JPS5810871A - アモルフアス太陽電池 - Google Patents
アモルフアス太陽電池Info
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- JPS5810871A JPS5810871A JP56108101A JP10810181A JPS5810871A JP S5810871 A JPS5810871 A JP S5810871A JP 56108101 A JP56108101 A JP 56108101A JP 10810181 A JP10810181 A JP 10810181A JP S5810871 A JPS5810871 A JP S5810871A
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- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 5
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims 1
- 229910020751 SixGe1-x Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- QUZPNFFHZPRKJD-UHFFFAOYSA-N germane Chemical compound [GeH4] QUZPNFFHZPRKJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052986 germanium hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/17—Photovoltaic cells having only PIN junction potential barriers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はアモルファス太陽電池の改良に関するもので
ある。
ある。
グロー放電法で作成した水素を含むアモルファスシリコ
ン（以下ａ−５ｉ−Ｈと記す）は、単結晶シリコンと同
様、ドーピングによるＰａｎ制御が可能、光吸収係数が
単結晶Ｓｉと比較して約１桁大きい、作成条件等により
局在単位密度を約１０１・ｃｒ″ｊｅｙ−１程ステンレ
ス基板（１）上にｐ十タイプａ−５ｉ−Ｈｌｌ（２）、
ノンドープイントリンシックａ−５ｉ−Ｈ層（３）及び
ｎ十タイプａ−５ｉ−Ｈ層（４）を順次成長作成し、そ
の上部にＩＴＯ等の透明電極（５）を作成した、いわゆ
るｓ ｕ ｓ／ｐ ｉ ｎ／ＩＴＯ構造を持つアモルフ
ァスシリコン太陽電池である。
ン（以下ａ−５ｉ−Ｈと記す）は、単結晶シリコンと同
様、ドーピングによるＰａｎ制御が可能、光吸収係数が
単結晶Ｓｉと比較して約１桁大きい、作成条件等により
局在単位密度を約１０１・ｃｒ″ｊｅｙ−１程ステンレ
ス基板（１）上にｐ十タイプａ−５ｉ−Ｈｌｌ（２）、
ノンドープイントリンシックａ−５ｉ−Ｈ層（３）及び
ｎ十タイプａ−５ｉ−Ｈ層（４）を順次成長作成し、そ
の上部にＩＴＯ等の透明電極（５）を作成した、いわゆ
るｓ ｕ ｓ／ｐ ｉ ｎ／ＩＴＯ構造を持つアモルフ
ァスシリコン太陽電池である。
第１図で示した太陽電池の概略的なエネルギーバンド構
造模型図を第２図に示すが、この構造素子における特徴
として （１）ｐ＋タイプａ−８ｉ−Ｈ層（２）とノンドープイ
ントリンシックａ−５ｌ−Ｈ層（３）の界面に出来るバ
リヤハイドが充分に大きい時、開放端電圧Ｖｏｃとして
、ノンドープイントリンシックａ−８ｉ−Ｈ層（３）の
活性化エネルギーＥａ （約Ｅｃ −ＥＦ ）とほぼ同
等の値が得られる。この活性化エネルギーＥａは、はぼ
イントリンシックａ−８ｉ−Ｈ層（３）のバンドギャッ
プエネルギＥｇに比例する。
造模型図を第２図に示すが、この構造素子における特徴
として （１）ｐ＋タイプａ−８ｉ−Ｈ層（２）とノンドープイ
ントリンシックａ−５ｌ−Ｈ層（３）の界面に出来るバ
リヤハイドが充分に大きい時、開放端電圧Ｖｏｃとして
、ノンドープイントリンシックａ−８ｉ−Ｈ層（３）の
活性化エネルギーＥａ （約Ｅｃ −ＥＦ ）とほぼ同
等の値が得られる。この活性化エネルギーＥａは、はぼ
イントリンシックａ−８ｉ−Ｈ層（３）のバンドギャッ
プエネルギＥｇに比例する。
（２）光起電流の内ｐ＋タイプａ−８ｉ−Ｈ層（２）と
ノンドープイントリンシックａ−８ｉ−Ｈ層（３）の界
面において出来る空乏層中で発生した一ドリフト電流は
、はぼ１００％光起電流として利用出来る。
ノンドープイントリンシックａ−８ｉ−Ｈ層（３）の界
面において出来る空乏層中で発生した一ドリフト電流は
、はぼ１００％光起電流として利用出来る。
（３）ｎ＋タイプａ−８ｉ−Ｈ層（４）とノンドープイ
ントリンシックａ−８ｌ−Ｈ層（３）において発生する
電界強度が大きい時、拡散電流寄与分を大きくする事が
出来る。
ントリンシックａ−８ｌ−Ｈ層（３）において発生する
電界強度が大きい時、拡散電流寄与分を大きくする事が
出来る。
等、Ｅｇよ抄も大きな光エネルギーに関しては、光起電
流として有効利用に有用な特徴を持つ。上記素子におい
ては、特にノンドープイントリンシックａ−８ｔ−Ｈ層
（３）のバンドギャップエネルギーＥｇ及び活性化エネ
