NL1009767C2 - Werkwijze en inrichting voor het etsen van een substraat. - Google Patents

Werkwijze en inrichting voor het etsen van een substraat. Download PDF

Info

Publication number
NL1009767C2
NL1009767C2 NL1009767A NL1009767A NL1009767C2 NL 1009767 C2 NL1009767 C2 NL 1009767C2 NL 1009767 A NL1009767 A NL 1009767A NL 1009767 A NL1009767 A NL 1009767A NL 1009767 C2 NL1009767 C2 NL 1009767C2
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
etching
chamber
catalyst
auxiliary chamber
substrate
Prior art date
Application number
NL1009767A
Other languages
English (en)
Inventor
Hessel Sprey
Arjen Bejamin Storm
Jan Willem Hubert Maes
Original Assignee
Asm Int
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asm Int filed Critical Asm Int
Priority to NL1009767A priority Critical patent/NL1009767C2/nl
Priority to AU51998/99A priority patent/AU5199899A/en
Priority to PCT/NL1999/000487 priority patent/WO2000007224A1/en
Priority to JP2000562938A priority patent/JP2002521836A/ja
Priority to TW088114389A priority patent/TW434732B/zh
Application granted granted Critical
Publication of NL1009767C2 publication Critical patent/NL1009767C2/nl
Priority to US09/771,673 priority patent/US6884317B2/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105After-treatment
    • H01L21/311Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105Etching inorganic layers
    • H01L21/31111Etching inorganic layers by chemical means
    • H01L21/31116Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching

