CN102492424A - 一种低色温石榴石基的荧光发光材料及其制备方法 - Google Patents

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CN102492424A CN2011103636195A CN201110363619A CN102492424A CN 102492424 A CN102492424 A CN 102492424A CN 2011103636195 A CN2011103636195 A CN 2011103636195A CN 201110363619 A CN201110363619 A CN 201110363619A CN 102492424 A CN102492424 A CN 102492424A
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尤洪鹏
贾永超
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Abstract

本发明提供一种低色温石榴石基的荧光发光材料，具有式(I)所示的原子比：A3-xCexD5-2yGyMnyO12(I)；式(I)中，A为稀土元素；D为B、Al和Ga中的一种或多种；G为Si、Ge和Sn的中一种或多种；0≤x≤0.30；0≤y≤0.25。本发明还提供了一种所述荧光发光材料的制备方法：将含A的化合物、含D的化合物、含G的化合物、含Ce的化合物和含Mn的化合物混合，得到混合物；将所述混合物在还原气氛中焙烧，得到荧光发光材料。本发明提供的荧光发光材料在蓝光激发下，发射光谱覆盖绿光和红光区，且明显向红光区拓宽，相应的LED得到色温较低、稳定的白光。本发明提供的荧光发光材料的制备方法简单易行、成本低。

Description

一种低色温石榴石基的荧光发光材料及其制备方法
技术领域
本发明属于发光材料技术领域，特别涉及一种低色温石榴石基的荧光发光材料及其制备方法。
背景技术
白光发光二极管(LED)是一种将电能转化为可见光的半导体器件，具有无毒、寿命长、高效节能、群固态、工作电压低、抗震性强及安全性好等优点，目前已经在液晶显示器背光源、指示灯、普通照明灯诸多领域得到应用，并将取代目前使用的各式灯泡和荧光灯成为新一代绿色照明光源，对节能、环保、提高人民的生活质量等方面具有广泛而深远的意义。
现有技术公开了多种白光LED的调配方法，主要包括以下三种：
(1)多晶片混光技术：分别把红、蓝和绿三晶片或蓝光和黄光双晶片固定于同一封装体内部，再经由调整各晶片的电流大小，调整各晶片的出光量来控制混光比例，以达到混成白光的目标；
(2)以紫外光LED激发均匀混合的蓝色、绿色和红色荧光粉，使其激发出一定比例的三原色进行混光从而输出白光；
(3)在蓝光LED的周围充混有黄光YAG(Yttrium AluminumGarnet)荧光粉，并使用波长为400～530nm的蓝光LED，发出光线激发黄光YAG荧光粉产生黄色光，同时也与原本的蓝光混合，进而形成蓝黄混合的二波长白光。
其中，第(3)种方式具有方法简单、成本低廉的优点，是较为常用的方法。目前，现有技术一般以掺杂铈离子的钇铝石榴石(YAG:Ce3+)荧光材料与蓝光LED结合通过补色原理实现白光。但是，该种荧光粉的发射光谱中红色成分不足，色温较高。
为了增强发射光谱中红光成分以得到色温较低的白光，Phys.Status Solidi A(2005，202，1727)公开了一种采用蓝色LED芯片激发绿色荧光粉和红色荧光粉从而产生白光的方法。但是，该方法中使用的红色荧光粉为氮化物基荧光粉，绿色荧光粉为氮氧化物基荧光粉，两者的性质存在差异，在应用中会出现色温漂移现象；而且该方法涉及的氮化物基发光材料的制备条件苛刻、工业成本高。因此，研发得到可以由蓝光有效激发、发射光谱覆盖绿光和红光区的单基质发光材料是荧光发光材料研究中的难点。
发明内容
有鉴于此，本发明解决的技术问题在于提供一种荧光发光材料及其制备方法，本发明提供的荧光发光材料发射光谱覆盖绿光和红光区，由蓝光激发可以得到色温稳定且色温较低的白光。
本发明提供了一种荧光发光材料，具有式(I)所示的原子比：
A3-xCexD5-2yGyMnyO12  (I)；
式(I)中，A为稀土元素；
D为B、Al和Ga中的一种或多种；
G为Si、Ge和Sn的中一种或多种；
0＜x≤0.30；
0＜y≤0.25。
优选的，所述A为Y、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的一种或多种。
本发明还提供了一种所述荧光发光材料的制备方法，包括以下步骤：
将含A的化合物、含D的化合物、含G的化合物、含Ce的化合物和含Mn的化合物混合，得到混合物；将所述混合物在还原气氛中焙烧，得到荧光发光材料。
优选的，所述含A的化合物为含A的氧化物、硝酸盐、氢氧化物、卤化物和碳酸盐中的一种或多种。
优选的，所述含D的化合物为含D的氧化物、氢氧化物和含氧酸盐中的一种或两种。
优选的，所述含G的化合物为含G的氧化物、氢氧化物和含氧酸中的一种或两种。
优选的，所述含Mn的化合物为含Mn的氧化物、卤化物、碳酸盐和硝酸盐中的一种或多种。
优选的，所述含Ce的化合物为含Ce的氧化物、卤化物、碳酸盐和硝酸盐中的一种或多种。
优选的，所述混合物还包括氟化物助熔剂。
优选的，所述焙烧的温度为1400℃～1700℃，所述焙烧的时间为1h～20h。
与现有技术相比，本发明提供的荧光发光材料具有式(I)所示原子比组成，为掺杂有Ce和Mn的石榴石基化合物。本发明提供的荧光发光材料的激发光谱范围较宽，且在450nm处有强吸收，能够与商业蓝色芯片完美结合；在蓝光激发下，本发明提供的荧光发光材料的发射波长为500nm～700nm，能够覆盖绿光和红光区，且明显向红光区扩宽，从而获得白光；所述荧光发光材料的红光成分较为充足，色温低；由于本发明采用单一组成的发光材料获得了白光，因此白光色温较为稳定，不会出现色温漂移现象。另外，本发明提供的荧光发光材料的制备方法简单易行、易于操作、易于量产、无污染、成本低。
附图说明
图1为本发明实施例2制备得到的荧光粉在450nm蓝光激发下的光致发射光谱；
