NL1009767C2 - Werkwijze en inrichting voor het etsen van een substraat. - Google Patents
Werkwijze en inrichting voor het etsen van een substraat. Download PDFInfo
- Publication number
- NL1009767C2 NL1009767C2 NL1009767A NL1009767A NL1009767C2 NL 1009767 C2 NL1009767 C2 NL 1009767C2 NL 1009767 A NL1009767 A NL 1009767A NL 1009767 A NL1009767 A NL 1009767A NL 1009767 C2 NL1009767 C2 NL 1009767C2
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- etching
- chamber
- catalyst
- auxiliary chamber
- substrate
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
Description
Werkwijze en inrichting voor het etsen van een substraat.
De onderhavige uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het etsen van 5 een substraat, omvattende het in een etskamer plaatsen van dat substraat, het in die etskamer inbrengen van een eerste etsmiddel en/of etskatalysator afkomstig uit een eerste bron, het inbrengen van een tweede etsmiddel en/of etskatalysator uit een tweede bron, het na het etsen spoelen van die etskamer en het verwijderen van dat substraat, waarbij het eerste etsmiddel en/of etskatalysator vanaf die eerste bron via een hulpkamer aan de 10 etskamer toegevoerd worden.
Een dergelijke werkwijze is bekend uit EP 0335313A2.
Voor het etsen van siliciumdioxide van het oppervlak van halfgeleidersubstraten wordt een dergelijk substraat geplaatst in een met kunststof beklede roestvast stalen etskamer en vervolgens eventueel onder verlaagde druk behandeld door een corrosief 15 mengsel van azijnzuur, water of methanol (bij voorkeur 100%) en waterstoffluoride. Eerst wordt de kamer gevuld met de benodigde hoeveelheid azijnzuur waarbij daarna de benodigde hoeveelheid waterstoffluoride ingebracht wordt. De verschillende bronnen of toevoeren van waterstoffluoride en azijnzuur zijn elk met kleppen afsluitbaar. Het leidingsysteem bestaat hetzij uit roestvast staal hetzij uit kunststof, zoals Perfluoralkoxy 20 (PFA).
Hoewel een dergelijke werkwijze uitstekende etsresultaten oplevert, bestaat het probleem dat bij het openen van de waterstoffluoride-afsluiter enerzijds waterstoffluoride in de etskamer stroomt, maar onvermijdelijk wat azijnzuur langs die afsluiter terugdiffundeert in het leidingstelsel voor HF. Een dergelijke hoeveelheid blijkt in 25 praktijk zeer klein te zijn en geen nadelige invloed op de etssnelheid te hebben, maar wel is gebleken dat het achterliggende roestvrijstalen leidingstelsel tot aan de bron HF daardoor aangetast wordt en dat dit bij volgende etsen ongewenste metaalcontaminaten op het halfgeleidersubstraat tot gevolg kan hebben.
Dit betekent dat het soms noodzakelijk is een dergelijk leidingstelsel te vervangen 30 en dat het in ieder geval noodzakelijk is een dergelijk leidingstelsel aan een regelmatige controle te onderwerpen.
Beide handelingen belemmeren de procesgang en zijn van nadeel.
In bovengenoemde EP 0335313A2 worden werkwijze en inrichting beschreven 1009767 2 waarbij twee etsgassen aflcomstig uit een eerste en een tweede bron via een gemeenschappelijke leiding aan een hulpkamer toegevoerd worden. In die hulpkamer wordt een plasma opgewekt en dit wordt overgebracht naar de reactor. De gebruikte etsgassen zijn CF4 en O2. Het is van belang dat beide etsgassen gelijktijdig toegevoerd 5 worden en bij voorkeur continue vanaf de bron door de hulpkamer naar de proceskamer stromen.
Het is het doel van de onderhavige uitvinding het hierboven beschreven nadeel te vermijden en in een werkwijze te voorzien welke voortdurend uitgevoerd kan worden zonder dat permanente controle en/of vervanging van de leidingen noodzakelijk is.
