JP7293765B2 - めっき装置 - Google Patents

Description

本発明は、めっき装置に関する。

特許文献１には、メッキ用下地としての導電性膜が成膜された複数本の光ファイバの被メッキ部分を１つのメッキ槽内のメッキ液に浸し、それら被メッキ部分のメッキ用下地とメッキ液内の電極との間に電圧を印加して被メッキ部分にメッキを施す光ファイバへの電解メッキ方法であって、前記電圧印加時に各被メッキ部分のメッキ用下地に通電する電流の値を個別に制御することを特徴とする光ファイバへの電解メッキ方法が開示されている。この方法では、各定電流電源の電流設定値を定めた値に設定して通電を行い、各被メッキ部分のメッキ用下地と陽電極との間に電圧を印加する。

特開２００４－０３５９８２号公報

本発明は、電源から金属に出力される電流を制御する場合と比べて、基材表面に形成されるめっき層の厚さのばらつきを抑制するめっき装置の提供を目的とする。

第１の形態のめっき装置は、少なくとも表面が導電性を有する基材と、金属と、を浸漬した電解液を有する槽と、該金属に向けて電流を流す陽極を有する電源と、該電源の陰極と該基材の間に接続され、該基材から該電源に帰還する該電流を予め定めた値に制御する制御部と、を備えている。

第２の形態のめっき装置では、該槽は複数の該基材を浸漬し、該制御部は該基材毎に該電流を制御する。

第３の形態のめっき装置では、該基材は一方向に延びており、該基材の両端部を少なくとも含む該基材の複数箇所の各々に該制御部を接続している。

第４の形態のめっき装置では、該基材は円筒体であって、該基材の両端部の各々に設けられ、該制御部に接続される電極と、該基材の内部を軸方向に通し、一方の該電極に接続される配線と、を備えている。

第５の形態のめっき装置では、該基材は一方向に延びており、該金属は、該一方向に沿う方向に長く、該基材の長さよりも長い導電性の籠の中に、該基材の長さよりも長くなるように収容されており、該籠における該基材と対向しない両端部分は、絶縁物で遮蔽されている。

第６の形態のめっき装置では、該基材及び該籠は、長手方向が該槽に対して上下方向に配置されており、該籠の下方の該絶縁物は、一端が閉塞された筒状であり、該籠の上方の該絶縁物は、該電解液の液面を跨いで設置されている。

第７の形態のめっき装置は、該基材を回転させる回転部を備えている。

第８の形態のめっき装置では、該回転部は複数の接点を有するブラシを備えている。

第９の形態のめっき装置では、該制御部は、該電源の陰極と該基材の間に設けられた定電流回路を含み、該陰極と該定電流回路の入力側との電圧を測定する測定部を、備えている。

第１０の形態のめっき装置は、測定された前記電圧の変化が予め定めた程度を超えた場合に報知が行われる報知部をさらに備えている。

第１１の形態のめっき部品の製造方法は、少なくとも表面が導電性を有する基材を、金属と共に電解液に浸漬する工程と、電源の陽極から該金属に向けて電流を流すと共に、該電源の陰極と該基材との間に接続される制御部において該基材から該電源に帰還する該電流を予め定めた値で制御する工程と、を備えている。

