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Querverweis auf verwandte Anmeldungen
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Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der
koreanischen Patentanmeldung mit der Nummer 10-2011-0130256 , welche am 7. Dezember 2011 beim koreanischen Amt für geistiges Eigentum eingereicht wurde, und deren Offenbarung hiermit durch Inbezugnahme mit aufgenommen wird.
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Technisches Gebiet
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Die vorliegende Anmeldung betrifft einen oxynitridbasierenden Phosphor mit einer neuartigen Kristallstruktur und eine lichtemittierende Vorrichtung mit demselben.
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Hintergrund
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Im Allgemeinen enthält eine weißlichtemittierende Diode (LED), welche aufgrund ihrer Verwendung in Beleuchtungsvorrichtungen, LCD-Hintergrundbeleuchtungen, Automobil-Beleuchtungsvorrichtungen und dergleichen kürzlich Bekanntheit erlangte, eine LED, welche blaues oder nahezu ultraviolettes Licht emittiert, als eine Anregungsquelle, und einen Phosphor zum Wandeln einer Wellenlänge des von der LED emittierten Lichts in sichtbares Licht.
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Ein repräsentatives Verfahren zum Implementieren der weißen LED enthält Einsetzen einer blauen LED, welche aus einem InGaN-basierten Material mit einer Wellenlänge von 450 bis 550 nm gebildet ist, als ein lichtemittierendes Element, und Einsetzen eines YAG-basierten Phosphors, welcher gelbes Licht emittiert und welcher durch eine Zusammensetzungsformel von (Y,Gd)3(Al,Ga)5O12 repräsentiert ist, als einen Phosphor. Bei der weißen LED trifft blaues Licht, welches von dem lichtemittierenden Element emittiert wird, auf eine Phosphorschicht und wird innerhalb der Phosphorschicht wiederholt absorbiert und gestreut. Gelbes Licht, welches durch wellenlängengewandeltes blaues Licht gebildet ist, und ein Teil des einfallenden blauen Lichts werden derart vermischt, dass das blaue Licht, welches durch den wiederholten Vorgang in dem Phosphor absorbiert wird, dem menschlichen Auge als weißes Licht erscheinen kann.
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Jedoch besitzt die weiße LED mit solch einer Struktur wenige Rotlicht-Komponenten in dem Licht davon, eine hohe Farbtemperatur und unzureichend Grünlicht-Komponenten und dient daher lediglich als Beleuchtung mit mangelhaften Farbwiedergabeeigenschaften.
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Zusätzlich tendieren oxidbasierende Phosphore im Allgemeinen dazu, hinsichtlich der Lichtstärke verschlechtert zu sein, wenn eine Wellenlänge einer Anregungsquelle etwa 400 nm beträgt, und entsprechend sind diese zum Implementieren von weißem Licht mit hoher Helligkeit unter Verwendung von blauem Licht nicht geeignet.
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Dadurch haben oxynitridbasierende Phosphore mit hervorragender Lichtausbeute in dem Fall, bei dem eine Wellenlänge einer Anregungsquelle etwa 400 nm beträgt, während diese eine Stabilität gleich oder größer als diese von oxidbasierenden Phosphoren besitzen, in Weiß-LED-Anwendungsgebieten kürzlich Aufmerksamkeit erlangt. Die oxynitridbasierenden Phosphore sind Materialien, welche ursprünglich als technische Keramiken entwickelt wurden, und daher besitzen diese eine geringe Wirkungsgradreduktion und ein niedriges Niveau einer Farbveränderung aufgrund von Feuchtigkeit oder Hitze.
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Jedoch wurde bezüglich oxynitridbasierender Phosphore, welche in einem Zusammensetzungsbereich außerhalb von α-Typ oder β-Typ-Sialon (Si-Al-O-N) Phosphor vorliegen, keine größere Forschung betrieben oder ist kaum bekannt.
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Kurzfassung
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Ein Aspekt der vorliegenden Anmeldung sieht einen oxynitridbasierenden Phosphor mit ausgezeichneter Strukturstabilität, insbesondere mit ausgezeichneter Leuchthelligkeit in einem Rotlicht-Wellenlängenbereich und einer neuartigen Kristallstruktur, welche Verbesserungen der Leuchthelligkeit erleichtert, vor, um dadurch in LED-Anwendungsgebieten geeignet verwendet zu werden.
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Ein weiterer Aspekt der vorliegenden Anmeldung sieht außerdem eine lichtemittierende Vorrichtung mit dem oxynitridbasierenden Phosphor vor.
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Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Anmeldung ist ein oxynitridbasierender Phosphor mit einem Seltenerdelement vorgesehen, welches in einem Wirtsmaterial gelöst ist, das durch eine allgemeine Formel dargestellt ist: Ca15Si20O10N30. Das Seltenerdelement ist zumindest eines ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus Mangan (Mn), Cerium (Ce), Praseodym (Pr), Neodym (Nd), Samarium (Sm), Europium (Eu), Gadolinium (Gd), Dysprosium (Dy), Terbium (Tb), Holmium (Ho), Erbium (Er), Thulium (Tm) und Ytterbium (Yb). Das Wirtsmaterial besitzt ein Kristallgitter gemäß einem Peak eines Röntgenpulverdiffraktometriemusters, wobei das Kristallgitter eine kubische Kristallstruktur besitzt.
