KR101856534B1 - 산질화물계 형광체 및 이를 포함하는 발광장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 산질화물계 형광체 및 이를 포함하는 발광장치에 관한 것으로서, 반식: Ca15Si20O10N30로 표시되는 모체에 활성제를 고용시킨 형광체로서, 상기 활성제는 Mn, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Tb, Ho, Er, Tm 및 Yb으로 구성된 그룹으로부터 선택된 1종 이상이고, 상기 모체는 분말 X선 회절 패턴의 피크에 따른 결정 격자가 입방 정계 결정 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 산질화물계 형광체를 제공한다.

Description

산질화물계 형광체 및 이를 포함하는 발광장치 {OXINITRIDE PHOSPHOR AND LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING THE SAME}
본 발명은 새로운 결정 구조를 갖는 산질화물계 형광체 및 이를 포함하는 발광장치에 관한 것이다.
최근 조명, LCD 백라이트, 자동차 조명용 등으로 각광을 받고 있는 백색 LED발광장치는, 통상 청색 또는 근자외선을 방출하는 LED 발광소자와, 이 발광소자에서 방출하는 광을 여기원으로 하여 파장을 가시광선으로 변환시키는 형광체를 포함하여 이루어진다.
이러한 백색 LED를 구현하는 방법으로 종래, 발광 소자로서 파장이 450 ~ 550nm인 InGaN계 재료를 사용한 청색 발광 다이오드를 사용하고 형광체로는 (Y,Gd)3(Al,Ga)5O12의 조성식으로 표현되는 황색발광의 YAG계 형광체를 사용한 것이 대표적인데, 이 백색 LED는 발광 소자로부터 방출된 청색광을 형광체층으로 입사시켜 형광체층 내에서 수회의 흡수와 산란을 반복하며 이 과정에서 형광체에 흡수된 청색광은 황색으로 파장변환이 이루어진 황색광과 입사된 청색광의 일부가 혼합되어 인간의 눈에는 백색으로 보이게 하는 것이다.
그러나, 이러한 구조의 백색 LED는 빛에 적색 성분이 적고, 색 온도가 높으며, 적색 및 녹색 성분이 부족하여 연색성이 떨어지는 조명광 밖에 얻지 못한다는 문제점이 있다.
또한, 산화물계 형광체의 경우, 일반적으로 여기원의 파장이 400nm를 넘어서면 발광강도가 저하하는 경향을 보이기 때문에, 청색광을 이용하여 고휘도의 백색광을 만들기에 적합하지 않은 점도 있다.
이에 따라, 산화물계 형광체에 비해 동등 이상의 안정성을 가지면서도 400nm를 넘어서는 여기원에서의 발광효율도 우수한 산질화물 형광체가 최근 백색 LED 분야에서 관심을 받고 있다. 그리고 산질화물 형광체는 원래 엔지니어링세라믹스로 개발된 소재여서 습기나 발열에 의한 효율 감소와 색 변환이 적다는 것도 강점도 있다.
그러나, α형 또는 β형 사이알론(Si-Al-O-N)을 벗어난 조성 영역에서의 산질화물 형광체의 존재는 거의 연구되거나 알려져 있지 않다.
본 발명에서 해결하고자 하는 과제 중 하나는, 구조 안정성이 우수하고 특히 적색에서 발광휘도가 우수하며, 발광휘도의 개선에 용이한 새로운 결정구조를 가져, 특히 LED 분야에 적합하게 사용될 수 있는 산질화물계 형광체를 얻는 것이며, 나아가, 이러한 형광체를 포함하는 발광장치를 얻는 것이다.
상기와 같은 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 일 측면은,
일반식: CaSi20O10N30로 표시되는 모체에 활성제를 고용시킨 형광체로서, 상기 활성제는 Mn, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Tb, Ho, Er, Tm 및 Yb으로 구성된 그룹으로부터 선택된 1종 이상이고, 상기 모체는 분말 X선 회절 패턴의 피크에 따른 결정 격자가 입방 정계 결정 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 산질화물계 형광체를 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 활성제를 Re로 표기할 때, 일반식: (Ca1-x)15Si20O10N30:Rex (0.0001 < x < 0.2)으로 표기될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 모체의 입방 정계 결정 구조는 격자상수 a = 15.48978Å이되, 상기 a 값의 변화가 10% 이하인 구조를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 활성제는 Eu2+일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 x는 상기 모체에 포함된 상기 활성제의 몰비일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 입방 정계 결정 구조의 공간군은 Pa-3일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 형광체는 250 ~ 550㎚의 피크 파장 범위를 갖는 여기 광에 대하여 600 ~ 660㎚의 발광 피크 파장을 나타낼 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 평균 입도가 1 ~ 20㎛일 수 있다.
