KR20010110445A - 기판의 도금장치 및 도금방법과 전해처리방법 및 그 장치 - Google Patents

기판의 도금장치 및 도금방법과 전해처리방법 및 그 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 특히 반도체기판에 형성된 미세배선패턴(오목부)에 구리(Cu) 등의 금속을 충전하는 등의 용도의 기판의 도금방법 및 장치에 관한 것으로, 피도금면을 위쪽을 향하여 기판을 수평으로 유지하여 회전시키는 기판유지부(36)와, 그 기판유지부(36)로 유지된 기판의 피도금면의 둘레 가장자리부에 맞닿게 하여 그 둘레 가장자리부를 수밀적으로 시일하는 시일재(90)와, 그 기판과 접촉하여 통전시키는 캐소드전극(88)을 구비하고, 기판유지부(36)와 일체로 회전하는 캐소드부(38)와, 그 캐소드부(38)의 위쪽에 수평수직이동 자유롭게 배치되어 하향으로 애노드(98)를 구비한 전극아암부(30)와, 기판유지부(36)로 유지된 기판의 피도금면과 그 피도금면에 근접시킨 전극아암부(30)의 애노드(98) 사이의 공간에 도금액을 주입하는 도금액주입수단을 가진다. 이에 의하여 도금처리 및 그것에 부대하는 처리를 단일의 유닛으로 행할 수 있다.

Description

기판의 도금장치 및 도금방법과 전해처리방법 및 그 장치{APPARATUS FOR PLATING SUBSTRATE, METHOD FOR PLATING SUBSTRATE, ELECTROLYTIC PROCESSING METHOD, AND APPARATUS THEREOF}
반도체기판 위에 배선회로를 형성하기 위한 재료로서는, 알루미늄 또는 알루미늄합금이 일반적으로 사용되고 있으나, 집적도의 향상에 따라 더욱 전도율이 높은 재료를 배선재료에 채용하는 것이 요구되고 있다. 이 때문에 기판에 도금처리를 실시하여 기판에 형성된 배선패턴에 구리 또는 그 합금을 충전하는 방법이 제안되고 있다.
이것은 배선패턴에 구리 또는 그 합금을 충전하는 방법으로서는, CVD(화학적증착)이나 스패터링 등, 각종 방법이 알려져 있으나, 금속층의 재질이 구리 또는 그 합금인 경우, 즉 구리배선을 형성하는 경우에는 CVD에서는 비용이 높고, 또 스패터링에서는 높은 종횡비(패턴의 깊의 비가 폭에 비하여 크다)의 경우에 매립이 불가능하다는 등의 단점을 가지고 있어 도금에 의한 방법이 가장 유효하기 때문이다.
여기서 반도체기판 위에 구리도금을 실시하는 방법으로서는, 컵식이나 딥식과 같이 도금탱크에 항상 도금액을 채워 그곳에 기판을 담그는 방법과, 도금탱크에 기판이 공급되었을 때에만 도금액을 채우는 방법, 또 전위차를 인가하여 이른바 전해도금을 행하는 방법과, 전위차를 인가하지 않는 무전해 도금을 행하는 방법 등, 여러가지의 방법이 있다.
종래, 이와 같은 종류의 구리도금을 행하는 도금장치에는 도금공정을 행하는 유닛 외에 도금에 부대하는 전처리공정을 행하는 유닛이나, 도금후의 세정·건조공정을 행하는 유닛 등의 복수의 유닛과, 이들 각 유닛 사이에서 기판의 반송을 행하는 반송로봇이 수평으로 배치되어 구비되어 있었다. 그리고 기판은 이들 각 유닛 사이를 반송되면서 각 유닛으로 소정의 처리가 실시되고, 도금처리 후의 다음공정으로 차례로 보내여지도록 되어 있었다.
그러나 종래의 도금장치에 있어서는, 도금처리나 전처리라는 각 공정마다 각각의 유닛이 구비되어 각 유닛에 기판이 반송되어 처리되도록 되어 있었기 때문에 장치로서 매우 복잡하고 제어가 곤란할 뿐만 아니라, 큰 점유면적을 차지하고, 또한 제조비용이 매우 고가라는 문제가 있었다.
또 전해도금에 있어서는, 기판(캐소드)의 피도금면과 애노드 사이에 채워진 도금액 중에 기포가 존재하면 절연체인 기포가 마치 애노드마스크로서 기능하여 그 부분에 대응하는 위치에 형성되는 도금의 막두께가 얇아지거나, 완전한 도금부족을 일으키는 경우가 있다. 이 때문에 균일하고 양질인 도금피막을 얻기 위해서는 기판의 피도금면과 애노드 사이의 도금액에 기포가 남지 않도록 할 필요가 있다.
또한 전해처리, 특히 전해도금은 금속막의 형성방법으로서 널리 사용되고 있다. 최근 예를 들면 구리의 다층배선용 전해구리도금이나, 범프형성용 전해금도금등, 반도체산업 등에서도 그 유효성(염가, 구멍메움 특성 등)이 주목받아 사용되어 가고 있다.
도 71은 이른바 페이스다운방식을 채용하여 반도체웨이퍼 등의 피처리기판(이하, 기판이라 함)의 표면에 전해도금을 실시하는 도금장치의 종래의 일반적인 구성을 나타낸다. 이 도금장치는 위쪽으로 개구하여 내부에 도금액(600)을 유지하는 원통형상의 도금탱크(602)와, 기판(W)을 착탈 자유롭게 하향으로 유지하여 그 기판 (W)을 도금탱크(602)의 상단 개구부를 막는 위치에 배치하는 기판유지부(604)를 가지고 있다. 도금탱크(602)의 내부에는 도금액(600) 중에 침지되어 양극전극이 되는 평판형상의 양극판(606)이 수평으로 배치되어 있다. 한편 기판(W)의 하면(도금면)에는 도전층(S)이 형성되고, 이 도전층(S)은 그 둘레 가장자리부에 음극전극과의 접점을 가지고 있다.
상기 도금탱크(602)의 바닥부 중앙에는 위쪽을 향한 도금액의 분류를 형성하는 도금액 분사관(608)이 접속되고, 도금탱크(602)의 상부 바깥쪽에는 도금액 받이(610)가 배치되어 있다.
이에 의하여 도금탱크(602)의 상부에 기판(W)을 기판유지부(604)로 하향으로 유지하여 배치하고, 도금액(600)을 도금탱크(602)의 바닥부로부터 위쪽으로 분출시키고 기판(W)의 하면(도금면)에 도금액(600)의 분류를 닿게 하면서 양극판(606)(양극전극)과 기판(W)의 도전층(S)(음극전극) 사이에 도금전원(612)으로부터 소정의 전압을 인가함으로써 기판(W)의 하면에 도금막을 형성하도록 하고 있다. 이 때 도금탱크(602)를 흘러넘친 도금액(600)은 도금액 받이(610)로부터 회수된다.
여기서 LSI용 웨이퍼나 액정기판은 해마다 대면적이 되는 경향에 있고, 이에 따라 기판의 표면에 형성되는 도금막의 막두께의 불균일이 문제로 되어 가고 있다. 즉 기판에 음극전위를 인가하기 위하여 기판에 미리 형성한 도전층의 둘레 가장자리부에 전극과의 접점을 설치하고 있으나, 기판의 면적이 커지면 기판 주변의 접점으로부터 기판 중앙까지의 도전층의 전기저항이 커져 기판면 내에서 전위차가 생겨 도금속도에 차가 생겨 도금막의 막두께의 불균일로 연결되어 버린다.
즉, 피처리기판 표면에 전해도금을 실시하기 위해서는 피처리기판(이하 단지「기판」이라 함)의 표면에 도전층을 형성하고, 기판(W)의 바깥 둘레 근방의 도전층위에 음극전위를 부여하기 위한 접점을 접촉하고, 한편 기판(W)에 대향하는 위치에 양극을 설치하여 양극과 기판(W) 사이에 도금액을 채워 상기 양극과 접점 사이에 직류전원에 의해 전류를 흘림으로써 기판(W)의 도전층 위에 도금을 행한다. 그러나 면적이 큰 기판의 경우, 기판의 바깥 둘레 근방의 접점으로부터 기판(W) 중앙까지의 도전층의 전기저항이 커져 기판(W) 면내에서 전위차가 생기고, 나아가서는각 부의 도금속도에 차가 생겨 버린다.
즉, 도 72는 지름 200 mm의 실리콘기판 위에 30 nm, 80 nm 및 150 nm 막두께의 도전층(구리박막)을 형성하고, 도 71에 나타내는 바와 같은 종래의 일반적인 도금장치를 사용하여 전해구리도금을 행한 경우의 기판 면내에서의 구리도금막의 막두께 분포를 나타낸 도면이다. 도 73은 지름이 100 mm, 200 mm 및 300 mm의 실리콘기판 위에 막두께 100 nm의 도전층(구리박막)을 형성하여 상기와 마찬가지로 하여 전해구리도금을 행한 경우의 기판면 내에서의 구리도금막의 막두께 분포를 나타낸 도면이다. 도 72 및 도 73으로부터 분명한 바와 같이 도전층이 얇은 경우나, 기판지름이 큰 경우에는 전해도금에 의해 형성되는 구리도금막의 막두께의 분포의 불균일이 커져 현저한 경우는 기판의 중앙 부근에서 완전히 구리막이 형성되지 않는 경우가 발생한다.
이 현상을 전기화학적으로 설명하면 이하와 같이 된다.
도 74는 도 71에 나타내는 종래의 일반적인 전해도금장치의 전기적 등가회로도를 나타낸다. 즉 함께 도금액(600) 중에 침지한 양극판(606)(양극전극)과 기판 (W)의 도전층(S)(음극전극) 사이에 도금전원(612)으로부터 소정의 전압을 인가하여 도전층(S)의 표면에 도금막을 형성하면, 이 회로 중에는 이하와 같은 저항성분이 존재한다.
R1 : 전원 - 양극 사이의 전원선 저항 및 각종 접촉저항
R2 : 양극에 있어서의 분극저항
R3 : 도금액저항
R4 : 음극(도금표면)에 있어서의 분극저항
R5 : 도전층의 저항
R6 : 음극전위도입접점 - 전원 사이의 전원선저항 및 각종 접촉저항
도 74에서 분명한 바와 같이, 도전층(S)의 저항(R5)이 다른 전기저항(R1 내지 R4 및 R6)에 비하여 커지면 이 도전층(S)의 저항(R5)의 양쪽 끝에 생기는 전위차가 커지고, 그에 따라 도금전류에 차가 생긴다. 이와 같이 음극도입접점으로부터 먼 위치에서는 도금의 막성장 속도가 저하하여 도전층(S)의 막두께가 얇으면 저항(R5)이 더욱 커져 이 현상이 현저하게 나타난다. 또한 이 사실은 기판의 면내에서 전류밀도가 다른 것을 의미하며, 도금의 특성자체(도금막의 저항율, 순도, 매립특성 등)가 면내에서 균일하게 되지 않는다.
또한 기판이 양극이 되는 전해에칭에 있어서도, 전류방향이 반대가 되는 것만으로 마찬가지의 문제가 생긴다. 예를 들면 대구경 웨이퍼의 제조공정에서는 웨이퍼 중앙부의 에칭속도가 둘레 가장자리부에 비하여 늦어진다.
이들 문제를 회피하는 방법으로서는, 도전층의 두께를 두껍게 하거나 전기도전율을 작게 하는 것을 생각할 수 있다. 그러나 기판은 도금이외의 제조공정에서도 여러가지 제약을 받을 뿐만 아니라, 예를 들면 미세패턴 위에 스패터법으로 두꺼운 도전층을 형성하면 패턴 내부에 보이드가 발생하기 쉽게 되어 버리기 때문에 용이하게 도전층의 두께를 두껍게 하거나 도전층의 막종류를 변경할 수는 없다.
또 음극전위도입용 접점을 기판의 한 면에 배치하면, 기판면 내에 있어서의 전위차를 작게 하는 것이 가능하나, 전기접점으로 한 부위는 LSI로서 사용할 수 없는 등 현실적이지 않다. 또한 도금액의 저항치[도 74 중의 저항(R3, R2 또는 R4)]를 높게 하는 것도 유효하나, 도금액의 전해질을 변경하는 것은 도금특성 전체의 변경을 의미하며, 예를 들면 도금하는 금속이온농도를 내리면 도금속도를 충분히 높게 취할 수 없는 등의 제약이 생긴다.
이상과 같이 기판의 주변부에 접점을 설치하여 기판 표면의 도전층을 사용하여 전해도금을 행하는 공정에서는 기판의 크기가 커지면 도금막두께가 기판의 면내에서 크게 달라져 버린다는 문제가 발생하여 피처리기판면 내에서의 막두께 및 공정의 균일화가 중요한 반도체공업에 있어서는 특히 이 문제가 큰 제약으로 되어 있다.
본 발명은 기판의 도금장치 및 방법에 관한 것으로 특히 반도체기판에 형성된 미세배선패턴(오목부)에 구리(Cu) 등의 금속을 충전하는 등의 용도의 기판의 도금방법 및 장치에 관한 것이다.
또 본 발명은 피처리기판의 표면에 도금이나 에칭 등의 전해처리를 실시하는 전해처리방법 및 그 장치에 관한 것이다.
또한 본 발명은 피처리부재의 표면에 도금이나 에칭 등을 실시하는 전해처리장치에 관한 것으로, 특히 전해처리장치 및 그 전장상태제어방법에 관한 것이다.
도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 기판도금장치방법에 의해 도금을 행하는 공정의 일례를 나타내는 단면도,
도 2는 본 발명의 실시형태의 기판도금장치의 전체를 나타내는 평면도,
도 3은 도금유닛을 나타내는 평면도,
도 4는 도 3의 A-A 선 단면도,
도 5는 기판유지부 및 캐소드부의 확대단면도,
도 6은 도 3의 정면도,
도 7은 도 3의 우측면도,
도 8은 도 3의 배면도,
도 9는 도 3의 좌측면도,
도 10은 프리코팅·회수아암을 나타내는 정면도,
도 11은 기판유지부의 평면도,
도 12는 도 11의 B-B 선 단면도,
도 13은 도 11의 C-C 선 단면도,
도 14는 캐소드부의 평면도,
도 15는 도 14의 D-D 선 단면도,
도 16은 전극아암의 평면도,
도 17은 도 16의 종단정면도,
도 18은 도 16의 E-E 선 단면도,
도 19는 도 18의 일부를 확대하여 나타내는 확대도,
도 20은 전극아암의 전극부의 하우징을 제외한 상태의 평면도,
도 21은 기판의 피도금면과 애노드 사이에 도금액을 주입한 초기의 단계를 모식적으로 나타내는 단면도,
도 22는 마찬가지로 도금액이 기판의 피도금면의 전면으로 퍼지는 상태를 모식적으로 나타내는 평면도,
도 23a 및 도 23b는 본 발명의 제 2 실시형태를 나타내는 도 22의 상당도,
도 24는 본 발명의 제 3 실시형태를 나타내는 도 21의 상당도,
도 25는 본 발명의 제 3 실시형태를 나타내는 도 22의 상당도,
도 26은 본 발명의 제 4 실시형태를 나타내는 도 21의 상당도,
도 27은 본 발명의 제 4 실시형태를 나타내는 도 22의 상당도,
도 28은 본 발명의 제 5 실시형태의 요부를 나타내는 사시도,
도 29는 본 발명의 제 5 실시형태의 요부를 나타내는 종단정면도,
도 30은 본 발명의 제 5 실시형태의 변형예의 요부를 나타내는 사시도,
도 31a는 본 발명의 제 6 실시형태에 있어서의 도금액 함침재를 나타내는 정면도,
도 31b는 본 발명의 제 6 실시형태에 있어서의 도금액 함침재를 나타내는 저면도,
도 32a는 본 발명의 제 7 실시형태에 있어서의 도금액 함침재를 나타내는 정면도,
도 32b는 본 발명의 제 7 실시형태에 있어서의 도금액 함침재를 나타내는 저면도,
도 33은 도 32a에 나타내는 실시형태의 다른 사용예를 나타내는 정면도,
도 34는 도금액 함침재의 애노드에의 설치상태를 나타내는 확대단면도,
도 35는 도금액 함침재의 애노드에의 설치상태를 나타내는 사시도,
도 36은 도금액 함침재의 애노드에의 다른 설치상태를 나타내는 확대단면도,
도 37은 도금액 함침재의 애노드에의 다른 설치상태를 나타내는 확대단면도,
도 38은 도금액 함침재의 애노드에의 또 다른 설치상태를 나타내는 확대단면도,
도 39는 본 발명의 또 다른 실시형태의 전해도금장치에 적용한 전해처리장치의 요부 개요도,
도 40은 도 39의 전기적 등가회로도,
도 41은 도 39에 나타내는 도금장치와 종래의 도금장치에서 도금을 실시하였을 때의 기판면 내에서의 도금막의 막두께 분포를 나타내는 도,
도 42는 본 발명의 또 다른 실시형태의 전해도금장치에 적용한 전해처리장치의 요부 개요도,
도 43은 도 42에 나타내는 도금장치를 사용하여 도금처리를 행하였을 때의 영역(A)과 영역(B)에 있어서의 도금액의 구리이온농도의 변화를 나타내는 그래프,
도 44는 본 발명의 또 다른 실시형태의 전해도금장치에 적용한 전해처리장치의 요부 개요도,
도 45는 본 발명의 또 다른 실시형태의 전해도금장치의 개략구성도,
도 46은 기판(W)에 구리도금을 행하였을 때의 기판(W)의 바깥 둘레부 근방의 구리도금의 막두께 측정결과를 나타내는 도,
도 47은 본 발명의 또 다른 실시형태를 나타내는 도,
도 48은 본 발명의 또 다른 실시형태를 나타내는 도,
도 49는 전해도금장치의 다공질세라믹스판의 바깥 둘레부 근방부분을 나타내는 요부 개략도,
도 50a 및 도 50b는 본 발명의 또 다른 실시형태를 나타내는 도,
도 51은 본 발명의 또 다른 실시형태를 나타내는 도,
도 52a 내지 도 52d는 도 51의 전해도금장치에 사용하는 고저항구조체의 평면도,
도 53은 본 발명의 또 다른 실시형태를 나타내는 도,
도 54는 다공질세라믹스판이 균일두께인 것과, 도 53에 나타내는 바와 같은 분포두께의 것을 사용하여 기판(W) 위에 도금을 행하였을 때의 도금막두께의 측정결과를 나타내는 도,
도 55는 본 발명의 또 다른 실시형태를 나타내는 도,
도 56은 본 발명의 또 다른 실시형태를 나타내는 도,
도 57은 본 발명의 또 다른 실시형태를 나타내는 도,
도 58은 본 발명의 또 다른 실시형태를 나타내는 도,
도 59는 본 발명의 또 다른 실시형태를 나타내는 도,
도 60a 및 도 60b는 본 발명의 또 다른 실시형태를 나타내는 도,
도 61a 및 도 61b는 이방성구조재료의 일례를 나타내는 도,
도 62는 본 발명의 또 다른 실시형태의 페이스다운방식의 전해도금장치를 나타내는 도,
도 63은 본 발명의 또 다른 실시형태의 밀폐식의 전해도금장치를 나타내는 도,
도 64는 본 발명의 또 다른 실시형태의 전해도금장치의 개략구성도,
도 65는 본 발명의 또 다른 실시형태의 전해도금장치의 개략구성도,
도 66은 본 발명의 또 다른 실시형태의 전해도금장치의 개략구성도,
도 67은 본 발명의 또 다른 실시형태의 전해도금장치의 개략구성도,
도 68은 본 발명의 또 다른 실시형태의 전해도금장치의 개략구성도,
도 69는 본 발명의 또 다른 실시형태의 전해도금장치의 개략구성도,
도 70은 본 발명의 또 다른 실시형태의 전해도금장치의 개략구성도,
도 71은 종래의 도금장치의 개요도,
도 72는 종래의 도금장치를 사용하여 다른 막두께의 도전층을 형성한 기판에 구리의 전해도금을 실시하였을 때의 기판면 내에서의 도금막의 막두께 분포를 나타내는 도,
도 73은 마찬가지로 다른 크기의 기판에 구리의 전해도금을 실시하였을 때의 기판면 내에 있어서의 도금막의 막두께분포를 나타내는 도,
도 74는 도 71에 나타내는 도금장치의 전기적 등가회로도이다.
본 발명은 상기를 감안하여 이루어진 것으로, 도금처리 및 그것에 부대하는 처리를 단일의 유닛에서 행할 수 있도록 한 도금장치 및 도금방법, 또한 기판의 피도금면과 애노드 사이에 채워지는 도금액 중에 기포가 남지 않도록 한 기판의 도금장치 및 도금방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또 본 발명은 도전층의 두께나 막종류, 도금액의 전해질 등을 변경하지 않고 기판면내에 있어서의 균일한 전해처리를 행할 수 있도록 한 전해처리장치 및 그 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한 본 발명은 적극적으로 전장상태를 제어함으로써 목적으로 하는 막두께의 면내 분포가 되도록 제어할 수 있는 전해처리장치 및 그 전장상태 제어방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
청구항 1에 기재된 발명은, 피도금면을 위쪽을 향하여 기판을 유지하는 기판유지부와, 그 기판과 접촉하여 통전시키는 캐소드전극과, 그 기판의 피도금면의 위쪽에 배치된 애노드와, 상기 기판유지부로 유지된 기판의 피도금면과 그 피도금면에 근접시킨 상기 애노드 사이의 공간에 도금액을 주입하는 도금액 주입수단을 가지는 것을 특징으로 하는 기판의 도금장치이다.
이에 의하여 기판유지부로 기판을 상향으로 유지한 상태에서 피도금면과 전극아암부의 애노드 사이에 도금액을 채워 도금처리를 행하고, 도금처리 후에 피도금면과 전극아암부의 애노드 사이의 도금액을 뽑아냄과 동시에 전극아암부를 상승시켜 피도금면을 개방시킴으로써 기판유지부로 기판을 유지한 채로 도금처리의 전후에 도금에 부대한 전처리나 세정·건조처리라는 다른 처리를 행할 수 있다.
청구항 2에 기재된 발명은, 상기 전극아암부의 애노드의 하면에는 보수성재료로 이루어지는 도금액 함침재가 밀착유지되어 있는 것을 특징으로 하는 청구항 1에 기재된 기판의 도금장치이다. 구리도금에 있어서는 스라임의 생성을 억제하기 위하여 함유량이 0.03 내지 0.05%의 인을 포함하는 구리(인함유 구리)를 애노드에 사용하는 것이 일반적으로 행하여지고 있고, 이와 같이 애노드에 인이 함유된 구리를 사용하면 도금의 진행에 따라 애노드의 표면에 블랙필름이라 불리우는 흑막이 형성된다. 이와 같은 경우에 도금액 함침재에 도금액을 포함시켜 애노드의 표면을 습윤시킴으로써 블랙필름의 기판의 도금면으로의 탈락을 방지하고, 동시에 기판의 도금면과 애노드 사이에 도금액을 주입할 때에 공기를 외부로 뽑기 쉽게 할 수 있다.
청구항 3에 기재된 발명은 캐소드부를 가지고, 그 캐소드부의 옆쪽에 도금액 트레이가 배치되고, 상기 전극아암부는 상기 캐소드부와 도금액 트레이 사이를 이동 자유롭게 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 청구항 1에 기재된 기판의 도금장치가다. 이에 의하여 도금처리를 행하고 있지 않는 동안에 도금액 트레이 내의 도금액 중에 침지시켜 애노드를 습윤시켜 둠으로써 애노드 표면에 형성된 블랙필름의 건조나 산화를 방지할 수 있다.
청구항 4에 기재된 발명은, 캐소드부를 가지고, 그 캐소드부의 옆쪽에는 상기 기판유지부로 유지된 기판의 피도금면을 향하여 전처리액이나 세정액, 기체 등을 분사하는 복수의 노즐이 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 청구항 1에 기재된 기판의 도금장치이다. 이에 의하여 도금처리 전후의 기판을 기판유지부로 유지하여 피도금면을 위쪽으로 개방시킨 상태에서 전처리액이나 세정액을 노즐로부터 피도금면을 향하여 분사함으로써 전처리나 세정처리를 행할 수 있다.
청구항 5에 기재된 발명은, 캐소드부를 가지고, 상기 기판유지부는 아래쪽의 기판수수위치와, 위쪽의 상기 기판의 피도금면의 둘레 가장자리부가 상기 캐소드부에 맞닿는 도금위치와, 그 중간의 전처리·세정위치 사이를 승강 자유롭게 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 청구항 1에 기재된 기판의 도금장치이다. 이와 같이 기판유지부를 각 동작위치에 대응하도록 승강시킴으로써 더 한층의 소형화와 조작성의 향상이 달성된다.
청구항 6에 기재된 발명은, 위쪽을 향하여 캐소드전극과 도통시킨 기판의 피도금면의 둘레 가장자리부를 수밀적으로 시일하고, 이 피도금면의 위쪽에 애노드를근접시켜 배치하여 피도금면과 애노드 사이를 수밀적으로 시일된 공간에 도금액을 주입하는 것을 특징으로 하는 기판의 도금방법이다.
