JP2880877B2 - 半導体装置のリード矯正方法および半導体装置の実装方法 - Google Patents
半導体装置のリード矯正方法および半導体装置の実装方法Info
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
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- H05K3/3421—Leaded components
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- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表面実装型リード付き
半導体装置のリード矯正方法およびリード付き半導体装
置の実装方法に関する。
半導体装置のリード矯正方法およびリード付き半導体装
置の実装方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、リード付き半導体装置は、樹脂封
止の終了した後、タイバーを切断・除去し、外部リード
に半田めっき等の外装処理を行い、外部リードを所定の
形状に成形することによって作製される。
止の終了した後、タイバーを切断・除去し、外部リード
に半田めっき等の外装処理を行い、外部リードを所定の
形状に成形することによって作製される。
【０００３】外部リードの成形方法を図６を参照して説
明する。図６は、ＳＯＰ（Small Outline Package ）型
の半導体装置用のリード成形金型の斜視図である。同図
に示されるように、このタイプの半導体装置１は、樹脂
パッケージ１ａと、樹脂パッケージ１ａの向き合った２
側面から導出される複数の外部リード１ｂとを有する。
金型は、下金型６および上金型７とから構成され、下金
型６には、下金型リード押さえ面６ａとリード先端部押
さえ面６ｂとが形成されており、上金型７には、上金型
リード押さえ面７ａが形成されている。
明する。図６は、ＳＯＰ（Small Outline Package ）型
の半導体装置用のリード成形金型の斜視図である。同図
に示されるように、このタイプの半導体装置１は、樹脂
パッケージ１ａと、樹脂パッケージ１ａの向き合った２
側面から導出される複数の外部リード１ｂとを有する。
金型は、下金型６および上金型７とから構成され、下金
型６には、下金型リード押さえ面６ａとリード先端部押
さえ面６ｂとが形成されており、上金型７には、上金型
リード押さえ面７ａが形成されている。
【０００４】リード成形工程では、半導体装置１の外部
リード１ｂの根元を、下金型リード押さえ面６ａと上金
型リード押さえ面７ａとで上下から挟んで固定し、この
状態で上方からポンチを降下させて外部リード１ｂを押
し下げ、ポンチで外部リードをリード先端部押さえ面６
ｂに押し付けることにより、外部リードをガルウィング
（Gull Wing ）状に成形する。
リード１ｂの根元を、下金型リード押さえ面６ａと上金
型リード押さえ面７ａとで上下から挟んで固定し、この
状態で上方からポンチを降下させて外部リード１ｂを押
し下げ、ポンチで外部リードをリード先端部押さえ面６
ｂに押し付けることにより、外部リードをガルウィング
（Gull Wing ）状に成形する。
【０００５】次に、図７を参照して半導体装置の従来の
実装方法について説明する。まず、配線基板２上の電極
２ａにスクリーン印刷法にて半田ペースト３ａを印刷す
る［図７の（ａ）］。次に、真空吸着ノズルにて半導体
装置をピックアップし、画像認識により半導体装置の外
部リード１ｂと配線基板の電極２ａとの位置合わせを行
い、半導体装置１を配線基板２上に搭載する［図７の
（ｂ）］。その後、リフローにて半田を溶融し、温度を
降下させて半田３にて外部リード１ｂを電極２ａに接続
する［図７の（ｃ）］。
実装方法について説明する。まず、配線基板２上の電極
２ａにスクリーン印刷法にて半田ペースト３ａを印刷す
る［図７の（ａ）］。次に、真空吸着ノズルにて半導体
装置をピックアップし、画像認識により半導体装置の外
部リード１ｂと配線基板の電極２ａとの位置合わせを行
い、半導体装置１を配線基板２上に搭載する［図７の
