JP2015211202A - 発光装置 - Google Patents

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邦夫 石田
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Abstract


【課題】発光効率が向上する発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態の発光装置は、近紫外光または青色光の励起光を発する発光素子と、式(1)で表され励起光を黄色光に変換する黄色蛍光体と、黄色蛍光体を囲む樹脂を含み、黄色蛍光体の体積濃度が7%以下であり、発光素子の発光面に平行な断面の断面積が発光面よりも大きい領域を有する第1の色変換層と、を備える。
(Sr1−x1Cex1a1AlSib1c1d1・・・・・(1)
(式(1)中、x1、a1、b1、c1、d1は、次の関係を満たす。0<x1≦0.1、0.6<a1<0.95、2.0<b1<3.9、0<c1<0.45、4.0<d1<5.0)
【選択図】図1

Description

本発明の実施形態は、発光装置に関する。
発光ダイオード(Light Emitting Diode:LED)を用いた発光装置は、主に励起光源としてのLEDと蛍光体との組み合わせから構成される。そして、その組み合わせによって様々な色の発光を実現することができる。
発光ダイオードを用いた発光装置は、携帯機器、PC周辺機器、OA機器、各種スイッチ、バックライト用光源、および表示板などの各種表示装置に用いられている。これら発光装置には、高効率化および高演色化が強く望まれている。
特開2010−50490号公報
本発明が解決しようとする課題は、発光効率が向上する発光装置を提供することにある。
実施形態の発光装置は、近紫外光または青色光の励起光を発する発光素子と、式(1)で表され励起光を黄色光に変換する黄色蛍光体と、黄色蛍光体を囲む樹脂を含み、黄色蛍光体の体積濃度が7%以下であり、発光素子の発光面に平行な断面の断面積が発光面よりも大きい領域を有する第1の色変換層と、を備える。
(Sr1−x1Cex1a1AlSib1c1d1・・・・・(1)
(式(1)中、x1、a1、b1、c1、d1は、次の関係を満たす。0<x1≦0.1、0.6<a1<0.95、2.0<b1<3.9、0<c1<0.45、4.0<d1<5.0)
第1の実施形態の発光装置の模式断面図。 第1の実施形態の発光装置の作用の説明図。 第2の実施形態の発光装置の模式断面図。 第3の実施形態の発光装置の模式断面図。 第4の実施形態の発光装置の模式断面図。 第5の実施形態の発光装置の模式断面図。 第6の実施形態の発光装置の模式断面図。 第7の実施形態の発光装置の模式断面図。 第8の実施形態の発光装置の模式断面図。 第9の実施形態の発光装置の模式断面図。 第10の実施形態の発光装置の模式断面図。
本明細書中、発光素子や蛍光体の発する光のピーク波長とは、発光素子や蛍光体の発する光の分布の中で光強度が最大となる波長を意味する。また、ピーク強度とは、ピーク波長における光強度を意味する。なお、ピーク波長や光強度は、公知の光スペクトルアナライザや光パワーメータ等を用いて測定することが可能である。
本明細書中、特に断りのない限り、白色光とは、色温度が電球色(2700K)から昼光色(6500K)の範囲の光を意味するものとする。
本明細書中、近紫外光とは最大ピーク波長が200nm以上410nm未満の光を意味するものとする。青色光とは最大ピーク波長が410nm以上480nm未満である光を意味するものとする。また、緑色光とは最大ピーク波長が480nm以上530nm未満である光を意味するものとする。また、黄色光とは最大ピーク波長が530nm以上600nm未満である光を意味するものとする。また、赤色光とは最大ピーク波長が600nm以上760nm未満である光を意味するものとする。
以下、図面を用いて実施形態について説明する。
(第1の実施形態)
実施形態の発光装置は、近紫外光または青色光の励起光を発する発光素子と、式(1)で表され励起光を黄色光に変換する黄色蛍光体と、黄色蛍光体を囲む樹脂を含み、黄色蛍光体の体積濃度が7%以下であり、発光素子の発光面に平行な断面の断面積が発光面よりも大きい領域を有する第1の色変換層と、を備える。
(Sr1−x1Cex1a1AlSib1c1d1・・・・・(1)
(式(1)中、x1、a1、b1、c1、d1は、次の関係を満たす。0<x1≦0.1、0.6<a1<0.95、2.0<b1<3.9、0<c1<0.45、4.0<d1<5.0)
図1は、本実施形態の発光装置の模式断面図である。この発光装置は、白色光を発する発光装置である。
本実施形態の発光装置は、基板1、発光素子10、色変換層(第1の色変換層)12を備えている。発光素子10は、基板1上に実装される。基板1には、例えば、高反射材料が用いられる。
発光素子10は、基板1上の図示しない配線に接続される。そして、配線を介して外部から発光素子10に駆動電流が供給され発光する。
発光素子10は、例えば、ピーク波長が410nm以上480nm未満の青色光を、励起光として発する。励起光は、発光素子10の上面から発せられる。
