JPH10291366A - 光記録媒体及び光記録媒体用組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】記録層にフタロシアニン化合物を含有する光記
録媒体の耐光性、耐久性等の信頼性を向上させ、記録後
の信号特性を改善する方法を提供する。 【解決手段】透明基板、記録層、反射層、保護層の４層
よりなる光記録媒体において、該記録層に一般式（１）
で示されるフタロシアニン化合物と２００〜４００℃の
範囲で吸熱挙動をしめす化合物を含有することを特徴と
する光記録媒体。 ［式中、Ｘ1 〜Ｘ4 はアルキル基、アリール基、アルキ
ルチオ基、等を表す。Ｙ1 〜Ｙ4 はハロゲン原子、ニト
ロ基、フタルイミドメチル基、スルホンアミド基を表
す。Ｍ1 は、Ａｌ、Ｇａ等を表す。Ｚは -ＯＰ（＝Ｏ）
Ｒ1 Ｒ2 を表し、ここでＲ1 、Ｒ2 は、水素原子、水酸
基、アルキル基等、を表す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はレーザー光によって
情報を書き込んだり、読みとったりすることが可能な光
記録媒体に関するものでありさらに詳しくは、追記型コ
ンパクトディスク（ＣＤ−Ｒ）の記録膜構成及び、記録
膜組成に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】現在、編集機能を有する追記型光ディス
クとして、シアニン等の有機色素記録膜の上に金の反射
膜を設け、波長７８０ｎｍでＣＤフォーマットあるいは
ＣＤ−ＲＯＭフォーマット信号を記録し、ＣＤまたはＣ
Ｄ−ＲＯＭの再生装置で情報を読み出すＣＤ−Ｒが実用
化されている。しかしながら、一般的にシアニン色素は
光安定性が悪いため、ＣＤのような単面構成で直接太陽
光にさらされるような使用条件下では記録の信頼性に問
題が生じる可能性がある。

【０００３】そのため、シアニン色素に代えて、化学的
物理的に安定なフタロシアニン色素を記録膜材料に使用
する試みを検討し、フタロシアニン化合物でも特公平４
−５３７１３、特開平４−２１４３８８、特開平５−１
２７２等に提案され、一部の化合物が実用化されてい
る。これらの材料を用いたＣＤ−Ｒの特性はシアニン色
素を用いた場合と同等の特性を有し、オレンジブックに
準拠した媒体となっており、かつ、シアニン色素を用い
た媒体に比べ、遥かに耐光性が優れているものである。

【０００４】近年、ＣＤ−ＲＯＭの急速な普及につれ、
ＣＤ−Ｒ媒体にも高速記録、高速読み出しが要求される
ようになり、同じ媒体で、等速記録から２倍、４倍速記
録へも対応できることが必要となってきた。オレンジブ
ック等の規格がシアニン色素の挙動にあわせて設定され
ているので、フタロシアニン色素で、これらの要求をす
べて満たすには困難であった。

【０００５】フタロシアニン化合物とシアニン化合物の
違いとして、フタロシアニン化合物の方が分解時の発熱
が大きいことが知られている。特開平９−６３１１５で
はこのフタロシアニン化合物の大きすぎる発熱をともな
う記録を、爆発記録モードの記録と呼んでいて、透明基
盤の硬度を高くすることで、多すぎる発熱の影響を押さ
えてジッターを改善しようとしている。しかし、硬度を
上げる方法が特殊なため実際のディスク生産に反映する
ことは難しく、そのほかの特性には言及されていない。

【０００６】２倍速、４倍速で記録した際に問題になり
やすいのは、ジッターなどの記録信号特性である。記録
信号特性の改善には、特開平７−２０５５０に開示され
ているような熱分解性のよい置換基を導入するなどの色
素構造上の工夫、特開昭５９−９２４４８に開示されて
いるように熱分解を促進する添加剤を併用すること、特
開平７−９８８８７に開示されている、記録ピット形状
の制御剤として金属錯体化合物の使用などの方法が提示
されている。これらの方法により、記録後の信号特性は
良好となるが、フタロシアニン色素と使用した際の最大
の利点である、耐久性、耐光性が色素単独使用の場合に
比べて劣る（犠牲になる）ことが重要な問題であった。