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Wenn das Seltenerdelement als Re bezeichnet wird, kann der oxynitridbasierende Phosphor durch eine allgemeine Formel dargestellt werden: (Ca1-x)15Si20O10N30:Rex (0,0001 < x < 0,2).
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Bei der kubischen Kristallstruktur des Wirtsmaterials ist eine Gitterkonstante a = 1,548978 nm und eine Veränderungsrate der Gitterkonstante a kann gleich 10% oder weniger sein.
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Das Seltenerdelement kann Eu2+ sein.
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Eine Raumgruppe der kubischen Kristallstruktur kann Pa-3 sein.
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Der oxynitridbasierende Phosphor kann mit Bezug auf Anregungslicht mit einem Peak-Wellenlängenbereich von 250 bis 550 nm eine lichtemittierende Peak-Wellenlänge von 600 bis 660 nm aufweisen.
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Der oxynitridbasierende Phosphor kann eine durchschnittliche Partikelgröße von 1 bis 20 μm besitzen.
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Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Anmeldung ist eine lichtemittierende Vorrichtung mit einem lichtemittierenden Element zum Emittieren von Anregungslicht vorgesehen. Eine Wellenlängen-Wandlungseinheit absorbiert das Anregungslicht und emittiert sichtbares Licht. Die Wellenlängen-Wandlungseinheit kann einen oxynitridbasierenden Phosphor mit einem Seltenerdelement enthalten, welches in einem Wirtsmaterial gelöst ist, das durch eine allgemeine Formel dargestellt ist: Ca15Si20O10N30. Das Seltenerdelement ist zumindest eines ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus Mangan (Mn), Cerium (Ce), Praseodym (Pr), Neodym (Nd), Samarium (Sm), Europium (Eu), Gadolinium (Gd), Dysprosium (Dy), Terbium (Tb), Holmium (Ho), Erbium (Er), Thulium (Tm) und Ytterbium (Yb). Das Wirtsmaterial besitzt ein Kristallgitter gemäß einem Peak eines Röntgenpulverdiffraktometriemusters, wobei das Kristallgitter eine kubische Kristallstruktur besitzt.
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Die lichtemittierende Vorrichtung kann eine ultraviolettes Licht emittierende Diode oder eine blaulichtemittierende Diode sein.
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Bei einem weiteren Aspekt der vorliegenden Anmeldung ist ein Verfahren zum Vorbereiten eines oxynitridbasierenden Phosphors vorgesehen. Das Verfahren enthält Mixen eines Seltenerdoxids mit einem Wirtsmaterial mit einer allgemeinen Formel: Ca15Si20O10N30, um ein Gemisch zu bilden. Das Gemisch wird in einer Gasatmosphäre bei einer Temperatur von etwa 1400 bis 1600°C gebrannt. Das Seltenerdelement ist zumindest eines ausgewählt aus einer Gruppe bestehend aus Mangan (Mn), Cerium (Ce), Praseodym (Pr), Neodym (Nd), Samarium (Sm), Europium (Eu), Gadolinium (Gd), Dysprosium (Dy), Terbium (Tb), Holmium (Ho), Erbium (Er), Thulium (Tm) und Ytterbium (Yb). Das Wirtsmaterial besitzt ein Kristallgitter gemäß einem Peak eines Röntgenpulverdiffraktometriemusters. Das Kristallgitter besitzt eine kubische Kristallstruktur.
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Zusätzliche Vorteile und neuartige Merkmale werden zum Teil in der nachfolgenden Beschreibung dargelegt und werden dem Fachmann zum Teil bei der Prüfung des Nachfolgenden und aus den beigefügten Abbildungen ersichtlich werden, oder können durch die Produktion oder die Wirkungsweise der Beispiele verstanden werden. Die Vorteile der vorliegenden Lehren können durch die Anwendung oder Verwendung von verschiedenen Aspekten der Methodiken, Mittel und Kombinationen, welche in den nachstehend diskutierten detaillierten Beispielen dargelegt sind, realisiert werden.