청구항 7에 기재된 발명은, 청구항 6에 기재된 도금을 행한 후, 도금액회수 노즐에 의해 도금의 잔류액을 회수하는 것을 특징으로 하는 기판의 도금방법이다.
청구항 8에 기재된 발명은, 청구항 6에 기재된 도금방법에 있어서, 도금을 행하기 전 프리코팅·회수아암을 기판에 대치하는 위치로 이동시켜 프리코팅 노즐로부터 프리코팅액을 공급하여 프리코팅처리를 행하는 것을 특징으로 하는 기판의 도금방법이다.
청구항 9에 기재된 발명은, 상기 피도금면과 애노드 사이의 공간에 보수성재료로 이루어지는 도금액 함침부재를 배치하고, 이 부재에 도금액을 포함시키는 것을 특징으로 하는 청구항 6에 기재된 기판의 도금방법이다.
청구항 10에 기재된 발명은, 기판유지부로 기판을 유지하고, 그 기판의 피도금면의 위쪽에 배치된 애노드와, 그 기판과 접촉하여 통전시키는 캐소드전극을 구비하고, 상기 피도금면과 애노드 사이의 공간에 보수성재료로 이루어지는 도금액 함침부재를 배치하여 도금을 행하는 것을 특징으로 하는 기판의 도금장치이다.
청구항 11에 기재된 발명은, 상기 도금액 함침부재는 고저항구조체인 것을 특징으로 하는 청구항 10에 기재된 기판의 도금장치이다.
청구항 12에 기재된 발명은, 상기 도금액 함침부재는 세라믹스로 이루어지는 것을 특징으로 하는 청구항 10에 기재된 기판의 도금장치이다.
청구항 13에 기재된 발명은, 상기 도금액 함침부재는 기판의 피도금면에 접촉시키지 않은 상태에서 상기 도금액 함침부재와 상기 기판의 피도금면 사이의 간극에 도금액을 채운 상태에서 도금을 행하는 것을 특징으로 하는 기판의 도금장치이다.
청구항 14에 기재된 발명은, 기판유지부로 기판을 유지한 상태로 도금처리, 세정·건조처리를 각 동작위치에 대응시켜 승강시킴으로써, 단일의 유닛에서 처리를 행하는 것을 특징으로 하는 기판의 도금장치이다.
청구항 15에 기재된 발명은, 상기 기판의 도금장치는 상기 기판의 피도금면의 위쪽에 배치된 애노드와, 상기 기판과 접촉하여 통전시키는 캐소드전극을 구비하고, 상기 피도금면과 상기 애노드 사이의 공간에 보수성재료로 이루어지는 도금액 함침부재를 배치한 것을 특징으로 하는 청구항 14에 기재된 기판의 도금장치이다.
청구항 16에 기재된 발명은, 기판을 수납하는 로드·언로드부로부터 기판을 반송로봇으로 인출하여 도금유닛의 내부에 반송하고, 상기 유닛 내의 기판유지부로기판을 유지하고, 상기 기판유지부로 기판을 유지한 상태에서 도금처리, 세정·건조처리를 각 동작에 대응시켜 승강시킴으로써 단일의 유닛으로 처리를 행하는 것을 특징으로 하는 기판의 도금방법이다.
청구항 17에 기재된 발명은, 기판을 수납하는 로드·언로드부와, 도금처리 및 그 부대처리를 단일의 유닛으로 행하는 도금유닛과, 로드·언로드부와 도금유닛사이에서 기판의 수수를 행하는 반송로봇으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판의 도금장치이다.
청구항 18에 기재된 발명은, 기판유지부로 기판을 유지하고, 그 기판의 피도금면의 위쪽에 배치된 애노드전극과, 그 기판과 접촉하여 통전시키는 캐소드와, 순수공급용 노즐을 구비한 도금장치로서, 도금종료 후에 그 노즐로부터 순수를 공급함으로써 상기 기판과 상기 캐소드전극을 동시에 세정하는 것을 특징으로 하는 기판의 도금장치이다.
청구항 19에 기재된 발명은, 기판을 유지하는 기판유지부와, 그 기판유지부로 유지된 기판과 접촉하여 통전시키는 캐소드전극과, 상기 기판에 근접하여 배치된 애노드와, 상기 기판유지부로 유지된 기판의 피도금면과 그 피도금면에 근접시킨 애노드 사이의 공간에 도금액을 주입하는 도금액 주입수단을 가지고, 상기 도금액 주입수단은 상기 애노드의 일부 또는 애노드 바깥 둘레부에 배치한 도금액 주입경로로부터 애노드와 기판의 피도금면 사이에 도금액이 주입되어 기판의 피도금면에 퍼지도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판의 도금장치이다.
청구항 20에 기재된 발명은, 피도금면을 위쪽을 향하여 기판을 유지하는 기판유지부와, 그 기판유지부로 유지된 기판의 피도금면의 도금액을 유지하는 시일재와 그 기판과 접촉하여 통전시키는 캐소드전극을 구비한 캐소드부와, 그 캐소드부에 근방하여 수평수직이동 자유로운 애노드를 구비한 전극아암부와, 상기 기판유지부로 유지된 기판의 피도금면과 그 피도금면에 근접시킨 애노드 사이의 공간에 도금액을 주입하는 도금액 주입수단을 가지고, 상기 도금액 주입수단은 상기 애노드의 일부에 설치한 관통하는 도금액 주입구멍 또는 애노드 바깥 둘레부에 배치한 노즐로부터 애노드와 기판의 피도금면 사이에 도금액이 주입되어 기판의 피도금면에퍼지도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 청구항 19에 기재된 기판의 도금장치이다.
이에 의하여 기판유지부로 기판을 상향으로 유지한 상태에서 피도금면과 전극아암부의 애노드 사이에 도금액을 채워 도금처리를 행하고, 도금처리 후에 피도금면과 전극아암부의 애노드 사이의 도금액을 뽑음과 동시에 전극아암부를 상승시켜 피도금면을 개방시킴으로써 기판유지부로 기판을 유지한 채로 도금처리의 전후에 도금에 부대한 전처리나 세정·건조처리라는 다른 처리를 행할 수 있다. 또한 기판의 피도금면과 애노드 사이에 도금액을 주입하면 기판의 피도금면의 전면으로 퍼지는 도금액의 흐름이 생겨 이 도금액의 흐름을 타고 기판의 피도금면과 애노드사이의 공기가 바깥쪽으로 밀어내지고, 또 도금액에 의한 공기의 확보가 방지되어 기판의 피도금면과 애노드 사이에 채워지는 도금액 중에 기포가 잔류하는 것이 방지된다.
청구항 21에 기재된 발명은, 상기 도금액 주입수단은 애노드의 기판대향면과 반대의 면에 그 애노드의 지름방향을 따라 배치되어 도금액 공급관에 접속된 도금액 도입경로를 가지고, 이 도금액 도입경로의 애노드측의 면에 설치된 도금액 도입구멍에 대향하는 위치에 상기 도금액 주입구멍이 설치되는 것을 특징으로 하는 청구항 20에 기재된 기판의 도금장치이다. 이에 의하여 기판의 피도금면과 애노드 사이에의 도금액의 주입에 따라 도금액 도입관과 직교하는 방향으로 도금흐름이 생긴다.
청구항 22에 기재된 발명은, 상기 도금액 주입수단은 애노드의 기판대향면과반대면에 십자모양, 방사상 또는 원주형상으로 배치되어 도금액공급관에 접속된 도금액 도입경로를 가지고, 이 도금액도입경로의 애노드측의 면에 설치된 도금액 도입구멍에 대향하는 위치에 상기 도금액 주입구멍이 설치되는 것을 특징으로 하는 청구항 19에 기재된 기판의 도금장치이다. 이에 의하여 기판의 피도금면과 애노드사이에의 도금액의 주입에 따라 도금액 도입관으로 구획된 각 상한(象限) 내를 방사상으로 퍼지는 도금흐름이 생긴다.
청구항 23에 기재된 발명은, 캐소드전극과 통전시킨 기판의 피도금면의 적어도 일부에 애노드를 근접시켜 배치하고, 피도금면과 애노드 사이에 도금액을 주입함에 있어서 기판의 피도금면과 애노드 사이를 가교하는 도금액기둥을 형성하고, 그 도금액기둥을 기점으로 하여 도금액을 주입하는 것을 특징으로 하는 기판의 도금방법이다.
청구항 24에 기재된 발명은, 상기 애노드의 일부 또는 애노드 바깥 둘레부에 배치한 도금액 주입경로로부터 기판의 피도금면과 애노드 사이에 도금액을 주입하는 것을 특징으로 하는 청구항 23에 기재된 기판의 도금방법이다.
청구항 25에 기재된 발명은, 캐소드전극과 통전시킨 기판의 피도금면의 적어도 일부에 애노드를 근접시켜 배치하고, 피도금면과 애노드 사이의 공간을 도금액으로 채움에 있어서, 기판의 피도금면에 도금액을 채워 기판과 애노드를 상대적으로 회전시키면서 서서히 근접시키는 것을 특징으로 하는 기판의 도금방법이다. 이에 의하여 기판과 애노드 사이의 기포를 양자가 서로 근접함으로써 서서히 바깥쪽으로 이동시켜 추방할 수 있다.
청구항 26에 기재된 발명은, 상기 애노드의 기판대향면에는 보수성을 가지는 다공질체로 이루어지는 도금액 함침재가 배치되고, 이 도금액 함침재의 기판대향면에는 그 도금액 함침재와 기판의 상대적인 회전에 의해 이 사이의 도금액을 방사상으로 바깥쪽으로 퍼지게 하는 수단이 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 청구항 25에 기재된 기판의 도금방법이다. 이에 의하여 기판과 애노드 사이의 기포를 거의 완전하게 추방할 수 있다.
청구항 27에 기재된 발명은, 양극과 음극의 한쪽의 전극과의 접점을 가지는 피처리기판과 그 피처리기판에 대치시킨 다른쪽 전극 사이에 채운 전해액의 적어도 일부에 그 전해액의 전기전도율보다 작은 전기전도율의 고저항구조체를 설치하여 피처리기판 표면의 전해처리를 행하는 것을 특징으로 하는 전해처리방법이다.
이에 의하여 전해액 중에 침지한 양극과 음극 사이의 전기저항을 고저항구조체를 거쳐 전해액만으로 이루어지는 경우보다도 높게 하여 피처리기판 표면의 전기저항에 의한 전류밀도의 면내 차를 작게 할 수 있다. 여기서 피처리기판을 음극의 접점에 접촉시킴으로써 전해도금을 피처리기판을 양극의 접점에 접촉시킴으로써 전해에칭을 행할 수 있다.
청구항 28에 기재된 발명은, 상기 고저항구조체는 그 등가회로에 있어서의 저항이 피처리기판의 표면에 형성된 도전층의 상기 전극과의 접점과 그 접점으로부터 전기적으로 가장 떨어진 부분과의 사이의 등가회로에 있어서의 저항보다 높아지 도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 청구항 27에 기재된 전해처리방법이다. 이에 의하여 피처리기판에 형성된 도전층의 전기저항에 의한 전류밀도의 면내 차를더욱 작게 할 수 있다.
청구항 29에 기재된 발명은, 기판유지부로 기판을 상향으로 유지한 상태에서 청구항 27에 기재된 전해처리를 행하는 것을 특징으로 하는 전해처리방법이다.
청구항 30에 기재된 발명은, 양극과 음극의 한쪽의 전극과의 접점을 가지는 피처리기판과 그 피처리기판에 대치시킨 다른쪽의 전극과의 사이에 전해액을 채워 피처리기판의 전해처리를 행하는 전해처리장치에 있어서, 상기 전해액의 적어도 일부에 그 전해액의 전기전도율보다 작은 전기전도율의 고저항구조체를 설치한 것을 특징으로 하는 전해처리장치이다.
청구항 31에 기재된 발명은, 기판유지부로 기판을 상향으로 유지한 상태에서 전해처리를 행하는 기판유지부를 가지는 것을 특징으로 하는 청구항 30에 기재된 전해처리장치이다.
청구항 32에 기재된 발명은, 상기 고저항구조체는 그 등가회로에 있어서의 저항이 피처리기판의 표면에 형성된 도전층의 상기 전극과의 접점과 그 접점으로부터 전기적으로 가장 떨어진 부분 사이의 등가회로에 있어서의 저항보다 높아지도록구성되어 있는 것을 특징으로 하는 청구항 30에 기재된 전해처리장치이다.
청구항 33에 기재된 발명은, 상기 고저항구조체는 내부에 전해액을 함유한 다공질물질로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 청구항 30에 기재된 전해처리장치이다. 이에 의하여 다공질물질의 내부에 복잡하게 들어가 얇은 구조체에도 불구하고 실효적으로는 두께방향으로 매우 긴 경로를 더듬는 전해액을 거쳐 고저항구조체로서의 전기저항을 증대시킬 수 있다.
청구항 34에 기재된 발명은, 상기 다공질물질은 다공질세라믹스인 것을 특징으로 하는 청구항 33에 기재된 전해처리장치이다. 이 세라믹스로서는 알루미나, SiC, 물라이트, 지르코니아, 티타니아, 코디라이트 등을 들 수 있다. 또 안정되게 도금액을 유지하기 위하여 친수성재료인 것이 바람직하다. 예를 들면 알루미나계세라믹스에 있어서는 포어지름 10 내지 300㎛, 기공율 20 내지 60%, 두께 0.2 내지 200 mm, 바람직하게는 2 내지 50 mm 정도의 것이 사용된다.
청구항 35에 기재된 발명은, 상기 고저항구조체는 그 고저항구조체를 끼워 상기 전해액을 복수로 분할하도록 설치되는 것을 특징으로 하는 청구항 30에 기재된 전해처리장치이다. 이에 의하여 전해액을 복수사용하거나, 한쪽 전극의 오염이나 반응이 다른쪽의 전극에 영향을 미치지 않도록 할 수 있다.
청구항 36에 기재된 발명은 양극과 음극의 한쪽의 전극과의 접점을 가지는 피처리기판과, 그 피처리기판에 대치시킨 다른쪽 전극과의 사이에 채운 전해액의 적어도 일부에 그 전해액의 전기전도율보다 작은 전기전도율의 고저항구조체를 설치하고, 그 고저항구조체의 외형상, 내부구조, 또는 전기전도율이 다른 부재의 장착 중의 적어도 하나의 조정에 의해 피처리기판 표면의 전장을 제어하는 것을 특징으로 하는 전해처리장치의 전장상태 제어방법이다.
이와 같이 피처리기판 표면의 전장의 상태가 소망의 상태가 되도록 적극적으로 제어하면 피처리기판의 전해처리에 의한 처리상태를 목적으로 하는 면내 분포의 처리상태로 할 수 있다. 전해처리가 도금처리인 경우는 피처리기판 위에 형성되는 도금막두께의 균일화를 도모하거나 피처리기판 위의 도금막두께에 임의로 분포를가지게 할 수 있다.
청구항 37에 기재된 발명은, 상기 외형상의 조정은 고저항구조체의 두께의 조정, 고저항구조체의 평면상에서의 형상의 조정 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 청구항 36에 기재된 전해처리장치의 전장상태 제어방법이다.
청구항 38에 기재된 발명은, 상기 고저항구조체는 다공질물질로 구성되어 있고, 다공질물질의 내부구조의 조정은 다공질물질의 기공지름분포의 조정, 기공율분포의 조정, 굴곡율분포의 조정, 재료조합의 조정 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 청구항 36에 기재된 전해처리장치의 전장상태 제어방법이다.
청구항 39에 기재된 발명은, 상기 전기전도율이 다른 부재의 장착에 의한 조정은 전기전도율이 다른 부재에 의해 고저항구조체의 차폐면적을 조정하는 것임을 특징으로 하는 청구항 36에 기재된 전해처리장치의 전장상태 제어방법이다.
청구항 40에 기재된 발명은, 양극과 음극의 한쪽의 전극과의 접점을 가지는 피처리기판과, 그 피처리기판에 대치시킨 다른쪽 전극과의 사이에 전해액을 채워 피처리기판의 전해처리를 행하는 전해처리장치에 있어서, 상기 전해액의 적어도 일부에 그 전해액의 전기전도율보다 작은 전기전도율의 고저항구조체를 설치하고, 또한 상기 고저항고주체의 외형상, 내부구조, 또는 전기전도율이 다른 부재의 장착 중 적어도 어느 하나의 조정수단에 의해 피처리기판 표면의 전장을 제어하는 것을 특징으로 하는 전해처리장치이다.
청구항 41에 기재된 발명은, 상기 외형상의 조정수단은 고저항구조체의 두께의 조정, 고저항구조체의 평면상에서의 형상의 조정 중의 적어도 어느 하나인 것을특징으로 하는 청구항 40에 기재된 전해처리장치이다.
청구항 42에 기재된 발명은, 상기 고저항구조체는 다공질물질로 구성되어 있고, 다공질물질의 내부구조의 조정수단은 다공질물질의 기공지름분포의 조정, 기공율분포의 조정, 굴곡율분포의 조정, 재료조합의 조정 중의 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 청구항 40에 기재된 전해처리장치이다.
청구항 43에 기재된 발명은, 상기 전기전도율이 다른 부재의 장착에 의한 조정수단은 전기전도율이 다른 부재에 의해 고저항구조체의 차폐면적을 조정하는 것임을 특징으로 하는 청구항 40에 기재된 전해처리장치이다.
청구항 44에 기재된 발명은, 양극과 음극의 한쪽의 전극과의 접점을 가지는 피처리기판과, 그 피처리기판에 대치시킨 다른쪽 전극과의 사이에 전해액을 채워 피처리기판의 전해처리를 행하는 전해처리장치에 있어서, 상기 전해액의 적어도 일부에 그 전해액의 전기전도율보다 작은 전기전도율의 고저항구조체를 설치하고, 상기 고저항구조체는 그 바깥 둘레가 유지부재에 의해 유지되어 있고, 또 고저항구조체와 유지부재 사이에는 이 부분으로부터 전해액이 누설되어 전류가 흐르는 것을 방지하는 시일부재가 설치되는 것을 특징으로 하는 전해처리장치이다.
그런데 상기 고저항구조체로서는, 알루미나제 다공질세라믹스나, 탄화 실리콘세라믹스를 들 수 있다. 또 염화비닐을 섬유형상으로 묶고, 이것을 서로 용착시킨 것을 사용하여 형성한 것, 또한 폴리비닐알콜 등의 발포체나 테프론(상표명) 등의 섬유를 직포나 부직포의 형태로 정형한 것을 사용하여 고저항구조체를 구성하여도 좋다. 또한 이들이나 도체와 절연체, 또는 도체끼리를 조합시킨 복합체이어도좋다. 또 2매의 격막 사이에 다른 종류의 전해액을 끼운 구조물로 고저항구조체를 구성하는 것도 가능하다.
청구항 45에 기재된 발명은, 양극과 음극의 한쪽의 전극과의 접점을 가지는 피처리기판과 그 피처리기판에 대치시킨 다른쪽 전극과의 사이에 전해액을 채워 피처리기판의 전해처리를 행하는 전해처리장치에 있어서, 상기 다른쪽의 전극과 피처리기판 사이에 전해액 함침재를 배치함과 동시에, 상기 다른쪽의 전극에는 전해액을 전해액 함침재내에 공급하는 전해액 도통구멍을 설치하고, 상기 전해액 도통구멍의 내부에 관을 삽입하여 상기 관을 통하여 전해액 함침재 내에 공급한 전해액을 전해액 함침재의 반대면으로부터 공급하여 전해액 함침재와 피처리기판 사이에 채우는 것을 특징으로 하는 전해처리장치이다.
관은 전해액에 의해 침지되지 않는 재질을 선택하는 것이 바람직하다. 따라서 전해처리장치에 의해 전해처리공정을 반복하여도 경시적으로 관의 선단의 내경이 넓어지는 일은 없기 때문에 제조 당초의 이상적인 액채움 상태를 시간이 경과하여도 마찬가지 행할 수 있고, 따라서 공기가 말려 들어 기포가 전해액 함침재와 피처리기판 사이에 퇴적하는 일은 없어 항상 소망의 전해처리가 얻어진다.
청구항 46에 기재된 발명은, 상기 전해액 함침재에는 상기 전해액 도통구멍에 연속하도록 전해액통로부를 설치한 것을 특징으로 하는 청구항 45에 기재된 전해처리장치이다.
청구항 47에 기재된 발명은, 양극과 음극의 한쪽의 전극과의 접점을 가지는 피처리기판과 그 피처리기판에 대치시킨 다른쪽의 전극과의 사이에 전해액을 채워피처리기판의 전해처리를 행하는 전해처리장치에 있어서, 상기 다른쪽의 전극과 피처리기판의 사이에 전해액 함침재를 설치하고, 또 상기 전해액 함침재 내에 소정깊이의 전해액통로부를 형성함으로써 상기 다른쪽의 전극측으로부터 전해액통로부를 통하여 전해액 함침재 내에 공급한 전해액을 전해액 함침재의 반대면으로부터 공급하여 전해액 함침재와 피처리기판 사이에 채우는 것을 특징으로 하는 전해처리장치이다. 그리고 이 전해처리공정을 반복하여도 경시적으로 전해액통로부의 선단의 내경이 넓어지는 일은 없으므로 제조 당초의 이상적인 액채움상태를 시간이 경과하여도 마찬가지로 행할 수 있고, 따라서 공기가 말려 들어 기포가 전해액 함침재와 피처리기판 사이에 퇴적하는 일은 없어 항상 소망의 전해처리가 얻어진다.
청구항 48에 기재된 발명은, 상기 다른쪽 전극과 전해액 함침재 사이에 전해액을 고이게 하는 액고임부를 설치하고, 이 액고임부에 고인 전해액을 상기 전해액함침재 내에 공급하는 것을 특징으로 하는 청구항 47에 기재된 전해처리장치이다.
청구항 49에 기재된 발명은, 양극과 음극의 한쪽의 전극과의 접점을 가지는 피처리기판과 그 피처리기판에 대치시킨 다른쪽 전극과의 사이에 전해액을 채워 피처리기판의 전해처리를 행하는 전해처리장치에 있어서, 상기 다른쪽 전극과 피처리기판의 사이에 전해액 함침재를 설치하고, 또 상기 전해액 함침재는 그 경우에 따라 전해액 함침재를 통과하는 전해액의 통과저항이 다르도록 구성함으로써 상기 다른쪽 전극측으로부터 전해액 함침재 내에 공급한 전해액을 전해액 함침재의 반대면으로부터 그 경우에 따라 공급량으로 공급하여 전해액 함침재와 피처리기판 사이에 채우는 것을 특징으로 하는 전해처리장치이다.
이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하여 설명한다. 이 실시형태의 기판도금장치는 반도체기판의 표면에 전해구리도금을 실시하여 구리층으로 이루어지는 배선이 형성된 반도체장치를 얻는 데 사용된다. 이 도금공정을 도 1a 내지 도 1c를 참조하여 설명한다.
반도체기판(W)에는 도 1a에 나타내는 바와 같이 반도체소자가 형성된 반도체기판(1) 위의 도전층(1a) 위에 SiO2로 이루어지는 절연막(2)이 퇴적되어 리소그래피·에칭기술에 의해 콘택트홀(3)과 배선용 홈(4)이 형성되고, 그 위에 TiN 등으로 이루어지는 배리어층(5), 다시 그 위에 전해도금의 급전층으로서 시드층(7)이 형성되어 있다.
그리고 도 1b에 나타내는 바와 같이 상기 반도체기판(W)의 표면에 구리도금을 실시함으로써 반도체기판(1)의 콘택트홀(3) 및 홈(4) 내에 구리를 충전시킴과 동시에 절연막(2) 위에 구리층(6)을 퇴적시킨다. 그 다음에 화학적 기계적연마(CMP)에 의해 절연막(2) 위의 구리층(6)을 제거하여 콘택트홀(3) 및 배선용 홈(4)에 충전시킨 구리층(6)의 표면과 절연막(2)의 표면을 대략 동일평면으로 한다. 이에 의하여 도 1c에 나타내는 바와 같이 구리층(6)으로 이루어지는 배선이 형성된다.
도 2는 본 발명의 실시형태의 기판의 도금장치의 전체를 나타내는 평면도로서, 도 2에 나타내는 바와 같이 이 도금장치에는 동일설비 내에 위치하여 내부에복수의 기판(W)을 수납하는 2기의 로드·언로드부(10)와, 도금처리 및 그 부대처리를 행하는 2기의 도금유닛(12)과, 로드·언로드부(10)와 도금유닛(12) 사이에서 기판(W)의 수수를 행하는 반송로봇(14)과, 도금액탱크(16)을 가지는 도금액공급설비 (18)가 구비되어 있다.
상기 도금유닛(12)에는 도 3에 나타내는 바와 같이 도금처리 및 그 부대처리를 행하는 기판처리부(20)가 구비되고, 이 기판처리부(20)에 인접하여 도금액을 모으는 도금액 트레이(22)가 배치되어 있다. 또 회전축(24)을 중심으로 요동하는 요동아암(26)의 선단에 유지되어 상기 기판처리부(20)와 도금액 트레이(22) 사이를 요동하는 전극부(28)를 가지는 전극아암부(30)가 구비되어 있다. 또한 기판처리부(20)의 옆쪽에 위치하여 프리코팅·회수아암(32)과, 순수나 이온수 등의 약액, 또한 기체 등을 기판을 향하여 분사하는 고정노즐(34)이 배치되어 있다. 이 실시형태에 있어서는 3개의 고정노즐(34)이 구비되어 그 중의 하나를 순수 공급용으로 사용하고 있다.
