KR20070051307A - 투명 도전성 적층체 및 투명 터치 패널 - Google Patents

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히토시 미코시바
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데이진 가부시키가이샤
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Abstract

투명 유기 고분자 기판의 적어도 일방의 면 상에 경화 수지층-1 과 경화 수지층-2 가 순차 적층되고, 그 경화 수지층-2 상에 투명 도전층이 적층된 투명 도전성 적층체로서, (A) 경화 수지층-1 과 경화 수지층-2 의 영률의 관계, (B) 경화 수지층-1 과 경화 수지층-2 의 소성 변형 경도의 관계, (C) 경화 수지층-1 과 경화 수지층-2 의 경도의 관계 중 적어도 하나의 관계가 특정한 범위에 있는, 투명 도전성 적층체 및 그것을 사용한 투명 터치 패널.

Description

투명 도전성 적층체 및 투명 터치 패널 {TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE LAMINATE AND TRANSPARENT TOUCH PANEL}
본 발명은, 투명 유기 고분자 기판 상에 투명 도전층을 갖는 투명 도전성 적층체 및 그 투명 도전성 적층체를 사용한 투명 터치 패널에 관한 것이다.
최근, 디스플레이와 정보 입력용의 투명 터치 패널을 탑재한 휴대형정보단말이 널리 보급되기 시작하였다. 투명 터치 패널로서 많이 사용되는 저항막 방식의 투명 터치 패널은, 투명 도전층이 형성된 2 장의 투명 전극 기판이 약 10㎛ ∼100㎛ 의 간격이 되도록 대향시켜 구성되어 있고, 외력을 가하는 부분에서만 서로의 투명 도전층 표면끼리가 접촉하여 스위치로서 동작하는 것으로, 예를 들어 디스플레이에 표시된 메뉴의 선택, 도형ㆍ문자의 입력 등을 실시할 수 있다.
액정 디스플레이 등에서 협프레임화가 진행되고, 이것과 동일하게 투명 터치 패널에도 협프레임화가 진행되어 왔다. 이 협프레임화에 동반하여 종래 투명 터치 패널에 요구되어 있던 필기 내구성 이외에, 투명 터치 패널 단부에서의 필기 내구성 (단 누름 내구성) 이 요구되는 경향이 강해졌다.
투명 터치 패널에 요구되는 필기 내구성을 개선하기 위해서, 특허 문헌 1, 특허 문헌 2, 특허 문헌 3 에서는, 2 장의 투명 필름 기재를 경도 (또는 영률) 를 규정한 점착제 또는 투명 수지층을 통하여 적층한 기재를 사용한 투명 도전성 적층체가 제안되어 있다. 어느 방법에서도 필기 내구성을 개선시키는 것은 알려져 있지만 2 장의 투명 필름 기재를 점착제 또는 투명 수지층을 통해서 적층시키기 때문에 생산 공정이 복잡해져서 생산 효율이 나쁘고, 또한 10 인치를 초과하는 대형 투명 터치 패널을 제작하면 2 장의 투명 필름 기재를 적층한 구성이기 때문에 강성이 약하여 투명 도전성 적층체가 휘는 문제가 있다.
또한 특허 문헌 4 에서는 투명 도전층 하에 경도 (다이나믹 경도가 0.005∼2) 를 규정한 쿠션층을 형성하는 것도 제안되어 있지만, 상기 경도의 범위에서는 결정질의 투명 도전층을 얻기 위한 가열 처리시에, 그 쿠션층은 투명 도전층의 결정화에 동반되는 체적 변화를 지지하는 것이 불가능하므로, 투명 도전성 적층체의 헤이즈가 상승하고, 투명 도전성 적층체에 백화 또는 간섭 모양이 관찰되게 되는 문제가 있다.
또한 투명 플라스틱 필름 기재 상에, 경화형 수지를 주된 구성 성분으로 하는 경화물층, 및 투명 도전층을 순차 적층한 투명 도전성 적층체에 있어서 투명 도전층면의 경도를 0.4∼0.8GPa 로 규정하고 있는 특허 문헌 5 에서는, 특별히 경화형 수지 성분은 지정하고 있지 않고 투명 도전층면의 경도를 규정하고 있을 뿐으로, 단 누름 내구성 시험후에 경화물층에 크랙이 발생하여 투명 터치 패널의 전기 특성이 열화된다는 문제가 있다. 또 특허 문헌 6 에서는 고분자 필름/응력 완화층/투명 도전층을 순차 적층시켜, 응력 완화층의 막두께가 10∼50㎛ 이고 비커스 경도가 38∼240N/㎟ 으로 규정하고 있지만, 외부로부터의 응력을 완화시키는 응력 완화층의 경도에 따라서는 투명 도전층의 결정화에 동반되는 체적 변화를 지지할 수 없어 투명 도전층면에 미세한 주름이 생겨서 간섭 모양이 관찰되게 되어, 투명 도전성 적층체의 헤이즈가 상승되는 문제도 있다. 또 특허 문헌 7 과 같이 플라스틱 기재층과 도전층 사이에 경화 피막층을 갖는 플라스틱 적층체에 있어서, 도전막의 경도를 1GPa 이상으로 한 경우, 단 누름 내구성 시험시에 경화 피막층에 크랙이 생겨 투명 터치 패널의 전기 특성 (리니어리티) 이 열화되는 문제가 있다.
특허 문헌 1: 일본 공개특허공보 평2-66809호
특허 문헌 2: 일본 공개특허공보 평2-129808호
특허 문헌 3: 일본 공개특허공보 평8-192492호
특허 문헌 4: 일본 공개특허공보 평11-34206호
특허 문헌 5: 일본 공개특허공보 2002-163932호
특허 문헌 6: 일본 공개특허공보 2004-158253호
특허 문헌 7: 일본 공개특허공보 평11-286067호
본 발명의 목적은, 종래 투명 터치 패널에 요구되어 있던 필기 내구성, 특히 투명 터치 패널 단부 영역에서의 필기 내구성 (단 누름 내구성) 을 향상시킨 투명 터치 패널을 얻기 위한 투명 도전성 적층체를 제공하는 것에 있다.
도 1 은 본 발명의 실시예 1, 실시예 3, 비교예 5 에서 제작한 투명 터치 패널의 구성을 나타낸 모식도이다.
도 2 는 본 발명의 실시예 2 에서 제작한 투명 터치 패널의 구성을 나타낸 모식도이다.
도 3 은 본 발명의 비교예 2, 비교예 3 에서 제작한 투명 터치 패널의 구성을 나타낸 모식도이다.
도 4 는 본 발명의 실시예 4 에서 제작한 투명 터치 패널의 구성을 나타낸 모식도이다.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
<적층 구성과 막두께의 관계＞
본 발명의 투명 도전성 적층체는, 투명 유기 고분자 기판의 적어도 일방의 면 상에 경화 수지층-1 과 경화 수지층-2 가 순차 적층되고, 그 경화 수지층-2 상에 투명 도전층이 적층되어 이루어진다. 이러한 2 층 구성으로 함으로써, 각 경화 수지층의 특성, 즉, 경화 수지층-1 의 유연성이나 저탄성, 경화 수지층-2 의 강인성이나 고탄성의 양쪽 특성을 반영시키는 것이 가능해진다.
본 발명에서는 경화 수지층-1 의 막두께 (d1) 와 경화 수지층-2 의 막두께 (d2) 가 0.1 ≤ d2/d1 ≤ 3.0 이어야 하고, 0.15 ≤ d2/d1 ≤ 2.5 가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 0.2 ≤ d2/d1 ≤ 2 이며, 또한 각 층의 막두께가 0.5㎛ ≤ d1 ≤ 10㎛, 0.5㎛ ≤ d2 ≤ 10㎛ 이어야 하고, 바람직하게는 1㎛ ≤ d1 ≤ 10㎛, 1㎛ ≤ d2 ≤ 10㎛ 이다.
d2 /d1 ＜ 0.1 의 관계로 경화 수지층-1 과 경화 수지층-2 를 투명 유기 고분자 기판 상에 적층시킨 경우, 경화 수지층-2 의 막두께가 경화 수지층-1 의 막두께보다 극단적으로 얇아지기 때문에 경화 수지층-2 가 갖는 특성을 발휘할 수 없고, 투명 도전층 형성시나 투명 도전층을 열처리에 의해 결정화시킨 후에 경화 수지층-1 과 경화 수지층-2 의 적층체가 투명 도전층을 지지할 수 없어, 투명 도전층이 미세한 주름이 형성된 모양이 된다. 이것에 의해 헤이즈가 발생하기 때문에 투명 도전성 적층체로서 적당하지 않게 된다.
또한 한편, d2 /d1 ＞ 3 의 관계로 경화 수지층-1 과 경화 수지층-2 를 투명 유기 고분자 기판 상에 적층시킨 경우, 경화 수지층-2 의 막두께가 경화 수지층-1 의 막두께보다 극단적으로 두꺼워지기 때문에, 경화 수지층-1 과 경화 수지층-2 의 적층 효과가 나타나지 않아, 적층후의 특성은 경화 수지층-2 만을 사용한 경우와 동일하게 된다. 이 투명 도전성 적층체를 사용한 투명 터치 패널의 단 누름 내구성은, 경화 수지층-2 만을 투명 유기 고분자 기판에 적층하여 제작한 투명 도전성 적층체를 사용한 투명 터치 패널과 마찬가지로, 경화 수지층-2 에 크랙이 발생하여 투명 터치 패널의 전기 특성 (리니어리티) 을 확보할 수 없다.
d1 및 d2 가 0.5㎛ 미만에서는 경화 수지층의 경화성 문제로부터 바람직하지 않고, 10㎛ 를 초과하는 막두께에서는 가공이 어려워지기 때문에 적당하지 않다.
<영률, 소성 변형 경도 및 경도의 관계 1＞
본 발명의 투명 도전성 적층체는, 후술하는 영률, 소성 변형 경도 및 경도의 관계 중, 적어도 하나의 요건을 만족할 필요가 있다.
이와 같이 함으로써, 본 발명이 목적으로 하는, 투명 터치 패널 단부 영역에서의 필기 내구성 (단 누름 내구성) 을 향상시킨 투명 터치 패널을 얻기 위한 투명 도전성 적층체를 제공하는 것이 가능해진다.
여기서, 영률, 소성 변형 경도 및 경도의 관계는 어느 하나의 요건을 만족하면 되지만, 본 발명의 투명 도전성 적층체는 모든 요건을 만족하는 경우도 있다.
이하, 영률, 소성 변형 경도 및 경도의 관계에 관해서 상세히 설명한다.
<요건 (A): 영률의 관계＞
본 발명의 요건 (A) 은 투명 유기 고분자 기판의 영률 W0, 경화 수지층-1 단독에서의 영률 W1, 경화 수지층-2 단독의 영률 W2, 투명 유기 고분자 기판 상에 경화 수지층-1, 경화 수지층-2 가 순차 적층된 때의 영률 W3 의 각각이, W2 ＞ W0 ＞ W1, W2 ＞ W3 ＞ W1 의 관계에 있는 것이다.
여기서, 투명 유기 고분자 기판의 영률을 W0, 투명 유기 고분자 기판 상에 경화 수지층-1 을 형성하여 측정하였을 때의 영률을 W1, 투명 유기 고분자 기판 상에 경화 수지층-2 를 형성하여 측정하였을 때의 영률을 W2, 투명 유기 고분자 기판 상에 경화 수지층-1, 경화 수지층-2 가 순차 적층되었을 때의 영률을 W3 으로 한다.
투명 유기 고분자 기판의 압입 경도 시험 (인덴테이션 테스터ㆍ설정 압입 깊 이: 0.5㎛) 에 의한 영률 W0 의 예로서, 두께 188㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (테이진 듀퐁 필름 (주) 제조 OFW) 은 6.5GPa (660kgf/㎟), 100㎛ 의 폴리카보네이트 필름 (테이진 화성 (주) 제조 「퓨어 에이스」) 은 4.3GPa (440kgf/㎟) 등이 있다.
경화 수지층-1 의 영률이 투명 유기 고분자 기판보다 큰 (W0<W1) 경우에는, 경화 수지층-1 과 경화 수지층-2 를 적층하여 얻어진 투명 도전성 적층체를 사용하여 제작한 투명 터치 패널의 단 누름 내구성 후의 전기 특성 (리니어리티) 을 확보하기가 어렵다. 또한 경화 수지층-2 의 영률이 투명 유기 고분자 기판보다 작은 (W0 ＞ W2) 경우에는, 경화 수지층-2 에 투명 도전층을 형성할 때, 또는 투명 도전층을 열처리에 의해 결정화시킬 때에 경화 수지층-2 가 투명 도전층을 지지할 수 없어, 투명 도전층이 미세한 주름 형상이 된다. 이것에 의해 헤이즈가 발생하기 때문에 투명 도전성 적층체로서 적당하다고는 말할 수 없다.
또, 본 발명의 요건 (A) 로서, 영률 W3 이 1.9GPa ≤ W3 ≤ 8.8GPa (200kgf/㎟ ≤ W3 ≤ 900kgf/㎟) 의 범위에 있어야 하고, 3.9GPa ≤ W3 ≤ 8.8GPa (400kgf/㎟ ≤ W3 ≤ 900kgf/㎟) 인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는, 4.4GPa ≤ W3 ≤ 8.4GPa (450kgf/㎟ ≤ W3 ≤ 850kgf/㎟) 이다. 상기 기재된 영률 W3 의 범위에서 경화 수지층-1 과 경화 수지층-2 를 투명 고분자 기판 상에 순차 적층하였을 때 경화 수지층-1 과 경화 수지층-2 의 각 층의 특성이 충분히 반영되어, 투명 도전성 적층체 및 투명 터치 패널에 필요한 여러 가지 특성을 충분히 만족시키는 것이 가능해진다.
즉, 경화 수지층-1 과 경화 수지층-2 를 투명 고분자 기판 상에 적층시킨 경우의 영률 W3 이 1.9GPa (200kgf/㎟) 미만인 경우에서는, 투명 도전막 형성시나 투명 도전층을 열처리에 의해 결정화시킬 때에 경화 수지층-1 과 경화 수지층-2 의 적층체가 투명 도전층을 지지할 수 없어, 투명 도전층이 미세한 주름이 생긴 모양으로 됨으로써 헤이즈가 발생하기 때문에 투명 도전성 적층체로서 적당하지 않게 된다.
또한, 영률 W3 이 8.8GPa (900kgf/㎟) 를 초과하는 경우에는, 이것을 투명 도전성 적층체로서 사용한 투명 터치 패널의 단 누름 내구성이 떨어지게 되어, 크랙의 발생으로 인해 투명 터치 패널의 전기 특성 (리니어리티) 을 확보하기가 어렵다.
<요건 (B): 소성 변형 경도의 관계＞
본 발명의 요건 (B) 는 경화 수지층-1 과 경화 수지층-2 의 소성 변형 경도가 상이하고, 또 HV2 ＞ HV0 ＞ HV1 또한 HV2 ＞ HV3 ＞ HV1 의 관계를 갖는 것이다.
여기서, 투명 유기 고분자 기판의 소성 변형 경도를 HV0, 투명 유기 고분자 기판 상에 경화 수지층-1 을 형성하여 측정하였을 때의 소성 변형 경도를 HV1, 투명 유기 고분자 기판 상에 경화 수지층-2 를 형성하여 측정하였을 때의 소성 변형 경 도를 HV2, 투명 유기 고분자 기판 상에 경화 수지층-1, 경화 수지층-2 가 순차 적층되었을 때의 소성 변형 경도를 HV3 으로 한다.