発光素子10は、例えば、青色LED(Light Emitting Diode)である。青色LEDは、例えば、発光層をGaInNとするAlGaInN系LEDである。青色LEDは、例えば、上面が一辺300μmの正方形の形状を備える。
色変換層12は、発光素子10から発せられる励起光の光路上に設けられる。本実施形態では、色変換層12は、ドーム状であり、発光素子10の上面および側面を覆い、発光素子10を埋め込むように配置されている。色変換層12は、発光素子10の発光面に平行な断面の断面積が発光面よりも大きい領域を有する。ここで、発光素子10の発光面とは、図1中、発光素子10の上面に相当する。
色変換層12は、複数の蛍光体粒子(黄色蛍光体)12aと、蛍光体粒子12aを囲む樹脂12bを備える。色変換層12の膜厚は、例えば、0.1mm以上3.0mm以下である。なお、色変換層12の膜厚は、発光装置を切断し、断面を顕微鏡観察などで実測することで測定する。
本実施形態の蛍光体粒子12aの化学組成は、下記式(1)で表わされ、励起光を黄色光に変換する黄色蛍光体である。
(Sr1−x1Cex1a1AlSib1c1d1・・・・・(1)
(式(1)中、x1、a1、b1、c1、d1は、次の関係を満たす。0<x1≦0.1、0.6<a1<0.95、2.0<b1<3.9、0<c1<0.45、4.0<d1<5.0)
本実施形態において、蛍光体粒子12aは、ピーク波長が530nm以上600nm未満の黄色光を発する。本実施形態の蛍光体粒子12aは、シリコン(Si)、アルミニウム(Al)、ストロンチウム(Sr)を含む酸窒化物蛍光体、いわゆるサイアロン蛍光体である。この蛍光体は、SrSiAlON13の結晶構造と実質的に同じ結晶構造を備え、Ceで付活されている。サイアロン蛍光体は高い効率で発光する蛍光体である。
蛍光体粒子12aの粒径は、1μm以上25μm以下であることが望ましい。蛍光体粒子12aの粒径は、3μm以上であることがより望ましく、5μm以上であることが、さらに望ましい。
なお、蛍光体粒子12aの粒径は、市販の粒度分布測定装置によって測定することができる。例えば、Sympatec社製レーザー回折式HELOS&RODOSを用いることができる。なお、蛍光体粒子が凝集し、塊状である場合には、量子効率の低下が5%未満になる程度に解砕した上で測定を行う。なお、本実施形態において粒径とはメジアン径(D50)を意味する。
樹脂12bは、色変換層12のマトリックスである。樹脂12b中に蛍光体粒子12aが分散される。樹脂12bは、透明樹脂である。透明樹脂は、例えば、シリコーン樹脂である。
色変換層12中の蛍光体粒子(黄色蛍光体)12aの体積濃度は7%以下である。なお、体積濃度は、蛍光体粒子12aの体積を分子、色変換層12の体積を分母とする。例えば、顕微鏡写真を用いて、色変換層12の0.1mm四方中に蛍光体粒子12aの占める面積を測定し、0.01mmで除することで、蛍光体粒子の体積濃度を求める。
次に、本実施形態の発光装置の作用および効果について説明する。
図2は、本実施形態の発光装置の作用の説明図である。図2(a)は、本実施形態のサイアロン蛍光体を用いた場合の、CIE色度図上のX座標(Cx)と発光効率の関係を示す図である。図2(b)は、比較形態のYAG蛍光体を用いた場合の、色度図上のX座標(Cx)と発光効率の関係を示す図である。
本実施形態および比較形態いずれの場合も、青色光を励起光とし、以下の2つの方法で色変換層中の黄色蛍光体の量を変化させて、発光効率を評価している。第1の方法は、色変換層中の蛍光体の体積濃度を一定にし、色変換層の膜厚を振る方法である(図2中、濃度一定・膜厚振り)。第2の方法は、色変換層の膜厚を一定にし、変換層中の蛍光体の体積濃度を振る方法である(図2中、膜厚一定・濃度振り)。
サイアロン蛍光体には、(Sr0.97Ce0.030.67AlSi2.30.334.3を用いている。
本実施形態のサイアロン蛍光体の場合には、特に、Cx=2.6近傍から第1の方法と第2の方法で発光効率が乖離を見せ、第1の方法、すなわち、黄色蛍光体の体積濃度を一定にして黄色蛍光体の量を増加させる方が、発光効率が良くなることが分かる。例えば、白色光に相当するCx=0.33では、第1の方法と第2の方法で発光効率が7%以上異なっている。Cx=0.33における黄色蛍光体の体積濃度は、第1の方法の場合が7%、第2の方法の場合は14%である。
一方、比較形態のYAG蛍光体の場合には、第1の方法と第2の方法との間に発光効率に顕著な差は見られない。
以上のように、本実施形態のサイアロン蛍光体では、比較形態のYAG蛍光体にない特異な傾向が見られる。これは、蛍光体による励起光の散乱に関連すると考えられる。
色変換層12中の蛍光体の体積濃度が増加すると、発光素子が色変換層を見込む立体角が増加するため色変換層内での励起光密度が上昇し、励起光が蛍光体によって散乱される確率が上昇する。このため、発光素子10側への戻り光が増加し、結果的に発光効率が低下する。
サイアロン蛍光体はYAG蛍光体と比較して、単位体積当たりの賦活剤であるセリウム(Ce)の量が少ない。したがって、同じ強度の黄色光を発するために必要とされる蛍光体の体積が多くなる。よって、サイアロン蛍光体はYAG蛍光体と比較して蛍光体による励起光の散乱が顕在化しやすいと考えられる。