Description

Werkwijze en inrichting voor het etsen van een substraat.
De onderhavige uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het etsen van 5 een substraat, omvattende het in een etskamer plaatsen van dat substraat, het in die etskamer inbrengen van een eerste etsmiddel en/of etskatalysator afkomstig uit een eerste bron, het inbrengen van een tweede etsmiddel en/of etskatalysator uit een tweede bron, het na het etsen spoelen van die etskamer en het verwijderen van dat substraat, waarbij het eerste etsmiddel en/of etskatalysator vanaf die eerste bron via een hulpkamer aan de 10 etskamer toegevoerd worden.
Een dergelijke werkwijze is bekend uit EP 0335313A2.
Voor het etsen van siliciumdioxide van het oppervlak van halfgeleidersubstraten wordt een dergelijk substraat geplaatst in een met kunststof beklede roestvast stalen etskamer en vervolgens eventueel onder verlaagde druk behandeld door een corrosief 15 mengsel van azijnzuur, water of methanol (bij voorkeur 100%) en waterstoffluoride. Eerst wordt de kamer gevuld met de benodigde hoeveelheid azijnzuur waarbij daarna de benodigde hoeveelheid waterstoffluoride ingebracht wordt. De verschillende bronnen of toevoeren van waterstoffluoride en azijnzuur zijn elk met kleppen afsluitbaar. Het leidingsysteem bestaat hetzij uit roestvast staal hetzij uit kunststof, zoals Perfluoralkoxy 20 (PFA).
Hoewel een dergelijke werkwijze uitstekende etsresultaten oplevert, bestaat het probleem dat bij het openen van de waterstoffluoride-afsluiter enerzijds waterstoffluoride in de etskamer stroomt, maar onvermijdelijk wat azijnzuur langs die afsluiter terugdiffundeert in het leidingstelsel voor HF. Een dergelijke hoeveelheid blijkt in 25 praktijk zeer klein te zijn en geen nadelige invloed op de etssnelheid te hebben, maar wel is gebleken dat het achterliggende roestvrijstalen leidingstelsel tot aan de bron HF daardoor aangetast wordt en dat dit bij volgende etsen ongewenste metaalcontaminaten op het halfgeleidersubstraat tot gevolg kan hebben.
Dit betekent dat het soms noodzakelijk is een dergelijk leidingstelsel te vervangen 30 en dat het in ieder geval noodzakelijk is een dergelijk leidingstelsel aan een regelmatige controle te onderwerpen.
Beide handelingen belemmeren de procesgang en zijn van nadeel.
In bovengenoemde EP 0335313A2 worden werkwijze en inrichting beschreven 1009767 2 waarbij twee etsgassen aflcomstig uit een eerste en een tweede bron via een gemeenschappelijke leiding aan een hulpkamer toegevoerd worden. In die hulpkamer wordt een plasma opgewekt en dit wordt overgebracht naar de reactor. De gebruikte etsgassen zijn CF4 en O2. Het is van belang dat beide etsgassen gelijktijdig toegevoerd 5 worden en bij voorkeur continue vanaf de bron door de hulpkamer naar de proceskamer stromen.
Het is het doel van de onderhavige uitvinding het hierboven beschreven nadeel te vermijden en in een werkwijze te voorzien welke voortdurend uitgevoerd kan worden zonder dat permanente controle en/of vervanging van de leidingen noodzakelijk is.
10 Dit doel wordt bij een hierboven beschreven werkwijze verwezenlijkt doordat het tweede etsmiddel en/of etskatalysator via een andere weg aan die etskamer wordt toegevoerd en dat doorgang van dat eerste etsmiddel en/of etskatalysator door de hulpkamer zodanig intermiterend plaatsvindt, dat nooit rechtstreekse verbinding tussen de etskamer en de die eerste bron bestaat.
15 Door het gebruik van een hulpkamer is het weliswaar mogelijk dat bij het openen van de uitlaat van de hulpkamer naar de etskamer de andere reactant zoals azijnzuur terugdiffundeert in deze hulpkamer, maar deze reactant is niet in staat terug te diffunderen in het leidingstelsel voor die ene reactant zoals waterstoffluoride. Immers, de hulpkamer is aan die zijde afgesloten. Door het verwijderen voor het volgende proces 20 van beide reactanten uit de hulpkamer (en de etskamer), kan verdere terugdifïusie in de richting van de HF-toevoer uitgesloten worden. Gebleken is dat geen aantasting van de voorliggende leidingen plaatsvindt.
Daardoor is het mogelijk uitsluitend het leidingstelsel vanaf de hulpkamer tot de etskamer uit verhoudingsgewijs kostbare kunststof te vervaardigen, maar het 25 stroomopwaarts liggende deel van het leidingstelsel ten opzichte van de hulpkamer uit goedkoop roestvast staalmateriaal te vervaardigen. Dit geldt in het bijzonder indien een 'mass flow controller' toegepast wordt, welke niet in kunststof verkrijgbaar is.