10 Dit doel wordt bij een hierboven beschreven werkwijze verwezenlijkt doordat het tweede etsmiddel en/of etskatalysator via een andere weg aan die etskamer wordt toegevoerd en dat doorgang van dat eerste etsmiddel en/of etskatalysator door de hulpkamer zodanig intermiterend plaatsvindt, dat nooit rechtstreekse verbinding tussen de etskamer en de die eerste bron bestaat.
15 Door het gebruik van een hulpkamer is het weliswaar mogelijk dat bij het openen van de uitlaat van de hulpkamer naar de etskamer de andere reactant zoals azijnzuur terugdiffundeert in deze hulpkamer, maar deze reactant is niet in staat terug te diffunderen in het leidingstelsel voor die ene reactant zoals waterstoffluoride. Immers, de hulpkamer is aan die zijde afgesloten. Door het verwijderen voor het volgende proces 20 van beide reactanten uit de hulpkamer (en de etskamer), kan verdere terugdifïusie in de richting van de HF-toevoer uitgesloten worden. Gebleken is dat geen aantasting van de voorliggende leidingen plaatsvindt.
Daardoor is het mogelijk uitsluitend het leidingstelsel vanaf de hulpkamer tot de etskamer uit verhoudingsgewijs kostbare kunststof te vervaardigen, maar het 25 stroomopwaarts liggende deel van het leidingstelsel ten opzichte van de hulpkamer uit goedkoop roestvast staalmateriaal te vervaardigen. Dit geldt in het bijzonder indien een 'mass flow controller' toegepast wordt, welke niet in kunststof verkrijgbaar is.
Terugdiffunderen kan volledig uitgesloten worden indien volgens een voorkeursuitvoering van de uitvinding na behandeling in de etskamer spoelen via de 30 hulpkamer plaatsvindt. Na het sluiten van de uitlaatklep van de hulpkamer kan een verhoogde gasdruk met stikstof of ander inert gas in die hulpkamer aangebracht worden via de inlaatklep en kan de hulpkamer met behulp van deze stikstof gespoeld worden waarbij terugdiffunderen uitgesloten is. Daarbij is het mogelijk de hulpkamer ook bij het 1009767 3 spoelen met stikstof ten minste gedurende de eerste fase als sluis te gebruiken, d.w.z. eerst stikstof in de kamer in te laten, de inlaat van de hulpkamer te sluiten en vervolgens de uitlaat naar de etskamer te openen.
Volgens een andere mogelijkheid kunnen zowel de hulpkamer als de etskamer 5 geëvacueerd worden gevolgd door een of meer spoelingen met een inert gas, zoals stikstof.
Hierboven en hieronder wordt de uitvinding als voorbeeld beschreven aan de hand van het met waterstoffluoride en azijnzuur etsen van een halfgeleidersubstraat waarbij met stikstof gespoeld wordt. Begrepen zal worden dat de onderhavige uitvinding 10 toepasbaar is voor het etsen of anderszins behandelen van elk ander substraat met enige andere reactanten, waarbij het noodzakelijk is dat ten minste twee reactanten aanwezig zijn die van twee verschillende bronnen toegevoerd worden en pas op het moment van de reactie gemengd kunnen worden.
Volgens een verdere van voordeel zijnde uitvoering van de uitvinding is om de 15 hulpkamer een omloopleiding aanwezig. Daarmee wordt een stabiele stroming van waterstoffluoride al dan niet gemengd met stikstof ingesteld, zodat de hoeveelheid reactant die kortstondig in de hulpkmer ingebracht wordt nauwkeurig tijd-gestuurd gedoseerd kan worden.
Volgens een van voordeel zijnde uitvoering is het mogelijk in de hulpkamer een 20 absorbens voor de andere reactant aan te brengen. Indien deze andere reactant azijnzuur is, zou een dergelijk absorptievolume silicium kunnen omvatten.
