JP2924459B2 - リードフレームの予備半田付け方法 - Google Patents
リードフレームの予備半田付け方法Info
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
- H01L24/743—Apparatus for manufacturing layer connectors
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止形半導体装置
の組立てに使用するリードフレームに対し、ダイボンデ
ィングに先立ってダイパッドに半田層を被着させる予備
半田付け方法に関する。
の組立てに使用するリードフレームに対し、ダイボンデ
ィングに先立ってダイパッドに半田層を被着させる予備
半田付け方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】まず、本発明の実施対象となる樹脂封止
形半導体装置、並びに当該半導体装置の組立に使用する
リードフレームを図２，図３に示す。図２において、１
は半導体チップ，リードフレームを封止した樹脂パッケ
ージ、２はパッケージ１から引出したリードフレームの
外部接続リードである。また、図３はリードフレームの
展開図であり、１枚のリードフレーム３には前記のリー
ド２，ダイパッド４，タイバー５などからなる単位パタ
ーンの複数組が連続してパターン形成されている。そし
て、半導体装置を組立てるには、まずダイパッド４に半
導体チップをマウントし、半導体チップとリード２との
間にワイヤボンディングを施した後に、樹脂パッケージ
１のモールド成形，リード加工を行って図２の半導体装
置を組立て構成することは周知の通りである。
形半導体装置、並びに当該半導体装置の組立に使用する
リードフレームを図２，図３に示す。図２において、１
は半導体チップ，リードフレームを封止した樹脂パッケ
ージ、２はパッケージ１から引出したリードフレームの
外部接続リードである。また、図３はリードフレームの
展開図であり、１枚のリードフレーム３には前記のリー
ド２，ダイパッド４，タイバー５などからなる単位パタ
ーンの複数組が連続してパターン形成されている。そし
て、半導体装置を組立てるには、まずダイパッド４に半
導体チップをマウントし、半導体チップとリード２との
間にワイヤボンディングを施した後に、樹脂パッケージ
１のモールド成形，リード加工を行って図２の半導体装
置を組立て構成することは周知の通りである。
【０００３】また、リードフレーム３のダイパッド４に
半導体チップをダイボンディングするに当たっては、ダ
イボンディングに先立って、まずダイパッド４の斜線域
（図３参照）に予備半田を被着させておく方法が一般に
実施されている。ここで、ダイパッドに予備半田を被着
させる方法として、従来では、 （１）ダイパッドにあらかじめフラックスを塗布して半
田箔を載せ、半田付け炉に通炉して半田付けする方法。 （２）ダイパッドにフラックスを含む半田ペーストをポ
ッテング法により滴下供給して半田付けする方法。 （３）スクリーン印刷方式により半田ペーストをダイパ
ッドに塗布して半田付けする方法などが知られている。
半導体チップをダイボンディングするに当たっては、ダ
イボンディングに先立って、まずダイパッド４の斜線域
（図３参照）に予備半田を被着させておく方法が一般に
実施されている。ここで、ダイパッドに予備半田を被着
させる方法として、従来では、 （１）ダイパッドにあらかじめフラックスを塗布して半
田箔を載せ、半田付け炉に通炉して半田付けする方法。 （２）ダイパッドにフラックスを含む半田ペーストをポ
ッテング法により滴下供給して半田付けする方法。 （３）スクリーン印刷方式により半田ペーストをダイパ
ッドに塗布して半田付けする方法などが知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記のよう
に予備半田工程でフラックスを使用する半田付け方法で
は、半田付け後にフラックスの残渣を除去するために洗
浄，乾燥工程が必要であり、予備半田付け設備が大形化
するのみならず、フラックスの管理が厄介である。ま
た、これに加えて前記（１）の方法では、ダイパッドに
載せた半田箔がリードフレームを半田付け炉へ搬入する
搬送途上で位置ずれが生じ易く、これを防ぐためには半
田箔を所定位置に保持するカーボン治具が必要となる
が、サイズの異なるリードフレームレームごとに専用の
治具を用意しなければならず厄介である。さらに、治具
を使用すると炉内では熱量の一部が治具に奪われるため
に半田付けに長い加熱時間が要するほか、温度分布にバ
ラツキが生じるなどして適正な半田付けが困難であるな
どの問題点が残る。また、（２）のポッテング方法で
は、ダイパッド上に滴下した半田ペーストが均一に広が
らず、予備半田層の厚みにバラツキが生じる。さらに、
（３）のスクリーン印刷方法ではメタルマスクに目詰ま
りが生じ易く、その管理が厄介であるなどの問題点があ
る。
に予備半田工程でフラックスを使用する半田付け方法で
は、半田付け後にフラックスの残渣を除去するために洗
浄，乾燥工程が必要であり、予備半田付け設備が大形化
するのみならず、フラックスの管理が厄介である。ま
