KR20080059419A - 세륨계 고상 조명용 형광물질들 - Google Patents

세륨계 고상 조명용 형광물질들 Download PDF

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앤소니 케이. 치탐
토퀸 로낭 페. 르
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더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아
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Abstract

~a = 14.88 A인 격자 상수(lattice parameter)를 가지는 면심 입방 단위 셀로 결정화되는 CaSiN2 -δOδ:Ce3 +와 같은 칼슘 실리케이트 나이트라이드 4차 시스템을 포함하고, 선명한 적색광을 방출하는, 발광 세륨(Ce)이 도핑된 화합물이 제공된다. 세륨이 도핑된 화합물은 (ⅰ) 황색 또는 녹색 형광체를 가진 청색 LED계 시스템의 광 특성을 향상시킬 목적, (ⅱ) 청색 LED 및 녹색 형광체와 결합한 오렌지색 형광체 용도, 또는 (ⅲ) 자외선(UV) LED 및 적색, 녹색 및 청색(RGB) 형광체들을 포함하는 셋업에서 적색 형광체 용도 중 어느 하나로 백색광 용도에 사용될 수 있다. 칼슘 사이트에 위치한 보다 작은 원소들 또는 실리콘 사이트에 위치한 보다 큰 원소들의 치환은 방출파장을 황색 또는 오렌지색 영역으로 감소시키는 결과를 가져온다.

Description

세륨계 고상 조명용 형광물질들{Cerium based phosphor materials for solid-state lighting applications}
본 발명은 고상 조명용 세륨(Ce)계 형광물질들에 관한 것이다.
(본 출원은 명세서 전체에 걸쳐 나타나듯이 많은 다양한 문헌들을 예를 들면 [x] 같이 브래킷 안에 하나 이상의 참조번호에 의해 인용하고 있다. 이러한 참조번호 순으로 정리된 다양한 문헌들 목록은 하기 "참조"라는 표제의 섹션에서 찾아 볼 수 있다. 이러한 문헌들은 참조에 의하여 본 명세서에 통합된다.)
GaN/InGaN와 같은 넓은 밴드 갭 반도체 물질계 발광 다이오드(LED)는 고효율 및 장수명으로 자외선(UV) 및/또는 청색광(300 ㎚ 내지 460 ㎚)을 발생시킨다[1,15]. 이러한 LED류로부터의 발광은 형광물질들의 발광 특성을 이용하여 저에너지 방사선으로 변환될 수 있다. 도 1a에 도시된 바와 같이 고강도 청색광(10)은 청색 LED(11) 및 황색 형광체(12)를 결합시켜 청색 및 황색 광(13)이 방출되고 이것이 백색광(14)처럼 보임으로써 백색 LED 소자를 제조하는 데 사용될 수 있다. 한편, 도 1b에 도시된 바와 같이 녹색 및 오렌지색 형광체의 혼합(15)은 청색, 녹색 및 오렌지색 광(16)을 방출하고 이것은 백색광(14)처럼 보인다. 한편, 도 2에 도시된 바와 같이 고강도 자외선광(20)은 자외선 LED(21)를 적색, 녹색 및 청색(RGB) 형광체들의 혼합체(22)와 결합시켜 적색, 녹색 및 청색 광(23)을 방출시키고 이것이 백색광(24)처럼 보임으로써 백색 LED 소자를 제조하는 데 사용될 수 있다. 상기 LED들(11),(21)은 기판들(17),(25) 상부에 각각 구비될 수 있다.
최초의 상업적으로 이용가능한 백색 LED는 청색 광자들(photons)을 황색 광자들로 전환시키는 Y3Al5O12:Ce3 +(YAG) 형광체층과 결합하여 약 460㎚에서 청색 광자들을 방출시키는 InGaN 칩에 기초한 것이었다[2,3]. 그 결과, 원칙적으로 약간 푸른빛을 띠는 백색광이 만들어지는데, 이는 제2 형광체로부터 적색 광자들을 첨가함으로써 개선될 수 있다. 실제로, 적색 형광체들은, 사용되는 셋업과 무관하게 백색 LED류의 개발을 위해 필요하고 육안의 낮은 적색 민감도를 보상하기 위해 매우 선명해야 한다[4]. 그러나 선명한 적색 형광체들은 스톡 천이(Stokes shift) 증가와 함께 양자 항복 강하(quantum yield drop) 때문에 구현하기 매우 어렵다.
Ce3 +가 도핑된 물질의 경우, UV 방출이 정상적으로 관찰된다[5]. 그러나 고결정장 대칭성(Ce-YAG[2]) 또는 강하게 공유결합된 세륨 환경(황화물 또는 산-질화물(oxy-nitrides)[6])은 방출파장의 에너지를 낮출 수 있다. Ce3 +로 도핑된 이트륨 알루미늄 가넷(YAG)이 가장 중요한 구체예로서, 청색 여기(460㎚ 지점)시 강한 황색 발광(540㎚ 지점)을 보인다. 작은 정방 변형(tetragonal distortion)과 관련된 세륨 사이트의 입방결정장은 이 특이한 황색 발광의 이유가 된다[2]. Van Krevel 등[6]에 의해 이미 기술된 것처럼, 산-질화물에서 산소를 질소와 같은 공유결합 특 성이 보다 강한 음이온으로 치환함으로써 녹색-황색 Ce3 + 발광을 관찰하는 것도 가능하다. 공유결합 특성의 증가는 새로운 Eu2 +가 도핑된 사이알론(Sialon)[7,8] 또는 실리콘 (산)질화물[9-12]계 물질에 의하여 선도되었는데, 이들은 매우 효율적인 오렌지색 발광을 보인다고 보고된 바 있다. Eu2 +가 도핑된 M2Si5N8(M= 칼슘, 스트론튬, 바륨)은 지금까지 가장 흥미로운 것들 중 하나이다[10]. 질화물에서 관찰되는 보다 긴 방출파장은 자외선 및 가시광선 스펙트럼 범위 일부에 걸친 보다 넓은 여기 밴드와 관련된 것이다.
