CN105038772A - 一种硅基氮氧化物led荧光粉及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种硅基氮氧化物LED荧光粉及其制备方法,其化学通式为M(1-x-y-z)Si2O2N2:Eux,Ry,Az,其中,M为碱土金属元素,Eu为激活剂,R为共掺离子,A为电荷补偿剂,0.001≤x≤0.1,0.001≤y≤0.1,0≤z≤0.01。本发明的荧光粉结构均匀、发光强度和抗老化性能良好,且制备方法简单、成本低廉、无需球磨,具有广阔的工业应用前景。
Description
技术领域
本发明涉及一种硅基氮氧化物荧光粉及其制备方法,属于稀土发光材料领域。
背景技术
随着世界能源危机的日益严重,新兴能源项目和节能环保产业成为了世界普遍关注的课题。白光LED因为其发光效率高、能源消耗少、工作电压低、响应时间短、使用寿命长、产品体积小等突出的优点,在绿色照明和信息显示等领域具有广阔的应用前景,显示出了巨大的市场价值。单一的LED芯片是不可能发出连续光谱的白光的,目前获得白光的方法一般是通过荧光粉来转换LED发出的单色光,组合获得人眼所需的白光。荧光粉作为白光LED必不可少的部分,直接影响到白光LED的发光效率、色温、显色指数、光衰和寿命等。
近年来的研究表明,稀土掺杂的硅基氮/氮氧化物由于其特殊的化学结构,具有共价性高、发光波长可调、可供紫外、近紫外或蓝光激发、长波长激发-发射、温度猝灭效应小等优点,成为目前最有价值的一类新型的白光LED荧光粉。
尽管氮化物荧光粉具有上述诸多优点,但是目前工业上一般采用高温固相反应法来制备该类荧光粉。由于氮化物荧光粉制备所采用的原材料如Ca3N2、Sr3N2、Eu3N2等金属氮化物本身对氧气和水非常敏感,无法在空气中进行称量、混料,而必须在手套箱的无水无氧环境下操作,且由于Si3N4具有很强的共价键,扩散系数低,反应活性差,因此制备过程中需要高温高压环境,对煅烧设备要求非常高。因此,氮化物荧光粉一直都只能局限于小规模的制备,根本没有办法满足市场对于氮化物荧光粉的要求,而且合成的荧光粉粒度粗,需要经过球磨才能满足使用要求,这不仅损害了荧光粉的表面形貌,而且也不利于荧光粉的抗老化性能。因此,有必要探索一种合适的、简单的、成本低廉的合成方法来制备颗粒均匀、性能优异的氮化物LED荧光粉。
发明内容
本发明的目的在于解决现有氮化物荧光粉制备过程复杂、生产成本高的问题,提供一种硅基氮氧化物LED荧光粉及其制备方法。本发明的制备方法简单、成本低廉,且得到的荧光粉无需经过球磨,避免了荧光粉的晶体表面受到损伤。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下:一种硅基氮氧化物LED荧光粉,化学通式为M(1-x-y-z)Si2O2N2:Eux,Ry,Az,其中,M为碱土金属元素,Eu为激活剂,R为共掺离子,A为电荷补偿剂,0.001≤x≤0.1,0.001≤y≤0.1,0≤z≤0.01。
在上述技术方案的基础上,本发明还可以做如下改进。
进一步,所述碱土金属元素M为Ca、Sr、Ba中的一种或多种,所述共掺离子R为La3+、Ce3+、Tb3+、Sm3+、Pr3+、Dy3+中的一种或多种,所述激活剂Eu为硝酸铕或氯化铕中的一种,所述电荷补偿剂A为Li+、Na+、K+中的一种或多种。
本发明中,共掺离子R作为敏化剂,能将吸收的能量传递给激活离子Eu2+,从而提高荧光粉的发光效率和发光强度;碱土金属元素M既可以起到电荷补偿的作用,还可以增加元素间的固溶度,使本发明的荧光粉晶体结构更完整。由于晶体缺陷减少,本发明的荧光粉得以保持更高水平的亮度,进而提高了抗老化性能。
一种硅基氮氧化物LED荧光粉的制备方法,包括如下步骤:
(1)按化学通式M(1-x-y-z)Si2O2N2:Eux,Ry,Az中的计量比称取以下原料,其中0.001≤x≤0.1,0.001≤y≤0.1,0≤z≤0.01:碱土金属M的硝酸盐或氯化物、氮化硅、激活剂Eu、共掺离子R的硝酸盐或氯化物及电荷补偿剂A的硝酸盐或氯化物,用化学沉淀法得到前驱体化合物,再将所述前驱体化合物烘干、研磨、过筛后,得到前驱体粉末;
(2)将步骤(1)所得前驱体粉末装入氧化铝坩埚中,在空气气氛下进行初次烧结,得到一次烧结产物;
(3)将步骤(2)所得一次烧结产物粉碎、过筛后置于氧化铝坩埚中,然后将上述氧化坩埚置于管式炉中,对上述管式炉的炉膛进行除氧处理后,在还原氮化气氛中进行二次烧结,得到二次烧结产物;
(4)将步骤(3)所得二次烧结产物冷却,经研磨、过筛、洗涤以及烘干,即得所述硅基氮氧化物LED荧光粉。
在上述技术方案的基础上,本发明还可以做如下改进。
进一步,步骤(1)所述碱土金属元素M为Ca、Sr、Ba中的一种或多种,所述共掺离子R为La3+、Ce3+、Tb3+、Sm3+、Pr3+、Dy3+中的一种或多种,所述激活剂Eu为硝酸铕或氯化铕中的一种,所述电荷补偿剂A为Li+、Na+、K+中的一种或多种,所述化学沉淀法是按化学计量比称取原料,先将碱土金属M的硝酸盐或氯化物置于去离子水中,搅拌混合均匀,得到浓度为0.2~0.5mol/L的溶液,再向其中加入激活剂硝酸铕或氯化铕、共掺离子R的硝酸盐或氯化物及电荷补偿剂A的硝酸盐或氯化物,搅拌均匀形成第一溶液,再将高纯氮化硅粉末加入到所述第一溶液中,得到第二悬浮液,然后将沉淀剂加入到第二悬浮液中,生成大量白色沉淀得第三悬浮液,经抽滤、烘干后得到前驱体化合物。
进一步,所述化学沉淀法包括共沉淀法和均相沉淀法,沉淀剂为草酸或尿素,所述草酸在共沉淀法时使用,所述尿素在均相沉淀法时使用,所述第三悬浮液中还可以加入助熔剂,所述助熔剂为氯化铵、氟化铵、氟化钡或硼酸中的一种。
进一步,步骤(1)所述烘干的温度为100~120℃,时间为8h,所述过筛的目数为200目。
进一步,步骤(2)所述初次烧结的温度为700~1000℃,烧结的时间为4~10h。
进一步,步骤(3)所述二次烧结的温度为1300~1700℃,烧结的时间6~10h,所述还原氮化气氛为N2和H2按体积比95:5~75:25组成的混合气体或NH3和CH4按体积比99:1组成的混合气体,气氛压力为常压,升温速率为1~10℃/min,降温速率为5~10℃/min,气流量为0.1~0.5L/min。
进一步,步骤(4)所述过筛的筛网目数为300~400目,所述洗涤为依次经过酸洗、水洗和乙醇洗涤,所述酸洗为浸泡在体积分数为5~10%的硝酸溶液中,搅拌20~30min,所述水洗为用去离子水洗涤至电导率<10us/cm,所述乙醇洗涤是用乙醇洗涤2~3次,所述烘干的温度为80~100℃,时间为5~10h。
本发明的有益效果是:
1、本发明通过控制化学沉淀法的工艺参数合成出粒径可控、粒度分布均匀的前驱体粉末,从而对荧光粉成品的粒径大小和粒度分布进行裁剪,合成的荧光粉无需球磨,避免了荧光粉的晶体表面受到损害,有利于提高其发光性能。
2、本发明通过化学沉淀法制备前驱体粉末,可以实现各原料、激活剂、共掺离子及改性剂等原子水平上的混合,比球磨混料有更大的优势,有利于得到结构均匀、发光强度和抗老化性能良好的产品。
3、本发明的制备方法工艺简单、易于操作,原料及生产成本低,具有广阔的工业应用前景。
附图说明
图1为本发明实施例3制备的荧光粉的激发和发射光谱。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本发明,并非用于限定本发明的范围。
实施例1