소성 변형 경도가 상이한 적어도 2 개의 경화 수지층을 상기 관계로 투명 고분자 기판 상에 적층함으로써, 각 경화 수지층의 특성, 즉 경화 수지층-1 의 유연성이나 저탄성, 경화 수지층-2 의 강인성이나 고탄성의 양쪽 특성을 반영시키는 것이 가능해져, 최근 투명 터치 패널에 요구되고 있는 필기 내구성과 단 누름 내구성을 향상시키는 것이 가능해진다.
본 발명의 요건 (B) 는 HV2 ＞ HV0 ＞ HV1 또한 HV2 ＞ HV3 ＞ HV1 의 관계에 있는 것이지만, 투명 유기 고분자 기판의 압입 경도 시험기 (나노인덴테이션 테스터ㆍ설정 압입 깊이: 0.5㎛) 에 의한 소성 변형 경도 HV0 의 예로서, 두께 188㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (테이진 듀퐁 필름 주식회사 제조 OFW) 은 539MPa (55kgf/㎟), 100㎛ 의 폴리카보네이트 필름 (테이진 화성 주식회사 제조 「퓨어에이스」) 은 235MPa (24kgf/㎟) 등이 있다. 경화 수지층-1 의 소성 변형 경도가 투명 유기 고분자 기판보다 큰 (HV0＜ HV1) 경우에는, 경화 수지층-1 과 경화 수지층-2 를 적층하여 얻어진 투명 도전성 적층체를 사용하여 제작한 투명 터치 패널의 단 누름 내구성 시험 후의 전기 특성 (리니어리티) 을 확보하기가 어렵다.
또한, 경화 수지층-2 의 소성 변형 경도가 투명 유기 고분자 기판보다 작은 (HV0 ＞ HV2) 경우에는, 경화 수지층-2 가 투명 도전층을 지지할 수 없어, 투명 도 전층 형성시, 또는 투명 도전층을 열처리에 의해 결정화시킬 때에, 투명 도전층이 미세한 주름이 형성된 모양으로 된다. 이것에 의해 헤이즈가 발생하기 때문에 투명 도전성 적층체로서 적당하다고는 할 수 없다.
또, 경화 수지층-1 과 경화 수지층-2 를 전술한 막두께 설정 (0.1 ≤ d2/d1 ≤ 3.0, 0.5㎛ ≤ d1 ≤ 10㎛, 0.5㎛ ≤ d2 ≤ 10㎛) 으로 적층한 경우, HV2 ＞ HV3 ＞ HV1 의 관계가 된다.
상기 기재한 막두께 설정의 밖이고, 경화 수지층-1 의 막두께를 얇게 경화 수지층-2 의 막두께를 두껍게 적층한 경우, 소성 변형 경도의 관계는 HV2 ≒ HV3 이 된다.
또, 경화 수지층-1 의 막두께를 두껍게 경화 수지층-2 의 막두께를 얇게 적층한 경우, 소성 변형 경도의 관계는 HV3 ≒ HV1 이 된다.
이들의 경우, 경화 수지층-1 또는 경화 수지층-2 를 단독으로 투명 유기 고분자 기판 상에 형성하였을 때와 가까운 상태가 되어, 투명 도전성 적층체 또는 투명 터치 패널의 특성을 확보하기가 어려워진다.
본 발명에 있어서의 경화 수지층-1 의 소성 변형 경도 HV1 및 경화 수지층-2 의 소성 변형 경도 HV2 는, 투명 유기 고분자 기판 (두께 188㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (테이진 듀퐁 필름 주식회사 제조 OFW)) 상에 경화 수지층-1 또는 경화 수지층-2 를 두께 5㎛ 로 형성한 후, 경화 수지층면을 압입 소성 변형 경도 시험기 (나노인덴테이션 테스터ㆍ설정 압입 깊이: 0.5㎛) 로 측정하였을 때의 값이다.
<요건 (C): 경도의 관계＞
본 발명의 요건 (C) 는, 경화 수지층-1 과 경화 수지층-2 의 경도가 상이하고, 또 압입 경도 시험기 (나노인덴테이션 테스터ㆍ설정 압입 깊이: 0.5㎛) 로 측정하였을 때, DH2 ＞ DH0 ＞ DH1 또한 DH2 ＞ DH3 ＞ DH1 의 관계를 만족하며, 그리고 경도 DH3 이 98MPa ≤ DH3 ≤ 392MPa (10kgf/㎟ ≤ DH3 ≤ 40kgf/㎟) 의 범위에 있는 것이다.
여기서, 투명 유기 고분자 기판의 경도를 DH0, 투명 유기 고분자 기판 상에 경화 수지층-1 을 형성하여 측정하였을 때의 경도를 DH1, 투명 유기 고분자 기판 상에 경화 수지층-2 를 형성하여 측정하였을 때의 경도를 DH2, 투명 유기 고분자 기판 상에 경화 수지층-1, 경화 수지층-2 가 순차 적층되었을 때의 경도를 DH3 으로 한다.
투명 유기 고분자 기판의 압입 경도 시험기 (나노인덴테이션 테스터ㆍ설정 압입 깊이: 0.5㎛) 에 의한 경도 DH0 의 예로서, 두께 188㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (테이진 듀퐁 필름 (주) 제조 OFW) 은 274MPa (28kgf/㎟), 100㎛ 의 폴리카보네이트 필름 (테이진 화성 (주) 제조 「퓨어에이스」) 은 167MPa (17kgf/㎟) 등이 있다.
경화 수지층-1 의 경도가 투명 유기 고분자 기판보다 큰 (DH0 ＜ DH1) 경우에는, 경화 수지층-1 과 경화 수지층-2 를 적층하여 얻어진 투명 도전성 적층체를 사용하여 제작한 투명 터치 패널의 단 누름 내구성 후의 전기 특성 (리니어리티) 을 확보하기가 어렵다.
또한, 경화 수지층-2 의 경도가 투명 유기 고분자 기판보다 작은 (DH0 ＞ DH2) 경우에는, 경화 수지층-2 가 투명 도전층을 지지할 수 없어, 투명 도전층 형성시, 또는 투명 도전층을 열처리에 의해 결정화시킬 때에, 투명 도전층이 미세한 주름이 형성된 모양이 된다. 이것에 의해 헤이즈가 발생하기 때문에 투명 도전성 적층체로서 적당하다고는 말할 수 없다.
경화 수지층-1 과 경화 수지층-2 를 전술한 막두께 설정 (0.1 ≤ d2/d1 ≤ 3.0, 0.5㎛ ≤ d1 ≤ 10㎛, 0.5㎛ ≤ d2 ≤ 10㎛) 으로 적층한 경우, DH2 ＞ DH3 ＞ DH1 의 관계가 된다.
상기 기재한 막두께 설정의 밖이고, 경화 수지층-1 의 막두께를 얇게 경화 수지층-2 의 막두께를 두껍게 적층한 경우, 경도의 관계는 DH2 ≒ DH3 이 된다.
또, 경화 수지층-1 의 막두께를 두껍게 경화 수지층-2 의 막두께를 얇게 적층한 경우, 경도의 관계는 DH3 ≒ DH1 이 된다. 이들의 경우, 경화 수지층-1 또는 경화 수지층-2 를 단독으로 투명 유기 고분자 기판 상에 형성하였을 때와 가까운 상태가 되어, 투명 도전성 적층체 또는 투명 터치 패널의 특성을 확보하기가 어 려워진다.
본 명세서 중에 기재된 경화 수지층-1 의 경도 DH1 및 경화 수지층-2 의 경도 DH2 는, 투명 유기 고분자 기판 (두께 188㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (테이진 듀퐁 필름 주식회사 제조 OFW)) 상에 경화 수지층-1 또는 경화 수지층-2 를 두께 5㎛ 로 형성한 후, 경화 수지층면을 압입 경도 시험기 (나노인덴테이션 테스터ㆍ설정 압입 깊이: 0.5㎛) 로 측정하였을 때의 값이다.
또, 본 발명의 요건 (C) 로서, 경도 DH3 이 98MPa ≤ DH3 ≤ 392MPa (10kgf/㎟ ≤ DH3 ≤ 40kgf/㎟) 인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 147MPa ≤ DH3 ≤ 343MPa (15kgf/㎟ ≤ DH3 ≤ 35kgf/㎟) 이다. 이 범위에 있을 때에는, 경화 수지층-1 과 경화 수지층-2 를 투명 고분자 기판 상에 순차 적층하였을 때에 경화 수지층-1 과 경화 수지층-2 의 각 층의 특성이 충분히 반영되어, 투명 도전성 적층체 및 투명 터치 패널에 필요한 여러 가지 특성을 충분히 만족시키는 것이 가능해진다.
즉, 경화 수지층-1 과 경화 수지층-2 가 소정의 막두께 범위이고 경화 수지층-1 과 경화 수지층-2 를 투명 고분자 기판 상에 적층시킨 경우의 경도 DH3 이 98MPa (10kgf/㎟) 미만인 경우에서는, 투명 도전층 형성시나 투명 도전층을 열처리에 의해 결정화시킬 때에 경화 수지층-1 과 경화 수지층-2 의 적층체가 투명 도전층을 지지할 수 없어, 투명 도전층이 미세한 주름이 형성된 모양이 된다. 이것 에 의해 헤이즈가 발생하기 때문에 투명 도전성 적층체로서 적당하지 않다.
또한, 경화 수지층-1 과 경화 수지층-2 가 소정의 막두께 범위이고 경화 수지층-1 과 경화 수지층-2 를 투명 고분자 기판 상에 적층시킨 경우의 경도 DH3 이 392MPa (40kgf/㎟) 를 초과하는 경우에서는, 이것을 투명 도전성 적층체로서 사용한 투명 터치 패널은, 단 누름 내구성 시험시에 크랙의 발생에 의해 투명 터치 패널의 전기 특성 (리니어리티) 을 확보할 수 없다.
<영률, 소성 변형 경도 및 경도의 관계 2＞
본 발명의 투명 도전성 적층체는, 상기한 요건 (A) ∼ (C) 중 적어도 하나의 요건을 만족하고, 그 위에, 요건 (D) ∼ (F) 중 적어도 하나의 요건을 추가로 만족하는 것이 바람직하다. 본 발명의 투명 도전성 적층체는 모든 요건을 만족하는 경우도 있다.
이와 같이 함으로써, 본 발명이 목적으로 하는, 투명 터치 패널 단부 영역에서의 필기 내구성 (단 누름 내구성) 을 더욱 향상시킨 투명 터치 패널을 얻기 위한 투명 도전성 적층체를 제공하는 것이 가능해진다.
<요건 (D): 영률의 관계＞
본 발명의 요건 (D) 는, 영률 W1 이 0.3GPa ≤ W1 ≤ 4.9GPa (30kgf/㎟ ≤ W1 ≤ 500kgf/㎟) 이고, 또한 영률 W2 가 6.9GPa ≤ W2 ≤ 9.8GPa (700kgf/㎟ ≤ W2 ≤ 1000kgf/㎟) 인 것이고, 바람직하게는, 영률 W1 이 0.5GPa ≤ W1 ≤ 4.9GPa (50kgf/ ㎟ ≤ W1 ≤ 500kgf/㎟) 이고, 또한 영률 W2 가 6.9GPa ≤ W2 ≤ 9.8GPa (700kgf/㎟ ≤ W2 ≤ 1000kgf/㎟) 이다.
이 범위로 함으로써, 투명 도전층 형성시, 또는 투명 도전층을 열처리에 의해 결정화시킬 때에 경화 수지층-1 과 경화 수지층-2 의 적층체가 투명 도전층을 충분히 지지할 수 있기 때문에, 투명 도전층이 미세한 주름이 형성된 모양으로 되는 일도 없고, 헤이즈의 발생도 없다. 투명 도전성 적층체에 백화 또는 간섭 모양이 관찰되지 않기 때문에, 투명 도전성 적층체로서 바람직하며, 또한, 그 투명 도전성 적층체를 사용하여 얻어지는 투명 터치 패널은 단 누름 내구성 시험시에 경화 수지층-2 에 크랙이 발생하는 일이 없기 때문에, 투명 터치 패널의 전기 특성 (리니어리티) 을 충분히 확보할 수 있다.
<요건 (E): 소성 변형 경도의 관계＞
본 발명의 요건 (E) 는, 소성 변형 경도 HV1 이 9.8MPa ≤ HV1 ≤ 196MPa (1kgf/㎟ ≤ HV1 ≤ 20kgf/㎟), 소성 변형 경도 HV2 가 588MPa ≤ HV2 ≤ 1078MPa (60kgf/㎟ ≤ HV2 ≤ 110kgf/㎟) 인 것이다.
이 범위로 함으로써, 필기 내구성 시험시에, 외부로부터의 힘에 의한 투명 도전층으로의 데미지를 완화시킬 수 있다. 또한, 경화 수지층-1 과 경화 수지층-2 의 적층체가 투명 도전층을 지지하는 것도 가능하기 때문에, 투명 도전층 형성시, 또는 투명 도전층을 열처리에 의해 결정화시킬 때에 투명 도전층이 미세한 주름이 형성된 모양으로 되는 일이 없으므로, 헤이즈가 발생하는 경우도 없다. 투명 도전성 적층체에 백화 또는 간섭 모양이 관찰되는 일도 없기 때문에, 투명 도전성 적층체로서 바람직한 것이다.
또, 이러한 투명 도전성 적층체를 가동 전극으로서 사용하여 투명 터치 패널을 제작해서 필기 내구성 시험을 실시한 경우에는, 고정 전극 기판 상에 형성되어 있는 도트 스페이서가 그 투명 도전 적층체의 투명 도전층에 깊숙이 박혀 투명 도전층을 파괴하는 일이 없기 때문에, 투명 터치 패널의 전기 특성 (리니어리티) 의 열화가 없으며, 또한, 그 투명 도전성 적층체는 단 누름 내구성 시험시에 경화 수지층-2 에 크랙이 발생하는 일도 없어, 투명 터치 패널의 전기 특성 (리니어리티) 을 확보하는 것도 용이하다.
<요건 (F): 경도의 관계＞
본 발명의 요건 (F) 는, 경도 DH1 이 9.8MPa ≤ DH1 ≤ 147MPa (1kgf/㎟ ≤ DH1 ≤ 15kgf/㎟, 경도 DH2 가 245MPa ≤ DH2 ≤ 490MPa (25kgf/㎟ ≤ DH2 ≤ 50kgf/㎟) 인 것이다.
이 범위로 함으로써, 필기 내구성 시험시에, 외부로부터의 힘에 의한 투명 도전층으로의 데미지를 완화시킬 수 있다. 또한, 경화 수지층-1 과 경화 수지층-2 의 적층체가 투명 도전층을 지지하는 것도 가능하기 때문에, 투명 도전층 형성시, 또는 투명 도전층을 열처리에 의해 결정화시킬 때에 투명 도전층이 미세한 주름이 형성된 모양으로 되는 일이 없으므로, 헤이즈가 발생하는 경우도 없다. 투명 도전성 적층체에 백화 또는 간섭 모양이 관찰되는 일도 없기 때문에, 투명 도전성 적층체로서 바람직한 것이다.
또, 이러한 투명 도전성 적층체를 가동 전극으로서 사용하여 투명 터치 패널을 제작해서 필기 내구성 시험을 실시한 경우에는, 고정 전극 기판 상에 형성되어 있는 도트 스페이서가 그 투명 도전 적층체의 투명 도전층에 깊숙이 박혀 투명 도전층을 파괴하는 일이 없기 때문에, 투명 터치 패널의 전기 특성 (리니어리티) 의 열화가 없으며, 또한, 그 투명 도전성 적층체는 단 누름 내구성 시험시에 경화 수지층-2 에 크랙이 발생하는 일도 없어, 투명 터치 패널의 전기 특성 (리니어리티) 을 확보하는 것도 용이하다.
