JP5231068B2 - 高周波電源装置 - Google Patents

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Description

本発明は、例えばプラズマエッチング、プラズマCVDを行うプラズマ処理装置等の負荷に電力を供給する高周波電源装置に関するものである。
従来の高周波電源装置としては、例えば特許文献1に記載のものが提案されている。
図6は、特許文献1に記載された従来技術の高周波電源装置6の構成図である。この高周波電源装置6は、直流電力出力部50および高周波電力出力部20によって構成されている。
まず、高周波電力出力部20について説明する。
高周波電力出力部20は、出力電力設定部21、高周波出力制御部22、高周波増幅部23、ローパスフィルタ24、方向性結合器25、進行波変換部26および反射波変換部27によって構成されている。
高周波増幅部23は、図示しない発振器、増幅素子等を有し、直流電力出力部50から出力される直流電力Pdcを用いて発振器から出力される高周波信号を増幅し、無線周波数帯域の出力周波数を有する高周波電力(進行波電力)を出力するものである。なお、一般にこの種の高周波電源装置では、数百kHz以上の周波数(例えば、13MHz,40MHz等の周波数)を有する高周波電力を出力している。
また、高周波増幅部23は、後述する高周波出力制御部22によって出力が制御される。高周波増幅部23において増幅された高周波電力は、主に高調波を除去するためのローパスフィルタ24、方向性結合器25を介して図略の負荷5に供給される。なお、高周波増幅部23の増幅素子としては、例えば、FETやトランジスタ等が用いられる。
また、ローパスフィルタ24の代わりにバンドパスフィルタを用いることがある。また、ローパスフィルタ24を省略することが可能な場合もある。したがって、ローパスフィルタ24は、必須の構成要件ではない。
ここで、高周波増幅部23の回路構成を説明する。
図7は、高周波増幅部23の一例であるFETを用いたプッシュプル方式の増幅回路構成及び高周波増幅部23とローパスフィルタ24、方向性結合器25等との接続関係を示す図である。なお、出力電力設定部21、高周波出力制御部22等は、ここでは省略している。
図7に示した高周波増幅部23は、いわゆるプッシュプル回路として構成され、2次巻線側が一方巻線T12a及び他方巻線T12bで分巻された第1トランスT1と、例えばFET(電界効果トランジスタ)からなる第1増幅素子Q1及び第2増幅素子Q2と、1次巻線側が一方巻線T21a及び他方巻線T22bで分巻された第2トランスT2と、抵抗R1〜R4、コンデンサC1,C2、及び直流電圧源Vbからなる駆動電圧供給回路とを有している。なお、第1増幅素子Q1及び第2増幅素子Q2は、FETに代えてバイポーラトランジスタ等によって構成されていてもよい。
プッシュプル回路については公知であるため、その動作を簡単に説明する。
第1トランスT1の1次巻線T11側に発振器から出力される発振信号Vin(交流電圧)が入力されると、第1トランスT1の2次巻線側では、一方巻線T12a及び他方巻線T12bにおいて互いに逆相の電圧が生じる。これらの電圧により、第1増幅素子Q1及び第2増幅素子Q2は、半周期ごとに交互にオン、オフし、これらオン、オフ動作が繰り返される。
第2トランスT2の1次巻線側の一方巻線T21aと他方巻線T21bとの間には、後述する直流電源部53で生成される直流電源電圧Vdcが供給されるため、第1増幅素子Q1及び第2増幅素子Q2の出力電圧Vds1(ドレイン、ソース間電圧)は、この直流電源電圧Vdcをその振幅波形の中心とした電圧として第2トランスT2の1次巻線側に誘起する。
第2トランスT2の2次巻線側には、高周波電力に相当する交流電力が誘起する。この高周波電力は、ローパスフィルタ24、方向性結合器25を介して負荷5に供給される。この際、ローパスフィルタ24によって、高調波が除去されて、波形歪が改善される。
図8は、複数の増幅回路を用いて高周波増幅部23を構成する一例である。
図7では、一組の増幅回路により高周波増幅部23を構成するとしたが、図8に示すように、高周波増幅部23を複数の増幅回路により構成する場合もある。
この例では、図示しない直流電源部53の直流電源電圧Vdcを電源電圧として動作する複数の増幅回路23a1〜23a4と、図示しない発振器から与えられる高周波信号Vinを増幅回路23a1〜23a4に分配して入力するパワー分配器23bと、高周波増幅部23a1〜23a4の出力を合成して負荷5に与えるパワー合成器23cとにより高周波増幅部23が構成されている。
なお、この図8では、ローパスフィルタ24および方向性結合器25の図示を省略している。また、パワー合成器23cにインダクタやコンデンサを用いる回路の場合は、パワー合成器23cに高調波を減衰する機能を持たせることが可能であるので、高周波増幅部23の中にフィルタ部の機能を持たすことができる。
図6に戻り説明を続ける。
方向性結合器25は、高周波増幅部23と負荷との間に挿入されて、高周波増幅部23から出力される進行波電力の情報を含む進行波側信号及び負荷で反射された反射波電力の情報を含む反射波側信号を出力するものである。
