KR20070078389A - 액정 장치 및 전자기기 - Google Patents

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KR20070078389A
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신 후지타
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엡슨 이미징 디바이스 가부시키가이샤
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Abstract

고개구율을 실현하는 것이 가능한 FFS 방식의 액정 장치 등을 제공한다.
액정 장치는, FFS 방식의 표시 모드를 갖고, 그 요소인 소자 기판은, LTPS형 TFT 소자 및 소스선과, 적어도 소스선 및 LTPS형 TFT 소자상에 마련되어, 평탄성을 갖는 제 2 절연막(평탄화막)과, 평탄화막상에 대략 베타 형상으로 마련된 공통 전극과, 공통 전극상에 마련된 제 3 절연막(유전막)과, 유전막상에 마련되어, 복수의 슬릿을 갖고, 또한 공통 전극 사이에서 각각의 슬릿을 통하여 프린지 필드(전계)를 발생시키는 화소 전극을 구비한다. 이것에 의해, 화소 전극, 유전막 및 공통 전극을 평탄화할 수 있다. 따라서, 화소 전극과 공통 전극이 평면적으로 겹치는 각 서브 화소 영역내의 전극 부분에는 요철 형상(단차 형상)의 부분이 형성되지 않는다. 이것에 의해, 소스선 및 스위칭 소자 부근까지 화소 전극을 연재시킬 수 있어, 고개구율을 실현할 수 있다.

Description

액정 장치 및 전자기기{LIQUID CRYSTAL APPARATUS AND ELECTRONIC DEVICE}
도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 액정 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 평면도,
도 2는 실시예 1에 따른 화소 구성 등을 나타내는 부분 확대 평면도,
도 3은 도 2의 절단선 A-A'에 따른 서브 화소의 부분 단면도,
도 4는 비교예에 따른 화소 구성 등을 나타내는 부분 확대 평면도,
도 5는 도 4의 절단선 B-B'에 따른 서브 화소의 부분 단면도,
도 6은 실시예 2에 따른 화소 구성 등을 나타내는 부분 확대 평면도,
도 7은 도 6의 절단선 C-C'에 따른 서브 화소의 부분 단면도,
도 8은 실시예 2의 작용 효과를 설명하는 소자 기판의 부분 단면도,
도 9는 본 발명의 액정 장치를 적용한 전자기기의 예를 나타내는 도면.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 : 하측 기판 2 : 상측 기판
4 : 액정층 4a : 액정 분자
10 : 화소 전극 10a : 슬릿
20 : 공통 전극 20a : 슬릿
20x : 공통 전극선 21 : LTPS형 TFT소자
32 : 소스선 33 : 게이트선
52 : 제 2 절연막(평탄화막) 53 : 제 3 절연막(유전막)
91, 93 : 소자 기판 92 : 컬러 필터 기판
100, 200 : 액정 장치
본 발명은, 각종 정보의 표시에 이용하는 바람직한 액정 장치 및 전자기기에 관한 것이다.
일반적으로, 액정의 표시 모드를 크게 나누면, TN(Twisted Nematic) 방식, 혹은 광 시야각 및 고콘트라스트를 목적으로 하는 수직 배향 방식, 혹은 IPS(ln-Plane Switching) 방식 또는 FFS 방식(Fringe Field Switching)으로 대표되는 횡전계 방식 등이 존재한다.
이 중, IPS 방식은, 액정에 인가하는 전계의 방향을 기판에 거의 평행한 방향으로 하는 방식이며, TN 방식 등에 비해 시각 특성의 향상을 도모할 수 있다고 하는 이점이 있다.
그러나, 이러한 액정 장치에서는, 일반적으로, IT0(Indium Tin Oxide) 등의 투명 도전 재료로 이루어지는 화소 전극과, 그 화소 전극 사이에서 횡전계를 발생 시키는 공통 전극이 동일층에 설치되기 때문에, 화소 전극의 상측에 위치하는 액정 분자는 충분히 구동되지 않고, 투과율 등의 저하를 초래하게 되는 문제가 있다.
이 점, FFS 방식에서는, 공통 전극이 형성되는 층이 화소 전극이 형성되는 층의 하측에 설치되기 때문에, 화소 전극의 상측에 위치하는 액정 분자에 대하여도 횡방향의 전계를 인가할 수 있어, 그 위치에 존재하는 액정 분자를 충분히 구동할 수 있다. 그 결과, 상기한 IPS 방식에 비교해서, 투과율 등의 향상을 도모할 수 있다고 하는 이점을 갖고 있다.
이러한 FFS 방식의 액정 장치의 일례가 특허 문헌 1 및 2에 기재되어 있다.
특허 문헌 1 및 2에 기재된 액정 장치는, 모두α-Si(amorphous silicon)형의 TFT 소자를 적용한 FFS 방식의 액정 장치로 되어 있다.
(특허 문헌 1)
일본 특허 공개 2001-235763호 공보
(특허 문헌 2)
일본 특허 공개 2002-182230호 공보
그러나, 상기의 특허 문헌 1에 기재된 액정 장치에서는, TFT 소자나 공통 전극 라인과 겹치는 화소 전극의 부분은 요철 형상의 형상, 즉 단차 형상을 갖고 있기 때문에, 그 위치에 있어서 액정 분자의 배향 흐트러짐이 발생하여, 그 위치는 실질적으로 표시에 기여하지 않는 영역으로 되어, 이 때문에 개구율이 저하해 버린 다고 하는 문제가 있다.
본 발명은, 이상의 점을 감안하여 이루어진 것으로서, 고개구율을 실현하는 것이 가능한 FFS 방식의 액정 장치 및 그것을 이용한 전자기기를 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명의 하나의 관점에서는, 액정을 유지하는 기판과, 상기 기판에 마련된 스위칭 소자와, 상기 스위칭 소자의 상측에 마련된 절연막과, 상기 절연막의 상측에 마련된 제 1 전극과, 상기 제 1 전극의 상측에 마련된 다른 절연막과, 상기 다른 절연막의 상측에 마련되고, 복수의 슬릿을 갖고, 또한, 상기 제 1 전극과의 사이에서 상기 슬릿의 각각을 통하여 전계를 발생시키는 제 2 전극을 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 액정 장치는 액정을 유지하는 기판을 구비한다. 기판은, 스위칭 소자와, 적어도 스위칭 소자의 상측에 마련되어, 평탄성을 갖고, 예컨대, 아크릴 수지 등에 의해 형성된 절연막과, 이러한 절연막의 상측에 마련된 제 1 전극과, 이러한 제 1 전극의 상측에 마련되고, 예컨대 SiO2나 SiNx 등에 의해 형성된 다른 절연막과, 이러한 다른 절연막의 상측에 마련되어, 복수의 슬릿을 갖고, 또한 제 1 전극과의 사이에서 해당 슬릿의 각각을 통하여 전계를 발생시키는 제 2 전극을 구비하여 구성된다. 바람직한 예로서는, 상기 전계는, 상기 액정의 구동시에 상기 기판과 대략 평행한 방향 및 대략 수직인 방향(기판의 상측 방향)에 강한 전계 성분을 갖는 프린지 필드로 할 수 있다. 이것에 의해, FFS 방식의 액정 장치를 구성할 수 있다.
바람직한 예로서는, 스위칭 소자로서는, 예컨대, LTPS(Low Temperature PolySilicon)형의 TFT 소자 또는 P-Si(폴리실리콘)형의 TFT 소자 또는 α-Si(비정질 실리콘)형의 TFT 소자 등으로 대표되는 3단자형 소자, 혹은 TFD(Thin Film Diode) 소자 등으로 대표되는 2단자형 비선형 소자 등을 이용할 수 있다.
여기서, 일반적으로, 제 1 전극과 제 2 전극이 평면적으로 겹치는 영역, 즉 표시 영역 내에 요철 형상의 형상(단차 형상)의 부분이 있으면, 액정의 구동시, 그 부분에 있어서 액정 분자의 배향 흐트러짐이 발생한다. 이것에 의해, 그 부분에서는 표시 품질이 저하한다. 따라서, 그 부분을 차광층 등에 의해 숨길 필요가 있지만, 그렇다면, 그 몫만큼 개구율이 저하해 버린다고 하는 문제가 있다.
이 점, 이 액정 장치에서는, 절연막은 평탄화막으로서 형성되고, 제 1 투명 전극, 다른 절연막 및 제 2 투명 전극의 하측에 설치된다. 이것에 의해, 제 1 투명 전극, 다른 절연막 및 제 2 투명 전극을 평탄화할 수 있다. 따라서, 제 1 투명 전극과 제 2 투명 전극이 평면적으로 겹치는 영역(이하, 단지, "표시 영역"이라고 함) 내에는 요철 형상의 형상(단차 형상)을 갖는 전극 부분이 형성되지 않는다. 특히, 스위칭 소자 부근에서는, 그 형상에 의해서 표시 영역내의 전극에는 단차 형상의 부분이 형성되는 경향이 있지만, 이것을 방지할 수 있다. 따라서, 스위칭 소자 부근까지 표시 영역으로 할 수 있어, 고개구율을 실현할 수 있다.
바람직한 예에서는, 상기 기판은 상기 스위칭 소자에 전기적으로 접속된 배선(예컨대, 소스선 등)을 갖고, 상기 배선은 상기 절연막에 의해 덮어져 있는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 배선의 상측에 위치하는 표시 영역 내의 전극 부분을 평탄화할 수 있다. 따라서, 배선 부근까지 표시 영역으로 할 수 있는 결과, 고개구율을 실현할 수 있다. 이것에 의해, 고선명용의 액정 장치에 적합하게 이용하는 것이 가능해진다.
또한, 이 액정 장치에서는, 다른 절연막을, 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 마련하고 있기 때문에, 다른 절연막은 보조 용량을 형성하는 유전막으로서 기능한다. 그 때문에, 다른 절연막(유전막)의 두께를 조정하기 쉽게 되어, 보조 용량의 크기의 조정이 용이해 진다. 예컨대, 고선명용의 액정 표시 장치 등 보조 용량을 크게할 필요가 있는 경우에, 다른 절연막(유전막)의 두께를 얇게 설정하는 것으로 필요충분한 보조 용량을 얻을 수 있다. 따라서, 표시 품질의 향상, 또한 저소비 전력화를 도모할 수 있다.
바람직한 예로서는, 다른 절연막(유전막)의 두께는, 자신에게 형성되는 보조 용량의 크기가 약 100 ~ 60OfF, 보다 바람직하게는 약 200 ~ 80OfF로 설정하도록 결정하는 것이 바람직하다. 또한, 선명도 200 PPi 이상에서는, 다른 절연막의 두께는 약 50 ~ 400 ㎚로 설정하는 것이 바람직한 한편, 선명도 200 PPi 미만에서는, 다른 절연막의 두께는 약 200 ~ 1000 ㎚로 설정하는 것이 바람직하다.
또한, 다른 절연막(유전막)의 두께를 얇게 설정할 수 있음에 따라, 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 형성되는 프린지 필드(전계)도 강하게 되어, 보다 저전압이더라도 액정 분자를 용이하게 동작시키는 것이 가능해진다. 예컨대, 노멀리 블랙의 표시 모드에 있어서 다른 절연막(유전막)의 두께를 약 50 ~ 200 ㎚로 설정한 경 우에는, 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 인가되는 백표시에 대응하는 구동 전압은 약 2 ~ 5V 정도로 할 수 있다. 또한, 노멀리 블랙의 표시 모드에 있어서 다른 절연막(유전막)의 두께를 약 200 ~ 600 ㎚로 설정한 경우에는, 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 인가되는 백표시에 대응하는 구동 전압은 약 3 ~ 5V 정도로 할 수 있다. 또한, 다른 절연막(유전막)의 두께는 지극히 얇게 설정되기 때문에, 다른 절연막(유전막)의 형성에 있어서 처리량(throughtout)의 향상을 도모할 수 있다.
상기의 액정 장치의 하나의 형태로서는, 상기 제 1 전극은 공통 전극이며, 또한, 상기 제 2 전극은 상기 스위칭 소자와 전기적으로 접속된 단위 화소 전극이다.
이 형태로서는, 제 1 전극은, 공통 전극으로 할 수 있고, 또한, 제 2 전극은, 절연막 및 다른 절연막의 각각에 마련된 콘택트 홀을 거쳐서 스위칭 소자와 전기적으로 접속된 단위 화소 전극(서브 화소)으로 할 수 있다. 이것에 의해, 단위 화소 전극을 스위칭 소자 부근 및 배선(예컨대, 소스선) 부근까지 연재시킬 수 있어, 고개구율을 실현할 수 있다.
