JP2009512741A - 固体照明用途のセリウム系蛍光体材料 - Google Patents

固体照明用途のセリウム系蛍光体材料 Download PDF

Info

Publication number
JP2009512741A
JP2009512741A JP2008533772A JP2008533772A JP2009512741A JP 2009512741 A JP2009512741 A JP 2009512741A JP 2008533772 A JP2008533772 A JP 2008533772A JP 2008533772 A JP2008533772 A JP 2008533772A JP 2009512741 A JP2009512741 A JP 2009512741A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
compound
luminescent
emitting diode
phosphor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008533772A
Other languages
English (en)
Inventor
アンソニー ケー. チータム,
トゥクワン, ロナン ペー. ル
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CARIFORNIA
Original Assignee
THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CARIFORNIA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CARIFORNIA filed Critical THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CARIFORNIA
Publication of JP2009512741A publication Critical patent/JP2009512741A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/0883Arsenides; Nitrides; Phosphides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7715Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing cerium
    • C09K11/77217Silicon Nitrides or Silicon Oxynitrides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7715Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing cerium
    • C09K11/77218Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Abstract

〜a=14.88Åの格子パラメータの面心立方ユニットセルに結晶化するCaSiN2−δδ:Ce3+等のカルシウムシリケートニトリド三成分系を有し、高強度の赤色光を発する発光性セリウム(Ce)添加化合物。このCe添加化合物は、下記のいずれかにおいて、白色光用途に使用可能である:(i)黄色または緑色の蛍光体を有する青色LEDを基材とする系の光品質を向上するため、(ii)青色LEDおよび緑色蛍光体との組み合わせにおけるオレンジ色蛍光体として、または(iii)紫外(UV)LED並びに赤色、緑色および青色(RGB)の蛍光体を有する構成における赤色蛍光体として。Caサイトにおいてより小型の元素に置換すると、またはSiサイトにおいてより大型の元素に置換すると、発光波長は黄色またはオレンジ色の領域の方向に短波長化する。