進行波変換部26は、進行波側信号を進行波電力の電力値を示す進行波電力信号Pfに変換して出力する。すなわち、方向性結合器25によって検出した進行波を、進行波電力に対応する進行波電力信号Pfに変換して出力するものである。
反射波変換部27は、反射波側信号を反射波電力の電力値を示す反射波電力信号Prに変換して出力する。すなわち、方向性結合器25によって検出した反射波を、反射波電力に対応する反射波電力信号Prに変換して出力するものである。
高周波出力制御部22は、進行波電力信号Pfが示す電力値が、出力電力設定部21によって予め設定された出力電力設定値Psetと等しくなるように、高周波増幅部の出力を制御する。これにより、高周波増幅部から出力される進行波電力が一定になるように制御される。なお、出力電力設定値Psetは、外部の装置から入力してもよいし、変更も可能である。
また、高周波出力制御部22は、検出した反射波のレベルに応じて高周波増幅部23の出力電力を抑制する制御(反射保護制御)を行う。
次に、直流電力出力部50について説明する。
直流電力出力部50は、直流電圧演算部51、直流電源制御部52、直流電源部53および直流検出部54によって構成されている。
直流電源部53は、出力電圧値が可変可能であり、その出力電圧値を可変することによって出力する直流電力を調整できるものである。直流電源部53から出力された直流電力Pdcは、直流検出部54を介して高周波増幅部23に供給される。
直流検出部54は、直流電源部53の出力電圧(以下、直流電源電圧Vdcという)の電圧値(出力電圧値)を検出し、検出した出力電圧値に対応する直流電圧検出信号Vdc(便宜上、直流電源電圧Vdcと同一符号を用いる)を出力する。
直流電圧演算部51は、高周波増幅部23の一部を構成する増幅素子の出力電圧Vds1の波形を歪ませることなく、且つ出力電圧波形の振幅が最大となるように、予め定められた特性グラフ又は特性関数等に基づいて、出力電力設定部21において設定された出力電力設定値Psetに対応する直流電源電圧Vdcの設定値Vset(以下、直流電圧設定値Vsetという)を演算する。すなわち、出力電力設定値Psetによって直流電源電圧Vdcの設定値Vsetが定まる。
直流電源制御部52は、直流電圧検出信号Vdcに対応する電圧値が直流電圧演算部51から出力される直流電圧設定値Vsetに等しくなるように直流電源部53を制御する。
上記構成によれば、負荷に供給する進行波電力が出力電力設定値Psetと等しくなるように制御されつつ、高周波増幅部23から出力される高周波電力の電圧成分の波形に波形歪が生じない範囲で、高周波増幅部23における損失を低減させて直流電力から高周波電力への変換効率を高めることができる。
なお、損失Plossは式(1)または式(2)のようにして求めることができる(通常は、式(1)を使用することが多い)。なお、式(1)または式(2)において、「Pdc」は直流電源部53から出力された直流電力値、「Pf」は進行波電力の電力値、「Pr」は反射波電力の電力値を示す。これらは、便宜上、上述した信号名等と同一符号を用いている。
Ploss=Pdc−(Pf−Pr) ・・・・・(1)
Ploss=Pdc−Pf ・・・・・(2)
上記技術内容を図9を参照して説明する。
図9は、従来技術の高周波電源装置6を使用したときの直流電源電圧Vdcおよび増幅部の一部を構成する増幅素子の出力電圧Vds1を示す図であって、同図(a)は、高周波増幅部23から出力される高周波電力値が小レベルの場合、同図(b)は、高周波増幅部23から出力される高周波電力値が中レベルの場合、同図(c)は、高周波増幅部23から出力される高周波電力値が大レベルの場合の一例を示したものである。なお、図9では増幅素子の出力電圧Vds1の正の半波波形を直流電源電圧Vdcのラインから負側に折り返し、その折り返し波形が破線で示されている。
この図9に示すように、従来技術では、高周波増幅部23から出力される高周波電力値の大きさに合わせて、増幅素子の出力電圧Vds1の振幅を変化させるとともに、直流電源電圧Vdcの大きさを増幅素子の出力電圧Vds1の振幅の略0.5倍とすることで、増幅素子の出力電圧Vds1の最小値が略0Vになるようにしている。そのために、Vds1に波形歪を生じさせることなく、且つ増幅素子の出力電圧Vds1の振幅を最大にすることができる。
また、高周波増幅部23の一部を構成する増幅素子の出力は、通常、増幅素子の後段にあるトランスを介して出力されるため、高周波増幅部23の出力電圧としては、直流電源電圧Vdcの成分がなくなって、0Vを中心とした波形歪のない交流波形となる。
なお、図中のハッチング部分は損失の度合いを示しており、この部分が小さい程、増幅部での損失電力が少なく変換効率が高いことを示す。図9は、直流電源電圧Vdcの波形図であるために、図中のハッチング部分が損失電力を直接示すものではないが、ハッチング部分が多いほど、損失電力が多いことを示す。すなわち、高周波増幅部23の一部を構成する増幅素子の出力電圧Vds1の波形に波形歪が生じない範囲では、直流電源電圧Vdcの大きさを増幅素子の出力電圧Vds1の振幅の略0.5倍とした場合に、変換効率が最も高くなる。
特開2001−197749号公報
図10は、直流電圧設定値Vsetが一定の場合における、反射係数と損失との関係の一例を示す図である。図11は、直流電圧設定値Vsetが一定の場合における、反射係数と出力できる進行波電力の最大値との関係の一例を示す図である。なお、図10、図11とも、定格の最大値が3000Wの高周波電源装置を用い、進行波電力の出力電力設定値Psetを3000Wにした場合のものである。