图2为本发明实施例7和13制备得到的荧光粉的XRD图谱；
图3为本发明实施例7制备得到的荧光粉在450nm蓝光激发下的光致发射光谱；
图4为由本发明实施例7获得的荧光粉制备的白光发光二极管的光致发光图谱；
图5为本发明实施例9制备得到的荧光粉在450nm蓝光激发下的光致发射光谱；
图6为本发明实施例13制备得到的荧光粉在450nm蓝光激发下的光致发射光谱；
图7为由本发明实施例13获得的荧光粉制备的白光发光二极管的光致发光图谱；
图8为本发明比较例1制备得到的荧光粉在450nm蓝光激发下的光致发射光谱；
图9为本发明比较例2制备的荧光粉在450nm蓝光激发下的光致发射光谱。
具体实施方式
为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明优选实施方案进行描述，但是应当理解，这些描述只是为进一步说明本发明的特征和优点，而不是对本发明权利要求的限制。
本发明公开了一种荧光发光材料，具有式(I)所示的原子比：
A3-xCexD5-2yGyMnyO12  (I)；
式(I)中，A为稀土元素；D为B、Al和Ga中的一种或多种；G为Si、Ge和Sn的中一种或多种；0＜x≤0.30；0＜y≤0.25。
在本发明所述荧光发光材料中，A为稀土元素，优选为Y、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的一种或多种。
D为B、Al和Ga中的一种或多种，优选为Al。
G为Si、Ge和Sn的中一种或多种，优选为Si和Ge中的一种或两种。
0＜x≤0.30，优选的，x满足以下条件：0.02≤x≤0.25；更优选的，x满足以下条件：0.04≤x≤0.20；
0＜y≤0.25，优选的，y满足以下条件：0.02≤y≤0.2；更优选的，y满足以下条件：0.04≤y≤0.15。
本发明还提供了一种上述技术方案所述的荧光发光材料的制备方法，包括以下步骤：
将含A的化合物、含D的化合物、含G的化合物、含Ce的化合物和含Mn的化合物混合，得到混合物；
将所述混合物在还原气氛中焙烧，得到荧光发光材料。
在本发明中，首先将各原料混合，得到混合物，其中：
所述含A的化合物优选为含A的氧化物、硝酸盐、氢氧化物、卤化物和碳酸盐中的一种或多种，更优选的为含A的氧化物、硝酸盐和氢氧化物中的一种或多种；所述A为稀土元素，优选为Y、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的一种或多种；
所述含D的化合物优选为含D的氧化物、氢氧化物和含氧酸盐中的一种或多种，更优选为含D的氧化物和含氧酸盐中的一种或两种；所述D为B、Al和Ga中的一种或多种，优选为Al；
所述含G的化合物优选为含G的氧化物、氢氧化物和含氧酸中的一种或两种；所述G为Si、Ge和Sn的中一种或多种，优选为Si和Ge中一种或两种；
所述含Ce的化合物优选为含Ce的氧化物、卤化物、碳酸盐和硝酸盐中的一种或多种，更优选为含Ce的氧化物；
所述含Mn的化合物优选为含Mn的氧化物、卤化物、碳酸盐和硝酸盐中的一种或多种，更优选为含Mn的碳酸盐、卤化物和氧化物中的一种或多种。
将各原料充分研磨后混合均匀，得到混合物；将所述混合物在还原气氛下焙烧，得到具有式(I)所示原子比的荧光发光材料。在本发明中，所述还原气氛可以为碳在空气中燃烧产生的气体气氛，也可以为氢气的气体气氛，还可以为氢气和氮气组成的还原气体气氛，所述氢气和氮气的体积比优选为(1～20)∶(99～80)，更优选为(5～15)∶(95～85)；所述焙烧温度优选为1400～1700℃，更优选为1450℃～1650℃，最优选为1500℃～1600℃；所述焙烧时间优选为1～20h，更优选为3～18h，最优选为5～15h。
为了降低焙烧难度，本发明优选在各原料组成的混合物中加入氟化物助熔剂，所述氟化物助熔剂优选为氟化铵、氟化氢铵、氟化铝、碱土金属氟化物和稀土金属氟化物中的一种或多种，更优选为碱土金属氟化物和稀土金属氟化物中的一种或多种。所述助熔剂的添加量优选为所述各原料组成的混合物的5％以下，更优选为0.5％～4.5％，最优选为1％～4％。
焙烧完毕后，将得到的烧结体研磨分散后得到荧光发光材料。
与现有技术相比，本发明提供的荧光发光材料具有式(I)所示原子比组成，是一种单一的、石榴石基的发光材料，掺杂有Ce和Mn。本发明提供的荧光发光材料的激发光谱范围较宽，且在450nm处有强吸收，能够与商业蓝色芯片完美结合；在蓝光激发下，本发明提供的荧光发光材料的发射波长为500nm～700nm，能够覆盖绿光和红光区，且明显向红光区扩宽，从而获得白光；所述荧光发光材料的红光成分较为充足，色温低；由于本发明采用单一组成的发光材料获得了白光，因此白光色温较为稳定，不会出现色温漂移现象。另外，本发明提供的荧光发光材料的制备方法简单易行、易于操作、易于量产、无污染、成本低。
为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明提供的荧光发光材料及其制备方法进行详细描述，本发明的保护范围不受以下实施例的限制。
实施例1
称取Lu2O3 58.69克，Al2O3 25.24克，SiO2 0.15克，MnCO3 0.29克和CeO2 0.86克，进行充分研磨混合，将得到的混合物放入氧化铝坩埚内，在所述混合物表面覆盖一层碳粉，盖好坩埚盖，放入高温炉内，在1600℃下焙烧3小时，冷却至室温时取出，除去碳，研磨分散后，得到一种低色温石榴石基的荧光粉，其组成为Lu2.95Ce0.05Al4.95Si0.025Mn0.025O12。
对所述荧光粉进行XRD分析，结果表明其具有上述原子比组成；
用波长为450nm的蓝光激发所述荧光粉，结果表明，本发明制备的荧光粉的激发光谱范围较宽，在450nm处有强吸收，可以蓝光芯片较好结合；本发明制备的荧光粉的发射光谱在500nm～700nm区域，覆盖红光和绿光区，且明显向红光区拓宽，从而受蓝光激发获得白光。
对所述荧光粉制备的白光发光二极管的发光情况进行测定，由所述荧光粉制备的白光发光二极管光谱覆盖500nm～700nm，经色温测定所述发光二极管发出的白光色温较低。
实施例2
