KR20050101603A - 내부 전압 발생기의 동작을 제어하는 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (12)
- 내부 전압 발생기의 동작을 제어하는 장치에 있어서,내부전압을 출력단으로 출력하는 내부전압 구동부와,상기 출력단의 전위 레벨을 보상하여 주기위한 내부전압 과구동부와,상기 내부전압 과구동부의 인에이블 타이밍과 디스에이블 타이밍을 조절하는 제어부를 구비하는 내부 전압 발생기의 동작을 제어하는 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제어부는제 1 제어신호를 수신하여 제 2 제어신호를 출력하며,상기 제 2 제어신호는 상기 제 1 제어신호가 인가된 후부터 일정 시간이 경과된 다음 생성되는 신호이며, 상기 제 2 제어신호에 의하여 상기 내부전압과구동부의 동작이 제어되는 것을 특징으로 하는 내부 전압 발생기의 동작을 제어하는 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제어부는 지연 시간을 조절할 수 있는 지연부로 구성되며,상기 지연부는 제 1 신호를 수신한 후 제 2 제어신호를 출력하며,상기 제 2 제어신호에 의하여 상기 내부전압과구동부의 동작이 제어되는 것을 특징으로 하는 내부 전압 발생기의 동작을 제어하는 장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 지연부의 지연시간을 조절하는 지연시간 조절부를 더 구비하며,상기 지연시간 조절부는 제 1 테스트 모드 신호를 수신하여 제 2 테스트 모드 신호를 출력하며상기 제 2 테스트 모드 신호를 이용하여 상기 지연부의 지연시간을 조절하는 것을 특징으로 하는 내부 전압 발생기의 동작을 제어하는 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제어부는제 1 제어신호를 수신하는 제 1 지연부와.전원전압과 제 1 노드사이에 연결된 제 1 트랜지스터와,상기 제 1 노드와 접지사이에 연결된 제 2 트랜지스터와.상기 제 1 노드를 입력단으로하는 제 2 지연부와,상기 제 1 지연부와 제 2 지연부의 출력신호를 수신하는 낸드 수단을 구비하며,상기 낸드 수단의 출력신호에 의하여 상기 내부전압 과구동부의 동작이 제어되는 것을 특징으로 하는 내부 전압 발생기의 동작을 제어하는 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 제 1 지연부의 지연시간과 상기 제 2 지연부의 지연시간을 조절하는 지연시간 조절부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 내부 전압 발생기의 동작을 제어하는 장치.
- 제 6항에 있어서, 상기 지연시간 조절부는 테스트 모드시 동작하는 것을 특징으로 하는 내부 전압 발생기의 동작을 제어하는 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 낸드 게이트의 출력신호를 측정하기 위한 제 1 패드와, 상기 내부전압을 측정하기 위한 제 2 패드를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 내부 전압 발생기의 동작을 제어하는 장치.
- 제 8 항에 있어서,반도체 장치의 패키징후, 상기 제 1 및 제 2 패드와 각각 연결된 제 1 및 제 2 패키지 핀을 통하여 상기 낸드 게이트의 출력신호와 상기 내부전압을 측정할 수 있는 것을 특징으로 하는 내부 전압 발생기의 동작을 제어하는 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 제 1 지연부의 지연시간과 상기 제 2 지연부의 지연시간을 조절하는 지연시간 조절부를 더 구비하며,상기 시간 지연 조절부는 테스트 모드시 동작하는 것을 특징으로 하는 내부 전압 발생기의 동작을 제어하는 장치.
- 제 10 항에 있어서,상기 테스트 모드에 의한 테스트 결과를 이용하여 상기 제 1 지연부의 지연시간과 상기 제 2 지연부의 지연시간을 고정시키는 것을 특징으로 하는 내부 전압 발생기의 동작을 제어하는 장치.
- 제 11 항에 있어서,상기 제 1 지연부의 지연시간과 상기 제 2 지연부의 지연시간을 고정시키기 위하여, 상기 지연시간 조절부는 퓨즈부를 구비하는 것을 특징으로 하는 내부 전압 발생기의 동작을 제어하는 장치.