また、図10、図11とも、円の中心点が、反射係数の絶対値|Γ|=「0」であり、円の外周部分が、反射係数の絶対値|Γ|=「1」となっている。そして、円の中心点から0.1間隔で円状に補助線が描かれている。また、反射係数の位相は、円の中心点から右方向に伸びる線上を0度として、図示するように、0〜180度、0〜−180度で表される。そして、30度間隔で補助線が描かれている。
また、図10に示す等高線は、損失の大きさを示すものであり、等高線上の数値は、電力値(単位:W)である。図11に示す等高線は、出力できる進行波電力の最大値を示すものであり、等高線上の数値は、電力値(単位:W)である。すなわち、図10、図11は、負荷インピーダンスを反射係数の絶対値と位相とで表した図に、損失及び進行波電力の最大値の関係を図示したものである。
この図10、図11から分かるように、従来技術の高周波電源装置6では、直流電圧設定値Vsetが一定の場合、反射係数によって損失が異なる。そのため、反射係数によって出力できる最大電力が異なる。
この理由を説明する。
反射波が発生すると、伝送線路上で進行波と反射波が合成されて定在波が発生する。このとき、反射波が大きく、定在波のレベルの高い状態で高周波増幅部23に印加されると、高周波増幅部23内の増幅素子(例えば、FET、トランジスタ)の最大定格(電力、電圧、電流のいずれか)を超えて、増幅素子が破損する恐れがある。
そのため、高周波増幅部23内の増幅素子を保護するために、反射波が発生した場合には、高周波出力制御部22において、反射波のレベルに応じた出力制御を高速で行い、進行波と反射波との合成値を低減させて、結果的に、増幅素子の最大定格を超えないように制御している。すなわち、反射波のレベルに応じて、高周波増幅部23の出力電力を抑制する「反射保護制御」を行っている。
そのために、出力電力(進行波電力)が大きくなるに従い、また、反射波が大きくなるに従い進行波と反射波との合成値が大きくなるが、仮に同じ出力電力(進行波電力)であれば、反射係数の絶対値が大きくなるほど、反射保護制御によって進行波電力を抑制する度合いが強くなる。
また、図10に示すように、反射係数の絶対値が同じであっても、位相によって損失が異なるということは、たとえ反射係数の絶対値が同じであっても、位相によって反射波電力が異なるということである。すなわち、反射保護制御の関係上、反射係数によって出力できる進行波電力の最大値が異なることになる。
さて、近年ではより広い領域において、所望の進行波電力を出力できる能力が要望されている。例えば、これまでは、反射係数の絶対値が0.3以下の領域で所望の進行波電力を出力できればよいとされていたが、近年では、反射係数の絶対値が0.4以下の領域で所望の進行波電力を出力できる能力が要望されている。
ところが、従来技術の高周波電源装置6では、上述したように、予め定められた特性グラフ又は特性関数等に基づいて、出力電力設定部21において設定された出力電力設定値Psetに対する直流電圧設定値Vsetを演算している。そのため、たとえ反射係数が異なっても、出力電力設定値Psetが同じであれば、直流電圧設定値Vsetは同じである。すなわち、図10、図11に示した関係になり、反射係数によって出力できる進行波電力の最大値が異なってしまう。このような状態において、所望の進行波電力を出力しようとした場合、定格よりも小さい出力であれば、当然ながら、広い領域(例えば、反射係数の絶対値が0.4以下)においても、所望の進行波電力を出力できる。
しかしながら、高周波電源装置6の定格の最大値、または定格の最大値付近の進行波電力を出力しようとすると、図11のようになり、同じ反射係数の絶対値であっても、所望の進行波電力が出力できる領域と、所望の進行波電力が出力できず、電力が不足している領域が生じる。電力が不足している領域は、例えば、図11の「A」部分である。
この「A」部分は、図10を参照すると、損失が多い(損失が大きい)領域である。そのため、「A」部分において電力が不足する原因は、高周波電源装置6の特性上やむを得ないという面もあるが、直流電圧設定値Vsetが適切でないからと考えられる。この場合、図9の関係を用いて説明すると、図10、図11の測定データを得たときの直流電圧設定値Vsetは、「A」部分では大きすぎるということになる。
換言すれば、直流電圧設定値Vsetが一定であるので、「A」部分では、高周波増幅部23の一部を構成する増幅素子の出力電圧Vds1の振幅が、損失の少ない領域よりも小さいことが考えられる。その結果、損失が大きくなり、ひいては、電力が不足することになると考えられる。そのため、このような領域では、直流電圧設定値Vsetを小さくして、損失を低減させる必要がある。
また、損失が少ない(損失が小さい)にも関わらず、所望の進行波電力が出力できず、電力が不足している領域がある。電力が不足している領域は、例えば、図11の「B」部分である。
この「B」部分は、図10を参照すると、損失が少ない領域である。そのため、「B」部分において電力が不足する原因は、高周波電源装置6の特性上やむを得ないという面もあるが、直流電圧設定値Vsetが適切でないからと考えられる。