称取Lu2O3 58.69克，Al2O3 24.89克，SiO2 0.3克，MnO2 0.43克和CeO2 0.86克，进行充分研磨混合，将得到的混合物放入氧化铝坩埚内，盖好坩埚盖，放入高温炉内，在1600℃条件，10％H2/N2气氛下焙烧3小时，冷却至室温时取出，研磨分散后，得到一种低色温石榴石基的荧光粉，其组成为Lu2.95Ce0.05Al4.9Si0.05Mn0.05O12。
对所述荧光粉进行XRD分析，结果表明其具有上述原子比组成；
用波长为450nm的蓝光激发所述荧光粉，结果参见图1，图1为本发明实施例2制备得到的荧光粉在450nm蓝光激发下的光致发射光谱，由图1可知，本发明制备的荧光粉的激发光谱范围较宽，在450nm处有强吸收，可以蓝光芯片较好结合；本发明制备的荧光粉的发射光谱覆盖500nm～700nm区域，覆盖红光和绿光区，且明显向红光区拓宽，从而受蓝光激发获得白光。
对所述荧光粉制备的白光发光二极管的发光情况进行测定，由所述荧光粉制备的白光发光二极管光谱覆盖500nm～700nm，经色温测定所述发光二极管发出的白光色温较低。
实施例3
称取Lu2O3 57.70克，Y(OH)3 0.70克，Al2O3 24.98克，SiO2 0.3克，MnCO3 0.57克和CeO2 0.86克，进行充分研磨混合，将得到的混合物放入氧化铝坩埚内，在所述混合物表面覆盖一层碳粉，盖好坩埚盖，放入高温炉内，在1550℃下焙烧3小时，冷却至室温时取出，除去碳，研磨分散后，得到一种低色温石榴石基的荧光粉，其组成为Lu2.90Y0.05Ce0.05Al4.90Si0.05Mn0.05O12。
对所述荧光粉进行XRD分析，结果表明其具有上述原子比组成；
用波长为450nm的蓝光激发所述荧光粉，结果表明，本发明制备的荧光粉的激发光谱范围较宽，在450nm处有强吸收，可以蓝光芯片较好结合；本发明制备的荧光粉的发射光谱在500nm～700nm区域，覆盖红光和绿光区，且明显向红光区拓宽，从而受蓝光激发获得白光。
对所述荧光粉制备的白光发光二极管的发光情况进行测定，由所述荧光粉制备的白光发光二极管光谱覆盖500nm～700nm，经色温测定所述发光二极管发出的白光色温较低。
实施例4
称取Lu2O3 57.70克，Pr6O11 0.85克，Al2O3 24.73克，SiO2 0.45克，MnCl2 0.94克和CeO2 0.86克，进行充分研磨混合，将得到的混合物放入氧化铝坩埚内，盖好坩埚盖，放入高温炉内，在1550℃条件，2％H2/N2气氛下焙烧5小时，冷却至室温时取出，研磨分散后，得到一种低色温石榴石基的荧光粉，其组成为Lu2.90Pr0.05Ce0.05Al4.85Si0.075Mn0.075O12。
对所述荧光粉进行XRD分析，结果表明其具有上述原子比组成；
用波长为450nm的蓝光激发所述荧光粉，结果表明，本发明制备的荧光粉的激发光谱范围较宽，在450nm处有强吸收，可以蓝光芯片较好结合；本发明制备的荧光粉的发射光谱在500nm～700nm区域，覆盖红光和绿光区，且明显向红光区拓宽，从而受蓝光激发获得白光。
对所述荧光粉制备的白光发光二极管的发光情况进行测定，由所述荧光粉制备的白光发光二极管光谱覆盖500nm～700nm，经色温测定所述发光二极管发出的白光色温较低。
实施例5
称取Lu2O3 57.70克，Nd2O3 1.68克，Al(NO3)3·9H2O 181.94克，H3BO3 0.31克，SiO2 0.3克，MnCO3 0.57克和CeO2 0.86克，进行充分研磨混合，将得到的混合物放入氧化铝坩埚内，在所述混合物上覆盖一层碳粉，盖好坩埚盖，放入高温炉内，在1500℃下焙烧8小时，冷却至室温时取出，除去碳，研磨分散后，得到一种低色温石榴石基的荧光粉，其组成为Lu2.90Nd0.05Ce0.05Al4.85B0.05Si0.05Mn0.05O12。
对所述荧光粉进行XRD分析，结果表明其具有上述原子比组成；
用波长为450nm的蓝光激发所述荧光粉，结果表明，本发明制备的荧光粉的激发光谱范围较宽，在450nm处有强吸收，可以蓝光芯片较好结合；本发明制备的荧光粉的发射光谱在500nm～700nm区域，覆盖红光和绿光区，且明显向红光区拓宽，从而受蓝光激发获得白光。
对所述荧光粉制备的白光发光二极管的发光情况进行测定，由所述荧光粉制备的白光发光二极管光谱覆盖500nm～700nm，经色温测定所述发光二极管发出的白光色温较低。
实施例6
称取Lu2O3 55.71克，Sm2O3 0.87克，Al2O3 24.47克，SiO2 0.6克，MnO2 0.87克和CeO2 2.58克，进行充分研磨混合，将得到的混合物放入氧化铝坩埚内，在所述混合物上覆盖一层碳粉，盖好坩埚盖，放入高温炉内，在1650℃下焙烧1小时，冷却至是室温时取出，除去碳，研磨分散后，得到一种低色温石榴石基的荧光粉，其组成为Lu2.80Sm0.05Ce0.15Al4.8Si0.10Mn0.10O12。
对所述荧光粉进行XRD分析，结果表明其具有上述原子比组成；
用波长为450nm的蓝光激发所述荧光粉，结果表明，本发明制备的荧光粉的激发光谱范围较宽，在450nm处有强吸收，可以蓝光芯片较好结合；本发明制备的荧光粉的发射光谱在500nm～700nm区域，覆盖红光和绿光区，且明显向红光区拓宽，从而受蓝光激发获得白光。
对所述荧光粉制备的白光发光二极管的发光情况进行测定，由所述荧光粉制备的白光发光二极管光谱覆盖500nm～700nm，经色温测定所述发光二极管发出的白光色温较低。
实施例7
称取Lu2O3 58.69克，Al2O3 23.96克，SiO2 0.90克，MnO2 1.30克和CeO2 0.86克，进行充分研磨混合，将得到的混合物放入氧化铝坩埚内，放入高温炉内，在1600℃条件，10％H2/N2气氛下焙烧2小时，冷却至室温时取出，研磨分散后，得到一种低色温石榴石基的荧光粉，其组成为Lu2.95Ce0.05Al4.7Si0.15Mn0.15O12。
对所述荧光粉进行XRD分析，结果参见图2，图2为本发明实施例7和13制备得到的荧光粉的XED图谱，由图2可知，本发明实施例7得到的荧光粉具有上述原子比组成；