サイアロン蛍光体の場合、発光効率の低下を抑制する観点から、色変換層中12の黄色蛍光体の体積濃度が7%以下であることが望ましい。そして、6%以下であることがより望ましく、4%以下であることがさらに望ましい。
また、色変換層12中の黄色蛍光体の体積濃度は、0.2%以上であることが、色変換層12の膜厚が厚くなりすぎることを防ぎ、発光装置のサイズが実用性を損なわないようにする観点から望ましい。
また、発光装置が同じ色度の光を発する場合でも、発光効率の低下を抑制する観点から、蛍光体の体積濃度は低い方が望ましい。したがって、賦活剤であるセリウム(Ce)の量が多いことが望ましく、0.05≦x1≦0.1であることが望ましい。
また、図2(a)に示すように、特に、青色光を励起光として白色光を発する領域で、第1の方法と第2の方法とでの発光効率の差が顕在化している。したがって、発光装置の励起光が青色光であり、CIE色度図の座標(Cx,Cy)で表記した場合に、0.30≦Cx≦0.48、0.30≦Cy≦0.44の色度の光を発することが望ましい。
本実施形態の発光装置によれば、色変換層中の黄色蛍光体の体積濃度が一定濃度以下に制限される。したがって、励起光の散乱による発光効率の低下が抑制される。よって、発光効率が向上する発光装置を提供することが可能となる。
なお、ここでは、青色光の励起光を発する発光素子10を例に説明したが、近紫外光の励起光を発する発光素子とすることも可能である。この場合、発光装置は白色光ではなく、黄色光を発することになる。
本実施形態の発光装置が発する光の色度は、蛍光体粒子の色変換層中の体積密度を7%以下に制限した条件で、励起光の波長、強度、色変換層の膜厚、蛍光体量を適宜調整することで所望の色度とすることが可能となる。
(第2の実施形態)
本実施形態の発光装置は、近紫外光または青色光の励起光を発する発光素子と、式(2)で表され励起光を緑色光に変換する緑色蛍光体と、緑色蛍光体を囲む樹脂を含み、緑色蛍光体の体積濃度が7%以下である色変換層と、を備える。黄色蛍光体を含む色変換層にかえて、緑色蛍光体を含む色変換層を備えること以外は、第1の実施形態と同様である。したがって、第1の実施形態と重複する内容については記述を省略する。
(Sr1−x2Eux2a2AlSib2c2d2・・・・・(2)
(式(2)中、x2、a2、b2、c2、d2は、次の関係を満たす。0<x2≦0.2、0.93<a2<1.3、4.0<b2<5.8、0.6<c2<1.0、6.0<d2<11)
図3は、本実施形態の発光装置の模式断面図である。
本実施形態の発光装置は、発光素子10と、色変換層14を備えている。発光素子10は、例えば、図示しない基板上に実装される。基板には、例えば、高反射材料が用いられる。
発光素子10は、近紫外光または青色光の励起光を発する。例えば、励起光が近紫外光の場合、発光装置は緑色光を発する。また、例えば、励起光が青色光の場合、発光装置は青緑色光を発する。
本実施形態の発光装置は、色変換層12にかえて、色変換層14を備える点で第1の実施形態と異なる。色変換層14は、ドーム状であり、発光素子10を埋め込むように配置されている。
色変換層14は、複数の蛍光体粒子(緑色蛍光体)14aと、蛍光体粒子14aを囲む樹脂14bを備える。色変換層14の膜厚は、例えば、0.1mm以上3.0mm以下である。
本実施形態の蛍光体粒子14aの化学組成は、下記式(2)で表わされ、励起光を緑色光に変換する緑色蛍光体である。
(Sr1−x2Eux2a2AlSib2c2d2・・・・・(2)
(式(2)中、x2、a2、b2、c2、d2は、次の関係を満たす。0<x2≦0.2、0.93<a2<1.3、4.0<b2<5.8、0.6<c2<1.0、6.0<d2<11)
本実施形態において、蛍光体粒子14aは、ピーク波長が480nm以上530nm未満の緑色光を発する。本実施形態の蛍光体粒子14aは、シリコン(Si)、アルミニウム(Al)、ストロンチウム(Sr)を含む酸窒化物蛍光体、いわゆるサイアロン蛍光体である。この蛍光体は、SrSi13Al21の結晶構造と実質的に同じ結晶構造を備え、Euで付活されている。サイアロン蛍光体は高い効率で発光する。
蛍光体粒子14aの粒径は、1μm以上25μm以下であることが望ましい。蛍光体粒子14aの粒径は、3μm以上であることがより望ましく、5μm以上であることが、さらに望ましい。
本実施形態の緑色蛍光体も、第1の実施形態の黄色蛍光体と同様、色変換層14中の体積濃度が7%より大きくなると発光効率の低下が生ずる。
色変換層14中の蛍光体粒子(緑色蛍光体)14aの体積濃度が7%以下である。発光効率の低下を抑制する観点から、色変換層中14の緑色蛍光体の体積濃度が7%以下であることが望ましい。そして、6%以下であることがより望ましく、4%以下であることがさらに望ましい。
また、色変換層14中の緑色蛍光体の体積濃度は、0.2%以上であることが、色変換層14の膜厚が厚くなりすぎることを防ぎ、発光装置のサイズが実用性を損なわないようにする観点から望ましい。
また、発光装置が同じ色度の光を発する場合でも、発光効率の低下を抑制する観点から、蛍光体の体積濃度は低い方が望ましい。したがって、賦活剤であるセリウム(Ce)の量が多いことが望ましく、0.05≦x1≦0.1であることが望ましい。