Terugdiffunderen kan volledig uitgesloten worden indien volgens een voorkeursuitvoering van de uitvinding na behandeling in de etskamer spoelen via de 30 hulpkamer plaatsvindt. Na het sluiten van de uitlaatklep van de hulpkamer kan een verhoogde gasdruk met stikstof of ander inert gas in die hulpkamer aangebracht worden via de inlaatklep en kan de hulpkamer met behulp van deze stikstof gespoeld worden waarbij terugdiffunderen uitgesloten is. Daarbij is het mogelijk de hulpkamer ook bij het 1009767 3 spoelen met stikstof ten minste gedurende de eerste fase als sluis te gebruiken, d.w.z. eerst stikstof in de kamer in te laten, de inlaat van de hulpkamer te sluiten en vervolgens de uitlaat naar de etskamer te openen.
Volgens een andere mogelijkheid kunnen zowel de hulpkamer als de etskamer 5 geëvacueerd worden gevolgd door een of meer spoelingen met een inert gas, zoals stikstof.
Hierboven en hieronder wordt de uitvinding als voorbeeld beschreven aan de hand van het met waterstoffluoride en azijnzuur etsen van een halfgeleidersubstraat waarbij met stikstof gespoeld wordt. Begrepen zal worden dat de onderhavige uitvinding 10 toepasbaar is voor het etsen of anderszins behandelen van elk ander substraat met enige andere reactanten, waarbij het noodzakelijk is dat ten minste twee reactanten aanwezig zijn die van twee verschillende bronnen toegevoerd worden en pas op het moment van de reactie gemengd kunnen worden.
Volgens een verdere van voordeel zijnde uitvoering van de uitvinding is om de 15 hulpkamer een omloopleiding aanwezig. Daarmee wordt een stabiele stroming van waterstoffluoride al dan niet gemengd met stikstof ingesteld, zodat de hoeveelheid reactant die kortstondig in de hulpkmer ingebracht wordt nauwkeurig tijd-gestuurd gedoseerd kan worden.
Volgens een van voordeel zijnde uitvoering is het mogelijk in de hulpkamer een 20 absorbens voor de andere reactant aan te brengen. Indien deze andere reactant azijnzuur is, zou een dergelijk absorptievolume silicium kunnen omvatten.
De uitvinding heeft eveneens betrekking op een inrichting voor het uitvoeren van de hierboven beschreven werkwijze. Deze omvat een inrichting voor het etsen van een substraat, omvattende een etskamer voorzien van een inbreng/afvoeropening voor dat 25 substraat, een inbreng/afvoeropening voor reactanten aangesloten op een leidingsysteem voor de gescheiden toevoer van ten minste twee reactanten, waarbij een toevoer een hulpkamer omvat voorzien van een inlaat en uitlaat elk met een afsluiter waarbij de uitlaat met de etskamer verbonden is en de inlaat met de toevoer voor reactant.
Volgens een van voordeel zijnde uitvoering van de uitvinding is de etskamer niet 30 langer zoals in de stand der techniek opgebouwd uit een met kunststof bekleed metaalmateriaal, maar geheel uit kunststof vervaardigd. Dat wil zeggen, de kunststof neemt eveneens de in de etskamer heersende (onderdrukken op. Gebleken is dat door het met kunststof bekleden van staal nog altijd zekere poreusheid bestaat, terwijl afdichting 1009767 4 van de verschillende delen een probleem vormt waardoor op den duur aantasting plaatsvindt. Bovendien is het behandelen van dergelijke beklede staalplaten verhoudingsgewijs kostbaar en gebleken is dat het uit massieve kunststofdelen vervaardigen goedkoper is en dergelijke poreusheid vermindert terwijl geen aantasting is 5 waargenomen zodat regelmatige controle van de verschillende delen ook niet noodzakelijk is.
Als voorbeelden van kunststof worden genoemd polyvinylideenfluoride, polypropyleen, perfluoralkoxy en polytetrafluoretheen. Begrepen moet worden dat toepassing van een dergelijke uit kunststof bestaande kamer niet beperkt is tot combinatie 10 met de hierboven beschreven werkwijze, d.w.z. dat de uitvinding eveneens toepassing van kunststof etskamers omvat in combinatie met de werkwijze en inrichting volgens de stand der techniek, d.w.z. niet voorzien van de hierboven beschreven hulpkamer. Gebleken is dat ook dat bij onderdruk kunststofmateriaal voldoende sterkte heeft en het implosiegevaar niet bestaat. Bovendien is gebleken dat in tegenstelling tot in de stand der 15 techniek bestaande vooroordelen uitgassen met name bij gebruik bij verlaagde druk geen wezenlijk probleem vormt.
