KR20100131674A

KR20100131674A - 액정패널 및 이를 구비한 액정표시장치

Info

Publication number: KR20100131674A
Application number: KR1020090050387A
Authority: KR
Inventors: 이휘득; 박재석; 박동석
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2009-06-08
Filing date: 2009-06-08
Publication date: 2010-12-16
Also published as: KR101654763B1

Abstract

액정패널 및 이를 구비한 액정표시장치가 개시된다.

본 발명에 따른 액정패널 및 이를 구비한 액정표시장치는 3개의 R, G, B 서브 픽셀과 1개의 ECB 모드용 서브 픽셀로 구성된 화소를 포함하는 액정패널의 하부기판에 1 및 제2 투명전극을 형성하고 상기 액정패널의 상부기판 상에 제3 투명전극을 형성하여 상기 ECB 모드용 서브 픽셀에서 수평전계 및 상하 전계가 모두 형성되도록 하여 개구율을 향상시켜 광시야각을 확보할 수 있다.

광시야각, 수평전계, 상하 전계, ECB 모드, 제1 내지 제3 투명전극

Description

액정패널 및 이를 구비한 액정표시장치{Liquid crystal display panel and liquid crystal display device having the same}

본 발명은 액정패널에 관한 것으로, 특히 개구율을 향상시켜 광시야각을 확보할 수 있는 액정패널 및 이를 구비한 액정표시장치에 관한 것이다.

근래, 핸드폰(Mobile Phone), PDA, 노트북 컴퓨터와 같은 각종 휴대용 전자기기가 발전함에 따라 이에 적용할 수 있는 경량, 박형의 평판표시장치(Flat Panel Display device)에 대한 요구가 점차 증대되고 있다. 이러한 평판표시장치로는 LCD(Liquid Crystal Display device), PDP(Plasma Display Panel), FED(Field Emission Display device), VFD(Vacuum Fluorescent Display device) 등이 활발히 연구되고 있지만, 양산화 기술, 구동수단의 용이성, 고화질의 구현이라는 이유로 인해 현재에는 액정표시장치(LCD)가 각광받고 있다.

이러한 액정표시장치는 액정 분자의 배열에 따라 다양한 표시모드가 존재하지만, 현재에는 흑백표시가 용이하고 응답속도가 빠르며 구동전압이 낮다는 장점때문에 TN 모드의 액정표시장치가 사용되고 있다. 이러한 TN 모드의 액정표시장치에서는 기판과 수평하게 배향된 액정분자가 전압이 인가될 때 기판과 거의 수직으로 배향된다. 따라서, 액정분자의 굴절률 이방성에 의해 전압의 인가시 시야각이 좁아진다는 문제가 있었다. 이러한 시야각 문제를 해결하기 위해, 근래 광시야각 특성을 갖는 각종 모드의 액정표시장치가 제안되고 있지만, 그 중에서도 횡전계모드(In Plane Switching Mode)의 액정표시장치가 실제 양산에 적용되어 생산되고 있다.

상기 IPS 모드의 액정표시장치는 전압을 인가했을 때 평면상의 횡전계를 형성하여 액정분자를 평면상으로 배향함으로써 시야각 특성을 향상시킨 것이다. 상기 IPS 모드 액정표시장치는 액정의 초기 배향이 기판과 평행가헤 배열되며 기판에 실직적으로 평행방향으로 전계에 따른 회전이 일어나므로 시야각 특성이 우수하다. 그러나 IPS 모드는 시야각 특성이 우수한 대신에 응답속도가 느리고 개구율이 감소되는 문제가 있다.

또한 시야각이 넓은 것만이 사용자에게 유리한 것이 아닐 수 있다. 예를 들어 비밀 문서를 작성, 열람하거나 보안이 필요한 작업을 할 경우 또는 ATM 기기 등을 사용할 경우에 있어서는 광시야각보다는 협시야각이 더욱 요구된다.

이러한 요구에 따라, 하나의 화소를 IPS 모드로 구동되는 3개의 RGB 서브픽셀과 ECB 모드로 구동되는 1개의 ECB용 서브 픽셀로 구성된 액정표시장치가 개발되었다. 상기 액정표시장치는 사용자의 선택에 따라 넓은 시야각을 갖는 표시장치 또는 좁은 시야각을 갖는 표시장치로 사용이 가능해진다.