바람직한 예로서는, 공통 전극은, 평탄화막인 절연막 상에 대략 베타 형상으로 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 공통 전극선을 마련하는 일없이, 공통 전극에 대한 시정수(콘덴서 C와 저항 R와의 곱)를 만족시킬 수 있다. 따라서, 이 점으로부터도 단위 화소 전극의 유효 면적을 크게 할 수 있어, 고개구율을 실현할 수 있다.
상기의 액정 장치의 다른 형태로서는, 상기 제 1 전극은, 상기 스위칭 소자 와 전기적으로 접속된 단위 화소 전극이며, 또한, 상기 제 2 전극은 공통 전극이다.
이 형태로서는, 제 1 전극은, 절연막에 마련된 콘택트 홀을 거쳐서 스위칭 소자와 전기적으로 접속된 단위 화소 전극(서브 화소)으로 할 수 있고, 또한, 제 2 전극은 공통 전극으로 할 수 있다. 이것에 의해, 단위 화소 전극을 스위칭 소자 부근 및 배선(예컨대, 소스선) 부근까지 연재시킬 수 있어, 고개구율을 실현할 수 있다.
바람직한 예로서는, 상기 배선은 서로 인접하는 상기 단위 화소 전극의 사이에 배치되고, 상기 공통 전극의 적어도 일부는 상기 배선과 평면적으로 겹쳐 있는 것이 바람직하다.
여기서, 액정의 구동시, 임의의 하나의 단위 화소 전극을 구동하는 전압이 높은 경우, 그것에 응해서 해당 하나의 단위 화소 전극과 공통 전극과의 사이에 발생하는 프린지 필드(전계)의 세기도 강하게 되지만, 그 프린지 필드(전계)는, 배선(예컨대, 소스선)과 평면적으로 겹치는 공통 전극의 존재에 의해서, 해당 하나의 단위 화소 전극에 인접하는 다른 하나의 단위 화소 전극까지 미치지 않는 것이 좋다. 따라서, 해당 하나의 단위 화소 전극의 프린지 필드(전계)가, 인접하는 다른 단위 화소 전극의 상측에 위치하는 액정 분자의 배향 상태에 악영향을 주는 것을 방지할 수 있어, 양호한 표시 품질을 얻을 수 있고, 또한, 보다 고선명화를 실현할 수 있다.
상기의 액정 장치의 다른 형태에서는, 상기 공통 전극은, 해당 공통 전극보 다 저항이 작은 공통 전극선에 전기적으로 접속되어 있다. 바람직한 예로서는, 공통 전극은, ITO 등의 고저항화 재료에 의해 형성할 수 있는 한편, 공통 전극선은, 티탄/알루미늄/티탄의 3층 구조를 갖는 저저항화 재료에 의해 형성할 수 있다. 또한, 상기 공통 전극은, 상기 절연막 및 상기 다른 절연막의 각각에 마련된 다른 콘택트 홀을 거쳐서 상기 공통 전극선에 전기적으로 접속되어 있다. 이것에 의해, 공통 전극선과 공통 전극을 합친 저항을 작게 할 수 있기 때문에, 해당 공통 전극에 대한 시정수를 낮게 할 수 있다. 이것에 의해, 표시 품질에 악영향을 미치는 것을 방지할 수 있다.
상기의 액정 장치의 다른 형태로서는, 상기 기판과 상기 액정을 사이에 두고 대향하는 대향 기판을 갖고, 상기 대향 기판은, 상기 콘택트 홀 및 상기 다른 콘택트 홀에 대응하는 위치에 차광층을 갖는다.
이 형태로서는, 기판과 액정을 사이에 두고 대향하는 대향 기판을 갖고, 그 대향 기판은, 콘택트 홀 및 다른 콘택트 홀에 대응하는 위치에 차광층을 갖는다. 따라서, 콘택트 홀 및 다른 콘택트 홀의 부근에서 액정 분자의 배향 흐트러짐이 발생한 경우에도, 그 배향 흐트러짐의 영역을 차광층에 의해서 덮어서 숨길 수 있다. 따라서, 액정 분자의 배향 흐트러짐에 따라 표시 품질이 저하하는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 다른 관점에서는, 상기의 액정 장치를 표시부로서 구비하는 전자기기를 구성할 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명을 실시하기 위한 최선의 형태에 대하여 설명한다. 또한, 이하의 각종 실시예는, 본 발명을 액정 장치에 적용한 것이다.
(실시예 1)
(액정 장치의 구성)
우선, 도 1 등을 참조하여, 본 발명의 실시예 1에 따른 액정 장치(100)의 구성 등에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 액정 장치(100)의 개략 구성을 모식적으로 나타내는 평면도이다. 도 1에서는, 지면측 전방(관찰측)에 컬러 필터 기판(92)이 배치되어 있는 한편, 지면 깊이측에 소자 기판(91)이 배치되어 있다. 또, 도 1에서는, 지면 종방향(열방향)을 Y 방향으로, 또한, 지면 횡방향(행방향)을 X 방향으로 규정한다. 또한, 도 1에 있어서, R, G, B의 각 색에 대응하는 영역은 하나의 서브 화소 영역(SG)을 표시하고, 또한, R, G, B의 각 색의 서브 화소 영역 SG에 의해 구성되는 1행 3열의 화소 배열은, 하나의 화소 영역 AG을 나타내고 있다. 또, 이하에서는, 하나의 서브 화소 영역 SG 내에 존재하는 하나의 표시 영역을 「서브 화소」라고 하며, 또한, 하나의 화소 영역 AG 내에 대응하는 표시 영역을 「1 화소」라고 하는 것도 있다.
액정 장치(100)는, 소자 기판(91)과, 그 소자 기판(91)에 대향하여 배치되는 컬러 필터 기판(92)이 프레임 형상의 밀봉재(5)를 거쳐서 접합되고, 그 밀봉재(5) 의 내측에 액정이 봉입되어 액정층(4)이 형성되어 이루어진다.
여기에, 액정 장치(100)는, R, G, B의 3색을 이용하여 구성되는 컬러 표시용의 액정 장치이며, 또한, 스위칭 소자로서 LTPS(저온 폴리실리콘)형의 TFT 소자(이하, 「LTPS형 TFT 소자(21)」라고 한다)를 이용한 액티브 매트릭스 구동 방식의 액정 장치이다. 또한, 이 액정 장치(100)는, 화소 전극 등의 각종 전극이 형성된 소자 기판(91) 측에서, 해당 소자 기판(91) 면에 대략 평행한 방향, 및 대략 수직인 방향(관찰측)으로 프린지 필드(전계 E)를 발생시켜 액정 분자의 배향을 제어하는, 이른바 FFS 방식의 액정 장치이다. 이 때문에, 이 액정 장치(1OO)에서는 높은 시야각 등을 얻을 수 있다. 또한, 액정 장치(100)는, 투과형 표시만을 행하는 투과형의 액정 장치이다.
우선, 소자 기판(91)의 평면 구성에 대하여 설명한다. 소자 기판(91)의 내면상에는, 주로, 복수의 소스선(32), 복수의 게이트선(33), 복수의 LTPS형 TFT 소자(21), 복수의 화소 전극(10), 공통 전극(20), 드라이버 IC(40), 외부 접속용 배선(35) 및 FPC(Flexible Printed Circuit)(41) 등이 형성 또는 실장되어 있다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 소자 기판(91)은, 컬러 필터 기판(92)의 1 근처측에서 외측으로 돌출하는 돌출 영역(36)을 갖고 있고, 그 돌출 영역(36) 상에는, 드라이버 IC(40)가 실장되어 있다. 드라이버 IC(40)의 입력측의 단자(도시 생략)은, 복수의 외부 접속용 배선(35)의 한쪽 단부측과 전기적으로 접속되어 있고, 또한, 복수의 외부 접속용 배선(35)의 다른 쪽 단부측은 FPC(41)와 전기적으로 접속되어 있다.
각 소스선(32)은, Y 방향으로 연재하면서, X 방향으로 적절한 간격을 두고 형성되어 있고, 각 소스선(32)의 한쪽 단부측은, 드라이버 IC(40)의 출력측의 단자(도시 생략)에 전기적으로 접속되어 있다.
각 게이트선(33)은, 예컨대, Ti(티탄)/Al(알루미늄)/Ti(티탄)의 3층 구조를 갖고, Y 방향으로 연재하도록 형성된 제 1 배선(33a)과, 그 제 1 배선(33a)의 종단부로부터 X 방향으로, 또한 후술하는 유효 표시 영역(V) 내에 연재하도록 형성된 제 2 배선(33b)을 구비하고 있다. 각 게이트선(33)의 제 2 배선(33b)은, 각 소스선(32)과 교차하는 방향, 즉 X 방향으로 연재하도록, 또한 Y 방향으로 적절한 간격을 두고 형성되어 있고, 각 게이트선(33)의 제 1 배선(33a)의 한쪽 단부측은, 드라이버 IC(40)의 출력측의 단자(도시 생략)에 전기적으로 접속되어 있다.
각 소스선(32)과 각 게이트선(33)의 제 2 배선(33b)의 교차 위치 부근에는 LTPS형 TFT 소자(21)가 대응하여 마련되어 있고, LTPS형 TFT 소자(21)는 각 소스선(32), 각 게이트선(33) 및 각 화소 전극(10) 등에 전기적으로 접속되어 있다.
각 화소 전극(10)는, 예컨대 ITO 등의 투명 도전 재료에 의해 형성되어, 각 서브 화소 영역 SG 내에 대응하여 설치된다.
공통 전극(20)은, 화소 전극(10)과 동일한 재료에 의해 형성되어, 유효 표시 영역 V와 대략 동일한 크기의 영역(파선으로 둘러싸인 영역)을 갖고, 도 2에 나타내는 제 3 절연막(유전막)(53)을 거쳐서 각 화소 전극(10)의 하측에 대략 베타 형상으로 마련된다. 공통 전극(20)은, 해당 공통 전극(20)과 동일한 재료 등으로 이루어지는 배선(27)을 통하여, 드라이버 IC(40)의 COM 단자와 전기적으로 접속되어 있다.
하나의 화소 영역 AG이 X 방향 및 Y 방향으로 복수개, 매트릭스 형상으로 한줄로 세워진 영역이 유효 표시 영역 V(2점 쇄선에 의해 둘러싸이는 영역)이다. 이 유효 표시 영역 V에, 문자, 숫자, 도형 등의 화상이 표시된다. 또, 유효 표시 영역 V의 외측 영역은 표시에 기여하지 않는 프레임 영역(38)으로 되어 있다. 또한, 각 화소 전극(10) 등의 내면상에는, 도시하지 않는 배향막이 형성되어 있다. 이러한 배향막은, 소정의 방향으로 러빙 처리(도 2를 참조)가 실시되고 있다.
다음에, 컬러 필터 기판(92)의 평면 구성에 대하여 설명한다. 컬러 필터 기판(92)은, 차광층(일반적으로 「블랙 매트릭스」라고 하고, 이하에서는, 단지 「BM」으로 약기), R, G, B의 3색의 착색층(6R, 6G, 6B), 오버코팅층(16)(도 3을 참조)및 배향막(18)(도 3을 참조) 등을 갖는다. 또, 이하의 설명에 있어서, 색을 묻지않고서 착색층을 가리키는 경우는 단지 「착색층(6)」이라 표기하고, 색을 구별하여 착색층을 가리키는 경우는 「착색층(6R)」 등으로 표기한다. BM은, 각 서브 화소 영역 SG을 구획하는 위치 등에 형성되어 있다.
이상의 구성을 갖는 액정 장치(100)에서는, 전자기기 등과 접속된 FPC(41)측으로부터의 신호 및 전력 등에 근거하여, 드라이버 IC(40)에 의해서, G1, G2,..., Gm-1, Gm(m : 자연수)의 순서대로 게이트선(33)이 순차 배타적으로 1개씩 선택되고, 또한, 선택된 게이트선(33)에는, 선택 전압의 게이트 신호가 공급되는 한편, 다른 비선택의 게이트선(33)에는, 비선택 전압의 게이트 신호가 공급된다. 그리고, 드라이버 IC(40)는, 선택된 게이트선(33)에 대응하는 위치에 존재하는 화소 전 극(10)에 대하여, 표시 내용에 따른 소스 신호를, 각각 대응하는 S1, S2,..., Sn-1, Sn(n : 자연수)의 소스선(32) 및 각 LTPS형 TFT 소자(21)를 거쳐서 공급한다. 그 결과, 액정층(4)의 표시 상태가, 비표시 상태 또는 중간 표시 상태로 전환되어, 액정층(4) 내의 액정 분자의 배향 상태가 제어되는 것으로 된다. 이것에 의해, 유효 표시 영역 V 내에서 소망하는 화상을 표시할 수 있다.
