SU649454A1 - Способ переноса вещества путем химической газотранспортной реакции - Google Patents

Description

рывно. По предложенному способу перенос при помощи транспортирующего тела осуществл ют поочередно из нескольких источников , содержащих различные вещества.

Если механическое перемещение осуществл етс  периодически от источников разного состава, то возможен последовательный перенос на подложку вполне определенных порций вещества.

За счет непрерывного механического переноса возможно обеспечение непрерывного процесса кристаллизации эпитаксильпого сло .

На фиг. 1 дана схема предлагаемого способа (перенос вещества с источника на транспортирующее тело); фиг. 2 - механическое перемещение транспортирующего тела; фиг. 3 - перенос вещества с транспортирующего тела на подложку.

На фиг. 1 прин ты следующие обозначег ни : 1 - источник, 2 - подложка, 3 - транспортирующее тело (например, кварцева  пластина), 4 - осажденный на кварцевой пластине юлой транспортируемого вещества,, 5 - реактор.

Пример. Предлагаемый способ использован дл  химического переноса вещества из источника, состо щего из механической смеси порощков GaAs (ЭОлол ,%) и GaP (10 мол %), на подложку GaAs.

Перепое провод т при помощи химической транспортпой реакции с парами воды в атмосфере водорода. Термодинамическое направление процесса переноса в данной химической системе: из области более высоких температур - в область более низких температур. Предлагаемый способ позвол ет провести процесс в обратном температурном направлении, т. е. от более холодного источника к более гор чей подложке и при направлении газового потока в реакторе от подложки к источнику (фиг. 1).

Процесс провод т следующим образом: К источнику, нагретому до температуры 870° С, приближают в позицию близкого расположени  транспортирующее тело (кварцевую пластину) с температурой 750° С. Начинаетс  химический перенос вещества из источни|ка па поверхность транспортирующего тела. Через 30 мин, после переноса из источника достаточного количества вещества, образовавщего на поверхности транюпортирующего тела (ноликристаллический слой твердого раствора GaAso,9Po,i), транспортирующее тело при помощи штока перемещают в положение близкого расположени  относительно подложки , причем нагревают в процессе этого перемещени  до температуры 950° С (при помощи приспособлени , неуказанного на фиг. 1). Температура подложки 900° С, так

что перенос вещества происходит от транспортирующего тела на подложку из арсенида галли  (III) Б, где происходит эпитаксиальный рост твердого раствора GaAso,9Po,i. Металлографическое исследование поверхности эпитаксиального сло  и поперечного скола показывает полное отсутствие вросщих частиц второй фазы, как это обычно бывает при непосредственном переносе вещества из порошкообразного источника.

Таким образом, предлагаемый способ позвол ет не только осуществить перенос вещества при проведении химической транспортной реакции со скоростью и в направлении независимо от направлени  газового

потока и температурного перепада между источником и подложкой, но и обеспечить повыщение качества эпитаксиального сло  по сравнению с обычно достижимым при использовании тех же исходных веществ в источнике .

Claims (2)

1.Способ переноса вещества путем химической газотрапспортной реакции от источника на подложку в проточной системе, отличающийс  тем, что, с целью устранени  зависимости направлени  и скорости переноса от направлени  газового потока и от перепада температуры между источником и нодложкой, в качестве носител  вещества используют твердое тело.

2.Способ по п. 1, отличающийс  тем, что перенос при помощи транспортиру

ющего тела осуществл ют поочередно из нескольких источников, содержащих различные вещества..

Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе:.

1. Шефер Г. Химические газотранспортные реакции, М., «Мир, 1964, с. 14-15.

2. Шефер Г. Химические газотранспортные реакции, М., «Мир, 1964, с. 16.

LL

Потек газа.

flomoK газа

Раг.З