CN107849448B - 荧光体以及发光装置 - Google Patents

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Abstract

本申请的一个方案的荧光体含有具有化学组成CexYyLa3‑x‑ySi6N11的晶相，0＜x≤0.5，(1.5‑x)≤y≤(3‑x)，其在波长为600nm～660nm的范围内具有发射光谱的峰，并且在波长为480nm～600nm的范围内具有激发光谱的第一峰。

Description

荧光体以及发光装置
技术领域
本申请涉及荧光体以及发光装置。
背景技术
近年来，正在广泛使用白色LED(Light Emitting Diode；发光二极管)、激光激发光源等固体光源。目前常规的白色LED具有将作为蓝色发光器件的蓝色LED芯片与荧光体组合而成的结构。就这种常规的白色LED来说，通过荧光体对来自蓝色LED芯片的光的一部分进行颜色变换，将来自蓝色LED芯片的蓝光与来自荧光体的发光混色，由此生成白色光。最近几年来，还通过组合LD(Laser Diode；激光二极管)与荧光体来进行了高输出白色发光装置的开发。作为白色固体光源，目前蓝色LED芯片或蓝色LD与黄色荧光体的组合为主流。从提高显色性、色彩再现性等的目的或者获得色温低的白色的目的考虑，正在进行除了蓝色光源和黄色荧光体以外还组合了红色荧光体的白色光源的开发。
以往，如通式Y3Al5O12：Ce3+(以下简称为YAG：Ce)或专利文献1所示的通式La3Si6N11：Ce3+(以下简称为LSN：Ce)那样，以Ce为发光中心的黄色荧光体为人所知晓。另外，如专利文献2所示的通式(Sr,Ca)AlSiN3：Eu2+(以下简称为CASN：Eu)那样，以Eu为发光中心的红色荧光体为人所知晓。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第4459941号公报
专利文献2：日本专利第3837588号公报
发明内容
发明要解决的问题
本申请提供以Ce为发光中心的荧光体。
用于解决问题的手段
本申请的一个方案的荧光体含有具有化学组成CexYyLa3-x-ySi6N11的晶相，0＜x≤0.6，(1.5-x)≤y≤(3-x)，其在波长为600nm～660nm的范围内具有发射光谱的峰，并且在波长为480nm～550nm的范围内具有激发光谱的第一峰。
本申请的概括性或具体性方案可以通过荧光体、器件、装置、系统、车辆、方法或它们的任意组合来实现。
发明效果
根据本申请，能够实现以Ce为发光中心的荧光体。
附图说明
图1A是表示稀土离子的4f轨道和5d轨道分裂的示意图。
图1B是表示Ce3+、Eu2+和Yb2+的4f轨道和5d轨道分裂的示意图。
图2是真空中和晶体中的Ce3+的能级图。
图3是4f轨道与5d轨道之间的配位坐标模型图。
图4是表示对(La,Y)3Si6N11：Ce荧光体示出了激发波长与发光波长之间的关系的曲线的图。
图5是表示对(La,Y)3Si6N11：Ce荧光体示出了Y3+的置换量x与a轴的晶格常数之间的关系和Y3+的置换量x与c轴的晶格常数之间的关系的曲线的图。
图6是表示对(La,Y)3Si6N11：Ce荧光体示出了平均配位距离rave与激发波长λex之间的关系和平均配位距离rave与发光波长λem之间的关系的曲线的图。
图7是表示La3Si6N11的晶体结构和La的两种格位的图。
图8A是对(La,Y)3Si6N11：Ce荧光体示出试样号为1的晶体结构的图。
图8B是对(La,Y)3Si6N11：Ce荧光体示出试样号为2的晶体结构的图。
图8C是对(La,Y)3Si6N11：Ce荧光体示出试样号为3的晶体结构的图。
图8D是对(La,Y)3Si6N11：Ce荧光体示出试样号为4的晶体结构的图。
图8E是对(La,Y)3Si6N11：Ce荧光体示出试样号为5的晶体结构的图。
图8F是对(La,Y)3Si6N11：Ce荧光体示出试样号为6的晶体结构的图。
图8G是对(La,Y)3Si6N11：Ce荧光体示出试样号为7的晶体结构的图。
图8H是对(La,Y)3Si6N11：Ce荧光体示出试样号为8的晶体结构的图。
图8I是对(La,Y)3Si6N11：Ce荧光体示出试样号为9的晶体结构的图。
图8J是对(La,Y)3Si6N11：Ce荧光体示出试样号为10的晶体结构的图。
图9是表示由图8A～8J所示的试样号为1～10的荧光体的晶体结构计算出来的粉末XRD衍射图案结果的图。
图10是实施方式2的LED发光装置的剖视示意图。
图11是实施方式3的LD发光装置的剖视示意图。
图12是实施方式4的LD发光装置的剖视示意图。
图13是实施方式5的照明装置的剖视示意图。
图14是实施方式6的照明装置的剖视示意图。
图15是实施方式7的车辆的剖视示意图。
具体实施方式
(作为本申请的基础的见解)
作为使用了LED的白色发光装置，可以考虑下述方式的装置。
第一种是将蓝色LED与黄色荧光体YAG：Ce组合而成的模拟白色光源。该方式的发光装置能够降低耗电量，能够容易地进行LED的驱动控制，因而被广泛使用。但是，就该白色光源来说，由于颜色成分仅为两种颜色，因此无法表现出电灯泡色等具有温暖感的光，很难控制颜色。
第二种是将蓝色LED、黄色荧光体YAG：Ce与红色荧光体CASN：Eu组合而成的白色光源。就该方式的发光装置来说，由于白色为三种颜色的颜色成分的混色，因而通过调整颜色成分各自的光强度能够表现出任何白色光。因此，该方式的发光装置与颜色成分为两种颜色的上述方式的发光装置相比容易控制颜色。就用于该发光装置的黄色荧光体YAG：Ce来说，发光的量子效率高，而且就算是通过高输出的蓝色LED或蓝色LD来激发，发光的量子效率也几乎不发生变化。另一方面，红色荧光体CASN：Eu在通过高输出光来激发时存在发光的量子效率降低这样的问题，仅搭载于输出较低的光源。这是因为，以Eu为发光中心的荧光体的发光寿命比以Ce为发光中心的荧光体长，因此在高输出激发时容易发生亮度饱和。因此，以往无法实现高输出并且容易控制颜色的白色光源。
