CN101781560B - 一种以硅铝基氮氧化物为基质的荧光粉及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种以硅铝基氮氧化物为基质的荧光粉及其制备方法，属于氮氧化物制备及其发光材料领域。所述荧光粉的组成为M_6-a-cX_2aAl_4-bSi_bN_bO_12-b:cR或M_6-a-cX_2aAl_4-bSi_bN_bO_12-b:(2c/3)R，以M_6-a-cX_2aAl_4-bSi_bN_bO_12-b表示的结晶相作为主成分，以R作为光学活性元素；其中，M代表Ca²⁺、Sr²⁺、Ba²⁺、Zn²⁺离子中的任一种或任两种的组合，X代表Li⁺、Na⁺、K⁺离子中的任一种或任两种的组合，R是Ce、Eu、Bi、Mn、Sn、Tb、Tl、Pb、Sm中的任一种离子或任两种离子的组合；0≤a≤2，2≤b≤3，0.001≤c≤0.2。本发明的荧光粉在可见光波段范围具有优良的荧光性能，用紫外光激发时具有较高的发光强度，较宽的发光光谱，用于功率型半导体照明器件发光层。

Description

一种以硅铝基氮氧化物为基质的荧光粉及其制备方法

技术领域

本发明涉及一种以硅铝基氮氧化物为基质的荧光粉及其制备方法，属于发光材料技术领域。

背景技术

在照明技术中，白光LED以节能、长寿命、环保、安全、色彩丰富等显著优点成为最有发展应用前景的照明设备。其中，荧光粉是白光LED制备中一个非常关键的材料，它的性能直接影响白光的亮度、色坐标、色温、显色性、效率等，例如在10W的可见光中，由荧光粉所产生的可见光为8.8W。因此白光LED的发展迫切需要研制出光转换效率高，物化性能优良的荧光粉。目前商用化的是YAG:Ce³⁺的黄色荧光粉，但是它存在许多缺点，例如，温度性差，发光效率随温度升高显著降低，封装的器件显色指数低。人们试图通过开发Y₂O₂S:Eu³⁺等荧光粉改善白光LED的性能，但是这些材料发光效率低，热学稳定性差。

在近几年开发的荧光粉中，氮化物荧光粉性能特别突出，成为最有发展前景的一类白光LED用荧光粉。氮化物的激发光谱在280～480nm，即可以适用于蓝光LED芯片激发的白光LED，也可以适用于紫外LED芯片激发白光LED。发射光谱范围宽，从发蓝光的SrSiON:Ce³⁺到发红光的Sr₂Si₅N₈:Eu²⁺基本覆盖整个可见光区。目前的资料表明，国外已有多家单位进行了氮化物荧光粉的相关研究，荷兰爱因霍芬科技大学(Eindhoven University of Technology)从2000年从事氮化物荧光粉的研究，欧司朗和日亚公司也投入了这方面的研究；国内只有零星的氮氧荧光粉的报道。但是，氮化物荧光粉制备方法复杂，通常需要高温、高压，限制了它的进一步发展。总体上来说，氮化物荧光粉的研究处于起步阶段，还有许多内容有待研究。

发明内容

本发明的目的在于针对现有技术的不足，提供一种以硅铝基氮氧化物为基质的荧光粉及其制备方法。

为实现上述目的，本发明所采取的技术方案是：该以硅铝基氮氧化物为基质的荧光粉的组成为M_6-a-cX_2aAl_4-bSi_bN_bO_12-b:cR或M_6-a-cX_2aAl_4-bSi_bN_bO_12-b:(2c/3)R，以所述M_6-a-cX_2aAl_4-bSi_bN_bO_12-b表示的结晶相作为主成分，以R作为光学活性元素；其中，M代表Ca²⁺、Sr²⁺、Ba²⁺、Zn²⁺离子中的任一种或任两种的组合，X代表Li⁺、Na⁺、K⁺离子中的任一种或任两种的组合，R是Ce、Eu、Bi、Mn、Sn、Tb、Tl、Pb、Sm中的任一种离子或任两种离子的组合体；0≤a≤2，2≤b≤3，0.001≤c≤0.2。