第１の形態のめっき装置によれば、電源から金属に出力される電流を制御する場合と比べて、基材表面に形成されるめっき層の厚さのばらつきを抑制することができる。

第２の形態のめっき装置によれば、基材毎に流れる電流を一括して制御する場合と比べて、基材毎のめっき層の厚さのばらつきを抑制できる。

第３の形態のめっき装置によれば、制御部の接続箇所が１箇所の場合と比べて、基材表面に形成されるめっき層の一方向における厚さのばらつきを抑制できる。

第４の形態のめっき装置によれば、中実の部材の表面にめっきを施す場合と比べて、基材の端部に接続される電極を容易に増やすことができる。

第５の形態のめっき装置によれば、籠において基材と対向する部分の両端側が露出している場合と比べて、基材の両端部のめっき層が他の部分よりも厚くなることを抑制できる。

第６の形態のめっき装置によれば、基材の端部で生ずるエッジ効果を抑制できる。

第７の形態のめっき装置によれば、基材が周方向に静止している場合と比べて、基材表面に形成されるめっき層の周方向における厚さのばらつきを抑制できる。

第８の形態のめっき装置によれば、ブラシの接点が一つである場合と比べて、接点が腐食した場合の電流値の変化を抑制できる。

第９の形態のめっき装置によれば、陰極と定電流回路の入力側との電圧が変化する状況下でめっきを施す場合と比べて、めっき不良の原因を特定することができる。

第１０の形態のめっき装置によれば、電圧を測定するだけの場合に比べて、めっき不良を抑制することができる。

第１１の形態の方法によれば、電源から金属に出力される電流を制御する場合と比べて、基材表面に形成されるめっき層の厚さのばらつきを抑制することができる。

第１の実施形態に係るめっき装置の平面図である。 第１の実施形態に係るめっき装置の側方断面図（図１の２－２線の断面図）である。 第１の実施形態に係るめっき装置であって、回転ユニットの断面図である。 第１の実施形態の回転ユニットに設けられたブラシの正面図である。 第１の実施形態のアノードバスケットに設けられた端子の（Ａ）斜視図、及び（Ｂ）平断面図である。 第１の実施形態に係るめっき装置であって、（Ａ）電源回路の概念図、及び（Ｂ）制御部の概念図である。 第１の実施形態に係るめっき装置であって、循環装置を説明する平面図である。 第１の実施形態の循環装置において、吐出口を含む液管の断面図（図７の８－８線の断面図）である。 第１の実施形態に係るめっき装置であって、曝気装置を説明する平面図である。 第１の実施形態の曝気装置において、（Ａ）排気口を含む配管の断面図（図９の１０Ａ－１０Ａ線の断面図）、及び（Ｂ）追加口を含む配管の断面図（図９の１０Ｂ－１０Ｂ線の断面図）である。 第１の実施形態に係るめっき装置における循環装置及び曝気装置の作用を説明する図であって、（Ａ）平面図を拡大した図、（Ｂ）側方断面図を拡大した図である。 第１の実施形態に係るめっき装置の変形例であって、回転ユニットの従動部の断面図である。 第２の実施形態に係るめっき装置であって、制御部の概念図である。 第２の実施形態に係るめっき装置の制御系のハードウェアの構成を示すブロック図である。 第２の実施形態に係る処理実行部の機能的な構成を示すブロック図である。 接触不良により電圧Ｖｃが低下する場合について検証した結果を示すグラフである。 めっき液の状態変化に伴い、電圧Ｖｃが上昇する場合について検証した結果を示すグラフである。 電圧Ｖｃとめっき装置の異常との関係を示す図である。 原因特定処理の流れを示すフローチャートである。 原因特定処理の流れを示すフローチャートである。

本発明の各実施形態に係るめっき装置の一例を、図を用いて説明する。なお、各図中に示す矢印Ｈは装置上下方向を示し、矢印Ｗは装置幅方向を示し、矢印Ｄは装置奥行き方向を示す。また、装置奥行き方向において、後述するオーバーフロータンク１３が配置されている側を奥側とし、オーバーフロータンク１３と対向する側を手前側とする。なお、装置上下方向は本発明の一方向に相当する。
さらに、「～」を用いて数値範囲を記載した場合は、「～」の前後の数値を下限値及び上限値として含む。

＜第１の実施形態＞
（全体構成）
第１の実施形態のめっき装置１０は、例えば、画像形成装置の定着装置用のポリイミドベルト（以下、「ベルト」とする。）Ｂの表面に対して電解めっきによる金属層（以下、「めっき層」とする。）を形成するものである。ベルトＢは基材の一例である。

図１、図２及び図６（Ａ）に示されるように、めっき装置１０は、めっき槽１２と、回転ユニット２０と、アノードバスケット４０と、電源装置１００と、制御部１２０と、循環装置６０と、曝気装置８０とを備えている。ここで、めっき槽１２は槽の一例であり、回転ユニット２０は回転部の一例であり、アノードバスケット４０は籠の一例であり、電源装置１００は電源の一例である。

（めっき槽）
めっき槽１２は、電解液の一例であるめっき液Ｌが貯留されている。このめっき槽１２には、ベルトＢと後述する金属Ｍが収容されたアノードバスケット４０とが浸漬されている。図１に示されるように、めっき槽１２の装置奥行き方向の一端側の外壁面には、めっき槽１２よりも小型の容器であるオーバーフロータンク１３が設けられている。このオーバーフロータンク１３とめっき槽１２とは、めっき槽１２の壁部に形成された矩形の開口１４により接続されている。めっき槽１２のめっき液Ｌの液面が開口１４に達すると、オーバーフロータンク１３に流れ込む。つまり、オーバーフロータンク１３は、めっき槽１２におけるめっき液Ｌの液面の上限を規定すると共に、めっき槽１２から溢れるめっき液Ｌを回収する機能を有している。オーバーフロータンク１３の底部には、後述する循環管６６が接続されている。