Begrepen dient te worden dat de hierboven beschreven toepassing van een etskamer waarbij de kunststof constructief is, d.w.z. de druk draagt, ook in andere systemen gebruikt kan worden zonder toepassing van de hierboven beschreven 20 hulpkamer. Voor een dergelijke toepassing worden uitdrukkelijk rechten gevraagd.
De uitvinding zal hieronder nader aan de hand van een in de tekening afgebeeld uitvoeringsvoorbeeld verduidelijkt worden. Daarbij tonen:
Fig. 1 schematisch het leidingstelsel volgens de uitvinding met daarin opgenomen de etskamer; en 25 Fig. 2 een voorbeeld van een met de uitvinding te gebruiken etskamer.
In fig. 1 is met 1 een etskamer schematisch weergegeven waarin het te behandelen substraat aangebracht wordt. Deze is voorzien van een aansluiting 2 op verschillende leidingen. Een leiding is aangegeven met 3 en komt uit op drie kleppen 4,7 en 10. Klep 4 voorziet in de verbinding met een drukschakelaar 5 en een drukmeter 6. Klep 7 is een 30 veiligheidsklep, d.w.z. een overdrukklep welke verbonden is met het afvoersysteem van de inrichting.
Met 9 is een toevoer voor 100% azijnzuur aangegeven.
Azijnzuur is in een glazen fles 9 aanwezig en is met afsluiter 10 verbonden via een 1009767 5 smooropening 13.
Etskamer 1 is bovendien verbonden met een klep 11. Deze is weer verbonden met een vacuümpomp 12. Deze kan bijvoorbeeld een vacuüm van 100 mtorr opwekken.
Aansluiting 2 is eveneens verbonden met uitlaatklep 16 van een hulpkamer 17. De 5 inlaatklep daarvan is met 15 aangegeven. Deze hulpkamer is voorzien van een omloopleiding 18 waarin een klep 19 aangebracht is en die stroomafwaarts van klep 11 in leiding 14 uitmondt. Bovendien is omloopleiding 18 voorzien van een vertakking waarin een klep 20 en een flowregelaar 21 uit metallisch materiaal aanwezig zijn. Deze flowregelaar 21 is verbonden met een stikstofbron die schematisch met pijl 22 10 aangegeven is.
De inlaat 15 van de hulpkamer 17 is verbonden met een toevoer van stikstof en waterstoffluoride. De stikstoftoevoer bestaat uit een bron 23 en de waterstofïluoridetoevoer uit een bron 24. Achter deze toevoeren zijn kleppen 25, 27 geschakeld terwijl deze toevoeren met elkaar verbonden kunnen worden via een klep 26. 15 Flowregelaars 28 en 29 uit roestvast staal zijn in de toevoerleidingen aanwezig alsmede kleppen 35 en 36. Bovendien is een drukmeter 37 aanwezig.
In fig. 1 zijn metdelen van kunststofmateriaal aangegeven terwijl met 'IIP delen uit roestvast staal weergegeven zijn.
Voor het kunststofmateriaal kan bijvoorbeeld PFA toegepast worden.
20 In fig. 2 is een voorbeeld van een etskamer 1 weergegeven. Deze is voorzien van een deurplaat 31 die op niet nader afgebeelde wijze op en neer beweegbaar is om een opening 30 vrij te geven voor het inbrengen van een substraat zoals een halfgeleiderwafer 32 in de richting van pijl 33 en na behandeling daar weer uit te verwijderen. Een afdichtring 38 is aanwezig. Met 39 is een stroomverdeelplaat aangegeven om de uit 25 leiding 2 afkomstige gasstroom gelijkmatig over het halfgeleidersubstraat 32 te verdelen.
De hierboven beschreven inrichting werkt als volgt:
Na het volgens pijl 33 inbrengen van een halfgeleidersubstraat of wafer 32 in etskamer 1 wordt deurplaat 31 gesloten. Bij het gesloten zijn van de afsluiters 7, 10, 15, 19 en 20 wordt pomp 12 bij het geopend zijn van afsluiters 11 en 16 (voor het afpompen 30 van hulpkamer 11) aangeschakeld. Daardoor wordt een onderdruk in etskamer 1 en hulpkamer 17 opgewekt en de waarde kan door het geopend zijn van afsluiter 4 afgelezen worden op drukmeter 5 en elektrisch geregistreerd worden door drukschakelaar 6.
