KR20100017736A - 평판 기판용 처리 시스템 - Google Patents

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KR20100017736A
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미카엘 가이슬레르
토마스 메르츠
마리오 뢰데르
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레이볼드 압틱스 게엠베하
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Abstract

본 발명은 진공 챔버(11) 및 프로세스 공간(9)을 포함하는 평판 기판 처리용 리액터에 관한 것이다. 제1 전극(5) 및 상대 전극(7)은 플라즈마의 생성을 위해 제공되며 프로세스 공간의 2개의 대향 벽을 형성한다. 상대 전극은 기판(3)을 수용할 수 있다. 리액터는 또한, 프로세스 공간 내로 및/또는 프로세스 공간으로부터 기체 재료를 유입(19, 23, 25) 및 제거하기 위한 수단, 진공 챔버의 입구 및 출구, 전극들 사이의 상대 간격을 변경하기 위한 장치(41, 43), 및/또는 상대 전극에 할당 배치된 기판 수용 장치를 포함하고, 상대적으로 큰 제1 간격은 프로세스 챔버에 기판의 로딩 또는 언로딩시 사용되며, 상대적으로 작은 제2 간격은 처리시 사용되고, 상기 기판 수용 장치는, 기판이 적어도 처리 수행 동안, 처리 대상 표면을 아래로 향하게 한 상태로 수직 방향에 대해 0°내지 90°범위의 각도 α, 바람직하게는 1°, 3°, 5°, 7°, 9°, 11°, 13°, 15°, 17°, 20°, 25°, 30°, 40°, 45°의 각도로 배치되도록 구현된다.
Figure P1020097025715
진공 챔버, 프로세스 공간, 전극, 상대 전극, 기판 수용 장치, 상대 간격.

Description

평판 기판용 처리 시스템{TREATMENT SYSTEM FOR FLAT SUBSTRATES}
본 발명은 독립 청구항들의 각각의 전제부에 따른, 평판 기판 처리용 리액터, 평판 기판의 처리 방법, 평판 기판용 핸들링 장치, 및 평판 기판의 제조 장치에 관한 것이다.
EP 0312447 B1에는 플라즈마의 존재 하에서 막을 생성하기 위한 반응 가스를 진공 챔버 내에 배치된 플라즈마 박스 내로 유입시키게 되는 하나의 플라즈마 증착 공정(PECVD)에 의해 전자적 또는 광전자적 용례를 위한 기판 상에 박막의 제조 방법이 공지되어 있다. 이 경우, 플라즈마 박스 내에서 우세한 압력보다 낮은 압력이 진공 챔버 내에 생성되어 유지된다. 유사한 방법이 EP 02218112B1 및 US 4,798,739에도 공지되어 있다. 다른 리액터, 특히 기판을 처리하기 위한 다수의 챔버를 가진 리액터는 DE 199901426 A1, US 6,183,564 B1, US 5,944,857 및 일본 특허 초록 JP 06267808 A에 공지되어 있다.
고효율의 태양 전지를 저렴하게 제조하기 위해 이용되는 상기 PECVD-방법은 프로세스 가스로서 실란 및 수소를 사용하는 것으로, 그 중요한 증착 파라미터로는 가스 압력, 가스 흐름, 파워 밀도, 플라즈마 여기의 주파수, 기판 온도, 가스 조성 및 전극과 상대 전극 사이의 간격이 있다. 높은 증착 속도를 얻기 위해, 큰 가스 흐름 및 전극 간격의 감소가 중요하다. 이 경우, 전극들 간의 바람직한 간격은 0.5 내지 15 ㎜이다. 이러한 작은 간격의 경우, 전극들 사이의 공간 내로 기판을 도입하는 것은 문제가 있으며, 여기서 끊임없는 층 성장에 의한 높은 생산성을 보장하기 위해서는 코팅시 병렬 프로세싱이 필요하고, 이러한 병렬 프로세싱의 실현하는 데에 있어서 현재 요구되고 있는 1.4 ㎡ 이상의 기판 크기의 경우에 높은 구조 비용을 요구하는 클러스터-시스템이 사용되는 점을 고려해야 할 것이다.
병렬 프로세싱 챔버들이 중심점 둘레에 배치되고, 상기 중심점에 중앙 핸들링 장치가 배치된 중앙 클러스터(central clusters)가 이미 공지되어 있다. 중앙 클러스터 시스템의 단점은 기판이 큰 경우 중앙 핸들링 장치가 매우 크고 접근하기 어려우며, 프로세스 챔버의 수 및 이에 따른 달성할 수 있는 처리량이 제한된다는 점이다. 또한, 예컨대 TFT-디스플레이의 제조시 사용되는 수직 클러스터 시스템이 공지되어 있다. 이 수직 클러스터 시스템은 평판 프로세스 챔버들을 가진 타워형 구조를 포함하기 때문에, 컴포넌트들 사이의 효과적인 가스 분리가 어렵고 상하로 구성되는 층들의 수가 제한된다.
본 발명의 목적은 평판 기판의 효과적인 플라즈마 처리를 가능하게 하고, 특히 그에 적합한 평판 기판 처리용 리액터 및 평판 기판의 처리 방법을 제공하고, 또한 평판 기판의 간단하고 확실한 핸들링, 및 처리된 기판의 개선된 제조를 가능하게 하는 것이다.
상기 목적은 독립 청구항의 특징에 의해 달성된다.
본 발명에 따른 평판 기판 처리용 리액터는, 프로세스 공간이 내부에 마련되는 한편, 처리 대상 표면을 처리하기 위한 플라즈마를 생성하는 제1 전극 및 상대 전극이 프로세스 공간의 대향하는 두 벽을 형성하고 있는 진공 챔버; 및 기체 재료, 특히 코팅 또는 세정 재료를 프로세스 공간 내로 유입 및/또는 프로세스 공간으로부터 제거하기 위한 유입 수단 및 제거 수단을 포함하며, 하나 이상의 기판은 상기 전극을 향한 상대 전극의 전면에 의해 수용될 수 있고, 상기 진공 챔버에는 바람직하게는 폐쇄 장치를 가진 로딩 및 언로딩 개구가 마련되는 것인 평판 기판 처리용 리액터에 있어서, 전극들 사이의 상대 간격을 변경하기 위한 간격 변경 장치가 마련되어, 상대적으로 큰 제1 간격은 프로세스 공간에 하나 이상의 기판을 로딩 또는 언로딩할 때에 제공하는 한편, 상대적으로 작은 제2 간격은 하나 이상의 기판의 처리를 수행하는 중에 제공하며, 및/또는 상대 전극에 할당 배치되어 기판을 수용하도록 된 기판 수용 장치가 마련되되, 하나 이상의 기판이 적어도 처리 수행 동안, 특히 코팅 동안, 바람직하게는 프로세스 공간에 로딩 또는 언로딩 동안에도, 처리 대상 표면을 아래로 향하게 한 상태로 수직 방향에 대해 0°내지 90°범위의 각도 α로 배치되게 구현되는 기판 수용 장치가 마련되는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 범주에서 "평판 기판"이란 용어는 특히 태양 전지용 기판, 유리판 등을 말한다. 전형적으로 14.2 ㎡ 이상의 직사각형 기판이다. 본 발명의 범주에서, "처리"라는 용어는 2개의 평면 전극들 사이에 생성된 플라즈마에 의해, 특히 PECVD법에 의해 기판을 수정하는 모든 방식을 말한다.