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---|---|---|---|---|
KR100659307B1 (ko) * | 2005-08-04 | 2006-12-20 | 삼성전자주식회사 | 중앙처리 장치용 전원공급 장치 |
KR100903388B1 (ko) * | 2008-04-24 | 2009-06-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 내부전압 제어회로 및 그 제어방법 |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007095075A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Hynix Semiconductor Inc | 内部電圧生成装置 |
US7417903B2 (en) * | 2005-09-29 | 2008-08-26 | Hynix Semiconductor Inc. | Core voltage generator and method for generating core voltage in semiconductor memory device |
TWI308314B (en) * | 2005-12-02 | 2009-04-01 | Chi Mei Optoelectronics Corp | Liquid crystal display and driving method thereof |
KR100732765B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2007-06-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치 |
KR100802073B1 (ko) * | 2006-05-31 | 2008-02-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체메모리소자의 내부전압 공급장치 |
NL1032063C2 (nl) * | 2006-06-27 | 2008-01-02 | Maasland Nv | Combinatie van een melkbeker en een flexibele melkslang, koppelstuk, alsmede werkwijze voor het bewaken van integriteit van flexibele melkslang. |
KR100784908B1 (ko) | 2006-08-11 | 2007-12-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 전압 조절 장치 |
KR100795014B1 (ko) * | 2006-09-13 | 2008-01-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치의 내부전압 발생기 |
KR100816729B1 (ko) | 2006-09-28 | 2008-03-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 코어전압 생성 장치 및 그를 포함하는 반도체 메모리 장치 |
KR100862993B1 (ko) * | 2006-10-12 | 2008-10-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 집적 회로의 전원 공급 장치 |
KR100803363B1 (ko) * | 2006-11-13 | 2008-02-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치의 전압 생성 회로 |
KR100873613B1 (ko) * | 2006-11-14 | 2008-12-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치의 전압 생성 회로 및 방법 |
KR100795026B1 (ko) * | 2006-12-22 | 2008-01-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 장치 및 방법 |
JP2008226906A (ja) * | 2007-03-08 | 2008-09-25 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子 |
KR100885491B1 (ko) * | 2007-03-31 | 2009-02-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 고전위전압 공급장치를 포함하는 반도체메모리소자 |
KR100845805B1 (ko) | 2007-05-10 | 2008-07-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 전압 강하 변환기 |
KR100863015B1 (ko) * | 2007-05-11 | 2008-10-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 전압 안정화 회로 및 이를 이용한 반도체 메모리 장치 |
KR101003152B1 (ko) | 2009-05-14 | 2010-12-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치의 내부 전압 생성 회로 |
KR101027699B1 (ko) * | 2010-01-29 | 2011-04-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치의 전압 트리밍 회로 |
KR20130022118A (ko) * | 2011-08-25 | 2013-03-06 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 전원 모니터링 테스트회로 및 이를 이용한 전원 모니터링 방법 |
KR101893346B1 (ko) * | 2011-09-02 | 2018-08-31 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 |
TW201329469A (zh) * | 2012-01-06 | 2013-07-16 | Novatek Microelectronics Corp | 測試介面電路 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR950004858B1 (ko) * | 1992-03-17 | 1995-05-15 | 삼성전자 주식회사 | 내부전원전압 발생회로 |
KR0171952B1 (ko) | 1995-10-06 | 1999-03-30 | 김주용 | 내부 전압 레벨 보상회로 |
US6438043B2 (en) * | 1998-09-02 | 2002-08-20 | Micron Technology, Inc. | Adjustable I/O timing from externally applied voltage |
JP4263818B2 (ja) * | 1999-09-20 | 2009-05-13 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路 |
JP4707244B2 (ja) * | 2000-03-30 | 2011-06-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体記憶装置および半導体装置 |
JP4053718B2 (ja) * | 2000-09-07 | 2008-02-27 | 富士通株式会社 | 半導体記憶装置の内部電源供給回路及び半導体記憶装置の内部電源供給方法 |
US6819602B2 (en) * | 2002-05-10 | 2004-11-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Multimode data buffer and method for controlling propagation delay time |
KR100456597B1 (ko) * | 2002-07-16 | 2004-11-09 | 삼성전자주식회사 | 외부 전압 레벨에 따라 내부 전압을 선택적으로 발생하는반도체 메모리 장치 및 그 내부 전압 발생 회로 |
KR100440262B1 (ko) * | 2002-07-18 | 2004-07-15 | 주식회사 하이닉스반도체 | 온도 감지 회로 |
-
2004
- 2004-04-19 KR KR1020040026533A patent/KR100587072B1/ko active IP Right Grant
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100659307B1 (ko) * | 2005-08-04 | 2006-12-20 | 삼성전자주식회사 | 중앙처리 장치용 전원공급 장치 |
KR100903388B1 (ko) * | 2008-04-24 | 2009-06-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 내부전압 제어회로 및 그 제어방법 |
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Publication number | Publication date |
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US20050231269A1 (en) | 2005-10-20 |
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US7173480B2 (en) | 2007-02-06 |
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