因此，为了实现能够进行高输出的光放射(又称为光辐射)、放射容易控制颜色的白色光的发光装置，本申请的发明者们以得到以Ce为发光中心的红色荧光体为目的而进行了深入研究。
(本申请的一个方案的概要)
本申请的第一方案的荧光体含有具有化学组成CexYyLa3-x-ySi6N11的晶相，0＜x≤0.6，(1.5-x)≤y≤(3-x)，其在波长为600nm～660nm的范围内具有发射光谱的峰，并且在波长为480nm～550nm的范围内具有激发光谱的第一峰。
根据本申请的第一方案，能够实现以Ce为发光中心的荧光体。
第二方案中，第一方案的荧光体的所述x和所述y例如可以满足(1.5-0.5x)≤y≤(3-x)。
根据第二方案的荧光体，能够实现发光波长和激发波长的长波长化。
第三方案中，第二方案的荧光体的所述x和所述y例如可以满足1.5≤y≤(3-x)。
根据第三方案的荧光体，能够实现发光波长和激发波长的进一步长波长化。
第四方案中，第一～第三方案中至少任一个方案的荧光体中的所述晶相例如可以具有正方晶(四方晶)的晶体结构。
第五方案中，第一～第四方案中至少任一个方案的荧光体例如可以在波长为350nm以上且小于480nm的范围内具有所述激发光谱的第二峰。
第五方案的荧光体就算是通过例如蓝色LED的450nm、蓝紫LD的405nm等波长更短的激发光也能够使之发光，因而激发光源的选择范围宽。
第六方案中，第一～第五方案中至少任一个方案的荧光体的所述晶相的1/e发光寿命例如可以为100纳秒以下。
第六方案的荧光体由于亮度饱和特性优异，因而作为就算是在高输出时量子效率也高的红色荧光体是有前途的。
第七方案中，第一～第六方案中至少任一个方案的荧光体的所述晶相例如可以具有Ce置换了La3Si6N11的晶体结构中的至少一部分La(2a)格位的晶体结构。
第七方案的荧光体就算通过波长更长的激发光也能够使之发光，因而适合于例如与绿色激发光源组合。
第八方案中，第一～第七方案中至少任一个方案的荧光体的所述晶相例如可以具有Y置换了La3Si6N11的晶体结构中的至少一部分La(4c)格位的晶体结构。
就第八方案的荧光体来说，由于Y置换了La3Si6N11的晶体结构中的至少一部分La(4c)格位，因而晶格的a轴和b轴的晶格常数减少，c轴相对伸长。因此，晶格应变增加，其结果是4f-5d轨道之间的能量差减少而使发光波长可被长波长化。
第九方案中，第八方案的荧光体的所述晶相例如可以具有Y置换了La3Si6N11的晶体结构中的过半数La(4c)格位的晶体结构。
第九方案的荧光体中，晶体应变骤增，其结果是波长向长波长侧的偏移骤增而能够进行红色发光。
本申请的第十方案的发光装置具备：激发光源，该激发光源发出波长为600nm以下的光；以及第一荧光体，该第一荧光体为第一～第九方案中至少任一个方案的荧光体。所述第一荧光体被照射所述激发光源所发出的光，发出比所述光波长更长的荧光。
第十方案的发光装置由于具备第一～第九方案中至少任一个方案的荧光体，因而在高输出时与现有发光装置相比能够提高量子效率。此外，在将第十方案的发光装置构成为白色发光装置的情况下，能够实现高显色性和色彩再现性。
第十一方案中，第十方案的发光装置的所述激发光源例如可以发出波长为480nm～600nm的光。
根据第十一方案的发光装置，能够高效地激发荧光体。
第十二方案中，第十方案的发光装置的所述激发光源例如可以发出波长为420nm～480nm的光。
根据第十二方案的发光装置，能够将GaN系蓝色LED、蓝色LD用作激发光源。
第十三方案中，第十～第十二方案中至少任一个方案的发光装置中的所述激发光源例如可以为LED或LD。
根据第十三方案，能够实现高输出的发光装置。
第十四方案中，第十～第十三方案中至少任一个方案的发光装置例如还可以具备第二荧光体，所述第二荧光体被照射所述激发光源所发出的光，发出比所述光波长更长的荧光，所述第二荧光体例如可以在波长为480nm以上且小于600nm的范围内具有发射光谱的峰。
第十四方案的发光装置由于具备发光波长不同的至少两种荧光体，因而能够控制发光色。
第十五方案中，第十四方案的发光装置中的所述第二荧光体例如为发出黄色光的荧光体，其例如还可以具备第三荧光体，所述第三荧光体被照射所述激发光源所发出的光，发出比所述光波长更长的荧光，所述第三荧光体例如可以发出绿色光。
第十五方案的发光装置由于具备发出黄色光的荧光体和发出绿色光的荧光体这至少两种荧光体，因而能够控制发光色。
(本申请的实施方式)
下面，对本申请的实施方式进行详细说明。当然，本申请不限于这些实施方式，可以在不脱离本申请的技术范围的范围内进行适当变更来实施。
[实施方式1]
实施方式1中，对本申请的荧光体的实施方式进行说明。以下，本申请的发明者们对包括获得本申请的荧光体的经过在内的本申请的荧光体的实施方式进行说明。
＜稀土类荧光体的发光原理＞
下面，本申请的发明者们对稀土类荧光体的发光原理进行考察，对注意到Ce3+荧光体的经过进行说明。
稀土类元素之中的Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm和Yb以2价或3价离子的状态在4f轨道具有价电子。其中，大部分的稀土离子在4f具有多个电子，因而如图1A中示意性地示出的那样4f轨道的简并解除并大幅分裂。由此，能够利用从某个4f能级向其它4f能级的跃迁(f-f跃迁)来获得发光。由于f-f跃迁为禁戒跃迁，因此有激发态的电子的寿命长这样的特点。因而，包含稀土离子的荧光体常被用作激光介质。但是，当将这样的荧光体用作常规的照明等非相干光源时，发光强度会立即饱和。
另一方面，Ce3+作为价电子在4f轨道仅具有一个电子。由此，如图1B中示意性地示出的那样，Ce3+的4f轨道的分裂与其它稀土离子相比极小。另外，作为例外，Eu2+和Yb2+的4f轨道的能量分裂也小。这是因为，Eu2+是在4f轨道具有七个电子的半满壳，而且Yb2+是在4f轨道具有十四个电子的满壳。