한편, 본 발명의 다른 측면은,
여기광을 방출하는 발광소자 및 상기 여기광을 흡수하여 가시광을 방출하는 파장변환부;를 포함하며, 상기 파장변환부는 일반식: Ca15Si20O10N30로 표시되는 모체에 활성제를 고용시킨 형광체로서, 상기 활성제는 Mn, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Tb, Ho, Er, Tm 및 Yb으로 구성된 그룹으로부터 선택된 1종 이상이고, 상기 모체는 분말 X선 회절 패턴의 피크에 따른 결정 격자가 입방 정계 결정 구조를 갖는 산질화물 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 발광소자는 자외선 발광다이오드 또는 청색 발광다이오드일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 구조 안정성이 우수하고 특히 적색에서 발광휘도가 우수하며, 발광휘도의 개선에 용이한 새로운 결정구조를 가져, 특히 LED 분야에 적합하게 사용될 수 있는 산질화물계 형광체 및 이를 포함하는 발광장치를 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 형광체의 모체 조성 조건을 개략적으로 나타내는 삼원계 조성 표시도이다.
도 2 내지 4는 원료 물질로서 CaO와 SiN4 /3의 비율을 변화시키면서 소성 온도에 따라 얻어지는 물질의 결정 구조를 분석한 XRD 패턴이다.
도 5는 도 2 내지 4의 XRD 패턴과 비교를 위하여 종래에 알려진 4종류의 결정 구조의 XRD 패턴을 나타낸 것이다.
도 6 및 도 7은 각각 소성 온도를 1500℃ 및 1600℃로 하여 보다 정밀하게 CaO와 SiN4 /3의 비율을 조절하여 얻어진 조성물의 XRD 패턴을 나타낸 것이다.
도 8은 본 발명의 실시 예 1 내지 9에 따른 형광체의 PL 특성을 나타낸 것이다.
도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 형광체를 제조한 후 XRD를 통하여 결정 구조를 분석한 결과이다.
도 10은 리트벨트(Rietveld) 방법을 이용하여 결정구조 분석한 결과이다.
도 11은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 형광체의 결정구조를 모식적으로 나타낸 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태들을 설명한다.
그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 산질화물계 형광체는 일반식: Ca15Si20O10N30로 표시되는 모체에 활성제를 고용시킨 형광체로서, 상기 활성제는 Mn, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Tb, Ho, Er, Tm 및 Yb으로 구성된 그룹으로부터 선택된 1종 이상이고, 상기 모체는 분말 X선 회절 패턴의 피크에 따른 결정 격자가 입방 정계 결정 구조를 갖는 것을 특징으로 한다. 특히, 상기 활성제를 Re로 표기할 때, 일반식: (Ca1-x)15Si20O10N30:Rex (0.0001 < x < 0.2)으로 표기될 수 있다. 이러한 본 실시 형태에 따른 형광체의 조성식은 도 1에 도시된 것과 같이 삼원계 조성 표시도에 나타낼 수 있다.
상기 모체를 더욱 상세히 설명하면, 상기 입방 정계 결정 구조는 격자상수 a = 15.48978Å이고, α = γ = β = 90˚를 갖는 것으로 규명되었다. 또한, 상기 입방 정계 결정 구조의 공간군은 Pa-3에 해당함을 확인하였다. 여기서, 상기 격자상수 a 값과 공간군의 경우, 변화가 10% 이하라면 동일한 조성물로 볼 수 있다 할 것이다.
이러한 결정 구조를 갖는 산질화물계 형광체의 경우, 종래에 알려지지 아니한 새로운 결정 구조를 갖는 것으로서 특히, 발광중심 금속 원소로 Eu 등을 고용시킬 경우 자외선 또는 가시광선이 여기 원으로 조사되었을 때 녹색 대역에서 적색 대역, 특히, 약 600 ~ 660㎚의 파장 범위에서 효율이 우수하여 파장변환부로서 발광 다이오드 등과 같은 발광소자용 형광체로 적합하게 사용될 수 있다. 이러한 발광소자 및 형광체 조성물을 이용하여 발광장치, 특히, 백색 발광이 가능한 발광장치를 구현할 수 있다. 상기 산질화물 형광체의 새로운 결정 구조에 관한 구체적인 설명은 후술한다.