本发明所述以硅铝基氮氧化物为基质的荧光粉的制备方法主要包括如下步骤：

1)按M_6-a-cX_2aAl_4-bSi_bN_bO_12-b:cR或M_6-a-cX_2aAl_4-bSi_bN_bO_12-b:(2c/3)R的化学计量比分别称取M的氧化物或碳酸盐、X的氧化物或碳酸盐、AlN、Si₃N₄、Al₂O₃、SiO₂、R的氧化物或卤化物作为原料；其中，M代表Ca²⁺、Sr²⁺、Ba²⁺、Zn²⁺离子中的任一种或任两种的组合，X代表Li⁺、Na⁺、K⁺离子中的任一种或任两种的组合，R是Ce、Eu、Bi、Mn、Sn、Tb、Tl、Pb、Sm中的任一种离子或任两种离子的组合体；0≤a≤2，2≤b≤3，0.001≤c≤0.2。

2)将所述原料通过球磨的方式混合均匀并研磨成细小粉末；

3)将研磨后的粉末放置于刚玉坩埚、石墨坩埚或氮化硼坩埚内进行焙烧，在焙烧气氛中以200～600℃/小时的升温速率加热到1100～1600℃，并在该温度下保持2～20小时，随后缓慢冷却至室温；

4)将冷却粉体进行选料、研磨，并用去离子水和乙醇洗涤，除去残留的杂物，在60～200℃下烘干2～20个小时，获得荧光粉M_6-a-cX_2aAl_4-bSi_bN_bO_12-b:cR或M_6-a-cX_2aAl_4-bSi_bN_bO_12-b:(2c/3)R。

进一步地，在上述步骤2)中，先在所述原料中加入助熔剂，后再将所述原料和助熔剂进行混合、研磨。

进一步地，本发明所述助熔剂为LiF、NaF、CaF₂、MgF₂、SrF₂、BaF₂中的任一种或任两种。

进一步地，本发明所述助熔剂的重量等于或小于所述助熔剂与原料混合后的总重量的10％。

进一步地，本发明在执行上述步骤4)之前，将步骤3)得到的冷却粉体进行研磨后放入坩埚中，在焙烧气氛中再次进行高温焙烧，最后冷却至室温。

进一步地，本发明所述各原料的纯度大于99％。

进一步地，本发明所述R的氧化物或卤化物的纯度大于99.9％。

进一步地，本发明所述焙烧气氛为空气、氢气和氮气的混合气，以及碳粒在空气中燃烧所生成的气体中的一种或任几种。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

1)在硅基氮化物基础上，通过铝原子代替部分硅原子，改变激活离子的发光环境，优化材料的性能，得到硅铝基氮化物荧光粉。

2)在原料中添入碱金属(Li、Na、K)的碳酸盐或氧化物，不仅可以作为补偿离子平衡基质中不等价元素替代造成的电荷不平衡，而且具有助熔作用，有效降低焙烧温度。

3)采用该法制备的荧光粉可被波长在330～460nm的蓝光或紫光激发，发射波长在一定范围内可调；采用不同的掺杂离子可以使发射光谱覆盖整个可见光谱区域；具有很高的热稳定性和化学稳定性，在白光LED照明和PDP显示等领域具有巨大的应用前景。

附图说明

图1是实施例1中掺铕的硅铝基氮氧化物的激发(实线)和发射(虚线)光谱；

图2是实施例2中掺铕的硅铝基氮氧化物的激发(实线)和发射(虚线)光谱；

图3是实施例3中掺铕的硅铝基氮氧化物的激发(实线)和发射(虚线)光谱；

图4是实施例4中掺铈的硅铝基氮氧化物的激发(实线)和发射(虚线)光谱；

图5是实施例5中掺铈和铽的硅铝基氮氧化物的激发(实线)和发射(虚线)光谱。

具体实施方式

本发明的荧光体组成为M_6-a-cX_2aAl_4-bSi_bN_bO_12-b:cR或M_6-a-cX_2aAl_4-bSi_bN_bO_12-b:(2c/3)R，式中M代表C Ca²⁺、Sr²⁺、Ba²⁺、Zn²⁺离子中的任一种或任两种的组合；X代表碱金属Li⁺、Na⁺、K⁺离子中的任一种或任两种的组合；R为Ce、Eu、Bi、Mn、Sn、Tb、Tl、Pb、Sm中的任一种或两种离子的组合体；其中0≤a≤2，2≤b≤3、0.001≤c≤0.2。基质和掺杂离子的变化使粉体的有效激发波长在330～460之间，发射波长在400～660之间。

