KR20040045903A - 이미드 화합물 및 그 화합물을 사용하는 광기록 매체 - Google Patents

이미드 화합물 및 그 화합물을 사용하는 광기록 매체 Download PDF

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이시다쯔또무
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이노우에고지
고이께다다시
우에노게이지
이나또미유지
나라료스께
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미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤
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Abstract

메탈로센 잔기를 갖는 이미드 화합물로부터 1종 이상의 화합물을 선택하여 기록층에 함유하는 광기록 매체 및 일반식(1)로 표시되는 이미드 화합물:
(식 중, 고리 AR은 치환 또는 비치환의 방향족환 잔기, 또는 2개 이상의 방향족환 잔기가 1개 이상의 연결기를 통해 결합하여 이루어지는 잔기를 나타내고, n은 고리 AR에 결합하는 이미드기의 개수를 나타내며, Am은 각 이미드기의 질소원자에 결합하는 치환기 A1∼An을 나타내고, m은 1∼n의 정수를 나타낸다. 단, A1∼An에서 선택되는 적어도 하나의 치환기는 1개 이상의 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기를 갖는 치환기이다).

Description

이미드 화합물 및 그 화합물을 사용하는 광기록 매체 {IMIDE COMPOUNDS AND OPTICAL RECORDING MEDIA MADE BY USING THE SAME}
컴팩트 디스크(이하, CD 라 함) 규격에 대응한 추기형 광기록 매체로서 CD-R(CD-Recordable)이 널리 보급되어 있다. CD-R의 기억 용량은 680MB 정도인데, 정보량의 비약적 증가와 함께 정보기록매체에 대한 고밀도화 및 대용량화에 대한 요구는 높아지고 있다.
기록매체의 고밀도화를 실행하는 수단으로는, 기록재생에 사용하는 레이저파장의 단파장화 및 대물렌즈의 개구수(N.A：Numerical Aperture)를 크게 함으로써 빔 스폿을 작게 하는 것을 들 수 있다. 그리고, 광디스크시스템에 이용되는 단파장레이저로서, 500㎚∼700㎚, 또한 630㎚∼690㎚ 전후, 구체적으로는 680㎚, 670㎚, 660㎚, 650㎚, 635㎚ 등의 적색 레이저가 실용화되고 있다. 이렇게 반도체 레이저의 단파장화, 대물렌즈 개구수의 대량화, 데이터 압축기술 등에 의해, 동화상 기록 및 대용량의 정보기록을 가능하게 한 광기록 매체의 제작이 가능해지고 있다. 오늘날까지 제안되어 있는 광기록 매체로는, 광자기 기록매체, 상변화 기록매체, 칼코겐산화물계 광기록 매체, 유기색소계 광기록 매체 등이 있는데, 이들 중에서 저렴하고 프로세스상 용이하다는 점에서 유기색소계 광기록 매체는 우위성을 갖는다고 생각된다. 이러한 상황을 근거로 CD보다도 고밀도이고 TV 품질 수준의 동화상의 기록재생이 가능한 광기록 매체로서, 보급되고 있는 시판되는 DVD 비디오플레이어나 DVD-ROM 플레이어로 재생할 수 있는 발진파장 630∼690㎚인 적색반도체 레이저로 기록을 하는 것이 가능한 추기형 광기록 매체로서 개발된 것이, 추기형 디지털 다목적 디스크(이하, DVD-R이라 함)이다. DVD-R은 3.9GB 또는 4.7GB의 기록용량을 갖는 1회 기록 가능한 광기록 매체로서, 특히 최근에는 편면 4.7GB 용량의 DVD-R 매체가 시장에 공급되기 시작했다. 그 DVD-R 매체도 시아닌계 색소, 아조계색소 등을 기록층에 사용하여 반사층을 형성한 적층구조를 채용하고 있으며, 0.6㎜ 두께의 기판을 2장 맞붙인 디스크 구조를 특징으로 하고 있다. 이 용량에 맞는 기록 특성이 양호한 광디스크에 관하여, 현재는 고속기록에 대응하는 매체개발이 활발히 진행되고 있다.
또한, 장래적으로는 보다 고밀도의 기록이 요구될 것이 예상되어, 그 정보량은 디스크 1장당 15∼30GB나 될 것이라 예상된다. 이 기록밀도를 실현하기 위한 수단으로서 보다 파장이 짧은 레이저를 사용하는 것은 피할 수 없다. 따라서, 장래의 유기색소계 광기록 매체에 사용하는 기록용 색소로는, 300㎚∼500㎚의 파장 범위에서 양호한 기록 특성을 갖는 색소가 바람직하다.
그런데, 유기색소를 기록층으로 한 DVD-R보다도 고밀도기록가능한 매체에 관하여 일본 공개특허공보 평10-302310호에는 발진파장 680㎚ 이하인 레이저를 사용하여 기록용량 8GB 이상의 밀도를 달성했다는 개시가 있다. 이 공보의 제안에서는 10∼177㎛ 두께의 광투과층 너머로 0.7 이상의 고개구수를 갖는 대물렌즈로 680㎚ 이하의 레이저광을 수렴함으로써 8GB 이상의 대용량 기록대용량 기록 있다.
한편으로, 최근 발진파장 390∼430㎚인 청색 레이저로서 GaN계 재료를 사용한 410㎚의 레이저나, 반도체 레이저와 광도파로소자의 조합에 의한 파장 425㎚의 SHG레이저가 개발되어 있으며[예를 들어 닛케이일렉트로닉스, No.708, p.117, 1998년 1월 26일호], 이러한 레이저에 맞춰 청색 반도체 레이저 대응 색소의 개발이 현재 전개되고 있다.
또, 1999년 초반부터 발진파장 400∼410㎚인 청자색 발광의 GaN계 반도체 레이저가 시공(니치아화학공업)됨에 있어서, 편면 15GB 이상의 고밀도 용량을 갖는 HDTV(high definition television) 방송 수준의 화질로 2시간 정도의 동화상 기록이 가능해지는 매체(이하, HD-DVD-R 매체라 함)의 검토가 시작되고 있다. 이러한 고밀도 용량을 갖는 HD-DVD-R 매체에서는, 현행 방송 수준의 화질이라면 6시간 정도의 녹화도 가능하기 때문에, 가정용 VTR을 대신하는 새로운 기록 미디어로서도 주목받고 있다. 이미 상변화계의 무기 기록막을 사용한 제안으로서 닛케이일렉트로닉스 1999년 9월 6일호(No.751)의 117페이지에 기술개요가 소개되어 있다.
현재, 400㎚∼500㎚의 청색 레이저로 기록할 수 있는 유기 색소 화합물로서, 일본 공개특허공보 평4-74690호, 평6-40161호, 2001-232945호, 2001-246851호, 2001-260536호 및 2001-301333호에 기재된 시아닌계 색소 화합물이나, 일본 공개특허공보 평7-304256호, 평7-304257호, 평8-127174호, 평11-334207호, 2001-39032호, 2001-80217호, 2001-84594호, 2001-138633호, 2001-138634호, 2001-143317호, 2001-180117호, 2001-181524호 및 2001-287462호에 기재된 포르피린계 색소 화합물 외에 일본 공개특허공보 평4-78576호 및 평4-89279호에 기재된 폴리엔계 색소 화합물, 일본 공개특허공보 평11-334204호, 평11-334205호 및 2001-271001호에 기재된 아조계 색소 화합물, 일본 공개특허공보 평11-304206호에 기재된 디시아노비닐페닐 색소 화합물, 일본 공개특허공보 2000-43423호 및 2001-96918호에 기재된 쿠마린 화합물, 일본 공개특허공보 2000-163799호에 기재된 피리미딘 화합물, 2000-228028호에 기재된 나프탈로시아닌 화합물, 2000-335110호에 기재된 헤테로 5원고리 화합물, 일본 공개특허공보 2000-343824호에 기재된 비스아졸 화합물, 일본 공개특허공보 2000-343825호에 기재된 아미노피리딘 화합물, 일본 공개특허공보 2001-63211호에 기재된 비스피리디늄 화합물, 일본 공개특허공보 2001-71638호 및 2001-328351호에 기재된 옥소놀 화합물, 일본 공개특허공보 2001-71639호 및 2002-2110호에 기재된 스티릴 화합물, 일본 공개특허공보 2001-146074호에 기재된 아미노부타디엔 화합물, 일본 공개특허공보 2001-158862호, 2001-214084호 및 2002-36727호에 기재된 금속킬레이트 화합물, 일본 공개특허공보 2001-232944호에 기재된 퀴논 화합물 또는 퀴논디메탄 화합물, 일본 공개특허공보 2001-234154호에 기재된 히드라존 화합물, 일본 공개특허공보 2001-277720호에 기재된 트리아진 화합물, 일본 공개특허공보 2001-287466호에 기재된 카르보스티릴 화합물 또는 나프틸리딘 화합물, 일본 공개특허공보 2001-301329호에 기재된 축합복소환 화합물, 일본 공개특허공보2002-2117호에 기재된 스틸벤 화합물 등이 제안되어 있다.
또, 기록층형성용 유기색소로서 포르피린계색소나 시아닌계 색소 등을 주로 하는 기록층 및 은을 주체로 하는 금속반사층의 2 층이 구성된 일본 공개특허공보 평11-53758호에 기재된 광기록 매체나, 매체구성을 연구한 것으로서 청색 레이저에 감응하는 시아닌계 색소를 함유한 청색 레이저감응색소층 및 적색 레이저감응색소층을 가짐으로써 2 파장영역의 기록을 가능하게 하는 일본 공개특허공보 평11-203729호에 기재된 광기록 매체나, 청색 레이저용색소 및 적색 레이저용색소의 2종의 색소를 혼합함으로써 2파장 영역의 기록을 가능하게 하는 인디고이드계 색소 화합물을 사용한 일본 공개특허공보 평11-78239호에 기재된 광기록 매체, 시아노에텐계색소를 사용한 일본 공개특허공보 평11-105423호에 기재된 광기록 매체, 스쿠아릴륨계 색소 화합물을 사용한 일본 공개특허공보 평11-110815호에 기재된 광기록 매체 등이 제안되어 있다.
한편, 400∼500㎚의 청색영역에서 유기색소막을 기록에 실행하는 예로서, 일본 공개특허공보 평7-304256호, 평7-304257호에서는, 포르피린계 화합물의 중심금속에 배위하는 분자 화합물 및 고분자, 혹은 중심금속을 배위하는 분자구조를 측쇄에 갖는 고분자와 혼합함으로써 그 포르피린계 화합물의 소레(Soret)대를 장파장측으로 시프트시켜 488㎚의 Ar 레이저에 대응시키는 동시에 스핀코팅에 의한 막형성을 가능하게 하여 제조비용의 저감을 도모하는 제안이 되어 있다. 또, 일본 공개특허공보 평4-78576호, 평4-89279호 등에 개시된 폴리엔계 색소 화합물은 본 발명자들의 검토에 따르면 광안정성이 나빠, 실용화에는 켄처의 블렌드 등의 연구가필요하다.
최근의 상황으로서, 파장 400㎚∼410㎚의 청자색반도체 레이저의 실용화에 목표를 두고 그 레이저를 사용한 대용량 추기형 광기록 매체가 활발히 개발되어 특히 고내광성이나 양호한 고속기록 특성을 갖는 색소의 개발이 요망되고 있다.
그러나, 상기 서술한 광기록 매체에서는 파장 400㎚∼410㎚의 레이저광에 대하여 충분히 적응되어 있지 않은 것이 실정이다. 즉, 상기 서술한 유기색소를 사용한 매체에서는 기록한 신호의 재생에 관해 반송파와 잡음의 비(C/N)가 꼭 양호한 값은 아니기 때문에, 신호의 독출을 반드시 만족스럽게 실행할 수 없다는 등의 문제를 우리는 알아내었다. 이 문제를 극복하여 파장 400㎚∼410㎚의 레이저광으로 고밀도기록재생가능한 광기록 매체의 개발이 급선무로 되어 있다.
본 발명자들은, 광기록 매체에 적합한 기록재료에 관해 검토한 결과, 다음 2점의 지견을 얻었다.
(1) 대용량 광기록 매체는 기록의 기입 및 독출에 300∼500㎚의 레이저광을 이용하기 때문에 기록재료로는 레이저파장 근방에서의 흡광계수, 굴절률, 반사율의 제어가 중요하다.
(2) 상기한 바와 같이 그 레이저를 사용한 대용량 광기록 매체가 활발히 개발되어 특히 고내광성이나 양호한 고속기록 특성을 갖는 색소의 개발이 요망되고 있음에도 불구하고 그 파장영역의 레이저광에 대하여 기록재생이 가능한 기록재료로서 상기 서술한 색소 화합물은 아직 충분한 특성을 얻고 있지 않아, 개선의 여지가 있다는 것이 현상황이다. 또, 기록막형성이 간편한 스핀코트법 등의 도포법에 의한 매체제조시에는, 유리한 특성의 하나로서 도포용매에 대한 고용해성을 갖는 것을 들 수 있으며, 이 점에 대해서도 배려할 필요가 있다.
또, 일반적으로 기록용량의 증대를 도모하기 위해 보다 고밀도로 기록을 행할 필요가 있어, 그 때문에 기록에 사용하는 광학빔을 죄기 위한 대물렌즈의 개구수를 높여 광학계의 레이저파장을 보다 단파장화하는 것이 필수가 된다. 그러나, 조인 광학빔은 회절한계에서 그 최소의 빔직경이 정해진다.
그런데, 기록은 빔 강도가 어느 임계값을 초과한 시점에서 이루어지므로, 도 1(a)에 나타낸 바와 같이 조인 빔 스폿보다도 작은 기록피트가 얻어진다. 이 기록피트의 주위는 빔의 강도피크의 완만한 부분에 상당하는데, 보다 단파장화가 진행되는 현상황에서는 기록피트의 주위에서도 기록층의 광화학 반응을 조장하고, 특히 상기 서술한 청자색 레이저의 파장영역에서는 유기 화합물의 광화학 반응이 용이하게 발생하는 파장영역이 되기 때문에, 기록시에는 피트에지가 열화되고 신호특성이 악화된다는 문제가 있다. 즉, 도 1(b)에 나타낸 바와 같이, 본래 사각형파에 대응하여 형성해야만 하는 기록정보[도 1(b)의 실선)]가 피트에지의 열화에 의해 브로드한 파형[도 1(b)의 파선부)]이 되게 된다. 또, 기록시와 동일한 청자색레이저파장으로 재생하면, 재생광과 같은 미약한 광조사로도 광반응이 촉진되어 재생할 때마다 열화가 진행된다는 문제도 있어, 상기 일본 공개특허공보 평7-304256호, 평7-304257호에서도 기록광과 재생광을 상이한 파장, 실질적으로는 재생광을 기록광보다도 장파장으로 하는 대책을 강구해야만 하여, 결과적으로 충분한 고밀도화의 요구에 응할 수 없는 것이 현상황이다. 또, 기록파장과 재생광파장을 다르게 하는 것은 기록장치와 재생장치를 개별로 준비하거나 하나의 장치에 2개의 광학계 및 그 제어계를 설치해야 하여, 광기록 매체로서의 용도가 한정되거나 장치의 대형화, 비용의 증대를 초래하여, 범용성이 부족해진다. 또, 종래 CD-R 등의 광기록 매체에서는 유기색소막의 융점, 승화점, 상전이점 혹은 열분해점 등의 물성상 명확한 열적 임계값을 경계로 기록의 온·오프가 이루어져 온 것에 반해, 청자색레이저여기에 의한 광열화모드의 개재는 이 콘트라스트를 애매하게 하여, 특히 광학빔보다도 작은 세밀기록피트를 형성해야 하는 고밀도기록계에서는 현저하게 기록신호품위를 손상시킬 우려가 있었다.
여기에서 파장 400∼700㎚인 가시광영역에서 유기색소막을 기록에 실행하는 예로서, 일본 특허공표 2002-501497호에 기재된 페릴렌계 화합물을 사용한 기록·소거가 가능한 광기록 매체를 들 수 있다. 또, 일본 공개특허공보 평10-6645호에도 파장 620∼690㎚인 레이저광을 사용하여 유연 페릴렌계 화합물을 기록층으로 사용한 매체에 관해 기재되어 있다. 그러나, 이들 화합물은 광안정성이나 파장 400∼410㎚의 청자색레이저에 의한 기록에서도 신호특성에 관해 아직 충분하지 않다는 것을 알아내었다.
또, 파장 400∼500㎚인 레이저에 의한 기록이 가능한 유기색소를 사용한 광기록 매체로서, 일본 공개특허공보 2000-113504호에 기재된 나프탈렌이미드 화합물을 사용한 광기록 매체를 들 수 있다. 그러나, 이 화합물은 광안정성에 관해서는 아직 만족할 만한 것은 아니며, 추가적인 개선이 필요하다는 것을 알아내었다.
본 발명은 광기록 매체에 관한 것으로, 특히 가시 레이저의 일종인 청색 레이저광에 의해 기록재생가능한 광기록 매체에 관한 것이다. 또한 본 발명은 신규 이미드 화합물에 관한 것이다.
도 1 은, 본 발명의 과제를 설명하는 개념도이다.
도 2 는, 본 발명의 광기록 매체의 일 구성예를 나타내는 모식도이다.
도 3 은, 본 발명의 광기록 매체의 다른 일 구성예를 나타내는 모식도이다.
도 4 는, 본 발명의 광기록 매체의 또 다른 일 구성예를 나타내는 모식도이다.
도 5 는, 본 발명의 광기록 매체의 다른 일 구성예를 나타내는 모식도이다.
도 6 은, 본 발명의 광기록 매체의 또 다른 일 구성예를 나타내는 모식도이다.
도 7 은, 본 발명의 광기록 매체의 또 다른 일 구성예를 나타내는 모식도이다.
(발명의 개시)
본 발명의 목적은, 파장 300㎚∼900㎚ 범위의 레이저광, 특히 파장 400㎚∼410㎚ 범위에서 선택되는 청자색레이저광으로 양호한 기록 및 재생이 가능한 초고밀도 기록에 적합한 기록층을 갖는 광기록 매체를 제공하는 것에 있다. 또, 그 광기록 매체에 적합하게 사용할 수 있는 신규 화합물을 제공하는 것이다.
본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 예의검토를 거듭한 결과, 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 즉, 본 발명은,
(1) 메탈로센 잔기를 갖는 이미드 화합물로부터 1종 이상의 화합물을 선택하여 기록층에 함유하는 광기록 매체,
(2) 적어도 하나의 이미드기의 질소원자에, 메탈로센 잔기를 갖는 치환기로 치환하여 이루어지는 이미드 화합물로부터, 1종 이상의 화합물을 선택하여 기록층에 함유하는 광기록 매체,
(3) 이미드 화합물이 하기 일반식 (1) 로 표시되는 광기록 매체:
(식 중, 고리 AR은 치환 또는 비치환의 방향족환 잔기, 또는 2개 이상의 방향족환 잔기가 1개 이상의 연결기를 통해 결합하여 이루어지는 잔기를 나타내고, n은 고리 AR에 결합하는 이미드기의 개수를 나타내고, Am은 각 이미드기의 질소원자에 결합하는 치환기 A1∼An을 나타내고, m은 1∼n의 정수를 나타낸다. 단, A1∼An에서 선택되는 적어도 하나의 치환기는 1개 이상의 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기를 갖는 치환기이다.),
(4) 치환기 A1∼An에서 선택되는 적어도 하나의 치환기가 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기를 갖는 치환 또는 비치환의 방향족환기인 광기록 매체,
(5) 치환 또는 비치환의 방향족환기가 치환 또는 비치환의 페닐기인 상기 (4)의 광기록 매체,
(6) 이미드 화합물이 하기 일반식 (2) 로 표시되는 광기록 매체:
(식 중, 고리 AR1은 방향족환 잔기, 또는 2개 이상의 방향족환 잔기가 1개 이상의 연결기를 통해 결합하여 이루어지는 잔기를 나타내고, n1및 n2는 각각 독립하여 0 또는 1을 나타내고, A11, A21, A31은 각 이미드기의 질소원자에 결합하는 치환기를 나타내고, A11∼A31에서 선택되는 적어도 하나의 치환기는 1개 이상의 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기를 갖는 치환기이다.),
(7) 치환기 A11∼A31에서 선택되는 적어도 하나의 치환기가, 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기를 갖는 치환 또는 비치환의 방향족환기인 광기록 매체,
(8) 치환 또는 비치환의 방향족환기가 치환 또는 비치환의 페닐기인 광기록 매체,
(9) 이미드 화합물이 하기 일반식 (3) 으로 표시되는 광기록 매체:
(식 중, R1, R2, R11∼R15, R21∼R25는 각각 독립하여 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실기, 메르캅토기, 카르복실기, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아미노기, 치환 또는 비치환의 아실기, 치환 또는 비치환의 아실옥시기, 치환 또는 비치환의 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아미노카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시기, 치환 또는 비치환의 알케닐티오기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시카르보닐기, 헤테로아릴티오기, 또는 치환 또는 비치환의 메탈로세닐기를 나타내고, 또한 R11∼R15의 조합 및/또는 R21∼R25의 조합에 있어서 각 조합 내에서 선택되는 2개 이상의 치환기가 동일한 조합 내에서 서로 독립하여 연결기를 통해 결합되어, 치환되어 있는 탄소 원자와 함께 고리구조를 형성할 수도 있고, G41, G42는 단결합, 치환 또는 비치환의 2가 지방족 탄화수소기, 치환 또는 비치환의 2가 방향족환기에서 1개 이상 선택하여 이루어지는 2가의 연결기를 나타내며, n4는 0 또는 1을 나타내고, R1, R2중 적어도 하나는 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기가 치환 또는 비치환의 2가 지방족 탄화수소기, 치환 또는 비치환의 2가 방향족환기에서 1개 이상 선택하여 이루어지는 2가 연결기를 통해 이미드기의 질소원자와 결합한 기를 나타낸다),
(10) 이미드 화합물이 하기 일반식 (4) 로 표시되는 (1)∼(8) 중 어느 하나에 기재된 광기록 매체:
(식 중, R3, R4, R31∼R33, R41∼R43은 각각 독립하여 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실기, 메르캅토기, 카르복실기, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아미노기, 치환 또는 비치환의 아실기, 치환 또는 비치환의 아실옥시기, 치환 또는 비치환의 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아미노카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시기, 치환 또는 비치환의 알케닐티오기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시카르보닐기, 헤테로아릴티오기, 또는 치환 또는 비치환의 메탈로세닐기를 나타내고, 또한 R31∼R33의 조합 및/또는 R41∼R43의 조합에 있어서 각 조합 내에서 선택되는 2개 이상의 치환기가 동일한 조합 내에서 서로 독립하여 연결기를 통해 결합되어, 치환되어 있는 탄소 원자와 함께 고리구조를 형성할 수도 있고, G51, G52는 단결합, 치환 또는 비치환의 2가 지방족 탄화수소기, 치환 또는 비치환의 2가 방향족환기에서 1개 이상 선택하여 이루어지는 2가의 연결기를 나타내며, n5는 0 또는 1을 나타내고, R3, R4중 적어도 하나는 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기가 치환 또는 비치환의 2가 지방족 탄화수소기, 치환 또는 비치환의 2가 방향족환기에서 1개 이상 선택하여 이루어지는 2가 연결기를 통해 이미드기의 질소원자와 결합한 기를 나타낸다),
(11) 이미드 화합물이 하기 일반식 (5) 로 표시되는 화합물인 광기록 매체:
(식 중, R501∼R510은 각각 독립하여 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실기, 메르캅토기, 카르복실기, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기, 치환또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아미노기, 치환 또는 비치환의 아실기, 치환 또는 비치환의 아실옥시기, 치환 또는 비치환의 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아미노카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시기, 치환 또는 비치환의 알케닐티오기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴티오기, 또는 치환 또는 비치환의 메탈로세닐기를 나타내고, 또한 R501∼R510의 조합 내에서 선택되는 2개 이상의 치환기가 서로 독립하여 연결기를 통해 결합되어, 치환되어 있는 탄소 원자와 함께 고리구조를 형성할 수도 있고, R5는 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기가 치환 또는 비치환의 2가 지방족 탄화수소기, 치환 또는 비치환의 2가 방향족환기에서 1개 이상 선택하여 이루어지는 2가의 연결기를 통하여 이미드기의 질소원자와 결합한 기를 나타내며, X1및 X2는 0∼2의 정수를 나타낸다.),
(12) 이미드 화합물이 하기 일반식 (6) 으로 표시되는 화합물인 광기록 매체:
(식 중, R601∼R608은 각각 독립하여 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실기, 메르캅토기, 카르복실기, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아미노기, 치환 또는 비치환의 아실기, 치환 또는 비치환의 아실옥시기, 치환 또는 비치환의 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아미노카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시기, 치환 또는 비치환의 알케닐티오기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴티오기, 또는 치환 또는 비치환의 메탈로세닐기를 나타내고, 또한 R601∼R604의 조합 및/또는 R605∼R608의 조합에 있어서 각 조합 내에서 선택되는 2개 이상의 치환기가 동일한 조합 내에서 서로 독립하여 연결기를 통하여 결합되어, 치환되어 있는 탄소 원자와 함께 고리구조를 형성할 수도 있고, R61및 R62는 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기가 치환 또는 비치환의 2가 지방족 탄화수소기, 치환 또는 비치환의 2가 방향족환기에서 1개 이상 선택하여 이루어지는 2가의 연결기를 통하여 이미드기의 질소원자와 결합한 기를 나타내며, X3및 X4는 0∼2의 정수를 나타낸다.),
(13) 이미드 화합물이 하기 일반식 (7) 로 표시되는 나프탈렌디이미드 화합물인 광기록 매체:
(식 중, R701∼R714는 각각 독립하여 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실기, 메르캅토기, 카르복실기, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아미노기, 치환 또는 비치환의 아실기, 치환 또는 비치환의 아실옥시기, 치환 또는 비치환의 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아미노카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시기, 치환 또는 비치환의 알케닐티오기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴티오기, 또는 치환 또는 비치환의 메탈로세닐기를 나타내고, 또한 R701∼R705의 조합 및/또는 R706∼R710의 조합 및/또는 R711∼R715의 조합에 있어서 각 조합 내에서 선택되는 2개 이상의 치환기가 동일한 조합 내에서 서로 독립하여 연결기를 통해 결합되어, 치환되어 있는 탄소 원자와 함께 고리구조를 형성할 수도 있다. 단, R701및 R710에서 선택되는 어느 1개 이상의 기는 치환 또는 비치환의 메탈로세닐기를 나타낸다.),
(14) R711∼R714중 어느 1개 이상의 기가 할로겐 원자인 상기 화합물 (7)의 광기록 매체,
(15) 이미드 화합물이 퀴나졸린 잔기를 갖는 이미드 화합물인 광기록 매체,
(16) 이미드 화합물이 호변가능한 구조의 하나로서 하기 일반식 (8) 로 표시되는 화합물인 광기록 매체:
(식 중, 고리 AR2, 고리 AR3은 치환 또는 비치환의 방향족환 잔기, 또는 2개 이상의 방향족환 잔기가 1개 이상의 연결기를 통해 결합하여 이루어지는 잔기를 나타내고, R8은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, n8은 고리 AR2및/또는 고리 AR3에 결합하는 이미드기의 개수를 나타내고, Bb는 각 이미드기의 질소원자에 결합하는 치환기 B1∼Bn8을 나타내고, b는 1∼n8의 정수를 나타낸다. 단, B1∼Bn8에서 선택되는 적어도 하나의 치환기는 1개 이상의 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기를 갖는 치환기이다.),
(17) 이미드 화합물이 호변가능한 구조의 하나로서, 하기 일반식 (9) 로 표시되는 퀴나졸린-4-온 잔기를 갖는 화합물인 광기록 매체:
(식 중, 고리 AR4는 치환 또는 비치환의 방향족환 잔기, 또는 2개 이상의 방향족환 잔기가 1개 이상의 연결기를 통해 결합하여 이루어지는 잔기를 나타내고, R9는 수소 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기를 나타내고, R901∼R904는 각각 독립하여 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실기, 메르캅토기, 카르복실기, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아미노기, 치환 또는 비치환의 아실기, 치환 또는 비치환의 아실옥시기, 치환 또는 비치환의 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아미노카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시기,치환 또는 비치환의 알케닐티오기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴티오기, 또는 치환 또는 비치환의 메탈로세닐기를 나타내고, 또한 R901∼R904의 조합으로부터 선택되는 2개 이상의 치환기가, 서로 독립적으로 연결기를 통해 결합되어, 치환되어 있는 탄소 원자와 함께 고리구조를 형성할 수도 있으며, R91은, 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기가 치환 또는 비치환의 2가의 지방족 탄화수소기, 치환 또는 비치환의 2가의 방향족환기로부터 1개 이상 선택하여 이루어지는 2가의 연결기를 통해 이미드기의 질소원자와 결합된 기를 나타낸다),