관련 출원에 대한 교차 인용( cross - reference )
본 출원은 35 U.S.C. Section 119(e)에 따라, 동시계속출원 중이고 일반-양도된(co-pending and commonly-assigned) 하기 미국 특허출원들에 대하여 우선권을 주장한다:
Ronan. P. Le Toquin 및 Anthony K. Cheetham에 의해 2005년 9월 30일자로 출원되고, 발명의 명칭이 "고상 조명용 세륨계 형광물질들"이고, 변호사 사건 번호(attorney's docket number)가 30794.138-US-P1(2005-618-1)인 미국 가특허출원 제60/722,900호; 및
Ronan. P. Le Toquin 및 Anthony K. Cheetham에 의해 2005년 9월 30일자로 출원되고, 발명의 명칭이 "고상 조명용 질화 및 산질화 세륨계 형광물질들"이고, 변호사 사건 번호가 30794.145-US-P1(2005-753-1)인 미국 가특허출원 제60/722,682호;
상기 출원들은 참조되어 본 명세서에 통합된다.
본 출원은 동시-계류 중이고 일반-양도된 하기 출원들과 관련된다:
Ronan. P. Le Toquin 및 Anthony K. Cheetham에 의해 이와 동일자로 출원되고, 발명의 명칭이 "고상 조명용 질화 및 산질화 세륨계 형광물질들"이고, 변호사 사건 번호가 30794.145-US-U1(2005-753-2)인 미국 실용특허출원 제 xx/xxx,xxx로서, 상기 출원은 Ronan. P. Le Toquin 및 Anthony K. Cheetham에 의해 2005년 9월 30일자로 출원되고, 발명의 명칭이 "고상 조명용 질화 및 산질화 세륨계 형광물질들"이고, 변호사 사건 번호가 30794.145-US-P1(2005-753-1)인 미국 가특허출원 제60/722,682호에 대한 우선권을 주장한다;
상기 출원들은 참조되어 본 명세서에 통합된다.
본 발명은, ~a = 14.88 A인 격자 상수(lattice parameter)를 가지는 면심 입방 단위 셀 내에서 결정화되는 칼슘 실리케이트 나이트라이드 4차 시스템 중 신규 상(phase)이고 선명한 적색광을 방출하는 발광 세륨 화합물, 즉 CaSiN2 -δOδ:Ce3 +를 개시한다. 이러한 화합물은 (ⅰ) 황색/녹색 형광체를 가진 청색 LED계 시스템의 광 특성을 향상시킬 목적, (ⅱ) 청색 LED + 오렌지 및 녹색 형광체에 있어서 오렌지색 형광체 용도, 또는 (ⅲ) 자외선(UV) LED 및 3종의 RGB 형광체들 셋업에서 적색 형광체 용도 중 어느 하나로 백색광 용도에 사용될 수 있다. 칼슘 사이트에 위치한 보다 작은 원소들 또는 실리콘 사이트에 위치한 보다 큰 원소들의 치환은 방출파장을 황색/오렌지색 영역으로 감소시키는 결과를 가져오고, 이러한 화합물은 또한 청색 LED와 함께 황색 형광체로 직접 사용될 수 있다. 이에 관해서, 본 발명은 후술할 많은 구현예를 포함한다.
일 구현예에서, 본 발명은 LED;및 발광 세륨 화합물을 포함하는 고상 조명용 장치로서, 상기 발광 세륨 화합물로 상기 LED에 인접하여 위치하며 상기 LED로부터의 방사선에 의해 여기될 경우 오렌지색 내지 적색 광을 방출한다. LED 및 발광 세륨 화합물의 다양한 조합은 (1) 발광 세륨 화합물이 황색 또는 녹색 형광체와 결합되어 사용되는 청색 LED; (2) 발광 세륨 화합물이 녹색 형광체와 결합된 오렌지색 형광체로 사용되는 청색 LED; 또는 (3) 발광 세륨 화합물이 RGB 형광체들 군에서 적색 형광체로 사용되는 자외선 LED를 포함할 수 있다.
발광 세륨 화합물은 하기 화학식에 의해 표현된다:
Mx(Si,Al)yNz-δOδ:Ce3 +
상기 화학식에서 x
Figure 112008031383684-PCT00001
y
Figure 112008031383684-PCT00002
1, z=2, 0≤δ＜2이고, M은 칼슘(Ca), 마그네슘(Mg), 스트론튬(Sr) 또는 바륨(Ba)이다. 다른 일 구현예에서, 게르마늄(Ge)이 실리콘(Si)에 대하여 치환될 수 있다. 또 다른 일 구현예에서, M은 이트륨(Y) 또는 란타나이드(Ln) 원소들이고, 실리콘은 전하보상을 위해 알루미늄(Al) 또는 갈륨(Ga)으로 치환될 수 있다.
발광 세륨 화합물은 하기 단계를 사용하여 제조될 수 있다:
(a) 화학량론적 함량의 (1) Ca3N2 또는 Ca 금속, (2) AlN, (3) Si3N4Si2N2NH, 또는 Si(NH)2, 및 (4) 세륨을 혼합하여 혼합물을 형성하는 단계로서, 상기 세륨은 희토류원(rare earth source)이고, 금속, 질화물, 또는 산화물 중 어느 한 형태인 단계;
(b) 산화 또는 가수분해를 방지하기 위하여 [O2]＜1 ppm(parts per million) 및 [H2O]＜1 ppm 조건에서 혼합물을 칭량하고 분쇄하는 단계; 및
(c) 혼합물을 Al2O3 또는 보론 나이트라이드 도가니에 장입하고 분당 0.5 내지 4 리터 조건의 질소 기류 하에서 1300℃ 내지 1500℃의 온도까지 가열하는 단계.
하기 바람직한 구현예의 설명에서, 본 명세서의 일부분을 형성하는 첨부 도면이 참조되고, 실례로써 본 발명을 실시할 수 있는 특정한 구현예가 보여진다. 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 다른 구현예들이 이용될 수 있고 구조적 변경이 가해 질 수 있다.