また、めっき槽１２の装置上方には、めっき槽１２の装置幅方向外側の内壁面に沿って、装置奥行き方向に延びる角柱棒状のアノードバス１６が設けられている。このアノードバス１６は、めっき槽１２の装置幅方向両側に設けられている。このアノードバス１６には、導電性で網状のアノードバスケット４０が吊るされている。

（回転ユニット）
回転ユニット２０は回転部の一例である。図２に示されるように、回転ユニット２０は、めっき槽１２の装置幅方向に２列、装置奥行き方向に５列の合計１０個設けられている。図１に示されるように、回転ユニット２０は、装置幅方向一方側（図の上側）では、手前側から奥側に向けて回転ユニット２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄ、２０Ｅの順に定められた間隔で配置されている。また、回転ユニット２０は、装置幅方向他方側（図の下側）では、手前側から奥側に向けて回転ユニット２０Ｆ、２０Ｇ、２０Ｈ、２０Ｉ、２０Ｊの順に定められた間隔で配置されている。なお、以後の説明では、回転ユニット２０を区別する必要がない場合には、符号末尾の「Ａ」～「Ｊ」を省略する（アノードバスケット４０、吐出口７０、排出口９０、第一入力部１３２及び第二入力部１３４に同じ）。

図３に示されるように、回転ユニット２０は、装置上下方向に延在（延びて存在）しており、ベルトＢが固定される従動部２２と、従動部２２を回転駆動するための駆動部３０とを備えている。ベルトＢは、回転ユニット２０に固定された状態において、装置上下方向に延びる円筒体とされている。

従動部２２は、円筒形状の保持部２４と、保持部２４の上部を支持する上部支持部２５と、保持部２４の下部を支持する下部支持部２６と、装置上下方向に延びる円柱状の金属棒２７と、上部支持部２５の上端に設けられたホルダ２９とを備えている。保持部２４は、絶縁体のパイプであって、本実施形態では塩化ビニル製又はポリカーボネート製である。保持部２４の装置上下方向の長さはベルトＢの長さに等しいか、ベルトＢよりも僅かに長い。保持部２４は、その外周部においてベルトＢを保持する。従動部２２は、少なくとも保持部２４を含む部分がめっき液Ｌに浸漬されている。

上部支持部２５は導電体の部品であって、本実施形態ではステンレス製である。この上部支持部２５は、断面視において逆Ｔ字状かつ円筒状の部材である。上部支持部２５は、装置下方の本体部２１０の外径が保持部２４の外径よりも僅かに大きく、装置上方の延長部２１２の外径は、保持部２４の外径よりも小さい。上部支持部２５は、軸心部分に装置上下方向に貫通する貫通孔２１４が形成されている。保持部２４に保持されたベルトＢの装置上方端部では、本体部２１０の外周部とベルトＢとの境界部分を跨ぐように絶縁性の粘着テープＴが巻かれている。

また、本体部２１０の外周部には、保持部２４に向けて伸びる複数の板バネ部２１６が設けられている。この板バネ部２１６は導電体であって、上部支持部２５と同じステンレス製である。板バネ部２１６は装置上方側端部のリング部分が本体部２１０に対して固定され、装置下方側が径方向に変位可能とされている。上部支持部２５が保持部２４を支持している状態において、板バネ部２１６は、装置下方側がベルトＢを押圧（力を加えて押）している。これにより、ベルトＢは上部支持部２５に対して電気的に接続される。上部支持部２５は、ベルトＢの端部に設けられる電極の一例である。

下部支持部２６は導電体の部品であって、本実施形態ではステンレス製である。この下部支持部２６は、断面視においてＴ字状かつ円柱状の部材である。下部支持部２６は、装置上方の本体部２２０の外径が保持部２４の外径よりも僅かに大きく、装置下方の延長部２２２の外径は、保持部２４の外径よりも小さい。下部支持部２６は、本体部２２０の装置上方の面に装置下方に向けて挿入孔２２４が形成されている。保持部２４に保持されたベルトＢの装置下方端部では、本体部２２０の外周部とベルトＢとの境界部分を跨ぐように粘着テープＴが巻かれている。

また、本体部２２０の外周部には、保持部２４に向けて伸びる複数の板バネ部２２６が設けられている。この板バネ部２２６は導電体であって、下部支持部２６と同じステンレス製である。板バネ部２２６は装置下方側端部のリング部分が本体部２２０に対して固定され、装置上方側が径方向に変位可能とされている。下部支持部２６が保持部２４を支持している状態において、板バネ部２２６は、装置上方側がベルトＢを押圧している。これにより、ベルトＢは下部支持部２６に対して電気的に接続される。下部支持部２６は、ベルトＢの端部に設けられる電極の一例である。