この場合、図9の関係を用いて説明すると、図10、図11の測定データを得たときの直流電圧設定値Vsetは、「B」部分では小さするということになる。
換言すれば、直流電圧設定値Vsetが一定であるので、「B」部分では、高周波増幅部23の一部を構成する増幅素子の出力電圧Vds1の(本来の)振幅が、損失の多い領域よりも大きいことになる。その結果、損失が少なくなっていると考えられる。
さらに詳述すると、直流電圧設定値Vsetを小さくしていくと、損失は小さくなっていく。ところが、増幅素子の出力電圧Vds1の振幅の略0.5倍よりも直流電圧設定値Vsetが小さくなると、増幅素子の出力電圧Vds1の波形が歪んでくる。そうなると、増幅素子の出力電圧Vds1の振幅が、本来の振幅よりも小さくなるので、所望の進行波電力が出力できない状態になってしまう。「B」部分では、このような状態になっていると考えられる。
したがって、直流電圧設定値Vsetは、出力電力設定値Psetによって一律に決めればよいというものではなく、反射係数によって適正値が異なる。その結果、従来の高周波電源装置6では、所望の進行波電力を出力できる領域を広げることができない。
上述したように、従来の高周波電源装置6では、直流電圧設定値Vsetが適正でないために、所望の進行波電力を出力できる領域を広げることができない。
従来の高周波電源装置でも、定格の大きな高周波電源装置を用いれば、当然ながら、より広い領域(例えば、反射係数の絶対値が0.4以内)において、所望の進行波電力を出力できるが、大型化およびコストの増大を招く。これらの問題は、非常に重要であるため、実質上、単に定格の大きな高周波電源装置にするということはできない。
本発明は、上記事情のもとで考え出されたものであって、大型化およびコストの増大を招くことなく、従来よりも広い領域において所望の進行波電力を出力できる高周波電源装置を提供することを目的としている。
第1の発明によって提供される高周波電源装置は、
直流電力を出力する直流電力出力部と、
前記直流電力出力部から出力される直流電力を用いて高周波信号を増幅し、進行波電力として出力する高周波増幅部と、
前記高周波増幅部と負荷との間に挿入されて、前記高周波増幅部から出力される進行波電力の情報を含む進行波側信号及び前記負荷で反射された反射波電力の情報を含む反射波側信号を出力する方向性結合器と、
前記進行波側信号を前記進行波電力の電力値を示す進行波電力信号に変換して出力する進行波変換部と、
前記進行波電力信号が示す電力値が、予め設定された出力電力設定値と等しくなるように、前記高周波増幅部の出力を制御する高周波出力制御部と、
を備え、
前記直流電力出力部が、
出力電圧値が可変可能であり、その出力電圧値を可変することによって出力する直流電力を調整できる直流電源部と、
前記直流電源部の出力電圧値を検出し、検出した出力電圧値に対応する直流電圧検出信号を出力する直流検出部と、
前記進行波側信号および前記反射波側信号に基づいて、反射係数の絶対値及び位相のうち、少なくとも位相を演算する反射係数演算部と、
反射係数を位相で分割した複数の分割領域において、所望の反射係数の絶対値内で、前記高周波増幅部から出力される進行波電力を所望の電力値まで出力できるように設定された前記直流電源部の目標電圧値が前記分割領域毎に記憶されており、前記反射係数演算部によって演算された反射係数に対応する前記分割領域に記憶されている目標電圧値に対応する目標電圧信号を出力する目標電圧設定部と、
前記直流電圧検出信号に対応する電圧値が、前記目標電圧信号に対応する目標電圧値に等しくなるように、前記直流電源部の出力電圧値を制御する直流電源制御部と、
によって構成されていることを特徴としている。
第2の発明によって提供される高周波電源装置は、
直流電力を出力する直流電力出力部と、
前記直流電力出力部から出力される直流電力を用いて高周波信号を増幅し、進行波電力として出力する高周波増幅部と、
前記高周波増幅部と負荷との間に挿入されて、前記高周波増幅部から出力される進行波電力の情報を含む進行波側信号及び前記負荷で反射された反射波電力の情報を含む反射波側信号を出力する方向性結合器と、
前記進行波側信号を前記進行波電力の電力値を示す進行波電力信号に変換して出力する進行波変換部と、
前記進行波電力信号が示す電力値が、予め設定された出力電力設定値と等しくなるように、前記高周波増幅部の出力を制御する高周波出力制御部と、
を備え、
前記直流電力出力部が、
出力電圧値が可変可能であり、その出力電圧値を可変することによって出力する直流電力を調整できる直流電源部と、
前記直流電源部の出力電圧値を検出し、検出した出力電圧値に対応する直流電圧検出信号を出力する直流検出部と、
前記進行波側信号および前記反射波側信号に基づいて、反射係数の絶対値及び位相のうち、少なくとも位相を演算する反射係数演算部と、
反射係数を絶対値及び位相で分割した複数の分割領域において、所望の反射係数の絶対値内で、前記高周波増幅部から出力される進行波電力を所望の電力値まで出力できるように設定された前記直流電源部の目標電圧値が前記分割領域毎に記憶されており、前記反射係数演算部によって演算された反射係数に対応する前記分割領域に記憶されている目標電圧値に対応する目標電圧信号を出力する目標電圧設定部と、
前記直流電圧検出信号に対応する電圧値が、前記目標電圧信号に対応する目標電圧値に等しくなるように、前記直流電源部の出力電圧値を制御する直流電源制御部と、