본 발명의 주제는 청색 또는 자외선 LED류에 기초한 백색 고상 조명용의 신규 형광물질들의 발견이다. 그러므로, 본 발명은 예를 들면 도 1 및 2에 도시된 방법으로 백색 LED 구현을 위한 단독 또는 다른 형광체들과 결합한 형광체로서의 오렌지색 내지 적색 발광물질의 합성 및 그 용도를 다룬다.
본 발명은, 방사선에 의해 여기될 경우 오렌지색 내지 적색 광을 방출하고 자외선부터 적색 또는 황색까지 범위의 파장을 흡수하는 발광 세륨 화합물을 포함하는 조성물을 포함한다.
이러한 조성물은 하기 화학식에 의해 표현될 수 있다:
Mx(Si,Al)yNz-δOδ:Ce3 +
상기 화학식에서 x
Figure 112008031383684-PCT00003
y
Figure 112008031383684-PCT00004
1, z=2, 0≤δ＜2이다. M은 주로 칼슘(Ca)이나, 하기 표 3에 나타난 바와 같이 M 사이트는 마그네슘(Mg), 스트론튬(Sr) 및 바륨(Ba)과 같은 상이한 알카리토류로 치환 가능하다. 표 3은 또한 발광 세륨 화합물이 방사선에 의해 여기될 경우 어떻게 오렌지색 내지 적색 광을 방출하는지 보여주어, M 사이트에서 치환이 되면 약 50 ㎚인 방출파장의 실질적인 전이가 어떻게 관찰되는지 보여준다. 실리콘(Si) 원자들도 게르마늄(Ge) 원자들로 치환될 수 있다. 이트륨(Y) 또는 란타나이드(Ln) 원소들은 M 사이트에 치환될 수 있고, 이와 동시에 전하보상을 위해 실리콘이 알루미늄(Al) 또는 갈륨(Ga) 원자들로 치환될 수 있다. 표 3은 또한 어떻게 화합물이 자외선 내지 녹색 광을 흡수하거나 그에 의해 여기되는지 보여준다.
도 3은 상기 물질들의 제조방법을 도시한 흐름도이다.
블록 30은 화학량론적 함량의 (1) Ca3N2 또는 Ca 금속, (2) AlN, (3) Si3N4, Si2N2NH 또는 Si(NH)2, 및 (4) 금속, 질화물, 가능하다면 또는 산화물 중 어느 하나인 세륨과 같은 희토류원을 혼합하여 혼합물을 형성하는 단계를 포함한다. 이러한 단계는, 칼슘의 결정학적 사이트에 및/또는 음이온 하부격자(sublattice)의 빈자리(vacancies) 또는 산소 치환의 존재 하에서, 희토류와 같은 보다 큰 이온 반지름을 가지는 원소를 도입하는 단계를 포함할 수 있다.
블록 31은 산화 또는 가수분해와 같은 열화를 방지하기 위하여 글로브박스 ([O2]＜1 ppm(parts per million) 및 [H2O]＜1 ppm)에서 수행되어야 하는 혼합물 칭량 및 분쇄 단계를 나타낸다.
블록 32는 혼합물을 예를 들면 사파이어(Al2O3) 또는 보론 나이트라이드(BN) 도가니에 장입하고 분당 0.5 내지 4 리터 조건의 질소(N2) 기류 하에서 1300℃ 내지 1500℃의 온도까지 가열되도록 하는 단계를 나타낸다.
모든 샘플들은 X-선 회절, 29Si NMR 분광도 및 자외선/가시광선 방출 여기 분광도(UV/visible emission excitation spectroscopy)를 사용하여 특성이 관찰되었다.
CaSiN2 상은 사방정계대칭(공간군 Pnma) 및 셀 파라미터 a0= 5.1229Å, b0= 10.2074Å 및 c0= 14.8233Å로 결정화한다고 이미 알려져 있다[12-14]. 도 4에 도시된 바와 같이 칼슘 실리케이트 나이트라이드 4차 시스템 (CaSiN2) 내의 신규 상의 특성을 관찰하기 위하여 싱크로트론 X-선 회절 실험이 사용되었다. 본 명세서에서 나타난 CaSiN2-관련 상(CaSiN2-related phase)은 가능한 공간군 F23, ~a= 14.88Å의 정제된 셀 파라미터(refined cell parameter)를 갖는 입방정계 구조를 가진다. 이러한 상은 ac= 2√2a0, ac= √2a0ac= c0인 관계식들에 따라 문헌에서 보고된 하나의 상에 관한 것일 수 있다. 본 명세서에서 보고된 신규 상은 칼슘의 결정학적 사이트에 및/또는 음이온 하부격자의 빈자리 또는 산소 치환의 존재 하에서(즉, δ 및 질소 농도를 선택함으로써) 희토류 같은 보다 큰 이온 반지름을 가진 원소의 도입에 의해서만 얻어질 수 있다.
칼슘 사이트에 위치한 보다 작은 원소들 또는 CaSiN2 -δOδ:Ce3 +의 실리콘 사이트에 위치한 보다 큰 원소들의 치환은 방출파장을 황색/오렌지색 분광 영역으로 감소시키는 결과를 가져온다.
도 5a 및 6a는 오렌지색 내지 적색 광을 방출하는 발광 세륨 화합물의 추가예들이고, 도 5b 및 6b는 자외선 내지 황색 범위의 파장을 포함하는 여기 스펙트럼 또는 밴드를 가지는 발광 세륨 화합물의 추가예들이다.