た、これに加えて前記（１）の方法では、ダイパッドに
載せた半田箔がリードフレームを半田付け炉へ搬入する
搬送途上で位置ずれが生じ易く、これを防ぐためには半
田箔を所定位置に保持するカーボン治具が必要となる
が、サイズの異なるリードフレームレームごとに専用の
治具を用意しなければならず厄介である。さらに、治具
を使用すると炉内では熱量の一部が治具に奪われるため
に半田付けに長い加熱時間が要するほか、温度分布にバ
ラツキが生じるなどして適正な半田付けが困難であるな
どの問題点が残る。また、（２）のポッテング方法で
は、ダイパッド上に滴下した半田ペーストが均一に広が
らず、予備半田層の厚みにバラツキが生じる。さらに、
（３）のスクリーン印刷方法ではメタルマスクに目詰ま
りが生じ易く、その管理が厄介であるなどの問題点があ
る。
【０００５】本発明は上記の点にかんがみなされたもの
であり、その目的は前記課題を解消し、フラックス，半
田保持用の治具などを一切要せずに半田付けを適正，か
つ連続的に処理できる生産性の高いリードフレームの予
備半田付け方法を提供することにある。
であり、その目的は前記課題を解消し、フラックス，半
田保持用の治具などを一切要せずに半田付けを適正，か
つ連続的に処理できる生産性の高いリードフレームの予
備半田付け方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の予備半田付け方法では、ダイパッドのサイ
ズに合わせて裁断した定形の半田箔をリードフレームの
ダイパッド上に位置を合わせて載置し、この状態で半田
箔をダイパッドに仮止めボンディングした後に、リード
フレームを還元雰囲気炉に通炉して半田付けを行うもの
とする。
に、本発明の予備半田付け方法では、ダイパッドのサイ
ズに合わせて裁断した定形の半田箔をリードフレームの
ダイパッド上に位置を合わせて載置し、この状態で半田
箔をダイパッドに仮止めボンディングした後に、リード
フレームを還元雰囲気炉に通炉して半田付けを行うもの
とする。
【０００７】また、前記方法において、リードフレーム
のダイパッドと半田箔との間の仮止めする方法として、
光ビーム照射による熱圧着法で行う方法、あるいは超音
波ウエッジボンディング法で行う方法などの実施態様が
ある。
のダイパッドと半田箔との間の仮止めする方法として、
光ビーム照射による熱圧着法で行う方法、あるいは超音
波ウエッジボンディング法で行う方法などの実施態様が
ある。
【０００８】
【作用】上記の方法によれば、フラックス，およびフラ
ックスの使用に伴う洗浄，乾燥工程を一切必要とせずに
リードフレームのダイパッドに予備半田付けが行える。
また、ダイパッドに搭載した定形の半田箔をあらかじめ
仮止めボンディングしてあるので、治具を使用しなくて
もリードフレームを還元雰囲気炉へ搬入する途上で半田
リボンの位置ずれの生じるおそれはなく、これにより作
業能率を高めつつ予備半田層を均一な厚さでダイパッド
に被着させることができる。
ックスの使用に伴う洗浄，乾燥工程を一切必要とせずに
リードフレームのダイパッドに予備半田付けが行える。
また、ダイパッドに搭載した定形の半田箔をあらかじめ
仮止めボンディングしてあるので、治具を使用しなくて
もリードフレームを還元雰囲気炉へ搬入する途上で半田
リボンの位置ずれの生じるおそれはなく、これにより作
業能率を高めつつ予備半田層を均一な厚さでダイパッド
に被着させることができる。
【０００９】
【実施例】以下本発明の実施例を図１に基づいて説明す
る。すなわち、リードフレームの予備半田付け工程のラ
インにはリードフレーム３を搭載する搬送レール６、還
元雰囲気炉７、半田箔フィーダ８、レーザ方式の仮止め
ボンディング装置９などが設備されている。また、１０
は厚さが均一であるフープ状のリボン半田１１の巻回ロ
ールであり、定量送りローラ１２，カッタ１３を経て裁
断された定形の半田箔１１ａがフィーダ８の移送コレッ
ト８ａのハンドリング操作でリードフレーム３に供給さ
れる。さらに、搬送レール６の下面側には予熱ヒータ１
４を備えている。
る。すなわち、リードフレームの予備半田付け工程のラ
インにはリードフレーム３を搭載する搬送レール６、還
元雰囲気炉７、半田箔フィーダ８、レーザ方式の仮止め
ボンディング装置９などが設備されている。また、１０
は厚さが均一であるフープ状のリボン半田１１の巻回ロ
ールであり、定量送りローラ１２，カッタ１３を経て裁
断された定形の半田箔１１ａがフィーダ８の移送コレッ
ト８ａのハンドリング操作でリードフレーム３に供給さ
れる。さらに、搬送レール６の下面側には予熱ヒータ１
４を備えている。
【００１０】かかる構成の半田付け設備による予備半田
付け工程は次のように行われる。まず、リードフレーム
３が１枚ずつ搬送レール６にローディングされると、こ
れにタイミングを合わせて半田ロール１０から繰り出し
たリボン半田１１があらかじめ設定した定量（リードフ
レーム３のダイパッド４（図３参照）のサイズに合わせ
て設定する）ずつカッタ１３に送られて裁断される。続
いて半田箔フィーダ８の移送コレット８ａが裁断された
半田箔１１ａを吸着し、搬送途上にあるリードフレーム
３の位置まで移動してダイパッドの上に載置する。な