Description

(関連出願の相互参照)
本出願は、同時継続であって同一人に譲渡された次の米国特許出願:2005年9月30日にAnthony K.CheethamとRonan P.Le Toquinとによって出願された、発明名称が「CERIUM BASED PHOSPHOR MATERIALS FOR SOLID−STATE LIGHTING APPLICATIONS」、代理人事件番号が30794.138−US−P1(2005−618−1)である米国仮特許出願第60/722,900号、および2005年9月30日にRonan P.Le ToquinとAnthony K.Cheethamによって出願された、発明名称が「NITRIDE AND OXY−NITRIDE CERIUM BASED PHOSPHOR MATERIALS FOR SOLID−STATE LIGHTING APPLICATIONS」、代理人事件番号が30794.145−US−P1(2005−753−1)である米国仮特許出願第60/722,682号の米国特許法第119条第(e)項の優先権の利益を主張するものであり、これらの出願は参考として本明細書に援用される。
本出願は、同時継続であって同一人に譲渡された次の米国特許出願:Ronan P.Le ToquinとAnthony K.Cheethamとによって同日に出願された、発明名称が「NITRIDE AND OXY−NITRIDE CERIUM BASED PHOSPHOR MATERIALS FOR SOLID−STATE LIGHTING APPLICATIONS」、代理人事件番号が30794.145−US−U1(2005−753−2)である米国実用特許出願第xx/xxx,xxx号であって、2005年9月30日にRonan P.Le ToquinとAnthony K.Cheethamによって出願された、発明名称が「NITRIDE AND OXY−NITRIDE CERIUM BASED PHOSPHOR MATERIALS FOR SOLID−STATE LIGHTING APPLICATIONS」、代理人事件番号が30794.145−US−P1(2005−753−1)である米国仮特許出願第60/722,682の優先権を主張する、出願に関連し、これらの出願は参考として本明細書に援用される。
(発明の分野)
本発明は、固体照明用途のセリウム(Ce)系蛍光体材料に関する。
(関連技術の記述)
(注:本出願は、本明細書全体において、例えば[x]のように括弧内の1つ以上の参照番号により示される、多数の異なる公表資料を参照する。これら参照番号に従って配列されるこれら異なる公表資料のリストは、後述の「参考文献」と題する段落にある。これら公表資料のそれぞれを、本明細書において参照により援用する。)
GaN/InGaN等のワイドバンドギャップ半導体材料を基材とする発光ダイオード(LED)は、紫外(UV)および/または青色(300nm〜460nm)を、高効率かつ長寿命で発生する[1、15](非特許文献1、非特許文献2)。このようなLEDからの発光は、蛍光体材料の発光特性を用いてより低エネルギーの放射線に変換することが可能である。高強度の青色光(10)は、図1(a)に示すように、白色光(14)に見える青色および黄色の光(13)が発せられるように青色LED(11)と黄色蛍光体(12)とを組み合わせることにより、白色LEDデバイスを作製するのに用いることができる。あるいは、図1(b)に示す緑色とオレンジ色蛍光体との混合体(15)は、白色光(14)に見える青色、緑色、およびオレンジ色の光(16)を発するであろう。あるいは、高強度のUV光(20)は、図2に示すように、UVLED(21)と、白色光(24)に見える赤色、緑色、および青色の光(23)を発する3つの赤色、緑色、および青色(RGB)蛍光体の混合体(22)とを組み合わせることにより、白色LEDデバイスを作製するのに用いることができる。LED(11)および(21)は、それぞれ基板(17)および(25)上に形成してもよい。
最初に商品化された白色LEDは、青色フォトンを黄色フォトンに変換するYAl12:Ce3+(YAG)蛍光体層と組み合わされた、460nm付近の青色フォトンを発するInGaNチップを基材としていた[2、3](非特許文献3、特許文献1)。その結果、わずかに青味がかった白色光が発生される。これは、原理的には、第二の蛍光体からの赤色フォトンを加えることにより改良できる。事実、赤色蛍光体は、用いられる構成に関わらず白色LEDの開発に必要であり、赤色に対する人間の目の感度が低いことを補償するために、非常に強度の高いものでなければならない[4](非特許文献4)。しかし、高強度の赤色蛍光体は、ストークスシフトが増加して量子収率が低下するため、実現が非常に困難である。
Ce3+添加材料では、通常、UV発光が観察される[5](非特許文献5)。しかし、高結晶場対称性(Ce−YAG[2](非特許文献3))により、または強共有結合性Ce環境(硫化物またはオキシニトライド[6](非特許文献6))により、発光波長のエネルギーが減少することがある。Ce3+添加イットリウム・アルミニウム・ガーネット(YAG)は最も重要な実例であり、青色励起(460nmにおける)において強力な黄色発光(540nmにおける)を示す。この特異な黄色発光は、微小正方晶系歪に関連するCeサイトの立方結晶場が原因である[2](非特許文献3)。以前にVan Krevelらが実証したように[6](非特許文献7)、より共有結合性の強い窒素等のアニオンで酸素を置換することにより、オキシニトリド化合物で緑色〜黄色のCe3+発光を観察することも可能である。さらに共有結合特性を強化しようとして、新たなEu2+添加サイアロン[7、8](特許文献2、非特許文献7)またはシリコン(オキシ)ニトリド[9〜11](特許文献3〜特許文献5)系材料に到達した。これらの材料は、非常に高効率のオレンジ色発光を示すことが報告されている。Eu2+添加MSi(ここに、Mはカルシウム、ストロンチウム、バリウム)は、今までのところ、最も興味深いものの一つである[10](特許文献4)。ニトリド化合物に見られるより長波長の発光波長は、UVの一部および可視スペクトル範囲を包含するより広い励起バンドと関連性がある。
米国特許第5,998,925号明細書 米国特許第6,717,353号明細書 米国特許第6,670,748号明細書 米国特許第6,682,663号明細書 米国特許出願公開第2003/0006702号明細書 Nakamura,G.Fasol,The Blue Laser Diode:GaN Based Light Emitters and Lasers,Springer,Berlin(1997). S.P.Den Baars,in Solid State Luminescence Theory,Materials and Devices,edited by A.H.Kitai,Chapman and Hall,London(1993). G.Blasse and A.Brill,Appl.Phys. Lett.,11(1967):J.Chem.Phys.,47(1967)5139. T.Justel,H.Nikol,C.Ronda,Angew.Chem.Int.Ed.,1998,37,30843103. G.Blasse,B.C.Grabmeier,Luminescent Materials,Springer,Berlin(1994). J.W.H.van Krevel,H.T.Hintzen,R. Metselaar,A.Meijerink,J.Alloys Compd.268(1−2),272−277(1998). J.W.H.van Krevel,J.W.T.van Rutten,H.Mandal,H.T.Hinzen,R.Metselaar,J.Solid State Chem.165(1)19−24(2002).
本発明は、高強度の赤色光を発する発光性Ce化合物、すなわち、CaSiN2−δδ:Ce3+を開示する。これは、〜a=14.88Åの格子パラメータを有する面心立方ユニットセルに結晶化するカルシウムシリケートニトリド(calcium silicate nitride)三成分系の新相(new phase)である。この化合物は、下記のいずれかにおいて、白色光用途に使用可能である:(i)黄色/緑色蛍光体を有する青色LEDを基材とする系の光品質向上のため、(ii)青色LED+オレンジ色および緑色蛍光体におけるオレンジ色蛍光体として、または(iii)UVLEDプラス3RGB蛍光体構成における赤色蛍光体として。Caサイトにおいてより小型の元素に置換すると、またはSiサイトにおいてより大型の元素に置換すると、発光波長が黄色/オレンジ色領域の方向に短波長化するため、この化合物は、青色LEDとともに黄色蛍光体として直接的に用いることもできる。このことから、本発明は、以下に示す多数の異なる実施形態を包含する。