Ce3+、Eu2+和Yb2+由于4f轨道的分裂小，因而4f基态与5d轨道之间的能量差大。另外，在4f基态与5d轨道之间不存在具有大能量的4f轨道。由此，容易利用4f与5d之间的跃迁(4f-5d跃迁)。
由于4f-5d跃迁为容许跃迁，因而激发态的电子的寿命短。因此，当激发时会立即发光，因而就算是通过强激发光来激发也不易发生饱和(亮度饱和)。
本申请的发明者们进一步注意到Ce3+、Eu2+和Yb2+之中的Ce3+。Ce3+由于参与4f-5d跃迁的电子为一个，因此当从5d的激发态降至4f的基态时4f轨道全空，即，参与跃迁的4f轨道的态密度大。因此，本申请的发明者们认为Ce3+的发光寿命最短。另一方面，Eu2+就算是将电子激发到5d也会在4f残留六个电子，Yb2+就算是将电子激发到5d也会在4f残留十三个电子。因此，就Eu2+和Yb2+来说，可以预测4f轨道的态密度小，具有比Ce3+更长的发光寿命。因此，可以认为Ce3+荧光体在稀土类中发光寿命最短，不易发生亮度饱和。实际上，在YAG：Ce的情况下1/e发光寿命为70纳秒左右，而在CASN：Eu的情况下1/e发光寿命为600至800纳秒左右。
基于该想法，可以说Ce3+荧光体比Eu2+荧光体更优异。实际上，市售的白色LED几乎全部利用了YAG：Ce。但是，常使用CASN：Eu作为红色荧光体。本申请的发明者们认为其理由在于：难以实现发出红色光的Ce3+荧光体，尚未发现有前途的材料。下面，对决定发光波长的原理以及其原因进行说明。
＜荧光体的发光波长＞
就以Ce3+为发光中心的荧光体和以Eu2+为发光中心的荧光体来说，利用由作为基态的4f轨道向作为激发态的5d轨道的跃迁(4f-5d跃迁)。当向作为荧光体的基质的晶体导入Ce3+和Eu2+时，主要受到结合着的最接近的阴离子原子(配体)的影响，4f和5d轨道的能量发生变化，发光波长发生变化。即，荧光体的发光波长由基质晶体决定。
作为配体的影响，包括4f或5d轨道的能量转移和5d轨道的五个能级的简并解除(即，5d轨道的分裂)。就前者的能量转移来说，4f或5d轨道的波函数的扩展方式和配体的位置关系会产生大幅影响。另外，就后者的5d轨道的分裂来说，如图2所示那样以保持5d轨道的五个能级的总能量的状态使5d轨道发生分裂。由此，当某个能级的能量变大时，其它能级的能量变小。因此，通过增大5d轨道的分裂，能够减小5d轨道的最低能量。
就4f-5d跃迁的发光来说，如图2所示那样在由5d轨道的最低能量的能级降至4f时会发生。因此，通过向晶体导入Ce3+或Eu2+，能够减小4f-5d之间的能量差，能够使发光波长长波长化。
Ce3+在真空中(即，未导入晶体的状态)4f-5d之间的能量差大，显示出深紫外线区域的发光，但Eu2+显示出蓝色发光。即，Eu2+能够以较少的长波长偏移量实现红色发光，实际上CASN：Eu正在实用化。另一方面，以Ce3+荧光体正在实用化的波长最长的荧光体为黄色荧光体的YAG：Ce，红色荧光体还尚未实现。
＜发明者们的研究＞
为了实现Ce的红色荧光体，本申请的发明者们认为如图3所示那样需要使5d轨道或4f轨道移动，并进行了研究。
为了使5d轨道或4f轨道进一步移动，作为Ce3+的配体认为重要的是满足(1)配体距离小和(2)配体的对称性低。
首先，就(1)来说，当由Ce3+至最接近的阴离子的配体距离小时，4f轨道或5d轨道中的任一者或两者会从阴离子的轨道受到更大的影响，大幅地发生能量转移。此时，4f轨道的能量增加，或者5d轨道的分裂变大，5d轨道的最低能级降低。通过该效果，4f-5d之间的能量差减小。就(2)来说，通过使配体的对称性低，具有向不存在配体的方向的扩展大的波函数的5d轨道进一步稳定化。由此，4f-5d之间的能量差变小。
本申请的发明者们基于这些方针对新材料进行了探索。具体来说，进行了通过晶体结构模拟来计算发光波长的研究。通过这些努力，实现了显示出红色的多个新颖的红色荧光体。下面，对这些努力进行说明。
＜关于Ce荧光体的发光波长的计算＞
为了弄明白使用了Ce作为发光中心的荧光体的发光波长与激发波长之间的关系，本申请的发明者们通过模拟对各种晶体中掺杂了Ce时的发光波长和激发波长进行了研究。下面，示出晶体结构模拟的结果和考察。
本申请的发明者们通过文献“Y Jia et al.,PHYSICAL REVIEW B 93,155111(2016)”所公开的方法进行了发光波长的计算。该方法由基态的平衡点处的总能量与其原子坐标处的激发态的总能量之差来计算激发波长。另外，该方法由激发态弛豫的平衡点处的总能量与其原子坐标处的基态的总能量之差来计算发光波长。由此，根据上述文献确认出YAG：Ce、LaSi3N5：Ce、La3Si6N11：Ce这三种荧光体的发光波长和激发波长的计算值与实验值基本一致。这次，本申请的发明者们除了LaSi3N5：Ce、La3S6N11：Ce以外还对YAlO3：Ce进行了发光波长和激发波长的计算，结果确认到与上述文献同样地可高精度地再现实验结果。表1中示出通过模拟求出来的各荧光体的激发波长和发光波长。
表1
化学组成 (Y,Ce)AlO<sub>3</sub> (La,Ce)Si<sub>3</sub>N<sub>5</sub> (La<sub>3</sub>,Ce)Si<sub>6</sub>N<sub>11</sub>
激发波长(nm) 310 366 470
发光波长(nm) 349 445 543
＜新颖的组成体系(La,Y)3Si6N11：Ce荧光体＞
首先，本申请的发明者们认为：为了缩短配体距离，将Y3+置换到La3Si6N11：Ce的La3+格位。
由于Y3+的离子半径比La3+小，因而当置换La3+格位时有可能减小晶格常数。伴随着晶格常数的降低，可期待还能够缩短配体距离。