그런데, 이러한 액정표시장치는 한 화소마다 시야각 제어를 위해 항상 블랙 상태를 유지하는 ECB용 서브 픽셀을 포함하고 있어서 전체 개구율이 25% 정도 감소된 상태가 된다. 상기 25% 정도의 감소된 개구율에 따른 휘도 보상을 위해서 상기 액정표시장치는 백라이트 또는 편광판에서 휘도 보상용 필름 및 광을 향상시키는 별도의 방법으로 대응하고 있다. 상기 휘도 보상용 필름의 경우에는 1개의 액정패널당 4$ 정도의 가격이 예상되기 때문에 별도의 제조 비용이 증가할 수 있다.

본 발명은 3개의 RGB 서브 픽셀과 1개의 ECB용 서브 픽셀을 포함하는 화소를 구비한 액정패널에 3개의 투명전극을 형성하여 상기 ECB용 서브 픽셀에 수평 전계 및 상하 전계가 모두 형성되도록 하여 개구율을 향상시킬 수 있는 액정패널 및 이를 구비한 액정표시장치를 제공함에 그 목적이 있다.

또한, 본 발명은 개구율 향상에 따른 광시야각 확보를 가능하게 하는 액정패널 및 이를 구비한 액정표시장치를 제공함에 그 목적이 있다.

이와 더불어, 본 발명은 휘도 보상 필름이 불필요하게 되어 제조비용을 절감시킬 수 있는 액정패널 및 이를 구비한 액정표시장치를 제공함에 그 목적이 있다.

본 발명의 실시예에 따른 액정패널은 복수의 게이트라인 및 데이터라인의 교차에 의해 정의되는 R, G, B 서브 픽셀과 ECB 모드 용 서브 픽셀로 구성되는 단위화소와, 상기 R, G, B 서브 픽셀과 ECB 모드 용 서브 픽셀마다 형성되는 박막트랜지스터와, 상기 R, G, B, 서브 픽셀과 ECB 모드 용 서브 픽셀마다 형성되며 상기 데이터라인과 수평한 공통전극 라인과, 상기 R, G, B 서브 픽셀과 ECB 모드 용 서브 픽셀마다 형성되며 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 쇼트 되는 제1 투명 전극과, 상기 R, G, B 서브 픽셀과 ECB 모드 용 서브 픽셀마다 형성되며 상기 제1 투명 전극 상에 상기 제1 투명 전극과 수평 전계를 형성하는 제2 투명 전극과, 상기 ECB 모드 용 서브 픽셀에 형성된 제1 및 제2 투명 전극이 형성된 제1 기판에 대 향하는 제2 기판에 형성된 제3 투명 전극과, 상기 R, G, B 서브 픽셀과 ECB 모드 용 서브 픽셀마다 형성되며 상기 제2 투명 전극이 분기되는 공통연결라인과, 상기 ECB 모드 용 서브 픽셀에 형성되어 상기 ECB 모드 용 서브 픽셀에 형성된 제1 투명 전극의 가장자리를 감싸는 스토리지 전극 및 상기 제1 및 제2 기판 사이에 형성된 액정층을 포함한다.

본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치는 복수의 게이트라인 및 데이터라인의 교차에 의해 정의되는 R, G, B 서브 픽셀과 ECB 모드 용 서브 픽셀로 구성되는 단위화소와, 상기 R, G, B 서브 픽셀과 ECB 모드 용 서브 픽셀마다 형성되는 박막트랜지스터와. 상기 R, G, B, 서브 픽셀과 ECB 모드 용 서브 픽셀마다 형성되며 상기 데이터라인과 수평한 공통전극 라인과, 상기 R, G, B 서브 픽셀과 ECB 모드 용 서브 픽셀마다 형성되며 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 쇼트 되는 제1 투명 전극과, 상기 R, G, B 서브 픽셀과 ECB 모드 용 서브 픽셀마다 형성되며 상기 제1 투명 전극 상에 상기 제1 투명 전극과 수평 전계를 형성하는 제2 투명 전극과, 상기 ECB 모드 용 서브 픽셀에 형성된 제1 및 제2 투명 전극이 형성된 제1 기판에 대향하는 제2 기판에 형성된 제3 투명 전극과, 상기 R, G, B 서브 픽셀과 ECB 모드 용 서브 픽셀마다 형성되며 상기 제2 투명 전극이 분기되는 공통연결라인과, 상기 ECB 모드 용 서브 픽셀에 형성되어 상기 ECB 모드 용 서브 픽셀에 형성된 제1 투명 전극의 가장자리를 감싸는 스토리지 전극 및 상기 제1 및 제2 기판 사이에 형성된 액정층을 포함하는 액정패널과, 상기 액정패널의 게이트라인으로 스캔 신호를 공급하는 게이트 드라이버와, 상기 액정패널의 데이터라인으로 데이터 신호를 공급하는 데이터 드라이버 및 상기 액정패널의 R, G, B 모드 용 서브 픽셀에 형성된 제2 투명 전극으로 공통전압을 공급하고, 상기 액정패널의 ECB 모드 용 서브 픽셀에 형성된 제2 및 제3 투명 전극으로 선택적으로 공통전압을 공급하는 공통전압 생성부를 포함한다.