金属棒２７は、上部支持部２５及び保持部２４の軸心部分を装置上下方向に貫通する導電体の棒である。ここで、本実施形態の金属棒２７は銅製である。この金属棒２７は配線の一例である。金属棒２７の外径は、貫通孔２１４の内径及び保持部２４の内径よりも小さいため、金属棒２７は上部支持部２５及び保持部２４とは接触することがない。なお、従動部２２の装置上方側において金属棒２７と上部支持部２５との間には、絶縁体である樹脂製のカラー２８が設けられている。また、金属棒２７は、下部支持部２６の挿入孔２２４に嵌め込まれている。そのため、金属棒２７は、上部支持部２５に対して電気的に接続されず、下部支持部２６に対して電気的に接続されている。

ホルダ２９は、略円筒状の部材である。ホルダ２９は、装置上方側の端部が後述する軸部３１の外軸部３１０に対して固定される。

駆動部３０は、略円柱状の軸部３１と、軸部３１を回転可能に支持する複数のベアリング３２と、回転動力を伝達するギア部３３と、後述する制御部１２０の入力部１３０に対して電気的に接続されるブラシ３４と、従動部２２との接続部である挟持部３６とを備えている。また、駆動部３０は、箱状のケース３８を備えており、軸部３１、ベアリング３２、ギア部３３及びブラシ３４は、このケース３８に収容されている。このケース３８は、めっき槽１２の装置上方に固定されている。

軸部３１は、径方向外側に設けられる円筒状の外軸部３１０と、径方向内側に設けられ、断面視において略Ｔ字状で円柱状の内軸部３１２と、外軸部３１０及び内軸部３１２の間に設けられた中間部３１４とを有している。ここで、外軸部３１０及び内軸部３１２は導電体であって、中間部３１４は絶縁体である。一例として、外軸部３１０及び内軸部３１２は共にステンレス製であって、中間部３１４は樹脂製である。したがって、外軸部３１０と内軸部３１２とは絶縁されている。軸部３１は、装置上方側の外周には内軸部３１２が露出しており、装置下方側の外周には外軸部３１０が露出している。

ベアリング３２は、ケース３８に対して軸部３１を回転可能に支持している。ベアリング３２は、軸部３１の装置上方側を支持するラジアルベアリングである第一ベアリング３２０と、軸部３１の装置下方側を支持するラジアルベアリングである第二ベアリング３２２とを有している。また、ベアリング３２は、第二ベアリング３２２よりも装置下方側に軸部３１の装置下方側端部を支持するスラストベアリングである第三ベアリング３２４を有している。

ギア部３３は、装置上下方向において第一ベアリング３２０と第二ベアリング３２２との間に設けられている。このギア部３３は、図示しない駆動装置に接続されるウォーム３３０と、外軸部３１０の外周部に固定されるウォームホイール３３２とを有している。駆動装置が作動すると、ギア部３３は、軸部３１及び軸部３１に接続された従動部２２を回転させる。

ブラシ３４は、装置上下方向において第一ベアリング３２０とウォームホイール３３２との間に設けられた第一ブラシ３４０と、第一ベアリング３２０の装置上方側に設けられた第二ブラシ３４２とを有している。第一ブラシ３４０は外軸部３１０の外周部に接触し、第二ブラシ３４２は内軸部３１２の外周部に接触している。図４に示されるように、各ブラシ３４は略Ｅ字形状の銅板の表面に白金めっきを施すことにより形成されている。すなわち、各ブラシ３４は、軸部３１に対してそれぞれ複数（本実施形態では３つの）の接点３５を有している。

図３に示されるように、挟持部３６は、内軸部３１２の下端に設けられた断面視において略逆Ｕ字状の部材であって、ホルダ２９の内部に収容されている。挟持部３６は、装置下方側が略円柱状のアダプタ３７と嵌め合わされている。このアダプタ３７には、金属棒２７が装置下方から嵌め込まれている。

（アノードバスケット）
図２に示されるように、アノードバスケット４０は、ベルトＢよりも装置上下方向に長く、ベルトＢと共にめっき液Ｌに浸漬されている。図１に示されるように、アノードバスケット４０は、めっき槽１２の装置幅方向に２列、装置奥行き方向に５列の合計１０個設けられている。補足すると、アノードバスケット４０は、装置幅方向一方側（図の上側）では、手前側から奥側に向けてアノードバスケット４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃ、４０Ｄ、４０Ｅの順に定められた間隔で配置されている。また、アノードバスケット４０は、装置幅方向他方側（図の下側）では、手前側から奥側に向けてアノードバスケット４０Ｆ、４０Ｇ、４０Ｈ、４０Ｉ、４０Ｊの順に定められた間隔で配置されている。各アノードバスケット４０は、装置幅方向において回転ユニット２０（従動部２２）に対向して設けられている。例えば、装置幅方向において、アノードバスケット４０Ａは回転ユニット２０Ａの従動部２２と対向し、アノードバスケット４０Ｆは回転ユニット２０Ｆの従動部２２と対向している。