(화소 구성)
다음에, 도 2 및 도 3을 참조하여, 본 발명의 실시예 1에 따른 액정 장치(100)의 화소 구성 등에 대하여 설명한다.
도 2는, 실시예 1에 따른 소자 기판(91)에 배치될 수 있는 4 화소 분의 평면 구성을 나타낸다. 도 3은, 도 2에 있어서의 절단선 A-A'에 따른 단면도를 나타내고, 또한, LTPS형 TFT 소자(21)를 지나는 위치로 절단했을 때의 1 서브 화소의 단면 구성을 나타낸다.
우선, 도 2 및 도 3을 참조하여, 실시예 1의 소자 기판(91)에 있어서의 화소 구성 등에 대하여 설명한다.
하측 기판(1)의 내면상에는, 소스선(32)과 게이트선(33)의 제 2 배선(33b)의 교차 위치에 대응하여 대략 コ의 글자 형상의 평면 형상을 갖는 저온형의 P-Si(폴리실리콘)층(19)이 형성되어 있다. P-Si 층(19) 및 하측 기판(1)의 내면상에는, 그 대략 일면에 걸쳐, 예컨대 SiO2 등으로 이루어지는 게이트 절연막(50)이 형성되 어 있다.
게이트 절연막(50)은, P-Si 층(19)의 한쪽 단부측에 또한 소스선(32)의 일부와 평면적으로 겹치는 위치에 제 1 콘택트 홀(50a)을 갖고, 또한, P-Si 층(19)의 다른쪽 단부측에 대응하는 위치에 제 2 콘택트 홀(50b)을 갖는다. 게이트 절연막(50)의 내면상에는 게이트선(33)이 형성되어 있고, 그 게이트선(33)의 제 2 배선(33b)은, 도 2에 도시하는 바와 같이, Y 방향으로 일정한 간격을 두고 X 방향으로 연재하도록 형성되고, 해당 제 2 배선(33b)은, P-Si 층(19)과 부분적 또한 평면적으로 겹치고 있다.
게이트선(33) 및 게이트 절연막(50)의 내면상에는, 예컨대 SiO2 등으로 이루어지는 제 1 절연막(51)이 형성되어 있다. 제 1 절연막(51)은, 제 1 콘택트 홀(50a)에 대응하는 위치에 제 1 콘택트 홀(51a)을 갖고, 또한, 제 2 콘택트 홀(50b)에 대응하는 위치에 제 2 콘택트 홀(51b)을 갖는다. 제 1 절연막(51)의 내면상에는, 소스선(32) 및 중계 전극(77)이 설치된다.
소스선(32)은, 도 2에 도시하는 바와 같이 X 방향에 일정한 간격을 두고 Y 방향으로 연재하도록 형성되어 있다. 소스선(32)의 일부는, P-Si 층(19)의 한쪽 단부측의 일부와 평면적으로 중첩된다. 소스선(32)의 일부는, 제 1 콘택트 홀(50a 및 51a) 내까지 들어가도록 마련되어 있고, 해당 소스선(32)은, P-Si 층(19)의 한쪽 단부측과 전기적으로 접속되어 있다. 중계 전극(77)은, P-Si 층(19)의 다른쪽 단부측의 일부와 평면적으로 중첩된다. 중계 전극(77)의 일부는, 제 2 콘택트 홀(50b 및 51b) 내까지 들어가도록 마련되어 있고, 해당 중계 전극(77)은, P-Si 층(19)의 다른쪽 단부측과 전기적으로 접속되어 있다. 이것에 의해, 각 소스선(32)은, 대응하는 각 P-Si 층(19)을 거쳐서, 대응하는 각 중계 전극(77)에 전기적으로 접속되어 있다. 이렇게 해서, 각 P-Si 층(19)에 대응하는 위치에 또한 소스선(32)과 게이트선(33)의 제 2 배선(33b)과의 교차 위치에 대응하여 LTPS형 TFT 소자(21)가 설치된다.
소스선(32), 중계 전극(77) 및 제 1 절연막(51)의 내면상에는, 예컨대 아크릴수지 등으로 이루어지는 제 2 절연막(52)이 형성되어 있다. 제 2 절연막(52)의 내면상은 평탄성을 갖고, 제 2 절연막(52)은 평탄화막을 구성하고 있다. 제 2 절연막(52)은, 중계 전극(77)의 한쪽 단부측에 또한 제 2 콘택트 홀(50b 및 51b)의 근방 위치에 콘택트 홀(52a)을 갖는다. 또, 본 발명에서는, 제 1 절연막(51)과 제 2 절연막(52) 사이에, 예컨대 SiNx 등으로 이루어진 절연막을 더 마련하도록 하더라도 상관없다.
제 2 절연막(52)의 내면상에는, 그 대략 일면에 걸쳐, COM 단자에 접속된 공통 전극(20)이 형성되어 있다(도 1 참조). 공통 전극(20)은, 예컨대 ITO 등의 투명 재료에 의해 형성되어, 콘택트 홀(52a)에 대응하는 위치에 개구(20a)를 갖는다. 콘택트 홀(52a) 내에 위치하는 제 2 절연막(52)의 일부, 및 공통 전극(20)의 내면상에는, 예컨대 SiO2나 SiNx 등으로 이루어지는 제 3 절연막(53)이 형성되어 있다. 제 3 절연막(53)은, 제 2 절연막(52)의 콘택트 홀(52a)에 대응하는 위치에 콘택트 홀(53a)을 갖는다. 제 3 절연막(53)은, 공통 전극(20)과 후술하는 화소 전극(10) 사이에 마련되기 때문에, 보조 용량을 형성하는 유전막으로서 기능한다. 여기서, 충분한 보조 용량을 확보하기 위해서는, 제 3 절연막(53)의 두께 d1는, 가능한 한 얇게 설정되어 있는 것이 바람직하다.
이러한 목적을 실현하기 위해서, 바람직한 예에서는, 제 3 절연막(53)의 두께 d1은, 자신에게 형성되는 보조 용량의 크기가 약 100 ~ 60O fF, 보다 바람직하게는 약 200 ~ 80O fF로 설정하도록 결정하는 것이 바람직하다. 또한, 선명도 200 PPi 이상에서는, 제 3 절연막(53)의 두께 d1는 대략 50 ~ 400 ㎚로 설정하는 것이 바람직한 한편, 선명도 200 PPi 미만에서는, 제 3 절연막(53)의 두께 d1은 대략 200 ~ 1000 ㎚로 설정하는 것이 좋다.
제 3 절연막(53)의 내면상에 있어서, 각 서브 화소 영역 SG 내에는, 예컨대 ITO 등의 투명 도전 재료로 이루어지는 화소 전극(10)이 형성되어 있다. 화소 전극(10)은, 콘택트 홀(52a)을 거쳐서 중계 전극(77)과 전기적으로 접속되어 있다. 이 때문에, 소스선(32)으로부터의 소스 신호는, LTPS형 TFT 소자(21) 및 중계 전극(77)을 거쳐서 화소 전극(10)에 공급된다. 또한, 화소 전극(10)은, 제 3 절연막(53)을 거쳐서 공통 전극(20)과 대향하여 또한 평면적으로 겹치고 있다. 화소 전극(10)에는, 자신과 공통 전극(20) 사이에서, 프린지 필드(전계 E)를 발생시키기 위한 복수의 슬릿(1Oa)이 설치된다. 각 슬릿(10a)은, 도 2에 있어서, 소스선(32)의 연재 방향으로 일정한 간격을 두고, 또한 게이트선(33)의 제 2 배선(33b)의 연재 방향에 대하여 시계 회전 방향으로 소정 각도만큼 회전시킨 방향으로 연재하도 록 설치된다.
제 3 절연막(53)의 일부, 및 화소 전극(10)의 내면상에는 도시하지 않은 배향막이 형성되어 있다. 이러한 배향막에는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 게이트선(33)의 제 2 배선(33b)의 연재 방향인 X 방향을 기준으로 반시계 회전 방향으로 각도 θ, 바람직하게는 약 5°의 방향(이하, 「러빙 방향 R」이라 부른다)에 러빙 처리가 실시되고 있다. 이 때문에, 액정 분자(4a)는, 초기 배향 상태에 있어서, 그 길이축 방향이 러빙 방향 R에 따른 상태로 배향하고 있다. 또한, 하측 기판(1)의 하측에는 편광판(11)이 설치되고, 또한, 편광판(11)의 하측에는 조명 장치로서의 백라이트(15)가 설치된다. 이렇게 해서, 실시예 1에 따른 화소 구성을 포함하는 소자 기판(91)이 구성되어 있다.
한편, 상기의 화소 구성에 대응하는 컬러 필터 기판(92)의 구성은 다음과 같다.
상측 기판(2)의 내면상에 있어서, 각 서브 화소 영역 SG 내에는 적색의 착색층(6R), 녹색의 착색층(6G) 및 청색의 착색층(6B) 중 어느 하나로 이루어지는 착색층(6)이 설치된다. 상측 기판(2)의 내면상에 있어서, 각 서브 화소 영역 SG을 구획하는 위치 및 LTPS형 TFT 소자(21)에 대응하는 위치에는 BM이 설치된다. 이 때문에, LTPS형 TFT 소자(21), 소스선(32) 및 게이트선(33)의 제 2 배선(33b) 등은 BM과 평면적으로 겹치고 있다. BM 및 각 착색층(6)의 내면상에는 오버코팅층(16)이 형성되어 있다. 이 오버코팅층(16)은, 액정 장치(100)의 제조 공정중에 사용되는 약제 등에 의한 부식이나 오염으로부터, 착색층(6) 등을 보호하는 기능을 갖고 있다. 오버코팅층(16)의 내면상에는 소정의 방향으로 러빙 처리가 실시된 배향막(18)이 형성되어 있다. 이렇게 해서, 실시예 1에 따른 컬러 필터 기판(92)이 구성되어 있다.
이상의 구성을 갖는 액정 장치(100)에서는, 그 구동시, 도 2에 도시하는 바와 같이 러빙 방향 R에 따라 초기 배향 상태에 있는 액정 분자(4a)는, 소스선(32)의 연재 방향으로 발생하는 프린지 필드(전계 E)에 의해서 반시계 회전 방향으로 회전하여 소스선(32)의 연재 방향으로 재배향한다. 또, 도 3의 단면 구성에서는, 프린지 필드(전계 E)는, 소자 기판(91)과 대략 평행한 방향(도 3의 지면 횡방향) 및 대략 수직인 방향(도 3의 컬러 필터 기판측)에 강한 전계 성분을 갖고, 화소 전극(10)과, 그 복수의 슬릿(10a) 및 제 3 절연막(53)을 거쳐서 공통 전극(20)과의 사이에서 발생한다. 이것에 의해, 액정 분자(4a)의 배향 상태가 제어되어, 투과형 표시를 행할 수 있다. 구체적으로는, 이 투과형 표시시에, 백라이트(15)로부터 출사한 조명광은, 도 3에 나타내는 경로 T에 따라 진행하고, 공통 전극(20), 화소 전극(10) 및 R, G, B의 각 착색층(6) 등을 통과하여 관찰자에게 도달한다. 이 경우, 그 조명광은, 그 착색층(6) 등을 투과함으로써 소정의 색상 및 밝기를 나타낸다. 이렇게 해서, 소망하는 컬러 표시 화상이 관찰자에 의해 시인된다.
다음에, 비교예와 비교한 실시예 1에 따른 액정 장치(100)의 특유의 작용 효과에 대하여 설명한다.
우선, 도 4 및 도 5를 참조하여, 비교예에 따른 FFS 방식의 액정 장치(500)의 구성에 대하여 설명한다. 또, 비교예에 있어서, 실시예 1과 공통하는 요소에 대해서는 동일한 부호를 부여하여, 그 설명은 간략화 또는 생략한다.
도 4는, 도 2에 대응하는 비교예에 따른 소자 기판(93)에 있어서의 4 화소분의 평면 구성을 나타낸다. 도 5는, 도 4에 있어서의 절단선 B-B'에 따른 단면도를 나타내고, 또한, α-Si 형 TFT 소자(23)를 지나는 위치로 절단했을 때의 1 서브 화소의 단면 구성을 나타낸다.
비교예에 따른 액정 장치(500)는, α-Si 형 TFT 소자(23)를 갖는 소자 기판(93)과, 컬러 필터 기판(92)과의 사이에 액정이 봉입되어 액정층(4)이 형성되어 이루어진다.
우선, 소자 기판(93)의 구성은 다음과 같다.