一実施形態において、本発明は固体照明用途の装置であり、LEDと、このLEDに近接して配置され、このLEDからの放射線で励起されたときにオレンジ色〜赤色の光を発する発光性Ce化合物とを備える。LEDおよび発光性Ce化合物の種々の組み合わせは、(1)発光性Ce化合物が黄色または緑色の蛍光体と組合わされて用いられる場合の青色LED、(2)発光性Ce化合物がオレンジ色蛍光体として緑色蛍光体と組合わされて用いられる場合の青色LED、または(3)発光性Ce化合物がRGB蛍光体群の中の赤色蛍光体として用いられる場合のUVLED、を含んでもよい。
発光性Ce化合物は次の式で表され、
(Si,Al)z−δδ:Ce3+
ここに、
Figure 2009512741
、z=2、0≦δ<2であり、Mはカルシウム(Ca)、マグネシウム(Mg)、ストロンチウム(Sr)、またはバリウム(Ba)である。一つの代替実施形態において、ゲルマニウム(Ge)でシリコン(Si)を置換してもよい。別の代替実施形態では、Mはイットリウム(Y)またはランタニド(Ln)元素であり、Siは電荷補償(charge compensation)のためにアルミニウム(Al)またはガリウム(Ga)により置換される。
発光性Ce化合物は、下記の処置を用いて作製してもよい。
(a)混合体を形成するために、化学量論量の、(1)CaまたはCa金属、(2)AlN、(3)SiSiNH、またはSi(NH)、および(4)金属、ニトライドまたは酸化物のいずれかとしての希土類源(rare earth source)であるCe、を混合することと、
(b)酸化または加水分解を防止するために、[O]<1百万分率(ppm)および[HO]<1ppmの条件で混合体の重量を計量し、粉に挽くことと、
(c)0.5〜4リッタ/分の条件のN流通下で1300℃と1500℃との間の温度に加熱するために、混合体をAlまたはBNのるつぼ内に充填すること。
次に図面について説明する。図面では、同じ参照番号は全体にわたって同じ部分を表す。
以下の好適な実施形態についての説明では、この一部を形成する添付図面を参照する。添付図面の中には、本発明を実施できる特定の実施形態が概略図により示されている。他の実施形態を利用してもよいこと、および本発明の範囲から逸脱することなく構成を改変してもよいことが理解されるべきである。
(技術の開示)
本発明の主題は、青色またはUVのLEDを基材とする白色固体照明での用途に、新規の蛍光体材料を発見することである。そのため、本発明は、オレンジ色〜赤色の発光材料の合成と、蛍光体単体としてのそれの応用、または、白色LEDを実現する他のものとの組み合わせにおける、例えば図1および2に示す態様でのそれの応用とを対象に含む。
本発明は、放射線により励起されたときにオレンジ色〜赤色の光を発し、UV〜緑色または黄色の範囲の波長を吸収する発光性Ce化合物を有する組成物を範囲に含む。
この組成物は次の式で表すことができ、
(Si,Al)z−δδ:Ce3+
ここに、
Figure 2009512741
、z=2および0≦δ<2である。Mは主にカルシウム(Ca)であるが、下記の表3に示すマグネシウム(Mg)、ストロンチウム(Sr)およびバリウム(Ba)等の異なるアルカリ土類とのMサイト上での化学的置換は可能である。表3は、Mサイトへの置換により約50nmの実質的な発光波長のシフトがいかに観察されたかも示しており、放射線により励起されたときに発光性Ce化合物がいかにオレンジ色〜赤色の光を発するかを表している。シリコン(Si)原子もゲルマニウム(Ge)原子で置換可能である。イットリウム(Y)またはランタニド(Ln)元素はMサイト上で、電荷補償のためのアルミニウム(Al)またはガリウム(Ga)原子によるSiの置換と同時に置換してもよい。表3は、複合物がいかにUV〜緑色の光を吸収でき、またはUV〜緑色の光により励起され得るかも示している。
図3は、いかにしてこれらの材料を準備し得るかを示すフローチャートである。
ブロック30は、混合体を形成するために、化学量論量の、(1)CaまたはCa金属、(2)AlN、(3)Si、SiNH、またはSi(NH)、および(4)金属、もし可能であればニトライド、または酸化物のいずれかであるCe等の希土類源、を混合する処置を示す。この処置は、希土類等のより大きなイオン半径を有する元素を、Ca結晶学的サイトに導入すること、および/またはアニオン副格子内の空位の存在若しくは酸素置換により導入することを含んでもよい。
ブロック31は、混合体の重量を計量し、粉に挽く処置を示す。これは、酸化または加水分解等の劣化を防止するために、グローブボックス内([O]<1百万分率(ppm)および[HO]<1ppm)で実施されなければならない。
ブロック32は、この混合体を、管炉内で0.5〜4リッタ/分の窒素(N)流通下で1300℃と1500℃との間の温度に加熱する、例えばサファイア(Al)またはニトリドボロン(BN)のるつぼ内に充填する処置を示す。
X線回折、29SiNMR分光法およびUV/可視発光励起分光法を用いて、すべてのサンプルを特性評価した。
CaSiN相は、セルパラメータa=5.1229Å、b=10.2074Å、およびc=14.8233Åで、斜方晶系対称(空間群Pnma)に結晶化することが既に報告されている[12〜14]。図4に示すように、カルシウムシリケートニトリド三成分系(CaSiN)の新相の特性評価を行うのに、シンクロトロンX線回折試験が用いられた。本明細書で紹介されるCaSiN関連相は、取り得る空間群がF23の立方晶の対称性、および〜a=14.88Åの精製セルパラメータを有する。この相は、a=2√2a、a=√2a=cの関係に従い、文献で報告されているものと関係付けることができる。ここで報告される新相は、Ca結晶学的サイトに、希土類等のより大きなイオン半径を有する元素を導入することによってのみ、および/またはアニオン副格子内の空位の存在若しくは酸素置換によって(すなわち、δおよび窒素濃度の選択によって)のみ、得ることができる。
CaSiN2−δδ:Ce3+化合物のCaサイトにおいてより小型の元素に置換すると、またはSiサイトにおいてより大型の元素に置換すると、発光波長は黄色/オレンジ色のスペクトル領域の方向に短波長化する。
図5(a)および6(a)は、オレンジ色〜赤色の光を発する発光性Ce化合物のさらなる実施例であり、図5(b)および6(b)は、UV〜黄色の範囲の波長を含む励起スペクトル、すなわちバンドを有する発光性Ce化合物のさらなる実施例である。
CaSiN2−δδ:Ce3+化合物にはいくつかの重要な特性がある。第一に、図5(a)に示すように、それは高強度の赤色発光(ピークは〜620nm)を示す最初のCe3+蛍光体材料である。それは、図5(b)および6(b)に示すように、黄色および緑色の領域、並びに青色および紫外の領域で励起可能な、希少な蛍光体の1つでもある。赤色発光は、図5(b)に示すように、緑色光を赤色に変換する第二の蛍光体としてそれを付加することにより、YAGおよび青色LED構成の青味がかった色合いを補償するのに用いることができる。第二に、緑色から赤色への遷移は、光合成による植物成長を促進するのに有用であろう。第三に、この蛍光体の波長可変発光(下記の表3参照)により、図6(a)に示すように単独の黄色またはオレンジ色の蛍光体としても、または図6(b)に示すように460nm(例えば、青色LED)で励起可能な緑色発光蛍光体との組み合わせにおいても、それは非常に興味深いものになっている。CaおよびSiサイトでの置換により、最大点が500nmと650nmとの間にあり、450nmから700nmまでの可視スペクトルを範囲に含む発光が生じる。励起バンドを400nmと600nmとの間に調整することも可能である。予測されるように、これらの化合物は、図5(a)、5(b)、6(a)、および6(b)に示すように、比較的ブロードなピークを有する典型的なセリウム化合物の発光/励起ピーク形状(すなわち、スペクトル)を示す。図5(a)および6(a)の発光スペクトルの半値全幅(FWHM)はおそらく〜90nmであり、オレンジ色および赤色の光に対応する波長の全スペクトルを含む。図5(b)および6(b)における励起スペクトルは、FWHMが60nmであろう。発光および励起がブロードであるというこれらの特徴により、有益な色表現特性が得られる。