본 발명은 3개의 RGB 서브 픽셀과 1개의 ECB용 서브 픽셀을 포함하는 화소를 구비한 액정패널에 3개의 투명전극을 형성하여 상기 ECB용 서브 픽셀에 수평 전계 및 상하 전계가 모두 형성되도록 하여 개구율을 향상시켜 광시야갹을 확보할 수 있다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 설명하기로 한다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 액정패널의 제1 기판의 평면도를 나타낸 도면이다.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 액정패널의 제1 기판에는 복수의 게이트라인(GL)과 상기 게이트라인(GL)과 교차하는 복수의 데이터라인(DL)이 형성되고, 상기 복수의 게이트라인(GL) 및 데이터라인(DL)에 의해 정의되는 복수의 단위화소가 형성된다. 이때, 상기 단위화소는 4개의 서브 픽셀을 포함한다. 상기 4개의 서브 픽셀은 R, G, B 서브 픽셀과 ECB(Electrically Controled Birefringence) 모드 용 서브 픽셀을 구비한다.

상기 4개의 서브 픽셀 내에는 상기 게이트라인(GL)으로부터 연장되는 게이트 전극(101)과, 상기 데이터라인(DL)으로부터 연장되는 소스 전극(103)과, 상기 소스 전극(103)과 일정간격 이격된 데이터 전극(107)이 형성되어 있다. 상기 게이트 전극(101) 상에는 도시하지 않은 액티브 층이 형성되어 있다. 상기 게이트 전극(101)과, 액티브 층과, 소스 및 드레인 전극(103, 107)은 박막트랜지스터(TFT)를 형성한다.

또한, 상기 4개의 서브 픽셀 내에는 상기 드레인 전극(107)과 쇼트(short)되며 큰 면적을 갖는 제1 투명 전극(110)과, 상기 게이트라인(GL)에 수평한 공통연결라인(120a)과, 상기 공통연결라인(120a)으로부터 분기하는 적어도 2 이상의 제2 투명 전극(120b)이 형성된다. 이와 더불어 상기 4개의 서브 픽셀 내에는 상기 데이터라인(DL)과 수평한 공통전극 라인(VL)이 형성된다. 이때, 상기 제1 및 제2 투명 전극(110, 120b)과 공통연결라인(120a)은 ITO(Indium Tin Oxide) 등의 투명한 도전성 재질로 구성될 수 있다.

상기 제1 투명 전극(110)은 픽셀전극으로 사용되고, 상기 제2 투명 전극(120b)은 공통전극으로 사용된다.

상기 4개의 서브 픽셀 중 ECB 모드 용 서브 픽셀에는 상기 게이트 라인(GL)과 동일한 공정 및 재질로 형성된 스토리지 전극(102)이 형성되는데, 상기 스토리지 전극(102)은 상기 ECB 모드 용 서브 픽셀에서 상기 제1 투명 전극(110)의 가장자리를 둘러싸며 형성된다. 또한, 상기 ECB 모드 용 서브 픽셀에는 제1 및 제2 컨택홀(H1, H2)이 형성된다.