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Kurze Beschreibung der Abbildungen
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Die vorstehenden und weitere Aspekte, Merkmale und weitere Vorteile der vorliegenden Anmeldung sind aus der nachfolgenden detaillierten Beschreibung deutlicher zu verstehen, welche in Zusammenhang mit den beigefügten Abbildungen ausgeführt ist, bei welchen:
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1 ein ternäres Zusammensetzungsdiagramm ist, welches einen oxynitridbasierenden Phosphor gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Anmeldung schematisch darstellt;
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2 bis 4 Diagramme sind, welche XRD-Muster bzw. -Spektren darstellen, in welchen Kristallstrukturen von Materialien, welche in Abhängigkeit der Brenntemperatur erhalten werden, während ein Verhältnis von CaO und SiN4/3 variiert wird, die als Rohmaterialien vorgesehen sind, analysiert sind;
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5 eine Abbildung ist, welche XRD-Muster von vier Typen von im Stand der Technik bekannten Kristallstrukturen darstellt, um mit den XRD-Mustern der 2 bis 4 verglichen zu werden;
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6 und 7 Diagramme sind, welche XRD-Muster von Zusammensetzungen darstellen, welche durch präzises Anpassen eines Verhältnisses von CaO und SiN4/3 in Abhängigkeit der Brenntemperatur von 1500 bzw. 1600°C erhalten werden;
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8 ein Diagramm ist, welches Photolumineszenz(PL)-Charakteristiken von Phosphoren gemäß Beispielen 1 bis 9 der vorliegenden Anmeldung darstellt;
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9 ein Diagramm ist, welches die Kristallstruktur-Analyseergebnisse des Phosphors gemäß den Beispielen der vorliegenden Anmeldung unter Verwendung einer Röntgenbeugung (XRD) nachdem der Phosphor hergestellt ist darstellt;
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10 eine Abbildung ist, welche die Kristallstruktur-Analyseergebnisse darstellt, welche unter Verwendung des Rietveld-Verfahrens erhalten werden; und
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11 eine Abbildung ist, welche eine Kristallstruktur des Phosphors gemäß einem Beispiel der vorliegenden Anmeldung schematisch darstellt.
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Detaillierte Beschreibung
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In der nachfolgenden detaillierten Beschreibung sind zahlreiche spezifische Details durch Beispiele dargelegt, um ein gründliches Verständnis der relevanten Lehren vorzusehen. Jedoch sollte es für den Fachmann offensichtlich sein, dass die vorliegenden Lehren ohne solche Details angewendet werden können. In anderen Fällen wurden bekannte Verfahren, Vorgänge, Komponenten und/oder Schaltungen auf relativ hohem Niveau ohne Details beschrieben, um unnötige verunklarende Aspekte der vorliegenden Lehren zu vermeiden.
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Nachfolgend werden Beispiele der vorliegenden Anmeldung mit Bezug auf die beigefügten Abbildungen detailliert beschrieben. Die Anmeldung kann jedoch auf viele verschiedene Arten und Weisen veranschaulicht werden und sollte nicht dahingehend ausgelegt werden, dass diese auf die hierin dargelegten spezifischen Beispiele beschränkt ist. Diese Beispiele sind vielmehr dazu vorgesehen, dass diese Offenbarung genau und vollständig ist und dem Fachmann den Schutzumfang der Erfindung in vollem Umfange vermitteln wird. In den Abbildungen können die Gestaltungen und Dimensionen von Elementen zur Klarheit hervorgehoben sein und es werden durchgängig die gleichen Bezugszeichen verwendet, um gleiche oder ähnliche Elemente zu bezeichnen.
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Ein oxynitridbasierender Phosphor gemäß einem Beispiel der vorliegenden Anmeldung besitzt ein Seltenerdelement, welches in einem Wirtsmaterial gelöst ist, das durch eine allgemeine Formel dargestellt ist: Ca15Si20O10N30. Das Seltenerdelement ist zumindest eines aus einer Gruppe bestehend aus Mangan (Mn), Cerium (Ce), Praseodym (Pr), Neodym (Nd), Samarium (Sm), Europium (Eu), Gadolinium (Gd), Dysprosium (Dy), Terbium (Tb), Holmium (Ho), Erbium (Er), Thulium (Tm) und Ytterbium (Yb). Das Wirtsmaterial besitzt ein Kristallgitter gemäß einem Peak eines Röntgenpulverdiffraktometriemusters, wobei das Kristallgitter eine kubische Kristallstruktur besitzt. Insbesondere wenn das Seltenerdelement als Re bezeichnet wird, kann der oxynitridbasierende Phosphor durch eine allgemeine Formel dargestellt sein: (Ca1-x)15Si20O10N30:Rex (0,0001 < x < 0,2). Die Zusammensetzungsformel des Phosphors gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Anmeldung kann in dem ternären Zusammensetzungsdiagramm von 1 dargestellt werden.
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Insbesondere beschreibend das Wirtsmaterial sind Gitterkonstante a = 1,548978 nm und α = γ = β = 90° in der kubischen Kristallstruktur erfüllt. Zusätzlich wird bestätigt, dass eine Raumgruppe der kubischen Kristallstruktur Pa-3 entspricht. In diesem Fall, wenn Veränderungsraten der Gitterkonstante a bzw. der Raumgruppe gleich 10% oder weniger sind, kann angenommen werden, dass die gleiche Zusammensetzung verwendet wird.
