KR100775393B1 - 반투과형 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반투과형 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 광원의 종류에 따라 액정 표시 장치 하부에 백라이트를 배치시켜 사용하는 투과형 액정 표시 장치와 외부 광원을 이용하는 반사형 액정 표시 장치가 있다. 투과형 액정 표시 장치는 소비 전력이 크며, 반사형 액정 표시 장치는 어두운 환경에서는 사용하기 어려운 단점이 있다. 또한, 액정 표시 장치는 시야각이 좁다는 문제가 있다.
본 발명에서는 공통 전극과 화소 전극 사이에 프린지 필드를 형성하여 화소 영역 내의 액정 분자를 분할 배향함으로써 액정 표시 장치의 시야각을 향상시킬 수 있으며, 금속 물질로 전극을 형성하여 프린지 필드를 향상시키기 위한 측면 전극 및 반사 전극으로 사용함으로써, 액정 표시 장치를 반사 모드와 투과 모드로 사용할 수도 있다. 이때, 박막 트랜지스터를 덮는 보호층을 저유전상수를 가지는 유기 물질로 형성할 경우에는 화소 전극을 데이터 배선과 중첩시킬 수 있어, 개구율을 높일 수 있다. 또한, 반사 전극을 데이터 배선과 동일한 물질로 형성하여 제조 공정 및 비용을 감소시킬 수도 있다.
반투과, 시야각, 개구율, 슬릿패턴, 프린지 필드

Description

반투과형 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법{transflective liquid crystal display and manufacturing method thereof}
도 1은 일반적인 반사형 액정 표시 장치의 단면도.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반투과형 액정 표시 장치용 어레이 기판의 평면도.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반투과형 액정 표시 장치용 컬러필터 기판의 평면도.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반투과형 액정 표시 장치의 단면도.
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반투과형 액정 표시 장치의 단면도.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 의한 반투과형 액정 표시 장치의 어레이 기판에 대한 평면도.
도 7은 도 6에서 Ⅶ-Ⅶ선을 따라 자른 단면도.
도 8a 내지 도 8f는 본 발명에 따른 어레이 기판의 제조 과정을 도시한 단면도.
도 9는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 반투과형 액정 표시 장치의 단면도.
도 10은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 반투과형 액정 표시 장치의 어레이 기판에 대한 평면도.
도 11은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 반투과형 액정 표시 장치의 단면도.
도 12는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 반투과형 액정 표시 장치의 어레이 기판에 대한 평면도.
도 13은 도 12에서 ⅩⅢ-ⅩⅢ선을 따라 자른 단면도.
도 14a 내지 도 14f는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 어레이 기판의 제조 과정을 도시한 단면도.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
110 : 제 1 기판 130 : 게이트 절연막
161 : 데이터 배선 170 : 제 1 보호층
180 : 반사 전극 181 : 투과홀
190 : 제 2 보호층 200 : 화소 전극
210 : 제 2 기판 220 : 블랙 매트릭스
231, 232, 233 : 컬러필터 240 : 오버코트층
250 : 공통 전극 251 : 슬릿패턴
본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반투과형 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 정보화 사회로 시대가 급발전함에 따라 박형화, 경량화, 저 소비전력화 등의 우수한 특성을 가지는 평판 표시 장치(flat panel display)의 필요성이 대두되었다.
이러한 평판 표시 장치는 스스로 빛을 발하느냐 그렇지 못하냐에 따라 나눌 수 있는데, 스스로 빛을 발하여 화상을 표시하는 것을 발광형 표시 장치라 하고, 그렇지 못하고 외부의 광원을 이용하여 화상을 표시하는 것을 수광형 표시 장치라고 한다. 발광형 표시 장치로는 플라즈마 표시 장치(plasma display panel)와 전계 방출 표시 장치(field emission display), 전계 발광 표시 장치(electrolumine-scence display) 등이 있으며, 수광형 표시 장치로는 액정 표시 장치(liquid crystal display)가 있다.
이 중 액정 표시 장치가 해상도, 컬러(color)표시, 화질 등이 우수하여 노트북(notebook)이나 데스크탑 모니터(desktop monitor)에 활발하게 적용되고 있다.
일반적으로 액정 표시 장치는 전계 생성 전극이 각각 형성되어 있는 두 기판을 두 전극이 형성되어 있는 면이 마주 대하도록 배치하고 두 기판 사이에 액정 물질을 주입한 다음, 두 전극에 전압을 인가하여 생성되는 전기장에 의해 액정 분자를 움직이게 함으로써, 이에 따라 달라지는 빛의 투과율을 조절하여 화상을 표현하는 장치이다.
그런데, 액정 표시 장치는 앞서 언급한 바와 같이 스스로 빛을 발하지 못하 므로 별도의 광원이 필요하다.
따라서, 액정 패널(panel) 뒷면에 백라이트(backlight)를 배치하고 백라이트로부터 나오는 빛을 액정 패널에 입사시켜, 액정의 배열에 따라 빛의 양을 조절함으로써 화상을 표시한다. 이때, 액정 표시 장치의 전계 생성 전극은 투명 도전 물질로 형성되고, 두 기판 또한 투명 기판으로 이루어져야 한다.
이러한 액정 표시 장치를 투과형(transmission type) 액정 표시 장치라고 하는데, 투과형 액정 표시 장치는 백라이트와 같은 인위적인 배면광원을 사용하므로 어두운 외부 환경에서도 밝은 화상을 구현할 수 있으나, 백라이트로 인한 전력소비(power consumption)가 큰 단점이 있다.
이와 같은 단점을 보완하기 위해 반사형(reflection type) 액정 표시 장치가 제안되었다. 반사형 액정 표시 장치는 외부의 자연광이나 인조광을 반사시킴으로써 액정의 배열에 따라 빛의 투과율을 조절하는 형태로 투과형 액정 표시 장치에 비해 전력소비가 적다. 반사형 액정 표시 장치에서 하부의 전계 생성 전극은 반사가 잘 되는 도전 물질로 형성하고, 상부의 전계 생성 전극은 외부광을 투과시키기 위해 투명 도전 물질로 형성한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 일반적인 반사형 액정 표시 장치에 대하여 설명한다.
도 1은 일반적인 반사형 액정 표시 장치의 단면을 일부 도시한 것으로서, 도시한 바와 같이 소정간격을 가지고 제 1 기판(11)과 제 2 기판(21)이 배치되어 있다. 하부의 제 1 기판(11) 상에는 게이트(gate) 전극(12)이 형성되어 있으며, 그 위에 게이트 절연막(13)이 형성되어 있다. 도시하지 않았지만 게이트 절연막(13) 하부에는 게이트 전극(12)과 연결된 게이트 배선이 더 형성되어 있다. 다음, 게이트 전극(12) 상부의 게이트 절연막(13) 위에는 액티브(active)층(14)과 오믹 콘택(ohmic contact)층(15a, 15b)이 차례로 형성되어 있다. 오믹 콘택층(15a, 15b) 위에는 소스 및 드레인 전극(16b, 16c)이 형성되어 있는데, 소스(source) 및 드레인(drain) 전극(16b, 16c)은 게이트 전극(12)과 함께 박막 트랜지스터(T)를 이룬다. 한편, 소스 및 드레인 전극(16b, 16c)과 같은 물질로 이루어진 데이터 배선(16a)이 게이트 절연막(13) 위에 형성되어 있으며, 데이터 배선(16a)은 소스 전극(16b)과 연결되어 있다. 데이터 배선(16a)은 게이트 배선과 교차하여 화소 영역을 정의한다. 다음, 데이터 배선(16a)과 소스 및 드레인 전극(16b, 16c) 상부에는 유기 물질로 이루어진 보호층(17)이 형성되어 박막 트랜지스터(thin film transister : T)를 덮고 있으며, 보호층(17)은 드레인 전극(16c)을 드러내는 콘택홀(17a)을 가진다. 다음, 보호층(17) 상부의 화소 영역에는 화소 전극(18)이 형성되어 있어, 콘택홀(contact hole)(17a)을 통해 드레인 전극(16c)과 연결되어 있다. 여기서, 화소 전극(18)은 금속과 같은 도전 물질로 이루어지고, 박막 트랜지스터(T)를 덮고 있으며 데이터 배선(16a)과 중첩되어 있어 개구율을 향상시킬 수 있는데, 보호층(17)을 저유전상수를 가지는 유기 물질로 형성하여 화소 전극(18)과 데이터 배선(16a) 사이에 신호 간섭이 발생하지 않도록 한다.