お、この場合にはモニタカメラなどを用いて正確な位置
決めを行うものとする。そして、半田箔がリードフレー
ムのダイパッド上に載置されたことが確認されると、続
いて移送コレット８ａが半田箔を押さえたまま、半田箔
１１ａの周縁複数箇所（少なくとも２箇所）にレーザビ
ーム９ａを照射してスポット的に熱圧着させ、半田箔を
ダイパッド上に仮止めボンディングする。なお、この時
点でリードフレーム３は搬送レール６に組み込まれた予
熱ヒータ１４で予熱されており、レーザビームの照射に
よる仮止めボンディングが確実に行える。また、同様な
半田箔の供給操作をリードフレーム３を定ピッチずつ送
りを掛けながらリードフレームの端から各ダイパッドに
ついて順に実行し、全てのダイパッドに半田箔が仮止め
されると次にリードフレーム３を還元雰囲気炉７に搬入
し、炉内で半田箔を溶融させてダイパッドに半田付けを
行う。なお、予備半田付けされたリードフレームは、炉
７の出口側でアンローダにより取り出して専用のマガジ
ンに挿入され、後段のダイボンディング工程に送られ
る。
付け工程は次のように行われる。まず、リードフレーム
３が１枚ずつ搬送レール６にローディングされると、こ
れにタイミングを合わせて半田ロール１０から繰り出し
たリボン半田１１があらかじめ設定した定量（リードフ
レーム３のダイパッド４（図３参照）のサイズに合わせ
て設定する）ずつカッタ１３に送られて裁断される。続
いて半田箔フィーダ８の移送コレット８ａが裁断された
半田箔１１ａを吸着し、搬送途上にあるリードフレーム
３の位置まで移動してダイパッドの上に載置する。な
お、この場合にはモニタカメラなどを用いて正確な位置
決めを行うものとする。そして、半田箔がリードフレー
ムのダイパッド上に載置されたことが確認されると、続
いて移送コレット８ａが半田箔を押さえたまま、半田箔
１１ａの周縁複数箇所（少なくとも２箇所）にレーザビ
ーム９ａを照射してスポット的に熱圧着させ、半田箔を
ダイパッド上に仮止めボンディングする。なお、この時
点でリードフレーム３は搬送レール６に組み込まれた予
熱ヒータ１４で予熱されており、レーザビームの照射に
よる仮止めボンディングが確実に行える。また、同様な
半田箔の供給操作をリードフレーム３を定ピッチずつ送
りを掛けながらリードフレームの端から各ダイパッドに
ついて順に実行し、全てのダイパッドに半田箔が仮止め
されると次にリードフレーム３を還元雰囲気炉７に搬入
し、炉内で半田箔を溶融させてダイパッドに半田付けを
行う。なお、予備半田付けされたリードフレームは、炉
７の出口側でアンローダにより取り出して専用のマガジ
ンに挿入され、後段のダイボンディング工程に送られ
る。
【００１１】なお、図示実施例では半田箔の仮止めボン
ディングをレーザビームの照射による熱圧着法により行
うようにしたが、レーザビームの代わりに超音波ウエッ
ジボンディング法を採用して実施することもできる。
ディングをレーザビームの照射による熱圧着法により行
うようにしたが、レーザビームの代わりに超音波ウエッ
ジボンディング法を採用して実施することもできる。
【００１２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の予備半田付
け方法によれば、フラックス，およびフラックスの使用
に伴う洗浄，乾燥工程、並びに半田保持用治具の使用な
しに、リードフレームのダイパッドに対して予備半田付
けを適正，かつ連続処理することができ、これにより作
業能率，生産性の大幅な向上化が図れる。
け方法によれば、フラックス，およびフラックスの使用
に伴う洗浄，乾燥工程、並びに半田保持用治具の使用な
しに、リードフレームのダイパッドに対して予備半田付
けを適正，かつ連続処理することができ、これにより作
業能率，生産性の大幅な向上化が図れる。
【図１】本発明方法の実施に用いる予備半田付け設備の
実施例の構成配置図
実施例の構成配置図
【図２】本発明の実施対象となる樹脂封止形半導体装置
の外観図
の外観図
【図３】図２の半導体装置の組立てに用いるリードフレ
ームの展開図
ームの展開図
３ リードフレーム ４ ダイパッド ６ 搬送レール ７ 還元雰囲気炉 ８ 半田箔フィーダ ８ａ 移送コレット ９ レーザ方式の仮止めボンディング装置 １１ リボン半田 １１ａ 半田箔 １２ 定量送りローラ １３ カッタ １４ 予熱ヒータ
Claims (3)
- 【請求項１】ダイボンディングに先立ち、リードフレー
ムのダイパッドに半田層を被着させる予備半田付け方法
であって、ダイパッドのサイズに合わせて裁断した定形
の半田箔をリードフレームのダイパッド上に位置を合わ
せて載置し、この状態で半田箔をダイパッドに仮止めボ
ンディングした後に、リードフレームを還元雰囲気炉に
通炉して半田付けを行うことを特徴とするリードフレー
ムの予備半田付け方法。 - 【請求項２】請求項１記載の予備半田付け方法におい
て、リードフレームのダイパッドと半田箔との間の仮止
めボンディングを、光ビーム照射による熱圧着法で行う
ことを特徴とするリードフレームの予備半田付け方法。 - 【請求項３】請求項１記載の予備半田付け方法におい
て、リードフレームのダイパッドと半田箔との間の仮止
めボンディングを、超音波ウエッジボンディング法で行