상기 기판처리부(20)에는 도 4 및 도 5에 나타내는 바와 같이 도금면을 상향으로 하여 기판(W)을 유지하는 기판유지부(36)와, 이 기판유지부(36)의 위쪽에 그 기판유지부(36)의 둘레 가장자리부를 둘러싸도록 배치된 캐소드부(38)가 구비되어 있다. 또한 기판유지부(36)의 주위를 둘러싸 처리 중에 사용하는 각종 약액의 비산을 방지하는 바닥이 있는 대략 원통형상의 컵(40)이 에어실린더(42)를 거쳐 상하이동 자유롭게 배치되어 있다.
여기서 상기 기판유지부(36)는 에어실린더(44)에 의해 아래쪽의 기판수수위치(A)와, 위쪽의 도금위치(B)와, 이들 중간의 전처리·세정위치(C) 사이를 승강하여 회전모터(46) 및 벨트(48)를 거쳐 임의의 가속도 및 속도로 상기 캐소드부(38)와 일체로 회전하도록 구성되어 있다. 이 기판수수위치(A)에 대향하여 도금유닛 (12)의 프레임측면의 반송로봇(14)측에는 도 7에 나타내는 바와 같이 기판반출입구 (50)가 설치되고, 또 기판유지부(36)가 도금위치(B)까지 상승하였을 때에 기판유지부(36)로 유지된 기판(W)의 둘레 가장자리부에 하기의 캐소부(38)의 시일재(90)와 캐소드전극(88)이 맞닿도록 되어 있다. 한편 상기 컵(40)은 그 상단이 상기 기판반출입구(50)의 아래쪽에 위치하고, 도 5에 가상선으로 나타내는 바와 같이 상승하였을 때에 상기 기판반출입구(50)를 막아 캐소드부(38)의 위쪽에 도달하도록 되어 있다.
상기 도금액 트레이(22)는 도금을 실시하고 있지 않을 때에 전극아암부(30)의 하기의 도금액 함침재(110) 및 애노드(98)를 도금액으로 습윤시키기 위한 것으로, 도 6에 나타내는 바와 같이 이 도금액 함침재(110)를 수용할 수 있는 크기로 설정되고, 도시 생략한 도금액 공급구와 도금액 배수구를 가지고 있다. 또 포토센서가 도금액 트레이(22)에 설치되어 있어 도금액 트레이(22) 내의 도금액의 만수, 즉 흘러넘침과 배수의 검출이 가능하게 되어 있다. 도금액 트레이(22)의 바닥판 (52)은 착탈이 가능하고, 도금액 트레이의 주변에는 도시 생략한 국소 배기구가 설치되어 있다.
상기 전극아암부(30)는 도 8 및 도 9에 나타내는 바와 같이 상하이동모터 (54)와 도시 생략한 볼나사를 거쳐 상하이동하고 선회모터(56)를 거쳐 상기 도금액트레이(22)와 기판처리부(20) 사이를 선회(요동)하도록 되어 있다.
또 프리코팅·회수아암(32)은 도 10에 나타내는 바와 같이 상하방향으로 연장되는 지지축(58)의 상단에 연결되어 로터리엑츄에이터(60)를 거쳐 선회(요동)하여 에어실린더(62)(도 7참조)를 거쳐 상하이동하도록 구성되어 있다. 이 프리코팅·회수아암(32)에는 그 자유단측에 프리코팅액 토출용 프리코팅노즐(64)이 기단측에 도금액 회수용 도금액 회수노즐(66)이 각각 유지되어 있다. 그리고 프리코팅 노즐(64)은 예를 들면 에어실린더에 의해 구동하는 실린지에 접속되어 프리코팅액이 프리코팅노즐(64)로부터 간헐적으로 토출되고, 또 도금액 회수노즐(66)은 예를 들면 실린더펌프 또는 아스피레이터에 접속되어 기판 위의 도금액이 도금액 회수노즐(66)로부터 흡인되도록 되어 있다.
상기 기판유지부(36)는 도 11 내지 도 13에 나타내는 바와 같이 원판형상의 스테이지(68)를 구비하고, 이 스테이지(68)의 둘레 가장자리부의 원주방향을 따른 6개소에 상면에 기판(W)을 수평으로 얹어 놓아 유지하는 지지아암(70)이 세워 설치되어 있다. 이 지지아암(70)의 하나의 상단에는 기판(W)의 끝면에 맞닿아 위치결정하는 위치결정판(72)이 고착되고, 이 위치결정판(72)을 고착한 지지아암(70)에 대향하는 지지아암(70)의 상단에는 기판(W)의 끝면에 맞닿아 회동하여 기판(W)을 위치결정판(72)측에 가압하는 가압편(74)이 회동자유롭게 지지되어 되어 있다. 또다른 4개의 지지아암(70)의 상단에는 회동하여 기판(W)을 이 위쪽으로부터 아래쪽으로 가압하는 척포올(76)이 회동자유롭게 지지되어 있다.
여기서 상기 가압편(74) 및 척포올(76)의 하단은 코일스프링(78)을 거쳐 아래쪽으로 가압한 가압봉(80)의 상단에 연결되어 이 가압봉(80)의 하동(下動)에 따라 가압편(74) 및 척포올(76)이 안쪽으로 회동하여 폐쇄하도록 되어 있고, 스테이지(68)의 아래쪽에는 상기 가압봉(80)에 하면에 맞닿아 이것을 위쪽으로 밀어 올리는 지지판(82)이 배치되어 있다.
이에 의하여 기판유지부(36)가 도 5에 나타내는 기판수수위치(A)에 위치할 때 가압봉(80)은 지지판(82)에 맞닿아 위쪽으로 밀어 올려져 가압편(74) 및 척포올 (76)이 바깥쪽으로 회동하여 개방되고 스테이지(68)를 상승시키면 가압봉(80)이 코일스프링(78)의 탄성력으로 하강하여 가압편(74) 및 척포올(76)이 안쪽으로 회전하여 폐쇄하도록 되어 있다.
상기 캐소드부(38)는 도 14 및 도 15에 나타내는 바와 같이 상기 지지판(82) (도 5 및 도 13 등 참조)의 둘레 가장자리부에 세워 설치한 지주(84)의 상단에 고착한 고리형상의 프레임체(86)와, 이 프레임체(86)의 하면에 안쪽으로 돌출시켜 설치한 이 예에서는 6분할된 캐소드전극(88)과, 이 캐소드전극(88)의 위쪽을 덮도록상기 프레임체(86)의 상면에 설치한 고리형상의 시일재(90)를 가지고 있다. 이 시일재(90)는 그 안 둘레 가장자리부가 안쪽을 향하여 아래쪽으로 경사지고, 또한 서서히 두께가 얇아져 안 둘레 끝부가 아래쪽으로 늘어지도록 구성되어 있다.
이에 의하여 도 5에 나타내는 바와 같이 기판유지부(36)가 도금위치(B)까지 상승하였을 때에 이 기판유지부(36)로 유지한 기판(W)의 둘레 가장자리부에 캐소드전극(88)이 가압되어 통전하고, 동시에 시일재(90)의 안 둘레 끝부가 기판(W)의 둘레 가장자리부 상면에 압접하고, 여기를 수밀적으로 시일하여 기판의 상면(피도금면)에 공급된 도금액이 기판(W)의 끝부로부터 스며나오는 것을 방지함과 동시에 도금액이 캐소드전극(88)을 오염하는 것을 방지하도록 되어 있다.
또한 이 실시형태에 있어서, 캐소드부(38)는 상하이동 불가능하여 기판유지부(36)와 일체로 회전하도록 되어 있으나, 상하이동 자유로워 하강하였을 때에 시일재(90)가 기판(W)의 피도금면에 압접하도록 구성하여도 좋다.
상기 전극아암부(30)의 전극부(28)는 도 16 내지 도 20에 나타내는 바와 같이 요동아암(26)의 자유단에 볼베어링(92)을 거쳐 연결한 하우징(94)과, 이 하우징(94)의 주위를 둘러싸는 중공의 지지플레임(96)과, 상기 하우징(94)과 지지플레임(96)으로 둘레 가장자리부를 끼워유지하여 고정한 애노드(98)를 가지고, 이 애노드(98)는 상기 하우징(94)의 개구부를 덮어 하우징(94)의 내부에 흡인실(100)이 형성되어 있다. 이 흡인실(100)의 내부에는 도금액 공급설비(18)(도 2참조)로부터 연장되는 도금액 공급관(102)에 접속되어 지름방향으로 연장되는 도금액 도입관(104)이 애노드(98)의 상면에 맞닿아 배치되고, 다시 하우징(94)에는 흡인실 (100)에 연통하는 도금액 배출관(106)이 접속되어 있다.
상기 도금액 도입관(104)은 매니폴드구조로 하면 피도금면에 균일한 도금액을 공급하는 데 유효하다. 즉 그 길이방향으로 연속하여 연장되는 도금액 도입로 (104a)와 그 도입로(104a)에 따른 소정의 피치로 아래쪽으로 연통하는 복수의 도금액 도입구(104b)가 설치되고, 또 애노드(98)의 상기 도금액 도입구(104b)에 대응하는 위치에 도금액 공급구(98a)가 설치되어 있다. 또한 애노드(98)에는 그 전면에 걸쳐 상하로 연통하는 다수의 관통구멍(98b)이 설치되어 있다. 이에 의하여 도금액 공급관(102)으로부터 도금액 도입관(104)으로 도입된 도금액은 도금액 도입구(104b) 및 도금액 공급구(98a)로부터 애노드(98)의 아래쪽에 도달하고, 또 애노드(98)를 도금액 중에 침지한 상태로 도금액 배출관(106)을 흡인함으로써 애노드(98)의 아래쪽의 도금액은 관통구멍(98b)으로부터 흡인실(100)을 통과하여 그 도금액 배출관(106)으로부터 배출되도록 되어 있다.
여기서 상기 애노드(98)는 스라임의 생성을 억제하기 위하여 함유량이 0.03 내지 0.05%의 인을 포함하는 구리(인함유 구리)로 구성되어 있다. 이와 같이 애노드(98)에 인함유 구리를 사용하면 도금의 진행에 따라 애노드(98)의 표면에 블랙필름이라 불리우는 흑막이 형성된다. 이 블랙필름은 인이나 Cl을 포함하는 Cu+착체로 Cu2Cl2·Cu2O·Cu3P 등으로 구성되는 것이다. 이 블랙필름의 형성에 의해 구리의 불균일화 반응이 억제되기 때문에 블랙필름을 애노드(98)의 표면에 안정되게 형성하는 것은 도금을 안정화시키는 데에 있어서 중요하나, 이것이 건조하거나 산화하여 애노드(98)로부터 탈락하면 파티클의 원인이 된다.
따라서 이 실시형태에 있어서는 애노드(98)의 하면에 그 애노드(98)의 전면을 덮는 보수성재료로 이루어지는 도금액 함침재(110)를 설치하여 이 도금액 함침재(110)에 도금액을 포함시켜 애노드(98)의 표면을 습윤시킴으로써 블랙필름의 기판의 액도금면에의 건조에 의한 탈락 및 산화를 방지하고, 동시에 기판의 도금면과 애노드(98) 사이에 도금액을 주입할 때에 공기를 외부로 뽑기 쉽게 하고 있다.
이 도금액 함침재(110)는 보수성과 투과성을 가지고 내약품성이 우수한 것이다. 특히 고농도의 황산을 포함하는 산성도금액에 대하여 내구성이 있고, 또한 황산용액 중에서의 불순물의 용출이 도금성능(성막속도, 비저항, 패턴매립성)에 악영향을 미치지 않도록, 예를 들면 폴리프로필렌제의 섬유로 이루어지는 직포로 구성되어 있다. 또한 도금액 함침재(110)의 재료로서는 폴리프로필렌 외에 폴리에틸렌, 폴리에스테르, 폴리염화비닐, 테프론, 폴리비닐알콜, 폴리우레탄 및 이들의 유도체를 들 수 있고, 또 직포 대신에 부직포 또는 스펀지형상의 구조체이어도 좋다. 또 알루미나나 SiC로 이루어지는 포러스세라믹스, 소결폴리프로필렌 등도 유효하다.
즉, 하단에 머리부를 가지는 다수의 고정핀(112)을 이 머리부를 도금액 함침재(110)의 내부에 위쪽으로 탈출 불능가능하게 수납하여 축부를 애노드(98)의 내부를 관통시켜 배치하고, 이 고정핀(112)을 U 자형상의 판스프링(114)을 거쳐 위쪽으로 가세시킴으로써 애노드(98)의 하면에 도금액 함침재(110)를 판스프링(114)의 탄성력을 거쳐 밀착시켜 부착하고 있다. 이와 같이 구성함으로써 도금의 진행에 따라 애노드(98)의 두께가 서서히 얇아져도 애노드(98)의 하면에 도금액 함침재(110)를 확실하게 밀착시킬 수 있다. 따라서 애노드(98)의 하면과 도금액 함침재(110) 사이에 공기가 혼입되어 도금불량의 원인이 되는 것이 방지된다.
또한 애노드의 상면측으로부터 예를 들면 지름이 2mm정도의 원주형상의 PVC(염화비닐)또는 PET 제의 핀을 애노드를 관통시켜 배치하고, 애노드 하면에 나타난 그 핀의 선단면에 접착제를 붙혀 도금액 함침재와 접착고정하도록 하여도 좋다. 함침재가 포러스세라믹스와 같이 충분한 강성을 가지는 경우는 함침재를 고정하는핀 등은 필요없고, 함침재 위에 애노드를 얹어 놓는 것만으로도 좋다.
그리고 상기 전극부(28)는 기판유지부(36)가 도금위치(B)(도 5참조)에 있을 때에 기판유지부(36)로 유지된 기판(W)과 도금액 함침재(110)의 간극이 예를 들면 0.5 내지 3 mm 정도가 될 때까지 하강하고, 이 상태에서 도금액 공급관(102)으로부터 도금액을 공급하여 도금액 함침재(110)에 도금액을 포함시키면서 기판(W)의 상면(피도금면)과 애노드(98) 사이에 도금액을 채워 이에 의하여 기판(W)의 피도금면에 도금이 실시된다.
이 때 도 21에 나타내는 바와 같이 애노드(98)의 도금액 주입구멍(98a)에 대략 대응하는 위치에서 도금액 함침재(110)의 하면으로부터 도금액이 기판(W)의 상면(피도금면)에 도달하고, 이에 의하여 도금액 함침재(110)와 기판(W)의 피도금면을 가교하는 도금액기둥(120)이 형성된다. 그리고 도금액의 공급을 계속함으로써 이 도금액기둥(120)은 서서히 성장하거나, 서로 연결된 후 도 22에 나타내는 바와 같이 도금액 도입관(104)과 직교하는 방향으로 진행하여 기판(W)의 피도금면의 전면으로 퍼지는 도금액(Q)의 흐름이 생긴다.
이에 의하여 이 도금액(Q)의 흐름을 타고 기포(B)가 바깥쪽으로 밀려 나오고, 다시 이 도금액(Q) 흐름의 전선(Q1)이 대략 직선형상이 되어 도금액(Q)이 공기를 둘러 싸는 일이 없다. 이 때문에 도금액 함침재(110)와 기판(W)의 피도금면사이에 채워지는 도금액 중에 기포가 남는 것이 방지된다.
또한 도 4에 나타내는 바와 같이 캐소드부(38)를 지지하는 지주(84)의 바깥쪽에 스토퍼봉(116)이 세워 설치되고, 이 스토퍼봉(116)의 상면에 지지플레임(96)의 주위에 설치한 돌출부(96a)를 맞닿게 함으로써 전극부(28)의 하강이 규제되도록 되어 있다.
다음으로 상기 실시형태의 도금장치의 동작에 대하여 설명한다.
먼저 로드·언로드부(10)로부터 도금처리 전의 기판(W)을 반송로봇(14)으로 인출하여 피도금면을 상향으로 한 상태에서 프레임의 측면에 설치된 기판반출입구 (50)로부터 한쪽의 도금유닛(12)의 내부로 반송한다. 이 때 기판유지부(36)는 아래쪽의 기판수수위치(A)에 있고, 반송로봇(14)은 그 핸드가 스테이지(68)의 바로 위에 도달한 후에 핸드를 하강시킴으로써 기판(W)을 지지아암(70) 위에 얹어 놓는다. 그리고 반송로봇(14)의 핸드를 상기 기판반출입구(50)를 통하여 퇴거시킨다.
반송로봇(14)의 핸드의 퇴거가 완료한 후, 컵(40)을 상승시켜 동시에 기판수수위치(A)에 있던 기판유지부(36)를 전처리·세정위치(C)로 상승시킨다. 이 때 이상승에 따라 지지아암(70) 위에 탑재된 기판은 위치결정판(72)과 가압편(74)으로 위치 결정되어 척포올(76)으로 확실하게 파지된다.
한편, 전극아암부(30)의 전극부(28)는 이 시점에서는 도금액 트레이(22) 위의 통상위치에 있고, 도금액 함침재(110) 또는 애노드(98)가 도금액 트레이(22) 내에 위치하고 있고, 이 상태에서 컵(40)의 상승과 동시에 도금액 트레이(22) 및 전극부(28)에 도금액의 공급을 시작한다. 그리고 기판의 도금공정으로 옮기기까지 새로운 도금액을 공급하고, 아울러 도금액 배출관(106)을 통한 흡인을 행하여 도금액 함침재(110)에 포함되는 도금액의 교환과 기포제거를 행한다. 또 컵(40)의 상승이 완료하면 프레임 측면의 기판반출입구(50)는 컵(40)으로 막혀 폐쇄되어 프레임 내외의 분위기가 차단상태가 된다.
컵(40)이 상승하면 프리코팅처리로 이행한다. 즉 기판(W)을 받은 기판유지부(36)를 회전시켜 대피위치에 있던 프리코팅·회수아암(32)을 기판과 대치하는 위치로 이동시킨다. 그리고 기판유지부(36)의 회전속도가 설정치에 도달한 곳에서 프리코팅·회수아암(32)의 선단에 설치된 프리코팅노즐(64)로부터 예를 들면 계면활성제로 이루어지는 프리코팅액을 기판의 피도금면에 간헐적으로 토출한다. 이 때 기판유지부(36)가 회전하고 있기 때문에 프리코팅액은 기판(W)의 피도금면의 전면에 골고루 퍼진다. 다음으로 프리코팅·회수아암(32)을 대피위치로 되돌려 기판유지부(36)의 회전속도를 더하여 원심력에 의해 기판(W)의 피도금면의 프리코팅액을 뿌리쳐 건조시킨다.
프리코팅완료 후에 도금처리로 이행한다. 먼저 기판유지부(36)를 이 회전을 정지, 또는 회전속도를 도금시 속도까지 저하시킨 상태에서 도금을 실시하는 도금위치(B)까지 상승시킨다. 그렇게 하면 기판(W)의 둘레 가장자리부는 캐소드전극 (88)에 접촉하여 통전 가능한 상태가 되고, 동시에 기판(W)의 둘레 가장자리부 상면에 시일재(90)가 압접하여 기판(W)의 둘레 가장자리부가 수밀적으로 시일된다.
한편 반입된 기판(W)의 프리코팅처리가 완료하였다고 하는 신호에 의거하여 전극아암부(30)를 도금액 트레이(22)의 위쪽으로부터 도금을 실시하는 위치의 위쪽에 전극부(28)가 위치하도록 수평방향으로 선회시켜 이 위치에 도달한 후에 전극부(28)를 캐소드부(38)를 향하여 하강시킨다. 이 때 도금액 함침재(110)를 기판(W)의 피도금면에 접촉하는 일 없이 0.5 mm 내지 3 mm 정도에 근접한 위치로 한다. 전극부(28)의 하강이 완료한 시점에서 도금전류를 투입하여 도금액 공급관(102)으로부터 도금액을 전극부(28)의 내부에 공급하여 애노드(98)를 관통한 도금액 주입구멍(98a)으로부터 도금액 함침재(110)에 도금액을 공급한다.
그렇게 하면 애노드(98)의 도금액 주입구멍(98a)에 대응하는 위치에서 도금액 함침재(110)와 기판(W)의 피도금면을 가교하는 도금액기둥(120)이 형성되고, 도금액 공급의 계속에 의해 도금액기둥(120)은 서서히 성장하여 서로 연결된 후, 도금액 도입관(104)과 직교하는 방향으로 진행하여 기판(W)의 피도금면의 전면으로 퍼진다. 이에 의하여 이 도금액의 흐름을 타고 기포가 바깥쪽으로 밀어나오고, 또한 도금액이 공기를 말아넣는 일이 없기 때문에 도금액 함침재(110)와 기판(W)의 피도금면 사이의 도금액 중에 기포가 남는 것이 방지된다. 따라서 도금액 함침재(110)로부터 스며나온 구리이온을 포함하는 도금액이 도금액 함침재(110)와 기판(W)의 피도금면 사이의 간극에 기포를 남기는 일 없이 채워져 기판의 피도금면에 구리도금이 실시된다. 이 때 기판유지부(36)를 저속으로 회전시켜도 좋다.
또한 이 도금액주입시에 기판(W)과 애노드(98) 사이에 일정전압을 부하하는 것이 바람직하다. 이에 의하여 도금액 접촉부에 일정 밀도의 전류를 흘려 적절한 전압을 선택함으로써 기판(W)의 구리시드층을 에칭으로부터 보호할 수 있다.
또 도금처리시에 도금액 주입구멍(98a)으로부터 도금액 함침재(110)에 도금액을 공급하여 도금액 함침재(110)와 기판(W)의 피도금면 사이에 도금액을 주입하고, 동시에 도금액 배출관(106)으로부터 도금액을 흡인배출하도록 하여도 좋다.이에 의하여 기판(W)과 애노드(98) 사이에 채워지는 도금액을 도금처리 중에 순환시켜 교반시킴으로써 도금액 중의 기포를 제거할 수 있다. 도금액의 주입/흡인은 도금초기뿐만이 아니라, 도금시간 전반에 걸쳐 행하여도 좋다.
도금액의 공급이 계속되면 도금액 함침재(110)로부터 스며나온 구리이온을 포함하는 도금액이 도금액 함침재(110)와 기판(W)의 피도금면 사이의 간극에 채워져 기판의 피도금면에 구리도금이 실시된다. 이 때 기판유지부(36)를 저속으로 회전시켜도 좋다.
도금처리가 완료되면 전극아암부(30)를 상승시켜 선회시키고 도금액 트레이 (22)의 위쪽으로 되돌려 통상위치로 하강시킨다. 다음에 프리코팅·회수아암(32)을 대피위치로부터 기판(W)에 대치하는 위치로 이동시켜 하강시키고, 도금액 회수 노즐(66)로부터 기판(W) 위의 도금 잔류액을 회수한다. 이 도금 잔류액의 회수가 종료한 후, 프리코팅·회수아암(32)을 대피위치로 되돌려 기판의 도금면의 린스를 위해 순수용 고정노즐(34)로부터 기판(W)의 중앙부에 순수를 토출하고, 동시에 기판유지부(36)를 속도를 더하여 회전시켜 기판(W) 표면의 도금액을 순수로 치환한다. 이와 같이 기판(W)의 린스를 행함으로써 기판유지부(36)를 도금위치(B)로부터 하강시킬 때에 도금액이 튀어 캐소드부(38)의 캐소드전극(88)이 오염되는 것이 방지된다.
린스종료 후에 수세공정으로 들어 간다. 즉, 기판유지부(36)를 도금위치(B)로부터 전처리·세정위치(C)로 하강시켜 순수용 고정노즐(34)로부터 순수를 공급하면서 기판유지부(36) 및 캐소드부(38)를 회전시켜 수세를 실시한다. 이 때 캐소드부(38)에 직접 공급한 순수, 또는 기판(W)면으로부터 비산한 순수에 의해 시일재(90) 및 캐소드전극(88)도 기판과 함께 세정할 수 있다.
수세공정 후에 건조공정으로 들어간다. 즉, 고정노즐(34)로부터의 순수의 공급을 정지하고, 다시 기판유지부(36) 및 캐소드부(38)의 회전속도를 더하여 원심력에 의해 기판 표면의 순수를 뿌리쳐 건조시킨다. 아울러 시일재(90) 및 캐소드전극(88)도 건조된다. 건조공정이 완료하면 기판유지부(36) 및 캐소드부(38)의 회전을 정지시켜 기판유지부(36)를 기판수수위치(A)까지 하강시킨다. 그렇게 하면 척포올(76)에 의한 기판(W)의 파지가 해제되어 기판(W)은 지지아암(70) 상면에 얹어 놓여진 상태가 된다. 이와 동시에 컵(40)도 하강시킨다.