用波长为450nm的蓝光激发所述荧光粉，结果参见图3，图3为本发明实施例7制备得到的荧光粉在450nm蓝光激发下的光致发射光谱，由图3可知，本发明制备的荧光粉的激发光谱范围较宽，在450nm处有强吸收，可以蓝光芯片较好结合；本发明制备的荧光粉的发射光谱覆盖500nm～700nm区域，覆盖绿光和红光区，且明显向红光区拓宽，从而受蓝光激发后获得白光；
对所述荧光粉制备的白光发光二极管的发光情况进行测定，结果参见图4，由图4可知，由所述荧光粉制备的白光发光二极管的光谱覆盖500nm～700nm，经色温测定所述发光二极管发出的白光色温为3890K。
实施例8
称取LuCl3 81.59克，Gd2O3 0.91克，AlCl3 64克，H4SiO4 0.59克，SnO2 1.13克，MnO2 1.30克和CeO2 0.86克，进行充分研磨混合，将得到的混合物放入氧化铝坩埚内，盖好坩埚盖，再放入加大坩埚内，放入一定量的碳，盖好坩埚盖，放入高温炉内，在1500℃条件下焙烧4小时，冷却至室温时取出，除去碳，研磨分散后，得到一种低色温石榴石基的荧光粉，其组成为Lu2.90Gd0.05Ce0.05Al4.7Si0.075Sn0.075Mn0.075O12。
对所述荧光粉进行XRD分析，结果表明其具有上述原子比组成；
用波长为450nm的蓝光激发所述荧光粉，结果表明，本发明制备的荧光粉的激发光谱范围较宽，在450nm处有强吸收，可以蓝光芯片较好结合；本发明制备的荧光粉的发射光谱在500nm～700nm区域，覆盖红光和绿光区，且明显向红光区拓宽，从而受蓝光激发获得白光。
对所述荧光粉制备的白光发光二极管的发光情况进行测定，由所述荧光粉制备的白光发光二极管光谱覆盖500nm～700nm，经色温测定所述发光二极管发出的白光色温较低。
实施例9
称取Y2O3 33.31克，Al2O3 24.89克，SiO2 0.3克，MnO2 0.43克和CeO2 0.86克，进行充分研磨混合，将得到的混合物放入氧化铝坩埚内，盖好坩埚盖，放入高温炉内，在1600℃条件，20％H2/N2气氛下焙烧3小时，冷却至室温时取出，研磨分散后，得到一种低色温石榴石基的荧光粉，其组成为Y2.95Ce0.05Al4.9Si0.05Mn0.05O12。
对所述荧光粉进行XRD分析，结果表明其具有上述原子比组成；
用波长为450nm的蓝光激发所述荧光粉，结果参见图5，图5为本发明实施例9制备得到的荧光粉在450nm蓝光激发下的光致发射光谱，由图5可知，本发明制备的荧光粉的激发光谱范围较宽，在450nm处有强吸收，可以蓝光芯片较好结合；本发明制备的荧光粉的发射光谱覆盖500nm～700nm区域，覆盖红光和绿光区，且明显向红光区拓宽，从而受蓝光激发获得白光。
对所述荧光粉制备的白光发光二极管的发光情况进行测定，由所述荧光粉制备的白光发光二极管光谱覆盖500nm～700nm，经色温测定所述发光二极管发出的白光色温较低。
实施例10
称取Y2O3 25.40克，Gd2O3 9.01克，Al2O3 23.96克，H4SiO4 1.17克，MnCO3 1.72克和CeO2 4.30克，进行充分研磨混合，将得到的混合物放入氧化铝坩埚内，盖好坩埚盖，放入高温炉内，在1600℃条件，50％H2/N2气氛下焙烧8小时，冷却至室温时取出，研磨分散后，得到一种低色温石榴石基的荧光粉，其组成为Y2.25Gd0.50Ce0.25Al4.7Si0.15Mn0.15O12。
对所述荧光粉进行XRD分析，结果表明其具有上述原子比组成；
用波长为450nm的蓝光激发所述荧光粉，结果表明，本发明制备的荧光粉的激发光谱范围较宽，在450nm处有强吸收，可以蓝光芯片较好结合；本发明制备的荧光粉的发射光谱在500nm～700nm区域，覆盖红光和绿光区，且明显向红光区拓宽，从而受蓝光激发获得白光。
对所述荧光粉制备的白光发光二极管的发光情况进行测定，由所述荧光粉制备的白光发光二极管光谱覆盖500nm～700nm，经色温测定所述发光二极管发出的白光色温较低。
实施例11
称取Y2O3 20.32克，Tb4O7 18.69克，Al2O3 21.41克，Ga2O3 4.69克，H4SiO4 1.17克，MnCO3 1.72克和CeO2 3.44克，进行充分研磨混合，将得到的混合物放入氧化铝坩埚内，盖好坩埚盖，放入高温炉内，在1600℃条件，25％H2/N2气氛下焙烧10小时，冷却至室温时取出，研磨分散后，得到一种低色温石榴石基的荧光粉，其组成为Y1.80Tb1.00Ce0.20Al4.2Ga0.5Si0.15Mn0.15O12。
对所述荧光粉进行XRD分析，结果表明其具有上述原子比组成；
用波长为450nm的蓝光激发所述荧光粉，结果表明，本发明制备的荧光粉的激发光谱范围较宽，在450nm处有强吸收，可以蓝光芯片较好结合；本发明制备的荧光粉的发射光谱在500nm～700nm区域，覆盖红光和绿光区，且明显向红光区拓宽，从而受蓝光激发获得白光。
对所述荧光粉制备的白光发光二极管的发光情况进行测定，由所述荧光粉制备的白光发光二极管光谱覆盖500nm～700nm，经色温测定所述发光二极管发出的白光色温较低。
实施例12
称取Y2O3 32.74克，Dy2O3 0.93克，Al2O3 22.43克，H3BO3 1.23克，H4SiO4 1.56克，MnCO3 2.30克和CeO2 0.86克，进行充分研磨混合，将得到的混合物放入氧化铝坩埚内，盖好坩埚盖，放入高温炉内，在1650℃条件，50％H2/N2气氛下焙烧3小时，冷却至室温时取出，研磨分散后，得到一种低色温石榴石基的荧光粉，其组成为Y2.90Dy0.05Ce0.05Al4.4B0.20Si0.20Mn0.20O12。
对所述荧光粉进行XRD分析，结果表明其具有上述原子比组成；
用波长为450nm的蓝光激发所述荧光粉，结果表明，本发明制备的荧光粉的激发光谱范围较宽，在450nm处有强吸收，可以蓝光芯片较好结合；本发明制备的荧光粉的发射光谱在500nm～700nm区域，覆盖红光和绿光区，且明显向红光区拓宽，从而受蓝光激发获得白光。
对所述荧光粉制备的白光发光二极管的发光情况进行测定，由所述荧光粉制备的白光发光二极管光谱覆盖500nm～700nm，经色温测定所述发光二极管发出的白光色温较低。
实施例13