【０００７】２倍速以上の高速記録における記録信号
（特にジッター等）の改善は、色素膜の厚みを薄くする
ことでも達成できる。この場合、分解促進剤の利用や色
素構造の工夫によって、色素を分解しやすくしたわけで
はないので、信頼性の悪化は原理的にあり得ない。しか
し、色素膜の厚みは信号の変調度に関係があるとされ、
色素膜の厚みを薄くすると、十分な変調度が得られなか
った。

【０００８】このように、色素単独使用の場合に比べて
信頼性を低下させることなく、十分な変調度を示すディ
スクを作成する事はできなかった。

【発明が解決しようとする課題】耐久性等の信頼性に全
く問題のなく、十分な大きさの変調度を示す光記録媒
体、及びそれに用いる光記録媒体用組成物と提供する事
である。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、記録層に、フタロ
シアニン色素と特定な金属錯体化合物を含有させること
によって、耐光性、耐久性等の信頼性に全く問題のな
く、十分な大きさの変調度を得ることができることを見
出し、本発明に至った。

【００１０】

【発明の実施の形態】すなわち本発明は、透明基板、記
録層、反射層、保護層の４層よりなる光記録媒体におい
て、該記録層に一般式（１）で示されるフタロシアニン
化合物と２００〜４００℃の範囲で吸熱挙動を示す化合
物を含有させることを特徴とした光記録媒体である。ま
た、上記記録層に使用される光記録媒体用組成物であ
る。

【００１１】一般式（１）

【化３】 ［式中、Ｘ1 〜Ｘ4 はそれぞれ独立に、置換基を有して
もよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、
置換基を有してもよい脂環基、置換基を有してもよいア
ラルキル基、置換基を有してもよい複素環基、置換基を
有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアリ
ールオキシ基、置換基を有してもよいアルキルチオ基、
置換基を有してもよいアリールチオ基を表す。Ｙ1 〜Ｙ
4 はそれぞれ独立に、ハロゲン原子、ニトロ基、置換基
を有してもよいフタルイミドメチル基、置換基を有して
もよいスルホンアミド基を表す。Ｍ1 は、Ｓｉ、Ｇｅ、
Ｓｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎを表す。Ｚは -ＯＰ（＝Ｏ）Ｒ
1 Ｒ2 を表し、ここでＲ1 、Ｒ2 はそれぞれ独立に、水
素原子、水酸基、置換基を有してもよいアルキル基、置
換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよい
アルコキシ基、置換基を有してもよいアリールオキシ基
を表す。ｎ1 〜ｎ4 は置換基Ｘ1 〜Ｘ4 の数を表し、そ
れぞれ独立に１〜４の整数を表す。ｍ1 〜ｍ4 は置換基
Ｙ1 〜Ｙ4 の数を表し、それぞれ独立に０〜４の整数を
表す。ｋは置換基Ｚの数を表し、１または２の整数を表
す。］

【００１２】本発明でいう吸熱挙動とは示差熱分析計を
用いて、４０℃から１０℃／分で窒素気流下で昇温した
ときに２Ｗ／ｇ以上の吸熱ピークを持つことを指す。吸
熱を生じる要因は、溶解、分解、相変化等、いかなる要
因でもかまわないが、吸熱が大きくなりやすい分解によ
るものが好ましい。

【００１３】フタロシアニン化合物が、中心金属からフ
タロシアニン環平面より垂直方向に置換基（アキシャル
置換基）を持つフタロシアニン化合物である場合、一般
式（１）で示されるような特殊なアキシャル置換基を持
つ構造のフタロシアニン化合物は耐光性がよいため（特
開平４−２１４３８８）、こうしたフタロシアニン化合
物の場合には、本発明で提示する金属錯体化合物は光安
定剤として作用するのではなく、変調度増大に効果を発
揮する。

【００１４】しかしながら、中心金属がＡｌやＧａのよ
うにアキシャル置換基が１個しか導入できない金属であ
る場合、一般的に、これらのアキシャル置換基を２個持
つＳｉやＧｅ等のフタロシアニン化合物に比べて耐光性
が若干劣る。こうしたフタロシアニン化合物の場合に
は、本発明で提示する金属錯体化合物は光安定剤として
も作用し、耐光性改良に効果があるばかりではなく、さ
らに、記録特性向上にも効果を発揮する。