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Der oxynitridbasierende Phosphor mit der vorstehend erwähnten Struktur besitzt eine neuartige Kristallstruktur, welche im Stand der Technik nicht bekannt ist. Insbesondere in dem Fall, bei dem Eu oder dergleichen als ein Beleuchtungs-Metallelement gelöst wird, wenn ultraviolettes Licht oder sichtbares Licht als eine Anregungsquelle darauf gestrahlt wird, besitzt der oxynitridbasierende Phosphor einen hervorragenden Wirkungsgrad in Wellenlängenbereichen, die von einem grünen Wellenlängenbereich hin zu einem roten Wellenlängenbereich reichen, insbesondere einem Wellenlängenbereich von etwa 600~660 nm. Der oxynitridbasierende Phosphor dient als eine Wellenlängen-Wandlungseinheit, um dadurch für ein lichtemittierendes Element, wie eine lichtemittierende Diode oder dergleichen, als ein Phosphor geeignet verwendet zu werden. Durch das Verwenden des lichtemittierenden Elements und einer Phosphorzusammensetzung kann eine lichtemittierende Vorrichtung, insbesondere eine lichtemittierende Vorrichtung, welche in der Lage ist, weißes Licht zu emittieren, implementiert bzw. realisiert werden. Eine detaillierte Beschreibung einer neuartigen Kristallstruktur des oxynitridbasierenden Phosphors wird nachstehend bereitgestellt.
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Gemäß der durch den/die Erfinder durchgeführten Versuchsdurchführung wird in dem Fall außerhalb der Zusammensetzungs-Bedingungen die Kristallstruktur anstatt einer kubischen Kristallstruktur variiert, so dass gewünschte Charakteristiken des Phosphors nicht erhalten werden können. Jedoch ist das Erfüllen der Zusammensetzungs-Bedingungen nicht notwendigerweise erforderlich, um die kubische Kristallstruktur zu erhalten, und falls die kubische Kristallstruktur selbst in dem Fall außerhalb der Zusammensetzungs-Bedingungen erhalten wird, kann erkannt werden, dass diese in dem Schutzumfang der vorliegenden Anmeldung enthalten sind.
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Dabei kann der Phosphor mit der vorstehend erwähnten Struktur aus Oxynitrid hergestellt sein und dadurch eine hervorragende Strukturstabilität besitzen, so dass der Phosphor in Umgebungen mit einer Oxidations-Atmosphäre oder einer feuchten Umgebung eine verbesserte Stabilität besitzt.
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Bei bestimmten Beispielen ist eine Phosphorzusammensetzung mit der Zusammensetzungsformel in einer einzigen Phase konfiguriert, kann jedoch eine amorphe Kristallphase, welche während eines Herstellungsverfahrens in einem unmerklichen Betrag zwangsläufig erzeugt wird, oder andere Kristallphasen statt einer kubischen Kristallphase enthalten. Die Phosphorzusammensetzung kann eine Verbindung mit der amorphen Kristallsphase oder anderen Kristallphasen enthalten, solange Charakteristiken davon dadurch nicht betroffen sind.
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Dabei kann sich eine durchschnittliche Partikelgröße des Phosphors gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Anmeldung in dem Bereich von 1 bis 20 μm befinden. Dies liegt daran, da, wenn die durchschnittliche Partikelgröße kleiner als 1 μm ist, eine Licht-Absorptionsrate aufgrund von Streuen vermindert sein kann und eine gleichmäßige Verteilung auf einem Harzmaterial, welches eine LED einschließt, nicht erleichtert werden kann, wohingegen, wenn die durchschnittliche Partikelgröße größer als 20 μm ist, eine Unregelmäßigkeit der Leuchtintensität und Farbe auftreten kann.
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Nachfolgend wird ein Verfahren zum Herstellen des oxynitridbasierenden Phosphors mit der vorstehend erwähnten Struktur anhand eines Beispiels beschrieben.
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Betreffend die Rohmaterialien zum Herstellen des Phosphors wurden Siliziumnitrid(Si3N4)-Pulver, Calciumoxid(CaO)-Pulver und Europiumoxid(Eu2O3)-Pulver als Hauptkomponenten Ca, Si und Eu verwendet. Die Rohmaterialien, wie CaO, α-Si3N4 und Eu2O3 wurden gewogen und gemischt, um eine vorbestimmte Zusammensetzung zu besitzen, und in diesem Fall betrug der Betrag des Gemisches pro Probe 1 g. Der Mischvorgang der Rohmaterialien wurde in einer Umgebungsatmosphäre 10 min lang manuell ausgeführt.
