KR100795026B1 - 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 장치는, 내부 전압의 레벨을 감지하여 고정 레벨 감지 신호와 가변 레벨 감지 신호를 출력하는 전압 감지 수단, 상기 고정 레벨 감지 신호와 상기 가변 레벨 감지 신호 각각의 인에이블 여부에 따라 발진 인에이블 신호를 생성하는 발진 제어 수단, 상기 발진 인에이블 신호에 응답하여 펄스 신호를 생성하는 발진 수단 및 상기 펄스 신호에 응답하여 펌핑 동작을 수행하여 상기 내부 전압을 생성하는 전압 펌핑 수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.
반도체 집적 회로, 내부 전압, 발진 인에이블

Description

반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 장치 및 방법{Apparatus and Method for Generating Internal Voltage in Semiconductor Integrated Circuit}
도 1은 종래의 기술에 따른 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 장치의 동작을 설명하기 위한 그래프,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 장치의 구성도,
도 3은 도 2에 도시한 내부 전압 생성 장치의 동작을 설명하기 위한 그래프,
도 4는 도 2에 도시한 발진 제어 수단의 구성도,
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 장치의 구성도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호 설명>
10 : 전압 감지 수단 20 : 발진 제어 수단
30 : 발진 수단 40 : 전압 펌핑 수단
50 : 스위칭 수단
본 발명은 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 온도 조건에 따라 내부 전압의 목표 레벨을 설정하는 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 집적 회로는 외부 공급전원(VDD) 및 그라운드 전원(VSS) 등의 전원을 칩의 외부로부터 공급 받아 고전위 전압(VPP) 및 벌크 전압(VBB) 등의 내부 전압을 자체적으로 생성하여 사용한다. 이 때 반도체 집적 회로는 상기 내부 전압의 목표 레벨을 설정하여 현재 내부 전압의 상기 목표 레벨의 초과 여부를 감지하고 미달되었을시 상기 내부 전압을 펌핑하여 상기 내부 전압이 상기 목표 레벨을 유지하도록 제어한다. 이를 위해, 반도체 집적 회로는 내부 전압 생성 장치를 구비하며, 상기 내부 전압 생성 장치는 전압 감지 수단, 발진 수단 및 전압 펌핑 수단을 구비한다.
일반적으로 상기 전압 감지 수단은 고정 레벨 감지 신호를 출력하는 노멀 디텍터와 가변 레벨 감지 신호를 출력하는 모듈레이터를 구비하고, 퓨즈 회로를 이용하여 고정 레벨 감지 신호와 가변 레벨 감지 신호를 선택적으로 출력한다. 이 때 상기 고정 레벨 감지 신호는 온도 변화에 무관하게 일정한 기준 레벨에 내부 전압이 도달했는지를 나타내는 신호이고, 상기 가변 레벨 감지 신호는 온도 변화에 따라 가변적인 기준 레벨에 내부 전압이 도달했는지를 나타내는 신호이다.
이후, 상기 발진 수단은 상기 고정 레벨 감지 신호 또는 상기 가변 레벨 감지 신호의 인에이블 여부에 따라 펄스 신호를 생성하는 동작을 수행하며, 상기 전압 펌핑 수단은 상기 펄스 신호가 인에이블 되면 내부 전압을 펌핑하는 동작을 수 행한다. 즉, 내부 전압 생성 장치가 생성하는 내부 전압의 목표 레벨은 상기 전압 감지 수단의 설정에 따르게 되며, 이에 따라 전압 펌핑 수단의 동작 구간이 결정되어 내부 전압이 목표 레벨에 도달하게 되는 것이다.
이하, 종래의 기술에 따른 내부 전압 생성 회로의 동작을 도 1을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래의 기술에 따른 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 장치의 동작을 설명하기 위한 그래프로서, 상기 내부 전압은 벌크 전압(VBB)인 것을 예로 들어 나타낸 것이다.