본 발명자의 실험에 의하면 상기와 같은 조건을 벗어날 경우, 입방 정계가 아닌 다른 결정구조로 변화되어 의도하는 형광체의 특성을 얻을 수 없었다. 다만, 반드시 상기의 조성 조건을 만족해야만 입방 정계 결정 구조가 얻어지는 것은 아니며, 상기의 조성 조건을 다소 벗어나더라도 입방 정계 결정 구조가 얻어진다면 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.
한편, 상술한 구조를 갖는 형광체의 경우, 산질화물로 이루어져 구조적 안정성이 우수하기 때문에, 산화 분위기나 수분이 포함된 환경 하에서 안정성이 향상될 수 있다.
다만, 본 실시 형태에 따른 조성식을 갖는 형광체 조성물이 단상으로 구성되는 것이 이상적이지만, 제조 과정에서 소량의 불가피한 비정질상이나 입방정계가 아닌 기타 결정상이 포함될 수 있으며, 이러한 비정질상이나 기타 결정상을 포함하는 혼합물이라도 특성에 영향이 없는 한, 일부 포함되어도 무방하다.
한편, 본 실시 형태에 따른 형광체의 평균 입도는 1 ~ 20㎛의 범위가 바람직한데, 평균 입도가 1㎛보다 작으면 산란에 의한 광 흡수율이 저하되고, LED를 밀봉하는 수지로의 균일한 분산이 용이하지 않을 수도 있고, 평균 입도가 20㎛를 초과하면 발광 강도 및 색조의 불균일이 발생할 경우가 있기 때문이다.
이하, 상기와 같은 구조를 갖는 산질화물계 형광체를 제조하는 방법의 일 예를 설명한다.
형광체 제조 원료로는 주요 성분인 Ca, Si, Eu의 경우, 규소질화물(Si3N4), 칼슘산화물(CaO) 및 유로퓸산화물(Eu2O3) 분말을 사용하였다. 상기 원료물질들은 소정의 조성이 되도록 CaO, α-Si3N4 및 Eu2O3을 칭량하여 혼합하였는데, 이때 샘플당 혼합물의 양은 1g이 되도록 하였다. 이상과 같은 원료물질의 혼합작업은 대기 분위기에서 수작업으로 10분 동안 혼합하였다.
이와 같이 얻어진 혼합물 샘플들을 대기압 이상 20기압 이하의 질소 가스를 주성분으로 하여 H2가스가 0~25% 이루어지는 질소 가스 분위기에서 수행하는데, 이와 같이 질소 가스 분위기에서 소성을 하게 되면 고온 소성 중에 합성되는 질화물의 분해를 방지 또는 억제할 수 있고, 생성되는 질화물의 조성 편차를 줄일 수 있어 성능이 우수한 형광체 조성물을 제조할 수 있게 된다. 한편, 질소가스를 주성분으로 한다는 것은, 전체 가스대비 질소 가스가 75% 이상으로 포함된 것을 의미한다. 또한, 소성온도는 1400 ~ 1600℃가 바람직하다. 또한, 소성시간은 30분 ~ 100시간의 범위 내로 할 수 있는데, 품질과 생산성 등을 고려할 때 2시간 ~ 12시간이 바람직하다. 본 실시 형태에서는 상압 초고순도 질소(99.999%) 가스 분위기 하에서 1525℃의 소성 온도로 약 8시간 동안 소성을 실시한 후 파쇄하여 형광체를 제조하였다.
본 발명의 발명자는 상술한 제조 공정을 이용하여 원료 물질의 배합 비율과 소성 온도를 조절하여 본 발명에서 제안하는 조성식을 갖는 형광체가 실제로 합성되는 것을 확인하였다. 이를 도 2 내지 7의 XRD 패턴 분석 결과를 참조하여 설명한다. 우선, 도 2 내지 4는 원료 물질로서 CaO와 SiN4 /3의 비율을 변화시키면서 소성 온도에 따라 얻어지는 물질의 결정 구조를 분석한 XRD 패턴이다. 도 5는 도 2 내지 4의 XRD 패턴과 비교를 위하여 종래에 알려진 4종류의 결정 구조의 XRD 패턴을 나타낸 것이다. 도 2 내지 4를 참조하면, CaO와 SiN4 /3의 비율이 3:7 ~ 5:5이고, 소성 온도가 1400 ~ 1500℃인 조건에서, Ca15Si20O10N30 결정이 얻어질 수 있었다.