유리하게는 전극과 상대 전극은 간격 변경 장치에 의해 비교적 서로 근접하게 접근할 수 있고, 이 경우 전극과 기판 사이의 간격 또한 좁아진다. 바람직하게는 이로 인해 코팅시 층 구조 또한 긍정적인 영향을 받을 수 있다. 처리 과정을 제어하기 위해, 기판의 처리 수행 동안에도 간격, 그에 따른 프로세스 파라미터가 변경될 수 있다. 간격의 변경시, 전극, 상대 전극 또는 이들 둘 모두가 이동될 수 있다.
또한, 유리하게는 처리 수행 동안 기판이 처리 대상 표면을 아래로 향하게 한 상태로 수직 방향에 대해 0°내지 90°범위의 각도 α로 배치될 수 있다. 따라서, 이는 처리 대상 또는 처리 완료된 민감한 기판 표면의 입자 오염의 위험을 감소시키는 데, 그 이유는 더 적은 입자가 상기 표면에 도달할 수 있기 때문이다. 이러한 입자는 프로세스 공간 내에서 형성된 층, 예컨대 실리콘으로 이루어진 층이 떨어져 나가면 생긴다. 각도 α의 값은 1°, 3°, 5°, 7°, 9°, 11°, 13°, 15°, 17°, 20°, 25°, 30°, 40°, 45°인 것이 바람직한데, 그 이유는 그로 인해 리액터에 의한 수평 방향의 공간 요건이 감소하기 때문이다.
하나 또는 다수의 기판을 위한 하나 이상의 그리핑 아암 모듈을 포함하는 본 발명에 따른 평판 기판용 핸들링 장치의 경우, 상기 그리핑 아암 모듈은 기판이 그 표면에 대해 평행하게 이동할 수 있는 한편 적어도 프로세스 공간에 로딩 및 언로딩 하는 동안에 처리 대상 표면을 아래로 향하게 한 상태로 수직 방향에 대해 0°내지 90°범위의 각도 α로 배치되도록 구현된다. 유리하게는, 기판을 취급하는 동안에 처리 대상 또는 처리 완료 표면의 오염은 처리 대상 표면을 아래로 향하게 한 상태로 기판을 수직 방향에 대해 0°내지 90°범위의 각도 α로 배치함으로써, 줄어든다.
본 발명에 따른 리액터와 본 발명에 따른 핸들링 장치의 조합이 바람직하며, 이 경우, 제어 장치, 센서 및 구동 장치도 역시 제공되고, 센서에 의해 리액터의 전극 및/또는 상대 전극에 대한 기판의 위치가 검출되고, 제어 장치 및 구동 장치에 의해 리액터 또는 진공 챔버에 기판의 로딩 또는 언로딩이 실시된다.
본 발명의 다른 관점에 따르면, 종방향을 따라 연장하는 운반 공간; 이 운반 공간과 연결되어 있거나 연결될 수 있는 평판 기판 처리용의 하나 이상의 프로세스 컨테이너; 및 종방향을 따라 이동 가능한 기판 운반용 운반 로봇을 포함하는 평판 기판의 처리 장치에 있어서, 상기 프로세스 컨테이너 및/또는 운반 로봇은 적어도 미리 주어진 시간 간격 동안, 바람직하게는 프로세스 컨테이너 내에서 기판의 임의의 처리 수행 동안, 처리 대상 표면이 수직 방향에 대해 0°내지 90°범위의 각도 α로 되게 기판을 배치하도록 구현되는 평판 기판의 처리 장치가 제공된다. 유리하게는, 기판이 적어도 미리 주어진 시간 간격 동안, 바람직하게는 프로세스 컨테이너 내에서 기판의 처리 수행 동안 또는 프로세스 컨테이너에 로딩 또는 언로딩 동안, 처리 대상 표면을 아래로 향하게 한 상태로 수직 방향에 대해 0°내지 90°범위의 각도 α로 배치됨으로써, 처리 대상 또는 처리 완료 표면의 오염을 감소시키는 동시에 평판 기판의 처리시 공간 요건을 비교적 적게 유지될 수 있다. 이 경우, 바람직하게는 기판의 장착(mount)이 캐리어(운반 프레임) 없이 이루어지는데, 그 이유는 그러한 캐리어는 많은 비용을 필요로 하고 열 부하시 불안정하기 때문이다. 에지에서 세워질 수 있는 기판의 특정 강성은 이러한 장착의 경우에 전제된다.
본 발명의 또 다른 관점에 따르면, 리액터 내에서 평판 기판을 처리하는 방법으로서, 그 리엑터는, 프로세스 공간이 내부에 마련되는 한편, 처리 대상 표면을 처리하기 위한 플라즈마를 생성하는 제1 전극 및 상대 전극이 프로세스 공간의 대향하는 두 벽을 형성하고 있는 진공 챔버; 및 기체 재료, 특히 코팅 또는 세정 재료를 프로세스 공간 내로 또는 외부로 유입 또는 제거하기 위한 유입 수단 및 제거 수단을 포함하는 것인 평판 기판의 처리 방법에 있어서, 전극들 사이의 상대 간격을 조절하되, 상대적으로 큰 제1 간격은 프로세스 공간에 하나 이상의 기판을 로딩 또는 언로딩할 때에 제공하는 한편, 상대적으로 작은 제2 간격은 하나 이상의 기판의 처리를 수행하는 중에 제공하며, 및/또는 적어도 처리 수행 동안, 특히 코팅 동안, 바람직하게는 프로세스 공간에 로딩 또는 언로딩 동안에도, 처리 대상 표면을 아래로 향하게 한 상태로 수직 방향에 대해 0°내지 90°범위의 각도 α로 하나 이상의 기판을 배치하는 것을 특징으로 하는 평판 기판의 처리 방법이 제공된다.
본 발명의 또 다른 관점에 따르면, 평판 기판의 처리 방법으로서, 종방향을 따라 연장하는 운반 공간, 이 운반 공간에 할당 배치되는 평판 기판 처리용의 하나 이상의 프로세스 컨테이너, 및 종방향을 따라 이동 가능한 기판 운반용 운반 로봇을 마련하고, 상기 프로세스 컨테이너 및/또는 운반 로봇은 적어도 미리 주어진 시간 간격 동안, 바람직하게는 프로세스 컨테이너 내에서 기판의 임의의 처리 수행 동안, 처리 대상 표면이 수직 방향에 대해 0°내지 90°범위의 각도 α로 되게 기판이 배치되게 할 수 있는 것인 평판 기판의 처리 방법에 관한 것이다.
본 발명의 여러 관점에 있어서의 추가적인 유리한 실시예들은 종속 청구항에 제시된다.
이하, 본 발명이 도면을 참고로 상세히 설명되며, 상기 도면에는 청구범위의 요약과는 관계없이, 본 발명의 다른 장점, 세부 사항 및 장점이 나타난다.
도 1은 좁아진 간격으로 서로 배치된 2개의 전극을 가진 리액터의 종단면 평면도.
도 2는 펌프 채널을 추가로 포함하는, 도 1과 유사한 리액터의 종단면도.