本发明还公开了硅铝基氮氧化物荧光粉的具体制备方法：

1)按照化学计量比称取原料：

按M_6-a-cX_2aAl_4-bSi_bN_bO_12-b:cR或M_6-a-cX_2aAl_4-bSi_bN_bO_12-b:(2c/3)R的化学计量比分别称取M(Ca、Mg、Sr、Ba、Zn中的一种离子或两种离子组合)与X(Li、Na、K中的一种离子或两种离子组合)的氧化物或碳酸盐、AlN、Si₃N₄、Al₂O₃、SiO₂、R(Ce、Eu、Bi、Mn、Sn、Tb、Tl、Pb、Sm中的一种离子或两种离子组合)的氧化物或卤化物作为原料。为了降低焙烧温度，提高粉体结晶性能，也可以加入一定量的助熔剂。

2)混合，研磨粉体：

为了使原料混合均匀，将称取的原料与玛瑙球一起放入玛瑙研钵中，采用高性能球磨机，将粉体混合均匀，并研磨成细小颗粒，

3)将研磨好的原料焙烧：

将研磨好的原料放置于刚玉、石墨或氮化物坩埚内，在高温电阻炉中，在指定的焙烧气氛中，以200～600℃/小时的升温速率加热到1100～1600℃，在该温度下保持2～20小时，进行高温焙烧；焙烧次数不少于一次；随后缓慢冷却至室温。指定的焙烧气氛可以是空气，也可以是氢气与氮气的混合气，或是碳粒在空气中燃烧所生成的CO气体，或是以上三类气体中的任一种或任几种的混合气。

4)将焙烧粉料洗涤干燥，获得最终产品：

将焙烧得到粉料采用球磨机研磨成粉末，用去离子水和乙醇洗涤分别洗涤三次，除去残留的杂物，在60～200℃下烘干2～20个小时，获得最终的荧光粉M_6-a-cX_2aAl_4-bSi_bN_bO_12-b:cR或M_6-a-cX_2aAl_4-bSi_bN_bO_12-b:(2c/3)R。

下面结合实施例和附图对本发明进一步说明，但不限于这些实施例。

实施例1：

Sr_4.88Li₂Al₂Si₂N₂O₁₀:0.12Eu²⁺荧光粉的合成。

按照化学计量比称取7.1克碳酸锶(纯度99％)、0.71克碳酸锂(纯度99％)、0.3克二氧化硅(纯度99％)、1.05克三氧化二铝(纯度99％)、0.7克氮化硅(纯度99％)和0.21克氧化铕(纯度99.9％)，将称取的原料放于玛瑙罐中，采用研磨方式将粉体研细及混合均匀。

随后将混合好的原料放置于刚玉坩埚内，在高温电阻炉中，H₂/N₂(5％/95％)焙烧气氛下，高温管式炉中，以300℃/小时的升温速率加热到1350℃，并在该温度下保持5小时，随后缓慢冷却至室温；将冷却的样品再次通过球磨机研磨成粉体，放入石墨坩埚中，在H2/N2(5％/95％)还原气氛下，高温管式炉中，以600℃/小时的升温速率加热到1350℃，并在该温度下保持20小时，随后停止加热，在H₂/N₂(5％/95％)还原气氛保护下冷却至室温。

将烧结得到的粉料研磨成粉末，用去离子水冲洗三次，再用纯度99％的乙醇冲洗三次，除去残留的杂物，200℃烘干20个小时，得到的产品为颗粒大小均匀的发光粉体，即Sr_4.88Li₂Al₂Si₂N₂O₁₀:0.12Eu²⁺荧光粉。

图1为该产品在监控波长为530nm下的激发光谱和激发波长为380nm下的发射光谱。这表明该产品在紫光激发下有强的黄绿光发射，能够用于白光LED。

实施例2：

Sr_5.88AlSi₃N₃O₉:0.12Eu²⁺荧光粉的合成。

按照化学计量比称取8.6克碳酸锶、0.45克二氧化硅、0.51克三氧化二铝、1.05克氮化硅和0.21克氧化铕作为原料，称取0.5克氟化锶和0.5克氟化钡作为助熔剂，将称取的原料和助熔剂放于玛瑙罐中，采用研磨方式将粉体研细并混合均匀。