한편, 제 2 기판(21)의 안쪽면에는 블랙 매트릭스(black matrix)(22)가 형성되어 있고, 그 하부에 적(R), 녹(G), 청(B)의 색이 순차적으로 반복되어 있는 컬러 필터(color filter)(23a, 23b, 23c)가 형성되어 있으며, 컬러필터(23a, 23b, 23c) 하부에는 투명 도전 물질로 이루어진 공통 전극(24)이 형성되어 있다. 여기서, 컬러필터(23a, 23b, 23c)는 하나의 색이 하나의 화소 전극(18)과 대응하며, 블랙 매트릭스(22)는 화소 전극(18)의 가장자리를 덮고 있다. 앞서 언급한 것처럼, 금속과 같이 불투명한 도전 물질로 이루어진 화소 전극(18)이 박막 트랜지스터(T)를 덮고 있으므로, 블랙 매트릭스(22)는 화소 전극(18)의 가장자리만을 덮도록 이루어질 수 있다.
다음, 화소 전극(18)과 공통 전극(24) 사이에는 액정층(30)이 위치한다. 이때, 도시하지 않았지만 화소 전극(18) 상부와 공통 전극(24) 하부에는 액정 분자의 초기 배열 상태를 결정하는 배향막이 각각 형성되어 있다.
이와 같이, 반사형 액정 표시 장치에서는 화소 전극을 반사가 잘 되는 물질로 형성하여 외부에서 입사된 빛을 반사시켜 화상을 표현한다. 따라서, 소비 전력을 감소시켜 장시간 사용할 수 있다.
그런데, 반사형 액정 표시 장치는 빛의 대부분을 외부의 자연광이나 인조광원에 의존하는 구조를 하고 있으므로, 투과형 액정 표시 장치에 비해 전력소비가 적지만 어두운 장소에서는 사용할 수 없다는 단점이 있다.
따라서, 반사 및 투과, 두 가지 모드(mode)를 필요한 상황에 따라 적절하게 선택하여 사용할 수 있는 장치로 반사 및 투과 겸용 액정 표시 장치가 제안되었다.
또한, 액정 표시 장치는 시야각 특성이 우수하지 못한 단점을 가지고 있는데, 이를 해결하기 위해서 배향막을 두 번 이상 러빙(rubbing)함으로써 화소 영역 을 액정 분자의 배열 방향이 서로 다른 영역으로 분할하는 방법이 제시되었다. 그러나, 이러한 방법을 이용할 경우 사진 식각 공정이 필요하고, 러빙시 러빙포와 접촉함으로써 발생할 수 있는 불순물에 의해 오염이 나타날 수 있으며, 대면적화에 따르는 균일한 배향이 어려운 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 시야각이 넓으며, 필요에 따라 반사 모드와 투과 모드로 사용할 수 있는 반투과형 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반투과형 액정 표시 장치에서는 이격되어 제 1 기판 및 제 2 기판이 배치되어 있고, 제 1 기판 상부에는 화소 영역을 정의하는 게이트 배선과 데이터 배선이 형성되어 있다. 이어, 박막 트랜지스터가 게이트 배선 및 데이터 배선에 연결되어 있으며, 제 1 보호층이 이들을 덮고 있다. 다음, 제 1 보호층 상부에는 반사 전극이 형성되어 있고 그 위에 제 2 보호층이 형성되어 있으며, 제 2 보호층 상부에는 화소 전극이 형성되어 있다. 다음, 제 2 기판 하부에는 블랙 매트릭스가 형성되어 있고, 블랙 매트릭스 하부에 슬릿패턴(slit pattern)을 가지는 공통 전극이 형성되어 있는데, 슬릿패턴은 화소 전극과 대응한다. 이어, 화소 전극과 공통 전극 사이에는 액정층이 위치한다.
여기서, 반사 전극은 투과홀을 가질 수 있으며, 이때 반사 전극은 화소 전극 가장자리와 중첩할 수 있고, 반사 전극의 가장자리는 화소 전극 가장자리보다 바깥쪽에 위치하는 것이 바람직하다.
투과홀 면적에 대한 반사 전극 면적의 비는 0.4 내지 1.0인 것이 좋다.
본 발명에서, 반사 전극은 데이터 배선과 나란한 방향을 가질 수도 있는데, 이때 화소 전극은 반사 전극과 대응하는 부분에 슬릿패턴을 가지며, 공통 전극의 슬릿패턴은 화소 영역의 가장자리와 대응하며, 화소 전극 상부에 위치하는 것이 좋다.
제 1 보호층은 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene)과 포토 아크릴(photo-acryl) 중의 어느 하나로 이루질 수 있고, 화소 전극은 데이터 배선과 중첩할 수 있다.
한편, 반사 전극은 알루미늄과 알루미늄 합금, 크롬, 몰리브덴 중의 어느 하나로 이루어질 수 있다.
본 발명은 제 2 기판 하부에 공통 전극의 슬릿패턴을 덮는 블랙 매트릭스를 더 포함할 수도 있다.
본 발명에 따른 다른 반투과형 액정 표시 장치에서는 이격되어 제 1 기판 및 제 2 기판이 배치되어 있고, 제 1 기판 상부에는 화소 영역을 정의하는 게이트 배선과 데이터 배선이 형성되어 있다. 이어, 박막 트랜지스터가 게이트 배선 및 데이터 배선에 연결되어 있으며, 데이터 배선과 나란한 방향을 가지는 반사 전극이 형성되어 있다. 다음, 보호층이 게이트 배선과 데이터 배선 및 박막 트랜지스터 그리 고 반사 전극을 덮고 있고, 보호층 상부에는 화소 전극이 형성되어 있다. 다음, 제 2 기판 하부에는 블랙 매트릭스가 형성되어 있고, 블랙 매트릭스 하부에 슬릿패턴을 가지는 공통 전극이 형성되어 있는데, 슬릿패턴은 화소 전극과 대응한다. 이어, 화소 전극과 공통 전극 사이에는 액정층이 위치한다.
여기서, 반사 전극은 데이터 배선과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
또한, 화소 전극은 반사 전극과 대응하는 부분에 슬릿패턴을 가질 수 있고, 공통 전극의 슬릿패턴은 화소 영역의 가장자리와 대응하며, 화소 전극 상부에 위치할 수도 있다.
보호층은 벤조사이클로부텐과 포토 아크릴 중의 어느 하나로 이루어질 수 있는데, 이때 화소 전극은 데이터 배선과 중첩할 수도 있다.
본 발명에서 반사 전극은 크롬으로 이루어질 수도 있다.
본 발명에 따른 반투과형 액정 표시 장치의 제조 방법에서는 제 1 기판 및 제 2 기판을 준비하고, 제 1 기판 상부에 게이트 배선을 형성한다. 다음, 게이트 배선과 교차하는 데이터 배선을 형성하고, 데이터 배선 상부에 제 1 보호층을 형성한다. 이어, 제 1 보호층 상부에 반사 전극을 형성하고 그 위에 제 2 보호층을 형성한 후, 제 2 보호층 상부에 화소 전극을 형성한다. 다음, 제 2 기판 상부에 블랙 매트릭스를 형성하고, 블랙 매트릭스 상부에 슬릿패턴을 가지는 공통 전극을 형성한다. 다음, 제 1 기판 및 제 2 기판을 배치하고, 제 1 및 제 2 기판 사이에 액정을 주입한다.
여기서, 반사 전극을 형성하는 단계는 반사 전극 내부에 투과홀을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 이때, 반사 전극은 화소 전극 가장자리와 중첩하도록 형성할 수 있으며, 반사 전극의 가장자리는 화소 전극 가장자리보다 바깥쪽에 위치하도록 형성하는 것이 좋다.
한편, 반사 전극은 데이터 배선과 나란한 방향을 가지도록 형성할 수 있는데, 이때 화소 전극은 반사 전극과 대응하는 부분에 슬릿패턴을 가지도록 형성하고, 공통 전극의 슬릿패턴은 화소 영역의 가장자리와 대응하며, 화소 전극 상부에 위치하도록 형성하는 것이 좋다.