이상으로 도금처리 및 그에 부대하는 전처리나 세정·건조공정의 모든 공정을 종료하고, 반송로봇(14)은 그 핸드를 기판반출입구(50)로부터 기판(W)의 아래쪽으로 삽입하고, 그대로 상승시킴으로써 기판유지부(36)로부터 처리 후의 기판(W)을 받는다. 그리고 반송로봇(14)은 이 기판유지부(36)로부터 받은 처리 후의 기판(W)을 로드·언로드부(10)로 되돌린다.
그런데 이 실시형태와 같이 도금액 함침재를 애노드의 하면에 설치하여 도금처리를 행하는 경우, 도금액 함침재(110)에 형성된 기공의 내부에 기포가 들어가는 경우가 있다. 이와 같은 기포는 절연체로서 작용하여 도금처리 시의 전류분포를 흩어지게 하는 원인이 된다. 이에 대해서는 도금처리를 행하기에 앞서 도금액 배출관(106)을 흡인함으로써 도금액 함침재(110)가 배치된 공간을 감압하고, 그 후 도금액 도입관(104)으로부터 도금액을 도금액 함침재(110)에 도입하는 것이 유효하다. 이와 같이 함으로써 도금액 함침재(110)의 기공의 내부로 들어간 기포가 외부로 나가는 것을 촉진할 수 있게 되어 균일한 전류분포에 의해 고품질의 도금을 실현하는 것이 가능하게 된다. 또한 도금장치의 개시시에 있어서도 이 처리를 행하도록 하면 처음부터 도금액 함침재(110)의 기공에 들어 가 있던 기포를 제거하는 것이 가능하게 되기 때문에 유효하다.
이 실시형태의 도금장치에 의하면, 기판유지부로 기판을 상향으로 유지한 상태에서 도금처리와 도금처리에 부대한 전처리나 세정·건조처리라는 다른 처리를 도금처리에 전후하여 행할 수 있다. 따라서 단일 장치로 도금의 전공정의 실시가 가능하게 되어 장치로서 간소화를 도모함과 동시에 작은 점유면적으로도 되는 도금장치를 저렴하게 제공할 수 있다. 또 도금유닛으로서 다른 반도체제조장치에 탑재가 가능하기 때문에 도금, 어닐링, CMP의 일련의 배선형성공정을 클러스터화할 때에 유리하다.
여기서 도 23a에 나타내는 바와 같이 도금액 도입관(104)으로서 방사상(십자형상)으로 서로 직교하는 방향으로 연장되는 블레이드부를 가지고, 이 각 블레이드부의 길이방향에 따른 소정의 위치에 도금액 도입구멍(104b)을 가지는 것을 애노드(도시 생략)로 하여 이 도금액 도입구멍(104b)에 대응하는 위치에 도금액 주입구멍(98a)을 가지는 것을 각각 사용하여도 좋다. 이 경우 상기와 같이 애노드의 도금액 주입구멍(98a)에 대략 대응하는 위치에서 도금액 함침재(110)와 기판(W)의 피도금면을 가교하는 도금액기둥이 형성되고, 도금액의 공급이 계속됨에 따라 도금액기둥이 서서히 성장한 후, 도금액 도입관(104)으로 구획된 각 상한내를 방사상으로 퍼지는 도금액(Q)의 흐름이 생겨 도금액(Q)이 기판(W)의 피도금면의 전면으로 퍼진다.
또 도 23b에 나타내는 바와 같이 도금액 도입관(104)을 서로 연통시키면서 동심원형상으로 배치하고, 소정의 위치에 도금액 도입구멍(104b)을 설치한 경우도 동일한 도금액(Q)의 흐름이 생긴다. 도금액 도입관(104)의 도금액 도입구멍(104b)은 동일한 지름의 구멍을 동일한 피치로 설치하여도 좋으나, 피치와 구멍지름을 조정하여 도금액의 토출을 제어하는 것도 가능하다.
또 도 24 및 도 25에 나타내는 바와 같이 애노드(98)의 끝부에 하나 또는 복수의 도금액 주입구멍(98a)을 집중하여 설치하고, 이 각 도금액 주입구멍(98a)에 도금액을 동시에 도입하도록 하여도 좋다. 이 경우 상기와 같이 애노드(98)의 도금액 주입구멍(98a)에 대략 대응하는 위치에서 도금액 함침재(110)와 기판(W)의 피도금면을 가교하는 도금액기둥(120)이 형성되고, 도금액의 공급이 계속됨에 따라 도금액기둥이 서서히 성장한 후, 대면측의 한 방향을 향하여 흐르는 도금액(Q)의 흐름이 생겨 도금액(Q)이 기판(W)의 피도금면의 전면으로 퍼진다.
또한 도 26 및 도 27에 나타내는 바와 같이 기판(W)을 수평으로 유지한 상태에서 애노드(98)측을 기판(W)에 대하여 경사시켜 배치하고, 이 애노드(98)의 기판(W)에 근접한 위치에 도금액 주입구멍(98a)을 설치하고, 이 도금액 주입구멍 (98a)에 도금액을 도입함과 동시에 애노드(98)측을 기판(W)과 수평이 되도록 기판 (W)측으로 서서히 쓰러지도록 하여도 좋다. 이 경우 상기와 마찬가지로 애노드 (98)의 도금액 주입구멍(98a)에 대응하는 위치에서 도금액 함침재(110)와 기판(W)의 피도금면을 가교하는 도금액기둥(120)이 형성되고, 애노드(98)와 기판(W)의 경사각도가 서서히 작아짐으로써 애노드(98)와 기판(W)의 피도금면 사이의 도금액이 한 방향으로 전개하는 도금액(Q)의 흐름이 생겨 도금액(Q)이 기판(W)의 피도금면의 전면으로 퍼진다.
또한 상기와 반대로 애노드측을 수평으로 기판을 애노드측에 대하여 경사시켜 배치하여 두고, 도금액의 주입과 동시에 기판을 애노드측으로 평행이 되도록 서서히 쓰러지도록 하여도 좋다.
도 28 및 도 29는 본 발명의 또 다른 실시형태에 있어서의 애노드(98)와 도금액 함침재(110)를 나타내는 것이다. 즉 이 예에 있어서 도금액 함침재(110)는 알루미나, SiC, 물라이트, 지르코니아, 티타니아, 코디라이트 등의 다공질 세라믹스 또는 폴리프로필렌이나 폴리에틸렌 등의 소결체 등의 경질의 다공질체, 또는 이들의 복합재료로 구성되어 있다. 예를 들면 알루미나계 세라믹스에 있어서는 포어지름 30 내지 200㎛, 기공율 20 내지 95%, 두께 5 내지 20 mm, 바람직하게는 8 내지 15 mm 정도의 것이 사용된다.
그리고 이 도금액 함침재(110)는 그 상부에 플랜지부(11Oa)가 설치되고, 이 플랜지부(110a)를 하우징(94)과 지지플레임(96)(도 17 및 도 18참조)으로 끼워 유지함으로써 고정되어 있고, 이 도금액 함침재(110)의 상면에 애노드(98)가 탑재유지되어 있다. 또한 이 실시형태의 경우, 다공질체 또는 메시형상 등, 다양한 형상의 애노드를 탑재하는 것이 가능하다.
이와 같이 도금액 함침재(110)를 다공질체로 구성함으로써 이 내부에 복잡하게 들어간 도금액을 거쳐 도금액 함침재(110) 내부의 전기저항을 증대시켜 도금막두께의 균일화를 도모함과 동시에, 파티클의 발생을 방지할 수 있다. 또 도금액 함침재(110)의 애노드(98)를 탑재유지함으로써 도금의 진행에 따라 애노드(98) 하면의 도금액 함침재(110)와 접촉하고 있는 측이 용해하여도 애노드(98)를 고정하기 위한 지그를 사용하는 일 없이 애노드(98) 자체의 자중으로 애노드(98)의 하면과 기판(W)의 거리를 일정하게 유지하고, 또한 여기에 공기가 혼입하여 공기고임이 생기는 것을 방지할 수 있다.
그리고 이 예에서는 애노드(98)의 상면에 도 22에 나타내는 바와 같이 지름방향으로 연장되는 십자형상의 도금액 도입관(104)이 설치되고, 애노드(98)의 그 도금액 도입관(104)에 설치된 도금액 도입구멍(104b)에 대향하는 위치에 도금액 주입구멍(98a)가 설치되어 있다. 또 애노드(98)에는 다수의 관통구멍(98b)이 설치된다.
또한 이 예에서는 도금액 함침재(110)의 상면에 애노드(98)를 탑재유지한 예를 나타내고 있으나, 도금액 함침재(110)와 애노드(98)를 떨어진 위치에 배치하도록 하여도 좋다. 이 경우 특히 애노드(98)로서 용해성 애노드를 사용하면 밑으로부터 애노드가 용해하여 감으로 애노드와 도금액 함침재의 간극은 시간을 거침에 따라 커져 0 내지 20 mm 정도의 간극이 생기는 경우도 있다.
이 실시형태에 의하면, 애노드(98)의 도금액 주입구멍(98a)에 대략 대응하는 위치에서 도금액 함침재(110)의 하면으로부터 도금액이 기판(W)의 상면(피도금면)에 도달하여 도금액 함침재(110)와 기판(W)의 피도금면을 가교하는 도금액기둥(120)이 형성된다. 이 때 도금액은 도금액 함침재(110)의 내부를 흐를 때에 그 흐름방향을 따라 약간 확산되고, 이에 의하여 도금액이 기판(W)에 도달하였을 때의 시드층(5)(도 1a참조)에 주는 손상, 즉 국소적으로 분류를 닿게 함에 의한 시드층의 현상을 경감하여 나중의 도금공정의 막두께 균일성에 기여할 수 있다.
또한 도 29에 가상선으로 나타내는 바와 같이 도금액 함침재(110)의 하면으로부터 도금액이 기판(W)의 상면(피도금면)에 도달하는 도금액기둥(120)이 형성된 후, 예를 들면 기판(W)을 순간에 상승시켜 도금액 함침재110와 기판(W)을 순간에 근접시키도록 하여도 좋다. 또 기판의 에지에 약간 압력을 가하여 오목형으로 만곡시킨 상태에서 동일하게 도금액기둥(120)이 형성된 후, 압력을 개방하여 기판의 형상을 원래대로 되돌아가게 함으로써 도금액 함침재(110)와 기판(W)을 순간에 근접시키는 것도 가능하다.
이에 의하여 예를 들면 도금액 함침재(110)의 두께가 두꺼운 경우나 밀도가 높은(기공율이 낮은)경우에 도금액이 도금액 함침재(110)의 내부를 흐를 때의 저항이 커져 이에 의하여 소정량의 도금액이 나오지 않아 도금액기둥(120)의 결합이 흩어지고, 이 때에 공기가 말려 들어가도 도금액 함침재(110)와 기판(W)을 순간에 근접시킴으로써 도금액에 바깥쪽으로의 급격한 흐름을 생기게 하여 이 도금액과 함께 기포를 바깥쪽으로 내몰고 동시에 도금액 함침재(110)와 기판(W) 사이에의 도금액의 공급을 단시간으로 행할 수 있다.
또한 무통전상태에서의 도금액과 시드층(5)(도 1a참조)의 접촉은 시드층(5)의 감소를 초래하여 통전상태에서도 기판(W)의 표면에 도금액이 단시간으로 퍼지지않으면 도금 초기의 막두께에 불균일이 생겨 이들은 그 다음의 도금막두께의 균일성을 손상하는 원인이 되나, 이와 같이 도금액 함침재(110)와 기판(W) 사이에의 도금액의 공급을 단시간으로 행함으로써 이들의 폐해를 방지할 수 있다.
또 도 28에 나타내는 바와 같이 도금처리 도중에 도금액 주입구멍(98a)으로부터 도금액 함침재(110)에 도금액을 공급하여 도금액 함침재(110)와 기판(W)의 피도금면 사이에 도금액을 주입하고, 동시에 관통구멍(98b)을 경유하여 도금액 배출관(106)으로부터 이 주입된 도금액과 같은 양의 도금액을 흡인배출할 수도 있다.
이와 같이 도금처리 중에 도금액을 교반함으로써 액채움을 행할 때에 뽑을 수 없었던 기포나 액채움 후의 도금처리 중에 발생한 기포도 제거하는 것이 가능하게 된다.
또 본 도금장치에서는 기판(W)의 피도금면과 애노드(98)의 간격이 좁고, 사용하는 도금액이 소량으로 되는 반면, 도금액 중의 첨가제나 이온이 한정된 양이 되기 때문에 단시간으로 효율적인 도금을 행하기 위해서는 그들 첨가제 등을 도금액 중에 균일하게 분포할 필요가 있다. 이 점 이 실시형태에 의하면 도금처치 중에 도금액이 교반되기 때문에 첨가제나 이온을 균일하게 분포시킨 상태에서의 도금이 가능하게 된다.
또한 도 30에 나타내는 바와 같이 애노드(98)의 상면에 도금액 도입관(104)과 대략 동일한 구성의 첨가제 도입로(105a)와 첨가제 도입구(105b)를 가지는 첨가제 도입관(105)을 더 설치하고, 또 애노드(98)의 그 첨가제 도입구(105b)에 대향하는 위치에 첨가제 주입구멍(98c)을 설치하여 도금처리 중에 첨가제 주입구멍(98c)으로부터 레벨이나 캐리어 등의 첨가제나 이온을 포함하는 액(도금액)을 단속 또는 연속적으로 공급하고, 이에 의하여 도금에 의해 소비된 첨가제나 이온을 보급하도록 하여도 좋다. 이 경우 첨가제는 미량이므로 관통구멍(98b)으로부터 도금액을 배출할 필요는 없다. 또 도금도중에 첨가제 성분비를 변화시킴으로써 라인·앤드·스페이스부(배선부)와 플랫부의 막두께 단차를 작게 하여 다음 공정의 CMP 특성을 향상시키는 것도 가능하다.
도 31a 및 도 31b 및 도 32a 및 도 32b는 도금액 함침재(110)를 경질의 다공질체로 구성한 본 발명의 각각 다른 다른 실시형태를 나타내는 것으로, 이것은 도금액 함침재(110)의 하면에 도금액 함침재(110)와 기판(W)이 상대적인 회전에 의해그 사이의 도금액을 방사상으로 바깥쪽으로 퍼지게 하는 수단을 구비한 것으로, 그 밖의 구성은 도 28 및 도 29에 나타내는 실시의 형태와 동일하다.
즉, 도 31a 및 도 31b는 도금액 함침재(110)의 하면에 바깥쪽을 향하여 회전방향을 따라 만곡하는 복수의 나선형상의 돌기(임펠러)(110b)를 설치한 것이고, 도 32a 및 도 32b는 도금액 함침재(110)의 하면 자체를 예를 들면 1/100 정도의 테이퍼를 가지는 중앙이 아래쪽으로 팽출하는 테이퍼면(11Oc)으로 한 것이다.
이들 실시형태에 있어서는, 도금액 함침재(110)와 기판(W)의 피도금면을 가교하는 도금액기둥(120)이 형성된 후, 예를 들면 기판(W)을 회전시켜 도금액 함침재(110)와 기판(W)을 상대적으로 회전시키는 것이고, 이에 의하여 이 회전에 따라 도금액 함침재(110)와 기판(W) 사이의 도금액을 교반하면서 방사상으로 바깥쪽으로 퍼지게 함으로써 도금액 함침재(110)와 기판(W) 사이에 들어간 기포(B)를 도금액과함께 강제적으로 바깥쪽으로 내몰고, 동시에 도금액 함침재(110)와 기판(W) 사이에의 도금액의 공급을 단시간으로 행할 수 있다.
특히 도 31a 및 도 31b에 나타내는 바와 같이, 도금액 함침재(110)의 하면에 도금액의 퍼짐을 조장하는 정류작용과 회전에 따른 교반작용을 가지는 돌기(11Ob)를 설치함으로써 도금액 중의 한정된 첨가제나 이온을 기판(W)의 표면에 균일하게 분포시킬 수 있다.
또한 도 31a 및 도 31b에 나타내는 나선형상의 돌기(110b) 대신에, 바깥쪽으로 방사상으로 퍼지는 돌기를 설치하거나, 이들 돌기 대신에 오목부(홈)를 설치하여도 좋고, 또 도 32a 및 도 32b에 나타내는 테이퍼면(11Oc) 대신에 원호형상의 라운드형상으로 하여도 좋다.
또한 도 33에 나타내는 바와 같이, 둘레 가장자리부를 시일재(90)로 수밀적으로 시일한 기판(W)의 피도금면의 위쪽에 미리 도금액을 채우고, 예를 들면 도 32a 및 도 32b에 나타내는 하면을 테이퍼면(110c)으로 한 도금액 함침재(110)를 회전시키면서 하강시킴으로써 도금액 함침재(110)와 기판(W)을 상대적으로 회전시키면서 서서히 근접시켜 도금액 함침재(110)와 기판(W) 사이를 도금액으로 채우도록 하여도 좋다. 이에 의하여 도금액 함침재(110)와 기판(W) 사이의 기포(B)를 양자가 서로 근접함에 따라 서서히 바깥쪽으로 이동시켜 확실하게 몰아내어 도금액 함침재(110)와 기판(W) 사이를 기포가 없는 도금액으로 채울 수 있다. 또한 상기 각 실시형태에 있어서는 기판을 상향으로 유지한 예를 나타내고 있으나, 기판과 애노드와의 상하관계는 이것에 한정되는 것이 아님은 물론이다.
이 실시형태의 도금장치에 의하면, 기판유지부로 기판을 상향으로 유지한 상태에서 도금처리와 도금처리에 부대한 전처리나 세정·건조처리라는 다른 처리를 도금처리에 전후하여 행할 수 있다. 따라서 장치로서 간소화를 도모함과 동시에 작은 점유면적으로도 되는 도금장치를 저렴하게 제공할 수 있다. 또한 기판의 피도금면과 애노드 사이를 기포를 남기는 일 없이 도금액으로 채울 수 있으므로 피도금면에 균일하고 양질의 도금액막을 형성할 수 있다.
여기서 도 34 및 도 35에 나타내는 바와 같이, 하단에 큰 지름의 머리부(112a)를 가지는 다수의 대략 원주형상의 고정핀(112)을 이 머리부(112a)를 도금액함침재(110)의 내부에 위쪽으로 탈출 불가능하게 매설하여 고정하고, 이 축부를 애노드(98)의 내부에 설치한 관통구멍(98c) 내를 삽입시켜 위쪽으로 돌출시켜 배치하고 있다. 그리고 이 고정핀(112)을 예를 들면 합성수지제로 U 자형상의 판스프링(114)을 거쳐 위쪽으로 가세시킴으로써 애노드(98)의 하면에 도금액 함침재(110)를 판스프링(114)의 탄성력을 거쳐 밀착시켜 설치하고 있다.
또한 이 예에서는 도금액 함침재(110)의 하면측에 소정 깊이의 슬릿(110a)을 설치하고, 이 슬릿(110a) 내에 고정핀(112)의 축부(112a)를 위치시켜 축부를 도금액 함침재(110)의 내부에 찔러 넣음으로써 고정핀(112)을 도금액 함침재(110)에 고정하여 도금액 함침재(110) 자체의 탄성력으로 복귀시킴으로써 이 슬릿(110a)을 막고 있다.
여기서 상기 고정핀(112)의 재질로서는 폴리프로필렌, PEEK, PVC, 폴리에틸렌 등을 들 수 있으나, 도금액에 대한 내구성, 핀으로서의 강도가 충분하면 이들에한정되지 않음은 물론이다. 또 고정핀(112)의 지름은 예를 들면 0.5 내지 4 mm 정도이다. 또한 고정핀(112)의 설치 피치는 사용하는 도금액 함침재(110)나 도금면적 등에 따라 다르나, 예를 들면 8 인치 기판의 도금에서는 설치 피치는 5 내지 40 mm 정도, 설치갯수는 10 내지 150개 정도로서, 바람직하게는 설치 피치는 20 mm, 설치갯수는 50 내지 100개 정도이다.
이에 의하여 애노드(98)의 블랙필름이 형성되는 하면은, 도금액 함침재(110)로 유지된 도금액으로 습윤되고, 더욱이 도금액 함침재(110)가 필터와 같은 역할을 하여 블랙필름의 건조나 탈락, 또한 산화가 방지된다. 또한 도금의 진행에 따라 애노드(98)가 서서히 용융 소모하여 그 두께가 얇아져도 판스프링(114)의 탄성력으로 애노드(98)와 도금액 함침재(110)를 항상 밀착시키고, 여기에 공기고임이 형성되는 것이 방지된다. 통상 애노드(98)는 1개월의 도금으로 20 내지 40 mm 정도 소모된다.
또한 도 36에 나타내는 바와 같이 고정핀(112)으로서 하단에 낚시갈고랑이형상부112 b를 갖는 것을 사용하고, 이 낚시갈고리형상부(112b)를 도금액 함침재 (110)의 상면측으로부터 그 도금액 함침재(110)에 걸쳐 고정하고, 예를 들면 합성수지제의 코일스프링(120)으로 고정핀(112)을 위쪽으로 가세하도록 하여도 좋다. 또한 코일스프링보다도 판스프링의 쪽이 설치방법이나 가격면에서 유리하다.
또 도 37에 나타내는 바와 같이 애노드의 상면측으로부터 예를 들면 지름이 2 mm 정도의 원주형상의 PVC(염화비닐) 또는 PET 제의 고정핀(112)을 애노드(98)의 관통구멍(98c) 내를 삽입시켜 배치하고, 애노드(98)의 하면에 나타난 고정핀(112)의 선단면에 접착제(122)를 발라 도금액 함침재(110)와 접착 고정하도록 하여도 좋다. 이 접착제(122)로서는 염화비닐계, 실리콘변형 폴리머, 고무계, 시아노아크리에이트계 등을 들 수 있으나, 도금액에 대한 내구성, 유기물의 용출이나 파티클의 발생이 적은 것이면 이들에 한정되지 않음은 물론이다.
또한 도 38에 나타내는 바와 같이, 고정핀(112)의 선단에 첨탑형상부(112c)를 설치하여 고정핀(112)을 도금액 함침재(110)에 찔러 넣을 때의 편의를 도모하도록 하여도 좋다. 이 경우 도 38에 나타내는 바와 같이 도금액 함침재(11O)의 하면측에 바늘구멍형상의 슬릿(11Oa)을 설치하도록 하여도 좋다.
도 39는 본 발명의 또 다른 실시형태의 전해도금장치에 적용한 전해처리장치의 요부 개요도를 나타내고, 도 40은 그 전기적 등가회로도를 나타낸다. 이것은 지름 200 mm의 실리콘기판(이하, 기판이라 함)을 이른바 페이스다운방식으로 유지하여 그 표면(하면)에 구리도금을 실시하도록 한 것으로, 이 기판(W)의 하면(도금면)에는 도전층(시드층)(S)으로서의 스패터 구리의 박막이, 예를 들면 10Onm의 막두께로 형성되고 있다.
이 도금장치에는 예를 들면 황산구리를 베이스로 한 도금액(210)을 유지하는 위쪽으로 개구한 컵형상의 도금탱크(212)가 구비되고, 이 도금탱크(212)의 바닥부에는 예를 들면 지름 30 mm의 중앙구멍(214a)을 가지는 도너츠형상의 양극판(214)이 설치되어 있다. 이 양극판(214)의 재질은 예를 들면 인을 0.04중량% 포함하는 구리이다. 도금탱크(212)의 주위에는 이 도금탱크(212)의 상부로부터 흘러넘친 도금액(210)을 회수하는 도금액받이(216)가 배치되어 있다.
기판(W)의 주변부에 위치하고 도금탱크(212)의 위쪽에는 기판(W)의 하면 둘레 가장자리부에 압접하여 여기로부터의 도금액(210)의 유출을 저지하는 립시일 (218)과, 이 립시일(218)의 바깥쪽에 위치하여 기판(W)과 접촉하여 그 기판(W)에 음극전위를 도입하는 접점(220)이 설치되어 있다.
도금탱크(212)의 내부에는 양극판(214)과 기판(W) 사이에 위치하여 도금액 (210)의 전기전도율보다 작은 전기전도율의 고저항구조체(222)가 배치되어 있다. 이 고저항구조체(222)는 이 예에서는 예를 들면 기공율 30%, 평균 포어지름 100㎛이고, 두께(T1)가 20mm의 알루미나제의 다공질 세라믹스판(224)의 내부에 도금액 (210)을 함유시킴으로써 구성되어 있다. 즉 다공질 세라믹스판(224) 자체는 절연체이나, 이 내부에 도금액(210)을 복잡하게 주입하여 두께방향으로 매우 긴 경로를 더듬게 함으로써 고저항 구조체(222)가 구성되어 있다. 즉 다공질 세라믹스판에 형성된 기공의 굴곡율은 높으므로 두께(d)의 절연물에 다수의 구멍을 형성한 것에 비하여 동일한 두께(d)의 다공질 세라믹스판에 있어서의 기공은 2d 내지 3d의 긴 경로가 된다. 이 다공질 세라믹스판(224)의 양극판(214)의 중앙구멍(214a)에 대향하는 위치에는 예를 들면 지름 1 mm의 관통구멍(224a)이 5 mm 피치로 복수개 설치되어 있다. 또한 다공질 세라믹스판(224)은 양극판(214)에 밀착하고 있어도 좋고, 또 반대로 기판(W)에 밀착하고 있어도 좋다.