<요건 (G): 소성 변형 경도의 관계＞
본 발명에서는, 상기 요건 (D) ∼ (F) 중 어느 하나의 요건을 만족하고, 또한 하기 요건 (G) 를 만족하는 것이 바람직하다.
본 발명의 요건 (G) 는, 소성 변형 경도 HV3 이 98MPa ≤ HV3 ≤ 833MPa (10kgf/㎟ ≤ HV3 ≤ 85kgf/㎟) 에 있는 것이고, 바람직하게는, 소성 변형 경도 HV3 이 196MPa ≤ HV3 ≤ 833MPa (20kgf/㎟ ≤ HV3 ≤ 85kgf/㎟) 인 것이다.
이 범위에 있음으로써, 경화 수지층-1 과 경화 수지층-2 를 투명 고분자 기판 상에 순차 적층하였을 때에 경화 수지층-1 과 경화 수지층-2 의 각 층의 특성이 충분히 반영되어, 투명 도전성 적층체 및 투명 터치 패널에 필요한 여러 가지 특성을 충분히 만족시키는 것이 가능해진다.
<경화 수지층-1 의 설명＞
본 발명에 사용되는 경화 수지층-1 은, (a) 우레탄아크릴레이트를 모노머로 하는 경화 수지 및 (b) 합성 고무로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 10중량% 이상 함유하는 것이 바람직하고, 20중량% 이상 함유하는 것이 보다 바람직하다.
(a), (b) 는 각각 단독으로 형성해도 되고, 또는, 이들을 복수 조합하여 경화 수지층-1 을 형성해도 상관없다. (a), (b) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 10중량% 이상일 때에는, 본 발명의 요건 (A) ∼ (C) 중 적어도 하나를 만족하기 쉽다.
여기서, 모노머로서 사용하는 우레탄아크릴레이트는, 디올 등의 폴리올을, 디이소시아네이트 등의 다관능성 이소시아네이트와 반응시키고, 다음으로 히드록시 관능성 아크릴레이트로 말단을 밀봉시킨 것이다. 폴리올로는, 폴리에테르폴리올, 폴리에스테르폴리올, 탄화수소폴리올 등을 들 수 있다. 이들 폴리올의 코폴리머를 사용해도 되고, 이들 폴리올을 단독으로 또는 복수를 조합하여 사용해도 된다. 폴리올의 수평균 분자량은, 약 200∼10000 이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 500∼5000 이다. 폴리올의 수평균 분자량이 200 미만인 경우, 본 발명의 목적을 달성할 수 있는 경화 수지층-1 을 얻기가 어려워지며, 또한 투명 터치 패널에 필요한 전기 특성을 확보하기가 어려워진다.
또 폴리올의 수평균 분자량이 10000 을 초과하는 경우, 경화 수지층-1 상에 대한 경화 수지층-2 의 가공이 어려워진다. 나아가서는 투명 도전층을 지지할 수 없는 문제가 생길 가능성도 있다.
한편, 합성 고무로는, 예를 들어, 이소프렌 고무, 부타디엔 고무, 부틸 고무, 에틸렌프로필렌 고무, 클로로프렌 고무, 에피클로르히드린 고무, 아크릴 고무, 우레탄 고무, 실리콘 고무, 불소 고무, 스티렌 부타디엔 고무, 클로로술폰화 고무, 염소화 폴리에틸렌 고무, 니트릴 고무, 수소 첨가 아크릴로니트릴부타디엔 고무, 다황화 고무, 아크릴산에스테르 공중합체, 각종 합성 라텍스 등을 들 수 있다. 이들 합성 고무의 블록 코폴리머를 사용해도 되며, 이들을 단독으로 또는 복수 조합하여 사용해도 된다.
상기 우레탄아크릴레이트와 합성 고무 이외의 경화 수지 성분으로서 전리 방사선 경화형 수지나 열경화형 수지 등을 들 수 있다.
전리 방사선 경화형 수지를 제공하는 모노머로는, 예를 들어 폴리올아크릴레이트, 폴리에스테르아크릴레이트, 상기 이외의 우레탄아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 변성 스티렌아크릴레이트, 멜라민아크릴레이트, 실리콘 함유 아크릴레이트 등의 단관능 및 다관능 아크릴레이트를 들 수 있다.
구체적인 모노머로는, 예를 들어 트리메틸올프로판트리메타크릴레이트, 트리메틸올프로판에틸렌옥사이드 변성 트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판프로필렌옥사이드 변성 트리아크릴레이트, 이소시아눌산알킬렌옥사이드 변성 트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 디메틸올트리시클로데칸디아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜트리아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 에폭시 변성 아크릴레이트, 우레탄 변성 아크릴레이트 등의 다관능 모노머를 들 수 있다.
이들을 단독으로 사용해도 되고, 복수 종류를 혼합하여 사용해도 되며, 또, 경우에 따라서는, 각종 알콕시실란의 가수분해물을 적당량 첨가해도 된다. 또한, 전리 방사선에 의해 중합을 실시하는 경우에는 공지된 광중합 개시제가 적당량 첨가된다. 또, 필요에 따라서 광증감제를 적당량 첨가해도 된다.
광중합 개시제로는 아세토페논, 벤조페논, 벤조인, 벤조일벤조에이트, 티오크산톤류 등을 들 수 있고, 광증감제로는 트리에틸아민, 트리-n-부틸포스핀 등을 들 수 있다.
열경화형 수지로는, 메틸트리에톡시실란, 페닐트리에톡시실란 등의 실란 화합물을 모노머로 한 오르가노실란계 열경화형 수지나 에테르화 메틸올멜라민 등을 모노머로 한 멜라민계 열경화형 수지, 에폭시계 열경화형 수지 등을 들 수 있다. 이들 경화 수지를 단독으로 또는 복수 조합하여 사용하는 것도 가능하다. 또, 필요에 따라서 열가소성 수지를 혼합하는 것도 가능하다. 그리고, 열에 의해 가교를 실시하는 경우에는 공지된 반응 촉진제, 경화제가 적당량 첨가된다.
반응 촉진제로는 예를 들어, 트리에틸렌디아민, 디부틸주석디라우레이트, 벤질메틸아민, 피리딘 등을 들 수 있다. 경화제로는 예를 들어, 메틸헥사히드로무수프탈산, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,3'-디에틸디페닐메탄, 디아미노디페닐술폰 등을 들 수 있다.
경화 수지층-1 의 형성 방법으로는, 닥터 나이프, 바 코터, 그라비아 롤 코터, 커튼 코터, 나이프 코터, 스핀 코터 등의 공지된 도포 기계를 사용하는 방법, 스프레이법, 침지법 등을 들 수 있다. 실제의 도포법으로는, 상기 모노머 화합물 등을 각종 유기 용제에 용해시켜 농도나 점도를 조절한 도포액을 사용하여, 투명 유기 고분자 기판 상에 도포한 후, 방사선 조사나 가열 처리 등에 의해 층을 경화시키는 방법을 들 수 있다.
희석 용제로는, 물, 알코올계, 탄화수소계 용제, 예를 들어, 에탄올, 이소프로필알코올, 부탄올, 1-메톡시-2-프로판올, 헥산, 시클로헥산, 리그로인 등을 들 수 있다.
합성 고무를 사용하는 경우에는, 자일렌, 톨루엔, 케톤류, 예를 들어 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤 등을 사용하는 것이 바람직하다. 이 밖에, 시클로헥사논, 아세트산부틸, 아세트산이소부틸 등의 극성 용매도 사용 가능하다. 이들은 단독으로 또는 2 종류 이상의 혼합 용제로서 사용하는 것이 가능하다.
또한 경화 수지층-1 의 표면을 조면(粗面)화시키는 경우나 경도를 조정하는 등의 목적에서, 평균 1 차 입자직경이 0.001㎛ 이상 5㎛ 이하인 미립자를 단독으로, 또는 평균 1 차 입자직경이 상이한 2 종류 이상의 미립자를 조합하여, 경화 수지층-1 에 함유시키는 것도 가능하다.
<경화 수지층-2 의 설명＞
본 발명에서 사용되는 경화 수지층-2 로는, 전리 방사선 경화형 수지나 열경화형 수지 등을 들 수 있다.
전리 방사선 경화형 수지나 열경화형 수지로는, 본 발명의 요건 (A) ∼ (C) 중 적어도 하나의 요건을 만족하는 한, 전술한 경화 수지층-1 의 설명란에 기재한 경화 수지 성분과 동일한 것을 사용할 수 있다.
또, 가동 전극 기판 표면, 고정 전극 기판 표면이 모두 평탄한 경우, 투명 터치 패널을 제작하였을 때, 가동 전극 기판 표면으로부터의 반사광과 고정 전극 기판 표면으로부터의 반사광의 간섭에 의한 뉴턴링 (Newton's ring]) 이 관찰되는 경우가 있다. 이 반사광을 광학적으로 산란시킴으로써 뉴턴링을 방지하기 위해 경화 수지층-1 또는 경화 수지층-2 의 표면을 조면화해도 된다. 경화 수지층-1 또는 경화 수지층-2 의 표면을 조면화하는 수법으로는, 1 차 입자직경이 0.001㎛ 이상 5㎛ 이하인 미립자를 단독으로, 또는 1 차 입자직경이 상이한 2 종류 이상의 미립자를 조합하여, 경화 수지층-1 또는 경화 수지층-2 에 함유시킨다. 상기 수법에 의해 조면화된 바람직한 조면화 범위는 경화 수지층-2 의 JIS B0601-1982 에 의해 정의되는 10점 평균 거칠기 (Rz) 가, 100㎚ 이상 1000㎚ 미만이고, 보다 바람직하게는 100㎚ 이상 800㎚ 미만이고, 더욱 바람직하게는 150㎚ 이상 500㎚ 미만이다. 또 JIS B0601-1994 에 의해 정의되는 산술 평균 거칠기 (Ra) 가 50㎚ 이상 500㎚ 미만이며, 그리고 또한 투명 고분자 기판, 경화 수지층-1 및 경화 수지층-2 에 기초한 JIS B7361 에 의해 정의되는 헤이즈가 5% 이하이다.
<투명 유기 고분자 기판＞
본 발명에서 사용되는 투명 유기 고분자 기판은, 투명성이 우수한 열가소성 또는 열경화성의 유기 고분자 화합물을 필름으로 한 것을 사용할 수 있다. 이러한 유기 고분자 화합물로는, 내열성이 우수한 투명한 유기 고분자이면 특별히 한정되지 않는다.
예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌-2,6-나프탈레이트, 폴리디알릴프탈레이트 등의 폴리에스테르계 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리술폰 수지, 폴리알릴레이트 수지, 아크릴 수지, 셀룰로오스아세테이트 수지, 시클로올레핀 폴리머 등을 들 수 있다. 물론 이들은 호모폴리머, 코폴리머로서, 혹은 단독으로 또는 블렌드로서도 사용할 수 있다.
이들 투명 유기 고분자 기판은 일반적인 용융 압출법 또는 용액 유연법 등에 의해 바람직하게 성형되는데, 필요에 따라서 성형한 투명 유기 고분자 필름에 1 축 연신 또는 2 축 연신을 실시하여 기계적 강도를 높이거나, 광학적 기능을 높이거나 하는 것도 바람직하게 실시된다.
본 발명의 투명 도전 적층체를 투명 터치 패널의 가동 전극 기판으로서 사용하는 경우에는, 투명 터치 패널을 스위치로서 동작시키기 위한 가요성과 평탄성을 유지하기 위한 강도의 관점에서, 기판 형상으로서의 두께가 75∼400㎛ 의 필름형상인 것이 바람직하다. 고정 전극 기판으로서 사용하는 경우에는 평탄성을 유지하기 위한 강도의 관점에서 두께 0.2∼4.0㎜ 의 시트형상인 것이 바람직하지만, 두께 50∼400㎛ 의 필름형상인 것을 다른 시트와 부착하여, 전체 두께를 0.2∼4.0㎜ 가 되는 구성으로 하여 사용할 수도 있다. 또는, 두께 50∼400㎛ 의 필름형상인 것을 디스플레이 표면에 부착한 구성으로 사용하는 것도 가능하다.
본 발명의 투명 도전 적층체를 투명 터치 패널의 가동 전극 기판으로서 사용한 경우에는, 고정 전극 기판에는 상기 유기 고분자 필름 기판, 유리 기판 또는 이들의 적층체 기판 상에 투명 도전층을 형성한 것을 사용해도 된다. 투명 터치 패널의 강도, 중량의 관점에서, 단층 또는 적층체로 이루어지는 고정 전극 기판의 두께는 0.2∼4.0㎜ 가 바람직하다.
또한, 최근에는 투명 터치 패널의 입력측 (사용자측) 면에 편광판 또는, 편광판과 위상차 필름을 적층한 구성의 새로운 타입의 투명 터치 패널이 개발되었다. 이 구성의 이점은 주로 상기 편광판 또는, 편광판과 위상차 필름의 적층체의 광학 작용에 의해, 투명 터치 패널 내부에 있어서의 외래광의 반사율을 절반 이하로 저감하여, 투명 터치 패널을 설치한 상태에서의 디스플레이의 콘트라스트를 향상시키는 것에 있다.
이러한 타입의 투명 터치 패널에서는, 편광이 투명 도전 적층체를 통과하기 때문에, 투명 유기 고분자 필름으로서 광학 등방성이 우수한 특성을 갖는 것을 사용하는 것이 바람직하고, 구체적으로는 기판면 내의 지상축 방향의 굴절률을 nx, 진상축 방향의 굴절률을 ny, 기판의 두께를 d(㎚) 로 한 경우에 Re=(nx－ny)×d(㎚) 로 나타내는 면내 리타데이션값 (Re) 이 적어도 30㎚ 이하인 것이 바람직하고, 20㎚ 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 여기서 기판의 면내 리타데이션값 (Re) 은 분광 엘립소미터 (닛폰 분광 주식회사 제조, M-150) 를 사용하여 측정한 파장 590㎚ 에서의 값으로 대표되고 있다.
이와 같이 예시한 투명 도전성 적층체를 편광이 통과하는 타입의 투명 터치 패널 용도에 있어서는, 투명 전극 기판의 면내 리타데이션값이 매우 중요하지만, 이것에 추가하여 투명 전극 기판의 3 차원 굴절률 특성, 즉 기판 면내의 지상축 방 향의 굴절률을 nx, 진상축 방향의 굴절률을 ny, 기판의 막두께 방향의 굴절률을 nz 라고 했을 때에 K={(nx＋ny)/2－nz}×d 로 나타내는 K 값이 －250∼＋150㎚ 인 것이 바람직하고, －200∼＋100㎚ 의 범위에 있는 것이 투명 터치 패널의 우수한 시야각 특성을 얻는 데에 있어서 보다 바람직하다.
이들 광학 등방성이 우수한 특성을 나타내는 투명 유기 고분자 기판으로는, 예를 들어, 폴리카보네이트, 비정성 폴리알릴레이트, 폴리에테르술폰, 폴리술폰, 트리아세틸셀룰로오스, 디아세틸셀룰로오스, 시클로올레핀 폴리머 및 이들의 변성물 또는 다른 종류의 재료와의 공중합물 등을 필름형상으로 성형한 성형 기판, 에폭시계 수지 등의 열경화형 수지의 성형 기판, 아크릴 수지 등의 자외선 경화형 수지를 필름이나 시트형상으로 성형한 성형 기판 등이 예시된다.