随后将混合好的原料放置于刚玉坩埚内，在高温电阻炉中，碳粒在空气中燃烧所生成的CO还原气体下，高温管式炉中，以200℃/小时的升温速率加热到1450℃，并在该温度下保持5小时，随后停止加热，在碳粒在空气中燃烧所生成的CO还原气体保护下缓慢冷却至室温。

将烧结得到的粉料研磨成粉末，用去离子水洗涤三次，再用纯度99％的乙醇洗涤三次，除去残留的杂物，120℃烘干20个小时，得到颗粒大小均匀的发光粉体，即Sr_5.88AlSi₃N₃O₉:0.12Eu²⁺荧光粉。

图2为该产品在监控波长为530nm下的激发光谱和激发波长为380nm下的发射光谱。这表明该产品在紫光激发下有强的黄绿光发射，能够用于白光LED。

实施例3：

Sr_5.38LiAlSi₃N₃O₉:0.12Eu²⁺荧光粉的合成。

按照化学计量比称取7.82克碳酸锶(纯度99％)、0.352克碳酸锂(纯度99％)、0.45克二氧化硅(纯度99％)、0.51克三氧化二铝(纯度99％)、1.05克氮化硅(纯度99％)和0.228克氟化铕(纯度99.99％)作为原料，将称取的原料放于玛瑙罐中，采用研磨方式将粉体研细及混合均匀。

随后将混合好的原料放置于刚玉舟内，在高温电阻炉中，H2/N2(5％/95％)还原气氛下，高温管式炉中，以300℃/小时的升温速率加热到1250℃，并在该温度下保持5小时，随后停止加热，在H₂/N₂(5％/95％)还原气氛保护下缓慢冷却至室温。

将烧结得到的粉料研磨成粉末，用去离子水洗涤三次，再用纯度99％的乙醇洗涤三次，除去残留的杂物，160℃烘干10个小时，得到颗粒大小均匀的发光粉体，即Sr_5.38LiAlSi₃N₃O₉:0.12Eu²⁺荧光粉。

图3为该产品在监控波长为530nm下的激发光谱和激发波长为380nm下的发射光谱。这表明该产品在紫光激发下有强的黄绿光发射，能够用于白光LED。虽然该产品与实例2产品光谱接近，但是发射峰的强度明显增强，这表明增加了Li离子有助于发光。另外产品的焙烧温度也有明显的降低，这表明增加Li可以改善焙烧温度。

实施例4：

Sr_5.32LiAlSi₃N₃O₉:0.12Ce³⁺荧光粉的合成。

按照化学计量比称取7.82克碳酸锶、0.352克碳酸锂、0.45克二氧化硅、0.51克三氧化二铝、1.05克氮化硅和0.206克氧化铈作为原料，将称取的原料放于玛瑙罐中，采用研磨方式将粉体研细及混合均匀。

随后将混合好的原料放置于刚玉舟内，在高温电阻炉中，H2/N2(5％/95％)还原气氛下，高温管式炉中，以300℃/小时的升温速率加热到1250℃，并在该温度下保持5小时，随后停止加热，在H₂/N₂(5％/95％)还原气氛保护下缓慢冷却至室温。

将烧结得到的粉料研磨成粉末，用去离子水洗涤三次，再用纯度99％的乙醇洗涤三次，除去残留的杂物，160℃烘干10个小时，得到颗粒大小均匀的发光粉体，即Sr_5.32LiAlSi₃N₃O₉:0.12Ce³⁺荧光粉。

图4为该产品在监控波长为410nm下的激发光谱和激发波长为345nm下的发射光谱。这表明该产品在紫光激发下有强的蓝光发射，能够用于白光LED。

实施例5：

Sr_5.26LiAlSi₃N₃O₉:0.12Ce³⁺，0.04Tb³⁺荧光粉的合成。

按照化学计量比称取7.40克碳酸锶、0.352克碳酸锂、0.45克二氧化硅、0.51克三氧化二铝、1.05克氮化硅、0.206克氧化铈和0.073克氧化铽，将称取的原料放于玛瑙罐中，采用研磨方式将粉体研细及混合均匀。

随后将混合好的原料放置于刚玉舟内，在高温电阻炉中，H₂/N₂(5％/95％)还原气氛下，高温管式炉中，以300℃/小时的升温速率加热到1250℃，并在该温度下保持5小时，随后停止加热，在H₂/N₂(5％/95％)还原气氛保护下缓慢冷却至室温。