（ｂ）］。その後、リフローにて半田を溶融し、温度を
降下させて半田３にて外部リード１ｂを電極２ａに接続
する［図７の（ｃ）］。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】樹脂封止型半導体装置
の中には、樹脂部分に反りが生じているものがある。そ
の場合、樹脂パッケージから導出される外部リードは同
一平面に存在しないことになり、リフローによる半田付
けに接続不良の発生する可能性が高くなる。反りの発生
原因としては、リードフレームと封止樹脂との熱収縮の
差、封止樹脂の不均一性に伴う部分的収縮の差等が考え
られている。このような反りのある半導体装置にたい
し、上述のリード成形を行った場合、リード成形工程中
には、リードの根元は下金型リード押さえ面６ａと上金
型リード押さえ面７ａとの間に挟まれるため、一時的に
矯正されるが、リード成形金型から取り出した時点でリ
ードはその弾性により元の位置に復帰する。その結果、
リード先端部のコプラナリティ（同一平面性）が損なわ
れることになる。
の中には、樹脂部分に反りが生じているものがある。そ
の場合、樹脂パッケージから導出される外部リードは同
一平面に存在しないことになり、リフローによる半田付
けに接続不良の発生する可能性が高くなる。反りの発生
原因としては、リードフレームと封止樹脂との熱収縮の
差、封止樹脂の不均一性に伴う部分的収縮の差等が考え
られている。このような反りのある半導体装置にたい
し、上述のリード成形を行った場合、リード成形工程中
には、リードの根元は下金型リード押さえ面６ａと上金
型リード押さえ面７ａとの間に挟まれるため、一時的に
矯正されるが、リード成形金型から取り出した時点でリ
ードはその弾性により元の位置に復帰する。その結果、
リード先端部のコプラナリティ（同一平面性）が損なわ
れることになる。
【０００７】一方、近年外部リードのファインピッチ化
が進み、それにつれてブリッジ防止のため実装時に半田
ペーストをより薄く塗付しなければならなくなってきて
おり、そのため、ユーザサイドからの半導体装置のコプ
ラナリティに対する要求は一段と厳しくなってきてい
る。
が進み、それにつれてブリッジ防止のため実装時に半田
ペーストをより薄く塗付しなければならなくなってきて
おり、そのため、ユーザサイドからの半導体装置のコプ
ラナリティに対する要求は一段と厳しくなってきてい
る。
【０００８】而して、外部リードのコプラナリティを改
善する技術として、特開平２−２７２７５２号公報にお
いて、リード成形後に矯正用金型を用い、外部リードを
挟持して上下動させるものが提案されている。しかし、
この矯正手段では、半導体装置の形状毎に別々の挟持
部材および矯正金型が必要となる、半導体装置を１個
ずつ挟持する必要があるため、装置が大型化しまた量産
性も悪い、金型に外部リードが複数回衝突するためリ
ード表面の半田がこすれ半田くずが発生する、等の欠点
があった。
善する技術として、特開平２−２７２７５２号公報にお
いて、リード成形後に矯正用金型を用い、外部リードを
挟持して上下動させるものが提案されている。しかし、
この矯正手段では、半導体装置の形状毎に別々の挟持
部材および矯正金型が必要となる、半導体装置を１個
ずつ挟持する必要があるため、装置が大型化しまた量産
性も悪い、金型に外部リードが複数回衝突するためリ
ード表面の半田がこすれ半田くずが発生する、等の欠点
があった。
【０００９】したがって、本発明の目的とするところ
は、大規模な装置を用いることなく、単純な方法で外部
リードのコプラナリティを高めることができるようにす
ることであり、このことにより半田ペーストの塗付を薄
くできるようにし、そして半田ブリッジの防止と半導体
装置の確実な接続とを同時に達成できるようにすること
である。
は、大規模な装置を用いることなく、単純な方法で外部
リードのコプラナリティを高めることができるようにす
ることであり、このことにより半田ペーストの塗付を薄
くできるようにし、そして半田ブリッジの防止と半導体
装置の確実な接続とを同時に達成できるようにすること
である。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、樹脂封止型半導体装置を封止樹脂
