JPH0284745A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH0284745A JPH0284745A JP23710888A JP23710888A JPH0284745A JP H0284745 A JPH0284745 A JP H0284745A JP 23710888 A JP23710888 A JP 23710888A JP 23710888 A JP23710888 A JP 23710888A JP H0284745 A JPH0284745 A JP H0284745A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat block
- chip
- die
- bonding
- die pads
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
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- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置を製造する半導体製造装置、特
にボンディング加工のためにリードフレームを加熱する
装置に関するものである。
にボンディング加工のためにリードフレームを加熱する
装置に関するものである。
第３図は従来の半導体装置を示す側面断面図、第４図は
その立面図であり、ボンディング加工の１つであるワイ
ヤボンドのためにリードフレームを加熱する場合金示す
。これらの図において、（１）はリードフレーム、（２
Ａ）ないしく２Ｃ）はリードフレーム（【）に形成され
たダイパッド、（３Ａ）ないしく３Ｃ）はそｎぞれダイ
パッド（２Ａ）ないしく２Ｃ）上に装着された半導体チ
ップ（以下、チップと称す）である。
その立面図であり、ボンディング加工の１つであるワイ
ヤボンドのためにリードフレームを加熱する場合金示す
。これらの図において、（１）はリードフレーム、（２
Ａ）ないしく２Ｃ）はリードフレーム（【）に形成され
たダイパッド、（３Ａ）ないしく３Ｃ）はそｎぞれダイ
パッド（２Ａ）ないしく２Ｃ）上に装着された半導体チ
ップ（以下、チップと称す）である。
（４）は断面がＬ形のレールで、２本が平行して対称的
に向い合い、その間にリードフレーム（１）全案内でき
るようになっている。（５）はヒートブロックで、２本
のレール（４）の間の、図において下に設けられ、リー
ドフレーム（旧ζ当接してそのダイパッド（２人）ない
しく２Ｃ）の１つを加熱できるようになっている。
に向い合い、その間にリードフレーム（１）全案内でき
るようになっている。（５）はヒートブロックで、２本
のレール（４）の間の、図において下に設けられ、リー
ドフレーム（旧ζ当接してそのダイパッド（２人）ない
しく２Ｃ）の１つを加熱できるようになっている。
（６）はヒートブロック（５）に内蔵さｎてこれを加熱
゛するヒータである。
゛するヒータである。
次に動作について説明する。リードフレーム（１）がレ
ール（４）に案内されながらフレーム搬送機構（図示せ
ず）により搬送され、ヒータ（６）により加熱されたヒ
ートブロック（６）の上にダイパッド（２人）が来て、
そこで位置決めの機構（図示せず）により、ワイヤボン
ドの作業位置に位置決めされる。
ール（４）に案内されながらフレーム搬送機構（図示せ
ず）により搬送され、ヒータ（６）により加熱されたヒ
ートブロック（６）の上にダイパッド（２人）が来て、
そこで位置決めの機構（図示せず）により、ワイヤボン
ドの作業位置に位置決めされる。
ワイヤボンドやダイボンドを行うには加工対象物を加熱
しておく必要があるので、ヒートブロック７ｍ （６）によりダイパッド（２Ａ）を加熱し、更に、チッ
プ（３Ａ）もダイパッド（２Ａ） ｔ−通じて加熱され
て、これらが所定の温度になるまで待ち、その温度にな
って安定するとチップ（３Ａ）のワイヤボンドが行われ
分搬送され、ヒートブロック（５）の上にダイパッド（
２Ｂ）が来る。そして上述のチップ（３Ａ）のときと同
様に、ダイパッド（２Ｂ） 、チップ（３Ｂ）が加熱さ
れ、チップ（３Ｂ）のワイヤボンドが行われる。このよ
うにして順次チップ（３Ａ）、 （３Ｂ）、 （３Ｃ）
〜のワイヤボンドが行われる。
しておく必要があるので、ヒートブロック７ｍ （６）によりダイパッド（２Ａ）を加熱し、更に、チッ
プ（３Ａ）もダイパッド（２Ａ） ｔ−通じて加熱され
て、これらが所定の温度になるまで待ち、その温度にな
って安定するとチップ（３Ａ）のワイヤボンドが行われ
分搬送され、ヒートブロック（５）の上にダイパッド（
２Ｂ）が来る。そして上述のチップ（３Ａ）のときと同
様に、ダイパッド（２Ｂ） 、チップ（３Ｂ）が加熱さ
れ、チップ（３Ｂ）のワイヤボンドが行われる。このよ
うにして順次チップ（３Ａ）、 （３Ｂ）、 （３Ｃ）
〜のワイヤボンドが行われる。
〔発明が解決し６ようとする課題〕
従来の装置は以上のように構成されているので。