(1)按化学组成Ca0.94Si2O2N2:Eu2+ 0.05,Dy3+ 0.01的计量比称取以下原料:Ca(NO3)2、Eu(NO3)3、Dy(NO3)3和氮化硅粉末,将Ca(NO3)2、Eu(NO3)3和Dy(NO3)3置于去离子水中,搅拌混合均匀,得到浓度为0.2~0.5mol/L的第一溶液,用60℃水浴加热上述第一溶液;取高纯氮化硅粉末,加入到去离子水超声分散5min后,倒入所述第一溶液中,得到第二悬浮液,保持300r/min的转速搅拌;然后将沉淀剂草酸晶体加入到第二悬浮液中,共沉淀生成大量白色产物,将水浴温度升至85℃,并保温2小时,抽滤,在100℃的鼓风干燥箱中烘干8h、研磨、过200目筛后,得到前驱体化合物;
(2)将步骤(1)所得前驱体粉末装入氧化铝坩埚中,在空气气氛800℃下进行初次烧结6h,得到一次烧结产物;
(3)将步骤(2)所得一次烧结产物粉碎、过筛后置于氧化铝坩埚,然后将上述氧化坩埚置于管式炉中,用抽真空设备对上述管式炉的炉膛进行除氧处理后,在NH3和CH4按体积比99:1组成的混合气氛下进行二次烧结,气氛压力为常压,烧结的温度为1400℃,烧结的时间6h,升温速率为5℃/min,气流量为0.3L/min,得到二次烧结产物;
(4)将步骤(3)所得二次烧结产物冷却至室温后,经研磨,过300~400目筛,先浸泡在6%(v/v)的硝酸溶液中,搅拌20~30min,再用去离子水洗涤至电导率为8.2us/cm,然后用乙醇洗涤2~3次,再在90℃鼓风烘箱中烘8h,即得Ca0.94Si2O2N2:Eu2+ 0.05,Dy3+ 0.01荧光粉。
实施例1的发射主峰和发光强度见表1,结果显示,其发光强度明显高于比较例。由此说明Dy3+与Eu2+之间存在能量传递,共掺离子Dy3+的引入起到了敏化剂的作用,可以提高CaSi2O2N2:Eu2+荧光粉的发光强度。
实施例2
(1)按化学组成Ca0.93Si2O2N2:Eu2+ 0.05,Dy3+ 0.01,Li+ 0.01的计量比称取以下原料:Ca(NO3)2、Eu(NO3)3、Dy(NO3)3、LiNO3和氮化硅粉末,将Ca(NO3)2、Eu(NO3)3、Dy(NO3)3和LiNO3置于去离子水中,搅拌混合均匀,得到浓度为0.2~0.5mol/L的第一溶液,用60℃水浴加热上述第一溶液;取高纯氮化硅粉末,加入到去离子水超声分散5min后,倒入所述第一溶液中,得到第二悬浮液,保持300r/min的转速搅拌;然后将沉淀剂草酸晶体加入到第二悬浮液中,共沉淀生成大量白色产物,将水浴温度升至85℃,并保温2小时,抽滤,在100℃的鼓风干燥箱中烘干8h、研磨、过200目筛后,得到前驱体化合物;
(2)将步骤(1)所得前驱体粉末装入氧化铝坩埚中,在空气气氛800℃下进行初次烧结6h,得到一次烧结产物;
(3)将步骤(2)所得一次烧结产物粉碎、过筛后置于氧化铝坩埚,然后将上述氧化坩埚置于管式炉中,用抽真空设备对上述管式炉的炉膛进行除氧处理后,在NH3和CH4按体积比99:1组成的混合气氛下进行二次烧结,气氛压力为常压,烧结的温度为1400℃,烧结的时间6h,升温速率为5℃/min,气流量为0.3L/min,得到二次烧结产物;
(4)将步骤(3)所得二次烧结产物冷却至室温后,经研磨,过300~400目筛,先浸泡在6%(v/v)的硝酸溶液中,搅拌20~30min,再用去离子水洗涤至电导率为8.2us/cm,然后用乙醇洗涤2~3次,再在90℃鼓风烘箱中烘8h,即得Ca0.93Si2O2N2:Eu2+ 0.05,Dy3+ 0.01,Li+ 0.01荧光粉。
实施例2的发射主峰和发光强度见表1,结果显示,其发光强度明显高于比较例,与实施例1相比也有显著提高。由此说明Dy3+与Li+共掺杂时,Li+可以起到电荷补偿的作用,两个Ca2+分别被一个Dy3+和一个Li+取代,因此Dy3+与Li+共掺杂可进一步提高荧光粉的发光强度。
比较例