のガラス転移点以上に加熱して封止樹脂を軟化させる工
程［図１の（ａ）、図２の（ｃ）］と、半導体装置全体
を温度差の少ない状態に保持しつつ徐冷する工程［図１
の（ｂ）、図２の（ｄ）］と、を含む半導体装置のリー
ド矯正方法が提供される。そして、上記軟化工程および
徐冷工程において、半導体装置１上に重り５を載置する
ことができる。
め、本発明によれば、樹脂封止型半導体装置を封止樹脂
のガラス転移点以上に加熱して封止樹脂を軟化させる工
程［図１の（ａ）、図２の（ｃ）］と、半導体装置全体
を温度差の少ない状態に保持しつつ徐冷する工程［図１
の（ｂ）、図２の（ｄ）］と、を含む半導体装置のリー
ド矯正方法が提供される。そして、上記軟化工程および
徐冷工程において、半導体装置１上に重り５を載置する
ことができる。
【００１１】また、本発明による半導体装置の実装方法
は、半導体装置を半田ペーストの塗付された配線基板上
に搭載し［図４の（ｂ）］半導体装置上に重りを載置す
る工程［図４の（ｃ）］と、半導体装置の封止樹脂のガ
ラス転移点以上に加熱して封止樹脂を軟化させる工程
［図４の（ｄ）］と、半導体装置全体を温度差の少ない
状態に保持しつつ徐冷して半導体装置を配線基板上の配
線に接続する工程［図４の（ｅ）］と、を含むものであ
る。
は、半導体装置を半田ペーストの塗付された配線基板上
に搭載し［図４の（ｂ）］半導体装置上に重りを載置す
る工程［図４の（ｃ）］と、半導体装置の封止樹脂のガ
ラス転移点以上に加熱して封止樹脂を軟化させる工程
［図４の（ｄ）］と、半導体装置全体を温度差の少ない
状態に保持しつつ徐冷して半導体装置を配線基板上の配
線に接続する工程［図４の（ｅ）］と、を含むものであ
る。
【００１２】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は、本発明の第１の実施例の実装方法
を示す工程流れ図である。図１に示されるように、この
実施例では、半導体装置を配線基板に搭載するに先立っ
て半導体装置に対して熱処理を施す。すなわち、半導体
装置１を加熱し１分間１７０℃に保つ。封止樹脂のガラ
ス転移点は約１５０℃であるため、１７０℃に加熱され
ると、樹脂は軟化状態となり、樹脂パッケージの反りは
緩和される［図１の（ａ）］。
て説明する。図１は、本発明の第１の実施例の実装方法
を示す工程流れ図である。図１に示されるように、この
実施例では、半導体装置を配線基板に搭載するに先立っ
て半導体装置に対して熱処理を施す。すなわち、半導体
装置１を加熱し１分間１７０℃に保つ。封止樹脂のガラ
ス転移点は約１５０℃であるため、１７０℃に加熱され
ると、樹脂は軟化状態となり、樹脂パッケージの反りは
緩和される［図１の（ａ）］。
【００１３】その後、樹脂部が均等な温度分布を保持で
きるようにしながら（例えば、樹脂部の上部と下部との
温度差が１０℃以下になるようにしながら）室温にまで
冷却すると、樹脂は反らずに硬化し、その結果コプラナ
リティは改善される［図１の（ｂ）］。実際、約４０μ
ｍあった樹脂パッケージの反りは上記処理により約１０
μｍに改善された。
きるようにしながら（例えば、樹脂部の上部と下部との
温度差が１０℃以下になるようにしながら）室温にまで
冷却すると、樹脂は反らずに硬化し、その結果コプラナ
リティは改善される［図１の（ｂ）］。実際、約４０μ
ｍあった樹脂パッケージの反りは上記処理により約１０
μｍに改善された。
【００１４】一方、配線基板２に半田ペースト３ａを印
刷し［図１の（ｃ）］し、リードの矯正された半導体装
置を搭載する［図１の（ｄ）］。その後、半田リフロー
を行って、半導体装置１の外部リード１ｂを配線基板２
の電極２ａに半田３により接続する［図１の（ｅ）］。
本実施例によれば、配線基板への搭載に先立って半導体
装置の外部リードが矯正されているため、一部の外部リ
ードが半田ペーストにまで到達することができない事態
を回避することができ、全ての外部リードを確実に半田
付けすることが可能になる。
刷し［図１の（ｃ）］し、リードの矯正された半導体装
置を搭載する［図１の（ｄ）］。その後、半田リフロー
を行って、半導体装置１の外部リード１ｂを配線基板２