도 3은 전극들이 넓어진 간격으로 서로 배치되고 기판이 부분적으로 리액터 내로 도입되어 있는 도 2에 도시된 리액터의 종단면도.
도 4는 수직 방향(L)과 함께 리액터의 상대 전극 및 하우징 벽을 나타내는 종단면 측면도.
도 5는 평판 기판용 핸들링 장치의 그리핑 암의 측 평면도.
도 6은 하나의 프레임 랙 및 2개의 베이를 가진 핸들러 조립체의 사시도.
도 7은 처리 라인의 평면 단면도.
도 8은 처리 라인의 사시도.
도 9은 처리 라인의 확대 사시도.
도 10은 셔틀을 가진 처리 라인의의 단면도.
도 11은 2중 프로세스 공간 리액터의 종단면도.
평판 기판 처리용 리액터, 평판 기판용 핸들링 장치, 평판 기판의 처리 장치 및 평판 기판의 처리 방법의 하기 설명은 구조적 관점에 초점을 두며, 상기 장치 및 방법이 상세하게 도시되지 않은 센서들, 가열 및 냉각 시스템들, 제어 장치들 및 구동 장치들을 포함한다는 것은 당업자에게 자명한 사실이다.
도 1은 평판 기판(3)을 처리하기 위한 리액터(1)를 개략적으로 도시한다. 리액터(1)는 예컨대 PECVD-리액터로서 설계될 수 있다. 리액터(1)는 전극(5) 및 상대 전극(7)을 가진 프로세스 공간(9)을 포함한다. 상기 전극들은 하나 또는 다수의 평판 기판(3)의 처리 대상 표면의 처리를 위한 플라즈마를 생성하도록 설계된다. 전극들(5, 7)은 프로세스 공간(9) 내에 전기장을 발생시키기 위해 도시되지 않은 전압원, 바람직하게는 무선 주파수 공급원에 접속될 수 있거나 또는 접속되어 있을 수 있다. 전극들(5, 7)은 바람직하게는 고효율 박막 태양 모듈, 예컨대 비결정질 또는 마이크로 결정질 실리콘-박막-태양 전지의 제조시 처리 단계와 같은 적어도 1.4 ㎡의 면적을 가진 기판의 처리를 위해 설계된다.
전극들(5, 7)은 프로세스 공간(9)의 2개의 대향 벽을 형성한다. 프로세스 공간(9)은 진공 챔버(11) 내에 배치되고, 상기 진공 챔버는 로딩 및 언로딩 개구(49)를 가지며, 상기 개구는 폐쇄 장치(27)로 폐쇄 가능하다. 폐쇄 장치는 선택 사항이다. 진공 챔버(11)는 리액터(1)의 하우징(13)으로 형성된다. 주변에 대한 밀봉을 위해, 시일(15)이 제공된다.
진공 챔버(11)는 예컨대 둥근 또는 다각형, 특히 직사각형 횡단면을 가진 임의의 원하는 공간 형상을 가질 수 있다. 프로세스 공간(9)은 예컨대 평행 육면체 로 형성된다.
기체 재료의 유입 및 제거를 위해, 공지된 수단이 제공된다. 기체 재료는 특히 코딩 또는 세정 재료이다. 세정 재료는 예컨대 NF3일 수 있다. 기체 재료의 유입 및 제거는 순차적으로 또는 병렬로 이루어질 수 있다.
도 1 및 도 2에는 기체 재료를 제거하기 위한 수단으로서 진공 펌프(17) 및 해당 진공 라인(18)이 도시된다. 기체 재료를 유입하기 위한 수단으로는 가스 분배기(25)가 연결된 채널(23)을 가진 코팅 재료 공급원(19)이 제공된다. 가스 분배기(25)는 본 실시예에서 샤워기와 유사하게 형성되고, 프로세스 공간(9) 내로 통하는 다수의 관통구를 포함하고, 상기 관통구를 통해 기체 재료가 프로세스 공간(9) 내로 유입된다. 물론, 기체 재료를 유입하기 위한 수단은 가스 분배기(25)뿐만 아니라 도 1에 도시된 것과는 달리 형성할 수도 있다.
본 발명에 따라 리액터(1)는 전극들 사이의 상대 간격을 변경하기 위한 장치를 포함하며, 이 장치는 도 1 내지 도 3의 실시예에서 슬라이딩 볼트(41)로서 형성되고, 상기 슬라이딩 볼트는 지지 플레이트(43)에 의해 진공 챔버(11) 내에서 직선 운동을 할 수 있다. 슬라이딩 볼트는 전극(5)으로부터 멀리 위치한 상대 전극(7)의 배면에 연결된다. 슬라이딩 볼트(41)에 할당 배치된 구동 장치는 도시되지 않는다.
전극(5)은 진공 챔버(11) 내의 유지 구조 내에 배치되는 데, 이 유지 구조는 도 1 내지 도 3에서 하우징 후방 벽(33)으로 형성된다. 이를 위해, 전극(5)은 유지 구조의 리세스 내에 수용되고, 유전체(34)에 의해 진공 챔버 벽으로부터 분리된 다. 상대 전극(7)은 전극(5)을 향한 그 전면에 기판(3)을 수용한다.
도 1에서는 상대 전극(7)이 처리 수행 동안 리세스를 덮고 있는 것을 확인할 수 있다. 이 경우, 상대 전극(7)의 에지 영역과 리세스의 에지 영역 사이에는 1㎜ 크기 정도의 폭을 갖는 갭이 형성된다. 갭 폭의 치수는 처리 수행 동안 플라즈마가 프로세스 공간의 내부에 유지될 수 있도록 설정된다. 갭은 프로세스 공간과 진공 챔버(11)의 나머지 내부 공간 간에 과도하게 큰 압력 강하를 초래하지 않는 효과를 갖는다. 프로세스 공간(9) 외부에 배치된 진공 챔버(11)의 영역들이 진공 라인(18)을 통해 진공 펌프(17)와 연결되므로, 진공 펌프(17)의 작동시 더 큰 체적으로 인해 갭을 통과해 프로세스 공간(9)으로부터 나오는 가스 흐름의 높은 균일성이 간단히 달성될 수 있다. 물론, 본 발명은 프로세스 공간으로부터 기체 재료를 배출하기 위한 수단의 다른 구성도 포함한다.
도 2 및 도 3은 도 1에 도시된 리액터(1)와 유사한 다른 리액터(1)를 도시한다. 이하에서는 차이점만이 설명된다.
도 2 및 도 3에 따른 리액터(1)는 유지 구조에 홈형의 제2 리세스로 형성된 바람직하게는 환형의 펌프 채널(29)을 구비한다. 상류에서, 펌프 채널(29)은 배기 채널(31)을 통해 프로세스 공간(9)과 연결된다. 펌프 채널(29)은 또한 하류에서 진공 라인(18)을 통해 진공 펌프(17)와 연결된다. 펌프 채널은 리세스가 상대 전극(7)에 의해 덮이는 경우에 진공 챔버(11)로부터 기밀한 방식으로 분리될 수 있거나 또는 분리되어 있게 된다. 이를 위해, 바람직하게는 내열성 시일(37)이 제공된다. 그러한 덮는 상태는 바람직하게 평판 기판의 처리 수행 동안에 이루어진다. 이는 유리하게는 처리 수행 동안 처리 챔버 내에서의 10-2 내지 10-4mbar의 작동 압력에 비해 프로세스 공간(9) 내에서 상대적으로 높은 10 mbar 이하의 작동 압력을 가능하게 한다.