(1)按化学组成Ca0.95Si2O2N2:Eu2+ 0.05的计量比称取以下原料:Ca(NO3)2、Eu(NO3)3和氮化硅粉末,将Ca(NO3)2和Eu(NO3)3置于去离子水中,搅拌混合均匀,得到浓度为0.2~0.5mol/L的第一溶液,用60℃水浴加热上述第一溶液;取高纯氮化硅粉末,加入到去离子水超声分散5min后,倒入所述第一溶液中,得到第二悬浮液,保持300r/min的转速搅拌;然后将沉淀剂草酸晶体加入到第二悬浮液中,共沉淀生成大量白色产物,将水浴温度升至85℃,并保温2小时,抽滤,在100℃的鼓风干燥箱中烘干8h、研磨、过200目筛后,得到前驱体化合物;
(2)将步骤(1)所得前驱体粉末装入氧化铝坩埚中,在空气气氛800℃下进行初次烧结6h,得到一次烧结产物;
(3)将步骤(2)所得一次烧结产物粉碎、过筛后置于氧化铝坩埚,然后将上述氧化坩埚置于管式炉中,用抽真空设备对上述管式炉的炉膛进行除氧处理后,在NH3和CH4按体积比99:1组成的混合气氛下进行二次烧结,气氛压力为常压,烧结的温度为1400℃,烧结的时间6h,升温速率为5℃/min,气流量为0.3L/min,得到二次烧结产物;
(4)将步骤(3)所得二次烧结产物冷却至室温后,经研磨,过300~400目筛,先浸泡在6%(v/v)的硝酸溶液中,搅拌20~30min,再用去离子水洗涤至电导率为8.2us/cm,然后用乙醇洗涤2~3次,再在90℃鼓风烘箱中烘8h,即得Ca0.95Si2O2N2:Eu2+ 0.05荧光粉。
比较例1的发射主峰和发光强度见表1。
表1实施例1、实施例2、比较例三者的发射主峰和相对光强度表
实施例3
(1)按化学通式Sr0.98Si2O2N2:Eu0.01,Tb0.01中的计量比称取以下原料:Sr(NO3)2、Eu(NO3)3和Tb(NO3)3,将Sr(NO3)2和Eu(NO3)3置于去离子水中,搅拌混合均匀,得到浓度为0.2~0.5mol/L的第一溶液,用40℃水浴加热上述第一溶液;取高纯氮化硅粉末,加入到去离子水中超声分散5min后,加入到所述第一溶液中,得到第二悬浮液,保持300r/min的转速搅拌;然后将沉淀剂尿素溶于去离子水后加入到第二悬浮液中,缓慢加热升温,均相沉淀生成大量白色产物,将水浴温度升至80℃,并保温2小时,抽滤,在100℃的鼓风干燥箱中烘干8h、研磨、过200目筛后,得到前驱体化合物;
(2)将步骤(1)所得前驱体粉末装入氧化铝坩埚中,在空气气氛800℃下进行初次烧结6h,得到一次烧结产物;
(3)将步骤(2)所得一次烧结产物粉碎、过筛后置于氧化铝坩埚,然后将上述氧化坩埚置于管式炉中,用抽真空设备对上述管式炉的炉膛进行除氧处理后,在NH3和CH4按体积比99:1组成的混合气氛下进行二次烧结,气氛压力为常压,烧结的温度为1500℃,烧结的时间6h,升温速率为5℃/min,气流量为0.3L/min,得到二次烧结产物;
(4)将步骤(3)所得二次烧结产物冷却至室温后,经研磨,过300~400目筛,先浸泡在6%(v/v)的硝酸溶液中,搅拌20~30min,再用去离子水洗涤至电导率为8.2us/cm,然后用乙醇洗涤2~3次,再在90℃鼓风烘箱中烘8h,即得Sr0.98Si2O2N2:Eu0.01,Tb0.01荧光粉,其激发和发射光谱如图1所示。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种硅基氮氧化物LED荧光粉,其特征在于,化学通式为M(1-x-y-z)Si2O2N2:Eux,Ry,Az,其中,M为碱土金属元素,Eu为激活剂,R为共掺离子,A为电荷补偿剂,0.001≤x≤0.1,0.001≤y≤0.1,0≤z≤0.01。
2.根据权利要求1所述的一种硅基氮氧化物LED荧光粉,其特征在于,所述碱土金属元素M为Ca、Sr、Ba中的一种或多种,所述共掺离子R为La3+、Ce3+、Tb3+、Sm3+、Pr3+、Dy3+中的一种或多种,所述激活剂Eu为硝酸铕或氯化铕中的一种,所述电荷补偿剂A为Li+、Na+、K+中的一种或多种。