상기 제1 컨택홀(H1)은 상기 ECB 모드 용 서브 픽셀에 형성된 공통전극 라 인(VL)과 상기 ECB 모드 용 서브 픽셀에 형성된 제2 투명 전극(120b)이 서로 전기적으로 연결되도록 한다. 상기 제2 컨택홀(H2)은 상기 ECB 모드 용 서브 픽셀에 형성된 스토리지 전극(102)을 인접한 R, G, B 서브 픽셀 중 어느 하나의 서브 픽셀에 형성된 공통연결라인(120a) 또는 제2 투명 전극(120b)과 전기적으로 연결되도록 한다.

도 2는 도 1의 액정패널의 제1 기판에 제2 기판을 합착한 평면도를 나타낸 도면이다.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 4개의 서브 픽셀 중 ECB 모드 용 서브 픽셀 상에는 제3 투명 전극(130)이 전면으로 형성된다. 상기 제3 투명 전극(130)은 인접한 R, G, B 서브 픽셀 중 하나의 서브 픽셀의 게이트 라인(GL)과 중첩되는 투명전극 연결라인(135)과 전기적으로 접속되어 있다. 상기 투명전극 연결라인(135)은 단위화소마다 형성된 ECB 모드 용 서브 픽셀에 형성된 제3 투명 전극(130)들과 전기적으로 접속되며 외부 인쇄회로기판 상에 배치된 공통전압 발생부로부터 출력된 공통전압(Vcom)을 상기 제3 투명 전극(130)에 공급하는 역할을 한다.

상기 제3 투명 전극(130) 및 상기 투명전극 연결라인(135)은 상기 공통연결라인(120a)과 제1 및 제2 투명 전극(110, 120b)과 마찬가지로 ITO(Indium Tin Oxide) 등의 투명한 도전성 재질로 구성될 수 있다.

도 3은 도 1의 R 서브 픽셀을Ⅰ ~ Ⅰ'을 따라 절단한 단면을 나타낸 도면이다.

도 1 및 도3에 도시된 바와 같이, R 서브 픽셀은 제1 유리기판(100) 상에 형성된 게이트 절연층(104)과, 상기 게이트 절연층(104)의 양끝단부에 형성된 데이터 라인(DL) 및 공통전극 라인(VL)과, 상기 게이트 절연층(104) 상에서 상기 데이터라인(DL)과 공통전극 라인(VL)이 형성되지 않는 영역에 형성된 제1 투명 전극(110)과, 상기 데이터라인(DL)과 공통전극 라인(VL) 및 제1 투명 전극(110)을 보호하도록 형성된 보호층(108)과, 상기 보호층(108) 상에서 상기 제1 투명 전극(110)과 중첩되는 제2 투명 전극(120b)을 포함한다.

앞서 서술한 바와 같이, 상기 제1 투명 전극(110)은 도 1의 박막트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(107)과 쇼트된 상태이므로, 상기 데이터라인(DL)으로부터 공급된 데이터 신호가 상기 제1 투명 전극(110)으로 제공되어 픽셀전극으로 사용될 수 있다. 상기 제2 투명 전극(120b)에는 공통전압이 인가되어 상기 제2 투명 전극(120b)은 공통전극으로 사용될 수 있다. 이때, 상기 제1 투명 전극(110)은 상기 제2 투명 전극(120b)에 비해 큰 면적을 갖는다.

도 4는 도 1의 ECB 모드 용 서브 픽셀을 Ⅱ ~ Ⅱ'을 따라 절단한 단면을 나타낸 도면이다.

도 1 및 도 4에 도시된 바와 같이, ECB 모드 용 서브 픽셀은 제1 유리기판(100) 상에 도 1의 게이트라인(GL)과 동일 공정 및 재질로 형성된 스토리지 전극(102)과, 상기 스토리지 전극(102) 상에 형성된 게이트 절연층(104)과, 상기 게이트 절연층(104)의 양끝단부에 형성되며 상기 스토리지 전극(102)과 중첩되지 않는 영역에 형성된 데이터라인(DL)과 공통전극 라인(VL)과, 상기 게이트 절연 층(104) 상에서 상기 데이터라인(DL)과 공통전극 라인(VL)이 형성되지 않는 영역에 형성된 제1 투명 전극(110)과, 상기 데이터라인(DL)과 공통전극 라인(VL) 및 제1 투명 전극(110)을 보호하도록 형성된 보호층(108)과, 상기 보호층(108) 상에서 상기 제1 투명 전극(110)과 중첩되는 제2 투명 전극(120b)을 포함한다.