성형성이나 제조 비용, 열적 안정성 등의 관점에서, 폴리카보네이트, 비정성 폴리알릴레이트, 폴리에테르술폰, 폴리술폰, 시클로올레핀 폴리머 및 이들의 변성물 또는 다른 종류의 재료와의 공중합물 등의 성형 기판을 가장 바람직하게 들 수 있다.
보다 구체적으로는, 폴리카보네이트로는 예를 들어, 비스페놀 A, 1,1-디(4-페놀)시클로헥실리덴, 3,3,5-트리메틸-1,1-디(4-페놀)시클로헥실리덴, 플루오렌-9,9-디(4-페놀), 플루오렌-9,9-디(3-메틸-4-페놀) 등으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 성분을 모노머 단위로 하는 중합체나 공중합체 또는 이들의 혼합물이고, 평균 분자량이 약 15000∼100000 범위인 폴리카보네이트 (상품으로는, 예를 들어 테이진 화성 주식회사 제조의 「판라이트」나 바이엘사 제조의 「Apec HT」등이 예시된다) 의 성형 기판이 바람직하게 사용된다.
또한 비정성 폴리알릴레이트로는, 상품으로서 주식회사 가네카 (구 가네카후치 화학 공업 주식회사) 제조의 「엘멕」, 유니치카 주식회사 제조의 「U 폴리머」, 이소노바사 제조의 「이사릴」등의 성형 기판이 예시된다.
시클로올레핀 폴리머로는, 상품으로서 닛폰 제온 주식회사 제조의 「제오노아」나 JSR 주식회사 제조의 「아톤」등의 성형 기판이 예시된다.
이들 고분자 화합물을 사용한 성형 기판의 제조 방법으로는, 용융 압출법이나 용액 유연법, 사출 성형법 등의 방법이 예시되는데, 우수한 광학 등방성을 얻는 관점에서는 특히 용액 유연법이나 용융 압출법을 사용하여 성형하는 것이 바람직하다.
<경화 수지층-3＞
본 발명에서는, 경화 수지층-2 와 후술하는 투명 도전층의 사이에, 전광선 투과율 등의 광학 특성을 개량하기 위해서 경화 수지층-3 을 형성해도 된다. 본 발명에 사용되는 경화 수지층-3 으로는, 전리 방사선 경화형 수지나 열경화형 수지 등을 들 수 있다.
경화 수지층-3 의 형성 방법으로, 상기 경화 수지층-1 과 동일한 방법을 들 수 있다.
전리 방사선 경화형 수지로는, 폴리올아크릴레이트, 폴리에스테르아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 변성 스티렌아크릴레이트, 멜라민아 크릴레이트, 실리콘 함유 아크릴레이트 등의 단관능 및 다관능 아크릴레이트계 전리 방사선 경화형 수지 등이 있다.
열경화형 수지로는, 메틸트리에톡시실란, 페닐트리에톡시실란 등의 오르가노실란계 열경화형 수지 (알콕시실란) 나 에테르화메틸올멜라민 등의 멜라민계 열경화형 수지나 이소시아네이트계 열경화형 수지, 페놀계 열경화형 수지, 에폭시계 경화형 수지 등을 들 수 있다.
이들 전리 방사선 경화형 수지나 열경화형 수지를 단독으로 또는 복수 조합하여 사용하는 것도 가능하다. 또한 필요에 따라서 열가소성 수지를 혼합하는 것도 가능하다. 또, 열에 의해서 가교를 실시하는 경우에는 공지된 반응 촉진제, 경화제가 적당량 첨가된다. 반응 촉진제로는 예를 들어, 트리에틸렌디아민, 디부틸주석디라우레이트, 벤질메틸아민, 피리딘 등을 들 수 있다. 경화제로는 예를 들어, 메틸헥사히드로무수프탈산, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노-3,3'-디에틸디페닐메탄, 디아미노디페닐술폰 등을 들 수 있다.
상기 알콕시실란은 이것을 가수분해 및 축합 중합함으로써 경화 수지층을 형성한다. 이러한 알콕시실란으로는, 예를 들어, 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 디메틸디메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, β-(3,4에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 비닐트리메톡시실란, N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필디메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란 등이 예시된다.
이들 알콕시실란은, 층의 기계적 강도나 밀착성 및 내용제성 등의 관점에서 2 종류 이상을 혼합하여 사용하는 것이 바람직하고, 특히 내용제성의 관점에서, 알콕시실란의 전체 조성 중에 중량비율 0.5∼40% 의 범위에서, 분자 내에 아미노기를 갖는 알콕시실란이 함유되어 있는 것이 바람직하다.
알콕시실란은, 모노머로 사용해도 되고 미리 가수분해와 탈수 축합을 실시하여 적절하게 올리고머화해서 사용해도 되지만, 통상, 적당한 유기 용제에 용해, 희석한 도포액을 기판 상에 도포한다. 기판 상에 형성된 도포층은, 공기 중의 수분 등에 의해 가수분해가 진행되고, 계속해서, 탈수 축합에 의해 가교가 진행된다.
일반적으로, 가교의 촉진에는 적당한 가열 처리가 필요하여, 도포 공정에 있어서 100℃ 이상의 온도에서 수 분간 이상의 열처리를 실시하는 것이 바람직하다. 또한 경우에 따라서는, 상기 열처리와 병행하여, 자외선 등의 활성 광선을 도포층에 조사함으로써, 가교도를 보다 높일 수 있다.
희석용 유기 용제로는, 알코올계, 탄화수소계의 용제, 예를 들어, 에탄올, 이소프로필알코올, 부탄올, 1-메톡시-2-프로판올, 헥산, 시클로헥산, 리그로인 등이 바람직하다. 이 밖에, 자일렌, 톨루엔, 시클로헥사논, 메틸이소부틸케톤, 아세트산이소부틸 등의 극성 용매도 사용 가능하다. 이들 용제는 단독으로 또는 2 종류 이상의 혼합 용제로서 사용할 수 있다.
경화 수지층-3 의 굴절률을 조정하기 위해, 평균 1 차 입자직경이 100㎚ 이하인 금속 산화물 또는 금속 불화물로 이루어지는 초미립자 C 또는 불소계 수지를 단독으로, 또는 복수 조합하여 경화 수지층-3 중에 배합해도 된다. 경화 수지층-3 의 굴절률은, 경화 수지층-2 의 굴절률보다 작고, 또한 굴절률이 1.20∼1.55 인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 1.20∼1.45 이다. 경화 수지층-3 의 두께는 0.05∼0.5㎛ 인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 0.05∼0.3㎛ 이다.
이 초미립자 C 의 평균 1 차 입자직경은 100㎚ 이하가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 50㎚ 이하이다. 이 초미립자 C 의 평균 1 차 입자직경을 100㎚ 이하로 제어함으로써, 경화 수지층-3 이 백화되는 일 없이 양호한 광학 특성을 얻을 수 있다.
이 초미립자 C 로는 예를 들어, Bi2O3, CeO2, In2O3, (In2O3ㆍSnO2), HfO2, La2O3, MgF2, Sb2O5, (Sb2O5ㆍSnO2), SiO2, SnO2, TiO2, Y2O3, ZnO, ZrO2 등의 금속 산화물 또는 금속 불화물의 초미립자가 예시되고, 바람직하게는 MgF2, SiO2 등의 굴절률이 1.55 이하인 금속 산화물 또는 금속 불화물의 초미립자이다.
그 초미립자 C 의 함유량은, 열경화형 수지 또는/및 전리 방사선 경화형 수지 100중량부에 대하여 10∼400중량부, 바람직하게 30∼400중량부, 더욱 바람직하게는 50∼300중량부이다. 초미립자 C 의 함유량이 400중량부를 초과하면, 경화 수지층-3 의 강도나 밀착성이 불충분해지는 경우가 있고, 한편 초미립자의 함유량이 10중량부 미만이면 소정의 굴절률을 얻을 수 없게 되는 경우가 있다.
불소계 수지로는, 예를 들어 불화 비닐리덴, 헥사플루오로프로필렌, 테트라플루오로에틸렌, 플루오로에틸렌, 트리플루오로에틸렌, 클로로트리플루오로에틸렌, 1,2-디클로로-1,2-디플루오로에틸렌, 2-브로모-3,3,3-트리플루오로에틸렌, 3-브로모-3,3-디플루오로프로필렌, 3,3,3-트리플루오로프로필렌, 1,1,2-트리클로로- 3,3,3-트리플루오로프로필렌, α-트리플루오로메타크릴산 등의 불소 원자를 갖는 모노머 성분이 5∼70 중량% 함유된 것이 예시된다.
불소계 수지의 함유량은, 열경화형 수지 또는/및 전리 방사선 경화형 수지 100중량부에 대하여 50∼300중량부, 바람직하게는 100∼300중량부, 더욱 바람직하게는 150∼250중량부이다. 불소계 수지의 함유량이 300중량부를 초과하면, 경화 수지층-3 의 강도나 밀착성이 불충분해지는 경우가 있고, 한편 불소계 수지의 함유량이 50중량부 미만이면 소정의 굴절률을 얻을 수 없게 되는 경우가 있다.
<광학 간섭층＞
본 발명에서는, 경화 수지층-2 와 후술하는 투명 도전층 사이에, 굴절률을 제어하여 투명성을 높이기 위해서 광학 간섭층을 형성할 수 있다.
본 발명에서 사용되는 광학 간섭층은, 적어도 1 층의 고굴절률층과 적어도 1 층의 저굴절률층으로 구성된다. 고굴절률층과 저굴절률층의 조합 단위를 2 개 이상으로 할 수도 있다. 광학 간섭층이 1 층의 고굴절률층과 1 층의 저굴절률층으로 구성되는 경우, 광학 간섭층의 막두께는 30㎚∼300㎚ 가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 50㎚∼200㎚ 이다.
본 발명의 광학 간섭층을 구성하는 고굴절률층은, 금속 알콕시드를 가수분해 및 축합 중합하여 형성된 층, 또는 적어도 1 종류 이상의 금속 알콕시드를 가수분해 및 축합 중합하여 이루어지는 성분과 상기 경화 수지층-3 에 기재된 평균 1 차 입자직경이 100㎚ 이하인 금속 산화물 또는 금속 불화물의 초미립자 C 로 이루어지는 층이다.
본 발명에 사용하는 금속 알콕시드로서, 예를 들어, 티타늄알콕시드, 지르코늄알콕시드, 알콕시실란 등을 들 수 있다.
티타늄알콕시드로는 예를 들어, 티타늄테트라이소프로폭시드, 테트라-n-프로필오르토티타네이트, 티타늄테트라-n-부톡시드, 테트라키스(2-에틸헥실옥시)티타네이트 등이 예시된다.
지르코늄알콕시드로는 예를 들어, 지르코늄테트라이소프로폭시드, 지르코늄테트라-n-부톡시드 등이 예시된다.
알콕시실란으로는, 상기 경화 수지층-3 에 기재한 것이 예시된다.
그 고굴절률층 중에는, 상기 경화 수지층-3 에 기재된 금속 산화물 또는 금속 불화물로 이루어지는, 평균 1 차 입자직경이 100㎚ 이하인 초미립자 C 를 단독으로 또는 2 종류 이상 적당량을 첨가할 수 있다. 그 초미립자 C 를 첨가함으로써 그 고굴절률층의 굴절률을 조정하는 것이 가능하다.
그 고굴절률층 중에 그 초미립자 C 를 첨가하는 경우, 초미립자 C 와 금속 알콕시드의 중량비율은 0:100∼66.6:33.3 인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 0:100∼60:40 이다. 초미립자 C 와 금속 알콕시드의 중량비율이 66.6:33.3 을 초과하는 경우에는 광학 간섭층에 필요한 강도나 밀착성이 부족한 경우가 있어, 바람직하지 못하다.
그 고굴절률층의 두께로는, 바람직하게는 15∼250㎚, 보다 바람직하게는 30∼150㎚ 이다.
또한 그 고굴절률층의 굴절률은, 후술하는 저굴절률층 및 경화 수지층-2 의 굴절률보다 크고, 그 차가 0.2 이상인 것이 바람직하다.
본 발명의 광학 간섭층을 구성하는 저굴절률층으로서, 상기 경화 수지층-3 에 기재된 전리 방사선 경화형 수지나 열경화형 수지로 이루어지는 층, 및 이들 층에 상기 경화 수지층-3 에 기재된 금속 산화물 또는 금속 불화물로 이루어지는, 평균 1 차 입자직경이 100㎚ 이하인 초미립자 C 를 단독으로 또는 2 종류 이상 적당량 첨가한 것을 사용할 수 있다. 그 저굴절률층의 두께로는, 바람직하게는 15∼250㎚, 보다 바람직하게는 30∼150㎚ 이다.
<미립자 B＞
상기 경화 수지층-3, 또는 상기 광학 간섭층을 구성하는 고굴절률층 및 저굴절률층의 적어도 일방에 미립자 B 를 함유해도 된다. 그 경화 수지층-3 의 경우에는, 평균 1 차 입자직경이 그것의 막두께의 1.1 배 이상이고 또한 평균 1 차 입자직경이 1.2㎛ 이하인 미립자 B 를 사용하고, 그 광학 간섭층의 경우에는, 평균 1 차 입자직경이 광학 간섭층의 총 막두께의 1.1 배 이상이고 또한 평균 1 차 입자직경이 1.2㎛ 이하인 미립자 B 를 사용한다.
이것에 의해, 투명 도전층 표면이 조면화되어, 고정 전극 기판의 투명 도전층 표면과 가동 전극 기판의 투명 도전층 표면의 달라붙음 현상에 의한 오작동을 억제하는 것이 가능해진다.
또한, 첨가하는 미립자 B 의 평균 1 차 입자직경을 제어함으로써, 액정으로부터 사출된 RGB 삼원색광의 산란에 의한 번쩍거림이 생기지 않는 범위에서 투명 도전층 표면을 조면화할 수 있다.
또한, 그 미립자 B 의 첨가량을, 미립자 B 가 첨가된 층을 구성하는 경화 수지 성분의 0.01∼0.5중량% 의 범위로 함으로써, 가동 전극 기판의 투명 도전층 표면과 고정 전극 기판의 투명 도전층 표면의 달라붙음 현상에 의한 투명 터치 패널의 오작동 억제 효과를 손상시키지 않고서 백탁이 없는 양호한 광학 간섭층을 형성할 수 있다.
그 미립자 B 를, 경화 수지층-3, 또는 광학 간섭층을 구성하는 고굴절률층과 저굴절률층의 적어도 일방에 과잉으로 첨가한 경우, 첨가한 미립자 B 가 탈락되기 쉬워지는 일이나, 광학 간섭층 또는 경화 수지층-3 과 경화 수지층-2 의 밀착성이 저하되어 터치 패널에 요구되는 필기 내구성을 손상시키는 경우가 있다.
상기 미립자 B 로는, 예를 들어 실리카 미립자, 가교 아크릴 미립자, 가교 폴리스티렌 미립자 등을 들 수 있다.
그 경화 수지층-3 의 경우에는, 그 미립자 B 의 평균 1 차 입자직경이 그 막두께의 1.1 배 이상이고 또한 평균 1 차 입자직경이 1.2㎛ 이하이며, 그 광학 간섭층의 경우에는, 그 미립자 B 의 평균 1 차 입자직경이 광학 간섭층의 총 막두께의 1.1 배 이상이고 또한 평균 1 차 입자직경이 1.2㎛ 이하이다.