通过上述计算方法，对作为新颖的组成体系的(La,Y)3Si6N11：Ce荧光体进行了研究。该组成体系的荧光体具有以Y3+置换了La3Si6N11：Ce的La3+格位的组成。由于Y3+的离子半径比La3+小，因而(La,Y)3Si6N11中的Ce3+的配体距离变得比La3Si6N11小。由此，能够期待发光波长长波长化。将改变Y3+的置换量来计算Ce-N之间的平均配位距离rave、激发波长λex和发光波长λem而得到的结果示于表2。另外，图4示出表示激发波长与发光波长之间的关系的曲线。图5示出Y3+的置换量x与a轴的晶格常数之间的关系和Y3+的置换量x与c轴的晶格常数之间的关系。图6示出平均配位距离rave与激发波长λex之间的关系和平均配位距离rave与发光波长λem之间的关系。图7示出La3Si6N11的晶体结构和La这两种格位。此外，图7中是以虚线来表示La(2a)格位、以单点划线来表示La(4c)格位。图8A～8J示出试样号为1～10的晶体结构。图9示出由试样号为1～10的晶体结构计算出来的粉末XRD衍射图案结果。另外，表2中的符号※表示该试样为比较例。此外，表2的“Y置换格位和置换量”栏中，Y置换格位和Y置换量记为“Y置换格位←Y置换量”。
表2
Figure BDA0001420301150000101
由表2和图4可读出当Y3+的置换量增加时发光波长会变大的倾向。另外，可知激发峰波长也伴随着发光波长的长波长化而变大。就成为发光波长显示出600nm以上的红色发光的试样7～试样10的组成体系来说，可知激发波长的峰为490nm以上的绿色区域。另外，由图5可知：Y3+的置换量越增加则a轴的晶格常数越减少，c轴的晶格常数越增加。此外，由表2和图6可知：Y3+的置换量越增加则Ce-N之间的平均配位距离rave越减少，发光波长和激发波长均随着rave的减少而增加。
Eu2+的发光寿命与Ce3+的发光寿命相比非常长。发光寿命与Eu2+Ce3+各自的4f-5d跃迁的跃迁概率有关，可以说发光寿命越长则跃迁概率越低。即，Eu2+的4f-5d跃迁的激发概率与Ce3+的4f-5d跃迁的激发概率相比可以说是非常低的。但是，Eu2+的5d激发能级容易与基质材料((La,Y)3Si6N11)的导带重叠。由此，在Eu2+的4f基态与基质材料的导带之间能够高效地吸收能量。该吸收能量与蓝色光区域的能量相当。另外，Eu2+在4f轨道具有七个电子，各个电子的能级具有宽度，因而激发波长变宽。即，使用了Eu2+作为发光中心的红色荧光体的激发波长成为以蓝色区域为峰的宽的激发波长。因此，就使用了Eu2+作为发光中心的红色荧光体的光源来说，激发光源使用了吸收效率变得最高的蓝色光。
另一方面，在使用了Ce3+作为发光中心的荧光体的情况下，5d激发能级难以与基质材料的导带重叠。由此，无法期待4f基态与基质材料的导带之间的能量吸收。因此，4f-5d跃迁成为能量吸收的主体。
本申请的发明者们由上述研究的结果发现：在使用了Ce3+的红色荧光体的情况下，4f-5d跃迁之间的能量差成为绿色光区域的能量差。因此，在使用了Ce3+的红色荧光体的情况下，与激发光源中使用蓝色光相比，使用了绿色光时荧光体的吸收效率升高。由此，通过使用绿色光，能够提高光输出。此外，与由蓝色光向红色光转换的现有方式相比，由绿色光向红色光转换的本申请的方式能够减小能量转换损失(斯托克斯损失)，能够放射更高输出的光。
＜实施方式1的荧光体＞
根据以上的结果，本申请的发明者们作为本申请的一个实施方式的荧光体获得了新颖的红色荧光体，其含有具有化学组成CexYyLa3-x-ySi6N11的晶相，0＜x≤0.6，(1.5-x)≤y≤(3-x)。下面，对实施方式1的荧光体进行更详细说明。
如上所述，实施方式1的荧光体的化学组成中，x满足0＜x≤0.6。由于x大于0，因而能够得到由Ce所引起的发光。从增大发光强度的观点考虑，x优选为0.0003以上，更优选为0.015以上。只要荧光体能够发光，则对x的最大值没有特别限制。但是，在x过大的情况下，发光强度因浓度猝灭而降低。因此，通过使x为0.6以下，能够抑制发光强度的降低。另外，从增大发光强度的观点考虑，x优选为0.3以下，更优选为0.15以下。
就实施方式1的荧光体来说，从发光波长和激发波长的长波长化的观点考虑，基于Y的La的置换量优选大。因此，本实施方式的荧光体的化学组成中，x和y优选满足(1.5-0.5x)≤y≤(3-x)，更优选满足1.5≤y≤(3-x)。
实施方式1的荧光体在波长为600nm～660nm的范围内具有发射光谱的峰。实施方式1的荧光体例如可以具有波长为605nm以上的发射光谱的峰。实施方式1的荧光体例如可以具有波长为640nm以下的发射光谱的峰，也可以具有波长为636nm以下的发射光谱峰。
实施方式1的荧光体在波长为480nm～550nm的范围内具有激发光谱的峰。实施方式1的荧光体例如可以具有波长为490nm以上的激发光谱的峰，也可以具有波长为495nm以上的激发光谱峰。实施方式1的荧光体例如可以具有波长为530nm以下的激发光谱的峰，也可以具有波长为508nm以下的激发光谱峰。
实施方式1的荧光体在以波长为480nm～550nm的范围的激发光谱的峰为第一激发光谱的峰时可以在波长为350nm以上且小于480nm的范围内进一步具有第二激发光谱的峰。第一或第二激发光谱的峰可以为激发光谱的最大峰。
另外，实施方式1的荧光体的晶相的1/e发光寿命可以示出100纳秒以下的值。发光寿命会对亮度饱和特性产生影响。作为现有红色荧光体的CASN：Eu等包含Eu的荧光体的发光寿命比包含Ce的荧光体长。因此，包含Eu的荧光体由于在高输出激发时量子效率降低而容易发生亮度饱和。因此，就以Ce为发光中心的实施方式1的荧光体来说，与现有红色荧光体相比，作为就算是在高输出时量子效率也高的红色荧光体是有前途的。
此外，实施方式1的荧光体中的基质材料的晶体也可以为正方晶(四方晶)。换言之，实施方式1的荧光体中的具有化学组成CexYyLa3-x-ySi6N11的晶相也可以具有正方晶(四方晶)的晶体结构。另外，该晶相也可以具有与由通式La3Si6N11表示的晶体几乎相同的晶体结构。
实施方式1的荧光体的晶相可以具有Ce置换了La3Si6N11的晶体结构中的至少一部分La(2a)格位的晶体结构。另外，实施方式1的荧光体的晶相也可以具有Y置换了La3Si6N11的晶体结构中的至少一部分La(4c)格位的晶体结构，还可以具有Y置换了La3Si6N11的晶体结构中的过半数La(4c)格位的晶体结构。