본 발명에서, 제 1 보호층은 벤조사이클로부텐과 포토 아크릴 중의 어느 하나로 이루어질 수 있고, 화소 전극은 데이터 배선과 중첩하도록 형성할 수도 있다.
또한, 반사 전극은 알루미늄과 알루미늄 합금, 크롬, 몰리브덴 중의 어느 하나로 이루어질 수 있다.
블랙 매트릭스를 형성하는 단계는 제 2 기판 하부에 공통 전극의 슬릿패턴을 덮는 블랙 매트릭스를 형성하는 단계를 더 포함할 수도 있다.
본 발명에 따른 반투과형 액정 표시 장치의 제조 방법에서는 제 1 기판 및 제 2 기판을 준비하고, 제 1 기판 상부에 게이트 배선을 형성한다. 다음, 게이트 배선과 교차하는 데이터 배선을 형성하고, 데이터 배선과 나란한 방향을 가지는 반사 전극을 형성한다. 이어, 데이터 배선과 반사 전극 상부에 보호층을 형성하고, 그 위에 화소 전극을 형성한다. 다음, 제 2 기판 상부에 블랙 매트릭스를 형성하고, 블랙 매트릭스 상부에 슬릿패턴을 가지는 공통 전극을 형성한다. 다음, 제 1 기판 및 제 2 기판을 배치하고, 제 1 및 제 2 기판 사이에 액정을 주입한다.
여기서, 반사 전극을 형성하는 단계는 데이터 배선을 형성하는 단계와 동일한 공정에서 이루어질 수 있다. 이때, 화소 전극은 반사 전극과 대응하는 부분에 슬릿패턴을 가지도록 형성할 수 있고, 공통 전극의 슬릿패턴은 화소 영역의 가장자리와 대응하며 화소 전극 상부에 위치하도록 형성할 수도 있다.
본 발명에서 보호층은 벤조사이클로부텐과 포토 아크릴 중의 어느 하나로 이루어질 수 있으며, 화소 전극은 데이터 배선과 중첩하도록 형성할 수도 있다.
또한, 반사 전극은 크롬으로 이루어질 수도 있다.
이와 같이, 본 발명에서는 공통 전극과 화소 전극 사이에 프린지 필드를 형성하여 액정 표시 장치의 시야각을 향상시킬 수 있으며, 금속으로 이루어진 전극을 프린지 필드를 향상시키기 위한 측면 전극 및 반사 전극으로 사용함으로써, 액정 표시 장치를 반사 모드와 투과 모드로 사용할 수도 있다. 이때, 박막 트랜지스터를 덮는 보호층을 저유전상수를 가지는 유기 물질로 형성할 경우에는 화소 전극을 데이터 배선과 중첩시킬 수 있어, 개구율을 높일 수 있다.
또한, 본 발명에서는 반사 전극을 데이터 배선과 동일한 물질로 형성하여 제조 공정 및 비용을 감소시킬 수도 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 반투과형 액정 표시 장치에 대하여 상세히 설명한다.
먼저, 도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 어레이(array) 기판의 평면도이고, 도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 컬러필터 기판의 평면도이다.
도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 어레이(array) 기판에서는 가로 방향으로 금속으로 이루어진 게이트 배선(121)이 형성되어 있고, 게이트 배선(121)에서 돌출된 게이트 전극(122)이 형성되어 있다.
다음, 금속과 같은 도전 물질로 세로 방향을 가지는 데이터 배선(161)이 형성되어 있는데, 상기 데이터 배선(161)은 상기 게이트 배선(121)과 교차함으로써 화소 영역을 정의하고, 상기 데이터 배선(161)에서 연장된 소스 전극(162)과 상기 소스 전극(162) 맞은 편의 드레인 전극(163)이 상기 게이트 전극(122)을 중심으로 마주 대하고 있다. 여기서, 상기 게이트 전극(122)과 소스 및 드레인 전극(162, 163)은 박막 트랜지스터(T1)을 이루며, 상기 박막 트랜지스터(T1)는 액티브층(141)을 더 포함한다.
다음, 화소 영역에는 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide)와 같은 투명 도전 물질로 이루어지고, 상기 드레인 전극(163)과 일부 중첩하는 화소 전극(200)이 형성되어 있는데, 상기 화소 전극(200)은 상기 게이트 배선(121) 및 데이터 배선(161)과 일정 간격 이격되어 있다. 한편, 상기 드레인 전극(163)과 화소 전극(200)이 중첩하는 부분에는 콘택홀(191)이 형성되어 있다.
다음, 화소 영역에 투과홀(181)을 가지는 반사 전극(180)이 상기 화소 전극(200)의 가장 자리와 중첩하며 상기 화소 전극(200)을 둘러싸도록 형성되어 있는데, 상기 반사 전극(180)은 이웃하는 화소 영역의 반사 전극(180)과 연결되어 있다. 여기서, 상기 반사 전극(180) 중 세로 방향을 가지는 부분은 상기 화소 전극(200) 뿐만 아니라 상기 데이터 배선(161)의 가장자리와도 각각 중첩되어 있 다. 상기 반사 전극(180)은 외부로부터의 빛을 반사시켜 액정 표시 장치를 반사 모드로 이용할 수 있도록 할뿐만 아니라 프린지 필드(fringe field)를 강화시키는 측면 전극(side electrode)의 역할을 하는 것으로, 불투명한 도전 물질, 바람직하게는 비저항이 비교적 작은 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo)과 같은 물질로 이루어질 수 있다.
다음, 도 3에 도시한 바와 같이 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정 표시 장치의 상부 기판에는 개구부(221)를 가지는 블랙 매트릭스(220)가 형성되어 있는데, 상기 개구부(221)는 상기 화소 전극(도 2의 200)에 대응한다. 이어, 적, 녹, 청의 컬러필터(231, 232, 233)가 하나의 색이 상기 하나의 개구부(221)와 대응하도록 형성되어 있다. 한편, 도시하지 않았지만, 기판 전면에는 투명한 공통 전극이 형성되어 있으며, 공통 전극은 상기 개구부(221) 내, 즉 화소 영역 내에 세로 방향으로 연장된 슬릿패턴(slit pattern)(251)을 가진다. 여기서, 상기 슬릿패턴(251)은 하나의 화소 영역에 하나씩 형성되어 있다.
이러한 도 2 및 도 3의 기판을 배치시켜 형성한 액정 표시 장치의 단면을 도 4에 도시하였는데, 도 4는 도 2 및 도 3에서 Ⅳ-Ⅳ선을 따라 자른 단면에 해당한다.
도 4에 도시한 바와 같이, 제 1 기판(110) 위에 실리콘 질화막이나 실리콘 산화막으로 이루어진 게이트 절연막(130)이 형성되어 있고, 그 위에 데이터 배선(161)이 형성되어 있다. 상기 데이터 배선(161)은 앞서 언급한 바와 같이 세로 방향으로 연장되어 있으며, 상기 게이트 절연막(130) 하부에 형성된 가로 방향의 게이트 배선(도시하지 않음)과 교차함으로써 화소 영역을 이룬다.
다음, 상기 데이터 배선(161) 상부에는 유기 물질로 이루어진 제 1 보호층(170)이 형성되어 있는데, 상기 제 1 보호층(170)은 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene : 이하 BCB라고 한다)이나 포토 아크릴(photo-acryl)과 같이 저유전상수를 가지는 유기 물질로 이루어지는 것이 좋다.
다음, 상기 제 1 보호층(170) 상부에 금속과 같은 도전 물질로 이루어지고, 상기 데이터 배선(161)의 양측 가장자리와 각각 일부 중첩하는 반사 전극(180)이 형성되어 있다. 도시하지 않았지만, 상기 반사 전극(180)은 화소 영역을 둘러싸도록 형성되어 있으며, 이웃하는 화소 영역의 반사 전극(180)과 연결되어 있다. 이때, 상기 반사 전극(180)은 신호 지연을 방지하기 위해 비저항이 비교적 작은 알루미늄이나 알루미늄 합금, 티타늄, 구리, 몰리브덴과 같은 물질로 이루어지는 것이 좋으며, 신호의 간섭을 방지하기 위해 데이터 배선(161)과는 약 3 ㎛ 이하로 중첩하는 것이 바람직하다. 한편, 상기 반사 전극(180)은 단락을 방지하기 위해 이웃하는 화소 영역의 반사 전극(180)과 약 4 ㎛ 이상 간격을 가지는 것이 좋다.