De uitvinding heeft eveneens betrekking op een inrichting voor het uitvoeren van de hierboven beschreven werkwijze. Deze omvat een inrichting voor het etsen van een substraat, omvattende een etskamer voorzien van een inbreng/afvoeropening voor dat 25 substraat, een inbreng/afvoeropening voor reactanten aangesloten op een leidingsysteem voor de gescheiden toevoer van ten minste twee reactanten, waarbij een toevoer een hulpkamer omvat voorzien van een inlaat en uitlaat elk met een afsluiter waarbij de uitlaat met de etskamer verbonden is en de inlaat met de toevoer voor reactant.
Volgens een van voordeel zijnde uitvoering van de uitvinding is de etskamer niet 30 langer zoals in de stand der techniek opgebouwd uit een met kunststof bekleed metaalmateriaal, maar geheel uit kunststof vervaardigd. Dat wil zeggen, de kunststof neemt eveneens de in de etskamer heersende (onderdrukken op. Gebleken is dat door het met kunststof bekleden van staal nog altijd zekere poreusheid bestaat, terwijl afdichting 1009767 4 van de verschillende delen een probleem vormt waardoor op den duur aantasting plaatsvindt. Bovendien is het behandelen van dergelijke beklede staalplaten verhoudingsgewijs kostbaar en gebleken is dat het uit massieve kunststofdelen vervaardigen goedkoper is en dergelijke poreusheid vermindert terwijl geen aantasting is 5 waargenomen zodat regelmatige controle van de verschillende delen ook niet noodzakelijk is.
Als voorbeelden van kunststof worden genoemd polyvinylideenfluoride, polypropyleen, perfluoralkoxy en polytetrafluoretheen. Begrepen moet worden dat toepassing van een dergelijke uit kunststof bestaande kamer niet beperkt is tot combinatie 10 met de hierboven beschreven werkwijze, d.w.z. dat de uitvinding eveneens toepassing van kunststof etskamers omvat in combinatie met de werkwijze en inrichting volgens de stand der techniek, d.w.z. niet voorzien van de hierboven beschreven hulpkamer. Gebleken is dat ook dat bij onderdruk kunststofmateriaal voldoende sterkte heeft en het implosiegevaar niet bestaat. Bovendien is gebleken dat in tegenstelling tot in de stand der 15 techniek bestaande vooroordelen uitgassen met name bij gebruik bij verlaagde druk geen wezenlijk probleem vormt.
Begrepen dient te worden dat de hierboven beschreven toepassing van een etskamer waarbij de kunststof constructief is, d.w.z. de druk draagt, ook in andere systemen gebruikt kan worden zonder toepassing van de hierboven beschreven 20 hulpkamer. Voor een dergelijke toepassing worden uitdrukkelijk rechten gevraagd.
De uitvinding zal hieronder nader aan de hand van een in de tekening afgebeeld uitvoeringsvoorbeeld verduidelijkt worden. Daarbij tonen:
Fig. 1 schematisch het leidingstelsel volgens de uitvinding met daarin opgenomen de etskamer; en 25 Fig. 2 een voorbeeld van een met de uitvinding te gebruiken etskamer.
In fig. 1 is met 1 een etskamer schematisch weergegeven waarin het te behandelen substraat aangebracht wordt. Deze is voorzien van een aansluiting 2 op verschillende leidingen. Een leiding is aangegeven met 3 en komt uit op drie kleppen 4,7 en 10. Klep 4 voorziet in de verbinding met een drukschakelaar 5 en een drukmeter 6. Klep 7 is een 30 veiligheidsklep, d.w.z. een overdrukklep welke verbonden is met het afvoersysteem van de inrichting.
Met 9 is een toevoer voor 100% azijnzuur aangegeven.
