KR20070039616A

KR20070039616A - 투명 도전성 적층체 및 투명 터치 패널

Info

Publication number: KR20070039616A
Application number: KR1020077006287A
Authority: KR
Inventors: 히로시 하라; 하루히코 이토; 이사오 시로이시; 히토시 미코시바
Original assignee: 데이진 가부시키가이샤
Priority date: 2004-08-20
Filing date: 2005-08-18
Publication date: 2007-04-12
Also published as: US7972684B2; US20070224412A1; CN101044579B; TWI383404B; HK1109493A1; EP1801814B1; WO2006019184A1; KR101143281B1; EP1801814A4; TW200614279A; JPWO2006019184A1; JP4575384B2; EP1801814A1; CN101044579A

Abstract

(1) 고분자 필름의 적어도 일방의 면상에 금속 화합물층, 투명 도전층이 순차적으로 적층되고, (2) 이 금속 화합물층과 이 투명 도전층이 접하여 이루어지며, (3) 이 금속 화합물층의 막 두께가 0.5㎚ 이상 10.0㎚ 미만인, 투명 도전성 적층체.

금속 화합물층, 투명 도전층, 고분자 필름, 경화 수지층

Description

투명 도전성 적층체 및 투명 터치 패널{TRANSPARENT CONDUCTIVE MULTILAYER BODY AND TRANSPARENT TOUCH PANEL}

본 발명은 고분자 필름 상에 투명 도전층을 갖는 투명 도전성 적층체에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 고분자 필름 상에 금속 화합물층, 투명 도전층이 순차적으로 적층된, 표시 소자용, 투명 터치 패널용으로서 바람직한 투명 도전 적층체 및 이것을 사용한 투명 터치 패널에 관한 것이다.

최근의 다운사이징을 키워드로 한 각종 디바이스의 소형화ㆍ경량화ㆍ에너지 절약화의 동향은, 각종 표시 소자 또는 박막 태양 전지의 기판을 고분자 필름으로함으로써 특징을 갖게 하려고 하는 경향이 있다. 또, 고분자 필름은 경량임과 동시에 가요성이 풍부한 재료라는 점에서 각종 디바이스의 균열 등에 의한 파괴를 억제할 수 있다. 이와 같이, 종래 유리가 사용되어 온 분야에 고분자 필름을 적용하려는 움직임은 더욱더 활발해지고 있다.

고분자 필름과 같은 유기물 상에, 굴절률의 제어나 가스 투과의 억제를 목적으로 하여 기능성 코팅층을 형성하는 것이 시도되고 있다. 그러나, 이러한 코팅층 상에 투명 도전층이 형성되어 이루어지는 투명 도전성 적층체에서는, 내굴곡성이 충분하지 않아, 고분자 필름의 플렉시빌리티를 다 살리는 것이 곤란했다. 특히, 낮은 저항값을 기도한 투명 도전층을 고분자 필름 상에 직접 형성하면, 충분한 내굴곡성을 얻을 수 없었다. 이 때문에, 고분자 필름과 투명 도전층 사이에, 여러 가지 내굴곡성 향상용 유기층이 형성되는 것이 검토되어 왔다.

한편, 유리와 같은 낮은 투습성을 부여하기 위해, 고분자 필름 상에 금속 화합물층이 형성되는 경우가 많다. 그러나, 이러한 금속 화합물층은, 연속층을 형성하는 이상의 두께를 갖고, 가스 배리어층으로서의 기능은 가지지만, 외부 응력이 가해졌을 경우에, 고분자 필름과 금속 화합물층의 탄성률이 크게 상이하기 때문에, 신장에 차이가 생겨, 금속 화합물층의 구조가 파괴되는 경우가 있다. 게다가, 투명 도전층과 같이, 0.1㎛ 정도의 두께를 갖는 층이, 금속 화합물층 상에 적층되면, 플렉시빌리티가 현저히 저감된다. 그리고, 이러한 기능성 무기층의 형성에서 유래하는 플렉시빌리티의 손실이, 고분자 필름을 사용한 투명 도전성 적층체에 대해 현저하게 큰 장애가 되어, 그 디바이스군에 대한 응용을 저해하고 있었다는 것은 부정할 수 없다.

반대로, 각종 디바이스에서는, 투명 도전층을 전극 재료로서 사용하는 경우가 많아, 인듐 산화물에 주석을 도핑한 ITO 나, 아연을 도핑한 IZO, 산화아연에 갈륨을 도핑한 GZO, 산화아연에 알루미늄을 도핑한 AZO 가 알려져 있다. 이들 투명 도전층은 유기물층 상에 형성되었을 경우, 밀착성이 부족한 경우가 있으며, 외부로부터의 응력에 의해 유기물층으로부터 박리하는 경우가 있어 개선이 요구되고 있었다. 특히, 내굴곡성은 고분자 필름을 사용한 투명 도전성 적층체의 중요한 과제로서 현재화(顯在化)되고 있었다.

고분자 필름을 사용한 투명 도전성 적층체의 내굴곡성을 개선시키는 것은, 그 투명 도전성 적층체의 사용 형태를 마다하지 않은 의미가 있다. 또, 본래적으로 투명 도전성 적층체에 기대되고 있는 기능은 굴곡 상태에서 동작하는 디바이스에 사용할 수 있다는 기능이다. 특히, 투명 터치 패널 용도에서는, 투명 도전성 적층체의 내굴곡성을 개선함으로써 이 투명 도전성 적층체를 사용한 투명 터치 패널의 필기 내구성을 향상시킬 수 있다.

한편, 언더코트층을 투명 도전층의 바로 아래에 형성함으로써, 투명 도전성 적층체의 내굴곡성을 개선시키는 방법이 제안되고 있다 (특허 문헌 1 참조).

그러나, 언더코트층이 유기물인 경우, 특히 낮은 저항값이 요구되는 디바이스에 대한 이용을 목적으로, 이 유기물층 상에 낮은 저항값의 투명 도전층을 형성하여 이루어지는 투명 도전성 적층체에서는 내굴곡성을 충분히 확보하는 것은 곤란했다.

이 문제를 해결하기 위해, 유기물과 비교적 밀착성이 높은 금속 화합물층을 언더코트층으로서 사용하는 방법이 투명 도전성 적층체의 굴곡성의 개선 기술로서 개발되었지만 (특허 문헌 2 참조), 이 경우에도, 당해 특허 문헌 2 에 나타나는 바와 같은 구성에서는 충분한 내굴곡성이 얻어지지 않고 있다.

또, 앞서 본 출원인은, 투명 도전성 적층체의 내굴곡성을 개선할 목적으로 평균 1 차 입경이 100㎚ 미만인 무기 산화물 미립자를 경화 수지층의 표면에 편석시키는 기술을 개시하고 있는데, 이 중에서 무기 산화물 미립자를 경화 수지층의 표면에 편석시키는 방법으로서 계면 활성제를 첨가하는 것을 제안하였다 (특허 문 헌 3 참조).

그러나, 계면 활성제를 경화 수지층에 첨가한 경우에는, 계면 활성제가 경화 수지층 중에 고정되어 있지 않기 때문에 계면 활성제가 표면으로 스며 나와 전사 되어, 투명 도전성 적층체 등을 오염시키는 경우가 있다는 것을 확인하였다.

[특허 문헌 1] 일본 공개특허공보 평8-227623호

[특허 문헌 2] 일본특허 제3146059호

[특허 문헌 3]일본 공개특허공보 2004-119188호

발명의 개시

본 발명의 목적은, 상기 종래 기술이 가지고 있던 문제를 해결하여, 고분자 필름을 사용한 투명 도전성 적층체의 내굴곡성을 개선하는 것에 있다.

제 1 도는 실시예 5, 6, 비교예 6, 7 에서 제작한 투명 터치 패널의 구성을 모식적으로 나타낸 도면이다.

제 2 도는 비교예 4, 8 에서 제작한 투명 터치 패널의 구성을 모식적으로 나타낸 도면이다.

제 3 도는 비교예 5, 실시예 7 에서 제작한 투명 터치 패널의 구성을‘모식적으로 나타낸 도면이다.

제 4 도는 실시예 4 에서 제작한 투명 터치 패널의 구성을 나타낸 모식도이다.

제 5 도는 비교예 3 에서 제작한 투명 터치 패널의 구성을 나타낸 모식도이다.

발명을 실시하기 위한 최선의 형태

이하, 본 발명에 대하여 상세하게 설명한다.

고분자 필름

본 발명의 투명 도전성 적층체를 구성하는 고분자 필름은, 내열성이 우수한 투명한 고분자로 형성되면 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌-2,6-나프탈레이트, 폴리디알릴프탈레이트 등의 폴리에스테르 계 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리술폰 수지, 폴리알릴레이트 수지, 아크릴 수지, 셀룰로오스아세테이트 수지, 시클로올레핀 폴리머 등을 들 수 있다. 물론 이들은 호모폴리머, 코폴리머로서, 또는 단독 또는 블렌드로서도 사용할 수 있다. 투명성, 강성에 추가하여 신규 기능을 발현시키기 위해 복수의 고분자를 블렌드하는 것이 바람직하게 행해진다.

이들 고분자 필름은 일반적인 용융 압출법 또는 용액 유연법 등에 의해 바람직하게 성형되는데, 필요에 따라 성형한 고분자 필름에 1 축 연신 또는 2 축 연신하여 기계적 강도를 높이거나, 광학적 기능을 높이거나 하는 것도 바람직하게 행해진다. 또, 다층의 공압출법으로 고분자 필름을 성형할 수도 있다.

본 발명의 투명 도전성 적층체를 액정 디스플레이 등의 표시 소자용 기판으로서 사용하는 경우에는, 비스페놀 성분을 갖는 투명성이 양호한 방향족 폴리카보네이트가 바람직하다. 방향족 폴리카보네이트의 제법은 특별히 한정되지 않지 만, 포스겐법으로 중합하고, 용액 유연법에 의해 제조된 필름이 투명성, 광학 등방성 등이 양호하다. 이러한 비스페놀 성분으로는, 예를 들어, 2,2-비스(4-히드록시페닐)프로판 (비스페놀 A), 1,1-비스(4-히드록시페닐)시클로헥산 (비스페놀 Z), 1,1-비스(4-히드록시페닐)-3,3,5-트리메틸시클로헥산, 9,9-비스(4-히드록시페닐)플루오렌, 9,9-비스(3-메틸-4-히드록시페닐)플루오렌을 들 수 있다. 이들은 2 종류 이상 조합해도 된다. 즉, 이러한 방향족 폴리카보네이트는 1 종류의 비스페놀 성분을 사용하여 중합한 폴리카보네이트, 2 종류 이상의 비스페놀 성분을 사용하여 공중합한 폴리카보네이트, 비스페놀 성분이 상이한 폴리카보네이트를 블렌드 한 것 중 어느 것이어도 된다.

이들 고분자는 실용 온도의 지표가 되는 유리 전이점이 높은 것이 바람직하고, 고분자 필름의 유리 전이점이 150℃ 이상인 것이 바람직하다.

예를 들어, 비스페놀 A 타입 (비스페놀 A 를 비스페놀 성분으로 한 것) 의 방향족 폴리카보네이트에서는 유리 전이점은 150℃ 이다. 또한, 9,9-비스(4-히드록시페닐)플루오렌이나 9,9-비스(3-메틸-4-히드록시페닐)플루오렌을 예를 들어, 비스페놀 A 와 공중합한 방향족 폴리카보네이트에서는, 공중합 조성에 의해서도 좌우되지만, 유리 전이점은 약 200℃ 이다. 성형성, 투명성, 경제성 등을 고려하면, 공중합 조성으로는, 비스페놀 A 가 20∼70 몰% 인 것이 바람직하다. 이러한 유리 전이점이 높은 광학 등방성의 고분자 필름은, 액정 디스플레이나 유기 발광 다이오드, 전자 페이퍼의 제조 공정에 있어서의 열 이력에 대해 안정적이라는 점에서, 이들의 용도에 바람직하다.

한편, 폴리에틸렌테레프탈레이트나, 폴리에틸렌-2,6-나프탈레이트는 고분자 필름의 강성이 높은 데다가, 범용성이 높고 코스트 메리트를 내기 쉽다. 그리고, 축차법이나 동시법에 의한 2 축 연신을 추가하고, 열 고정함으로써, 유리 전이점을 초과하는 실용 온도를 실현할 수 있다. 일반적인 2 축 연신 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 실용 온도는 약 150℃ 이고, 2 축 연신 폴리에틸렌2,6나프탈레이트의 실용 온도는 약 180℃ 이다.