다음, 상기 반사 전극(180) 위에는 실리콘 산화막이나 실리콘 질화막과 같은 무기 절연막으로 이루어진 제 2 보호층(190)이 형성되어 있고, 그 위에 투명 도전 물질로 이루어진 화소 전극(200)이 형성되어 있다. 상기 화소 전극(200)은 ITO와 같은 물질로 이루어질 수 있으며, 가장자리가 상기 반사 전극(180)과 중첩한다. 여기서, 상기 화소 전극(200)이 상기 반사 전극(180)과 중첩하는 폭은 충분한 프린지 필드를 형성하기 위해 약 4 ㎛ 이하로 형성하는데 바람직하게는 약 3 ㎛ 정도로 형 성하는 것이 좋고, 이때 상기 화소 전극(200)과 반사 전극(180)이 중첩된 부분은 스토리지 커패시터(storage capacitor)를 이룬다.
다음, 상기 화소 전극(200) 상부에 일정 간격 이격되도록 제 2 기판(210)이 배치되어 있고, 상기 제 2 기판(210) 하부에는 블랙 매트릭스(220)가 형성되어 있다. 상기 블랙 매트릭스(220)는 상기 화소 전극(200) 이외의 부분에서 빛이 새는 것을 방지하기 위해 상기 화소 전극(200)의 가장자리를 일부 덮고 있는데, 본 발명에서는 불투명한 물질로 이루어진 상기 반사 전극(180)이 상기 화소 전극(200)의 가장자리와 중첩되어 있으므로, 상기 블랙 매트릭스(220)의 폭을 작게 하여 상기 화소 전극(200)의 가장자리를 덮지 않도록 하더라도 이 부분에서 빛이 새는 것을 방지할 수 있다.
이어, 상기 블랙 매트릭스(220) 하부에는 적, 녹, 청의 컬러필터(231, 232, 233)가 각각 형성되어 있고, 그 하부에 상기 컬러필터(231, 232, 233)를 보호하기 위한 오버코트층(240)이 형성되어 있다. 여기서, 상기 오버코트층(240)은 생략할 수도 있다.
다음, 상기 오버코트층(240) 하부에는 ITO와 같은 투명 도전 물질로 이루어진 공통 전극(250)이 형성되어 있는데, 상기 공통 전극(250)은 상기 화소 전극(200)에 대응하는 부분, 바람직하게는 상기 화소 전극(200)의 중앙에 대응하는 부분에 슬릿패턴(251)을 가진다.
다음, 상기 화소 전극(200)과 공통 전극(250) 사이에는 액정층(300)이 위치한다. 도시하지 않았지만, 상기 화소 전극(200) 상부와 공통 전극(250) 하부에는 배향막이 각각 형성되어 있어 상기 액정층(300)의 액정 분자의 초기 배열 방향을 결정한다.
일반적으로 공통 전극 내에 슬릿패턴을 형성하는 다중 영역 방식에서는 유전율 이방성(Δε)이 음인 액정을 사용하여 수직 배향(vertical alignment) 모드를 이용하는데, 본 발명에서는 수직 배향 모드를 이용할 수도 있고, 또는 액정 표시 장치에서 주로 이용하고 있는 비틀린 네마틱(twisted nematic) 액정을 이용할 수도 있다.
이와 같이, 본 발명에 따른 액정 표시 장치에서는 러빙 공정의 추가없이 즉, 배향분할을 위한 사진 식각 공정으로 인한 러빙 공정의 추가없이 액정 분자 배열이 다른 두 영역을 형성하여 시야각을 향상시킬 수 있으며, 금속 물질로 이루어진 전극을 프린지 필드를 강화시키기 위한 측면 전극 및 반사 모드의 반사 전극으로 이용함으로써 반사 모드 및 투과 모드로 각각 사용할 수 있다.
이때, 보호층을 유기 물질로 형성할 경우, 반사 전극 및 화소 전극을 데이터 배선과 중첩하도록 형성할 수 있으므로, 화소 전극의 면적을 더 크게 하여 개구율을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 제 1 실시예에서는 공통 전극에 슬릿패턴을 형성하여 프린지 필드를 형성한 경우에 대하여 설명하였으나, 유기 물질로 단면이 반원이나 삼각형과 같은 모양을 가지는 립(rib)을 형성하고 그 위에 공통 전극을 형성함으로써 프린지 필드를 형성할 수도 있다.
앞선 제 1 실시예에서는 반사 전극을 화소 전극의 가장자리에만 형성되도록 하였는데, 반사 전극의 내측 가장자리를 화소 영역 내부로 더 형성하여 반사 모드의 면적을 높일 수도 있다.
이러한 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반투과형 액정 표시 장치를 도 5에 도시하였다. 여기서, 제 1 실시예와 동일한 부분에 대해서는 동일한 부호를 사용하고 이에 대한 설명은 생략한다.
도시한 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에서는 반사 전극(180)을 제 1 실시예보다 화소 영역 내부로 연장한다. 따라서, 상기 반사 전극(180)의 면적을 증가시키고, 이때 투과홀(182)의 면적은 작아지게 된다. 여기서, 상기 반사 전극(180)의 면적은 반사 모드의 투과 모드에 대한 면적 비율(반사/투과)이 1.0 내지 0.4가 되도록 한다.
한편, 본 발명의 제 2 실시예에서 프린지 필드의 형성을 위해 상기 반사 전극(180)의 가장자리는 화소 전극(200)의 가장자리보다 바깥쪽에 위치하도록 하는 것이 바람직하다.
본 발명의 제 2 실시예에 의한 반투과형 액정 표시 장치의 어레이 기판을 도 6 및 도 7에 도시하였는데, 도 6은 어레이 기판의 평면도이고 도 7은 도 6에서 Ⅶ-Ⅶ선을 따라 자른 단면도이다. 여기서, 도 5의 반투과형 액정 표시 장치는 도 6의 Ⅴ-Ⅴ선에 대한 단면과 대응한다.
도 6 및 도 7에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반투과형 액정 표시 장치용 어레이 기판에서는 기판(110) 위에 금속과 같은 도전 물질로 이루어진 가로 방향의 게이트 배선(121)이 형성되어 있고, 게이트 전극(122)이 상기 게이트 배선(121)에서 세로 방향으로 돌출되어 있다. 상기 게이트 배선(121) 및 게이트 전극(122) 상부에는 실리콘 질화막이나 실리콘 산화막으로 이루어진 게이트 절연막(130)이 형성되어 있고, 그 위에 비정질 실리콘으로 이루어진 액티브층(141)과 불순물이 포함된 비정질 실리콘으로 이루어진 오믹 콘택층(151, 152)이 차례로 형성되어 있다. 여기서, 상기 액티브층(141)과 오믹 콘택층(151, 152)은 상기 게이트 전극(122) 상부에 위치한다.
다음, 상기 오믹 콘택층(151, 152) 상부에는 금속과 같은 도전 물질로 이루어진 데이터 배선(161)과 소스 및 드레인 전극(162, 163)이 형성되어 있다. 상기 데이터 배선(161)은 세로 방향으로 연장되어 상기 게이트 배선(121)과 교차함으로써 화소 영역을 정의한다. 상기 소스 전극(162)은 상기 데이터 배선(161)에서 가로 방향으로 이어져 상기 게이트 배선(121) 상부에 위치하며, 상기 드레인 전극(163)은 상기 데이터 배선(161) 및 소스 전극(162)과 이격되어 상기 게이트 전극(122)을 중심으로 상기 소스 전극(162)과 마주 대하고 있다. 여기서, 상기 소스 및 드레인 전극(162, 163)은 상기 게이트 전극(122)과 함께 박막 트랜지스터(T1)를 이룬다.
다음, 상기 데이터 배선(161)과 소스 및 드레인 전극(162, 163) 상부에는 유기 절연 물질로 이루어진 제 1 보호층(170)이 형성되어 있다. 여기서, 상기 제 1 보호층(170)은 BCB나 포토 아크릴 같이 유전상수가 비교적 작은 물질로 이루어질 수 있고, 또는 실리콘 질화막이나 실리콘 산화막과 같은 무기 절연막으로 이루어질 수도 있다.