称取Lu2O3 33.31克，Al2O3 24.22克，SiO2 0.75克，MnO2 1.09克和CeO2 0.86克，进行充分研磨混合，将得到的混合物放入氧化铝坩埚内，盖好坩埚盖，放入高温炉内，在1600℃条件，10％H2/N2气氛下焙烧2小时，冷却至室温时取出，研磨分散后，得到一种低色温石榴石基的荧光粉，其组成为Y2.95Ce0.05Al4.75Si0.125Mn0.125O12。
对所述荧光粉进行XRD分析，结果参见图2，图2为本发明实施例7和13制备得到的荧光粉的XED图谱，由图2可知，本发明实施例13得到的荧光粉具有上述原子比组成；
用波长为450nm的蓝光激发所述荧光粉，结果参见图6，图6为本发明实施例13制备得到的荧光粉在450nm蓝光激发下的光致发射光谱，由图6可知，本发明制备的荧光粉的激发光谱范围较宽，在450nm处有强吸收，可以蓝光芯片较好结合；本发明制备的荧光粉的发射光谱覆盖500nm～700nm区域，覆盖绿光和红光区，且明显向红光区拓宽；
对所述荧光粉制备的白光发光二极管的发光情况进行测定，结果参见图7，由图7可知，由所述荧光粉制备的白光发光二极管的光谱覆盖500nm～700nm，经色温测定所述发光二极管发出的白光色温为3750K。
实施例14
称取Y(OH)3 37.08克，Ho2O3 1.89克，Al2O3 21.92克，Ga2O3 1.87克，SiO2 1.50克，MnCO3 2.87克和CeO2 4.30克，进行充分研磨混合，将得到的混合物放入氧化铝坩埚内，盖好坩埚盖，放入高温炉内，在1650℃条件，10％H2/N2气氛下焙烧3小时，冷却至室温时取出，研磨分散后，得到一种低色温石榴石基的荧光粉，其组成为Y2.65Ce0.25Ho0.10Al4.3Ga0.20Si0.25Mn0.25O12。
对所述荧光粉进行XRD分析，结果表明其具有上述原子比组成；
用波长为450nm的蓝光激发所述荧光粉，结果表明，本发明制备的荧光粉的激发光谱范围较宽，在450nm处有强吸收，可以蓝光芯片较好结合；本发明制备的荧光粉的发射光谱在500nm～700nm区域，覆盖红光和绿光区，且明显向红光区拓宽，从而受蓝光激发获得白光。
对所述荧光粉制备的白光发光二极管的发光情况进行测定，由所述荧光粉制备的白光发光二极管光谱覆盖500nm～700nm，经色温测定所述发光二极管发出的白光色温较低。
实施例15
称取Tb4O7 55.14克，Al2O3 24.89克，SiO2 0.3克，MnO2 0.43克和CeO2 0.86克，进行充分研磨混合，将得到的混合物放入氧化铝坩埚内，盖好坩埚盖，放入高温炉内，在1600℃条件，10％H2/N2气氛下焙烧3小时，冷却至室温时取出，研磨分散后，得到一种低色温石榴石基的荧光粉，其组成为Tb2.95Ce0.05Al4.9Si0.05Mn0.05O12。
对所述荧光粉进行XRD分析，结果表明其具有上述原子比组成；
用波长为450nm的蓝光激发所述荧光粉，结果表明，本发明制备的荧光粉的激发光谱范围较宽，在450nm处有强吸收，可以蓝光芯片较好结合；本发明制备的荧光粉的发射光谱在500nm～700nm区域，覆盖红光和绿光区，且明显向红光区拓宽，从而受蓝光激发获得白光。
对所述荧光粉制备的白光发光二极管的发光情况进行测定，由所述荧光粉制备的白光发光二极管光谱覆盖500nm～700nm，经色温测定所述发光二极管发出的白光色温较低。
实施例16
称取TbCl3 70.30克，Er2O3 0.96克，Al2O3 21.41克，H3BO3 2.47克，H4SiO4 1.56克，MnCO3 2.30克和CeO2 5.16克，进行充分研磨混合，将得到的混合物放入氧化铝坩埚内，盖好坩埚盖，放入高温炉内，在1600℃条件，10％H2/N2气氛下焙烧3小时，冷却至室温时取出，研磨分散后，得到一种低色温石榴石基的荧光粉，其组成为Tb2.65Er0.05Ce0.30Al4.20B0.40Si0.20Mn0.20O12。
对所述荧光粉进行XRD分析，结果表明其具有上述原子比组成；
用波长为450nm的蓝光激发所述荧光粉，结果表明，本发明制备的荧光粉的激发光谱范围较宽，在450nm处有强吸收，可以蓝光芯片较好结合；本发明制备的荧光粉的发射光谱在500nm～700nm区域，覆盖红光和绿光区，且明显向红光区拓宽，从而受蓝光激发获得白光。
对所述荧光粉制备的白光发光二极管的发光情况进行测定，由所述荧光粉制备的白光发光二极管光谱覆盖500nm～700nm，经色温测定所述发光二极管发出的白光色温较低。
实施例17
称取Tb4O7 55.14克，Al2O3 23.96克，SiO2 0.90克，MnO2 1.30克和CeO2 0.86克，进行充分研磨混合，将得到的混合物放入氧化铝坩埚内，盖好坩埚盖，放入高温炉内，在1600℃条件，10％H2/N2气氛下焙烧2小时，冷却至室温时取出，研磨分散后，得到一种低色温石榴石基的荧光粉，其组成为Tb2.95Ce0.05Al4.7Si0.15Mn0.15O12。
对所述荧光粉进行XRD分析，结果表明其具有上述原子比组成；
用波长为450nm的蓝光激发所述荧光粉，结果表明，本发明制备的荧光粉的激发光谱范围较宽，在450nm处有强吸收，可以蓝光芯片较好结合；本发明制备的荧光粉的发射光谱在500nm～700nm区域，覆盖红光和绿光区，且明显向红光区拓宽，从而受蓝光激发获得白光。
对所述荧光粉制备的白光发光二极管的发光情况进行测定，由所述荧光粉制备的白光发光二极管光谱覆盖500nm～700nm，经色温测定所述发光二极管发出的白光色温较低。
实施例18
称取Tb(NO3)3 91.41克，Tm2O3 5.79克，Al2O3 23.45克，SiO2 0.6克，MnO2 1.74克和CeO2 0.86克，进行充分研磨混合，将得到的混合物放入氧化铝坩埚内，盖好坩埚盖，放入高温炉内，在1500℃条件，H2气氛下焙烧3小时，冷却至室温时取出，研磨分散后，得到一种低色温石榴石基的荧光粉，其组成为Tb2.65Tm0.30Ce0.05Al4.60Si0.20Mn0.20O12。
对所述荧光粉进行XRD分析，结果表明其具有上述原子比组成；