상기 스토리지 전극(102)은 상기 ECB 모드 용 서브 픽셀과 인접한 R, G, B 서브 픽셀 중 어느 하나의 서브 픽셀에 포함된 공통연결라인(120a) 또는 제2 투명 전극(120b)과 전기적으로 연결된다. 따라서, 상기 ECB 모드 용 서브 픽셀과 인접한 R, G, B 서브 픽셀 중 어느 하나의 서브 픽셀에 포함된 공통연결라인(120a) 또는 제2 투명 전극(120b)에 공통전압이 공급되는 동안 상기 스토리지 전극(102)에는 공통전압이 제공된다.

상기 제1 투명 전극(110)은 도 1의 박막트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(107)과 쇼트된 상태이므로, 상기 데이터라인(DL)으로부터 공급된 데이터 신호가 상기 제1 투명 전극(110)으로 제공되어 픽셀전극으로 사용될 수 있다. 상기 제2 투명 전극(120b)에는 공통전압이 인가되어 상기 제2 투명 전극(120b)은 공통전극으로 사용될 수 있다. 이때, 상기 제1 투명 전극(110)은 상기 제2 투명 전극(120b)에 비해 큰 면적을 갖는다.

도 5는 도 2의 R 서브 픽셀을 Ⅲ ~ Ⅲ'을 따라 절단한 단면을 나타낸 도면이다.

도 2 및 도 5에 도시된 바와 같이, R 서브 픽셀은 제1 유리기판(100) 상에 형성된 게이트 절연층(104)과, 상기 게이트 절연층(104)의 양끝단부에 형성된 데이 터 라인(DL) 및 공통전극 라인(VL)과, 상기 게이트 절연층(104) 상에서 상기 데이터라인(DL)과 공통전극 라인(VL)이 형성되지 않는 영역에 형성된 제1 투명 전극(110)과, 상기 데이터라인(DL)과 공통전극 라인(VL) 및 제1 투명 전극(110)을 보호하도록 형성된 보호층(108)과, 상기 보호층(108) 상에서 상기 제1 투명 전극(110)과 중첩되는 제2 투명 전극(120b)을 포함한다.

또한, 상기 R 서브 픽셀은 제2 유리기판(122) 상에 상기 제1 유리기판(100)의 데이터라인(DL) 및 공통전극 라인(VL)과 각각 대응되게 형성된 블랙 매트릭스(124)와, 상기 블랙 매트릭스(124) 상에 형성된 적색(R) 컬러를 갖는 적색 컬러필터(126)와, 상기 적색 컬러 필터(126) 상에 형성된 평탄화층(128)을 포함한다. 이와 더불어, 상기 R 서브 픽셀은 상기 제1 및 제2 유리기판(100, 122) 사이에 형성된 액정층(도시하지 않음)을 포함한다.

상기 액정층을 구동하는 경우, 상기 제1 투명 전극(110)에는 데이터 신호가 제공되고 상기 제2 투명 전극(120b)에는 공통전압이 제공되어 상기 제1 투명 전극(110)과 상기 제2 투명 전극(120b) 사이에는 수평전계가 발생하게 된다. 즉, 상기 R 서브 픽셀에 포함된 액정층을 구동하는 경우에 상기 R 서브 픽셀에서는 수평전계가 발생하게 된다.

도 6은 도 2의 ECB 모드 용 서브 픽셀을 Ⅳ ~ Ⅳ'을 따라 절단한 단면을 나타낸 도면이다.

도 2 및 도 6에 도시된 바와 같이, ECB 모드 용 서브 픽셀은 제1 유리기판(100) 상에 도 1의 게이트라인(GL)과 동일 공정 및 재질로 형성된 스토리지 전 극(102)과, 상기 스토리지 전극(102) 상에 형성된 게이트 절연층(104)과, 상기 게이트 절연층(104)의 양끝단부에 형성되며 상기 스토리지 전극(102)과 중첩되지 않는 영역에 형성된 데이터라인(DL)과 공통전극 라인(VL)과, 상기 게이트 절연층(104) 상에서 상기 데이터라인(DL)과 공통전극 라인(VL)이 형성되지 않는 영역에 형성된 제1 투명 전극(110)과, 상기 데이터라인(DL)과 공통전극 라인(VL) 및 제1 투명 전극(110)을 보호하도록 형성된 보호층(108)과, 상기 보호층(108) 상에서 상기 제1 투명 전극(110)과 중첩되는 제2 투명 전극(120b)을 포함한다.