또, 고분자 필름의 두께로는 통상적으로 0.01∼0.4㎜ 가 바람직하지만, 전자 페이퍼 등의 용도로는 0.1∼0.2㎜ 정도가 시인성의 관점에서 바람직하다. 또, 두께가 0.01㎜ 정도인 고분자 필름에 다른 것의 두께가 0.01㎜ 이상인 고분자 필름을 점착제를 통하여 접착시킨 구성으로 하여 사용해도 상관없다.

본 발명의 투명 도전성 적층체를 터치 패널의 가동 전극 기판으로서 사용하는 경우에는, 터치 패널을 스위치로서 동작시키기 위한 가요성과 평탄성을 유지하기 위한 강도의 점에서, 고분자 필름의 두께는 0.075∼0.400㎜ 가 바람직하다. 또한, 두께가 0.4㎜ 보다 얇은 고분자 필름에 점착제를 통하여 다른 고분자 필름을 접착시킨 구성으로 하여 사용할 수도 있다. 또, 터치 패널의 고정 전극 기판으로서 사용하는 경우에는 평탄성을 유지하기 위한 강도의 점에서 고분자 필름의 두께는 0.4∼4.0㎜ 가 바람직한데, 두께 0.050∼0.400㎜ 인 고분자 필름에 다른 시트나 유리 기판을 접착시켜, 전체 두께를 0.4∼4.0㎜ 가 되는 구성으로 하여 사용해도 된다.

또, 최근에는 터치 패널의 입력측 (사용자측) 의 면에 편광판 또는, (편광판 +위상차 필름) 을 적층한 구성의 새로운 타입의 터치 패널이 개발되고 있다. 이 구성의 이점은 주로 상기 편광판 또는, (편광판+위상차 필름) 의 광학 작용에 의해, 터치 패널 내부에 있어서의 외래광의 반사율을 절반 이하로 저감시켜, 터치 패널을 설치한 상태에서의 디스플레이의 콘트라스트를 향상시키는 것에 있다.

이러한 타입의 터치 패널에서는, 편광이 투명 도전성 적층체를 통과한다는 점에서, 고분자 필름으로서 광학 등방성이 우수한 특성을 갖거나 또는 λ/4, λ/2 등의 특정 위상차를 갖는 것을 사용하는 것이 바람직하다. 전자의 경우, 고분자 필름의 지상축 방향의 굴절률을 nx, 진상축 방향의 굴절률을 ny, 기판의 두께를 d (㎚) 로 했을 경우에 Re=(nx-ny)×d (㎚) 로 나타나는 면내 리타데이션값 (Re) 이 적어도 30㎚ 이하인 것이 바람직하고, 20㎚ 이하인 것이 보다 바람직하다. 후자의 경우, 고분자 필름이 위상차 필름의 기능을 겸할 수 있다. 또한, 여기에서 기판의 면내 리타데이션값 (Re) 은 분광 엘립소미터 (일본 분광 주식회사 제조, M-150) 를 사용하여 측정한 파장 590㎚ 에서의 값으로 대표되고 있다.

이와 같이 예시한 투명 도전성 적층체를 편광이 통과하는 타입의 터치 패널의 용도에서는, 고분자 필름의 면내 리타데이션값이 매우 중요하지만, 이에 추가하여 고분자 필름의 3 차원 굴절률 특성, 즉 고분자 필름의 면내의 세로, 가로의 굴절률을 nx, ny, 두께 방향의 굴절률을 nz 라고 했을 때에 K={(nx+ny)/2-nz}×d 로 나타나는 K 값이 -250∼+150㎚ 인 것이 바람직하고, -200∼+100㎚ 의 범위에 있는 것이 터치 패널의 우수한 시야각 특성을 얻는 데에 있어서 보다 바람직하다.

이들 광학 등방성이 우수한 특성을 나타내는 고분자 필름으로는, 예를 들어, 폴리카보네이트, 비정성 폴리알릴레이트, 폴리에테르술폰, 폴리술폰, 트리아세틸셀룰로오스, 디아세틸셀룰로오스, 시클로올레핀 폴리머 및 이들의 변성물 또는 다른 종류의 재료와의 공중합물 등의 성형 기판, 에폭시계 수지 등의 열경화형 수지의 성형 기판이나 아크릴 수지 등의 자외선 경화형 수지의 성형 기판 등이 예시된다. 성형성이나 제조 코스트, 열적 안정성 등의 관점에서, 폴리카보네이트, 비정성 폴리알릴레이트, 폴리에테르술폰, 폴리술폰, 시클로올레핀 폴리머 및 이들의 변성물 또는 다른 종류의 재료와의 공중합물 등의 성형 기판을 가장 바람직하게 들 수 있다.

보다 구체적으로는, 폴리카보네이트로는 예를 들어, 비스페놀 A, 1,1-디(4-페놀)시클로헥실리덴, 3,3,5-트리메틸-1,1-디(4-페놀)시클로헥실리덴, 플루오렌-9,9-디(4-페놀), 플루오렌-9,9-디(3-메틸-4-페놀) 등으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 성분을 사용하여 중합 (공중합) 한 폴리카보네이트 또는 상기의 군에서 선택되는 적어도 하나의 성분을 사용하여 중합한 폴리카보네이트를 블렌드 한 것으로서, 평균 분자량이 대략 15000∼100000 의 범위의 폴리카보네이트 (상품으로는, 예를 들어, 테이진 카세이 주식회사 제조의 「판라이트」나 바이엘사 제조의 「Apec HT」등이 예시된다) 의 필름이 바람직하게 사용된다.

또, 비정성 폴리알릴레이트로는, 상품으로서 주식회사 가네카 제조의 「엘멕」, 유니치카 주식회사 제조의 「U 폴리머」, 이소노바사 제조의 「이사릴」등이 예시된다.

또, 시클로올레핀 폴리머로는, 상품으로서 일본 제온 주식회사 제조의 「제 오노어」나 JSR 주식회사 제조의 「아톤」등이 예시된다.

또, 이들 고분자 필름의 성형 방법으로는, 용융 압출법이나 용액 유연법, 사출 성형법 등의 방법이 예시되는데, 우수한 광학 등방성을 얻는 관점에서는, 용융 압출법이나 용액 유연법을 사용하여 성형하는 것이 바람직하다.

본 발명의 투명 도전성 적층체를 편광판과 함께 사용하지 않는 경우에는, 투명성이 확보되어 있으면, 리타데이션값 (Re) 이 얼마라 하더라도 상관없다.

금속 화합물층

본 발명에 있어서는, 상기 고분자 필름의 적어도 일방의 면상에 금속 화합물층이 적층되어 있을 필요가 있으며, 특히, 이 금속 화합물층의 막 두께가 0.5㎚ 이상 10.0㎚ 미만의 범위의 두께가 되도록 형성하는 것이 투명 도전성 적층체의 내굴곡성을 개선하는 데에 중요하다.

두께가 10.0㎚ 이상인 경우, 금속 화합물층이 연속체로서의 기계 물성을 나타내기 시작함으로써, 내굴곡성의 향상 효과가 그다지 현저하지 않다. 한편, 두께가 0.5㎚ 미만인 경우, 두께 제어가 곤란한 것에 추가하여, 고분자 필름 또는 후술하는 경화 수지층에 대해 충분한 앵커링 효과를 나타내지 않기 때문에, 내굴곡성의 개선 효과가 역시 충분하지 않게 된다. 보다 바람직한 두께의 범위는 1.0㎚∼5.0㎚ 이다.

층을 형성하는 금속 화합물로는 규소, 알루미늄, 티탄, 마그네슘, 아연, 지르코늄, 인듐 및 주석으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 금속의 산화물, 질화물 또는 산 질화물 또는 이들의 혼합물로 이루어지는 것이 바람직하고, 예 를 들어, 금속 산화물로서 구체적으로는, 산화규소, 산화알루미늄, 산화티탄, 산화마그네슘, 산화아연, 산화지르코늄, 산화인듐, 산화주석 등을 들 수 있다. 특히 산화규소를 사용하는 것이 바람직하다.

또, 산 질화물로는 규소산 질화물 (SiOxNy), 알루미늄산 질화물 (AlOxNy) 등을 들 수 있으며, 질화물로서 질화규소, 질화알루미늄, 질화아연, 질화지르코늄 등을 들 수 있다.

이들 금속 화합물층은 공지된 수법으로 형성하는 것이 가능하고, 예를 들어, DC 마그네트론 스퍼터링법, RF 마그네트론 스퍼터링법, 이온 플레이팅법, 증착법, 펄스 레이저 디포지션법 등의 물리적 형성법 (Physical Vapor Deposition, 이하, PVD 라고 약기한다), 및 이들을 복합한 물리적 형성법 (PVD) 등을 사용할 수 있는데, 대면적에 대해 균일한 막 두께의 금속 화합물층을 형성한다고 하는 공업 생산성에 주목하면, DC 마그네트론 스퍼터링법이 바람직하다. 또한, 상기 물리적 형성법 (PVD) 외에, Chemical Vapor Deposition (이하, CVD 라고 약기한다), 플라즈마 CVD 법, 졸겔법 등의 화학적 형성법을 사용할 수도 있는데, 두께 제어의 관점에서는 역시 스퍼터링법이 바람직하다.

스퍼터링에 사용하는 타겟은 금속 타겟을 사용하는 것이 바람직하고, 반응성 스퍼터링법을 사용하는 것이 널리 채용되고 있다. 이것은 금속 화합물층으로서 사용하는 원소의 산화물, 질화물, 산 질화물이 절연체인 경우가 많고, 산화물, 질화물, 산 질화물 타겟의 경우, DC 마그네트론 스퍼터링법을 적응할 수 없는 경우가 많기 때문이다. 또, 최근에는, 2 개의 캐소드를 동시에 방전시켜, 타겟에 대한 절연체의 형성을 억제하는 전원이 개발되어 있으며, 유사적인 RF 마그네트론 스퍼터링법을 적응할 수 있게 되었다.

본 발명에서는, 금속 타겟을 사용하여 DC 마그네트론 스퍼터링법에 의해 상기 금속 화합물층을 제막하는 경우에는, 이 금속 화합물층을 제막하는 진공조 중의 압력 (배압) 을 일단 1.3×10^-4Pa 이하로 하고, 이어서 불활성 가스 및 산소 등의 반응성 가스를 도입하는 제조 방법으로 형성할 수 있다. 금속 화합물층을 제막하는 진공조 중의 압력은 일단 1.3×10^-4Pa 이하로 하는 것이, 진공조 중에 잔류하고, 또한 금속 화합물층의 형성 과정에 영향을 줄 것이 염려되는 분자종의 영향을 저감시킬 수 있기 때문에 바람직하다. 보다 바람직하게는 5×10^-5Pa 이하, 더욱 바람직하게는 2×10^-5Pa 이하이다.

이어서 도입되는 불활성 가스로는, 예를 들어, He, Ne, Ar, Kr, Xe 를 사용할 수 있으며, 원자량이 큰 불활성 가스만큼 형성되는 막에 대한 데미지가 적고 표면 평탄성이 향상된다고 여겨지고 있다. 그러나, 코스트면을 고려하면 Ar 이 바람직하다. 이 불활성 가스에는 산소 외에 O₃, N₂, N₂O, H₂O, NH₃ 등의 반응성 가스를 목적에 따라 첨가하여 사용할 수 있다.

또, 본 발명에서는, 금속 화합물층을 제막하는 진공조 중의 물의 분압을 1.3×10^-4Pa 이하로 하고, 이어서 불활성 가스 및 산소 등의 반응성 가스를 도입하는 제조 방법으로 형성할 수 있다. 물의 분압은, 보다 바람직하게는 4×10^-5Pa 이하, 더욱 바람직하게는 2×10^-5Pa 이하로 제어할 수 있다.

금속 화합물층 중에 수소를 수중에 취입함으로써 금속 화합물층 내부의 응력을 완화시키기 위해, 물을 의도적으로 1.3×10^-4∼3×10^-2Pa 의 범위에서 도입해도 상관없다. 이 조정은, 일단 진공을 형성한 후에, 바이어블 리크 밸브나 매스 플로우 콘트롤러를 사용하여 물을 도입함으로써 실시해도 된다. 또, 진공조의 배압을 제어함으로써 실시할 수도 있다.

본 발명에 있어서의 수분압을 결정할 때에는, 차동 배기형의 인프로세스 모니터를 사용해도 된다. 또는, 다이나믹 레인지가 넓어, 0.1Pa 대의 압력 하에서도 계측할 수 있는 4 중극 질량 분석계를 사용해도 된다. 또, 일반적으로, 1.3×10^-5Pa 정도의 진공도에서는, 그 압력을 형성하고 있는 것은 물이다. 따라서, 진공계에 의해 계측된 값을 그대로 수분압이라고 생각해도 상관없다.