도시한 그래프의 가로축은 반도체 집적 회로의 온도를 나타내고, 세로축은 전압 레벨을 나타낸다. 그리고 실선 A는 내부 전압 생성 장치의 전압 감지 수단에 구비되는 노멀 디텍터가 설정하는 온도 변화에 따른 벌크 전압의 목표 레벨을 나타낸다. 실선 B는 전압 감지 수단에 구비되는 모듈레이터가 설정하는 벌크 전압의 온도 변화에 따른 목표 레벨을 나타낸다.
도면을 통해 알 수 있듯이, 상기 노멀 디텍터는 온도 변화에 관계 없이 상기 벌크 전압이 -0.8V를 초과하는지를 판별한다. 상기 노멀 디텍터에서 출력되는 고정 레벨 감지 신호는 상기 벌크 전압이 -0.8V를 초과하면(절대값이 0.8V보다 작아지면) 인에이블 되어 발진 수단을 활성화시키고, 그에 따라 전압 펌핑 수단이 펌핑 동작을 수행하도록 한다.
그러나 상기 모듈레이터는 온도가 상승할수록 벌크 전압의 목표 레벨을 더 낮추어 설정하고 이를 감지한다. 도시된 것처럼, 반도체 집적 회로가 -40℃의 온도 상황에 놓이게 되면 상기 모듈레이터는 벌크 전압이 -0.5V를 초과하는지 여부를 판별하고, 반도체 집적 회로가 120℃의 온도 상황에 놓이게 되면 상기 모듈레이터는 벌크 전압이 -1.2V를 초과하는지 여부를 판별한다.
상기 노멀 디텍터에 의해 온도 변화에도 고정적인 레벨을 설정하여 벌크 전압을 생성하게 되면, 반도체 집적 회로 내에 구비되는 트랜지스터들의 특성 변화에 대처하기가 어렵다. 반도체 메모리 장치의 경우, 온도가 낮은 상황에서는 셀 트랜지스터의 문턱 전압이 높아지므로, 벌크 전압 레벨을 높여(절대값을 낮추어) 이를 보상할 필요가 있다. 그러나 고정적인 레벨만을 감지하여서는 이와 같은 기술을 구현할 수가 없다.
온도 변화에 따라 가변적인 레벨을 설정하여 벌크 전압을 생성하게 되면, 상술한 것처럼 온도가 낮은 상황에서의 셀 트랜지스터의 문턱 전압을 보상할 수 있게 된다. 그러나 온도가 높은 상황에서 그 목표 레벨이 도시한 것과 같이 낮아지게 되면(절대값이 높아지게 되면), 온도로 인해 셀 트랜지스터의 문턱 전압이 낮아지는 양보다 내부 전압 생성 회로가 벌크 전압을 낮추어 셀 트랜지스터의 문턱 전압을 높이는 양이 더 커지게 되고, 이에 따라 데이터의 입출력이 어려워지는 부작용이 발생한다.
바람직하게는, 실선 A와 실선 B가 만나는 점 C를 기준으로, 온도가 낮은 상황에서는 실선 B에 따르는 가변적인 목표 레벨 설정이 필요하고, 온도가 높은 상황에서는 실선 A에 따르는 고정적인 목표 레벨 설정이 필요하나, 종래에는 이와 같은 기술을 적용하지 못해 보다 효율적인 레벨을 갖는 벌크 전압을 생성하지 못하였다. 벌크 전압뿐만 아니라, 다른 내부 전압에 대해서도 보다 효율적인 목표 레벨을 설정하는 기술의 구현이 필요한 상황이다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 온도 조건에 따라 노멀 디텍터가 설정하는 내부 전압의 목표 레벨과 모듈레이터가 설정하는 내부 전압의 목표 레벨을 선택적으로 적용하여 내부 전압을 생성하는 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 회로 및 방법을 제공하는 데에 그 기술적 과제가 있다.