如图7所示，在La3Si6N11的晶体结构中的La的配位状态下存在La(2a)格位和La(4c)格位这两种。La(2a)格位的对称性高，La(4c)格位的对称性低。例如，在对称性高的La(2a)格位的La被离子半径大的Ce置换了的情况下，由第一原理计算求出来的生成焓低至约48meV左右，在热力学上稳定。从该观点考虑，实施方式1的荧光体的晶相优选具有Ce置换了La3Si6N11的晶体结构中的至少一部分La(2a)格位的晶体结构。此外，例如在对称性低的La(4c)格位的La被Y置换了的情况下，晶格应变大，因此Ce的5d轨道的分裂变大。由此，4f-5d轨道之间的能量差减少，因而能够使激发波长和发光波长向长波长侧偏移。从该观点考虑，实施方式1的荧光体的晶相优选具有Y置换了La3Si6N11的晶体结构中的至少一部分La(4c)格位的晶体结构。另外，更优选具有Y置换了La3Si6N11的晶体结构中的过半数La(4c)格位的晶体结构。
＜荧光体的制造方法＞
下面，对实施方式1的荧光体的制造方法进行说明。
作为原料，例如可以使用分别含有Ce、La、Si和Y的化合物，也可以使用Ce、La、Si和Y各自的单质。作为化合物，可以使用通过氮气氛下的烧成而成为氮化物的化合物、高纯度(纯度为99％以上)的氮化物、金属合金等。另外，为了促进反应，也可以少量添加氟化物(氟化铵等)。
例如，可以按照达到由CexYyLa3-x-ySi6N11(0＜x≤0.6、(1.5-x)≤y≤(3-x))表示的化学组成比的方式来准备Ce化合物、La化合物、Si化合物和Y化合物。此处，也可以准备Si单质来代替Si化合物。作为具体原料，例如可以使用CeF3粉末、LaN粉末、Si3N4粉末和YN粉末。此处，也可以使用CeN粉末来代替CeF3粉末。另外，还可以使用Si单质的粉末来代替Si3N4粉末。此外，LaN粉末可以准备比理论值过量24％左右。LaN在烧成时容易分解，因此通过在配合原料时过量投料能够抑制作为副产物的LaSi3N5晶体的生成。
实施方式1的荧光体的制造通过混合上述原料并烧成来进行。原料的混合方法可以为溶液中的湿式混合，也可以为干燥粉体的干式混合。可以使用工业上通常使用的球磨机、介质搅拌磨机、行星磨机、振动磨机、喷射式磨机、V型混合机、搅拌机等。烧成是在通过氮进行了加压的气氛中以1500～2000℃的温度范围进行1～50小时左右。此时的压力通常为3气压以上，优选为4气压以上，更优选为8气压以上。烧成后的荧光体例如可以在浓度为10％的硝酸溶液中清洗1小时。可以将所得到的荧光体粉末使用球磨机、喷射式磨机等再次粉碎，进一步根据需要进行清洗或分级，由此来调整荧光体粉末的粒度分布和流动性。
＜使用了荧光体的发光装置＞
实施方式1的荧光体可以用于发光装置。本实施方式中的发光装置至少具备激发光源和第一荧光体。激发光源发出波长为600nm以下的光。第一荧光体被照射激发光源所发出的光，发出比激发光源所发出的光波长更长的荧光。第一荧光体例如为在实施方式1中进行了说明的任一种荧光体。根据上述构成，能够构成就算是在高输出时量子效率也高的发光装置。
另外，激发光源所发出的光的波长可以为480nm～600nm。实施方式1的荧光体典型地在波长为480nm～550nm的范围内具有激发光谱的峰，因而通过使用发出上述波长范围的光的激发光源，能够高效地进行激发。此外，激发光源所发出的光可以包含波长为200nm～480nm的光，也可以包含波长为420nm～480nm的光。实施方式1的荧光体就算是在波长为480nm以下也能够吸收激发光。另外，波长为200nm以下的光因由空气引起的吸收而衰减，因此优选发出波长为200nm以上的光的激发光源。此外，作为上述的激发光源，例如可以列举出LED或LD。
此外，本实施方式中的发光装置还可以包含第二荧光体，该第二荧光体在波长为500nm～600nm的范围内具有发射光谱的峰。即，发光装置可以包含第一荧光体与第二荧光体的组合。第二荧光体通过被照射激发光源所发出的光，发出比激发光源所发出的光波长更长的荧光。作为第二荧光体，可以使用含有化学组成Y3Al5O12：Ce(YAG：Ce)的晶相的荧光体、含有具有化学组成La3Si6N11：Ce(LSN：Ce)的晶相的荧光体等。
另外，第二荧光体例如也可以为发出黄色光的荧光体。发光装置还可以包含发出绿色光的第三荧光体。即，发光装置可以包含第一荧光体、发出黄色光的第二荧光体与发出绿色光的第三荧光体的组合。第三荧光体通过被照射激发光源所发出的光，发出比激发光源所发出的光波长更长的荧光。作为第三荧光体，可以使用含有化学组成Lu3Al5O12：Ce(LuAG：Ce)的晶相的荧光体、含有具有化学组成Y3(Al,Ga)5N12：Ce(YAGG：Ce)的晶相的荧光体等。此外，也可以利用第二荧光体和/或第三荧光体所发出的光来激发实施方式1的荧光体。另外，绿色光是指在CIE色度坐标值中位于(0.1≤x≤0.4、0.5≤y≤0.8)的范围的光。此外，黄色光是指在CIE色度坐标值中位于(0.4≤x≤0.6、0.4≤y≤0.6)的范围的光。
包含实施方式1的荧光体的发光装置中的激发光源和第二、第三荧光体可以根据发光装置的用途在上述范围内自由地进行选择。因此，包含实施方式1的荧光体的发光装置不仅作为红色发光装置是有用的，而且作为白色发光装置等也是有用的。具体来说，通过将发出蓝色光的激发光源、发出黄色光的荧光体和本实施方式的红色荧光体进行组合，能够实现显色性高的高输出的发光装置、发出灯泡色的光的高输出的发光装置。
[实施方式2]
实施方式2中，以本申请的发光装置的一个例子的形式对以作为发光器件的LED芯片为光源的LED发光装置进行说明。图10是表示实施方式2的LED发光装置的一个实施方式的剖视示意图。如图10所示，LED发光装置10具备荧光体11、LED芯片15和LED封装体24。另外，LED发光装置10也可以具备支撑体23。支撑体23对LED芯片15进行支撑。本实施方式中，LED发光装置10具备能够表面贴装的结构，因而支撑体23为基板。