Azijnzuur is in een glazen fles 9 aanwezig en is met afsluiter 10 verbonden via een 1009767 5 smooropening 13.
Etskamer 1 is bovendien verbonden met een klep 11. Deze is weer verbonden met een vacuümpomp 12. Deze kan bijvoorbeeld een vacuüm van 100 mtorr opwekken.
Aansluiting 2 is eveneens verbonden met uitlaatklep 16 van een hulpkamer 17. De 5 inlaatklep daarvan is met 15 aangegeven. Deze hulpkamer is voorzien van een omloopleiding 18 waarin een klep 19 aangebracht is en die stroomafwaarts van klep 11 in leiding 14 uitmondt. Bovendien is omloopleiding 18 voorzien van een vertakking waarin een klep 20 en een flowregelaar 21 uit metallisch materiaal aanwezig zijn. Deze flowregelaar 21 is verbonden met een stikstofbron die schematisch met pijl 22 10 aangegeven is.
De inlaat 15 van de hulpkamer 17 is verbonden met een toevoer van stikstof en waterstoffluoride. De stikstoftoevoer bestaat uit een bron 23 en de waterstofïluoridetoevoer uit een bron 24. Achter deze toevoeren zijn kleppen 25, 27 geschakeld terwijl deze toevoeren met elkaar verbonden kunnen worden via een klep 26. 15 Flowregelaars 28 en 29 uit roestvast staal zijn in de toevoerleidingen aanwezig alsmede kleppen 35 en 36. Bovendien is een drukmeter 37 aanwezig.
In fig. 1 zijn metdelen van kunststofmateriaal aangegeven terwijl met 'IIP delen uit roestvast staal weergegeven zijn.
Voor het kunststofmateriaal kan bijvoorbeeld PFA toegepast worden.
20 In fig. 2 is een voorbeeld van een etskamer 1 weergegeven. Deze is voorzien van een deurplaat 31 die op niet nader afgebeelde wijze op en neer beweegbaar is om een opening 30 vrij te geven voor het inbrengen van een substraat zoals een halfgeleiderwafer 32 in de richting van pijl 33 en na behandeling daar weer uit te verwijderen. Een afdichtring 38 is aanwezig. Met 39 is een stroomverdeelplaat aangegeven om de uit 25 leiding 2 afkomstige gasstroom gelijkmatig over het halfgeleidersubstraat 32 te verdelen.
De hierboven beschreven inrichting werkt als volgt:
Na het volgens pijl 33 inbrengen van een halfgeleidersubstraat of wafer 32 in etskamer 1 wordt deurplaat 31 gesloten. Bij het gesloten zijn van de afsluiters 7, 10, 15, 19 en 20 wordt pomp 12 bij het geopend zijn van afsluiters 11 en 16 (voor het afpompen 30 van hulpkamer 11) aangeschakeld. Daardoor wordt een onderdruk in etskamer 1 en hulpkamer 17 opgewekt en de waarde kan door het geopend zijn van afsluiter 4 afgelezen worden op drukmeter 5 en elektrisch geregistreerd worden door drukschakelaar 6.