図２に示されるように、このアノードバスケット４０は、イオン化する金属Ｍを収容する円筒状かつ網状の収容部４１と、収容部４１をアノードバス１６に吊るすための略逆Ｊ字状のフック部４２とを有している。フック部４２には、後述する端子５０が固定されている（図５（Ａ）参照）。

ここで、収容部４１に収容される金属Ｍは、めっきを施す金属によって異なる。例えば、ベルトＢに銅めっきを施す場合、収容部４１には銅ボールが収容される。また例えば、ベルトＢにニッケルめっきを施す場合、収容部４１にはニッケルボールが収容される。収容部４１において、金属ＭはベルトＢの長さよりも長くなるように積み重ねられている。

また、本実施形態のアノードバスケット４０では、収容部４１の外周部がポリエステル製の布であるアノードバック４３により被覆されている。なお、図２においてアノードバスケット４０Ａは、説明のためにアノードバック４３の一部を透過している。本実施形態によれば、不純物となるアノードスライムがアノードバスケット４０からめっき槽１２内に流れ出ないため、収容部４１をアノードバック４３で覆わない場合と比べて、ベルトＢにおけるめっき層のザラが抑制される。ここで、アノードスライムとは、金属をアノードにして電解したとき、電気化学的に溶解しない残渣をいう。また、ザラとは、めっき槽中の固体異物粒子が、めっき層の中に入り込んでできるザラつき（凹凸状の欠陥）をいう。

さらに、本実施形態のアノードバスケット４０では、アノードバック４３により被覆された収容部４１の一部が、絶縁体であるアノードマスク４４により覆われることで遮蔽されている。例えば、本実施形態のアノードマスク４４は塩化ビニル製である。アノードマスク４４は、絶縁物の一例である。アノードマスク４４は、収容部４１の装置上方を覆う円筒状の上部マスク４６と、収容部４１の装置下方を覆う円筒状の下部マスク４８とを有している。上部マスク４６は、めっき液Ｌの液面を跨いで設置され、下部マスク４８は筒状の下端部が閉口している。

アノードマスク４４に覆われていない収容部４１の露出部分は、装置上下方向においてベルトＢと同範囲とされている（図２の点線部参照）。すなわち、装置上下方向における上部マスク４６の装置下方側端部の位置はベルトＢの装置上方側端部の位置と同等であり、下部マスク４８の装置上方側端部の位置はベルトＢの装置下方側端部の位置と同等である。つまり、本実施形態のアノードバスケット４０の収容部４１においては、装置幅方向においてベルトＢと対向しない装置上下方向両側がアノードマスク４４により覆われている。アノードマスク４４に覆われた収容部４１の遮蔽部分の周囲では、露出部分に対して電流放射が抑えられている。

端子５０は、電源装置１００の陽極１０２とアノードバスケット４０との電気的な接続を確保するために設けられた導電性の部材である。本実施形態の端子５０は銅製である。図５（Ａ）に示されるように、本実施形態では、陽極１０２から延びるケーブル１５０の先端に圧着端子１５２が設けられており、端子５０は圧着端子１５２を固定可能に形成されている。図５（Ｂ）に示されるように、端子５０は、装置奥行き方向片側（図の左側）の壁面において装置上下方向に沿って設けられた溝部５１を有している。また、端子５０は、装置幅方向片側の（図の下側）の壁面から溝部５１に向かう貫通孔に形成された第一めねじ部５２と、第一めねじ部５２に並んで形成された第二めねじ部５３とを有している。

第一めねじ部５２には、白金めっきが施された固定ボルト５４がねじ込まれている。本実施形態の固定ボルト５４は、第一めねじ部５２にねじ込まれた際に、先端部５５がフック部４２を構成する金属板に接触するように形成されている。溝部５１において、フック部４２を構成する金属板が、端子５０の壁部と固定ボルト５４の先端部５５とに挟まれることで、端子５０はフック部４２に固定される。

第二めねじ部５３には、白金めっきが施された圧着ねじ５６がねじ込まれている。本実施形態の圧着ねじ５６は、軸部５７を圧着端子１５２の孔に通してから第二めねじ部５３にねじ込むことで、圧着端子１５２は端子５０に対して固定される。