또한 본 발명은, 내부 전압의 목표 레벨을 조정하여 온도 조건에 따라 발생하는 트랜지스터의 특성 변화로 인한 오동작을 방지하는 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 장치 및 방법을 제공하는 데에 다른 기술적 과제가 있다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 장치는, 내부 전압의 레벨을 감지하여 고정 레벨 감지 신호와 가변 레벨 감지 신호를 출력하는 전압 감지 수단; 상기 고정 레벨 감지 신호와 상기 가변 레벨 감지 신호 각각의 인에이블 여부에 따라 발진 인에이블 신호를 생성하는 발진 제어 수단; 상기 발진 인에이블 신호에 응답하여 펄스 신호를 생성하는 발진 수단; 및 상기 펄스 신호에 응답하여 펌핑 동작을 수행하여 상기 내부 전압을 생성하는 전압 펌핑 수단;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 장 치는, 내부 전압의 레벨을 감지하여 고정 레벨 감지 신호와 가변 레벨 감지 신호를 출력하는 전압 감지 수단; 상기 고정 레벨 감지 신호와 상기 가변 레벨 감지 신호 각각의 인에이블 여부에 따라 발진 인에이블 신호를 생성하는 발진 제어 수단; 상기 고정 레벨 감지 신호, 상기 가변 레벨 감지 신호 및 상기 발진 인에이블 신호 중 어느 하나를 선택적으로 출력하는 스위칭 수단; 상기 스위칭 수단의 출력 신호에 응답하여 펄스 신호를 생성하는 발진 수단; 및 상기 펄스 신호에 응답하여 펌핑 동작을 수행하여 상기 내부 전압을 생성하는 전압 펌핑 수단;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
그리고 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 방법은, a) 내부 전압의 레벨을 감지하여 고정 레벨 감지 신호와 가변 레벨 감지 신호를 출력하는 단계; b) 상기 고정 레벨 감지 신호와 상기 가변 레벨 감지 신호 각각의 인에이블 여부에 따라 발진 인에이블 신호를 생성하는 단계; c) 상기 발진 인에이블 신호에 응답하여 펄스 신호를 생성하는 단계; 및 d) 상기 펄스 신호에 응답하여 펌핑 동작을 수행하여 상기 내부 전압을 생성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 방법은, a) 내부 전압의 레벨을 감지하여 고정 레벨 감지 신호와 가변 레벨 감지 신호를 출력하는 단계; b) 상기 고정 레벨 감지 신호와 상기 가변 레벨 감지 신호 각각의 인에이블 여부에 따라 발진 인에이블 신호를 생성하는 단계; c) 상기 고정 레벨 감지 신호, 상기 가변 레벨 감지 신호 및 상기 발진 인에이블 신호 중 어느 하 나를 선택적으로 출력하는 단계; d) 상기 스위칭 수단의 출력 신호에 응답하여 펄스 신호를 생성하는 단계; 및 e) 상기 펄스 신호에 응답하여 펌핑 동작을 수행하여 상기 내부 전압을 생성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 장치의 구성도로서, 상기 내부 전압은 벌크 전압(VBB)인 것을 예로 들어 나타낸 것이다.
도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 장치는, 벌크 전압(VBB)의 레벨을 감지하여 고정 레벨 감지 신호(fxdet)와 가변 레벨 감지 신호(vrdet)를 출력하는 전압 감지 수단(10), 상기 고정 레벨 감지 신호(fxdet)와 상기 가변 레벨 감지 신호(vrdet) 각각의 인에이블 여부에 따라 발진 인에이블 신호(osenb)를 생성하는 발진 제어 수단(20), 상기 발진 인에이블 신호(osenb)에 응답하여 펄스 신호(pls)를 생성하는 발진 수단(30) 및 상기 펄스 신호(pls)에 응답하여 펌핑 동작을 수행하여 상기 벌크 전압(VBB)을 생성하는 전압 펌핑 수단(40)을 포함한다.