(18) 이미드 화합물이 호변가능한 구조의 하나로서, 일반식 (10)으로 표시되는 퀴나졸린-4-온 잔기를 갖는 화합물인 광기록 매체:
(식 중, R100은, 수소 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기를 나타내고, R101∼R111은, 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실기, 메르캅토기,카르복실기, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아미노기, 치환 또는 비치환의 아실기, 치환 또는 비치환의 아실옥시기, 치환 또는 비치환의 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아미노카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시기, 치환 또는 비치환의 알케닐티오기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시카르보닐기, 헤테로아릴티오기, 또는 치환 또는 비치환의 메탈로세닐기를 나타내고, 또한 R101∼R105의 조합 및/또는 R106∼R109의 조합에 있어서, 각 조합내로부터 선택되는 2개 이상의 치환기가, 동일한 조합내에서 서로 독립적으로 연결기를 통해 결합되어, 치환되어 있는 탄소 원자와 함께 고리구조를 형성할 수도 있다. 단, R101∼R105로부터 선택되는 어느 1개 이상의 기는, 치환 또는 비치환의 메탈로세닐기를 나타낸다),
(19) 이미드 화합물이 호변가능한 구조의 하나로서, 일반식 (11)로 표시되는퀴나졸린-4-온 잔기를 갖는 화합물인 광기록 매체:
(식 중, R200은, 수소 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기를 나타내고, R201∼R213은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실기, 메르캅토기, 카르복실기, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아미노기, 치환 또는 비치환의 아실기, 치환 또는 비치환의 아실옥시기, 치환 또는 비치환의 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아미노카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시기, 치환 또는 비치환의 알케닐티오기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시카르보닐기, 헤테로아릴티오기, 또는 치환 또는 비치환의 메탈로세닐기를 나타내고, 또한 R201∼R205의 조합, 및/또는 R206∼R209, 및/또는 R210∼R211, 및/또는 R212∼R213의 조합에 있어서, 각 조합내로부터 선택되는 2개 이상의 치환기가, 동일한 조합내에서 서로 독립적으로 연결기를 통해 결합되어, 치환되어 있는 탄소 원자와 함께 고리구조를 형성할 수도 있다. 단, R201∼R205로부터 선택되는 어느 1개 이상의 기는, 치환 또는 비치환의 메탈로세닐기를 나타낸다),
(20) 파장 300㎚∼900㎚ 의 범위에서 선택되는 레이저광에 의해 기록 및 재생이 가능한 광기록 매체,
(21) 파장 390㎚∼430㎚ 의 범위에서 선택되는 레이저광에 의해 기록 및 재생이 가능한 광기록 매체,
(22) 파장 400㎚∼410㎚ 의 범위에서 선택되는 레이저광에 의해 기록 및 재생이 가능한 광기록 매체,
(23) 하기 일반식 (1) 로 표시되는 이미드 화합물:
(식 중, 고리 AR 은 치환 또는 비치환의 방향족환 잔기, 또는 2개 이상의 방향족환 잔기가 1개 이상의 연결기를 통해 결합되어 이루어지는 잔기를 나타내고, n은 고리 AR 에 결합되는 이미드기의 개수를 나타내고, Am은 각 이미드기의 질소원자에 결합되는 치환기 A1∼An을 나타내며, m 은 1∼n 의 정수를 나타낸다. 단, A1∼An로부터 선택되는 적어도 1개의 치환기는, 1개 이상의 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기를 갖는 치환기이다),
(24) 치환기 A1∼An로부터 선택되는 적어도 1개의 치환기가, 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기를 갖는 치환 또는 비치환의 방향족환기인 식 (1)의 화합물,
(25) 치환 또는 비치환의 방향족환기가, 치환 또는 비치환의 페닐기인 식 (1)의 화합물,
(26) 하기 일반식 (2)로 표시되는 이미드 화합물:
(식 중, 고리 AR1은 방향족환 잔기, 또는 2개 이상의 방향족환 잔기가 1개이상의 연결기를 통해 결합되어 이루어지는 잔기를 나타내고, n1및 n2은 각각 독립적으로 O 또는 1 을 나타내고, A11, A21, A31는 각 이미드기의 질소원자에 결합하는 치환기를 나타내고, A11∼A31로부터 선택되는 적어도 1개의 치환기는, 1개 이상의 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기를 갖는 치환기이다),
(27) 치환기 A11∼A31로부터 선택되는 적어도 1개의 치환기가, 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기를 갖는 치환 또는 비치환의 방향족환기인 식 (2)의 화합물,
(28) 치환 또는 비치환의 방향족환기가, 치환 또는 비치환의 페닐기인 식 (2)의 화합물,
(29) 하기 일반식 (3) 으로 표시되는 이미드 화합물:
(식 중, R1, R2, R11∼R15, R21∼R25은 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실기, 메르캅토기, 카르복실기, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환또는 비치환의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아미노기, 치환 또는 비치환의 아실기, 치환 또는 비치환의 아실옥시기, 치환 또는 비치환의 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아미노카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시기, 치환 또는 비치환의 알케닐티오기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시카르보닐기, 헤테로아릴티오기, 또는 치환 또는 비치환의 메탈로세닐기를 나타내고, 또한 R11∼R15의 조합 및/또는 R21∼R25의 조합에 있어서, 각 조합내로부터 선택되는 2개 이상의 치환기가, 동일한 조합내에서 서로 독립적으로 연결기를 통해 결합되어, 치환되어 있는 탄소 원자와 함께 고리구조를 형성할 수도 있으며, G41, G42는 단결합, 치환 또는 비치환의 2가의 지방족 탄화수소기, 치환 또는 비치환의 2가의 방향족환기로부터 1개 이상 선택하여 이루어지는 2가의 연결기를 나타내고, n4은 O 또는 1 을 나타내고, R1, R2중 적어도 1개는, 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기가 치환 또는 비치환의 2가의 지방족 탄화수소기, 치환 또는 비치환의 2가의 방향족환기로부터 1개 이상 선택하여 이루어지는 2가의 연결기를 통해 이미드기의 질소원자와 결합된기를 나타낸다),
(30) 하기 일반식 (4) 로 표시되는 이미드 화합물:
(식 중, R3, R4, R31∼R33, R41∼R43은 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실기, 메르캅토기, 카르복실기, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아미노기, 치환 또는 비치환의 아실기, 치환 또는 비치환의 아실옥시기, 치환 또는 비치환의 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아미노카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시기, 치환 또는 비치환의 알케닐티오기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시카르보닐기, 헤테로아릴티오기, 또는 치환 또는 비치환의 메탈로세닐기를 나타내고, 또한 R31∼R33의 조합 및/또는 R41∼R43의 조합에 있어서, 각 조합내에서 선택되는 2개 이상의 치환기가, 동일한 조합내에서 서로 독립적으로 연결기를 통해 결합되어, 치환되어 있는 탄소 원자와 함께 고리구조를 형성할 수도 있으며, G51, G52는 단결합, 치환 또는 비치환의 2가의 지방족 탄화수소기, 치환 또는 비치환의 2가의 방향족환기로부터 1개 이상 선택하여 이루어지는 2가의 연결기를 나타내고, n5은 O 또는 1 을 나타내고, R3, R4중 적어도 1개는, 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기가 치환 또는 비치환의 2가의 지방족 탄화수소기, 치환 또는 비치환의 2가의 방향족환기로부터 1개 이상 선택하여 이루어지는 2가의 연결기를 통해 이미드기의 질소원자와 결합된 기를 나타낸다),
(31) 하기 일반식 (5)로 표시되는 이미드 화합물:
(식 중, R501∼R510은 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기,시아노기, 히드록실기, 메르캅토기, 카르복실기, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아미노기, 치환 또는 비치환의 아실기, 치환 또는 비치환의 아실옥시기, 치환 또는 비치환의 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아미노카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시기, 치환 또는 비치환의 알케닐티오기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시카르보닐기, 헤테로아릴티오기, 또는 치환 또는 비치환의 메탈로세닐기를 나타내고, 또한 R501∼R510의 조합내로부터 선택되는 2개 이상의 치환기가, 서로 독립적으로 연결기를 통해 결합되어, 치환되어 있는 탄소 원자와 고리구조를 형성할 수도 있으며, R5은, 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기가 치환 또는 비치환의 2가의 지방족 탄화수소기, 치환 또는 비치환의 2가의 방향족환기로부터 1개 이상 선택하여 이루어지는 2가의 연결기를 통해 이미드기의 질소원자와 결합된 기를 나타내고, X1및 X2는 O∼2 의 정수를 나타낸다),
(32) 하기 일반식 (6) 으로 표시되는 이미드 화합물:
(식 중, R601∼R608은 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실기, 메르캅토기, 카르복실기, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아미노기, 치환 또는 비치환의 아실기, 치환 또는 비치환의 아실옥시기, 치환 또는 비치환의 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아미노카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시기, 치환 또는 비치환의 알케닐티오기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴티오기, 또는 치환 또는 비치환의 메탈로세닐기를 나타내고, 또한 R601∼R604의 조합 및/또는 R605∼R608의 조합에 있어서, 각 조합내로부터 선택되는 2개 이상의 치환기가, 동일한 조합내에서 서로 독립적으로 연결기를 통해 결합되어, 치환되어 있는 탄소 원자와 함께 고리구조를 형성할 수도 있으며, R61및 R62은 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기가 치환 또는 비치환의 2가의 지방족 탄화수소기, 치환 또는 비치환의 2가의 방향족환기로부터 1개 이상 선택하여 이루어지는 2가의 연결기를 통해 이미드기의 질소원자와 결합한 기를 나타내고, X3및 X4는 O∼2 의 정수를 나타낸다),
(33) 하기 일반식 (7) 로 표시되는 이미드 화합물:
(식 중, R701∼R714은 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실기, 메르캅토기, 카르복실기, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기,치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아미노기, 치환 또는 비치환의 아실기, 치환 또는 비치환의 아실옥시기, 치환 또는 비치환의 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아미노카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시기, 치환 또는 비치환의 알케닐티오기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴티오기, 또는 치환 또는 비치환의 메탈로세닐기를 나타내고, 또한 R701∼R705의 조합, 및/또는 R706∼R710의 조합, 및/또는 R711∼R715의 조합에 있어서, 각 조합내로부터 선택되는 2개 이상의 치환기가, 동일한 조합내에서 서로 독립적으로 연결기를 통해 결합되어, 치환되어 있는 탄소 원자와 함께 고리구조를 형성할 수도 있다. 단, R701∼R710로부터 선택되는 어느 1개 이상의 기는, 치환 또는 비치환의 메탈로세닐기를 나타낸다),
(34) R711∼R714중 어느 1개 이상의 기가 할로겐 원자인 식 (7)의 화합물,
(35) 퀴나졸린 잔기를 갖는 이미드 화합물,
(36) 하기 일반식 (8) 로 표시되는 화합물:
(식 중, 고리 AR2, 고리 AR3은 치환 또는 비치환의 방향족환 잔기, 또는 2개 이상의 방향족환 잔기가 1개 이상의 연결기를 통해 결합되어 이루어지는 잔기를 나타내고, R8은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, n8은 고리 AR2및/또는 고리 AR3에 결합되는 이미드기의 개수를 나타내고, Bb는 각 이미드기의 질소원자에 결합되는 치환기 B1∼Bn8를 나타내고, b 는 1∼n8의 정수를 나타낸다. 단, B1∼Bn8로부터 선택되는 적어도 1개의 치환기는, 1개 이상의 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기를 갖는 치환기이다),
(37) 이미드 화합물이 호변가능한 구조의 하나로서, 하기 일반식 (9) 로 표시되는 퀴나졸린-4-온 잔기를 갖는 화합물:
(식 중, 고리 AR4은 치환 또는 비치환의 방향족환 잔기, 또는 2개 이상의 방향족환 잔기가 1개 이상의 연결기를 통해 결합되어 이루어지는 잔기를 나타내고, R9은, 수소 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기를 나타내고, R901∼R904은 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실기, 메르캅토기, 카르복실기, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아미노기, 치환 또는 비치환의 아실기, 치환 또는 비치환의 아실옥시기, 치환 또는 비치환의 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아미노카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시기, 치환 또는 비치환의 알케닐티오기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시카르보닐기, 헤테로아릴티오기, 또는 치환 또는 비치환의 메탈로세닐기를 나타내고, 또한 R901∼R904의 조합으로부터 선택되는 2개 이상의 치환기가, 서로 독립적으로 연결기를 통해 결합되어, 치환되어 있는 탄소 원자와 함께 고리구조를 형성할 수도 있으며, R91은, 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기가, 치환 또는 비치환의 2가의 지방족 탄화수소기, 치환 또는 비치환의 2가의 방향족환기로부터 1개 이상 선택하여 이루어지는 2가의 연결기를 통해 이미드기의 질소원자와 결합된 기를 나타낸다),
(38) 이미드 화합물이 호변가능한 구조의 하나로서, 하기 일반식 (10)으로 표시되는 퀴나졸린-4-온 잔기를 갖는 화합물:
(식 중, R100은, 수소 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기를 나타내고, R101∼R111은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실기, 메르캅토기, 카르복실기, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아미노기, 치환 또는 비치환의 아실기, 치환 또는 비치환의 아실옥시기, 치환 또는 비치환의 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아미노카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시기, 치환 또는 비치환의 알케닐티오기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시카르보닐기, 헤테로아릴티오기, 또는 치환 또는 비치환의 메탈로세닐기를 나타내고, 또한 R101∼R105의 조합 및/또는 R106∼R109의 조합에 있어서, 각 조합내로부터 선택되는 2개 이상의 치환기가, 동일한 조합내에서 서로 독립적으로 연결기를 통해 결합되어, 치환되어 있는 탄소 원자와 함께 고리구조를 형성할 수도 있다. 단, R101∼R105로부터 선택되는 어느 1개 이상의 기는, 치환 또는 비치환의 메탈로세닐기를 나타낸다),
(39) 이미드 화합물이 호변가능한 구조의 하나로서, 하기 일반식 (11)로 표시되는 퀴나졸린-4-온 잔기를 갖는 화합물:
(식 중, R200은, 수소 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기를 나타내고, R201∼R213은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실기, 메르캅토기, 카르복실기, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아미노기, 치환 또는 비치환의 아실기, 치환 또는 비치환의 아실옥시기, 치환 또는 비치환의 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아미노카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시기, 치환 또는 비치환의 알케닐티오기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시카르보닐기, 헤테로아릴티오기, 또는 치환 또는 비치환의 메탈로세닐기를 나타내고, 또한 R201∼R205의 조합, 및/또는 R206∼R209및/또는 R210∼R211, 및/또는 R212∼R213의 조합에 있어서, 각 조합내로부터 선택되는 2개 이상의 치환기가, 동일한 조합내에서 서로 독립적으로 연결기를 통해 결합되어, 치환되어 있는 탄소 원자와 함께 고리구조를 형성할 수도 있다. 단, R201∼R205로부터 선택되는 어느 1개 이상의 기는, 치환 또는 비치환의 메탈로세닐기를 나타낸다) 에 관한 것이다.
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
본 발명은, 광기록 매체의 기록층 중에 본 발명의 이미드 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 광기록 매체에 관한 것이며, 파장 300㎚∼900㎚, 특히 파장 390㎚∼430㎚, 나아가서는 파장 400㎚∼410㎚ 의 범위에서 선택되는 레이저광에 의해 기록 및 재생이 가능한 신규한 광기록 매체 및 신규한 이미드 화합물에 관한 것이다.
본 발명에 관계된 광기록 매체란, 정보를 기록하여 재생할 수 있는 광기록 매체를 나타내는 것이다. 단, 여기서는 적합한 예로서 기판상에 기록층, 반사층을 갖는 본 발명의 광기록 매체에 관해 설명한다. 또한, 이하의 설명에서는, 광기록 매체로서 광디스크로, 지지 기판상에 예컨대, 안내홈과, 이 안내홈 상에 반사막과 유기색소를 주성분으로 하는 기록층을 갖고, 파장 300∼500㎚ 의 레이저광을 조사하여 신호의 기록재생을 실행하는 매체에 관해 설명하지만, 본 발명의 광기록 매체는, 이러한 형상이나 구성에 한정되는 것이 아니라, 카드 형상, 시트 형상 등 기타 각종 형상의 것, 또 반사층을 갖지 않은 것, 나아가 장래 개발될 보다 단파장의 레이저에서의 기록재생에도 적용할 수 있는 것이다.
본 발명의 광기록 매체는, 예컨대, 도 2에 나타내는 기판(1), 기록층(2), 반사층(3) 및 보호층(4)이 순차적으로 적층되어 있는 4층 구조를 갖고 있거나, 도 3에 나타내는 바와 같은 접합 구조를 갖고 있다. 즉, 기판(1)상에 기록층(2)이 형성되어 있고, 그 위에 밀착해서 반사층(3)이 형성되고 있으며, 또한 그 위에 접착층(5)을 통해 보호층(4)이 접합되어 있다. 단, 기록층(2)의 아래 또는 위에 별도의 층이 있을 수도 있으며, 반사층(3)상에 별도의 층이 있어도 상관없다.또, 도 4에 나타내는 바와 같이, 기판(1), 반사층(3), 기록층(2), 보호층(4)의 순서로 적층되며, 보호층 측에서 기록재생하는 구조일 수도 있다. 또, 일본 공개특허공보 평10-326435호에 기재된 바와 같이, 광투과층의 두께가 광학계의 개구수 N.A. 및 레이저파장 λ에 의해 규정된 매체 구조이더라도 상관없다. 또, 본 발명의 광기록 매체는, 필요에 따라 일본 공개특허공보 평11-203729호에 기재된 바와 같이 기록층을 2종 이상 갖는 구조이더라도 상관없다.
또, 본 발명을 광디스크에 적용시킨 예로서, 도 5에 나타내는 바와 같이, 기판(11), 기록층(12), 반사층(13) 및 보호층(14)이 이 순서로 적층되며, 또한 접착층을 겸하는 보호층(14)상에 더미기판(15)을 접합시킨 것을 들 수 있다. 물론, 기판(15)이 없는 구성일 수도 있으며, 기판(11)과 기록층(12) 사이, 기록층(12)과 반사층(13) 사이, 반사층(13)과 보호층(14) 사이, 보호층(14)과 더미기판(15) 사이에 다른 층이 존재하고 있을 수도 있다. 도 5의 광디스크에 있어서는, 기판(11)측에서 기록재생이 실행된다.
또, 다른 실시형태로서, 일본 공개특허공보 평10-302310호에 개시된 구성, 예컨대, 도 6에 나타내는 바와 같이, 안내홈에 형성된 지지기판(11')상에, 반사층(13'), 유기색소를 주성분으로 하는 기록층(12')이 이 순서로 막형성되며, 이 기록층(12')상에 임의로 형성되는 투명보호층(14')을 통해 광투과층(15')이 형성되며, 정보의 기록 및 재생은 광투과층(15')측에서 실시된다. 또한, 반대로 광투과층(15')측에 안내홈을 형성하고, 그 위에 투명보호층(14'), 기록층(12'), 반사층(13')을 적층하며, 지지기판(11')과 접합시키는 구성으로 할 수도 있다.
또는, 또 다른 실시형태로서, 일본 공개특허공보 2002-175645호에 개시된 구성, 예컨대, 도 7에 나타내는 바와 같이, 안내홈에 형성된 지지기판(21)상에, 유기색소를 주성분으로 하는 기록층(22)이 이 순서로 막형성되고, 이 기록층(22)상에 질화물층(23), 산화물층(24)을 순차적으로 적층하여 이루어지는 유전체층(40)을 형성하고, 또한 유전체층 (40) 상에 점착제를 필요에 따라 개입시키고, 광투과층 (25) 이 형성되고, 정보의 기록 및 재생은 광투과층 (25) 측에서 실시된다. 또, 반대로 광투과층 (25) 측에 안내홈을 형성하고, 그 위에 산화물층 (24), 질화물층 (23) 을 순서대로 적층하여 이루어지는 유전체층 (40), 기록층 (22) 을 적층하고, 지지기판 (21) 과 접합시키는 구성으로 할 수도 있다. 이와 같이, 반사층을 이용하지 않고, 정보기록층 상에 유전체층을 형성하여 다중간섭에 의한 광학적 엔핸스먼트효과를 얻음으로써 적합한 초기반사율을 얻을 수 있는 광기록 매체에 본 발명의 화합물을 적용할 수 있다.
본 발명에서는 기판 상에 기록층을 설치하는데, 본 발명의 기록층은 본 발명에 관한 이미드계 화합물, 특히 일반식 (1) 로 표시되는 화합물을 기록용 색소로서 적어도 1 종 함유하는 것이다. 여기서 기록용 색소란, 레이저광의 조사에 의해 그 자체의 열분해, 승화 등이 유발되고, 기록층의 변화, 혹은 형상 변화 (피트 형성) 등에 의해 반사율이 변화하는 부분을 형성할 수 있는 색소이다. 본 발명의 광기록 매체는 특히 300nm ∼ 900nm 의 범위에서 선택되는 기록레이저파장에 대하여 기록재생이 가능하며, 그 중에서도 파장 390nm ∼ 430nm 의 범위, 나아가서는 파장 400nm ∼ 410nm 의 범위에서 선택되는 기록레이저파장 및 재생 레이저 파장에 대하여 양호한 신호특성이 얻어지는 광기록 매체이다.
본 발명에 관한 이미드 화합물은 치환기의 선택에 의해 흡광계수를 유지한 상태에서 흡수파장을 임의로 선택할 수 있기 때문에, 상기 레이저광의 파장에서 기록층에 필요한 광학정수를 만족할 수 있다. 나아가서는, 광에 대한 안정성이 높고 재생광안정성이 우수한 매우 유용한 유기색소이다.
이하, 본 발명에 대하여 더욱 상세하게 서술한다.
본 발명의 광기록 매체에서는 본 발명의 이미드 화합물을 1 종 이상 기록층에 함유하는데, 해당 본 발명에 관한 이미드 화합물로는 메타로센잔기를 갖는 이미드 화합물이며, 나아가서는 메타로센잔기를 갖는 이미드기를 적어도 1 개 갖는 이미드 화합물을 들 수 있다. 또한 적합하게는 하기 일반식 (1) 로 표시되는 화합물을 바람직한 예로서 들 수 있다.
(식 중, 고리 (AR) 는 치환 또는 비치환의 방향족환 잔기, 혹은 2 개 이상의 방향족환 잔기가 1 개 이상의 연결기를 통하여 결합하여 이루어지는 잔기를 나타내고, n 은 고리 (AR) 에 결합하는 이미드기의 개수를 나타내고, Am은 각 이미드기의 질소원자에 결합하는 치환기 (A1∼ An) 를 나타내고, m 은 1 ∼ n 의 정수를 나타낸다. 단, A1∼ An에서 선택되는 적어도 1 개의 치환기는 1 개 이상의 치환 또는 비치환의 메타로센잔기를 갖는 치환기이다.)
식 중, 고리 (AR) 로 표시되는 방향족환 잔기를 형성하는 고리에 대해서는, 바람직하게는 치환 또는 비치환의 탄소환식 방향족환, 혹은 치환 또는 비치환의 복소환식 방향족환이며, 보다 바람직하게는 탄소수 3 ∼ 60 의 치환 또는 비치환의 탄소환식 방향족환, 혹은 치환 또는 비치환의 복소환식 방향족환이며, 더욱 바람직하게는 탄소수 3 ∼ 26 의 치환 또는 비치환의 탄소환식 방향족환, 혹은 치환 또는 비치환의 복소환식 방향족환이다.
고리 (AR) 로 표시되는 방향족환의 구체예로는, 벤젠고리, 나프탈렌고리, 펜탈렌고리, 인다센고리, 아주렌고리, 헵탈렌고리, 비페닐렌고리, 페난트렌고리, 안트라센고리, 플루오란텐고리, 아세나프틸리렌고리, 트리페닐렌고리, 피렌고리, 크리센고리, 나프타센고리, 프레이어덴고리, 피센고리, 페릴렌고리, 펜타펜고리, 펜타센고리, 테트라페닐렌고리, 헥사펜고리, 헥사센고리, 루비센고리, 코로넨고리, 트리나프틸렌고리, 헵타펜고리, 헵타센고리, 피란슬렌고리, 오발렌고리, 플러렌고리 등의 탄소환식 방향족환;
푸란고리, 티오펜고리, 피롤고리, 피라졸고리, 이미다졸고리, 옥사졸고리, 티아졸고리, 피리딘고리, 피리다진고리, 피리미딘고리, 피라딘고리, 퀴놀린고리, 이소퀴놀린고리, 퀴녹살린고리, 인돌리딘고리, 인돌고리, 인다졸고리, 푸린고리, 프탈라진고리, 나프틸리딘고리, 퀴나졸린고리, 신놀린고리, 프테리딘고리, 카르바졸고리, 카르보린고리, 페난트리딘고리, 아크리딘고리, 페리미딘고리, 페난트롤린고리, 페나진고리, 프라잔고리 등의 복소환식 방향족환;
등을 들 수 있다.
고리 (AR) 가 치환기를 갖는 경우의 치환기의 예로는, 바람직하게는 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실기, 메르캅토기, 카르복실기, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아미노기, 치환 또는 비치환의 아실기, 치환 또는 비치환의 아실옥시기, 치환 또는 비치환의 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아미노카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시기, 치환 또는 비치환의 알케닐티오기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴티오기, 혹은 치환 또는 비치환의 메타로세닐기를 들 수 있다.
고리 (AR) 로 치환하는 할로겐 원자로는, 불소원자, 염소원자, 브롬원자, 요오드원자 등의 할로겐 원자를 들 수 있다.