によって構成されていることを特徴としている。

本発明によれば、反射係数の相違を考慮し、反射係数に適した目標電圧値を設定することが可能となる。そのため、大型化およびコストの増大を招くことなく、従来技術よりも広い領域において所望の進行波電力を出力できるようになる。

以下、本発明の詳細を図面を参照して説明する。
図1は、本発明に係る高周波電源装置が適用される高周波電力供給システムの一例を示す図である。この高周波電力供給システムは、半導体ウエハや液晶基板等の被加工物に対して高周波電力を供給して、例えばプラズマエッチングといった加工処理を行うものである。この高周波電力供給システムは、高周波電源装置1、伝送線路2、インピーダンス整合器3、負荷接続部4及び負荷5で構成されている。なお、インピーダンス整合器3を用いない構成にしてもよい。
高周波電源装置1は、発振器から出力される高周波信号を増幅し、無線周波数帯域の出力周波数を有する高周波電力(進行波電力)を出力して負荷5に供給するための装置である。なお、高周波電源装置1から出力された高周波電力は、同軸ケーブルからなる伝送線路2及びインピーダンス整合器3及び遮蔽された銅板からなる負荷接続部4を介して負荷5に供給される。なお、一般にこの種の高周波電源装置では、数百kHz以上の周波数(例えば、13MHz,40MHz等の周波数)を有する高周波電力を出力している。
インピーダンス整合器3は、高周波電源装置1と負荷5とのインピーダンスを整合させるものである。より具体的には、例えば高周波電源装置1の出力端から高周波電源装置1側を見たインピーダンス(出力インピーダンス)が例えば50Ωに設計され、高周波電源装置1が、特性インピーダンス50Ωの伝送線路2でインピーダンス整合器3の入力端に接続されているとすると、インピーダンス整合器3は、当該インピーダンス整合器3の入力端から負荷5側を見たインピーダンスを50Ωに変換させるものである。
負荷5は、加工部を備え、その加工部の内部に搬入したウエハ、液晶基板等の被加工物を加工(エッチング、CVD等)するための装置である。この負荷5は、被加工物を加工するために、加工部にプラズマ放電用ガスを導入し、そのプラズマ放電用ガスに高周波電源装置6から供給された高周波電力(電圧)を印加することによって、上記のプラズマ放電用ガスを放電させて非プラズマ状態からプラズマ状態にしている。そして、プラズマを利用して被加工物を加工している。
図2は、本発明の高周波電源装置1の構成を示す図である。高周波電源装置1は、図2に示すように、直流電力出力部10および高周波電力出力部20によって構成されている。なお、この図2において、図6と同様のものには同符号を付している。
まず、高周波電力出力部20について説明する。
高周波電力出力部20は、出力電力設定部21、高周波出力制御部22、高周波増幅部23、ローパスフィルタ24、方向性結合器25、進行波変換部26および反射波変換部27によって構成されている。この高周波電力出力部20は、図6に示した構成と同様であるので、説明を省略する。
次に、直流電力出力部10について説明する。
直流電力出力部10は、目標電圧設定部11、直流電源制御部12、直流電源部13、直流検出部14および反射係数演算部15によって構成されている。
直流電源部13は、出力電圧値が可変可能であり、その出力電圧値を可変することによって出力する直流電力を調整できるものである。直流電源部13から出力された直流電力Pdcは、直流検出部14を介して高周波増幅部23に供給される。
直流検出部14は、直流電源部13の出力電圧(以下、直流電源電圧Vdcという)の電圧値(出力電圧値)を検出し、検出した出力電圧値に対応する直流電圧検出信号Vdc(便宜上、直流電源電圧Vdcと同一符号を用いる)を出力する。
反射係数演算部15は、方向性結合器25から出力される進行波側信号および反射波側信号に基づいて、反射係数の絶対値及び位相のうち、少なくとも位相を演算する。
目標電圧設定部11は、反射係数と電圧値との対応関係が記憶されているとともに、反射係数演算部によって演算された反射係数に対応する電圧値を目標電圧値として設定し、この目標電圧値Tdcに対応する目標電圧信号Tdc(便宜上、目標電圧値Tdcと同一符号を用いる)を出力する。この目標電圧設定部11については、後述する。
直流電源制御部12は、直流電圧検出信号Vdcに対応する電圧値が、目標電圧信号Tdcに対応する電圧値に等しくなるように、直流電源部13の出力電圧値を制御する。
上記構成によれば、負荷に供給する進行波電力が出力電力設定値Psetと等しくなるように制御されつつ、直流電源部13の出力電圧(直流電源電圧Vdc)を、反射係数に適した目標電圧値Tdcになるように制御することが可能となる。そのため、大型化およびコストの増大を招くことなく、従来技術よりも広い領域において所望の進行波電力を出力できるようになる。
次に、上述した目標電圧設定部11について詳述する。
図3は、目標電圧設定部11に記憶されている反射係数と電圧値との対応関係の一例を示す図である。この図3において、同図(a)は、反射係数の領域を、反射係数の位相で表した図であり、同図(b)は、同図(a)に示された領域に対応した電圧値を記憶したテーブルを示す。