本実施形態の発光装置によれば、色変換層中の緑色蛍光体の体積濃度が一定濃度以下に制限される。したがって、励起光の散乱による発光効率の低下が抑制される。よって、発光効率が向上する発光装置を提供することが可能となる。
(第3の実施形態)
本実施形態の発光装置は、近紫外光または青色光の励起光を発する発光素子と、式(3)で表され励起光を赤色光に変換する赤色蛍光体と、赤色蛍光体を囲む樹脂を含み、赤色蛍光体の体積濃度が7%以下である色変換層と、を備える。黄色蛍光体を含む色変換層にかえて、赤色蛍光体を含む色変換層を備えること以外は、第1の実施形態と同様である。したがって、第1の実施形態と重複する内容については記述を省略する。
(Sr1−x3Eux3a3AlSib3c3d3・・・・・(3)
(式(3)中、x3、a3、b3、c3、d3は、次の関係を満たす。0<x3≦0.2、0.6<a3<0.95、2.0<b3<3.9、0.25<c3<0.45、4.0<d3<5.0)
図4は、本実施形態の発光装置の模式断面図である。
本実施形態の発光装置は、発光素子10と、色変換層16を備えている。発光素子10は、例えば、図示しない基板上に実装される。基板には、例えば、高反射材料が用いられる。
発光素子10は、近紫外光または青色光の励起光を発する。例えば、励起光が近紫外光の場合、発光装置は赤色光を発する。また、例えば、励起光が青色光の場合、発光装置は紫色光を発する。
本実施形態の発光装置は、色変換層12にかえて、色変換層16を備える点で第1の実施形態と異なる。色変換層16は、ドーム状であり、発光素子10を埋め込むように配置されている。
色変換層16は、複数の蛍光体粒子(赤色蛍光体)16aと、蛍光体粒子16aを囲む樹脂16bを備える。色変換層16の膜厚は、例えば、0.1mm以上3.0mm以下である。
本実施形態の蛍光体粒子16aの化学組成は、下記式(3)で表わされ、励起光を赤色光に変換する赤色蛍光体である。
(Sr1−x3Eux3a3AlSib3c3d3・・・・・(3)
(式(3)中、x3、a3、b3、c3、d3は、次の関係を満たす。0<x3≦0.2、0.6<a3<0.95、2.0<b3<3.9、0.25<c3<0.45、4.0<d3<5.0)
本実施形態において、蛍光体粒子16aは、ピーク波長が600nm以上760nm未満の赤色光を発する。本実施形態の蛍光体粒子16aは、シリコン(Si)、アルミニウム(Al)、ストロンチウム(Sr)を含む酸窒化物蛍光体、いわゆるサイアロン蛍光体である。この蛍光体は、SrSiAlON13の結晶構造と実質的に同じ結晶構造を備え、Euで付活されている。サイアロン蛍光体は高い効率で発光する。
蛍光体粒子16aの粒径は、1μm以上25μm以下であることが望ましい。蛍光体粒子16aの粒径は、3μm以上であることがより望ましく、5μm以上であることが、さらに望ましい。
本実施形態の赤色蛍光体も、第1の実施形態の黄色蛍光体と同様、色変換層16中の体積濃度が7%より大きくなると発光効率の低下が生ずる。
色変換層16中の蛍光体粒子(赤色蛍光体)16aの体積濃度が7%以下である。発光効率の低下を抑制する観点から、色変換層中16の緑色蛍光体の体積濃度が7%以下であることが望ましい。そして、6%以下であることがより望ましく、4%以下であることがさらに望ましい。
また、色変換層16中の赤色蛍光体の体積濃度は、0.2%以上であることが、色変換層16の膜厚が厚くなりすぎることを防ぎ、発光装置のサイズが実用性を損なわないようにする観点から望ましい。
また、発光装置が同じ色度の光を発する場合でも、発光効率の低下を抑制する観点から、蛍光体の体積濃度は低い方が望ましい。したがって、賦活剤であるセリウム(Ce)の量が多いことが望ましく、0.05≦x1≦0.1であることが望ましい。
本実施形態の発光装置によれば、色変換層中の赤色蛍光体の体積濃度が一定濃度以下に制限される。したがって、励起光の散乱による発光効率の低下が抑制される。よって、発光効率が向上する発光装置を提供することが可能となる。
(第4の実施形態)
本実施形態の発光装置は、下記式(2)で表され励起光を緑色光に変換する緑色蛍光体と、緑色蛍光体を囲む樹脂を含み、緑色蛍光体の体積濃度が7%以下である第2の色変換層を、さらに備えること以外は、第1の実施形態と同様である。したがって、第1の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
(Sr1−x2Eux2a2AlSib2c2d2・・・・・(2)
(式(2)中、x2、a2、b2、c2、d2は、次の関係を満たす。0<x2≦0.2、0.93<a2<1.3、4.0<b2<5.8、0.6<c2<1.0、6.0<d2<11)
図5は、本実施形態の発光装置の模式断面図である。この発光装置は、例えば、白色光を発する発光装置である。
本実施形態の発光装置は、色変換層(第1の色変換層)12の上に、色変換層(第2の色変換層)14を備える点で第1の実施形態と異なる。また、色変換層14は、第2の実施形態と同様である。
本実施形態の発光装置によれば、色変換層中の黄色蛍光体および緑色の体積濃度が一定濃度以下に制限される。したがって、励起光の散乱による発光効率の低下が抑制される。よって、発光効率が向上する発光装置を提供することが可能となる。