여기에서 상기 전압 감지 수단(10)은 노멀 디텍터를 구비하여 상기 고정 레벨 감지 신호(fxdet)를 생성하고, 모듈레이터를 구비하여 상기 가변 레벨 감지 신호(vrdet)를 생성한다. 반도체 집적 회로의 특정 온도 지점을 제외하고, 상기 고정 레벨 감지 신호(fxdet)와 상기 가변 레벨 감지 신호(vrdet)는 각각 다른 기준 레벨을 감지한 결과를 나타낸다. 이후 상기 발진 제어 수단(20)은 상기 고정 레벨 감지 신호(fxdet)와 상기 가변 레벨 감지 신호(vrdet)를 입력 받아 상기 노멀 디텍터와 상기 모듈레이터가 감지하는 레벨 중 높은(절대값이 낮은) 레벨을 기준 레벨로 설정하고 그 기준 레벨에 도달했는지 여부에 따라 발진 인에이블 신호(osenb)를 생성한다. 상기 발진 수단(30)으로부터 출력되는 상기 펄스 신호(pls)는 상기 발진 인에이블 신호(osenb)가 인에이블 되면 토글(Toggle)하게 된다. 상기 전압 펌핑 수단(40)은 상기 펄스 신호(pls)가 토글함에 따라 전압 펌핑 동작을 수행하고, 상기 벌크 전압(VBB)의 레벨을 낮추는(절대값을 높이는) 동작을 하게 된다.
도 3은 도 2에 도시한 내부 전압 생성 장치의 동작을 설명하기 위한 그래프이다.
도시한 그래프의 가로축은 온도를 나타내고 세로축은 전압 레벨을 나타낸다. 도시된 실선 A는 상기 노멀 디텍터가 설정하는 상기 벌크 전압(VBB)의 목표 레벨이고, 실선 B는 상기 모듈레이터가 설정하는 상기 벌크 전압(VBB)의 목표 레벨이다. 실선 A와 실선 B의 접점은 C로 표시하였다. 점선 D는 상기 발진 제어 수단(20)이 설정하는 상기 벌크 전압(VBB)의 목표 레벨이다. 이와 같이, 본 발명의 내부 전압 생성 장치는 상기 노멀 디텍터가 설정한 레벨과 상기 모듈레이터가 설정한 레벨 중 높은 레벨을 상기 발진 제어 수단(20)의 기준 레벨로 설정한다. 이는 접점 C 미만의 온도에서는 상기 모듈레이터의 목표 레벨에 해당하는 상기 벌크 전압(VBB)을 생성하여 셀 트랜지스터의 문턱 전압을 낮추는 효과를 취하고, 온도가 상승하면 셀 트랜지스터의 문턱 전압을 높이다가, 접점 C 이상의 온도에서 문턱 전압이 지나치게 높아지지 않도록 함으로써, 반도체 집적 회로의 보다 효율적인 동작을 지원하는 레벨의 벌크 전압(VBB)을 생성하기 위함이다.
반도체 집적 회로의 온도 및 전압 조건이 도시한 점 E에 해당할 때, 상기 고정 레벨 감지 신호(fxdet) 및 상기 가변 레벨 감지 신호(vrdet)가 인에이블 되고, 상기 발진 인에이블 신호(osenb) 또한 인에이블 된다. 반면에, 반도체 집적 회로의 온도 및 전압 조건이 도시한 점 F와 같을 때, 상기 고정 레벨 감지 신호(fxdet)는 인에이블 되고, 상기 가변 레벨 감지 신호(vrdet)는 디스에이블 되며, 상기 발진 인에이블 신호(osenb)는 디스에이블 된다. 그리고 반도체 집적 회로의 온도 및 전압 조건이 도시한 점 G와 같을 때, 상기 고정 레벨 감지 신호(fxdet) 및 상기 가변 레벨 감지 신호(vrdet)는 디스에이블 되고, 상기 발진 인에이블 신호(osenb) 또한 디스에이블 된다.
반도체 집적 회로의 온도 및 전압 조건이 도시한 점 H에 해당할 때, 상기 고정 레벨 감지 신호(fxdet) 및 상기 가변 레벨 감지 신호(vrdet)가 인에이블 되고, 상기 발진 인에이블 신호(osenb) 또한 인에이블 된다. 반면에, 반도체 집적 회로의 온도 및 전압 조건이 도시한 점 I와 같을 때, 상기 고정 레벨 감지 신호(fxdet)는 디스에이블 되고, 상기 가변 레벨 감지 신호(vrdet)는 인에이블 되며, 상기 발진 인에이블 신호(osenb)는 디스에이블 된다. 그리고 반도체 집적 회로의 온도 및 전압 조건이 도시한 점 J와 같을 때, 상기 고정 레벨 감지 신호(fxdet) 및 상기 가변 레벨 감지 신호(vrdet)는 디스에이블 되고, 상기 발진 인에이블 신호(osenb) 또한 디스에이블 된다.