화합물 CaSiN2 -δOδ:Ce3 +는 몇 가지 중요한 특성을 가진다. 첫째, 이것은 도 5a에 도시된 바와 같이 강한 적색 발광(~620 ㎚에서 피크)을 보이는 제1 Ce3 + 형광체 물질들을 나타낸다. 이것은 또한 도 5b 및 6b에 도시된 바와 같이 청색 및 자외선뿐만 아니라 황색 및 녹색 영역에서 여기될 수 있는 희귀 형광체들 중의 하나이다. 적색 발광은 도 5b에 도시된 바와 같이 녹색광을 적색으로 변화시켜주는 제2 형광체로서 첨가됨으로써, YAG 및 청색 LED 셋업의 약간 푸른 빛깔을 보상하기 위하여 사용될 수 있다. 둘째, 녹색에서 적색으로의 전이는 광합성에 의한 식물 성장의 개선에 유용할 수 있다. 셋째, 조정가능한 이 형광체의 발광(하기 표 3 참조)은 도 6a에 도시된 바와 같이 황색 또는 오렌지색 형광체 단독으로서, 또는 도 6b에 도시된 바와 같이 460 ㎚(예를 들면 청색 LED로)에서 여기될 수 있는 녹색 형광체와 결합하여, 본 형광체를 또한 매우 흥미롭게 한다. 칼슘 및 실리콘 사이트에서의 치환은 500 ㎚와 650 ㎚ 사이에서 최대를 가지는 450 ㎚ 부터 700 ㎚ 까지의 가시스펙트럼에 걸치는 발광을 유도한다. 여기 밴드는 또한 400 내지 600 ㎚ 사이에 맞춰질 수 있다. 예상한 바와 같이, 본 화합물들은 세륨 화합물의 전형적인 발광/여기 피크 형태들(또는 스펙트럼)을 보이고 도 5a, 5b, 6a 및 6b에 도시된 바와 같이 이는 상대적으로 폭 넓은 피크들이다. 도 5a 및 6a의 발광 스펙트럼은 ~ 90 ㎚의 반가폭(FWHM)을 가질 수 있고 오렌지색 및 적색 광과 관련된 파장의 전체 스펙트럼을 포함한다. 도 5b 및 6b의 여기 스펙트럼은 60 ㎚의 FWHM을 가질 수 있다. 이러한 폭 넓은 발광 및 여기 특징은 유리한 컬러 재현 특성을 가져온다.
이러한 신규 형광체들은 고상 조명의 디자인용으로 자외선 LED와 함께 사용되는 3 종의 형광체들(적색, 녹색 및 청색)을 포함하는 군에서 황색 또는 적색 형광체로서도 흥미로울 수 있는데, 이는 도 5b 및 6b에 도시된 바와 같이 발광 세륨 화합물은 GaN 또는 ZnO계 LED류를 사용하는 자외선(~380 ㎚)에서 여기될 수 있기 때문이다.
도 7은 고상 조명용 장치의 개략도로서, 상기 장치는 LED(70) 및 발광 세륨 화합물을 포함하는 조성물(71)을 포함하고, 상기 발광 세륨 화합물은 상기 LED(70)에 인접하여 위치하고, 상기 발광 세륨 화합물은 상기 LED로부터의 방사선(73)에 의해 여기될 경우 오렌지색 내지 적색 광(72)을 방출한다.
발광 세륨 화합물은 하나 이상의 다른 형광체들(74)이 결합되어 사용될 수 있다. 예를 들면, LED(70)가 청색 LED일 경우, 발광 세륨 화합물(71)은 황색 또는 녹색 형광체들과 같은 다른 형광체들(74)에 결합하여 청색 LED와 함께 사용될 수 있다. 한편, LED(70)가 청색 LED일 때, 발광 세륨 화합물(71)은 녹색 형광체와 같은 다른 형광체들(74)과 결합하여 오렌지색 형광체로서 청색 LED와 함께 사용될 수 있다. 또한, LED(70)가 자외선 LED일 때, 발광 세륨 화합물은 RGB 형광체들의 군(75)에서 적색 형광체로서 자외선 LED와 함께 사용될 수 있다. LED(70)로부터의 방사선(73)과 발광 세륨 화합물에 의해 방출된 광(75)이 다른 발광체(74)와 결합하여 백색광(76)처럼 보이기 때문이다.
세륨을 제외한 다른 희토류들도 또한, 발광 화합물 또는 형광체를 제조하기 위하여, 칼슘 실리케이트 나이트라이드 시스템의 신규 상으로 도입되거나 도핑될 수 있다. 동일한 입방정계 구조가 유지되고 희토류 계열을 따라 단위 셀 파라미터의 전형적인 감소가 관찰된다(하기 표 1 참조). 이러한 물질들의 광학적 특성들도 또한 형광용도에 있어 흥미롭다(하기 표 2 참조). 따라서, 도 7의 장치는 (면심입방구조와 같은) 입방정계 구조를 가지고 다른 희토류로 도핑된 칼슘 실리케이트 나이트라이드 4차 시스템으로부터의 발광 화합물(71)을 이용할 수 있다.
참조
하기 인용문헌들은 본 명세서에서 인용에 의하여 통합되었다.
[1] S. Nakamura, G. Fasol, 청색 레이저 다이오드(The Blue Laser Diode): GaN계 발광체 및 레이저(GaN Based Light Emitters and Lasers), Springer, Berlin (1997).
[2] G. Blasse 및 A. Brill, Appl. Phys. Lett., 11(1967): J. Chem. Phys., 47(1967) 5139.
[3] 미국특허 제5,998,925호, Y. Shimizu. 등, 1999년 12월 7일 특허 허여, "질화물 반도체를 갖는 발광소자 및 가넷 형광성 물질을 포함하는 형광체(Light emitting device having a nitride compound semiconductor and a phosphor containing a garnet fluorescent material)."
[4] T. Justel, H. Nikol, C. Ronda, Angew. Chem. Int. Ed., 1998, 37, 3084-3103.
[5] G. Blasse, B. C. Grabmeier, 발광물질들(Luminescent Materials), Springer, Berlin (1994).
[6] J. W. H. van Krevel, H. T. Hintzen, R. Metselaar, A. Meijerink, J. Alloys Compd. 268 (1-2), 272-277 (1998).
[7] 미국특허 제6,717,353호, G. O. Mueller 등, 2004년 4월 6일 특허 허여, "형광변환 발광소자(Phosphor converted light emitting device)."
[8] J. W. H. van Krevel, J. W. T. van Rutten, H. Mandal, H. T. Hinzen, R. Metselaar, J. Solid State Chem. 165 (1) 19-24 (2002).
[9] 미국특허 제6,670,748호, A. Ellens 등, 2003년 12월 30일 특허 허여, "광원으로서 적어도 하나의 LED를 갖는 조명 유닛(Illumination unit having at least one LED as light source)."