また、第1の実施形態と比較して、緑色蛍光体により色度調整の範囲が拡大する。
(第5の実施形態)
本実施形態の発光装置は、下記式(3)で表され励起光を赤色光に変換する赤色蛍光体と、赤色蛍光体を囲む樹脂を含み、赤色蛍光体の体積濃度が7%以下である第2の色変換層を、さらに備えること以外は、第1の実施形態と同様である。したがって、第1の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
(Sr1−x3Eux3a3AlSib3c3d3・・・・・(3)
(式(3)中、x3、a3、b3、c3、d3は、次の関係を満たす。0<x3≦0.2、0.6<a3<0.95、2.0<b3<3.9、0.25<c3<0.45、4.0<d3<5.0)
図6は、本実施形態の発光装置の模式断面図である。この発光装置は、例えば、白色光を発する発光装置である。
本実施形態の発光装置は、色変換層(第1の色変換層)12の下、すなわち、発光素子10と色変換層12との間に、色変換層(第3の色変換層)16を備える点で第1の実施形態と異なる。また、色変換層16は、第3の実施形態と同様である。
本実施形態の発光装置によれば、色変換層中の黄色蛍光体および赤色蛍光体の体積濃度が一定濃度以下に制限される。したがって、励起光の散乱による発光効率の低下が抑制される。よって、発光効率が向上する発光装置を提供することが可能となる。
また、第1の実施形態と比較して、赤色蛍光体により色度調整の範囲が拡大する。
(第6の実施形態)
図7は、本実施形態の発光装置の模式断面図である。この発光装置は、例えば、白色光を発する発光装置である。
本実施形態の発光装置は、色変換層(第1の色変換層)12の下に、色変換層(第3の色変換層)16を備え、色変換層(第1の色変換層)12の上に、色変換層(第2の色変換層)14を備える点で第1の実施形態と異なる。色変換層14は、第2の実施形態と同様である。また、色変換層16は、第3の実施形態と同様である。
色変換層(第3の色変換層)16は、複数の蛍光体粒子(赤色蛍光体)16aと、蛍光体粒子16aを囲む樹脂16bを備える。色変換層(第1の色変換層)12は、複数の蛍光体粒子(黄色蛍光体)12aと、蛍光体粒子12aを囲む樹脂12bを備える。色変換層(第2の色変換層)14は、複数の蛍光体粒子(緑色蛍光体)14aと、蛍光体粒子14aを囲む樹脂14bを備える。
本実施形態の発光装置によれば、色変換層中の黄色蛍光体、赤色蛍光体および緑色蛍光体の体積濃度が一定濃度以下に制限される。したがって、励起光の散乱による発光効率の低下が抑制される。よって、発光効率が向上する発光装置を提供することが可能となる。
また、第1の実施形態と比較して、赤色蛍光体および緑色蛍光体により色度調整の範囲が拡大する。
(第7の実施形態)
図8は、本実施形態の発光装置の模式断面図である。この発光装置は、例えば、白色光を発する発光装置である。
本実施形態の発光装置は、励起光として近紫外光を発する発光素子11上に、色変換層16、色変換層14、色変換層18を備える。色変換層14は、第2の実施形態と同様である。また、色変換層16は、第3の実施形態と同様である。
色変換層16は、複数の蛍光体粒子(赤色蛍光体)16aと、蛍光体粒子16aを囲む樹脂16bを備える。色変換層14は、複数の蛍光体粒子(緑色蛍光体)14aと、蛍光体粒子14aを囲む樹脂14bを備える。色変換層18は、複数の蛍光体粒子(青色蛍光体)18aと、蛍光体粒子18aを囲む樹脂18bを備える。青色蛍光体は、例えば、BaMgAl1017:Euである。ただし、青色蛍光体はこれに限定されるものではない。
本実施形態の発光装置によれば、色変換層中の赤色蛍光体および緑色蛍光体の体積濃度が一定濃度以下に制限される。したがって、励起光の散乱による発光効率の低下が抑制される。よって、発光効率が向上する発光装置を提供することが可能となる。
また、第1の実施形態と比較して、赤色蛍光体、緑色蛍光体および青色蛍光体により色度調整の範囲が拡大する。
(第8の実施形態)
本実施形態の発光装置は、第1の色変換層が、式(2)で表され励起光を緑色光に変換する緑色蛍光体を含み、黄色蛍光体の体積濃度と緑色蛍光体の体積濃度の和が7%以下であること以外は、第1の実施形態と同様である。したがって、第1の実施形態と重複する内容については記述を省略する。
(Sr1−x2Eux2a2AlSib2c2d2・・・・・(2)
(式(2)中、x2、a2、b2、c2、d2は、次の関係を満たす。0<x2≦0.2、0.93<a2<1.3、4.0<b2<5.8、0.6<c2<1.0、6.0<d2<11)
図9は、本実施形態の発光装置の模式断面図である。この発光装置は、例えば、白色光を発する発光装置である。
色変換層12は、複数の蛍光体粒子(黄色蛍光体)12aと、複数の蛍光体粒子(緑色蛍光体)14aと、蛍光体粒子12aおよび蛍光体粒子14aを囲む樹脂12bを備える。蛍光体粒子(黄色蛍光体)12aは、第1の実施形態と同様である。蛍光体粒子(緑色蛍光体)14aは、第2の実施形態と同様である。
蛍光体粒子(黄色蛍光体)12aの体積濃度と、蛍光体粒子(緑色蛍光体)14aの体積濃度の和が7%以下である。