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Die wie vorstehend erhaltenen Gemischproben wurden unter einer Stickstoffgasatmosphäre gebrannt, in welcher Stickstoffgas mit einem höheren Druck als Atmosphärendruck und einem niedrigeren Druck als ein Luftdruck von 20 atm als eine Hauptkomponente, und H2-Gas von 0~25% vorgesehen waren. Beim Durchführen des Brennens unter der Stickstoffgasatmosphäre, wie vorstehend, kann ein Abbau eines Nitrids, welches während des Hochtemperatur-Brennens synthetisiert wird, verhindert oder gehemmt werden, und eine Zusammensetzungs-Abweichung des produzierten Nitrids kann reduziert werden, um die Herstellung einer Phosphorzusammensetzung mit hervorragender Leistungsfähigkeit zu ermöglichen. Dabei bedeutet die Tatsache, dass Stickstoffgas als eine Hauptkomponente vorgesehen ist, dass Stickstoffgas mit einem Betrag von 75% oder mehr des gesamten Gases enthalten ist. Zusätzlich kann eine Brenntemperatur etwa 1400~1600°C betragen. Zusätzlich kann eine Brennzeit innerhalb eines Bereichs von etwa 30 Minuten bis 100 Stunden vorgesehen sein, kann jedoch bei anderen Beispielen unter Betrachtung der Qualität und Produktivität 2 bis 12 Stunden betragen. Bei diesem Beispiel wurde das Brennen bei einer Brenntemperatur von etwa 1525°C für etwa 8 Stunden unter atmosphärischem Druck und einer Hochrein-Stickstoff(99,999%)-Gasatmosphäre durchgeführt. Ein Zerkleinerungsvorgang wurde darauf durchgeführt, um einen Phosphor herzustellen.
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Der/Die Erfinder der vorliegenden Anmeldung bestätigten, dass der Phosphor mit der Zusammensetzungsformel gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Anmeldung durch Anpassen eines Mischungsverhältnisses der Rohmaterialien und einer Brenntemperatur dafür unter Verwendung des vorstehend erwähnten Herstellungsverfahrens praktisch synthetisiert wurde. Diesbezüglich wird mit Bezug auf XRD-Muster-Analyseergebnisse der 2 bis 7 eine detaillierte Beschreibung vorgesehen. Die 2 bis 4 stellen XRD-Muster dar, bei denen Kristallstrukturen von Materialien, welche in Abhängigkeit der Brenntemperaturen erhalten werden, während ein Verhältnis von CaO und Si3N4 variiert wird, die als Rohmaterialien vorgesehen sind, analysiert werden. 5 stellt XRD-Muster von vier Typen von im Stand der Technik bekannten Kristallstrukturen dar, um mit den XRD-Mustern der 2 bis 4 verglichen zu werden. Unter Bezugnahme auf die 2 bis 4 wurde ein Ca15Si20O10N30-Kristall unter der Bedingung erhalten, bei welcher sich ein Verhältnis von CaO und Si3N4 in einem Bereich von 3:7 bis 5:5 und eine Brenntemperatur bei ungefähr 1400°C bis 1500°C befand.
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Die 6 und 7 stellen XRD-Muster von Zusammensetzungen dar, welche durch präzises Anpassen eines Verhältnisses von CaO und SiN4/3 in Abhängigkeit der Brenntemperaturen von ungefähr 1500°C bzw. 1600°C erhalten werden. Im Falle einer Brenntemperatur von etwa 1400°C zeigten sich ähnliche Ergebnisse wie in dem Fall einer Brenntemperatur von 1500°C. In den 6 und 7 wird, wenn ein Verhältnis von CaO und SiN4/3 bei einer Brenntemperatur von 1500°C auf 15:16~15:21 verändert wurde, bestätigt, dass ein Ca15Si20O10N30-Kristall erhalten wurde. Im Unterschied hierzu war es bei einer Brenntemperatur von 1600°C schwierig den Ca15Si20O10N30-Kristall zu synthetisieren.
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Basierend auf den XRD-Muster-Analyseergebnissen wurden Phosphorzusammensetzungen mit unterschiedlichen Gehalten des Aktivators (Eu) hergestellt, wie in den nachfolgenden Beispielen beschrieben ist.
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[Beispiel 1]
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Als Rohpulver-Materialien für eine Phosphorzusammensetzung gemäß Beispiel 1 wurden 0,4641 g von CaO, 0,5212 g von α-Si3N4 und 0,0147 g von Eu2O3 entsprechend abgewogen und dann unter Verwendung eines Mörsers unter einer Umgebungsatmosphäre manuell vermischt, um 1 g eines Rohpulver-Gemisches zu erhalten. Das 1 g des Rohpulver-Gemisches wurde in einen Tiegel eingebracht und Stickstoffgas wurde mit einem Betrag von 500 cm3 pro Minute in das Innere eines Brennofens eingeführt. Eine Brennbehandlung durch Erhitzen wurde bei etwa 1525°C für etwa 8 Stunden durchgeführt und dann wurde ein Zerkleinerungsvorgang darauf ausgeführt, um eine Phosphorzusammensetzung zu erhalten. Wenn die Phosphorzusammensetzung durch eine Lichtquelle von 460 nm angeregt wurde, wurde bestätigt, dass ein zentraler lichtemittierender Peak davon etwa 609 nm betrug.