하측 기판(1) 상에는, 서브 화소 영역 SG 마다 ITO 등으로 이루어지는 공통 전극(20)(2점 쇄선으로 둘러싸인 영역)이 설치된다. 공통 전극(20)의 일부 위 및 하측 기판(1) 상에는, 도 4에 나타내는 바와 같이, Y 방향으로 일정한 간격을 두고 형성되고, X 방향으로 연재하는 공통 전극선(20x)이 설치된다. 이 때문에, 공통 전극(20)은, 공통 전극선(20x)에 전기적으로 접속되어 있다. 공통 전극선(20x)은, 도시를 생략하지만, 소자 기판(93) 상의 소정 위치에 있어서 COM용 단자와 전기적으로 접속되어 있다. 하측 기판(1) 상에는, Y 방향으로 일정한 간격을 두고 X 방향으로 연재하도록 게이트선(33)의 제 2 배선(33b)이 설치된다. 제 2 배선(33b)은, 인접하는 화소에 대응하여 마련된 공통 전극선(20x)의 근방 위치에 설치된다.
공통 전극(20), 공통 전극선(20x), 게이트선(33) 및 하측 기판(1)의 위에는, 게이트 절연막(50)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(50) 상에 있어서, 후술하는 소스선(32)과, 게이트선(33)의 제 2 배선(33b)과의 교차 위치 근방에는, α-Si 형 TFT 소자(23)의 요소로 되는 α-Si 층(26)이 설치된다.
도 4에 있어서, 게이트 절연막(50)상에는, Y 방향으로 연재하도록 소스선(32)이 설치된다. 소스선(32)은, α-Si 층(26)상에 겹치도록 절곡되고, 해당 α-Si 층(26)과 전기적으로 접속되는 절곡 부분(32x)을 갖는다. 또한, α-Si 층(26) 및 게이트 절연막(50)상에는, 드레인 전극(34)이 설치된다. 이 때문에, 드레인 전극(34)은, α-Si 층(26)과 전기적으로 접속되어 있다. 이 때문에, 소스선(32)의 절곡 부분(32x)은, α-Si 층(26)을 거쳐서 드레인 전극(34)에 전기적으로 접속되어 있다. 이렇게 해서, 그 영역에는α-Si 형 TFT 소자(23)가 형성되어 있다.
게이트 절연막(50) 및α-Si 형 TFT 소자(23) 상에는, 예컨대 SiNx 등으로 이루어지는 패시베이션층(54)이 형성되어 있다. 패시베이션층(54)은, 공통 전극(20)의 일부와 겹치는 위치에 또한 드레인 전극(34)의 한쪽 단부측과 겹치는 위치에 콘택트 홀(54a)을 갖는다.
패시베이션층(54)상에는, 서브 화소 영역 SG 마다 ITO 등으로 이루어지는 화소 전극(10)이 형성되어 있다. 화소 전극(10)의 구성은 실시예 1과 마찬가지다. 즉, 화소 전극(10)은, 복수의 슬릿(10a)을 갖고, 콘택트 홀(54a)을 통하여 드레인 전극(34)에 전기적으로 접속되어 있다. 이 때문에, 화소 전극(10)에는, 소스선(32)으로부터의 소스 신호가 α-Si 형 TFT 소자(23)를 거쳐서 공급된다. 화소 전극(10) 등의 위에는 도시하지 않는 배향막이 형성되어 있다. 이러한 배향막에는, 실시예 1과 동일한 방향으로 러빙 처리가 실시되어 있다.
이상의 구성을 갖는 비교예에 따른 액정 장치(500)에서는, 그 구동시, 실시예 1에 따른 액정 장치(100)와 동일한 원리에 의해 액정의 배향이 제어되어, 투과형 표시가 이루어진다.
이러한 구성을 갖는 비교예에서는, 다음과 같은 과제를 갖고 있다.
즉, 비교예에 따른 α-Si 형 TFT 소자(23)를 갖는 액정 장치(500)에서는, 도 5에 도시하는 바와 같이, 실시예 1에 상당하는 평탄화막(제 2 절연막(52))이 설치되지 않는다. 이 때문에, 특히, 공통 전극선(20x)의 일부와 평면적으로 겹치는 영역 A1, 및, α-Si 형 TFT 소자(23)의 요소인 드레인 전극(34)의 일부와 평면적으로 겹치는 영역 A2, 및, 소스선(32)의 일부와 평면적으로 겹치는 영역 A3에서는, 화소 전극(10)의 부분은 요철 형상의 형상(단차 형상)으로 형성되어 있다. 이러한 단차 형상을 갖는 화소 전극(10)의 부분으로서는 액정 분자(4a)의 배향 흐트러짐이 발생하여, 표시 품질에 악영향을 주기 때문에, 그 화소 전극(10)의 부분을 표시 영역으로서 이용할 수 없다. 따라서, 일반적으로는, 컬러 필터 기판(92)에 있어서, 그 화소 전극(10)의 부분에 대응하는 위치에는, 그와 같은 액정 분자(4a)의 배향 흐트러짐에 의한 표시 품질의 열화를 덮어서 숨기기 위한 BM이 마련된다. 이것에 의해, 비교예에서는 개구율이 저하해 버린다고 하는 문제가 있다. 더구나, 비교예에서는, 공통 전극(20)의 그 외에 공통 전극선(20x)을 더 마련하도록 하고 있기 때문에, 점점 개구율이 저하해 버린다고 하는 문제가 있다.
또한, 비교예에서는, 화소 전극(10)과 공통 전극(20) 사이에 마련된 유전막으로서의 패시베이션층(54) 및 게이트 절연막(50)의 사이에는 보조 용량이 형성되 지만, 상술한 바와 같이, 개구율이 저하함에 따라, 화소 전극(10)과 공통 전극(20)과의 평면적으로 겹치는 면적이 작아지고, 소망하는 보조 용량을 얻을 수 없게 되는 우려가 있다. 이상, 비교예의 유전막의 두께 d2는, 실시예 1와 비교해서 상당히 두껍기 때문에, 일반적인 정전 용량의 식에 근거하여 보조 용량의 크기는 점점 작아진다. 이 때문에, 이러한 구성을 갖는 비교예는, 고선명용의 액정 표시 장치에는 적용하기 어렵다고 하는 문제가 있다.
이 점, 실시예 1에 따른 액정 장치(100)에서는, 소자 기판(91) 측에서, 평탄성을 갖는 제 2 절연막(평탄화막)(52)이, 화소 전극(10), 제 3 절연막(53) 및 공통 전극(20)의 하측에 설치된다. 이것에 의해, 적어도 소스선(32) 및 LTPS형 TFT 소자(21)에 위치하는 화소 전극(10), 제 3 절연막(53) 및 공통 전극(20)을 평탄화할 수 있다. 즉, 서브 화소 영역 SG 내에는 요철 형상의 형상(단차 형상)을 갖는 전극 부분이 형성되지 않는다. 이것에 의해, 소스선(32) 및 LTPS형 TFT 소자(21)부근에서 액정 분자(4a)의 배향 흐트러짐이 발생하는 것을 방지할 수 있는 결과, 화소 전극(10)을, 소스선(32) 및 LTPS형 TFT 소자(21)부근뿐만 아니라, 인접하는 다른 화소 전극(10) 부근까지 연재시킬 수 있다. 따라서, 비교예와 비교해서 고개구율을 실현할 수 있다.
또한, 실시예 1에서는, 공통 전극(20)을, 제 2 절연막(평탄화막)(52) 상에 그 대략 일면에 걸친 형상으로 배치(단지, 콘택트 홀(52a)의 부분은 제외한다)하고 있기 때문에 공통 전극(20)에 대한 시정수(콘덴서 C와 저항 R의 곱)를 작은 값으로 할 수 있다. 따라서, 실시예 1에서는, 비교예에 상당하는 공통 전극선(20x)을 마 련하고 있지 않다. 이 점으로부터도 화소 전극(10) 등의 유효 면적을 크게 할 수 있어, 고개구율을 실현할 수 있다.
이것에 의해, 고선명용의 액정 표시 장치에 적합하게 이용하는 것이 가능해진다.
또한, 실시예 1에서는, 유전막으로서의 제 3 절연막(53)을 화소 전극(10)과 공통 전극(20) 사이에 마련하고 있기 때문에, 제 3 절연막(53)의 두께를 조정하기 쉽게 되어, 비교예와 비교해서 보조 용량의 크기의 조정이 용이해 진다. 예컨대, 고선명용의 액정 표시 장치 등 보조 용량을 크게 할 필요가 있는 경우에, 제 3 절연막(53)의 두께 d1을 얇게 설정하는 것으로 필요 충분한 보조 용량을 얻을 수 있다. 따라서, 표시 품질의 향상, 또한 저소비 전력화를 도모할 수 있다.
바람직한 예로서는, 제 3 절연막(53)의 두께 d1은, 자신에게 형성되는 보조 용량의 크기가 대략 100 ~ 60O fF, 보다 바람직하게는 대략 200 ~ 80O fF로 설정하 도록 결정하는 것이 바람직하다. 또한, 선명도 200 PPi 이상에서는, 제 3 절연막(53)의 두께 d1은 대략 50 ~ 400 ㎚로 설정하는 것이 바람직한 한편, 선명도 200 PPi 미만에서는, 제 3 절연막(53)의 두께 d1는 약 200 ~ 1000 ㎚로 설정하는 것이 바람직하다.
또한, 유전막으로서의 제 3 절연막(53)의 두께 d1을 얇게 설정할 수 있음에 따라, 화소 전극(10)과 공통 전극(20) 사이에 형성되는 프린지 필드(전계 E)도 강하게 되어, 보다 저전압이더라도 액정 분자(4a)를 용이하게 동작시키는 것이 가능해진다. 예컨대, 노멀리 블랙의 표시 모드에 있어서 제 3 절연막(53)의 두께 d1를 약 50 ~ 200 ㎚로 설정한 경우에는, 화소 전극(10)과 공통 전극(20) 사이에 인가되는 백표시에 대응하는 구동 전압은 약 2 ~ 5 V 정도로 할 수 있다. 또한, 노멀리 블랙의 표시 모드에 있어서 제 3 절연막(53)의 두께 d1을 약 200 ~ 600 ㎚로 설정한 경우에는, 화소 전극(10)과 공통 전극(20) 사이에 인가되는 백표시에 대응하는 구동 전압은 약 3 ~ 5 V 정도로 할 수 있다. 또한, 제 3 절연막(53)의 두께 d1은 지극히 얇게 설정되기 때문에, 제 3 절연막(53)의 형성에 있어서, 처리량(throughput)의 향상을 도모할 수 있다.
또한, 실시예 1로서는, 컬러 필터 기판(92) 측에서, 상기 각 콘택트 홀에 대응하는 위치에 BM을 배치하고 있기 때문에, 해당 각 콘택트 홀의 부근에서 액정 분자(4a)의 배향 흐트러짐이 발생한 경우에도, 그 배향 흐트러짐의 영역을 BM에 의해서 덮어서 숨길 수 있다. 따라서, 액정 분자(4a)의 배향 흐트러짐에 따라 표시 품질이 저하하는 것을 방지할 수 있다.
(실시예 2)
다음에, 도 6 및 도 7을 참조하여, 본 발명의 실시예 2에 따른 액정 장치(200)의 구성에 관하여 설명한다. 여기서, 실시예 2에 따른 액정 장치(200)는, LTPS형 TFT 소자(21)를 갖는 FFS 방식의 액정 장치이며, 또한, 투과형의 액정 장치이다. 또, 이하에서는, 실시예 1과 동일한 요소에 관하여는 동일한 부호를 부여하여, 그 설명은 간략화 또는 생략한다.
도 6은, 실시예 2에 따른 소자 기판(93)에 있어서의 4 화소분의 평면 구성을 나타낸다. 도 7은, 도 6에 있어서의 절단선 C-C'에 따른 단면도를 나타내고, 또한, LTPS형 TFT 소자(21)를 지나는 위치로 절단했을 때의 1서브 화소의 단면 구성을 나타낸다.
우선, 도 6 및 도 7을 참조하여, 실시예 2의 소자 기판(93)에 있어서의 화소 구성 등에 대하여 설명한다.
하측 기판(1)의 내면상에 있어서, 소스선(32)과 게이트선(33)의 제 2 배선(33b)의 교차 위치에는 P-Si 층(19)이 형성되어 있다. P-Si 층(19) 및 하측 기판(1)의 내면상에는, 그 대략 일면에 걸쳐, 제 1 콘택트 홀(50a) 및 제 2 콘택트 홀(50b)을 갖는 게이트 절연막(50)이 형성되어 있다. 또, 제 1 콘택트 홀(50a) 및 제 2 콘택트 홀(50b)의 형성 위치는 실시예 1과 마찬가지다.