本実施形態の発光装置によれば、色変換層中の黄色蛍光体および緑色蛍光体の体積濃度が一定濃度以下に制限される。したがって、励起光の散乱による発光効率の低下が抑制される。よって、発光効率が向上する発光装置を提供することが可能となる。
また、第1の実施形態と比較して、緑色蛍光体により色度調整の範囲が拡大する。また、同一の色変換層に黄色蛍光体および緑色蛍光体を含有させるため、発光装置の製造が容易となる。
(第9の実施形態)
本実施形態の発光装置は、第1の色変換層が、式(3)で表され励起光を赤色光に変換する赤色蛍光体を含み、黄色蛍光体の体積濃度と赤色蛍光体の体積濃度の和が7%以下であること以外は、第1の実施形態と同様である。したがって、第1の実施形態と重複する内容については記述を省略する。
(Sr1−x3Eux3a3AlSib3c3d3・・・・・(3)
(式(3)中、x3、a3、b3、c3、d3は、次の関係を満たす。0<x3≦0.2、0.6<a3<0.95、2.0<b3<3.9、0.25<c3<0.45、4.0<d3<5.0)
図10は、本実施形態の発光装置の模式断面図である。この発光装置は、例えば、白色光を発する発光装置である。
色変換層12は、複数の蛍光体粒子(黄色蛍光体)12aと、複数の蛍光体粒子(赤色蛍光体)16aと、蛍光体粒子12aおよび蛍光体粒子16aを囲む樹脂12bを備える。蛍光体粒子(黄色蛍光体)12aは、第1の実施形態と同様である。蛍光体粒子(赤色蛍光体)16aは、第3の実施形態と同様である。
蛍光体粒子(黄色蛍光体)12aの体積濃度と、蛍光体粒子(赤色蛍光体)16aの体積濃度の和が7%以下である。
本実施形態の発光装置によれば、色変換層中の黄色蛍光体および赤色蛍光体の体積濃度が一定濃度以下に制限される。したがって、励起光の散乱による発光効率の低下が抑制される。よって、発光効率が向上する発光装置を提供することが可能となる。
また、第1の実施形態と比較して、赤色蛍光体により色度調整の範囲が拡大する。また、同一の色変換層に黄色蛍光体および赤色蛍光体を含有させるため、発光装置の製造が容易となる。
(第10の実施形態)
図11は、本実施形態の発光装置の模式断面図である。この発光装置は、例えば、白色光を発する発光装置である。
本実施形態の発光装置は、励起光として近紫外光を発する発光素子11上に、色変換層20を備える。色変換層12は、複数の蛍光体粒子(緑色蛍光体)14aと、複数の蛍光体粒子(赤色蛍光体)16aと、複数の蛍光体粒子(青色蛍光体)18aと、蛍光体粒子14a、蛍光体粒子16aおよび蛍光体粒子18aを囲む樹脂20bを備える。蛍光体粒子(黄色蛍光体)14aは、第2の実施形態と同様である。蛍光体粒子(赤色蛍光体)16aは、第3の実施形態と同様である。
蛍光体粒子(緑色蛍光体)14aの体積濃度と蛍光体粒子(赤色蛍光体)16aの体積濃度の和が7%以下である。
本実施形態の発光装置によれば、色変換層中の緑色蛍光体および赤色蛍光体の体積濃度が一定濃度以下に制限される。したがって、励起光の散乱による発光効率の低下が抑制される。よって、発光効率が向上する発光装置を提供することが可能となる。
また、第1の実施形態と比較して、赤色蛍光体、緑色蛍光体および青色蛍光体により色度調整の範囲が拡大する。また、同一の色変換層に緑色蛍光体、赤色蛍光体および赤色蛍光体を含有させるため、発光装置の製造が容易となる。
実施形態においては、発光層をGaInNとするAlGaInN系LEDを用いる場合を例に説明した。発光層(活性層)として、III−V族化合物半導体である窒化アルミニウムガリウムインジウム(AlGaInN)、あるいはII−VI族化合物半導体である酸化マグネシウム亜鉛(MgZnO)等を用いたLEDを用いることが出来る。
例えば、発光層として用いるIII−V族化合物半導体は、Al、Ga、及びInからなる群から選ばれた少なくとも1種を含む窒化物半導体である。この窒化物半導体は、具体的には、AlGaIn(1−x−y)N(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦(x+y)≦1)と表わされるものである。このような窒化物半導体には、AlN、GaN、及びInNの2元系、AlGa(1−x)N(0<x<1)、AlIn(1−x)N(0<x<1)、及びGaIn(1−y)N(0<y<1)の3元系、更にすべてを含む4元系のいずれもが含まれる。Al、Ga、及びInの組成x、y、(1−x−y)に基づいて、紫外から青までの範囲の発光ピーク波長が決定される。また、III族元素の一部をホウ素(B)、タリウム(Tl)等に置換することができる。更に、V族元素のNの一部をリン(P)、ヒ素(As)、アンチモン(Sb)、ビスマス(Bi)等に置換することができる。
同様に、発光層として用いるII−VI族化合物半導体は、Mg及びZnの少なくとも1種を含む酸化物半導体することができる。具体的には、MgZn(1−z)O(0≦z≦1)と表されるものがあり、Mg及びZnの組成z、(1−z)に基づいて、紫外領域の発光ピーク波長が決定される。
また、発光素子は、近紫外光または青色光を発する光源であれば、LEDに限られることはなく、例えばレーザダイオード(LD)を使用することも可能である。