그 미립자 B 의 평균 1 차 입자직경이 그 경화 수지층-3 의 막두께 또는 광학 간섭층의 총 막두께의 1.1 배 미만인 경우, 투명 도전층 표면을 조면화하기가 어렵다. 한편, 그 미립자 B 의 평균 1 차 입자직경이 1.2㎛ 를 초과하는 경우, 이러한 미립자를 첨가한 투명 도전성 적층체를 사용한 투명 터치 패널을 고정세 컬러 액정 화면 상에 설치하고, 투명 터치 패널을 통해서 액정 화면을 관찰하였을 때 에, 액정 화면이 번쩍거려, 표시 품위가 저하된다.
미립자 B 의 평균 1 차 입자직경이 1.2㎛ 를 초과하는 경우, 그 미립자 B 를 첨가하고 있는 그 경화 수지층-3 의 막두께 또는 광학 간섭층의 총 막두께보다 평균 1 차 입자직경이 극단적으로 커지기 때문에, 첨가한 미립자가 탈락하기 쉽고, 투명 터치 패널에 요구되는 필기 내구성 등의 신뢰성을 확보하기가 어려워진다.
그 경화 수지층-3, 또는 그 광학 간섭층을 구성하는 고굴절률층과 저굴절률층의 적어도 일방에 미립자 B 를 함유시키는 경우, 경화 수지층-2 에 실질적으로 미립자를 함유하지 않은 것이 바람직하다.
<금속 화합물층＞
본 발명에서는, 경화 수지층-2 와 투명 도전층의 사이에 투명 도전층과 접하여 금속 화합물층을 형성하는 것이 가능하다. 그 금속 화합물층의 막두께는, 투명 도전층의 막두께보다 얇고, 0.5㎚ 이상 10.0㎚ 미만이며, 바람직하게는 1.0㎚ 이상 7.0㎚미만, 더욱 바람직하게는 1.0㎚ 이상 5.0㎚ 미만이다. 경화 수지층-2, 막두께가 제어된 금속 화합물층, 투명 도전층을 순차 적층함으로써 밀착성이 대폭 개선되어, 최근 투명 터치 패널에 요구되는 필기 내구성 및 단 누름 내구성이 향상된다. 금속 화합물층의 막두께가 10.0㎚ 이상이면, 금속 화합물층이 연속체로서의 기계 물성을 나타내기 시작함으로써, 투명 터치 패널에 요구되는 단 누름 내구성의 향상을 기대할 수 없다. 한편, 0.5㎚ 미만의 막두께에서는 막두께의 제어가 어려운 것에 추가하여, 경화 수지층-2 및 투명 도전층의 밀착성을 충분히 발현시키기가 어려워져, 단 누름 내구성의 향상이 곤란해진다.
금속 화합물층으로는, 예를 들어 산화규소, 산화알루미늄, 산화티탄, 산화마그네슘, 산화아연, 산화인듐, 산화주석 등의 금속 산화물층을 들 수 있다.
이들 금속 화합물층은 공지된 수법으로 형성하는 것이 가능하고, 예를 들어, DC 마그네트론 스퍼터링법, RF 마그네트론 스퍼터링법, 이온 플레이팅법, 진공 증착법, 펄스 레이저 디포지션법, 이들을 복합한 물리적 형성법 (Physical Vapor Deposition, 이하, PVD) 등을 사용할 수 있는데, 대면적에 대하여 균일한 막두께의 금속 화합물층을 형성한다는 공업 생산성에 주목하면, DC 마그네트론 스퍼터링법이 바람직하다. 또한, 상기 물리적 형성법 (PVD) 외에, Chemical Vapor Deposition (이하, CVD), 졸겔법 등의 화학적 형성법을 사용할 수도 있는데, 금속 화합물층의 두께 제어의 관점에서는 역시 스퍼터링법이 바람직하다.
스퍼터링에 사용하는 타겟은 금속 타겟을 사용하는 것이 바람직하고, 반응성 스퍼터링법을 사용하는 것이 널리 채용되고 있다. 이는, 금속 화합물층으로서 사용하는 원소의 산화물, 질화물, 산질화물이 절연체인 경우가 많아, DC 마그네트론 스퍼터링법을 적응할 수 없는 경우가 많기 때문이다.
또, 최근에는, 2 개의 캐소드를 동시에 방전시켜, 타겟에 대한 절연체의 형성을 억제하는 전원이 개발되어 있어, 유사한 RF 마그네트론 스퍼터링법을 적응할 수 있도록 되었다.
본 발명에서는, 금속 타겟을 사용하여 DC 마그네트론 스퍼터링법에 의해 상기 금속 화합물층을 제조하는 경우에는, 이 금속 화합물층을 제조하는 진공조 중의 압력 (배압(背壓)) 을 일단 1.3×10-4Pa 이하로 하고, 이어서 불활성 가스 및 산소를 도입하는 제조 방법으로 형성할 수 있다. 금속 화합물층을 제조하는 진공조 중의 압력은 일단 1.3×10-4Pa 이하로 하는 것이, 진공조 중에 잔류하고, 또한 금속 화합물층의 형성 과정에 영향을 줄 우려가 있는 분자종의 영향을 저감시킬 수 있기 때문에 바람직하다. 보다 바람직하게는 5×10-5Pa 이하, 더욱 바람직하게는 2×10-5Pa 이하이다.
이어서 도입되는 불활성 가스로는, 예를 들어, He, Ne, Ar, Kr, Xe 를 사용할 수 있으며, 원자량이 큰 불활성 가스일수록 형성되는 막에 대한 데미지가 적고 표면 평탄성이 향상되는 것으로 여겨지고 있다. 그러나, 비용면을 고려하면 Ar 이 바람직하다. 이 불활성 가스에는 막 중에 도입되는 산소 농도를 조정하기 위해서, 분압으로 환산하여 1.3×10-3∼7×10-2Pa 대의 산소를 첨가해도 상관없다. 또, 산소 외에 O3, N2, N2O, H2O, NH3 등을 목적에 따라서 사용할 수 있다.
또한, 본원 발명에서는, 금속 화합물층을 제조하는 진공조 중의 물의 분압을 1.3×10-4Pa 이하로 하고, 이어서 불활성 가스 및 산소를 도입하는 제조 방법으로 형성할 수 있다. 물의 분압은, 보다 바람직하게는 4×10-5Pa 이하, 더욱 바람직하게는 2×10-5Pa 이하로 제어할 수 있다.
층 중에 수소를 도입시킴으로써 금속 화합물층 내부의 응력을 완화시키기 위해, 물을 의도적으로 1.3×10-4∼3×10-2Pa 의 범위에서 도입해도 상관없다. 이 조정은, 일단 진공을 형성한 후에, 배리어블 리크 밸브나 매스플로우 콘트롤러를 사용하여 물을 도입함으로써 실시해도 된다. 또, 진공조의 배압을 제어하는 것에 의해서도 실시할 수도 있다.
본원 발명에 있어서의 수분압을 결정할 때에는, 차동 배기형의 인프로세스 모니터를 사용해도 된다. 또는, 다이나믹 레인지가 넓고, 0.1Pa 대의 압력 하에서도 계측할 수 있는 4 중극 (重極) 질량 분석계를 사용해도 된다. 또, 일반적으로 1.3×10-5Pa 정도의 진공도에 있어서는, 그 압력을 형성하고 있는 것은 물이다. 따라서, 진공계에 의해 계측된 값을 그대로 수분압으로 생각해도 상관없다.
본 발명에서는, 기판으로서 고분자 필름을 사용하기 때문에, 기판 온도를 당해 고분자 필름의 연화점 온도보다 상승시키는 것은 우선 불가능하다. 따라서, 금속 화합물층을 형성하기 위해서는, 고분자 필름의 온도는 실온 이하 정도로부터 연화점 온도 이하로 해야 한다. 대표적 고분자 필름인 폴리에틸렌테레프탈레이트의 경우, 특별한 처리를 실시하지 않을 때에는 기판 온도를 80℃ 이하의 온도로 유지한 채 금속 화합물층을 형성하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 50℃ 이하의 기판 온도에서, 더욱 바람직하게는 20℃ 이하이다. 또, 내열 고분자 상이라도, 고분자 필름으로부터의 아웃 가스의 제어라는 관점에서 80℃ 이하, 보다 바람직하게는 50℃ 이하, 더욱 바람직하게는 20℃ 이하로 설정한 기판 온도에서 형성하는 것이 바람직하다.
<투명 도전층＞
본 발명에서는, 경화 수지층-2 또는 상기 경화 수지층-3 또는 광학 간섭층 또는 금속 화합물층에 접하여 투명 도전층이 형성된다. 상기 경화 수지층-2 에 접하여 투명 도전층을 형성함으로써, 투명 도전성 적층체의 필기 내구성 등의 기계특성이 향상된다. 여기서 투명 도전층으로는, 산화주석을 2∼20 중량% 함유하는 ITO 층이나 안티몬 또는 불소 등을 도프한 산화주석층이 있다.
투명 도전층의 형성 방법으로는, 예를 들어 스퍼터링법, 진공 증착법, 이온 플레팅법 등의 PVD 법 혹은 도포법, 인쇄법, CVD 법이 있는데, PVD 법 또는 CVD 법이 바람직하다. PVD 법 또는 CVD 법의 경우, 투명 도전층의 두께는, 투명성과 도전성의 관점에서 5∼50㎚ 가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 10∼30㎚ 이다. 투명 도전층의 막두께가 10㎚ 미만이면 저항치의 경시 안정성이 떨어지는 경향이 있고, 또한 30㎚ 를 초과하면 투명 도전성 적층체의 투과율이 저하되기 때문에 바람직하지 못하다.
투명 터치 패널의 소비 전력의 저감과 회로 처리상의 필요 등에서, 두께 10∼30㎚ 에 있어서 표면 저항치가, 바람직하게는 100∼2000Ω/□ (Ω/Sq), 보다 바람직하게는 140∼2000Ω/□ (Ω/Sq) 의 범위를 나타내는 투명 도전층을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 투명 도전층은 주로 결정질 (실질적으로 결정상 100%) 의 인듐 산화물로 이루어지는 막이 보다 바람직하다. 특히 결정 입경이 3000㎚ 이하인 주로 결정질의 인듐 산화물로 이루어지는 층이 바람직하게 사용된다. 결정 입경이 3000㎚ 를 초과하면 필기 내구성이 나빠지기 때문에 바람직하지 못하다. 여기서 결정 입경이란, 투과형 전자 현미경 (TEM) 하에서 관찰되는 다각형상 또는 타원상 결정립의 각 영역에 있어서의 대각선 또는 직경 중에서 최대인 것으로 정의한다.
<하드코트층＞
본 발명의 투명 도전성 적층체를 가동 전극 기판으로서 사용한 경우에는, 투명 터치 패널의 작동시에 외력이 가해지는 면, 즉 투명 도전층과는 반대측의 투명 유기 고분자 기판면에는 하드코트층을 형성하는 것이 바람직하다. 하드코트층을 형성하기 위한 재료로는, 메틸트리에톡시실란, 페닐트리에톡시실란 등의 오르가노실란계의 열경화형 수지나 에테르화메틸올멜라민 등의 멜라민계 열경화형 수지, 폴리올아크릴레이트, 폴리에스테르아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트 등의 다관능 아크릴레이트계 자외선 경화형 수지 등이 있고, 필요에 따라서, SiO2 나 MgF2 등의 초미립자 등을 혼합한 것을 사용할 수 있다. 하드코트층의 두께는, 가요성, 내마찰성의 관점에서 2∼5㎛ 가 바람직하다.
하드코트층은 도포법에 의해 형성할 수 있다. 실제의 도포법으로는, 상기 화합물을 각종 유기 용제에 용해시켜 농도나 점도를 조절한 도포액을 사용하여, 투명 유기 고분자 기판 상에 도포한 후, 방사선 조사나 가열 처리 등에 의해 층을 경화시킨다. 도포 방식으로는 예를 들어, 마이크로 그라비아 코트법, 와이어바 코트법, 다이렉트 그라비아 코드법, 리버스롤 코트법, 커튼 코트법, 스프레이 코트법, 콤마 코트법, 다이코트법, 나이프 코트법, 스핀 코트법 등의 각종 도포 방법이 사용된다.
또한, 하드코트층은 투명 유기 고분자 기판 상에 직접, 또는 적당한 앵커층을 사이에 두고 적층된다. 이러한 앵커층으로는 예를 들어, 그 하드코트층과 투명 유기 고분자 기판의 밀착성을 향상시키는 기능을 갖는 층이나, K 값이 음의 값이 되는 3차원 굴절률 특성을 갖는 층 등의 각종 위상 보상층, 수분이나 공기의 투과를 방지하는 기능 또는 수분이나 공기를 흡수하는 기능을 갖는 층, 자외선이나 적외선을 흡수하는 기능을 갖는 층, 기판의 대전성을 저하시키는 기능을 갖는 층 등을 바람직하게 들 수 있다.
이하, 실시예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이것에 의해 하등 한정되지 않는다.
또, 이하의 실시예에 있어서, 압입 경도 시험에 의한 영률 측정 방법, 압입 경도 시험기에 의한 소성 변형 경도 측정 방법, 압입 경도 시험기에 있어서의 경도 측정 방법, 금속 화합물층의 막두께 측정 방법, 리니어리티 측정 방법, 단 누름 내구성 시험 방법, 필기 내구성 시험 방법은 다음과 같다.
<압입 경도 시험에 의한 영률의 측정 방법＞
이하의 측정 장치와 측정 조건을 사용하여 영률 측정을 실시하였다.
측정 장치: 나노인덴테이션 테스터 ENT-1100a (엘리오닉스사 제조)
측정면: 경화 수지층면을 측정한다.
측정 조건:
압입 깊이 설정 시험 설정 깊이 0.5㎛
250 단계로 분할
시험 하중 유지 시간 1초
사용 압자 삼각추 (모서리 간격 115°)
각 시료에 관하여 5점 연속 자동 측정
영률 산출 방법
하중-변위 그래프로부터 하기 식을 사용하여 5점 연속 측정한 영률의 평균치를 산출한다.
Figure 112007018774660-PCT00001
P: 하중, h: 변위
영률은, 샘플의 탄성률과 압자의 탄성률을 더한 복합 탄성률이다.
<압입 경도 시험기에 의한 소성 변형 경도의 측정 방법＞
이하의 측정 장치와 측정 조건을 사용하여 소성 변형 경도 측정을 실시하였다.
측정 장치: 나노인덴테이션 테스터 ENT-1100a (엘리오닉스사 제조)
측정면: 경화 수지층면을 측정한다.
측정 조건:
압입 깊이 설정 시험 설정 깊이 0.5㎛
250 단계로 분할
시험 하중 유지 시간 1초
사용 압자 삼각추 (모서리 간격 115°)
각 시료에 관하여 5점 연속 자동 측정
소성 변형 경도 산출 방법
하중-변위 그래프로부터 하기 식을 사용하여 5점 연속 측정한 소성 변형 경도의 평균치를 산출한다. 제하(除荷)시의, 곡선의 최대 변위에 있어서의 접선을 구하고, 그 기울기로부터 소성 변형량을 분리하여 비커스 경도에 상당하는 경도를 구한 것. 압자 형상에 따라 실제의 비커스값은 약간 값이 변한다.
Figure 112007018774660-PCT00002
Pmax: 하중
hr: 제하시의, 곡선의 최대 변위에 있어서의 접선의 하중 O 일 때의 변위
<압입 경도 시험기에 의한 경도의 측정 방법＞
이하의 측정 장치와 측정 조건을 사용하여 경도 측정을 실시하였다.
측정 장치: 나노인덴테이션 테스터 ENT-1100a (엘리오닉스사 제조)
측정면: 경화 수지층면을 측정한다.