3.一种硅基氮氧化物LED荧光粉的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)按化学通式M(1-x-y-z)Si2O2N2:Eux,Ry,Az中的计量比称取以下原料,其中0.001≤x≤0.1,0.001≤y≤0.1,0≤z≤0.01:碱土金属M的硝酸盐或氯化物、氮化硅、激活剂Eu、共掺离子R的硝酸盐或氯化物及电荷补偿剂A的硝酸盐或氯化物,用化学沉淀法得到前驱体化合物,再将所述前驱体化合物烘干、研磨、过筛后,得到前驱体粉末;
(2)将步骤(1)所得前驱体粉末装入氧化铝坩埚中,在空气气氛下进行初次烧结,得到一次烧结产物;
(3)将步骤(2)所得一次烧结产物粉碎、过筛后置于氧化铝坩埚中,然后将上述氧化坩埚置于管式炉中,对上述管式炉的炉膛进行除氧处理后,在还原氮化气氛中进行二次烧结,得到二次烧结产物;
(4)将步骤(3)所得二次烧结产物冷却,经研磨、过筛、洗涤以及烘干,即得所述硅基氮氧化物LED荧光粉。
4.根据权利要求3所述的一种硅基氮氧化物LED荧光粉的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述碱土金属元素M为Ca、Sr、Ba中的一种或多种,所述共掺离子R为La3+、Ce3+、Tb3+、Sm3+、Pr3+、Dy3+中的一种或多种,所述激活剂Eu为硝酸铕或氯化铕中的一种,所述电荷补偿剂A为Li+、Na+、K+中的一种或多种,所述化学沉淀法是按化学计量比称取原料,先将碱土金属M的硝酸盐或氯化物置于去离子水中,搅拌混合均匀,得到浓度为0.2~0.5mol/L的溶液,再向其中加入激活剂Eu、共掺离子R的硝酸盐或氯化物及电荷补偿剂A的硝酸盐或氯化物,搅拌均匀形成第一溶液,再将高纯氮化硅粉末加入到所述第一溶液中,得到第二悬浮液,然后将沉淀剂加入到第二悬浮液中,生成大量白色沉淀得第三悬浮液,经抽滤、烘干后得到前驱体化合物。
5.根据权利要求4所述的一种硅基氮氧化物LED荧光粉的制备方法,其特征在于,所述沉淀剂为草酸或尿素,所述第三悬浮液中还可以加入助熔剂,所述助熔剂为氯化铵、氟化铵、氟化钡或硼酸中的一种。
6.根据权利要求3至5任一项所述的一种硅基氮氧化物LED荧光粉的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述烘干的温度为100~120℃,时间为8h,所述过筛的目数为200目。
7.根据权利要求3至5任一项所述的一种硅基氮氧化物LED荧光粉的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述初次烧结的温度为700~1000℃,烧结的时间为4~10h。
8.根据权利要求3至5任一项所述的一种硅基氮氧化物LED荧光粉的制备方法,其特征在于,步骤(3)所述二次烧结的温度为1300~1700℃,烧结的时间6~10h,所述还原氮化气氛为N2和H2按体积比95:5~75:25组成的混合气体或NH3和CH4按体积比99:1组成的混合气体,气氛压力为常压,升温速率为1~10℃/min,降温速率为5~10℃/min,气流量为0.1~0.5L/min。
9.根据权利要求3至5任一项所述的一种硅基氮氧化物LED荧光粉的制备方法,其特征在于,步骤(4)所述过筛的筛网目数为300~400目,所述洗涤为依次经过酸洗、水洗和乙醇洗涤,所述酸洗为浸泡在体积分数为5~10%的硝酸溶液中,搅拌20~30min,所述水洗为用去离子水洗涤至电导率<10us/cm,所述乙醇洗涤是用乙醇洗涤2~3次,所述烘干的温度为80~100℃,时间为5~10h。
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