ルギーＥａが、太陽電池を製作した時）の大きな性能指
数に成る事が解る。
流として有効利用に有用な特徴を持つ。上記素子におい
ては、特にノンドープイントリンシックａ−８ｔ−Ｈ層
（３）のバンドギャップエネルギーＥｇ及び活性化エネ
ルギーＥａが、太陽電池を製作した時）の大きな性能指
数に成る事が解る。
この発明は、通常のイントリンシックアモルフ、１ス層
よりもバンドギャップエネルギーＥｇ、の小を持つアモ
ルファス層として、バンドギャップエネルギーＥｇｘを
その組成によって連続的にコントロール出来るアモルフ
ァスシリコンゲルマニウム（ａ−８ｉｘＧｅ１−ｘ：Ｈ
）からなり、アモルファス層中のダングリングボンドを
消去するのに有効な元素、例えば水素および弗素の少な
くとも一方を含むアモルファス層を用いる事を特徴とす
る。
よりもバンドギャップエネルギーＥｇ、の小を持つアモ
ルファス層として、バンドギャップエネルギーＥｇｘを
その組成によって連続的にコントロール出来るアモルフ
ァスシリコンゲルマニウム（ａ−８ｉｘＧｅ１−ｘ：Ｈ
）からなり、アモルファス層中のダングリングボンドを
消去するのに有効な元素、例えば水素および弗素の少な
くとも一方を含むアモルファス層を用いる事を特徴とす
る。
一般にグロー放電法によるａ−８ｉ−Ｈ膜の作成には、
Ｓｌの供給源としてＳｉＨ４ガスが用いられるが、この
５（Ｈ４ガスとともにゲルマニウム（Ｇｅ ）の供給源
として、ＧｅＨ４、ＧｅＦａのゲルマニウムと水素ある
いはハロゲンとの化合物を同時に供給する事によって、
連続的に組成変化を持つａ−８ｉｘＧｅｌ−ｘ：Ｈを作
る事が可能である。これらの組成比によって、生成され
る膜のバンドギャップエネルギー値Ｅｇ２、活性化エネ
ルギーＥｉ１等も同時に変化する。通常の方法によって
生成されたａ−８ｉ−Ｈ膜では、光学的バンドギャップ
エネルギＥｇｏｐｔは１．８〜ｇ、０ｅｖ１又、純粋な
１−Ｇｅ：Ｈ膜では１．０〜１．１ ｅＶ１１度であり
、ａ−８ｉｘＧｅｌ−ｘ：Ｈ膜では、組成の最適化によ
り通常が大きく、ａ−８ｉ−ＨへのＧｅの混入により膜
質低下が起きやす（、単一のａ−５ｉ ｘＧｅ １−ｘ
： Ｈ膜のみを用いた太陽電池、例えば第１図におい
て、ノンドープイントリンシックａ−５ｔ−Ｈ層（３）
の代わりに、比較的Ｇｅ混大量の大きいａ−５ｉｘＧｅ
ｌ−ｘ： Ｈ膜のみを用いた場合は、ａ−Ｓｉ−Ｈと同
等もしくはそれ以上の変換効率を持つ太陽電池素子を作
るのは難かしい。
Ｓｌの供給源としてＳｉＨ４ガスが用いられるが、この
５（Ｈ４ガスとともにゲルマニウム（Ｇｅ ）の供給源
として、ＧｅＨ４、ＧｅＦａのゲルマニウムと水素ある
いはハロゲンとの化合物を同時に供給する事によって、
連続的に組成変化を持つａ−８ｉｘＧｅｌ−ｘ：Ｈを作
る事が可能である。これらの組成比によって、生成され
る膜のバンドギャップエネルギー値Ｅｇ２、活性化エネ
ルギーＥｉ１等も同時に変化する。通常の方法によって
生成されたａ−８ｉ−Ｈ膜では、光学的バンドギャップ
エネルギＥｇｏｐｔは１．８〜ｇ、０ｅｖ１又、純粋な
１−Ｇｅ：Ｈ膜では１．０〜１．１ ｅＶ１１度であり
、ａ−８ｉｘＧｅｌ−ｘ：Ｈ膜では、組成の最適化によ
り通常が大きく、ａ−８ｉ−ＨへのＧｅの混入により膜
質低下が起きやす（、単一のａ−５ｉ ｘＧｅ １−ｘ
： Ｈ膜のみを用いた太陽電池、例えば第１図におい
て、ノンドープイントリンシックａ−５ｔ−Ｈ層（３）
の代わりに、比較的Ｇｅ混大量の大きいａ−５ｉｘＧｅ
ｌ−ｘ： Ｈ膜のみを用いた場合は、ａ−Ｓｉ−Ｈと同
等もしくはそれ以上の変換効率を持つ太陽電池素子を作
るのは難かしい。
これらは、一般にａ−８ｉｘＧｅｌ−ｘ ：Ｈ膜ではホ
ールの移動度及びライフタイムの低下が起きやすく、空
乏層外部の拡散電流が期待出来ない事に起因している。
ールの移動度及びライフタイムの低下が起きやすく、空
乏層外部の拡散電流が期待出来ない事に起因している。
第８図に本発明によるアモルファス太陽電池の一実施例
の断面構造図、又、第４図にその概略的層（６）を設け
ると、素子の高効率化に対して次の様な利点を持つ。
の断面構造図、又、第４図にその概略的層（６）を設け
ると、素子の高効率化に対して次の様な利点を持つ。
（１）ｐ＋タイプａ−８ｉ−Ｈ層（２）とノンドープイ
ントリンシックａ−５ｉｘＧｅｌ−ｘ：Ｈ層（６）との
界面に出来るノ（リヤによりａ −８ｉｘＧｅｌ −ｘ
： Ｈ層（６）が空乏層化した時、このａ−８ｉｘＧ
ｅｌ−ｘ：Ｈ層（６）中で発生する光起電流は、電界の
助けにより再結合なく光起電流と成る為、ａ−８ｉｘＧ
ｅｌ−ｘ ：Ｈ層（６）におけるホール移動度、ライフ
タイムの低下の影譬が小さく成リ、太陽エネルギーの利
用効率が増加する。
ントリンシックａ−５ｉｘＧｅｌ−ｘ：Ｈ層（６）との
界面に出来るノ（リヤによりａ −８ｉｘＧｅｌ −ｘ
： Ｈ層（６）が空乏層化した時、このａ−８ｉｘＧ
ｅｌ−ｘ：Ｈ層（６）中で発生する光起電流は、電界の
助けにより再結合なく光起電流と成る為、ａ−８ｉｘＧ
ｅｌ−ｘ ：Ｈ層（６）におけるホール移動度、ライフ
タイムの低下の影譬が小さく成リ、太陽エネルギーの利
用効率が増加する。
（２）一方、空乏層外部からの拡散電流は、通常のノン
ドープイントリンシックａ−５ｉ−Ｈ層（３）中で発生
した電子・正孔対を利用出来る。
ドープイントリンシックａ−５ｉ−Ｈ層（３）中で発生
した電子・正孔対を利用出来る。