１つのチップやダイパッドのボンディング加工が終って
次のものが搬送さｎて来る度に、こｎをボンディング加
工する前に、加熱して温度が上昇。
次のものが搬送さｎて来る度に、こｎをボンディング加
工する前に、加熱して温度が上昇。
安定するまで待ち時間が必要であり、従って、加工時間
が長くなるなどの問題点があった。
が長くなるなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになさＣ
たもので、加工時間の短い半導体製造装置を得ること全
目的とする。
たもので、加工時間の短い半導体製造装置を得ること全
目的とする。
この発明に係る半導体製造装置は、ボンディング加工を
行う箇所のダイパッドを含めて複数のダイパッドをヒー
トブロックで加熱するようにしたものである。
行う箇所のダイパッドを含めて複数のダイパッドをヒー
トブロックで加熱するようにしたものである。
この発明における半導体製造装置は、ヒートブロックで
複数のダイパッドを加熱するので、そのうちのボンディ
ング加工されていないダイパッドが、ボンディング加工
されるようになった時には既に加熱されている、つまり
予熱されており、従って、ボンディング加工前の加熱の
ための待ち時間を短かく、あるいは、不要にする。
複数のダイパッドを加熱するので、そのうちのボンディ
ング加工されていないダイパッドが、ボンディング加工
されるようになった時には既に加熱されている、つまり
予熱されており、従って、ボンディング加工前の加熱の
ための待ち時間を短かく、あるいは、不要にする。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。ｍ１
図はこの発明の一実施例による半導体製造装置の側面断
面図で、ワイヤボンドの場合を示す。図において、＜１
）、 （２Ａ）〜（２Ｃ） 、 （３Ａ）〜（３Ｃ）、
＋４ンは第３図の従来例と同様であるので説明を省略す
るつ（５）はヒートブロックで、２本のレール（４）の
間の、図において下沓りに設けられ、ダイパッド（２人
）ないしく２Ｃ）の２つにまたがってリードフレーム（
」）に当接し、これらを加熱できるようになっている。
図はこの発明の一実施例による半導体製造装置の側面断
面図で、ワイヤボンドの場合を示す。図において、＜１
）、 （２Ａ）〜（２Ｃ） 、 （３Ａ）〜（３Ｃ）、
＋４ンは第３図の従来例と同様であるので説明を省略す
るつ（５）はヒートブロックで、２本のレール（４）の
間の、図において下沓りに設けられ、ダイパッド（２人
）ないしく２Ｃ）の２つにまたがってリードフレーム（
」）に当接し、これらを加熱できるようになっている。
（６）はヒートブロックに内蔵されてこｒＬｔ−加熱す
るヒータで、ヒートブロック（５ンとはゾ同等の長さに
なっている。
るヒータで、ヒートブロック（５ンとはゾ同等の長さに
なっている。
次に動作について説明する。従来例と同様にリードフレ
ーム（１）がレール１４）に案内されながら搬送され、
ヒートブロック（５）の上にダイパッド（２人）と（２
Ｂ）が来て、そこでチップ（３Ａ）がワイヤボンドの作
業位置に位置決めされる。ヒートブロック（５）により
ダイパッド（２Ａ） 、 （２Ｂ）が加工され、最初の
ダイパッド（２人）およびチップ（３Ａ）については従
来例の場合と同様に、これらが所定の温度になるまで待
ってチップ（３Ａ）のワイヤボンドが行われる。こＣが
終るとリードフレーム（１）は、図において右方にダイ
パッド（２Ａ）ないしく２Ｃ）の１ピッチ分搬送され、
ヒートブロック（５）の上にはダイパッド（２Ｂ）と（
２Ｃ）が来る。次にチップ（３Ｂ）のワイヤボンドが行
われるが、１つ前のチップ（３Ａ）のワイヤボンド時に
ダイパッド（２Ｂ）とチップ（３Ｂ）は既に加熱、つま
り予熱されているので、加熱のために待つ必要はｎると
いうように、順次、連続的に作業が行われる限り、待ち
時間の必要なくワイヤボンドが行われる。
ーム（１）がレール１４）に案内されながら搬送され、
ヒートブロック（５）の上にダイパッド（２人）と（２
Ｂ）が来て、そこでチップ（３Ａ）がワイヤボンドの作
業位置に位置決めされる。ヒートブロック（５）により
ダイパッド（２Ａ） 、 （２Ｂ）が加工され、最初の
ダイパッド（２人）およびチップ（３Ａ）については従
来例の場合と同様に、これらが所定の温度になるまで待
ってチップ（３Ａ）のワイヤボンドが行われる。こＣが
終るとリードフレーム（１）は、図において右方にダイ
パッド（２Ａ）ないしく２Ｃ）の１ピッチ分搬送され、
ヒートブロック（５）の上にはダイパッド（２Ｂ）と（
２Ｃ）が来る。次にチップ（３Ｂ）のワイヤボンドが行
われるが、１つ前のチップ（３Ａ）のワイヤボンド時に
ダイパッド（２Ｂ）とチップ（３Ｂ）は既に加熱、つま
り予熱されているので、加熱のために待つ必要はｎると
いうように、順次、連続的に作業が行われる限り、待ち
時間の必要なくワイヤボンドが行われる。
なお、上記実施例ではヒートブロック（５）に内蔵着し
たダイパッド（２人）ないしく２Ｃ）を加熱するヒータ