본 발명에 따른 다른 실시예에서, 상대 전극(7)은 도 1 내지 도 3에 도시되지 않은 평판 기판 수용 장치를 포함한다. 상기 기판 수용 장치는, 기판(들)이 적어도 처리 대상 또는 처리 완료 표면을 처리 수행 동안에 아래로 향하게 한 상태로 수직 방향에 대해 0°내지 90°범위의 각도 α를 이루게 하거나 그렇게 배치되도록 구현된다. 기판의 이러한 배치시, 코팅 대상 또는 코팅 완료 기판 표면의 오염이 방지되거나 또는 적어도 감소할 수 있는데, 그 이유는 관련 입자가 중력에 의해 아래쪽으로 떨어져, 오염에 노출된 표면으로부터 제거되기 때문이다. 각도 α의 값은 1°, 3°, 5°, 7°, 9°, 11°, 13°, 15°, 17°, 20°, 25°, 30°, 40°, 45°가 바람직하다.
도 3에서는, 폐쇄 장치(27)는 도시되지 않았으며, 기판(3)은 부분적으로만 개구(49)를 통해 리액터(1)의 프로세스 공간(9) 내로 도입되어 있다. 2중 화살표(47)는 기판(3)의 로딩 또는 언로딩 운동 방향을 나타낸다. 뒤로 당겨져 하우징(13)의 하우징 벽(45) 근처에 위치한 상대 전극에 의해, 기판(3)이 특히 간단히 프로세스 공간(9) 내로 도입될 수 있는데, 그 이유는 이를 위해 진공 챔버(11)의 거의 전체 공간이 이용될 수 있기 때문이다.
리액터(1) 내로 기판(3)이 도입된 후에, 기판(3)은 전극(5)을 향한 상대 전 극(7)의 전면에 의해 수용될 수 있다.
기판 수용 장치는 캐리어를 가진 기판을 위해 설계될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에서, 기판 수용 장치는 하나 또는 다수의 기판의 프레임 없이 수용하기 위해서나 프레임 없는 캐리어를 위해 설계된다.
기판 수용 장치는 또한 수용될 또는 수용된 기판과 상대 전극의 전면 사이의 간격을 변경하도록 설계될 수 있다. 특히, 기판은 처리 수행 동안보다는 프로세스 공간에 로딩 또는 언로딩 시에 상대 전극의 상기 표면과의 더 큰 간격을 가질 수 있다.
기판 수용 장치는 적어도 상대 전극(7)의 상부 에지 영역에 하나 또는 다수의 기판용 하나 이상의 상부 유지 요소를 갖는 한편, 적어도 상대 전극(7)의 하부 영역에 하나 또는 다수의 기판용 하나 이상의 하부 유지 요소를 갖는다.
도 4는 수직 방향(L)과 함께 리엑터의 상대 전극(100) 및 하우징 벽(120)을 나타내는 종단면 측면도로서, 처리 대상 표면을 아래로 향하게 한 상태로 기판(105)이 수직 방향(L)에 대해 0°내지 90°범위의 각도 α로 배치되어 있는 것을 나타내고 있다. 상대 전극에 대향 배치된 전극은 도시하지 않았다.
하부 유지 요소는 기판(105)의 하부 에지에 대한 지지 요소(115)로서 형성된다. 이 경우, 지지 요소(115)는 프로세스 공간(도 4에서는 도시 생략) 내로 돌출하는 금속 지지부(116) 및 바람직하게는 세라믹으로 이루어진 중간 부분(117)을 가진 볼트(118)로 형성되고, 상기 볼트는 상대 전극(100) 내의 부싱을 통해 상대 전극(100)의 배면측의 진공 챔버(11)의 영역 내로 연장된다. 볼트(118)의 단부 영역 은 하우징 벽(120)의 방향으로 상대 전극(100)을 당길 때 스토퍼(119)에 대해 눌려짐으로써, 상대 전극(100)의 전면으로부터 프로세스 공간의 방향으로 이동할 수 있다. 따라서, 기판(105)의 하부 에지가 상대 전극(120)의 전면으로부터 멀어지게 이동함으로써, 그 전면으로부터 더 큰 간격을 갖는다. 적어도 볼트(118)의 일부분은 예를 들면 질소와 같은 불활성 가스로 채워질 수 있는 보호 인클로져(130)에 의해 둘러싸여, 그 영역에서 부식 방지를 향상시키게 되며, 이는 특히 고부식성 세정제가 유입될 때에 적합하다.
상부 유지 요소는 기판(105)의 상부 에지 영역용 금속제 상대 지지부(111)를 가진 상대 지지체(110)로 형성된다. 이 상대 지지체는 상대 전극(100) 내의 부싱을 통과해 상대 전극(100)의 배면측의 진공 챔버(11)의 영역 내로 연장하는 볼트(113)와 연결된다. 또한, 바람직하게는 세라믹으로 이루어진 중간 부분(112)이 상대 지지부(111)와 볼트(113) 사이에 마련된다. 볼트(113)는 하우징 벽(120)의 방향으로 상대 전극(100)을 당길 때 스토퍼(114)에 대해 눌려져, 상대 전극(100)의 전면에 대해 상대 운동을 할 수 있다. 따라서, 기판(105)과 상대 전극(100)의 전면 사이의 간격이 커질 수 있다. 기판(105)과 상대 전극(100)의 전면 사이의 간격을 예시한 바와 같이 변화시킴으로써, 프로세스 공간에 대한 기판의 확실한 로딩 및 언로딩이 이루어질 수 있는데, 그 이유는 기판이 로딩 및 언로딩 동안 상대 전극(100)의 전면에 대해 공간적으로 해방되기 때문이다.
본 발명의 바람직한 실시예에서, 상대 전극(100)이 예컨대 기판의 처리를 수행하기 위해 전극의 방향으로 이동되면, 상대 전극의 전면에 대해 선형으로 상대 운동 가능한 유지 요소는 예컨대 전극이 배치된 리세스의 코팅 없는 에지 영역에 위치한 하나 또는 다수의 스토퍼에 대해 눌려진다. 따라서, 기판과 상대 전극의 전면 사이의 간격이 줄어들고, 유리하게는 기판이 전면에 대해 가압됨으로써, 처리 수행 동안 기판의 위치 고정이 이루어질 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에서, 대안으로서 또는 추가로 하나 또는 다수의 유지 요소가 기판의 하나 또는 2개의 측면 영역에 할당 배치된다.
또한, 기판의 로딩 또는 언로딩 운동을 용이하게 하기 위해, 유지 요소는 상대 전극의 전면에 대해 선회 가능하게 이동될 수 있다.
적어도 처리 수행 동안, 특히 코팅 실시 동안 프로세스 공간 내에 규정된 전위 조건이 중요하기 때문에, 유지 요소들은 전기적으로 부동 방식으로 형성된다.