？７譬
啼、長波長領域での収集効率の改善方法としてそ１
ｐ層間暑こ上記ｉ層よりバンドギャップエネルギーの小
さいアモルファス層を設けたので、長波長領域へ収集効
率を伸ばして高効率のアモルファス太陽電池を実現する
ことができる。
さいアモルファス層を設けたので、長波長領域へ収集効
率を伸ばして高効率のアモルファス太陽電池を実現する
ことができる。
第１図は従来のアモルファス太陽電池の構造模型図、第
２図はその概略的なエネルギーバンド構造模型図、第８
図はξの発明の一実施例を示す構造模型図、第４図はそ
の概略的なエネルギーパンは１層（３）よりバンドギャ
ップエネルギーの小さ、いアモルファス層である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 出願人 工業技術院長 石 坂 誠 − 第１図 第２図 第３図 第４図
２図はその概略的なエネルギーバンド構造模型図、第８
図はξの発明の一実施例を示す構造模型図、第４図はそ
の概略的なエネルギーパンは１層（３）よりバンドギャ
ップエネルギーの小さ、いアモルファス層である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 出願人 工業技術院長 石 坂 誠 − 第１図 第２図 第３図 第４図
Claims (2)
- （１）ｎｉｐ型アモルファス太陽電池において、ｉ層−
とｐ層間に上記ｉ層よレバンドギャブエネルギーの小さ
いアモルファス層を設けたことを特徴とするアモルファ
ス太陽電池 - （２）ｎ層、ｉ層及びｐ層は水素を含むアモルファスシ
リコンからなり、上記１層よりバンドギャップエネルギ
ーの小さいアモルファス層は、アモルファス層中のダン
グリングボンドを消去するのに去するのに有効な元素は
水素または弗素であり、アモルファスシリコンゲルマニ
ウム層は水素および弗素の少なくとも一方を含むことを
特徴とする特許請求の範囲第２項記載のアモルファス太
陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56108101A JPS5810871A (ja) | 1981-07-13 | 1981-07-13 | アモルフアス太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56108101A JPS5810871A (ja) | 1981-07-13 | 1981-07-13 | アモルフアス太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5810871A true JPS5810871A (ja) | 1983-01-21 |
Family
ID=14475892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56108101A Pending JPS5810871A (ja) | 1981-07-13 | 1981-07-13 | アモルフアス太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5810871A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59205770A (ja) * | 1983-04-15 | 1984-11-21 | エナージー・コンバーション・デバイセス・インコーポレーテッド | 光起電力装置およびその製造方法 |
| JPS6091679A (ja) * | 1983-09-21 | 1985-05-23 | ア−ルシ−エ− コ−ポレ−ション | 光電装置 |
| JPS6193686A (ja) * | 1984-07-13 | 1986-05-12 | ザ ボ−ド オブ トラステイ−ズ オブ ザ リ−ランド スタンフオ−ド ジユニア ユニバ−シテイ | ソリツドステ−ト非平面型の内部反射式リングレ−ザ |
| JPS62165374A (ja) * | 1986-01-16 | 1987-07-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | アモルフアス光起電力素子 |
| JPS62224089A (ja) * | 1986-03-26 | 1987-10-02 | Hitachi Ltd | 太陽電池 |
| JPS63143877A (ja) * | 1986-12-08 | 1988-06-16 | Hitachi Ltd | アモルフアス太陽電池 |
| FR2646560A1 (fr) * | 1989-04-27 | 1990-11-02 | Solems Sa | Procede pour ameliorer la reponse spectrale d'une structure photoconductrice, cellule solaire et structure photoreceptive ameliorees |
| JPH03174778A (ja) * | 1982-10-18 | 1991-07-29 | Energy Conversion Devices Inc | 層状アモルファス半導体デバイス |