【００１５】上述したような、変調度増大の向上と耐光
性の向上の両方について効果が顕著なものは、一般式
（２）に示す環状構造を持つジチオカルバミン酸錯体で
あり、記録層成膜の際の塗布溶媒にも溶解性が良好なこ
とから、これらの化合物が最も好ましい。 一般式（２）

【化４】 ［式中、Ｒ３は、置換基を有してもよい炭素数１〜３の
アルキレン基を表す。Ｒ４は置換基を有していてもよい
炭素数１〜８のアルキレン基を表す。Ａは酸素原子、い
おう原子、または置換基を有していてもよいＮＨ基を表
す。Ｍ2 は遷移金属原子を表す。ｑは１〜４の整数を表
す、ｒは０〜２の整数を表す。］

【００１６】この環状構造をもつジチオカルバミン酸錯
体は環状になっていない化合物群と比べて、一般に融点
が高い。この原因は環状となることで窒素−炭素間の結
合性が増すためであると、Ｇ．ＭＡＲＣＯＴＲＩＧＩＡ
ＮＯらによってＪ．ｉｎｏｒｇ．ｎｕｃｌ．Ｃｈｅｍ．
１９７４ Ｖｏｌ３６ ｐｐ３７０９−３７１２等に紹
介されている。推測であるが、吸熱要因となりうる融点
と分解温度が近づくことで、より吸熱量が大きくなるこ
とが一般式（２）で示される化合物が効果が大きい理由
であると考えられる。

【００１７】本発明における２００〜４００℃の範囲で
分解挙動を示す化合物は、一般式（１）で示されるフタ
ロシアニン化合物の合成、あるいは精製時に添加、また
は、単に粉末へのブレンド、あるいは、化学的処理によ
ってフタロシアニン化合物に結合させて使用してもよ
く、また、スピンコートによる記録膜作成の際、フタロ
シアニン化合物と一緒に塗布溶媒に溶解させて使用する
ことも可能である。これらの方法は使用する安定化剤、
フタロシアニン化合物の種類の種類、組合わせによって
最適な方法は異なる。

【００１８】一般式（１）で示されるフタロシアニン化
合物と２００℃〜４００℃の範囲で吸熱挙動を示す化合
物の重量比は一般式（１）で示されるフタロシアニン化
合物を１００として０．１〜１５０の重量比の範囲が好
ましい。さらに好ましくは２〜２５の範囲である。少な
すぎると効果が十分ではなく、多すぎると、感度等のほ
かの特性への悪影響が顕著になる。

【００１９】本発明の一般式における構造、置換基等に
ついて詳細に説明するがこれらに限定されるものではな
い。

【００２０】ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭
素、ヨウ素等がある。

【００２１】置換基を有してもよいアルキル基として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、ブチル基、イソブチル基、tert- ブチル基、ネオペ
ンチル基、n-ヘキシル基、n-オクチル基、ステアリル
基、2-エチルヘキシル基、トリクロロメチル基、トリフ
ルオロメチル基、2,2,2-トリフルオロエチル基、2,2-ジ
ブロモエチル基、2,2,3,3-テトラフルオロプロピル基、
2-エトキシエチル基、2-ブトキシエチル基、2-ニトロプ
ロピル基等がある。

【００２２】置換基を有してもよいアリール基として
は、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、p-メチ
ルフェニル基、p-ニトロフェニル基、p-メトキシフェニ
ル基、2,4-ジクロロフェニル基、ペンタフルオロフェニ
ル基、2-アミノフェニル基、2-メチル-4- クロロフェニ
ル基、4-ヒドロキシ-1- ナフチル基、6-メチル-2- ナフ
チル基、4,5,8-トリクロロ-2- ナフチル基、アントラキ
ノニル基、2-アミノアントラキノリル基等がある。

【００２３】置換基を有してもよい脂環残基としては、
シクロペンチル基、2,5-ジメチルシクロペンチル基、シ
クロヘキシル基、4-tert- ブチルシクロヘキシル基、ア
ダマンチル基等がある。

【００２４】置換基を有してもよいアラルキル基として
は、ベンジル基、4-メチルベンジル基、4-tert- ブチル
ベンジル基、4-メトキシベンジル基、4-ニトロベンジル
基、2,4-ジクロロベンジル基等がある。