하나 이상의 그리핑 암 모듈을 가진 본 발명에 따른 평판 기판용 핸들링 장치에서, 그리핑 암 모듈은 기판이 예컨대 프로세스 공간에 로딩 및 언로딩 동안 처리 대상 또는 처리 완료 표면을 아래로 향하게 한 상태로 수직 방향에 대해 0°내지 90°범위의 각도 α로 배치되도록 구현된다. 각도 α는 바람직하게는 1°, 3°, 5°, 7°, 9°, 11°, 13°, 15°, 17°, 20°, 25°, 30°, 40°, 45°의 값을 갖는다.
도 5에는 그리핑 암(200)이 도시되어 있으며, 이 그리핑 암은 상부 및 하부 포크 날(fork prong)(206, 207)을 가진 프레임 랙(205)을 포함한다. 상부 포크 날(206)에는 상대 지지체(211)가 제공되고, 하부 포크(207)에는 그리핑 암(200)에 의해 장착된 기판(220)을 위한 지지부(212, 213)가 제공된다. 그리핑 암(200)은 기판(220)을 프레임 없이 장착할 수 있게 하고, 기판은 그 하부 에지 중 하나에서 세워져 배치된다. 프레임 랙은 구동 장치에 의해 화살표(225)에 대해 평행하게 수직으로 그리고 화살표(230)에 대해 평행하게 수평으로 이동될 수 있다. 수직 운동에 의해 기판(220)은 기판 장착부의 하나 이상의 하부 유지 요소 상에 놓이거나 또는 그로부터 꺼내질 수 있다.
도 6에는 프레임 랙(305) 및 베이(350)를 가진 핸들러 조립체(300)가 사시도로 도시된다.
프레임 랙은 화살표(330)의 방향에 대해 평행하게 베이(350) 내로 삽입하고 그로부터 꺼낼 수 있다. 또한, 핸들러 조립체(300)는 보이지 않는 다른 프레임 랙과 함께 제2 베이(355)를 갖고 있다. 기판(320)은 도 5에 도시된 것과 유사하게 포크 날(306)과 포크 날(307) 사이의 영역 내에 배치된다. 또한, 핸들러는 적어도 베이(350) 내로 삽입된 프레임 랙(305) 내의 기판의 온도 조절을 위한 가열 요소(325)를 포함한다. 핸들러 조립체는 또한 휠(340)을 포함하며, 상기 휠에 의해 핸들러 조립체의 이동성이 보장된다. 화살표(330)의 방향에 대해 평행한 프레임 랙(305)의 운동과 더불어, 프레임 랙(305)의 수직 운동이 가능하다. 프레임 랙의 운동을 실행하기 위해 필요한 구동 시스템은 도 5 및 도 6에 도시하지 않았다.
본 발명에 따른 핸들링 장치가 본 발명에 따른 리액터에 할당 배치되는 것이 바람직하다. 이 경우, 리액터의 프로세스 공간에 기판의 로딩 또는 언로딩은 프로세스 공간 내로 도입되거나 그로부터 제거될 기판의 표면에 대해 평행한 그리핑 암의 수평 방향 또는 수직 방향으로의 운동의 조합에 의해 이루어진다. 바람직하게 는, 도 4와 관련해서 설명한 바와 같이, 로딩 또는 언로딩 동안 기판과 상대 전극의 전면 사이의 간격이 비교적 크게 유지되고 기판이 기판 수용 장치의 하나 이상의 하부 유지 요소 상에 놓이거나 또는 하부 유지 요소로부터 꺼내진다.
제1 그리핑 암과 제2 그리핑 암을 구비한 핸들링 장치의 경우, 리액터에서 처리된 하나의 기판을 제2 기판으로 교체하는 것이 간단히 이루어질 수 있다. 이 경우, 제1 기판은 리액터로부터 언로딩되어 핸들링 장치 내로 도입되고, 후속해서 핸들링 장치 내에 이미 존재하는 제2 기판이 리액터 내로 도입된다. 이때, 로딩 및 언로딩 개구에 대한 그리핑 암의 정확한 위치 설정을 보장하기 위해, 리액터에 대한 핸들링 장치의 운동만이 필요하다.
본 발명에 따른 평판 기판의 처리 장치는 도 7에서 평면 단면도로 도시된다.
도 7의 경우, 터널(420)로서 구현된 운반 공간과, 이 터널(420)에 연결되어 평판 기판의 처리를 담당하는 리엑터(410)로서 구현된 일련의 프로세스 컨테이너를 구비한 처리 라인(400)을 도시하고 있다.
바람직하게는 온도 조절되는 터널(420) 내에는 로봇(430)이 배치되는 데, 명확화를 위해 터널(420) 내에서의 제2 위치의 로봇은 도면 부호 430'으로 표시하고 있다. 로봇(430)은 가이드 레일(435) 상에 배치된다. 또한, 처리 라인의 입구에 2개의 가열 모듈(450, 455)이 제공되며, 이들 가열 모듈(450)은 예컨대 대기압에서 가열을 가능하게 한다. 프로세스 컨테이너 또는 리액터(410)는 밸브(440)를 통해 터널에 연결된다. 터널(420)은 배기될 수 있고 및/또는 불활성 가스, 예컨대 질소 또는 아르곤 등으로 채워질 수 있다. 터널로부터 분리된 리액터는 도면 번호 415 로 표시되어 있다.
도 7에서와 같은 처리 라인은 박막 태양 전지용 기판의 처리를 위해 특히 적합하다. 이러한 박막 태양 전지는 비결정질 실리콘으로 이루어진 P-I-N 층 및 마이크로 결정질 실리콘으로 이루어진 P-I-N 층으로 이루어진다. 바람직하게는, 도핑 층 및 진성 층(intrinsic layers)은 진성 층의 효율에 부정적 영향을 줄 수 있는 도펀트의 혼입을 방지하기 위해, 상이한 프로세스 컨테이너 내에서 증착된다. 도시된 처리 라인은 고효율의 병렬 처리를 가능하게 한다.
도 8에는 도 7의 처리 라인의 사시도가 도시되어 있으며, 여기서 결합 및 분리 가능한 모듈로서 구현된 리액터(410)가 레일(416) 상에 이동 가능하게 배치됨으로써, 처리 라인의 중단이 최소화된다. 유지 보수 시에 또는 고장의 경우, 나머지 프로세스를 중단시키지 않고 리액터를 터널로부터 분리할 수 있다.
도 9에서는 리액터(415)가 분리된 상태에서의 처리 라인(400)에 대해 보다 상세하게 도시하고 있다. 여기에서는 명확화를 위해 밸브(40)를 개방하여, 터널 내에서 로봇 상에 위치한 기판(490)을 확인할 수 있도록 하고 있다.