これらの新規の蛍光体は、発光性Ce化合物が、図5(b)および6(b)に示すようにGaNまたはZnO系LEDを用いてUV(〜380nm)で励起可能なため、固体照明の設計用にUVLEDとともに用いられる3種類の蛍光体(赤色、緑色、および青色)を有する群における黄色または赤色の蛍光体としても興味深いであろう。
図7は固体照明用途の装置の概略図であり、LED(70)および発光性Ce化合物(71)を有する組成物を含む。但し、発光性Ce化合物はLED(70)に近接して配置されており、発光性Ce化合物は、LEDからの放射線(73)により励起されたときにオレンジ色〜赤色光(72)を発する。
発光性Ce化合物は、1つ以上の他の蛍光体(74)と組み合わせて用いてもよい。例えば、LED(70)が青色LEDである場合、発光性Ce化合物(71)は、青色LEDとともに、黄色または緑色の蛍光体等の他の蛍光体(74)と組み合わせて用いてもよい。あるいは、LED(70)が青色LEDである場合、発光性Ce化合物(71)は、青色LEDとともに、オレンジ色蛍光体として緑色蛍光体等の他の蛍光体(74)と組み合わせて用いてもよい。同様に、LED(70)がUVLEDである場合、発光性Ce化合物はUVLEDとともに、RGB蛍光体群(74)における赤色蛍光体として用いてもよい。LED(70)からの放射線(73)および他の蛍光体(74)との組み合わせにおいて発光性Ce化合物により発せられる光(75)の合成は、白色光(76)に見えるであろう。
発光性化合物または蛍光体を形成するのに、Ce以外の他の希土類をカルシウムシリケートニトリド系の新相に導入しまたは添加してもよい。同一の立方晶の対称性は存続し、一連の希土類に渡ってユニットセルパラメータの典型的減少が観察される(下記の表1参照)。蛍光体としての用途の観点からも、これらの材料の光学特性は興味深い(下記の表2参照)。それ故、図7の装置は、立方晶の対称性(面心立方等)を有し、他の希土類を添加されたカルシウムシリケートニトリド三成分系からの発光性化合物(71)を利用してもよい。
(参考文献)
下記の参考文献を、本明細書において参照により援用する。
[1] Nakamura,G.Fasol,The Blue Laser Diode:GaN Based Light Emitters and Lasers,Springer,Berlin(1997).
[2] G.Blasse and A.Brill,Appl.Phys. Lett.,11(1967):J.Chem.Phys.,47(1967)5139.
[3] U.S.Patent No.5,998,925,to Y.Shimizu.et al.,issued December 7,1999,and entitled ”Light emitting device having a nitride compound semiconductor and a phosphor containing a garnet fluorescent material.”
[4] T.Justel,H.Nikol,C.Ronda,Angew.Chem.Int.Ed.,1998,37,30843103.
[5] G.Blasse,B.C.Grabmeier,Luminescent Materials,Springer,Berlin(1994).
[6] J.W.H.van Krevel,H.T.Hintzen,R.Metselaar,A.Meijerink,J.Alloys Compd.268(1−2),272−277(1998).
[7] U.S.Patent No.6,717,353,to G.0.Mueller et al.,issued April 6,2004,and entitled ”Phosphor converted light emitting device.”
[8] J.W.H.van Krevel,J.W.T.van Rutten,H.Mandal,H.T.Hinzen,R.Metselaar,J.Solid State Chem.165(1)19−24(2002).
[9] U.S.Patent No.6,670,748,to A.Ellens et al.,issued December 30,2003,and entitled ”illumination unit having at least one LED as light source.”
[10] U.S.Patent No.6,682,663,to G.Botty et al.,issued January 2004,and entitled ”Pigment with day light fluorescence.”
[11] U.S.Patent Publication No.20030006702,by R.B.Mueller−Mach et al.,published January 9,2003,and entitled ”Red deficiency compensating phosphor light emitting device.”
[12] Z.A.Gal,P.M.Mallinson,H.J.Orchard,S.J.Clarke.Inorg.Chem.2004,43,3998−4006.
[13] S.S.Lee,S.Lim,S.S.Sun,J.F.Wagner.Proc.SPIE Int.Soc.Opt.Eng.3241,1997,pp.75−79.
[14] E.A.Pugar,J.H.Kennedy,P.D.Morgan,J.H.Porter,J.Am.Ceram.Soc.71[6]C−288(1988).
[15] S.P.Den Baars,in Solid State Luminescence Theory,Materials and Devices,edited by A.H.Kitai,Chapman and Hall,London(1993)。
(結論)
本発明の好適な実施形態についての説明の結論をここに記す。本発明の1つ以上の実施形態についての前述の説明は、図解と記述を目的に提供されている。これは、網羅的であること、または本発明を開示の正確な形態に限定することを目的とするものではない。上述の教示に鑑みて、本発明の骨子から本質的に逸脱することなしに、多数の変形および変更が可能である。この詳細な説明によってではなく、これの最後に加えられている請求項によって本発明の範囲が制限されることが意図されている。
Figure 2009512741
Figure 2009512741
Figure 2009512741
図1(a)および1(b)は、図1(a)に示す黄色蛍光体、または図1(b)に示すオレンジ色と緑色蛍光体との混合、のいずれかを有する青色LED(〜460nm)を基材とする白色LED構成の概略図である。 図1(a)および1(b)は、図1(a)に示す黄色蛍光体、または図1(b)に示すオレンジ色と緑色蛍光体との混合、のいずれかを有する青色LED(〜460nm)を基材とする白色LED構成の概略図である。 図2は、3種類の蛍光体材料、すなわち青色、緑色、および赤色を有するUVLED(〜380nm)を基材とする白色LED構成の概略図である。 図3は、発光性希土類添加化合物の作製方法を示すフローチャートである。 図4は、Ce3+添加CaSiN2−δδ相のシンクロトロンX線回折パターンのグラフであり、ユニットセルパラメータa=14.8822(5)Åの空間群F23においてLe Bail精製(refinement)を行っている。 図5(a)は、Ce3+添加化合物CaSiNの発光スペクトルのグラフであり、励起波長は535nmである。 図5(b)は、発光波長を630nmに固定させたときの、Ce3+添加化合物CaSiNの励起スペクトルのグラフである。 図6(a)は、Ce3+添加化合物Ca(Si,Al)Nの発光スペクトルのグラフであり、励起波長は475nmである。 図6(b)は、発光波長を560nmに固定させたときの、Ce3+添加化合物Ca(Si,Al)Nの励起スペクトルのグラフである。 図7は、LEDおよびLEDに近接して配置された発光性Ce化合物を有する固体照明用途の装置の概略図である。