Indien een voldoende onderdruk opgewekt is in etskamer 1 en hulpkamer 17 1009767 6 worden afsluiters 11 en 16 gesloten. Daarna wordt afsluiter 10 geopend en stroomt azijnzuur op nauwkeurig tijd-gestuurde wijze via restrictie 13 in etskamer 1. Door het aanbrengen van deze restrictie is het sturen met tijd mogelijk voor het bereiken van een optimale dosering. Tijdens of vóór het inbrengen van azijnzuur wordt hulpkamer 17 5 gevuld met waterstoffluoride afkomstig uit bron 24. Voor het vullen van hulpkamer 17 wordt eerst een stabiele waterstofïluoridestroming ingesteld. Dit gebeurt door de waterstofïluoridestroming via omloopleiding 18 bij het geopend zijn van afsluiter 19 naar pomp 12 te laten stromen. Zodra zich een stabiele stroming ingesteld heeft, wordt bij het gesloten zijn van uitlaat 16 inlaat 15 geopend (afsluiter 19 gesloten) en hulpkamer 17 10 gevuld, waarna inlaat 15 wordt gesloten. Inmiddels is de etskamer voldoende gevuld met azijnzuur en wordt afsluiter 10 gesloten. Afsluiter 4 wordt eveneens gesloten. Daarna wordt afsluiter 16 geopend en doordat de druk in hulpkamer 17 hoger is dan de druk in etskamer 1 zal waterstoffluoride in etskamer 1 bewegen. Mogelijkerwijs vindt een geringe terugdiffusie van azijnzuur in hulpkamer 17 plaats, maar dit materiaal kan niet 15 verder diffunderen. Omdat de hulpkamer uit resistent kimststoffnateriaal vervaardigd is, kan geen aantasting van de zich daarin bevindende componenten plaatsvinden.
Nadat het etsen voltooid is, wordt bij geopende uitlaat 16 afsluiter 11 geopend en pomp 12 aangeschakeld en het zich in de ets- en hulpkamer bevindende mengsel weggepompt. Eventueel kan door het openen van afsluiter 19 stikstof afkomstig uit bron 20 22 bijgemengd worden. Daardoor wordt de concentratie agressief medium zo laag, dat aantasting van de pomp en verdere stroomafwaarts liggende delen niet te vrezen valt. Vervolgens worden bij gesloten klep 11 de hulpkamer 17 en etskamer 1 gevuld met stikstof door het openen van inlaat 15 en van uitlaat 16,25,28,35. Door vervolgens inlaat 15 te sluiten en klep 11 te openen kunnen beide ruimten weer geëvacueerd worden. Deze 25 spoelhandeling kan een aantal malen herhaald worden.
Het is mogelijk pomp 12 continu te laten draaien. Tijdens het etsen zal dan geen gas door deze pomp 12 bewegen, waardoor mogelijkerwijs het bezwaar optreedt dat olie terugdiffundeert. Om dit te voorkomen wordt afsluiter 20 geopend en een via flowregelaar 21 gestuurde hoeveelheid stikstof afkomstig uit bron 22 door pomp 12 30 afgevoerd.
Begrepen zal worden dat met behulp van de flowregelaars 28 en 29 nauwkeurige dosering van zowel stikstof als waterstoffluoride plaats kan vinden.
Als voorbeeld kunnen enkele waarden bij de hierboven beschreven werkwijze 1009767 7 genoemd worden. Indien de etskamer een volume heeft van 1 liter, kan de hulpkamer een volume van ongeveer 30 cm3 hebben. Na het toevoeren van azijnzuur in de etskamer 1 is de druk ongeveer 500 a 1000 Pa. Azijnzuur kan bijvoorbeeld 5 sec. toegevoerd worden om in de juiste dosering te voorzien.
5 Hoewel de uitvinding aan de hand van een voorkeursuitvoering beschreven is, zijn talrijke varianten mogelijk. Zo is het mogelijk een verdere hulpkamer geschakeld achter de eerste hulpkamer aan te brengen. Eveneens is het mogelijk in de hulpkamer 17 een absorberend volume in te brengen. Dit absorberende volume is in staat de kleine hoeveelheid INIT die terugdiffundeert via uitlaat 16 te absorberen en zo verdere diffusie 10 na het sluiten van hulpkamer 17 door inlaat 15 te voorkomen. Een dergelijk absorberend volume kan bestaan uit een deel siliciummateriaal. Zo is het mogelijk het proces uit te voeren met een waterige oplossing van HF. Indien bijvoorbeeld een aziotropisch mengsel van 39% HF in water toegepast wordt, heeft de damp dezelfde samenstelling als de vloeistof en blijft de samenstelling van de vloeistof in de loop van de tijd constant. 15 Dosering van deze damp is vergelijkbaar met de dosering van azijnzuur en hoeft niet meer via een hierboven beschreven flowregelaar plaats te vinden, maar kan via een restrictie verwezenlijkt worden en/of op tijd en/of druk geregeld worden. Bij een dergelijke uitvoering dient de hulpkamer een groter volume te hebben omdat de maximale dampdruk wezenlijk lager is dan van anhydrous HF. In een dergelijk geval 20 dienen alle leidingen uit kunststof vervaardigd te worden omdat een dergelijk H2O mengsel veel corrosiever is dan HF zonder de aanwezigheid van water. De hulpkamer is dan van belang om menging van twee reagens te voorkomen en de samenstelling constant te houden.
Deze en verdere wijzigingen liggen voor de hand voor degenen bekwaam in de 25 stand der techniek na het lezen van bovenstaande binnen het bereik van de bijgaande conclusies.
**** 1009767