の電極２ａに半田３により接続する［図１の（ｅ）］。
本実施例によれば、配線基板への搭載に先立って半導体
装置の外部リードが矯正されているため、一部の外部リ
ードが半田ペーストにまで到達することができない事態
を回避することができ、全ての外部リードを確実に半田
付けすることが可能になる。
【００１５】図２は、本発明の第２の実施例を示す工程
流れ図である。本実施例では、まず半導体装置１を定盤
４上に載置する［図２の（ａ）］。ここで、最も高い外
部リード１ｂと定盤４との間には、図３に示すように、
隙間ｇが存在しているものとする。さらに半導体装置１
上に重り５を載置する［図２の（ｂ）］。この状態で加
熱し、１分間１７０℃に維持する。１７０℃は、樹脂の
ガラス転移点１５０℃よりも高いため樹脂は軟化状態と
なり、樹脂パッケージの反りは緩和され上記隙間ｇは減
少するが、ここで半導体装置上には重り５が載置されて
いるため、その相乗効果により隙間ｇは０に近づきコプ
ラナリティは先の実施例の場合よりもよくなる［図２の
（ｃ）］。その後、温度むらの生じないようにして室温
まで冷却すると、反りが再び発生することはなくコプラ
ナリティに優れた半導体装置が得られる［図２の
（ｄ）］。次いで、半導体装置上の重り５を除去する
［図２の（ｅ）］。
流れ図である。本実施例では、まず半導体装置１を定盤
４上に載置する［図２の（ａ）］。ここで、最も高い外
部リード１ｂと定盤４との間には、図３に示すように、
隙間ｇが存在しているものとする。さらに半導体装置１
上に重り５を載置する［図２の（ｂ）］。この状態で加
熱し、１分間１７０℃に維持する。１７０℃は、樹脂の
ガラス転移点１５０℃よりも高いため樹脂は軟化状態と
なり、樹脂パッケージの反りは緩和され上記隙間ｇは減
少するが、ここで半導体装置上には重り５が載置されて
いるため、その相乗効果により隙間ｇは０に近づきコプ
ラナリティは先の実施例の場合よりもよくなる［図２の
（ｃ）］。その後、温度むらの生じないようにして室温
まで冷却すると、反りが再び発生することはなくコプラ
ナリティに優れた半導体装置が得られる［図２の
（ｄ）］。次いで、半導体装置上の重り５を除去する
［図２の（ｅ）］。
【００１６】一方、配線基板２に半田ペースト３ａを印
刷し［図２の（ｆ）］、その上に外部リードの平坦性の
得られた半導体装置１を搭載する［図２の（ｇ）］。そ
の後、半田リフローを行って、半導体装置１の外部リー
ド１ｂを配線基板２の電極２ａに半田付けする［図１の
（ｈ）］。本実施例によれば、先の実施例の場合よりも
高いコプラナリティが得られるので、配線基板に印刷す
る半田ペーストをより薄くすることができる。
刷し［図２の（ｆ）］、その上に外部リードの平坦性の
得られた半導体装置１を搭載する［図２の（ｇ）］。そ
の後、半田リフローを行って、半導体装置１の外部リー
ド１ｂを配線基板２の電極２ａに半田付けする［図１の
（ｈ）］。本実施例によれば、先の実施例の場合よりも
高いコプラナリティが得られるので、配線基板に印刷す
る半田ペーストをより薄くすることができる。
【００１７】図４は、本発明の第３の実施例を示す工程
断面図である。この実施例では、まず配線基板２上に半
田ペースト３ａを印刷し［図４の（ａ）］し、その上に
未矯正の外部リードを有する半導体装置１を搭載する
［図４の（ｂ）］。側面から見たこのときの状態を図５
の（ａ）に示すが、リードが未矯正であるため、半田ペ
ースト３ａと最も高い外部リード１ｂとの間には隙間ｇ
が存在している。ここで半導体装置１上に重り５を載置
する［図４の（ｃ）］と、半導体装置１は、重り５によ
る加重のため少し沈み、上記隙間ｇは減少する［図５の
（ｂ）］。
断面図である。この実施例では、まず配線基板２上に半
田ペースト３ａを印刷し［図４の（ａ）］し、その上に
未矯正の外部リードを有する半導体装置１を搭載する
［図４の（ｂ）］。側面から見たこのときの状態を図５
の（ａ）に示すが、リードが未矯正であるため、半田ペ
ースト３ａと最も高い外部リード１ｂとの間には隙間ｇ
が存在している。ここで半導体装置１上に重り５を載置
する［図４の（ｃ）］と、半導体装置１は、重り５によ
る加重のため少し沈み、上記隙間ｇは減少する［図５の
（ｂ）］。