즉, 상기 발진 인에이블 신호(osenb)는 상기 고정 레벨 감지 신호(fxdet)와 상기 가변 레벨 감지 신호(vrdet)를 논리곱하여 생성한 형태가 된다. 이를 상기 발진 제어 수단(20)의 내부 구성에 적용하면 도 4에 도시한 형태가 된다.
도 4는 도 2에 도시한 발진 제어 수단의 구성도로서, 상술한 것과 같이 발진 제어 수단(20)이 낸드게이트(NG)와 인버터(IV)의 조합으로 구현되어 상기 고정 레벨 감지 신호(fxdet)와 상기 가변 레벨 감지 신호(vrdet)를 논리곱하여 상기 발진 인에이블 신호(osenb)를 생성하는 것을 예시적으로 나타낸 것이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 장치의 구성도이다.
본 실시예에 따른 내부 전압 생성 장치는 앞선 실시예의 내부 전압 생성 장치와 같이, 전압 감지 수단(10), 발진 제어 수단(20), 발진 수단(30) 및 전압 펌핑 수단(40)을 포함하며, 스위칭 수단(50)을 추가로 포함한다.
상기 스위칭 수단(50)은 고정 레벨 감지 신호(fxdet), 가변 레벨 감지 신호(vrdet) 및 발진 인에이블 신호(osenb)를 입력 받아 이 중 어느 하나의 신호를 출력하는 기능을 수행하며, 상기 발진 수단(30)은 상기 스위칭 수단(50)으로부터 출력되는 신호에 응답하여 펄스 신호(pls)를 생성한다.
상기 스위칭 수단(50)은 퓨즈 회로를 구비하여 설계자에 의해 선택된 신호를 출력하도록 구현하는 것이 가능하다. 또한 모스 트랜지스터와 같은 스위칭 소자를 이용하여 레지스터에 저장된 신호의 제어에 따라 어느 하나의 신호를 출력하도록 할 수도 있다. 그러나 상기 스위칭 수단(50)의 구현 방법은 어느 하나의 방법에 한정되지 않는다.
즉, 설계자가 상기 스위칭 수단(50)을 제어함에 따라, 종래의 기술과 같이 상기 노멀 디텍터가 설정하는 상기 벌크 전압(VBB)의 목표 레벨(도 3의 실선 A)과 상기 모듈레이터가 설정하는 상기 벌크 전압(VBB)의 목표 레벨(도 3의 실선 B) 중 어느 하나를 선택할 수도 있고, 본 발명에서 제안된 것과 같이, 상기 발진 제어 수단(20)이 설정하는 상기 벌크 전압(VBB)의 목표 레벨(도 3의 점선 D)을 선택할 수도 있다.
상술한 것과 같이, 본 발명의 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 장치는 소정 온도를 기준으로 낮은 온도 상황에서는 온도에 따라 가변적인 목표 레벨을 설정하고, 높은 온도 상황에서는 고정적인 목표 레벨을 설정함으로써, 반도체 집적 회로의 동작에 보다 효율적인 벌크 전압을 생성할 수 있도록 한다. 벌크 전압 뿐만 아니라, 전압을 감지하여 펄스를 발생하고 전압을 펌핑함에 의해 생성되는 내부 전압을 생성하는 데에 있어, 이와 같은 기술은 널리 응용 가능하다.
이와 같이, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
이상에서 설명한 본 발명의 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 장치 및 방법은, 온도 조건에 따라 노멀 디텍터가 설정하는 내부 전압의 목표 레벨과 모듈레이터가 설정하는 내부 전압의 목표 레벨을 선택적으로 적용하여 내부 전압을 생성하는 효과가 있다.
또한 본 발명의 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 장치 및 방법은, 내부 전압의 목표 레벨을 조정하여 온도 조건에 따라 발생하는 트랜지스터의 특성 변화로 인한 오동작을 방지하는 효과가 있다.