Claims (10)

1. Werkwijze voor het etsen van een substraat, omvattende het in een etskamer plaatsen van dat substraat, het in die etskamer inbrengen van een eerste etsmiddel en/of 5 etskatalysator afkomstig uit een eerste bron, het inbrengen van een tweede etsmiddel en/of etskatalysator uit een tweede bron, het na het etsen spoelen van die etskamer en het verwijderen van dat substraat, waarbij het eerste etsmiddel en/of etskatalysator vanaf die eerste bron via een hulpkamer aan de etskamer toegevoerd worden, met het kenmerk, dat het tweede etsmiddel en/of etskatalysator via een andere weg aan die etskamer wordt 10 toegevoerd en dat doorgang van dat eerste etsmiddel en/of etskatalysator door de hulpkamer zodanig intermiterend plaatsvindt, dat nooit rechtstreekse verbinding tussen de etskamer en de die eerste bron bestaat.
2. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij na de behandeling van dat substraat spoeling van die etskamer via die hulpkamer wordt uitgevoerd.
3. Werkwijze volgens een van de voorgaande conclusies, waarbij de toevoer van die andere reactant en/of andere katalysator aan die kamer bij het verbinden van die hulpkamer met die etskamer afgesloten wordt.
4. Werkwijze volgens een van de voorgaande conclusies, waarbij dat eerste etsmiddel HF omvat.
5. Inrichting voor het etsen van een substraat, omvattende een etskamer voorzien van een inbreng/afvoeropening voor dat substraat, een inbreng/afvoeropening voor reactanten en/of katalysator aangesloten op een leidingsysteem voor de gescheiden toevoer van ten minste twee reactanten en/of katalysator, waarbij een toevoer een hulpkamer omvat voorzien van een inlaat en uitlaat elk met door een sturing beheerde 25 afsluiter waarbij de uitlaat met de etskamer verbonden is en de inlaat met de toevoer voor reactant en/of katalysator, met het kenmerk dat die sturing zodanig uitgevoerd is dat slechts een van die afsluiters (15, 16) geopend kan zijn.
6. Inrichting volgens conclusie 5, waarbij een omloopleiding (18) voor die hulpkamer aanwezig is.
7. Inrichting volgens conclusie 5 of 6, waarbij die etskamer verbonden is met een vacuümpomp (12).
8. Inrichting volgens een van de conclusies 5-7, waarbij in de toevoer van die andere reactant en/of andere katalysator een klep (10) is aangebracht. 1009767 * 9
9. Inrichting volgens een van de conclusies 5-8, waarbij die etskamer een de onderdruk van die etskamer opnemende uitsluitend uit kunststof bestaande constructie omvat.
10. Inrichting volgens conclusie 9, waarbij die kunststofconstructie 5 polyvinylideenfluoride omvat. 1009767
NL1009767A 1998-07-29 1998-07-29 Werkwijze en inrichting voor het etsen van een substraat. NL1009767C2 (nl)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL1009767A NL1009767C2 (nl) 1998-07-29 1998-07-29 Werkwijze en inrichting voor het etsen van een substraat.
AU51998/99A AU5199899A (en) 1998-07-29 1999-07-29 Method and installation for etching a substrate
PCT/NL1999/000487 WO2000007224A1 (en) 1998-07-29 1999-07-29 Method and installation for etching a substrate
JP2000562938A JP2002521836A (ja) 1998-07-29 1999-07-29 基質のエッチング法および装置
TW088114389A TW434732B (en) 1998-07-29 1999-08-23 Method and installation for etching a substrate
US09/771,673 US6884317B2 (en) 1998-07-29 2001-01-29 Method and installation for etching a substrate