고리 (AR) 로 치환하는 치환 또는 비치환의 알킬기의 구체예로는, 메틸기,에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, 2-메틸부틸기, 1-메틸부틸기, 네오펜틸기, 1,2-디메틸프로필기, 1,1-디메틸프로필기, 시클로펜틸기, n-헥실기, 4-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 1-메틸펜틸기, 3,3-디메틸부틸기, 2,3-디메틸부틸기, 1,3-디메틸부틸기, 2,2-디메틸부틸기, 1,2-디메틸부틸기, 1,1-디메틸부틸기, 2-에틸부틸기, 1-에틸부틸기, 1,2,2-트리메틸부틸기, 1,1,2-트리메틸부틸기, 1-에틸-2-메틸프로필기, 시클로헥실기, n-헵틸기, 2-메틸헥실기, 3-메틸헥실기, 4-메틸헥실기, 5-메틸헥실기, 2,4-디메틸펜틸기, n-옥틸기, 2-에틸헥실기, 2,5-디메틸헥실기, 2,5,5-트리메틸펜틸기, 2,4-디메틸헥실기, 2,2,4-트리메틸펜틸기, 3,5,5-트리메틸헥실기, n-노닐기, n-데실기, 4-에틸옥틸기, 4-에틸-4,5-메틸헥실기, n-운데실기, n-도데실기, 1,3,5,7-테트라에틸옥틸기, 4-부틸옥틸기, 6,6-디에틸옥틸기, n-트리데실기, 6-메틸-4-부틸옥틸기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, 3,5-디메틸헵틸기, 2,6-디메틸헵틸기, 2,4-디메틸헵틸기, 2,2,5,5-테트라메틸헥실기, 1-시클로펜틸-2,2-디메틸프로필기, 1-시클로헥실-2,2-디메틸프로필기 등의 비치환의 알킬기;
클로로메틸기, 1-클로로에틸기, 2-클로로에틸기, 2-브로모에틸기, 2-요오드에틸기, 디클로로메틸기, 플루오로메틸기, 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 2,2,2-트리플루오로에틸기, 2,2,2-트리클로로에틸기, 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2-프로필기, 노나플루오로부틸기, 퍼플루오로데실기 등의 할로겐 원자로 치환된 알킬기;
히드록시메틸기, 2-히드록시에틸기, 3-히드록시프로필기, 4-히드록시부틸기,2-히드록시-3-메톡시프로필기, 2-히드록시-3-클로로프로필기, 2-히드록시-3-에톡시프로필기, 3-푸틸옥시-2-히드록시프로필기, 2-히드록시-3-시클로헥실옥시프로필기, 2-히드록시프로필기, 2-히드록시부틸기, 4-히드록시데카릴기 등의 히드록실기로 치환된 알킬기;
히드록시메톡시메틸기, 히드록시에톡시에틸기, 2-(2'-히드록시-1'-메틸에톡시)-1-메틸에틸기, 2-(3'-플루오로-2'-히드록시프로필옥시)에틸기, 2-(3'-클로로-2'-히드록시프로필옥시)에틸기, 히드록시부틸옥시시클로헥실기 등의 히드록시알콕시기로 치환된 알킬기;
히드록시메톡시메톡시메틸기, 히드록시에톡시에톡시에틸기, [2'-(2'-히드록-1'-메틸에톡시)-1'-메틸에톡시]에톡시에틸기, [2'-(2'-플루오로-1'-히드록시에톡시)-1'-메틸에톡시]에톡시에틸기, [2'-(2'-클로로-1'-히드록시에톡시)-1'-메틸에톡시]에톡시에틸기 등의 히드록시알콕시알콕시기로 치환된 알킬기;
시아노메틸기, 2-시아노에틸기, 3-시아노프로필기, 4-시아노부틸기, 2-시아노-3-메톡시프로필기, 2-시아노-3-클로로프로필기, 2-시아노-3-에톡시프로필기, 3-부틸옥시2-시아노프로필기, 2-시아노-3-시클로헥실프로필기, 2-시아노프로필기, 2-시아노부틸기 등의 시아노기로 치환된 알킬기;
메톡시메틸기, 에톡시메틸기, n-프로필옥시메틸기, n-부틸옥시메틸기, 메톡시에틸기, 에폭시에틸기, n-프로필옥시에틸기, n-부틸옥시에틸기, n-헥실옥시에틸기, (4-메틸펜틸옥시)에틸기, (1,3-디메틸부틸옥시)에틸기, (2-에틸헥실옥시)에틸기, n-옥틸옥시에틸기, (3,5,5-트리메틸헥실옥시)에틸기, (2-메틸-1-이소프로필프로필옥시)에틸기, (3-메틸-1-이소프로필부틸옥시)에틸기, 2-에톡시-1-메틸에틸기, 3-메톡시부틸기, (3,3,3-트리플루오로프로필옥시)에틸기, (3,3,3-트리클로로프로필옥시)에틸기 등의 알콕시기로 치환된 알킬기;
메톡시메톡시메틸기, 메톡시에톡시에틸기, 에톡시에톡시에틸기, n-프로필옥시에톡시에틸기, n-부틸옥시에톡시에틸기, 시클로헥실옥시에톡시에틸기, 데카릴옥시프로필옥시에톡시기, (1,2-디메틸프로필옥시)에톡시에틸기, (3-메틸-1-이소부틸부틸옥시)에톡시에틸기, (2-메톡시-1-메틸에톡시)에틸기, (2-부틸옥시1-메틸에톡시)에틸기, 2-(2'-에톡시-1'-메틸에톡시)-1-메틸에틸기, (3,3,3-트리플루오로프로필옥시)에톡시에틸기, (3,3,3-트리클로로프로필옥시)에톡시에틸기 등의 알콕시알콕시기로 치환된 알킬기;
메톡시메톡시메톡시메틸기, 메톡시에톡시에톡시에틸기, 에톡시에톡시에톡시에틸기, n-부틸옥시에톡시에톡시에틸기, 시클로헥실옥시에톡시에톡시에틸기, n-프로필옥시프로필옥시프로필옥시에틸기, (2,2,2-트리플루오로에톡시)에톡시에톡시에틸기, (2,2,2-트리클로로에톡시)에톡시에톡시에틸기 등의 알콕시알콕시알콕시기로 치환된 알킬기;
포르밀메틸기, 2-옥소부틸기, 3-옥소부틸기, 4-옥소부틸기, 2,6-디옥소시클로헥산-1-일기, 2-옥소-5-tert-부틸시클로헥산-1-일기 등의 아실기로 치환된 알킬기;
포르밀옥시메틸기, 아세톡시에틸기, n-프로피오닐옥시에틸기, n-부타노일옥시에틸기, 발레릴옥시에틸기, (2-에틸헥사노일옥시)에틸기, (3,5,5-트리메틸헥사노일옥시)에틸기, (3,5,5-트리메틸헥사노일옥시)헥실기, (3-플루오로부티릴옥시)에틸기, (3-클로로부티릴옥시)에틸기 등의 아실옥시기르 치환된 알킬기;
포르밀옥시메톡시메틸기, 아세톡시에톡시에틸기, n-프로피오닐옥시에톡시에틸기, 발레릴옥시에톡시에틸기, (2-에틸헥사노일옥시)에톡시에틸기, (3,5,5-트리메틸헥사노일)옥시부틸옥시에틸기, (3,5,5-트리메틸헥사노일옥시)에톡시에틸기, (2-플루오로프로피오닐옥시)에톡시에틸기, (2-클로로프로피오닐옥시)에톡시에틸기 등의 아실옥시알콕시기로 치환된 알킬기;
아세톡시메톡시메톡시메틸기, 아세톡시에톡시에톡시에틸기, n-프로피오닐옥시에톡시에톡시에틸기, 발레릴옥시에톡시에톡시에틸기, (2-에틸헥사노일옥시)에톡시에톡시에틸기, (3,5,5-트리메틸헥사노일옥시)에톡시에톡시에틸기, (2-플루오로프로피오닐옥시)에톡시에톡시에틸기, (2-클로로프로피오닐옥시)에톡시에톡시에틸기 등의 아실옥시알콕시알콕시기로 치환된 알킬기;
메톡시카르보닐메틸기, 에톡시카르보닐메틸기, n-부틸옥시카르보닐메틸기, 메톡시카르보닐에틸기, 에톡시카르보닐에틸기, n-부틸옥시카르보닐에틸기, (4-에틸시클로헥실옥시카르보닐)시클로헥실기, (2,2,3,3-테트라플루오로프로필옥시카르보닐)메틸기, (2,2,3,3-테트라클로로프로필옥시카르보닐)메틸기 등의 알콕시카르보닐기로 치환된 알킬기;
페닐옥시카르보닐메틸기, (2-메틸페닐옥시카르보닐)메틸기, (3-메틸페닐옥시카르보닐)메틸기, (4-메틸페닐옥시카르보닐)메틸기, (4-tert-부틸페닐옥시카르보닐)메틸기, 페닐옥시카르보닐에틸기, (4-tert-부틸페닐옥시카르보닐)에틸기, (1-나프틸옥시카르보니)메틸기, (2-나프틸옥시카르보니)메틸기, (2-페닐페닐옥시카르보닐)에틸기, (3-페닐페닐옥시카르보닐)에틸기, (4-페닐페닐옥시카르보닐)에틸기 등의 아릴옥시카르보닐로 치환된 알킬기;
벤질옥시카르보닐메틸기, 벤질옥시카르보닐에틸기, 페네틸옥시카르보닐메틸기, (4-시클로헥실옥시벤질옥시카르보닐)메틸기 등의 알르알킬옥시카르보닐기로 치환된 알킬기;
비닐옥시카르보닐메틸기, 비닐옥시카르보닐에틸기, 알릴옥시카르보닐메틸기, 시클로펜타디에닐옥시카르보닐메틸기, 옥테녹시카르보닐메틸기 등의 알케닐옥시카르보닐기로 치환된 알킬기;
메톡시카르보닐옥시메틸기, 메톡시카르보닐옥시에틸기, 에톡시카르보닐옥시에틸기, 부틸옥시카르보닐옥시에틸기, (2,2,2-트리플루오로에톡시카르보닐옥시)에틸기, (2,2,2-트리클로로에톡시카르보닐옥시)에틸기 등의 알콕시카르보닐옥시기로 치환된 알킬기;
메톡시메톡시카르보닐옥시메틸기, 메톡시에톡시카르보닐옥시에틸기, 에톡시에톡시카르보닐옥시에틸기, n-부틸옥시에톡시카르보닐옥시에틸기, (2,2,2-트리플루오로에톡시)에톡시카르보닐옥시에틸기, (2,2,2-트리클로로에톡시)에톡시카르보닐옥시에틸기 등의 알콕시알콕시카르보닐옥시기로 치환된 알킬기;
디메틸아미노메틸기, 디에틸아미노메틸기, 디-n-부틸아미노메틸기, 디-n-헥실아미노메틸기, 디-n-옥틸아미노메틸기, 디-n-데실아미노메틸기, N-이소아밀-N-메틸아미노메틸기, 피페리디노메틸기, 디(메톡시메틸)아미노메틸기, 디(메톡시에틸)아미노메틸기, 디(에톡시메틸)아미노메틸기, 디(에톡시에틸)아미노메틸기, 디(n-프로필옥시에틸)아미노메틸기, 디(n-부틸옥시에틸)아미노메틸기, 비스(2-시클로헥실옥시에틸)아미노메틸기, 디메틸아미노에틸기, 디에틸아미노에틸기, 디-n-부틸아미노에틸기, 디-n-헥실아미노에틸기, 디-n-옥틸아미노에틸기, 디-n-데실아미노에틸기, N-이소아밀-N-메틸아미노에틸기, 피페리디노에틸기, 디(메톡시메틸)아미노에틸기, 디(메톡시에틸)아미노에틸기, 디(에톡시메틸)아미노에틸기, 디(에톡시에틸)아미노에틸기, 디(n-프로필옥시에틸)아미노에틸기, 디(n-부틸옥시에틸)아미노에틸기, 비스(2-시클로헥실옥시에틸)아미노에틸기, 디메틸아미노프로필기, 디에틸아미노프로필기, 디-n-부틸아미노프로필기, 디-n-헥실아미노프로필기, 디-n-옥틸아미노프로필기, 디-n-데실아미노프로필기, N-이소아밀-N-메틸아미노프로필기, 피페리디노프로필기, 디(메톡시메틸)아미노프로필기, 디(메톡시에틸)아미노프로필기, 디(에톡시메틸)아미노프로필기, 디(에톡시에틸)아미노프로필기, 디(n-프로필옥시에틸)아미노프로필기, 디(n-부틸옥시에틸)아미노프로필기, 비스(2-시클로헥실옥시에틸)아미노프로필기, 디메틸아미노부틸기, 디에틸아미노부틸기, 디-n-부틸아미노부틸기, 디-n-헥실아미노부틸기, 디-n-옥틸아미노부틸기, 디-n-데실아미노부틸기, N-이소아밀-N-메틸아미노부틸기, 피페리디노부틸기, 디(메톡시메틸)아미노부틸기, 디(메톡시에틸)아미노부틸기, 디(에톡시메틸)아미노부틸기, 디(에톡시에틸)아미노부틸기, 디(n-프로필옥시에틸)아미노부틸기, 디(n-부틸옥시에틸)아미노부틸기, 비스(2-시클로헥실옥시에틸)아미노부틸기 등의 디알킬아미노기가 치환된 알킬기;
아세틸아미노메틸기, 아세틸아미노에틸기, n-프로피오닐아미노에틸기, n-부타노일아미노에틸기, 시클로헥실카르보닐아미노에틸기, 4-메틸시클로헥실카르보닐아미노에틸기, 숙신이미노에틸기 등의 아실아미노기로 치환된 알킬기;
메틸술폰아미노메틸기, 메틸술폰아미노에틸기, 에틸술폰아미노에틸기, n-프로필술폰아미노에틸기, n-옥틸술폰아미노에틸기 등의 알킬술폰아미노기로 치환된 알킬기;
메틸술포닐메틸기, 에틸술포닐메틸기, 부틸술포닐메틸기, 메틸술포닐에틸기, 에틸술포닐에틸기, n-부틸술포닐에틸기, 2-에틸헥실술포닐에틸기, 2,2,3,3-테트라플루오로프로필술포닐메틸기, 2,2,3,3-테트라클로로프로필술포닐메틸기 등의 알킬술포닐기로 치환된 알킬기;
페닐술포닐메틸기, 페닐술포닐에틸기, 페닐술포닐프로필기, 페닐술포닐부틸기, 2-메틸페닐술포닐메틸기, 3-메틸페닐술포닐메틸기, 4-메틸페닐술포닐메틸기, 4-메틸페닐술포닐에틸기, 4-메틸페닐술포닐프로필기, 4-메틸페닐술포닐부틸기, 2,4-디메틸페닐술포닐메틸기, 2,6-디메틸페닐술포닐메틸기, 2,4-디메틸페닐술포닐에틸기, 2,4-디메틸페닐술포닐프로필기, 2,4-디메틸페닐술포닐부틸기 등의 아릴술포닐기로 치환된 알킬기;
티아디아졸리노메틸기, 피롤리노메틸기, 피롤리디노메틸기, 파라졸리디노메틸기, 아미다졸리디노메틸기, 옥사졸릴기, 트리아졸리노메틸기, 몰포리노메틸기, 인돌리노메틸기, 벤즈이미다졸리노메틸기, 카르바졸리노메틸기 등의 복소환기로 치환된 알킬기;
등을 들 수 있다.
고리 (AR) 로 치환하는 치환 또는 비치환의 아르알킬기란, 상기에 예로 든 알킬기를 치환기로서 가질 수도 있는 아르알킬기, 또는 상기에 예로 든 알킬기가 갖는 치환기와 같은 치환기를 가질 수도 있는 아르알킬기이며, 구체적으로는, 벤질기, 페네틸기, α-메틸벤질기, α,α-디메틸벤질기, 1-나프틸메틸기, 2-나프틸메틸기, 푸르푸릴기, 2-메틸벤질기, 3-메틸벤질기, 4-메틸벤질기, 4-에틸벤질기, 4-이소프로필벤질기, 4-tert-부틸벤질기, 4-n-헥실벤질기, 4-n-노닐벤질기, 3,4-디메틸벤질기, 3-메톡시벤질기, 4-메톡시벤질기, 4-에톡시벤질기, 4-n-부틸옥시벤질기, 4-n-헥실옥시벤질기, 4-n-노닐옥시벤질기, 3-플루오로벤질기, 4-플루오로벤질기, 2-클로로벤질기, 4-클로로벤질기 등의 치환 또는 비치환의 아르알킬기 등을 들 수 있다.
고리 (AR) 로 치환하는 치환 또는 비치환의 방향족환기의 예로는, 비치환의 탄소환식 방향족환기, 복소환식 방향족환기, 혹은 상기에 예로 든 알킬기를 치환기로서 갖는 탄소환식 방향족환기, 복소환식 방향족환기, 또는 상기에 예로 든 알킬기가 갖는 치환기와 같은 치환기를 갖는 탄소환식 방향족환기, 복소환식 방향족환기이며, 구체적으로는, 페닐기, 4-메틸페닐기, 3-메틸페닐기, 2-메틸페닐기, 4-에틸페닐기, 3-에틸페닐기, 2-에틸페닐기, 4-n-프로필페닐기, 4-이소프로필페닐기, 2-이소프로필페닐기, 4-n-부틸페닐기, 4-이소부틸페닐기, 4-sec-부틸페닐기, 2-sec-부틸페닐기, 4-tert-부틸페닐기, 3-tert-부틸페닐기, 2-tert-부틸페닐기, 4-n-펜틸페닐기, 4-이소펜틸페닐기, 4-네오펜틸페닐기, 4-tert-펜틸페닐기, 4-n-헥실페닐기, 4-(2'-에틸부틸)페닐기, 4-n-헵틸페닐기, 4-n-옥틸페닐기, 4-(2'-에틸헥실)페닐기, 4-n-노닐페닐기, 4-n-데실페닐기, 4-n-운데실페닐기, 4-n-도데실페닐기, 4-n-테트라데실페닐기, 4-시클로헥실페닐기, 4-(4'-메틸시클로헥실)페닐기, 4-(4'-tert-부틸시클로헥실)페닐기, 3-시클로헥실페닐기, 2-시클로헥실페닐기, 2,3-디메틸페닐기, 2,4-디메틸페닐기, 2,5-디메틸페닐기, 2,6-디메틸페닐기, 3,4-디메틸페닐기, 3,5-디메틸페닐기, 3,4,5-트리메틸페닐기, 2,3,5,6-테트라메틸페닐기, 2,4-디에틸페닐기, 2,6-디에틸페닐기, 2,5-디이소프로필페닐기, 2,6-디이소프로필페닐기, 2,6-디이소부틸페닐기, 2,4-디-tert-부틸페닐기, 2,5-디-tert-부틸페닐기, 4,6-디-tert-부틸-2-메틸페닐기, 5-tert-부틸-2-메틸페닐기, 4-tert-부틸-2,6-디메틸페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 1,2,3,4-테트라히드로-5-나프틸기, 1,2,3,4-테트라히드로-6-나프틸기, 4-에틸-1-나프틸기, 6-n-부틸-2-나프틸기, 5-인다닐기,
4-메톡시페닐기, 3-메톡시페닐기, 2-메톡시페닐기, 4-에톡시페닐기, 3-에톡시페닐기, 2-에톡시페닐기, 4-n-프로필옥시페닐기, 3-n-프로필옥시페닐기, 4-이소프로필옥시페닐기, 2-이소프로필옥시페닐기, 4-n-부틸옥시페닐기, 4-이소부틸옥시페닐기, 2-sec-부틸옥시페닐기, 4-n-펜틸옥시페닐기, 4-이소펜틸옥시페닐기, 2-이소펜틸옥시페닐기, 4-네오펜틸옥시페닐기, 2-네오펜틸옥시페닐기, 4-n-헥실옥시페닐기, 4-(2'-에틸부틸)옥시페닐기, 4-n-헵틸옥시페닐기, 4-n-옥틸옥시페닐기, 4-n-노닐옥시페닐기, 4-n-데실옥시페닐기, 4-n-운데실옥시페닐기, 4-n-도데실옥시페닐기, 4-n-테트라데실옥시페닐기, 4-시클로헥실옥시페닐기, 2-시클로헥실옥시페닐기, 2,3-디메톡시페닐기, 2,4-디메톡시페닐기, 2,5-디메톡시페닐기, 3,4-디메톡시페닐기, 3,5-디메톡시페닐기, 3,5-디에톡시페닐기, 2-메톡시-4-메틸페닐기, 2-메톡시-5-메틸페닐기, 2-메틸-4-메톡시페닐기, 3-메틸-4-메톡시페닐기, 3-메틸-5-메톡시페닐기, 2-메톡시-1-나프틸기, 4-메톡시-1-나프틸기, 4-n-부틸옥시-1-나프틸기, 5-에톡시-1-나프틸기, 6-메톡시-2-나프틸기, 6-에톡시-2-나프틸기, 6-n-부틸옥시-2-나프틸기, 6-n-헥실옥시-2-나프틸기, 7-메톡시-2-나프틸기, 7-n-부틸옥시-2-나프틸기,
4-페닐페닐기, 3-페닐페닐기, 2-페닐페닐기, 4-(4'-메틸페닐)페닐기, 4-(3'-메틸페닐)페닐기, 4-(4'-에틸페닐)페닐기, 4-(4'-이소프로필페닐)페닐기, 4-(4'-tert-부틸페닐)페닐기, 4-(4'-n-헥실페닐)페닐기, 4-(4'-n-옥틸페닐)페닐기, 4-(4'-메톡시페닐)페닐기, 4-(4'-n-부틸옥시페닐)페닐기, 2-(2'-메톡시페닐)페닐기, 4-(4'-클로로페닐)페닐기, 3-메틸-4-페닐페닐기, 3-메톡시-4-페닐페닐기, 9-페닐-2-플루오레닐기, 9,9-디페닐-2-플루오레닐기, 9-메틸-9-페닐-2-플루오레닐기, 9-에틸-9-페닐-2-플루오레닐기, 4-플루오로페닐기, 3-플루오로페닐기, 2-플루오로페닐기, 4-클로로페닐기, 3-클로로페닐기, 2-클로로페닐기, 4-브로모페닐기, 2-브로모페닐기, 4-트리플루오로메틸페닐기, 2,3-디플루오로페닐기, 2,4-디플루오로페닐기, 2,5-디플루오로페닐기, 2,6-디플루오로페닐기, 3,4-디플루오로페닐기, 3,5-디플루오로페닐기, 2,3-디클로로페닐기, 2,4-디클로로페닐기, 2,5-디클로로페닐기, 3,4-디클로로페닐기, 3,5-디클로로페닐기, 2,5-디브로모페닐기, 2,4,6-트리클로로페닐기, 2-플루오로-4-메틸페닐기, 2-플루오로-5-메틸페닐기, 3-플루오로-2-메틸페닐기, 3-플루오로-4-메틸페닐기, 2-메틸-4-플루오로페닐기, 2-메틸-5-플루오로페닐기, 3-메틸-4-플루오로페닐기, 2-클로로-4-메틸페닐기, 2-클로로-5-메틸페닐기, 2-클로로-6-메틸페닐기, 3-클로로-4-메틸페닐기, 2-메틸-3-클로로페닐기, 2-메틸-4-클로로페닐기, 3-메틸-4-클로로페닐기, 2-클로로-4,6-디메틸페닐기, 2,4-디클로로-1-나프틸기, 1,6-디클로로-2-나프틸기, 2-메톡시-4-플루오로페닐기, 3-메톡시-4-플루오로페닐기, 2-플루오로-4-메톡시페닐기, 2-플루오로-4-에톡시페닐기, 2-플루오로-6-메톡시페닐기, 3-플루오로-4-메톡시페닐기, 3-플루오로-4-에톡시페닐기, 2-클로로-4-메톡시페닐기, 3-클로로-4-메톡시페닐기, 2-메톡시-5-클로로페닐기, 3-메톡시-4-클로로페닐기, 3-메톡시-6-클로로페닐기, 5-클로로-2,4-디메톡시페닐기, 2-히드록시페닐기, 3-히드록시페닐기, 4-히드록시페닐기, 2-니트로페닐기, 3-니트로페닐기, 4-니트로페닐기, 2-시아노페닐기, 3-시아노페닐기, 4-시아노페닐기, 2-메틸-5-니트로페닐기, 3,5-디니트로페닐기, 2-히드록시-4-니트로페닐기 등의 치환 또는 비치환의 탄소환식 방향족기;
4-피리딜기, 3-피리딜기, 2-피리딜기, 4-메틸-2-피리딜기, 5-메틸-2-피리딜기, 6-메틸-2-피리딜기, 4,6-디메틸-2-피리딜기, 4-메틸-5-니트로-2-피리딜기, 3-히드록시-2-피리딜기, 6-플루오로-3-피리딜기, 6-메톡시-3-피리딜기, 6-메톡시-2-피리딜기, 2-피리미딜기, 4-피리미딜기, 5-피리미딜기, 2,6-디메틸-4-피리미딜기, 4-퀴놀릴기, 3-퀴놀릴기, 4-메틸-2-퀴놀릴기, 3-푸릴기, 2-푸릴기, 3-티에닐기, 2-티에닐기, 4-메틸-3-티에닐기, 5-메틸-2-티에닐기, 3-메틸-2-티에닐기, 2-옥사졸릴기, 2-티아졸릴기, 2-티아디아졸릴기, 2-벤조옥사졸릴기, 2-벤조티아졸릴기, 2-벤조이미다졸릴기 등의 치환 또는 비치환의 복소환식 방향족기;
페로세닐기, 코발트세닐기, 니케로세닐기, 디클로로티타노세닐기, 트리클로로티탄시클로펜타디에닐기, 비스(트리플루오메탄술포나토)티타노세닐기, 디클로로지르코노세닐기, 디메틸지르코노세닐기, 디에톡시지르코노세닐기, 비스(시클로펜타디에닐)크롬기, 비스(시클로펜타디에닐)디클로로몰리브덴기, 비스(시클로펜타디에닐)디클로로하프늄기, 비스(시클로펜타디에닐)디클로로니오브기, 비스(시클로펜타디에닐)루테늄기, 비스(시클로펜타디에닐)바나듐기, 비스(시클로펜타디에닐)디클로로바나듐기, 옥타메틸페로세닐기, 옥타메틸코발트세닐기, 옥타메틸니케로세닐기 등의 치환 또는 비치환의 메타로세닐기;
등의 방향족환기를 들 수 있다.
고리 (AR) 로 치환하는 치환 또는 비치환의 알콕시기란, 상기에 예로 든 알킬기를 치환기로서 가질 수도 있는 알콕시기, 또는 상기에 예로 든 알킬기가 갖는 치환기와 같은 치환기를 가질 수도 있는 알콕시기이며, 구체적으로는, 메톡시기, 에톡시기, n-프로필옥시기, 이소프로필옥시기, n-부틸옥시기, 이소부틸옥시기, tert-부틸옥시기, sec-부틸옥시기, n-펜틸옥시기, 이소펜틸옥시기, tert-펜틸옥시기, sec-펜틸옥시기, 시클로펜틸옥시기, n-헥실옥시기, 1-메틸펜틸옥시기, 2-메틸펜틸옥시기, 3-메틸펜틸옥시기, 4-메틸펜틸옥시기, 1,1-디메틸부틸옥시기, 1,2-디메틸부틸옥시기, 1,3-디메틸부틸옥시기, 2,3-디메틸부틸옥시기, 1,1,2-트리메틸프로필옥시기, 1,2,2-트리메틸프로필옥시기, 1-에틸부틸옥시기, 2-에틸부틸옥시기, 1-에틸-2-메틸프로필옥시기, 시클로헥실옥시기, 메틸시클로펜틸옥시기, n-헵틸옥시기, 1-메틸헥실옥시기, 2-메틸헥실옥시기, 3-메틸헥실옥시기, 4-메틸헥실옥시기, 5-메틸헥실옥시기, 1,1-디메틸펜틸옥시기, 1,2-디메틸펜틸옥시기, 1,3-디메틸펜틸옥시기, 1,4-디메틸펜틸옥시기, 2,2-디메틸펜틸옥시기, 2,3-디메틸펜틸옥시기, 2,4-디메틸펜틸옥시기, 3,3-디메틸펜틸옥시기, 3,4-디메틸펜틸옥시기, 1-에틸펜틸옥시기, 2-에틸펜틸옥시기, 3-에틸펜틸옥시기, 1,1,2-트리메틸부틸옥시기, 1,1,3-트리메틸부틸옥시기, 1,2,3-트리메틸부틸옥시기, 1,2,2-트리메틸부틸옥시기, 1,3,3-트리메틸부틸옥시기, 2,3,3-트리메틸부틸옥시기, 1-에틸-1-메틸부틸옥시기, 1-에틸-2-메틸부틸옥시기, 1-에틸-3-메틸부틸옥시기, 2-에틸-1-메틸부틸옥시기, 2-에틸-3-메틸부틸옥시기, 1-n-프로필부틸옥시기, 1-이소프로필부틸옥시, 1-이소프로필-2-메틸프로필옥시기, 메틸시클로헥실옥시기, n-옥틸옥시기, 1-메틸헵틸옥시기, 2-메틸헵틸옥시기, 3-메틸헵틸옥시기, 4-메틸헵틸옥시기, 5-메틸헵틸옥시기, 6-메틸헵틸옥시기, 1,1-디메틸헥실옥시기, 1,2-디메틸헥실옥시기, 1,3-디메틸헥실옥시기, 1,4-디메틸헥실옥시기, 1,5-디메틸헥실옥시기, 2,2-디메틸헥실옥시기, 2,3-디메틸헥실옥시기, 2,4-디메틸헥실옥시기, 2,5-디메틸헥실옥시기, 3,3-디메틸헥실옥시기, 3,4-디메틸헥실옥시기, 3,5-디메틸헥실옥시기, 4,4-디메틸헥실옥시기, 4,5-디메틸헥실옥시기, 1-에틸헥실옥시기, 2-에틸헥실옥시기, 3-에틸헥실옥시기, 4-에틸헥실옥시기, 1-n-프로필펜틸옥시기, 2-n-프로필펜틸옥시기, 1-이소프로필펜틸옥시기, 2-이소프로필펜틸옥시기, 1-에틸-1-메틸펜틸옥시기, 1-에틸-2-메틸펜틸옥시기, 1-에틸-3-메틸펜틸옥시기, 1-에틸-4-메틸펜틸옥시기, 2-에틸-1-메틸펜틸옥시기, 2-에틸-2-메틸펜틸옥시기, 2-에틸-3-메틸펜틸옥시기, 2-에틸-4-메틸펜틸옥시기, 3-에틸-1-메틸펜틸옥시기, 3-에틸-2-메틸펜틸옥시기, 3-에틸-3-메틸펜틸옥시기, 3-에틸-4-메틸펜틸옥시기, 1,1,2-트리메틸펜틸옥시기, 1,1,3-트리메틸펜틸옥시기, 1,1,4-트리메틸펜틸옥시기, 1,2,2-트리메틸펜틸옥시기, 1,2,3-트리메틸펜틸옥시기, 1,2,4-트리메틸펜틸옥시기, 1,3,4-트리메틸펜틸옥시기, 2,2,3-트리메틸펜틸옥시기, 2,2,4-트리메틸펜틸옥시기, 2,3,4-트리메틸펜틸옥시기, 1,3,3-트리메틸펜틸옥시기, 2,3,3-트리메틸펜틸옥시기, 3,3,4-트리메틸펜틸옥시기, 1,4,4-트리메틸펜틸옥시기, 2,4,4-트리메틸펜틸옥시기, 3,4,4-트리메틸펜틸옥시기, 1-n-부틸부틸옥시기, 1-이소부틸부틸옥시기, 1-sec-부틸부틸옥시기,1-tert-부틸부틸옥시기, 2-tert-부틸부틸옥시기, 1-n-프로필-1-메틸부틸옥시기, 1-n-프로필-2-메틸부틸옥시기, 1-n-프로필-3-메틸부틸옥시기, 1-이소프로필-1-메틸부틸옥시기, 1-이소프로필-2-메틸부틸옥시기, 1-이소프로필-3-메틸부틸옥시기, 1,1-디에틸부틸옥시기, 1,2-디에틸부틸옥시기, 1-에틸-1,2-디메틸부틸옥시기, 1-에틸-1,3-디메틸부틸옥시기, 1-에틸-2,3-디메틸부틸옥시기. 2-에틸-1,1-디메틸부틸옥시기, 2-에틸-1,2-디메틸부틸옥시기, 2-에틸-1,3-디메틸부틸옥시기, 2-에틸-2,3-디메틸부틸옥시기, 1,1,3,3-테트라메틸부틸옥시기, 1,2-디메틸시클로헥실옥시기, 1-3-디메틸시클로헥실옥시기, 1,4-디메틸시클로헥실옥시기, 에틸시클로헥실옥시기, n-노닐옥시기, 3,5,5-트리메틸헥실옥시기, n-데실옥시기, n-운데실옥시기, n-도데실옥시기, 1-아다만틸옥시기, n-펜타데실옥시기 등의 직쇄, 분기 또는 환형의 비치환 알콕시기 ;
메톡시메톡시기, 메톡시에톡시기, 에톡시에톡시기, n-프로필옥시에톡시기, 이소프로필옥시에톡시기, n-부틸옥시에톡시기, 이소부틸옥시에톡시기, tert-부틸옥시에톡시기, sec-부틸옥시에톡시기, n-펜틸옥시에톡시기, 이소펜틸옥시에톡시기, tert-펜틸옥시에톡시기, sec-펜틸옥시에톡시기, 시클로펜틸옥시에톡시기, n-헥실옥시에톡시기, 에틸시클로헥실옥시에톡시기, n-노닐옥시에톡시기, (3,5,5-트리메틸헥실옥시)에톡시기, (3,5,5-트리메틸헥실옥시)부틸옥시기, n-데실옥시에톡시기, n-운데실옥시에톡시기, n-도데실옥시에톡시기, 3-메톡시프로필옥시기, 3-에톡시프로필옥시기, 3-(n-프로필옥시)프로필옥시기, 2-이소프로필옥시프로필옥시기, 2-메톡시부틸옥시기, 2-에톡시부틸옥시기, 2-(n-프로필옥시)부틸옥시기, 4-이소프로필옥시부틸옥시기, 데카릴옥시에톡시기, 아다만틸옥시에톡시기 등의 알콕시기로 치환된 알콕시기 ;
메톡시메톡시메톡시기, 에톡시메톡시메톡시기, 프로필옥시메톡시메톡시기, 부틸옥시메톡시메톡시기, 메톡시에톡시메톡시기, 에톡시에톡시메톡시기, 프로필옥시에톡시메톡시기, 부틸옥시에톡시메톡시기, 메톡시프로필옥시메톡시기, 에톡시프로필옥시메톡시기, 프로필옥시프로필옥시메톡시기, 부틸옥시프로필옥시메톡시기, 메톡시부틸옥시메톡시기, 에톡시부틸옥시메톡시기, 프로필옥시부틸옥시메톡시기, 부틸옥시부틸옥시메톡시기, 메톡시메톡시에톡시기, 에톡시메톡시에톡시기, 프로필옥시메톡시에톡시기, 부틸옥시메톡시에톡시기, 메톡시에톡시에톡시기, 에톡시에톡시에톡시기, 프로필옥시에톡시에톡시기, 부틸옥시에톡시에톡시기, 메톡시프로필옥시에톡시기, 에톡시프로필옥시에톡시기, 프로필옥시프로필옥시에톡시기, 부틸옥시프로필옥시에톡시기, 메톡시부틸옥시에톡시기, 에톡시부틸옥시에톡시기, 프로필옥시부틸옥시에톡시기, 부틸옥시부틸옥시에톡시기, 메톡시메톡시프로필옥시기, 에톡시메톡시프로필옥시기, 프로필옥시메톡시프로필옥시기, 부틸옥시메톡시프로필옥시기, 메톡시에톡시프로필옥시기, 에톡시에톡시프로필옥시기, 프로필옥시에톡시프로필옥시기, 부틸옥시에톡시프로필옥시기, 메톡시프로필옥시프로필옥시기, 에톡시프로필옥시프로필옥시기, 프로필옥시프로필옥시프로필옥시기, 부틸옥시프로필옥시프로필옥시기, 메톡시부틸옥시프로필옥시기, 에톡시부틸옥시프로필옥시기, 프로필옥시부틸옥시프로필옥시기, 부틸옥시부틸옥시프로필옥시기, 메톡시메톡시부틸옥시기, 에톡시메톡시부틸옥시기, 프로필옥시메톡시부틸옥시기, 부틸옥시메톡시부틸옥시기, 메톡시에톡시부틸옥시기, 에톡시에톡시부틸옥시기, 프로필옥시에톡시부틸옥시기, 부틸옥시에톡시부틸옥시기, 메톡시프로필옥시부틸옥시기, 에톡시프로필옥시부틸옥시기, 프로필옥시프로필옥시부틸옥시기, 부틸옥시프로필옥시부틸옥시기, 메톡시부틸옥시부틸옥시기, 에톡시부틸옥시부틸옥시기, 프로필옥시부틸옥시부틸옥시기, 부틸옥시부틸옥시부틸옥시기, (4-에틸시클로헥실옥시)에톡시에톡시기, (2-에틸-1-헥실옥시)에톡시프로필옥시기, [4-(3,5,5-트리메틸헥실옥시)부틸옥시]에톡시기 등의 알콕시알콕시기로 치환된 직쇄, 분기 또는 환형의 알콕시기 ;
메톡시카르보닐메톡시기, 에톡시카르보닐메톡시기, n-프로필옥시카르보닐메톡시기, 이소프로필옥시카르보닐메톡시기, (4'-에틸시클로헥실옥시)카르보닐메톡시기 등의 알콕시카르보닐기로 치환된 알콕시기 ;
아세틸메톡시기, 에틸카르보닐메톡시기, n-옥틸카르보닐메톡시기, 페나실옥시기 등의 아실기로 치환된 알콕시기 ;
아세틸옥시메톡시기, 아세틸옥시에톡시기, 아세틸옥시헥실옥시기, n-부타노일옥시시클로헥실옥시기 등의 아실옥시기로 치환된 알콕시기 ;
메틸아미노메톡시기, 2-메틸아미노에톡시기, 2-(2-메틸아미노에톡시)에톡시기, 4-메틸아미노부틸옥시기, 1-메틸아미노프로판-2-일옥시기, 3-메틸아미노프로필옥시기, 2-메틸아미노-2-메틸프로필옥시기, 2-에틸아미노에톡시기, 2-(2-에틸아미노에톡시)에톡시기, 3-에틸아미노프로필옥시기, 1-에틸아미노프로필옥시기, 2-이소프로필아미노에톡시기, 2-(n-부틸아미노)에톡시기, 3-(n-헥실아미노)프로필옥시기, 4-(시클로헥실아미노)부틸옥시기 등의 알킬아미노기로 치환된 알콕시기 ;
메틸아미노메톡시메톡시기, 메틸아미노에톡시에톡시기, 메틸아미노에톡시프로필옥시기, 에틸아미노에톡시프로필옥시기, 4-(2'-이소부틸아미노프로필옥시)부틸옥시기 등의 알킬아미노알콕시기로 치환된 알콕시기 ;
디메틸아미노메톡시기, 2-디메틸아미노에톡시기, 2-(2-디메틸아미노에톡시)에톡시기, 4-디메틸아미노부틸옥시기, 1-디메틸아미노프로판-2-일옥시기, 3-디메틸아미노프로필옥시기, 2-디메틸아미노-2-메틸프로필옥시기, 2-디에틸아미노에톡시기, 2-(2-디에틸아미노에톡시)에톡시기, 3-디에틸아미노프로필옥시기, 1-디에틸아미노프로필옥시기, 2-디이소프로필아미노에톡시기, 2-(디-n-부틸아미노)에톡시기, 2-피페리딘에톡시기, 3-(디-n-헥실아미노)프로필옥시기 등의 디알킬아미노기로 치환된 알콕시기 ;
디메틸아미노메톡시메톡시기, 디메틸아미노에톡시에톡시기, 디메틸아미노에톡시프로필옥시기, 디에틸아미노에톡시프로필옥시기, 4-(2'-디이소부틸아미노프로필옥시)부틸옥시기 등의 디알킬아미노알콕시기로 치환된 알콕시기 ;
메틸티오메톡시기, 2-메틸티오에톡시기, 2-에틸티오에톡시기, 2-n-프로필티오에톡시기, 2-이소프로필티오에톡시기, 2-n-부틸티오에톡시기, 2-이소부틸티오에톡시기, (3,5,5-트리메틸헥실티오)헥실옥시기 등의 알킬티오기로 치환된 알콕시기 ;
페로세닐메톡시기, 페로세닐에톡시기, 페로세닐프로필옥시기, 페로세닐부틸옥시기, 페로세닐펜틸옥시기, 페로세닐헥실옥시기, 페로세닐푸틸옥시기, 페로세닐옥틸옥시기, 페로세닐노닐옥시기, 페로세닐데실옥시기,
코발트세닐메톡시기, 코발트세닐에톡시기, 코발트세닐프로필옥시기, 코발트세닐부틸옥시기, 코발트세닐펜틸옥시기, 코발트세닐헥실옥시기, 코발트세닐푸틸옥시기, 코발트세닐옥틸옥시기, 코발트세닐노닐옥시기, 코발트세닐데실옥시기,
니켈로세닐메톡시기, 니켈로세닐에톡시기, 니켈로세닐프로필옥시기, 니켈로세닐부틸옥시기, 니켈로세닐펜틸옥시기, 니켈로세닐헥실옥시기, 니켈로세닐푸틸옥시기, 니켈로세닐옥틸옥시기, 니켈로세닐노닐옥시기, 니켈로세닐데실옥시기,
디클로로티타노세닐메톡시기, 트리클로로티탄시클로펜타디에닐메톡시기, 비스(트리플루오로메탄설포네이트)티타노세닐메톡시기, 디클로로지르코노세닐메톡시기, 비스(시클로펜타디에닐)크롬메톡시기, 비스(시클로펜타디에닐)디클로로하프늄메톡시기, 비스(시클로펜타디에닐)디클로로니오브메톡시기, 비스(시클로펜타디에닐)루테늄메톡시기, 비스(시클로펜타디에닐)바나듐메톡시기, 비스(시클로펜타디에닐)디클로로바나듐메톡시기, 비스(시클로펜타디에닐)오스뮴메톡시기 등의 메탈로세닐기로 치환된 알콕시기 ; 등을 들 수 있고, 바람직하게는 메톡시기, 에톡시기, n-프로필옥시기, 이소프로필옥시기, n-부틸옥시기, 이소부틸옥시기, sec-부틸옥시기, tert-부틸옥시기, n-펜틸옥시기, 이소펜틸옥시기, 네오펜틸옥시기, 2-메틸부틸옥시기, 2-에틸헥실옥시기, 3,5,5-트리메틸헥실옥시기, 데카릴옥시기, 메톡시에톡시기, 에톡시에톡시기, 메톡시에톡시에톡시기, 에톡시에톡시에톡시기, 페로세닐메톡시기 등의 탄소수 1 내지 12 의 알콕시기를 들 수 있다.