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[Beispiel 2]
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Als Rohpulver-Materialien für eine Phosphorzusammensetzung gemäß Beispiel 2 wurden 0,4548 g von CaO, 0,5160 g von α-Si3N4 und 0,0291 g von Eu2O3 entsprechend abgewogen und dann unter Verwendung eines Mörsers unter einer Umgebungsatmosphäre manuell vermischt, um 1 g eines Rohpulver-Gemisches zu erhalten. Das 1 g des Rohpulver-Gemisches wurde in einen Tiegel eingebracht und Stickstoffgas wurde mit einem Betrag von 500 cm3 pro Minute in das Innere eines Brennofens eingeführt. Eine Brennbehandlung durch Erhitzen wurde bei etwa 1525°C für etwa 8 Stunden durchgeführt und dann wurde ein Zerkleinerungsvorgang darauf ausgeführt, um eine Phosphorzusammensetzung zu erhalten. Wenn die Phosphorzusammensetzung durch eine Lichtquelle von 460 nm angeregt wurde, wurde bestätigt, dass ein zentraler lichtemittierender Peak davon etwa 630 nm betrug.
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[Beispiel 3]
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Als Rohpulver-Materialien für eine Phosphorzusammensetzung gemäß Beispiel 3 wurden 0,4458 g von CaO, 0,5110g von α-Si3N4 und 0,0433 g von Eu2O3 entsprechend abgewogen und dann unter Verwendung eines Mörsers unter einer Umgebungsatmosphäre manuell vermischt, um 1 g eines Rohpulver-Gemisches zu erhalten. Das 1 g des Rohpulver-Gemisches wurde in einen Tiegel eingebracht und Stickstoffgas wurde mit einem Betrag von 500 cm3 pro Minute in das Innere eines Brennofens eingeführt. Eine Brennbehandlung durch Erhitzen wurde bei etwa 1525°C für etwa 8 Stunden durchgeführt und dann wurde ein Zerkleinerungsvorgang darauf ausgeführt, um eine Phosphorzusammensetzung zu erhalten. Wenn die Phosphorzusammensetzung durch eine Lichtquelle von 460 nm angeregt wurde, wurde bestätigt, dass ein zentraler lichtemittierender Peak davon etwa 641 nm betrug.
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[Beispiel 4]
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Als Rohpulver-Materialien für eine Phosphorzusammensetzung gemäß Beispiel 4 wurden 0,4369 g von CaO, 0,5060 g von α-Si3N4 und 0,0571 g von Eu2O3 entsprechend abgewogen und dann unter Verwendung eines Mörsers unter einer Umgebungsatmosphäre manuell vermischt, um 1 g eines Rohpulver-Gemisches zu erhalten. Das 1 g des Rohpulver-Gemisches wurde in einen Tiegel eingebracht und Stickstoffgas wurde mit einem Betrag von 500 cm3 pro Minute in das Innere eines Brennofens eingeführt. Eine Brennbehandlung durch Erhitzen wurde bei etwa 1525°C für etwa 8 Stunden durchgeführt und dann wurde ein Zerkleinerungsvorgang darauf ausgeführt, um eine Phosphorzusammensetzung zu erhalten. Wenn die Phosphorzusammensetzung durch eine Lichtquelle von 460 nm angeregt wurde, wurde bestätigt, dass ein zentraler lichtemittierender Peak davon etwa 641 nm betrug.
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[Beispiel 5]
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Als Rohpulver-Materialien für eine Phosphorzusammensetzung gemäß Beispiel 5 wurden 0,4282 g von CaO, 0,5011 g von α-Si3N4 und 0,0707 g von Eu2O3 entsprechend abgewogen und dann unter Verwendung eines Mörsers unter einer Umgebungsatmosphäre manuell vermischt, um 1 g eines Rohpulver-Gemisches zu erhalten. Das 1 g des Rohpulver-Gemisches wurde in einen Tiegel eingebracht und Stickstoffgas wurde mit einem Betrag von 500 cm3 pro Minute in das Innere eines Brennofens eingerührt. Eine Brennbehandlung durch Erhitzen wurde bei etwa 1525°C für etwa 8 Stunden durchgeführt und dann wurde ein Zerkleinerungsvorgang darauf ausgeführt, um eine Phosphorzusammensetzung zu erhalten. Wenn die Phosphorzusammensetzung durch eine Lichtquelle von 460 nm angeregt wurde, wurde bestätigt, dass ein zentraler lichtemittierender Peak davon etwa 648 nm betrug.