用波长为450nm的蓝光激发所述荧光粉，结果表明，本发明制备的荧光粉的激发光谱范围较宽，在450nm处有强吸收，可以蓝光芯片较好结合；本发明制备的荧光粉的发射光谱在500nm～700nm区域，覆盖红光和绿光区，且明显向红光区拓宽，从而受蓝光激发获得白光。
对所述荧光粉制备的白光发光二极管的发光情况进行测定，由所述荧光粉制备的白光发光二极管光谱覆盖500nm～700nm，经色温测定所述发光二极管发出的白光色温较低。
实施例19
称取TbCl3 66.32克，Yb2O3 4.93克，Al2O3 23.45克，SiO2 0.6克，MnO2 1.74克和CeO2 0.86克，进行充分研磨混合，将得到的混合物放入氧化铝坩埚内，盖好坩埚盖，放入高温炉内，在1600℃条件，20％H2/N2气氛下焙烧3小时，冷却至室温时取出，研磨分散后，得到一种低色温石榴石基的荧光粉，其组成为Tb2.50Yb0.25Ce0.25Al4.60Si0.20Mn0.20O12。
对所述荧光粉进行XRD分析，结果表明其具有上述原子比组成；
用波长为450nm的蓝光激发所述荧光粉，结果表明，本发明制备的荧光粉的激发光谱范围较宽，在450nm处有强吸收，可以蓝光芯片较好结合；本发明制备的荧光粉的发射光谱在500nm～700nm区域，覆盖红光和绿光区，且明显向红光区拓宽，从而受蓝光激发获得白光。
对所述荧光粉制备的白光发光二极管的发光情况进行测定，由所述荧光粉制备的白光发光二极管光谱覆盖500nm～700nm，经色温测定所述发光二极管发出的白光色温较低。
实施例20
称取Lu2O3 58.69克，Al2O3 18.86克，H3BO3 6.18克，SiO2 0.90克，MnO2 1.30克和CeO2 0.86克，进行充分研磨混合，将得到的混合物放入氧化铝坩埚内，盖好坩埚盖，放入高温炉内，在1550℃条件，75％H2/N2气氛下焙烧4小时，冷却至室温时取出，研磨分散后，得到一种低色温石榴石基的荧光粉，其组成为Lu2.95Ce0.05Al3.70B1.00Si0.15Mn0.15O12。
对所述荧光粉进行XRD分析，结果表明其具有上述原子比组成；
用波长为450nm的蓝光激发所述荧光粉，结果表明，本发明制备的荧光粉的激发光谱范围较宽，在450nm处有强吸收，可以蓝光芯片较好结合；本发明制备的荧光粉的发射光谱在500nm～700nm区域，覆盖红光和绿光区，且明显向红光区拓宽，从而受蓝光激发获得白光。
对所述荧光粉制备的白光发光二极管的发光情况进行测定，由所述荧光粉制备的白光发光二极管光谱覆盖500nm～700nm，经色温测定所述发光二极管发出的白光色温较低。
实施例21
称取Lu2O3 58.69克，Al2O3 16.31克，Ga2O3 14.06克，SiO2 0.45克，SnO2 1.13克，MnO2 1.30克和CeO2 0.86克，进行充分研磨混合，将得到的混合物放入氧化铝坩埚内，盖好坩埚盖，放入高温炉内，在1600℃条件，60％H2/N2气氛下焙烧15小时，冷却至室温时取出，研磨分散后，得到一种低色温石榴石基的荧光粉，其组成为Lu2.95Ce0.05Al3.20Ga1.50Si0.075Sn0.075Mn0.15O12。
对所述荧光粉进行XRD分析，结果表明其具有上述原子比组成；
用波长为450nm的蓝光激发所述荧光粉，结果表明，本发明制备的荧光粉的激发光谱范围较宽，在450nm处有强吸收，可以蓝光芯片较好结合；本发明制备的荧光粉的发射光谱在500nm～700nm区域，覆盖红光和绿光区，且明显向红光区拓宽，从而受蓝光激发获得白光。
对所述荧光粉制备的白光发光二极管的发光情况进行测定，由所述荧光粉制备的白光发光二极管光谱覆盖500nm～700nm，经色温测定所述发光二极管发出的白光色温较低。
实施例22
称取Y2O3 33.31克，Al2O3 16.31克，Ga2O3 14.06克，SiO2 0.45克，GeO2 0.78克，MnO2 1.30克和CeO2 0.86克，进行充分研磨混合，将得到的混合物放入氧化铝坩埚内，盖好坩埚盖，放入高温炉内，在1550℃条件，H2气氛下焙烧3小时，冷却至室温时取出，研磨分散后，得到一种低色温石榴石基的荧光粉，其组成为Y2.95Ce0.05Al3.2Ga1.50Si0.075Ge0.075Mn0.15O12。
对所述荧光粉进行XRD分析，结果表明其具有上述原子比组成；
用波长为450nm的蓝光激发所述荧光粉，结果表明，本发明制备的荧光粉的激发光谱范围较宽，在450nm处有强吸收，可以蓝光芯片较好结合；本发明制备的荧光粉的发射光谱在500nm～700nm区域，覆盖红光和绿光区，且明显向红光区拓宽，从而受蓝光激发获得白光。
对所述荧光粉制备的白光发光二极管的发光情况进行测定，由所述荧光粉制备的白光发光二极管光谱覆盖500nm～700nm，经色温测定所述发光二极管发出的白光色温较低。
实施例23
称取Y2O3 33.31克，Al2O3 23.45克，SiO2 0.60克，GeO2 1.05克，MnO2 1.74克和CeO2 0.86克，进行充分研磨混合，将得到的混合物放入氧化铝坩埚内，盖好坩埚盖，放入高温炉内，在1550℃条件，80％H2/N2气氛下焙烧5小时，冷却至室温时取出，研磨分散后，得到一种低色温石榴石基的荧光粉，其组成为Y2.95Ce0.05Al4.60Si0.10Ge0.10Mn0.20O12。
对所述荧光粉进行XRD分析，结果表明其具有上述原子比组成；
用波长为450nm的蓝光激发所述荧光粉，结果表明，本发明制备的荧光粉的激发光谱范围较宽，在450nm处有强吸收，可以蓝光芯片较好结合；本发明制备的荧光粉的发射光谱在500nm～700nm区域，覆盖红光和绿光区，且明显向红光区拓宽，从而受蓝光激发获得白光。
对所述荧光粉制备的白光发光二极管的发光情况进行测定，由所述荧光粉制备的白光发光二极管光谱覆盖500nm～700nm，经色温测定所述发光二极管发出的白光色温较低。
实施例24
称取Tb4O7 31.78克，Y(OH)3 13.99克，Al2O3 17.84克，H3BO3 3.09克，Ga2O3 4.69克，SiO2 0.75克，GeO2 1.31克，MnO2 2.17克和CeO25.16克，进行充分研磨混合，将得到的混合物放入氧化铝坩埚内，盖好坩埚盖，放入高温炉内，在1600℃条件，10％H2/N2气氛下焙烧2小时，冷却至室温时取出，研磨分散后，得到一种低色温石榴石基的荧光粉，其组成为Tb1.70Y1.00Ce0.30Al3.50B0.50Ga0.50Si0.125Ge0.125Mn0.25O12。