アノードバス１６にフック部４２を引掛けて、アノードバス１６とアノードバスケット４０とを導通させる場合、めっき液Ｌの影響でアノードバス１６及びフック部４２が腐食するとアノードバス１６からアノードバスケット４０にかけての抵抗が増加する。これに対して本実施形態の端子５０を設けることにより、電源装置１００の陽極１０２からアノードバスケット４０にかけての抵抗を軽減し、アノードバス１６にフック部４２を引掛けて導通させる場合と比べて、導通の安定化を図ることができる。

（電源装置）
電源装置１００は、回転ユニット２０に固定されるベルトＢと、アノードバスケット４０の収容部４１に収容される金属Ｍとの間に電圧を印加するものである。電源装置１００は電源の一例である。

図６（Ａ）に示されるように、電源装置１００は、陽極１０２がケーブル１５０及び端子５０を介してアノードバスケット４０に接続され、陰極１０４が制御部１２０の出力部１３６に接続されている。また、各回転ユニット２０から延びるケーブル１５１がそれぞれ制御部１２０の入力部１３０に接続されている。詳しくは、上部支持部２５が第一ブラシ３４０及びケーブル１５１を介して入力部１３０の第一入力部１３２に接続され、下部支持部２６が第二ブラシ３４２及びケーブル１５１を介して入力部１３０の第二入力部１３４に接続されている。第一入力部１３２及び第二入力部１３４は、回転ユニット２０毎に形成されている。図６（Ａ）では省略されているが、第一入力部１３２は、第一入力部１３２Ａ～第一入力部１３２Ｊを含み、第二入力部１３４は、第二入力部１３４Ａ～第二入力部１３４Ｊを含んでいる。

以上のように接続されためっき装置１０では、次の括弧の順に電流が流れる電源回路が形成される。なお、ベルトＢから制御部１２０に向けては２つの系統が形成される。
（１）電源装置１００、（２）陽極１０２、（３）ケーブル１５０、（４）端子５０、（５）アノードバスケット４０、（６）金属Ｍ、（７）めっき液Ｌ、（８）ベルトＢ、
（９－１）上部支持部２５、（１０－１）ホルダ２９、（１１－１）外軸部３１０、（１２－１）第一ブラシ３４０、（１３－１）ケーブル１５１、（１４－１）第一入力部１３２
（９－２－１）下部支持部２６、（９－２－２）金属棒２７、（１０－２－１）アダプタ３７、（１０－２－２）挟持部３６、（１１－２）内軸部３１２、（１２－２）第二ブラシ３４２、（１３－２）ケーブル１５１、（１４－２）第二入力部１３４
（１５）制御部１２０、（１６）出力部１３６、（１７）陰極１０４、（１８）電源装置１００

（制御部）
制御部１２０は、電源回路において陰極１０４とベルトＢの間に設けられ、ベルトＢから電源装置１００に帰還する電流を予め定めた値に制御するものである。上述のように、本実施形態の制御部１２０は、各ベルトＢにおける装置上下方向の両端部にそれぞれ接続されている。

また、本実施形態の制御部１２０は、第一入力部１３２Ａ～１３２Ｊ、及び第二入力部１３４Ａ～１３４Ｊにおける電流値を個別に制御することができる。例えば、図６（Ｂ）に示されるように、各入力部１３０から出力部１３６までの回路上にそれぞれ可変抵抗（半導体を用いた電流制御回路を含む）を設けることにより、電流値を個別に制御することができる。これにより、例えば、各ベルトＢにおける電流値を揃えたり、複数のベルトＢ毎に異なる電流値を設定したりすることができる。なお、図６（Ｂ）では省略されているが、電流値を制御する回路は、第一入力部１３２Ａ及び第二入力部１３４Ａに限らず、第一入力部１３２Ｂ～第一入力部１３２Ｊ、及び第二入力部１３４Ｂ～第二入力部１３４Ｊにもそれぞれ設けられている。

さらに、本実施形態では、電源装置１００及び制御部１２０に対して、めっき処理を実行するための処理実行部１４０が接続されている。処理実行部１４０は、電源装置１００を作動させることでベルトＢと金属Ｍとの間に電圧を印加しめっき処理を実行させることができる。また、処理実行部１４０は、制御部１２０の各入力部１３０に入力され、制御部１２０の出力部１３６から出力され、電源装置１００に帰還させる電流の電流値を、制御部１２０において個別に設定する。すなわち、処理実行部１４０は、各回転ユニット２０に固定されるベルトＢのめっき層の厚さを管理することができる。