본 발명에 있어서는, 기판으로서 고분자 필름을 사용하기 때문에, 기판 온도를 당해 고분자 필름의 연화점 온도로부터 상승시키는 것은 거의 불가능하다. 따라서, 금속 화합물층을 형성하기 위해서는, 기판 온도는 실온 이하 정도에서 고분자 필름의 연화점 온도 이하로 할 필요가 있다. 대표적인 고분자 필름인 폴리에틸렌테레프탈레이트의 경우, 특별한 처리를 실시하지 않을 때에는 기판 온도를 80℃ 이하의 온도로 유지한 채 투명 도전층을 형성하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 50℃ 이하의 기판 온도에서, 더욱 바람직하게는 20℃ 이하이다. 또, 유리 전이점이 높은 고분자 필름 위라 하더라도, 고분자 필름으로부터의 아웃 가스의 제어라는 관점에서 80℃ 이하, 보다 바람직하게는 50℃ 이하, 더욱 바람직하게는 20℃ 이하로 설정한 기판 온도에서 형성하는 것이 바람직하다.

또, 본 발명에 있어서, 금속 화합물층은, 후술하는 투명 도전층과 접하여 이루어지는데, 이 금속 화합물층의 막 두께를, 투명 도전층의 막 두께보다도 얇게 하는 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써 투명 도전성 적층체의 내굴곡성이 개선되고, 그 결과, 이 투명 도전성 적층체를 사용한 투명 터치 패널의 필기 내구성이 향상된다.

투명 도전층

본 발명에 있어서, 상기 금속 화합물층에 접하여 형성되는 투명 도전층은 인듐, 주석, 아연, 갈륨, 알루미늄으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종 이상의 금속의 산화물을 사용하여 형성할 수 있다. 특히 산화인듐에 산화주석을 첨가한 ITO 나 산화인듐에 산화아연을 첨가한 IZO, 산화아연에 산화갈륨을 첨가한 GZO, 산화아연에 산화알루미늄을 첨가한 AZO 가 바람직하다. 특히 ITO 의 경우에는, 2∼20 중량% 의 산화주석을 함유하는 ITO 가 고분자 필름 기판에 대해서는 바람직하다. 보다 바람직하게는 2∼15 중량%, 더욱 바람직하게는 3∼10 중량% 의 산화주석을 함유하는 ITO 이다. IZO 막의 경우에는, 5∼20 중량% 의 산화아연을 함유하는 IZO 막이 고분자 필름 기판에 대해서는 바람직하다. 보다 바람직하게는 5∼10 중량% 의 산화아연을 함유하는 IZO 막이다.

본 발명의 투명 도전층은 예를 들어, 증착법이나, DC 마그네트론 스퍼터링법, RF 마그네트론 스퍼터링법, 이온 플레이팅법이나 이온빔 스퍼터링법과 같은 PVD 법이나 CVD 법을 사용할 수 있는데, 대면적에 균일한 투명 도전층을 형성한다고 하는 관점에서 DC 마그네트론 스퍼터링법이 바람직하다.

DC 마그네트론 스퍼터링법에는, 산화인듐에 대해 산화주석이 2∼20 중량% 첨가된 산화물 소결 타겟, 또는 산화인듐에 대해 산화아연이 2∼20 중량% 첨가된 산화물 소결 타겟을 사용하는 것이 바람직하다. 또는, 금속 인듐에 금속 주석 또는 금속 아연을 첨가한 합금 타겟을 사용하여 반응성 스퍼터링법에 의해 투명 도전층을 형성해도 된다.

산화물 소결 타겟을 사용하여 DC 마그네트론 스퍼터링법에 의해 상기 투명 도전층을 형성하는 경우에는, 먼저 진공조 중의 압력 (배압) 을 일단 1.3×10^-4Pa 이하로 하고, 이어서, 불활성 가스 및 산소를 도입한다. 진공조 중의 압력은 일단 1.3×10^-4Pa 이하로 하는 것이, 진공조 중에 잔류하고, 또한 투명 도전층의 특성에 영향을 줄 것이 염려되는 분자종의 영향을 저감시킬 수 있기 때문에 바람직하다. 보다 바람직하게는 5×10^-5Pa 이하, 더욱 바람직하게는 2×10^-5Pa 이하이다.

이어서 도입되는 불활성 가스로는 예를 들어, He, Ne, Ar, Kr, Xe 를 사용할 수 있으며, 원자량이 큰 불활성 가스만큼 형성되는 막에 대한 데미지가 적고 표면 평탄성이 향상된다고 여겨지고 있다. 그러나, 코스트면에서 고려하여 Ar 이 바람직하다. 이 불활성 가스에는 투명 도전층 중에 취입되는 산소 농도를 조정하 기 위해, 분압으로 환산하여 1.3×10^-4∼7×10^-2Pa 대의 산소를 첨가해도 상관없다. 게다가, 산소 외에 O₃, N₂, N₂O, H₂O, NH₃ 등을 목적에 따라 사용할 수 있다.

본 발명에서는, 투명 도전층의 저항값을 조정하기 위해, 물을 의도적으로 1.3×10^-4∼3×10^-2Pa 의 범위에서 도입해도 상관없다. 이 조정은, 일단 진공조를 배기한 후에, 바이어블 리크 밸브나 매스 플로우 콘트롤러를 사용하여 물을 도입함으로써 실시해도 된다. 또, 진공조의 배압을 제어함으로써 실시할 수도 있다.

본 발명에 있어서의 수분압을 결정할 때에는, 차동 배기형 인프로세스 모니터를 사용해도 된다. 또는, 다이나믹 레인지가 넓어, 0.1Pa 대의 압력 하에서도 계측할 수 있는 4 중극 질량 분석계를 사용해도 된다. 또, 일반적으로, 1.3×10^-5Pa 정도의 진공도에서는, 그 압력을 형성하고 있는 것은 물이다. 따라서, 진공계에 의해 계측된 값을 그대로 수분압이라고 생각해도 상관없다.

본 발명에 있어서는, 기판 온도를 당해 고분자 필름의 연화점 온도로부터 상승시킬 수는 없다. 따라서, 투명 도전층을 형성할 때의 고분자 필름은, 실온 (20℃) 이하 정도에서 고분자 필름의 연화점 온도 이하로 할 필요가 있다. 예를 들어, 고분자 필름으로서 폴리카보네이트 필름을 사용했을 경우, 그 유리 전이점은 150℃ 부근인데, 고분자 필름으로부터의 아웃 가스의 제어라고 하는 관점에서 기판 온도를 80℃ 이하의 온도로 유지한 상태에서 투명 도전층을 형성하는 것이 바 람직하다. 보다 바람직하게는 50℃ 이하의 필름 온도에서, 더욱 바람직하게는 20℃ 이하이다. 또, 고분자 필름의 유리 전이점이 더욱 높은 경우에도, 고분자 필름으로부터의 아웃 가스의 제어라고 하는 관점에서 80℃ 이하, 보다 바람직하게는 50℃ 이하, 더욱 바람직하게는 20℃ 이하로 설정한 온도로 형성하는 것이 바람직하다.

본 발명의 투명 도전성 적층체에서는 색조, 광선 투과율의 관점에서, 투명 도전층의 막 두께를 5.0∼260㎚ 정도로 하면 된다. 이 막 두께가 5.0㎚ 미만에서는, 저항값이 1000Ω/□ (Ω/sq.) 를 현저히 초과하여, 적용할 수 있는 디바이스가 눈에 띄지 않게 되어 버린다. 또, 막 두께가 260㎚ 를 초과하면, 광선 투과율이 저하되어 버린다. 또한, 투명 도전층에 발생하는 응력으로 내굴곡성이 나빠진다.

또한, 투명 도전층의 막 두께는 용도에 따라 적당히 선택되는 것이 바람직하고, 예를 들어, 얻어지는 투명 도전성 적층체를 투명 터치 패널 용도에 사용하려고 하는 경우에는, 투명 도전성 적층체의 막 두께는 5.0㎚∼50.0㎚ 인 것이 바람직하다.

또, 본 발명에 있어서의 투명 도전층은 결정질, 비정질, 결정질과 비정질의 혼재 중 어느 상태이어도 상관없다. 각종 표시 소자에 응용하는 경우에는, 프로세스에서 200℃ 에 가까운 온도가 가해지는 경우가 있기 때문에, 그러한 프로세스 온도가 높은 경우에는, 약 350℃ 까지 비정질을 계속해서 유지하는 IZO 가 투명 도전층으로서 바람직하다.

또, 투명 터치 패널 용도에서는, 투명 도전층으로서 산화인듐을 주성분으로하는 결정질의 층을 사용하는 것이 바람직하고, 특히 결정질의 ITO 층이 바람직하게 사용된다. 또, ITO 층의 결정 입자 직경은 3000㎚ 이하인 것이 필기 내구성의 관점에서 더욱 바람직하다. 여기에서, 결정 입자 직경이란, 투과형 전자 현미경 (TEM) 하에서 관찰되는 다각 형상 또는 타원 형상의 결정 입자의 각 영역에 있어서의 대각선 또는 직경 중에서 최대인 것이라고 정의한다. 또, "산화인듐을 주성분으로 한" 이란, 도펀트로서 주석, 텔루르, 카드뮴, 몰리브덴, 텅스텐, 불소, 아연 등을 함유하는 산화인듐, 또는 도펀트로서 주석 외에, 추가로 규소, 티탄, 아연 등을 함유하는 산화인듐을 의미한다.

또, "결정질의 층" 이란, 도펀트를 함유하는 산화인듐으로 이루어지는 층의50% 이상, 바람직하게는 75% 이상, 보다 바람직하게는 95% 이상, 특히 바람직하게는 99.9% 이상이 결정상으로 차지되어 있는 것을 의미한다.

경화 수지층

본 발명에 있어서는, 고분자 필름과 금속 화합물층의 층간에, 추가로 경화 수지층을 배치하는 것이 바람직하다. 이와 같이 경화 수지층을 배치함에 따라, 얻어지는 투명성 도전체의 내굴곡성을 더욱 향상시킬 수 있으며, 특히, 이 투명 도전성 적층체를 사용한 투명 터치 패널은 필기 내구성, 단(端) 누름 내구성이 더욱 양호해진다.

경화 수지층을 형성하기 위한 수지로서, 전리 방사선 경화형 수지나 열경화형 수지 등을 들 수 있다.

전리 방사선 경화형 수지로는 예를 들어, 폴리올아크릴레이트, 폴리에스테르 아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 변성 스티렌아크릴레이트, 멜라민아크릴레이트, 실리콘 함유 아크릴레이트 등의 단관능 및 다관능 아크릴레이트를 들 수 있다.

구체적인 아크릴레이트로는 예를 들어, 트리메틸올프로판트리메타크릴레이트, 트리메틸올프로판에틸렌옥사이드 변성 아크릴레이트, 트리메틸올프로판프로필렌옥사이드 변성 아크릴레이트, 이소시아눌산알킬렌옥사이드 변성 아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 디메틸올트리시클로데칸디아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜트리아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 에폭시 변성 아크릴레이트, 우레탄 변성 아크릴레이트, 에폭시 변성 아크릴레이트 등의 다관능 아크릴레이트를 들 수 있다. 이들 아크릴레이트를 단독으로 사용해도 되고, 여러 종류를 혼합하여 사용해도 된다. 또, 경우에 따라서는, 각종 알콕시실란의 가수분해물을 적당량 첨가해도 된다. 또한, 전리 방사선에 의해 수지층의 중합을 실시하는 경우에는 공지된 광중합 개시제가 적당량 첨가된다. 또, 필요에 따라 광증감제를 적당량 첨가해도 된다.

광중합 개시제로는 아세토페논, 벤조페논, 벤조인, 벤조일벤조에이트, 티오크산톤류 등을 들 수 있으며, 광증감제로는 트리에틸아민, 트리-n-부틸포스핀 등을 들 수 있다.

열경화형 수지로는 메틸트리에톡시실란, 페닐트리에톡시실란 등의 실란 화합 물을 모노머로 한 오르가노실란계 열경화형 수지나 에테르화 메틸올멜라민 등을 모노머로 한 멜라민계 열경화형 수지, 이소시아네이드계 열경화형 수지, 페놀계 열경화형 수지, 에폭시계 열경화형 수지 등을 들 수 있다. 이들 열경화형 수지를 단독 또는 복수 조합하여 사용하는 것도 가능하다. 또, 필요에 따라 열가소성 수지를 혼합하는 것도 가능하다. 또한, 열에 의해 수지층의 가교를 실시하는 경우에는 공지된 반응 촉진제, 경화제가 적당량 첨가된다.