Claims (18)

  1. 発光ダイオード(LED)と、
    該発光ダイオードからの放射線によって励起されたときにオレンジ色〜赤色の光を発する発光性セリウム(Ce)化合物と
    を備えた固体照明用途の装置。
  2. 前記発光ダイオードは青色発光ダイオードであり、前記発光性セリウム化合物は黄色または緑色の蛍光体と組み合わされて該青色発光ダイオードとともに用いられる、請求項1に記載の装置。
  3. 前記発光ダイオードは青色発光ダイオードであり、前記発光性セリウム化合物はオレンジ色蛍光体として、緑色蛍光体と組み合わされて該青色発光ダイオードとともに用いられる、請求項1に記載の装置。
  4. 前記発光ダイオードは紫外(UV)発光ダイオードであり、前記発光性セリウム化合物は赤色、緑色、および青色(RGB)の蛍光体の群における赤色蛍光体として、該紫外発光ダイオードとともに用いられる、請求項1に記載の装置。
  5. 放射線により励起されたときにオレンジ色〜赤色の光を発する発光性セリウム(Ce)化合物を備える、組成物。
  6. 前記発光性Ce化合物が紫外(UV)〜緑色の範囲の波長で励起される、請求項5に記載の組成物。
  7. 前記発光性Ce化合物が、次の式で表され、
    (Si,Al)z−δδ:Ce3+
    ここに、
    Figure 2009512741
    、z=2、0≦δ<0であり、Mはカルシウム(Ca)、マグネシウム(Mg)、ストロンチウム(Sr)、またはバリウム(Ba)である、請求項5に記載の組成物。
  8. ゲルマニウム(Ge)がシリコン(Si)の代わりに用いられる、請求項7に記載の組成物。
  9. Mがイットリウム(Y)またはランタニド(Ln)元素であり、電荷補償のためにシリコン(Si)がアルミニウム(Al)またはガリウム(Ga)により置換された、請求項7に記載の組成物。
  10. 前記発光性Ce化合物が立方ユニットセルに結晶化するカルシウムシリケートニトリド三成分系の新相である、請求項7に記載の組成物。
  11. 前記発光性Ce化合物がCaSiN2−δδ:Ce3+を備える、請求項10に記載の組成物。
  12. Caサイトにおいてより小型の元素に置換することにより、またはSiサイトにおいてより大型の元素に置換することにより、発光波長が黄色またはオレンジ色のスペクトル領域の方向に短波長化する、請求項11に記載の組成物。
  13. 前記発光性Ce化合物が、
    (a)混合体を形成するために、化学量論量の、(1)CaまたはCa金属、(2)AlN、(3)SiSiNH、またはSi(NH)、および(4)金属、ニトライドまたは酸化物のいずれかとしての希土類源であるCe、を混合するステップと、
    (b)酸化または加水分解を防止するために、[O]<1百万分率(ppm)および[HO]<1ppmの条件で該混合体の重量を計量し、粉に挽くステップと、
    (c)該混合体を0.5〜4リッタ/分の条件のN流通下で1300℃と1500℃との間の温度に加熱するステップと
    を用いて作製される、請求項7に記載の組成物。
  14. 前記発光性化合物が黄色または緑色の蛍光体と組み合わされて、青色発光ダイオードとともに用いられる、請求項5に記載の組成物。
  15. 前記発光性Ce化合物がオレンジ色蛍光体として、緑色蛍光体と組み合わされて青色発光ダイオードとともに用いられる、請求項5に記載の組成物。
  16. 前記発光性Ce化合物が赤色、緑色、および青色(RGB)の蛍光体の群における赤色蛍光体として、紫外(UV)発光ダイオードとともに用いられる、請求項5に記載の組成物。
  17. (a)混合体を形成するために、化学量論量の、(1)CaまたはCa金属、(2)AlN、(3)SiSiNH、またはSi(NH)、および(4)金属、ニトライドまたは酸化物のいずれかとしての希土類源、を混合するステップと、
    (b)酸化または加水分解を防止するために、[O]<1百万分率(ppm)および[HO]<1ppmの条件で該混合体の重量を計量し、粉に挽くステップと、
    (c)該混合体を0.5〜4リッタ/分の条件のN流通下で1300℃と1500℃との間の温度に加熱するステップと
    を含む、発光性化合物の作製方法。
  18. 前記希土類源がセリウム(Ce)である、請求項17に記載の方法。
JP2008533772A 2005-09-30 2006-10-02 固体照明用途のセリウム系蛍光体材料 Pending JP2009512741A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US72290005P 2005-09-30 2005-09-30
US72268205P 2005-09-30 2005-09-30
PCT/US2006/038582 WO2007041563A2 (en) 2005-09-30 2006-10-02 Cerium based phosphor materials for solid-state lighting applications

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009512741A true JP2009512741A (ja) 2009-03-26

Family

ID=37906766

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008533722A Pending JP2009510230A (ja) 2005-09-30 2006-10-02 固体照明用途のニトリドおよびオキシニトリドセリウム系蛍光体材料
JP2008533772A Pending JP2009512741A (ja) 2005-09-30 2006-10-02 固体照明用途のセリウム系蛍光体材料

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008533722A Pending JP2009510230A (ja) 2005-09-30 2006-10-02 固体照明用途のニトリドおよびオキシニトリドセリウム系蛍光体材料

Country Status (5)

Country Link
US (2) US8920676B2 (ja)
EP (3) EP1929502A4 (ja)
JP (2) JP2009510230A (ja)
KR (2) KR20080059419A (ja)
WO (2) WO2007041402A2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6340749B2 (ja) * 2016-07-04 2018-06-13 パナソニックIpマネジメント株式会社 蛍光体を用いた発光装置
US10214429B2 (en) 2016-07-04 2019-02-26 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Phosphor containing Ce
US11036120B2 (en) 2016-07-04 2021-06-15 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Projector including phosphor
US11149198B2 (en) 2016-07-04 2021-10-19 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Fiber light source including phosphor