도 10에는 본 발명에 따른 평판 기판 처리 장치의 다른 실시예가 도시되어 있으며, 여기에서 운반 로봇은 진공 컨테이너 및 이 진공 컨테이너 내에 배치된 평판 기판용 핸들링 장치를 가진 셔틀(438 또는 438')로서 구현된다. 셔틀은 밸브(436)를 포함하고, 이 밸브에 의해 셔틀이 프로세스 컨테이너(410)와 진공 기술적 측면에서 연결될 수 있다. 본 발명의 본 실시예의 경우, 운반 공간은 바람직하게는 배기 불가능하게 구현된다. 본 발명의 이러한 실시예는 매우 큰 기판에 특히 적합한데, 그 이유는 배기할 체적을 적게 유지할 수 있기 때문이다. 셔틀(438)을 파워 및 매체 공급부와 연결하기 위해, 드래그 체인(439: drag chain)이 제공될 수 있다. 바람직한 실시예에서, 셔틀(438)은 진공 컨테이너가 베이스 플레이트 상에 배치될 바람직하게는 소형의 전용 펌핑 스테이션을 구비하고 있다. 셔틀(438) 또는 진공 컨테이너가 프로세스 컨테이너와 결합되면, 2개의 밸브 사이에 있는 중간 체적은 적절한 펌프에 의해 배기되거나, 어쩌면 존재하는 셔틀 펌프에 의해 계량 밸브를 통해 배기될 수 있다.
센서들이 제공되면, 프로세스 컨테이너 내의 전극 또는 상대 전극에 대한 진공 컨테이너 내에 배치된 핸들러 및/또는 해당 기판의 상대 위치를 검출하는 데에 유리하다. 프로세스 컨테이너에 기판의 로딩 및 언로딩을 위한 정확한 결합은 제어 장치에 의해 제어될 수 있다.
도 11에는 평판 기판을 처리하기 위한 다른 리액터가 단면도로 도시되어 있다. 이 리액터는 제1 프로세스 공간(530)이 마련된 제1 진공 챔버(520)와, 처리 대상 표면의 처리를 위한 플라즈마를 생성하기 위한 제1 전극(501) 및 제1 상대 전극(502)을 포함하며, 이들 제1 전극(501) 및 제1 상대 전극(502)은 프로세스 공간(520)의 2개의 대향 벽들을 형성한다.
또한, 전극들 사이의 상대 간격을 변경하기 위한 장치가 제공되며, 상대적으로 큰 제1 간격은 프로세스 공간(520)에 대해 기판의 로딩 또는 언로딩시 사용되고, 상대적으로 작은 제2 간격은 하나 이상의 기판의 처리시 사용된다. 전극들 사이의 상대 간격을 변경하기 위한 장치는 편심기(512)를 포함하고, 이 편심기를 통 해 회전 구동 장치(508)가 상대 전극(502)의 평행 이동을 일으킬 수 있다. 또한, 디스크 스프링(506)이 제공되고, 이 판 스프링은 상대 전극(502)의 요동 운동을 허용한다. 이러한 요동 운동은 편심기 구동 장치(512)에 의해 제한된다. 또한, 상대 전극에 할당 배치된 기판 수용 장치가 제공되고, 상기 기판 수용 장치는 이미 설명된 장치와 유사하며 도 11에 상세히 도시하진 않는다.
리액터(500)는 또한 제2 프로세스 공간이 마련된 제2 진공 챔버를 포함하며, 처리 대상 표면의 처리를 위한 플라즈마를 생성하는 제2 전극 및 제2 상대 전극이 제2 프로세스 공간의 2개의 대향 벽을 형성하게 마련되어 있다. 제2 프로세스 공간을 가진 제2 진공 챔버는 제1 프로세스 공간을 가진 제1 진공 챔버와 유사하게 형성되어, 제1 전극의 배면 상에, 즉 제1 전극에서의 제1 상대 전극과는 반대쪽에 에 배치된다. 바람직하게는 제2 진공 챔버는 제1 진공 챔버에 대해 거울상으로 형성된다. 제2 진공 챔버는 또한 전극과 상대 전극 사이의 간격을 변경하기 위한 장치를 포함한다. 또한, 리액터(500)는 무선 주파수 공급원(510), 하우징 스트립(511), 세라믹 스토퍼(513), 하우징 도어(514), 시일(516) 및 진공 벨로우즈(517)를 포함한다.
<도면 부호>
1 : 리엑터 3 : 기판
5 : 제1 전극 7 : 제2 전극
9 : 프로세스 공간 11 : 진공 챔버
13 : 하우징 15 : 시일
17 : 진공 펌프 18 : 진공 라인
19 : 코팅 재료 공급원 21 : 표면
23 : 채널 25 : 가스 분배기
27 : 폐쇄 장치 29 : 펌프 채널
31 : 배기 채널 33 : 하우징 후방 벽
34 : 유전체 35 : 홈
37 : 밀봉 링 38 : 밀봉 링
39 : 이중 화살표 41 : 슬라이딩 볼트
43 : 지지 플레이트 45 : 하우징 벽
47 : 이중 화살표 49 : 개구
100 : 상대 전극 105 : 기판
110 : 상대 지지체 111 : 상대 지지부
112 : 중간 부분 113 : 볼트
114 : 스토퍼 115 : 지지 부재
116 : 지지부 117 : 중간 부분
118 : 볼트 119 : 스토퍼
120 : 하우징 벽 130 : 보호 엔클로져
200 : 그리핑 암 205 : 프레임 랙
206 : 포크 날 207 : 포크 날
211 : 상대 지지체 212 : 지지부
213 : 지지부 220 : 기판
225 : 화살표 230 : 화살표
300 : 핸들러 조립체 305 : 프레임 랙
306 : 포크 날 307 : 포크 날
320 : 기판 325 : 가열 요소
330 : 화살표 340 : 휠
350 : 베이 355 : 베이
400 : 처리 라인 405 : 처리 라인
410 : 리엑터 415 : 분리된 리엑터
416 : 레일 420 : 터널
430 : 로봇 430' : 로봇
435 : 가이드 레일 436 : 밸브
439 : 드래그 체인 440 : 밸브
450 : 가열 모듈 455 : 가열 모듈
460 : 화살표 470 : 화살표
480 : 화살표 490 : 기판
500 : 리엑터 501 : 전극
502 : 상대 전극 503 : 유전체
504 : 기판 505 : 공급 및 배출 라인
506 : 디스크 스프링 507 : 평판 스트립 서스펜션
508 : 회전 구동 장치 509 : 무선 주파수 접촉 스트립
510 : 무선 주파수 공급원 511 : 하우징 스트립
512 : 편심기 513 : 세라믹 스토퍼
514 : 하우징 도어 515 : 리엑터의 제2 절반부
516 : 시일 517 : 진공 벨로우즈

Claims (38)

  1. 평판 기판 처리용 리액터, 특히 코딩 재료로 평판 기판을 코팅하기 위한 리액터로서,
    - 프로세스 공간이 내부에 마련되는 한편, 처리 대상 표면을 처리하기 위한 플라즈마를 생성하는 제1 전극 및 상대 전극이 프로세스 공간의 대향하는 두 벽을 형성하고 있는 진공 챔버; 및
    - 기체 재료, 특히 코팅 또는 세정 재료를 프로세스 공간 내로 유입 및/또는 프로세스 공간으로부터 제거하기 위한 유입 수단 및 제거 수단을 포함하며,
    - 하나 이상의 기판은 상기 전극을 향한 상대 전극의 전면에 의해 수용될 수 있고,
    - 상기 진공 챔버에는 바람직하게는 폐쇄 장치를 가진 로딩 및 언로딩 개구가 마련되는 것인 평판 기판 처리용 리액터에 있어서,
    전극들 사이의 상대 간격을 변경하기 위한 간격 변경 장치가 마련되어, 상대적으로 큰 제1 간격은 프로세스 공간에 하나 이상의 기판을 로딩 또는 언로딩할 때에 제공하는 한편, 상대적으로 작은 제2 간격은 하나 이상의 기판의 처리를 수행하는 중에 제공하며, 및/또는