또한, 상기 ECB 모드 용 서브 픽셀은 제2 유리기판(122) 상에 상기 제1 유리기판(100)의 데이터라인(DL) 및 공통전극 라인(VL)과 각각 대응되게 형성된 블랙 매트릭스(124)와, 상기 블랙 매트릭스(124)가 형성된 제2 유리기판(122) 전면에 형성된 평탄화층(128)과, 상기 평탄화층(128) 상에 형성된 제3 투명 전극(130)을 포함한다. 이와 더불어, 상기 ECB 모드 용 서브 픽셀은 상기 제1 및 제2 유리기판(100, 122) 사이에 형성된 액정층(도시하지 않음)을 포함한다.

상기 ECB 모드 용 서브 픽셀에 형성된 액정층의 액정은 도 2의 R 서브 픽셀에 형성된 액정층의 액정과 동일하게 배향된다.

상기 ECB 모드 용 서브 픽셀 상에서 수평 전계(①)가 형성되도록 하기 위해서는 상기 제1 투명 전극(110)에 데이터 신호를 제공하고 상기 제2 투명 전극(120b)에 공통전압을 제공한다. 이때, 상기 제2 유리기판(122) 상에 형성된 제3 투명 전극(130)은 플로팅(floating) 상태를 유지한다. 즉, 상기 제3 투명 전극(130)에는 공통전압이 공급되지 않는다.

결국, 상기 ECB 모드 용 서브 픽셀에서 수평 전계(①)가 형성될 때에는 상기 제1 및 제2 투명 전극(110, 120b)만이 상기 액정층의 동작에 관여하게 된다. 상기 ECB 모드 용 서브 픽셀에서 수평 전계(①)가 형성되므로 상기 ECB 모드 용 서브 픽셀에 형성된 액정은 도 1의 R, G, B 서브 픽셀에 형성된 액정과 동일하게 구동된다. 상기 ECB 모드 용 서브 픽셀이 상기 R, G, B 서브 픽셀과 동일하게 구동되므로 상기 ECB 모드 용 서브 픽셀은 컬러필터가 존재하지 않으므로 백색광이 투과된다.

상기 백색광은 상기 R, G, B 서브 픽셀에 표시된 데이터의 감마 커브 곡선에 따라 조절될 수 있다.

상기 ECB 모드 용 서브 픽셀에서 수평 전계(①)가 형성되어 백색광이 투과되므로 상기 ECB 모드 용 서브 픽셀을 포함하는 단위화소의 개구율이 향상될 수 있다.

상기 ECB 모드 용 서브 픽셀 상에서 상하 전계(②)가 형성되도록 하기 위해서는 상기 제1 투명 전극(110)에 데이터 신호를 제공하고 상기 제3 투명 전극(130)에 공통전압을 제공한다. 이때, 상기 제1 유리기판(100) 상에 형성된 제2 투명 전극(120b)은 플로팅(floating) 상태를 유지한다. 즉, 상기 제2 투명 전극(120b)에는 공통전압이 공급되지 않는다.

결국, 상기 ECB 모드 용 서브 픽셀에서 상하 전계(②)가 형성될 때에는 상기 제1 및 제3 투명전극(110, 130)만이 상기 ECB 모드 용 서브 픽셀에 형성된 액정층의 동작에 관여하게 된다. 상기 ECB 모드 용 서브 픽셀에서 상하 전계(②)가 형성되므로 상기 ECB 모드 서브 픽셀은 블랙을 상태를 유지하게 된다. 상기 ECB 모드 용 서브 픽셀에서 상하 전계(②)가 형성되면 상기 ECB 모드 용 서브 픽셀에 포함된 액정이 수직 방향으로 세워지는 동작을 하므로 시야각이 좁아지는 특성에 따라 화상을 볼 수 있는 각이 좁아지게 된다. 좁은 시야각이 요구되는 경우에 상기 ECB 모드 용 서브 픽셀을 상하 전계(②)가 형성되도록 구동한다.

