JP6455783B2 - 高周波電力システム及びこれを備えたプラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
前記負荷部、高周波電源及び整合器が、接地された電磁遮蔽部材により閉塞された一つの空間内に配設された高周波電力システムに係る。
処理室を有する処理チャンバと、前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理室内に配設され、処理対象の基板が載置される基台と、前記高周波電力システムとを備えたプラズマ処理装置であって、
前記負荷部は、前記処理室内に供給された処理ガスを、高周波電力によってプラズマ化するプラズマ生成部である態様を挙げることができる。
処理室を有する処理チャンバと、前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理室内に配設され、処理対象の基板が載置される基台と、前記高周波電力システムと、前記処理室内に供給された処理ガスを前記高周波電力システムとは別の供給源から供給される高周波電力によってプラズマ化するプラズマ生成部とを備えたプラズマ処理装置であって、
前記高周波電力システムは、前記基台を前記負荷部として備えるとともに、該基台に高周波電力を供給する高周波電源と、該高周波電源と前記基台との間に接続され、該高周波電源に対する負荷側のインピーダンスを、前記高周波電源のインピーダンスに整合させる整合器とを備えてなり、
前記基台へ高周波電力を供給する伝送線路、前記高周波電源及び前記整合器が、接地された電磁遮蔽部材により閉塞された一つの空間内に配設され態様を挙げることができる。
処理室を有する処理チャンバと、前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理室内に配設され、処理対象の基板が載置される基台と、前記高周波電力システムとを備えたプラズマ処理装置であって、
前記高周波電力システムは、前記処理室内に供給された処理ガスを高周波電力によってプラズマ化するプラズマ生成部を、前記負荷部として備えるとともに、該プラズマ生成部に高周波電力を供給する第1高周波電源と、該第1高周波電源と前記プラズマ生成部との間に接続され、該第1高周波電源に対する負荷側のインピーダンスを、前記第1高周波電源のインピーダンスに整合させる第1整合器とを備え、更に、前記基台を前記負荷部として備えるとともに、該基台に高周波電力を供給する第2高周波電源と、該第2高周波電源と前記基台との間に接続され、該第2高周波電源に対する負荷側のインピーダンスを、前記第2高周波電源のインピーダンスに整合させる第2整合器とを備えてなり、
前記プラズマ生成部、前記第1高周波電源及び前記第1整合器からなる群、並びに前記基台へ高周波電力を供給する伝送線路、前記第2高周波電源及び前記第2整合器からなる群が、それぞれ接地された電磁遮蔽部材により閉塞された別の一つの空間内に配設されるか、又は、前記2つの群が、接地された電磁遮蔽部材により閉塞された一つの空間内に共に配設された態様を挙げることができる。
まず、本発明の第1の実施形態に係るプラズマ処理装置について、図1に基づき説明する。図1は、本例のプラズマ処理装置の概略構成を示したブロック図である。同図1に示すように、本例のプラズマ処理装置1は、処理チャンバ2、コイル5、ガス供給部7、第1高周波供給部10及び第2高周波供給部20と、電磁遮蔽部材から構成された一つの空間を有するシールドボックス18,28を備える。尚、シールドボックス18,28を構成する電磁遮蔽部材は、特に限定されるものではなく、板金など、従来公知の全ての電磁遮蔽部材が含まれる。また、本例では、コイル5、後述の基台6、第1高周波供給部10、第2高周波供給部20、及びシールドボックス18,28が高周波電力システムを構成する。
次に、本発明の第2の実施形態に係るプラズマ処理装置について、図2及び図3に基づき説明する。尚、本例のプラズマ処理装置1’において、上述した第1の実施形態に係るプラズマ処理装置1と同じ構成要素については、同じ符号を付して、その詳しい説明を省略する。
2 処理チャンバ
3 上部チャンバ
3a プラズマ生成空間
4 下部チャンバ
4a 処理空間
5 コイル
6 基台
7 ガス供給部
10 第1高周波供給部
11 スイッチング電源
12 発振・増幅器
13 RFセンサ
14 整合回路
15 RFセンサ
16 制御回路
18 シールドボックス
20 第2高周波供給部
21 スイッチング電源
22 発振・増幅器
23 RFセンサ
24 整合回路
25 RFセンサ
26 制御回路
28 シールドボックス
Claims (6)
- 高周波電力を消費する負荷部と、前記負荷部に高周波電力を供給する高周波電源と、前記負荷部と高周波電源との間に接続され、前記高周波電源に対する負荷側のインピーダンスを、前記高周波電源のインピーダンスに整合させる整合器とを備えた高周波電力システムであって、
前記負荷部、高周波電源及び整合器が、電磁遮蔽部材により閉塞された一つの空間内に配設され、
前記高周波電源は、前記負荷部に周波数が27.12MHz以上100MHz以下の電力を供給するように構成され、
前記負荷部は、前記高周波電力によって処理ガスをプラズマ化するプラズマ生成部であり、前記プラズマ生成部のプラズマ生成空間を形成するチャンバの内径は60mm以下であることを特徴とする高周波電力システム。 - 前記高周波電源は、前記負荷部に2W以上50W以下の電力を供給するように構成されていることを特徴とする請求項1記載の高周波電力システム。
- 前記負荷部としてのプラズマ生成部を一つのみ備えていることを特徴とする請求項1または2記載の高周波電力システム。
- 処理室を有する処理チャンバと、前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理室内に配設され、処理対象の基板が載置される基台と、前記請求項1〜3のうちのいずれか1つに記載した高周波電力システムとを備えたプラズマ処理装置であって、
前記高周波電力システムは、前記処理室内に供給された処理ガスを用いて、前記処理対象の基板を処理し、
更に前記高周波電源は、前記負荷部に周波数が40.68MHz以上100MHz以下の電力を供給するように構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項4記載のプラズマ処理装置において、
前記高周波電力システムは更に、前記処理対象の基板が載置される基台に高周波電力を供給する他の伝送線路、他の高周波電源及び他の整合器を備え、該他の伝送線路、他の高周波電源及び他の整合器は、接地された前記電磁遮蔽部材、又は前記電磁遮蔽部材とは別の電磁遮蔽部材により閉塞された一つのシールド空間内に配設され、
前記処理対象の基板が載置される基台が他の負荷部として更に備えられていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記プラズマ生成部は、前記基台より上方に配設されるとともに、前記処理チャンバの外方に配設された環状のコイルからなることを特徴とする請求項4又は5記載のプラズマ処理装置。
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