【００１８】この状態で１７０℃に加熱する。１７０℃
は、樹脂のガラス転移点１５０℃よりも高いため樹脂は
軟化状態となり、樹脂パッケージ１ａは重り５の加重に
より容易に変形して上記隙間ｇを０に近づける。このと
き同時に半田リフローが行われる［図４の（ｄ）］。そ
の後、徐冷し、半田３の固化を待って重りを除去する
［図４の（ｅ）］。この実施例によれば、外部リードの
矯正と半田リフローが同時に行われるため効率よく作業
を行うことができる。
は、樹脂のガラス転移点１５０℃よりも高いため樹脂は
軟化状態となり、樹脂パッケージ１ａは重り５の加重に
より容易に変形して上記隙間ｇを０に近づける。このと
き同時に半田リフローが行われる［図４の（ｄ）］。そ
の後、徐冷し、半田３の固化を待って重りを除去する
［図４の（ｅ）］。この実施例によれば、外部リードの
矯正と半田リフローが同時に行われるため効率よく作業
を行うことができる。
【００１９】以上好ましい実施例について説明したが、
本発明はこれら実施例に限定されるものではなく、特許
請求の範囲に記載された本発明の範囲内において各種の
変更が可能である。また、本発明は、ＳＯＰ型半導体装
置ばかりでなく、ＱＦＰ（Quad Flat Package ）型等の
他の表面実装型リード付き半導体装置にも適用しうるも
のである。
本発明はこれら実施例に限定されるものではなく、特許
請求の範囲に記載された本発明の範囲内において各種の
変更が可能である。また、本発明は、ＳＯＰ型半導体装
置ばかりでなく、ＱＦＰ（Quad Flat Package ）型等の
他の表面実装型リード付き半導体装置にも適用しうるも
のである。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による半導
体装置の実装方法は、半導体装置を配線基板上に搭載す
るに先立って重りを載置する等しつつ、あるいは配線基
板上で半導体装置上に重りを載置して、加熱により樹脂
パッケージを軟化させて外部リードの矯正を行うもので
あるので、以下の効果を奏することができる。 （１）外部リードのコプラナリティが不十分であるため
の半導体装置の接続不良が減少する。 （２）配線基板に印刷する半田ペーストの膜厚を薄くす
ることができるので、ブリッジ不良を減少させることが
できる。 （３）半導体装置の形状に応じた複数の金型を用意した
り大規模なリード矯正装置を用いる必要がなくなり、ま
た矯正作業が簡易化されるため、半導体装置のコストダ
ウンを図ることができる。
体装置の実装方法は、半導体装置を配線基板上に搭載す
るに先立って重りを載置する等しつつ、あるいは配線基
板上で半導体装置上に重りを載置して、加熱により樹脂
パッケージを軟化させて外部リードの矯正を行うもので
あるので、以下の効果を奏することができる。 （１）外部リードのコプラナリティが不十分であるため
の半導体装置の接続不良が減少する。 （２）配線基板に印刷する半田ペーストの膜厚を薄くす
ることができるので、ブリッジ不良を減少させることが
できる。 （３）半導体装置の形状に応じた複数の金型を用意した
り大規模なリード矯正装置を用いる必要がなくなり、ま
た矯正作業が簡易化されるため、半導体装置のコストダ
ウンを図ることができる。
【図１】本発明の第１の実施例の実装方法を示す工程流
れ図。
れ図。
【図２】本発明の第２の実施例の実装方法を示す工程流
れ図。
れ図。
【図３】本発明の第２の実施例を説明するための部分側
面図。
面図。
【図４】本発明の第３の実施例の実装方法を示す工程流
れ図。
れ図。
【図５】本発明の第３の実施例を説明するための部分側
面図。
面図。
【図６】半導体装置の外部リードの成形方法を示す斜視
図。
図。
【図７】従来例の実装方法を示す工程流れ図。
１ 半導体装置 １ａ 樹脂パッケージ １ｂ 外部リード ２ 配線基板 ２ａ 電極 ３ 半田 ３ａ 半田ペースト ４ 定盤 ５ 重り ６ 下金型 ６ａ 下金型リード押さえ面 ６ｂ リード先端部押さえ面 ７ 上金型 ７ａ 上金型リード押さえ面
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 23/50,21/56 H05K 3/34
Claims (5)