また、図3(a)は、円の中心点が、反射係数の絶対値|Γ|=「0」であり、円の外周部分が、反射係数の絶対値|Γ|=「1」となっている。そして、円の中心点から右方向に伸びる線上を0度として、図示するように、反射係数の位相が、0〜180度、0〜−180度で表される。そして、30度間隔で領域を定める補助線が描かれている
そして、それぞれの領域に対して適した目標電圧値を設定することで、従来技術よりも広い領域において所望の進行波電力を出力できるようにしている。
なお、この図3では、反射係数の位相のみによって領域を設定している。これは、図10、図11から分かるように、概略的には、位相の違いによって特性が異なることを利用しようとしているからである。すなわち、所望の反射係数の絶対値内(例えば、反射係数の絶対値が0.4以下)において、所望の高周波電力(進行波電力)を出力させることを目的としているので、目標電圧値Tdcを適切に設定する必要性が高い領域は、所望の進行波電力を出力させたい領域の外側付近(反射係数の絶対値の大きい側。例えば、反射係数の絶対値が0.4の付近)となり、その付近に照準を合わせて、目標電圧値Tdcを設定すればよい。そのため、位相によって領域を設定するだけでも十分効果があるからである。また、反射係数の位相のみによって領域を設定しているので、目標電圧値Tdcを設定する作業工数が少なくて済む。
図4は、目標電圧設定部11に記憶されている反射係数と電圧値との対応関係の他の一例を示す図である。この図4において、同図(a)は、反射係数の領域を、反射係数の絶対値と位相とで表した図であり、同図(b)は、同図(a)に示された領域に対応した電圧値を記憶したテーブルを示す。
また、図4(a)は、円の中心点が、反射係数の絶対値|Γ|=「0」であり、円の外周部分が、反射係数の絶対値|Γ|=「1」となっている。そして、円の中心点から0.4までの領域において0.2間隔で円状に領域を定める補助線が描かれている。また、反射係数の位相は、円の中心点から右方向に伸びる線上を0度として、図示するように、0〜180度、0〜−180度で表される。そして、30度間隔で領域を定める補助線が描かれている。
そして、それぞれの領域に対して適した目標電圧値Tdcを設定することで、従来技術よりも広い領域において所望の進行波電力を出力できるようにしている。
なお、図4(b)に示した領域以外、すなわち、所望の進行波電力を出力させたい領域でない領域(例えば、反射係数の絶対値が0.4超)の目標電圧値Tdcは、例えば、従来技術と同様の方法によって定めればよい。または、同じ位相で、所望の進行波電力を出力させたい領域の外側付近と同じ目標電圧値Tdcを採用すればよい。例えば、反射係数の絶対値が0.6で、位相が40度の場合は、反射係数の絶対値が0.4で、位相が40度の場合と同じ目標電圧値Tdcを採用すればよい。この理由は、上述した図3で説明したように、目標電圧値Tdcを適切に設定する必要性が高い領域は、所望の進行波電力を出力させたい領域の外側付近だからである。
なお、図3、図4に示した反射係数と電圧値との対応関係に限定されるものではなく、他の反射係数と電圧値との対応関係を設定することも可能である。例えば、図3、図4では、位相を30度間隔にして領域を設定する例を示したが、10度間隔にしてもよい。このように、領域を細分化させることによって、制御の精度は向上するが、その分、目標電圧値Tdcを設定する作業工数が増加するので、実情に合わせて領域を設定すればよい。
次に、反射係数と電圧値との対応関係を定める方法について説明する。
図5は、反射係数と電圧値との対応関係を定める場合の高周波電源装置1aの構成を示す図である。まず、この図5に示す高周波電源装置1aと図2に示した高周波電源装置1との違いを説明する。
(1)高周波電源装置1aは、実際の負荷ではなく、任意のインピーダンスに設定できるダミーロード7に接続させている。
(2)直流検出部14が、直流電源部13の出力電圧(直流電源電圧Vdc)を検出するだけでなく、直流電源部13から出力される直流電力Pdcを検出し、検出した直流電力に対応する直流電力信号Pdc(便宜上、直流電力Pdcと同一符号を用いる)を出力する機能が追加されている。
更に説明すると、この直流検出部14は、直流電源部13の出力電圧(直流電源電圧Vdc)を検出する電圧検出部14aと、直流電源部13の出力電流Idcを検出する電流検出部14bとを備え、両者の出力に基づいて直流電力Pdcを演算(Pdc=Vdc×Idc)できるようになっている。
(3)損失演算部16が追加されている。
損失演算部16は、直流電力信号Pdc、進行波電力信号Pfおよび反射波電力信号Prを用いて高周波増幅部23における損失Plossを演算し、演算した損失Plossに対応する損失演算信号Ploss(便宜上、損失Plossと同一符号を用いる)を出力する。なお、損失Plossは、上述した式(1)または式(2)のようにして求めることができる(通常は、式(1)を使用することが多い)。
(4)目標電圧設定部11の代わりに、任意の電圧値を直流電源制御部12に入力できるようになっている。また、直流電源制御部12は、直流電圧検出信号Vdcに対応する電圧値が、入力された電圧値に等しくなるように、直流電源部13の出力電圧値を制御するように機能する。
(5)反射係数演算部15の出力をモニタ31で表示でき、損失演算部16の出力をモニタ32で表示でき、進行波変換部26の出力Pfをモニタ33で表示できるようになっている。