측정 조건:
압입 깊이 설정 시험 설정 깊이 0.5㎛
250 단계로 분할
시험 하중 유지 시간 1초
사용 압자 삼각추 (모서리 간격 115°)
각 시료에 관하여 5점 연속 자동 측정
경도 산출 방법
하중-변위 그래프로부터 하기 식을 사용하여 5점 연속 측정한 소성 변형 경도의 평균치를 산출한다. 제하시의, 곡선의 최대 변위에 있어서의 접선을 구하고, 그 기울기로부터 소성 변형량을 분리하여 비커스 경도에 상당하는 경도를 구한 것. 압자 형상에 따라 실제의 비커스값은 약간 값이 변한다.
Figure 112007018774660-PCT00003
Pmax: 하중
hmax: 제하시의, 곡선의 최대 변위
<금속 화합물층의 막두께 측정 방법＞
금속 화합물층을 형성한 후, 형광 X 선 분석 장치 RIX1000 (주식회사 리가쿠 제조) 를 사용하여 금속 화합물층의 막두께를 측정하였다.
<리니어리티 측정 방법＞
가동 전극 기판 상 또는 고정 전극 기판 상의 평행 전극 사이에 직류 전압 5V 를 인가한다. 평행 전극과 수직 방향에서 5㎜ 간격으로 전압을 측정한다. 측정 개시 위치 A 의 전압을 EA, 측정 종료 위치 B 의 전압을 EB, A 로부터의 거리 X 에서의 전압 실측치 EX, 이론치를 ET, 리니어리티를 L 로 하면,
ET = (EB－EA)×X/(B－A)＋EA
L(%) = (｜ET－EX｜)/(EB－EA)×100
<단 누름 내구성 시험 방법＞
제작한 투명 터치 패널의 가동 전극 기판 주위의 절연층으로부터 약 2㎜ 의 위치를 절연층과 평행하게 선단이 0.8R 인 폴리아세탈제 펜을 사용해서 450g 하중으로 직선 왕복 10만 회 필기를 실시한다 (단 누름 내구성 시험). 단 누름 내구성 시험 전후의 투명 터치 패널의 리니어리티를 측정한다. 단 누름 내구성 시험 전후의 리니어리티 변화량이 1.5% 이상이 되는 것을 NG 로 하였다.
<필기 내구성 시험 방법＞
제작한 투명 터치 패널의 가동 전극 기판 중앙부를 대각선 방향으로 선단이 0.8R 인 폴리아세탈제 펜을 사용해서 450g 하중으로 직선 왕복 10만 회 필기를 실시하여 (필기 내구성 시험), 필기 내구성 시험 전후의 투명 터치 패널의 리니어리티를 측정한다. 필기 내구성 전후의 투명 터치 패널의 리니어리티 변화량이 1.5% 이상이 되는 것을 NG 로 하였다.
(실시예 1)
두께 188㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (테이진 듀퐁 필름 주식회사 제조 OFW, 압입 경도 시험에 의한 영률 6.5GPa (660kgf/㎟, 압입 경도 시험기에 의 한 소성 변형 경도 539Mpa (55kgf/㎟), 압입 경도 시험기에 의한 경도 274MPa (28kgf/㎟)) 의 편면에 자외선 경화형 다관능 아크릴레이트 수지 도료를 사용해서 두께 4㎛ 의 하드코트층 (1) 을 형성하였다.
우레탄아크릴레이트 「아로닉스」 M1200 (도아 합성 주식회사 제조) 100중량부와 「이르가큐어」184 (치바 스페셜티 케미칼즈 주식회사 제조) 3중량부를 메틸이소부틸케톤 (MIBK) 에 용해하여 도포액 (A) 을 제작하였다. 도포액 (A) 를 하드코트층 (1) 과 반대면에 경화 후의 막두께가 6.0㎛ 가 되도록 바 코트법에 의해 코팅하고 자외선을 조사하여 경화시켜 경화 수지층-1(a) 를 형성하였다.
경화 수지층-1(a) 의 소성 변형 경도 측정용 샘플 (경화 후의 막두께: 5㎛) 을 동일한 수법에 의해 제작하여, 영률, 소성 변형 경도，경도를 측정하였다. 측정한 결과를 표 1 에 나타낸다.
4관능 아크릴레이트 「아로닉스」 M400 (도아 합성 주식회사 제조) 100중량부와 「이르가큐어」184 (치바 스페셜티 케미칼즈 주식회사 제조) 3중량부를 메틸이소부틸케톤 (MIBK) 에 용해하여 도포액 (B) 를 제작하였다. 도포액 (B) 를 경화 수지층-1(a) 상에 경화 후의 막두께가 4.0㎛ 가 되도록 바 코트법에 의해 코팅하고 자외선을 조사 경화시켜 경화 수지층-2(a) 를 형성하였다. 경화 수지층-1(a) 과 경화 수지층-2(a) 적층 후의 영률, 소성 변형 경도，경도를 측정하였다. 측정한 결과를 표 1 에 나타낸다.
경화 수지층-2(a) 의 영률, 소성 변형 경도，경도를 측정용 샘플 (경화 후의 막두께: 5㎛) 을 동일한 수법에 의해 제작하여, 측정하였다. 측정한 결과를 표 1 에 나타낸다.
다음으로 γ-글리시독시프로필트리메톡실란 (신에츠 화학 공업 주식회사 제조, 「KBM403」) 과 메틸트리메톡시실란 (신에츠 화학 공업 주식회사 제조, 「KBM13」) 을 1:1 의 몰비로 혼합하고, 아세트산 수용액 (pH=3.0) 에 의해 공지된 방법으로 상기 알콕시실란의 가수분해를 실시하였다. 이렇게 하여 얻은 알콕시실란의 가수분해물에 대해, 고형분의 중량비율 20:1 의 비율로 N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필메톡시실란 (신에츠 화학 공업 주식회사 제조, 「KBM603」) 을 첨가하고, 추가로 이소프로필알코올과 n-부탄올의 혼합 용액으로 희석하여 알콕시실란 도포액 (C) 를 제작하였다.
상기 경화 수지층-2(a) 상에 알콕시실란 도포액 (C) 를 바 코트법에 의해 코팅하여 130℃ 2분간 소성한 후, 막두께 65㎚ 의 경화 수지층-3(a) 를 제작하였다. 또 이 경화 수지층-3(a) 상에, 산화인듐과 산화주석이 중량비 95:5 인 조성이고 충전 밀도 98% 인 산화인듐-산화주석 타겟을 사용해서 스퍼터링법에 의해 ITO 층을 형성하여, 가동 전극 기판이 되는 투명 도전성 적층체를 제작하였다. 형성된 ITO 층의 막두께는 약 20㎚, 막제조 후의 표면 저항치는 약 350Ω/□ (Ω/sq) 이었다. 제작한 가동 전극 기판에 대하여 150℃ 90분간 열처리를 실시하여, ITO 막을 결정화시켰다. 열처리 전후의 가동 전극 기판에 헤이즈 변화는 관찰되지 않고, ITO 가 결정화된 후의 표면 저항치는 약 280Ω/□ (Ω/sq) 이었다.
한편, 두께 1.1mm 인 유리판의 양면에 SiO2 딥 코트를 실시한 후, 스퍼터링 법에 의해, 동일한 방법으로 두께 18㎚ 의 ITO 막을 형성하였다. 다음으로 ITO 막 상에 높이 7㎛, 직경 70㎛, 피치 1.5㎜ 의 도트 스페이서를 형성함으로써, 고정 전극 기판을 제작하였다. 제작한 고정 전극 기판과 가동 전극 기판을 사용해서 도 1 의 투명 터치 패널을 제작하였다.
적층 구성은, 조작자면으로부터 순서대로, 하드코트층 (도 1 중 1)/폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (도 1 중 2)/경화 수지층-1 (도 1 중 3)/경화 수지층-2 (도 1 중 4)/경화 수지층-3 (도 1 중 5)/투명 도전층 (ITO 층) (도 1 중 8)/도트 스페이서 (도 1 중 11)/투명 도전층 (ITO 층) (도 1 중 8)/유리 기판 (도 1 중 9) 이다.
제작한 투명 터치 패널의 필기 내구성 시험과 단 누름 내구성 시험을 실시하였다. 시험 전후의 리니어리티를 표 1 에 나타낸다.
(실시예 2)
두께 188㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (테이진 듀퐁 필름 주식회사 제조 OFW, 압입 경도 시험에 의한 영률 6.5GPa (660kgf/㎟, 압입 경도 시험기에 의한 소성 변형 경도 539Mpa (55kgf/㎟), 압입 경도 시험기에 의한 경도 274MPa (28kgf/㎟)) 의 편면에 자외선 경화형 다관능 아크릴레이트 수지 도료를 사용해서 두께 4㎛ 의 하드코트층 (1) 을 형성하였다.
실시예 1 의 도포액 (A) 를 하드코트층 (1) 과 반대면에 경화 후의 막두께가 5.0㎛ 가 되도록 바 코트법에 의해 코팅하고 자외선을 조사하여 경화시켜 경화 수지층-1(b) 를 형성하였다.
실시예 1 의 도포액 (B) 를 경화 수지층-1(b) 상에 경화 후의 막두께가 5.5㎛ 가 되도록 바 코트법에 의해 코팅하고 자외선을 조사 경화시켜 경화 수지층-2(b) 를 형성하였다.
경화 수지층-1(b) 과 경화 수지층-2(b) 적층 후의 영률, 소성 변형 경도，경도를 측정하였다. 측정한 결과를 표-1 에 나타낸다.
테트라부톡시티타네이트 (닛폰 소다 주식회사 제조 「B-4」) 를 리그로인 (와코 쥰야쿠 공업사 제조, 등급: 특급품) 과 부탄올 (와코 쥰야쿠 공업사 제조, 등급: 특급품) 의 혼합 용매로 희석한 도포액 D 를 제작하였다.
도포액 D 중에 평균 1 차 입자직경이 0.5㎛ 인 실리카 미립자를 테트라부톡시티타네이트 100중량부에 대하여 0.3중량부가 되도록 혼합하여 도포액 E 를 제작하였다.
실시예 1 에서 사용한 알콕시실란 도포액 (C) 를 도포액 E 와 도포액 (C) 의 고형분끼리의 혼합비가 70:30 이 되도록 혼합하여 도포액 F 를 제작하였다. 도포액 F 에 1 차 입자직경이 20㎚ 인 TiO2 초미립자를 TiO2 초미립자와 금속 알콕시드의 중량비율이 30:70 이 되도록 혼합한 도포액 G 를 제작하였다. 상기 경화 수지층-2(b) 면 상에, 도포액 G 를 바 코트법으로 코팅하고 130℃ 2분간 소성한 후, 막두께가 55㎚ 인 고굴절률층을 형성하였다.
상기 고굴절률층 상에 알콕시실란 도포액 (C) 를 바 코트법에 의해 코팅하고 130℃ 2분간 소성한 후, 막두께가 65㎚ 인 저굴절률층을 형성하여, 고굴절률층과 저굴절률층으로 이루어지는 광학 간섭층을 제작하였다. 또 이 광학 간섭층 상에, 산화인듐과 산화주석이 중량비 95:5 의 조성이고 충전 밀도 98% 인 산화인듐-산화주석 타겟을 사용해서 스퍼터링법에 의해 ITO 층을 형성하여, 가동 전극 기판이 되는 투명 도전성 적층체를 제작하였다. 형성된 ITO 층의 막두께는 약 20㎚, 막제조 후의 표면 저항치는 약 350Ω/□ (Ω/sq) 이었다. 제작한 가동 전극 기판에 대하여 150℃ 90분간 열처리를 실시하여, ITO 막을 결정화시켰다. 열처리 전후의 가동 전극 기판에 헤이즈 변화는 관찰되지 않고, ITO 가 결정화된 후의 표면 저항치는 약 280Ω/□ (Ω/sq) 이었다.
실시예 1 과 동일하게 하여 고정 전극 기판을 제작하였다. 제작한 고정 전극 기판과 가동 전극 기판을 사용해서 도 2 의 투명 터치 패널을 제작하였다.
즉 적층 구성은, 조작자면으로부터 순서대로, 하드코트층 (도 2 중 1)/폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (도 2 중 2)/경화 수지층-1 (도 2 중 3)/경화 수지층-2 (도 2 중 4)/고굴절률층 (도 2 중 6)/저굴절률층 (도 2 중 7)/투명 도전층 (ITO 층) (도 2 중 8)/도트 스페이서 (도 2 중 11)/투명 도전층 (ITO 층) (도 2 중 8)/유리 기판 (도 2 중 9) 이다.
제작한 투명 터치 패널의 필기 내구성 시험과 단 누름 내구성 시험을 실시하였다. 시험 전후의 리니어리티를 표 1 에 나타낸다.
(실시예 3)
두께 188㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (테이진 듀퐁 필름 주식회사 제조 OFW, 압입 경도 시험에 의한 영률 6.5GPa (660kgf/㎟, 압입 경도 시험기에 의 한 소성 변형 경도 539Mpa (55kgf/㎟), 압입 경도 시험기에 의한 경도 274MPa (28kgf/㎟)) 의 편면에 자외선 경화형 다관능 아크릴레이트 수지 도료를 사용해서 두께 4㎛ 의 하드코트층 (1) 을 형성하였다.
아크릴로니트릴부타디엔 고무 Nipol 1052J (닛폰 제온 주식회사 제조) 를 75중량부, 4관능 아크릴레이트 「아로닉스」 M400 (도아 합성 주식회사 제조)을 25중량부, 「이르가큐어」184 (치바 스페셜티 케미칼즈 주식회사 제조) 3중량부를 톨루엔과 메틸이소부틸케톤의 혼합비가 1:1 인 용제에 용해하여 도포액 H 를 제작하였다. 도포액 H 를 하드코트층 (1) 과 반대면에 경화 후의 막두께가 5.5㎛ 가 되도록 바 코트법에 의해 코팅하고 자외선을 조사 경화시켜 경화 수지층-1(c) 를 형성하였다.
경화 수지층-1(c) 의 영률, 소성 변형 경도，경도 측정용 샘플 (경화 후의 막두께: 5㎛) 을 동일한 수법에 의해 제작하여, 측정하였다. 측정한 결과를 표 1 에 나타낸다.
실시예 1 에서 사용한 도포액 (B) 를 경화 수지층-1(c) 상에 경화 후의 막두께가 4.5㎛ 가 되도록 바 코트법에 의해 코팅하고 자외선을 조사 경화시켜 경화 수지층-2(c) 를 형성하였다. 경화 수지층-1(c) 와 경화 수지층-2(c) 적층 후의 영률, 소성 변형 경도，경도 측정을 실시하였다. 측정한 결과를 표 1 에 나타낸다.
상기 경화 수지층-2(c) 상에 실시예 1 에서 사용한 도포액 (C) 를 바 코트법에 의해 코팅하고 130℃ 2분간 소성한 후, 막두께 65㎚ 의 경화 수지층-3(c) 를 제 작하였다. 또 이 경화 수지층-3(c) 상에, 산화인듐과 산화주석이 중량비 95:5 의 조성이고 충전 밀도 98% 인 산화인듐-산화주석 타겟을 사용해서 스퍼터링법에 의해 ITO 층을 형성하여, 가동 전극 기판이 되는 투명 도전성 적층체를 제작하였다. 형성된 ITO 층의 막두께는 약 20㎚, 막제조 후의 표면 저항치는 약 350Ω/□ (Ω/sq) 이었다. 제작한 가동 전극 기판에 대하여 150℃ 90분간 열처리를 실시하여, ITO 막을 결정화시켰다. 열처리 전후의 가동 전극 기판에 헤이즈 변화는 관찰되지 않고, ITO 가 결정화된 후의 표면 저항치는 약 280Ω/□ (Ω/sq) 이었다.