また、色変換層の樹脂としては、シリコーン樹脂を例に説明したが、励起光の透過性が高く、かつ耐熱性の高い任意の材料を用いることができる。そのような材料として、例えば、シリコーン樹脂の他に、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、フッ素樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ基を有するポリジメチルシロキサン誘導体、オキセタン樹脂、シクロオレフィン樹脂等が使用可能である。特に、入手し易く、取り扱いやすく、しかも安価であることから、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂が好適に使用される。
また、色変換層がドーム状である場合を例に説明したが、色変換層はドーム状に限られるものではない。発光素子の側面も含めて覆う形状であれば、例えば、カップ形状等、その他の形状とすることも可能である。
また、発光素子と色変換層の間、色変換層と色変換層の間、または、色変換層の最外周等に、蛍光体をふくまない透明樹脂層を設ける構成とすることも可能である。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。例えば、一実施形態の構成を他の実施形態の構成に加えたり置き換えたりしてもかまわない。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
10 発光素子
11 発光素子
12 色変換層(第1の色変換層)
12a 蛍光体粒子(黄色蛍光体)
12b 樹脂
14 色変換層(第2の色変換層)
14a 蛍光体粒子(緑色蛍光体)
14b 樹脂
16 色変換層(第3の色変換層)
16a 蛍光体粒子(赤色蛍光体)
16b 樹脂
18a 蛍光体粒子(青色蛍光体)
20 色変換層
20b 樹脂

Claims (11)

  1. 近紫外光または青色光の励起光を発する発光素子と、
    式(1)で表され前記励起光を黄色光に変換する黄色蛍光体と、前記黄色蛍光体を囲む樹脂を含み、前記黄色蛍光体の体積濃度が7%以下であり、前記発光素子の発光面に平行な断面の断面積が前記発光面よりも大きい領域を有する第1の色変換層と、
    を備えることを特徴とする発光装置。
    (Sr1−x1Cex1a1AlSib1c1d1・・・・・(1)
    (式(1)中、x1、a1、b1、c1、d1は、次の関係を満たす。0<x1≦0.1、0.6<a1<0.95、2.0<b1<3.9、0<c1<0.45、4.0<d1<5.0)
  2. 前記式(1)中、0.05≦x1≦0.1であることを特徴とする請求項1記載の発光装置。
  3. 前記励起光は青色光であり、CIE色度図の座標(Cx,Cy)で表記した場合に、0.30≦Cx≦0.48、0.30≦Cy≦0.44の色度の光を発することを特徴とする請求項1または請求項2記載の発光装置。
  4. 式(2)で表され前記励起光を緑色光に変換する緑色蛍光体と、前記緑色蛍光体を囲む樹脂を含み、前記緑色蛍光体の体積濃度が7%以下であり、前記発光素子の発光面に平行な断面の断面積が前記発光面よりも大きい領域を有する第2の色変換層を、
    さらに備えることを特徴とする請求項1ないし請求項3いずれか一項記載の発光装置。
    (Sr1−x2Eux2a2AlSib2c2d2・・・・・(2)
    (式(2)中、x2、a2、b2、c2、d2は、次の関係を満たす。0<x2≦0.2、0.93<a2<1.3、4.0<b2<5.8、0.6<c2<1.0、6.0<d2<11)
  5. 式(3)で表され前記励起光を赤色光に変換する赤色蛍光体と、前記赤色蛍光体を囲む樹脂を含み、前記赤色蛍光体の体積濃度が7%以下であり、前記発光素子の発光面に平行な断面の断面積が前記発光面よりも大きい領域を有する第3の色変換層を、
    さらに備えることを特徴とする請求項1ないし請求項4いずれか一項記載の発光装置。
    (Sr1−x3Eux3a3AlSib3c3d3・・・・・(3)
    (式(3)中、x3、a3、b3、c3、d3は、次の関係を満たす。0<x3≦0.2、0.6<a3<0.95、2.0<b3<3.9、0.25<c3<0.45、4.0<d3<5.0)
  6. 前記第1の色変換層は、式(2)で表され前記励起光を緑色光に変換する緑色蛍光体を含み、前記黄色蛍光体の体積濃度と前記緑色蛍光体の体積濃度の和が7%以下であることを特徴とする請求項1ないし請求項3いずれか一項記載の発光装置。
    (Sr1−x2Eux2a2AlSib2c2d2・・・・・(2)
    (式(2)中、x2、a2、b2、c2、d2は、次の関係を満たす。0<x2≦0.2、0.93<a2<1.3、4.0<b2<5.8、0.6<c2<1.0、6.0<d2<11)
  7. 前記第1の色変換層は、式(3)で表され前記励起光を赤色光に変換する赤色蛍光体を含み、前記黄色蛍光体の体積濃度と前記赤色蛍光体の体積濃度の和が7%以下であることを特徴とする請求項1ないし請求項3いずれか一項記載の発光装置。
    (Sr1−x3Eux3a3AlSib3c3d3・・・・・(3)
    (式(3)中、x3、a3、b3、c3、d3は、次の関係を満たす。0<x3≦0.2、0.6<a3<0.95、2.0<b3<3.9、0.25<c3<0.45、4.0<d3<5.0)