게이트 절연막(50)의 내면상에는, 도 6에 도시하는 바와 같이 게이트선(33)의 제 2 배선(33b)이 Y 방향으로 일정한 간격을 두고 X 방향으로 연재하도록 형성되고, 해당 제 2 배선(33b)의 일부는, P-Si 층(19)과 평면적으로 겹치는 위치에 마련된다. 게이트 절연막(50)의 내면상에 있어서, 게이트선(33)의 제 2 배선(33b)에 인접하는 위치에는, 해당 제 2 배선(33b)의 연재 방향과 같은 방향으로 연재하도록 공통 전극선(20x)이 형성되어 있다. 공통 전극선(20x)은, 상술한 게이트선(33)과 동일한 재료에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하다. 공통 전극선(20x)은, 드라이버 IC(40) 내에 마련된 COM 단자와 전기적으로 접속되어 있다.
공통 전극선(20x), 게이트선(33) 및 게이트 절연막(50)의 내면상에는, 제 1 콘택트 홀(51a) 및 제 2 콘택트 홀(51b)을 갖는 제 1 절연막(51)이 형성되어 있다. 제 1 콘택트 홀(51a) 및 제 2 콘택트 홀(51b)의 형성 위치는 실시예 1과 마찬가지다. 제 1 절연막(51)은, 또한, P-Si 층(19)의 근방 위치에 또한 공통 전극선(20x)에 대응하는 위치에 제 3 콘택트 홀(51c)을 갖는다.
도 6에 있어서, 제 1 절연막(51)의 내면상에는, 서로 인접하는 서브 화소 영역 SG의 사이에 Y 방향으로 연재하도록 소스선(32)이 설치된다. 소스선(32)의 일부는, 제 1 콘택트 홀(50a 및 51 a)을 거쳐서, P-Si 층(19)의 한쪽 단부측에 전기적으로 접속되어 있다. 제 1 절연막(51)의 내면상에 있어서, P-Si 층(19)의 다른 쪽 단부측과 평면적으로 겹치는 위치에는 중계 전극(77)이 설치된다. 제 1 절연막(51)의 내면상에 있어서, 제 3 콘택트 홀(51c)과 평면적으로 겹치는 위치 및 공통 전극선(20x)과 게이트선(33)의 제 2 배선(33b) 사이에 대응하는 위치에는 다른 중계 전극(34)이 설치된다.
중계 전극(77)은, 제 2 콘택트 홀(50b 및 51b)을 거쳐서 P-Si 층(19)의 다른쪽 단부측에 전기적으로 접속되어 있다. 이 때문에, 소스선(32)은, P-Si 층(19)을 거쳐서 중계 전극(77)에 전기적으로 접속되어 있다. 이것에 의해, P-Si 층(19)에 대응하는 위치에 또한 소스선(32)과 게이트선(33)의 제 2 배선(33b)과의 교차 위치에는 LTPS형 TFT 소자(21)가 형성되어 있다. 한편, 다른 중계 전극(34)은, 제 3 콘택트 홀(51c)을 거쳐서 공통 전극선(20x)에 전기적으로 접속되어 있다.
소스선(32), 중계 전극(77), 다른 중계 전극(34) 및 제 1 절연막(51)의 내면상에는, 콘택트 홀(52a)을 갖고, 평탄화막인 제 2 절연막(52)이 형성되어 있다. 또, 콘택트 홀(52a)의 형성 위치는 실시예 1과 마찬가지다. 제 2 절연막(52)의 내 면상에는, 서브 화소 영역 SG 마다 화소 전극(10)이 형성되어 있다. 화소 전극(10)은, 콘택트 홀(52a)을 거쳐서 중계 전극(77)과 전기적으로 접속되어 있다. 이 때문에, 화소 전극(10)에는, 소스선(32)으로부터의 소스 신호가 LTPS형 TFT 소자(21) 및 중계 전극(77)을 거쳐서 공급된다.
화소 전극(10) 및 제 2 절연막(52)의 내면상에는, 콘택트 홀(53a)을 갖고, 유전막인 제 3 절연막(53)이 형성되어 있다. 또, 콘택트 홀(53a)의 형성 위치는 실시예 1과 마찬가지다. 제 3 절연막(53)의 내면상에는, 공통 전극(20)이 설치된다. 이 때문에, 각 공통 전극(20)은, 제 3 절연막(53)을 거쳐서 각 화소 전극(10)에 대향하여 또한 평면적으로 겹치고 있다. 또한, 본 예에서는, 각 서브 화소에 대응하는 각 공통 전극(20)은, 해당 각 서브 화소의 지면 좌측에 위치하는 소스선(32)과 평면적으로 겹치고 있다. 공통 전극(20)은, 콘택트 홀(53a)을 거쳐서 다른 중계 전극(34)에 전기적으로 접속되어 있다. 이 때문에, 공통 전극(20)은, 다른 중계 전극(34) 및 공통 전극선(20x)을 거쳐서, 드라이버 IC(40)내의 COM 단자에 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 공통 전극(20)에는, 자신과 화소 전극(10) 사이에서, 프린지 필드(전계 E)를 발생시키기 위한 복수의 슬릿(20a)이 설치된다. 각 슬릿(20a)은, 도 6에 있어서, 소스선(32)의 연재 방향으로 일정한 간격을 두고 또한 게이트선(33)의 제 2 배선(33b)의 연재 방향에 대하여 반시계 회전 방향으로 소정 각도만큼 회전시킨 방향으로 연재하도록 설치된다.
제 3 절연막(53)의 일부 및 공통 전극(20)의 내면상에는 도시하지 않는 배향막이 형성되어 있다. 이러한 배향막에는, 도 6에 도시하는 바와 같이, 공통 전극 선(20x)의 연재 방향인 X 방향을 기준으로 하여 반시계 회전 방향으로 각도 θ, 바람직하게는 약 5°의 방향을 따라서 러빙 처리가 실시되고 있다. 이 때문에, 액정 분자(4a)는, 초기 배향 상태에 있어서, 그 길이축 방향이 러빙 방향 R에 따르는 상태로 배향하고 있다. 이렇게 해서, 실시예 2에 따른 화소 구성을 포함하는 소자 기판(93)이 형성되어 있다.
한편, 상기의 화소 구성에 대응하는 컬러 필터 기판(92)의 구성은 실시예 1과 대략 마찬가지이기 때문에 설명을 생략한다. 단지, 컬러 필터 기판(92)측에 마련되는 BM은, 소스선(32), 게이트선(33)의 제 2 배선(33b), 공통 전극선(20x) 및 LTPS형 TFT 소자(21) 등과 평면적으로 겹치는 위치에 배치되어 있다.
이상의 구성을 갖는 액정 장치(200)에서는, 그 구동시, 상기한 실시예 1에 따른 액정 장치(100)와 동일한 원리에 의해 액정 분자(4a)의 배향 상태가 제어되어, 소망하는 컬러 표시 화상이 관찰자에 의해 시인된다.
다음에, 실시예 2에 따른 액정 장치(200)의 특유의 작용 효과에 대하여 설명한다.
우선, 실시예 2에 따른 액정 장치(200)에서는, 소자 기판(93) 측에 평탄성을 갖는 제 2 절연막(평탄화막)(52)을 마련하고 있기 때문에, 상술한 실시예 1과 동일한 작용 효과를 얻을 수 있어, 고개구율을 실현할 수 있다. 단지, 실시예 2에서는, 공통 전극(20)에 대한 시정수를 낮게 할 목적으로, 예컨대 티탄/알루미늄/티탄의 3층 구조를 갖는 저저항화 재료로 이루어지는 공통 전극선(20x)을 의도적으로 마련하고 있다. 따라서, 표시 품질이 저하하는 것을 방지할 수 있는 한편, 실시예 1과 비교하면, 그 몫만큼 개구율은 저하하는 것이 된다.
즉, 이 점에 대하여 상술하면, 공통 전극(20)은 ITO 등의 고저항화 재료에 의해 형성되어 있다. 이 때문에, 해당 공통 전극(20)을 유효 표시 영역 V의 대략 일면에 걸치는 형상으로 형성한 경우에는, 해당 공통 전극(20)의 면적은 커지기 때문에, 그것에 따라 해당 공통 전극(20)의 저항이 비싸게 된다. 이것에 의해, 공통 전극(20)에 대한 시정수가 높게 되어, 표시 품질에 악영향을 줄 가능성이 있다. 그러나, 실시예 2에서는, ITO로 이루어지는 공통 전극(2O)을 서브 화소 영역 SG 마다 마련하고 있기 때문에, 베타 형상으로 형성되어 이루어지는 공통 전극과 비교하여, 해당 공통 전극(20)의 면적을 작게 할 수 있다. 또한, 각 공통 전극(20)을 저저항화 재료로 이루어지는 공통 전극선(20x)에 접속하고 있다. 이들에 의해, 공통 전극선(20x)과 공통 전극(20)을 합친 저항을 작게 할 수 있기 때문에, 해당 공통 전극(20)에 대한 시정수를 낮게 할 수 있다. 이것에 의해, 표시 품질에 악영향을 미치게 하는 것을 방지할 수 있다. 또, 실시예 2의 구조로 충분히 공통 전극(20)에 대한 시정수를 작게 할 수 있으며, 실시예 1과 같이 공통 전극선(20x)을 불필요하게 할 수 있다. 이것에 의해, 실시예 1과 대략 동등의 개구율을 얻을 수 있다.
또한, 실시예 2에서는, 유전막으로서의 제 3 절연막(53)을 화소 전극(10)과 공통 전극(20) 사이에 마련하고 있기 때문에 보조 용량의 크기의 조정이 용이해지고, 제 3 절연막(53)의 두께 d1를 지극히 얇게 설정할 수 있다. 따라서, 상기한 실시예 1과 동일한 작용 효과를 얻을 수 있다.
특히, 실시예 2에서는, 소스선(32)과 평면적으로 겹치도록 공통 전극(20)을 마련하고 있기 때문에, 임의의 서브 화소에 발생하는 프린지 필드(전계 E)가, 해당 서브 화소에 인접하는 다른 서브 화소에 미치는 영향을 적게 할 수 있다. 이 점에 대하여, 도 8(a) 및 도 8(b)을 참조하여 설명한다.
도 8(b)은, 도 6에 있어서의 절단선 D-D'에 따른 소자 기판(93)의 부분 단면도이며, 특히 하나의 소스선(32)과 그 소스선(32)의 양측에 마련된 2개의 서브 화소의 부분에 대응하는 단면도를 나타내고 있다. 한편, 도 8(a)은, 도 8(b)에 대응하는 비교예에 따른 소자 기판(95)의 부분 단면도이다.
우선, 비교예에 따른 소자 기판(95)의 구성에 대하여 간단히 설명한다.
하측 기판(1)상에는 게이트 절연막(50)이 설치되고, 또한, 게이트 절연막(50)상에는 제 1 절연막(51)이 설치된다. 제 1 절연막(51)상에는 소스선(32)이 지면 전방으로부터 지면 깊이측으로 연재하도록 설치된다. 소스선(32) 및 제 1 절연막(51)상에는 평탄화막으로서의 제 2 절연막(52)이 설치된다. 제 2 절연막(52)상에는 공통 전극(20)이 설치되고, 또한, 공통 전극(20)상에는 유전막으로서의 제 3 절연막(53)이 설치된다. 제 3 절연막(53) 상에 있어서, 소스선(32)의 양측에 대응하는 위치에는, 각각 화소 전극(10)이 설치된다. 또, 이하에서는, 설명의 편의상, 지면 좌측에 위치하는 화소 전극(10)을 「화소 전극(10)」이라 하며, 또한, 지면 우측에 위치하는 화소 전극(10)을 「화소 전극(10R)」이라 각각 칭한다. 이렇게 해서, 비교예에 따른 소자 기판(95)이 형성되어 있다.
이상의 구성을 갖는 비교예에서는, 그 구동시, 동 도면에 도시하는 바와 같이 화소 전극(10)과 공통 전극(20)사이에서, 소자 기판(95)의 기판면에 대하여 대 략 평행한 방향 및 대략 수직인 방향(지면 상측 방향)으로 강한 전계 성분을 갖는 프린지 필드(전계 E)가 발생한다. 여기서, 예컨대, 화소 전극(10L)을 구동하는 전압이 높은 경우, 그것에 응해서 해당 화소 전극(10L)과 공통 전극(20) 사이에 발생하는 프린지 필드(전계 E)의 세기도 강하게 된다. 이것에 의해, 그 프린지 필드(전계 E)를 구성하는 일부의 전계 Ex가 인접하는 화소 전극(10R)으로까지 및 해당 화소 전극(10R)의 상측에 위치하는 액정 분자(4a)의 배향 상태에 악영향을 줄 가능성이 있다.
이것에 대하여, 실시예 2에서는, 그와 같은 불량은 발생하지 않는다.