[10] 미국특허 제6,682,663호, G. Botty 등, 2004년 1월 특허 허여, "일광 형광성 안료(Pigment with day light fluorescence)."
[11] 미국특허공개 제20030006702호, R. B. Mueller-Mach 등, 2003년 1월 9일 공개, "적색 결핍 보정 형광소자(Red deficiency compensating phosphor light emitting device)."
[12] Z. A. Gal, P. M. Mallinson, H. J. Orchard, S. J. Clarke. Inorg. Chem. 2004, 43, 3998-4006.
[13] S. S. Lee, S. Lim, S. S. Sun, J. F. Wagner. Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 3241, 1997, pp.75-79.
[14] E. A. Pugar, J.H. Kennedy, P. D. Morgan, J. H. Porter, J. Am. Ceram. Soc. 71[6]C-288 (1988).
[15] S. P. Den Baars, 고상 발광 이론, 물질 및 소자(Solid State Luminescence Theory, Materials and Devices), A. H. Kitai 편집, Chapman and Hall, London (1993).
결론
여기에서 본 발명의 바람직한 구현예의 설명을 결론짓는다. 상기 본 발명의 하나 이상의 구현예들의 설명은 묘사와 서술을 위해 된 것이다. 이것은 완벽함을 추구하거나 본 발명을 드러낸 정확한 형태에 제한시키려는 것이 아니다. 본 발명의 본질을 근본적으로 벗어나지 않고 상기 교시 내에서 많은 변경과 변화가 가능하다. 본 발명의 범위는 이러한 상세한 설명이 아닌 오히려 명세서에 첨부된 청구항에 의해 한정되어야 할 것이다.
이하 본 도면을 참조하여 동일한 참조 번호는 전부 동일한 부분을 나타낸다.
도 1a 및 1b는, 도 1a에 도시된 바와 같이 황색 형광체 또는 도 1b에 도시된 바와 같이 오렌지색 및 녹색 형광체의 혼합체를 가진, 청색 LED(~460 ㎚)에 기초한 백색 LED 셋업의 개략도이다.
도 2는 소위 적색, 녹색 및 청색의 3 종의 형광물질들을 가진 자외선 LED(~380 ㎚)에 기초한 백색 LED 셋업의 개략도이다.
도 3은 발광 희토류가 도핑된 화합물(luminescent rare earth doped compound)의 제조 방법을 도시한 흐름도이다.
도 4는 단위 셀 파라미터 a= 14.8822(5)Å인 공간군(space group) F23에서 Le Bail 개선(Le Bail refinement)으로 구한 Ce3 +가 도핑된 상 CaSiN2 -δOδ의 싱크로트론 X-선 회절 패턴 그래프이다.
도 5a는 Ce3 +가 도핑된 화합물 CaSiN2의 발광 스펙트럼 그래프이고, 여기 파장은 535 ㎚이다.
도 5b는 Ce3 +가 도핑된 화합물 CaSiN2의 여기 스펙트럼 그래프이고, 방출파장은 630 ㎚에 고정되어 있다.
도 6a는 Ce3 +가 도핑된 화합물 Ca(Si,Al)N2의 발광 스펙트럼 그래프이고, 여기 파장은 475 ㎚이다.
도 6b는 Ce3 +가 도핑된 화합물 Ca(Si,Al)N2의 여기 스펙트럼 그래프이고, 방출파장은 560 ㎚에 고정되어 있다.
도 7은 LED 및 LED에 인접하여 위치한 발광 세륨 화합물을 포함하는 조성물을 포함하는 고상 조명용 장치의 개략도이다.
칼슘 사이트에 동일 백분율로 도핑된 다양한 희토류 이온들(RE)에 대한 입방체 단위 셀 파라미터 - 정제(refinement)는 F23 공간군에서 수행함
Ca1 - xRExSiN2 RE=Ce3 + RE=Pr3 + RE=Sm3 + RE=Eu2 + RE=Tb3 + RE=Er3 +
입방체 단위 셀 파라미터 14.8822 Å 14.8720 Å 14.8463 Å 14.8419 Å 14.8587 Å 14.8517 Å
여러 가지 희토류 이온들(RE)로 도핑된 CaSiN2의 광학적 성질 - 선발광 희토류에 대하여, 가장 강한 피크만 표시함
Ca1 - xRExSiN2 RE=Ce3 + RE=Pr3 + RE=Sm3 + RE=Eu2 + RE=Tb3 + RE=Er3 +
체색 분홍색/적색 백색 백색 오렌지색 백색 회색
파장(λ) 최대발광(㎚) 630 425 610 605 550 420
파장(λ) 최대여기(㎚) 535 330 400 400 275 325
Ca 및 Si 사이트에 다른 양이온이 치환되고 Ce3 +가 도핑된 CaSiN2의 광학적 특성들
Ce3 +가 도핑된 화합물 최대방출파장 (nanometers) 최대여기파장 (nanometers) 체색
CaSiN2 630 535 분홍색/적색
Ca(Al,Si)N2 560 475 오렌지색
(Ca,Sr)SiN2 640 500 오렌지색
(Ca,Mg)SiN2 540 460 황색

Claims (18)

  1. 발광 다이오드(LED); 및
    상기 발광 다이오드로부터의 방사선에 의해 여기될 경우 오렌지색 내지 적색 광을 방출하는 발광 세륨(Ce) 화합물을 포함하는 고상 조명용 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 발광 다이오드가 청색 발광 다이오드이고 상기 발광 세륨 화합물이 황색 또는 녹색 형광체와 결합하여 상기 청색 발광 다이오드와 함께 사용되는 것을 특징으로 하는 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 발광 다이오드가 청색 발광 다이오드이고 상기 발광 세륨 화합물이 녹색 형광체와 결합하여 오렌지색 형광체로서 상기 청색 발광 다이오드와 함께 사용되는 것을 특징으로 하는 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 발광 다이오드가 자외선(UV) 발광 다이오드이고 상기 발광 세륨 화합물이 적색, 녹색 및 청색(RGB) 형광체들의 군에서 적색 형광체로서 상기 자외선 발광 다이오드와 함께 사용되는 것을 특징으로 하는 장치.