Indien een voldoende onderdruk opgewekt is in etskamer 1 en hulpkamer 17 1009767 6 worden afsluiters 11 en 16 gesloten. Daarna wordt afsluiter 10 geopend en stroomt azijnzuur op nauwkeurig tijd-gestuurde wijze via restrictie 13 in etskamer 1. Door het aanbrengen van deze restrictie is het sturen met tijd mogelijk voor het bereiken van een optimale dosering. Tijdens of vóór het inbrengen van azijnzuur wordt hulpkamer 17 5 gevuld met waterstoffluoride afkomstig uit bron 24. Voor het vullen van hulpkamer 17 wordt eerst een stabiele waterstofïluoridestroming ingesteld. Dit gebeurt door de waterstofïluoridestroming via omloopleiding 18 bij het geopend zijn van afsluiter 19 naar pomp 12 te laten stromen. Zodra zich een stabiele stroming ingesteld heeft, wordt bij het gesloten zijn van uitlaat 16 inlaat 15 geopend (afsluiter 19 gesloten) en hulpkamer 17 10 gevuld, waarna inlaat 15 wordt gesloten. Inmiddels is de etskamer voldoende gevuld met azijnzuur en wordt afsluiter 10 gesloten. Afsluiter 4 wordt eveneens gesloten. Daarna wordt afsluiter 16 geopend en doordat de druk in hulpkamer 17 hoger is dan de druk in etskamer 1 zal waterstoffluoride in etskamer 1 bewegen. Mogelijkerwijs vindt een geringe terugdiffusie van azijnzuur in hulpkamer 17 plaats, maar dit materiaal kan niet 15 verder diffunderen. Omdat de hulpkamer uit resistent kimststoffnateriaal vervaardigd is, kan geen aantasting van de zich daarin bevindende componenten plaatsvinden.
Nadat het etsen voltooid is, wordt bij geopende uitlaat 16 afsluiter 11 geopend en pomp 12 aangeschakeld en het zich in de ets- en hulpkamer bevindende mengsel weggepompt. Eventueel kan door het openen van afsluiter 19 stikstof afkomstig uit bron 20 22 bijgemengd worden. Daardoor wordt de concentratie agressief medium zo laag, dat aantasting van de pomp en verdere stroomafwaarts liggende delen niet te vrezen valt. Vervolgens worden bij gesloten klep 11 de hulpkamer 17 en etskamer 1 gevuld met stikstof door het openen van inlaat 15 en van uitlaat 16,25,28,35. Door vervolgens inlaat 15 te sluiten en klep 11 te openen kunnen beide ruimten weer geëvacueerd worden. Deze 25 spoelhandeling kan een aantal malen herhaald worden.
Het is mogelijk pomp 12 continu te laten draaien. Tijdens het etsen zal dan geen gas door deze pomp 12 bewegen, waardoor mogelijkerwijs het bezwaar optreedt dat olie terugdiffundeert. Om dit te voorkomen wordt afsluiter 20 geopend en een via flowregelaar 21 gestuurde hoeveelheid stikstof afkomstig uit bron 22 door pomp 12 30 afgevoerd.
Begrepen zal worden dat met behulp van de flowregelaars 28 en 29 nauwkeurige dosering van zowel stikstof als waterstoffluoride plaats kan vinden.
Als voorbeeld kunnen enkele waarden bij de hierboven beschreven werkwijze 1009767 7 genoemd worden. Indien de etskamer een volume heeft van 1 liter, kan de hulpkamer een volume van ongeveer 30 cm3 hebben. Na het toevoeren van azijnzuur in de etskamer 1 is de druk ongeveer 500 a 1000 Pa. Azijnzuur kan bijvoorbeeld 5 sec. toegevoerd worden om in de juiste dosering te voorzien.
5 Hoewel de uitvinding aan de hand van een voorkeursuitvoering beschreven is, zijn talrijke varianten mogelijk. Zo is het mogelijk een verdere hulpkamer geschakeld achter de eerste hulpkamer aan te brengen. Eveneens is het mogelijk in de hulpkamer 17 een absorberend volume in te brengen. Dit absorberende volume is in staat de kleine hoeveelheid INIT die terugdiffundeert via uitlaat 16 te absorberen en zo verdere diffusie 10 na het sluiten van hulpkamer 17 door inlaat 15 te voorkomen. Een dergelijk absorberend volume kan bestaan uit een deel siliciummateriaal. Zo is het mogelijk het proces uit te voeren met een waterige oplossing van HF. Indien bijvoorbeeld een aziotropisch mengsel van 39% HF in water toegepast wordt, heeft de damp dezelfde samenstelling als de vloeistof en blijft de samenstelling van de vloeistof in de loop van de tijd constant. 15 Dosering van deze damp is vergelijkbaar met de dosering van azijnzuur en hoeft niet meer via een hierboven beschreven flowregelaar plaats te vinden, maar kan via een restrictie verwezenlijkt worden en/of op tijd en/of druk geregeld worden. Bij een dergelijke uitvoering dient de hulpkamer een groter volume te hebben omdat de maximale dampdruk wezenlijk lager is dan van anhydrous HF. In een dergelijk geval 20 dienen alle leidingen uit kunststof vervaardigd te worden omdat een dergelijk H2O mengsel veel corrosiever is dan HF zonder de aanwezigheid van water. De hulpkamer is dan van belang om menging van twee reagens te voorkomen en de samenstelling constant te houden.
