JP2006100611A - 光起電力装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この光起電力装置は、n型層3と、n型層3上に形成された光電変換層4と、光電変換層4上に形成されたp型層5とを備えている。そして、光電変換層4は、Geが含有された第1の層と、第1の層上に形成され、Geが含有されない第2の層とを含む。
【選択図】図1
Description
まず、実施例による光起電力装置の作製プロセスについて説明する。
この実施例では、まず、図1に示すように、RFマグネトロンスパッタリング法を用いて、表面に絶縁膜(図示せず)が形成されたステンレスからなる支持基板1上に、500nmの厚みを有するAgからなる裏面電極2を形成した。
次に、図2を参照して、比較例による光起電力装置の作製プロセスについて説明する。
この比較例では、まず、図2に示すように、上記実施例と同様、RFマグネトロンスパッタリング法を用いて、表面に絶縁膜(図示せず)が形成されたステンレスからなる支持基板1上に、500nmの厚みを有するAgからなる裏面電極2を形成した。
[出力特性実験]
次に、上記のようにして作製した実施例および比較例による光起電力装置について、光スペクトル:AM1.5、光強度:100mW/cm2および測定温度:25℃の擬似太陽光照射条件下で出力特性を測定した。ここで、AM(Air Mass)とは、地球大気に入射する直達太陽光が通過する路程の標準状態の大気(標準気圧1013hPa)に垂直に入射した場合の路程に対する比である。この測定結果を以下の表3に示す。なお、表3中の開放電圧、短絡電流、曲線因子および変換効率は、それぞれ、比較例の開放電圧、短絡電流、曲線因子および変換効率に対する比率である。
4 光電変換層(第2非単結晶半導体層)
4a 第1光電変換層(第1の層)
4b 第2光電変換層(第2の層)
5 p型層(第3光電変換層)
Claims (8)
- 第1導電型の第1非単結晶半導体層と、前記第1非単結晶半導体層上に形成され、光電変換層として機能するとともに、実質的に真性な第2非単結晶半導体層と、前記第2非単結晶半導体層上に形成された第2導電型の第3非単結晶半導体層とを備え、
前記第2非単結晶半導体層は、結晶化を阻害することが可能な元素が含有された第1の層と、前記第1の層上に形成され、前記結晶化を阻害することが可能な元素が含有されない第2の層とを含む、光起電力装置。 - 前記第1の層に含有された前記結晶化を阻害することが可能な元素の原子濃度は、前記第1の層の吸収端波長が、前記結晶化を阻害することが可能な元素が含有されていない状態に比べて実質的に変化しないように制御されている、請求項1に記載の光起電力装置。
- 前記結晶化を阻害することが可能な元素は、Geである、請求項1または2に記載の光起電力装置。
- 第1導電型の第1非単結晶半導体層と、前記第1非単結晶半導体層上に形成され、光電変換層として機能するとともに、実質的に真性な第2非単結晶半導体層と、前記第2非単結晶半導体層上に形成された第2導電型の第3非単結晶半導体層とを備え、
前記第2非単結晶半導体層は、Geが含有された第1の層と、前記第1の層上に形成され、前記Geが含有されない第2の層とを含む、光起電力装置。 - 前記第1の層に含有された前記Geの原子濃度は、4%以上19%以下である、請求項3または4に記載の光起電力装置。
- 前記第1の層の厚みは、25nm以上200nm以下である、請求項3〜5のいずれか1項に記載の光起電力装置。
- 前記第1の層の厚みは、25nm以上100nm以下である、請求項6に記載の光起電力装置。
- 前記第2非単結晶半導体層は、非単結晶シリコン層を含み、
前記第2の層は、(220)面の優先結晶配向を有する、請求項1〜7のいずれか1項に記載の光起電力装置。
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