즉, 실시예 2에서는, 그 구동시, 도 8(b)에 도시하는 바와 같이, 화소 전극(10)과, 소스선(32)의 상측에 마련되고 또한 평면적으로 겹치는 공통 전극(20)과의 사이에서 프린지 필드(전계 E)가 발생한다. 여기서, 실시예 2에 있어서, 예컨대, 화소 전극(10L)을 구동하는 전압이 높은 경우, 그것에 응해서 해당 화소 전극(10L)과 공통 전극(20) 사이에 발생하는 프린지 필드(전계 E)의 세기도 강하게 되지만, 그 프린지 필드(전계 E)는, 소스선(32)의 상측에 마련되고 또한 평면적으로 겹치는 공통 전극(20)의 존재에 의해서, 인접하는 화소 전극(10R)까지 미치지 않는다. 따라서, 상기한 비교예와 같은 문제점은 발생하지 않기 때문에, 인접하는 화소 전극(10R)의 상측에 위치하는 액정 분자(4a)의 배향 상태에 악영향을 주는 것을 방지할 수 있어, 양호한 표시 품질을 얻을 수 있고, 또한, 보다 고선명화를 실현할 수 있다. 또, 그 밖의 실시예 2의 작용 효과는 실시예 1과 마찬가지다.
(변형예)
상기의 실시예 1 및 실시예 2에서는, 본 발명을 투과형의 액정 장치에 적용하는 것으로 했지만, 이것에 한하지 않고, 본 발명을 반사형 또는 반투과 반사형의 액정 장치에 적용하는 것으로서도 상관없다.
또한, 상기의 실시예 1 및 실시예 2에서는, 본 발명을, LTPS형 TFT 소자(21)를 갖는 액정 장치에 적용했다. 이것에 한정되지 않고, 본 발명에서는, 그 취지를 일탈하지 않는 범위에 있어서, P-Si 형의 TFT 소자 또는 α-Si 형의 TFT 소자 등으로 대표되는 3단자형 소자, 혹은 TFD 소자에 대표되는 2단자형 비선형 소자에 본 발명을 적용하더라도 상관없다.
또한, 상기의 실시예 1에서는, 화소 전극(10)에 마련되는 각 슬릿(1Oa)은, 게이트선(33)의 제 2 배선(33b)의 연재 방향에 대하여 반시계 회전 방향으로 소정 각도만큼 회전시킨 방향으로 연재하도록 설치되었다. 이것에 한정되지 않고, 본 발명에서는, 화소 전극(10)에 마련되는 각 슬릿(10a)을, 게이트선(33)의 제 2 배선(33b)의 연재 방향으로 일정한 간격을 두고, 또한 소스선(32)의 연재 방향으로 연재하도록 마련하더라도 상관없다. 또한, 본 발명에서는, 실시예 2에 있어서, 공통 전극(20)에 마련되는 각 슬릿(20a)을, 게이트선(33)의 제 2 배선(33b)의 연재 방향으로 일정한 간격을 두고, 또한 소스선(32)의 연재 방향으로 연재하도록 마련하더라도 상관없다. 이들의 경우, 러빙 방향 R는, 소스선(32)의 연재 방향에 대하여 시계 회전 방향으로 소정 각도 θ, 바람직하게는 약 5°로 설정되어 있는 것이 좋다. 이것에 의해, 액정 분자(4a)를 프린지 필드(전계 E)에 의해서 각 슬릿(1Oa 또는 20a)과 대략 직교하는 방향으로 쉽게 재배향할 수 있다.
또한, 실시예 2에서는, 착색층(6R 및 6B)의 각각에 대응하는 각 서브 화소에 대응하는 각 공통 전극(20)이, 소스선(32)과 평면적으로 겹치도록 형성하고, 또한, 착색층(6G)에 대응하는 서브 화소에 대응하는 공통 전극(20)이, 해당 서브 화소의 양측에 마련된 소스선(32)과는 평면적으로 겹치지 않도록 형성되었다. 이것에 한정되지 않고, 본 발명에서는, 공통 전극(20)은, 도 1에 있어서 각 횡방향(X 방향)으로 열을 이루는 서브 화소군과 대향하도록 스트라이프 형상으로 형성하더라도 상관없다. 이것에 의해, 도 1의 횡방향으로 서로 인접하는 화소 전극(10)의 사이에 위치하는 소스선(32)의 부분은 공통 전극(20)과 평면적으로 겹치는 것으로 되기 때문에, 임의의 서브 화소에 발생하는 프린지 필드(전계 E)가, 해당 서브 화소에 인접하는 다른 서브 화소에 주는 영향을 적게 할 수 있다.
또한, 본 발명에서는, 실시예 2에 마련한 공통 전극선(20x)을, 수단에 따라 실시예 1에 마련하도록 하더라도 상관없다.
기타, 본 발명에서는, 그 취지를 일탈하지 않는 범위에 있어서 여러가지의 변형을 할 수 있다.
(전자기기)
다음에, 본 발명의 실시예 1 또는 실시예 2에 따른 액정 장치(100, 200)를 적용가능한 전자기기의 구체예에 대하여 도 9를 참조하여 설명한다.
우선, 본 발명의 실시예 1 또는 실시예 2에 따른 액정 장치(100, 200)를, 가 반형의 퍼스널 컴퓨터(이른바 노트북 컴퓨터)의 표시부에 적용한 예에 대하여 설명한다. 도 9(a)는, 이 퍼스널 컴퓨터의 구성을 나타내는 사시도이다. 동 도면에 도시하는 바와 같이, 퍼스널 컴퓨터(710)는, 키보드(711)를 구비한 본체부(712)와, 본 발명에 따른 액정 표시 장치를 패널로서 적용한 표시부(713)를 구비하고 있다.
계속해서, 본 발명의 실시예 1 또는 실시예 2에 따른 액정 장치(100, 200)를, 휴대 전화기의 표시부에 적용한 예에 대하여 설명한다. 도 9(b)는, 이 휴대 전화기의 구성을 나타내는 사시도이다. 동 도면에 도시하는 바와 같이, 휴대 전화기(720)는, 복수의 조작 버튼(721) 외에, 수화구(722), 송화구(723)와 함께, 본 발명의 실시예 1 또는 실시예 2에 따른 액정 장치(100, 200)를 적용한 표시부(724)를 구비한다.
또, 본 발명의 실시예 1 또는 실시예 2에 따른 액정 장치(100, 200)를 적용가능한 전자기기로서는, 도 9(a)에 나타낸 퍼스널 컴퓨터나 도 9(b)에 나타낸 휴대 전화기 이외에도, 액정 텔레비젼, 뷰 파인더형·모니터 직시형의 비디오 테이프 레코더, 카네비게이션 장치, 페이저, 전자 수첩, 전자 계산기, 워드 프로세서, 워크 스테이션, 화상 전화, POS 단말, 디지털 스틸 카메라 등을 들 수 있다.
본 발명에 따르면, 고개구율을 실현하는 것이 가능한 FFS 방식의 액정 장치 등을 제공할 수 있다.

Claims (22)

  1. 공통 전극과, 스위칭 소자에 접속된 화소 전극과, 상기 공통 전극과 상기 화소 전극 사이에 마련된 절연막을 갖고, 상기 화소 전극과 상기 공통 전극이 표시 영역에서 평면적으로 겹쳐 있고, 상기 화소 전극의 위쪽에 발생하는 전계, 및 상기 공통 전극과 상기 화소 전극 사이에서 발생하는 전계에 의해서 액정의 배향을 제어하는 액정 장치에 있어서,
    상기 스위칭 소자의 위쪽에 마련된 평탄화막을 구비하고,
    상기 평탄화막의 위쪽에 상기 공통 전극이, 상기 공통 전극의 위쪽에 상기 절연막이, 및 상기 절연막의 위쪽에 상기 화소 전극이 마련되어 있는
    것을 특징으로 하는 액정 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 화소 전극은 상기 평탄화막에 마련한 콘택트 홀을 거쳐서 상기 스위칭 소자에 전기적으로 접속되어 있고,
    상기 공통 전극은 상기 콘택트 홀에 대응하는 위치가 개구되어 있는
    것을 특징으로 하는 액정 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 공통 전극은 상기 평탄화막의 대략 일면에 걸쳐 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 화소 전극에는 슬릿이 마련되어 이루어지고,
    상기 슬릿 및 상기 절연막을 거쳐서 상기 화소 전극과 상기 공통 전극 사이에 가로 방향의 상기 전계가 발생하는
    것을 특징으로 하는 액정 장치.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 스위칭 소자가 TFT 소자이며,
    상기 TFT 소자상에 절연막이 마련되어 있고,
    상기 절연막상에는 상기 TFT 소자와 상기 화소 전극을 전기적으로 접속하는 중계 전극이 형성되어 이루어지는
    것을 특징으로 하는 액정 장치.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 공통 전극 및 상기 화소 전극은 투명 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  7. 액정을 유지하는 기판과, 상기 기판에 마련되어 서로 평면적으로 겹치는 제 1 전극 및 제 2 전극을 구비하여 이루어지고, 상기 제 2 전극의 위쪽에 발생하는 전계, 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에서 발생하는 전계에 의해서 액정의 배향을 제어하는 액정 장치에 있어서,
    상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에는 유전막을 구비하여 이루어짐과 아울러, 보조 용량이 형성되고,
    상기 유전막은, 상기 보조 용량이 10OfF ~ 80OfF로 되는 두께를 갖는
    것을 특징으로 하는 액정 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 기판에 마련된 스위칭 소자와, 상기 스위칭 소자의 위쪽에 마련된 평탄화막을 더 구비하고,
    상기 제 1 전극, 상기 유전막, 및 상기 제 2 전극은 상기 평탄화막의 위쪽에 마련되어 있는
    것을 특징으로 하는 액정 장치.
  9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 제 2 전극에는 슬릿이 마련되고,
    상기 슬릿 및 상기 유전막을 거쳐서 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 가로 방향의 상기 전계가 발생하는 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  10. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 유전막은, 상기 보조 용량이 10OfF ~ 80OfF로 되는 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  11. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 유전막은, 상기 보조 용량이 200fF ~ 80OfF로 되는 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  12. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 전극은 공통 전극이며, 또한, 상기 제 2 전극은 상기 스위칭 소자와 접속된 화소 전극인 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  13. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 전극은 상기 스위칭 소자와 접속된 화소 전극이며, 상기 제 2 전극은 공통 전극인 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  14. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 전극은 투명 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  15. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 스위칭 소자에 접속된 배선을 더 갖고,
    상기 배선이 상기 평탄화막에 의해 덮어져 있는
    것을 특징으로 하는 액정 장치.
  16. 공통 전극과, 복수의 화소 전극과, 상기 화소 전극과 상기 공통 전극 사이에 배치된 절연막을 구비한 액정 장치에 있어서,
    상기 화소 전극의 위쪽에 상기 절연막이, 상기 절연막의 위쪽에 상기 공통 전극이 마련되어 이루어지고,
    상기 공통 전극의 위쪽에 발생하는 전계, 및 상기 복수의 화소 전극의 각각과 상기 공통 전극 사이에서 발생하는 전계에 의해서 액정의 배향이 제어되고,
    상기 공통 전극은 상기 복수의 화소 전극 사이의 영역에도 배치되어 이루어지는
    것을 특징으로 하는 액정 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    기판과, 상기 기판에 마련된 스위칭 소자와, 상기 스위칭 소자의 위쪽에 마련된 평탄화막을 구비하여 이루어지고,
    상기 평탄화막의 위쪽에 상기 화소 전극이 마련되어 이루어지는
    것을 특징으로 하는 액정 장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 복수의 화소 전극은, 상기 스위칭 소자에 접속된 배선을 사이에 두고 배치되어 있고, 상기 배선이 상기 공통 전극에 평면적으로 겹쳐 배치되어 이루어지고, 또한, 상기 평탄화막으로 덮어져 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 배선은 상기 스위칭 소자에 접속되는 소스선인 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  20. 제 16 항 또는 제 17 항에 있어서,
    상기 공통 전극은 상기 화소마다 마련되어 있고,
    각 공통 전극은 상기 공통 전극보다 저항이 작은 공통 전극선에 접속되어 이루어지는
    것을 특징으로 하는 액정 장치.
  21. 제 16 항 또는 제 17 항에 있어서,
    상기 공통 전극 및 상기 화소 전극은 투명 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  22. 청구항 1, 청구항 7 및 청구항 16 항 중 어느 한 항에 기재된 액정 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자기기.