（循環装置）
循環装置６０は、めっき槽１２において電解液であるめっき液Ｌを循環させるものである。図２に示されるように、循環装置６０は、回転ユニット２０の装置下方側、すなわちベルトＢの装置下方側に、装置奥行き方向に沿って設置される液管６２を有している。図７に示されるように、この液管６２は、平面視においては、回転ユニット２０に固定されたベルトＢとアノードバスケット４０との間に設けられている。また、液管６２は、回転ユニット２０Ａ～回転ユニット２０Ｅの装置下方側に設置される第一液管６２Ｐと、回転ユニット２０Ｆ～回転ユニット２０Ｊの装置下方側に設置される第二液管６２Ｓとを有している。各液管６２にはそれぞれ、めっき液Ｌをめっき槽１２内に向けて吐出する吐出口７０が設けられている。

第一液管６２Ｐ及び第二液管６２Ｓは、奥側の端部が接続管６３により連結され、手前側の端部にはそれぞれめっき槽１２の外側に延びる流入管６４が接続されている。流入管６４は、第一液管６２Ｐに接続される第一流入管６４Ｐと、第二液管６２Ｓに接続される第二流入管６４Ｓとを有している。

各流入管６４には、液管６２を流れるめっき液Ｌの流量を調整するための調整弁６５が設けられている。例えば、調整弁６５としては、樹脂製のボールバルブ又はニードルバルブが採用される。また、調整弁６５は、第一液管６２Ｐの流量を調整するために第一流入管６４Ｐに設けられた第一調整弁６５Ｐと、第二液管６２Ｓの流量を調整するために第二流入管６４Ｓに設けられた第二調整弁６５Ｓとを有している。

流入管６４とオーバーフロータンク１３との間には、循環管６６が接続されている。循環管６６は第一調整弁６５Ｐにおいて第一流入管６４Ｐに接続され、第二調整弁６５Ｓにおいて第二流入管６４Ｓに接続されている。また、循環管６６において、オーバーフロータンク１３と流入管６４との間にはめっき液Ｌを圧送するためのポンプ６７が設けられている。このポンプ６７には、めっき液Ｌ中の不純物を除去するためのフィルタが設けられている。

以上、本実施形態の循環装置６０によれば、めっき液Ｌに係る以下の循環系が形成される。すなわち、めっき液Ｌは、（１）めっき槽１２、（２）オーバーフロータンク１３、（３）循環管６６（ポンプ６７）、（４）流入管６４、（５）液管６２、（６）めっき槽１２、の順に循環する。めっき槽１２では、大局的に見て手前側である流入管６４側がめっき液Ｌの流れＦの上流となり、奥側であるオーバーフロータンク１３側が流れＦの下流となる。

一方、各液管６２には、めっき液Ｌをめっき槽１２内に向けて吐出する一対の吐出口７０が設けられている。具体的に、第一液管６２Ｐにおいては、回転ユニット２０Ａ～回転ユニット２０Ｅに固定された各ベルトＢに対応して吐出口７０Ａ～吐出口７０Ｅが設けられている。また、第二液管６２Ｓにおいては、回転ユニット２０Ｆ～回転ユニット２０Ｊに固定された各ベルトＢに対応して吐出口７０Ｆ～吐出口７０Ｊが設けられている。

各吐出口７０は、対応するベルトＢに対して手前側、すなわち、めっき槽１２の平面視においてめっき液Ｌの流れＦの上流側に配置されている。例えば、吐出口７０Ｂは、装置奥行き方向において回転ユニット２０Ａと回転ユニット２０Ｂとの間に位置し、吐出口７０Ｃは、装置奥行き方向において回転ユニット２０Ｂと回転ユニット２０Ｃとの間に位置している。

また、吐出口７０は、回転ユニット２０（ベルトＢ）側に形成された内側吐出口７２と、アノードバスケット４０（金属Ｍ）側に形成された外側吐出口７４とを有している。図８に示されるように、各吐出口７０は、各液管６２の断面において装置上方に形成されている。一例として、内側吐出口７２及び外側吐出口７４は、それぞれ各液管６２の断面中心から上方に延ばした垂線に対する中心線の角度Ｘが４５度となる位置に形成されている。

さらに、各液管６２においては、装置奥行き方向両端の吐出口７０の内径が装置奥行き方向中央側の吐出口７０の内径よりも大きい。詳しくは、第一液管６２Ｐでは、吐出口７０Ａ及び７０Ｅの内径が、吐出口７０Ｂ、７０Ｃ及び７０Ｄの内径よりも大きい。また、第二液管６２Ｓでは、吐出口７０Ｆ及び７０Ｊの内径が、吐出口７０Ｇ、７０Ｈ及び７０Ｉの内径よりも大きい。補足すると、装置奥行き方向の両端の吐出口７０の開口面積は、装置奥行き方向中央側の吐出口７０の開口面積よりも１０％から２０％ほど大きく設定されている。