이어, 상기 제 1 보호층(170) 상부의 화소 영역에는 반사 전극(180)이 형성 되어 있는데, 상기 반사 전극(180)은 상기 데이터 배선(161)과 중첩하고 이웃하는 반사 전극(180)과 연결되어 있으며, 내부에 투과홀(182)을 가진다. 또한, 상기 반사 전극(180)은 상기 드레인 전극(163) 상부에 위치하는 부분이 제거되어 있다. 본 발명에서는 상기 반사 전극(180)이 상기 박막 트랜지스터(T1)을 덮고 있지 않으나, 상기 박막 트랜지스터(T1)를 덮도록 형성할 수도 있다.
다음, 상기 반사 전극(180) 상부에 실리콘 질화막이나 실리콘 산화막과 같은 무기 절연막으로 이루어진 제 2 보호층(190)이 형성되어 있으며, 상기 제 2 보호층(190)은 상기 제 1 보호층(170)과 함께 상기 드레인 전극(163)을 드러내는 콘택홀(191)을 가진다.
다음, 상기 제 2 보호층(190) 상부에 투명한 도전 물질로 이루어진 화소 전극(200)이 형성되어 있는데, 상기 화소 전극(200)은 상기 콘택홀(191)을 통해 상기 드레인 전극(163)과 연결되어 있다. 이때, 상기 화소 전극(200)은 가장자리가 상기 데이터 배선(161)과 중첩되어 있을 수 있다.
여기서, 상기 반사 전극(180)에는 상부의 공통 전극(도 5의 250)과 같은 전압이 인가되며, 상기 반사 전극(180)의 가장자리는 상기 화소 전극(200)의 가장자리보다 바깥쪽에 위치하도록 하는 것이 좋다. 한편, 상기 반사 전극(180)은 상기 화소 전극(200)과 함께 스토리지 커패시터(storage capacitor)를 이룬다.
이러한 본 발명에 따른 어레이 기판의 제조 방법에 대하여 도 8a 내지 도 8f에 도시하였다.
먼저, 도 8a에 도시한 바와 같이 기판(110) 위에 금속과 같은 도전 물질을 스퍼터링(sputtering)과 같은 방법으로 증착하고 패터닝하여 게이트 배선(121)과 게이트 전극(122)을 형성한다. 이때, 상기 게이트 배선(121) 및 게이트 전극(122)은 신호 지연을 방지하기 위해 비교적 비저항이 작은 물질로 형성하는 것이 좋다.
다음, 도 8b에 도시한 바와 같이 실리콘 질화막이나 실리콘 산화막을 증착하여 게이트 절연막(130)을 형성하고, 그 위에 비정질 실리콘과 불순물이 도핑된 비정질 실리콘을 증착한 후 패터닝하여 상기 게이트 전극(122) 상부에 위치하는 액티브층(141)과 불순물 반도체층(153)을 형성한다.
다음, 도 8c에 도시한 바와 같이 금속과 같은 도전 물질을 증착하고 패터닝하여 데이터 배선(161)과 상기 게이트 전극(122)을 중심으로 마주 대하는 소스 및 드레인 전극(162, 163)을 형성한다. 이어, 드러난 불순물 반도체층(도 8b의 153)을 식각하여 오믹 콘택층(151, 152)을 완성한다. 여기서, 상기 데이터 배선(161)은 상기 소스 전극(162)과 연결되어 있으며, 상기 게이트 배선(121)과 교차하여 화소 영역을 정의한다. 상기 소스 및 드레인 전극(162, 163)은 상기 게이트 전극(122)과 함께 박막 트랜지스터(T1)를 이룬다.
다음, 도 8d에 도시한 바와 같이 유기 물질을 도포하여 제 1 보호층(170)을 형성한 후, 금속과 같은 물질을 증착하고 패터닝하여 화소 영역에 투과홀(182)을 가지는 반사 전극(180)을 형성한다. 여기서, 상기 제 1 보호층(170)은 유기 물질로 이루어지는데 또는 무기 절연막으로 이루어질 수도 있다. 유기 물질로는 BCB나 포토 아크릴과 같이 저유전상수를 가지는 물질을 사용할 수 있으며, 무기 절연막으로는 실리콘 질화막이나 실리콘 산화막을 이용할 수 있다. 한편, 상기 반사 전극(180)은 알루미늄이나 알루미늄 합금, 티타늄, 구리, 몰리브덴과 같은 물질로 형성할 수 있다. 이때, 상기 드레인 전극(163) 상부에 위치하는 반사 전극(180) 부분을 일부 제거한다.
다음, 도 8e에 도시한 바와 같이 상기 반사 전극(180) 상부에 실리콘 질화막이나 실리콘 산화막으로 제 2 보호층(190)을 형성하고, 이를 하부의 제 1 보호층(170)과 함께 패터닝하여 상기 드레인 전극(163)을 일부 드러내는 콘택홀(191)을 형성한다.
다음, 도 8f에 도시한 바와 같이 상기 제 2 보호층(190) 상부에 ITO와 같은 투명 도전 물질을 증착하고 패터닝하여 화소 전극(200)을 형성한다. 상기 화소 전극(200)은 상기 콘택홀(191)을 통해 상기 드레인 전극(163)과 연결되며, 상기 반사 전극(180)과는 분리되어 있다. 이때, 상기 화소 전극(200)의 가장자리는 상기 반사 전극(180)보다 안쪽에 위치하여 상기 반사 전극(180)이 드러나게 된다.
한편, 반사 전극을 화소 중앙에 형성할 수도 있는데 이러한 본 발명의 제 3 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단면도를 도 9에 도시하였다.
도시한 바와 같이, 제 1 기판(310) 위에 게이트 절연막(330)이 형성되어 있고, 그 위에 데이터 배선(361)이 형성되어 있다. 상기 데이터 배선(361)은 앞서 언급한 바와 같이 상기 게이트 절연막(330) 하부에 형성된 가로 방향의 게이트 배선(도시하지 않음)과 교차함으로써 화소 영역을 이룬다.
다음, 상기 데이터 배선(361) 상부에는 유기 물질로 이루어진 제 1 보호층(370)이 형성되어 있는데, 상기 제 1 보호층(370)은 무기 절연막으로 이루어 질 수도 있다.
다음, 상기 제 1 보호층(370) 상부에 금속과 같은 도전 물질로 이루어지고, 상기 데이터 배선(361)의 사이에 위치하는 반사 전극(380)이 형성되어 있다. 상기 반사 전극(380)은 화소 영역의 중앙부에 위치하며, 비저항이 비교적 작고 반사율이 좋은 알루미늄이나 알루미늄 합금 물질로 이루어질 수 있다.
다음, 상기 반사 전극(380) 위에는 제 2 보호층(390)이 형성되어 있고, 그 위에 ITO와 같은 투명 도전 물질로 이루어진 화소 전극(400)이 형성되어 있다. 상기 화소 전극(400)은 상기 반사 전극(380) 상부에 제 1 슬릿패턴(401)을 가지며, 가장자리가 상기 데이터 배선(362)과 중첩한다.
다음, 상기 화소 전극(400) 상부에 일정 간격 이격되도록 제 2 기판(410)이 배치되어 있고, 상기 제 2 기판(410) 하부에는 블랙 매트릭스(420)가 형성되어 있다. 상기 블랙 매트릭스(420, 421)는 상기 화소 전극(400) 이외의 부분에서 빛이 새는 것을 방지하기 위해 상기 화소 전극(400)의 가장자리를 일부 덮고 있다. 또한, 본 발명에서는 상기 슬릿패턴(401) 상부에 블랙 매트릭스(421)가 더 형성되어 있어, 이 부분에서 화소 분할에 따른 빛샘을 방지한다.
이어, 상기 블랙 매트릭스(420) 하부에는 적, 녹, 청의 컬러필터(431, 432, 433)가 각각 형성되어 있고, 그 하부에 상기 컬러필터(431, 432, 433)를 보호하기 위한 오버코트층(440)이 형성되어 있다. 여기서, 상기 오버코트층(440)은 생략할 수도 있다.