이에 의하여 도금탱크(212)의 상부에 기판(W)을 하향으로 배치하고, 도금액 (210)을 도금탱크(212)의 바닥부로부터 양극판(214)의 중앙구멍(214a) 및 다공질세라믹스판(224)의 관통구멍(224a)을 통과시켜 위쪽으로 분출시켜 기판(W)의 하면(도금면)에 도금액(210)의 분류를 닿게 하면서 양극판(214)(양극전극)과 기판(W)의 도전층(S)(음극전극) 사이에 도금전원(226)으로부터 소정의 전압을 인가함으로써 기판(W)의 하면에 도금막이 형성된다. 이 때 도금탱크(212)를 흘러 넘친 도금액(210)은 도금액받이(216)로부터 회수된다.
이 실시형태의 도금장치를 사용하여 전류밀도를 20 mA/cm2로, 양극판(214)의 상면과 기판(W)의 하면과의 거리(L)를 50 mm로 각각 설정하여 구리의 전해도금을 행한 바, 다공질 세라믹스판(224)을 설치하기 전에 비하여 도금에 필요한 전원전압이 약 2V 상승하였다. 이는 다공질 세라믹스판(224)이 도금액(210)보다 전기전도율이 작은 저항체로서 기능한 것에 의한다.
즉 도금탱크(212)의 단면적은 약 300 cm2이기 때문에 고저항구조체(222)의 저항은 대략 0.333Ω이 되고, 도 40에 나타내는 등가회로에 있어서 이 고저항구조체(222)에 의해서 발생한 저항(Rp)이 새로운 저항으로서 가해지게 된다. 또한 도 40에 있어서 저항(R1 내지 R5)은 도 74에 나타내는 저항(R1 내지 R5)과 동일한 저항을 나타내고 있다.
이와 같이 고저항구조체(222)에 의해 큰 저항(Rp)이 발생하면 기판의 중앙부에 있어서의 저항과 주변부에 있어서의 저항의 비, 즉 (R2+Rp+R3+R4)/(R2+Rp+R3+ R4+R5)은 1에 근접하여 도전층의 저항(R5)의 영향은 무시할 수 있는 정도가 되어 기판(W) 표면의 전기저항에 의한 전류밀도의 면내 차가 작아져 도금막의 면내 균일성이 향상한다.
고저항구조체(222)의 저항치는 예를 들면 200 mm웨이퍼의 경우는 0.01Ω 이상이고, 바람직하게는 0.01 내지 2Ω의 범위, 더욱 바람직하게는 0.03 내지 1Ω의 범위, 또한 더욱 바람직하게는 0.05 내지 0.5Ω의 범위이다. 고저항구조체(222)의 저항치는 이하의 순서로 측정한다. 먼저 도금장치 내에서 소정거리만큼 이간한 양극판(214)과 기판(W)으로 이루어지는 양극 사이에 소정치의 직류(I)를 흘려 도금을 행하고, 이 때의 직류전원의 전압(V1)을 측정한다. 다음에 동일한 도금장치에 있어서 양극 사이에 소정 두께의 고저항구조체를 배치하고, 동일한 값의 직류(I)를 흘려 도금을 행하여 이 때의 직류전원의 전압(V2)을 측정한다. 이에 의하여 고저항구조체의 저항치 Rp=(V2-V1)/I 로부터 구할 수 있다. 이 경우 양극판을 구성하는 구리의 순도는 99.99% 이상인 것이 바람직하다. 또 양극판과 기판으로 이루어지는 양극판의 거리는 지름 200 mm의 기판의 경우에는 5 내지 25 mm 이고, 지름 300 mm의 기판의 경우에는 15 내지 75 mm인 것이 바람직하다. 또한 기판(W) 위의 도전층(S)의 저항(R5)은 기판의 바깥 둘레와 중심 사이의 저항치를 테스터에 의해 측정하며 또는 도전층(S) 재료의 비저항과 두께로부터 계산에 의해 구할 수 있다.
도 41은 상기한 바와 같이 다공질 세라믹스판(224)으로 이루어지는 고저항구조체(222)를 설치한 도금장치(본 실시형태예)와, 설치하지 않은 도금장치(종래예)를 사용하여 기판(W)의 표면에 구리도금을 실시하였을 때의 기판면내에서의 도금막의 막두께 분포를 나타낸다. 이 도 41로부터 이 실시형태의 도금장치에 있어서는 기판 중앙부분의 박막화현상이 일어나지 않아 균일하게 도금이 되어 있음을 알 수있다.
한편, 도금액의 비저항은 약 5.5Ω·cm 이고, 도금탱크(212)의 단면적은 약300 cm2이므로 기판(W)과 양극판(214)의 거리를 떨어지게 함으로써 동일한 효과, 즉 도금액(210)으로 약 0.333Ω의 저항을 얻으려고 하면 약 18 cm 이상으로 떨어지게 할 필요가 있어 이것에서는 장치 크기의 대형화에 연결되어 버린다.
또한 이 실시형태에서는 알루미나제 다공질 세라믹스판으로 고저항구조체를 구성한 예를 나타내고 있으나, 다른 재질의 탄화실리콘 세라믹스 등에서도 동일한 효과를 얻을 수 있음이 확인되어 있다. 또 기공율이나 포어지름, 기공의 굴곡율 등은 목적에 따라 적절하게 선택 가능하다. 예를 들면 이 실시형태에서는 다공질세라믹스판에 1 mm의 관통구멍을 뚫어 도금액의 순환을 촉진하였으나, 기공지름이 큰 경우는 불필요하게 된다. 또 염화비닐을 섬유형상으로 묶어 이것을 서로 용착시킨 것을 사용하면 두께방향으로 직선적으로 관통한 구멍을 다량으로 가지는 플레이트를 얻을 수 있어 이와 같은 플레이트로 고저항구조체를 구성하여도 폴리비닐알콜 등의 발포체나 테프론(상표명) 등의 섬유를 직포나 부직포의 형태로 정형한 것을 사용하여 고저항구조체를 구성하여도 좋다. 다시 이들이나 도체와 절연체, 또는 도체 끼리를 조합시킨 복합체에서도 동일한 효과가 얻어진다.
이들 고저항구조체는 모두 도금장치에 조립하기 전에 적절히 전처리를 실시할 수 있다. 특히 산세정, 탈지, 도금액 또는 도금액 중의 한 성분으로의 보조세정 등이 유효하다. 고저항구조체의 두께나 형상은 본 발명의 주지를 일탈하지 않는 한 적절히 변화할 수 있음은 물론이다.
또 이 실시형태에서는 전해도금에 대하여 설명하였으나, 전류방향을 역전시키면, 즉 이 장치를 그대로 사용하여 전원의 극성을 반전시킴으로써 전해에칭이 가능하고, 이 경우 에칭의 균일성을 향상시킬 수 있다. LSI 에 있어서의 구리배선용 도금공정에서는 도금공정의 전후에 역전해를 인가하여 전해에칭을 행하는 것이 알려져 있고, 예를 들면 이 장치를 사용하여 20 mA/cm2의 전류밀도로 7 5초 도금을 실시하여 50 nm의 구리도금막을 형성하여 전원의 극성을 반전시키고, 5 mA/cm2의 전류밀도로 20초 에칭을 실시하여 33 nm의 구리도금막을 에칭하고, 그런 다음에 최종도금을 실시함으로써 균일하게 에칭이 행하여져 매립특성이 향상하는 것이 확인되고 있다.
도 42는 본 발명의 또 다른 실시형태의 전해도금에 적용한 전해처리장치를 나타내는 것이다. 이 도금장치는 이른바 페이스다운방식을 채용한 것으로 기판(W)은 상향으로 기판탑재대(230) 위에 탑재되어 있고, 기판(W)의 주변에 위치하여 예를 들면 바이톤고무제의 립시일(234)과, 이 립시일(234)의 바깥쪽에 위치하여 기판(W)의 도전층(S)과 접촉하여 그 기판(W)에 음극전위를 도입하는 접점(236)이 설치되어 있다. 이 립시일(234)은 예를 들면 10 mm의 높이를 가지고 도금액(210)을 유지할 수 있도록 되어 있다.
기판탑재대(230)의 위쪽에 유지구(232)가 배치되고, 이 유지구(232)에 양극판(238)과 고저항구조체(240)를 구성하는 다공질 세라믹스판(242)이 소정간격 이간되어 유지 고정되어 있다. 이 다공질 세라믹스판(242)은 이 예에서는 예를 들면 기공율 20%, 평균 포어지름 50㎛이고, 두께(T2)가 10 mm의 SiC 제로 내부에 도금액(210)을 함유시킴으로써 고저항구조체(240)를 구성하도록 되어 있다. 또 양극판(238)은 유지구(232)와 다공질 세라믹스판(242)에 의해 완전하게 피복된 구조로 되어 있다. 또한 다공질 세라믹스판(242)은 도금액이 저장된 다른 탱크(도시 생략)에서 미리 도금액을 함침시켜 두는 것이 바람직하다.
그리고 기판(W)의 상면과 다공질 세라믹스판(242)의 하면 사이에, 간극(S1)을 약 2 mm로 설정한 제 1 도금실(244)이 다공질 세라믹스판(242)의 상면과 양극판(238)의 하면 사이에 간극(S2)을 약 1.5m 원으로 설정한 제 2 도금실(246)이 각각 설치되어 있고, 이들 각 도금실(244, 246)에는 도금액(210)이 도입된다. 이 도금액(210)의 도입방법으로서는 립시일(234)과 다공질 세라믹스판(242)의 끝면과의 간극으로부터 도입하거나 양극판(238)에 설치한 관통구멍을 거쳐 다공질 세라믹스판(242)의 뒤쪽(상부)에 가압한 도금액(210을) 도입하는 등의 방법이 채용된다.
또한 이 실시형태에 있어서, 전해도금 중에 기판(W)과 기판탑재대(230), 또는 양극판(238)과 다공질 세라믹스판(242)을 회전시키도록 하여도 좋다.
이 실시형태의 도금장치를 사용하여 기판(W)의 상면(도금면)에 구리도금을 실시하고, 이 구리도금막의 막두께를 조사한 바, 다공질 세라믹스판(242)으로 구성되는 고저항구조체(240)를 설치함으로써 상기 실시형태와 마찬가지로 막두께의 면내 균일성이 향상하는 것이 확인되고 있다.
이 실시형태에 있어서는 양극판(238)을 다공질 세라믹스판(242)과 유지구 (232)에 의해 완전히 피복하고, 양극판(238)과 다공질 세라믹스판(242) 사이에 도금액(210)이 채워지는 구조로 되어 있으나, 이와 같이 구성함과 동시에 다공질 세라믹스판(242)의 기공율이나 굴곡율, 포어지름 등을 적절히 선택함으로써 종래에는 없는 새로운 효과를 얻을 수 있다.
이 실시형태의 전해도금장치를 사용하여 300초간(2㎛)의 도금처리를 행하였을 때의 도금액(210) 중의 구리이온 농도변화를 도 43에 나타낸다. 도 43에 있어서 영역(A)은 다공질 세라믹스판(242)과 기판(W) 사이의 도금실(244)내의 도금액 (210)에 관한 데이터이고, 영역(B)은 양극판(238)과 다공질 세라믹스판(242) 사이의 도금실(246) 내의 도금액(210)에 관한 데이터이다.
도 43으로부터 더욱 분명한 바와 같이 영역(A)에서는 도금진행에 따라 구리이온 농도는 저하한다. 이 저하율은 도금에 의해 기판 표면에서 소비된 구리이온의 이론치와 일치한다. 한편 영역(B)에서는 반대로 구리이온농도가 상승하고 있고 또한 상승율은 양극판에서 발생한 구리이온의 이론치와 일치한다.
이상의 사실로부터 다공질 세라믹스판(242)을 끼우는 영역(A)[도금실(244)]과 영역(B)[도금실(246)] 사이에서는 구리이온교환이 거의 일어나고 있지 않고 다공질 세라믹스판(242)은 격막적인 행동을 하고 있음을 알 수 있다. 이것은 바꾸어 말하면 양극측에서 일어나는 반응은 기판측에 영향을 미치지 않는다는 것이다.
또 통상 구리의 전해도금에 있어서는, 양극에 특수한 배려를 할 필요가 있다. 제 1로 양극에서 발생하는 1가의 구리이온을 포획하기 위하여 양극 표면에「블랙필름」이라 불리우는 아교질의 흑색막을 형성하는 필요로부터 양극재료에 인함유 구리를 사용하는 것이다. 이 흑색막은 구리, 인, 염소 등의 복합물이라 말해지고 있으나, 2가 구리이온만을 도금액 중에 넣어 도금 표면의 이상석출 등의 원인이 되는 1가 구리이온을 포획하는 작용을 한다.
이 실시형태의 도금장치에 의하면, 도 43으로부터 분명한 바와 같이 다공질세라믹스판(242)의 상하에서의 구리이온 교환이 일어나지 않기 때문에 이와 같은 배려는 불필요하게 된다. 또 구리의 양극판(238)이 도금과 함께 전해소모되어 그 표면이 결핍되는 일도 있으나, 이 결핍물은 다공질 세라믹스판(242)으로 포획되어 기판(W)의 도금 표면에 부착하는 일도 없다. 또한 양극에 용해성의 구리 양극을 사용하는 대신에 불용해성의 양극, 예를 들면 티타늄 표면에 산화이리듐을 피복한 것을 사용할 수도 있다. 이 경우 양극 표면에서는 다량의 산소가스가 발생하나, 이 산소가스도 기판 표면에 도달하지 않도록 함으로써 도금막의 일부가 결핍되는 등의 불량의 발생을 없앨 수 있다.
이와 같이 적당한 물질을 전기전도율이 작은 물질로서 도금액 중에 도입하고, 또한 양극과 음극을 분리하도록 똑같이 배치함으로써 격막효과를 얻도록 할 수도 있다.
도 44는 본 발명의 또 다른 실시형태의 금의 전해도금장치에 적용한 전해처리장치를 나타내는 것으로, 이 도금장치는 상자형의 도금탱크(250)를 가지고, 이 도금탱크(250)의 한쪽의 개구단은 예를 들면 티타늄모재에 산화이리듐을 코팅한 불용해성의 양극판(252)으로 폐쇄되고, 다른쪽 개구단은 기판(W)을 도금탱크(250)측에 유지한 덮개체(254)로 개폐 자유롭게 폐쇄하도록 되어 있다. 또 도금탱크(250)의 덮개체(254)측 끝부에는 기판(W)에 압접하여 여기로부터의 도금액(210)의 유출을 저지하는 립시일(256)과, 이 립시일(256)의 바깥쪽에 위치하여 기판(W)의 도전층(S)과 접촉하여 그 기판(W)에 음극전위를 도입하는 접점(258)이 설치되어 있다.
도금탱크(250)의 내부에는 기판(W)과 양극판(252)을 칸막이하도록 2매의 격막(260a, 260b)이 미리 도금탱크(250)에 설치된 메시(262a, 262b)에 의해 유지 배치되어 있다. 이 격막(260a, 260b)으로서는 강산성 카티온 이온교환막, 예를 들면 도쿠야마제 CMS나 듀퐁사제 N-350 등이 이용된다.
이에 의하여 도금탱크(250)의 내부에 기판(W)에 면하는 도금실(264), 양극판(252)에 면하는 전해액실(266) 및 격막(260a, 260b)으로 끼워진 고저항 전해액실(268)이 구획형성되어 있다. 다시 이들 각 실(264, 266, 268)에는 개별의 액순환경로가 설치되어 있다.
그리고 도금실(264)에는 예를 들면 시안화금칼륨을 베이스로 한 도금액(270)을, 전해액실(266)에는 예를 들면 황산수용액(80g/ℓ)으로 이루어지는 전해액(도금액)(272)을 각각 도입하고, 예를 들면 매분 201에서 순환시킨다. 또 고저항 전해액실(268)에는 도금처리에 의한 제약을 받는 일 없이 예를 들면 희석 황산수용액 (1Og/ℓ)으로 이루어지는 전기전도율이 작은 고저항전해액(274)을 도입하고, 이에 의하여 여기에 고저항구조체(276)를 구성하도록 되어 있다.
이와 같이 2매의 격막(260a, 260b)으로 구획한 고저항 전해액실(268) 내에 희석 황산수용액 등의 고저항전해액(274)을 채워 구성한 고저항구조체(276)를 도금액(270, 272) 중에 개재시킴으로써 시스템 전체의 도금저항을 올려 도전층의 저항에 의한 기판면 내의 금도금막의 막두께 분포를 대폭 저감할 수 있다. 또한 이 예에서는 희석 황산액의 농도를 변화시킴으로써 도금계의 저항치를 임의로 선정하여 도금의 종류, 기판의 상황 등에 따라 적절히 도금조건을 변화시킬 수 있다.
이 도금장치는 기판(W)을 덮개체(254)로 유지하여 그 덮개체(254)를 폐쇄하여 도금실(264)에 도금액(270)을, 전해액실(266)에 전해액(도금액)(272)을 각각 도입하여 순환시키고, 또한 고저항 전해액실(268)에 고저항전해액(274)을 채운 상태에서 외부전원(도시 생략)으로부터 양극판(252)과 기판(W) 위의 도전층(S)에 도금전류를 흘림으로써 도금막을 형성하는 것으로, 양극판(252)의 표면에 발생하는 산소가스(278)는 전해액(도금액)(272)과 함께 외부로 배출된다.
또한 이 실시형태에 있어서도 양극판과 기판의 거리를 매우 크게 하여 도금액 자체의 전기저항을 높게 함으로써 동일한 효과를 얻는 것이 가능하나, 이것으로서는 장치가 거대화할 뿐만 아니라, 고가의 금도금용 시안화금칼륨을 방대하게 사용하지 않으면 안되어 공업적 불이익이 커진다.
이상의 실시형태에 있어서는 원반형상의 기판을 피처리기판으로 하고 있으나, 반드시 원반형상일 필요는 없고, 예를 들면 사각형이어도 좋은 것은 말할 필요도 없다.
이 실시형태의 전해처리장치에 의하면, 전해액 중에 침지한 양극과 음극 사이의 전기저항을 고저항구조체를 거쳐 전해액만으로 이루어지는 경우보다도 높게 하여 피처리기판 표면의 전기저항에 의한 전류밀도의 면내의 차를 작게 할 수 있어이에 의하여 전해처리에 의한 피처리기판의 면내 균일성을 더욱 높일 수 있다.
〔전장상태제어수단으로서 절연성부재를 사용한 실시형태〕
도 45는 본 발명의 또 다른 실시형태의 전해도금장치의 개략 구성도이다. 도 45에 나타내는 전해도금장치는 이른바 페이스업방식을 채용한 전해도금장치로서 기판(W)은 상향으로 기판탑재대(330) 위에 탑재되어 있다. 기판(W)의 주변은 링형상으로 형성된 립시일(334)의 선단이 맞닿아 시일되고, 그 안쪽에 도금액(310)이 채워져 있다. 또 기판(W)의 표면측에 위치하는 립시일(334)의 바깥쪽에는 기판(W) 표면의 도전층에 접촉하여 기판(W)에 음극전위를 인가하는 접점(336)이 설치되어 있다.
기판(W)의 위쪽에는 소정의 간극을 거쳐 원판형상의 고저항구조체(340)와 원판형상의 양극판(338)이 유지부재(332)에 유지되어 설치되어 있다. 여기서 양극판(338)에는 두께방향으로 관통하는 다수의 미세구멍(339)이 설치되고, 양극판(338)의 위에는 상기 각 미세구멍(339)에 도금액을 분배하여 공급하는 도금액도입관(341)이 설치되어 있다.
고저항구조체(340)는 이 실시형태에서는 다공질 세라믹스판(예를 들면 기공율 20%, 평균 포어지름 50㎛이고 두께가 10 mm인 SiC제품)(342)의 내부에 도금액 (310)을 함유시키는 것으로 구성되어 있다. 또 양극판(338)은 유지부재(332)와 다공질 세라믹스판(342)에 의해 완전히 피복된 구조로 되어 있다.
이 실시형태에 있어서는 다공질 세라믹스판(다공질물질)(342)의 바깥 둘레 측면에 이것을 둘러싸도록 밴드형상의 절연성부재(350)를 단단히 감고 있다. 이절연성부재(350)의 재질로서는 예를 들면 불소고무와 같은 신축성재료를 들 수 있다.
그리고 도금액 도입관(341)으로부터 양극판(338)의 미세구멍(339)을 통하여 다공질 세라믹스판(340)에 가압공급된 도금액(310)은 다공질의 다공질 세라믹스판 (342) 내에 침투함과 동시에, 그 하면으로부터 토출한다. 이에 의하여 다공질 세라믹스판(342)의 내부 및 기판(W)과 다공질 세라믹스판(342) 사이의 공간은 도금액 (310)으로 채워진다. 또한 도금액(310)의 도입은 립시일(334)과 다공질 세라믹스판(340)의 끝면과의 간극으로부터 행하여도 좋다. 이 경우는 도금액 도입관(341)이나 양극판(338)의 미세구멍(339)은 불필요하다.
이 상태에서 양극판(338)과 기판(W) 사이에 소정의 전압을 인가하여 직류전류를 흘리면 기판(W) 도전층의 표면 전체에 도금(예를 들면 구리도금)이 행하여져 간다. 이 실시형태에 의하면 양극판(338)과 기판(W) 사이에 다공질 세라믹스판 (342)을 개재하고 있으므로 상기한 바와 같이 기판(W) 표면의 접점(336)으로부터의 거리의 상위에 의한 각 부의 저항치의 차에 의한 영향을 받기 어렵고, 기판(W) 도전층의 표면 전체에 대략 균일한 도금(예를 들면 구리도금)이 행하여져 간다.
그러나 접점(336)에 가까운 바깥 둘레부 근방부분은 그것으로도 전류밀도가 높아져 도금막 두께는 다른 부분에 비하여 두꺼워지는 경향에 있다.
그러므로 이 실시형태에 있어서는, 다공질 세라믹스판(342)의 바깥 둘레측면에 절연성부재(350)를 단단히 감으로써 도 45에 점선으로 나타내는 바와 같이 기판(W)의 바깥 둘레부 근방에 전류가 집중하는 것을 저해하여 그 전류밀도를 저하시켜 기판(W)의 다른 부분을 향하는 전류밀도와 대략 같아지도록 하고 있다.
도 46은 상기 방법을 사용하여 기판(W)에 구리도금을 행하였을 때의 기판(W)의 바깥 둘레부분 근방의 구리도금의 막두께를 측정한 결과를 나타내는 도면이다. 도 46에 나타내는 바와 같이 절연성부재(350)의 폭(L)(도 45참조)을 변경함으로써 기판(W)의 바깥 둘레부 근방의 구리도금의 막두께가 변화하는 것을 알 수 있다. 즉, 폭(L)이 길어지면 길어질 수록 기판(W)의 바깥 둘레부 근방의 전류밀도가 낮아져 도금막 두께가 얇아진다. 따라서 절연성부재(350)로서 소망의 폭(L)(예를 들면 L = 4 mm)을 가지는 것을 사용함으로써 기판(W)의 바깥 둘레부 근방의 도금막 두께를 다른 부분과 동일하게 할 수 있다. 이와 같이 절연성부재(350)는 폭(L)의 길이에 의해 다공질 세라믹스판(340)의 바깥 둘레측면의 차폐면적을 조정하는 것이나, 절연성부재(350)의 차폐면적의 조정은 폭(L)뿐만 아니라 차폐물 자체에 구멍을 뚫어 차폐면적을 조정하여도 좋다.
또한 본 발명은 반드시 기판(W)의 바깥 둘레부 근방의 도금막 두께를 다른 부분과 동일한 도금막 두께로 하는 경우에만 이용하는 것은 아니다. 예를 들면 기판(W)의 바깥 둘레부 근방의 도금막 두께를 다른 부분보다도 두껍게 하고 싶은 경우는 절연성부재(350)의 폭(L)을 작게 하면 좋고, 반대의 경우는 크게 하면 좋다. 즉, 이 실시형태에 의하면 기판(W)의 바깥 둘레부 근방의 도금막두께를 자유롭게 소망의 것으로 제어할 수 있다.
도 47은 본 발명의 또 다른 실시형태를 나타내는 도면이다. 이 실시형태에 있어서 상기 도 45에 나타내는 실시형태와 상위한 점은 밴드형상의 절연성부재(350)를 설치하는 대신에 다공질 세라믹스판(342)의 바깥 둘레에 가동식으로 통형상의 절연성부재(350a)를 설치한 점이다. 이 절연성부재(350a)는 절연성부재 유지구(351)의 하단에 설치되어 있다. 절연성부재 유지구(351)는 도시 생략한 상하이동 구동장치에 의해 상하이동 자유롭게 구성되어 있다. 이와 같이 구성하면 절연성부재(350a)의 위치를 상하이동시켜 다공질 세라믹스판(342)에 대한 상대위치를 변경시켜 다공질 세라믹스판(342)의 바깥 둘레측면의 노출면적을 조절함으로써 기판(W)의 바깥 둘레부 근방의 전류밀도를 임의로 제어할 수 있어 도 45에 나타내는 실시형태와 같이 기판(W)의 바깥 둘레부 근방의 도금막두께를 임의로 조정할 수 있다.