반응 촉진제로는 예를 들어, 트리에틸렌디아민, 디부틸주석디라우레이트, 벤질메틸아민, 피리딘 등을 들 수 있다. 경화제로는 예를 들어, 메틸헥사히드로무수프탈산, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,3'-디에틸디페닐메탄, 디아미노디페닐술폰 등을 들 수 있다.

경화 수지층의 형성 방법으로는, 상기 전리 방사선 경화형 수지, 상기 열경화형 수지, 상기 각종 첨가제 등을 각종 유기 용제에 용해시켜 농도나 점도를 조절한 도공액을, 고분자 필름 상에 도공하여 도공층을 형성한 후, 전리 방사선 조사나 가열 처리 등에 의해 이 도공층을 경화시키는 방법을 들 수 있다.

도공층을 형성하기 위한 도공법으로는, 닥터 나이프, 바코터, 그라비아 롤코터, 커텐 코터, 나이프 코터, 스핀 코터 등의 공지된 도공 기계를 사용하는 방법, 스프레이법, 침지법 등을 들 수 있다.

도공액을 조정하기 위해 사용하는 유기 용제로는, 알코올계, 탄화수소계 용제, 예를 들어, 에탄올, 이소프로필알코올, 부탄올, 1-메톡시-2-프로판올, 헥산, 시클로헥산, 리그로인 등을 들 수 있다. 이 밖에, 시클로헥사논, 아세트산부 틸, 아세트산이소부틸 등의 극성 용매도 사용할 수 있다. 이들은 단독 또는 2 종류 이상의 혼합 용제로서 사용할 수 있다.

경화 수지층의 두께는 10㎛ 이하인 것이 바람직하다. 5㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 1㎛ 이상 3㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 경화 수지층의 두께에 특별히 하한을 형성할 필요는 없지만, 전리 방사선 경화형 수지를 사용하는 경우에는 0.05㎛ 보다 얇을 경우 경화시키는 것이 곤란해진다. 한편, 경화 수지층의 두께가 10㎛ 를 초과하면, 경화 수지층이 나타내는 역학적 특성이 투명 도전성 적층체에 차지하는 비율이 커지기 때문에 투명 도전성 적층체에 휨을 발생시키고, 게다가 경화 수지층이 균열되기 쉬워져, 내굴곡성 향상 효과가 손상된다.

본 발명에 있어서는, 경화 수지층과 상기 금속 화합물층이 동일한 금속 원자를 함유하는 것이 바람직하다. 금속 화합물층과 동일한 금속 원자를 함유한 경화 수지층, 금속 화합물층, 투명 도전층을 순차적으로 적층하여 이루어지는 투명 도전성 적층체를 사용한 투명 터치 패널은 필기 내구성, 단 누름 내구성이 특별히 우수하기 때문에, 경화 수지층이 금속 화합물층과 동일한 금속 원자를 함유함에 따라 경화 수지층과 금속 화합물층의 밀착성이 향상된다고 추정된다.

경화 수지층 중에 금속 화합물층과 동일한 금속 원자를 함유시키는 방법으로는, 금속 알콕시드를 가수분해 및 중축합 반응하여 이루어지는 수지를 사용하여 경화 수지층을 형성하는 방법, 금속 알콕시드 성분을 함유한 전리 방사선 경화형 수지 또는 열경화형 수지를 사용하여 경화 수지층을 형성하는 방법, 전리 방사선 경화형 수지 또는 열경화형 수지로 이루어지는 경화 수지층 중에 금속 화합물 초미립 자를 함유시키는 방법 등이 있다.

금속 알콕시드를 가수분해 및 중축합 반응하여 이루어지는 수지를 사용하여 경화 수지층을 형성하는 경우나 금속 알콕시드 성분을 함유한 전리 방사선 경화형 수지 또는 열경화형 수지를 사용하여 경화 수지층을 형성하는 경우, 금속 알콕시드로는, 오르가노실란계의 열경화형 수지 (알콕시실란), 티타늄알콕시드, 지르코늄알콕시드를 들 수 있다.

알콕시실란으로는 예를 들어, 페닐트리에톡시실란, 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 디메틸디메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 비닐트리메톡시실란, N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필디메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란 등이 예시된다.

이들 알콕시실란은 층의 기계적 강도나 밀착성 및 내용제성 등의 관점에서 2 종류 이상을 혼합하여 사용하는 것이 바람직하고, 특히 알콕시실란의 전체 조성 중에 중량 비율 0.5∼40% 의 범위에서, 분자 내에 아미노기를 갖는 알콕시실란이 함유되어 있는 것이 바람직하다.

티타늄알콕시드로는 예를 들어, 티타늄테트라이소프로폭시드, 테트라-n-프로필오르토티타네이트, 티타늄테트라-n-부톡시드, 테트라키스(2-에틸헥실옥시)티타네이트 등이 예시된다.

지르코늄알콕시드로는 예를 들어, 지르코늄테트라이소프로폭시드, 지르코늄 테트라-n-부톡시드 등이 예시된다.

금속 알콕시드는 모노머 상태에서 사용해도 미리 가수분해와 중축합 반응을 실시하여 적당히 올리고머화한 상태에서 사용해도 된다.

특히 금속 알콕시드를 가수분해 및 중축합 반응하여 이루어지는 수지를 사용하여 경화 수지층을 형성하는 경우에는, 통상적으로 금속 알콕시드의 모노머 또는 올리고머를 적당한 유기 용제에 용해, 희석하여 점도나 농도를 조정한 도공액을 고분자 필름 상에 도공하여 도공층을 형성한 후, 가열 처리한다. 이 도공층은 공기 중의 수분과 열 등에 의해 가수분해 및 중축합 반응이 진행된다.

일반적으로, 금속 알콕시드의 중축합 반응의 촉진에는 적당한 가열 처리가 필요하고, 도공 공정에 있어서 100℃ 이상의 온도에서 몇 분간 이상의 열 처리를 실시하는 것이 바람직하다. 또, 경우에 따라서는, 상기 열 처리와 병행하여, 전리 방사선을 도공층에 조사할 수 있다.

도공액을 조정하기 위해 사용하는 희석 용제로는, 알코올계, 탄화수소계 용제, 예를 들어, 에탄올, 이소프로필알코올, 부탄올, 1-메톡시-2-프로판올, 헥산, 시클로헥산, 리그로인 등을 들 수 있다. 이 밖에, 자일렌, 톨루엔, 시클로헥사논, 메틸이소부틸케톤, 아세트산이소부틸 등의 극성 용매도 사용할 수 있다. 이들은 단독 또는 2 종류 이상의 혼합 용제로서 사용할 수 있다.

도공층을 형성하기 위한 도공법으로는 닥터 나이프, 바코터, 그라비아 롤코터, 커텐 코터, 나이프 코터, 스핀 코터 등의 공지된 도공 기계를 사용하는 방법, 스프레이법, 침지법 등이 사용된다.

전리 방사선 경화형 수지 또는 열경화형 수지로 이루어지는 경화 수지층 중에 금속 화합물 초미립자를 함유시키는 경우에는, 경화 수지층 중에, 평균 1 차 입자 직경이 100㎚ 이하인 금속 산화물 또는 금속 플루오르화물로 이루어지는 초미립자 (C) 를 함유하는 것이 바람직하다. 이들 초미립자 (C) 는 1 종류의 초미립자 (C) 를 단독으로 또는 복수 종류의 초미립자 (C) 를 조합하여 사용해도 된다.

이 초미립자 (C) 의 평균 1 차 입자 직경은 100㎚ 이하가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 50㎚ 이하이다. 이 초미립자 (C) 의 평균 1 차 입자 직경을 100㎚ 이하로 제어함으로써, 경화 수지층의 백화를 억제할 수 있다.

이 초미립자 (C) 로는 예를 들어, Bi₂O₃, CeO₂, In₂O₃, (In₂O₃ㆍSnO₂), HfO₂, La₂O₃, MgF₂, Sb₂O₅, (Sb₂O₅ㆍSnO₂), SiO₂, SnO₂, TiO₂, Y₂O₃, ZnO, ZrO₂ 등의 금속 산화물 또는 금속 플루오르화물의 초미립자가 예시되고, 특히 산화규소를 사용하는 것이 바람직하다.

이 초미립자 (C) 을 함유시키는 경우의 양은, 경화 수지층 100 중량부에 대해 1∼400 중량부, 바람직하게 1∼300 중량부, 더욱 바람직하게는 1∼250 중량부이다. 초미립자 (C) 의 함유량이 400 중량부를 초과하면, 막 강도나 밀착성이 불충분해지는 경우가 있다.

이 경화 수지층 중에 금속 화합물 초미립자 (C) 와 규소 원자를 함유하는 유기 화합물을 함유시킴으로써, 이 초미립자 (C) 가, 경화 수지층의 표면에 편석된 상태로 하는 것도 가능하다.

이 규소 원자를 함유하는 유기 화합물로는, 일반적인 규소 원자를 함유하는 계면 활성제나 일반적인 규소 원자를 함유하는 전리 방사선 또는 열경화성 수지 성분 등을 들 수 있다. 바람직하게는 일반적인 규소 원자를 함유하는 전리 방사선 경화형 수지 성분 또는 열경화형 수지 성분이다. 규소 원자를 함유하는 유기 화합물이, 전리 방사선 경화형 수지 성분 또는 열경화형 수지 성분이 아닌 경우에는, 규소 원자를 함유하는 유기 화합물이 경화 수지층 내에서 고정되어 있지 않기 때문에 표면으로 스며 나와 전사되어, 투명 도전성 적층체 그 자체 또는 주변 재료ㆍ기기를 오염시킬 가능성이 있기 때문에 바람직하지 않다.

또한, 가동 전극 기판의 표면, 고정 전극 기판의 표면이 모두 평탄한 경우, 투명 터치 패널을 제작했을 때, 가동 전극 기판의 표면으로부터의 반사광과 고정 전극 기판의 표면으로부터의 반사광의 간섭에 의한 뉴턴 링이 관찰되는 경우가 있다. 이 반사광을 광학적으로 산란시킴으로써 뉴턴 링을 방지하기 위해 경화 수지층 표면을 조면화해도 된다. 경화 수지층 표면을 조면화하는 수법으로는, 평균 1 차 입자 직경이 0.001㎛ 이상 5㎛ 이하인 미립자 A 를 단독, 또는 평균 1 차 입자 직경이 상이한 2 종류 이상의 미립자 A 를 조합하여 경화 수지층에 함유시키는 수법이 있다. 상기 수법에 의해 조면화된 바람직한 조면화 범위는 경화 수지층 표면의 JIS B 0601-1994 로 정의되는 10 점 평균 거칠기 (Rz) 가 100.0㎚ 이상 450.0㎚ 이하이고, 게다가 또한 경화 수지층만의 JIS B 7361 로 정의되는 헤이즈가 5% 이하이다.

본 발명에서 사용되는 경화 수지층의 550㎚ 에서의 굴절률은 당해 고분자 필 름의 550㎚ 에서의 굴절률에 대해, 굴절률차가 0.05 미만인 것이 바람직하고, 0.02 미만인 것이 보다 바람직하다. 경화 수지층과 고분자 필름의 굴절률차를 0.05 미만으로 함으로써 경화 수지층의 두께 편차에 의한 간섭 모양을 경감시키는 것이 가능해진다. 경화 수지층과 고분자 필름의 550㎚ 에서의 굴절률차가 0.05 이상이면 경화 수지층의 두께 편차에 의한 간섭 모양이 발현되어, 투명 도전성 적층체의 외형이 현저히 나빠진다.

일반적으로 경화 수지층의 550㎚ 에서의 굴절률은, 고분자 필름의 550㎚ 에서의 굴절률과 비교하여 낮다는 것이 알려져 있다. 고분자 필름과 경화 수지층의 550㎚ 에서의 굴절률의 차이를 0.05 미만이 되도록 하려면, 경화 수지층의 550㎚ 에서의 굴절률을 높게 할 필요가 있다.

고분자 필름의 550㎚ 에서의 굴절률보다 높은 경화 수지 성분과, 고분자 필름의 550㎚ 에서의 굴절률보다 낮은 경화 수지 성분을 사용하고, 이들의 혼합 비율을 바꿈으로써 경화 수지층의 굴절률을 조정하는 방법이 바람직하다. 또는, 경화 수지층 중에, 고분자 필름에 사용되는 분자 골격과 분자 골격이 닮은 경화 수지 성분을 함유함으로써, 고분자 필름과 경화 수지층의 굴절률을 근접시키는 방법이 바람직하다. 이 방법에서는 고분자 필름과 경화 수지층의 굴절률 파장 의존성이 가까워져, 광범위한 파장 영역에서 굴절률차를 저감시킬 수 있다.