다음, 상기 오버코트층(440) 하부에는 ITO와 같은 투명 도전 물질로 이루어 진 공통 전극(450)이 형성되어 있으며, 상기 공통 전극(450)은 상기 화소 전극(400)의 가장자리 부분에 제 2 및 제 3 슬릿패턴(451, 452)을 가지는데, 상기 제 2 및 제 3 슬릿패턴(451, 452)은 상기 화소 전극(400) 가장자리 안쪽에 위치하는 것이 바람직하다.
다음, 상기 화소 전극(400)과 공통 전극(450) 사이에는 액정층(500)이 위치한다.
본 발명의 제 3 실시예에 따른 반투과형 액정 표시 장치의 어레이 기판에 대한 평면도를 도 10에 도시하였다.
도 10에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 액정 표시 장치용 어레이 기판에서는 가로 방향으로 금속으로 이루어진 게이트 배선(321)이 형성되어 있고, 상기 게이트 배선(321)에서 연장된 게이트 전극(322)이 형성되어 있다.
다음, 금속과 같은 도전 물질로 세로 방향을 가지는 데이터 배선(361)이 형성되어 있는데, 상기 데이터 배선(361)은 상기 게이트 배선(321)과 교차함으로써 화소 영역을 정의하고, 상기 데이터 배선(361)에서 연장된 소스 전극(362)과 상기 소스 전극(362) 맞은 편의 드레인 전극(363)이 상기 게이트 전극(322)을 중심으로 마주 대하고 있다. 여기서, 상기 게이트 전극(322)과 소스 및 드레인 전극(362, 363)은 박막 트랜지스터(T2)을 이루며, 상기 박막 트랜지스터(T2)는 액티브층(341)을 더 포함한다.
다음, 화소 영역에는 ITO와 같은 투명 도전 물질로 이루어지고, 상기 드레인 전극(363)과 일부 중첩하는 화소 전극(400)이 형성되어 있는데, 상기 화소 전극(400)은 화소 영역의 가운데 부분에 세로 방향의 슬릿패턴(401)을 가진다. 앞서 언급한 바와 같이, 상기 데이터 배선(361)과 화소 전극(400) 사이에 저유전상수를 가지는 유기 물질로 보호층을 형성할 경우에는 상기 화소 전극(400)을 상기 데이터 배선(361)과 중첩하도록 하여 개구율을 높일 수 있다. 한편, 상기 드레인 전극(363)과 화소 전극(400)이 중첩하는 부분에는 콘택홀(391)이 형성되어 있다.
다음, 화소 영역의 중앙부에 상기 데이터 배선(361)과 나란한 방향으로 연장된 반사 전극(380)이 형성되어 있으며, 상기 반사 전극(380)은 슬릿패턴(401)과 중첩한다.
본 발명의 제 3 실시예에 따른 어레이 기판의 제조 과정은 앞선 제 2 실시예의 어레이 기판 제조 과정과 동일한 방법으로 형성할 수 있다.
한편, 액정 표시 장치에서 어레이 기판은 박막을 증착하고 마스크를 이용하여 사진 식각하는 공정을 여러 번 반복함으로써 형성되는데, 사진 식각 공정에는 세정, 감광막 도포, 노광 및 현상, 식각 등 여러 공정을 수반하고 있다. 따라서, 사진 식각 공정을 한번만 단축해도 제조 시간이 상당히 많이 줄어들고 제조 비용이 감소된다.
앞선 실시예에서는 반사 전극을 별도의 금속 물질로 형성하였으나, 반사 전극을 데이터 배선과 동일한 물질로 형성하여 제조 공정을 감소시키고 비용을 줄일 수 있다.
이와 같은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 반투과형 액정 표시 장치에 대하여 도 11에 도시하였다.
도 11에 도시한 바와 같이, 제 1 기판(510) 위에 게이트 절연막(530)이 형성되어 있고, 그 위에 데이터 배선(561)과 반사 전극(565)이 형성되어 있다. 상기 데이터 배선(561)은 앞서 언급한 바와 같이 상기 게이트 절연막(530) 하부에 형성된 가로 방향의 게이트 배선(도시하지 않음)과 교차함으로써 화소 영역을 이루며, 상기 반사 전극(565)은 상기 데이터 배선(561) 동일한 물질로 이루어지고 상기 데이터 배선(561) 사이에 위치한다. 상기 데이터 배선(561)과 반사 전극(565)은 내식성(耐蝕性) 및 내열성이 뛰어난 크롬(Cr)으로 형성할 수 있다.
다음, 상기 데이터 배선(561) 상부에는 유기 물질로 이루어진 보호층(570)이 형성되어 있는데, 상기 보호층(570)은 무기 절연막으로 이루어질 수도 있다. 상기 보호층(570)을 유기 물질로 형성할 경우에는 저유전상수를 가지는 BCB나 포토 아크릴로 형성하는 것이 좋다.
다음, 상기 보호층(570) 상부에 ITO와 같은 투명 도전 물질로 이루어진 화소 전극(580)이 형성되어 있다. 상기 화소 전극(580)은 상기 반사 전극(565) 상부에 제 1 슬릿패턴(581)을 가지며, 가장자리가 상기 데이터 배선(561)과 중첩한다.
다음, 상기 화소 전극(580) 상부에 일정 간격 이격되도록 제 2 기판(610)이 배치되어 있고, 상기 제 2 기판(610) 하부에는 블랙 매트릭스(620)가 형성되어 있다. 상기 블랙 매트릭스(620)는 상기 화소 전극(580) 이외의 부분에서 빛이 새는 것을 방지하기 위해 상기 화소 전극(580)의 가장자리를 일부 덮고 있다. 또한, 본 발명에서는 상기 슬릿패턴(581) 상부에 블랙 매트릭스(621)가 더 형성되어 있어, 이 부분에서 화소 분할에 따른 빛샘을 방지한다.
이어, 상기 블랙 매트릭스(620) 하부에는 적, 녹, 청의 컬러필터(631, 632, 633)가 각각 형성되어 있고, 그 하부에 상기 컬러필터(631, 632, 633)를 보호하기 위한 오버코트층(640)이 형성되어 있다. 여기서, 상기 오버코트층(640)은 생략할 수도 있다.
다음, 상기 오버코트층(640) 하부에는 ITO와 같은 투명 도전 물질로 이루어진 공통 전극(650)이 형성되어 있는데, 상기 공통 전극(650)은 상기 화소 전극(580)의 가장자리 부분에 대응하는 제 2 및 제 3 슬릿패턴(651, 652)을 가지는데, 상기 제 2 및 제 3 슬릿패턴(651, 652)은 상기 화소 전극(580) 가장자리 안쪽에 위치하는 것이 바람직하다.
다음, 상기 화소 전극(580)과 공통 전극(650) 사이에는 액정층(500)이 위치한다.
본 발명의 제 4 실시예에 의한 반투과형 액정 표시 장치의 어레이 기판을 도 12 및 도 13에 도시하였는데, 도 12는 어레이 기판의 평면도이고 도 13은 도 12에서 ⅩⅢ-ⅩⅢ선을 따라 자른 단면도이다.
도 12 및 도 13에 도시한 바와 같이, 기판(510) 위에 금속과 같은 도전 물질로 이루어진 가로 방향의 게이트 배선(521)이 형성되어 있고, 게이트 전극(522)이 상기 게이트 배선(521)에서 연장되어 있다. 상기 게이트 배선(521) 및 게이트 전극(522) 상부에는 게이트 절연막(530)이 형성되어 있고, 그 위에 비정질 실리콘으로 이루어진 액티브층(541)과 불순물이 포함된 비정질 실리콘으로 이루어진 오믹 콘택층(551, 552)이 차례로 형성되어 있다. 여기서, 상기 액티브층(541)과 오믹 콘택층(551, 552)은 상기 게이트 전극(522) 상부에 위치한다.
다음,상기 오믹 콘택층(551, 552) 상부에는 금속과 같은 도전 물질로 이루어진 데이터 배선(561)과 소스 및 드레인 전극(562, 563), 그리고 반사 전극(565)이 형성되어 있다. 상기 데이터 배선(561)은 세로 방향으로 연장되어 상기 게이트 배선(521)과 교차함으로써 화소 영역을 정의한다. 상기 소스 전극(562)은 상기 데이터 배선(561)에서 가로 방향으로 이어져 상기 게이트 배선(521) 상부에 위치하며, 상기 드레인 전극(563)은 상기 데이터 배선(561) 및 소스 전극(562)과 이격되어 상기 게이트 전극(522)을 중심으로 상기 소스 전극(562)과 마주 대하고 있다. 여기서, 상기 소스 및 드레인 전극(562, 563)은 상기 게이트 전극(522)과 함께 박막 트랜지스터(T3)를 이룬다. 한편, 상기 반사 전극(521)은 상기 데이터 배선(561)과 동일한 물질로 이루어지고 나란한 방향으로 연장되어 있다.