고리 AR 로 치환하는 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기란, 상기에 든 알킬기를 치환기로서 가질 수도 있는 아르알킬옥시기, 또는 상기에 든 알킬기가 갖는 치환기와 동일한 치환기를 가질 수도 있는 아르알킬옥시기이고, 구체예로서는 벤질옥시기, 4-니트로벤질옥시기, 4-시아노벤질옥시기, 4-히드록시벤질옥시기, 2-메틸벤질옥시기, 3-메틸벤질옥시기, 4-메틸벤질옥시기, 4-트리플루오로메틸벤질옥시기, 1-나프틸메톡시기, 2-나프틸메톡시기, 4-시아노-1-나프틸메톡시기, 4-히드록시-1-나프틸메톡시기, 6-히드록시-2-나프틸메톡시기, 4-메틸-1-나프틸메톡시기, 6-메틸-2-나프틸메톡시기, 4-트리플루오로메틸-1-나프틸메톡시기, 플루오렌-9-일에톡시기 등의 아르알킬옥시기 등을 들 수 있다.
고리 AR 로 치환하는 치환 또는 비치환의 아릴옥시기란, 상기에 든 알킬기를 치환기로서 가질 수도 있는 아릴옥시기, 또는 상기에 든 알킬기가 갖는 치환기와 동일한 치환기를 가질 수도 있는 아릴옥시기이고, 구체예로서는 페녹시기, 2-메틸페녹시기, 4-메틸페녹시기, 4-tert-부틸페녹시기, 2-메톡시페녹시기, 4-이소프로필페녹시기, 나프틸옥시기, 페로세닐옥시기, 코발트세닐옥시기, 니켈로세닐옥시기, 옥타메틸페로세닐옥시기, 옥타메틸코발트세닐옥시기, 옥타메틸니켈로세닐옥시기 등의 아릴옥시기를 들 수 있다.
고리 AR 로 치환하는 치환 또는 비치환의 알킬티오기의 예로서는, 상기에 든알킬기를 치환기로서 가질 수도 있는 알킬티오기, 또는 상기에 든 알킬기가 갖는 치환기와 동일한 치환기를 가질 수도 있는 알킬티오기이고, 구체예로서는 메틸티오기, 에틸티오기, n-프로필티오기, 이소프로필티오기, n-부틸티오기, 이소부틸티오기, sec-부틸티오기, tert-부틸티오기, n-펜틸티오기, 이소펜틸티오기, 네오펜틸티오기, 2-메틸부틸티오기, 메틸카르복실에틸티오기, 2-에틸헥실티오기, 3,5,5-트리메틸헥실티오기, 데카릴티오기 등의 알킬티오기 등을 들 수 있다.
고리 AR 로 치환하는 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기의 예로서는, 상기에 든 알킬기를 치환기로서 가질 수도 있는 아르알킬티오기, 또는 상기에 든 알킬기가 갖는 치환기와 동일한 치환기를 가질 수도 있는 아르알킬티오기이고, 구체예로서는 벤질티오기, 4-시아노벤질티오기, 4-히드록시벤질티오기, 2-메틸벤질티오기, 3-메틸벤질티오기, 4-메틸벤질티오기, 4-트리플루오로메틸벤질티오기, 1-나프틸메틸티오기, 4-니트로-1-나프틸메틸티오기, 4-시아노-1-나프틸메틸티오기, 4-히드록시-1-나프틸메틸티오기, 4-메틸-1-나프틸메틸티오기, 4-트리플루오로메틸-1-나프틸메틸티오기, 플루오렌-9-일에틸티오기 등의 아릴킬티오기 등을 들 수 있다.
고리 AR 로 치환하는 치환 또는 비치환의 아릴티오기의 예로서는, 상기에 든 알킬기를 치환기로서 가질 수도 있는 아릴티오기, 또는 상기에 든 알킬기가 갖는 치환기와 동일한 치환기를 가질 수도 있는 아릴티오기이고, 구체예로서는 페닐티오기, 4-메틸페닐티오기, 2-메톡시페닐티오기, 4-tert-부틸페닐티오기, 나프틸티오기, 페로세닐티오기, 코발트세닐티오기, 니켈로세닐티오기, 옥타메틸페로세닐티오기, 옥타메틸코발트세닐티오기, 옥타메틸니켈로세닐티오기 등의 아릴티오기 등을들 수 있다.
고리 AR 로 치환하는 치환 또는 비치환의 아미노기의 예로서는, 상기에 든 알킬기를 치환기로서 가질 수도 있는 아미노기, 또는 상기에 든 알킬기가 갖는 치환기와 동일한 치환기를 가질 수도 있는 알킬아미노기이고, 구체예로서는 아미노기, 메틸아미노기, 에틸아미노기, 프로필아미노기, 부틸아미노기, 펜틸아미노기, 헥실아미노기, 헵틸아미노기, 옥틸아미노기, 2-에틸헥실아미노기, 시클로헥실아미노기, 3,5,5-트리메틸헥실아미노기, 노닐아미노기 데실아미노기 등의 모노알킬아미노기나 디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 메틸에틸아미노기, 디부틸아미노기, 피페리디노기, 모르폴리노기, 디(아세틸옥시에틸)아미노기, 디(프로피오닐옥시에틸)아미노기 등의 디알킬아미노기 ;
상기에 든 알킬기를 치환기로서 가질 수도 있는 아르알킬아미노기, 또는 상기에 든 알킬기가 갖는 치환기와 동일한 치환기를 가질 수도 있는 아르알킬아미노기로서, 구체예로서는 벤질아미노기, 페네틸아미노기, 3-페닐프로필아미노기, 4-에틸벤질아미노기, 4-이소프로필벤질아미노기 등의 모노아르알킬아미노기나, 디벤질아미노기, 디페네틸아미노기, 비스(4-에틸벤질)아미노기, 비스(4-이소프로필벤질)아미노기 등의 디아르알킬아미노기 ;
상기에 든 알킬기를 치환기로서 가질 수도 있는 아릴아미노기, 또는 상기에 든 알킬기가 갖는 치환기와 동일한 치환기를 가질 수도 있는 아릴아미노기로서, 구체예로서는 페닐아미노기, 1-나프틸아미노기, 2-나프틸아미노기, 2-메틸페닐아미노기, 3-메틸페닐아미노기, 4-메틸페닐아미노기, 2,4-디메틸페닐아미노기, 2,6-디메틸페닐아미노기, 4-에틸페닐아미노기, 4-이소프로필페닐아미노기, 4-메톡시페닐아미노기, 4-클로로페닐아미노기, 4-아세틸페닐아미노기, 4-메톡시카르보닐페닐아미노기, 4-에톡시카르보닐페닐아미노기, 4-프로필옥시카르보닐페닐아미노기 등의 모노아릴아미노기, N,N-디페닐아미노기, N,N-디(3-메틸페닐)아미노기, N,N-디(4-메틸페닐)아미노기, N,N-디(4-에틸페닐)아미노기, N,N-디(4-tert-부틸페닐)아미노기, N,N-디(4-n-헥실페닐)아미노기, N,N-디(4-메톡시페닐)아미노기, N,N-디(4-에톡시페닐)아미노기, N,N-디(4-n-부틸옥시페닐)아미노기, N,N-디(4-n-헥실옥시페닐)아미노기, N,N-디(1-나프틸)아미노기, N,N-디(2-나프틸)아미노기, N-페닐-N-(3-메틸페닐)아미노기, N-페닐-N-(4-메틸페닐)아미노기, N-페닐-N-(4-n-옥틸페닐)아미노기, N-페닐-N-(4-메톡시페닐)아미노기, N-페닐-N-(4-에톡시페닐)아미노기, N-페닐-N-(4-n-헥실옥시페닐)아미노기, N-페닐-N-(4-플루오로페닐)아미노기, N-페닐-N-(1-나프틸)아미노기, N-페닐-N-(2-나프틸)아미노기, N-페닐-N-(4-페닐페닐)아미노기 등의 디아릴아미노기 ;
상기에 든 알킬기를 치환기로서 가질 수도 있는 아실아미노기, 또는 상기에 든 알킬기가 갖는 치환기와 동일한 치환기를 가질 수도 있는 아실아미노기로서, 구체예로서는 포르밀아미노기, 아세틸아미노기, 프로피오닐아미노기, 벤조일아미노기, 페닐아세틸아미노기, 톨루오일아미노기 등의 아실아미노기;
상기에 든 알킬기를 치환기로서 가질 수도 있는 알콕시카르보닐아미노기, 또는 상기에 든 알킬기가 갖는 치환기와 동일한 치환기를 가질 수도 있는 알콕시카르보닐아미노기로서, 구체예로서는 메톡시카르보닐아미노기, 에톡시카르보닐아미노기, 프로폭시카르보닐아미노기, 부톡시카르보닐아미노기 등의 알콕시카르보닐기 ;
상기에 든 알킬기를 치환기로서 가질 수도 있는 아르알킬옥시카르보닐아미노기, 또는 상기에 든 알킬기가 갖는 치환기와 동일한 치환기를 가질 수도 있는 아르알킬옥시카르보닐아미노기로서, 구체예로서는 벤질옥시카르보닐아미노기, 페네틸옥시카르보닐아미노기 등의 아르알킬옥시카르보닐아미노기 ;
상기에 든 알킬기를 치환기로서 가질 수도 있는 방향족환옥시카르보닐아미노기, 또는 상기에 든 알킬기가 갖는 치환기와 동일한 치환기를 가질 수도 있는 방향족환옥시카르보닐아미노기로서, 구체예로서는 페녹시카르보닐아미노기, 토릴옥시카르보닐아미노기, 피리딜옥시카르보닐아미노기 등의 방향족환옥시카르보닐아미노기 ;
상기에 든 알킬기를 치환기로서 가질 수도 있는 알케닐옥시카르보닐아미노기, 또는 상기에 든 알킬기가 갖는 치환기와 동일한 치환기를 가질 수도 있는 알케닐옥시카르보닐아미노기로서, 구체예로서는 비닐옥시카르보닐아미노기, 아릴옥시카르보닐아미노기, 부테녹시카르보닐아미노기 등의 알케닐옥시카르보닐아미노기 ; 등을 들 수 있다.
고리 AR 로 치환하는 치환 또는 비치환의 아실기의 예로서는, 상기에 든 알킬기를 치환기로서 가질 수도 있는 아실기, 또는 상기에 든 알킬기가 갖는 치환기와 동일한 치환기를 가질 수도 있는 아실기이고, 구체예로서는 포르밀기, 메틸카르보닐기, 에틸카르보닐기, n-프로필카르보닐기, 이소프로필카르보닐기, n-부틸카르보닐기, 이소부틸카르보닐기, sec-부틸카르보닐기, tert-부틸카르보닐기, n-펜틸카르보닐기, 이소펜틸카르보닐기, 네오펜틸카르보닐기, 2-메틸부틸카르보닐기, 벤조일기, 2-메틸벤조일기, 3-메틸벤조일기, 4-메틸벤조일기, 4-에틸벤조일기, 4-n-프로필벤조일기, 4-tert-부틸벤조일기, 4-니트로벤질카르보닐기, 3-n-부톡시-2-나프토일기, 신나모일기, 페로센카르보닐기, 1-메틸페로센-1'-카르보닐기 등의 아실기를 들 수 있다.
고리 AR 로 치환하는 치환 또는 비치환의 아실옥시기의 예로서는, 상기에 든 알킬기를 치환기로서 가질 수도 있는 아실옥시기, 또는 상기에 든 알킬기가 갖는 치환기와 동일한 치환기를 가질 수도 있는 아실옥시기이고, 구체예로서는 포르밀옥시기, 메틸카르보닐옥시기, 에틸카르보닐옥시기, n-프로필카르보닐옥시기, 이소프로필카르보닐옥시기, n-부틸카르보닐옥시기, 이소부틸카르보닐옥시기, sec-부틸카르보닐옥시기, tert-부틸카르보닐옥시기, n-펜틸카르보닐옥시기, 이소펜틸카르보닐옥시기, 네오펜틸카르보닐옥시기, 2-메틸부틸카르보닐옥시기, 벤조일옥시기, 2-메틸벤조일옥시기, 3-메틸벤조일옥시기, 4-메틸벤조일옥시기, 4-에틸벤조일옥시기, 4-n-프로필벤조일옥시기, 4-tert-부틸벤조일옥시기, 4-니트로벤질카르보닐옥시기, 3-n-부톡시-2-나프토일옥시기, 신나모일옥시기, 페로센카르보닐옥시기, 1-메틸페로센-1'-카르보닐옥시기, 코발트센카르보닐옥시기, 니켈로센카르보닐옥시기 등의 아실옥시기를 들 수 있다.
고리 AR 로 치환하는 치환 또는 비치환의 알콕시카르보닐기의 예로서는, 상기에 든 알킬기를 치환기로서 가질 수도 있는 알콕시카르보닐기, 또는 상기에 든 알킬기가 갖는 치환기와 동일한 치환기를 가질 수도 있는 알콕시카르보닐기이고,구체예로서는 메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기, n-프로필옥시카르보닐기, 이소프로필옥시카르보닐기, n-부틸옥시카르보닐기, 이소부틸옥시카르보닐기, sec-부틸옥시카르보닐기, tert-부틸옥시카르보닐기, n-펜틸옥시카르보닐기, 이소펜틸옥시카르보닐기, 네오펜틸옥시카르보닐기, 2-에틸헥실옥시카르보닐기, 3,5,5-트리메틸헥실옥시카르보닐기, 데카릴옥시카르보닐기, 시클로헥실옥시카르보닐기, 2-클로로에톡시카르보닐기, 히드록시메톡시카르보닐기, 2-히드록시에톡시카르보닐기 등의 알콕시카르보닐기 ;
메톡시메톡시카르보닐기, 메톡시에톡시카르보닐기, 에톡시에톡시카르보닐기, n-프로필옥시에톡시카르보닐기, n-부틸옥시에톡시카르보닐기, n-펜틸옥시에톡시카르보닐기, n-헥실옥시에톡시에틸기, n-부틸옥시부틸옥시카르보닐기, n-헥실옥시부틸옥시카르보닐기, 히드록시메톡시메톡시카르보닐기, 히드록시에톡시에톡시카르보닐기 등의 알콕시기가 치환된 알콕시카르보닐기 ;
메톡시메톡시메톡시카르보닐기, 메톡시에톡시에톡시카르보닐기, 에톡시에톡시에톡시카르보닐기, n-프로필옥시에톡시에톡시카르보닐기, n-부틸옥시에톡시에톡시카르보닐기, n-펜틸옥시에톡시에톡시카르보닐기, n-헥실옥시에톡시에톡시카르보닐기 등의 알콕시알콕시기가 치환된 알콕시카르보닐기 ;
페로세닐메톡시카르보닐기, 페로세닐에톡시카르보닐기, 페로세닐프로필옥시카르보닐기, 페로세닐부틸옥시카르보닐기, 페로세닐펜틸옥시카르보닐기, 페로세닐헥실옥시카르보닐기, 페로세닐헵틸옥시카르보닐기, 페로세닐옥틸옥시카르보닐기, 페로세닐노닐옥시카르보닐기, 페로세닐부틸데실카르보닐기,
코발트세닐메톡시카르보닐기, 코발트세닐에톡시카르보닐기, 코발트세닐프로필옥시카르보닐기, 코발트세닐부틸옥시카르보닐기, 코발트세닐펜틸옥시카르보닐기, 코발트세닐헥실옥시카르보닐기, 코발트세닐헵틸옥시카르보닐기, 코발트세닐옥틸옥시카르보닐기, 코발트세닐노닐옥시카르보닐기, 코발트세닐부틸데실카르보닐기,
니켈로세닐메톡시카르보닐기, 니켈로세닐에톡시카르보닐기, 니켈로세닐프로필옥시카르보닐기, 니켈로세닐부틸옥시카르보닐기, 니켈로세닐펜틸옥시카르보닐기, 니켈로세닐헥실옥시카르보닐기, 니켈로세닐헵틸옥시카르보닐기, 니켈로세닐옥틸옥시카르보닐기, 니켈로세닐노닐옥시카르보닐기, 니켈로세닐부틸데실카르보닐기,
디클로로티타노세닐메톡시카르보닐기, 트리클로로티탄시클로펜타디에닐메톡시카르보닐기, 비스(트리플루오로메탄설포네이트)티타노세닐메톡시카르보닐기, 디클로로지르코노세닐메톡시카르보닐기, 디메틸지르코노세닐메톡시카르보닐기, 디에톡시지르코노세닐메톡시카르보닐기, 비스(시클로펜타디에닐)크롬메톡시카르보닐기, 비스(시클로펜타디에닐)디클로로하프늄메톡시카르보닐기, 비스(시클로펜타디에닐)디클로로니오브메톡시카르보닐기, 비스(시클로펜타디에닐)루테늄메톡시카르보닐기, 비스(시클로펜타디에닐)바나듐메톡시카르보닐기, 비스(시클로펜타디에닐)디클로로바나듐메톡시카르보닐기, 비스(시클로펜타디에닐)오스뮴메톡시카르보닐기 등의 메탈로세닐기로 치환된 알콕시카르보닐기 ; 등을 들 수 있다.
고리 AR 로 치환하는 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시카르보닐기의 예로서는, 상기에 든 알킬기를 치환기로서 가질 수도 있는 아르알킬옥시카르보닐기, 또는 상기에 든 알킬기가 갖는 치환기와 동일한 치환기를 가질 수도 있는 아르알킬옥시카르보닐기이고, 구체예로서는 벤질옥시카르보닐기, 4-니트로벤질옥시카르보닐기, 4-시아노벤질옥시카르보닐기, 4-히드록시벤질옥시카르보닐기, 2-메틸벤질옥시카르보닐기, 3-메틸벤질옥시카르보닐기, 4-메틸벤질옥시카르보닐기, 4-트리플루오로메틸벤질옥시카르보닐기, 1-나프틸메톡시카르보닐기, 2-나프틸메톡시카르보닐기, 4-시아노-1-나프틸메톡시카르보닐기, 4-히드록시-1-나프틸메톡시카르보닐기, 6-히드록시-2-나프틸메톡시카르보닐기, 4-메틸-1-나프틸메톡시카르보닐기, 6-메틸-2-나프틸메톡시카르보닐기, 4-트리플루오로메틸-1-나프틸메톡시카르보닐기, 플루오렌-9-일에톡시카르보닐기 등의 아르알킬옥시카르보닐기 등을 들 수 있다.
고리 AR 로 치환하는 치환 또는 비치환의 아릴옥시카르보닐기의 예로서는, 상기에 든 알킬기를 치환기로서 가질 수도 있는 아릴옥시카르보닐기, 또는 상기에 든 알킬기가 갖는 치환기와 동일한 치환기를 가질 수도 있는 아릴옥시카르보닐기이고, 구체예로서는 페닐옥시카르보닐기, 2-메틸페닐옥시카르보닐기, 4-메틸페닐옥시카르보닐기, 4-tert-부틸페닐옥시카르보닐기, 2-메톡시페닐옥시카르보닐기, 4-이소프로필페닐옥시카르보닐기, 나프틸옥시카르보닐기, 페로세닐옥시카르보닐기, 코발트세닐옥시카르보닐기, 니켈로닐옥시카르보닐기, 옥타메틸페로세닐옥시카르보닐기, 옥타메틸코발트세닐옥시카르보닐기, 옥타메틸니켈로세닐옥시카르보닐기 등의 아릴옥시카르보닐기를 들 수 있다.
고리 AR 로 치환하는 치환 또는 비치환의 알케닐옥시카르보닐기의 예로서는, 상기에 든 알킬기를 치환기로서 가질 수도 있는 알케닐옥시카르보닐기, 또는 상기에 든 알킬기와 동일한 치환기를 가질 수도 있는 알케닐옥시카르보닐기이고, 바람직하게는 비닐옥시카르보닐기, 프로페닐옥시카르보닐기, 1-부테닐옥시카르보닐기, iso-부페닐옥시카르보닐기, 1-펜테닐옥시카르보닐기, 2-펜테닐옥시카르보닐기, 시클로펜타디에닐옥시카르보닐기, 2-메틸-1-부테닐옥시카르보닐기, 3-메틸-1-부테닐옥시카르보닐기, 2-메틸-2-부테닐옥시카르보닐기, 2,2-디시아노비닐옥시카르보닐기, 2-시아노-2-메틸카르복실비닐옥시카르보닐기, 2-시아노-2-메틸설폰비닐옥시카르보닐기, 스티릴옥시카르보닐기, 4-페닐-2-부테닐옥시카르보닐기 등의 탄소수 3 내지 11 의 알케닐옥시카르보닐기를 들 수 있다.
고리 AR 로 치환하는 치환 아미노카르보닐기의 예로서는, 상기에 든 알킬기를 치환기로서 가질 수도 있는 치환 아미노카르보닐기, 또는 상기에 든 알킬기와 동일한 치환기를 가질 수도 있는 치환 아미노카르보닐기이고, 바람직하게는 메틸아미노카르보닐기, 에틸아미노카르보닐기, 프로필아미노카르보닐기, 부틸아미노카르보닐기, 펜틸아미노카르보닐기, 헥실아미노카르보닐기, 헵틸아미노카르보닐기, 옥틸아미노카르보닐기, (2-에틸헥실)아미노카르보닐기, 시클로헥실아미노카르보닐기, (3,5,5-트리메틸헥실)아미노카르보닐기, 노닐아미노카르보닐기, 데실아미노카르보닐기 등의 탄소수 2 내지 11 의 모노알킬아미노카르보닐기 ;
벤질아미노카르보닐기, 페네틸아미노카르보닐기, (3-페닐프로필아미노카르보닐기, (4-에틸벤질)아미노카르보닐기, (4-이소프로필벤질)아미노카르보닐기, (4-메틸벤질)아미노카르보닐기, (4-에틸벤질)아미노카르보닐기, (4-알릴벤질)아미노카르보닐기, [4-(2-시아노에틸)벤질]아미노카르보닐기, [4-(2-아세톡시에틸)벤질]아미노카르보닐기 등의 탄소수 8 내지 11 의 모노아르알킬아미노카르보닐기 ;
아닐리노카르보닐기, 나프틸아미노카르보닐기, 톨루이디노카르보닐기, 크실리디노카르보닐기, 에틸아닐리노카르보닐기, 이소프로필아닐리노카르보닐기, 메톡시아닐리노카르보닐기, 에톡시아닐리노카르보닐기, 클로로아닐리노카르보닐기, 아세틸아닐리노카르보닐기, 메톡시카르보닐아닐리노카르보닐기, 에톡시카르보닐아닐리노카르보닐기, 프로폭시카르보닐아닐리노카르보닐기, 4-메틸아닐리노카르보닐기, 4-에틸아닐리노카르보닐기 등 탄소수 7 내지 11 의 모노아릴아미노카르보닐기 ;
비닐아미노카르보닐기, 알릴아미노카르보닐기, 부테닐아미노카르보닐기, 펜테닐아미노카르보닐기, 헥세닐아미노카르보닐기, 시클로헥세닐아미노카르보닐기, 옥타디에닐아미노카르보닐기, 아다만테닐아미노카르보닐기 등의 탄소수 3 내지 11 의 모노알케닐아미노카르보닐기 ; 등의 모노치환 아미노카르보닐기 ;
디메틸아미노카르보닐기, 디에틸아미노카르보닐기, 메틸에틸아미노카르보닐기, 디프로필아미노카르보닐기, 디부틸아미노카르보닐기, 디-n-헥실아미노카르보닐기, 디시클로헥실아미노카르보닐기, 디옥틸아미노카르보닐기, 피롤리디노카르보닐기, 피페리디노카르보닐기, 모르폴리노카르보닐기, 비스(메톡시에틸)아미노카르보닐기, 비스(에톡시에틸)아미노카르보닐기, 비스(프로폭시에틸)아미노카르보닐기, 비스(부톡시에틸)아미노카르보닐기, 디(아세틸옥시에틸)아미노카르보닐기, 디(히드록시에틸)아미노카르보닐기, N-에틸-N-(2-시아노에틸)아미노카르보닐기, 디(프로피오닐옥시에틸)아미노카르보닐기 등의 탄소수 3∼17 의 디알킬아미노카르보닐기;
디벤질아미노카르보닐기, 디페네틸아미노카르보닐기, 비스(4-에틸벤질)아미노카르보닐기, 비스(4-이소프로필벤질)아미노카르보닐기 등의 탄소수 15∼21 의 디아르알킬아미노카르보닐기;
디페닐아미노카르보닐기, 디톨릴아미노카르보닐기, N-페닐-N-톨릴아미노카르보닐기 등의 탄소수 13∼15 의 디아릴아미노카르보닐기;
디비닐아미노카르보닐기, 디알릴아미노카르보닐기, 디부테닐아미노카르보닐기, 디펜테닐아미노카르보닐기, 디헥세닐아미노카르보닐기, N-비닐-N-알릴아미노카르보닐기 등의 탄소수 5∼13 의 디알케닐아미노카르보닐기;
N-페닐-N-알릴아미노카르보닐기, N-(2-아세틸옥시에틸)-N-에틸아미노카르보닐기, N-톨릴-N-메틸아미노카르보닐기, N-비닐-N-메틸아미노카르보닐기, N-벤질-N-알릴아미노카르보닐기 등의 치환 또는 비치환의 알킬기, 아르알킬기, 아릴기, 알케닐기로부터 선택한 치환기를 갖는 탄소수 4∼11 의 디치환아미노카르보닐기;
등의 치환아미노카르보닐기를 들 수 있다.