Deze en verdere wijzigingen liggen voor de hand voor degenen bekwaam in de 25 stand der techniek na het lezen van bovenstaande binnen het bereik van de bijgaande conclusies.
**** 1009767
Claims (10)
1. Werkwijze voor het etsen van een substraat, omvattende het in een etskamer plaatsen van dat substraat, het in die etskamer inbrengen van een eerste etsmiddel en/of 5 etskatalysator afkomstig uit een eerste bron, het inbrengen van een tweede etsmiddel en/of etskatalysator uit een tweede bron, het na het etsen spoelen van die etskamer en het verwijderen van dat substraat, waarbij het eerste etsmiddel en/of etskatalysator vanaf die eerste bron via een hulpkamer aan de etskamer toegevoerd worden, met het kenmerk, dat het tweede etsmiddel en/of etskatalysator via een andere weg aan die etskamer wordt 10 toegevoerd en dat doorgang van dat eerste etsmiddel en/of etskatalysator door de hulpkamer zodanig intermiterend plaatsvindt, dat nooit rechtstreekse verbinding tussen de etskamer en de die eerste bron bestaat.
2. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij na de behandeling van dat substraat spoeling van die etskamer via die hulpkamer wordt uitgevoerd.
3. Werkwijze volgens een van de voorgaande conclusies, waarbij de toevoer van die andere reactant en/of andere katalysator aan die kamer bij het verbinden van die hulpkamer met die etskamer afgesloten wordt.
4. Werkwijze volgens een van de voorgaande conclusies, waarbij dat eerste etsmiddel HF omvat.
5. Inrichting voor het etsen van een substraat, omvattende een etskamer voorzien van een inbreng/afvoeropening voor dat substraat, een inbreng/afvoeropening voor reactanten en/of katalysator aangesloten op een leidingsysteem voor de gescheiden toevoer van ten minste twee reactanten en/of katalysator, waarbij een toevoer een hulpkamer omvat voorzien van een inlaat en uitlaat elk met door een sturing beheerde 25 afsluiter waarbij de uitlaat met de etskamer verbonden is en de inlaat met de toevoer voor reactant en/of katalysator, met het kenmerk dat die sturing zodanig uitgevoerd is dat slechts een van die afsluiters (15, 16) geopend kan zijn.
6. Inrichting volgens conclusie 5, waarbij een omloopleiding (18) voor die hulpkamer aanwezig is.
7. Inrichting volgens conclusie 5 of 6, waarbij die etskamer verbonden is met een vacuümpomp (12).
8. Inrichting volgens een van de conclusies 5-7, waarbij in de toevoer van die andere reactant en/of andere katalysator een klep (10) is aangebracht. 1009767 * 9
9. Inrichting volgens een van de conclusies 5-8, waarbij die etskamer een de onderdruk van die etskamer opnemende uitsluitend uit kunststof bestaande constructie omvat.