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Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100032074A (ko) * 2008-09-17 2010-03-25 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
KR100975470B1 (ko) * 2008-04-14 2010-08-11 하이디스 테크놀로지 주식회사 Ｆｆｓ 모드 액정표시장치
KR20100131674A (ko) * 2009-06-08 2010-12-16 엘지디스플레이 주식회사 액정패널 및 이를 구비한 액정표시장치
KR101033346B1 (ko) * 2007-08-16 2011-05-09 소니 주식회사 액정 표시 장치
KR20110072042A (ko) * 2009-12-22 2011-06-29 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101130526B1 (ko) * 2007-11-21 2012-03-28 소니 주식회사 액정 표시 장치
KR101219821B1 (ko) * 2009-08-17 2013-01-08 하이디스 테크놀로지 주식회사 Ｆｆｓ 모드 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20130067915A (ko) * 2011-12-14 2013-06-25 엘지디스플레이 주식회사 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이기판 및 제조방법
KR101279297B1 (ko) * 2011-12-26 2013-06-26 하이디스 테크놀로지 주식회사 에프에프에스 모드 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20140008247A (ko) * 2012-07-11 2014-01-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치, 및 액정 표시 장치의 구동 방법
KR101451752B1 (ko) * 2007-03-13 2014-10-16 세이코 엡슨 가부시키가이샤 전계 구동형 장치 및 전자 기기
US8976328B2 (en) 2012-02-27 2015-03-10 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for fabricating the same
KR101524449B1 (ko) * 2011-12-22 2015-06-02 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR101526262B1 (ko) * 2007-09-28 2015-06-10 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 액정 표시 장치 및 전자 기기
KR20150071317A (ko) * 2013-12-18 2015-06-26 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
US9281320B2 (en) 2008-07-08 2016-03-08 Samsung Display Co., Ltd. Array substrate and liquid crystal display apparatus having the same
KR101631620B1 (ko) * 2009-10-13 2016-06-17 엘지디스플레이 주식회사 프린지 필드형 액정표시장치 및 그 제조방법
US9411199B2 (en) 2011-10-24 2016-08-09 Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate and color filter substrate of display device and method for manufacturing the same
CN105988250A (zh) * 2015-02-12 2016-10-05 群创光电股份有限公司 显示面板
US9500923B2 (en) 2012-03-14 2016-11-22 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of fabricating the same
KR20170033935A (ko) * 2015-09-17 2017-03-28 엘지디스플레이 주식회사 보상용 박막 트랜지스터를 구비한 액정 표시장치
US9664968B2 (en) 2009-12-18 2017-05-30 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display device
US9720296B2 (en) 2015-02-12 2017-08-01 Innolux Corporation Display panel
US9772516B2 (en) 2013-09-30 2017-09-26 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display and method of manufacturing the same
KR20170121115A (ko) * 2017-10-23 2017-11-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치

Families Citing this family (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4645488B2 (ja) * 2006-03-15 2011-03-09 ソニー株式会社 液晶装置及び電子機器
TWI633365B (zh) 2006-05-16 2018-08-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
JP4932415B2 (ja) 2006-09-29 2012-05-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2008164787A (ja) 2006-12-27 2008-07-17 Epson Imaging Devices Corp 液晶表示装置
US8619225B2 (en) * 2007-03-28 2013-12-31 Japan Display West Inc. Liquid crystal device with pixel electrode under the common electrode and thinner than drain electrode, method of manufacturing liquid crystal device, and electronic apparatus
EP1975684A3 (en) * 2007-03-28 2008-11-26 Epson Imaging Devices Corporation Internal patterned retarder for an area-division type transflective liquid crystal display
JP4487318B2 (ja) 2007-07-26 2010-06-23 エプソンイメージングデバイス株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
US8218116B2 (en) * 2007-08-01 2012-07-10 Sony Corporation Liquid crystal display panel and manufacturing method thereof
JP5235363B2 (ja) * 2007-09-04 2013-07-10 株式会社ジャパンディスプレイイースト 液晶表示装置
JP5072530B2 (ja) * 2007-10-23 2012-11-14 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 液晶装置及びそれを備えた電子機器
JP4600463B2 (ja) * 2007-11-21 2010-12-15 ソニー株式会社 液晶表示装置
JP4442684B2 (ja) 2007-11-29 2010-03-31 エプソンイメージングデバイス株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
JP2009151285A (ja) * 2007-11-30 2009-07-09 Epson Imaging Devices Corp 液晶表示装置及びその製造方法
JP5285280B2 (ja) 2008-01-07 2013-09-11 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法
JP4678031B2 (ja) * 2008-01-11 2011-04-27 ソニー株式会社 液晶装置および電子機器
JP5255853B2 (ja) * 2008-01-24 2013-08-07 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 液晶表示装置およびその製造方法
JP5100418B2 (ja) * 2008-01-28 2012-12-19 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 液晶表示装置
JP2009198703A (ja) * 2008-02-20 2009-09-03 Sony Corp 液晶表示装置およびその製造方法
JP5246782B2 (ja) 2008-03-06 2013-07-24 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 液晶装置および電子機器
JP5175127B2 (ja) 2008-03-28 2013-04-03 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 液晶表示装置
JP2009265512A (ja) * 2008-04-28 2009-11-12 Sony Corp 液晶表示装置
JP2010060967A (ja) * 2008-09-05 2010-03-18 Epson Imaging Devices Corp 液晶表示装置及び電子機器
JP5392670B2 (ja) 2008-12-01 2014-01-22 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置及びその製造方法
JP5389529B2 (ja) * 2009-05-20 2014-01-15 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置及びその製造方法
WO2011155470A1 (ja) * 2010-06-07 2011-12-15 株式会社アルバック 液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法、並びに液晶表示装置用電極基板
WO2011155469A1 (ja) * 2010-06-07 2011-12-15 株式会社アルバック 液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法並びに液晶表示装置用電極基板
WO2012046632A1 (ja) * 2010-10-06 2012-04-12 シャープ株式会社 アレイ基板及び当該アレイ基板を用いた表示装置
CN202033562U (zh) 2011-04-29 2011-11-09 京东方科技集团股份有限公司 液晶显示器阵列基板
KR101881277B1 (ko) * 2011-05-18 2018-07-24 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
CN102262326B (zh) * 2011-08-02 2014-08-13 深超光电（深圳）有限公司 面内切换型液晶显示面板
JP5961876B2 (ja) * 2011-08-04 2016-08-02 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
KR101870986B1 (ko) * 2011-09-19 2018-06-26 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 제조방법
US8189158B1 (en) 2011-09-29 2012-05-29 Hannstar Display Corp. Fringe field switching liquid crystal display apparatus
KR101941439B1 (ko) * 2011-10-04 2019-01-24 엘지디스플레이 주식회사 산화물 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법
US9323112B2 (en) 2011-10-12 2016-04-26 Japan Display Inc. Liquid crystal display and electronic apparatus having electrodes with openings therein
KR101900814B1 (ko) * 2011-11-30 2018-09-20 엘지디스플레이 주식회사 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이기판
TW201341916A (zh) 2012-04-12 2013-10-16 Innocom Tech Shenzhen Co Ltd 畫素結構及應用其之液晶顯示結構
KR101936773B1 (ko) * 2012-07-03 2019-01-09 엘지디스플레이 주식회사 액정 디스플레이 장치의 제조방법
US9239501B2 (en) 2012-07-26 2016-01-19 Innocom Technology(Shenzhen) Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP2014174402A (ja) * 2013-03-11 2014-09-22 Japan Display Inc 液晶表示装置
JP6230253B2 (ja) 2013-04-03 2017-11-15 三菱電機株式会社 Ｔｆｔアレイ基板およびその製造方法
JP6173049B2 (ja) 2013-06-04 2017-08-02 三菱電機株式会社 表示パネル及びその製造方法、並びに、液晶表示パネル
TWI636309B (zh) * 2013-07-25 2018-09-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置及電子裝置
TWI511303B (zh) * 2013-08-30 2015-12-01 Ye Xin Technology Consulting Co Ltd 液晶顯示器的陣列基板
KR102198111B1 (ko) * 2013-11-04 2021-01-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
JP6308757B2 (ja) 2013-11-20 2018-04-11 三菱電機株式会社 液晶表示パネルおよび液晶表示パネルの製造方法
JP6336762B2 (ja) 2014-01-24 2018-06-06 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
JP5809722B2 (ja) * 2014-03-03 2015-11-11 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
KR102174220B1 (ko) 2014-05-02 2020-11-05 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR102261760B1 (ko) 2014-07-29 2021-06-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
JP2016148807A (ja) * 2015-02-13 2016-08-18 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
KR20160114510A (ko) * 2015-03-24 2016-10-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 터치 패널
KR102328918B1 (ko) * 2015-05-21 2021-11-19 엘지디스플레이 주식회사 어레이 기판 및 이를 포함하는 액정표시장치
KR102563157B1 (ko) * 2015-08-26 2023-08-04 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 및 표시 장치
TWI595298B (zh) * 2015-12-14 2017-08-11 群創光電股份有限公司 顯示面板
JP2017215511A (ja) * 2016-06-01 2017-12-07 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN109690661B (zh) * 2016-09-02 2021-01-01 夏普株式会社 有源矩阵基板和具备有源矩阵基板的显示装置
JP7043297B2 (ja) * 2018-03-09 2022-03-29 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN114267776A (zh) * 2021-12-16 2022-04-01 惠州华星光电显示有限公司 一种显示面板及制作方法、移动终端

Family Cites Families (105)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3841348A (en) * 1969-06-12 1974-10-15 Westinghouse Electric Corp Fluid pressure control apparatus
US3734133A (en) * 1970-12-02 1973-05-22 Rkl Controls Diverter pinch valve
US3698681A (en) * 1970-12-15 1972-10-17 Illinois Tool Works On-off clamp for i. v. systems
US3938543A (en) * 1973-05-21 1976-02-17 Sorenson Gerald T Fluid control system
US3823724A (en) * 1973-05-25 1974-07-16 Med Lab Computer Services Inc Controlling flow of medical fluids
SE383402B (sv) * 1973-10-15 1976-03-08 Saab Scania Ab Vridspjellventil
US3942228A (en) * 1974-07-19 1976-03-09 Buckman Thomas P Tubing clamp
US4044996A (en) * 1974-10-16 1977-08-30 Heiichi Kodaira Valve means
US3988001A (en) * 1975-07-21 1976-10-26 Sybron Corporation Variable flow control valve for use with dental syringes and the like
US4000662A (en) * 1975-09-05 1977-01-04 Clark Equipment Company Multiple input transmission
DE2558058C3 (de) * 1975-12-22 1979-08-30 Blasius 7455 Jungingen Speidel Ablaßventil für Blutdruckmeßgeräte u.dgl
US4091815A (en) * 1976-07-06 1978-05-30 Larsen Otis M Flexible tube clamp
US4323173A (en) * 1976-11-17 1982-04-06 American Beverage Control Beverage dispenser pumping system to maintain live pressure after shut off
US4084786A (en) * 1977-01-28 1978-04-18 Tom Walters Valves
US4184815A (en) * 1977-03-14 1980-01-22 Extracorporeal Medical Specialties, Inc. Roller pump rotor with integral spring arms
DE2725575A1 (de) * 1977-06-07 1978-12-21 Karl Hehl Vorrichtung zum abwechselnden anschliessen eines manometers an verschiedene druckmesstellen
US4186618A (en) * 1977-08-05 1980-02-05 Eaton Corporation Transmission input decelerating and reversing mechanism
US4340202A (en) * 1977-10-07 1982-07-20 Emerson Electric Co. Four way valve
US4144774A (en) * 1977-11-21 1979-03-20 Westran Corporation Actuator device
US4224958A (en) * 1977-12-19 1980-09-30 Kaplan Stephen J Valve device for diverting and combining fluid flows
US4193174A (en) * 1978-04-11 1980-03-18 Portex, Inc. Lever and fulcrum clamping assembly
US4230149A (en) * 1978-05-22 1980-10-28 Eaton Corporation Fluid flow regulating valve and system
GB1605067A (en) * 1978-05-30 1981-12-16 Massey Ferguson Services Nv Transmission having a twospeed planetary gear set
US4191214A (en) * 1978-07-07 1980-03-04 Forney Engineering Company Sequential operating mechanism for valves
US4227548A (en) * 1979-02-27 1980-10-14 Botnick Irlin H Multiple control valve for mixing fluids
US4247076A (en) * 1979-04-16 1981-01-27 Abbott Laboratories Toggle action tubing clamp
US4282902A (en) * 1979-05-04 1981-08-11 Becton Dickinson & Company Valve apparatus for simultaneous control of a plurality of fluid paths
US4401626A (en) * 1979-05-17 1983-08-30 Phillips Petroleum Company Spray device useful in carbon black reactor
US4243063A (en) * 1979-09-14 1981-01-06 American Standard Inc. Mixing valve