고리 AR 에 치환하는 치환 또는 비치환의 알케닐기의 예로는, 상기에 예시한 알킬기를 치환기로서 가질 수도 있는 알케닐기, 또는 상기에 예시한 알킬기와 동일한 치환기를 가질 수도 있는 알케닐기이고, 바람직하게는, 비닐기, 프로페닐기, 1-부테닐기, iso-부테닐기, 1-펜테닐기, 2-펜테닐기, 2-메틸-1-부테닐기, 3-메틸-1-부테닐기, 2-메틸-2-부테닐기, 2,2-디시아노비닐기, 2-시아노-2-메틸카르복실비닐기, 2-시아노-2-메틸술폰비닐기, 스티릴기, 4-페닐-2-부테닐기 등의 탄소수 2∼10 의 알케닐기를 들 수 있다.
고리 AR 에 치환하는 치환 또는 비치환의 알케닐옥시기의 예로는, 상기에 예시한 알킬기를 치환기로서 가질 수도 있는 알케닐옥시기, 또는 상기에 예시한 알킬기와 동일한 치환기를 가질 수도 있는 알케닐옥시기이고, 바람직하게는, 비닐옥시기, 프로페닐옥시기, 1-부테닐옥시기, iso-부테닐옥시기, 1-펜테닐옥시기, 2-펜테닐옥시기, 2-메틸-1-부테닐옥시기, 3-메틸-1-부테닐옥시기, 2-메틸-2-부테닐옥시기, 시클로펜타디에닐옥시기, 2,2-디시아노비닐옥시기, 2-시아노-2-메틸카르복실비닐옥시기, 2-시아노-2-메틸술폰비닐옥시기, 스티릴옥시기, 4-페닐-2-부테닐옥시기, 신나밀알콕시기 등의 탄소수 2∼10 의 알케닐옥시기를 들 수 있다.
고리 AR 에 치환하는 치환 또는 비치환의 알케닐티오기의 예로는, 상기에 예시한 알킬기를 치환기로서 가질 수도 있는 알케닐티오기, 또는 상기에 예시한 알킬기와 동일한 치환기를 가질 수도 있는 알케닐티오기이고, 바람직하게는, 비닐티오기, 알릴티오기, 부테닐티오기, 헥산디에닐티오기, 시클로펜타디에닐티오기, 스티릴티오기, 시클로헥세닐티오기, 데세닐티오기 등의 탄소수 2∼10 의 알케닐티오기 등을 들 수 있다.
고리 AR 에 치환하는 치환 또는 비치환의 헤테로아릴기의 예로는, 상기에 예시한 알킬기를 치환기로서 가질 수도 있는 헤테로아릴기, 또는 상기에 예시한 알킬기와 동일한 치환기를 가질 수도 있는 헤테로아릴기이고, 바람직하게는, 푸라닐기, 피롤릴기, 3-피롤리노기, 피라졸릴기, 이미다졸릴기, 옥사졸릴기, 티아졸릴기, 1,2,3-옥사디아졸릴기, 1,2,3-트리아졸릴기, 1,2,4-트리아졸릴기, 1,3,4-티아디아졸릴기, 피리디닐기, 피리다지닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피페라지닐기, 트리아지닐기, 벤조푸라닐기, 인돌릴기, 티오나프세닐기, 벤즈이미다졸릴기, 벤조티아졸릴기, 벤조트리아졸-2-일기, 벤조트리아졸-1-일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 쿠마리닐기, 신놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 디벤조푸라닐기, 카르바졸릴기, 페난트로니릴기, 페노티아디닐기, 플라보닐기, 프탈이미딜기, 나프틸이미딜기 등의 비치환헤테로아릴기;
또는 이하의 치환기, 즉,
불소원자, 염소원자, 브롬원자, 요오드원자 등의 할로겐 원자;
시아노기;
메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 데실기, 메톡시메틸기, 에톡시에틸기, 에톡시에틸기, 트리플루오로메틸기 등의 알킬기;
벤질기, 페네틸기 등의 아르알킬기;
페닐기, 톨릴기, 나프틸기, 자일릴기, 메실기, 클로로페닐기, 메톡시페닐기 등의 아릴기;
메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜톡시기, 헥실옥시기, 헵틸옥시기, 옥틸옥시기, 노닐옥시기, 데실옥시기, 2-에틸헥실옥시기, 3,5,5-트리메틸헥실옥시기, 페로센메톡시기, 코발트센메톡시기, 니켈로센메톡시기 등의 알콕시기;
벤질옥시기, 페네틸옥시기 등의 아르알킬옥시기;
페녹시기, 톨릴옥시기, 나프톡시기, 자일릴옥시기, 메시틸옥시기, 클로로페녹시기, 메톡시페녹시기 등의 아릴옥시기;
비닐기, 알릴기, 부테닐기, 부타디에닐기, 펜테닐기, 시클로펜타디에닐기, 옥테닐기 등의 알케닐기;
비닐옥시기, 알릴옥시기, 부테닐옥시기, 부타디에닐옥시기, 펜테닐옥시기,시클로펜타디에닐옥시기, 옥테닐옥시기 등의 알케닐옥시기;
메틸티오기, 에틸티오기, 프로필티오기, 부틸티오기, 펜틸티오기, 헥실티오기, 헵틸티오기, 옥틸티오기, 데실티오기, 메톡시메틸티오기, 에톡시에틸티오기, 에톡시에틸티오기, 트리플루오로메틸티오기 등의 알킬티오기;
벤질티오기, 페네틸티오기 등의 아르알킬티오기;
페닐티오기, 톨릴티오기, 나프틸티오기, 자일릴티오기, 메실티오기, 클로로페닐티오기, 메톡시페닐티오기 등의 아릴티오기;
디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디프로필아미노기, 디부틸아미노기 등의 디알킬아미노기;
아세틸기, 프로피오닐기, 부타노일기, 페로센카르보닐기, 코발트센카르보닐기, 니켈로센카르보닐기 등의 아실기;
메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기, 페로센메톡시카르보닐기, 1-메틸페로센-1'-일메톡시카르보닐기, 코발트세닐메톡시카르보닐기, 니켈로세닐메톡시카르보닐기 등의 알콕시카르보닐기;
벤질옥시카르보닐기, 페네틸옥시카르보닐기 등의 아르알킬옥시카르보닐기;
페녹시카르보닐기, 톨릴옥시카르보닐기, 나프톡시카르보닐기, 자일릴옥시카르보닐기, 메실옥시카르보닐기, 클로로페녹시카르보닐기, 메톡시페녹시카르보닐기 등의 아릴옥시카르보닐기;
비닐옥시카르보닐기, 알릴옥시카르보닐기, 부테닐옥시카르보닐기, 부타디에닐옥시카르보닐기, 시클로펜타디에닐옥시기, 펜테닐옥시카르보닐기, 옥테닐옥시카르보닐기 등의 알케닐옥시카르보닐기;
메틸아미노카르보닐기, 에틸아미노카르보닐기, 프로필아미노카르보닐기, 부틸아미노카르보닐기, 펜틸아미노카르보닐기, 헥실아미노카르보닐기, 헵틸아미노카르보닐기, 옥틸아미노카르보닐기, 노닐아미노카르보닐기, 3,5,5-트리메틸헥실아미노카르보닐기, 2-에틸헥실아미노카르보닐기 등의 탄소수 2∼10 의 모노알킬아미노카르보닐기나, 디메틸아미노카르보닐기, 디에틸아미노카르보닐기, 디프로필아미노카르보닐기, 디부틸아미노카르보닐기, 디펜틸아미노카르보닐기, 디헥실아미노카르보닐기, 디헵틸아미노카르보닐기, 디옥틸아미노카르보닐기, 피페리디노카르보닐기, 모르폴리노카르보닐기, 4-메틸피페라지노카르보닐기, 4-에틸피페라지노카르보닐기 등의 탄소수 3∼20 의 디알킬아미노카르보닐기 등의 알킬아미노카르보닐기;
푸라닐기, 피롤릴기, 3-피롤리노기, 피롤리디노기, 1,3-옥소라닐기, 피라졸릴기, 2-피라졸리닐기, 피라졸리디닐기, 이미다졸릴기, 옥사졸릴기, 티아졸릴기, 1,2,3-옥사디아졸릴기, 1,2,3-트리아졸릴기, 1,2,4-트리아졸릴기, 1,3,4-티아디아졸릴기, 4H-피라닐기, 피리디닐기, 피페리디닐기, 디옥사닐기, 모르폴리닐기, 피리다지닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피페라지닐기, 트리아지닐기, 벤조푸라닐기, 인돌릴기, 티오나프세닐기, 벤즈이미다졸릴기, 벤조티아졸릴기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 쿠마리닐기, 신놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 디벤조푸라닐기, 카르바졸릴기, 페난트로니릴기, 페노티아디닐기, 플라보닐기 등의 복소환기;
페로세닐기, 코발트세닐기, 니켈로세닐기, 루테노세닐기, 오스모세닐기, 티타노세닐기 등의 메탈로세닐기; 등의 치환기에 의해 치환한 헤테로아릴기를 들 수있다.
고리 AR 로 치환하는 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시기의 예로는, 상기에 예시한 알킬기를 치환기로서 가질 수도 있는 헤테로아릴옥시기, 또는 상기에 예시한 알킬기와 동일한 치환기를 가질 수도 있는 헤테로아릴옥시기이고, 바람직하게는, 푸라닐옥시기, 피롤릴옥시기, 3-피롤리노옥시기, 피라졸릴옥시기, 이미다졸릴옥시기, 옥사졸릴옥시기, 티아졸릴옥시기, 1,2,3-옥사디아졸릴옥시기, 1,2,3-트리아졸릴옥시기, 1,2,4-트리아졸릴옥시기, 1,3,4-티아디아졸릴옥시기, 피리디닐옥시기, 피리다지닐옥시기, 피리미디닐옥시기, 피라지닐옥시기, 피페라지닐옥시기, 트리아지닐옥시기, 벤조푸라닐옥시기, 인돌릴옥시기, 티오나프세닐옥시기, 벤즈이미다졸릴옥시기, 벤조티아졸릴옥시기, 벤조트리아졸-2-일옥시기, 벤조트리아졸-1-일옥시기, 푸리닐옥시기, 퀴놀리닐옥시기, 이소퀴놀리닐옥시기, 쿠마리닐옥시기, 신놀리닐옥시기, 퀴녹살리닐옥시기, 디벤조푸라닐옥시기, 카르바졸릴옥시기, 페난트로니릴옥시기, 페노티아디닐옥시기, 플라보닐옥시기, 프탈이미딜옥시기, 나프틸이미딜옥시기 등의 비치환헤테로아릴옥시기;
또는 이하의 치환기, 즉,
불소원자, 염소원자, 브롬원자, 요오드원자 등의 할로겐 원자;
시아노기;
메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 데실기, 메톡시메틸기, 에톡시에틸기, 에톡시에틸기, 트리플루오로메틸기 등의 알킬기;
벤질기, 페네틸기 등의 아르알킬기;
페닐기, 톨릴기, 나프틸기, 자일릴기, 메실기, 클로로페닐기, 메톡시페닐기 등의 아릴기;
메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜톡시기, 헥실옥시기, 헵틸옥시기, 옥틸옥시기, 노닐옥시기, 데실옥시기, 2-에틸헥실옥시기, 3,5,5-트리메틸헥실옥시기, 페로센메톡시기, 코발트센메톡시기, 니켈로센메톡시기 등의 알콕시기;
벤질옥시기, 페네틸옥시기 등의 아르알킬옥시기;
페녹시기, 톨릴옥시기, 나프톡시기, 자일릴옥시기, 메시틸옥시기, 클로로페녹시기, 메톡시페녹시기 등의 아릴옥시기;
비닐기, 알릴기, 부테닐기, 부타디에닐기, 펜테닐기, 시클로펜타디에닐기, 옥테닐기 등의 알케닐기;
비닐옥시기, 알릴옥시기, 부테닐옥시기, 부타디에닐옥시기, 펜테닐옥시기, 시클로펜타디에닐옥시기, 옥테닐옥시기 등의 알케닐옥시기;
메틸티오기, 에틸티오기, 프로필티오기, 부틸티오기, 펜틸티오기, 헥실티오기, 헵틸티오기, 옥틸티오기, 데실티오기, 메톡시메틸티오기, 에톡시에틸티오기, 에톡시에틸티오기, 트리플루오로메틸티오기 등의 알킬티오기;
벤질티오기, 페네틸티오기 등의 아르알킬티오기;
페닐티오기, 톨릴티오기, 나프틸티오기, 자일릴티오기, 메실티오기, 클로로페닐티오기, 메톡시페닐티오기 등의 아릴티오기;
디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디프로필아미노기, 디부틸아미노기 등의 디알킬아미노기;
아세틸기, 프로피오닐기, 부타노일기, 페로센카르보닐기, 코발트센카르보닐기, 니켈로센카르보닐기 등의 아실기;
메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기, 페로센메톡시카르보닐기, 1-메틸페로센-1'-일메톡시카르보닐기, 코발트세닐메톡시카르보닐기, 니켈로세닐메톡시카르보닐기 등의 알콕시카르보닐기;
벤질옥시카르보닐기, 페네틸옥시카르보닐기 등의 아르알킬옥시카르보닐기;
페녹시카르보닐기, 톨릴옥시카르보닐기, 나프톡시카르보닐기, 자일릴옥시카르보닐기, 메실옥시카르보닐기, 클로로페녹시카르보닐기, 메톡시페녹시카르보닐기 등의 아릴옥시카르보닐기;
비닐옥시카르보닐기, 알릴옥시카르보닐기, 부테닐옥시카르보닐기, 부타디에닐옥시카르보닐기, 시클로펜타디에닐옥시기, 펜테닐옥시카르보닐기, 옥테닐옥시카르보닐기 등의 알케닐옥시카르보닐기;
메틸아미노카르보닐기, 에틸아미노카르보닐기, 프로필아미노카르보닐기, 부틸아미노카르보닐기, 펜틸아미노카르보닐기, 헥실아미노카르보닐기, 헵틸아미노카르보닐기, 옥틸아미노카르보닐기, 노닐아미노카르보닐기, 3,5,5-트리메틸헥실아미노카르보닐기, 2-에틸헥실아미노카르보닐기 등의 탄소수 2∼10 의 모노알킬아미노카르보닐기나, 디메틸아미노카르보닐기, 디에틸아미노카르보닐기, 디프로필아미노카르보닐기, 디부틸아미노카르보닐기, 디펜틸아미노카르보닐기, 디헥실아미노카르보닐기, 디헵틸아미노카르보닐기, 디옥틸아미노카르보닐기, 피페리디노카르보닐기, 모르폴리노카르보닐기, 4-메틸피페라지노카르보닐기, 4-에틸피페라지노카르보닐기등의 탄소수 3∼20 의 디알킬아미노카르보닐기 등의 알킬아미노카르보닐기;
푸라닐기, 피롤릴기, 3-피롤리노기, 피롤리디노기, 1,3-옥소라닐기, 피라졸릴기, 2-피라졸리닐기, 피라졸리디닐기, 이미다졸릴기, 옥사졸릴기, 티아졸릴기, 1,2,3-옥사디아졸릴기, 1,2,3-트리아졸릴기, 1,2,4-트리아졸릴기, 1,3,4-티아디아졸릴기, 4H-피라닐기, 피리디닐기, 피페리디닐기, 디옥사닐기, 모르폴리닐기, 피리다지닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피페라지닐기, 트리아지닐기, 벤조푸라닐기, 인돌릴기, 티오나프세닐기, 벤즈이미다졸릴기, 벤조티아졸릴기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 쿠마리닐기, 신놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 디벤조푸라닐기, 카르바졸릴기, 페난트로니릴기, 페노티아디닐기, 플라보닐기 등의 복소환기;
페로세닐기, 코발트세닐기, 니켈로세닐기, 루테노세닐기, 오스모세닐기, 티타노세닐기 등의 메탈로세닐기; 등의 치환기에 의해 치환한 헤테로아릴옥시기를 들 수 있다.
고리 AR 로 치환하는 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시카르보닐기의 예로는, 상기에 예시한 알킬기를 치환기로서 가질 수도 있는 헤테로아릴옥시기, 또는 상기에 예시한 알킬기와 동일한 치환기를 가질 수도 있는 헤테로아릴옥시카르보닐기이고, 바람직하게는, 푸라닐옥시카르보닐기, 피롤릴옥시카르보닐기, 3-피롤리노옥시카르보닐기, 피라졸릴옥시카르보닐기, 이미다졸릴옥시카르보닐기, 옥사졸릴옥시카르보닐기, 티아졸릴옥시카르보닐기, 1,2,3-옥사디아졸릴옥시카르보닐기, 1,2,3-트리아졸릴옥시카르보닐기, 1,2,4-트리아졸릴옥시카르보닐기, 1,3,4-티아디아졸릴옥시카르보닐기, 피리디닐옥시카르보닐기, 피리다지닐옥시카르보닐기, 피리미디닐옥시카르보닐기, 피라지닐옥시카르보닐기, 피페라디닐옥시카르보닐기, 트리아디닐옥시카르보닐기, 벤조푸라닐옥시카르보닐기, 인돌릴옥시카르보닐기, 티오나프세닐옥시카르보닐기, 벤즈이미다졸릴옥시카르보닐기, 벤조티아졸릴옥시카르보닐기, 벤조트리아졸-2-일옥시기, 벤조트리아졸-1-일옥시카르보닐기, 푸리닐옥시카르보닐기, 퀴놀리닐옥시카르보닐기, 이소퀴놀리닐옥시카르보닐기, 쿠마리닐옥시카르보닐기, 신놀리닐옥시카르보닐기, 퀴녹살리닐옥시카르보닐기, 디벤조푸라닐옥시카르보닐기, 카르바졸릴옥시카르보닐기, 페난트로니릴옥시카르보닐기, 페노티아디닐옥시카르보닐기, 플라보닐옥시카르보닐기, 프탈이미딜옥시카르보닐기, 나프틸이미딜옥시카르보닐기 등의 비치환헤테로아릴옥시카르보닐기;
또는 이하의 치환기, 즉,
불소원자, 염소원자, 브롬원자, 요오드원자 등의 할로겐 원자;
시아노기;
메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 데실기, 메톡시메틸기, 에톡시에틸기, 에톡시에틸기, 트리플루오로메틸기 등의 알킬기;
벤질기, 페네틸기 등의 아르알킬기;
페닐기, 톨릴기, 나프틸기, 자일릴기, 메실기, 클로로페닐기, 메톡시페닐기 등의 아릴기;
메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜톡시기, 헥실옥시기, 헵틸옥시기, 옥틸옥시기, 노닐옥시기, 데실옥시기, 2-에틸헥실옥시기, 3,5,5-트리메틸헥실옥시기, 페로센메톡시기, 코발트센메톡시기, 니켈로센메톡시기 등의 알콕시기;
벤질옥시기, 페네틸옥시기 등의 아르알킬옥시기;
페녹시기, 톨릴옥시기, 나프톡시기, 자일릴옥시기, 메시틸옥시기, 클로로페녹시기, 메톡시페녹시기 등의 아릴옥시기;
비닐기, 알릴기, 부테닐기, 부타디에닐기, 펜테닐기, 시클로펜타디에닐기, 옥테닐기 등의 알케닐기;
비닐옥시기, 알릴옥시기, 부테닐옥시기, 부타디에닐옥시기, 펜테닐옥시기, 시클로펜타디에닐옥시기, 옥테닐옥시기 등의 알케닐옥시기;
메틸티오기, 에틸티오기, 프로필티오기, 부틸티오기, 펜틸티오기, 헥실티오기, 헵틸티오기, 옥틸티오기, 데실티오기, 메톡시메틸티오기, 에톡시에틸티오기, 에톡시에틸티오기, 트리플루오로메틸티오기 등의 알킬티오기;
벤질티오기, 페네틸티오기 등의 아르알킬티오기;
페닐티오기, 톨릴티오기, 나프틸티오기, 자일릴티오기, 메실티오기, 클로로페닐티오기, 메톡시페닐티오기 등의 아릴티오기;
디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디프로필아미노기, 디부틸아미노기 등의 디알킬아미노기;
아세틸기, 프로피오닐기, 부타노일기, 페로센카르보닐기, 코발트센카르보닐기, 니켈로센카르보닐기 등의 아실기;
메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기, 페로센메톡시카르보닐기, 1-메틸페로센-1'-일메톡시카르보닐기, 코발트세닐메톡시카르보닐기, 니켈로세닐메톡시카르보닐기 등의 알콕시카르보닐기;
벤질옥시카르보닐기, 페네틸옥시카르보닐기 등의 아르알킬옥시카르보닐기;
페녹시카르보닐기, 톨릴옥시카르보닐기, 나프톡시카르보닐기, 자일릴옥시카르보닐기, 메실옥시카르보닐기, 클로로페녹시카르보닐기, 메톡시페녹시카르보닐기 등의 아릴옥시카르보닐기;
비닐옥시카르보닐기, 알릴옥시카르보닐기, 부테닐옥시카르보닐기, 부타디에닐옥시카르보닐기, 시클로펜타디에닐옥시기, 펜테닐옥시카르보닐기, 옥테닐옥시카르보닐기 등의 알케닐옥시카르보닐기;
메틸아미노카르보닐기, 에틸아미노카르보닐기, 프로필아미노카르보닐기, 부틸아미노카르보닐기, 펜틸아미노카르보닐기, 헥실아미노카르보닐기, 헵틸아미노카르보닐기, 옥틸아미노카르보닐기, 노닐아미노카르보닐기, 3,5,5-트리메틸헥실아미노카르보닐기, 2-에틸헥실아미노카르보닐기 등의 탄소수 2∼10 의 모노알킬아미노카르보닐기나, 디메틸아미노카르보닐기, 디에틸아미노카르보닐기, 디프로필아미노카르보닐기, 디부틸아미노카르보닐기, 디펜틸아미노카르보닐기, 디헥실아미노카르보닐기, 디헵틸아미노카르보닐기, 디옥틸아미노카르보닐기, 피페리디노카르보닐기, 모르폴리노카르보닐기, 4-메틸피페라지노카르보닐기, 4-에틸피페라지노카르보닐기 등의 탄소수 3∼20 의 디알킬아미노카르보닐기 등의 알킬아미노카르보닐기;
푸라닐기, 피롤릴기, 3-피롤리노기, 피롤리디노기, 1,3-옥소라닐기, 피라졸릴기, 2-피라졸리닐기, 피라졸리디닐기, 이미다졸릴기, 옥사졸릴기, 티아졸릴기, 1,2,3-옥사디아졸릴기, 1,2,3-트리아졸릴기, 1,2,4-트리아졸릴기, 1,3,4-티아디아졸릴기, 4H-피라닐기, 피리디닐기, 피페리디닐기, 디옥사닐기, 모르폴리닐기, 피리다지닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피페라지닐기, 트리아지닐기, 벤조푸라닐기, 인돌릴기, 티오나프세닐기, 벤즈이미다졸릴기, 벤조티아졸릴기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 쿠마리닐기, 신놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 디벤조푸라닐기, 카르바졸릴기, 페난트로니릴기, 페노티아디닐기, 플라보닐기 등의 복소환기;
페로세닐기, 코발트세닐기, 니켈로세닐기, 루테노세닐기, 오스모세닐기, 티타노세닐기 등의 메탈로세닐기; 등의 치환기에 의해 치환한 헤테로아릴옥시카르보닐기를 들 수 있다.
고리 AR 에 치환하는 치환 또는 비치환의 헤테로아릴티오기의 예로는, 상기에 예시한 알킬기를 치환기로서 가질 수도 있는 헤테로아릴티오기, 또는 상기에 예시한 알킬기와 동일한 치환기를 가질 수도 있는 헤테로아릴티오기이고, 바람직하게는, 푸라닐티오기, 피롤릴티오기, 3-피롤리노티오기, 피라졸릴티오기, 이미다졸릴티오기, 옥사졸릴티오기, 티아졸릴티오기, 1,2,3-옥사디아졸릴티오기, 1,2,3-트리아졸릴티오기, 1,2,4-트리아졸릴티오기, 1,3,4-티아디아졸릴티오기, 피리디닐티오기, 피리다지닐티오기, 피리미디닐티오기, 피라지닐티오기, 피페라디닐티오기, 트리아디닐티오기, 벤조푸라닐티오기, 인돌릴티오기, 티오나프세닐티오기, 벤즈이미다졸릴티오기, 벤조티아졸릴티오기, 벤조트리아졸-2-일티오기, 벤조트리아졸-1-일티오기, 푸리닐티오기, 퀴놀리닐티오기, 이소퀴놀리닐티오기, 쿠마리닐티오기, 신놀리닐티오기, 퀴녹살리닐티오기, 디벤조푸라닐티오기, 카르바졸릴티오기, 페난트로니릴티오기, 페노티아디닐티오기, 플라보닐티오기, 프탈이미딜티오기, 나프틸이미딜티오기 등의 비치환헤테로아릴티오기;
또는 이하의 치환기, 즉,
불소원자, 염소원자, 브롬원자, 요오드원자 등의 할로겐 원자;
시아노기;
메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 데실기, 메톡시메틸기, 에톡시에틸기, 에톡시에틸기, 트리플루오로메틸기 등의 알킬기;
벤질기, 페네틸기 등의 아르알킬기;
페닐기, 톨릴기, 나프틸기, 자일릴기, 메실기, 클로로페닐기, 메톡시페닐기 등의 아릴기;
메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜톡시기, 헥실옥시기, 헵틸옥시기, 옥틸옥시기, 노닐옥시기, 데실옥시기, 2-에틸헥실옥시기, 3,5,5-트리메틸헥실옥시기, 페로센메톡시기, 코발트센메톡시기, 니켈로센메톡시기 등의 알콕시기;
벤질옥시기, 페네틸옥시기 등의 아르알킬옥시기;
페녹시기, 톨릴옥시기, 나프톡시기, 자일릴옥시기, 메시틸옥시기, 클로로페녹시기, 메톡시페녹시기 등의 아릴옥시기;
비닐기, 알릴기, 부테닐기, 부타디에닐기, 펜테닐기, 시클로펜타디에닐기, 옥테닐기 등의 알케닐기;
비닐옥시기, 알릴옥시기, 부테닐옥시기, 부타디에닐옥시기, 펜테닐옥시기, 시클로펜타디에닐옥시기, 옥테닐옥시기 등의 알케닐옥시기;
메틸티오기, 에틸티오기, 프로필티오기, 부틸티오기, 펜틸티오기, 헥실티오기, 헵틸티오기, 옥틸티오기, 데실티오기, 메톡시메틸티오기, 에톡시에틸티오기,에톡시에틸티오기, 트리플루오로메틸티오기 등의 알킬티오기;
벤질티오기, 페네틸티오기 등의 아르알킬티오기;
페닐티오기, 톨릴티오기, 나프틸티오기, 자일릴티오기, 메실티오기, 클로로페닐티오기, 메톡시페닐티오기 등의 아릴티오기;
디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디프로필아미노기, 디부틸아미노기 등의 디알킬아미노기;
아세틸기, 프로피오닐기, 부타노일기, 페로센카르보닐기, 코발트센카르보닐기, 니켈로센카르보닐기 등의 아실기;
메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기, 페로센메톡시카르보닐기, 1-메틸페로센-1'-일메톡시카르보닐기, 코발트세닐메톡시카르보닐기, 니켈로세닐메톡시카르보닐기 등의 알콕시카르보닐기;
벤질옥시카르보닐기, 페네틸옥시카르보닐기 등의 아르알킬옥시카르보닐기;
페녹시카르보닐기, 톨릴옥시카르보닐기, 나프톡시카르보닐기, 자일릴옥시카르보닐기, 메실옥시카르보닐기, 클로로페녹시카르보닐기, 메톡시페녹시카르보닐기 등의 아릴옥시카르보닐기;
비닐옥시카르보닐기, 알릴옥시카르보닐기, 부테닐옥시카르보닐기, 부타디에닐옥시카르보닐기, 시클로펜타디에닐옥시기, 펜테닐옥시카르보닐기, 옥테닐옥시카르보닐기 등의 알케닐옥시카르보닐기;
메틸아미노카르보닐기, 에틸아미노카르보닐기, 프로필아미노카르보닐기, 부틸아미노카르보닐기, 펜틸아미노카르보닐기, 헥실아미노카르보닐기, 헵틸아미노카르보닐기, 옥틸아미노카르보닐기, 노닐아미노카르보닐기, 3,5,5-트리메틸헥실아미노카르보닐기, 2-에틸헥실아미노카르보닐기 등의 탄소수 2∼10 의 모노알킬아미노카르보닐기나, 디메틸아미노카르보닐기, 디에틸아미노카르보닐기, 디프로필아미노카르보닐기, 디부틸아미노카르보닐기, 디펜틸아미노카르보닐기, 디헥실아미노카르보닐기, 디헵틸아미노카르보닐기, 디옥틸아미노카르보닐기, 피페리디노카르보닐기, 모르폴리노카르보닐기, 4-메틸피페라지노카르보닐기, 4-에틸피페라지노카르보닐기 등의 탄소수 3∼20 의 디알킬아미노카르보닐기 등의 알킬아미노카르보닐기;
푸라닐기, 피롤릴기, 3-피롤리노기, 피롤리디노기, 1,3-옥소라닐기, 피라졸릴기, 2-피라졸리닐기, 피라졸리디닐기, 이미다졸릴기, 옥사졸릴기, 티아졸릴기, 1,2,3-옥사디아졸릴기, 1,2,3-트리아졸릴기, 1,2,4-트리아졸릴기, 1,3,4-티아디아졸릴기, 4H-피라닐기, 피리디닐기, 피페리디닐기, 디옥사닐기, 모르폴리닐기, 피리다지닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피페라지닐기, 트리아지닐기, 벤조푸라닐기, 인돌릴기, 티오나프세닐기, 벤즈이미다졸릴기, 벤조티아졸릴기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 쿠마리닐기, 신놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 디벤조푸라닐기, 카르바졸릴기, 페난트로니릴기, 페노티아디닐기, 플라보닐기 등의 복소환기;
페로세닐기, 코발트세닐기, 니켈로세닐기, 루테노세닐기, 오스모세닐기, 티타노세닐기 등의 메탈로세닐기; 등의 치환기에 의해 치환한 헤테로아릴티오기를 들 수 있다.