  5. 방사선에 의해 여기될 경우 오렌지색 내지 적색 광을 방출하는 발광 세륨(Ce) 화합물을 포함하는 조성물.
  6. 제5항에 있어서, 상기 발광 세륨 화합물이 자외선(UV)부터 녹색까지 범위의 파장에 의해 여기되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  7. 제5항에 있어서, 상기 발광 세륨 화합물이 하기 화학식으로 표시되는 것을 특징으로 하는 조성물:
    Mx(Si,Al)yNz-δOδ:Ce3 +
    상기 화학식에서, x
    Figure 112008031383684-PCT00005
    y
    Figure 112008031383684-PCT00006
    1이고, z=2이고, 0≤δ＜2이고, M은 칼슘(Ca), 마그네슘(Mg), 스트론튬(Sr) 또는 바륨(Ba) 원소들이다.
  8. 제7항에 있어서, 게르마늄(Ge)이 실리콘(Si)에 대해 치환되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  9. 제7항에 있어서, 상기 M이 이트륨(Y) 또는 란타나이드(Ln) 원소들이고, 상기 실리콘(Si)이 전하보상을 위해 알루미늄(Al) 또는 갈륨(Ga)으로 치환되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  10. 제7항에 있어서, 상기 발광 세륨 화합물이 입방체 단위 셀로 결정화되는 칼슘 실리케이트 나이트라이드 4차 시스템에서의 신규 상인 것을 특징으로 하는 조성 물.
  11. 제10항에 있어서, 상기 발광 세륨 화합물이 CaSiN2 -δOδ:Ce3 +를 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물.
  12. 제11항에 있어서, 상기 칼슘 사이트에 위치한 보다 작은 원소들 또는 상기 실리콘 사이트에 위치한 보다 큰 원소들의 치환이 방출파장을 황색 또는 오렌지색 영역으로 감소시키는 것을 특징으로 하는 조성물.
  13. 제7항에 있어서, 상기 발광 세륨 화합물이
    (a) 화학량론적 함량의 (1) Ca3N2 또는 Ca 금속, (2) AlN, (3) Si3N4Si2N2NH, 또는 Si(NH)2, 및 (4) Ce을 혼합하여 혼합물을 제조하는 단계로서, 상기 Ce가 금속, 질화물, 또는 산화물로서 희토류원(rare earth source)인 단계;
    (b) 산화 또는 가수분해를 방지하기 위해 [O2]＜1 ppm(parts per million) 및 [H2O]＜1 ppm 조건에서 상기 혼합물을 칭량 및 분쇄하는 단계; 및
    (c) 분당 0.5 내지 4 리터 조건의 질소(N2) 기류 하에서 1300℃ 내지 1500℃의 온도까지 상기 혼합물을 가열하는 단계를 사용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  14. 제5항에 있어서, 상기 발광 세륨 화합물이 황색 또는 녹색 형광체와 결합하여 청색 발광 다이오드와 함께 사용되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  15. 제5항에 있어서, 상기 발광 세륨 화합물이 녹색 형광체와 결합하여 오렌지색 형광체로서 청색 발광 다이오드와 함께 사용되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  16. 제5항에 있어서, 상기 발광 세륨 화합물이 적색, 녹색 및 청색(RGB) 형광체들의 군에서 적색 형광체로서 자외선(UV) 발광 다이오드와 함께 사용되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  17. (a) 화학량론적 함량의 (1) Ca3N2 또는 Ca 금속, (2) AlN, (3) Si3N4Si2N2NH, 또는 Si(NH)2, 및 (4) 금속, 질화물, 또는 산화물 중 하나로서의 희토류원을 혼합하여 혼합물을 제조하는 단계;
    (b) 산화 또는 가수분해를 방지하기 위해 [O2]＜1 ppm(parts per million) 및 [H2O]＜1 ppm 조건에서 상기 혼합물을 칭량 및 분쇄하는 단계; 및
    (c) 분당 0.5 내지 4 리터 조건의 질소(N2) 기류 하에서 1300℃ 내지 1500℃의 온도까지 상기 혼합물을 가열하는 단계를 포함하는 발광 화합물의 제조 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 희토류원이 세륨(Ce)인 것을 특징으로 하는 방법.
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KR1020087010550A KR20080059418A (ko) 2005-09-30 2006-10-02 고상 조명용 질화 및 산질화 세륨계 형광물질들

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101067362B1 (ko) * 2008-12-24 2011-09-23 알티반도체 주식회사 질화물계 적색 형광물질

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080059418A (ko) 2005-09-30 2008-06-27 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 고상 조명용 질화 및 산질화 세륨계 형광물질들
JP4899431B2 (ja) * 2005-11-12 2012-03-21 日亜化学工業株式会社 窒化物系蛍光体及びそれを用いた発光装置
CN102437152A (zh) 2006-04-24 2012-05-02 克利公司 侧视表面安装式白光led
EP2148910B1 (en) * 2007-04-20 2010-12-08 Philips Intellectual Property & Standards GmbH White emitting light source and luminescent material with improved colour stability
US20080283864A1 (en) * 2007-05-16 2008-11-20 Letoquin Ronan P Single Crystal Phosphor Light Conversion Structures for Light Emitting Devices
KR101352921B1 (ko) 2007-05-25 2014-01-24 삼성디스플레이 주식회사 광원모듈, 이를 갖는 백라이트 어셈블리 및 이를 갖는표시장치
US8119028B2 (en) * 2007-11-14 2012-02-21 Cree, Inc. Cerium and europium doped single crystal phosphors
US8038497B2 (en) 2008-05-05 2011-10-18 Cree, Inc. Methods of fabricating light emitting devices by selective deposition of light conversion materials based on measured emission characteristics
CN102804322A (zh) * 2009-06-16 2012-11-28 加利福尼亚大学董事会 用于固态照明应用的氟氧化物磷光体和包括所述氟氧化物磷光体的白光发光二极管
DE102009032711A1 (de) * 2009-07-11 2011-01-20 Merck Patent Gmbh Co-dotierte Silicooxynitride
FI20095967A (fi) 2009-09-18 2011-03-19 Valoya Oy Valaisinsovitelma
KR101565988B1 (ko) 2009-10-23 2015-11-05 삼성전자주식회사 적색형광체, 그 제조방법, 이를 이용한 발광소자 패키지, 조명장치
US20120286647A1 (en) * 2010-02-03 2012-11-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Phosphor converted LED
US9991427B2 (en) * 2010-03-08 2018-06-05 Cree, Inc. Photonic crystal phosphor light conversion structures for light emitting devices
KR101717668B1 (ko) * 2010-03-26 2017-03-17 삼성전자주식회사 복합 결정 형광체, 발광장치, 디스플레이 장치 및 조명장치
CN101872825B (zh) * 2010-04-29 2013-05-15 华侨大学 制备低色温高显色性大功率白光led的方法
US8512599B2 (en) * 2010-05-14 2013-08-20 Lightscape Materials, Inc. Carbonitride based phosphors and light emitting devices using the same
GB2482311A (en) 2010-07-28 2012-02-01 Sharp Kk II-III-N and II-N semiconductor nanoparticles, comprising the Group II elements Zinc (Zn) or Magensium (Mg)