本实施方式可以用于高亮度LED发光装置。例如，为了将LED芯片15所产生的热高效地释放到外部，支撑体23具有高导热系数。例如，可以使用由氧化铝、氮化铝等形成的陶瓷基板作为支撑体23。
LED芯片15例如使用在紫外至黄色区域发光的芯片，使用在波长为200nm～600nm的范围内具有发射光谱的峰的芯片。具体来说，作为LED芯片15使用黄色LED芯片、绿色LED芯片、蓝色LED芯片、蓝紫色LED芯片、近紫外LED芯片、紫外LED芯片等。LED芯片15以使在支撑体23上出射面15a不为与支撑体23接触的面的方式被焊料27等固定于支撑体23。另外，LED芯片15与通过焊丝21设置于支撑体23的电极22电连接。LED芯片15被LED封装体24覆盖。
LED封装体24例如使用了硅树脂。荧光体11分散于LED封装体24中。硅树脂可以使用作为半导体发光器件的封装树脂来使用的被各种化学式规定的结构的硅树脂。硅树脂例如包含耐变色性高的二甲基硅酮。另外，也可以使用耐热性高的甲基苯基硅酮等作为硅树脂。硅树脂可以是具有由被一种化学式规定的硅氧烷键形成的主骨架的均聚物。另外，也可以是包含具有被两种以上的化学式规定的硅氧烷键的结构单元的共聚物、两种以上的硅酮聚合物的合金。
本实施方式中，LED封装体24中的硅树脂处于固化后的状态。因此，LED封装体24也处于固化后的状态。如以下进行说明的那样，LED封装体24可以使用未固化的硅树脂来制作。硅树脂通常是通过混合主剂和固化剂来促进固化的双液型。但是，也可以使用热固化型或通过照射光等能量来固化的能量固化型硅树脂。此外，LED封装体24中也可以使用除了硅树脂以外的物质。例如，可以使用玻璃、环氧树脂、由ZnO构成的无机材料。另外，荧光体11也可以不分散于LED封装体24中，而以荧光体板的形态配置在LED封装体24上。
上述例子是LED芯片被引线接合，但本实施方式所使用的LED芯片也可以是其它结构。即，本实施方式所使用的LED芯片既可以是正装(face up)来安装，也可以是倒装(flipchip)来安装。另外，本实施方式所使用的LED芯片也可以具备由具有常规的极性面(c面)的生长面的氮化物半导体形成的发光层。
＜荧光体的概要＞
荧光体11吸收由LED芯片15射出的从近紫外到黄色区域的光(例如近紫外光)之中的一部分的波长成分或所有的波长成分，发出荧光。吸收的光的波长和荧光的波长由荧光体11所含的荧光材料的种类来确定。荧光体11可以为包含多种不同颜色的荧光体的混合荧光体，以通过光的混色来制作白色光。荧光体11也可以为绿色荧光体和红色荧光体的混合荧光体。作为红色荧光体，使用实施方式1的荧光体。
作为绿色荧光体，例如可以使用MII 2MgSi2O7：Eu2+(MII＝选自Ba、Sr和Ca中的至少一种)、SrSi5AlO2N7：Eu2+、SrSi2O2N2：Eu2+、BaAl2O4：Eu2+、BaZrSi3O9：Eu2+、MII 2SiO4：Eu2+(MII＝选自Ba、Sr和Ca中的至少一种)、BaSi3O4N2：Eu2+、Ca8Mg(SiO4)4Cl2：Eu2+、Ca3SiO4Cl2：Eu2+、β-SiAlON：Eu2+等荧光体。
作为其它方案，荧光体11也可以为黄色荧光体和红色荧光体的混合荧光体。作为红色荧光体，使用实施方式1的荧光体。作为黄色荧光体，例如可以使用Y3Al5O12：Ce3+、CaSi2O2N2：Eu2+、(Ba,Sr)Si2O2N2：Eu2+、Ca3Sc2Si3O12：Ce3+、CaSc2O4：Ce3+、α-SiAlON：Eu2+、La3Si6N11：Ce3+等荧光体。
另外，荧光体11的粒径例如分别为1μm～80μm。本说明书中，粒径是基于显微镜法的当量圆直径来表示的。
荧光体11例如以相对于封装体100重量份为3重量份～70重量份的比例包含于LED封装体24。在荧光体11的含量少于3重量份的情况下，无法获得充分强度的荧光，因此有时变得无法实现发出所期望波长的光的LED发光装置10。用于荧光体11的以各色发光的荧光体的重量比可以根据所期望的白色光的色调和各荧光体的发光强度来适当地决定。此外，也可以通过使荧光体11仅为实施方式1的红色荧光体或者与其它颜色的荧光体组合来构成LED发光装置作为发出除了白色以外的颜色的LED发光装置。
除了实施方式1的红色荧光体以外的上述荧光体可以根据公知方法来制造。具体来说，在制作氧化物荧光体的情况下，可以使用氢氧化物、草酸盐、硝酸盐等通过烧成会成为氧化物的化合物或者氧化物作为原料。此处，为了促进反应，可以少量添加氟化物(例如氟化钙等)、氯化物(例如氯化钙等)。荧光体的制造通过将上述原料混合并烧成来进行。
作为原料的混合方法，可以为溶剂中的湿式混合，也可以为干燥粉体的干式混合。可以使用工业上通常所使用的球磨机、介质搅拌磨机、行星磨机、振动磨机、喷射式磨机、V型混合机、搅拌机等。荧光体原料的烧成是在大气中或还原性气氛下以1100～1700℃的温度范围进行1～50小时左右。用于烧成的炉可以使用工业上通常所使用的炉。例如，可以使用推杆炉等连续式或间歇式电炉、燃气炉或者等离子烧结(SPS)、热气静水压加压烧结(HIP；又称为热等静压烧结)等加压烧成炉。将所得到的荧光体粉末使用球磨机、喷射式磨机等再次粉碎，并根据需要来进行清洗或分级，由此可以对荧光体粉末的粒度分布、流动性进行调整。
[实施方式3]
实施方式3中，以本申请的发光装置的一个例子的形式对以作为发光器件的LD为光源的LD发光装置进行说明。图11示出了实施方式3的LD发光装置60的示意结构。LD发光装置60具备LD器件58和波长转换部件61。波长转换部件61包含荧光体。荧光体将来自LD器件58的出射光波长转换为波长更长的光。