10. Inrichting volgens conclusie 9, waarbij die kunststofconstructie 5 polyvinylideenfluoride omvat. 1009767
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL1009767A NL1009767C2 (nl) | 1998-07-29 | 1998-07-29 | Werkwijze en inrichting voor het etsen van een substraat. |
AU51998/99A AU5199899A (en) | 1998-07-29 | 1999-07-29 | Method and installation for etching a substrate |
PCT/NL1999/000487 WO2000007224A1 (en) | 1998-07-29 | 1999-07-29 | Method and installation for etching a substrate |
JP2000562938A JP2002521836A (ja) | 1998-07-29 | 1999-07-29 | 基質のエッチング法および装置 |
TW088114389A TW434732B (en) | 1998-07-29 | 1999-08-23 | Method and installation for etching a substrate |
US09/771,673 US6884317B2 (en) | 1998-07-29 | 2001-01-29 | Method and installation for etching a substrate |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL1009767 | 1998-07-29 | ||
NL1009767A NL1009767C2 (nl) | 1998-07-29 | 1998-07-29 | Werkwijze en inrichting voor het etsen van een substraat. |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL1009767C2 true NL1009767C2 (nl) | 2000-02-04 |
Family
ID=19767583
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL1009767A NL1009767C2 (nl) | 1998-07-29 | 1998-07-29 | Werkwijze en inrichting voor het etsen van een substraat. |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6884317B2 (nl) |
JP (1) | JP2002521836A (nl) |
AU (1) | AU5199899A (nl) |
NL (1) | NL1009767C2 (nl) |
TW (1) | TW434732B (nl) |
WO (1) | WO2000007224A1 (nl) |
Families Citing this family (211)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10027932C2 (de) * | 2000-05-31 | 2003-10-02 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Bildung eines Kontaktlochs in einer Isolierschicht eines elektronischen oder mikroelektronischen Bauelements |
EP1635384A1 (en) * | 2004-09-10 | 2006-03-15 | Actron Technology Corporation | Method for manufacturing power diode and equipment for the same |
DE102007022431A1 (de) * | 2007-05-09 | 2008-11-13 | Leybold Optics Gmbh | Behandlungssystem für flache Substrate |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
JP7214724B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-30 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置 |
US11639811B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
CN111699278B (zh) | 2018-02-14 | 2023-05-16 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法 |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
TW202344708A (zh) | 2018-05-08 | 2023-11-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
CN112292478A (zh) | 2018-06-27 | 2021-01-29 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构 |
KR20210027265A (ko) | 2018-06-27 | 2021-03-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
TW202037745A (zh) | 2018-12-14 | 2020-10-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
TW202104632A (zh) | 2019-02-20 | 2021-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
KR102638425B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-02-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치 |
TW202100794A (zh) | 2019-02-22 | 2021-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP2021015791A (ja) | 2019-07-09 | 2021-02-12 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
TW202115273A (zh) | 2019-10-10 | 2021-04-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
KR20210045930A (ko) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN112992667A (zh) | 2019-12-17 | 2021-06-18 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
KR20210132576A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조 |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
US11858086B2 (en) * | 2020-06-15 | 2024-01-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | High-throughput, precise semiconductor slurry blending tool |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1987001508A1 (en) * | 1985-08-28 | 1987-03-12 | Fsi Corporation | Gaseous process and apparatus for removing films from substrates |