실시예 1 과 동일하게 하여 고정 전극 기판을 제작하였다. 제작한 고정 전극 기판과 가동 전극 기판을 사용해서 도 1 의 투명 터치 패널을 제작하였다.
즉 적층 구성은, 조작자면으로부터 순서대로, 하드코트층 (도 1 중 1)/폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (도 1 중 2)/경화 수지층-1 (도 1 중 3)/경화 수지층-2 (도 1 중 4)/경화 수지층-3 (도 1 중 5)/투명 도전층 (ITO 층) (도 1 중 8)/도트 스페이서 (도 1 중 11)/투명 도전층 (ITO 층) (도 1 중 8)/유리 기판 (도 1 중 9) 이다.
제작한 투명 터치 패널의 필기 내구성 시험과 단 누름 내구성 시험을 실시하였다. 시험 전후의 리니어리티를 표 1 에 나타낸다.
(실시예 4)
두께 188㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (테이진 듀퐁 필름 주식회사 제조 OFW, 압입 경도 시험에 의한 영률 6.5GPa (660kgf/㎟, 압입 경도 시험기에 의 한 소성 변형 경도 539Mpa (55kgf/㎟), 압입 경도 시험기에 의한 경도 274MPa (28kgf/㎟)) 의 편면에 자외선 경화형 다관능 아크릴레이트 수지 도료를 사용해서 두께 4㎛ 의 하드코트층 (1) 을 형성하였다.
합성 라텍스 Nipol LX857X2 (닛폰 제온 주식회사 제조) 를 하드코트층 (1) 의 반대면에 도포 후 100℃ 2분간 건조시켜, 막두께가 6.0㎛ 인 경화 수지층-1(d) 를 형성하였다. 경화 수지층-1(d) 의 경도 측정용 샘플 (건조 후의 막두께: 5㎛) 을 동일한 수법에 의해 제작하여, 영률, 소성 변형 경도，경도 측정을 하였다. 측정한 결과를 표 1 에 나타낸다.
실시예 1 에서 사용한 도포액 (B) 를 경화 수지층-1(d) 상에 경화 후의 막두께가 4.5㎛ 가 되도록 바 코트법에 의해 코팅하고 자외선을 조사 경화시켜 경화 수지층-2(d) 를 형성하였다. 경화 수지층-1(d) 와 경화 수지층-2(d) 적층 후의 영률, 소성 경도，경도 측정을 실시하였다. 측정한 결과를 표 1 에 나타낸다.
실시예 2 와 동일하게 하여 광학 간섭층을 형성한 후, 광학 간섭층의 저굴절률층 상에 Si 타겟을 사용해서 스퍼터링법에 의해 SiOX 층을 형성하였다. 형성된 SiOX 층의 막두께는 약 2.0㎚ 였다. 이어서 SiOX 층 상에, 산화인듐과 산화주석이 중량비 97:3 의 조성이고 충전 밀도 98% 인 산화인듐-산화주석 타겟을 사용해서 스퍼터링법에 의해 ITO 층을 형성하여, 가동 전극 기판이 되는 투명 도전성 적층체를 제작하였다. 형성된 ITO 층의 막두께는 약 20㎚, 막제조 후의 표면 저항치는 약 550Ω/□ (Ω/sq) 이었다. 제작한 가동 전극 기판에 대하여 150℃ 60분간 열처리를 실시하여, ITO 막을 결정화시켰다. 열처리 전후의 가동 전극 기판에 헤이즈 변화는 관찰되지 않고, ITO 가 결정화된 후의 표면 저항치는 약 450Ω/□ (Ω/sq) 이었다.
실시예 1 과 동일하게 하여 고정 전극 기판을 제작하였다. 제작한 고정 전극 기판과 가동 전극 기판을 사용해서 도 4 의 투명 터치 패널을 제작하였다.
즉 적층 구성은, 조작자면으로부터 순서대로, 하드코트층 (도 4 중 1)/폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (도 4 중 2)/경화 수지층-1 (도 4 중 3)/경화 수지층-2 (도 4 중 4)/고굴절률층 (도 4 중 6)/저굴절률층 (도 4 중 7)/금속 화합물층 (SiOX 층) (도 4 중 10)/투명 도전층 (ITO 층) (도 4 중 8)/도트 스페이서 (도 4 중 11)/투명 도전층 (ITO 층) (도 4 중 8)/유리 기판 (도 4 중 9) 이다.
제작한 투명 터치 패널의 필기 내구성 시험과 단 누름 내구성 시험을 실시하였다. 시험 전후의 리니어리티를 표 1 에 나타낸다.
(비교예 1)
두께 188㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (테이진 듀퐁 필름 주식회사 제조 OFW, 압입 경도 시험에 의한 영률 6.5GPa (660kgf/㎟, 압입 경도 시험기에 의한 소성 변형 경도 539Mpa (55kgf/㎟), 압입 경도 시험기에 의한 경도 274MPa (28kgf/㎟)) 의 편면에 자외선 경화형 다관능 아크릴레이트 수지 도료를 사용해서 두께 4㎛ 의 하드코트층 (1) 을 형성하였다.
실시예 1 에서 제작한 도포액 (A) 를 하드코트층 (1) 과 반대면에 경화 후의 막두께가 5.0㎛ 가 되도록 바 코트법에 의해 코팅하고 자외선을 조사 경화시켜 경화 수지층-1(e) 를 형성하였다.
상기 경화 수지층-1(e) 상에 실시예 1 에서 제작한 도포액 (C) 를 바 코트법에 의해 코팅하고 130℃ 2분간 소성한 후, 막두께 65㎚ 인 경화 수지층-3(e) 를 제작하였다. 또 이 경화 수지층-3(e) 상에, 산화인듐과 산화주석이 중량비 95:5 의 조성이고 충전 밀도 98% 인 산화인듐-산화주석 타겟을 사용해서 스퍼터링법에 의해 ITO 층을 형성하여, 가동 전극 기판이 되는 투명 도전성 적층체를 제작하였다. 형성된 ITO 층의 막두께는 약 20㎚, 막제조 후의 표면 저항치는 약 350Ω/□ (Ω/sq) 이었다. 제작한 가동 전극 기판에 대하여 150℃ 90분간 열처리를 실시하였는데, ITO 층에 미세한 주름이 생겨 가동 전극 기판의 헤이즈가 상승 (백화) 하였다.
(비교예 2)
두께 188㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (테이진 듀퐁 필름 주식회사 제조 OFW, 압입 경도 시험에 의한 영률 6.5GPa (660kgf/㎟, 압입 경도 시험기에 의한 소성 변형 경도 539Mpa (55kgf/㎟), 압입 경도 시험기에 의한 경도 274MPa (28kgf/㎟)) 의 편면에 자외선 경화형 다관능 아크릴레이트 수지 도료를 사용해서 두께 4㎛ 의 하드코트층 (1) 을 형성하였다.
실시예 1 에서 제작한 도포액 (B) 를 하드코트층 (1) 과 반대면에 경화 후의 막두께가 5.0㎛ 가 되도록 바 코트법에 의해 코팅하고 자외선을 조사 경화시켜 경화 수지층-2(f) 를 형성하였다.
상기 경화 수지층-2(f) 상에 실시예 1 에서 제작한 도포액 (C) 를 바 코트법에 의해 코팅하고 130℃ 2분간 소성한 후, 막두께 65㎚ 인 경화 수지층-3(f) 를 제작하였다. 또 이 경화 수지층-3(f) 상에, 산화인듐과 산화주석이 중량비 95:5 의 조성이고 충전 밀도 98% 인 산화인듐-산화주석 타겟을 사용해서 스퍼터링법에 의해 ITO 층을 형성하여, 가동 전극 기판이 되는 투명 도전성 적층체를 제작하였다. 형성된 ITO 층의 막두께는 약 20㎚, 막제조 후의 표면 저항치는 약 350Ω/□ (Ω/sq) 이었다. 제작한 가동 전극 기판에 대하여 150℃ 90분간 열처리를 실시하여 ITO 막을 결정화시켰다. 열처리 전후의 가동 전극 기판에 헤이즈 변화는 관찰되지 않고, ITO 가 결정화된 후의 표면 저항치는 약 280Ω/□ (Ω/sq) 이었다.
실시예 1 과 동일하게 고정 전극 기판을 제작하였다. 제작한 고정 전극 기판과 가동 전극 기판을 사용해서 도 3 의 투명 터치 패널을 제작하였다.
즉 적층 구성은, 조작자면으로부터 순서대로, 하드코트층 (도 3 중 1)/폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (도 3 중 2)/경화 수지층-2 (도 3 중 4)/경화 수지층-3 (도 3 중 5)/투명 도전층 (ITO 층) (도 3 중 8)/도트 스페이서 (도 3 중 11)/투명 도전층 (ITO 층) (도 3 중 8)/유리 기판 (도 3 중 9) 이다.
제작한 투명 터치 패널의 필기 내구성 시험과 단 누름 내구성 시험을 실시하였다. 시험 전후의 리니어리티를 표 1 에 나타낸다.
(비교예 3)
두께 188㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (테이진 듀퐁 필름 주식회사 제조 OFW, 압입 경도 시험에 의한 영률 6.5GPa (660kgf/㎟, 압입 경도 시험기에 의한 소성 변형 경도 539Mpa (55kgf/㎟), 압입 경도 시험기에 의한 경도 274MPa (28kgf/㎟)) 의 편면에 자외선 경화형 다관능 아크릴레이트 수지 도료를 사용해서 두께 4㎛ 의 하드코트층 (1) 을 형성하였다.
다관능 아크릴레이트 NK 올리고 U15HA (신나카무라 화학 공업 주식회사 제조) 100중량부와 단관능 아크릴레이트 「아로닉스」TO-1429 (도아 합성 주식회사 제조) 100중량부와 「이르가큐어」184 (치바 스페셜티 케미칼즈 주식회사 제조) 10중량부를 메틸이소부틸케톤 (MIBK) 에 용해하여 도포액 (I) 를 제작하였다. 도포액 (I) 를 하드코트층 (1) 과 반대면에 경화 후의 막두께가 4.0㎛ 가 되도록 바 코트법에 의해 코팅하고 자외선을 조사 경화시켜 경화 수지층-2(g) 를 형성하였다. 제작한 경화 수지층-2(g) 의 영률, 소성 변형 경도，경도를 측정한 결과를 표 1 에 나타낸다.
상기 경화 수지층-2(g) 상에 실시예 1 에서 제작한 도포액 (C) 를 바 코트법에 의해 코팅하고 130℃ 2분간 소성한 후, 막두께 65㎚ 인 경화 수지층-3(g) 를 제작하였다. 또 이 경화 수지층-3(g) 상에, 산화인듐과 산화주석이 중량비 95:5 의 조성이고 충전 밀도 98% 인 산화인듐-산화주석 타겟을 사용해서 스퍼터링법에 의해 ITO 층을 형성하여, 가동 전극 기판이 되는 투명 도전성 적층체를 제작하였다. 형성된 ITO 층의 막두께는 약 20㎚, 막제조 후의 표면 저항치는 약 350Ω/□ (Ω/sq) 이었다. 제작한 가동 전극 기판에 대하여 150℃ 90분간 열처리를 실시하여, ITO 막을 결정화시켰다. 열처리 전후의 가동 전극 기판에 헤이즈 변 화는 관찰되지 않고, ITO 가 결정화된 후의 표면 저항치는 약 280Ω/□ (Ω/sq) 이었다.
실시예 1 과 동일하게 고정 전극 기판을 제작하였다. 제작한 고정 전극 기판과 가동 전극 기판을 사용해서 도 3 의 투명 터치 패널을 제작하였다.
즉 적층 구성은, 조작자면으로부터 순서대로, 하드코트층 (도 3 중 1)/폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (도 3 중 2)/경화 수지층-2 (도 3 중 4)/경화 수지층-3 (도 3 중 5)/투명 도전층 (ITO 층) (도 3 중 8)/도트 스페이서 (도 3 중 11)/투명 도전층 (ITO 층) (도 3 중 8)/유리 기판 (도 3 중 9) 이다.
제작한 투명 터치 패널의 필기 내구성 시험과 단 누름 내구성 시험을 실시하였다. 시험 전후의 리니어리티를 표 1 에 나타낸다.
(비교예 4)
두께 188㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (테이진 듀퐁 필름 주식회사 제조 OFW, 압입 경도 시험에 의한 영률 6.5GPa (660kgf/㎟, 압입 경도 시험기에 의한 소성 변형 경도 539Mpa (55kgf/㎟), 압입 경도 시험기에 의한 경도 274MPa (28kgf/㎟)) 의 편면에 자외선 경화형 다관능 아크릴레이트 수지 도료를 사용해서 두께 4㎛ 의 하드코트층 (1) 을 형성하였다.
실시예 1 의 도포액 (A) 를 하드코트층 (1) 과 반대면에 경화 후의 막두께가 8.0㎛ 가 되도록 바 코트법에 의해 코팅하고 자외선을 조사 경화시켜 경화 수지층-1(h) 를 형성하였다.
실시예 1 의 도포액 (B) 를 경화 수지층-1(h) 상에 경화 후의 막두께가 0.75 ㎛ 가 되도록 바 코트법에 의해 코팅하고 자외선을 조사 경화시켜 경화 수지층-2(h) 를 형성하였다. 경화 수지층-1(h) 와 경화 수지층-2(h) 적층 후의 영률, 소성 변형 경도，경도 측정을 하였다. 측정한 결과를 표 1 에 나타낸다.
상기 경화 수지층-1(h) 상에 실시예 1 에서 제작한 도포액 (C) 를 바 코트법에 의해 코팅하고 130℃ 2분간 소성한 후, 막두께 65㎚ 인 경화 수지층-3(h) 를 제작하였다. 또 이 경화 수지층-3(h) 상에, 산화인듐과 산화주석이 중량비 95:5 의 조성이고 충전 밀도 98% 인 산화인듐-산화주석 타겟을 사용해서 스퍼터링법에 의해 ITO 층을 형성하여, 가동 전극 기판이 되는 투명 도전성 적층체를 제작하였다. 형성된 ITO 층의 막두께는 약 20㎚, 막제조 후의 표면 저항치는 약 350Ω/□ (Ω/sq) 이었다. 제작한 가동 전극 기판에 대하여 150℃ 90분간 열처리를 실시하였는데, ITO 층에 미세한 주름이 생겨 가동 전극 기판의 헤이즈가 상승 (백화) 하였다.
(비교예 5)
두께 188㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (테이진 듀퐁 필름 주식회사 제조 OFW, 압입 경도 시험에 의한 영률 6.5GPa (660kgf/㎟, 압입 경도 시험기에 의한 소성 변형 경도 539Mpa (55kgf/㎟), 압입 경도 시험기에 의한 경도 274MPa (28kgf/㎟)) 의 편면에 자외선 경화형 다관능 아크릴레이트 수지 도료를 사용해서 두께 4㎛ 의 하드코트층 (1) 을 형성하였다.
실시예 1 의 도포액 (A) 를 하드코트층 (1) 과 반대면에 경화 후의 막두께가 1.5㎛ 가 되도록 바 코트법에 의해 코팅하고 자외선을 조사 경화시켜 경화 수지층- 1(i) 를 형성하였다.