다음, 상기 데이터 배선(561)과 소스 및 드레인 전극(562, 563) 상부에는 유기 절연 물질로 이루어진 보호층(570)이 형성되어 있으며, 상기 보호층(570)은 상기 드레인 전극(563)을 드러내는 콘택홀(571)을 가진다.
이어, 상기 보호층(570) 상부에 ITO와 같은 투명 도전 물질로 이루어진 화소 전극(580)이 형성되어 있다. 상기 화소 전극(580)은 콘택홀(571)을 통해 상기 드레인 전극(563)과 연결되고, 상기 반사 전극(565) 상부에 제 1 슬릿패턴(581)을 가지며 가장자리가 상기 데이터 배선(561)과 중첩한다. 여기서, 상기 보호층(570)을 저유전상수를 가지는 유기 물질로 형성할 경우, 상기 화소 전극(580)이 상기 데이터 배선(561)과 중첩하더라도 상기 화소 전극(580)과 데이터 배선(561) 사이에 기생 커패시터가 생성되지 않으므로, 신호 간섭을 방지하고 개구율을 높일 수 있다.
여기서, 상기 반사 전극(565)에는 상부의 공통 전극(도 11의 650)과 같은 전압이 인가된다.
본 발명의 제 4 실시예에 따른 어레이 기판의 제조 방법에 대하여 도 14a 내지 도 14f에 도시하였다.
먼저, 도 14a에 도시한 바와 같이 기판(510) 위에 금속과 같은 도전 물질을 스퍼터링과 같은 방법으로 증착하고 패터닝하여 게이트 배선(도시하지 않음)과 게이트 전극(522)을 형성한다.
다음, 도 14b에 도시한 바와 같이 실리콘 질화막이나 실리콘 산화막을 증착하여 게이트 절연막(530)을 형성하고, 그 위에 비정질 실리콘과 불순물이 도핑된 비정질 실리콘을 증착한 후 패터닝하여 상기 게이트 전극(522) 상부에 위치하는 액티브층(541)과 불순물 반도체층(553)을 형성한다.
다음, 도 14c에 도시한 바와 같이 금속과 같은 도전 물질을 증착하고 패터닝하여 데이터 배선(561)과 상기 게이트 전극(522)을 중심으로 마주 대하는 소스 및 드레인 전극(562, 563), 그리고 상기 데이터 배선(561) 사이에 위치하는 반사 전극(565)을 형성한다. 이어, 드러난 불순물 반도체층(도 14b의 553)을 식각하여 오믹 콘택층(551, 552)을 완성한다. 앞서 언급한 바와 같이, 상기 데이터 배선(561)은 상기 소스 전극(562)과 연결되어 있으며, 게이트 배선(도시하지 않음)과 교차하여 화소 영역을 정의한다. 또한, 상기 소스 및 드레인 전극(562, 563)은 상기 게이트 전극(522)과 함께 박막 트랜지스터(T3)를 이룬다. 여기서, 상기 데이 터 배선(561)과 소스 및 드레인 전극(562, 563) 그리고 반사 전극(565)은 비교적 작은 비저항 값을 가지며 화학 약품에 대해 안정적인 성질을 가지는 크롬과 같은 물질로 형성할 수 있다.
다음, 도 14d에 도시한 바와 같이 유기 물질을 도포하여 보호층(570)을 형성하고, 이를 패터닝하여 상기 드레인 전극(563)을 드러내는 콘택홀(571)을 형성한다. 이때, 상기 보호층(570)은 무기 절연막으로 형성할 수도 있다.
다음, 도 14e에 도시한 바와 같이 상기 보호층(570) 상부에 ITO와 같은 투명 도전 물질을 증착하고 패터닝하여 상기 반사 전극(565) 상부에 제 1 슬릿패턴(581)을 가지는 화소 전극(580)을 형성한다. 상기 화소 전극(580)은 콘택홀(571)을 통해 상기 드레인 전극(563)과 연결되며, 가장자리가 상기 데이터 배선(561)과 중첩한다.
이와 같이 본 발명의 제 4 실시예에서는 반사 전극을 데이터 배선과 같은 공정에서 형성하므로, 제조 공정을 줄이고 비용을 감소시킬 수 있다.
본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며, 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 이상 다양한 변화와 변형이 가능하다.
본 발명에서는 공통 전극과 화소 전극 사이에 프린지 필드를 형성하여 액정 표시 장치의 시야각을 향상시킬 수 있으며, 금속 물질로 전극을 형성하여 프린지 필드를 향상시키기 위한 측면 전극 및 반사 전극으로 사용함으로써, 액정 표시 장 치를 반사 모드와 투과 모드로 사용할 수도 있다. 이때, 박막 트랜지스터를 덮는 보호층을 저유전상수를 가지는 유기 물질로 형성할 경우에는 화소 전극을 데이터 배선과 중첩시킬 수 있어, 개구율을 높일 수 있다.
또한, 반사 전극을 데이터 배선과 동일한 물질로 형성하여 제조 공정 및 비용을 감소시킬 수도 있다.

Claims (37)

  1. 이격되어 배치된 제 1 기판 및 제 2 기판;
    상기 제 1 기판 상부에 형성되고 서로 교차하여 화소 영역을 정의하는 게이트 배선과 데이터 배선;
    상기 게이트 배선 및 데이터 배선에 연결되어 있는 박막 트랜지스터;
    상기 게이트 배선과 데이터 배선 및 상기 박막 트랜지스터를 덮고 있는 제 1 보호층;
    상기 제 1 보호층 상부에 형성되어 있는 반사 전극;
    상기 반사 전극 상부에 형성되어 있는 제 2 보호층;
    상기 제 2 보호층 상부에 형성되어 있는 화소 전극;
    상기 제 2 기판 하부에 형성되어 있는 블랙 매트릭스;
    상기 블랙 매트릭스 하부에 형성되어 있으며, 상기 화소 전극과 대응하는 제 1 슬릿패턴을 가지는 공통 전극;
    상기 화소 전극과 상기 공통 전극 사이에 위치하는 액정층
    을 포함하는 반투과형 액정 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 반사 전극은 상기 화소 영역의 중앙부에 대해 투과홀을 가지는 반투과형 액정 표시 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 반사 전극은 상기 화소 전극 가장자리와 중첩하는 반투과형 액정 표시 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 화소 전극의 가장자리와 중첩하는 상기 반사 전극의 가장자리는 상기 화소 전극 가장자리보다 바깥쪽에 위치하는 반투과형 액정 표시 장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 투과홀 면적에 대한 상기 반사 전극 면적의 비는 0.4 내지 1.0인 반투과형 액정 표시 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 반사 전극은 상기 데이터 배선과 나란한 방향을 가지는 반투과형 액정 표시 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 화소 전극은 상기 반사 전극과 대응하는 부분에 제 2 슬릿패턴을 가지는 반투과형 액정 표시 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 공통 전극의 제 1 슬릿패턴은 상기 화소 영역의 가장자리와 대응하며, 상기 화소 전극 상부에 위치하는 반투과형 액정 표시 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 보호층은 벤조사이클로부텐과 포토 아크릴 중의 어느 하나로 이루어진 반투과형 액정 표시 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 화소 전극은 그 가장자리가 상기 데이터 배선과 중첩하는 반투과형 액정 표시 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 반사 전극은 알루미늄과 알루미늄 합금, 크롬, 몰리브덴 중의 어느 하나로 이루어진 반투과형 액정 표시 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 기판 하부에 상기 공통 전극의 제 1 슬릿패턴을 덮는 블랙 매트릭스를 더 포함하는 반투과형 액정 표시 장치.