550㎚ 에서의 굴절률이 높은 경화 수지 성분으로는, 예를 들어, 하기 식 (a) 로 대표되는 카르도형(cardo type) 골격 (환상의 기가 존재하는 골격) 을 갖는 아크릴레이트 수지 등을 들 수 있다.

[화학식 1]

예를 들어, 고분자 필름으로서 플루오렌 골격을 갖는 폴리카보네이트를 사용했을 경우에는, 상기 경화 수지층 중의 카르도형 골격을 갖는 경화 수지 성분으로서, 나중에 식 (b) 로 나타나는 플루오렌 골격을 갖는 아크릴레이트 수지를 바람직하게 사용할 수 있다. 단, 경화 수지층의 굴절률을 조정하는 방법은 상기 기술한 것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 경화 수지층의 굴절률을 증대시킬 목적으로, 산화티탄이나 산화아연으로 대표되는 금속 산화물 미립자를 상기 굴절률이 높은 경화 수지 성분과 병용하고, 경화 수지층을 형성하기 위한 도공액에 첨가하는 것도 가능하다. 굴절률을 상승시키는 재료로는, 방향환, 염소, 브롬, 요오드, 황을 함유하는 경화 수지 성분이 유효한데, 이 밖에 분자 내에 티탄 등의 금속을 함유하는 경화 수지 성분도 유효하다.

카르도형 골격을 갖는 구체적인 경화 수지 성분으로는, 예를 들어, 분자 구조 중에 플루오렌 골격을 갖는 수지, 구체적으로는, 하기 식 (b)

[화학식 2]

로 나타나는 가교성의 아크릴레이트 수지가 특히 바람직하다.

그 중에서도, 상기 식 (b) 에 있어서 R₁∼R₂ 가 모두 에틸렌기이고, R₃∼R₁₀ 이 모두 수소 원자인 경우에는, 가교 반응하여 형성된 경화 수지층의 굴절률을 1.63 부근까지 높일 수 있기 때문에, 상기 식 (b) 로 나타내는 경화 수지 성분과 상기 식 (b) 로 나타내는 경화 수지 성분보다도 굴절률이 낮은 경화 수지 성분을 사용하는 등, 적어도 2 종류 이상의 경화 수지 성분을 조합하여 사용함으로써, 임의의 굴절률을 갖는 경화 수지층을 형성할 수 있다.

이 경우, 예를 들어, 경화 수지 성분으로서 플루오렌 골격을 갖는 (2 관능의) 아크릴레이트 수지와 다관능의 우레탄아크릴레이트 수지를 병용하는 것을 바람직한 예로서 들 수 있다 (예를 들어, 혼합비 90 : 10∼50 : 50 의 비율로 사용).

고분자 필름의 550㎚ 에서의 굴절률보다 낮은 경화 수지 성분으로는 특별히 제한은 없지만, 상기 식 (b) 로 나타나는 아크릴레이트 이외의 아크릴레이트 수지, 또는 예를 들어, 불소 원자나 실리콘 원자를 함유하고, 올레핀 골격이나 알킬기를 많이 갖는 재료가 유효하다.

상기 고분자 필름보다도 높은 굴절률의 경화 수지 성분과 상기 고분자 필름보다도 낮은 굴절률의 경화 수지 성분을, 고분자 필름의 굴절률로 가능한 한 합치하도록 적당한 배합비로, 예를 들어, 상기 식 (b) 로 나타나는 경화 수지 성분의 비율이 전체의 1∼99 몰% 가 되도록 배합한다. 이 방법은 고분자 필름의 굴절률과 배합하는 2 종 이상의 경화 수지 성분의 굴절률이 비교적 가까운 경우, 배합하는 경화 수지 성분의 비율이 조금만 어긋나도, 목표로 하는 굴절률과 크게 차이가 나지 않는다는 점에서 바람직하다.

또한, 높은 굴절률을 갖는 경화 수지 성분으로서 상기 식 (b) 와 같은 2 관능성 경화 수지 성분을 사용하는 경우, 배합하는 다른 경화 수지 성분의 적어도 한 성분으로서, 1 분자 중에 2 개 이상, 바람직하게는 3 개 이상의 중합성 관능기 (아크릴기 등) 를 갖는 경화 수지 성분을 사용하는 것이 내용제성, 내상성을 향상시키기 때문에 바람직하다. 단, 극도로 중합성 관능기가 많은 (예를 들어, 중합성 관능기를 1 분자 중에 10 개 이상 갖는) 경화 수지 성분을 상기 식 (b) 의 경화 수지 성분과 병용하는 경우에는, 이 중합성 관능기가 많은 경화 수지 성분의 배합 비율을 높게 할수록 경화 수지층의 내용제성이나 내상성을 향상시킬 수는 있지만, 취성의 증대가 걱정된다. 이 때문에, 중합성 관능기가 많은 경화 수지 성분을 병용하는 경우에는, 1 분자 중의 중합성 관능기를 적게 한 제３ 의 경화 수지 성분을 적당히 병용함으로써, 취성의 증대를 방지할 수 있다.

특히 경화 수지 성분으로서 상기 식 (b) 와 같은 경화 수지 성분을 사용하는 경우에는, 당해 고분자 필름으로서 유리 전이점이 높은 재료, 예를 들어, 150℃ 이 상의 유리 전이 온도를 갖는 고분자 필름을 사용할 수 있다. 이 조합의 경우에는, 고분자 필름의 내열성이 높고, 동시에 고분자 필름과 경화 수지층과의 굴절률차를 저감시킬 수 있기 때문에, 본 발명의 투명 도전성 적층체를 내열성이 필요한 표시 소자에 사용하는 경우에 바람직하다. 특히, 전자 페이퍼나 액정 디스플레이, 게다가 유기 발광 다이오드에 대해 본 발명의 투명 도전성 적층체를 바람직하게 사용할 수 있다.

본 발명에 있어서, 고분자 필름과 경화 수지층 사이에 추가로 라텍스ㆍ고무 재료를 주성분으로 한 라텍스 함유층을 형성해도 된다. 이 라텍스 함유층을 형성한 투명 도전성 적층체를 사용함으로써 투명 터치 패널의 필기 내구성이 더욱 향상된다. 라텍스 함유층의 막 두께는 0.5㎛∼20.0㎛ 이고, 1.0㎛∼15㎛ 가 바람직하고, 1.5㎛∼10.0㎛ 가 더욱 바람직하다.

라텍스ㆍ고무 재료로는 예를 들어, 이소프렌 고무, 부타디엔 고무, 부틸 고무, 에틸렌프로필렌 고무, 클로로프렌 고무, 에피클로르히드린 고무, 아크릴 고무, 우레탄 고무, 실리콘 고무, 불소 고무, 스티렌 부타디엔 고무, 클로로술폰화 고무, 염소화 폴리에틸렌 고무, 니트릴 고무, 아크릴로니트릴 고무, 아크릴로니트릴부타디엔 고무, 부분 수소 첨가 부타디엔 고무, 부분 수소 첨가 스티렌부타디엔 고무, 수소 첨가 아크릴로니트릴부타디엔 고무, 다황화 고무, 아크릴산에스테르 등을 들 수 있다. 이들 라텍스ㆍ고무 재료를 단독으로 사용해도 되고, 복수를 조합하여 사용해도 된다. 이들 라텍스ㆍ고무 재료의 블록 코폴리머를 사용해도 된다.

라텍스ㆍ고무 재료의 유리 전이점은 -50℃∼100℃ 인 것이 바람직하다. 유리 전이점이 -50℃ 미만인 경우, 라텍스 함유층에 택성이 남아 가공성이 나빠지기 때문에 바람직하지 않다. 유리 전이점이 100℃ 를 초과하는 경우, 라텍스 함유층을 형성한 투명 도전성 적층체를 사용한 투명 터치 패널의 필기 내구성은, 라텍스 함유층이 없는 투명 도전성 적층체를 사용한 투명 터치 패널과 다르지 않기 때문에, 라텍스 함유층을 형성하는 의미가 없다. 라텍스ㆍ고무 재료의 평균 분자량은 5 만∼35 만인 것이 바람직하다. 평균 분자량이 5 만 미만인 경우 라텍스 함유층에 택성이 남아 가공성이 나빠지기 때문에 바람직하지 않다. 평균 분자량이 35 만을 초과하는 경우, 라텍스 함유층을 형성한 투명 도전성 적층체를 사용한 투명 터치 패널의 필기 내구성은, 라텍스 함유층이 없는 투명 도전성 적층체를 사용한 투명 터치 패널과 다르지 않기 때문에, 라텍스 함유층을 형성하는 의미가 없다.

라텍스 함유층은 라텍스ㆍ고무 재료를 주성분으로 하지만, 다른 성분으로서 상기 전리 방사선 경화형 수지나 상기 열경화형 수지를 혼합해도 된다.

본 발명에 있어서 고분자 필름과 금속 화합물층의 층간에 경화 수지층을 형성하는 경우, 금속 화합물층과 경화 수지층의 파장 550㎚ 에 있어서의 굴절률차가 0.3 미만인 것이 바람직하다. 경화 수지층과 금속 화합물층의 파장 550㎚ 에 있어서의 굴절률차가 0.3 이상이 되면, 금속 화합물층과 경화 수지층 계면의 반사광에서 유래하는 착색이나 투과율의 저감을 일으켜 바람직하지 않다. 구체적으로는, 유기물로 이루어지는 경화 수지층의 굴절률이 1.5∼1.65 의 범위인 것이 많기 때문에, 금속 화합물층을 구성하는 금속 재료는, 파장 550㎚ 에 있어서의 굴절 률이 1.2∼1.95 정도의 범위의 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 금속 화합물층으로는 예를 들어, 규소, 알루미늄, 티탄, 마그네슘, 아연, 지르코늄, 인듐, 주석으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 금속의 산화물, 질화물, 산 질화물 또는 이들의 혼합물을 들 수 있다.

투명 도전성 적층체의 광학 특성을 개선하는 것을 목적으로 하여, 경화 수지층과 금속 화합물층 사이에 투명 도전층과 경화 수지층의 550㎚ 에서의 굴절률보다 작고, 막 두께가 0.10㎛ 이하인 경화 수지층, 또는 1 쌍의 저굴절률층과 고굴절률층으로 이루어지고, 저굴절률층이 금속 화합물층과 접하여 이루어지는 광학 간섭층을 형성하는 것도 가능하다.

하드 코트층

본 발명의 투명 도전성 적층체를 가동 전극 기판으로서 사용했을 경우에는, 투명 터치 패널에서 외력이 가해지는 면에는, 하드 코트층을 형성하는 것이 바람직하다. 하드 코트층을 형성하기 위한 재료로는, 메틸트리에톡시실란, 페닐트리에톡시실란 등의 오르가노실란계의 열경화형 수지나 에테르화 메틸올멜라민 등의 멜라민계 열경화형 수지, 폴리올아크릴레이트, 폴리에스테르아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트 등의 다관능 아크릴레이트계 전리 방사선 경화형 수지 등이 있으며, 필요에 따라, SiO₂ 나 MgF₂ 등의 초미립자 등을 혼합한 것을 사용할 수 있다. 또, 하드 코트층 표면을 조면화하여 방현성을 부여해도 된다. 하드 코트층의 두께는 가요성, 내마찰성의 점에서 2∼5㎛ 가 바람직하다.

하드 코트층은 도공법에 의해 형성할 수 있다. 실제의 도공법으로는, 상기의 화합물을 각종 유기 용제에 용해시켜, 농도나 점도를 조절한 도공액을 고분자 필름 상에 도공하여 도공층을 형성한 후, 전리 방사선 조사나 가열 처리 등에 의해 이 도공층을 경화시킨다. 도공 방식으로는 예를 들어, 마이크로 그라비아 코트법, 와이어바 코트법, 다이렉트 그라비아 코드법, 리버스롤 코트법, 커텐 코트법, 스프레이 코트법, 콤마 코트법, 다이코트법, 나이프 코트법, 스핀코트법 등의 각종 도공 방법이 사용된다.

또한, 하드 코트층은 고분자 필름 상에 직접, 또는 적당한 엥커층을 통하여 적층된다. 이러한 엥커층으로는 예를 들어, 이 하드 코트층과 고분자 필름의 밀착성을 향상시키는 기능을 갖는 층이나, K 값이 부의 값이 되는 3 차원 굴절률 특성을 갖는 층 등의 각종의 위상차 보상층, 수분이나 공기의 투과를 방지하는 기능 또는 수분이나 공기를 흡수하는 기능을 갖는 층, 자외선이나 적외선을 흡수하는 기능을 갖는 층, 기판의 대전성을 저하시키는 기능을 갖는 층 등을 바람직하게 들고 있다.