    상대 전극에 할당 배치되어 기판을 수용하도록 된 기판 수용 장치가 마련되되, 하나 이상의 기판이 적어도 처리 수행 동안, 특히 코팅 동안, 바람직하게는 프로세스 공간에 로딩 또는 언로딩 동안에도, 처리 대상 표면을 아래로 향하게 한 상 태로 수직 방향에 대해 0°내지 90°범위의 각도 α로, 바람직하게는 1°, 3°, 5°, 7°, 9°, 11°, 13°, 15°, 17°, 20°, 25°, 30°, 40°, 45°의 각도로 배치되게 구현되는 기판 수용 장치가 마련되는 것을 특징으로 하는 평판 기판 처리용 리액터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전극들 중 하나 이상의 전극은 코팅 재료 및/또는 세정 재료용 가스 분배기를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 기판 처리용 리액터.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 전극을 위해 상기 진공 챔버 내에 유지 구조가 제공되고, 상기 전극은 상기 유지 구조의 리세스 내에 배치되며, 상기 상대 전극은 처리 수행 동안 상기 리세스를 덮으며, 상기 상대 전극의 에지 영역과 상기 리세스의 에지 영역 사이에 갭이 형성되고, 상기 갭은 상기 프로세스 공간에서 생성된 플라즈마가 상기 프로세스 공간 내부에 유지되거나 또는 유지될 수 있도록 하는 치수로 되며, 바람직하게는 상기 진공 챔버는 상기 프로세스 공간 외부에 배치된 영역에서 진공 펌프와 연결될 수 있거나 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 평판 기판 처리용 리액터.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 전극을 위해 상기 진공 챔버 내에 유지 구조가 제공되고, 상기 전극은 상기 유지 구조의 제1 리세스 내에 배치되며, 상기 지지 구조 내에 제2 리세스가 제공되고, 상기 제2 리세스는 상기 프로세스 공간에 할 당 배치된 펌프 채널을 형성하고, 상기 펌프 채널은 진공 펌프와 연결될 수 있거나 또는 연결되어 있고, 상기 프로세스 공간은 하나 이상의 배기 채널을 통해 상기 펌프 채널에 연결되고, 상기 상대 전극은 적어도 처리 수행 동안 상기 제1 및 제2 리세스를 덮는 것을 특징으로 하는 평판 기판 처리용 리액터.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 진공 챔버에는 하나 이상의 기판을 상기 프로세스 공간에 로딩 및 언로딩하기 위한 핸들링 장치가 할당 배치되는 것을 특징으로 하는 평판 기판 처리용 리액터.
  6. 제5항에 있어서, 상기 핸들링 장치는 하나 이상의 기판이 적어도 상기 프로세스 공간에 로딩 및 언로딩 동안에 처리 대상 표면을 아래로 향하게 한 상태로 수직 방향에 대해 0°내지 90°범위의 각도 α로, 바람직하게는 1°, 3°, 5°, 7°, 9°, 11°, 13°, 15°, 17°, 20°, 25°, 30°, 40°, 45°의 각도로 배치되도록 구현되는 것을 특징으로 하는 평판 기판 처리용 리액터.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판 수용 장치는 캐리어 프레임을 갖도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 평판 기판 처리용 리액터.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판 수용 장치는 하나 또는 다수의 기판을 프레임 없이 수용하도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 평판 기 판 처리용 리액터.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판 수용 장치는 상기 기판과 상기 상대 전극의 전면 사이의 간격을 변경시키도록 이루어지고, 특히 상기 기판은 처리 수행 동안보다는 상기 프로세스 공간에 로딩 또는 언로딩시에 상기 상대 전극의 상기 전면으로부터 더 큰 간격을 두고 있을 수 있는 것을 특징으로 하는 평판 기판 처리용 리액터.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판 수용 장치는 적어도 상부 에지 영역에 하나 또는 다수의 기판용 하나 이상의 상부 유지 요소를 포함하며, 적어도 하부 영역에 하나 또는 다수의 기판용 하나 이상의 하부 유지 요소를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 기판 처리용 리액터.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 상부 유지 요소는 하나 또는 다수의 기판의 상부 에지 영역를 위한 상대 지지체로서 형성되는 것을 특징으로 하는 평판 기판 처리용 리액터.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 하부 유지 요소는 하나 또는 다수의 기판의 하부 에지를 위한 지지 부재로서 형성되는 것을 특징으로 하는 평판 기판 처리용 리액터.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 상부 및/또는 하부 유지 요소는 상기 상대 전극의 전면에 대해 선형으로 및/또는 선회 가능하게 운동할 수 있는 것을 특징으로 하는 평판 기판 처리용 리액터.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유지 요소는 상기 기판과 상기 상대 전극의 전면 사이의 간격을 변경시키도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 평판 기판 처리용 리액터.
  15. 제7항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 장착 장치는 금속으로 이루어진 구성 요소들을 포함하고, 상기 구성 요소들은 상기 프로세스 공간 내에 배치되어, 상기 상대 적극에 대해 또는 상기 프로세스 공간 내에서 플라즈마와 접촉하는 구성 요소에 대해 전기적으로 부동 상태이거나 또는 전기 절연되는 것을 특징으로 하는 평판 기판 처리용 리액터.
  16. 제11항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 상부 및/또는 하부 유지 요소는 각각 상기 상대 전극 내의 부싱을 통해 상기 상대 전극의 배면측의 상기 진공 챔버의 영역 내로 연장되어, 상기 진공 챔버 내에 배치된 구성 요소들과 협동함으로써 상기 상부 및/또는 하부 유지 요소의 선형 운동 및/또는 선회 운동을 일으킬 수 있는 것을 특징으로 하는 평판 기판 처리용 리액터.
  17. 하나 또는 다수의 기판용 하나 이상의 그리핑 암 모듈을 구비한 평판 기판용 핸들링 장치에 있어서,
    상기 그리핑 암 모듈은 상기 기판이 그 표면에 대해 평행하게 이동할 수 있는 한편, 적어도 프로세스 공간에 로딩 및 언로딩 하는 동안 처리 대상 표면을 아래로 향하게 한 상태로 수직 방향에 대해 0°내지 90°범위의 각도 α로, 바람직하게는 1°, 3°, 5°, 7°, 9°, 11°, 13°, 15°, 17°, 20°, 25°, 30°, 40°, 45°의 각도로 배치되도록 구현되는 것을 특징으로 하는 평판 기판용 핸들링 장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 그리핑 암 모듈에 베이가 할당 배치되고, 상기 그리핑 암 모듈은 상기 기판의 표면에 대해 평행하게 상기 베이 내로 삽입 및 그로부터 인출할 수 있는 것을 특징으로 하는 평판 기판용 핸들링 장치.
  19. 제17항 또는 제18항에 있어서, 상기 그리핑 암 모듈은 상기 기판의 장착을 위한 캐리어 프레임을 갖는 것을 특징으로 하는 평판 기판용 핸들링 장치.