도 48은 본 발명의 또 다른 실시형태를 나타내는 도면이다. 이 실시형태에 있어서 상기 도 45에 나타내는 실시형태와 상위한 점은 밴드형상의 절연성부재 (350)를 설치하는 대신에 다공질 세라믹스판(342)의 바깥 둘레측면 자체에 절연재료를 도포 또는 침투시킴으로써 절연성부재(350b)를 설치한 점이다. 예를 들면 다공질 세라믹스판(342)의 바깥 둘레측면에 절연재료로서 유리나 수지 또는 실리콘 등을 침투시켜 절연성부재(350b)를 설치하고 있다. 이 경우 침투 폭 및 침투 깊이 분포를 조절함으로써 기판(W)의 바깥 둘레부 근방의 전류밀도를 임의로 제어할 수 있어 도 45에 나타내는 실시형태와 마찬가지로 기판(W)의 바깥 둘레부 근방의 도금막두께를 임의로 조정할 수 있다. 또한 모재(예를 들면 SiC)의 일부를 산화함으로써 전류밀도를 제어하는 것도 가능하다.
〔시일부재를 사용한 실시형태〕
도 49는 도 45에 나타내는 것과 동일한 구조의 전해도금장치의 다공질 세라믹스판(342)의 바깥 둘레부 근방부분을 나타내는 요부 개략도이다. 단, 이 전해도금장치에는 도 45에 나타내는 절연성부재(350)는 도시되어 있지 않다. 이 전해도금장치에 있어서는 유지부재(332)와 다공질 세라믹스판(340) 사이의 간극이 시일되어 있지 않으므로 화살표로 나타내는 바와 같이 이 유지부재(332)와 다공질 세라믹스판(340) 사이의 간극부분을 통하여 양극판(338)으로부터 도금액이 흘러 나와전류의 통로가 생긴다. 이 전류통로는 다공질 세라믹스판(340)의 내부를 지나지 않는 통로이기 때문에 저항치가 낮고, 따라서 전류밀도가 높아져 기판(W)의 바깥 둘레부 근방의 도금막두께를 얇게 하려고 하는 제어를 할 수 없게 될 염려가 있다.
따라서 이 실시형태에 있어서는, 도 50a에 나타내는 바와 같이 상기 다공질세라믹스판(340)과 유지부재(332) 사이에 시일부재(360)를 설치함으로써 이 부분으로부터의 도금액의 누설을 방지하여 기판(W)의 바깥 둘레부 근방의 도금막두께를 얇게 제어할 수 있도록 하고 있다.
또한 이 실시형태에 있어서의 시일부재(360)는 단면 역 L자형상으로 형성되어 있고, 또한 절연물에 의해 구성되기 때문에 도 45에 나타내는 절연성부재로서의 작용도 아울러 가지고 있다. 또 시일부재(360)는 도 50b에 그 단면을 나타내는 바와 같이 유지부재(332)와 다공질 세라믹스판(340)의 하면이 접하는 부분을 시일하는 고리형상의 시일부재부(360a)와, 도 45에 나타내는 밴드형상의 절연성부재(350)와 동일한 기능을 발휘하는 절연성부재부(360b)를 다른 부품으로서 각각 설치함으로써 구성하여도 좋다.
또한 이 시일부재(360)는 도 45에 나타내는 이 외의 각 실시형태에도 적용할 수 있음은 물론이다. 즉 고저항구조체(340)의 바깥 둘레측면과 유지부재(332) 사이로부터의 도금액의 누설을 방지하는 시일부재(360)를 다른 각종 실시형태에 관한 전장제어수단과 병용함으로써 더욱 효과적인 전장제어를 행할 수 있다.
〔전장상태제어수단으로서 양극과 기판 사이의 전류밀도를 높게 하고자 하는 부분에 고저항 구조체가 개재하지 않는 부분을 설치하는 실시형태〕
도 51은 또 다른 실시형태의 전해도금장치의 개략구성도이다. 도 51에 있어서는 도 45에 나타내는 실시형태와 상위하여 고저항구조체(340)의 바깥 둘레에 절연성부재(350)를 설치하지 않고 그 대신에 고저항구조체(340) 자체의 형상 자체를 변경함으로써 도금막두께의 제어를 행하고 있다.
도 52a 내지 도 52d는 도 51에 나타내는 전해도금장치에 사용하는 고저항구조체(340)의 평면도이다. 즉 이 실시형태에 있어서의 고저항구조체(340)는 예를 들면 다공질 세라믹스판(342)이고, 도 52a에 나타내는 바와 같이 다공질 세라믹스판(342)의 바깥 둘레형상을 다각형으로 하거나 도 52b에 나타내는 바와 같이 소정의 간격마다 슬릿(365)을 설치하거나, 도 52c에 나타내는 바와 같이 물결형(또는 기어형)으로 하거나 하고 있다. 이에 대하여 양극판(338)과 기판(W)은 일점쇄선으로 나타내는 바와 같이 원형이므로 기판(W)의 바깥 둘레 부근에는 다공질 세라믹스판(340)을 개재하는 일 없이 도금액(310)만이 개재하여 양극판(338)과 대향하는 부분이 생기게 되어 다공질 세라믹스판(340)이 개재하는 부분에 비하여 양극판(338)과 기판(W) 사이의 전기저항이 저하하여 기판(W) 바깥 둘레부의 전류밀도가 높아진다. 따라서 이들 실시형태의 경우는 기판(W) 바깥 둘레부근의 도금막두께를 중앙부근의 도금막두께에 비하여 두껍게 하고 싶은 경우에 이용할 수 있다.
또 기판(W)의 중앙부분 등, 기판(W)의 바깥 둘레부분 이 외의 다른 부분의 도금막두께를 두껍게 제어하고자 하는 경우는 도 52d에 나타내는 바와 같이 다공질세라믹스판(342)의 내부에 구멍(366)을 설치함으로써 양극판(338)과 기판(W) 사이에 다공질 세라믹스판(342)이 개재하지 않은 부분을 설치하도록 하면 좋다.
또 도 51에 나타내는 전해도금장치에 있어서, 기판(W)을 회전함으로써 기판(W)의 전면에 걸쳐 균일한 막두께의 도금을 행할 수 있다. 기판(W)의 회전 대신에 또는 기판(W)의 회전과 함께 유지부재(332)측을 회전시켜도 좋다. 또 기판 (W) 및/또는 유지부재(332)를 회전시켜도 좋음은 도 51에 나타내는 예에 한정되는 것이 아니다.
〔전장상태제어수단으로서 고저항구조체의 두께에 분포를 가지게 한 실시형태〕
도 53은 본 발명의 또 다른 실시형태의 전해도금장치의 개략구성도이다. 도 53에 나타내는 전해도금장치에 있어서는, 고저항구조체(342)의 두께에 2차원적 분포를 가지게 하고, 이에 의하여 기판(W)의 표면에 있어서의 전류밀도분포가 소망의 것이 되도록 제어하여 도금막두께를 제어하고 있다. 즉 이 실시형태에 있어서 고저항구조체(340)는 예를 들면 다공질 세라믹스판(342)이고, 다공질 세라믹스판 (342)을 원형으로서 중심부의 두께가 주변부의 두께보다도 얇아지도록 구성하고 있다. 이와 같이 구성하면 중앙부에 있어서의 양극판(338)과 기판(W) 사이의 저항치를 주변부의 저항치보다도 낮게 할 수 있으므로 상기한 바와 같이 중심에 가까울 수록 얇아지는 경향의 도금막두께를 균일하게 되도록 제어할 수 있다.
도 54는 다공질 세라믹스판(40)으로서 두께가 균일한 것과, 두께가 도 53에 나타내는 바와 같은 분포를 가지는 것을 사용하여 기판(W) 위에 도금을 행하였을 때의 도금막두께의 측정치를 비교하여 나타내는 도면이다. 도 54 내지 도 53에 나타내는 다공질 세라믹스판(342)을 사용한 쪽이 기판(W) 위의 도금막두께의 균일화가 도모되는 것을 알 수 있다. 또 도 55에 나타내는 바와 같이 도 53에 나타내는 다공질 세라믹스판(342)을 반대방향 구조로 하여 설치하여도 동일한 효과가 얻어진다.
마찬가지로 도 56에 나타내는 바와 같이 다공질 세라믹스판(342) 중앙의 두께쪽을 주변부의 두께보다도 두껍게 하고, 이에 의하여 주변부의 도금막두께쪽을 중앙부보다도 두껍게 하도록 하여도 좋고, 도 57에 나타내는 바와 같이 다공질 세라믹스판(342)에 관통구멍(367)을 설치함으로써 관통구멍(367)을 설치한 부분의 도금막두께를 다른 부분에 비하여 두껍게 하도록 하여도 좋다. 또 도 58에 나타내는 바와 같이 다공질 세라믹스판(342)의 바깥 둘레 모서리부를 모따기형상으로 하여 둘레 가장자리부의 두께를 얇게 하여 다른 부분보다도 전기저항을 저하시킴으로써 기판(W)의 바깥 둘레 근방의 도금막두께를 다른 부분보다도 두껍게 하도록 하여도 좋다. 중요한 것은 고저항구조체(342)의 두께(두께= 0도 포함시킴)에 분포를 가지게 함으로써 각 부의 도금막두께를 소망의 것으로 제어하는 것이면 좋다.
〔전장상태제어수단으로서 다공질물질의 기공구조에 분포를 가지게 한 실시형태〕
도 59는 본 발명의 또 다른 실시형태의 전해도금장치의 개략구성도이다. 도 59에 나타내는 전해도금장치에 있어서는 고저항구조체(340)로서 기공구조가 2차원분포는 3차원분포를 가지는 다공질물질(예를 들면 포러스세라믹스)(342a)을 사용하고 있다. 다공질물질(342a)은 기공의 지름이나 수, 배열상태 등에 의해 그 내부에 유지하는 도금액의 양이나 유지상태가 다르고, 이에 의하여 저항치가 상위하다. 그러므로 이 실시형태에 있어서는 중앙부근의 기공구조(C1)를 바깥 둘레부근의 기공구조(C2)와 다르게 하여 중앙부근의 기공구조(C1)쪽이 저저항이 되도록 하고 있다. 이와 같이 구성하면 중앙부근의 전류밀도가 증대하여 그 부분의 도금이 형성되기 쉬워진다. 물론 반대로 바깥 둘레부근의 기공구조(C2)쪽이 저저항이 되도록 구성하여 바깥 둘레부근의 도금막두께를 두껍게 하도록 할 수도 있다. 또 3종류 이상의 기공구조를 사용하여 더욱 복잡한 도금막두께의 제어를 행하여도 좋다.
기공구조에 분포를 부여하는 방법으로서는, 도 59에 나타내는 바와 같이 다공질물질(342a)의 일체성형시에 분포를 부여하는 방법이나, 도 60a 및 도 60b에 나타내는 바와 같이 다공질물질(342a) 중의 기공구조가 다른 부분(C1, C2)을 각각 성형하고, 그 후 조립에 의해 일체화하는 방법 등이 있다.
기공구조의 요소로서는 기공지름(예를 들면 50 내지 400㎛의 범위에서 지름을 다르게 함), 연속기공율(기포끼리가 연결되어 있는 정도… 연결되어 있는 쪽이 저항치가 작아짐), 굴곡율(연결되어 있는 기공의 두께방향의 구부러짐상태… 구부러짐이 적은 쪽이 저항치는 작아짐) 등이 있다.
기공구조를 다르게 하기 위해서는 예를 들면 그 재질 자체를 다르게 하여도 좋다(예를 들면 수지계 재료와 세라믹스계 재료 등). 또 다공질물질(342a)의 기공율의 분포를 제어하는 수단으로서 다공질물질(342a)(여기서는 포러스세라믹스)의 표면 또는 내부의 적어도 일부의 구멍을 막는 처리를 하는 (수지나 실라놀계의 도포형 절연막을 사용한, 모재의 SiC를 일부 산화하는 등)방법도 있다. 또 면 균일하게 구멍을 막는 처리를 한 후에 일부의 막은 구멍부를 개공하여 면내의 기공분포를 바꾸는 방법도 있다.
또 다공질물질(342a)의 재료로서는 도 61a 및 도 61b에 나타내는 바와 같은 이방성 구조재료도 있다. 즉 도 61a에 나타내는 방향성 다공질구조재료나, 도 61b에 나타내는 섬유형 다공질구조재료 등이다. 이들 이방성 구조재료를 구성하는 재질로서는 수지나 세라믹스 등이 있다. 이들 이방성 구조재료는 특정방향으로 기공이 연결되어 있어 특정방향으로 전류가 흐르기 쉽게 되어 있고(다른 방향으로는 전류가 흐르기 어렵게 되어 있음), 전류밀도의 제어성을 향상할 수 있다. 그리고 다공질물질(342a)의 중앙부근의 기공구조(C1)와 바깥 둘레부근의 기공구조(C2)를 이 이방성 구조재료를 사용하여 다르게 함으로써 기판(W) 표면에 인가되는 전류밀도분포를 소망의 것으로 하도록 할 수 있다.
이상 본 발명의 실시형태를 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니라, 청구범위 및 명세서와 도면에 기재된 기술적사상의 범위내에 있어서 여러가지의 변형이 가능하다. 또 직접 명세서 및 도면에 기재가 없는 어느 형상이나 재질이더라도 본원 발명의 작용·효과를 나타내는 이상, 본원 발명의 기술적사상의 범위내이다.
예를 들면 상기 실시형태에서는 본 발명을 이른바 페이스업방식의 전해도금장치에 적용한 예를 나타내었으나, 도 62에 나타내는 바와 같은 이른바 페이스다운방식의 전해도금장치에도 적용가능하다. 즉 이 전해도금장치는 도금액(310)을 유지하는 컵형상의 도금탱크(312)를 구비하고, 이 도금탱크(312)의 바닥부에 원판형상의 양극판(314)을 설치하고, 그 위에 원판형상의 고저항구조체(324)를 설치하고, 도금탱크(312)의 주위에 이 도금탱크(312)의 상부로부터 흘러 넘친 도금액(310)을 회수하는 도금액받이(316)를 배치하고, 다시 도금탱크(312)의 상부에 설치한 립시일(318)의 위에 기판(W)을 얹어 기판(W)의 하면 바깥 둘레에 접점(320)을 접촉시켜 구성되어 있다.
그리고 양극판(314)의 중앙에 설치한 관통구멍(314a)과 고저항구조체(24)의 중앙에 설치한 작은 구멍(324a)을 거쳐 도금액을 순환시키면서 양극판(314)과 기판 (W) 사이에 전압을 인가하여 전류를 흘리면 기판(W)의 하면 위에 도금층이 형성되어 간다.
그리고 상기 각 실시형태와 같이 고저항구조체(324)의 바깥 둘레에 절연성부재를 설치하거나, 두께를 바꾸거나, 기공구조를 바꾸거나 함으로써 기판(W) 위에 형성되는 도금막두께의 분포를 소망의 분포로 할 수 있다.
또 본 발명은 도 63에 나타내는 바와 같이 밀폐식의 전해도금장치에도 적용가능하다. 즉 이 전해도금장치는 상자형의 도금탱크(350)를 가지고, 이 도금탱크 (350)의 한쪽의 개구단은 양극판(352)으로 폐쇄되고, 다른쪽의 개구단은 기판(W)을도금탱크(350)측에 유지한 덮개체(354)로 개폐 자유롭게 폐쇄되도록 되어 있다. 기판(W)과 양극판(352) 사이에는 고저항구조체(376)로서 2매의 메시(362a, 362b)에 의해 유지된 2매의 격막(360a, 360b)에 의해 끼워진 고저항 전해액실(368)을 구획형성한 것이 설치되어 있다.
그리고 도금실(364)에 도금액(370)을, 전해액실(366)에 전해액(도금액)(372)을 각각 도입하고 순환시키면서 양극판(352)과 기판(W) 사이에 전압을 인가하여 전류를 흘리면 기판(W)에 도금층이 형성되어 간다.
그리고 상기 각 실시형태와 같이 고저항구조체(376)의 면 위에 절연성부재를 설치하거나 메시(362a, 362b)의 면을 가공하여 고저항 전해액실(368)의 두께 등의 형상을 바꿈으로써 기판(W) 위에 형성되는 도금막두께의 분포를 소망의 분포로 할 수 있다.
또 격막(360a, 360b)의 종류로서는 강산성 카티온이온교환막, 예를 들면 도쿠야마제 CMS나 듀퐁사제 N-350 등을 사용하는 것이 일반적이나, 카티온이온의 선택성을 바꾸는 또는 애나이언이온교환막, 비이온교환막으로 하여도 좋다. 고저항 전해액실(368) 중의 전해질로서는(50 내지 200g/ℓ) H2SO4가 일반적이나, 임의의 농도를 선택하거나 전해질은 황산으로서 한정되는 것이 아님은 당연하다.
또 본 발명은 또 다른 각종 구조의 전해도금장치(페이스업, 페이스다운의 어느 방식도 포함함)에도 적용할 수 있음은 물론이다. 또한 상기 각 실시형태에서는 본 발명을 전해도금장치에 적용한 예를 나타내었으나, 그 대신에 기판을 양극으로하여 행하는 전해 에칭장치에 적용하여도 좋다.
또 상기 각 실시형태에 있어서는 피처리기판으로서 원형의 것을 사용하고, 전계분포도 모두 동심원형상의 것을 나타내었으나, 피처리기판은 원형 이 외의 각종 형상의 것이어도 좋고, 또 전계분포도 필요에 따라 비동심원형상의 것이어도 좋다. 예를 들면 피처리기판으로서 LCD 등의 판형상(원형 이 외의 형상을 포함함)의 것을 사용하여도 좋고, 또 음극접점(336)은 링형상이 아니라, 일 방향으로부터 피처리기판에 접촉하는 것이어도 좋다. 또 음극접점(336)은 피처리기판의 바깥 둘레이 외의 위치에 접촉시켜도 좋다.
이와 같이 피처리부재 표면의 전장의 상태가 소망의 상태가 되도록 적극적으로 제어함으로써 피처리부재의 전해처리에 의한 처리상태를 목적으로 하는 면내 분포의 처리상태로 할 수 있다.
〔양극판(전극)(438)의 전해액 도입구멍(도금액 도입구멍)(439) 내부에 관 (445)을 삽입한 실시형태〕
도 64는 발명의 또 다른 실시형태의 전해도금장치의 개략구성도이다. 즉 이 전해도금장치는 이른바 페이스업방식을 채용한 전해도금장치로서, 기판(W)은 상향으로 하여 기판탑재대(430) 위에 적재되고, 기판(W) 표면의 주변에는 링형상으로 형성된 립시일(434)의 선단이 맞닿아 시일되어 있다. 또 기판(W) 표면의 립시일 (434)의 바깥쪽에는 기판(W) 표면의 도전층에 접촉하여 기판(W)에 음극전위를 인가하는 접점(436)이 설치되어 있다. 기판(W)의 위쪽에는 소정의 간격을 거쳐 원판형상의 다공체(440)와 원판형상의 양극판(438)이 유지부재(432)에 유지되고 설치되어있다. 여기서 양극판(438)에는 두께방향으로 관통하는 다수의 도금액 도통구멍 (439)이 설치되고, 양극판(438)의 위에는 도금액을 분배하여 공급하는 도금액 도입관(441)이 설치되어 있다.
한편 다공체(440)는 다공질 세라믹스재나 다공질 수지재에 의해 구성되어 있고, 이 예에서는 예를 들면 기공율 20%, 평균 포어지름 50㎛의 SiC 제(물론 다른 각종 재질에 의해 구성하여도 좋으나, 포어지름 20 내지 300㎛, 기공율 10 내지 95%의 것이 바람직하다)로 내부에 도금액(410)을 함유하여 자기 유지함으로써 전기는 도통하나 도금액(410)보다도 작은 전기전도율이 되도록 구성되어 있다. 또 양극판 (438)은 유지부재(432)와 다공체(440)에 의해 완전히 피복된 구조로 되어 있다.
그리고 본 실시형태에 있어서는 도금액 도입관(441) 자체에 이것과 연통하는 관(445)을 설치하고, 이 관(445)을 양극판(438)의 도금액도통구멍(439) 내에 삽입하여 그 선단을 다공체(440) 표면에 맞닿도록 하고 있다. 즉 이 실시형태에 있어서는 도금액(410)을 양극판(438)에 전혀 접촉하는 일 없이 다공체(440) 표면에 공급할 수 있다. 이 도금액도입관(441)과 관(445)은 도금액에 의해 아무런 영향을 받지 않는 재질의 합성수지에 의해 일체로 형성되어 있다.
그리고 도금액도입관(441)으로부터 관(445)을 통하여 직접 다공체(440) 표면에 공급된 도금액은 다공체(440) 내를 약간 확산하면서 기판(W) 표면에 도달하고, 기판(W)과 다공체(440) 표면 사이에 원형의 액기둥(R)을 복수개 형성하고, 복수의 액기둥(R)이 기판(W) 위에서 서로 결합하여 기판(W) 위를 도금액으로 채워 간다.
그리고 이 도금공정을 반복하여도 경시적으로 관(445) 선단의 내경이 넓어지는 일은 없으므로 이상적인 액기둥(R)이 경시적으로 무너지는 일은 없고, 따라서 액기둥(R)의 결합의 흩어짐에 의한 공기의 말려 듦은 생기지 않아 기포가 다공체 (440)와 기판(W) 사이에 퇴적하는 일은 없고, 도금막두께가 불균일하게 되는 일은 없다.
도 65는 본 발명의 또 다른 실시형태의 전해도금장치의 개략구성도이다. 이 전해도금장치에 있어서 상기 도 64에 나타내는 실시형태와 서로 다른 점은 도금액도입관(441)에 이것과 일체로 관(445)을 형성하는 대신에 양극판(438)의 도금액도통구멍(439) 내에 별도로 제작한 관(447)을 삽입한 점이다. 이 경우도 관(447)을 도금액에 의해 아무런 영향을 받지 않는 재질의 것으로 구성하고, 그 선단(하단)을 다공체(440)의 상면에 맞닿도록 한다.
이와 같이 구성하여도 도 64에 나타내는 실시형태와 마찬가지로 도금액은 양극판(438)에 직접 닿는 일은 없고, 가령 도금공정을 반복하여 행하여도 경시적으로 관(447) 선단의 내경이 넓어지는 일은 없다. 따라서 다공체(440)로부터 공급되는 액기둥(R)이 경시적으로 무너지는 일은 없고, 항상 이상적인 상태를 유지하여 공기의 말려 듦은 생기지 않는다.
〔다공체(440) 내에 전해액 통로부를 설치한 실시형태〕
도 66은 본 발명의 또 다른 실시형태의 전해도금장치의 개략구성도이다. 이 전해도금장치에 있어서는 도 64에 나타내는 도금액도입관(441)은 설치하지 않고, 유지부재(432)에 의해 양극판(438)과 다공체(440)(440a, 440b)를 유지하고 있다.그리고 양극판(438)과 다공체(440) 사이에 액고임부(450)를 설치하고 있다. 즉 양극판(438)에는 도 64에 나타내는 바와 같은 복수개의 가느다란 도금액 도통구멍 (439)은 설치하지 않고, 그 중앙에 하나의 굵은 도금액공급부(455)를 설치하고 있다.
한편 다공체(440)는 그 상하 2개의 부재[상부 다공체(440a)와 하부 다공체 (440b)]를 겹치게 함으로써 구성되어 있다. 그리고 상부 다공체(440a)에는 복수개의 가느다란 상하면에 도달하는 전해액 통로부(457)가 설치되어 있다. 이 전해액 통로부 (457)는 전해액 통로부(457)가 되는 부분을 저밀도(기공율이 높음)의 기공구조의 것으로 구성하고, 그것 이 외의 부분 전체를 고밀도의 기공구조의 것으로 구성함으로써 형성되어 있다. 또 하부 다공체(440b)는 그 전체를 저밀도의 기공구조의 것으로 구성하고 있다.
이와 같이 구성하여 양극판(438)의 도금액공급부(455)로부터 도금액을 공급하면 도금액(410)은 먼저 액고임부(450)에 충만된 후, 주로 저항이 적은 전해액 통로부(457)를 통하여 하부 다공체(440b)의 표면에 도달하고, 다시 하부 다공체 (440b)의 내부를 확산하면서 기판(W) 표면에 도달하여 기판(W)과 하부 다공체 (440b)의 표면 사이에 원형의 액기둥(R)을 복수개 형성하고, 복수의 액기둥(R)이 서로 결합하여 기판(W) 위에서 결합하여 공기를 배제하면서 기판(W) 위를 도금액으로 채워 간다.
그리고 이 도금공정을 반복하여 행하여도 경시적으로 전해액 통로부(457)의 선단의 내경이 넓어지는 일은 없으므로 이상적인 액기둥(R)이 경시적으로 무너지는일은 없고, 따라서 액기둥(R)의 결합의 흩어짐에 의한 공기의 말려 듦은 생기지 않아 기포가 하부 다공체(440b)와 기판(W) 사이에 퇴적하여 도금막두께가 불균일하게 되는 일은 없다.