【００２５】置換基を有してもよい複素環残基として
は、ピリジニル基、3-メチルピリジニル基、ピラジニル
基、ピペジニル基、N-メチルピペジニル基、ピラニル
基、モルホニル基、n-メチルピロリニル基、アクリジニ
ル基、等がある。

【００２６】置換基を有してもよいアルコキシ基として
は、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロ
ポキシ基、n-ブトキシ基、イソブチルオキシ基、tert-
ブチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、n-ヘキシルオ
キシ基、n-オクチルオキシ基、ステアリルオキシ基、2-
エチルヘキシルオキシ基、トリクロロメトキシ基、トリ
フルオロメトキシ基、2,2,2-トリフルオロエトキシ基、
2,2,3,3-テトラフルオロプロピルオキシ基、2-エトキシ
エトキシ基、2-ブトキシエトキシ基、2-ニトロプロポキ
シ基、２−ブロモエトキシ基等がある。

【００２７】置換基を有してもよいアリールオキシ基と
しては、フェノキシ基、ナフトキシ基、アントラニルオ
キシ基、p-メチルフェノキシ基、p-ニトロフェノキシ
基、p-メトキシフェノキシ基、2,4-ジクロロフェノキシ
基、ペンタフルオロフェノキシ基、2-メチル-4- クロロ
フェノキシ基等がある。

【００２８】置換基を有していてもよいアルキルチオ基
とはメチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イ
ソプロピルチオ基、ｎ−ブトチルチオ基、イソブチルチ
オ基、ｔｅｒｔ−ブチイルチオ基、ネオペンチルチオ
基、ｎ−ヘキシルチオ基、ステアリルチオ基、２−エチ
ルヘキシル基、トリクロロメチルチオ基、トリフルオロ
メチルチオ基、２−エトキシエチルチオ基、２−ニトロ
プロピルチオ基等がある。

【００２９】置換基を有していてもよいアリールチオ基
とはフェニルチオ基、ナフトチオ基、アントラニルチオ
基、ｐ−メチルフェニルチオ基、ｐ−ニトロフェニルチ
オ基、ｐ−メトキシフェニルチオ基、２，４−ジクロロ
フェニルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基、２−
メチル−４−クロロフェニルチオ基等がある。

【００３０】置換基を有していてもよいフタルイミドメ
チル基の置換基は、ハロゲン、ニトロ基、アミノ基、ジ
メチルアミノ基、シキロヘキシルアミノ基、水酸基、上
記の置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有
していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい
脂換残基、置換基を有していてもよい複素環残基、置換
基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有してい
てもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリ
ールオキシ基等より単数、もしくは複数個、選択され
る。

【００３１】置換基を有していてもよいスルホアミド基
とはジメチルアミノスルホニル基、アミノスルホニル
基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、メチルブチル
アミノスルホニル基、ジフェニルアミノスルホニル基、
フェニルアミノスルホニル基等がある。

【００３２】置換基を有していてもよい炭素数１〜３の
アルキレン基とは、メチレン基、エチレン基、プロピレ
ン基、メチルエチレン基、メチルプロピレン基、ヒドロ
キシエチレン基、メトキシプロピレン基、アミノエチレ
ン基、ジメチルアミノプロピレン基、クロロエチレン
基、ブロモプロピレン基、フェニルエチレン等を表す。

【００３３】置換基を有していてもよい炭素数１〜８の
アルキレン基とは、置換基を有してもよい炭素数１〜３
のアルキレン基に加え、ブチレン基、ペンチレン基、へ
キシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基等を表す。

【００３４】置換基を有していてもよいＮＨ基の置換基
は、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有
していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい
脂環基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換
基を有していてもよい複素環基、アセチル基、ブロモア
セチル基、トリフルオロアセチル基、スルホアミド基、
ジメチルスルホアミド基、ジフェニルスルホアミド基等
がある。

【００３５】遷移金属原子とは、スカンジウム、チタ
ン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニ
ッケル、銅、亜鉛、ガリウム、ゲルマニウム、イットリ
ウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ルテニウ
ム、ロジウム、パラジウム、銀、カドミウム、インジウ
ム、スズ、アンチモン、ハフニウム、タンタル、タング
ステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、
金、水銀、タリウム、鉛、ビスマスを表す。