실시예 1 의 도포액 (B) 를 경화 수지층-1(i) 상에 경화 후의 막두께가 6.0㎛ 가 되도록 바 코트법에 의해 코팅하고 자외선을 조사 경화시켜 경화 수지층-2(i) 를 형성하였다. 경화 수지층-1(i) 와 경화 수지층-2(i) 적층 후의 영률, 소성 변형 경도，경도 측정을 하였다. 측정한 결과를 표 1 에 나타낸다.
상기 경화 수지층-2(i) 상에 실시예 1 에서 제작한 도포액 (C) 를 바 코트법에 의해 코팅하고 130℃ 2분간 소성한 후, 막두께 65㎚ 인 경화 수지층-3(i) 를 제작하였다. 또 이 경화 수지층-3(i) 상에, 산화인듐과 산화주석이 중량비 95:5 의 조성이고 충전 밀도 98% 인 산화인듐-산화주석 타겟을 사용해서 스퍼터링법에 의해 ITO 층을 형성하여, 가동 전극 기판이 되는 투명 도전성 적층체를 제작하였다. 형성된 ITO 층의 막두께는 약 20㎚, 막제조 후의 표면 저항치는 약 350Ω/□ (Ω/sq) 이었다. 제작한 가동 전극 기판에 대하여 150℃ 90분간 열처리를 실시하여, ITO 막을 결정화시켰다. 열처리 전후의 가동 전극 기판에 헤이즈 변화는 관찰되지 않고, ITO 가 결정화된 후의 표면 저항치는 약 280Ω/□ (Ω/sq) 이었다.
실시예 1 과 동일하게 고정 전극 기판을 제작하였다. 제작한 고정 전극 기판과 가동 전극 기판을 사용해서 도 1 의 투명 터치 패널을 제작하였다.
즉 적층 구성은, 조작자면으로부터 순서대로, 하드코트층 (도 1 중 1)/폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (도 1 중 2)/경화 수지층-1 (도 1 중 3)/경화 수지층-2 (도 1 중 4)/경화 수지층-3 (도 1 중 5)/투명 도전층 (ITO 층) (도 1 중 8)/도트 스페이서 (도 1 중 11)/투명 도전층 (ITO 층) (도 1 중 8)/유리 기판 (도 1 중 9) 이다.
제작한 투명 터치 패널의 필기 내구성 시험과 단 누름 내구성 시험을 실시하였다. 시험 전후의 리니어리티를 표 1 에 나타낸다.
Figure 112007018774660-PCT00004
여기서, 비교예 1, 비교예 4 에서는 가동 전극 기판 열처리 후에 ITO 면에 미세한 주름이 발생하여 헤이즈가 상승 (백화) 하였기 때문에 필기 내구성 및 단 누름 내구성 시험을 실시하지 않았다. 또한, 표 중의 각 약호는 아래와 같다.
W1 : 경화 수지층-1 단독에서의 압입 시험에 의한 영률
W2 : 경화 수지층-2 단독에서의 압입 시험에 의한 영률
W3 : 경화 수지층-1 과 경화 수지층-2 를 적층한 후의 압입 시험에 의한 영률
HV1 : 경화 수지층-1 단독에서의 압입 시험에 의한 소성 변형 경도
HV2 : 경화 수지층-2 단독에서의 압입 시험에 의한 소성 변형 경도
HV3 : 경화 수지층-1 과 경화 수지층-2 를 적층한 후의 압입 시험에 의한 소성 변형 경도
DH1 : 경화 수지층-1 단독에서의 압입 시험에 의한 경도
DH2 : 경화 수지층-2 단독에서의 압입 시험에 의한 경도
DH3: 경화 수지층-1 과 경화 수지층-2 를 적층한 후의 압입 시험에 의한 경도
d1 : 경화 수지층-1 의 막두께
d2 : 경화 수지층-2 의 막두께

Claims (26)

  1. 투명 유기 고분자 기판의 적어도 일방의 면 상에 경화 수지층-1 과 경화 수지층-2 가 순차 적층되고, 그 경화 수지층-2 상에 투명 도전층이 적층된 투명 도전성 적층체로서, 그 경화 수지층-1 의 막두께 d1 와 그 경화 수지층-2 의 막두께 d2 가 0.1 ≤ d2/d1 ≤ 3.0 의 관계에 있고, 또한 막두께가 0.5㎛ ≤ d1 ≤ 10㎛, 0.5㎛ ≤ d2 ≤ 10㎛ 이고, 또 하기 요건 (A) ∼ (C) 중 적어도 하나의 요건을 만족하는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 적층체.
    요건 (A): 경화 수지층-1 과 경화 수지층-2 의 영률이 상이하고, 압입 경도 시험 (인덴테이션 테스터ㆍ설정 압입 깊이: 0.5㎛) 에서 측정하였을 때, W2 ＞ W0 ＞ W1 또한 W2 ＞ W3 ＞ W1 의 관계를 만족하고, 또한 영률 W3 이 1.9GPa ≤ W3 ≤ 8.8GPa (200kgf/㎟ ≤ W3 ≤ 900kgf/㎟) 의 범위에 있는 것. (단, 투명 유기 고분자 기판의 영률을 W0, 투명 유기 고분자 기판 상에 경화 수지층-1 을 형성하여 측정하였을 때의 영률을 W1, 투명 유기 고분자 기판 상에 경화 수지층-2 를 형성하여 측정하였을 때의 영률을 W2, 투명 유기 고분자 기판 상에 경화 수지층-1, 경화 수지층-2 가 순차 적층되었을 때의 영률을 W3 으로 한다.)
    요건 (B): 경화 수지층-1 과 경화 수지층-2 의 소성 변형 경도가 상이하고, 또 HV2 ＞ HV0 ＞ HV1 또한 HV2 ＞ HV3 ＞ HV1 의 관계를 갖는 것. (단, 투명 유기 고분자 기판의 소성 변형 경도를 HV0, 투명 유기 고분자 기판 상에 경화 수지층-1 을 형성하여 측정하였을 때의 소성 변형 경도를 HV1, 투명 유기 고분자 기판 상에 경화 수지층-2 를 형성하여 측정하였을 때의 소성 변형 경도를 HV2, 투명 유기 고분자 기판 상에 경화 수지층-1, 경화 수지층-2 가 순차 적층되었을 때의 소성 변형 경도를 HV3 으로 한다.)
    요건 (C): 경화 수지층-1 과 경화 수지층-2 의 경도가 상이하고, 압입 경도 시험기 (나노인덴테이션 테스터ㆍ설정 압입 깊이: 0.5㎛) 로 측정하였을 때, DH2 ＞ DH0 ＞ DH1 또한 DH2 ＞ DH3 ＞ DH1 의 관계를 만족하고, 또 경도 DH3 이 98MPa ≤ DH3 ≤ 392MPa (10kgf/㎟ ≤ DH3 ≤ 40kgf/㎟) 의 범위에 있는 것. (단, 투명 유기 고분자 기판의 경도를 DH0, 투명 유기 고분자 기판 상에 경화 수지층-1 을 형성하여 측정하였을 때의 경도를 DH1, 투명 유기 고분자 기판 상에 경화 수지층-2 를 형성하여 측정하였을 때의 경도를 DH2, 투명 유기 고분자 기판 상에 경화 수지층-1, 경화 수지층-2 가 순차 적층되었을 때의 경도를 DH3 으로 한다.)
  2. 제 1 항에 있어서,
    그 경화 수지층-1 의 막두께 d1 과 그 경화 수지층-2 의 막두께 d2 가 0.15 ≤ d2/d1 ≤ 2.5 의 관계에 있고, 또한 막두께가 1㎛ ≤ d1 ≤ 10㎛, 1㎛ ≤ d2 ≤ 10㎛ 인 것을 특징으로 하는 투명 도전성 적층체.
  3. 제 1 항에 있어서,
    하기 요건 (A') 을 추가로 만족하는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 적층체.
    요건 (A'): 영률 W3 이 3.9GPa ≤ W3 ≤ 8.8GPa (400kgf/㎟ ≤ W3 ≤ 900kgf/㎟) 의 범위에 있는 것.
  4. 제 1 항에 있어서,
    하기 요건 (D) ∼ (F) 중 적어도 하나의 요건을 추가로 만족하는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 적층체.
    요건 (D): 영률 W1 이 0.3GPa ≤ W1 ≤ 4.9GPa (30kgf/㎟ ≤ W1 ≤ 500kgf/㎟) 이고, 또한 영률 W2 가 6.9GPa ≤ W2 ≤ 9.8GPa (700kgf/㎟ ≤ W2 ≤ 1000kgf/㎟) 인 것.
    요건 (E): 소성 변형 경도 HV1 이 9.8MPa ≤ HV1 ≤ 196MPa (1kgf/㎟ ≤ HV1 ≤ 20kgf/㎟), 소성 변형 경도 HV2 가 588MPa ≤ HV2 ≤ 1078MPa (60kgf/㎟ ≤ HV2 ≤ 110kgf/㎟) 인 것.
    요건 (F): 경도 DH1 이 9.8MPa ≤ DH1 ≤ 147MPa (1kgf/㎟ ≤ DH1 ≤ 15kgf/㎟, 경도 DH2 가 245MPa ≤ DH2 ≤ 490MPa (25kgf/㎟ ≤ DH2 ≤ 50kgf/㎟) 인 것.
  5. 제 4 항에 있어서,
    하기 요건 (D') 을 추가로 만족하는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 적층체.
    요건 (D'): 영률 W1 이 0.5GPa ≤ W1 ≤ 4.9GPa (50kgf/㎟ ≤ W1 ≤ 500kgf/㎟) 이고, 또한 영률 W2 가 6.9GPa ≤ W2 ≤ 9.8GPa (700kgf/㎟ ≤ W2 ≤ 1000kgf/㎟) 인 것.
  6. 제 4 항에 있어서,
    하기 요건 (G) 을 추가로 만족하는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 적층체.
    요건 (G): 소성 변형 경도 HV3 이 98MPa ≤ HV3 ≤ 833MPa (10kgf/㎟ ≤ HV3 ≤ 85kgf/㎟) 의 범위에 있는 것.
  7. 제 6 항에 있어서,
    하기 요건 (G') 을 추가로 만족하는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 적층 체.
    요건 (G'): 소성 변형 경도 HV3 이 196MPa ≤ HV3 ≤ 833MPa (20kgf/㎟ ≤ HV3 ≤ 85kgf/㎟) 의 범위에 있는 것.
  8. 제 1 항에 있어서,
    경화 수지층-2 와 투명 도전층의 사이에, 투명 도전층과 접하고, 또한 막두께가 투명 도전층보다 얇으며, 나아가 막두께가 0.5㎚ 이상 10.0㎚ 미만인 금속 화합물층을 갖는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 적층체.
  9. 제 1 항에 있어서,
    경화 수지층-1 이 (a) 우레탄아크릴레이트를 모노머로 하는 경화 수지 및 (b) 합성 고무로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 10중량% 이상 함유하는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 적층체.
  10. 제 8 항에 있어서,
    경화 수지층-1 이 (a) 우레탄아크릴레이트를 모노머로 하는 경화 수지 및 (b) 합성 고무로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 10중량% 이상 함유하는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 적층체.
  11. 제 1 항에 있어서,
    경화 수지층-2 와 투명 도전층의 사이에 굴절률이 1.20∼1.55 이고 또한 막두께가 0.05∼0.5㎛ 인 경화 수지층-3 을 갖는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 적층체.
  12. 제 11 항에 있어서,
    경화 수지층-3 은, 평균 1 차 입자직경이 그 경화 수지층-3 의 막두께의 1.1 배 이상이고 또한 평균 1 차 입자직경이 1.2㎛ 이하인 크기에 있는 미립자 B 를 함유하는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 적층체.
  13. 제 12 항에 있어서,
    경화 수지층-3 중의 미립자 B 의 함유량이, 경화 수지층-3 을 형성하는 경화 수지 성분을 기준으로 하여 0.5중량% 이하인 것을 특징으로 하는 투명 도전성 적층체.
  14. 제 8 항에 있어서,
    경화 수지층-2 와 금속 화합물층의 사이에 굴절률이 1.20∼1.55 이고 또한 막두께가 0.05∼0.5㎛ 인 경화 수지층-3 을 갖는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 적층체.
  15. 제 14 항에 있어서,
    경화 수지층-3 은, 평균 1 차 입자직경이 그 경화 수지층-3 의 막두께의 1.1 배 이상이고 또한 평균 1 차 입자직경이 1.2㎛ 이하인 크기에 있는 미립자 B 를 함유하는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 적층체.
  16. 제 15 항에 있어서,
    경화 수지층-3 중의 미립자 B 의 함유량이, 경화 수지층-3 을 형성하는 경화 수지 성분을 기준으로 하여 0.5중량% 이하인 것을 특징으로 하는 투명 도전성 적층체.
  17. 제 1 항에 있어서,
    경화 수지층-2 와 투명 도전층의 사이에 적어도 1 층의 저굴절률층과 적어도 1 층의 고굴절률층으로 이루어지는 광학 간섭층을 갖고, 또한 저굴절률층이 투명 도전층과 접하는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 적층체.
  18. 제 17 항에 있어서,
    고굴절률층과 저굴절률층의 적어도 일방에, 평균 1 차 입자직경이 광학 간섭층의 막두께의 1.1 배 이상이고 또한 평균 1 차 입자직경이 1.2㎛ 이하인 미립자 B 를 함유하는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 적층체.
  19. 제 18 항에 있어서,
    광학 간섭층 중의 미립자 B 의 함유량이, 고굴절률층 및/또는 저굴절률층을 형성하는 경화 수지 성분의 0.5중량% 이하인 것을 특징으로 하는 투명 도전성 적층체.
  20. 제 8 항에 있어서,
    경화 수지층-2 와 금속 화합물층의 사이에 적어도 1 층의 저굴절률층과 적어도 1 층의 고굴절률층으로 이루어지는 광학 간섭층을 갖고, 또한 저굴절률층이 금속 화합물층과 접하는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 적층체.
  21. 제 20 항에 있어서,
    고굴절률층과 그 저굴절률층의 적어도 일방에, 평균 1 차 입자직경이 광학 간섭층의 막두께의 1.1 배 이상이고 또한 평균 1 차 입자직경이 1.2㎛ 이하인 미립자 B 를 함유하는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 적층체.
  22. 제 21 항에 있어서,
    광학 간섭층 중의 미립자 B 의 함유량이, 고굴절률층 및/또는 저굴절률층을 형성하는 경화 수지 성분의 0.5중량% 이하인 것을 특징으로 하는 투명 도전성 적층체.
  23. 제 1 항에 있어서,
    투명 도전층이, 산화인듐을 주성분으로 한 결정질의 막이고, 또한 투명 도전층의 막두께가 5∼50㎚ 인 것을 특징으로 하는 투명 도전성 적층체.
  24. 제 8 항에 있어서,
    투명 도전층이, 산화인듐을 주성분으로 한 결정질의 막이고, 또한 투명 도전층의 막두께가 5∼50㎚ 인 것을 특징으로 하는 투명 도전성 적층체.
  25. 적어도 편면에 투명 도전층이 형성된 2 장의 투명 전극 기판이 서로의 투명 도전층끼리가 대향하도록 배치되어 구성된 투명 터치 패널에 있어서, 적어도 일방의 투명 전극 기판으로서 제 1 항에 기재된 투명 도전성 적층체를 사용한 것을 특징으로 하는 투명 터치 패널.
  26. 적어도 편면에 투명 도전층이 형성된 2 장의 투명 전극 기판이 서로의 투명 도전층끼리가 대향하도록 배치되어 구성된 투명 터치 패널에 있어서, 적어도 일방의 투명 전극 기판으로서 제 8 항에 기재된 투명 도전성 적층체를 사용한 것을 특징으로 하는 투명 터치 패널.
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