도 67은 본 발명의 다른 실시형태에 관한 전해도금장치의 개략구성도이다. 이 전해도금장치에 있어서 상기 도 66에 나타내는 실시형태와 상위한 점은 다공체 (440)의 구조뿐이다. 즉 이 다공체(440)에 있어서는 그 내부에 구멍으로 이루어지는 전해액 통로부(459)를 설치하고 있다. 이 전해액 통로부(459)는 다공체(440)의 상면중앙에 설치한 주통로(461)로부터 다수개의 갈래로 나뉘어 형성되어 있다. 각 전해액 통로부(459)의 선단은 다공체(440)의 내부에서 종료하고 있다.
그리고 양극판(438)의 도금액공급부(455)로부터 도금액을 공급하면 도금액 (410)은 먼저 액고임부(450)에 충만된 후, 다공체(440)의 주통로(461)로부터 각 전해액 통로부(459)에 도입되고, 그 하단으로부터 다공체(440)의 내부를 확산하면서 기판(W) 표면에 도달하고, 기판(W)과 다공체(440) 표면 사이에 원형의 액기둥(R)을 복수개 형성하고, 복수의 액기둥(R)이 서로 결합하여 기판(W) 위에서 결합하여 기판(W) 위를 도금액으로 채워 간다.
그리고 이 도금공정을 반복하여 행하여도 경시적으로 전해액 통로부(459)의 선단의 내경이 넓어지는 일은 없으므로 이상적인 액기둥(R)이 경시적으로 무너져 가는 일은 없고, 따라서 액기둥(R)의 결합의 흩어짐에 의한 공기의 말려 듦은 생기지 않아 기포가 다공체(440)와 기판(W) 사이에 퇴적하여 도금막두께가 불균일하게 되는 일은 없다.
또 전해액통로부(459)의 선단(바닥면)의 위치를 조정함으로써 전해액 통로부 (459)의 선단으로부터 다공체(440) 하면까지의 거리를 짧게 할 수 있어 이에 의하여 다공체(440)를 도금액이 통과할 때의 저항을 줄일 수 있고, 따라서 가령 다공체 (440)로서 두께가 두꺼운 것이나 밀도가 높은 (기공율이 낮음)것을 사용한 경우에도 액채움시의 도금액의 다공체(40) 통과저항을 작게 할 수 있어 그 결과 다공체 (440)의 소정위치로부터 적정량의 도금액을 내보낼 수 있다. 따라서 이 점으로부터도 액기둥(R)의 결합의 흩어짐에 의한 공기의 말려 듦은 생기지 않아 기포가 다공체(440)와 기판(W) 사이에 퇴적하여 도금막두께가 불균일하게 되는 일은 없다.
또한 이 다공체(440)에 구멍으로 이루어지는 전해액 통로부(459)를 형성하는 것은 곤란하므로 다공체(440)를 도 67에 나타내는 A, B 선으로 상하에 3개의 부분으로 분할한 것을 제작하고, 이것을 접합고정함으로써 일체화하여 구성하여도 좋다.
〔양극판(438)의 도금액 도입구멍(전해액 도입구멍)(439) 내부에 관을 삽입함과 동시에 다공체(440) 내에 전해액 통로부(459)를 설치한 실시형태〕
도 68은 본 발명의 또 다른 실시형태의 전해도금장치의 개략구성도이다. 이 전해도금장치에 있어서는 도 64에 나타내는 실시형태와 마찬가지로 합성수지제(도금액에 의해 침범되지 않는 재질제)의 도금액도입관(441) 자체에 이것과 연통하는 관(445)을 설치하고, 이 관(445)을 양극판(438)의 도금액도통구멍(439) 내에 삽입하여 그 선단을 다공체(440) 표면에 맞닿게 함과 동시에, 다공체(440)의 관(445)이 맞닿는 부분에 관통하지 않는 미세 구멍으로 이루어지는 전해액 통로부(459)를 설치하고 있다.
그리고 도금액도입관(441)으로부터 관(445)을 통하여 직접 다공체(440)의 전해액 통로부(459) 내에 공급된 도금액은, 전해액 통로부(459)의 바닥면으로부터 다공체(440) 내로 약간 확산하면서 침투하여 기판(W) 표면에 도달하고, 기판(W)과 다공체(440) 표면 사이에 원형의 액기둥(R)을 복수개 형성하고, 복수의 액기둥(R)이 서로 기판(W) 위에서 결합하여 기판(W) 위로부터 공기를 밀어내면서 도금액으로 채워 간다.
그리고 이 도금공정을 반복하여 행하여도 경시적으로 관(445) 선단의 내경과 전해액 통로부(459)의 바닥면의 내경이 넓어지는 일은 없기 때문에 이상적인 액기둥(R)이 경시적으로 무너지는 일은 없고, 따라서 액기둥(R)의 결합의 흩어짐에 의한 공기의 말려 듦은 생기지 않아 기포가 다공체(440)와 기판(W) 사이에 퇴적하여 도금막두께가 불균일하게 되는 일은 없다.
동시에 전해액 통로부(459)를 설치한 길이 분만큼 다공체(440)내를 도금액이 통과할 때의 통과저항이 감소하므로 가령 다공체(440)로서 두께가 두꺼운 것이나 밀도가 높은 (기공율이 낮음)것을 사용한 경우에도 액채움시에는 다공체(440)의 소정위치로부터 적정량의 도금액을 내보낼 수 있어 이 점으로부터도 액기둥(R)의 결합의 흩어짐에 의한 공기의 말려 듦은 생기지 않아 기포가 다공체(440)와 기판 (W) 사이에 퇴적하여 도금막두께가 불균일하게 되는 일은 없다.
도 69는 본 발명의 또 다른 실시형태의 전해도금장치의 개략구성도이다. 이 전해도금장치에 있어서 상기 도 68에 나타내는 실시형태와 다른 점은 도금액도입관(441)에 이것과 일체로 관(445)을 설치하는 대신에 양극판(438)의 도금액도통구멍 (439)과 다공체(440)에 설치한 전해액 통로부(459) 내에 별도로 제작한 관(447)을 삽입한 점이다. 이 경우도 관(447)을 도금액에 의해 조금도 영향을 받지 않는 재질로 구성한다.
이와 같이 구성하여도 도 68에 나타내는 실시형태와 마찬가지로 가령 도금공정을 반복하여 행하여도 경시적으로 관(447) 선단의 내경이 넓어지는 일은 없고, 이상적인 액기둥(R)이 경시적으로 무너지는 일은 없고, 따라서 액기둥(R)의 결합의 흩어짐에 의한 공기의 말려 듦은 생기지 않아 기포가 다공체(440)와 기판(W) 사이에 퇴적하여 도금막두께가 불균일하게 되는 일은 없다. 동시에 관(447)이 다공체 (440) 내에 돌입하고 있기 때문에 다공체(440)를 도금액이 통과할 때의 저항이 줄고, 가령 다공체(440)로서 두께가 두꺼운 것이나 밀도가 높은 (기공율이 낮음) 것을 사용한 경우에도 다공체(440)의 소정위치로부터 적정량의 도금액이 공급되어 액기둥(R)의 결합의 흩어짐에 의한 공기의 말려 듦은 생기지 않아 기포가 다공체(440)와 기판(W) 사이에 퇴적하여 도금막두께가 불균일하게 되는 일은 없다.
〔다공체(440)의 장소에 따라 도금액이 다공체(440)를 통과하는 통과저항을 다르게 한 실시형태〕
도 70은 본 발명의 또 다른 실시형태의 전해도금장치의 개략구성도이다. 이 전해도금장치는 도 64에 나타내는 실시형태와 마찬가지로 합성수지제의 도금액도입관(441) 자체에 이것과 연통하는 관(445)을 설치하나, 도 64와 달리 양극판(438)과 다공체(440)의 접합면 중앙에 있어서 양극판(438)측을 돌출하고, 다공체(440)측을오목하게 한 형상으로 하고 있다. 이와 같이 구성하면 중앙 부근의 관 (445)으로부터 공급되는 도금액은 적은 통과저항으로 다공체(440)의 하면으로부터 공급되기 때문에 그 공급량이 다른 부분에 비하여 많아진다. 즉 장소에 따라 소망의 도금액이 나오지 않는 경우는 그 부분의 다공체(440)의 도금액의 통과저항을 작게 하여 그 부분으로부터도 소망의 도금액이 나오도록 하여[도금액의 적정량은 다공체(440)의 장소에 따라 다른 경우도 있음) 이에 의하여 액기둥(R)의 결합의 흩어짐을 방지하여 공기의 말려 듦을 방지하고, 기포가 다공체(440)와 기판(W) 사이에 퇴적하여 도금막두께가 불균일하게 되는 것을 방지한다.
이와 같은 조정은 예를 들면 도 68이나 도 69에 나타내는 전해액 통로부 (459)의 바닥부의 위치를 각각의 전해액 통로부(459)에 있어서 다르게 한 것에 의해서도 달성할 수 있다. 즉 장소에 따라서 도금액이 다공체(440)를 통과하는 통과저항을 다르게 함으로써 다공체(440)의 각 부로부터 공급되는 도금액의 공급량을 변경할 수 있어 최적의 도금액의 채움상태를 선택할 수 있다.
상기 각 실시형태에서는 전해도금장치에 적용한 예를 나타내었으나, 그 대신에 기판을 양극로 하여 행하는 전해 에칭장치에 적용하여도 좋다.
이상 상세하게 설명한 바와 같이 전해액을 전해액 함침재 내에 공급하여 전해액 함침재의 반대측으로부터 공급함으로써 전해액 함침재와 피처리기판 사이에 채우는 구조의 전해처리장치이더라도 전해액 함침재와 피처리기판 사이에 기포가 말려 들어 퇴적하는 일은 없어 이상적인 액채움이 행하여져 소망의 전해처리가 얻어진다는 우수한 효과를 가진다.
본 발명은 기판의 도금장치 및 방법에 관한 것으로, 특히 반도체기판에 형성된 미세 배선패턴(오목부)에 구리(Cu) 등의 금속을 충전하는 등의 용도의 기판의 도금방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명에 의하면 도금처리 및 그것에 부대하는 처리를 단일의 유닛으로 행할 수 있고, 또한 기판의 피도금면과 애노드 사이에 채워지는 도금액 중에 기포가 남지 않도록 할 수 있다.

Claims (49)

  1. 피도금면을 위쪽을 향하여 기판을 유지하는 기판유지부와;
    상기 기판과 접촉하여 통전시키는 캐소드전극과;
    상기 기판의 피도금면의 위쪽에 배치된 애노드와;
    상기 기판유지부로 유지된 기판의 피도금면과 그 피도금면에 근접시킨 상기 애노드 사이의 공간에 도금액을 주입하는 도금액 주입수단을 가지는 것을 특징으로 하는 기판의 도금장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 전극아암부의 애노드의 하면에는 보수성재료로 이루어지는 도금액 함침재가 밀착유지되어 있는 것을 특징으로 하는 기판의 도금장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    캐소드부를 가지고, 그 캐소드부의 옆쪽에 도금액 트레이가 배치되고, 상기 전극애노드는 상기 캐소드부와 도금액 트레이 사이를 이동 자유롭게 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판의 도금장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    캐소드부를 가지고, 그 캐소드부의 옆쪽에는 상기 기판유지부로 유지된 기판의 피도금면을 향하여 전처리액이나 세정액, 기체 등을 분사하는 복수의 노즐이 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판의 도금장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    캐소드부를 가지고, 상기 기판유지부는 아래쪽의 기판수수위치와, 위쪽의 상기 기판의 피도금면의 둘레 가장자리부가 상기 캐소드부에 맞닿는 도금위치와, 그 중간의 전처리·세정위치 사이를 승강 자유롭게 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판의 도금장치.
  6. 위쪽을 향하여 캐소드전극과 도통시킨 기판의 피도금면의 둘레 가장자리부를 수밀적으로 시일하고, 이 피도금면의 위쪽에 애노드를 근접시켜 배치하여 피도금면과 애노드 사이의 수밀적으로 시일된 공간에 도금액을 주입하는 것을 특징으로 하는 기판의 도금방법.
  7. 청구항 6에 기재된 도금을 행한 후, 도금액회수 노즐에 의해 도금의 잔류액을 회수하는 것을 특징으로 하는 기판의 도금방법.
  8. 청구항 6에 기재된 도금방법에 있어서, 도금을 행하기 전 프리코팅·회수아암을 기판에 대치하는 위치로 이동시켜 프리코팅 노즐로부터 프리코팅액을 공급하여 프리코팅처리를 행하는 것을 특징으로 하는 기판의 도금방법.
  9. 제 6항에 있어서,
    상기 피도금면과 애노드 사이의 공간에 보수성재료로 이루어지는 도금액 함침부재를 배치하고, 이 부재에 도금액을 포함시키는 것을 특징으로 하는 기판의 도금방법.
  10. 기판유지부로 기판을 유지하고, 그 기판의 피도금면의 위쪽에 배치된 애노드와, 그 기판과 접촉하여 통전시키는 캐소드전극을 구비하고, 상기 피도금면과 애노드 사이의 공간에 보수성재료로 이루어지는 도금액 함침부재를 배치하여 도금을 행하는 것을 특징으로 하는 기판의 도금장치.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 도금액 함침부재는 고저항구조체인 것을 특징으로 하는 기판의 도금장치.
  12. 제 10항에 있어서,
    상기 도금액 함침부재는 세라믹스로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판의 도금장치.
  13. 상기 도금액 함침부재는 기판의 피도금면에 접촉시키지 않은 상태에서 상기도금액 함침부재와 상기 기판의 피도금면 사이의 간극에 도금액을 채운 상태로 도금을 행하는 것을 특징으로 하는 기판의 도금장치.
  14. 기판유지부로 기판을 유지한 상태에서 도금처리, 세정·건조처리를 각 동작위치에 대응시켜 승강시킴으로써, 단일의 유닛으로 처리를 행하는 것을 특징으로 하는 기판의 도금장치.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 기판의 도금장치는 상기 기판의 피도금면의 위쪽에 배치된 애노드와, 상기 기판과 접촉하여 통전시키는 캐소드전극을 구비하고, 상기 피도금면과 상기 애노드 사이의 공간에 보수성재료로 이루어지는 도금액 함침부재를 배치한 것을 특징으로 하는 기판의 도금장치.
  16. 기판을 수납하는 로드·언로드부로부터 기판을 반송로봇으로 인출하여 도금유닛의 내부에 반송하고, 상기 유닛 내의 기판유지부로 기판을 유지하고, 상기 기판유지부로 기판을 유지한 상태에서 도금처리, 세정·건조처리를 각 동작에 대응시켜 승강시킴으로써 단일의 유닛으로 처리를 행하는 것을 특징으로 하는 기판의 도금방법.
  17. 기판을 수납하는 로드·언로드부와, 도금처리 및 그 부대처리를 단일의 유닛으로 행하는 도금유닛과, 로드·언로드부와 도금유닛사이에서 기판의 수수를 행하는 반송로봇으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판의 도금장치.
  18. 기판유지부로 기판을 유지하고, 그 기판의 피도금면의 위쪽에 배치된 애노드전극과, 그 기판과 접촉하여 통전시키는 캐소드와, 순수공급용 노즐을 구비한 도금장치로서, 도금종료 후에 그 노즐로부터 순수를 공급함으로써 상기 기판과 상기 캐소드전극을 동시에 세정하는 것을 특징으로 하는 기판의 도금장치.
  19. 기판을 유지하는 기판유지부와;
    상기 기판유지부로 유지된 기판과 접촉하여 통전시키는 캐소드전극과;
    상기 기판에 근접하여 배치된 애노드와;
    상기 기판유지부로 유지된 기판의 피도금면과 그 피도금면에 근접시킨 애노드 사이의 공간에 도금액을 주입하는 도금액 주입수단을 가지고,
    상기 도금액 주입수단은 상기 애노드의 일부 또는 애노드 바깥 둘레부에 배치한 도금액 주입경로로부터 애노드와 기판의 피도금면 사이에 도금액이 주입되어 기판의 피도금면에 퍼지도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판의 도금장치.
  20. 제 19항에 있어서,
    피도금면을 위쪽을 향하여 기판을 유지하는 기판유지부와;
    상기 기판유지부로 유지된 기판의 피도금면의 도금액을 유지하는 시일재와그 기판과 접촉하여 통전시키는 캐소드전극을 구비한 캐소드부와;
    상기 캐소드부에 근방하여 수평수직이동 자유로운 애노드를 구비한 전극아암부와;
    상기 기판유지부로 유지된 기판의 피도금면과 그 피도금면에 근접시킨 애노드 사이의 공간에 도금액을 주입하는 도금액 주입수단을 가지고,
    상기 도금액 주입수단은 상기 애노드의 일부에 설치한 관통하는 도금액 주입구멍 또는 애노드 바깥 둘레부에 배치한 노즐로부터 애노드와 기판의 피도금면 사이에 도금액이 주입되어 기판의 피도금면에 퍼지도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판의 도금장치.
  21. 제 20항에 있어서,
    상기 도금액 주입수단은 애노드의 기판대향면과 반대의 면에 그 애노드의 지름방향을 따라 배치되어 도금액 공급관에 접속된 도금액 도입경로를 가지고, 이 도금액 도입경로의 애노드측의 면에 설치된 도금액 도입구멍에 대향하는 위치에 상기 도금액 주입구멍이 설치되는 것을 특징으로 하는 기판의 도금장치.
  22. 제 19항에 있어서,
    상기 도금액 주입수단은 애노드의 기판대향면과 반대면에 십자형상, 방사상 또는 원주형상으로 배치되어 도금액공급관에 접속된 도금액 도입경로를 가지고, 이 도금액도입경로의 애노드측의 면에 설치된 도금액 도입구멍에 대향하는 위치에 상기 도금액 주입구멍이 설치되는 것을 특징으로 하는 기판의 도금장치.
  23. 캐소드전극과 통전시킨 기판의 피도금면의 적어도 일부에 애노드를 근접시켜 배치하여 피도금면과 애노드 사이에 도금액을 주입함에 있어서,
    기판의 피도금면과 애노드 사이를 가교하는 도금액기둥을 형성하고, 그 도금액기둥을 기점으로 하여 도금액을 주입하는 것을 특징으로 하는 기판의 도금방법.
  24. 제 23항에 있어서,
    상기 애노드의 일부 또는 애노드 바깥 둘레부에 배치한 도금액 주입경로로부터 기판의 피도금면과 애노드 사이에 도금액을 주입하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 기판의 도금방법.
  25. 캐소드전극과 통전시킨 기판의 피도금면의 적어도 일부에 애노드를 근접시켜 배치하고, 피도금면과 애노드 사이의 공간을 도금액으로 채움에 있어서,
    기판의 피도금면에 도금액을 채우고,
    기판과 애노드를 상대적으로 회전시키면서 서서히 근접시키는 것을 특징으로 하는 기판의 도금방법.
  26. 제 25항에 있어서,
    상기 애노드의 기판대향면에는 보수성을 가지는 다공질체로 이루어지는 도금액 함침재가 배치되고, 이 도금액 함침재의 기판대향면에는 그 도금액 함침재와 기판의 상대적인 회전에 의해 이 사이의 도금액을 방사상으로 바깥쪽으로 퍼지게 하는 수단이 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 기판의 도금방법.
  27. 양극과 음극의 한쪽의 전극과의 접점을 가지는 피처리기판과 그 피처리기판에 대치시킨 다른쪽 전극 사이에 채운 전해액의 적어도 일부에 그 전해액의 전기전도율보다 작은 전기전도율의 고저항구조체를 설치하여 피처리기판 표면의 전해처리를 행하는 것을 특징으로 하는 전해처리방법.
  28. 제 27항에 있어서,
    상기 고저항구조체는 그 등가회로에 있어서의 저항이 피처리기판의 표면에 형성된 도전층의 상기 전극과의 접점과 그 접점으로부터 전기적으로 가장 떨어진 부분과의 사이의 등가회로에 있어서의 저항보다 높아지 도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 전해처리방법.
  29. 기판유지부로 기판을 상향으로 유지한 상태에서 제 27항에 기재된 전해처리를 행하는 것을 특징으로 하는 전해처리방법.
  30. 양극과 음극의 한쪽의 전극과의 접점을 가지는 피처리기판과 그 피처리기판에 대치시킨 다른쪽의 전극과의 사이에 전해액을 채워 피처리기판의 전해처리를 행하는 전해처리장치에 있어서, 상기 전해액의 적어도 일부에 그 전해액의 전기전도율보다 작은 전기전도율의 고저항구조체를 설치한 것을 특징으로 하는 전해처리장치.
  31. 제 30항에 있어서,
    기판유지부로 기판을 상향으로 유지한 상태에서 전해처리를 행하는 기판유지부를 가지는 것을 특징으로 하는 전해처리장치.
  32. 제 30항에 있어서,
    상기 고저항구조체는 그 등가회로에 있어서의 저항이 피처리기판의 표면에 형성된 도전층의 상기 전극과의 접점과 그 접점으로부터 전기적으로 가장 떨어진 부분 사이의 등가회로에 있어서의 저항보다 높아지도록구성되어 있는 것을 특징으로 하는 전해처리장치.
  33. 제 30항에 있어서,
    상기 고저항구조체는 내부에 전해액을 함유한 다공질물질로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 전해처리장치.
  34. 제 33항에 있어서,
    상기 다공질물질은 다공질세라믹스인 것을 특징으로 하는 전해처리장치.
  35. 제 30항에 있어서,
    상기 고저항구조체는 그 고저항구조체를 끼우고 상기 전해액을 복수로 분할하도록 설치되는 것을 특징으로 하는 전해처리장치.
  36. 양극과 음극의 한쪽의 전극과의 접점을 가지는 피처리기판과, 그 피처리기판에 대치시킨 다른쪽 전극과의 사이에 채운 전해액의 적어도 일부에 그 전해액의 전기전도율보다 작은 전기전도율의 고저항구조체를 설치하고, 그 고저항구조체의 외형상, 내부구조, 또는 전기전도율이 다른 부재의 장착 중의 적어도 하나의 조정에 의해 피처리기판 표면의 전장을 제어하는 것을 특징으로 하는 전해처리장치의 전장상태 제어방법.
  37. 제 36항에 있어서,
    상기 외형상의 조정은 고저항구조체의 두께의 조정, 고저항구조체의 평면상에서의 형상의 조정 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전해처리장치의 전장상태 제어방법.
  38. 제 36항에 있어서,
    상기 고저항구조체는 다공질물질로 구성되어 있고, 다공질물질의 내부구조의 조정은 다공질물질의 기공지름분포의 조정, 기공율분포의 조정, 굴곡율분포의 조정, 재료조합의 조정 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전해처리장치의 전장상태 제어방법.
  39. 제 36항에 있어서,
    상기 전기전도율이 다른 부재의 장착에 의한 조정은 전기전도율이 다른 부재에 의해 고저항구조체의 차폐면적을 조정하는 것임을 특징으로 하는 전해처리장치의 전장상태 제어방법.
  40. 양극과 음극의 한쪽의 전극과의 접점을 가지는 피처리기판과, 그 피처리기판에 대치시킨 다른쪽 전극과의 사이에 전해액을 채워 피처리기판의 전해처리를 행하는 전해처리장치에 있어서,
    상기 전해액의 적어도 일부에 그 전해액의 전기전도율보다 작은 전기전도율의 고저항구조체를 설치하고,
    또한 상기 고저항고주체의 외형상, 내부구조, 또는 전기전도율이 다른 부재의 장착 중의 적어도 어느 하나의 조정수단에 의해 피처리기판 표면의 전장을 제어하는 것을 특징으로 하는 전해처리장치.
  41. 제 40항에 있어서,
    상기 외형상의 조정수단은 고저항구조체의 두께의 조정, 고저항구조체의 평면상에서의 형상의 조정 중의 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전해처리장치.
  42. 제 40항에 있어서,
    상기 고저항구조체는 다공질물질로 구성되어 있고, 다공질물질의 내부구조의 조정수단은 다공질물질의 기공지름분포의 조정, 기공율분포의 조정, 굴곡율분포의 조정, 재료조합의 조정 중의 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전해처리장치.
  43. 제 40항에 있어서,
    상기 전기전도율이 다른 부재의 장착에 의한 조정수단은 전기전도율이 다른 부재에 의해 고저항구조체의 차폐면적을 조정하는 것임을 특징으로 하는 전해처리장치.
  44. 양극과 음극의 한쪽의 전극과의 접점을 가지는 피처리기판과, 그 피처리기판에 대치시킨 다른쪽 전극과의 사이에 전해액을 채워 피처리기판의 전해처리를 행하는 전해처리장치에 있어서,
    상기 전해액의 적어도 일부에 그 전해액의 전기전도율보다 작은 전기전도율의 고저항구조체를 설치하고,
    상기 고저항구조체는 그 바깥 둘레가 유지부재에 의해 유지되어 있고, 또 고저항구조체와 유지부재 사이에는 이 부분으로부터 전해액이 누설되어 전류가 흐르는 것을 방지하는 시일부재가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 전해처리장치.