GB2482312A (en) * 2010-07-28 2012-02-01 Sharp Kk II-III-V semiconductor material, comprising the Group II elements Zn or Mg, Group III elements In or Ga or Al and Group V elements N or P
KR101760788B1 (ko) * 2010-09-20 2017-07-24 삼성전자주식회사 적색 형광체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 발광장치
KR101215342B1 (ko) 2010-09-20 2012-12-26 삼성전자주식회사 사이알론 형광체, 그 제조방법 및 이를 이용한 발광소자 패키지
JP5909694B2 (ja) * 2011-01-24 2016-04-27 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 照明装置
EP2532224A1 (en) * 2011-06-10 2012-12-12 Valoya Oy Method and means for improving plant productivity through enhancing insect pollination success in plant cultivation
JP5762929B2 (ja) * 2011-11-16 2015-08-12 株式会社東芝 蛍光体、発光装置、および蛍光体の製造方法
KR101856534B1 (ko) 2011-12-07 2018-05-14 삼성전자주식회사 산질화물계 형광체 및 이를 포함하는 발광장치
CN104204134B (zh) * 2012-03-16 2016-03-02 株式会社东芝 荧光体、荧光体的制造方法及发光装置
US9039746B2 (en) * 2013-02-08 2015-05-26 Cree, Inc. Solid state light emitting devices including adjustable melatonin suppression effects
US9030103B2 (en) 2013-02-08 2015-05-12 Cree, Inc. Solid state light emitting devices including adjustable scotopic / photopic ratio
JP2015138168A (ja) * 2014-01-23 2015-07-30 セイコーエプソン株式会社 蛍光発光素子およびプロジェクター
JP2015157919A (ja) * 2014-02-25 2015-09-03 株式会社東芝 蛍光体、発光装置、および蛍光体の製造方法
JP2015166416A (ja) * 2014-03-03 2015-09-24 株式会社東芝 蛍光体、蛍光体の製造方法およびそれを用いた発光装置
JP2015211202A (ja) * 2014-04-30 2015-11-24 株式会社東芝 発光装置
DE102015110258A1 (de) * 2015-06-25 2016-12-29 Osram Gmbh Leuchtstoff, Verfahren zum Herstellen eines Leuchtstoffs und Verwendung eines Leuchtstoffs
CN105038772A (zh) * 2015-07-10 2015-11-11 烟台同立高科新材料股份有限公司 一种硅基氮氧化物led荧光粉及其制备方法
KR20190028628A (ko) 2016-07-04 2019-03-19 파나소닉 아이피 매니지먼트 가부시키가이샤 형광체 및 발광 장치
CN107851950B (zh) 2016-07-04 2021-11-09 松下知识产权经营株式会社 光纤光源、内窥镜以及内窥镜系统
JP6206696B1 (ja) 2016-07-04 2017-10-04 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 蛍光体および発光装置
JP6340749B2 (ja) 2016-07-04 2018-06-13 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 蛍光体を用いた発光装置
CN107851949B (zh) * 2016-07-04 2021-11-05 松下知识产权经营株式会社 投影机装置
CN108893107A (zh) * 2018-06-21 2018-11-27 东台市天源光电科技有限公司 一种氮化物红色荧光粉及其制备方法
US20230187590A1 (en) * 2021-12-14 2023-06-15 Lumileds Llc Color tunable pcleds based on temporal saturation of phosphors

Family Cites Families (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2308736A (en) * 1940-08-07 1943-01-19 Gen Electric Luminescent material
US2542349A (en) * 1948-08-05 1951-02-20 Gen Electric Calcium silicate phosphor
US2835636A (en) * 1954-01-07 1958-05-20 Westinghouse Electric Corp Cerium-activated magnesium metaphosphate phosphor, with and without manganese
US3014877A (en) * 1959-06-17 1961-12-26 Thorn Electrical Ind Ltd Luminescent materials
US3360674A (en) * 1964-11-23 1967-12-26 Sylvania Electric Prod Europium and bismuth activated yttrium vanadate phosphor
DE3627317A1 (de) * 1985-08-13 1987-02-19 Tokuyama Soda Kk Sinterbare aluminiumnitridzusammensetzung, sinterkoerper aus dieser zusammensetzung und verfahren zu seiner herstellung
US5030600A (en) * 1988-10-06 1991-07-09 Benchmark Structural Ceramics Corp. Novel sialon composition
JP2927279B2 (ja) 1996-07-29 1999-07-28 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
TW383508B (en) * 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
US6608332B2 (en) * 1996-07-29 2003-08-19 Nichia Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Light emitting device and display
JP2000509912A (ja) * 1997-03-03 2000-08-02 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 白色光発光ダイオード
US6252254B1 (en) * 1998-02-06 2001-06-26 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
US6278135B1 (en) * 1998-02-06 2001-08-21 General Electric Company Green-light emitting phosphors and light sources using the same
US6680569B2 (en) * 1999-02-18 2004-01-20 Lumileds Lighting U.S. Llc Red-deficiency compensating phosphor light emitting device
US6155699A (en) * 1999-03-15 2000-12-05 Agilent Technologies, Inc. Efficient phosphor-conversion led structure
DE19918370B4 (de) * 1999-04-22 2006-06-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Weißlichtquelle mit Linse
US6504301B1 (en) 1999-09-03 2003-01-07 Lumileds Lighting, U.S., Llc Non-incandescent lightbulb package using light emitting diodes
EP1104799A1 (en) * 1999-11-30 2001-06-06 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Red emitting luminescent material
US6357889B1 (en) * 1999-12-01 2002-03-19 General Electric Company Color tunable light source