【００３６】本発明における一般式（１）で示されるフ
タロシアニン化合物の代表的な例として下記に示すフタ
ロシアニン化合物（ａ）、（ｂ）等が挙げられるが、こ
れらに限定されるものではない。

【００３７】（ａ）

【化５】

【００３８】（ｄ）

【化６】

【００３９】本発明における、一般式（２）で示される
金属錯体化合物の代表的な例として、以下に示す化合物
（Ｉ）〜（Ｖ）等があるが、本発明はこれらに限定され
るものではない。

【００４０】（Ｉ）

【化７】

【００４１】（ＩＩ）

【化８】

【００４２】（ＩＩＩ）

【化９】

【００４３】（ＩＶ）

【化１０】

【００４４】（Ｖ）

【化１１】

【００４５】本発明における記録層には一般式（１）で
示すフタロシアニン化合物、２００〜４００℃の範囲で
吸熱挙動を示す化合物以外にも、光安定化剤や記録特性
の改善効果がある添加剤、または、必要に応じて高分子
のバインダーを加えてもよい。

【００４６】高分子バインンダーとしては、エポキシ樹
脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステ
ル樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニル樹脂、ニトロセル
ロース樹脂、フェノール樹脂等が挙げられるがこれらに
限定されるものではない。高分子バインダーの混合比と
しては特に制限はないが、色素に対して３０％以下が好
ましい。

【００４７】記録層の成膜方法としては、ドライプロセ
ス、たとえば、真空蒸着法、スパッタリング法によって
も可能であるが、ウエットプロセス、例えば、スピンコ
ート法、ディップ法、スプレー法、ロールコート法ある
いは、ＬＢ（ラングミュアーブロジェット）法によって
も可能である。本発明の記録膜素材は、汎用の有機溶
媒、たとえば、アルコール系、ケトン系、セロソルブ
系、ハロゲン系、炭化水素系、フロン系溶媒等に高い溶
解性を示すため、生産性、及び記録膜の均一性からスピ
ンコート法により成膜する方法が好ましい。

【００４８】本発明の記録層の最適膜厚は、記録膜材料
の種類及び組合わせによる異なるため特に制限はなく、
５００〜３０００オングストロームが好ましく、更に好
ましくは、８００〜１５００オングストロームが最適膜
厚範囲である。

【００４９】本発明の反射膜素材としては、金、銀、
銅、白金、アルミニウム、コバルト、スズ等の金属、及
び、これらを主成分とした合金、酸化物、窒化物等が挙
げられるが、絶対反射率が高く、安定性に優れている点
から金が最適である。また、場合によっては有機化合物
の高反射膜を使用することも可能である。このような反
射膜の成膜方法としては、ドライプロセス、例えば、真
空蒸着法、スパッタリング法がもっとも好ましいが、こ
れらに限定されるものではない。反射膜の最適膜厚につ
いては、特に制限はないが、４００〜１６００オングス
トロームの範囲が好ましい。

【００５０】更に反射膜の上よりディスクを保護するた
めの保護層を設ける。保護層用の材料としては、紫外線
効果樹脂を用いてスピンコート法によって塗布し、紫外
線照射により硬化させる方法が好ましいが、これらに限
定されるものではない。保護層の最適膜厚については、
薄い場合には保護の硬化が低下し、厚い場合には樹脂の
硬化時の収縮によりディスクのそり等の機械特性の悪化
の原因となるため、２〜２０ミクロンの範囲で成膜する
ことが好ましい。

【００５１】また、本発明に用いられるディスク基板と
しては、信号の書き込みや読み出しを行うための光の透
過率が好ましくは８５％以上であり、かつ、光学異方性
の小さいものが好ましい。例えば、硝子、または、アク
リル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、
ポリアミド樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリオレフィン樹
脂等の熱可塑性樹脂やエポキシ樹脂、アリル樹脂等の熱
硬化性樹脂からなる基板が挙げられる。これらの中で、
成型のしやすさ、ＡＴＩＰ用ウオブル信号、及び、案内
溝等の付与にしやすさ等から熱可塑性樹脂からなるもの
が好ましく、更に光学特性や機械特性、及び、コストか
らみてアクリル樹脂やポリカーボネート樹脂からなるも
のが特に好ましい。