LD器件58能够射出光功率密度高于LED的光。由此，可以使用LD器件58来构成高输出LD发光装置60。从LD发光装置60的高输出化的观点考虑，从LD器件58向荧光体照射的光功率密度例如为0.5W/mm2以上。另外，向荧光体照射的光功率密度可以为2W/mm2以上，也可以为3W/mm2以上，还可以为10W/mm2以上。另一方面，当向荧光体照射的光功率密度过高时，来自荧光体的发热量增大，从而有可能对LD发光装置60造成不良影响。由此，向荧光体照射的光功率密度可以为150W/mm2以下，也可以为100W/mm2以下，还可以为50W/mm2以下，进一步还可以为20W/mm2以下。
LD器件58中可以无特别限制地使用射出能够激发荧光体的波长的光的器件。例如，可以使用射出蓝紫光的LD器件、射出蓝色光的LD器件、射出绿色光的LD器件、射出黄色光的LD器件等。本实施方式是对LD器件58射出蓝色光的情况进行说明。本说明书中，蓝色光是指峰值波长为420nm以上且小于480nm的光。通常，就射出蓝色光的LD器件58来说，与射出紫外光的LD器件相比，其发光效率高，在发光峰值波长为445nm的情况下发光效率变得最高。LD器件58的发光峰值波长可以为425nm以上，也可以为430nm以上。另一方面，LD器件58的发光峰值波长可以为475nm以下，也可以为470nm以下。
LD器件58可以是由一个LD构成的器件，也可以是将多个LD光学耦合而成的器件。LD器件58例如可以具备由具有作为非极性面或半极性面的生长面的氮化物半导体形成的发光层。
波长转换部件61的荧光体包含实施方式1的红色荧光体。波长转换部件61可以根据发光装置的所期望的发光色来进一步包含除了实施方式1的红色荧光体以外的荧光体。例如，在波长转换部件61进一步包含黄色荧光体和绿色荧光体的情况下，可以构成LD发光装置60来作为白色发光装置。作为黄色荧光体和绿色荧光体，可以使用实施方式2中所例示出来的荧光体。波长转换部件61可以为多种荧光体混合而成的一层的波长转换层，也可以为至少层叠两层以上的包含仅一种或多种荧光体的波长转换层而成的部件。本实施方式特别是对使用具有层叠由红色荧光体12构成的第一荧光体层62与由黄色荧光体13构成的第二荧光体层63而成的构成的波长转换部件61的情况进行说明。
第一荧光体层62、第二荧光体层63分别使用粘合剂68、69来构成。粘合剂68、69例如为树脂、玻璃或透明晶体等介质。粘合剂68、69可以为相同的材质，也可以为不同的材质。此外，各荧光体层也可以仅由荧光体颗粒构成。
也可以在波长转换部件61与LD器件58之间设置有将LD器件58的光导向第二荧光体层63的入射光学系统59。入射光学系统59例如具备有透镜、镜或光纤等。
接着，对LD发光装置60的工作进行说明。从LD器件58射出来的蓝色光从入射光学系统59通过而射入波长转换部件61的第二荧光体层63。通过该入射光，使第二荧光体层63的多个黄色荧光体13被激发而射出黄色光。另外，未被第二荧光体层63吸收而透过了的从LD器件58射出来的蓝色光射入第一荧光体层62。通过该入射，使第一荧光体层62的多个红色荧光体12被激发而射出红色光。此外，从第二荧光体层63放射出来的黄色光射入第一荧光体层62。通过该入射光的一部分，可以使第一荧光体层62的多个红色荧光体12被激发而射出红色光。另外，既未被第一荧光体层62也未被第二荧光体层63吸收而透过了的从LD器件58射出来的蓝色光向外部放射。这些红色光、黄色光和蓝色光混合而成为白色光。
此外，各荧光体层的厚度可以调整为从LD器件58射出来的蓝色光不透过第一荧光体层62。另外，也可以调整成为从第二荧光体层63放射出来的黄色光不透过第一荧光体层62。在该情况下，仅红色光向外部放射。作为其它方案，还可以使用实施方式2中进行了说明的绿色荧光体来代替第二荧光体层63所使用的黄色荧光体13。
[实施方式4]
实施方式4中，以本申请的发光装置的一个例子的形式对以作为发光器件的LD为光源的LD发光装置进行说明。图12示出了实施方式4的LD发光装置80的示意结构。就与实施方式3相同的部件，附上相同符号来省略其说明。LD发光装置80具备LD器件58和波长转换部件81。
波长转换部件81包含荧光体。荧光体将来自LD器件58的出射光波长转换为更长波长的光。波长转换部件81的荧光体具有混合红色荧光体12与选自黄色荧光体13和绿色荧光体14中的至少一种而成的波长转换层。作为红色荧光体12，使用实施方式1的荧光体。作为黄色荧光体和绿色荧光体，可以使用实施方式2所例示出来的荧光体。本实施方式特别是对波长转换部件81为混合红色荧光体12、黄色荧光体13和绿色荧光体14这三种而形成的荧光体层的情况进行说明。三种荧光体的混合比例可以根据所期望的白色光的色调、各荧光体的发光强度等来适当调整。
作为波长转换部件81的荧光体层使用粘合剂68来构成。粘合剂68例如为树脂、玻璃或透明晶体等介质。粘合剂68可以为单一材质，也可以为根据场所而不同的材质。此外，荧光体层也可以仅由荧光体颗粒构成。
从LD器件58射出来的蓝色光从入射光学系统59通过，被波长转换部件81中的红色荧光体12、黄色荧光体13和绿色荧光体14分别转换为红色光、黄色光、绿色光。未被荧光体吸收的从LD器件58射出来的蓝色光与被红色荧光体12、黄色荧光体13和绿色荧光体14分别转换的红色光、黄色光、绿色光混合，由此形成白色光。此外，红色荧光体12因射入由绿色荧光体14射出来的绿色光的一部分而被激发，射出红色光。
如上所述，根据实施方式2～4的发光装置，由于使用实施方式1的红色荧光体，因此在高输出时能够比以往进一步提高量子效率。此外，在作为白色发光装置来构成的情况下，能够实现高显色性和色彩再现性。
[实施方式5]
实施方式5中，对本申请的照明装置的一个例子进行说明。图13示出了实施方式5的照明装置120的示意构成。照明装置120具备光源121和将光源121所发出的光导向前方的出射光学系统122。为了调整来自光源的发光色，也可以设置吸收或反射来自光源的光的波长截止滤波器123。光源121包含实施方式1的红色荧光体。另外，光源121也可以为实施方式2～4的发光装置10、60或80。出射光学系统122例如也可以为折射器(refractor)。出射光学系统122例如可以具有Al或Ag等的金属膜或者在表面形成有保护膜的Al膜。