- 【請求項１】 樹脂封止型半導体装置を封止樹脂のガラ
ス転移点以上に加熱して封止樹脂を軟化させる工程と、
半導体装置全体を温度差の少ない状態に保持しつつ徐冷
する工程と、を含む半導体装置のリード矯正方法。 - 【請求項２】 樹脂封止型半導体装置を定盤上に載置し
該半導体装置上に重りを載置した状態で封止樹脂のガラ
ス転移点以上に加熱して封止樹脂を軟化させる工程と、
半導体装置全体を温度差の少ない状態に保持しつつ徐冷
する工程と、を含む半導体装置のリード矯正方法。 - 【請求項３】 樹脂封止型半導体装置を封止樹脂のガラ
ス転移点以上に加熱して封止樹脂を軟化させる工程と、
半導体装置全体を温度差の少ない状態に保持しつつ徐冷
する工程と、半田ペーストの塗付された配線基板上に半
導体装置を搭載する工程と、半田リフローにより半導体
装置を配線基板上の配線に接続する工程と、を含む半導
体装置の実装方法。 - 【請求項４】 樹脂封止型半導体装置を定盤上に載置し
該半導体装置上に重りを載置した状態で封止樹脂のガラ
ス転移点以上に加熱して封止樹脂を軟化させる工程と、
半導体装置全体を温度差の少ない状態に保持しつつ徐冷
する工程と、半田ペーストの塗付された配線基板上に半
導体装置を搭載する工程と、半田リフローにより半導体
装置を配線基板上の配線に接続する工程と、を含む半導
体装置の実装方法。 - 【請求項５】 樹脂封止型半導体装置を半田ペーストの
塗付された配線基板上に搭載し半導体装置上に重りを載
置する工程と、半導体装置の封止樹脂のガラス転移点以
上に加熱して封止樹脂を軟化させる工程と、半導体装置
全体を温度差の少ない状態に保持しつつ徐冷して半導体
装置を配線基板上の配線に接続する工程と、を含む半導
体装置の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5128062A JP2880877B2 (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | 半導体装置のリード矯正方法および半導体装置の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5128062A JP2880877B2 (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | 半導体装置のリード矯正方法および半導体装置の実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06314763A JPH06314763A (ja) | 1994-11-08 |
| JP2880877B2 true JP2880877B2 (ja) | 1999-04-12 |
Family
ID=14975536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5128062A Expired - Lifetime JP2880877B2 (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | 半導体装置のリード矯正方法および半導体装置の実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2880877B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2882013B2 (ja) * | 1990-09-06 | 1999-04-12 | ソニー株式会社 | 封止済リードフレームの加工方法 |
| JPH0541577A (ja) * | 1991-08-06 | 1993-02-19 | Fujitsu Ltd | プリント板の反り矯正方法及びその矯正装置 |
-
1993
- 1993-04-30 JP JP5128062A patent/JP2880877B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06314763A (ja) | 1994-11-08 |
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