US4253491A (en) * 1980-02-25 1981-03-03 Eaton Corporation Fluid flow regulating valve and system
GB2087008B (en) * 1980-05-19 1984-04-18 Vadetec Corp Power drive line having a wide range of speed ratios
US4474309A (en) * 1981-10-22 1984-10-02 Oximetrix, Inc. Stepping motor control procedure for achieving variable rate, quasi-continuous fluid infusion
US4445826A (en) * 1982-01-22 1984-05-01 Polaroid Corporation Peristaltic pump apparatus
US5190071A (en) * 1982-03-02 1993-03-02 Akos Sule Pinch valve assembly
US4590998A (en) * 1983-09-27 1986-05-27 Hopper Bobby E Tubing valve
US4563175A (en) * 1983-12-19 1986-01-07 Lafond Margaret Multiple syringe pump
US4533113A (en) * 1984-04-24 1985-08-06 Francart Jr Armand Compact high torque rotary valve operator for simultaneous actuation of multiple rotary valves
DE3429660A1 (de) * 1984-08-11 1986-02-13 Adam Opel AG, 6090 Rüsselsheim Anordnung zur betaetigung einer klappe
US4596374A (en) * 1984-11-29 1986-06-24 Baxter Travenol Laboratories, Inc. Clamp valve
GB8526055D0 (en) * 1985-10-22 1985-11-27 Ici Plc Electricity production
US4697785A (en) * 1986-04-14 1987-10-06 Tuseth Robert D Clamp for regulating flow of parenteral solutions
US4946434A (en) * 1986-07-22 1990-08-07 Haemonetics Corporation Disposable manifold and valve
US5087018A (en) * 1987-03-20 1992-02-11 Bissell Inc. Fluid flow control valve
US4757598A (en) * 1987-11-23 1988-07-19 Emerson Electric Co. Two speed transmission for power driven threading machine
US5074756A (en) * 1988-05-17 1991-12-24 Patient Solutions, Inc. Infusion device with disposable elements
US4903944A (en) * 1989-01-31 1990-02-27 Snap-On Tools Corporation Valve assembly and method
US4944485A (en) * 1989-08-28 1990-07-31 Ivac Corporation Clamp for flexible tubing
US4989641A (en) * 1989-10-11 1991-02-05 Santa Fe Energy Co. Rotary selector valve
SE464747B (sv) * 1990-02-23 1991-06-10 Atlas Copco Tools Ab Tvaahastigheters kraftoeverfoering foer ett motordrivet verktyg
DE4014602A1 (de) * 1990-05-07 1991-11-14 Max Planck Gesellschaft Dosiervorrichtung mit radialer anordnung von ventilen
JPH0810019B2 (ja) * 1990-12-26 1996-01-31 日本電池株式会社 ワンウェイクラッチを組込んだ遊星歯車変速機構
US5083741A (en) * 1991-05-10 1992-01-28 Block Medical, Inc. IV tube clamp with extended clamping surface
US5152497A (en) * 1991-05-13 1992-10-06 Timberline Northwest, Inc. Squeeze-off clamp
US5300034A (en) * 1992-07-29 1994-04-05 Minnesota Mining And Manufacturing Company Iv injection site for the reception of a blunt cannula
US5330000A (en) * 1992-09-22 1994-07-19 Halliburton Company Squeeze packer latch
US5402823A (en) * 1992-12-07 1995-04-04 George S. Cole & Associates, Incorporated Pinch valve
US5347992A (en) * 1993-01-22 1994-09-20 Karl Storz Endoscopy America, Inc. Single axis three way selector valve for endoscopes
US5413566A (en) * 1993-03-16 1995-05-09 Micropump Corporation Line clamp
CA2118979C (en) * 1993-03-18 2003-02-25 Spencer M. Nimberger Sampling pump
US5419684A (en) * 1993-06-14 1995-05-30 Minnesota Mining And Manufacturing Company Infusion pump with reversible motor and method of use
US5297773A (en) * 1993-07-16 1994-03-29 Fluoroware, Inc. Plastic valve with flexible tube and tube squeezing apparatus
US5478290A (en) * 1994-01-28 1995-12-26 Fairfield Manufacturing Co., Inc. Two speed high shift transmission
US5630710A (en) * 1994-03-09 1997-05-20 Baxter International Inc. Ambulatory infusion pump
US5658133A (en) * 1994-03-09 1997-08-19 Baxter International Inc. Pump chamber back pressure dissipation apparatus and method
DE4442352C1 (de) * 1994-11-29 1995-12-21 Braun Melsungen Ag Ventilvorrichtung
US5620025A (en) * 1994-12-01 1997-04-15 Associated Universities, Inc. Multi-port valve
JPH09112567A (ja) * 1995-10-23 1997-05-02 Minolta Co Ltd コイルバネを用いたすべり継手
US5723918A (en) * 1996-03-08 1998-03-03 Honeywell Inc. Bi-directional actuator using a random direction AC motor
US5746251A (en) * 1996-05-23 1998-05-05 Bullard; Horace Multi-port fluid valve
JP3763166B2 (ja) * 1996-07-10 2006-04-05 株式会社デンソー 減速装置
US5865915A (en) * 1996-08-07 1999-02-02 Spartech Industries, Inc. Bi-directional anti-slip drive wheel assembly
US5735175A (en) * 1996-10-18 1998-04-07 New Venture Gear, Inc. Multi-speed manual transaxle
US5712548A (en) * 1997-01-16 1998-01-27 Eti Systems, Inc. Bi-directional motor actuator
US5937980A (en) * 1997-02-24 1999-08-17 Dana Corporation Bi-directional one-way clutch
US5924324A (en) * 1997-10-09 1999-07-20 Ut Automotive Dearborn, Inc. Movable gear drive windshield wiper
JP4044187B2 (ja) * 1997-10-20 2008-02-06 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス型表示装置およびその作製方法
JP3519310B2 (ja) * 1998-06-12 2004-04-12 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP3114723B2 (ja) 1998-08-03 2000-12-04 日本電気株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
TW460731B (en) * 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
KR100325079B1 (ko) 1999-12-22 2002-03-02 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 고개구율 및 고투과율 액정표시장치의 제조방법
KR20020002052A (ko) * 2000-06-29 2002-01-09 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 프린지 필드 구동 모드 액정 표시 장치의 제조방법
KR100482468B1 (ko) 2000-10-10 2005-04-14 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 프린지 필드 구동 액정 표시 장치
TW575775B (en) * 2001-01-29 2004-02-11 Hitachi Ltd Liquid crystal display device
JP3750055B2 (ja) * 2001-02-28 2006-03-01 株式会社日立製作所 液晶表示装置
US6784966B2 (en) * 2001-03-06 2004-08-31 Seiko Epson Corp. Liquid crystal device, projection type display and electronic equipment
KR100471397B1 (ko) * 2001-05-31 2005-02-21 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 프린지 필드 스위칭 액정표시장치 및 그 제조방법
TWI298110B (en) * 2001-07-31 2008-06-21 Hitachi Ltd Liquid crystal display device
TWI271573B (en) * 2001-08-22 2007-01-21 Advanced Display Kk Liquid crystal display device and method of producing the same
KR100507280B1 (ko) * 2001-08-29 2005-08-09 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 프린지 필드 구동 액정 표시 장치
JP2003140188A (ja) * 2001-11-07 2003-05-14 Hitachi Ltd 液晶表示装置
KR100775393B1 (ko) * 2001-12-18 2007-11-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반투과형 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법
JP4162890B2 (ja) * 2001-12-27 2008-10-08 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JP4047586B2 (ja) * 2002-01-10 2008-02-13 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置
JP3881248B2 (ja) * 2002-01-17 2007-02-14 株式会社日立製作所 液晶表示装置および画像表示装置
JP2003295207A (ja) * 2002-03-29 2003-10-15 Nec Lcd Technologies Ltd 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置
US6933528B2 (en) * 2002-04-04 2005-08-23 Nec Lcd Technologies, Ltd. In-plane switching mode active matrix type liquid crystal display device and method of fabricating the same
KR100904519B1 (ko) * 2002-12-31 2009-06-25 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법
JP3971778B2 (ja) * 2003-07-14 2007-09-05 株式会社 日立ディスプレイズ 表示装置
JP2005057242A (ja) * 2003-07-18 2005-03-03 Seiko Epson Corp 薄膜トランジスタ、アクティブマトリクス基板、表示装置、及び電子機器
KR20050030788A (ko) * 2003-09-26 2005-03-31 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 프린지 필드 구동 액정표시장치의 제조 방법
JP4381782B2 (ja) * 2003-11-18 2009-12-09 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
JP4326307B2 (ja) * 2003-11-19 2009-09-02 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
KR100648223B1 (ko) * 2005-05-11 2006-11-24 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 반투과형 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치
JP4572854B2 (ja) * 2006-03-29 2010-11-04 ソニー株式会社 液晶装置及び電子機器
JP4404084B2 (ja) * 2006-10-31 2010-01-27 エプソンイメージングデバイス株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示装置

Cited By (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101451752B1 (ko) * 2007-03-13 2014-10-16 세이코 엡슨 가부시키가이샤 전계 구동형 장치 및 전자 기기
KR101033346B1 (ko) * 2007-08-16 2011-05-09 소니 주식회사 액정 표시 장치
KR101526262B1 (ko) * 2007-09-28 2015-06-10 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 액정 표시 장치 및 전자 기기
KR101130526B1 (ko) * 2007-11-21 2012-03-28 소니 주식회사 액정 표시 장치
KR100975470B1 (ko) * 2008-04-14 2010-08-11 하이디스 테크놀로지 주식회사 Ｆｆｓ 모드 액정표시장치
US9281320B2 (en) 2008-07-08 2016-03-08 Samsung Display Co., Ltd. Array substrate and liquid crystal display apparatus having the same
KR20100032074A (ko) * 2008-09-17 2010-03-25 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
KR20100131674A (ko) * 2009-06-08 2010-12-16 엘지디스플레이 주식회사 액정패널 및 이를 구비한 액정표시장치
KR101219821B1 (ko) * 2009-08-17 2013-01-08 하이디스 테크놀로지 주식회사 Ｆｆｓ 모드 액정표시장치 및 그 제조방법
KR101631620B1 (ko) * 2009-10-13 2016-06-17 엘지디스플레이 주식회사 프린지 필드형 액정표시장치 및 그 제조방법
US9664968B2 (en) 2009-12-18 2017-05-30 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display device
US10488726B2 (en) 2009-12-18 2019-11-26 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display device
US11803090B2 (en) 2009-12-18 2023-10-31 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display device
US11150529B2 (en) 2009-12-18 2021-10-19 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR20110072042A (ko) * 2009-12-22 2011-06-29 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
US9411199B2 (en) 2011-10-24 2016-08-09 Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate and color filter substrate of display device and method for manufacturing the same
KR20130067915A (ko) * 2011-12-14 2013-06-25 엘지디스플레이 주식회사 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이기판 및 제조방법
US9759940B2 (en) 2011-12-22 2017-09-12 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
US11237421B2 (en) 2011-12-22 2022-02-01 Lg Display Co., Ltd Display device
US10718968B2 (en) 2011-12-22 2020-07-21 Lg Display Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
KR101524449B1 (ko) * 2011-12-22 2015-06-02 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
US11714309B2 (en) 2011-12-22 2023-08-01 Lg Display Co., Ltd. Display device
US9977274B2 (en) 2011-12-22 2018-05-22 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
KR101279297B1 (ko) * 2011-12-26 2013-06-26 하이디스 테크놀로지 주식회사 에프에프에스 모드 액정표시장치 및 그 제조방법
US8976328B2 (en) 2012-02-27 2015-03-10 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for fabricating the same
US9500923B2 (en) 2012-03-14 2016-11-22 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of fabricating the same
KR20140008247A (ko) * 2012-07-11 2014-01-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치, 및 액정 표시 장치의 구동 방법
US9772516B2 (en) 2013-09-30 2017-09-26 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display and method of manufacturing the same
KR20150071317A (ko) * 2013-12-18 2015-06-26 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
US9720296B2 (en) 2015-02-12 2017-08-01 Innolux Corporation Display panel
US10303022B2 (en) 2015-02-12 2019-05-28 Innolux Corporation Display panel
CN105988250B (zh) * 2015-02-12 2019-08-16 群创光电股份有限公司 显示面板
CN105988250A (zh) * 2015-02-12 2016-10-05 群创光电股份有限公司 显示面板
KR20170033935A (ko) * 2015-09-17 2017-03-28 엘지디스플레이 주식회사 보상용 박막 트랜지스터를 구비한 액정 표시장치
KR20170121115A (ko) * 2017-10-23 2017-11-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007226175A (ja) 2007-09-06
US20070171319A1 (en) 2007-07-26
KR100841153B1 (ko) 2008-06-24
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