根据实施方式5的照明装置，由于使用实施方式1的红色荧光体，因此在高输出时能够比现有照明装置进一步提高量子效率。此外，在作为白色照明装置来构成的情况下，能够实现高显色性和色彩再现性。
[实施方式6]
实施方式6中，以本申请的照明装置的一个例子的形式对使用了光纤的照明装置进行说明。图14示出了实施方式6的照明装置130的示意结构。照明装置130具备LD器件58、入射光学系统59、光纤132、波长转换部件131和出射光学系统122。
LD器件58所发出的光从入射光学系统59通过而被导向光纤132。光纤132将该光导向出射部。出射部例如具备波长转换部件131和出射光学系统122。波长转换部件131包含实施方式1的红色荧光体。另外，波长转换部件131也可以为实施方式3～4的波长转换部件61或81。此外，波长转换部件131可以如图14那样位于与光纤132相比更靠出射侧，但也可以位于与光纤132相比更靠入射侧(例如LD器件58与入射光学系统59之间或入射光学系统59与光纤132之间)。
根据实施方式6的照明装置，通过使用光纤，能够简便地变更光的照射方向。
另外，由于使用实施方式1的红色荧光体，因此在高输出时能够比现有照明装置进一步提高量子效率。此外，在作为白色照明装置来构成的情况下，能够实现高显色性和色彩再现性。
[实施方式7]
实施方式7中，以本申请的照明装置的应用例的形式对具备照明装置的车辆进行说明。图15示出了实施方式7的车辆140的示意构成。车辆140具备作为实施方式5的照明装置120的车辆用前照灯(head lamp)和电力供给源141。另外，车辆140也可以具有通过发动机等驱动源来旋转驱动而产生电力的发电机142。发电机142所生成的电力可以储存于电力供给源141。电力供给源141也可以为能够进行充放电的二次电池。照明装置120被来自电力供给源141的电力点亮。车辆140例如为汽车、双轮车或特殊车辆。另外，车辆140也可以为发动机车、电车或混合动力车。
根据实施方式7的车辆，由于使用包含实施方式1的红色荧光体的车辆用前照灯，因此在高输出时能够比以往更亮地照亮前方。此外，在作为白色照明装置来构成的情况下，能够实现高显色性和色彩再现性。
产业上的可利用性
本申请的荧光体作为发光装置等来说是有用的。本申请的荧光体例如可以用作吸顶灯等常规照明装置、聚光灯、体育场用照明、工作室用照明等特殊照明装置、前照灯等车辆用照明装置、投影仪、平视显示器等投影装置、内窥镜用灯、数字照相机、便携式电话机、智能手机等的拍摄装置、个人计算机(PC)用显示器、笔记本型个人计算机、电视机、便携式信息终端(PDA)、智能手机、平板电脑、移动电话等的液晶显示装置等中的光源。
符号说明
10 LED发光装置
11 荧光体
12 红色荧光体
13 黄色荧光体
14 绿色荧光体
15 LED芯片
21 焊丝
22 电极
23 支撑体
24 LED封装体
27 焊料
58 LD器件
59 入射光学系统
60 LD发光装置
61 波长转换部件
62 第一荧光体层
63 第二荧光体层
68 粘合剂
69 粘合剂
80 LD发光装置
81 波长转换部件
120 照明装置
121 光源
122 出射光学系统
123 波长截止滤波器
130 照明装置
131 波长转换部件
132 光纤
140 车辆
141 电力供给源
142 发电机

Claims (14)

1.一种荧光体，其含有具有化学组成CexYyLa3-x-ySi6N11的晶相，0＜x≤0.6，(1.5-x)≤y≤(3-x)，其在波长为600nm～660nm的范围内具有发射光谱的峰，并且在波长为480nm～550nm的范围内具有激发光谱的第一峰，
所述晶相具有Y置换了La3Si6N11的晶体结构中的过半数La(4c)格位的晶体结构。
2.根据权利要求1所述的荧光体，其中，所述x和所述y满足(1.5-0.5x)≤y≤(3-x)。
3.根据权利要求2所述的荧光体，其中，所述x和所述y满足1.5≤y≤(3-x)。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的荧光体，其中，所述晶相具有正方晶的晶体结构。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的荧光体，其中，所述晶相具有四方晶的晶体结构。
6.根据权利要求1～3中任一项所述的荧光体，其在波长为350nm以上且小于480nm的范围内具有所述激发光谱的第二峰。
7.根据权利要求1～3中任一项所述的荧光体，其中，所述晶相的1/e发光寿命为100纳秒以下。
8.根据权利要求1～3中任一项所述的荧光体，其中，所述晶相具有Ce置换了La3Si6N11的晶体结构中的至少一部分La(2a)格位的晶体结构。
9.一种发光装置，其具备：
激发光源，该激发光源发出波长为600nm以下的光；以及
第一荧光体，该第一荧光体为权利要求1～8中任一项所述的荧光体，
其中，所述第一荧光体被照射所述激发光源所发出的光，发出比所述光波长更长的荧光。
10.根据权利要求9所述的发光装置，其中，所述激发光源发出波长为480nm～600nm的光。
11.根据权利要求9所述的发光装置，其中，所述激发光源发出波长为420nm～480nm的光。
12.根据权利要求9～11中任一项所述的发光装置，其中，所述激发光源为发光二极管或激光二极管。
13.根据权利要求9～11中任一项所述的发光装置，其还具备第二荧光体，所述第二荧光体被照射所述激发光源所发出的光，发出比所述光波长更长的荧光，
所述第二荧光体在波长为480nm以上且小于600nm的范围内具有发射光谱的峰。
14.根据权利要求13所述的发光装置，其中，所述第二荧光体为发出黄色光的荧光体，
所述发光装置还具备第三荧光体，所述第三荧光体被照射所述激发光源所发出的光，发出比所述光波长更长的荧光，
所述第三荧光体发出绿色光。
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