  45. 양극과 음극의 한쪽의 전극과의 접점을 가지는 피처리기판과 그 피처리기판에 대치시킨 다른쪽 전극과의 사이에 전해액을 채워 피처리기판의 전해처리를 행하는 전해처리장치에 있어서,
    상기 다른쪽의 전극과 피처리기판 사이에 전해액 함침재를 배치함과 동시에, 상기 다른쪽의 전극에는 전해액을 전해액 함침재내에 공급하는 전해액 도통구멍을 설치하고,
    상기 전해액 도통구멍의 내부에 관을 삽입하여 상기 관을 통하여 전해액 함침재 내에 공급한 전해액을 전해액 함침재의 반대면으로부터 공급하여 전해액 함침재와 피처리기판 사이에 채우는 것을 특징으로 하는 전해처리장치.
  46. 제 45항에 있어서,
    상기 전해액 함침재에는 상기 전해액 도통구멍에 연속하도록 전해액통로부를 설치한 것을 특징으로 하는 전해처리장치.
  47. 양극과 음극의 한쪽의 전극과의 접점을 가지는 피처리기판과 그 피처리기판에 대치시킨 다른쪽의 전극과의 사이에 전해액을 채워 피처리기판의 전해처리를 행하는 전해처리장치에 있어서,
    상기 다른쪽의 전극과 피처리기판의 사이에 전해액 함침재를 설치하고, 또한상기 전해액 함침재 내에 소정깊이의 전해액통로부를 형성함으로써 상기 다른쪽의 전극측으로부터 전해액통로부를 통하여 전해액 함침재 내에 공급한 전해액을 전해액 함침재의 반대면으로부터 공급하여 전해액 함침재와 피처리기판 사이에 채우는 것을 특징으로 하는 전해처리장치.
  48. 제 47항에 있어서,
    상기 다른쪽 전극과 전해액 함침재 사이에 전해액을 고이게 하는 액고임부를 설치하고, 이 액고임부에 고인 전해액을 상기 전해액함침재 내에 공급하는 것을 특징으로 하는 전해처리장치.
  49. 양극과 음극의 한쪽의 전극과의 접점을 가지는 피처리기판과 그 피처리기판에 대치시킨 다른쪽 전극과의 사이에 전해액을 채워 피처리기판의 전해처리를 행하는 전해처리장치에 있어서,
    상기 다른쪽 전극과 피처리기판의 사이에 전해액 함침재를 설치하고, 또한 상기 전해액 함침재는 그 장소에 따라 전해액 함침재를 통과하는 전해액의 통과저항이 다르도록 구성함으로써 상기 다른쪽 전극측으로부터 전해액 함침재 내에 공급한 전해액을 전해액 함침재의 반대면으로부터 그 장소에 따른 공급량으로 공급하여 전해액 함침재와 피처리기판 사이에 채우는 것을 특징으로 하는 전해처리장치.
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JPJP-P-2000-00369201 2000-12-04
JP2000369201A JP4010764B2 (ja) 1999-12-24 2000-12-04 基板のめっき装置およびめっき方法
JPJP-P-2000-00369320 2000-12-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010110445A true KR20010110445A (ko) 2001-12-13
KR100773164B1 KR100773164B1 (ko) 2007-11-02

Family

ID=27577765

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020017010797A KR100773164B1 (ko) 1999-12-24 2000-12-25 기판의 도금장치 및 도금방법과 전해처리방법 및 그 장치

Country Status (5)

Country Link
US (4) US6632335B2 (ko)
EP (1) EP1179617A4 (ko)
KR (1) KR100773164B1 (ko)
CN (2) CN100422389C (ko)
WO (1) WO2001048274A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100806784B1 (ko) * 2006-12-29 2008-02-27 동부일렉트로닉스 주식회사 기판 도금 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 금속 배선형성 방법

Families Citing this family (125)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040065540A1 (en) * 2002-06-28 2004-04-08 Novellus Systems, Inc. Liquid treatment using thin liquid layer
WO2001048800A1 (fr) * 1999-12-24 2001-07-05 Ebara Corporation Procede et appareil de traitement de tranche de semi-conducteur
US6632335B2 (en) * 1999-12-24 2003-10-14 Ebara Corporation Plating apparatus
US6547937B1 (en) * 2000-01-03 2003-04-15 Semitool, Inc. Microelectronic workpiece processing tool including a processing reactor having a paddle assembly for agitation of a processing fluid proximate to the workpiece
US8475636B2 (en) * 2008-11-07 2013-07-02 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for electroplating
US8308931B2 (en) * 2006-08-16 2012-11-13 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for electroplating
US7622024B1 (en) * 2000-05-10 2009-11-24 Novellus Systems, Inc. High resistance ionic current source
US7129160B2 (en) 2002-08-29 2006-10-31 Micron Technology, Inc. Method for simultaneously removing multiple conductive materials from microelectronic substrates
US7078308B2 (en) 2002-08-29 2006-07-18 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for removing adjacent conductive and nonconductive materials of a microelectronic substrate
US7220166B2 (en) * 2000-08-30 2007-05-22 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for electromechanically and/or electrochemically-mechanically removing conductive material from a microelectronic substrate
US6746589B2 (en) * 2000-09-20 2004-06-08 Ebara Corporation Plating method and plating apparatus
JP4043234B2 (ja) * 2001-06-18 2008-02-06 株式会社荏原製作所 電解加工装置及び基板処理装置
JP3961377B2 (ja) * 2001-09-20 2007-08-22 株式会社リコー 光走査装置及び画像形成装置
US7138014B2 (en) * 2002-01-28 2006-11-21 Applied Materials, Inc. Electroless deposition apparatus
JP4034095B2 (ja) * 2002-03-18 2008-01-16 日鉱金属株式会社 電気銅めっき方法及び電気銅めっき用含リン銅アノード
US8147660B1 (en) * 2002-04-04 2012-04-03 Novellus Systems, Inc. Semiconductive counter electrode for electrolytic current distribution control
US7690324B1 (en) 2002-06-28 2010-04-06 Novellus Systems, Inc. Small-volume electroless plating cell
US7189313B2 (en) * 2002-05-09 2007-03-13 Applied Materials, Inc. Substrate support with fluid retention band
JP4058307B2 (ja) * 2002-08-29 2008-03-05 大日本スクリーン製造株式会社 メッキ装置
US6776885B2 (en) * 2002-11-14 2004-08-17 International Business Machines Corporation Integrated plating and planarization apparatus having a variable-diameter counterelectrode
US20040104119A1 (en) * 2002-12-02 2004-06-03 Applied Materials, Inc. Small volume electroplating cell
TWI229367B (en) * 2002-12-26 2005-03-11 Canon Kk Chemical treatment apparatus and chemical treatment method
US20040149584A1 (en) * 2002-12-27 2004-08-05 Mizuki Nagai Plating method
JP4303484B2 (ja) * 2003-01-21 2009-07-29 大日本スクリーン製造株式会社 メッキ装置
JP4312465B2 (ja) * 2003-01-23 2009-08-12 株式会社荏原製作所 めっき方法およびめっき装置
US20060113192A1 (en) * 2003-01-23 2006-06-01 Keiichi Kurashina Plating device and planting method
US7374646B2 (en) * 2003-01-31 2008-05-20 Ebara Corporation Electrolytic processing apparatus and substrate processing method
US7704367B2 (en) 2004-06-28 2010-04-27 Lam Research Corporation Method and apparatus for plating semiconductor wafers
JP2004315889A (ja) * 2003-04-16 2004-11-11 Ebara Corp 半導体基板のめっき方法
JP2004353061A (ja) * 2003-05-30 2004-12-16 Ebara Corp 電解処理方法及び装置
US20050023149A1 (en) * 2003-06-05 2005-02-03 Tsutomu Nakada Plating apparatus, plating method and substrate processing apparatus
JP2005029830A (ja) * 2003-07-10 2005-02-03 Ebara Corp めっき装置及びめっき方法
JP4423356B2 (ja) * 2003-09-02 2010-03-03 株式会社荏原製作所 基板のめっき装置
US20050051437A1 (en) * 2003-09-04 2005-03-10 Keiichi Kurashina Plating apparatus and plating method
US7112122B2 (en) * 2003-09-17 2006-09-26 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for removing conductive material from a microelectronic substrate
US7465358B2 (en) * 2003-10-15 2008-12-16 Applied Materials, Inc. Measurement techniques for controlling aspects of a electroless deposition process
JP2005133160A (ja) * 2003-10-30 2005-05-26 Ebara Corp 基板処理装置及び方法
JP2005146398A (ja) * 2003-11-19 2005-06-09 Ebara Corp めっき方法及びめっき装置
JP4540981B2 (ja) * 2003-12-25 2010-09-08 株式会社荏原製作所 めっき方法
US7479213B2 (en) * 2003-12-25 2009-01-20 Ebara Corporation Plating method and plating apparatus
US20050274604A1 (en) * 2004-02-06 2005-12-15 Koji Saito Plating apparatus
US7153777B2 (en) 2004-02-20 2006-12-26 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses for electrochemical-mechanical polishing
JP2007523264A (ja) * 2004-02-23 2007-08-16 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 膜式電解研磨向け装置
JP2005320571A (ja) * 2004-05-07 2005-11-17 Ebara Corp メッキ装置の電極構造
US8623193B1 (en) 2004-06-16 2014-01-07 Novellus Systems, Inc. Method of electroplating using a high resistance ionic current source
US7563348B2 (en) * 2004-06-28 2009-07-21 Lam Research Corporation Electroplating head and method for operating the same
DE102004038104A1 (de) * 2004-08-05 2006-02-23 Henkel Kgaa Verwendung von ortho-Phenylphenol und/oder dessen Derivaten zur Hemmung der asexuellen Vermehrung von Pilzen
US20060037865A1 (en) * 2004-08-19 2006-02-23 Rucker Michael H Methods and apparatus for fabricating gas turbine engines
US7566391B2 (en) * 2004-09-01 2009-07-28 Micron Technology, Inc. Methods and systems for removing materials from microfeature workpieces with organic and/or non-aqueous electrolytic media
US20070238265A1 (en) * 2005-04-05 2007-10-11 Keiichi Kurashina Plating apparatus and plating method
WO2007011751A2 (en) * 2005-07-14 2007-01-25 Nanonexus, Inc. Method and apparatus for producing controlled stresses and stress gradients in sputtered films
US8029653B2 (en) * 2006-02-21 2011-10-04 Ebara Corporation Electroplating apparatus and electroplating method
CA2691344A1 (en) * 2006-06-27 2008-01-03 Enduro Industries, Inc. Improved direct current chrome plating process and variant layered chrome product
US9822461B2 (en) 2006-08-16 2017-11-21 Novellus Systems, Inc. Dynamic current distribution control apparatus and method for wafer electroplating
US9045840B2 (en) 2011-11-29 2015-06-02 Novellus Systems, Inc. Dynamic current distribution control apparatus and method for wafer electroplating
JP2008098449A (ja) * 2006-10-12 2008-04-24 Ebara Corp 基板処理装置及び基板処理方法
US9050634B2 (en) 2007-02-15 2015-06-09 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP4971078B2 (ja) * 2007-08-30 2012-07-11 東京応化工業株式会社 表面処理装置
US20110259752A1 (en) * 2008-09-16 2011-10-27 Acm Research (Shanghai) Inc. Method for substantially uniform copper deposition onto semiconductor wafer
TWI425122B (zh) * 2008-09-17 2014-02-01 Acm Res Shanghai Inc 在半導體晶片上超均勻沉積銅膜的方法
CN102165106B (zh) * 2008-09-30 2014-09-17 富士胶片株式会社 电解处理方法及电解处理装置
US8475637B2 (en) * 2008-12-17 2013-07-02 Novellus Systems, Inc. Electroplating apparatus with vented electrolyte manifold
US8262871B1 (en) 2008-12-19 2012-09-11 Novellus Systems, Inc. Plating method and apparatus with multiple internally irrigated chambers
KR20110051588A (ko) * 2009-11-10 2011-05-18 삼성전자주식회사 기판 도금 장치 및 방법
US10094034B2 (en) 2015-08-28 2018-10-09 Lam Research Corporation Edge flow element for electroplating apparatus
US8795480B2 (en) 2010-07-02 2014-08-05 Novellus Systems, Inc. Control of electrolyte hydrodynamics for efficient mass transfer during electroplating
US10233556B2 (en) 2010-07-02 2019-03-19 Lam Research Corporation Dynamic modulation of cross flow manifold during electroplating
US9523155B2 (en) 2012-12-12 2016-12-20 Novellus Systems, Inc. Enhancement of electrolyte hydrodynamics for efficient mass transfer during electroplating
US9624592B2 (en) 2010-07-02 2017-04-18 Novellus Systems, Inc. Cross flow manifold for electroplating apparatus
US9028657B2 (en) 2010-09-10 2015-05-12 Novellus Systems, Inc. Front referenced anode
TWI550139B (zh) 2011-04-04 2016-09-21 諾菲勒斯系統公司 用於裁整均勻輪廓之電鍍裝置
US9017528B2 (en) 2011-04-14 2015-04-28 Tel Nexx, Inc. Electro chemical deposition and replenishment apparatus
US9005409B2 (en) 2011-04-14 2015-04-14 Tel Nexx, Inc. Electro chemical deposition and replenishment apparatus
CN102330125B (zh) * 2011-09-13 2013-08-14 南京航空航天大学 喷射电沉积加工用阵列电极腔
US9309603B2 (en) 2011-09-14 2016-04-12 Applied Materials, Inc Component cleaning in a metal plating apparatus
CN102453934B (zh) * 2012-01-16 2017-09-19 广东保迪环保电镀设备有限公司 内孔局部电镀设备
CN102787332B (zh) * 2012-08-17 2014-12-24 湖北联合天诚防伪技术股份有限公司 一种喷银板贴板电铸的方法
US9909228B2 (en) 2012-11-27 2018-03-06 Lam Research Corporation Method and apparatus for dynamic current distribution control during electroplating
EP2746432A1 (en) * 2012-12-20 2014-06-25 Atotech Deutschland GmbH Device for vertical galvanic metal deposition on a substrate
US9670588B2 (en) 2013-05-01 2017-06-06 Lam Research Corporation Anisotropic high resistance ionic current source (AHRICS)
US9449808B2 (en) 2013-05-29 2016-09-20 Novellus Systems, Inc. Apparatus for advanced packaging applications
FR3006684B1 (fr) * 2013-06-07 2016-10-21 Commissariat Energie Atomique Procede de traitement d'une surface et dispositif mis en œuvre
JP5949696B2 (ja) * 2013-08-07 2016-07-13 トヨタ自動車株式会社 金属皮膜の成膜装置および成膜方法
US9303329B2 (en) 2013-11-11 2016-04-05 Tel Nexx, Inc. Electrochemical deposition apparatus with remote catholyte fluid management
US10504753B2 (en) 2013-12-13 2019-12-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Brush cleaning apparatus, chemical-mechanical polishing (CMP) system and wafer processing method
CN105316754B (zh) * 2014-07-29 2019-08-16 盛美半导体设备（上海）有限公司 电化学加工工艺及电化学加工装置
EP3000789B1 (en) * 2014-09-15 2020-11-04 Idropan Dell'orto Depuratori S.r.l. Apparatus and method for purifying a fluid
CN104313657A (zh) * 2014-11-10 2015-01-28 临安振有电子有限公司 Hdi印制线路板通孔的电沉积装置
US9752248B2 (en) 2014-12-19 2017-09-05 Lam Research Corporation Methods and apparatuses for dynamically tunable wafer-edge electroplating
EP3034657B1 (en) * 2014-12-19 2019-02-27 ATOTECH Deutschland GmbH Substrate holder for vertical galvanic metal deposition
US9567685B2 (en) 2015-01-22 2017-02-14 Lam Research Corporation Apparatus and method for dynamic control of plated uniformity with the use of remote electric current
US9816194B2 (en) 2015-03-19 2017-11-14 Lam Research Corporation Control of electrolyte flow dynamics for uniform electroplating
US10014170B2 (en) 2015-05-14 2018-07-03 Lam Research Corporation Apparatus and method for electrodeposition of metals with the use of an ionically resistive ionically permeable element having spatially tailored resistivity
US9988733B2 (en) 2015-06-09 2018-06-05 Lam Research Corporation Apparatus and method for modulating azimuthal uniformity in electroplating
WO2017120003A1 (en) * 2016-01-06 2017-07-13 Applied Materials, Inc. Systems and methods for shielding features of a workpiece during electrochemical deposition
US10364505B2 (en) 2016-05-24 2019-07-30 Lam Research Corporation Dynamic modulation of cross flow manifold during elecroplating
CN106591902A (zh) * 2016-12-01 2017-04-26 深圳美之顺五金塑胶制品有限公司 薄材连续局部镀金、锡、镍控制系统
CN108660501B (zh) * 2017-03-31 2024-02-27 可能可特科技（深圳）有限公司 一种基于fpc电镀的电镀槽
US11001934B2 (en) 2017-08-21 2021-05-11 Lam Research Corporation Methods and apparatus for flow isolation and focusing during electroplating
CN111032923B (zh) * 2017-08-30 2021-12-28 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 电镀装置
US10781527B2 (en) 2017-09-18 2020-09-22 Lam Research Corporation Methods and apparatus for controlling delivery of cross flowing and impinging electrolyte during electroplating
US11629427B2 (en) * 2017-11-30 2023-04-18 Mitsubishi Electric Corporation Plating apparatus and plating method
GB2574177B (en) * 2018-01-25 2021-07-14 Semsysco Gmbh Method and device for plating a recess in a substrate
JP6963524B2 (ja) * 2018-03-20 2021-11-10 キオクシア株式会社 電解メッキ装置
KR102124406B1 (ko) * 2018-03-28 2020-06-18 주식회사 익스톨 수평 도금 장치 및 방법
JP7293765B2 (ja) * 2018-07-24 2023-06-20 富士フイルムビジネスイノベーション株式会社 めっき装置
KR102221258B1 (ko) * 2018-09-27 2021-03-02 세메스 주식회사 약액 토출 장치
US10975489B2 (en) * 2018-11-30 2021-04-13 Lam Research Corporation One-piece anode for tuning electroplating at an edge of a substrate
JP2020105590A (ja) * 2018-12-27 2020-07-09 キオクシア株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP7227875B2 (ja) * 2019-08-22 2023-02-22 株式会社荏原製作所 基板ホルダおよびめっき装置
CN110592645B (zh) * 2019-09-23 2021-08-17 徐州徐工液压件有限公司 一种新型油缸内壁电镀挂具
CN110484948B (zh) * 2019-09-27 2021-07-06 江苏澳光电子有限公司 一种柱形体电镀工艺及其电镀结构
US11352710B2 (en) * 2019-09-30 2022-06-07 Abdurrahman Ildeniz Leak free brush electroplating system
JP7354020B2 (ja) * 2020-03-04 2023-10-02 株式会社荏原製作所 めっき装置および抵抗体
EP3945146A1 (en) * 2020-07-31 2022-02-02 Semsysco GmbH Distribution system for a process fluid for a chemical and/or electrolytic surface treatment of a substrate
CN112301410B (zh) * 2020-11-02 2022-01-18 万安山美电子有限公司 一种电路板电镀装置及其电镀方法
CN112593276A (zh) * 2020-12-07 2021-04-02 娄底市安地亚斯电子陶瓷有限公司 一种基于同一陶瓷不同部位金属层不同厚度的镀镍工艺
JP6951609B1 (ja) * 2020-12-28 2021-10-20 株式会社荏原製作所 めっき装置
TWI775262B (zh) * 2020-12-30 2022-08-21 日商荏原製作所股份有限公司 基板之接液方法及鍍覆裝置
JP6937974B1 (ja) * 2021-03-10 2021-09-22 株式会社荏原製作所 めっき装置、およびめっき方法
US11859302B2 (en) 2021-10-14 2024-01-02 Unimicron Technology Corp. Electroplating apparatus and electroplating method
TWI801144B (zh) * 2021-10-14 2023-05-01 欣興電子股份有限公司 電鍍設備與電鍍方法
TWI809937B (zh) * 2022-06-17 2023-07-21 日商荏原製作所股份有限公司 漏液判定方法及鍍覆裝置
CN115142104B (zh) * 2022-07-28 2024-04-26 福州一策仪器有限公司 电镀装置、多通道电镀装置组和电镀反应系统
CN115449868B (zh) * 2022-08-24 2023-04-07 深圳市华惠连接器有限公司 一种局部电镀设备

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4921220B1 (ko) * 1970-12-23 1974-05-30
JPS5835154B2 (ja) 1972-06-19 1983-08-01 キヤノン株式会社 インジソウチ
JPS5570089A (en) * 1978-11-21 1980-05-27 Nippon Electric Co Printed circuit board and method of plating same
JPS5585692A (en) 1978-12-22 1980-06-27 Hitachi Ltd Plating method
JPS6237840A (ja) 1985-08-09 1987-02-18 株式会社明電舎 真空ヒユ−ズ
JPH07119782B2 (ja) * 1987-08-07 1995-12-20 三井石油化学工業株式会社 電気機器およびケ−ブルの絶縁劣化検出装置
JP2675309B2 (ja) 1987-09-19 1997-11-12 パイオニア株式会社 無電解めっき方法及びその装置
US4879007B1 (en) * 1988-12-12 1999-05-25 Process Automation Int L Ltd Shield for plating bath
JPH0781197A (ja) * 1993-09-17 1995-03-28 Honda Motor Co Ltd プリンタ
JP3335439B2 (ja) * 1993-09-30 2002-10-15 株式会社リコー データ通信用端末装置
JP3394842B2 (ja) * 1995-04-14 2003-04-07 島田理化工業株式会社 ウエハ処理装置
JP3460401B2 (ja) * 1995-08-14 2003-10-27 株式会社デンソー 電解メッキ装置および方法
US5776327A (en) * 1996-10-16 1998-07-07 Mitsubishi Semiconuctor Americe, Inc. Method and apparatus using an anode basket for electroplating a workpiece
JP3490238B2 (ja) 1997-02-17 2004-01-26 三菱電機株式会社 メッキ処理装置およびメッキ処理方法
US6017437A (en) 1997-08-22 2000-01-25 Cutek Research, Inc. Process chamber and method for depositing and/or removing material on a substrate
JPH1187276A (ja) * 1997-09-12 1999-03-30 Ebara Corp 基板のめっき方法
US6027631A (en) * 1997-11-13 2000-02-22 Novellus Systems, Inc. Electroplating system with shields for varying thickness profile of deposited layer
US6159354A (en) * 1997-11-13 2000-12-12 Novellus Systems, Inc. Electric potential shaping method for electroplating
US6179983B1 (en) 1997-11-13 2001-01-30 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for treating surface including virtual anode
US6126798A (en) 1997-11-13 2000-10-03 Novellus Systems, Inc. Electroplating anode including membrane partition system and method of preventing passivation of same
KR100597024B1 (ko) 1998-03-02 2006-07-04 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판의 도금장치
JP3534605B2 (ja) 1998-03-27 2004-06-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板メッキ装置
KR100616198B1 (ko) * 1998-04-21 2006-08-25 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판상에 전기도금하는 전기화학적 증착 시스템 및 방법
US6416647B1 (en) 1998-04-21 2002-07-09 Applied Materials, Inc. Electro-chemical deposition cell for face-up processing of single semiconductor substrates
JP2000064087A (ja) 1998-08-17 2000-02-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板メッキ方法及び基板メッキ装置
JP2000087296A (ja) 1998-09-17 2000-03-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板メッキ装置
US6132587A (en) 1998-10-19 2000-10-17 Jorne; Jacob Uniform electroplating of wafers
US6176992B1 (en) 1998-11-03 2001-01-23 Nutool, Inc. Method and apparatus for electro-chemical mechanical deposition
US6251251B1 (en) * 1998-11-16 2001-06-26 International Business Machines Corporation Anode design for semiconductor deposition
US6258220B1 (en) 1998-11-30 2001-07-10 Applied Materials, Inc. Electro-chemical deposition system
US6113759A (en) * 1998-12-18 2000-09-05 International Business Machines Corporation Anode design for semiconductor deposition having novel electrical contact assembly
JP2000232078A (ja) 1999-02-10 2000-08-22 Toshiba Corp メッキ方法及びメッキ装置
US6221437B1 (en) * 1999-04-12 2001-04-24 Reynolds Tech Fabricators, Inc. Heated workpiece holder for wet plating bath
JP3659837B2 (ja) * 1999-05-24 2005-06-15 大日本スクリーン製造株式会社 基板メッキ装置
US6197182B1 (en) * 1999-07-07 2001-03-06 Technic Inc. Apparatus and method for plating wafers, substrates and other articles
US6632335B2 (en) * 1999-12-24 2003-10-14 Ebara Corporation Plating apparatus
US6270646B1 (en) * 1999-12-28 2001-08-07 International Business Machines Corporation Electroplating apparatus and method using a compressible contact
CN103946171A (zh) * 2011-11-18 2014-07-23 旭硝子株式会社 化学强化用玻璃及化学强化玻璃
JP7081197B2 (ja) * 2018-02-15 2022-06-07 セイコーエプソン株式会社 媒体搬送装置、及び画像読取装置
JP7107199B2 (ja) * 2018-12-07 2022-07-27 株式会社デンソー 半導体装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100806784B1 (ko) * 2006-12-29 2008-02-27 동부일렉트로닉스 주식회사 기판 도금 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 금속 배선형성 방법

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