표시 소자

표시 소자, 예를 들어, 적어도 편면에 도전층이 형성된 2 장의 전극 기판이 서로의 도전층끼리가 액정층을 사이에 두고 마주보도록 배치되어 구성된 표시 소자에 있어서, 적어도 1 방의 전극 기판으로서, 본 발명의 투명 도전성 적층체를 사용함으로써 얻어지는 액정 디스플레이 등은 내굴곡성이 개선되고, 곡면 표시도 가능해진다.

투명 터치 패널

적어도 편면에 투명 도전층이 형성된 2 장의 투명 전극 기판이 서로의 투명 도전층끼리가 마주보도록 배치되어 구성된 투명 터치 패널에 있어서, 적어도 일방의 투명 전극 기판으로서, 본 발명의 투명 도전성 적층체를 사용함으로써, 필기 내구성, 단 누름 내구성이 개선된 투명 터치 패널을 얻을 수 있다.

실시예

이하, 본 발명을 실시예에 의해 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은, 이들 실시예에 전혀 한정되지 않는다. 또, 실시예 중에 있어서의 각 값은 하기의 방법으로 구하였다.

금속 화합물층 ㆍ투명 도전층의 막 두께 측정 방법

금속 화합물층 및 투명 도전층을 각각 형성한 후에, 형광 X 선 분석 장치 RIX1000 (주식회사 리가크 제조) 를 사용하여 금속 화합물층 및 투명 도전층의 막 두께를 측정하였다.

내굴곡성 시험법

내굴곡성 시험은 10㎜ 폭×160㎜ 길이의 직사각형 형상의 투명 도전성 적층체를, 6㎜φ 의 스테인리스제 로드에 투명 도전층이 내측이 되도록 반주(半周) 둘러 감고, 100g 의 분동을 매달아 1 분간 현수(懸垂)시킨 후, 투명 도전층의 흠집의 수 및 저항값의 변화량으로 평가하였다. 내굴곡성이 양호하다라는 것은, 시험 전의 투명 도전층의 저항값으로 시험 후의 투명 도전층의 저항값을 나눈 비 (저항값 변화) 가 작고, 또한 시험 후의 흠집이 적은 투명 도전성 적층체이다.

굴절률 측정법

각층의 굴절률은 SCI 사 제조의 FilmTek 에 의해 구하였다.

표면 저항값 측정법

투명 도전층의 표면 저항값은 미츠비시 화학 주식회사 제조의 Loresta-MP 를 사용하여 측정하였다.

전체 광선 투과율 측정 방법

전체 광선 투과율은 일본 덴쇼쿠 공업 주식회사 제조의 NDH-300A 로 측정하였다.

밀착성 시험 방법

밀착성은 JISK5600-5-6 에 준거하여 크로스커트법을 사용하여 평가하였다. 고분자 필름 상에 적층한 층에 커터에 의해 1㎜×1㎜ 의 눈금을 100 개 제작하고, 그 위에 셀로테이프 (니치반 주식회사 제조) 를 붙였다. 이 셀로테이프를 벗긴 후, 고분자 필름 상에 적층한 층이 벗겨지지 않고 남아 있는 눈금의 수를 셈으로써 밀착성을 평가하였다. 즉, 100/100 (분류 0, 1 상태) 이 밀착성이 양호하다.

리니어리티 측정 방법

터치 패널의 가동 전극 기판 상 또는 고정 전극 기판 상의 평행 전극간에 직류 전압 5V 를 인가한다. 평행 전극과 수직의 방향으로 5㎜ 간격으로 전압을 측정한다. 측정 개시 위치 A 의 전압을 EA, 측정 종료 위치 B 의 전압을 EB, A 로부터의 거리 X 에 있어서의 전압 실측값 EX, 이론값을 ET, 리니어리티를 L 로 하고, 하기 식에 기초하여 산출하여 구하였다.

ET=(EB-EA)×X/(B-A)+EA

L (%)=(│ET-EX│)/(EB-EA)×100

단 누름 내구성 시험 방법

제작한 투명 터치 패널 주위의 절연층으로부터 약 2㎜ 의 위치를 절연층과 평행하게 가동 전극 기판측으로부터 선단이 0.8R 인 폴리아세탈제 펜을 사용하여 450g 의 하중으로 직선 왕복 1 만회 필기한다 (단 누름 내구성 시험). 단 누름 내구성 시험 전후의 투명 터치 패널의 리니어리티를 측정한다. 단 누름 내구성 시험 전후의 리니어리티 변화량이 1.5% 이상이 되는 것을 NG 로 하였다.

필기 내구성 시험 방법

터치 패널의 가동 전극 기판의 중앙부를 대각선 방향으로 선단이 0.8R 인 폴리아세탈제 펜을 사용하여 450g 의 하중으로 직선 30 만 왕복 (10 만 왕복마다 0.8R 폴리아세탈제 펜을 바꾼다) 의 필기 내구성 시험을 실시한다. 필기 내구성 시험 전후의 터치 패널의 리니어리티 변화량이 1.5% 이상이 되는 것을 NG 로 하였다.

실시예 1

고분자 필름으로서 테이진 카세이 주식회사 제조의 「퓨어에이스」WR 을 사용하였다. 이것을 고분자 필름 A 라고 부른다. 경화 수지 성분으로서, 오사카 가스 케미컬 주식회사 제조의 플루오렌 골격을 갖는 아크릴레이트 모노머 (수지 B) 와 신나카무라 화학 공업 주식회사 제조의 다관능 우레탄아크릴레이트 올리고머 (수지 C) 를 혼합하여 사용하였다. 개시제로는, 치바ㆍ스페셜티ㆍ케미컬 즈사 제조의 「이르가큐어」184 (개시제 D) 를 사용하였다.

수지 B 와 수지 C 를 고형분 중량비가 70 : 30 이 되도록 혼합하여 경화 수지 성분 E 를 얻었다. 또한, 경화 수지 성분 E 를 고형분 농도가 20 중량% 가 되도록 1-메톡시-2-프로판올 (1M2P) 과 이소프로필알코올 (IPA) 의 혼합 용제로 희석하였다. 그리고, 경화 수지 성분 E 와 개시제 D 의 고형분 중량비가 100 : 5 가 되도록 개시제 D 를 첨가하여 도공액을 제조하였다. 550㎚ 에 있어서의 굴절률이 1.65 인 고분자 필름 A 의 편면 상에, 먼저 제작한 도공액을 그라비아 코터를 사용하여 경화 후의 두께가 3.0㎛ 가 되도록 도공한 후에 자외선 조사에 의해 경화시켜 경화 수지층을 형성하였다. 그 후, 추가로 130℃ 에서 3 분간의 열 처리를 실시하였다. 경화 수지층의 550㎚ 에 있어서의 굴절률은 1.62 였다.

이어서, 경화 수지층을 형성한 고분자 필름 A 를 챔버 내에 투입하고, 배압이 1.3×10^-5Pa 이하가 될 때까지 배기한 후, 반응성 가스로서 산소를 2.7×10^-3Pa 도입하였다. 또, 물은 도입하지 않았지만, 4 중극 질량 분석계로 측정한 수분압은 전리 진공계로 판독한 챔버의 배압과 동일했다. 다음으로, 불활성 가스로서 Ar 을 도입하여, 전체 전압이 0.4Pa 가 되도록 조정하였다. 그리고, 반응성 DC 마그네트론 스퍼터링법에 의해, Si 타겟에 2W/㎠ 의 전력 밀도로 전력을 투입하고, 이 경화 수지층 상에 금속 화합물층으로서 두께 2.5㎚ 인 SiOx 층을 형성하였다. SiOx 층의 파장 550㎚ 에 있어서의 굴절률은 1.48 이었다. 또한, x 는 대략 1.7 이었다.

이어서, 이 SiOx 층상에 이하의 방법으로 투명 도전층을 형성하였다. 챔버의 배압이 1.3×10^-5Pa 이하가 될 때까지 배기한 후, 반응성 가스로서 산소를 2.7×10^-3Pa 도입하였다. 또, 물은 도입하지 않았지만, 4 중극 질량 분석계로 측정한 수분압은 전리 진공계로 판독한 챔버의 배압과 동일했다. 다음으로, 불활성 가스로서 Ar 를 도입하여, 전체 압력이 0.4Pa 가 되도록 조정하였다.

반응성 DC 마그네트론 스퍼터링법에 의해, 산화아연을 7.5 중량% 함유하는, In-Zn-O 로 이루어지는 소결 타겟에 2W/㎠ 의 전력 밀도로 전력을 투입하고, 기판 온도 20℃ 에서 두께 130㎚ 인 투명 도전층을 형성하여, 투명 도전성 적층체를 제조하였다.

투명 도전성 적층체의 표면 저항값은 28Ω/□ (Ω/sq.) 이고, 투과율은 87% 이었다. 투명 도전층의 밀착성은 100/100 으로 양호했다. 또, 내굴곡성 시험을 실시한 결과, 저항값의 변화는 1.05 이고, 시험 후에 크랙은 관찰되지 않으며, 내굴곡성은 양호했다.

이 투명 도전성 적층체를 130℃ 에서 2 시간 열 처리한 결과, 표면 저항값은 27Ω/□ (Ω/sq.) 이 되고, 투과율은 88% 가 되었다. 밀착성에 변화는 없었다. 또, 내굴곡성에도 변화는 없었다.

실시예 2

실시예 1 과 동일하게 하여 550㎚ 에 있어서의 굴절률이 1.65 인 고분자 필름 A 상에 두께가 3㎛ 인 경화 수지층 (550㎚ 에 있어서의 굴절률이 1.62) 을 형성 하였다. 이어서, 이 경화 수지층 상에 실시예 1 과 동일한 방법으로 두께 5㎚ 인 SiOx 층을 형성하였다. SiOx 층의 파장 550㎚ 에 있어서의 굴절률은 1.50 이었다. 또한, x 는 대략 1.6 이었다.

이어서, 이 SiOx 층상에 실시예 1 과 동일한 방법으로 두께 130㎚ 인 투명 도전층을 형성하고, 투명 도전성 적층체를 제조하였다.

투명 도전성 적층체의 표면 저항값은 28Ω/□ (Ω/sq.) 이고, 투과율은 86% 이었다. 투명 도전층의 밀착성은 100/100 으로 양호했다. 또, 내굴곡성 시험을 실시한 결과, 저항값의 변화는 1.05 이고, 시험 후에 크랙은 관찰되지 않으며, 내굴곡성은 양호했다.

이 투명 도전성 적층체를 130℃ 에서 2 시간 열 처리한 결과, 표면 저항값은 27Ω/□ (Ω/sq.) 이 되고, 투과율은 87% 가 되었다. 밀착성에 변화는 없었다.또, 내굴곡성에도 변화는 없었다.

실시예 3

실시예 1 과 동일하게 하여, 수지 B 와 수지 C 를 고형분 중량비로 70 : 30 이 되도록 혼합하여 경화 수지 성분 E 를 얻었다. 초미립자 (C) 로서 평균 1 차 입자 직경이 2.0㎚ 인 산화규소 미립자의 분산액 F (후소 화학 공업 주식회사 제조, 산화규소 미립자 농도 : 10wt%, 분산매 : 메틸에틸케톤 (MEK)) 을 준비하였다. 또, 규소 원자를 함유하는 유기 화합물로서 오르가노실란아크릴레이트를 함유하는 경화 수지 성분 G (아사이 물산 주식회사 제조, UVICA AF#2) 를 준비하였다. 이 경화 수지 성분 E, 이 산화규소 미립자 분산액 F, 이 규소 원자를 함유 하는 유기 화합물 (경화 수지 성분 G) 을 고형분 중량비가 100 : 3 : 3 이 되도록 혼합하고, 다시 이 혼합물을 고형분 농도가 20 중량% 가 되도록 1-메톡시-2-프로판올 (1M2P) 과 이소프로필알코올 (IPA) 의 혼합 용제로 희석하였다. 그리고, 전체 경화 수지 성분과 개시제 D 의 고형분 중량비가 100 : 5 가 되도록 개시제 D 를 첨가하여 도공액을 제조하였다. 550㎚ 에 있어서의 굴절률이 1.65 인 고분자 필름 A 의 편면 상에, 먼저 제작한 도공액을 그라비아 코터를 사용하여 경화 후의 두께가 3.0㎛ 가 되도록 도공한 후, 자외선 조사에 의해 경화시켜 경화 수지층을 형성하였다. 그 후, 다시 130℃ 에서 3 분간의 열 처리를 실시하였다. 550㎚ 에 있어서의 굴절률은 1.62 였다.