【００５２】発明における基板の案内溝の形状について
は特に制限はなく、台形、Ｕ字型あるいはＶ字型であっ
てもよい。また、案内溝の寸法については、記録膜材料
の種類、及び組合わせ等により最適値はそれぞれ異なる
が、平均溝幅（溝深さの１／２の位置の幅）が０．４〜
０．６ミクロン、溝深さが１０００〜２０００オングス
トロームの範囲が好ましい。本発明のディスクは、記録
後、ＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭとして機能する必要があ
るため、ＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭの規格（レッドブッ
ク）及び、ＣＤ−Ｒの規格（オレンジブック）に準拠し
ていることが好ましい。

【００５３】本発明で示した２００〜４００℃で吸熱挙
動を示す化合物が変調度を増大できる機構は明確ではな
い。このため推測の域を脱しないが、フタロシアニン化
合物の分解とほぼ同じ温度で何らかの変化を起こし、吸
熱する化合物の存在により過剰な発熱を押さえることが
できる。このことにより、記録レーザーの照射直前から
照射中に過剰な発熱のためにおこる、記録層膜の大きく
変形を防ぎ、均一に記録レーザーが照射され、十分な熱
変化を起こして変調度が大きくなるものと推定してい
る。フタロシアニン化合物の熱分解を促進する添加剤や
記録ピット形状の制御剤などを併用しても、効果が異な
り、さらに効果を引き出す機構が違うために打ち消すこ
となくそれぞれの効果が発揮するものと推測できる。

【００５４】以下の実施例によって本発明を具体的に説
明する。

【００５５】実施例１ Ｎ−メチルピペラジン７．０１ｇを乾燥エタノール、２
硫化炭素８．４ｍｌ、水酸化ナトリウム２．８ｇの溶液
に滴下後、２時間６０℃に保った。冷却後、析出物をろ
過した。ろ物をメタノールの溶解して、メタノール、
水、酢酸ニッケルの溶液に滴下した。生じた沈殿をろ
過、洗浄後、４０℃で乾燥した。ＴＡ ｉｎｓｔｒｕｍ
ｅｎｔｓ社製ＴｈｅｒｍａｌＡｎａｌｙｓｔ２２００を
使用して、密閉セル、窒素フロー、１０℃／ｍｉｎ昇
温、４０〜５００℃の条件で示差熱分析を行い吸熱ピー
クが最大となる温度を求めた。結果を表１に示し、金属
錯体化合物（Ｉ）の得られたチャートを図１にしめす。

【００５６】実施例２ 深さ１６００オングストローム、幅０．４ミクロン、ピ
ッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２ｍｍ、
外径１２０ｍｍ、内径３０ｍｍのポリカーボネート基板
上に、フタロシアニン化合物（ａ）〜（ｂ）０．４５
ｇ、金属錯体化合物（Ｉ）〜（Ｖ）０．０５ｇをエチル
セロソルブ１０ｍｌに溶解した溶液を作成して、スピン
コーターを用いて膜厚５００オングストロームに成膜し
た。次に反射膜として、この色素膜の上に金を８００オ
ングストロームでスパッタリングにより成膜した。さら
に、この上にＵＶ硬化樹脂により保護層を設けて、ＣＤ
−Ｒディスクを作成した。この媒体を７８０ｎｍの半導
体レーザーを用いて、線速１．２ｍ／ｓｅｃと４．８ｍ
／ｓｅｃでＥＦＭ信号を記録した。記録信号特性をオレ
ンジブックに従って評価した。結果を表２に示す。

【００５７】比較例１ フタロシアニン化合物（ａ）〜（ｂ）の５％ｗｔエチル
セロソルブ溶液を用いて実施例２と同様にディスクを作
成した。この媒体を７８０ｎｍの半導体レーザーを用い
て、線速１．２ｍ／ｓｅｃと４．８ｍ／ｓｅｃでＥＦＭ
信号を記録した。記録信号特性をオレンジブックに従っ
て評価した。結果を表３に示した。

【００５８】実施例３ フタロシアニン化合物（ａ）〜（ｂ）０．３６ｇ、それ
ぞれに金属錯体化合物（Ｉ）それぞれ０．０５ｇ、フェ
ロセン０．０４ｇをエチルセロソルブ１０ｍｌに溶解し
た溶液を用いて実施例２と同様にディスクを作成した。
この媒体を７８０ｎｍの半導体レーザーを用いて、線速
１．２ｍ／ｓｅｃと４．８ｍ／ｓｅｃでＥＦＭ信号を記
録した。記録信号特性をオレンジブックに従って評価し
た。結果を表４に示した。