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1929502A4 (en) 2005-09-30 2010-03-24 Univ California CER-BASED FLUORESCENT MATERIALS FOR SEMICONDUCTOR LIGHTING APPLICATIONS
JP4899431B2 (ja) * 2005-11-12 2012-03-21 日亜化学工業株式会社 窒化物系蛍光体及びそれを用いた発光装置
CN102800786B (zh) 2006-04-24 2015-09-16 克利公司 发光二极管和显示元件
US8465166B2 (en) 2007-04-20 2013-06-18 Konklijke Philips Electronics N.V. White emitting light source and luminescent material with improved colour stability
US20080283864A1 (en) * 2007-05-16 2008-11-20 Letoquin Ronan P Single Crystal Phosphor Light Conversion Structures for Light Emitting Devices
KR101352921B1 (ko) * 2007-05-25 2014-01-24 삼성디스플레이 주식회사 광원모듈, 이를 갖는 백라이트 어셈블리 및 이를 갖는표시장치
US8119028B2 (en) 2007-11-14 2012-02-21 Cree, Inc. Cerium and europium doped single crystal phosphors
US8038497B2 (en) * 2008-05-05 2011-10-18 Cree, Inc. Methods of fabricating light emitting devices by selective deposition of light conversion materials based on measured emission characteristics
KR101067362B1 (ko) * 2008-12-24 2011-09-23 알티반도체 주식회사 질화물계 적색 형광물질
WO2010148109A1 (en) * 2009-06-16 2010-12-23 The Regents Of The University Of California Oxyfluoride phosphors and white light emitting diodes including the oxyfluoride phosphor for solid-state lighting applications
DE102009032711A1 (de) * 2009-07-11 2011-01-20 Merck Patent Gmbh Co-dotierte Silicooxynitride
FI20095967A (fi) 2009-09-18 2011-03-19 Valoya Oy Valaisinsovitelma
KR101565988B1 (ko) * 2009-10-23 2015-11-05 삼성전자주식회사 적색형광체, 그 제조방법, 이를 이용한 발광소자 패키지, 조명장치
US20120286647A1 (en) * 2010-02-03 2012-11-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Phosphor converted LED
US9991427B2 (en) * 2010-03-08 2018-06-05 Cree, Inc. Photonic crystal phosphor light conversion structures for light emitting devices
KR101717668B1 (ko) * 2010-03-26 2017-03-17 삼성전자주식회사 복합 결정 형광체, 발광장치, 디스플레이 장치 및 조명장치
CN101872825B (zh) * 2010-04-29 2013-05-15 华侨大学 制备低色温高显色性大功率白光led的方法
US8512599B2 (en) * 2010-05-14 2013-08-20 Lightscape Materials, Inc. Carbonitride based phosphors and light emitting devices using the same
GB2482311A (en) 2010-07-28 2012-02-01 Sharp Kk II-III-N and II-N semiconductor nanoparticles, comprising the Group II elements Zinc (Zn) or Magensium (Mg)
GB2482312A (en) * 2010-07-28 2012-02-01 Sharp Kk II-III-V semiconductor material, comprising the Group II elements Zn or Mg, Group III elements In or Ga or Al and Group V elements N or P
KR101760788B1 (ko) 2010-09-20 2017-07-24 삼성전자주식회사 적색 형광체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 발광장치
KR101215342B1 (ko) 2010-09-20 2012-12-26 삼성전자주식회사 사이알론 형광체, 그 제조방법 및 이를 이용한 발광소자 패키지
JP5909694B2 (ja) * 2011-01-24 2016-04-27 パナソニックIpマネジメント株式会社 照明装置
EP2532224A1 (en) * 2011-06-10 2012-12-12 Valoya Oy Method and means for improving plant productivity through enhancing insect pollination success in plant cultivation
JP5762929B2 (ja) * 2011-11-16 2015-08-12 株式会社東芝 蛍光体、発光装置、および蛍光体の製造方法
KR101856534B1 (ko) 2011-12-07 2018-05-14 삼성전자주식회사 산질화물계 형광체 및 이를 포함하는 발광장치
WO2013137436A1 (ja) * 2012-03-16 2013-09-19 株式会社東芝 蛍光体、蛍光体の製造方法および発光装置
US9030103B2 (en) 2013-02-08 2015-05-12 Cree, Inc. Solid state light emitting devices including adjustable scotopic / photopic ratio
US9039746B2 (en) 2013-02-08 2015-05-26 Cree, Inc. Solid state light emitting devices including adjustable melatonin suppression effects
JP2015138168A (ja) * 2014-01-23 2015-07-30 セイコーエプソン株式会社 蛍光発光素子およびプロジェクター
JP2015157919A (ja) * 2014-02-25 2015-09-03 株式会社東芝 蛍光体、発光装置、および蛍光体の製造方法
JP2015166416A (ja) * 2014-03-03 2015-09-24 株式会社東芝 蛍光体、蛍光体の製造方法およびそれを用いた発光装置
JP2015211202A (ja) * 2014-04-30 2015-11-24 株式会社東芝 発光装置
DE102015110258A1 (de) 2015-06-25 2016-12-29 Osram Gmbh Leuchtstoff, Verfahren zum Herstellen eines Leuchtstoffs und Verwendung eines Leuchtstoffs
CN105038772A (zh) * 2015-07-10 2015-11-11 烟台同立高科新材料股份有限公司 一种硅基氮氧化物led荧光粉及其制备方法
JP6281801B1 (ja) 2016-07-04 2018-02-21 パナソニックIpマネジメント株式会社 蛍光体および発光装置
CN108893107A (zh) * 2018-06-21 2018-11-27 东台市天源光电科技有限公司 一种氮化物红色荧光粉及其制备方法
WO2023113970A1 (en) * 2021-12-14 2023-06-22 Lumileds Llc Color tunable pcleds based on temporal saturation of phosphors

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998005078A1 (en) * 1996-07-29 1998-02-05 Nichia Chemical Industries, Ltd. Light emitting device and display device
JPH10242513A (ja) * 1996-07-29 1998-09-11 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード及びそれを用いた表示装置
JP2002226846A (ja) * 2001-02-06 2002-08-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 照明用蛍光体、この照明用蛍光体を用いた発光ダイオード、および蛍光体の塗布方法
WO2005049763A1 (en) * 2003-11-19 2005-06-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for producing nitridosilicate-based compound, nitridosilicate phosphor, and light-emitting apparatus using the nitridosilicate phosphor
WO2005061659A1 (de) * 2003-12-22 2005-07-07 Patent-Treuhand- Gesellschaft Für Elektrische Glühlampen Mbh Leuchtstoff und lichtquelle mit derartigem leuchtstoff
JP2005228833A (ja) * 2004-02-12 2005-08-25 Mitsubishi Cable Ind Ltd 発光装置、照明装置および表示装置
WO2005083037A1 (en) * 2004-02-20 2005-09-09 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Illumination system comprising a radiation source and a fluorescent material