고리 AR 에 치환하는 치환 또는 비치환의 메탈로세닐기의 예로는, 상기에 예시한 알킬기를 치환기로서 가질 수도 있는 메탈로세닐기, 또는 상기에 예시한 알킬기가 갖는 치환기와 동일한 치환기를 가질 수도 있는 메탈로세닐기, 또는 치환기를 갖는 포스피노기를 갖는 메탈로세닐기를 들 수 있다. 구체예로는, 하기 식 (12):
(식 중, M5은 1∼2가의 천이금속 원자를 나타내고, Q50∼Q59는, 각각 독립적으로 단결합, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아실기, 치환 또는 비치환의 아실옥시기, 치환 또는 비치환의 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아미노기, 치환기를 갖는 포스피노기를 나타내고, 또 Q50∼Q59로부터 선택되는 2개 이상의 치환기가 서로 독립적으로 연결기를 통하여 결합되어, 치환되어 있는 탄소 원자와 함께 고리구조를 형성할 수도 있고, X5는 할로겐 원자 또는 CO를 나타내고, n51은 0 또는 1을 나타낸다. 단, Q50∼Q59는 적어도 1개 이상이 단결합이다.) 로 표시되는 메탈로세닐기를 들 수 있다.
M5로 표시되는 1∼2가의 천이금속은 메탈로센을 구성할 수 있는 금속이면 특별히 한정하지 않으나, 바람직한 예로는, Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd, Ir, Pt, Os, Mn, Cr, W, V, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd, Er, Tm, Yb 등을 들 수 있으며, 좀더 바람직하게는 8족의 금속원자, 특히 바람직하게는 Fe를 들 수 있다.
Q50∼Q59로 표시되는 할로겐 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아실기, 치환 또는 비치환의 아실옥시기, 치환 또는 비치환의 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아미노기, 치환 또는 비치환의 알케닐기의 구체예로는, 전술한 AR로 치환되는 치환기와 동일한 기를 들 수 있다.
Q50∼Q59로 표시되는 치환기를 갖는 포스피노기란, 상기에 든 알킬기를 치환기로서 가질 수 있는 포스피노기, 또는 상기에 든 알킬기가 갖는 치환기와 동일한 치환기를 가질 수 있는 포스피노기로서, 구체적으로는 디메틸포스피노기, 디에틸포스피노기, 디프로필포스피노기, 디부틸포스피노기, 디펜틸포스피노기, 디헥실포스피노기 등의 디알킬포스피노기, P-메틸-P-페닐포스피노기 등의 알킬아릴포스피노기, 디페닐포스피노기, 페닐-3,5-크시릴포스피노기 등의 디아릴포스피노기 등을 들 수 있다.
X5로 표시되는 할로겐 원자의 예로는, 불소원자, 염소원자, 브롬원자, 요오드원자 등을 들 수 있다.
또한, 고리 AR상의 각 치환기로부터, 선택되는 2개 이상의 치환기가 각각독립적으로 서로 연결기(T라 칭함)를 통하여 결합되고, 각 치환기가 치환되어 있는 위치의 원자와 함께 고리구조를 형성한 것을 들 수 있다. 형성하는 고리구조의 구체적인 예로는, 탄소환식 지방족환, 복소환식 지방족환, 탄소환식 방향족환, 복소환식 방향족환 등을 들 수 있으며, 적절히 조합하여 원하는 평면형 또는 입체형의 고리구조를 들 수 있다.
또한, 고리 AR로 표시되는 2개 이상의 방향족환 잔기가 1개 이상의 연결기(T)를 통하여 결합되어 이루어지는 잔기에 대해서는, 전술한 치환 또는 비치환의 탄소환식 방향족환, 또는 치환 또는 비치환의 복소환식 방향족환에서 선택한 2개 이상의 방향족환을 선택하여, 1개 이상의 연결기를 통하여 결합되어 이루어지는 잔기를 들 수 있다.
2개 이상의 방향족환을 연결하기 위한 연결기(T)로는, 단결합 또는 탄소 원자 및 질소원자, 산소 원자, 황원자, 인원자, 금속원자, 반금속원자 등의 헤테로원자, 수소 원자를 적절히 선택하여 조합하여 이루어지는 기로서, 바람직한 연결기의 예로는, -O-, -S-, -C(=0)-, -C(=S)-, -S(=0)-, -SO2-, -C(RL1)(RL2)-, -C(RL1)=C(RL2)-, -C=C-, -N=C(RL1)-, -N(RL1)- [RL1, RL2는 수소 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 아릴기를 나타낸다], 치환 또는 비치환의 2가 지방족 탄화수소기, 치환 또는 비치환의 2가 방향족환기 등의 2가 연결기, 니트릴로기, 붕소원자, 인원자 등의 3가 연결기, 스피로 탄소 원자, 스피로 규소원자 등의 4가 연결기, 전형금속원자, 천이금속 원자 등의 2∼8가 금속원자, 또는 2∼10가 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기 등의 2∼10가 연결기에서 1개 이상 선택하여 결합하여 이루어지는 2∼10가 연결기를 들 수 있다.
치환 또는 비치환의 2가 지방족 탄화수소기의 예로는, 바람직하게는 탄소수 1∼20의 직쇄, 분기, 고리형 2가 포화지방족 탄화수소기 또는 불포화지방족 탄화수소기를 들 수 있으며, 2가 지방족 탄화수소기로 치환되는 치환기의 탄소 원자-탄소 원자간에 산소 원자, 산소 원자를 가질 수 있는 황원자, 치환 또는 비치환의 이미노기, 카르보닐기, 티아카르보닐기, 금속원자를 가질 수도 있다. 바람직한 예로는, 메틸렌기, 에틸렌기, 1,2-디클로로에틸렌기, 트리메틸렌기, 테트라메탈렌기, 펜타메틸렌기, 시클로펜틸렌기, 헥사메틸렌기, 시클로헥실렌기, 헵타메틸렌기, 옥타메틸렌기, 노나메틸렌기, 데카메틸렌기, 운데카메틸렌기, 도데카메틸렌기, 트리데카메틸렌기, 테트라데카메틸렌기, 펜타데카메틸렌기 등의 탄소수 1∼16의 치환 또는 비치환의 알킬렌기;
비닐렌기, 1,2-디클로로비닐렌기, 프로페닐렌기, 1-프테닐렌기, 1-펜테닐렌기, 2-펜테닐렌기, 데카닐렌기 등의 알케닐렌기 등의 탄소수 1∼10의 치환 또는 비치환의 알케닐렌기;
에티닐렌기, 프로피닐렌기, 1,3-부타디이닐렌기, 1,2-비스에틸렌옥시카르보닐에틴기, 1,2-비스프로필렌옥시카르보닐에틴기, 1,2-비스부틸렌옥시카르보닐에틴기 등의 탄소수 1∼12의 치환 또는 비치환의 알키닐렌기 등의 2가 지방족 탄화수소기를 들 수 있다.
치환 또는 비치환의 2가 방향족환기를 형성하는 고리의 구체적인 예로는, 전술한 치환 또는 비치환의 탄소환식 방향족환, 복소환식 방향족환을 들 수 있다.
치환 또는 비치환의 2가 방향족환기의 바람직한 예로는, 페닐렌기, 나프틸렌기, 인데닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오레닐렌기, 아즈레닐렌기, 나프타세닐렌기, 글리세닐렌기, 피레닐렌기, 페리레닐렌기 등의 2가 방향족 탄화수소기;
프라닐렌기, 피롤릴렌기, 3-피롤리닐렌기, 피롤리디닐렌기, 1,3-옥소라닐렌기, 피라졸릴렌기, 2-피라졸리니릴렌기, 피라졸리디닐렌기, 이미다조릴렌기, 옥사조릴렌기, 티아조릴렌기, 1,2,3-옥사디아조릴렌기, 1,2,3-트리아조릴렌기, 1,2,4-트리아조릴렌기, 1,3,4-티아디아조릴렌기, 4H-피라닐렌기, 피리디닐렌기, 피페리디닐렌기, 디옥사닐렌기, 모르폴리닐렌기, 피리다지닐렌기, 피리미디닐렌기, 피라디닐렌기, 피페라디닐렌기, 트리아디닐렌기, 벤조프라닐렌기, 인돌릴렌기, 티오나프세닐렌기, 벤즈이미자조릴렌기, 벤조티아조릴렌기, 프리닐렌기, 퀴놀리닐렌기, 이소퀴놀릴렌기, 크마리닐렌기, 신노리닐렌기, 퀴노크사리닐렌기, 디벤조프라닐렌기,카르바졸릴렌기, 페난트로니릴렌기, 페노티아디닐렌기, 플라보닐렌기, 페리미딜렌기 등의 2가 복소환기;
페로세닐렌기, 코발트세닐렌기, 니켈로세닐렌기, 디클로로티타노세닐렌기, 트리클로로티탄시클로펜타디에닐렌기, 비스(트리플루오메탄술포나토)티타노세닐렌기, 디클로로지르코노세닐렌기, 디메틸지르코노세닐렌기, 디에톡시지르코노세닐렌기, 크롬비스(시클로펜타디에닐렌)기, 디클로로몰리브덴비스(시클로펜타디에닐렌), 디클로로하프늄비스(시클로펜타디에닐렌), 디클로로니오브비스(시클로펜타디에닐렌), 루테늄비스(시클로펜타디에닐렌)기, 바나듐비스(시클로펜타디에닐렌)기, 디클로로바나듐비스(시클로펜타디에닐렌)기, 옥타메틸페로세닐렌기, 옥타메틸코발트세닐렌기, 옥타메틸니켈로세닐렌기 등의 2가 메탈로세닐렌기; 등의 2가 방향족환기를 들 수 있다.
2∼8가 금속원자의 예로는, 주기표 ⅡA∼ⅥA, ⅠB, ⅡB의 전형금속원자, 주기표 ⅢA∼Ⅷ의 2∼8가 천이금속 원자를 들 수 있으며, 바람직하게는 Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Ra, Al, Ga, In, Tl, Ge, Sn, Pb, Sb, Bi, Po, Sc, Y, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Tc, Re, Fe, Ru, Os, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, CD, Hg, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Ac, Th, Pa, U, Np, Pu, Am, Cm, Bk, CF, Es, Fm, Md, No, Lr 등을 들 수 있다.
2∼10가 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기의 예로는, 하기 일반식(13):
(식 중, M6은 1∼2가 천이금속 원자를 나타내고, Q60∼Q69는 각각 독립적으로 단결합, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아실기, 치환 또는 비치환의 아실옥시기, 치환 또는 비치환의 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아미노기, 치환기를 갖는 포스피노기를 나타내며, X6은 할로겐 원자 또는 CO를 나타내고, n6은 0 또는 1을 나타낸다. 단, Q60∼Q69는 적어도 2개 이상이 단결합이다.)로 표시되는 메탈로센 잔기를 들 수 있다.
M6으로 표시되는 1∼2가 천이금속 원자의 구체예로는, 전술한 식(12)의 M5로 표시되는 1∼2가 천이금속 원자와 동일한 금속원자를 들 수 있다.
Q60∼Q69로 표시되는 할로겐 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아실기, 치환 또는 비치환의 아실옥시기, 치환 또는 비치환의 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아미노기, 치환기를 갖는 포스피노기의 구체예로는, 전술한 식(12)의 Q50∼Q59와 동일한 기를 들 수 있다.
X6으로 표시되는 할로겐 원자의 구체예로는, 전술한 식(12)의 X5로 표시되는 할로겐 원자와 동일한 할로겐 원자를 들 수 있다.
연결기(T)의 바람직한 결합예로는, 식 (15) 및/또는 식(16):
(식 중, Rr1∼Rr2, Rr3∼Rr5는 서로 독립적으로, 고리 AR상의 각 치환기 또는 고리 AR을 구성하는 방향족환 잔기 중 어느 하나를 나타내며, T1은 2가 연결기, T2는 3가 연결기를 나타낸다.)로 표시되는 결합예를 들 수 있다.
T1로 표시되는 연결기의 구체적인 예로는, 바람직하게는 하기 식 (17) 중 어느 하나로 표시되는 기를 들 수 있다.
[식 중, L은 단결합, 치환 또는 비치환의 2가 지방족 탄화수소기, 치환 또는 비치환의 2가 방향족환기, -C(-Q)=N-를 나타내고, Q1∼Q2는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실기, 메르캅토기, 카르복실기, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기 또는 치환 또는 비치환의 아미노기를 나타내며, Q3은 -0-Q5-, -C(=O)-O-Q5-, -O-C(=O)-Q5- 중 어느 하나로 표시되는 기를 나타내며, Q5는 단결합, 치환 또는 비치환의 2가 지방족 탄화수소기, 또는치환 또는 비치환의 2가 방향족환기를 나타내며, Q4는 -CQ2-, -CQ2CQ2-, -CQ=-CQ-, -CQ2-C(=O)-, -CQ2CQ2-C(=O)-[Q는 전술한 Q와 동일한 의미를 나타낸다] 중 어느 하나로 표시되며, n은 0∼4의 정수이다.]
식 중, L, Q5로 표시되는 치환 또는 비치환의 2가 지방족 탄화수소기, 치환 또는 비치환의 2가 방향족환기의 연결기의 예로는, 식(1)의 AR에 있어서의 치환 또는 비치환의 2가 지방족 탄화수소기, 치환 또는 비치환의 2가 방향족환기와 동일한 기를 들 수 있다.
식 중, L로 표시되는 -C(-Q)=N-에 대하여, 치환기 Q의 구체예로는, 전술한 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실기, 메르캅토기, 카르복실기, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기 또는 치환 또는 비치환의 아미노기 등을 들 수 있다.
Q1, Q2로 표시되는 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기,치환 또는 비치환의 아미노기의 구체예로는, 전술한 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아미노기와 동일한 기를 들 수 있으며, 바람직하게는 수소 원자, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기 등의 탄소수 1∼4의 알킬기 등을 들 수 있다.
또한, T1로 표시되는 연결기의 바람직한 구체적인 예로는, 하기 식 (18) 또는 식 (19) 로 표시되는 기를 들 수 있다.
(식 중, E181, E182, E191, E192는 연결기를 나타내며, R181, R182, R191, R192는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 알콕시기, 또는 치환 포스피노기를 나타내며, M18, M19는 2가 천이금속 원자를 나타낸다.)
일반식(18) 및 일반식(19)에 있어서, E181, E182, E191, E192로 표시되는 연결기의 구체적인 예로는, 전술한 식(17)로 표시되는 기를 들 수 있다.
R181, R182, R191, R192로 표시되는 할로겐 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 알콕시기, 치환 포스피노기의 구체적인 예로는, 전술한 할로겐 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 알콕시기와 동일한 기를 들 수 있다.
M18, M19로 표시되는 2가 천이금속 원자의 구체예로는, 식 (12) 의 M5로 표시되는 금속원자와 동일한 금속원자를 들 수 있다.
T2로 표시되는 연결기의 구체적인 예로는, 바람직하게는 하기 식 (20) 또는 식 (21) 로 표시되는 기를 들 수 있다.
[식 중, L1∼L6은 각각 독립적으로 연결기를 나타내고, Q6은 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실기, 메르캅토기, 카르복실기, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아미노기를 나타낸다.]
L1∼L6의 연결기의 구체예로는, 전술한 식(17)로 표시되는 기를 들 수 있다.
Q6의 할로겐 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아미노기의 구체예로는, 전술한 할로겐 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아미노기와 동일한 기를 들 수 있다.
식(1) 중, 고리 AR에 결합하는 이미드기의 개수를 나타내는 n은 통상 1∼10, 바람직하게는 1∼3, 더욱 바람직하게는 1∼2를 나타낸다.
Am으로 표시되는 치환기 A1∼An의 구체예로는, 전술한 고리 AR로 치환되는 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실기, 메르캅토기, 카르복실기, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아미노기, 치환 또는 비치환의 메탈로세닐기와 동일한 기를 들 수 있다.
또한, 치환기 A1∼An이 갖는 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기의 구체예로는 일반식 (14):
(식 중, M7은 1∼2가 천이금속 원자를 나타내며, Q70∼Q79는 각각 독립적으로 단결합, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아실기, 치환 또는 비치환의 아실옥시기, 치환 또는 비치환의 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아미노기, 치환기를 갖는 포스피노기를 나타내며, X7은 할로겐 원자 또는 CO를 나타내며, n7은 0 또는 1을 나타낸다. 단, Q70∼Q79는 적어도 1개 이상이 단결합이다.)로 표시되는 메탈로센 잔기를 들 수 있다.
M7로 표시되는 1∼2가 천이금속 원자의 구체예로는, 전술한 식(12)의 M5로 표시되는 1∼2가 천이금속 원자와 동일한 금속원자를 들 수 있다.
Q70∼Q79로 표시되는 할로겐 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아실기, 치환 또는 비치환의 아실옥시기, 치환 또는 비치환의 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아르알킬카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아미노기, 치환기를 갖는 포스피노기의 구체예로는, 전술한 식(12)의 Q70∼Q79와 동일한 기를 들 수 있다.
X7로 표시되는 1∼2가 천이금속 원자의 구체예로는, 전술한 식(12)의 X5로 표시되는 1∼2가 할로겐 원자와 동일한 할로겐 원자를 들 수 있다.
또한, 바람직하게는 치환기 A1∼An에서 선택되는 적어도 하나의 치환기는, 전술한 식(14)로 표시되는 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기가, 전술한 치환 또는 비치환의 2가 지방족 탄화수소기, 치환 또는 비치환의 2가 방향족환기에서 1개 이상 선택하여 이루어지는 2가 연결기를 통하여 이미드기의 질소원자와 결합한 기이며, 더욱 바람직하게는 치환기 A1∼An에서 선택되는 적어도 하나의 치환기는, 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기가 치환 또는 비치환의 2가 방향족환기를 통하여 이미드기의 질소원자와 결합한 기를 들 수 있다.
본 발명에 관한 이미드 화합물로서 바람직한 형태로는, 하기 일반식(2)로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
(식 중, 고리 AR1은 방향족환 잔기, 또는 2개 이상의 방향족환 잔기가 1개 이상의 연결기를 통하여 결합하여 이루어지는 잔기를 나타내며, n1및 n2는 각각 독립적으로 0 또는 1을 나타내며, A11, A21, A31은 각 이미드기의 질소원자에 결합하는 치환기를 나타내며, A11∼A31에서 선택되는 적어도 하나의 치환기는 한개 이상의 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기를 갖는 치환기이다.)
고리 AR1로 표시되는 방향족환 잔기의 구체예로는, 식(1)의 고리 AR로 표시되는 전술한 방향족환 잔기와 동일한 잔기를 나타낸다.
고리 AR1로 표시되는 2개 이상의 방향족환 잔기가 1개 이상의 연결기를 통하여 결합되어 이루어지는 잔기에 있어서의 연결기의 구체예로는, 식(1)의 연결기(T)와 동일한 연결기를 들 수 있다.
식 중, n1및 n2의 바람직한 예로는, n1=1, n2=0의 조합, 또는 n1=0, n2=1의 조합을 들 수 있다.
A11, A21, A31로 표시되는 각 이미드기에 연결하는 치환기의 구체예로는, 전술한 식(1)의 Am으로 표시되는 치환기와 동일한 기를 들 수 있다.
본 발명에 관한 이미드 화합물로서 더욱 바람직한 형태로는, 하기 일반식(3)으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
(식 중, R1, R2, R11∼R15, R21∼R25는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실기, 메르캅토기, 카르복실기, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아미노기, 치환 또는 비치환의 아실기, 치환 또는 비치환의 아실옥시기, 치환 또는 비치환의 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아미노카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시기, 치환 또는 비치환의 알케닐티오기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴티오기, 또는 치환 또는 비치환의 메탈로세닐기를 나타내며, 또한 R11∼R15의 조합, 및/또는 R21∼R25의 조합에 있어서, 각 조합내에서 선택되는 2개 이상의 치환기가 동일한 조합내에 있어서 서로 독립적으로 연결기를 통하여 결합되어, 치환되어 있는 탄소 원자와 함께 고리구조를 형성할 수 있으며, G41, G42는 단결합, 치환 또는 비치환의 2가 지방족 탄화수소기, 치환 또는 비치환의 2가 방향족환기에서 1개 이상 선택하여 이루어지는 2가 연결기를 나타내고, n4는 0 또는1을 나타내고, R1, R2중 적어도 하나는 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기가 치환 또는 비치환의 2가 지방족 탄화수소기, 치환 또는 비치환의 2가 방향족환기에서 1개 이상 선택하여 이루어지는 2가 연결기를 통하여 이미드기의 질소원자와 결합한 기를 나타낸다.)
R1, R2, R11∼R15, R21∼R25로 표시되는 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실기, 메르캅토기, 카르복실기, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아미노기, 치환 또는 비치환의 아실기, 치환 또는 비치환의 아실옥시기, 치환 또는 비치환의 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아미노카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시기, 치환 또는 비치환의 알케닐티오기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴티오기, 치환 또는 비치환의 메탈로세닐기의 구체예로는, 전술한 식(1)의 고리 AR로 치환되는 치환기와 동일한 기를 들 수 있다.
R11∼R15의 조합, 및/또는 R21∼R25의 조합에 있어서, 각 조합내에서 선택되는2개 이상의 치환기가 동일한 조합내에 있어서 서로 독립적으로 연결기를 통하여 결합되어, 치환되어 있는 탄소 원자와 함께 고리구조를 형성할 때의 연결기의 예로는, 전술한 식(15)의 T1, 식(16)의 T2와 동일한 연결기를 들 수 있다.
또한, G51, G52로 표시되는 2가 연결기에 있어서, 치환 또는 비치환의 2가 지방족 탄화수소기, 치환 또는 비치환의 2가 방향족환기의 구체예로는, 전술한 식(15)의 T1과 동일한 연결기를 들 수 있다.
G41, G42로 표시되는 2가 연결기의 바람직한 예로는, 단결합, 에티닐렌기, 1,4-페닐렌기, 1,3-페닐렌기, 5-브로모-1,3-페닐렌기, 1,4-(2,3,5,6-테트라메틸)페닐렌기, 4,4'-비페닐렌기, 1,4-나프틸렌기를 들 수 있다. 또한, 이들 기를 적절히 조합하여 새로이 2가 연결기로 해도 상관없다.
R1, R2의 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기로 치환한 알킬기, 아르알킬기 또는 방향족환기로서 바람직하게는 전술한 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기에 전술한 식(14)의 메탈로센 잔기가 통상 1∼10개, 바람직하게는 1∼5개 치환된 기를 들 수 있다. 더욱 바람직한 R1, R2로는 전술한 치환 또는 비치환의 방향족환기에 전술한 식(14)의 메탈로센 잔기가 통상 1∼3개 치환된 기를 들 수 있다.
R1, R2의 구체적으로 바람직한 기의 예로서, 2-페로세닐페닐기, 3-페로세닐페닐기, 4-페로세닐페닐기, 2,4-디페로세닐페닐기, 3,5-디페로세닐페닐기, 2,6-디페로세닐페닐기, 2,4,6-트리페로세닐페닐기, 2-(3-페로세닐)페로세닐페닐기, 3-(3-페로세닐)페로세닐페닐기, 4-(3-페로세닐)페로세닐페닐기 등의 페로세닐기가 치환된 아릴기, 또는 페로세닐기가 치환된 아릴기에, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, 2,4-디메틸-3-펜틸기 등의 알킬기, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, 이소프로폭시기, 2,4-디메틸-3-펜틸옥시기 등의 알콕시기, 9,9-디메틸플루오렌옥시기 등의 아릴옥시기가 결합된 아릴기를 들 수 있다.
특히 바람직하게는, 페로세닐기 등의 메탈로세닐기가 적어도 2위 및/또는 4위에 결합된 페닐기가 재생광안정성이 우수하며, 특히 페로세닐기 등의 메탈로세닐기가 적어도 2위에 결합된 페닐기는 안정적인 색소막이 얻어지고, 내습열성도 우수하여 더욱 바람직하다.
또한, 본 발명에 관한 이미드 화합물로서 바람직한 형태로는, 하기 일반식(4)로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
(식 중, R3, R4, R31∼R33, R41∼R43은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실기, 메르캅토기, 카르복실기, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아미노기, 치환 또는 비치환의 아실기, 치환 또는 비치환의 아실옥시기, 치환 또는 비치환의 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아미노카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시기, 치환 또는 비치환의 알케닐티오기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴티오기, 또는 치환 또는 비치환의 메탈로세닐기를 나타내며, 또한 R31∼R33의 조합, 및/또는 R41∼R43의 조합에 있어서, 각 조합내에서 선택되는 2개 이상의 치환기가 동일한 조합내에 있어서 서로 독립적으로 연결기를 통하여 결합되어, 치환되어 있는 탄소 원자와 함께 고리구조를 형성할 수 있으며, G51, G52는 단결합, 치환 또는 비치환의 2가의 지방족 탄화수소기, 치환 또는 비치환의 2가 방향족환기에서 1개 이상 선택하여 이루어지는 2가 연결기를 나타내고, n5는 0 또는 1을 나타내고, R3, R4중 적어도 1개는 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기로 치환된알킬기, 아르알킬기, 또는 방향족환기를 나타낸다.)
R3, R4, R31∼R33, R41∼R43으로 표시되는 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실기, 메르캅토기, 카르복실기, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아미노기, 치환 또는 비치환의 아실기, 치환 또는 비치환의 아실옥시기, 치환 또는 비치환의 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아미노카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시기, 치환 또는 비치환의 알케닐티오기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴티오기, 치환 또는 비치환의 메탈로세닐기의 구체예로는, 상기 기술한 식 (1)의 고리(AR)로 치환되는 치환기와 동일한 기를 들 수 있다.
R31∼R33의 조합 및/또는 R41∼R43의 조합에 있어서, 각 조합내에서 선택되는 2개 이상의 치환기가 동일한 조합내에서 서로 독립적으로 연결기를 통해 결합되어, 치환되어 있는 탄소 원자와 함께 고리구조를 형성할 때의 연결기의 예로는, 상기 기술한 식 (15)의 T1, 식 (16)의 T2와 동일한 연결기를 들 수 있다.
G51, G52로 표시되는 2가 연결기에 있어서, 치환 또는 비치환의 2가 지방족 탄화수소기, 치환 또는 비치환의 2가 방향족환기의 구체예로는, 상기 기술한 식 (3)의 G41, G42와 동일한 연결기를 들 수 있다.
R3, R4의 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기로 치환된 알킬기, 아르알킬기, 또는 방향족환기의 예로는, 식 (3)의 R1, R2로 표시되는 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기로 치환된 알킬기, 아르알킬기, 또는 방향족환기와 동일한 기를 들 수 있다. 더욱 바람직한 R3, R4로는, 식 (3)의 R1, R2와 동일한 기를 들 수 있다.
또한, 본 발명에 관한 이미드 화합물로서 바람직한 형태로는, 하기 일반식 (5)로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
(식 중, R501∼R510은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실기, 메르캅토기, 카르복실기, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아미노기, 치환 또는 비치환의 아실기, 치환 또는 비치환의 아실옥시기, 치환 또는 비치환의 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아미노카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시기, 치환 또는 비치환의 알케닐티오기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴티오기, 혹은 치환 또는 비치환의 메탈로세닐기를 나타내고, 또한 R501∼R510의 조합내에서 선택되는 2개 이상의 치환기가 서로 독립적으로 연결기를 통해 결합되어, 치환되어 있는 탄소 원자와 함께 고리구조를 형성할 수도 있고, R5는 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기가 치환 또는 비치환의 2가 지방족 탄화수소기, 치환 또는 비치환의 2가 방향족환기에서 1개 이상 선택하여 이루어지는 2가 연결기를 통해 이미드기의 질소원자와 결합한 기를 나타내고, X1및 X2는 0∼2의 정수를 나타낸다.)
R501∼R510으로 표시되는 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실기, 메르캅토기, 카르복실기, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아미노기, 치환 또는 비치환의 아실기, 치환 또는 비치환의 아실옥시기, 치환 또는 비치환의 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아미노카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시기, 치환 또는 비치환의 알케닐티오기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴티오기, 치환 또는 비치환의 메탈로세닐기의 구체예로는, 상기 기술한 식 (1)의 고리(AR)로 치환되는 치환기와 동일한 기를 들 수 있다.
R501∼R510의 조합내에서 선택되는 2개 이상의 치환기가 서로 독립적으로 연결기를 통해 결합되어, 치환되어 있는 탄소 원자와 함께 고리구조를 형성할 때의 연결기의 예로는, 상기 기술한 식 (15)의 T1, 식 (16)의 T2와 동일한 연결기를 들 수 있다.
R5로 표시되는 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기로 치환된 알킬기, 아르알킬기, 또는 방향족환기의 예로는, 식 (3)의 R1, R2로 표시되는 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기로 치환된 알킬기, 아르알킬기, 또는 방향족환기와 동일한 기를 들수 있다. 더욱 바람직한 R5로는, 식 (3)의 R1, R2와 동일한 기를 들 수 있다.
또, 식 (5)로 표시되는 화합물에서, 각각 독립된 2종 이상의 분자가 연결기(T)를 통해 결합하여 1개의 분자를 형성할 수도 있다. 바람직한 연결기의 예로는, 카르보닐기, 치환 또는 비치환의 이미노기, 치환 또는 비치환의 페닐렌기, 옥사기를 적당히 조합하여 이루어지는 연결기를 들 수 있다.
또한, 본 발명에 관한 이미드 화합물로서 바람직한 형태로는, 하기 일반식 (6)으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
(식 중, R601∼R608은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실기, 메르캅토기, 카르복실기, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아미노기, 치환 또는 비치환의 아실기,치환 또는 비치환의 아실옥시기, 치환 또는 비치환의 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아미노카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시기, 치환 또는 비치환의 알케닐티오기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴티오기, 혹은 치환 또는 비치환의 메탈로세닐기를 나타내고, 또한 R601∼R604의 조합 및/또는 R605∼R608의 조합에 있어서, 각 조합내에서 선택되는 2개 이상의 치환기가 동일한 조합내에서 서로 독립적으로 연결기를 통해 결합되어, 치환되어 있는 탄소 원자와 함께 고리구조를 형성할 수도 있고, R61및 R62는 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기가 치환 또는 비치환의 2가 지방족 탄화수소기, 치환 또는 비치환의 2가 방향족환기에서 1개 이상 선택하여 이루어지는 2가 연결기를 통해 이미드기의 질소원자와 결합한 기를 나타내고, X3및 X4는 0∼2의 정수를 나타낸다.)