对所述荧光粉进行XRD分析，结果表明其具有上述原子比组成；
用波长为450nm的蓝光激发所述荧光粉，结果表明，本发明制备的荧光粉的激发光谱范围较宽，在450nm处有强吸收，可以蓝光芯片较好结合；本发明制备的荧光粉的发射光谱在500nm～700nm区域，覆盖红光和绿光区，且明显向红光区拓宽，从而受蓝光激发获得白光。
对所述荧光粉制备的白光发光二极管的发光情况进行测定，由所述荧光粉制备的白光发光二极管光谱覆盖500nm～700nm，经色温测定所述发光二极管发出的白光色温较低。
实施例25
称取Lu2O3 58.69克，Al2O3 24.89克，SiO2 0.3克，MnO2 0.43克，CeO2 0.86克，NaF 0.1克和NH4HF2 0.10克，进行充分研磨混合，将得到的混合物放入氧化铝坩埚内，盖好坩埚盖，放入高温炉内，在1500℃条件，H2气氛下焙烧2小时，冷却至室温时取出，研磨分散后，得到一种低色温石榴石基的荧光粉，其组成为Lu2.95Ce0.05Al4.9Si0.05Mn0.05O12。
对所述荧光粉进行XRD分析，结果表明其具有上述原子比组成；
用波长为450nm的蓝光激发所述荧光粉，结果表明，本发明制备的荧光粉的激发光谱范围较宽，在450nm处有强吸收，可以蓝光芯片较好结合；本发明制备的荧光粉的发射光谱在500nm～700nm区域，覆盖红光和绿光区，且明显向红光区拓宽，从而受蓝光激发获得白光。
对所述荧光粉制备的白光发光二极管的发光情况进行测定，由所述荧光粉制备的白光发光二极管光谱覆盖500nm～700nm，经色温测定所述发光二极管发出的白光色温较低。
实施例26
称取Y2O3 33.31克，Al2O3 24.89克，SiO2 0.3克，MnO2 0.43克，CeO2 0.86克和CaF2 0.16克，进行充分研磨混合，将得到的混合物放入氧化铝坩埚内，盖好坩埚盖，放入高温炉内，在1500℃条件，H2气氛下焙烧3小时，冷却至室温时取出，研磨分散后，得到一种低色温石榴石基的荧光粉，其组成为Y2.95Ce0.05Al4.9Si0.05Mn0.05O12。
对所述荧光粉进行XRD分析，结果表明其具有上述原子比组成；
用波长为450nm的蓝光激发所述荧光粉，结果表明，本发明制备的荧光粉的激发光谱范围较宽，在450nm处有强吸收，可以蓝光芯片较好结合；本发明制备的荧光粉的发射光谱在500nm～700nm区域，覆盖红光和绿光区，且明显向红光区拓宽，从而受蓝光激发获得白光。
对所述荧光粉制备的白光发光二极管的发光情况进行测定，由所述荧光粉制备的白光发光二极管光谱覆盖500nm～700nm，经色温测定所述发光二极管发出的白光色温较低。
实施例27
称取Tb4O7 55.14克，Al2O3 23.96克，SiO2 0.90克，MnO2 1.30克，CeO2 0.86克，LiF 0.03克和SrF2 0.13克，进行充分研磨混合，将得到的混合物放入氧化铝坩埚内，盖好坩埚盖，放入高温炉内，在1400℃条件，90％H2/N2气氛下焙烧3小时，冷却至室温时取出，研磨分散后，得到一种低色温石榴石基的荧光粉，其组成为Tb2.95Ce0.05Al4.7Si0.15Mn0.15O12。
对所述荧光粉进行XRD分析，结果表明其具有上述原子比组成；
用波长为450nm的蓝光激发所述荧光粉，结果表明，本发明制备的荧光粉的激发光谱范围较宽，在450nm处有强吸收，可以蓝光芯片较好结合；本发明制备的荧光粉的发射光谱在500nm～700nm区域，覆盖红光和绿光区，且明显向红光区拓宽，从而受蓝光激发获得白光。
对所述荧光粉制备的白光发光二极管的发光情况进行测定，由所述荧光粉制备的白光发光二极管光谱覆盖500nm～700nm，经色温测定所述发光二极管发出的白光色温较低。
实施例28
称取Lu2O3 58.69克，Al2O3 23.96克，SiO2 0.90克，MnO2 1.30克，CeO2 0.86克，LaF3 0.12克和NH4HF2 0.10克，进行充分研磨混合，将得到的混合物放入氧化铝坩埚内，盖好坩埚盖，放入高温炉内，在1450℃条件，H2气氛下焙烧3小时，冷却至室温时取出，研磨分散后，得到一种低色温石榴石基的荧光粉，其组成为Lu2.95Ce0.05Al4.7Si0.15Mn0.15O12。
对所述荧光粉进行XRD分析，结果表明其具有上述原子比组成；
用波长为450nm的蓝光激发所述荧光粉，结果表明，本发明制备的荧光粉的激发光谱范围较宽，在450nm处有强吸收，可以蓝光芯片较好结合；本发明制备的荧光粉的发射光谱在500nm～700nm区域，覆盖红光和绿光区，且明显向红光区拓宽，从而受蓝光激发获得白光。
对所述荧光粉制备的白光发光二极管的发光情况进行测定，由所述荧光粉制备的白光发光二极管光谱覆盖500nm～700nm，经色温测定所述发光二极管发出的白光色温较低。
实施例29
称取Y2O3 33.31克，Al2O3 23.96克，SiO2 0.90克，MnO2 1.30克，CeO2 0.86克，NH4F 0.10克和BaF2 0.08克，进行充分研磨混合，将得到的混合物放入氧化铝坩埚内，盖好坩埚盖，放入高温炉内，在1400℃条件，60％H2/N2气氛下焙烧3小时，冷却至室温时取出，研磨分散后，得到一种低色温石榴石基的荧光粉，其组成为Y2.95Ce0.05Al4.7Si0.15Mn0.15O12。
对所述荧光粉进行XRD分析，结果表明其具有上述原子比组成；
用波长为450nm的蓝光激发所述荧光粉，结果表明，本发明制备的荧光粉的激发光谱范围较宽，在450nm处有强吸收，可以蓝光芯片较好结合；本发明制备的荧光粉的发射光谱在500nm～700nm区域，覆盖红光和绿光区，且明显向红光区拓宽，从而受蓝光激发获得白光。
对所述荧光粉制备的白光发光二极管的发光情况进行测定，由所述荧光粉制备的白光发光二极管光谱覆盖500nm～700nm，经色温测定所述发光二极管发出的白光色温较低。
实施例30