  8. 前記発光素子がLEDであることを特徴とする請求項1ないし請求項7いずれか一項記載の発光装置。
  9. 前記黄色蛍光体の粒径が1μm以上25μm以下であることを特徴とする請求項1ないし請求項8いずれか一項記載の発光装置。
  10. 近紫外光または青色光の励起光を発する発光素子と、
    式(2)で表され前記励起光を緑色光に変換する緑色蛍光体と、前記緑色蛍光体を囲む樹脂を含み、前記緑色蛍光体の体積濃度が7%以下であり、前記発光素子の発光面に平行な断面の断面積が前記発光面よりも大きい領域を有する色変換層と、
    を備えることを特徴とする発光装置。
    (Sr1−x2Eux2a2AlSib2c2d2・・・・・(2)
    (式(2)中、x2、a2、b2、c2、d2は、次の関係を満たす。0<x2≦0.2、0.93<a2<1.3、4.0<b2<5.8、0.6<c2<1.0、6.0<d2<11)
  11. 近紫外光または青色光の励起光を発する発光素子と、
    式(3)で表され前記励起光を赤色光に変換する赤色蛍光体と、前記赤色蛍光体を囲む樹脂を含み、前記赤色蛍光体の体積濃度が7%以下であり、前記発光素子の発光面に平行な断面の断面積が前記発光面よりも大きい領域を有する色変換層と、
    を備えることを特徴とする発光装置。
    (Sr1−x3Eux3a3AlSib3c3d3・・・・・(3)
    (式(3)中、x3、a3、b3、c3、d3は、次の関係を満たす。0<x3≦0.2、0.6<a3<0.95、2.0<b3<3.9、0.25<c3<0.45、4.0<d3<5.0)
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014117448A1 (de) * 2014-11-27 2016-06-02 Osram Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip, Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips, Konversionselement und Leuchtstoff für ein Konversionselement
DE102015101143A1 (de) * 2015-01-27 2016-07-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US10540865B2 (en) 2017-04-27 2020-01-21 Facilasystems, LLC Visually indicating a waning power source of a safety sensor
US10069047B1 (en) * 2018-01-16 2018-09-04 Leedarson Lighting Co. Ltd. LED device
CN207834349U (zh) 2018-01-16 2018-09-07 漳州立达信光电子科技有限公司 一种led封装结构
US10243116B1 (en) * 2018-01-16 2019-03-26 Leedarson Lighting Co. Ltd. LED device
US10256376B1 (en) * 2018-01-16 2019-04-09 Leedarson Lighting Co. Ltd. LED device
CN110630976A (zh) * 2018-06-22 2019-12-31 株式会社小糸制作所 发光模块

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1929502A4 (en) * 2005-09-30 2010-03-24 Univ California CER-BASED FLUORESCENT MATERIALS FOR SEMICONDUCTOR LIGHTING APPLICATIONS
JP2011181793A (ja) * 2010-03-03 2011-09-15 Koito Mfg Co Ltd 発光装置
CN102792473B (zh) * 2010-03-12 2015-11-25 株式会社东芝 白色照明装置
US8436527B2 (en) * 2010-09-07 2013-05-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device
JP5762929B2 (ja) * 2011-11-16 2015-08-12 株式会社東芝 蛍光体、発光装置、および蛍光体の製造方法
US20150162511A1 (en) * 2012-07-27 2015-06-11 Konica Minolta, Inc. Led device and method for manufacturing same
JP2014224184A (ja) * 2013-05-15 2014-12-04 株式会社東芝 蛍光体および発光装置

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