上記のように構成した上で、以下のような手順で反射係数と電圧値との対応関係を定める。
ステップ1:図3、図4に示したような複数に分割された領域のうちの1つが示す反射係数になるように、ダミーロード7のインピーダンスを調整する。ただし、所望の反射係数の領域内(例えば、反射係数の絶対値が0.4以下)において、所望の高周波電力(進行波電力)を出力することを目的としているので、ここでは、所望の反射係数の絶対値内にする必要がある。
ステップ2:高周波増幅部から所望の進行波電力を出力させる。なお、このステップは、上記ステップ1で行なってもよい。また、直流電源制御部12に入力する目標電圧値の初期値は、予め定めておく。
ステップ3:反射係数演算部15の出力をモニタ31で確認し、反射係数演算部15で演算された反射係数が、設定しようとする反射係数の領域内に入っていない場合は、ステップ1に戻り、ダミーロード7のインピーダンスを調整し直す。そして、設定しようとする反射係数になれば、ステップ4に進む。
ステップ4:損失演算部16の出力をモニタ32で確認するとともに、進行波変換部26の出力Pfをモニタ33で確認する。
このとき、損失が多く、且つ所望の進行波電力が出力されていない場合は、所望の進行波電力が出力されるまで、直流電源制御部12に入力する電圧値を下げる。そして、所望の進行波電力が出力されたときの電圧値を、その領域での目標電圧値とする。
また、損失が少ないにも関わらず、且つ所望の進行波電力が出力されていない場合は、所望の進行波電力が出力されるまで、直流電源制御部12に入力する電圧値を上げる。そして、所望の進行波電力が出力されたときの電圧値を、その領域での目標電圧値とする。
ステップ5:ステップ1〜ステップ4を繰り返して、複数に分割された領域の全てについて、目標電圧値Tdcを求める。これにより、図3、図4に示したような反射係数と電圧値との対応関係を定めることができる。
なお、上記ステップ3において、ダミーロード7のインピーダンスを調整することにより設定する反射係数は、複数に分割されたそれぞれの領域で、反射係数の絶対値の大きい側の境界付近に合わせるのが好ましい。この理由は、上述したように、目標電圧値Tdcを適切に設定する必要性が高い領域が、所望の進行波電力を出力させたい領域の外側付近(反射係数の絶対値の大きい側)であるからである。
また、図5に示す高周波電源装置1aの構成は一例であり、他の構成で反射係数と電圧値との対応関係を定めてもよい。例えば、直流電力出力部10の代わりに、直流電力を出力できる装置(例えば、DC−DCコンバータ)を用いればよい。
もちろん、この発明の範囲は上述した実施の形態に限定されるものではない。例えば、高周波増幅部23を構成する回路としてプッシュプル回路を用いたが、フルブリッジ方式の増幅回路やハーフブリッジ方式の増幅回路にも適用できる。
図1は、本発明に係る高周波電源装置が適用される高周波電力供給システムの一例を示す図である。 図2は、本発明の高周波電源装置1の構成を示す図である。 図3は、目標電圧設定部11に記憶されている反射係数と電圧値との対応関係の一例を示す図である。 図4は、目標電圧設定部11に記憶されている反射係数と電圧値との対応関係の他の一例を示す図である。 図5は、反射係数と電圧値との対応関係を定める場合の高周波電源装置1aの構成を示す図である。 図6は、特許文献1に記載された従来技術の高周波電源装置6の構成図である。 図7は、高周波増幅部23の一例であるFETを用いたプッシュプル方式の増幅回路構成及び高周波増幅部23とローパスフィルタ24、方向性結合器25等との接続関係を示す図である。 図8は、複数の増幅回路を用いて高周波増幅部23を構成する一例である。 図9は、従来技術の高周波電源装置6を使用したときの直流電源電圧Vdcおよび増幅部の一部を構成する増幅素子の出力電圧Vds1を示す図である。 図10は、直流電圧設定値Vsetが一定の場合における、反射係数と損失との関係の一例を示す図である。 図11は、直流電圧設定値Vsetが一定の場合における、反射係数と出力できる進行波電力の最大値との関係の一例を示す図である。
符号の説明
1 高周波電源装置
2 伝送線路
3 インピーダンス整合器
4 負荷接続部
5 負荷
10 直流電力出力部
11 目標電圧設定部
12 直流電源制御部
13 直流電源部
14 直流検出部
15 反射係数演算部
20 高周波電力出力部
21 出力電力設定部
22 高周波出力制御部
23 高周波増幅部
24 ローパスフィルタ
25 方向性結合器
26 進行波変換部
27 反射波変換部

Claims (2)

  1. 直流電力を出力する直流電力出力部と、
    前記直流電力出力部から出力される直流電力を用いて高周波信号を増幅し、進行波電力として出力する高周波増幅部と、
    前記高周波増幅部と負荷との間に挿入されて、前記高周波増幅部から出力される進行波電力の情報を含む進行波側信号及び前記負荷で反射された反射波電力の情報を含む反射波側信号を出力する方向性結合器と、
    前記進行波側信号を前記進行波電力の電力値を示す進行波電力信号に変換して出力する進行波変換部と、
    前記進行波電力信号が示す電力値が、予め設定された出力電力設定値と等しくなるように、前記高周波増幅部の出力を制御する高周波出力制御部と、