KR100450792B1 (ko) * 1999-12-23 2004-10-01 삼성에스디아이 주식회사 저전압 구동용 이트륨 실리케이트계 형광체
KR100480768B1 (ko) * 1999-12-23 2005-04-06 삼성에스디아이 주식회사 전도성 발광물질을 이용한 저전압 구동용 적색 형광체 및그 제조방법
JP4406490B2 (ja) * 2000-03-14 2010-01-27 株式会社朝日ラバー 発光ダイオード
JP3736357B2 (ja) * 2001-02-06 2006-01-18 松下電器産業株式会社 照明用蛍光体、この照明用蛍光体を用いた発光ダイオード、および蛍光体の塗布方法
TWI282357B (en) * 2001-05-29 2007-06-11 Nantex Industry Co Ltd Process for the preparation of pink light-emitting diode with high brightness
DE10133352A1 (de) * 2001-07-16 2003-02-06 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
DE10146719A1 (de) * 2001-09-20 2003-04-17 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
DE10147040A1 (de) * 2001-09-25 2003-04-24 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
US6809781B2 (en) * 2002-09-24 2004-10-26 General Electric Company Phosphor blends and backlight sources for liquid crystal displays
JP2004115659A (ja) 2002-09-26 2004-04-15 Sumitomo Chem Co Ltd 真空紫外線励起発光素子用の蛍光体
US6869753B2 (en) * 2002-10-11 2005-03-22 Agilent Technologies, Inc. Screen printing process for light emitting base layer
US6717353B1 (en) * 2002-10-14 2004-04-06 Lumileds Lighting U.S., Llc Phosphor converted light emitting device
US7018345B2 (en) * 2002-12-06 2006-03-28 Hisamitsu Pharmaceutical Co., Inc. Iontophoresis system
CN100412156C (zh) * 2003-03-28 2008-08-20 韩国化学研究所 硅酸锶基磷光体、其制造方法和使用该磷光体的led
KR20040092512A (ko) * 2003-04-24 2004-11-04 (주)그래픽테크노재팬 방열 기능을 갖는 반사판이 구비된 반도체 발광장치
US7026755B2 (en) * 2003-08-07 2006-04-11 General Electric Company Deep red phosphor for general illumination applications
WO2005022032A1 (ja) * 2003-08-28 2005-03-10 Mitsubishi Chemical Corporation 発光装置及び蛍光体
US7077979B2 (en) * 2003-10-10 2006-07-18 The Regents Of The University Of California Red phosphors for solid state lighting
US7488432B2 (en) * 2003-10-28 2009-02-10 Nichia Corporation Fluorescent material and light-emitting device
TWI359187B (en) 2003-11-19 2012-03-01 Panasonic Corp Method for preparing nitridosilicate-based compoun
JP3837588B2 (ja) * 2003-11-26 2006-10-25 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体と蛍光体を用いた発光器具
DE10360546A1 (de) 2003-12-22 2005-07-14 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigem Leuchtstoff
US20050156510A1 (en) * 2004-01-21 2005-07-21 Chua Janet B.Y. Device and method for emitting output light using group IIB element selenide-based and group IIA element gallium sulfide-based phosphor materials
JP4233466B2 (ja) 2004-02-12 2009-03-04 三菱化学株式会社 発光装置、照明装置および表示装置
JP3931239B2 (ja) 2004-02-18 2007-06-13 独立行政法人物質・材料研究機構 発光素子及び照明器具
JP4362625B2 (ja) * 2004-02-18 2009-11-11 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体の製造方法
EP1716218B1 (en) 2004-02-20 2009-12-02 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Illumination system comprising a radiation source and a fluorescent material
JP4511849B2 (ja) * 2004-02-27 2010-07-28 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体およびその製造方法、光源、並びにｌｅｄ
JP4511885B2 (ja) * 2004-07-09 2010-07-28 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体及びｌｅｄ並びに光源
JP4521227B2 (ja) 2004-07-14 2010-08-11 株式会社東芝 窒素を含有する蛍光体の製造方法
US7476337B2 (en) * 2004-07-28 2009-01-13 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method for the same, and light source
DE102005005263A1 (de) 2005-02-04 2006-08-10 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Gelb emittierender Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigem Leuchtstoff
WO2006101096A1 (ja) * 2005-03-22 2006-09-28 National Institute For Materials Science 蛍光体とその製造方法および発光器具
KR100533922B1 (ko) 2005-08-05 2005-12-06 알티전자 주식회사 황색 형광체 및 이를 이용한 백색 발광 장치
EP1935958A4 (en) * 2005-08-10 2010-10-27 Mitsubishi Chem Corp PHOSPHOR AND LUMINESCENT DEVICE USING THE SAME
KR20080059418A (ko) 2005-09-30 2008-06-27 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 고상 조명용 질화 및 산질화 세륨계 형광물질들
KR100785492B1 (ko) * 2006-04-17 2007-12-13 한국과학기술원 새로운 조성의 황색 발광 Ｃｅ３＋부활 실리케이트황색형광체, 그 제조방법 및 상기 형광체를 포함하는 백색발광 다이오드
US20080054793A1 (en) * 2006-08-30 2008-03-06 Everlight Electronics Co., Ltd. White light-emitting apparatus
US8163203B2 (en) 2008-02-27 2012-04-24 The Regents Of The University Of California Yellow emitting phosphors based on Ce3+-doped aluminate and via solid solution for solid-state lighting applications

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101067362B1 (ko) * 2008-12-24 2011-09-23 알티반도체 주식회사 질화물계 적색 형광물질

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