。 ２・・ＩＣリードフレーム、３・・過剰モールド、３４
・・化学溶剤、４４・・超高圧水。
Claims (1)
- （１）ＩＣリードフレームの過剰モールドを除去する方
法において、前記ＩＣリードフレームを搬送しつつ、前
記過剰モールドを化学溶剤により軟潤化させ、ついで前
記過剰モールドに超高圧水を噴射することを特徴とする
ＩＣリードフレームの過剰モールド除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13746485A JPS61295637A (ja) | 1985-06-24 | 1985-06-24 | Ｉｃリ−ドフレ−ムの過剰モ−ルド除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13746485A JPS61295637A (ja) | 1985-06-24 | 1985-06-24 | Ｉｃリ−ドフレ−ムの過剰モ−ルド除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61295637A true JPS61295637A (ja) | 1986-12-26 |
Family
ID=15199214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13746485A Pending JPS61295637A (ja) | 1985-06-24 | 1985-06-24 | Ｉｃリ−ドフレ−ムの過剰モ−ルド除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61295637A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100383440B1 (ko) * | 2001-06-07 | 2003-05-12 | 삼본티엘지(주) | 패키지된 반도체 또는 전자부품의 표면 몰딩 수지 제거기및 제거방법 |
| KR100426119B1 (ko) * | 2001-07-18 | 2004-04-08 | (주)엠아이반도체 | 패키지된 반도체 또는 전자부품의 표면 몰딩 수지 제거기 및 제거 시스템 |
| EP1465241A2 (en) * | 2003-04-04 | 2004-10-06 | ASM Technology Singapore Pte Ltd. | Apparatus and method for cleaning an electronic device |
| WO2005057650A1 (en) * | 2003-12-12 | 2005-06-23 | Sunyang Tech Co., Ltd. | A water jet singulation apparatus for semiconductor manufacture and singulation method thereof |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5766657A (en) * | 1980-10-14 | 1982-04-22 | Noge Denki Kogyo:Kk | Apparatus for automatically removing molded film before finish plating for external lead of molded semiconductor device |
-
1985
- 1985-06-24 JP JP13746485A patent/JPS61295637A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5766657A (en) * | 1980-10-14 | 1982-04-22 | Noge Denki Kogyo:Kk | Apparatus for automatically removing molded film before finish plating for external lead of molded semiconductor device |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100383440B1 (ko) * | 2001-06-07 | 2003-05-12 | 삼본티엘지(주) | 패키지된 반도체 또는 전자부품의 표면 몰딩 수지 제거기및 제거방법 |
| KR100426119B1 (ko) * | 2001-07-18 | 2004-04-08 | (주)엠아이반도체 | 패키지된 반도체 또는 전자부품의 표면 몰딩 수지 제거기 및 제거 시스템 |
| EP1465241A2 (en) * | 2003-04-04 | 2004-10-06 | ASM Technology Singapore Pte Ltd. | Apparatus and method for cleaning an electronic device |
| EP1465241A3 (en) * | 2003-04-04 | 2006-11-15 | ASM Technology Singapore Pte Ltd. | Apparatus and method for cleaning an electronic device |
| WO2005057650A1 (en) * | 2003-12-12 | 2005-06-23 | Sunyang Tech Co., Ltd. | A water jet singulation apparatus for semiconductor manufacture and singulation method thereof |
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