将烧结得到的粉料研磨成粉末，用去离子水洗涤三次，再用纯度99％的乙醇洗涤三次，除去残留的杂物，160℃烘干10个小时，得到颗粒大小均匀的发光粉体，即Sr_5.26LiAlSi₃N₃O₉:0.12Ce³⁺，0.04Tb³⁺荧光粉。

图5为该产品在监控波长为420nm下的激发光谱和激发波长为345nm下的发射光谱。这表明该产品在紫光激发下有强的蓝光和绿光发射，能够用于白光LED。

实施例6：

Ba_2.635r_2.63Li_0.5K_0.5AlSi₃N₃O₉:0.12Ce³⁺，0.04Tb³⁺荧光粉的合成。

按照化学计量比称取5.00克碳酸钡、3.70克碳酸锶、0.176克碳酸锂、0.328克碳酸钾、0.45克二氧化硅、0.51克三氧化二铝、1.05克氮化硅、0.206克氧化铈和0.073克氧化铽，将称取的原料放于玛瑙罐中，采用研磨方式将粉体研细及混合均匀。

随后将混合好的原料放置于刚玉舟内，在高温电阻炉中，H2/N2(5％/95％)还原气氛下，高温管式炉中，以300℃/小时的升温速率加热到1100℃，并在该温度下保持2小时，随后停止加热，在H₂/N₂(5％/95％)还原气氛保护下缓慢冷却至室温。

将烧结得到的粉料研磨成粉末，用去离子水洗涤三次，再用纯度99％的乙醇洗涤三次，除去残留的杂物，160℃烘干10个小时，得到颗粒大小均匀的发光粉体。

实施例7：

Sr_5.44LiAlSi₃N₃O₉:0.04Tb³⁺荧光粉的合成。

按照化学计量比称取7.9克碳酸锶、0.352克碳酸锂、0.45克二氧化硅、0.51克三氧化二铝、1.05克氮化硅和0.073克氧化铽作为原料，将称取的原料放于玛瑙罐中，采用研磨方式将粉体研细及混合均匀。

随后将混合好的原料放置于刚玉舟内，在高温电阻炉中，空气气氛下，高温管式炉中，以300℃/小时的升温速率加热到1350℃，并在该温度下保持5小时，随后停止加热，在H₂/N₂(5％/95％)还原气氛保护下缓慢冷却至室温。

将烧结得到的粉料研磨成粉末，用去离子水洗涤三次，再用纯度99％的乙醇洗涤三次，除去残留的杂物，120℃烘干10个小时，得到颗粒大小均匀的发光粉体。

实施例8：

Ca_5.84Li_0.08Al₂Si₂N₂O₁₀:0.08Eu³⁺荧光粉的合成。

按照化学计量比称取5.85克碳酸钙、0.03克碳酸锂、0.3克二氧化硅、1.102克三氧化二铝、0.7克氮化硅和0.071克氧化铕作为原料，称取0.07克氟化钙作为助熔剂，将称取的原料放于玛瑙罐中，采用研磨方式将粉体研细及混合均匀。

随后将混合好的原料放置于刚玉舟内，在高温电阻炉中，在空气下，高温管式炉中，以400℃/小时的升温速率加热到1600℃，并在该温度下保持10小时，随后停止加热，缓慢冷却至室温。

将烧结得到的粉料研磨成粉末，用去离子水洗涤三次，再用纯度99％的乙醇洗涤三次，除去残留杂物，90℃烘干2个小时，得到颗粒大小均匀的红光粉体。

实施例9：

Ca_5.67K_0.08Al₂Si₂N₂O₁₀:0.16Ce³⁺，0.05Eu²⁺荧光粉的合成。

按照化学计量比称取5.85克碳酸钙、0.055克碳酸钾、0.3克二氧化硅、1.102克三氧化二铝、0.7克氮化硅、0.275克碳酸铈和0.088克氧化铕作为原料，称取0.837克氟化钙作为助熔剂，将称取的原料放于玛瑙罐中，采用研磨方式将粉体研细及混合均匀。

随后将混合好的原料放置于刚玉舟内，在高温电阻炉中，H₂/N₂(5％/95％)还原气氛下，高温管式炉中，以400℃/小时的升温速率加热到1600℃，并在该温度下保持10小时，随后停止加热，在H₂/N₂(5％/95％)还原气氛保护下缓慢冷却至室温。