실시예 1 과 동일한 방법으로, 이 경화 수지층 상에 두께 5㎚ 인 SiOx 층을 형성하였다. SiOx 층의 파장 550㎚ 에 있어서의 굴절률은 1.50 이었다. 또한, x 는 대략 1.6 이었다.

이 투명 도전성 적층체를 130℃ 에서 2 시간 열 처리한 결과, 표면 저항값은 27Ω/□ (Ω/sq.) 이 되고, 투과율은 87% 가 되었다. 밀착성에 변화는 없었다. 또, 내굴곡성에도 변화는 없었다.

비교예 1

실시예 1 과 동일하게 하여 550㎚ 에 있어서의 굴절률이 1.65 인 고분자 필름 A 상에 두께가 3㎛ 인 경화 수지층 (550㎚ 에 있어서의 굴절률이 1.62) 을 형성하였다.

이어서, 이 경화 수지층 상에 직접, 실시예 1 과 동일한 방법으로 두께 130㎚ 인 투명 도전층을 형성하여 투명 도전성 적층체를 제조하였다.

투명 도전성 적층체의 표면 저항값은 28Ω/□ (Ω/sq.) 이고, 투과율은 87% 이었다. 투명 도전층의 밀착성은 100/100 으로 양호했다. 또, 내굴곡성 시험을 실시한 결과, 저항값의 변화는 1.10 이며, 시험 후에 크랙이 관찰되었다.

이 필름을 130℃ 에서 2 시간 열 처리한 결과, 표면 저항값은 27Ω/□ (Ω/sq.) 이 되고, 투과율은 87% 이었다. 밀착성에 변화는 없었다. 또, 내굴곡성 시험에서는, 시험 후에 크랙이 관찰되었다.

비교예 2

실시예 1 과 동일하게 하여 550㎚ 에 있어서의 굴절률이 1.65 인 고분자 필름 A 상에 막 두께가 3㎛ 인 경화 수지층 (550㎚ 에 있어서의 굴절률이 1.62) 을 형성하였다. 이어서, 이 경화 수지층 상에 실시예 1 과 동일한 방법으로 금속 화합물층으로서 두께 20.0㎚ 인 SiOx 층을 형성하였다. SiOx 층의 파장 550㎚ 에 있어서의 굴절률은 1.45 이었다. 또한, x 는 대략 1.9 이었다.

투명 도전성 적층체의 표면 저항값은 28Ω/□ (Ω/sq.) 이고, 투과율은 88% 이었다. 투명 도전층의 밀착성은 100/100 으로 양호했다. 또, 내굴곡성 시험을 실시한 결과, 저항값의 변화는 1.10 이고, 시험 후에 크랙이 관찰되었다.

이 필름을 130℃ 에서 2 시간 열 처리한 결과, 표면 저항값은 27Ω/□ (Ω/sq.) 이 되고, 투과율은 88% 이었다. 밀착성에 변화는 없었다. 또, 내굴곡성 시험에서는, 시험 후 크랙이 관찰되었다.

실시예 4

고분자 필름으로서 두께 188㎛ 인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (테이진 듀퐁 필름 주식회사 제조, OFW) 을 사용하였다. 이것을 고분자 필름 H 라고 부른다. 고분자 필름 H 의 편면에 자외선 경화형 다관능 아크릴레이트 수지 도료를 사용하여 두께 4㎛ 인 하드 코트층을 형성하였다.

이 고분자 필름 H 의 하드 코트층을 형성한 측과 반대면에, 합성 라텍스 「Nipol」SX1706A (일본 제온 주식회사 제조) 를 바 코트법에 의해 도공한 후, 90℃ 에서 2 분간 건조시켜, 두께가 6.0㎛ 인 라텍스 함유층을 형성하였다.

우레탄아크릴레이트 NK 올리고 U-9 HA (신나카무라 화학 공업사 제조) 50 중량부와 다관능 아크릴레이트 「아로닉스」M400 (동아 합성 주식회사 제조) 50 중량부로 이루어지는 경화 수지 성분 I 를 고형분 농도가 20 중량% 가 되도록 메틸이소부틸케톤 (MIBK) 과 1-메톡시-2-프로판올 (1M2P) 의 혼합 용제로 희석하였다. 그리고, 경화 수지 고형분 I 와 개시제 D 의 고형분 중량비가 100 : 5 가 되도록 개시제 D 를 첨가하여 도공액 J 를 제조하였다.

이 경화 수지 성분 I, 실시예 3 에서 사용한 산화규소 미립자 분산액 F, 실시예 3 에서 사용한 규소 원자를 함유하는 유기 화합물 (경화 수지 성분 G) 의 고형분 중량비가 100 : 3 : 3 이 되도록, 도공액 J 에 이 산화규소 미립자 분산액 F, 이 규소 원자를 함유하는 유기 화합물 (경화 수지 성분 G) 을 첨가하여 도공액 K 를 제조하였다.

도공액 K 를 이 라텍스 함유층 상에 경화 후의 두께가 1.0㎛ 가 되도록 바 코트법에 의해 도공한 후, 자외선 조사에 의해 경화시켜 경화 수지층을 형성하였다.

이 경화 수지층 상에 실시예 1 과 동일한 방법으로 금속 화합물층으로서 두께가 2.0㎚ 인 SiOx 층을 형성하였다. 또한, 이 SiOx 층상에, 산화인듐과 산화주석의 중량비가 97 : 3 의 조성이고 충전 밀도 98% 인 산화인듐-산화주석 타겟을 사용한 스퍼터링법에 의해 두께가 20㎚ 인 ITO 층을 형성하고, 가동 전극 기판이 되는 투명 도전성 적층체를 제작하였다. 제막 직후의 표면 저항값은 약 550Ω/□ (Ω/sq.) 이었다. 이 가동 전극 기판을 150℃ 에서 45 분간 열 처리하고, ITO 층을 결정화시켰다. 열 처리 전후의 가동 전극 기판에 헤이즈 변화는 보이지 않고, ITO 층이 결정화된 후의 표면 저항값은 약 450Ω/□ (Ω/sq.) 이었다.

한편, 두께가 1.1㎜ 인 유리판의 양면에 SiO₂ 딥 코트를 실시한 후, 스퍼터링법에 의해, 동일한 방법으로 두께 18㎚ 인 ITO 층을 형성하였다. 다음으로, ITO 층상에 높이 7㎛, 직경 70㎛, 피치 1.5㎜ 인 도트 스페이서를 형성함으로써, 고정 전극 기판을 제작하였다. 이 고정 전극 기판과 상기 가동 전극 기판을 사용하여 제 4 도에 나타내는 투명 터치 패널을 제작하였다. 제 4 도에 있어서는, 1 은 하드 코트층, 2 는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 3 은 경화 수지층, 4 는 금속 화합물층, 5 는 투명 도전층, 6 은 유리 기판, 7 은 도트 스페이서, 8 은 라텍스 함유층이다. 제작한 투명 터치 패널의 단 누름 내구성 시험을 실시하였다. 시험 전후의 리니어리티 측정 결과를 표 1 에 나타낸다.

비교예 3

실시예 4 와 동일한 방법으로 고분자 필름 H 의 편면에 자외선 경화형 다관능 아크릴레이트 수지 도료를 사용하여 두께 4㎛ 인 하드 코트층을 형성하였다.

실시예 4 에서 제조한 도공액 J 를 이 라텍스 함유층 상에 경화 후의 두께가 1.0㎛ 가 되도록 바 코트법에 의해 도공한 후, 자외선 조사에 의해 경화시켜 경화 수지층을 형성하였다.

이 경화 수지층 상에 직접, 실시예 4 와 동일한 방법으로 두께가 20㎚ 인 ITO 층을 형성하고, 가동 전극 기판이 되는 투명 도전성 적층체를 제작하였다. 제막 직후의 표면 저항값은 약 550Ω/□ (Ω/sq.) 이었다. 이 가동 전극 기판을 150℃ 에서 45 분간 열 처리하고, ITO 층을 결정화시켰다. 열 처리 전후의 가동 전극 기판에 헤이즈 변화는 보이지 않고, ITO 층이 결정화된 후의 표면 저항값은 약 450Ω/□ (Ω/sq.) 이었다.

실시예 4 와 동일한 방법으로 고정 전극 기판을 제작하였다. 이 고정 전극 기판과 상기 가동 전극 기판을 사용하여 제 5 도에 나타내는 투명 터치 패널을 제작하였다. 제 5 도에 있어서는, 1 은 하드 코트층, 2 는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 3 은 경화 수지층, 5 는 투명 도전층, 6 은 유리 기판, 7 은 도트 스페이서, 8 은 라텍스 함유층이다. 제작한 투명 터치 패널의 단 누름 내구성 시험을 실시하였다. 시험 전후의 리니어리티 측정 결과를 표 1 에 나타낸다.

	단 누름 내구성 (리니어리티 %)
	시험 전	시험 후	변화량
실시예 4	0.56	0.61	+0.05
비교예 3	0.82	3.37	+2.56

시험 후의 비교예 3 의 터치 패널에서, 투명 도전성 적층체의 필기 지점을 현미경으로 관찰한 결과, 투명 도전층이 부분적으로 박리되어 있는 것이 확인되었다. 시험 후의 리니어리티의 상승은 투명 도전층의 밀착성의 불량에 기인하고 있다고 판단하였다.

실시예 5

경화 수지 성분 L 로서 2 관능의 이소시아눌산 EO 변성 아크릴레이트 M215 (동아 합성사 제조) 를 사용하였다. 경화 수지 성분 L 100 중량부와 개시제 D 3 중량부를 이소프로필알코올 (IPA) 과 이소부틸알코올 (IBA) 의 혼합 용제로 용해시켜 도공액 M 을 제작하였다.

평균 1 차 입자 직경이 30㎚ 인 SiO₂ 초미립자를 이소프로필알코올에 분산시킨 10% 분산액 (CI 카세이 주식회사 제조) N 을 준비하였다. 이 경화 수지 성분 L 과 이 SiO₂ 초미립자의 고형분 중량비가 100 : 10 이 되도록 도공액 M 에 이 SiO₂ 초미립자 분산액 N 을 혼합하여 도공액 O 를 제작하였다.

이 고분자 필름 H 의 하드 코트층을 형성한 측과 반대면에, 도공액 O 를 바 코트법에 의해 도공한 후, 자외선을 조사하고 경화시켜 두께가 3.0㎛ 인 경화 수지층을 형성하였다.

이 경화 수지층 상에, 실시예 1 과 동일한 방법으로 금속 화합물층으로서 두께가 2㎚ 인 SiOx 층을 형성하였다. 이어서, 이 SiOx 층상에, 실시예 4 와 동일한 방법으로 두께가 20㎚ 인 ITO 층을 형성하고, 가동 전극 기판이 되는 투명 도전성 적층체를 제작하였다. 제막 직후의 표면 저항값은 약 550Ω/□ (Ω/sq.) 이었다. 이 가동 전극 기판을 150℃ 에서 45 분간 열 처리하고, ITO 층을 결정화시켰다. ITO 층이 결정화된 후의 표면 저항값은 약 450Ω/□ (Ω/sq.) 이었다.

실시예 4 와 동일한 방법으로 고정 전극 기판을 제작하였다. 이 고정 전극 기판과 상기 가동 전극 기판을 사용하여 제 1 도에 나타내는 투명 터치 패널을 제작하였다.

제 1 도에 있어서는, 1 은 하드 코트층, 2 는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 3 은 경화 수지층, 4 는 금속 화합물층, 5 는 투명 도전층, 6 은 유리 기판, 7 은 도트 스페이서이다. 제작한 투명 터치 패널의 필기 내구성 시험과 단 누름 내구성 시험을 실시하였다. 시험 전후의 리니어리티 측정 결과를 표 2 에 나타낸다.

실시예 6

다음으로, γ-글리시독시프로필트리메톡실란 (신에츠 화학사 제조, 「KBM403」) 과 메틸트리메톡시실란 (신에츠 화학사 제조, 「KBM13」) 을 1 : 1 의 몰비로 혼합하고, 아세트산 수용액 (pH=3.0) 에 의해 공지된 방법으로 상기 실란의 가수분해를 실시하였다. 이렇게 하여 얻은 실란의 가수분해물의 고형분 20 중량부에 대해 1 중량부의 비율로 N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필메톡시실란 (신에츠 화학사 제조, 「KBM603」) 을 첨가하고, 추가로 이소프로필알코올과 n-부탄올의 혼합 용액으로 희석하여 알콕시실란 도공액 P 를 제작하였다.