이와 같이, 상기 ECB 모드 용 서브 픽셀은 외부 사용자의 선택에 따라 수평 전계(①) 및 상하 전계(②)를 형성하여 광시야각 또는 협시야각의 액정표시장치에 적용될 수 있다.

상기 ECB 모드 용 서브 픽셀에서 수평 전계(①)가 형성되어 백색 광이 출사되므로 상기 ECB 모드 용 서브 픽셀을 구비한 단위화소의 휘도가 향상되어 기존의 액정표시장치와 달리 별도의 휘도 보상 필름이 필요로 하지 않는다. 상기 휘도 보상 필름이 필요하지 않기 때문에 본 발명에 따른 액정표시장치는 제조 비용을 절감할 수 있다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 액정패널의 제1 기판의 평면도를 나타낸 도면.

도 2는 도 1의 액정패널의 제1 기판에 제2 기판을 합착한 평면도를 나타낸 도면.

도 3은 도 1의 R 서브 픽셀을Ⅰ ~ Ⅰ'을 따라 절단한 단면을 나타낸 도면.

도 4는 도 1의 ECB 모드 용 서브 픽셀을 Ⅱ ~ Ⅱ'을 따라 절단한 단면을 나타낸 도면.

도 5는 도 2의 R 서브 픽셀을 Ⅲ ~ Ⅲ'을 따라 절단한 단면을 나타낸 도면.

도 6은 도 2의 ECB 모드 용 서브 픽셀을 Ⅳ ~ Ⅳ'을 따라 절단한 단면을 나타낸 도면.

Claims

복수의 게이트라인 및 데이터라인의 교차에 의해 정의되는 R, G, B 서브 픽셀과 ECB 모드 용 서브 픽셀로 구성되는 단위화소;

상기 R, G, B 서브 픽셀과 ECB 모드 용 서브 픽셀마다 형성되는 박막트랜지스터;

상기 R, G, B, 서브 픽셀과 ECB 모드 용 서브 픽셀마다 형성되며 상기 데이터라인과 수평한 공통전극 라인;

상기 R, G, B 서브 픽셀과 ECB 모드 용 서브 픽셀마다 형성되며 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 쇼트 되는 제1 투명 전극;

상기 R, G, B 서브 픽셀과 ECB 모드 용 서브 픽셀마다 형성되며 상기 제1 투명 전극 상에 상기 제1 투명 전극과 수평 전계를 형성하는 제2 투명 전극;

상기 ECB 모드 용 서브 픽셀에 형성된 제1 및 제2 투명 전극이 형성된 제1 기판에 대향하는 제2 기판에 형성된 제3 투명 전극;

상기 R, G, B 서브 픽셀과 ECB 모드 용 서브 픽셀마다 형성되며 상기 제2 투명 전극이 분기되는 공통연결라인;

상기 ECB 모드 용 서브 픽셀에 형성되어 상기 ECB 모드 용 서브 픽셀에 형성된 제1 투명 전극의 가장자리를 감싸는 스토리지 전극; 및

상기 제1 및 제2 기판 사이에 형성된 액정층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정패널.
제1 항에 있어서,

상기 ECB 모드 용 서브 픽셀은 상기 ECB 모드 용 서브 픽셀에 형성된 공통전극라인과 상기 ECB 모드 용 서브 픽셀에 형성된 제2 투명전극을 전기적으로 연결되게 하는 제1 컨택홀과, 상기 스토리지 전극과 상기 R, G, B 서브 픽셀 중 어느 하나의 서브 픽셀에 형성된 제2 투명 전극을 전기적으로 연결되도록 하는 제2 컨택홀을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정패널.
제2 항에 있어서,

상기 제2 컨택홀은 상기 R, G, B 서브 픽셀 중 어느 하나의 서브 픽셀에 형성된 제2 투명 전극과 상기 스토리지 전극을 연결하여 상기 제2 투명 전극에 공통전압이 인가되는 동안에 상기 스토리지 전극으로 상기 공통전압이 인가되도록 하는 것을 특징으로 하는 액정패널.
제1 항에 있어서,