Family Cites Families (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2308736A (en) * 1940-08-07 1943-01-19 Gen Electric Luminescent material
US2542349A (en) * 1948-08-05 1951-02-20 Gen Electric Calcium silicate phosphor
US2835636A (en) * 1954-01-07 1958-05-20 Westinghouse Electric Corp Cerium-activated magnesium metaphosphate phosphor, with and without manganese
US3014877A (en) * 1959-06-17 1961-12-26 Thorn Electrical Ind Ltd Luminescent materials
US3360674A (en) * 1964-11-23 1967-12-26 Sylvania Electric Prod Europium and bismuth activated yttrium vanadate phosphor
CA1262149A (en) * 1985-08-13 1989-10-03 Hitofumi Taniguchi Sinterable aluminum nitride composition, sintered body from this composition and process for producing the sintered body
US5030600A (en) * 1988-10-06 1991-07-09 Benchmark Structural Ceramics Corp. Novel sialon composition
US6608332B2 (en) * 1996-07-29 2003-08-19 Nichia Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Light emitting device and display
JP2000509912A (ja) * 1997-03-03 2000-08-02 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 白色光発光ダイオード
US6278135B1 (en) * 1998-02-06 2001-08-21 General Electric Company Green-light emitting phosphors and light sources using the same
US6252254B1 (en) * 1998-02-06 2001-06-26 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
US6680569B2 (en) * 1999-02-18 2004-01-20 Lumileds Lighting U.S. Llc Red-deficiency compensating phosphor light emitting device
US6155699A (en) * 1999-03-15 2000-12-05 Agilent Technologies, Inc. Efficient phosphor-conversion led structure
DE19918370B4 (de) * 1999-04-22 2006-06-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Weißlichtquelle mit Linse
US6504301B1 (en) 1999-09-03 2003-01-07 Lumileds Lighting, U.S., Llc Non-incandescent lightbulb package using light emitting diodes
EP1104799A1 (en) 1999-11-30 2001-06-06 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Red emitting luminescent material
US6357889B1 (en) * 1999-12-01 2002-03-19 General Electric Company Color tunable light source
KR100480768B1 (ko) * 1999-12-23 2005-04-06 삼성에스디아이 주식회사 전도성 발광물질을 이용한 저전압 구동용 적색 형광체 및그 제조방법
KR100450792B1 (ko) * 1999-12-23 2004-10-01 삼성에스디아이 주식회사 저전압 구동용 이트륨 실리케이트계 형광체
JP4406490B2 (ja) * 2000-03-14 2010-01-27 株式会社朝日ラバー 発光ダイオード
TWI282357B (en) * 2001-05-29 2007-06-11 Nantex Industry Co Ltd Process for the preparation of pink light-emitting diode with high brightness
DE10133352A1 (de) * 2001-07-16 2003-02-06 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
DE10146719A1 (de) * 2001-09-20 2003-04-17 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
DE10147040A1 (de) * 2001-09-25 2003-04-24 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
US6809781B2 (en) * 2002-09-24 2004-10-26 General Electric Company Phosphor blends and backlight sources for liquid crystal displays
JP2004115659A (ja) 2002-09-26 2004-04-15 Sumitomo Chem Co Ltd 真空紫外線励起発光素子用の蛍光体
US6869753B2 (en) * 2002-10-11 2005-03-22 Agilent Technologies, Inc. Screen printing process for light emitting base layer
US6717353B1 (en) * 2002-10-14 2004-04-06 Lumileds Lighting U.S., Llc Phosphor converted light emitting device
US7018345B2 (en) * 2002-12-06 2006-03-28 Hisamitsu Pharmaceutical Co., Inc. Iontophoresis system
KR100574546B1 (ko) * 2003-03-28 2006-04-27 한국화학연구원 스트론튬실리케이트계 형광체, 그 제조방법 및 이를이용한 발광다이오드
KR20040092512A (ko) * 2003-04-24 2004-11-04 (주)그래픽테크노재팬 방열 기능을 갖는 반사판이 구비된 반도체 발광장치
US7026755B2 (en) * 2003-08-07 2006-04-11 General Electric Company Deep red phosphor for general illumination applications
EP1659335A4 (en) * 2003-08-28 2010-05-05 Mitsubishi Chem Corp LIGHT DISPENSER AND PHOSPHORUS
US7077979B2 (en) * 2003-10-10 2006-07-18 The Regents Of The University Of California Red phosphors for solid state lighting
US7488432B2 (en) * 2003-10-28 2009-02-10 Nichia Corporation Fluorescent material and light-emitting device
JP3837588B2 (ja) * 2003-11-26 2006-10-25 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体と蛍光体を用いた発光器具
US20050156510A1 (en) * 2004-01-21 2005-07-21 Chua Janet B.Y. Device and method for emitting output light using group IIB element selenide-based and group IIA element gallium sulfide-based phosphor materials
JP4362625B2 (ja) 2004-02-18 2009-11-11 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体の製造方法
JP3931239B2 (ja) * 2004-02-18 2007-06-13 独立行政法人物質・材料研究機構 発光素子及び照明器具
JP4511849B2 (ja) * 2004-02-27 2010-07-28 Dowaエレクトロニクス株式会社 蛍光体およびその製造方法、光源、並びにled
JP4511885B2 (ja) * 2004-07-09 2010-07-28 Dowaエレクトロニクス株式会社 蛍光体及びled並びに光源
JP4521227B2 (ja) * 2004-07-14 2010-08-11 株式会社東芝 窒素を含有する蛍光体の製造方法
JP4422653B2 (ja) * 2004-07-28 2010-02-24 Dowaエレクトロニクス株式会社 蛍光体およびその製造方法、並びに光源
DE102005005263A1 (de) 2005-02-04 2006-08-10 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Gelb emittierender Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigem Leuchtstoff
EP1873225B1 (en) 2005-03-22 2012-09-26 National Institute for Materials Science Fluorescent substance, process for producing the same, and luminescent device
KR100533922B1 (ko) 2005-08-05 2005-12-06 알티전자 주식회사 황색 형광체 및 이를 이용한 백색 발광 장치
EP1935958A4 (en) 2005-08-10 2010-10-27 Mitsubishi Chem Corp PHOSPHOR AND LUMINESCENT DEVICE USING THE SAME
EP1929502A4 (en) 2005-09-30 2010-03-24 Univ California CER-BASED FLUORESCENT MATERIALS FOR SEMICONDUCTOR LIGHTING APPLICATIONS
KR100785492B1 (ko) * 2006-04-17 2007-12-13 한국과학기술원 새로운 조성의 황색 발광 Ce3+부활 실리케이트황색형광체, 그 제조방법 및 상기 형광체를 포함하는 백색발광 다이오드
US20080054793A1 (en) * 2006-08-30 2008-03-06 Everlight Electronics Co., Ltd. White light-emitting apparatus
US8163203B2 (en) * 2008-02-27 2012-04-24 The Regents Of The University Of California Yellow emitting phosphors based on Ce3+-doped aluminate and via solid solution for solid-state lighting applications