R601∼R608로 표시되는 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실기, 메르캅토기, 카르복실기, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아미노기, 치환 또는 비치환의 아실기, 치환 또는 비치환의 아실옥시기, 치환 또는 비치환의 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아미노카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시기, 치환 또는 비치환의 알케닐티오기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴티오기, 치환 또는 비치환의 메탈로세닐기의 구체예로는, 상기 기술한 식 (1)의 고리(AR)로 치환되는 치환기와 동일한 기를 들 수 있다.
R601∼R604의 조합 및/또는 R605∼R608의 조합에 있어서, 각 조합내에서 선택되는 2개 이상의 치환기가 동일한 조합내에서 서로 독립적으로 연결기를 통해 결합되어, 치환되어 있는 탄소 원자와 함께 고리구조를 형성할 때의 연결기의 예로는, 상기 기술한 식 (15)의 T1, 식 (16)의 T2와 동일한 연결기를 들 수 있다.
R61및 R62로 표시되는 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기로 치환된 알킬기, 아르알킬기, 또는 방향족환기의 예로는, 식 (3)의 R1, R2로 표시되는 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기로 치환된 알킬기, 아르알킬기, 또는 방향족환기와 동일한 기를 들 수 있다. 더욱 바람직한 R61및 R62로는, 식 (3)의 R1, R2와 동일한 기를 들 수 있다.
또한, 본 발명에 관한 이미드 화합물로서 바람직한 형태로는, 하기 일반식 (7)로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
(식 중, R701∼R714는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실기, 메르캅토기, 카르복실기, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아미노기, 치환 또는 비치환의 아실기, 치환 또는 비치환의 아실옥시기, 치환 또는 비치환의 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아미노카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시기, 치환 또는 비치환의 알케닐티오기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴티오기, 혹은 치환 또는 비치환의 메탈로세닐기를 나타내고, 또한 R701∼R705의 조합 및/또는 R706∼R710의 조합 및/또는 R711∼R715의 조합에 있어서, 각 조합내에서 선택되는 2개 이상의 치환기가 동일한 조합내에서 서로 독립적으로 연결기를 통해 결합되어, 치환되어 있는 탄소 원자와 함께 고리구조를 형성할 수도 있다. 단, R701∼R710에서 선택되는 어느 1개 이상의 기는 치환 또는 비치환의 메탈로세닐기를 나타낸다.)
R701∼R714로 표시되는 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실기, 메르캅토기, 카르복실기, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아미노기, 치환 또는 비치환의 아실기, 치환 또는 비치환의 아실옥시기, 치환 또는 비치환의 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아미노카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시기, 치환 또는 비치환의 알케닐티오기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴티오기, 치환 또는비치환의 메탈로세닐기의 구체예로는, 상기 기술한 식 (1)의 고리(AR)로 치환되는 치환기와 동일한 기를 들 수 있다.
또한, R701∼R705의 조합 및/또는 R706∼R710의 조합 및/또는 R711∼R715의 조합에 있어서, 각 조합내에서 선택되는 2개 이상의 치환기가 동일한 조합내에서 서로 독립적으로 연결기를 통해 결합되어, 치환되어 있는 탄소 원자와 함께 고리구조를 형성할 때의 연결기의 예로는, 상기 기술한 식 (15)의 T1, 식 (16)의 T2와 동일한 연결기를 들 수 있다.
R701∼R710으로 표시되는 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기의 예로는, 식 (3)의 R1, R2로 표시되는 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기와 동일한 기를 들 수 있다.
또, 본 발명에 관한 이미드 화합물로서 바람직한 형태로는, 퀴나졸린 잔기를 갖는 이미드 화합물을 들 수 있다. 더욱 바람직하게는 퀴나졸린-4-온(또는, 퀴나졸론이라고 함)잔기를 갖는 이미드 화합물을 들 수 있다. 구체적인 예로는, 호변 가능한 구조의 하나로서 일반식 (8)로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
(식 중, 고리 AR2, 고리 AR3은 치환 또는 비치환의 방향족환 잔기, 또는 2개 이상의 방향족환 잔기가 1개 이상의 연결기를 통해 결합하여 이루어지는 잔기를 나타내고, R8은 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, n8은 고리 AR2및/또는 고리 AR3에 결합하는 이미드기의 개수를 나타내고, Bb는 각 이미드기의 질소원자에 결합하는 치환기 B1∼Bn8을 나타내고, b는 1∼n8의 정수를 나타낸다. 단, B1∼Bn8에서 선택되는 적어도 1개의 치환기는 1개 이상의 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기를 갖는 치환기임)
고리 AR2및 고리 AR3으로 표시되는 방향족환 잔기, 또는 2개 이상의 방향족환 잔기가 1개 이상의 연결기를 통해 결합하여 이루어지는 잔기의 구체예로는, 식 (1)의 고리(AR)로 표시되는 상기 기술한 방향족환 잔기, 또는 2개 이상의 방향족환 잔기가 1개 이상의 연결기를 통해 결합하여 이루어지는 잔기와 동일한 잔기를 나타낸다. 또, 연결기에 대해서는 식 (1)의 연결기(T)와 동일한 연결기를 들 수 있다.
식 중, n8로 표시되는 이미드기의 개수는, 바람직하게는 1 또는 2이고, 더욱 바람직하게는 1이다.
Bb로 표시되는 각 이미드기의 질소원자에 결합하는 치환기의 구체예로는, 상기 기술한 식 (1)의 Am으로 표시되는 치환기와 동일한 기를 들 수 있다.
R8로 표시되는 치환기의 구체예로는, 상기 기술한 식 (1)의 Am으로 표시되는 치환기와 동일한 기를 들 수 있다. 바람직한 치환기의 예로는, 상기 기술한 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기를 들 수 있다.
본 발명에서의 일반식 (8)로 표시되는 화합물은 호변 가능한 구조를 갖고 있고, 호변이성체를 갖는 것이 가능하다. 구체적으로는 하기 일반식 (8), (81), (82), (83)으로 표시되는 구조이고, 본 발명에서는 편의상 일반식 (8)의 구조를 나타내고 있는데, 일반식 (8), (81), (82), (83)의 구조를 갖는 화합물일 수도 있고, 일반식 (8), (81), (82), (83)의 각 구조의 혼합물일 수도 있고, 자유롭게 사용할 수 있다.
또, 본 발명에서의 일반식 (8)로 표시되는 화합물에 있어서, R8이 수소 원자인 경우에는 하기 일반식 (8a), (81a), (82a), (83a), 하기 일반식 (8b), (81b), (82b) 및 하기 일반식 (8c), (81c), (82c), (83c)로 표시되는 구조의 호변이성체를 갖는 것이 가능하다. 본 발명에서의 일반식 (8)로 표시되는 화합물은 일반식 (8a), (81a), (82a), (83a), 일반식 (8b), (81b), (82b) 및 일반식 (8c), (81c), (82c), (83c)의 구조를 갖는 화합물일 수도 있고, 일반식 (8a), (81a), (82a), (83a), 일반식 (8b), (81b), (82b) 및 일반식 (8c), (81c), (82c), (83c)의 각 구조의 혼합물일 수도 있고, 자유롭게 사용할 수 있다.
또한, 본 발명에 관한 이미드 화합물로서 바람직한 형태로는, 호변 가능한구조의 하나로서 하기 일반식 (9)로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
(식 중, 고리 AR4는 치환 또는 비치환의 방향족환 잔기, 또는 2개 이상의 방향족환 잔기가 1개 이상의 연결기를 통해 결합하여 이루어지는 잔기를 나타내고, R9는 수소 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기를 나타내고, R901∼R904는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실기, 메르캅토기, 카르복실기, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아미노기, 치환 또는 비치환의 아실기, 치환 또는 비치환의 아실옥시기, 치환 또는 비치환의 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아미노카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시기, 치환 또는 비치환의 알케닐티오기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴티오기, 혹은 치환 또는 비치환의 메탈로세닐기를 나타내고, 또한 R901∼R904의 조합에서 선택되는 2개 이상의 치환기가 서로 독립적으로 연결기를 통해 결합되어, 치환되어 있는 탄소 원자와 함께 고리구조를 형성할 수도 있고, R91은 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기가 치환 또는 비치환의 2가 지방족 탄화수소기, 치환 또는 비치환의 2가 방향족환기에서 1개 이상 선택하여 이루어지는 2가 연결기를 통해 이미드기의 질소원자와 결합한 기를 나타낸다.)
고리 AR4로 표시되는 방향족환 잔기의 구체예로는, 식 (1)의 고리(AR)로 표시되는 상기 기술한 방향족환 잔기와 동일한 잔기를 나타낸다.
고리 AR4로 표시되는 2개 이상의 방향족환 잔기가 1개 이상의 연결기를 통해 결합하여 이루어지는 잔기에서의 연결기의 구체예로는, 식 (1)의 연결기(T)와 동일한 연결기를 들 수 있다.
R9로 표시되는 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기의 구체예로는, 상기 기술한 식 (1)의 고리(AR)로 치환되는 치환기와 동일한 기를 들 수 있다.
R901∼R904로 표시되는 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실기, 메르캅토기, 카르복실기, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아미노기, 치환 또는 비치환의 아실기, 치환 또는 비치환의 아실옥시기, 치환 또는 비치환의 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아미노카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시기, 치환 또는 비치환의 알케닐티오기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴티오기, 치환 또는 비치환의 메탈로세닐기의 구체예로는, 상기 기술한 식 (1)의 고리(AR)로 치환되는 치환기와 동일한 기를 들 수 있다.
R901∼R904의 조합내에서 선택되는 2개 이상의 치환기가 서로 독립적으로 연결기를 통해 결합되어, 치환되어 있는 탄소 원자와 함께 고리구조를 형성할 때의 연결기의 예로는, 상기 기술한 식 (15)의 T1, 식 (16)의 T2와 동일한 연결기를 들 수 있다.
R91로 표시되는 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기로 치환된 알킬기, 아르알킬기, 또는 방향족환기의 예로는, 식 (3)의 R1, R2로 표시되는 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기로 치환된 알킬기, 아르알킬기, 또는 방향족환기와 동일한 기를 들 수 있다. 더욱 바람직한 R91로는, 식 (3)의 R1, R2와 동일한 기를 들 수 있다.
일반식 (9)로 표시되는 화합물의 호변이성체로는, 식 (8), (81), (82), (83)으로 표시되는 구조와 동일한 구조를 갖는 호변이성체를 들 수 있고, 각 구조의 호변이성체 혼합물일 수도 있고, 자유롭게 사용할 수 있다. 또, 식 (9) 중, R9가 수소 원자인 경우에는 식 (8a), (81a), (82a), (83a), 식 (8b), (81b), (82b) 및 식 (8c), (81c), (82c), (83c)로 표시되는 구조와 동일한 구조를 갖는 호변이성체를 들 수 있고, 각 구조의 호변이성체 혼합물일 수도 있고, 자유롭게 사용할 수 있다.
또한, 본 발명에 관한 이미드 화합물로서 바람직한 형태로는, 호변 가능한 구조의 하나로서 하기 일반식 (10)으로 표시되는 퀴나졸론-프탈론화합물을 들 수 있다.
(식 중, R100은 수소 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기를 나타내고, R101∼R111은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실기, 메르캅토기, 카르복실기, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아미노기, 치환 또는 비치환의 아실기, 치환 또는 비치환의 아실옥시기, 치환 또는 비치환의 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아미노카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시기, 치환 또는 비치환의 알케닐티오기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴티오기, 혹은 치환 또는 비치환의 메탈로세닐기를 나타내고, 또한 R101∼R105의 조합 및/또는 R106∼R109의 조합에 있어서, 각 조합내에서 선택되는 2개 이상의 치환기가 동일한 조합내에서 서로 독립적으로 연결기를 통해 결합되어, 치환되어 있는 탄소 원자와 함께 고리구조를 형성할 수도 있다. 단, R101∼R105에서 선택되는 어느 1개 이상의 기는 치환 또는 비치환의 메탈로세닐기를 나타낸다.)
R100으로 표시되는 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기의 구체예로는, 상기 기술한 식 (1)의 고리(AR)로 치환되는 치환기와 동일한 기를 들 수 있다.
R101∼R111로 표시되는 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실기, 메르캅토기, 카르복실기, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아미노기, 치환 또는 비치환의 아실기, 치환 또는 비치환의 아실옥시기, 치환 또는 비치환의 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아미노카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시기, 치환 또는 비치환의 알케닐티오기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴티오기, 치환 또는 비치환의 메탈로세닐기의 구체예로는, 상기 기술한 식 (1)의 고리(AR)로 치환되는 치환기와 동일한 기를 들 수 있다.
R101∼R105의 조합 및/또는 R106∼R109의 조합에 있어서, 각 조합내에서 선택되는 2개 이상의 치환기가 동일한 조합내에서 서로 독립적으로 연결기를 통해 결합되어, 치환되어 있는 탄소 원자와 함께 고리구조를 형성할 때의 연결기의 예로는, 상기 기술한 식 (15)의 T1, 식 (16)의 T2와 동일한 연결기를 들 수 있다.
R101∼R105로 표시되는 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기의 예로는, 식 (3)의 R1, R2로 표시되는 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기와 동일한 기를 들 수 있다. 더욱 바람직한 R101∼R105로는, 식 (3)의 R1, R2와 동일한 기를 들 수 있다.
일반식 (10)으로 표시되는 화합물의 호변이성체로는, 식 (8), (81), (82), (83)으로 표시되는 구조와 동일한 구조를 갖는 호변이성체를 들 수 있고, 각 구조의 호변이성체 혼합물일 수도 있고, 자유롭게 사용할 수 있다. 또, 식 (10) 중, R100이 수소 원자인 경우에는 식 (8a), (81a), (82a), (83a), 식 (8b), (81b), (82b) 및 식 (8c), (81c), (82c), (83c)로 표시되는 구조와 동일한 구조를 갖는 호변이성체를 들 수 있고, 각 구조의 호변이성체 혼합물일 수도 있고, 자유롭게 사용할 수 있다.
또한, 본 발명에 관한 이미드 화합물로서 바람직한 형태로는, 호변 가능한 구조의 하나로서 하기 일반식 (11)로 표시되는 퀴나졸론-나프탈론 화합물을 들 수있다.
(식 중, R200은 수소 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기를 나타내고, R201∼R213은 각각 독립하여 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실기, 메르캅토기, 카르복실기, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아미노기, 치환 또는 비치환의 아실기, 치환 또는 비치환의 아실옥시기, 치환 또는 비치환의 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아미노카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시기, 치환 또는 비치환의 알케닐티오기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴티오기, 또는 치환 또는 비치환의 메탈로세닐기를 나타내고, 또한 R201∼R205의 조합, 및/또는 R206∼R209, 및/또는 R210∼R211, 및/또는 R212∼R213의 조합에서, 각 조합내에서 선택되는 2개 이상의 치환기가 동일한 조합내에서 서로 독립하여 연결기를 통해 결합되어, 치환하고 있는 탄소 원자와 함께 고리구조를 형성할 수도 있다. 다만, R201∼R205에서 선택되는 어느 1개 이상의 기는 치환 또는 비치환의 메탈로세닐기를 나타낸다.)
R200으로 표시되는 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기의 구체예로서는 전술한 식 (1) 의 고리 AC 에 치환하는 치환기와 동일한 기를 들 수 있다.
R201∼R213으로 표시되는 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 히드록실기, 메르캅토기, 카르복실기, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 방향족환기, 치환 또는 비치환의 알콕시기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아르알킬티오기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아미노기, 치환 또는 비치환의 아실기, 치환 또는 비치환의 아실옥시기, 치환 또는 비치환의 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아르알킬옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 아미노카르보닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 알케닐옥시기, 치환 또는 비치환의 알케닐티오기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴옥시카르보닐기, 치환 또는 비치환의 헤테로아릴티오기, 치환 또는 비치환의 메탈로세닐기의 구체예로서는 전술한 식 (1) 의 고리 AC 에 치환하는 치환기와 동일한 기를 들 수 있다.
R201∼R205의 조합, 및/또는 R206∼R209, 및/또는 R210∼R211, 및/또는 R212∼R213의 조합에서, 각 조합내에서 선택되는 2개 이상의 치환기가 동일한 조합내에서 서로 독립하여 열결기를 개재하여 결합하고, 치환하고 있는 탄소 원자와 함께 고리 구조를 형성할 때의 연결기의 예로서는 전술한 식 (15) 의 T1, 식 (16) 의 T2와 동일한 연결기를 들 수 있다.
R201∼R205로 표시되는 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기로서는 식 (3) 의 R1, R2로 표시되는 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기와 동일한 기를 들 수 있다. 더욱 바람직한 R201∼R205로서는 식 (3) 의 R1, R2와 동일한 기를 들 수 있다.
일반식 (11) 로 표시되는 화합물의 호변이성체로서는 식 (8), (81), (82), (83) 에 표시되는 구조와 동일한 구조를 갖는 호변이성체를 들 수 있고, 각 구조의 호변이성체혼합물이라도 전혀 상관없이 자유롭게 사용할 수 있다. 또, 식 (11) 중, R200이 수소 원자인 경우에는 식 (8a), (81a), (82a), (83a), 식 (8b), (81b),(82b), 및 식 (8c), (81c), (82c), (83c) 에 표시되는 구조와 동일한 구조를 갖는 호변이성체를 들 수 있고, 각 구조의 호변이성체혼합물이라도 전혀 상관없이 자유롭게 사용할 수 있다.
본 발명의 광기록 매체에 사용되는 본 발명의 이미드 화합물의 예로서는 예를 들어 이하의 A-1∼A-57, B-1∼B-70, C-1∼C-77, D-1∼D-115, E-1 의 화합물을 들 수 있지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 광기록 매체에 사용되는 본 발명에 따른 이미드 화합물은 예를 들어 이하의 방법에 의해 제조할 수 있다. 즉, 예를 들어 일반식 (1) 로 표시되는 이미드 화합물은 하기 일반식 (22) 로 표시되는 카르복실산무수물 및/또는 그 가수분해에 의해 얻어진 카르복실산 가열반응과, 하기 일반식 (23) 으로 표시되는 아민을 용매의 존재/또는 비존재하에서 필요에 따라 가열반응시킴으로써 제조할 수 있다.
〔식 중, 고리 AR, Am, n 및 m 은 일반식 (1) 의 고리 AR, Am, n 및 m 과 동일한 의미를 나타낸다.〕
또, 일반식 (2) 로 표시되는 화합물은 하기 일반식 (24) 로 표시되는 1,8-나프탈렌디카르복실산무수물 및/또는 그 가수분해에 의해 얻어진 카르복실산 가열반응과, 하기 일반식 (25) 및/또는 일반식 (26) 및/또는 일반식 (27) 로 표시되는 아민을 용매의 존재/또는 비존재하에서 필요에 따라 가열반응시킴으로써 제조할 수 있다.
〔식 중, AR1, n1, n2및 A11∼A31은 일반식 (2) 의 AR1, n1, n2및 A11∼A31과 동일한 의미를 나타낸다.〕
또, 일반식 (3) 으로 표시되는 화합물은 하기 일반식 (28) 로 표시되는 1,8-나프탈렌디카르복실산무수물 및/또는 그 가수분해에 의해 얻어진 카르복실산 가열반응과, 하기 일반식 (29) 및/또는 일반식 (30) 으로 표시되는 아민을 용매의존재/또는 비존재하에서 필요에 따라 가열반응시킴으로써 제조할 수 있다.
〔식 중, R1, R2, R11∼R15, R21∼R25및 n4는 일반식 (3) 의 R1, R2, R11∼R15, R21∼R25및 n4와 동일한 의미를 나타낸다.〕
또, 일반식 (4) 로 표시되는 화합물은 하기 일반식 (31) 로 표시되는 1,8-나프탈렌디카르복실산무수물 및/또는 그 가수분해에 의해 얻어진 카르복실산 가열반응과, 하기 일반식 (32) 및/또는 일반식 (33) 으로 표시되는 아민을 용매의 존재/또는 비존재하에서 필요에 따라 가열반응시킴으로써 제조할 수 있다.
〔식 중, R3, R4, R31∼R33, R41∼R43및 n5는 일반식 (4) 의 R3, R4, R31∼R33, R41∼R43및 n5와 동일한 의미를 나타낸다.〕
또, 일반식 (5) 로 표시되는 화합물은 하기 일반식 (34) 로 표시되는 1,8-나프탈렌디카르복실산무수물 및/또는 그 가수분해에 의해 얻어진 카르복실산 가열반응과, 하기 일반식 (35) 로 표시되는 아민을 용매의 존재/또는 비존재하에서 필요에 따라 가열반응시킴으로써 제조할 수 있다.
〔식 중, R501∼R510, R5, X1및 X2는 일반식 (5) 의 R501∼R510, R5, X1및 X2와 동일한 의미를 나타낸다.〕
또, 일반식 (6) 으로 표시되는 화합물은 하기 일반식 (36) 으로 표시되는 1,8-나프탈렌디카르복실산무수물 및/또는 그 가수분해에 의해 얻어진 카르복실산 가열반응과, 하기 일반식 (37) 및/또는 일반식 (38) 으로 표시되는 아민을 용매의 존재/또는 비존재하에서 필요에 따라 가열반응시킴으로써 제조할 수 있다.
〔식 중, R601∼R608, R61, R62, X3및 X4는 일반식 (6) 의 R601∼R608, R61, R62, X3및 X4와 동일한 의미를 나타낸다.〕
또, 일반식 (7) 로 표시되는 화합물은 하기 일반식 (39) 로 표시되는 1,8-나프탈렌디카르복실산무수물 및/또는 그 가수분해에 의해 얻어진 카르복실산 가열반응과, 하기 일반식 (40) 및/또는 일반식 (41) 로 표시되는 아민을 용매의 존재/또는 비존재하에서 필요에 따라 가열반응시킴으로써 제조할 수 있다.
〔식 중, R701∼R714는 일반식 (7) 의 R701∼R714와 동일한 의미를 나타낸다.〕
또, 일반식 (8) 로 표시되는 이미드 화합물은 하기 일반식 (42) 로 표시되는 카르복실산무수물 및/또는 그 가수분해에 의해 얻어진 카르복실산과, 하기 일반식 (43) 으로 표시되는 아민을 용매의 존재/또는 비존재하에서 필요에 따라 가열반응시킴으로써 제조할 수 있다.
〔식 중, 고리 AR2, 고리 AR3, Bb, R8및 n8은 일반식 (8) 의 고리 AR2, 고리 AR3, Bb, R8및 n8과 동일한 의미를 나타낸다.〕
또, 일반식 (9) 로 표시되는 이미드 화합물은 하기 일반식 (44) 로 표시되는 카르복실산무수물 및/또는 그 가수분해에 의해 얻어진 카르복실산과, 하기 일반식 (45) 으로 표시되는 아민을 용매의 존재/또는 비존재하에서 필요에 따라 가열반응시킴으로써 제조할 수 있다.
〔식 중, 고리 AR4, R901∼R904, R9및 R91은 일반식 (9) 의 고리 AR4,R901∼R904, R9및 R91과 동일한 의미를 나타낸다.〕
또, 일반식 (10) 으로 표시되는 이미드 화합물은 하기 일반식 (46) 으로 표시되는 카르복실산무수물 및/또는 그 가수분해에 의해 얻어진 카르복실산과, 하기 일반식 (47) 으로 표시되는 아민을 용매의 존재/또는 비존재하에서 필요에 따라 가열반응시킴으로써 제조할 수 있다.
〔식 중, R100∼R111은 일반식 (10) 의 R100∼R111과 동일한 의미를 나타낸다.〕
또, 일반식 (11) 로 표시되는 이미드 화합물은 하기 일반식 (48) 로 표시되는 카르복실산무수물 및/또는 그 가수분해에 의해 얻어진 카르복실산과, 하기 일반식 (49) 로 표시되는 아민을 용매의 존재/또는 비존재하에서 필요에 따라 가열반응시킴으로써 제조할 수 있다.
〔식 중, R200∼R213은 일반식 (11) 의 R200∼R213과 동일한 의미를 나타낸다.〕
상기의 합성방법에 의해, 식 (1)∼(11) 의 화합물을 얻을 때에 사용하는 반응용매로서는 이미드화가 가능한 용매이면 특별히 한정하지 않지만, 바람직하게는 아세트산, 프로피온산, 부탄산 등의 유기카르복실산류, 1-클로로프탈렌, 모노클로로벤젠, 디시클로벤젠, 트리클로로벤젠 등의 탄소환식 방향족 화합물, 퀴놀린, 이소퀴놀린 등의 복소환식 방향족 화합물, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸이미다졸리딘-2-온, N-메틸피롤리딘-2-온 등의 아미드계 화합물, 술포란 등의 함황 화합물 등을 들 수 있다. 또, 필요에 따라 아세트산아연, 염화아연 등의 금속염을 사용할 수 있다. 반응온도로서는 통상 0∼400℃, 바람직하게는 50℃∼300℃, 나아가서는 100℃∼250℃ 에서 행할 수 있다.
본 발명의 광기록 매체에서는 기판상에 기록층을 형성하지만, 이 기록층은본 발명에 따른 이미드 화합물을 1종 이상 함유하는 것이다. 본 발명의 광기록 매체는 파장 300㎚∼900㎚ 에서 선택되는 기록레이저파장 및 재생 레이저 파장에 대하여 기록재생이 가능하고, 그 중에서도 파장 390㎚∼430㎚, 또한 파장 400㎚∼410㎚ 의 범위에서 선택되는 기록레이저파장 및 재생 레이저 파장에 대하여 양호한 C/N 비를 얻을 수 있고, 또 재생광안정성도 좋아 고품위의 신호특성이 얻어지는 것이다.
본 발명의 광기록 매체를 구성하고 있는 기록층의 색소는 실질적으로 1종 또는 그 이상의 본 발명에 따른 이미드 화합물로 이루어지는 것이지만, 파장 290㎚∼690㎚ 에 흡수극대를 갖고, 300㎚∼700㎚ 에서의 굴절률이 큰 상기 이외의 화합물과 혼합할 수도 있다. 구체적으로는 시아닌계 화합물, 스쿠아릴리움계 화합물, 나프토퀴논계 화합물, 안트라퀴논계 화합물, 테트라피라포르피라딘계 화합물, 인도페놀계 화합물, 피릴륨계 화합물, 티오피릴륨계 화합물, 아줄레늄계 화합물, 트리페닐메탄계 화합물, 잔텐계 화합물, 인단트렌계 화합물, 인디고계 화합물, 티오인디고계 화합물, 멜로시아닌계 화합물, 티아진계 화합물, 아크리딘계 화합물, 옥사진계 화합물, 디피로메텐계 화합물, 옥사졸계 화합물, 아자포르피린계 화합물, 포르피린계 화합물 등이 있고, 복수의 화합물의 혼합일 수도 있다. 이들 화합물의 혼합비율은 0.1질량%∼30질량% 정도이다.
기록층을 성막할 때에, 필요에 따라 본 발명에 따른 이미드 화합물에 소광제 (quencher), 화합물 열분해 촉진제, 자외선 흡수제, 접착제, 흡열성 또는 흡열 분해성 화합물 또는 용해성을 향상시키는 고분자 등의 첨가제를 혼합하거나, 또는 이같은 효과를 갖는 화합물을 본 발명에 따른 이미드 화합물의 치환기로서 도입하는 것도 가능하다.
소광제의 구체예로서는 아세틸아세토네이트계, 비스디티오-α-디케톤계나 비스페닐디티올계 등의 디티올계, 티오카테코날계, 살리실알데히드옥심계, 티오비그페놀레이트계 등의 금속착물이 바람직하다. 또, 아민계도 바람직하다.
화합물 열분해 촉진제로서는 열감량 분석 (TG 분석) 등에 의해 화합물의 열분해의 촉진을 확인할 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 금속계 안티녹킹제, 메탈로센 화합물, 아세틸아세토네이트계 금속착물 등의 금속 화합물을 들 수 있다.
흡열성 또는 흡열 분해성 화합물로서는 일본 공개특허공보 평10-291366 호에 기재된 화합물, 또는 이 공보에 기재되는 치환기를 갖는 화합물 등을 들 수 있다.
전술한 각종의 소광제, 화합물 열분해 촉진제 및 흡열성 또는 흡열 분해성 화합물은 필요에 따라 1종류로 사용할 수도 있고, 2종류 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.
또한, 필요에 따라 바인더, 레벨링제, 소포제 등의 첨가물질을 첨가할 수도 있다. 바람직한 바인더로서는 폴리비닐알코올, 폴리비닐피롤리돈, 니트로셀룰로오스, 아세트산셀룰로오스, 케톤수지, 아크릴수지, 폴리스티렌수지, 우레탄수지, 폴리비닐부티랄, 폴리카보네이트, 폴리올레핀 등을 들 수 있다.
기록층을 기판 위에 성막할 때에, 기판의 내용제성이나 반사율, 기록감도 등을 향상시키기 위하여 기판 위에 무기물이나 폴리머로 이루어지는 층을 형성할 수도 있다.
여기에서, 기록층에서의 본 발명에 따른 이미드 화합물의 함유량은 기록재생이 가능한 임의의 양을 선택할 수 있지만, 통상 30% 이상, 바람직하게는 60% 이상이다. 또한, 실질적으로 100% 인 것도 바람직하다.
기록층을 형성하는 방법은 예를 들어 스핀코트법, 스프레이법, 캐스트법, 슬라이드법, 커튼법, 압출 (extrusion) 법, 와이어법, 그라비아법, 스프레드법, 롤러 코트법, 나이프법, 침지법 등의 도포법, 스퍼터법, 화학증착법, 진공증착법을 들 수 있지만, 스핀코트법이 간편하여 바람직하다.
스핀코트법 등의 도포법을 사용하는 경우에는 본 발명에 따른 이미드 화합물을 1∼40질량%, 바람직하게는 3∼30질량% 가 되도록 용매에 용해 또는 분산시킨 도포액을 사용하는데, 이 때 용매는 기판에 데미지를 주지 않는 것을 선택하는 것이 바람직하다. 도포법에 사용하는 용매로서는 메탄올, 에탄올, 이소프로필알코올, 옥타플루오로펜탄올, 알릴알코올, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 테트라플루오로프로판올 등의 알코올계 용매, 헥산, 헵탄, 옥탄, 데칸, 시클로헥산, 메틸시클로헥산, 에틸시클로헥산, 디메틸시클로헥산 등의 지방족 또는 지환식탄화수소계용매, 톨루엔, 자일렌, 벤젠 등의 방향족탄화수소계용매, 4염화탄소, 클로로포름, 테트라클로로에탄, 디브로모에탄 등의 할로겐화탄화수소계용매, 디에틸에테르, 디부틸에테르, 디이소프로필에테르, 디옥산 등의 에테르계용매, 아세톤, 3-히드록시-3-메틸-2-부타논 등의 케톤계용매, 아세트산에틸, 락트산메틸 등의 에스테르계용매, 물 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용할 수도 있고, 또는복수 혼합할 수도 있다.