  13. 이격되어 배치된 제 1 기판 및 제 2 기판;
    상기 제 1 기판 상부에 형성되고 서로 교차하여 화소 영역을 정의하는 게이트 배선과 데이터 배선;
    상기 게이트 배선 및 데이터 배선에 연결되어 있는 박막 트랜지스터;
    상기 데이터 배선과 나란한 방향을 가지는 반사 전극;
    상기 게이트 배선과 데이터 배선 및 상기 박막 트랜지스터 그리고 상기 반사 전극을 덮고 있는 보호층;
    상기 보호층 상부에 형성되어 있는 화소 전극;
    상기 제 2 기판 하부에 형성되어 있는 블랙 매트릭스;
    상기 블랙 매트릭스 하부에 형성되어 있으며, 상기 화소 전극과 대응하는 제 1 슬릿패턴을 가지는 공통 전극;
    상기 화소 전극과 상기 공통 전극 사이에 위치하는 액정층
    을 포함하는 반투과형 액정 표시 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 반사 전극은 상기 데이터 배선과 동일한 물질로 동일한 층에 이루어진 반투과형 액정 표시 장치.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 화소 전극은 상기 반사 전극과 대응하는 부분에 제 2 슬릿패턴을 가지는 반투과형 액정 표시 장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 공통 전극의 제 1 슬릿패턴은 상기 화소 영역의 가장자리와 대응하며, 상기 화소 전극 상부에 위치하는 반투과형 액정 표시 장치.
  17. 제 13 항에 있어서,
    상기 보호층은 벤조사이클로부텐과 포토 아크릴 중의 어느 하나로 이루어진 반투과형 액정 표시 장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 화소 전극은 그 가장자리가 상기 데이터 배선과 중첩하는 반투과형 액정 표시 장치.
  19. 제 13 항에 있어서,
    상기 반사 전극은 크롬으로 이루어진 반투과형 액정 표시 장치.
  20. 제 1 기판 상부에 게이트 배선을 형성하는 단계;
    상기 게이트 배선과 교차하는 데이터 배선을 형성하는 단계;
    상기 데이터 배선 상부에 제 1 보호층을 형성하는 단계;
    상기 제 1 보호층 상부에 반사 전극을 형성하는 단계;
    상기 반사 전극 상부에 제 2 보호층을 형성하는 단계;
    상기 제 2 보호층 상부에 화소 전극을 형성하는 단계;
    제 2 기판 상부에 블랙 매트릭스를 형성하는 단계;
    상기 블랙 매트릭스 상부에 제 1 슬릿패턴을 가지는 공통 전극을 형성하는 단계;
    상기 제 1 기판 및 제 2 기판을 상기 화소전극과 상기 공통전극이 서로 마주하도록 배치하는 단계;
    상기 배치된 제 1 및 제 2 기판 사이에 액정을 주입하는 단계
    를 포함하는 반투과형 액정 표시 장치의 제조 방법.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 반사 전극을 형성하는 단계는 상기 반사 전극 내부에 투과홀을 형성하는 단계를 포함하는 반투과형 액정 표시 장치의 제조 방법.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 반사 전극은 상기 화소 전극 가장자리와 중첩하도록 형성하는 반투과형 액정 표시 장치의 제조 방법.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 반사 전극은 그 가장자리가 상기 화소 전극 가장자리보다 바깥쪽에 위치하도록 형성하는 반투과형 액정 표시 장치의 제조 방법.
  24. 제 20 항에 있어서,
    상기 반사 전극은 상기 데이터 배선과 나란한 방향을 가지도록 형성하는 반투과형 액정 표시 장치의 제조 방법.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 화소 전극은 상기 반사 전극과 대응하는 부분에 제 2 슬릿패턴을 가지도록 형성하는 반투과형 액정 표시 장치의 제조 방법.
  26. 제 25 항에 있어서,
    상기 공통 전극의 제 1 슬릿패턴은 상기 화소 영역의 가장자리와 대응하며, 상기 화소 전극 상부에 위치하도록 형성하는 반투과형 액정 표시 장치의 제조 방법.
  27. 제 20 항에 있어서,
    상기 제 1 보호층은 벤조사이클로부텐과 포토 아크릴 중의 어느 하나로 이루 어지는 반투과형 액정 표시 장치의 제조 방법.
  28. 제 27 항에 있어서,
    상기 화소 전극은 그 가장자리가 상기 데이터 배선과 중첩하도록 형성하는 반투과형 액정 표시 장치의 제조 방법.
  29. 제 20 항에 있어서,
    상기 반사 전극은 알루미늄과 알루미늄 합금, 크롬, 몰리브덴 중의 어느 하나로 이루어지는 반투과형 액정 표시 장치의 제조 방법.
  30. 제 20 항에 있어서,
    상기 블랙 매트릭스를 형성하는 단계는 상기 제 2 기판 하부에 상기 공통 전극의 제 1 슬릿패턴을 덮는 블랙 매트릭스를 형성하는 단계를 더 포함하는 반투과형 액정 표시 장치의 제조 방법.
  31. 제 1 기판 상부에 게이트 배선을 형성하는 단계;
    상기 게이트 배선과 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터 배선을 형성하는 단계;
    상기 데이터 배선과 나란한 방향을 가지는 반사 전극을 형성하는 단계;
    상기 데이터 배선 및 반사 전극 상부에 보호층을 형성하는 단계;
    상기 보호층 상부에 화소 전극을 형성하는 단계;
    상기 제 2 기판 상부에 블랙 매트릭스를 형성하는 단계;
    상기 블랙 매트릭스 상부에 제 1 슬릿패턴을 가지는 공통 전극을 형성하는 단계;
    상기 제 1 기판 및 제 2 기판을 상기 화소 전극과 상기 공통 전극이 마주하도록 배치하는 단계;
    상기 배치된 제 1 및 제 2 기판 사이에 액정을 주입하는 단계
    를 포함하는 반투과형 액정 표시 장치의 제조 방법.
  32. 제 31 항에 있어서,
    상기 반사 전극을 형성하는 단계는 상기 데이터 배선을 형성하는 단계와 동일한 공정에서 이루어지는 반투과형 액정 표시 장치의 제조 방법.
  33. 제 32 항에 있어서,
    상기 화소 전극은 상기 반사 전극과 대응하는 부분에 제 2 슬릿패턴을 가지도록 형성하는 반투과형 액정 표시 장치의 제조 방법.
  34. 제 33 항에 있어서,
    상기 공통 전극의 제 1 슬릿패턴은 상기 화소 영역의 가장자리와 대응하며, 상기 화소 전극 상부에 위치하도록 형성하는 반투과형 액정 표시 장치의 제조 방법.
  35. 제 31 항에 있어서,
    상기 보호층은 벤조사이클로부텐과 포토 아크릴 중의 어느 하나로 이루어진 반투과형 액정 표시 장치.
  36. 제 35 항에 있어서,
    상기 화소 전극은 그 가장자리가 상기 데이터 배선과 중첩하도록 형성하는 반투과형 액정 표시 장치의 제조 방법.
  37. 제 31 항에 있어서,
    상기 반사 전극은 크롬으로 이루어지는 반투과형 액정 표시 장치의 제조 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100569607B1 (ko) * 2003-08-26 2006-04-10 한국전자통신연구원 유기 발광 소자의 보호막 형성 방법
TW200528831A (en) 2004-01-06 2005-09-01 Samsung Electronics Co Ltd Substrate for a display apparatus
JP2007226175A (ja) * 2006-01-26 2007-09-06 Epson Imaging Devices Corp 液晶装置及び電子機器
KR101307996B1 (ko) * 2006-06-30 2013-09-13 엘지디스플레이 주식회사 반투과 액정표시장치 및 그 제조방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0822023A (ja) * 1994-07-05 1996-01-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示素子とその製造方法
KR19980086371A (ko) * 1997-05-29 1998-12-05 윤종용 광시야각 액정 표시 장치
KR20000040118A (ko) * 1998-12-17 2000-07-05 김영환 수직 배향 모드 액정표시장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0822023A (ja) * 1994-07-05 1996-01-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示素子とその製造方法
KR19980086371A (ko) * 1997-05-29 1998-12-05 윤종용 광시야각 액정 표시 장치
KR20000040118A (ko) * 1998-12-17 2000-07-05 김영환 수직 배향 모드 액정표시장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101439803B1 (ko) 2010-10-28 2014-09-11 도판 인사츠 가부시키가이샤 컬러 필터 기판 및 이를 이용한 프린지필드·스위칭 방식 액정 표시 장치

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