  20. 제17항 또는 제18항에 있어서, 상기 그리핑 암 모듈은 상기 기판을 프레임 없는 장착하도록 이루어지고, 상기 기판들은 그 하부 에지에서 세워져 배치되는 것을 특징으로 하는 평판 기판용 핸들링 장치.
  21. 제20항에 있어서, 상기 그리핑 암 모듈은 상부 포크 날 및 하부 포크 날을 가진 프레임 랙으로서 형성되고, 상기 상부 포크 날은 상기 기판용 하나 이상의 상부 유지 요소를 가지며 상기 하부 포크 날은 상기 기판용 하나 이상의 하부 유지 요소를 갖는 것을 특징으로 하는 평판 기판용 핸들링 장치.
  22. 제21항에 있어서, 상기 상부 유지 요소는 하나 또는 다수의 기판의 상부 에지 영역을 위한 상대 지지체로서 형성되고 및/또는 상기 하부 유지 요소는 하나 또는 다수의 기판의 하부 에지를 위한 지지 부재로 형성되는 것을 특징으로 하는 평판 기판용 핸들링 장치.
  23. 제21항 또는 제22항에 있어서, 상기 프레임 랙은 프레임 랙과 장착부 사이에서 기판의 전달시 하나 또는 다수의 기판을 기판용 장착부의 적어도 하나의 하부 유지 요소에서 집어 올리거나 그에 내려놓기 위한 승강 장치에 의해 수직으로 이동되는 것을 특징으로 하는 평판 기판용 핸들링 장치.
  24. 제17항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 핸들링 장치는 그 이동성을 보장하기 위해 롤러, 휠 등을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 기판용 핸들링 장치.
  25. 제17항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서, 가열 컴포넌트가 상기 핸들링 장치 상의 또는 그 내의 기판의 온도 조절을 위해 제공되는 것을 특징으로 하는 평판 기판용 핸들링 장치.
  26. 제17항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 핸들링 장치는 바람직하게는 할당 배치된 베이를 가진, 하나 또는 다수의 기판용 제1 그리핑 암 모듈, 및 바람직하게는 할당 배치된 베이를 가진, 제2 그리핑 암 모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 기판용 핸들링 장치.
  27. 제1항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 핸들링 장치는 베이가 각각 할당 배치된 제1, 제2, 제3 및 제4 그리핑 암 모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 기판용 핸들링 장치.
  28. 종방향을 따라 연장하는 운반 공간, 이 운반 공간에 할당 배치되거나 또는 연결될 수 있는 평판 기판 처리용 하나 이상의 프로세스 컨테이너, 및 종방향을 따라 이동 가능한 기판 운반용 운반 로봇을 포함하는 평판 기판의 처리 장치에 있어서,
    상기 프로세스 컨테이너 및/또는 운반 로봇은 적어도 미리 주어진 시간 간격 동안, 바람직하게는 프로세스 컨테이너 내에서 기판의 임의의 처리 수행 동안, 처리 대상 표면이 수직 방향에 대해 0°내지 90°범위의 각도 α로, 바람직하게는 1°, 3°, 5°, 7°, 9°, 11°, 13°, 15°, 17°, 20°, 25°, 30°, 40°, 45° 의 각도로 되게 기판을 배치하도록 구현되는 것을 특징으로 하는 평판 기판의 처리 장치.
  29. 제28항에 있어서, 상기 운반 로봇은 진공 컨테이너 및 이 진공 컨테이너 내에 배치된 평판 기판용 핸들링 장치를 가진 셔틀로서 구현되는 것을 특징으로 하는 평판 기판의 처리 장치.
  30. 제29항에 있어서, 상기 진공 컨테이너는 프로세스 컨테이너와 진공 기술적 측면에서 연결될 수 있는 것을 특징으로 하는 평판 기판의 처리 장치.
  31. 제30항에 있어서, 센서들이 미리 주어진 영역, 특히 전극 또는 상대 전극에 대한 상기 진공 컨테이너 내에 배치된 핸들러 및/또는 이것에 할당 배치된 기판의 상대 위치를 검출하도록 제공되는 것을 특징으로 하는 평판 기판의 처리 장치.
  32. 제28항 내지 제31항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 프로세스 컨테이너는 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 따른 리액터인 것을 특징으로 하는 평판 기판의 처리 장치.
  33. 제32항에 있어서, 상기 프로세스 컨테이너는 상기 운반 공간에 결합 및 분리 가능한 모듈로서 형성되는 것을 특징으로 하는 평판 기판의 처리 장치.
  34. 제1항 내지 제33항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 프로세스 컨테이너는 상기 셔틀에 결합 및 분리 가능한 모듈로서 형성되는 것을 특징으로 하는 평판 기판의 처리 장치.
  35. 제32항 내지 제34항 중 어느 한 항에 있어서, 레일이 제공되고, 상기 레일 상에서 상기 프로세스 컨테이너가 이동 가능한 것을 특징으로 하는 평판 기판의 처리 장치.
  36. 제1항 내지 제35항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 운반 공간은 배기 가능하고 및/또는 불활성 가스 또는 순수 분위기(pure atmosphere)로 채워질 수 있는 운반 터널로서 형성되는 것을 특징으로 하는 평판 기판의 처리 장치.
  37. 제28항 내지 제36항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 운반 공간은 레일을 포함혹, 상기 레일 상에서 운반 로봇이 이동 가능한 것을 특징으로 하는 평판 기판의 처리 장치.
  38. 리액터 내에서 평판 기판을 처리하는 방법, 특히 코팅 재료로 평판 기판을 코팅하는 방법으로서, 상기 리엑터는,
    - 프로세스 공간이 내부에 마련되는 한편, 처리 대상 표면을 처리하기 위한 플라즈마를 생성하는 제1 전극 및 상대 전극이 프로세스 공간의 대향하는 두 벽을 형성하고 있는 진공 챔버; 및
    - 기체 재료, 특히 코팅 또는 세정 재료를 프로세스 공간 내로 또는 외부로 유입 또는 제거하기 위한 유입 수단 및 제거 수단을 포함하며,
    - 하나 이상의 기판은 상기 전극을 향한 상대 전극의 전면에 의해 수용될 수 있고
    - 상기 진공 챔버에는 바람직하게는 폐쇄 장치를 가진 로딩 및 언로딩 개구가 마련되는 것인 평판 기판 처리용 리액터에 있어서,
    전극들 사이의 상대 간격을 조절하되, 상대적으로 큰 제1 간격은 프로세스 공간에 하나 이상의 기판을 로딩 또는 언로딩할 때에 제공하는 한편, 상대적으로 작은 제2 간격은 하나 이상의 기판의 처리를 수행하는 중에 제공하며, 및/또는
    적어도 처리 수행 동안, 특히 코팅 동안, 바람직하게는 프로세스 공간에 로딩 또는 언로딩 동안에도, 처리 대상 표면을 아래로 향하게 한 상태로 수직 방향에 대해 0°내지 90°범위의 각도 α로, 바람직하게는 1°, 3°, 5°, 7°, 9°, 11°, 13°, 15°, 17°, 20°, 25°, 30°, 40°, 45°의 각도로 하나 이상의 기판을 배치하는 것을 특징으로 하는 평판 기판의 처리 방법.
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