将烧结得到的粉料研磨成粉末，用去离子水洗涤三次，再用纯度99％的乙醇洗涤三次，除去残留的杂物，60℃烘干20个小时，得到颗粒大小均匀的发光粉体。该粉体可以被蓝光激发，发出明亮的红光。

本申请所述的实施例仅为本发明的部分具体实施例，本发明主要宗旨并不局限于此，任何在硅铝基氮氧化物主体粉末中添加一种或一种以上稀土离子所制成的荧光体，可展现出高稳定性、高发光性能为目的所实施的变化和修饰都涵盖在本案的专利范围内。

Claims (9)

1.一种以硅铝基氮氧化物为基质的荧光粉，其特征在于：它的组成为M_6-a-cX_2aAl_4-bSi_bN_bO_12-b:cR或M_6-a-cX_2aAl_4-bSi_bNbO_12-b:(2c/3)R，以所述M_6-a-cX_2aAl_4-bSi_bNbO_12-b表示的结晶相作为主成分，以R作为光学活性元素；其中，M代表Ca²⁺、Sr²⁺、Ba²⁺、Zn²⁺离子中的任一种或任两种的组合，X代表Li⁺、Na⁺、K⁺离子中的任一种或任两种的组合，R是Ce、Eu、Tb中的任一种离子或任两种离子的组合体；0≤a≤2，2≤b≤3，0.001≤c≤0.2。

2.一种权利要求1的荧光粉的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

1)按M_6-a-cX_2aAl_4-bSi_bN_bO_12-b:cR或M_6-a-cX_2aAl_4-bSi_bN_bO_12-b:(2c/3)R的化学计量比分别称取M的氧化物或碳酸盐、X的氧化物或碳酸盐、AlN、Si₃N₄、Al₂O₃、SiO₂、R的氧化物或卤化物作为原料；其中，M代表Ca²⁺、Sr²⁺、Ba²⁺、Zn²⁺离子中的任一种或任两种的组合，X代表Li⁺、Na⁺、K⁺离子中的任一种或任两种的组合，R是Ce、Eu、Tb中的任一种离子或任两种离子的组合体；0≤a≤2，2≤b≤3，0.001≤c≤0.2；

2)将所述原料通过球磨的方式混合均匀并研磨成细小粉末；

3)将研磨后的粉末放置于刚玉坩埚、石墨坩埚或氮化硼坩埚内进行焙烧，在焙烧气氛中以200～600℃/小时的升温速率加热到1100～1600℃，并在该温度下保持2～20小时，随后缓慢冷却至室温；

4)将冷却粉体进行选料、研磨，并用去离子水和乙醇洗涤，除去残留的杂物，在60～200℃下烘干2～20个小时，获得荧光粉M_6-a-cX_2aAl_4-bSi_bN_bO_12-b:cR或M_6-a-cX_2aAl_4-bSi_bN_bO_12-b:(2c/3)R。

3.根据权利要求2所述的荧光粉的制备方法，其特征在于：在步骤2)中，先在所述原料中加入助熔剂，后再将所述原料和助熔剂进行混合、研磨。

4.根据权利要求3所述的荧光粉的制备方法，其特征在于：所述助熔剂为LiF、NaF、CaF₂、MgF₂、SrF₂、BaF₂中的任一种或任两种。

5.根据权利要求3或4所述的荧光粉的制备方法，其特征在于：所述助熔剂的重量等于或小于所述助熔剂与原料混合后的总重量的10％。

6.根据权利要求2所述的荧光粉的制备方法，其特征在于：在执行步骤4)之前，将步骤3)得到的冷却粉体进行研磨后放入坩埚中，在焙烧气氛中再次进行高温焙烧，最后冷却至室温。

7.根据权利要求2所述的荧光粉的制备方法，其特征在于：所述各原料的纯度大于99％。

8.根据权利要求2所述的荧光粉的制备方法，其特征在于：所述R的氧化物或卤化物的纯度大于99.9％。

9.根据权利要求2或6所述的荧光粉的制备方法，其特征在于：所述焙烧气氛为空气，或是氢气和氮气的混合气，或是碳粒在空气中燃烧所生成的气体，或是以上三类气体中的任几种的混合气。

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