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[Beispiel 6]
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Als Rohpulver-Materialien für eine Phosphorzusammensetzung gemäß Beispiel 6 wurden 0,4196 g von CaO, 0,4963 g von α-Si3N4 und 0,0840 g von Eu2O3 entsprechend abgewogen und dann unter Verwendung eines Mörsers unter einer Umgebungsatmosphäre manuell vermischt, um 1 g eines Rohpulver-Gemisches zu erhalten. Das 1 g des Rohpulver-Gemisches wurde in einen Tiegel eingebracht, Stickstoffgas wurde mit einem Betrag von 500 cm3 pro Minute in das Innere eines Brennofens eingeführt, eine Brennbehandlung durch Erhitzen wurde bei etwa 1525°C für etwa 8 Stunden durchgeführt und dann wurde ein Zerkleinerungsvorgang darauf ausgeführt, um eine Phosphorzusammensetzung zu erhalten. Wenn die Phosphorzusammensetzung durch eine Lichtquelle von 460 nm angeregt wurde, wurde bestätigt, dass ein zentraler lichtemittierender Peak davon etwa 655 nm betrug.
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[Beispiel 7]
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Als Rohpulver-Materialien für eine Phosphorzusammensetzung gemäß Beispiel 7 wurden 0,4112 g von CaO, 0,4916 g von α-Si3N4 und 0,0971g von Eu2O3 entsprechend abgewogen und dann unter Verwendung eines Mörsers unter einer Umgebungsatmosphäre manuell vermischt, um 1 g eines Rohpulver-Gemisches zu erhalten. Das 1 g des Rohpulver-Gemisches wurde in einen Tiegel eingebracht und Stickstoffgas wurde mit einem Betrag von 500 cm3 pro Minute in das Innere eines Brennofens eingeführt. Eine Brennbehandlung durch Erhitzen wurde bei etwa 1525°C für etwa 8 Stunden durchgeführt und dann wurde ein Zerkleinerungsvorgang darauf ausgeführt, um eine Phosphorzusammensetzung zu erhalten. Wenn die Phosphorzusammensetzung durch eine Lichtquelle von 460 nm angeregt wurde, wurde bestätigt, dass ein zentraler lichtemittierender Peak davon etwa 654 nm betrug.
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[Beispiel 8]
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Als Rohpulver-Materialien für eine Phosphorzusammensetzung gemäß Beispiel 8 wurden 0,4030 g von CaO, 0,4870 g von α-Si3N4 und 0,1100 g von Eu2O3 entsprechend abgewogen und dann unter Verwendung eines Mörsers unter einer Umgebungsatmosphäre manuell vermischt, um 1 g eines Rohpulver-Gemisches zu erhalten. Das 1 g des Rohpulver-Gemisches wurde in einen Tiegel eingebracht und Stickstoffgas wurde mit einem Betrag von 500 cm3 pro Minute in das Innere eines Brennofens eingeführt. Eine Brennbehandlung durch Erhitzen wurde bei etwa 1525°C für etwa 8 Stunden durchgeführt, und dann wurde ein Zerkleinerungsvorgang darauf ausgeführt, um eine Phosphorzusammensetzung zu erhalten. Wenn die Phosphorzusammensetzung durch eine Lichtquelle von 460 nm angeregt wurde, wurde bestätigt, dass ein zentraler lichtemittierender Peak davon etwa 655 nm betrug.
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[Beispiel 9]
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Als Rohpulver-Materialien für eine Phosphorzusammensetzung gemäß Beispiel 9 wurden 0,3949 g von CaO, 0,4825 g von α-Si3N4 und 0,1226 g von Eu2O3 entsprechend abgewogen und dann unter Verwendung eines Mörsers unter einer Umgebungsatmosphäre manuell vermischt, um 1 g eines Rohpulver-Gemisches zu erhalten. Das 1 g des Rohpulver-Gemisches wurde in einen Tiegel eingebracht und Stickstoffgas wurde mit einem Betrag von 500 cm3 pro Minute in das Innere eines Brennofens eingeführt. Eine Brennbehandlung durch Erhitzen wurde bei etwa 1525°C für etwa 8 Stunden durchgeführt und dann wurde ein Zerkleinerungsvorgang darauf ausgeführt, um eine Phosphorzusammensetzung zu erhalten. Wenn die Phosphorzusammensetzung durch eine Lichtquelle von 460 nm angeregt wurde, wurde bestätigt, dass ein zentraler lichtemittierender Peak davon etwa 660 nm betrug.