도공액 P 중에 평균 1 차 입자 직경이 0.5㎛ 인 실리카 미립자를 알콕시실란 100 중량부에 대해 0.3 중량부가 되도록 혼합하여 도공액 Q 를 제작하였다.

이 고분자 필름 H 의 하드 코트층을 형성한 측과 반대면에, 알콕시실란 도공액 Q 를 하드 코트층과는 반대면측에 바 코트법에 의해 도공한 후, 130℃ 에서 2 분간 소성하여, 막 두께가 0.1㎛ 인 경화 수지층을 형성하였다.

이 경화 수지층 상에, 실시예 1 과 동일한 방법으로 금속 화합물층으로서 두께가 2.0㎚ 인 SiOx 층을 형성하였다. 이어서, 이 SiOx 층상에, 실시예 4 와 동일한 방법으로 두께가 20㎚ 인 ITO 층을 형성하고, 가동 전극 기판이 되는 투명 도전성 적층체를 제작하였다. 제막 직후의 표면 저항값은 약 550Ω/□ (Ω/sq.) 이었다. 이 가동 전극 기판을 150℃ 에서 45 분간 열 처리하고, ITO 층을 결정화시켰다. ITO 층이 결정화된 후의 표면 저항값은 약 450Ω/□ (Ω/sq.) 이었다.

실시예 4 와 동일한 방법으로 고정 전극 기판을 제작하였다. 이 고정 전극 기판과 상기 가동 전극 기판을 사용하여 제 1 도에 나타내는 투명 터치 패널을 제작하였다. 제작한 투명 터치 패널의 필기 내구성 시험과 단 누름 내구성 시험을 실시하였다. 시험 전후의 리니어리티 측정 결과를 표 2 에 나타낸다.

비교예 4

실시예 4 와 동일한 방법으로 고분자 필름 H 의 편면에 자외선 경화형 다관능 아크릴레이트 수지 도료를 사용하여 두께가 4㎛ 인 하드 코트층을 형성하였다.

이 고분자 필름 H 의 하드 코트층을 형성한 측과 반대면에, 실시예 5 에서 제작한 도공액 M 을 바 코트법에 의해 도공한 후, 자외선을 조사하고 경화시켜 막 두께가 3.0㎛ 인 경화 수지층을 형성하였다.

이 경화 수지층 상에 직접, 실시예 4 와 동일한 방법으로 두께가 20㎚ 인 ITO 층을 형성하고, 가동 전극 기판이 되는 투명 도전성 적층체를 제작하였다. 제막 직후의 표면 저항값은 약 550Ω/□ (Ω/sq) 이었다. 이 가동 전극 기판을 150℃ 에서 45 분간 열 처리하고, ITO 층을 결정화시켰다. ITO 층이 결정화된 후의 표면 저항값은 약 450Ω/□ (Ω/sq) 이었다.

실시예 4 와 동일하게 하여 고정 전극 기판을 제작하였다. 이 고정 전극 기판과 상기 가동 전극 기판을 사용하여 제 2 도에 나타내는 투명 터치 패널을 제작하였다. 제 2 도에 있어서, 1 은 하드 코트층, 2 는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 3 은 경화 수지층, 5 는 투명 도전층, 6 은 유리 기판, 7 은 도트 스페이서를 나타낸다.

제작한 투명 터치 패널의 필기 내구성 시험과 단 누름 내구성 시험을 실시하였다. 시험 전후의 리니어리티 측정 결과를 표 2 에 나타낸다.

비교예 5

이 고분자 필름 H 의 하드 코트층을 형성한 측과 반대면에, 실시예 1 과 동일한 방법으로 금속 화합물층으로서 두께가 20.0㎚ 인 SiOx 층을 형성하였다. 이어서, 그 SiOx 층상에, 실시예 4 와 동일한 방법으로 두께가 20㎚ 인 ITO 층을 형성하고, 가동 전극 기판이 되는 투명 도전성 적층체를 제작하였다. 제막 직후의 표면 저항값은 약 550Ω/□ (Ω/sq.) 이었다. 이 가동 전극 기판을 150℃ 에서 45 분간 열 처리하고, ITO 층을 결정화시켰다. ITO 층이 결정화된 후의 표면 저항값은 약 450Ω/□ (Ω/sq) 이었다.

실시예 4 와 동일하게 하여 고정 전극 기판을 제작하였다. 이 고정 전극 기판과 상기 가동 전극 기판을 사용하여 제 3 도에 나타내는 투명 터치 패널을 제작하였다. 제 3 도에 있어서, 1 은 하드 코트층, 2 는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 4 는 금속 화합물층, 5 는 투명 도전층, 6 은 유리 기판, 7 은 도트 스페이서를 나타낸다. 제작한 투명 터치 패널의 필기 내구성 시험과 단 누름 내구성 시험을 실시하였다. 시험 전후의 리니어리티 측정 결과를 표 2 에 나타낸다.

비교예 6

실시예 4 와 동일한 방법으로 고분자 필름 H 의 편면에 자외선 경화형 다관능 아크릴레이트 수지 도료를 사용하여 두께 4㎛ 의 하드 코트층을 형성하였다.

이 경화 수지층 상에, 실시예 1 과 동일한 방법으로 금속 화합물층으로서 두께가 20.0㎚ 인 SiOx 층을 형성하였다. 이어서, 이 SiOx 층상에, 실시예 4 와 동일한 방법으로 두께가 20㎚ 인 ITO 층을 형성하고, 가동 전극 기판이 되는 투명 도전성 적층체를 제작하였다. 제막 직후의 표면 저항값은 약 550Ω/□ (Ω/sq.) 이었다. 이 가동 전극 기판을 150℃ 에서 45 분간 열 처리하고, ITO 층을 결정화시켰다. ITO 층이 결정화된 후의 표면 저항값은 약 450Ω/□ (Ω/sq.) 이었다.

실시예 4 와 동일하게 하여 고정 전극 기판을 제작하였다. 이 고정 전극 기판과 상기 가동 전극 기판을 사용하여 제 1 도에 나타내는 투명 터치 패널을 제작하였다. 제작한 투명 터치 패널의 필기 내구성 시험과 단 누름 내구성 시험을 실시하였다. 시험 전후의 리니어리티 측정 결과를 표 2 에 나타낸다.

비교예 7

이 고분자 필름 H 의 하드코트층을 형성한 측과 반대면에, 실시예 5 에서 제작한 도공액 O 를 바 코트법에 의해 도공한 후, 자외선을 조사하고 경화시켜 막 두께가 3.0㎛ 인 경화 수지층을 형성하였다.

비교예 8

이 고분자 필름 H 의 하드 코트층을 형성한 측과 반대면에, 실시예 5 에서 제작한 도공액 O 를 바 코트법에 의해 도공한 후, 자외선을 조사하고 경화시켜 막 두께가 3.0㎛ 인 경화 수지층을 형성하였다.

이 경화 수지층 상에 직접, 실시예 4 와 동일한 방법으로 두께가 20㎚ 인 IT0 층을 형성하고, 가동 전극 기판이 되는 투명 도전성 적층체를 제작하였다. 제막 직후의 표면 저항값은 약 550Ω/□ (Ω/sq) 이었다. 이 가동 전극 기판을 150℃ 에서 45 분간 열 처리하고, ITO 층을 결정화시켰다. ITO 층이 결정화된 후의 표면 저항값은 약 450Ω/□ (Ω/sq.) 이었다.

실시예 4 와 동일하게 하여 고정 전극 기판을 제작하였다. 이 고정 전극 기판과 상기 가동 전극 기판을 사용하여 제 2 도에 나타내는 투명 터치 패널을 제작하였다. 제작한 투명 터치 패널의 필기 내구성 시험과 단 누름 내구성 시험을 실시하였다. 시험 전후의 리니어리티 측정 결과를 표 2 에 나타낸다.

실시예 7

이 고분자 필름 H 의 하드 코트층을 형성한 측과 반대면에, 실시예 1 과 동일한 방법으로 금속 화합물층으로서 두께가 2.0㎚ 인 SiOx 층을 형성하였다. 이어서, 이 SiOx 층상에, 실시예 4 와 동일한 방법으로 두께가 20㎚ 인 ITO 층을 형성하고, 가동 전극 기판이 되는 투명 도전성 적층체를 제작하였다. 제막 직후의 표면 저항값은 약 550Ω/□ (Ω/sq) 이었다. 이 가동 전극 기판을 150℃ 에서 45 분간 열 처리하고, ITO 층을 결정화시켰다. ITO 층이 결정화된 후의 표면 저항값은 약 450Ω/□ (Ω/sq) 이었다.

실시예 4 와 동일하게 하여 고정 전극 기판을 제작하였다. 이 고정 전극 기판과 상기 가동 전극 기판을 사용하여 제 3 도에 나타내는 투명 더치 패널을 제작하였다. 제작한 투명 터치 패널의 필기 내구성 시험과 단 누름 내구성 시험을 실시하였다. 시험 전후의 리니어리티 측정 결과를 표 3 에 나타낸다.

	금속 화합물층 막 두께 (㎚)	필기 내구성 (리니어리티 %)			단 누름 내구성 (리니어리티 %)
	금속 화합물층 막 두께 (㎚)	시험 전	시험 후	변화량	시험 전	시험 후	변화량
실시예 7	2.0	0.34	0.36	+0.02	0.29	0.30	+0.01

Claims

(1) 고분자 필름의 적어도 일방의 면상에 금속 화합물층, 투명 도전층이 순차적으로 적층되고, (2) 이 금속 화합물층과 이 투명 도전층이 접하여 이루어지고, (3) 이 금속 화합물층의 두께가 0.5㎚ 이상 10.0㎚ 미만인, 투명 도전성 적층체.
제 1 항에 있어서,

금속 화합물층의 두께가 이 투명 도전층의 두께보다 얇은, 투명 도전성 적층체.
제 1 항에 있어서,

이 금속 화합물층이 규소, 알루미늄, 티탄, 마그네슘, 아연, 지르코늄, 인듐 및 주석으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 금속의 산화물, 질화물 또는 산 질화물 또는 이들의 혼합물로 이루어지는, 투명 도전성 적층체.
제 1 항에 있어서,

고분자 필름과 금속 화합물층의 층간에 추가로 경화 수지층을 배치한, 투명 도전성 적층체.
제 4 항에 있어서,

경화 수지층과 금속 화합물층이 동일한 금속 원자를 함유하는, 투명 도전성 적층체.
제 4 항에 있어서,

이 경화 수지층 중에 평균 1 차 입자 직경이 100㎚ 이하인 금속 산화물 또는 금속 플루오르화물의 초미립자 (C) 와 규소 원자를 함유하는 유기 화합물을 함유 하고 있는, 투명 도전성 적층체.
제 6 항에 있어서,

이 초미립자 (C) 가 경화 수지층의 표면에 편석되어 있는, 투명 도전성 적층체.
제 6 항에 있어서,

이 초미립자 (C) 가 산화규소 미립자인, 투명 도전성 적층체.
제 4 항에 있어서,

이 경화 수지층과 이 고분자 필름의 파장 550㎚ 에 있어서의 굴절률의 차가 0.05 미만이고, 또한 이 경화 수지층과 이 금속 화합물층의 파장 550㎚ 에 있어서의 굴절률의 차가 0.3 미만인, 투명 도전성 적층체.
제 4 항에 있어서,

이 경화 수지층이, 다관능의 아크릴레이트 수지와 카르도형 골격을 갖는 아크릴레이트 수지를 함유하는 경화 수지 성분의 경화물로 이루어지는, 투명 도전성 적층체.
제 1 항에 있어서,

이 투명 도전층의 막 두께가 5.0∼50.0㎚ 인, 투명 도전성 적층체.
제 1 항에 있어서,

이 투명 도전층이 산화인듐을 주성분으로 한 결정질의 막인, 투명 도전성 적층체.
제 1 항에 있어서,

이 고분자 필름의 유리 전이점이 150℃ 이상인, 투명 도전성 적층체.
제 1 항에 기재된 투명 도전성 적층체를 기판으로서 사용한 표시 소자.
적어도 편면에 투명 도전층이 형성된 2 장의 투명 전극 기판이 서로의 투명 도전층끼리 마주보도록 배치되어 구성된 투명 터치 패널에 있어서, 적어도 일방의 투명 전극 기판으로서 제 1 항에 기재된 투명 도전성 적층체를 사용한 것을 특징으 로 하는 투명 터치 패널.