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL1009767 1998-07-29
NL1009767A NL1009767C2 (nl) 1998-07-29 1998-07-29 Werkwijze en inrichting voor het etsen van een substraat.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL1009767C2 true NL1009767C2 (nl) 2000-02-04

Family

ID=19767583

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL1009767A NL1009767C2 (nl) 1998-07-29 1998-07-29 Werkwijze en inrichting voor het etsen van een substraat.

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6884317B2 (nl)
JP (1) JP2002521836A (nl)
AU (1) AU5199899A (nl)
NL (1) NL1009767C2 (nl)
TW (1) TW434732B (nl)
WO (1) WO2000007224A1 (nl)

Families Citing this family (211)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10027932C2 (de) * 2000-05-31 2003-10-02 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Bildung eines Kontaktlochs in einer Isolierschicht eines elektronischen oder mikroelektronischen Bauelements
EP1635384A1 (en) * 2004-09-10 2006-03-15 Actron Technology Corporation Method for manufacturing power diode and equipment for the same
DE102007022431A1 (de) * 2007-05-09 2008-11-13 Leybold Optics Gmbh Behandlungssystem für flache Substrate
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
TW202344708A (zh) 2018-05-08 2023-11-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102638425B1 (ko) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Asm Ip控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
US11858086B2 (en) * 2020-06-15 2024-01-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. High-throughput, precise semiconductor slurry blending tool
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1987001508A1 (en) * 1985-08-28 1987-03-12 Fsi Corporation Gaseous process and apparatus for removing films from substrates
EP0335313A2 (en) * 1988-03-28 1989-10-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing semiconductor device and apparatus for use in practicing the method
US5022961A (en) * 1989-07-26 1991-06-11 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Method for removing a film on a silicon layer surface
WO1994027315A1 (en) * 1993-05-13 1994-11-24 Interuniversitair Microelektronica Centrum Method for semiconductor processing using mixtures of hf and carboxylic acid

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5879459A (en) 1997-08-29 1999-03-09 Genus, Inc. Vertically-stacked process reactor and cluster tool system for atomic layer deposition
JP3317209B2 (ja) * 1997-08-12 2002-08-26 東京エレクトロンエイ・ティー株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US6333275B1 (en) * 1999-10-01 2001-12-25 Novellus Systems, Inc. Etchant mixing system for edge bevel removal of copper from silicon wafers
US6432255B1 (en) * 2000-01-31 2002-08-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for enhancing chamber cleaning

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1987001508A1 (en) * 1985-08-28 1987-03-12 Fsi Corporation Gaseous process and apparatus for removing films from substrates
EP0335313A2 (en) * 1988-03-28 1989-10-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing semiconductor device and apparatus for use in practicing the method
US5022961A (en) * 1989-07-26 1991-06-11 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Method for removing a film on a silicon layer surface
US5022961B1 (en) * 1989-07-26 1997-05-27 Dainippon Screen Mfg Method for removing a film on a silicon layer surface
WO1994027315A1 (en) * 1993-05-13 1994-11-24 Interuniversitair Microelektronica Centrum Method for semiconductor processing using mixtures of hf and carboxylic acid

Also Published As

Publication number Publication date
AU5199899A (en) 2000-02-21
WO2000007224A1 (en) 2000-02-10
TW434732B (en) 2001-05-16
US20010015343A1 (en) 2001-08-23
US6884317B2 (en) 2005-04-26
JP2002521836A (ja) 2002-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL1009767C2 (nl) Werkwijze en inrichting voor het etsen van een substraat.
JP3999059B2 (ja) 基板処理システム及び基板処理方法
JP3142195B2 (ja) 薬液供給装置
US5554226A (en) Heat treatment processing apparatus and cleaning method thereof
KR960016302B1 (ko) 순수(純水)의 제조장치 및 순수의 제조방법
KR100875333B1 (ko) 반도체 제조 장치 및 반도체 제조 방법
US20060021634A1 (en) Method and apparatus for creating ozonated process solutions having high ozone concentration
JP2018082099A (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
TWI720302B (zh) 洗淨水供給裝置
TWI742266B (zh) 洗淨水供給裝置
JP2001053066A (ja) オゾン処理装置およびその方法
KR20040030566A (ko) 멤브레인 드라이어
US7186299B2 (en) Method of rinsing and drying semiconductor substrates
US7435396B2 (en) High-pressure processing apparatus and high-pressure processing method
KR20050112753A (ko) 케미컬 공급 장치 및 그에 따른 공급방법
KR20030021691A (ko) 화학용액 내에 포함된 기포를 제거하기 위한 기포제거장치및 이를 이용한 기포제거방법
JPH11121422A (ja) 薬液供給装置
KR20060129790A (ko) 기판 세정 건조 장치
JP4304354B2 (ja) 半導体装置の処理方法
JP3582784B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2004228602A (ja) 縦型半導体製造装置
CN113613803B (zh) 用于供应清洗液体的系统和方法
JP2024032251A (ja) ウェハ洗浄水供給装置
JP2004140066A (ja) 薬液供給装置
JP3259160B2 (ja) 処理液供給方法及び処理液供給装置

Legal Events

Date Code Title Description
PD2B A search report has been drawn up
VD1 Lapsed due to non-payment of the annual fee

Effective date: 20030201