    を備え、
    前記直流電力出力部が、
    出力電圧値が可変可能であり、その出力電圧値を可変することによって出力する直流電力を調整できる直流電源部と、
    前記直流電源部の出力電圧値を検出し、検出した出力電圧値に対応する直流電圧検出信号を出力する直流検出部と、
    前記進行波側信号および前記反射波側信号に基づいて、反射係数の絶対値及び位相のうち、少なくとも位相を演算する反射係数演算部と、
    反射係数を位相で分割した複数の分割領域において、所望の反射係数の絶対値内で、前記高周波増幅部から出力される進行波電力を所望の電力値まで出力できるように設定された前記直流電源部の目標電圧値が前記分割領域毎に記憶されており、前記反射係数演算部によって演算された反射係数に対応する前記分割領域に記憶されている目標電圧値に対応する目標電圧信号を出力する目標電圧設定部と、
    前記直流電圧検出信号に対応する電圧値が、前記目標電圧信号に対応する目標電圧値に等しくなるように、前記直流電源部の出力電圧値を制御する直流電源制御部と、
    によって構成されていることを特徴とする高周波電源装置。
  2. 直流電力を出力する直流電力出力部と、
    前記直流電力出力部から出力される直流電力を用いて高周波信号を増幅し、進行波電力として出力する高周波増幅部と、
    前記高周波増幅部と負荷との間に挿入されて、前記高周波増幅部から出力される進行波電力の情報を含む進行波側信号及び前記負荷で反射された反射波電力の情報を含む反射波側信号を出力する方向性結合器と、
    前記進行波側信号を前記進行波電力の電力値を示す進行波電力信号に変換して出力する進行波変換部と、
    前記進行波電力信号が示す電力値が、予め設定された出力電力設定値と等しくなるように、前記高周波増幅部の出力を制御する高周波出力制御部と、
    を備え、
    前記直流電力出力部が、
    出力電圧値が可変可能であり、その出力電圧値を可変することによって出力する直流電力を調整できる直流電源部と、
    前記直流電源部の出力電圧値を検出し、検出した出力電圧値に対応する直流電圧検出信号を出力する直流検出部と、
    前記進行波側信号および前記反射波側信号に基づいて、反射係数の絶対値及び位相のうち、少なくとも位相を演算する反射係数演算部と、
    反射係数を絶対値及び位相で分割した複数の分割領域において、所望の反射係数の絶対値内で、前記高周波増幅部から出力される進行波電力を所望の電力値まで出力できるように設定された前記直流電源部の目標電圧値が前記分割領域毎に記憶されており、前記反射係数演算部によって演算された反射係数に対応する前記分割領域に記憶されている目標電圧値に対応する目標電圧信号を出力する目標電圧設定部と、
    前記直流電圧検出信号に対応する電圧値が、前記目標電圧信号に対応する目標電圧値に等しくなるように、前記直流電源部の出力電圧値を制御する直流電源制御部と、
    によって構成されていることを特徴とする高周波電源装置。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101629970B1 (ko) * 2010-04-23 2016-06-13 삼성전자주식회사 타임 투 디지털 컨버터 및 그의 동작 방법
KR20140013084A (ko) * 2011-10-13 2014-02-04 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 프론트 엔드 증폭기
JP6009931B2 (ja) * 2012-12-19 2016-10-19 株式会社ダイヘン 高周波電源装置
JP6282806B2 (ja) * 2012-12-28 2018-02-21 株式会社ダイヘン 高周波電源装置
JP6245912B2 (ja) * 2013-01-31 2017-12-13 株式会社ダイヘン 高周波電源装置
JP6148090B2 (ja) * 2013-07-09 2017-06-14 株式会社日立国際電気 高周波電源装置
JP7200450B2 (ja) * 2019-02-26 2023-01-10 小林テック株式会社 プラズマ発生装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3027572B1 (ja) * 1998-12-24 2000-04-04 日本高周波株式会社 プラズマ処理用インピーダンス測定装置
JP2001197749A (ja) * 2000-01-13 2001-07-19 Daihen Corp 高周波電源
JP4271457B2 (ja) * 2003-02-07 2009-06-03 株式会社ダイヘン 高周波電源装置
JP4624686B2 (ja) * 2004-01-15 2011-02-02 株式会社ダイヘン 高周波電源装置
JP4773165B2 (ja) * 2005-08-31 2011-09-14 株式会社ダイヘン 高周波電源装置
JP4875331B2 (ja) * 2005-09-16 2012-02-15 株式会社ダイヘン 高周波電源装置および高周波電源の制御方法

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