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Die Mischungsverhältnisse der Rohmaterialien gemäß der Beispiele 1 bis 9 und die resultierenden lumineszierenden Eigenschaften davon wurden in nachstehender Tabelle 1 angeordnet. In diesem Fall wurden Werte der Peak-Wellenlängen näherungsweise hergeleitet. [Tabelle 1]
Beispiel | Mischungsverhältnisse der Rohmaterialien | Peak-Wellenlänge (nm) |
| CaO | Si3N4 | Eu2O3 (Molverhältnis) | |
1 | 0,4641 | 0,5212 | 0,0147 (0,01%) | 609 |
2 | 0,4548 | 0,5160 | 0,0291 (0,02%) | 630 |
3 | 0,4458 | 0,5110 | 0,0433 (0,03%) | 641 |
4 | 0,4369 | 0,5060 | 0,0571 (0,04%) | 641 |
5 | 0,4282 | 0,5011 | 0,0707 (0,05%) | 648 |
6 | 0,4196 | 0,4963 | 0,0840 (0,06%) | 655 |
7 | 0,4121 | 0,4916 | 0,0971 (0,07%) | 654 |
8 | 0,4030 | 0,4870 | 0,1100 (0,08%) | 655 |
9 | 0,3949 | 0,4825 | 0,1226 (0,09%) | 660 |
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Wie in 8 gezeigt ist, wurden die lumineszierenden Eigenschaften der Phosphorzusammensetzungen, wie vorstehend hergestellt, unter Verwendung einer Photolumineszenz(PL)-Vorrichtung analysiert und die Helligkeit und Varianz bei der Zentralwellenlänge wurde in Abhängigkeit der Konzentration von Eu2 gezeigt. Wie in dem Graphen von 8 dargestellt ist, ist eine Peak-Wellenlänge in Zusammenhang mit einem Anstieg des Betrages von Eu erhöht. 9 ist ein Diagramm, welches Kristallstruktur-Analyseergebnisse des Phosphors gemäß den Beispielen der vorliegenden Anmeldung unter Verwendung einer Röntgenbeugung (XRD) nachdem der Phosphor hergestellt ist darstellt. Um eine Kristallstruktur präzise zu analysieren, wurde bei den Phosphorzusammensetzungen, welche nach der XRD-Analyse ausgewählt wurden, ein Profilabgleich durchgeführt. In diesem Fall beträgt die bei der Analyse verwendete Phosphorzusammensetzung (Ca1-x)15Si20O10N30:Eux (x = 0,04). Ferner wurde eine Kristallstruktur einer Phosphorprobe mit der Zusammensetzung unter Verwendung des Rietveld-Verfahrens analysiert.
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Das Rietveld-Verfahren ist ein Verfahren zum Vergleichen einer praktisch gemessenen Beugungsintensität eines Röntgenstrahls, welche durch praktische Messung erhalten wird, und einer Beugungsintensität eines Röntgenstrahls, welche durch eine theoretische Berechnung aus einem Kristallstruktur-Modell erhalten wird, welches durch Vorherbestimmen einer Kristallstruktur konfiguriert ist, und Verfeinern von verschiedenen Strukturparametern des Gittermodells unter Verwendung der Methode der kleinsten Quadrate, um eine Differenz zwischen beiden Intensitäten zu reduzieren, wodurch ein genaues Kristallstruktur-Modell hervorgebracht wird.
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Die Analyseergebnisse gemäß dem Rietveld-Verfahren wurden in
10 gezeigt und exakte Atompositionen der Phosphorzusammensetzung können mit den Analyseergebnissen nachvollzogen werden. Folglich ist in
11 und Tabelle 2 eine Kristallstruktur der Phosphorzusammensetzung gezeigt und in diesem Fall bezieht sich eine blaue Farbe auf ein Stickstoffatom, eine rote Farbe bezieht sich auf ein Sauerstoffatom, eine grüne Farbe bezieht sich auf ein Calcium(Ca)-Atom und ein Atom, welches innerhalb einer viereckigen Pyramide vorliegt, bezieht sich auf ein Silizium(Si)-Atom. In diesem Fall können gemäß den Beispielen Differenzen erzeugt werden, jedoch kann, wie vorstehend beschrieben, solange die Differenzen innerhalb eines Veränderungsverhältnisses von ungefähr 10% erzeugt werden, angenommen werden, dass die gleichen Zusammensetzungen verwendet werden. [Tabelle 2]
Zusammensetzung | Ca15Si20O10N30 |
Raumgruppe | Pa-3 |
a (nm) | 1,548978 (8) |
V (nm3) | 3,716514 |
Z | 4 |
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Wie vorstehend gemäß Ausführungsformen der Anmeldung dargelegt, ist ein oxynitridbasierender Phosphor mit ausgezeichneter Strukturstabilität, insbesondere mit ausgezeichneter Leuchthelligkeit in einem Rotlicht-Wellenlängenbereich und einer neuartigen Kristallstruktur, welche Verbesserungen der Leuchthelligkeit erleichtert, um dadurch in LED-Anwendungsgebieten geeignet verwendet zu werden, und eine lichtemittierende Vorrichtung mit demselben vorgesehen.
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Während das Vorstehende das als beste Art und Weise angesehene und/oder weitere Beispiele beschrieben hat, ist erkennbar, dass verschiedene Modifikationen darin ausgeführt werden können, und dass der hierin offenbarte Gegenstand in Form verschiedener Gestaltungen und Beispiele implementiert bzw. realisiert werden kann, und dass die Lehren bei verschiedenen Anwendungen zur Anwendung kommen können, von welchen hierin lediglich einige beschrieben wurden. Durch die nachfolgenden Ansprüche wird beabsichtigt, sämtliche Anwendungen, Modifikationen und Variationen, welche in den wahren Schutzumfang der vorliegenden Lehren fallen, zu beanspruchen.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- KR 10-2011-0130256 [0001]