【比較例２】フタロシアニン化合物（ａ）〜（ｂ）０．
４０ｇ、フェロセン０．０５ｇをエチルセロソルブ１０
ｍｌに溶解した溶液を用いて実施例１と同様にディスク
を作成した。この媒体を７８０ｎｍの半導体レーザーを
用いて、線速１．２ｍ／ｓｅｃと４．８ｍ／ｓｅｃでＥ
ＦＭ信号を記録した。記録信号特性をオレンジブックに
従って評価した。結果を表５に示した。

【００５９】

【表１】

【００６０】

【表２】

【００６１】

【表３】

【００６２】

【表４】

【００６３】

【表５】

【００６４】実施例２ 次に、フタロシアニン化合物（ｂ）について、実施例１
で作成した光ディスクを、耐光性試験機にかけ、５万ル
クス、１００時間後取り出し、線速１．２ｍ／ｓｅｃに
ついて記録信号特性を、試験前後で比較した。結果を表
６に示した。

【００６５】

【表６】

【発明の効果】記録層にフタロシアニン色素と本発明に
よる金属錯体化合物を含有させることにより、変調度を
増大させ、記録後の信号特性が安定した高信頼性を有す
る光記録媒体の提供が可能となった。

【図面の簡単な説明】

【図１】金属錯体化合物（Ｉ）の示差熱分析チャート

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】透明基板、記録層、反射層、保護層の４層
   よりなる光記録媒体において、該記録層に一般式（１）
   で示されるフタロシアニン化合物と、２００〜４００℃
   の範囲で吸熱挙動を示す化合物を含有することを特徴と
   する光記録媒体。 一般式（１） 【化１】 ［式中、Ｘ1 〜Ｘ4 はそれぞれ独立に、置換基を有して
   もよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、
   置換基を有してもよい脂環基、置換基を有してもよいア
   ラルキル基、置換基を有してもよい複素環基、置換基を
   有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアリ
   ールオキシ基、置換基を有してもよいアルキルチオ基、
   置換基を有してもよいアリールチオ基を表す。Ｙ1 〜Ｙ
   4 はそれぞれ独立に、ハロゲン原子、ニトロ基、置換基
   を有してもよいフタルイミドメチル基、置換基を有して
   もよいスルホンアミド基を表す。Ｍ1 は、Ｓｉ、Ｇｅ、
   Ｓｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎを表す。Ｚは -ＯＰ（＝Ｏ）Ｒ
   1 Ｒ2 を表し、ここでＲ1 、Ｒ2 はそれぞれ独立に、水
   素原子、水酸基、置換基を有してもよいアルキル基、置
   換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよい
   アルコキシ基、置換基を有してもよいアリールオキシ基
   を表す。ｎ1 〜ｎ4 は置換基Ｘ1 〜Ｘ4 の数を表し、そ
   れぞれ独立に１〜４の整数を表す。ｍ1 〜ｍ4 は置換基
   Ｙ1 〜Ｙ4 の数を表し、それぞれ独立に０〜４の整数を
   表す。ｋは置換基Ｚの数を表し、１または２の整数を表
   す。］
2. 【請求項２】２００〜４００℃の範囲で吸熱挙動を示す
   化合物が一般式（２）示される金属錯体である請求項１
   記載の光記録媒体。 一般式（２） 【化２】 ［式中、Ｒ３は、置換基を有してもよい炭素数１〜３の
   アルキレン基を表す。Ｒ４は置換基を有していてもよい
   炭素数１〜８のアルキレン基を表す。Ａは酸素原子、い
   おう原子、または置換基を有していてもよいＮＨ基を表
   す。Ｍ2 は遷移金属原子を表す。ｑは１〜４の整数を表
   す。ｒは０〜２の整数を表す。］
3. 【請求項３】Ｒ３とＲ４のアルキレン基の炭素の合計が
   ４である請求項２記載の光記録媒体。
4. 【請求項４】請求項１ないし３いずれか記載の光記録媒
   体の記録層に使用する光記録媒体用組成物。