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998005078A1 (en) * 1996-07-29 1998-02-05 Nichia Chemical Industries, Ltd. Light emitting device and display device
JPH10242513A (ja) * 1996-07-29 1998-09-11 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード及びそれを用いた表示装置
JP2002226846A (ja) * 2001-02-06 2002-08-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 照明用蛍光体、この照明用蛍光体を用いた発光ダイオード、および蛍光体の塗布方法
WO2005049763A1 (en) * 2003-11-19 2005-06-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for producing nitridosilicate-based compound, nitridosilicate phosphor, and light-emitting apparatus using the nitridosilicate phosphor
WO2005061659A1 (de) * 2003-12-22 2005-07-07 Patent-Treuhand- Gesellschaft Für Elektrische Glühlampen Mbh Leuchtstoff und lichtquelle mit derartigem leuchtstoff
JP2005228833A (ja) * 2004-02-12 2005-08-25 Mitsubishi Cable Ind Ltd 発光装置、照明装置および表示装置
WO2005083037A1 (en) * 2004-02-20 2005-09-09 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Illumination system comprising a radiation source and a fluorescent material

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JPN6012043014; CHEMICAL PHYSICS LETTERS, VoL.423,ISSUES 4-6,, P.352-356 *

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6340749B2 (ja) * 2016-07-04 2018-06-13 パナソニックIpマネジメント株式会社 蛍光体を用いた発光装置
JPWO2018008282A1 (ja) * 2016-07-04 2018-07-12 パナソニックIpマネジメント株式会社 蛍光体を用いた発光装置
JP2018152575A (ja) * 2016-07-04 2018-09-27 パナソニックIpマネジメント株式会社 蛍光体を用いた発光装置
US10214429B2 (en) 2016-07-04 2019-02-26 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Phosphor containing Ce
US10714661B2 (en) 2016-07-04 2020-07-14 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting apparatus including phosphor
US10717657B2 (en) 2016-07-04 2020-07-21 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Phosphor containing Ce
US11036120B2 (en) 2016-07-04 2021-06-15 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Projector including phosphor
US11149198B2 (en) 2016-07-04 2021-10-19 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Fiber light source including phosphor

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080059418A (ko) 2008-06-27
EP1929501A4 (en) 2010-01-06
WO2007041563A2 (en) 2007-04-12
JP2009510230A (ja) 2009-03-12
US20070159066A1 (en) 2007-07-12
EP2236580A2 (en) 2010-10-06
WO2007041563A3 (en) 2009-04-23
WO2007041402A2 (en) 2007-04-12
US20070075629A1 (en) 2007-04-05
EP1929502A2 (en) 2008-06-11
WO2007041402A3 (en) 2008-11-13
KR20080059419A (ko) 2008-06-27
EP1929502A4 (en) 2010-03-24
US8920676B2 (en) 2014-12-30
EP2236580A3 (en) 2010-11-03
EP1929501A2 (en) 2008-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009512741A (ja) 固体照明用途のセリウム系蛍光体材料
Le Toquin et al. Red-emitting cerium-based phosphor materials for solid-state lighting applications
Sakuma et al. Red-shift of emission wavelength caused by reabsorption mechanism of europium activated Ca-α-SiAlON ceramic phosphors
US8771547B2 (en) Oxycarbonitride phosphors and light emitting devices using the same
US8852454B2 (en) Red emitting nitride fluorescent material and white light emitting device using the same
JP5914729B2 (ja) ホウリン酸塩蛍光体及び光源
JP5643424B2 (ja) 炭窒化物系蛍光体およびこれを使用する発光素子
Cui et al. The synthesis of narrow-band red-emitting SrLiAl 3 N 4: Eu 2+ phosphor and improvement of its luminescence properties
US20090251044A1 (en) Phosphor, method for production thereof, and light-emitting apparatus
KR20130066677A (ko) 실리콘 카바이도나이트라이드계 형광체 및 이를 사용한 발광장치
KR20080081058A (ko) 황색 발광 형광체 및 그를 이용한 백색 발광 디바이스
JP2006307090A (ja) 蛍光体およびその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた発光装置
JP4528983B2 (ja) 発光ダイオード用蛍光体
JP2012509364A (ja) 蛍光体組成物
JP6323177B2 (ja) 半導体発光装置
WO2019208562A1 (ja) 近赤外発光蛍光体、蛍光体混合物、発光素子、および発光装置
JP4356563B2 (ja) 酸窒化物蛍光体、酸窒化物蛍光体の製造方法及び白色発光素子
JP4165412B2 (ja) 窒化物蛍光体、窒化物蛍光体の製造方法、白色発光素子及び顔料
JP5388699B2 (ja) α型サイアロン蛍光体およびそれを用いた発光素子
JP4899433B2 (ja) 蛍光体、並びにそれを用いた発光装置、画像表示装置及び照明装置
US8585929B2 (en) Phosphor and method for preparing the same
RU2315078C2 (ru) Фотолюминофоры для коротковолновых светоизлучающих диодов (сид)
KR100746338B1 (ko) 백색 발광장치용 형광체, 이의 제조방법 및 형광체를이용한 백색 발광장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090928

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100924

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120816

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130131