이어서, 도 6 및 도 7은 각각 소성 온도를 1500℃ 및 1600℃로 하여 보다 정밀하게 CaO와 SiN4 /3의 비율을 조절하여 얻어진 조성물의 XRD 패턴을 나타낸 것이다. 1400℃의 소성 온도에서는 1500℃에서와 유사한 결과를 보였다. 도 6 및 도 7을 참조하면, 1500℃의 소성 온도에서 CaO와 SiN4 /3의 비율을 15:16 ~ 15:21로 변화한 경우, Ca15Si20O10N30 결정이 얻어진 것을 볼 수 있으며, 이와 달리, 1600℃에서는 Ca15Si20O10N30 결정을 합성하기 어려웠다.
상기의 XRD 패턴 분석 결과를 토대로 하여 활성제(Eu)의 함량이 다른 형광체 조성물을 제조하였으며, 아래의 실시 예와 같다.
[실시 예 1]
실시 예 1의 형광체 조성물의 원료분말은, CaO 0.4641g, α-Si3N4 0.5212g, Eu2O3 0.0147g을 각각 칭량한 후, 대기 분위기에서 유발을 사용하여 수작업으로 혼합하는 방식으로 1g의 원료 분말 혼합물을 얻었다. 이와 같이 혼합된 원료분말 혼합물 1g을 도가니에 충전하고, 소성로의 내부에 질소 가스를 분당 500cc 흘러주어 1525℃에서 8시간 동안 가열하는 소성처리를 한 후, 분쇄함으로써, 형광체 조성물을 얻었다. 이 형광체 조성물을 460nm 광원으로 여기시켰을 때 중심 발광 피크가 약 609㎚임을 확인하였다.
[실시 예 2]
실시 예 2의 형광체 조성물의 원료분말은, CaO 0.4548g, α-Si3N4 0.5160g, Eu2O3 0.0291g을 각각 칭량한 후, 대기 분위기에서 유발을 사용하여 수작업으로 혼합하는 방식으로 1g의 원료 분말 혼합물을 얻었다. 이와 같이 혼합된 원료분말 혼합물 1g을 도가니에 충전하고, 소성로의 내부에 질소 가스를 분당 500cc 흘러주어 1525℃에서 약 8시간 동안 가열하는 소성처리를 한 후, 분쇄함으로써, 형광체 조성물을 얻었다. 이 형광체 조성물을 460nm 광원으로 여기시켰을 때 중심 발광 피크가 약 630㎚임을 확인하였다.
[실시 예 3]
실시 예 3의 형광체 조성물의 원료분말은, CaO 0.4458g, α-Si3N4 0.5110g, Eu2O3 0.0433g을 각각 칭량한 후, 대기 분위기에서 유발을 사용하여 수작업으로 혼합하는 방식으로 1g의 원료 분말 혼합물을 얻었다. 이와 같이 혼합된 원료분말 혼합물 1g을 도가니에 충전하고, 소성로의 내부에 질소 가스를 분당 500cc 흘러주어 1525℃에서 약 8시간 동안 가열하는 소성처리를 한 후, 분쇄함으로써, 형광체 조성물을 얻었다. 이 형광체 조성물을 460nm 광원으로 여기시켰을 때 중심 발광 피크가 약 641㎚임을 확인하였다.
[실시 예 4]
실시 예 4의 형광체 조성물의 원료분말은, CaO 0.4369g, α-Si3N4 0.5060g, Eu2O3 0.0571g을 각각 칭량한 후, 대기 분위기에서 유발을 사용하여 수작업으로 혼합하는 방식으로 1g의 원료 분말 혼합물을 얻었다. 이와 같이 혼합된 원료분말 혼합물 1g을 도가니에 충전하고, 소성로의 내부에 질소 가스를 분당 500cc 흘러주어 1525℃에서 약 8시간 동안 가열하는 소성처리를 한 후, 분쇄함으로써, 형광체 조성물을 얻었다. 이 형광체 조성물을 460nm 광원으로 여기시켰을 때 중심 발광 피크가 약 641㎚임을 확인하였다.