Claims (23)

  1. 내부 전압의 레벨을 감지하여 고정 레벨 감지 신호와 가변 레벨 감지 신호를 출력하는 전압 감지 수단;
    상기 고정 레벨 감지 신호와 상기 가변 레벨 감지 신호 각각의 인에이블 여부에 따라 발진 인에이블 신호를 생성하는 발진 제어 수단;
    상기 발진 인에이블 신호에 응답하여 펄스 신호를 생성하는 발진 수단; 및
    상기 펄스 신호에 응답하여 펌핑 동작을 수행하여 상기 내부 전압을 생성하는 전압 펌핑 수단;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 전압 감지 수단은,
    온도 변화에 무관하게 일정한 기준 레벨에 상기 내부 전압이 도달했는지를 나타내는 상기 고정 레벨 감지 신호를 생성하는 노멀 디텍터; 및
    온도 변화에 따라 가변적인 기준 레벨에 상기 내부 전압이 도달했는지를 나타내는 상기 가변 레벨 감지 신호를 생성하는 모듈레이터;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 발진 제어 수단은 상기 고정 레벨 감지 신호와 상기 가변 레벨 감지 신호를 입력 받아 상기 노멀 디텍터와 상기 모듈레이터가 감지하는 레벨 중 높은 레벨을 기준 레벨로 설정하고 상기 내부 전압이 그 기준 레벨에 도달했는지 여부에 따라 발진 인에이블 신호를 생성하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 발진 제어 수단은,
    상기 고정 레벨 감지 신호와 상기 가변 레벨 감지 신호를 입력 받는 낸드게이트; 및
    상기 낸드게이트의 출력 신호를 입력 받아 상기 발진 인에이블 신호를 출력하는 인버터;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 장치.
  5. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 발진 수단은 상기 발진 인에이블 신호가 인에이블 되면 토글하는 펄스 신호를 생성하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 장치.
  6. 내부 전압의 레벨을 감지하여 고정 레벨 감지 신호와 가변 레벨 감지 신호를 출력하는 전압 감지 수단;
    상기 고정 레벨 감지 신호와 상기 가변 레벨 감지 신호 각각의 인에이블 여부에 따라 발진 인에이블 신호를 생성하는 발진 제어 수단;
    상기 고정 레벨 감지 신호, 상기 가변 레벨 감지 신호 및 상기 발진 인에이블 신호 중 어느 하나를 선택적으로 출력하는 스위칭 수단;
    상기 스위칭 수단의 출력 신호에 응답하여 펄스 신호를 생성하는 발진 수단; 및
    상기 펄스 신호에 응답하여 펌핑 동작을 수행하여 상기 내부 전압을 생성하는 전압 펌핑 수단;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 전압 감지 수단은,
    온도 변화에 무관하게 일정한 기준 레벨에 상기 내부 전압이 도달했는지를 나타내는 상기 고정 레벨 감지 신호를 생성하는 노멀 디텍터; 및
    온도 변화에 따라 가변적인 기준 레벨에 상기 내부 전압이 도달했는지를 나타내는 상기 가변 레벨 감지 신호를 생성하는 모듈레이터;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 발진 제어 수단은 상기 고정 레벨 감지 신호와 상기 가변 레벨 감지 신 호를 입력 받아 상기 노멀 디텍터와 상기 모듈레이터가 감지하는 레벨 중 높은 레벨을 기준 레벨로 설정하고 상기 내부 전압이 그 기준 레벨에 도달했는지 여부에 따라 발진 인에이블 신호를 생성하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 발진 제어 수단은,
    상기 고정 레벨 감지 신호와 상기 가변 레벨 감지 신호를 입력 받는 낸드게이트; 및
    상기 낸드게이트의 출력 신호를 입력 받아 상기 발진 인에이블 신호를 출력하는 인버터;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 장치.
  10. 제 6 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 스위칭 수단은 퓨즈 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 장치.
  11. 제 6 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 스위칭 수단은 레지스터에 저장된 신호에 의해 동작하는 모스 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 장치.
  12. 제 6 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 발진 수단은 상기 고정 레벨 감지 신호, 상기 가변 레벨 감지 신호 및 상기 발진 인에이블 신호 중 어느 하나가 인에이블 되면 토글하는 펄스 신호를 생성하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 장치.