うことを特徴とするリードフレームの予備半田付け方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15548292A JP2924459B2 (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | リードフレームの予備半田付け方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15548292A JP2924459B2 (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | リードフレームの予備半田付け方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05347321A JPH05347321A (ja) | 1993-12-27 |
| JP2924459B2 true JP2924459B2 (ja) | 1999-07-26 |
Family
ID=15607015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15548292A Expired - Fee Related JP2924459B2 (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | リードフレームの予備半田付け方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2924459B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102013213135B3 (de) * | 2013-07-04 | 2014-08-28 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Weichlöten von Halbleiterchips auf Substrate und Verfahren zum Herstellen eines Leistungshalbleitermoduls |
| DE102015108481A1 (de) | 2015-05-29 | 2016-12-01 | Infineon Technologies Ag | Lot mit Struktur zur leichteren Vereinzelung |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6030734B2 (ja) * | 1979-04-11 | 1985-07-18 | 健 増本 | 鉄族元素とジルコニウムを含む脆性が小さく熱的安定性に優れる非晶質合金 |
| JPS606907Y2 (ja) * | 1980-12-05 | 1985-03-07 | ソニー株式会社 | 摺動部材 |
| JP4499899B2 (ja) * | 2000-09-14 | 2010-07-07 | ミヤチテクノス株式会社 | 電子部品パッケージにおけるリードフレームろう付方法 |
| JP5197092B2 (ja) * | 2008-03-27 | 2013-05-15 | 古河電気工業株式会社 | 超電導ケーブルの接続構造体及び接続方法 |
| JP2024508628A (ja) * | 2021-01-29 | 2024-02-28 | ピンク ゲーエムベーハー テルモジステーメ | 電子アセンブリを接続するシステムおよび方法 |
-
1992
- 1992-06-16 JP JP15548292A patent/JP2924459B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102013213135B3 (de) * | 2013-07-04 | 2014-08-28 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Weichlöten von Halbleiterchips auf Substrate und Verfahren zum Herstellen eines Leistungshalbleitermoduls |
| DE102015108481A1 (de) | 2015-05-29 | 2016-12-01 | Infineon Technologies Ag | Lot mit Struktur zur leichteren Vereinzelung |
| DE102015108481B4 (de) | 2015-05-29 | 2022-02-03 | Infineon Technologies Ag | Lot mit Struktur zur leichteren Vereinzelung |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05347321A (ja) | 1993-12-27 |
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