| JP2006100611A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| JP2006269931A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| JP2010100438A (ja) * | 2003-03-14 | 2010-05-06 | Iris Ohyama Inc | ホースリール |
| JP2011018884A (ja) * | 2009-07-07 | 2011-01-27 | Korea Iron & Steel Co Ltd | 光起電力装置及びその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS561578A (en) * | 1979-06-18 | 1981-01-09 | Shunpei Yamazaki | Manufacture of semiconductor device |
-
1981
- 1981-07-13 JP JP56108101A patent/JPS5810871A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS561578A (en) * | 1979-06-18 | 1981-01-09 | Shunpei Yamazaki | Manufacture of semiconductor device |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03174778A (ja) * | 1982-10-18 | 1991-07-29 | Energy Conversion Devices Inc | 層状アモルファス半導体デバイス |
| JPS59205770A (ja) * | 1983-04-15 | 1984-11-21 | エナージー・コンバーション・デバイセス・インコーポレーテッド | 光起電力装置およびその製造方法 |
| JPH0613638A (ja) * | 1983-04-15 | 1994-01-21 | Energy Conversion Devices Inc | 光起電力装置 |
| JPS6091679A (ja) * | 1983-09-21 | 1985-05-23 | ア−ルシ−エ− コ−ポレ−ション | 光電装置 |
| JPH0328076B2 (ja) * | 1984-07-13 | 1991-04-17 | Riirando Sutanfuoodo Junia Univ | |
| JPS6193686A (ja) * | 1984-07-13 | 1986-05-12 | ザ ボ−ド オブ トラステイ−ズ オブ ザ リ−ランド スタンフオ−ド ジユニア ユニバ−シテイ | ソリツドステ−ト非平面型の内部反射式リングレ−ザ |
| JPS62165374A (ja) * | 1986-01-16 | 1987-07-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | アモルフアス光起電力素子 |
| JPS62224089A (ja) * | 1986-03-26 | 1987-10-02 | Hitachi Ltd | 太陽電池 |
| JPH0575189B2 (ja) * | 1986-03-26 | 1993-10-20 | Hitachi Ltd | |
| JPS63143877A (ja) * | 1986-12-08 | 1988-06-16 | Hitachi Ltd | アモルフアス太陽電池 |
| FR2646560A1 (fr) * | 1989-04-27 | 1990-11-02 | Solems Sa | Procede pour ameliorer la reponse spectrale d'une structure photoconductrice, cellule solaire et structure photoreceptive ameliorees |
| US5039353A (en) * | 1989-04-27 | 1991-08-13 | Societe Dite: Solems (Societe Anonyme) | Process for improving the spectral response of a photoconductive structure, and improved solar cell and photoreceptive structure |
| JP2010100438A (ja) * | 2003-03-14 | 2010-05-06 | Iris Ohyama Inc | ホースリール |
| JP2006100611A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| JP2006269931A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| JP2011018884A (ja) * | 2009-07-07 | 2011-01-27 | Korea Iron & Steel Co Ltd | 光起電力装置及びその製造方法 |
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