EP0335313A2 (en) * | 1988-03-28 | 1989-10-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor device and apparatus for use in practicing the method |
US5022961A (en) * | 1989-07-26 | 1991-06-11 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Method for removing a film on a silicon layer surface |
WO1994027315A1 (en) * | 1993-05-13 | 1994-11-24 | Interuniversitair Microelektronica Centrum | Method for semiconductor processing using mixtures of hf and carboxylic acid |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5879459A (en) | 1997-08-29 | 1999-03-09 | Genus, Inc. | Vertically-stacked process reactor and cluster tool system for atomic layer deposition |
JP3317209B2 (ja) * | 1997-08-12 | 2002-08-26 | 東京エレクトロンエイ・ティー株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US6333275B1 (en) * | 1999-10-01 | 2001-12-25 | Novellus Systems, Inc. | Etchant mixing system for edge bevel removal of copper from silicon wafers |
US6432255B1 (en) * | 2000-01-31 | 2002-08-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for enhancing chamber cleaning |
-
1998
- 1998-07-29 NL NL1009767A patent/NL1009767C2/nl not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-07-29 WO PCT/NL1999/000487 patent/WO2000007224A1/en active Application Filing
- 1999-07-29 JP JP2000562938A patent/JP2002521836A/ja active Pending
- 1999-07-29 AU AU51998/99A patent/AU5199899A/en not_active Abandoned
- 1999-08-23 TW TW088114389A patent/TW434732B/zh not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-01-29 US US09/771,673 patent/US6884317B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1987001508A1 (en) * | 1985-08-28 | 1987-03-12 | Fsi Corporation | Gaseous process and apparatus for removing films from substrates |
EP0335313A2 (en) * | 1988-03-28 | 1989-10-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor device and apparatus for use in practicing the method |
US5022961A (en) * | 1989-07-26 | 1991-06-11 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Method for removing a film on a silicon layer surface |
US5022961B1 (en) * | 1989-07-26 | 1997-05-27 | Dainippon Screen Mfg | Method for removing a film on a silicon layer surface |
WO1994027315A1 (en) * | 1993-05-13 | 1994-11-24 | Interuniversitair Microelektronica Centrum | Method for semiconductor processing using mixtures of hf and carboxylic acid |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU5199899A (en) | 2000-02-21 |
WO2000007224A1 (en) | 2000-02-10 |
TW434732B (en) | 2001-05-16 |
US20010015343A1 (en) | 2001-08-23 |
US6884317B2 (en) | 2005-04-26 |
JP2002521836A (ja) | 2002-07-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL1009767C2 (nl) | Werkwijze en inrichting voor het etsen van een substraat. | |
JP3999059B2 (ja) | 基板処理システム及び基板処理方法 | |
JP3142195B2 (ja) | 薬液供給装置 | |
US5554226A (en) | Heat treatment processing apparatus and cleaning method thereof | |
KR960016302B1 (ko) | 순수(純水)의 제조장치 및 순수의 제조방법 | |
KR100875333B1 (ko) | 반도체 제조 장치 및 반도체 제조 방법 | |
US20060021634A1 (en) | Method and apparatus for creating ozonated process solutions having high ozone concentration | |
JP2018082099A (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
TWI720302B (zh) | 洗淨水供給裝置 | |
TWI742266B (zh) | 洗淨水供給裝置 | |
JP2001053066A (ja) | オゾン処理装置およびその方法 | |
KR20040030566A (ko) | 멤브레인 드라이어 | |
US7186299B2 (en) | Method of rinsing and drying semiconductor substrates | |
US7435396B2 (en) | High-pressure processing apparatus and high-pressure processing method | |
KR20050112753A (ko) | 케미컬 공급 장치 및 그에 따른 공급방법 | |
KR20030021691A (ko) | 화학용액 내에 포함된 기포를 제거하기 위한 기포제거장치및 이를 이용한 기포제거방법 | |
JPH11121422A (ja) | 薬液供給装置 | |
KR20060129790A (ko) | 기판 세정 건조 장치 | |
JP4304354B2 (ja) | 半導体装置の処理方法 | |
JP3582784B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2004228602A (ja) | 縦型半導体製造装置 | |
CN113613803B (zh) | 用于供应清洗液体的系统和方法 | |
JP2024032251A (ja) | ウェハ洗浄水供給装置 | |
JP2004140066A (ja) | 薬液供給装置 | |
JP3259160B2 (ja) | 処理液供給方法及び処理液供給装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PD2B | A search report has been drawn up | ||
VD1 | Lapsed due to non-payment of the annual fee |
Effective date: 20030201 |