KR840006564A - 비정질 반도체 합금 제조과정 및 그 장치 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

비정질 반도체 합금 제조과정 및 그 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 수용면상에 비정질 반도체 합금 박막을 침착시키는 초음파 플라즈마 침착장치의 사시도.
제2도는 반응 가스를 분리적으로 여기시켜 여기된 종을 수용면상에 층형태로 침착시키는 또다른 장치의 약도.
제3도는 본 발명의 과정에 따라 제조된 비정질 반도체 합금의 교체되는 층을 포함하는 내부영역을 포함하는 탄뎀 광기전력 장치의 단면도.

Claims (24)

  1. 수용면상에 비정질 합금물질을 층형태로 침착시키는 과정에 있어서, 상기 과정은 최소한 하나의 초음파 에너지원을 구비하고, 상기 수용면상에 침착되는 합금요소를 적어도 한 종류는 각각 포함하는 최소한 두 종류의 반응가스를 유입시킨후 상기 반응가스로부터 상기 수용면 상에 교차층 형태로 침착되는 합금요소를 포함하는 여기되는 종을 생성시키기 위해 상기 초음파 에너지로써 상기 반응가스를 선택적으로 여기시키는 단계로 이뤄지는 것을 특징으로 하는 비정질 반도체 합금제조과정.
  2. 제1항에 의한 제조과정에 있어서, 반응 가스를 선택적으로 여기시키는 단계는 반응가스를 분리적으로 여기시켜 여기된 종을 수용면상에 침착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 반도체 합금제조과정.
  3. 제2항에 의한 제조과정에 있어서, 상기 과정은 한쌍의 초음파 에너지원을 구비하여 각각의 초음파 에너지로써 상기반응 가스를 여기시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 반도체 합금제조과정.
  4. 제1항에 의한 제조과정에 있어서, 상기 반응가스는 상이한 해리 에너지를 갖는 것을 특징으로 하는 비결정 반도체 합금 제조과정.
  5. 제1항에 의한 제조과정에 있어서, 상기 과정은 반응가스로부터 플라즈마를 형성시켜 이를 전후방향으로 이동시키는 과정을 포함하는데, 상기 플라즈마 이동시간은 합금물질이 여러 원자층으로 침착되는데 요구되는 시간에 비하면 아주 긴 것을 특징으로 하는 비정질 반도체 합금 제조과정.
  6. 제1항에 의한 제조과정에 있어서, 상기 반응가스는 반도체 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 반도체 합금과정.
  7. 제6항에 의한 제조과정에 있어서, 상기 반응 가스중 적어도 하나는 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 반도체 합금 제조과정.
  8. 제6항에 의한 제조과정에 있어서, 상기 반응가스중 적어도 하나는 게르마늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 반도체 합금 제조과정.
  9. 제1항에 의한 제조과정에 있어서, 상기 반응가스는 실리콘과 게르마늄을 포함하며, 비정질 실리콘 합금과 비정질 게르마늄 합금은 수용면상에 교차층 형태로 침착되는 것을 특징으로 하는 비정질 반도체 합금 제조과정.
  10. 수용면상에 비정질 합금물질을 층형태로 침착시키는 장치에 있어서, 상기 장치는 최소한 하나의 초음과 에너지원(18), (54), (56)과 수용면상에 침착되는 합금요소를 최소한 한 종류이상 각각 포함하는 최소한 두 종류의 반응 가스를 제공하는 수단(46), (58a), (60a)과 상기 반응 가스로부터 수용면상에 교차층형태로 침착되는 합금을 포함하는 여기되는 종을 생성시키기 위해 초음파 에너지를 이용하여 상기 응반가스를 선택적으로 여기시키는 수단(17)(62)을 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 반도체 합금 제조장치.
  11. 제10항에 의한 장치에 있어서, 반응 가스를 선택적으로 여기시키는 수단은 여기되는 종을 분리적으로 생성시키기 위해 반응가스를 분리적으로 여기시키는 수단(21)을 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 반도체 합금 제조장치.
  12. 제11항에 의한 장치에 있어서, 수단(58), (60)은 분리적으로 여기된 종을 수용면상에 침착시키는 것을 특징으로 하는 비정질 반도체 합금 제조장치.
  13. 제10항에 의한 장치에 있어서, 수단(26)은 반응가스를 혼합하기 위해 상기 가스를 서로 혼합시키는 것을 특징으로 하는 비정질 반도체 합금 제조장치.
  14. 제13항에 의한 장치에 있어서, 밀폐된 용기(12)는 수용면(14)과 상기 혼합가스를 포함하며, 수단(21)은 상기 혼합가스로부터 플라즈마를 형성하기 위해 초음파 에너지를 상기 용기에 연결시키는 것을 특징으로 하는 비정질 반도체 합금 제조장치.
  15. 제14항에 의한 장치에 있어서, 수단(23)은 여기되는 종을 선택적으로 생성시켜 수용면(14)상에 합금층을 형성시키기 위해 반응 가스흐름 방향으로 상기 플라즈마를 이동시키는 것을 특징으로 하는 비정질 반도체 함금 제조과정.
  16. 진성 반도체 영역에서 발생되는 광발생 하전캐리어를 집속시키고 분리시키는 접합을 포함하는 형태의 장치에 있어서, 상기 진성영역은 최소한 두 종류의 다른 비정질 반도체 합금요소로서 서로 교차되는 다수의 비정질 자반도체 합금층(78b), (98)을 형성시킴으로써 새롭게 개선되는 것을 특징으로 하는 장치.
  17. 제16항에 의한 장치에 있어서, 상기 장치는 광기전력 장치(70)인 것을 특징으로 하는 장치.
  18. 제17항에 의한 장치에 있어서, 상기 진성영역(78a) 내지 (78c)은 비정질 게르마늄 합금과 비정질 실리콘 합금의 교차층을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  19. 제18항에 의한 장치에 있어서, 상기 진성 영역(78a) 내지 (78c) 양편에는 상반되는 전도성을 갖는 도우프된 반도체 영역(76a) 내지 (76c), (80a) 내지 (80c)이 배치되는 것을 특징으로 하는 장치.
  20. 제19항에 의한 장치에 있어서, 상기 장치는 탄뎀 광전지(70)의 하나의 셀(72a) 내지(72c)을 형성하는 것을 특징으로 하는 장치.
  21. 광검출장치에 있어서, 상기 장치는 서로 다른 비정질 합금 요소로 구성되는 다수의 비정질 반도체 합금층을 포함하는 비정질 반도체 합금 영역(98)에 의해 개선되는 것을 특징으로 하는 광검출장치.
  22. 제21항에 의한 장치에 있어서, 상기 합금 요소로는 게르마늄과 실리콘이 이용되는 것을 특징으로 하는 광검출장치.
  23. 정전기적 상 발생장치에 있어서, 상기 장치는 서로 다른 비정질 합금 요소로 구성되는 다수의 비정질 반도체 합금층을 포함하는 비정질 반도체 합금 영역(112)에 의해 개선되는 것을 특징으로 하는 정전기적 상 발생장치.
  24. 제23항에 의한 장치에 있어서, 상기 합금요소로는 게르마늄과 실리콘이 이용되는 것을 특징으로 하는 정전지적 상 발생장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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