  13. 제 1 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 전압 펌핑 수단은 상기 펄스 신호가 토글하면 전압 펌핑 동작을 수행하여 상기 내부 전압이 목표 레벨에 도달하도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 장치.
  14. a) 내부 전압의 레벨을 감지하여 고정 레벨 감지 신호와 가변 레벨 감지 신호를 출력하는 단계;
    b) 상기 고정 레벨 감지 신호와 상기 가변 레벨 감지 신호 각각의 인에이블 여부에 따라 발진 인에이블 신호를 생성하는 단계;
    c) 상기 발진 인에이블 신호에 응답하여 펄스 신호를 생성하는 단계; 및
    d) 상기 펄스 신호에 응답하여 펌핑 동작을 수행하여 상기 내부 전압을 생성하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 a) 단계는 노멀 디텍터를 구비하여 온도 변화에 무관하게 일정한 기준 레벨에 상기 내부 전압이 도달했는지를 나타내는 상기 고정 레벨 감지 신호를 생성하고, 모듈레이터를 구비하여 온도 변화에 따라 가변적인 기준 레벨에 상기 내부 전압이 도달했는지를 나타내는 상기 가변 레벨 감지 신호를 생성하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 b) 단계는 상기 고정 레벨 감지 신호와 상기 가변 레벨 감지 신호를 입력 받아 상기 노멀 디텍터와 상기 모듈레이터가 감지하는 두 개의 레벨 중 높은 레벨을 기준 레벨로 설정하고 상기 내부 전압이 그 기준 레벨에 도달했는지 여부에 따라 발진 인에이블 신호를 생성하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 방법.
  17. 제 14 항 또는 제 16 항에 있어서,
    상기 c) 단계는 상기 발진 인에이블 신호가 인에이블 되면 토글하는 펄스 신호를 생성하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 방법.
  18. 제 14 항에 있어서,
    상기 d) 단계는 상기 펄스 신호가 토글하면 전압 펌핑 동작을 수행하여 상기 내부 전압이 목표 레벨에 도달하도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 방법.
  19. a) 내부 전압의 레벨을 감지하여 고정 레벨 감지 신호와 가변 레벨 감지 신호를 출력하는 단계;
    b) 상기 고정 레벨 감지 신호와 상기 가변 레벨 감지 신호 각각의 인에이블 여부에 따라 발진 인에이블 신호를 생성하는 단계;
    c) 상기 고정 레벨 감지 신호, 상기 가변 레벨 감지 신호 및 상기 발진 인에이블 신호 중 어느 하나를 선택적으로 출력하는 단계;
    d) 상기 c) 단계의 출력 신호에 응답하여 펄스 신호를 생성하는 단계; 및
    e) 상기 펄스 신호에 응답하여 펌핑 동작을 수행하여 상기 내부 전압을 생성하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 a) 단계는 노멀 디텍터를 구비하여 온도 변화에 무관하게 일정한 기준 레벨에 상기 내부 전압이 도달했는지를 나타내는 상기 고정 레벨 감지 신호를 생성하고, 모듈레이터를 구비하여 온도 변화에 따라 가변적인 기준 레벨에 상기 내부 전압이 도달했는지를 나타내는 상기 가변 레벨 감지 신호를 생성하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 방법.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 b) 단계는 상기 고정 레벨 감지 신호와 상기 가변 레벨 감지 신호를 입력 받아 상기 노멀 디텍터와 상기 모듈레이터가 감지하는 두 개의 레벨 중 높은 레벨을 기준 레벨로 설정하고 상기 내부 전압이 그 기준 레벨에 도달했는지 여부에 따라 발진 인에이블 신호를 생성하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 방법.
  22. 제 19 항 또는 제 21 항에 있어서,
    상기 d) 단계는 상기 발진 인에이블 신호가 인에이블 되면 토글하는 펄스 신호를 생성하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 방법.
  23. 제 19 항에 있어서,
    상기 e) 단계는 상기 펄스 신호가 토글하면 전압 펌핑 동작을 수행하여 상기 내부 전압이 목표 레벨에 도달하도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 방법.
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