[실시 예 5]
실시 예 5의 형광체 조성물의 원료분말은, CaO 0.4282g, α-Si3N4 0.5011g, Eu2O3 0.0707g을 각각 칭량한 후, 대기 분위기에서 유발을 사용하여 수작업으로 혼합하는 방식으로 1g의 원료 분말 혼합물을 얻었다. 이와 같이 혼합된 원료분말 혼합물 1g을 도가니에 충전하고, 소성로의 내부에 질소 가스를 분당 500cc 흘러주어 1525℃에서 약 8시간 동안 가열하는 소성처리를 한 후, 분쇄함으로써, 형광체 조성물을 얻었다. 이 형광체 조성물을 460nm 광원으로 여기시켰을 때 중심 발광 피크가 약 648㎚임을 확인하였다.
[실시 예 6]
실시 예 6의 형광체 조성물의 원료분말은, CaO 0.4196g, α-Si3N4 0.4963g, Eu2O3 0.0840g을 각각 칭량한 후, 대기 분위기에서 유발을 사용하여 수작업으로 혼합하는 방식으로 1g의 원료 분말 혼합물을 얻었다. 이와 같이 혼합된 원료분말 혼합물 1g을 도가니에 충전하고, 소성로의 내부에 질소 가스를 분당 500cc 흘러주어 1525℃에서 약 8시간 동안 가열하는 소성처리를 한 후, 분쇄함으로써, 형광체 조성물을 얻었다. 이 형광체 조성물을 460nm 광원으로 여기시켰을 때 중심 발광 피크가 약 655㎚임을 확인하였다.
[실시 예 7]
실시 예 7의 형광체 조성물의 원료분말은, CaO 0.4112g, α-Si3N4 0.4916g, Eu2O3 0.0971g을 각각 칭량한 후, 대기 분위기에서 유발을 사용하여 수작업으로 혼합하는 방식으로 1g의 원료 분말 혼합물을 얻었다. 이와 같이 혼합된 원료분말 혼합물 1g을 도가니에 충전하고, 소성로의 내부에 질소 가스를 분당 500cc 흘러주어 1525℃에서 약 8시간 동안 가열하는 소성처리를 한 후, 분쇄함으로써, 형광체 조성물을 얻었다. 이 형광체 조성물을 460nm 광원으로 여기시켰을 때 중심 발광 피크가 약 654㎚임을 확인하였다.
[실시 예 8]
실시 예 8의 형광체 조성물의 원료분말은, CaO 0.4030g, α-Si3N4 0.4870g, Eu2O3 0.1100g을 각각 칭량한 후, 대기 분위기에서 유발을 사용하여 수작업으로 혼합하는 방식으로 1g의 원료 분말 혼합물을 얻었다. 이와 같이 혼합된 원료분말 혼합물 1g을 도가니에 충전하고, 소성로의 내부에 질소 가스를 분당 500cc 흘러주어 1525℃에서 약 8시간 동안 가열하는 소성처리를 한 후, 분쇄함으로써, 형광체 조성물을 얻었다. 이 형광체 조성물을 460nm 광원으로 여기시켰을 때 중심 발광 피크가 약 655㎚임을 확인하였다.
[실시 예 9]
실시 예 9의 형광체 조성물의 원료분말은, CaO 0.3949g, α-Si3N4 0.4825g, Eu2O3 0.1226g을 각각 칭량한 후, 대기 분위기에서 유발을 사용하여 수작업으로 혼합하는 방식으로 1g의 원료 분말 혼합물을 얻었다. 이와 같이 혼합된 원료분말 혼합물 1g을 도가니에 충전하고, 소성로의 내부에 질소 가스를 분당 500cc 흘러주어 1525℃에서 약 8시간 동안 가열하는 소성처리를 한 후, 분쇄함으로써, 형광체 조성물을 얻었다. 이 형광체 조성물을 460nm 광원으로 여기시켰을 때 중심 발광 피크가 약 660㎚임을 확인하였다.
이상과 같은 실시 예 1 ~ 9의 원료물질 혼합비율 및 발광특성의 결과를 하기 표 1에 정리하였다.