（６Ａ）と、予熱用のヒータ（６Ｂ）の２つに分け、そ
れぞれをコントローラ（７）により制御して望ましい加
熱状態にするようにしてもよい。また、ヒートブロック
（５）でダイパッド（２人）ないしく２Ｃ）の２つ分を
加熱するものを示したが、３つ分以上を加熱するように
してもよい。更にボンディング加工としてワイヤボンド
を行う場合を示したが、ダイボンドの場合でも同様に適
用でき、このときは、搬送されて来るリードフレーム＋
１）にはテップ（３Ａ）ないしく３Ｃ）は未だ装着され
ておらず、ヒートブロック（５）の所で装着される。
たダイパッド（２人）ないしく２Ｃ）を加熱するヒータ
（６Ａ）と、予熱用のヒータ（６Ｂ）の２つに分け、そ
れぞれをコントローラ（７）により制御して望ましい加
熱状態にするようにしてもよい。また、ヒートブロック
（５）でダイパッド（２人）ないしく２Ｃ）の２つ分を
加熱するものを示したが、３つ分以上を加熱するように
してもよい。更にボンディング加工としてワイヤボンド
を行う場合を示したが、ダイボンドの場合でも同様に適
用でき、このときは、搬送されて来るリードフレーム＋
１）にはテップ（３Ａ）ないしく３Ｃ）は未だ装着され
ておらず、ヒートブロック（５）の所で装着される。
以上のように、この発明によればヒートブロックでダイ
パッドを予熱するよう構成したので、ボンディング加工
時に加熱のために待つ必要はなく、従って、加工時間が
短かくなるという効果がある。
パッドを予熱するよう構成したので、ボンディング加工
時に加熱のために待つ必要はなく、従って、加工時間が
短かくなるという効果がある。
第１図はこの発明の一実施例に：る半導体製造装置を示
す側面断面図、第２図はこの発明の他の実施例による半
導体製速製ＴＩＬを示す側面断面図。 第３図は従来の半導体製造装置を示す側面断面図、第４
図はその立面図である。 図において、＋１）はリードフレーム、 （２Ａ）〜
（２Ｃ）はダイパッド、（３Ａ）〜（３Ｃ）はチップ、
（６）はヒートブロックである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
す側面断面図、第２図はこの発明の他の実施例による半
導体製速製ＴＩＬを示す側面断面図。 第３図は従来の半導体製造装置を示す側面断面図、第４
図はその立面図である。 図において、＋１）はリードフレーム、 （２Ａ）〜
（２Ｃ）はダイパッド、（３Ａ）〜（３Ｃ）はチップ、
（６）はヒートブロックである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 複数のダイパッドを有するリードフレームを搬送し、こ
のリードフレームのダイパッドを順次ヒートブロックで
加熱してボンディング加工を行うものにおいて、上記ボ
ンディング加工を行う箇所のダイパッドを含めて複数の
上記ダイパッドをヒートブロックで加熱することを特徴
とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23710888A JPH0284745A (ja) | 1988-09-21 | 1988-09-21 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23710888A JPH0284745A (ja) | 1988-09-21 | 1988-09-21 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0284745A true JPH0284745A (ja) | 1990-03-26 |
Family
ID=17010532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23710888A Pending JPH0284745A (ja) | 1988-09-21 | 1988-09-21 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0284745A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5237394A (en) * | 1991-06-10 | 1993-08-17 | Xerox Corporation | Method and apparatus for print verification |
-
1988
- 1988-09-21 JP JP23710888A patent/JPH0284745A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5237394A (en) * | 1991-06-10 | 1993-08-17 | Xerox Corporation | Method and apparatus for print verification |
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