상기 ECB 모드 용 서브 픽셀에 형성된 제1 투명 전극으로 데이터 신호가 제공되고 상기 ECB 모드 용 서브 픽셀에 형성된 제2 투명 전극으로 공통전압이 제공되면 상기 ECB 모드 용 서브 픽셀에는 수평 전계가 형성되는 것을 특징으로 하는 액정패널.
제4 항에 있어서,

상기 ECB 모드 용 서브 픽셀에서 수평 전계가 형성되면 상기 ECB 모드 용 서브 픽셀에 형성된 제3 투명 전극은 플로팅 상태인 것을 특징으로 하는 액정패널.
제1 항에 있어서,

상기 ECB 모드 용 서브 픽셀에 형성된 제1 투명전극으로 데이터 신호가 제공되고 상기 ECB 모드 용 서브 픽셀에 형성된 제3 투명 전극으로 공통전압이 제공되면 상기 ECB 모드 용 서브 픽셀에는 상하 전계가 형성되는 것을 특징으로 하는 액정패널.
제6 항에 있어서,

상기 ECB 모드 용 서브 픽셀에서 상하 전계가 형성되면 상기 ECB 모드 용 서브 픽셀에 형성된 제2 투명 전극은 플로팅 상태인 것을 특징으로 하는 액정패널.
복수의 게이트라인 및 데이터라인의 교차에 의해 정의되는 R, G, B 서브 픽셀과 ECB 모드 용 서브 픽셀로 구성되는 단위화소와, 상기 R, G, B 서브 픽셀과 ECB 모드 용 서브 픽셀마다 형성되는 박막트랜지스터와. 상기 R, G, B, 서브 픽셀과 ECB 모드 용 서브 픽셀마다 형성되며 상기 데이터라인과 수평한 공통전극 라인과, 상기 R, G, B 서브 픽셀과 ECB 모드 용 서브 픽셀마다 형성되며 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 쇼트 되는 제1 투명 전극과, 상기 R, G, B 서브 픽셀과 ECB 모드 용 서브 픽셀마다 형성되며 상기 제1 투명 전극 상에 상기 제1 투명 전극과 수평 전계를 형성하는 제2 투명 전극과, 상기 ECB 모드 용 서브 픽셀에 형성된 제1 및 제2 투명 전극이 형성된 제1 기판에 대향하는 제2 기판에 형성된 제3 투명 전극과, 상기 R, G, B 서브 픽셀과 ECB 모드 용 서브 픽셀마다 형성되며 상기 제2 투명 전극이 분기되는 공통연결라인과, 상기 ECB 모드 용 서브 픽셀에 형성되어 상기 ECB 모드 용 서브 픽셀에 형성된 제1 투명 전극의 가장자리를 감싸는 스토리지 전극 및 상기 제1 및 제2 기판 사이에 형성된 액정층을 포함하는 액정패널;

상기 액정패널의 게이트라인으로 스캔 신호를 공급하는 게이트 드라이버;

상기 액정패널의 데이터라인으로 데이터 신호를 공급하는 데이터 드라이버; 및

상기 액정패널의 R, G, B 모드 용 서브 픽셀에 형성된 제2 투명 전극으로 공통전압을 공급하고, 상기 액정패널의 ECB 모드 용 서브 픽셀에 형성된 제2 및 제3 투명 전극으로 선택적으로 공통전압을 공급하는 공통전압 생성부;를 포함하는 액정표시장치.
제8 항에 있어서,

상기 ECB 모드 용 서브 픽셀은 상기 ECB 모드 용 서브 픽셀에 형성된 공통전극라인과 상기 ECB 모드 용 서브 픽셀에 형성된 제2 투명전극을 전기적으로 연결되게 하는 제1 컨택홀과, 상기 스토리지 전극과 상기 R, G, B 서브 픽셀 중 어느 하나의 서브 픽셀에 형성된 제2 투명 전극을 전기적으로 연결되도록 하는 제2 컨택홀 을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
제9 항에 있어서,

상기 제2 컨택홀은 상기 R, G, B 서브 픽셀 중 어느 하나의 서브 픽셀에 형성된 제2 투명 전극과 상기 스토리지 전극을 연결하여 상기 제2 투명 전극에 공통전압이 인가되는 동안에 상기 스토리지 전극으로 상기 공통전압이 인가되도록 하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.