실시 예 원료물질 혼합 비율 피크 파장
(㎚)
CaO Si3N4 Eu2O3(몰비)
1 0.4641 0.5212 0.0147(0.01%) 609
2 0.4548 0.5160 0.0291(0.02%) 630
3 0.4458 0.5110 0.0433(0.03%) 641
4 0.4369 0.5060 0.0571(0.04%) 641
5 0.4282 0.5011 0.0707(0.05%) 648
6 0.4196 0.4963 0.0840(0.06%) 655
7 0.4121 0.4916 0.0971(0.07%) 654
8 0.4030 0.4870 0.1100(0.08%) 655
9 0.3949 0.4825 0.1226(0.09%) 660
이상과 같이 제조된 형광체 조성물들을 도 8과 같이 PL 장치를 이용하여 발광특성을 분석하였으며, Eu2 +의 농도에 따른 휘도와 중심 파장의 변화를 나타내었다. 도 8의 그래프에 나타난 바와 같이, Eu의 양이 증가할수록 피크 파장은 길어지는 결과를 보였다. 또한, 도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 형광체를 제조한 후 XRD를 통하여 결정 구조를 분석한 결과이며, 정밀한 구조 분석을 위해, XRD 분석 후 선별된 형광체 조성물에 대해서는 프로파일 매칭을 실시하였다. 이 경우, 분석에 이용된 형광체의 조성은 (Ca1 -x)15Si20O10N30:Eux (x = 0.04)이다. 나아가, 이러한 조성을 갖는 형광체 샘플을 리트벨트(Rietveld) 방법을 이용하여 결정구조 분석을 하였다.
리트벨트 방법은 실제 측정에서 얻어진 X선의 실측 회절강도와 그 결정구조를 예측하여 구성시킨 결정구조 모델로부터 이론적 계산으로 얻을 수 있는 X선의 회절강도를 비교하고, 양자의 차이를 작게 하도록 후자 모델의 여러 가지 구조 파라미터(parameter)를 최소 제곱법으로 정밀화하는 것에 의하여 정확한 결정구조 모델을 유도하는 것이다. 리트벨트 방법에 의한 분석 결과는 도 10에 나타내었으며, 이러한 분석 결과를 통하여 상기 형광체 조성물의 정확한 원자 위치를 파악할 수 있다. 그 결과로서, 형광체 조성물의 결정 구조를 도 11 및 아래의 표에 나타내었으며, 청색은 질소 원자를, 적색은 산소 원자를, 녹색은 Ca 원자를, 사각뿔 내부의 원자는 Si 원자를 나타낸다. 이 경우, 실시 예에 따라 다소 차이가 있을 수는 있지만, 상술한 바와 같이, 대략적으로 10%의 차이를 벗어난 정도가 아니면 동일한 조성물로 인식될 수 있다 할 것이다.
조성물 Ca15Si20O10N30
공간군 Pa-3
a(Å) 15.48978(8)
V(Å3) 3716.514
Z 4
본 발명은 상술한 실시 형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.

Claims (15)

  1. 일반식: Ca15Si20O10N30로 표시되는 모체에 활성제를 고용시킨 형광체로서,
    상기 활성제는 Eu2+이고,
    상기 모체는 분말 X선 회절 패턴의 피크에 따른 결정 격자가 입방 정계 결정 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 산질화물계 형광체.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 활성제를 Re로 표기할 때, 일반식: (Ca1-x)15Si20O10N30:Rex (0.0001 < x < 0.2)으로 표기되는 것을 특징으로 하는 산질화물계 형광체.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 모체의 입방 정계 결정 구조는 격자상수 a = 15.48978Å이되, 상기 a 값의 변화가 10% 이하인 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 산질화물계 형광체.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 입방 정계 결정 구조의 공간군은 Pa-3인 것을 특징으로 하는 산질화물계 형광체.
  6. 제1항에 있어서,
    250 ~ 550㎚의 피크 파장 범위를 갖는 여기 광에 대하여 600 ~ 660㎚의 발광 피크 파장을 나타내는 것을 특징으로 하는 산질화물계 형광체.
  7. 제1항에 있어서,
    평균 입도가 1 ~ 20㎛인 것을 특징으로 하는 산질화물계 형광체.
  8. 여기광을 방출하는 발광소자; 및
    상기 여기광을 흡수하여 가시광을 방출하는 파장변환부;를 포함하며,
    상기 파장변환부는 일반식: Ca15Si20O10N30로 표시되는 모체에 활성제를 고용시킨 형광체로서, 상기 활성제는 Eu2+이고, 상기 모체는 분말 X선 회절 패턴의 피크에 따른 결정 격자가 입방 정계 결정 구조를 갖는 산질화물 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 발광소자는 자외선 발광다이오드 또는 청색 발광다이오드인 것을 특징으로 하는 발광장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 활성제를 Re로 표기할 때, 일반식: (Ca1-x)15Si20O10N30:Rex (0.0001 < x < 0.2)으로 표기되는 것을 특징으로 하는 발광장치.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
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