称取Tb4O7 55.14克，Al2O3 23.96克，SiO2 0.90克，MnO2 1.30克，CeO2 0.86克，AlF3 0.14克和GdF3 0.06克，进行充分研磨混合，将得到的混合物放入氧化铝坩埚内，盖好坩埚盖，放入高温炉内，在1450℃条件，90％H2/N2气氛下焙烧3小时，冷却至室温时取出，研磨分散后，得到一种低色温石榴石基的荧光粉，其组成为Tb2.95Ce0.05Al4.7Si0.15Mn0.15O12。
对所述荧光粉进行XRD分析，结果表明其具有上述原子比组成；
用波长为450nm的蓝光激发所述荧光粉，结果表明，本发明制备的荧光粉的激发光谱范围较宽，在450nm处有强吸收，可以蓝光芯片较好结合；本发明制备的荧光粉的发射光谱在500nm～700nm区域，覆盖红光和绿光区，且明显向红光区拓宽，从而受蓝光激发获得白光。
对所述荧光粉制备的白光发光二极管的发光情况进行测定，由所述荧光粉制备的白光发光二极管光谱覆盖500nm～700nm，经色温测定所述发光二极管发出的白光色温较低。
实施例31
称取Lu2O3 58.69克，Al2O3 23.96克，SiO2 0.90克，MnO2 1.30克，CeO2 0.86克，LuF3 0.10克和NH4HF2 0.10克，进行充分研磨混合，将得到的混合物放入氧化铝坩埚内，盖好坩埚盖，放入高温炉内，在1500℃条件，30％H2/N2气氛下焙烧3小时，冷却至室温时取出，研磨分散后，得到一种低色温石榴石基的荧光粉，其组成为Lu2.95Ce0.05Al4.7Si0.15Mn0.15O12。
对所述荧光粉进行XRD分析，结果表明其具有上述原子比组成；
用波长为450nm的蓝光激发所述荧光粉，结果表明，本发明制备的荧光粉的激发光谱范围较宽，在450nm处有强吸收，可以蓝光芯片较好结合；本发明制备的荧光粉的发射光谱在500nm～700nm区域，覆盖红光和绿光区，且明显向红光区拓宽，从而受蓝光激发获得白光。
对所述荧光粉制备的白光发光二极管的发光情况进行测定，由所述荧光粉制备的白光发光二极管光谱覆盖500nm～700nm，经色温测定所述发光二极管发出的白光色温较低。
比较实例1
称取Lu2O3 58.69克，Al2O3 25.49克和CeO2 0.86克，进行充分研磨混合，将得到的混合物放入氧化铝坩埚内，盖好坩埚盖，放入高温炉内，在1600℃条件，10％H2/N2气氛下焙烧3小时，冷却至室温时取出，除去碳，研磨分散后，得到荧光粉，其组成为Lu2.95Ce0.05Al5O12。
对所述荧光粉进行XRD分析，结果表明其具有上述原子比组成；
用波长为450nm的蓝光激发所述荧光粉，结果参见图8，图8为本发明比较例1制备得到的荧光粉在450nm蓝光激发下的光致发射光谱，由图8可知，比较例1制备的荧光粉的发射光谱在绿光区比较宽，红光区不足；
对所述荧光粉制备的白光发光二极管的白光色温进行测定，所述发光二极管发出的白光色温较高。
比较实例2
称取Y2O3 33.31克，Al2O3 25.49克和CeO2 0.86克，进行充分研磨混合，放入氧化铝坩埚内，盖好坩埚盖，放入高温炉内，在1600℃条件，10％H2/N2气氛下焙烧3小时，冷却至室温时取出，除去碳，研磨分散后，得到荧光粉，其组成为Y2.95Ce0.05Al5O12。
对所述荧光粉进行XRD分析，结果表明其具有上述原子比组成；
用波长为450nm的蓝光激发所述荧光粉，结果参见图9，图9为本发明比较例1制备得到的荧光粉在450nm蓝光激发下的光致发射光谱，有图9可知，比较例1制备的荧光粉的发射光谱在黄绿光区比较宽，红光区不足；
对所述荧光粉制备的白光发光二极管的白光色温进行测定，所述发光二极管发出的白光色温较高。
以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。

Claims (10)

1.一种低色温石榴石基的荧光发光材料，具有式(I)所示的原子比：
A3-xCexD5-2yGyMnyO12  (I)；
式(I)中，A为稀土元素；
D为B、Al和Ga中的一种或多种；
G为Si、Ge和Sn的中一种或多种；
0＜x≤0.30；
0＜y≤0.25。
2.根据权利要求1所述的荧光发光材料，其特征在于，所述A为Y、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的一种或多种。
3.一种权利要求1～4任意一项所述的荧光发光材料的制备方法，包括以下步骤：
将含A的化合物、含D的化合物、含G的化合物、含Ce的化合物和含Mn的化合物混合，得到混合物；
将所述混合物在还原气氛中焙烧，得到荧光发光材料。
4.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述含A的化合物为含A的氧化物、硝酸盐、氢氧化物、卤化物和碳酸盐中的一种或多种。
5.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述含D的化合物为含D的氧化物、氢氧化物和含氧酸盐中的一种或两种。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述含G的化合物为含G的氧化物、氢氧化物和含氧酸中的一种或两种。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述含Mn的化合物为含Mn的氧化物、卤化物、碳酸盐和硝酸盐中的一种或多种。
8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述含Ce的化合物为含Ce的氧化物、卤化物、碳酸盐和硝酸盐中的一种或多种。
9.根据权利要求3～8任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述混合物还包括氟化物助熔剂。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述焙烧的温度为1400℃～1700℃，所述焙烧的时间为1h～20h。
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