또한, 필요에 따라 기록층의 화합물을 고분자박막 등에 분산하여 사용하거나 할 수도 있다.
또, 기판에 데미지를 주지 않는 용매를 선택할 수 없는 경우에는 스퍼터법, 화학증착법이나 진공증착법 등이 유효하다.
기록층의 막두께는 10㎚∼1000㎚ 이지만, 바람직하게는 20㎚∼300㎚ 이다. 기록층의 막두께를 10㎚ 보다 얇게 하면, 열확산이 커지기 때문에 기록할 수 없거나, 기록신호에 변형이 발생하는데다가, 신호진폭이 작아지는 경우가 있다. 또, 막두께가 1000㎚ 보다 두꺼운 경우에는 반사율이 저하되어 재생신호특성이 악화되는 경우가 있다.
다음으로, 기록층 위에 바람직하게는 50㎚∼300㎚ 의 두께의 반사층을 형성한다. 반사율을 높이기 위함이나 밀착성을 좋게 하기 위하여 기록층과 반사층 사이에 반사증폭층이나 접착층을 형성할 수 있다. 반사층의 재료로서는 재생광의 파장에서 반사율이 충분히 높은 것, 예를 들어 Au, Al, Ag, Cu, Ti, Cr, Ni, Pt, Ta 및 Pd 의 금속을 단독 또는 합금으로 하여 사용하는 것이 가능하다. 이 중에서도 Au, Ag, Al 은 반사율이 높아 반사층의 재료로서 적합하다. 청색 레이저에서의 기록재생을 실행하는 경우에는 Al 또는 Ag 가 바람직하다. 이 이외라도 하기의 것을 포함하고 있을 수도 있다. 예를 들어, Mg, Se, Hf, V, Nb, Ru, W, Mn, Re, Fe, Co, Rh, Ir, Zn, Cd, Ga, In, Si, Ge, Te, Pb, Po, Sn, Bi 의 금속 및 반금속을 들 수 있다. 또, Ag 또는 Al 을 주성분으로 하는 것은 반사율이 높은 반사층이 용이하게 얻어지기 때문에 바람직하다. 금속 이외의 재료로 저굴절률박막과 고굴절률박막을 교대로 적층하여 다층막을 형성하고, 반사층으로서 사용하는 것도 가능하다.
반사층을 형성하는 방법으로서는 스퍼터법, 이온플레이팅법, 화학증착법, 진공증착법 등을 들 수 있다. 또, 기판 위나 반사층 아래에 반사율의 향상, 기록 특성의 개선, 재생광안정성의 개선, 밀착성의 향상 등을 위하여 공지의 무기계 또는 유기계의 중간층, 접착층을 형성할 수도 있다.
또한, 반사층 위에 형성하는 보호층의 재료로서는 반사층을 외력으로부터 보호하는 것이면 특별히 한정하지 않는다. 무기물질으로서는 SiO2, Si3N4, MgF2, AlN, SnO2, TiO2등을 들 수 있다. 또, 유기물질로서는 열가소성수지, 열경화성수지, 전자선경화성수지, 자외선경화성수지 등을 들 수 있다. 열가소성수지, 열경화성수지 등은 적당한 용매에 용해하여 도포액을 조제한 후에, 이 도포액을 도포하고 건조함으로써 형성할 수 있다. 자외선경화성수지는 그대로 또는 적당한 용매에 용해하여 도포액을 조제한 후에 이 도포액을 도포하고, 자외선을 조사하여 경화시킴으로써 형성할 수 있다. 자외선경화성수지로서는 우레탄아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 폴리에스테르아크릴레이트 등의 아크릴레이트수지를 사용할 수 있다. 이들 재료는 단독 또는 혼합하여 사용할 수도 있고, 1층만이 아니라 다층막으로 하여 사용할 수도 있다.
보호층의 형성방법으로서는 기록층과 마찬가지로 스핀코트법이나 캐스트법등의 도포법이나 스퍼터법이나 화학증착법 등의 방법이 사용되지만, 이 중에서도 스핀코트법이 바람직하다.
보호층의 막두께는 일반적으로는 0.1㎛∼100㎛ 의 범위이지만, 본 발명에서는 3㎛∼30㎛ 이고, 보다 바람직하게는 5㎛∼20㎛ 이다.
보호층 위에 추가로 라벨, 바코트 등의 인쇄를 실행할 수도 있다.
또, 반사층면에 보호시트 또는 기판을 점착하거나, 또는 반사층면 서로를 내측으로 하여 대향시키고, 광기록 매체 2장을 점착하는 등의 수단을 사용할 수도 있다.
기판경면측에 표면보호나 쓰레기 등의 부착방지를 위하여 자외선경화성수지, 무기계박막 등을 성막할 수도 있다.
또, 도 4 와 같은 광기록 매체를 제작하는 경우, 기판 위에 바람직하게는 1㎚∼300㎚ 두께의 반사층을 형성한다. 반사율을 높이기 위함이나 밀착성을 좋게 하기 위하여 기록층과 반사층 사이에 반사증폭층이나 접착층을 형성할 수 있다. 반사층의 재료로서는 재생광의 파장에서 반사율이 충분히 높은 것, 예를 들어 Al, Ag, Ni 및 Pt 의 금속을 단독 또는 합금으로 하여 사용하는 것이 가능하다. 이 중에서도 Ag, Al 은 반사율이 높아 반사층의 재료로서 적합하다. 이 이외라도 필요에 따라 하기의 것을 포함하고 있을 수도 있다. 예를 들어, Mg, Se, Hf, V, Nb, Ru, W, Mn, Re, Fe, Co, Rh, Ir, Zn, Cd, Ga, In, Si, Ge, Te, Pb, Po, Sn, Bi, Au, Cu, Ti, Cr, Pd, Ta 의 금속 및 반금속을 들 수 있다. Ag 또는 Al 을 주성분으로 하는 것으로 반사율이 높은 반사층이 용이하게 얻어지는 것이 바람직하다. 금속 이외의 재료로 저굴절률박막과 고굴절률박막을 교대로 적층하여 다층막을 형성하고, 반사층으로서 사용하는 것도 가능하다.
반사층을 형성하는 방법으로서는 스퍼터법, 이온플레이팅법, 화학증착법, 진공증착법 등을 들 수 있다. 또, 기판 위나 반사층 아래에 반사율의 향상, 기록 특성의 개선, 밀착성의 향상 등을 위하여 공지의 무기계 또는 유기계의 중간층, 접착층을 형성할 수도 있다.
다음으로, 기록층을 반사층 위에 성막할 때에, 반사층의 내용제성이나 반사율, 기록감도 등을 향상시키기 위하여 반사층 위에 무기물이나 폴리머로 이루어지는 층을 형성할 수도 있다.
여기에서 기록층에 있어서의 본 발명에 관련되는 이미드 화합물의 함유량은 기록재생이 가능한 임의의 양을 선택할 수 있으나, 통상 30 질량% 이상, 바람직하게는 60 질량% 이상이다. 또한 실질적으로 100 질량% 인 것도 바람직하다.
기록층을 형성하는 방법은, 스핀코트법, 스프레이법, 캐스트법, 슬라이드법, 커튼법, 익스트루젼법, 와이어법, 그라비아법, 스프레드법, 롤러코트법, 나이프법, 침지법 등의 도포법, 스퍼터법, 화학증착법, 진공증착법 등을 들 수 있으나, 스핀코트법이 간편하여 바람직하다.
스핀코트법 등의 도포법을 이용하는 경우에는 본 발명에 관련되는 이미드 화합물을 1∼40 질량%, 바람직하게는 3∼30 질량% 가 되도록 용매에 용해 혹은 분산시킨 도포액을 사용하는데, 이 때 용매는 반사층에 대미지를 주지 않는 것을 선택하는 것이 바람직하다. 도포법에 사용하는 용매로서는 메탄올, 에탄올, 이소프로필알코올, 옥타플루오로펜탄올, 알릴알코올, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 테트라플루오로프로판올 등의 알코올계 용매, 헥산, 헵탄, 옥탄, 데칸, 시클로헥산, 메틸시클로헥산, 에틸시클로헥산, 디메틸시클로헥산 등의 지방족 또는 지환식 탄화수소계 용매, 톨루엔, 자일렌, 벤젠 등의 방향족 탄화수소계 용매, 사염화탄소, 클로로포름, 테트라클로로에탄, 디브로모에탄 등의 할로겐화 탄화수소계 용매, 디에틸에테르, 디부틸에테르, 디이소프로필에테르, 디옥산 등의 에테르계 용매, 아세톤, 3-히드록시-3-메틸-2-부타논 등의 케톤계 용매, 아세트산에틸, 젖산메틸 등의 에스테르계 용매, 물 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용할 수도 있고, 혹은 복수 혼합할 수도 있다.
또한 필요에 따라 기록층의 화합물을 고분자 박막 등에 분산하여 사용하거나 할 수도 있다.
또 반사층에 대미지를 주지 않는 용매를 선택할 수 없는 경우는, 스퍼터법, 화학증착법 등이나 진공증착법 등이 유효하다.
기록층의 막두께는 통상 1㎚∼1000㎚ 이지만 바람직하게는 5㎚∼300㎚ 이다. 기록층의 막두께를 1㎚ 보다 얇게 하면 기록할 수 없거나, 기록신호에 변형이 발생하는데다 신호진폭이 작아지는 경우가 있다. 또 막두께가 1000㎚ 보다 두꺼운 경우는 반사율이 저하되어, 재생신호특성이 악화되는 경우가 있다.
또한 기록층 위에 형성하는 보호층의 재료로서는 기록층을 외력이나 분위기 등, 외부로부터의 악영향을 보호하는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 무기물질로서는 SiO2, Si3N4, MgF2, AlN, SnO2, TiO2등을 들 수 있다. 또 유기물질로서는 열가소성수지, 열경화성수지, 전자선경화성수지, 자외선경화성수지 등을 들 수있다. 열가소성수지, 열경화성수지 등은 적당한 용매에 용해하여 도포액을 조제한 후에, 이 도포액을 도포하고, 건조시킴으로써 형성할 수 있다. 자외선경화성수지는 그대로 혹은 적당한 용매에 용해하여 도포액을 조제한 후에 이 도포액을 도포하고, 자외선을 조사하여 경화시킴으로써 형성할 수 있다. 자외선경화성수지로서는 우레탄아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 폴리에스테르아크릴레이트 등의 아크릴레이트수지를 사용할 수 있다. 이들 재료는 단독으로 혹은 혼합하여 사용할 수도 있고, 1층만이 아니라 다층막으로 하여 사용할 수도 있다.
보호층의 형성방법으로서는 기록층과 동일하게 스핀코트법이나 캐스트법 등의 도포법이나 스퍼터법이나 화학증착법 등의 방법이 사용되지만, 이 중에서도 스핀코트법이 바람직하다.
보호층의 막두께는 일반적으로는 0.01㎛∼1000㎛ 범위이지만, 경우에 따라 0.1㎛∼100㎛, 나아가서는 1㎛∼20㎛ 로 할 수 있다.
또 기판면에 보호 시트 또는 반사층을 접합시키거나, 혹은 기판면을 서로 내측으로 하여 대향시켜, 광기록 매체 2장을 접합하는 등의 수단를 사용할 수도 있다.
보호층면측에 표면보호나 이물질 등의 부착방지를 위해 자외선경화성수지, 무기계박막 등을 막형성할 수도 있다.
본 발명의 광기록 매체에 있어서, 기록 전체를 보호하는 목적에서, 예를 들면 플렉시블 디스크나 광자기 디스크 등에 보이는 바와 같이 디스크를 보호하는 케이스형의 보호 유닛을 설치해도 상관없다. 재질은 플라스틱이나 알루미늄 등의 금속을 사용할 수 있다.
기재의 재질로서는 기본적으로는 기록광 및 재생광의 파장에서 투명하면 된다. 지지기판의 재질로서는, 도 5 에 나타내는 바와 같이 기판 (11) 을 통해 청자색 레이저의 조사가 실행되는 경우도 가미하면, 아크릴수지, 폴리에틸렌수지, 폴리카보네이트수지, 폴리올레핀수지, 에폭시수지 등의 고분자재료나 유리 등의 무기재료 등의 투명한 재료가 이용된다. 한편 도 6 에 나타내는 구성과 같이 기판 (11') 과는 반대의 광투과층 (15') 측으로부터 레이저 조사가 실행되는 경우, 기판의 재질로서는 광학적 제요건을 충족시킬 필요는 없고, 보다 광범한 재료에서 선택할 수 있다. 기판에 요구되는 기계적 특성, 또 기판생산성의 관점에서는, 아크릴수지, 폴리카보네이트수지, 폴리올레핀수지 등의 사출성형 혹은 캐스트 성형가능한 재료가 바람직하다. 이들 기판재료는 사출성형법 등에 의해 원반형상으로 기판에 성형할 수도 있다.
또 필요에 따라 이들 기판의 표층에는, 서브미크론 오더의 안내홈 및/또는 프리피트가 나선형상 또는 동심원상으로 형성되어 있어도 된다. 이들 안내홈 및 프리피트는, 기판형성시에 부여되어 있는 것이 바람직하고, 스탬퍼 원반을 사용한 사출성형이나, 포토폴리머를 사용한 열전사법에 의해 부여할 수 있다. 또한 도 6 에 있어서의 광투과층 (15') 에 안내홈 및/또는 프리피트를 형성할 수도 있고, 부여하는 경우도 동일한 방법을 적용할 수 있다. 안내홈의 피치 및 깊이는, DVD 보다도 고밀도 기록을 실행하는 HD-DVD-R 의 경우, 피치로서 0.25∼0.80㎛, 깊이로서 20∼150㎛ 의 범위에서 선택하는 것이 바람직하다.
통상 광디스크로서 사용하는 경우는, 두께 1.2㎜ 정도, 직경 80 내지 120㎜ 정도의 원반형상일 수도 있고, 중앙에 직경 15㎜ 정도의 구멍이 뚫려 있어도 상관없다.
여기에서 본 발명에서 말하는 파장 300㎚∼500㎚의 레이저는, 특별히 제한되지는 않지만, 가시광영역의 광범위에서 파장선택이 가능한 색소 레이저나, 질소 레이저 (337㎚) 등의 가스레이저, 파장 445㎚ 의 헬륨가드뮴레이저, 파장 457㎚ 혹은 파장 488㎚ 의 아르곤레이저 등의 이온레이저, 파장 400∼410㎚ 의 GaN계 레이저, Cr 도핑한 LiSnAlF6를 사용한 파장 860㎚ 의 적외선 레이저의 제2 고주파 430㎚ 을 발진하는 레이저 외에, 파장 415㎚, 파장 425㎚ 등의 가시 반도체 레이저 등의 반도체 레이저 등을 들 수 있다. 본 발명에서는, 상기 서술한 레이저 등을 기록 또는 재생을 실행하는 기록층의 감응하는 파장에 따라 적절하게 선택할 수 있다. 고밀도 기록 및 재생은 각각 상기 서술한 레이저로부터 선택되는 1 파장 또는 복수 파장에 있어서 가능해진다.
이하에 본 발명의 실시예를 나타내는데, 본 발명은 이에 의해 조금도 한정되지 않는다.
합성 실시예 1 (예시 화합물 번호 A-57 의 합성)
2-페로세닐아닐린 22부, 페릴렌테트라카르복실산이무수물 15부, 아세트산아연무수물 6부, 퀴놀린 600부를 첨가하고, 220℃ 에서 3시간 반응하였다. 반응 매스를 실온까지 냉각시켜, 메탄올 4000 부에 배출하였다. 여과후 메탄올로 세정하고, 클로로포름에 재용해시켜, 무수황산마그네슘으로 용액을 건조시켰다. 이어서 이 액을 실리카겔크로마토그램에 의해, 목적물을 분취하였다 (전개액 : 클로로포름/아세트산에틸=9/1 을 사용). 농축후, 얻어진 고체를 메탄올 슬러지하여 여과한 후, 건조시켜, 화합물 10부를 얻었다. 질량분석 측정에 의해, 예시 화합물 번호 A-57 의 화합물인 것을 확인하였다.
합성 실시예 2 (예시 화합물 번호 B-69 의 합성)
4-페로세닐아닐린 28부, 1,4,5,8-나프탈렌테트라카르복실산이무수물 13부, N,N-디메틸이미다졸리딘-2-온 300부, 톨루엔 30부를 첨가하고, 150℃ 에서 5시간 반응하였다. 반응 매스를 실온까지 냉각시켜, 물 3000부에 배출하였따. 여과후, 수세하고, 건조 후, 고체를 실리카겔크로마토그램에 의해, 목적물을 분취하였다 (전개액 : 클로로포름을 사용). 농축후 재결정하여 건조시켜, 화합물 6 부를 얻었다. 질량분석 측정에 의해 예시 화합물 번호 B-69 의 화합물인 것을 확인하였다.
합성 실시예 3 (예시 화합물 번호 B-70 의 합성)
2-페로세닐-5-(2',4'-디메틸펜탄-3'-일)옥시아닐린 78부, 2-브로모-1,4,5,8-나프탈렌테트라카르복실산이무수물 34부, 아세트산 300부를 첨가하고, 120℃ 에서 6시간 반응하였다. 반응 매스를 실온까지 냉각시켜, 물 3000부에 배출하였다. 여과후, 수세하고, 건조후, 고체를 실리카겔크로마토그램에 의해, 목적물을 분취하였다 (전개액 : 클로로포름을 사용). 농축후 재결정하여 건조시켜, 화합물 11부를 얻었다. 질량분석 측정에 의해 예시 화합물 번호 B-70 의 화합물인 것을 확인하였다.
합성 실시예 4 (예시 화합물 번호 C-77 의 합성)
2,5-디페로세닐아닐린 32부, 3-(2',4'-디메틸펜탄-3'-일)옥시-1,8-나프탈산무수물 46부, N,N-디메틸이미다졸리딘-2-온 600부를 첨가하고, 180℃ 에서 6시간 반응하였다. 반응가스를 실온까지 냉각시켜, 물 3000부에 배출하였다. 여과후, 수세하고, 건조후, 고체를 실리카겔크로마토그램에 의해, 목적물을 분취하였다 (전개액 : 클로로포름을 사용). 농축후, 재결정하여 건조시켜, 화합물 45부를 얻었다. 질량분석 측정에 의해 예시 화합물 번호 C-77 의 화합물인 것을 확인하였다.
합성 실시예 5 (예시 화합물 번호 D-1 의 합성)
6-(4-옥소-3,4-디히드로퀴나졸린-2-일)-2-옥사-s-인다세노-1,3,5,7-테트라온 36부, 1,3-디메틸이미다졸리딘-2-온 10부 및 톨루엔 1부로 이루어지는 혼합물에, 4-페로세닐아닐린 28부를 장입하고, 150℃ 에서 8시간 교반하였다. 실온까지 냉각시켜, 석출되어 있는 고체를 여과하고, 물, 메탄올로 세정하여, 담황색고체 41부를 얻었다. 질량분석 측정에 의해 예시 화합물 번호 D-1 의 화합물인 것을 확인하였다.
실시예 1
폴리카보네이트수지제로 연속된 안내홈 (트랙피치 : 0.74㎛) 을 갖는 외경 120㎜Φ, 두께 0.6㎜ 의 원반형상의 기판 상에, 예시 화합물 번호 B-69 의 화합물을 진공 증착법으로 두께 70㎚ 이 되도록 막형성하고, 기록층을 형성하였다.
이 기록층 상에 발저스사제 스퍼터 장치 (CDI-900) 를 사용하여 은을 스퍼터하고, 두께 100㎚ 의 반사층을 형성하였다. 스퍼터 가스에는 아르곤 가스를 사용하였다. 스퍼터 조건은 스퍼터 파워 2.5㎾, 스퍼터 가스압 1.33㎩ (1.0×10-2Torr) 로 실행하였다.
또한 반사층 위에 자외선 경화수지 「SD-1700」(다이닛뽕잉크화학공업제) 를 스핀코트한 후, 자외선 조사하여 두께 5㎛ 의 보호층을 형성하였다. 또한 보호층 위에 자외선경화수지 「데프라이트KZ-8681」(JSR주식회사제) 를 스핀코트한 후, 상기 기판과 동일한 안내홈이 없는 폴리카보네이트수지 기판을 올리고, 자외선조사하여 기판을 접착하여, 광기록 매체를 제작하였다.
이상과 같이 하여 기록층이 형성된 광기록 매체에 대해 이하와 같이 평가시험을 실행하였다.
파장 403㎚, 개구수 0.65인 청색 레이저 헤드를 탑재한 평가기에 의해 기록주파수 9.7㎒, 기록 레이저 파워 8.0㎽, 선속 9.0m/s, 최단피트길이 0.30㎛ 로 하여 기록을 실행하였다. 양호한 형상의 피트가 규칙바르게 형성되어, 고밀도로 기록할 수 있었다. 기록후, 동 평가장치에 의해, 재생 레이저 파워 0.6㎽ 에서 선속 9.0m/s 로 재생을 실행한 결과, 피트를 판독할 수 있었다. 재생을 반복 1000회 이상 실행하였는데, 피트를 판독할 수 있고, 재생 광안정성이 우수하였다. C/N비는 50㏈ 이상이었다.
또 4만 룩스의 Xe 광을 대는 내광성시험을 실행하였다. 시험개시 100시간후도, 피트를 판독할 수 있었다. 시험전의 기록층의 광흡수량을 100%로 했을때, 100시간 조사후의 광흡수량의 변화는 10% 미만으로 작고 양호하였다.
또한 습도 85%RH, 80℃ 의 분위기하에서 방치하는 내습열성시험을 실행하였다. 시험개시 100시간후도 피트를 판독할 수 있었다.
실시예 2
실시예 1 에 있어서, 기록층의 형성시에, 예시 화합물 번호 B-69 의 화합물을 사용하는 대신에, 예시 화합물 번호 D-1 의 화합물을 사용한 것 이외에는, 실시예 1 에 기재된 방법에 의해 광기록 매체를 제작하고, 실시예 1 과 동일하게 기록과 재생을 실행하였다. 양호한 형상의 피트가 형성되고, 피트를 판독할 수 있었다. 또 재생광안정성이 우수하였다. C/N비는 50㏈ 이상이었다.
내광성시험 및 내습열성시험후도 피트를 판독할 수 있었다.
실시예 3
실시예 1 에 있어서, 기록층의 형성시에, 예시 화합물 번호 B-69 의 화합물을 사용하는 대신에, 예시 화합물 번호 A-57 의 화합물을 사용한 것 이외에는, 실시예 1 에 기재된 방법에 의해 광기록 매체를 제작하고, 실시예 1 과 동일하게 기록과 재생을 실행하였다. 양호한 형상의 피트가 형성되어, 피트를 판독할 수 있었다. 또 재생광안정성이 우수하였다. C/N비는 50㏈ 이상이었다.
내광성시험 및 내습열성시험후도 피트를 판독할 수 있었다.
실시예 4∼317
실시예 1 에 있어서, 기록층의 형성시에, 예시 화합물 번호 B-69 의 화합물을 사용하는 대신에, 예시 화합물 번호 A-1∼56, B-1∼68, C-1∼76, D-2∼115 의화합물을 사용한 것 이외에는, 실시예 1 에 기재된 방법에 의해 광기록 매체를 제작하고, 실시예 1 과 동일하게 기록과 재생을 실행하였다. 양호한 형상의 피트가 형성되어, 피트를 판독할 수 있었다. 또 재생광안정성이 우수하였다. 내광성시험 및 내습열성시험후도 피트를 판독할 수 있었다.
실시예 318
기록층용으로 표 1 에 나타낸 화합물 (B-70) 0.2g 을 2,2,3,3-테트라플루오로프로판올 10㎖ 에 용해하고, 색소용액을 조제하였다. 기판은 폴리카보네이트 수지제로 연속된 안내홈 (트랙피치 : 0.74㎛) 을 갖는 외경 120㎜Φ, 두께 0.6㎜ 의 원반형상의 것을 사용하였다. 이 기판 상에 색소용액을 회전속도 1500min-1으로 스핀코트하고, 70℃ 에서 3시간 건조시켜 기록층을 형성하였다. 이 기록층 상에 발저스사제의 스퍼터장치 (CDI-900) 를 사용하여 은을 스퍼터하고, 두께 100㎚ 의 반사층을 형성하였다. 스퍼터 가스로는 아르곤 가스를 사용하였다. 스퍼터 조건은 스퍼터 파워 2.5㎾, 스퍼터 가스압 1.33㎩ (1.0×10-2Torr) 로 실행하였다.
또한 반사층의 위에 자외선경화수지 「SD-1700」(다이닛뽕잉크화학공업제) 를 스핀코트한 후, 자외선조사하여 두께 5㎛ 의 보호층을 형성하였다. 또한 보호층 위에 자외선경화수지 「데프라이트KZ-8681」(JSR주식회사제) 를 스핀코트한 후, 상기 기판과 동일한 폴리카보네이트수지 기판을 올리고, 자외선조사하여 기판을 접합하여, 광기록 매체를 제작하였다.
다음에 실시예 1 과 동일하게 기록과 재생을 실행하였다. 양호한 형상의 피트가 형성되어, 피트를 판독할 수 있었다. 또 재생광안정성이 우수하였다.
내광성시험 및 내습열성시험후도 피트를 판독할 수 있었다.
실시예 319
실시예 318 에 있어서, 기록층의 형성시에, 예시 화합물 번호 B-70 의 화합물을 사용하는 대신에, 예시 화합물 번호 C-77 의 화합물을 사용한 것 이외에는, 실시예 1 에 기재된 방법에 의해 광기록 매체를 제작하고, 실시예 1 과 동일하게 기록과 재생을 실행하였다. 양호한 형상의 피트가 형성되어, 피트를 판독할 수 있었다. 또 재생 광안정성이 우수하였다.
내광성시험 및 내습열성시험후도 피트를 판독할 수 있었다.
실시예 320
실시예 318 에 있어서, 기록층의 형성시에, 예시 화합물 번호 B-70 의 화합물을 사용하는 대신에, 예시 화합물 번호 E-1 화합물을 사용한 것 이외에는, 실시예 1 에 기재된 방법에 의해 광기록 매체를 제작하고, 실시예 1 과 동일하게 기록과 재생을 실행하였다. 양호한 형상의 피트가 형성되어, 피트를 판독할 수 있었다. 또 재생광안정성이 우수하였다.
내광성시험 및 내습열성시험후도 피트를 판독할 수 있었다.
비교예 1
화합물 (B-70) 대신에 식 (a):
의 화합물을 사용한 것 이외에는, 실시예 318 과 동일하게 하여, 광기록 매체를 제작하고, 실시예 1 과 동일하게 기록과 재생을 실행하였다. C/N비가 20㏈ 이하로 낮아 재생이 곤란하였다.
비교예 2
실시예 1 에 있어서, 기록층의 형성시에. 예시 화합물 번호 B-69 의 화합물 대신에 식 (b):
의 화합물을 사용한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여, 광기록 매체를 제작하고, 실시예 1 과 동일하게 기록과 재생을 실행하였다. C/N비가 40㏈ 이하로 신호저하가 보였다. C/N비가 45㏈ 미만으로 신호비는 낮았다.
또 내광성시험을 실행한 결과, 조사 100시간후에 재생이 곤란해졌다. 시험전의 기록층의 광흡수량을 100%로 했을 때, 100시간 조사후의 광흡수량의 변화는 70% 이상으로 크고, 현저한 열화가 보였다.
실시예 1∼320 에 기재되는 바와 같이, 본 발명의 광기록 매체는, 청색 레이저 파장영역에 있어서, 기록재생이 가능하고, 기록 특성이 우수하다.
이와 같은 점에서, 본 발명에서 규정하는 구조의 화합물을 함유하는 기록층은, 파장 300∼900㎚ 에서 선택되는 레이저광에 의한 신호기록이 가능하고, 본 발명의 광기록 매체는 파장 300∼900㎚ 에서 선택되는 레이저광을 기록 재생에 사용하는 광기록 매체에 사용할 수 있다.
본 발명에 의하면, 본 발명의 이미드 화합물을 기록층에 사용함으로써, 고밀도 광기록 매체로서 매우 주목되고 있는 파장 300∼900㎚ 레이저, 특히 파장 400∼410㎚ 청자색 레이저에서의 기록 및 재생이 가능한 광기록 매체를 제공할 수 있게 된다.

Claims (4)

  1. 메타로센 잔기를 갖는 이미드 화합물에서 1종 이상의 화합물을 선택하여 기록층에 함유하는 광기록 매체.
  2. 적어도 하나의 이미드기의 질소원자에, 메타로센 잔기를 갖는 치환기로 치환하여 이루어지는 이미드 화합물에서, 1종 이상의 화합물을 선택하여 기록층에 함유하는 광기록 매체.
  3. 제 2 항에 있어서, 이미드 화합물이 하기 일반식 (1) 로 표시되는 광기록 매체:
    (식 중, 고리 AR은 치환 또는 비치환의 방향족환 잔기, 또는 2개 이상의 방향족환 잔기가 1개 이상의 연결기를 통해 결합하여 이루어지는 잔기를 나타내고, n은 고리 AR에 결합하는 이미드기의 개수를 나타내고, Am은 각 이미드기의 질소원자에 결합하는 치환기 A1∼An을 나타내고, m은 1∼n의 정수를 나타내며, 단, A1∼An에서 선택되는 적어도 하나의 치환기는 1개 이상의 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기를 갖는 치환기이다).
  4. 하기 일반식 (1) 로 표시되는 이미드 화합물:
    (식 중, 고리 AR 은 치환 또는 비치환의 방향족환 잔기, 또는 2개 이상의 방향족환 잔기가 1개 이상의 연결기를 통해 결합하여 이루어지는 잔기를 나타내고, n은 고리 AR에 결합하는 이미드기의 개수를 나타내고, Am은 각 이미드기의 질소원자에 결합하는 치환기 A1∼An을 나타내고, m은 1∼n의 정수를 나타내며, 단, A1∼An에서 선택되는 적어도 하나의 치환기는 1개 이상의 치환 또는 비치환의 메탈로센 잔기를 갖는 치환기이다).
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