（曝気装置）
曝気装置８０は、めっき液Ｌの内部に気体としての空気Ａを供給するものである。図２に示されるように、曝気装置８０は、回転ユニット２０の装置下方側、すなわちベルトＢの装置下方側に、装置奥行き方向に沿って設置される配管８２を有している。図９に示されるように、この配管８２は、回転ユニット２０Ａ～回転ユニット２０Ｅの装置下方側に設置される第一配管８２Ｐと、回転ユニット２０Ｆ～回転ユニット２０Ｊの装置下方側に設置される第二配管８２Ｓとを有している。また、第一配管８２Ｐは第一液管６２Ｐに沿って、第二配管８２Ｓは第二液管６２Ｓに沿ってそれぞれ配置されている（図１及び図２参照）。各配管８２にはそれぞれ、空気Ａをめっき槽１２内のめっき液Ｌに向けて排出する排出口９０が設けられている。

第一配管８２Ｐ及び第二配管８２Ｓの装置奥行き方向両端には導入管８４が接続されている。具体的に、第一配管８２Ｐ及び第二配管８２Ｓの手前側の端部にはめっき槽１２の外側に延びる第一導入管８４Ｐが接続され、第一配管８２Ｐ及び第二配管８２Ｓの奥側の端部にはめっき槽１２の外側に延びる第二導入管８４Ｓが接続されている。第二導入管８４Ｓは、めっき槽１２の外側を迂回して手前側に延びている。

各導入管８４には、配管８２における空気Ａの圧力を調整するための調圧弁８６が設けられている。例えば、調圧弁８６としては、樹脂製のボールバルブ又はニードルバルブが採用される。また、調圧弁８６は、第一導入管８４Ｐに設けられた第一調圧弁８６Ｐと、第二導入管８４Ｓに設けられた第二調圧弁８６Ｓとを有している。

また、各導入管８４は、連結管８７を介して図示しない空気の供給源（一例として、コンプレッサ）に接続されている。したがって、本実施形態の曝気装置８０によれば、以下の流れで空気Ａが排出される。すなわち、空気Ａは、（１）コンプレッサ、（２）連結管８７、（３）導入管８４、（４）配管８２、（５）めっき槽１２、の順に流れる。導入管８４により、第一配管８２Ｐ及び第二配管８２Ｓでは、空気Ａが装置奥行き方向両端から圧送される。

一方、各配管８２には、空気Ａをめっき槽１２内に向けて吐出する一対の排出口９０が設けられている。具体的には、第一配管８２Ｐにおいては、回転ユニット２０Ａ～回転ユニット２０Ｅの各ベルトＢに対応して排出口９０Ａ～排出口９０Ｅが設けられている。また、第二配管８２Ｓにおいては、回転ユニット２０Ｆ～回転ユニット２０Ｊの各ベルトＢに対応して排出口９０Ｆ～排出口９０Ｊが設けられている。

各排出口９０は、対応するベルトＢに対して手前側、すなわち、めっき槽１２の平面視においてめっき液Ｌの流れＦの上流側に配置されている。また、各ベルトＢを基準にすると排出口９０は、吐出口７０よりもベルトＢの近くに設けられている。例えば、排出口９０Ｂは、装置奥行き方向において回転ユニット２０Ａと回転ユニット２０Ｂとの間に位置し、かつ吐出口７０Ｂよりも回転ユニット２０Ｂに近い位置に配置されている（図１参照）。また、排出口９０Ｃは、装置奥行き方向において回転ユニット２０Ｂと回転ユニット２０Ｃとの間に位置し、かつ吐出口７０Ｃよりも回転ユニット２０Ｃに近い位置に配置されている（図１参照）。

また、排出口９０は、回転ユニット２０（ベルトＢ）側に形成された内側排出口９２と、アノードバスケット４０（金属Ｍ）側に形成された外側排出口９４とを有している。図１０（Ａ）に示されるように、各排出口９０は、各配管８２の断面において装置下方に形成されている。一例として、内側排出口９２及び外側排出口９４は、それぞれ各配管８２の断面中心から下方に延ばした垂線に対して中心線が０～５０度の範囲（角度Ｙ）、望ましくは２０～５０度の範囲（角度Ｚ）に位置するように形成されている。

さらに、各配管８２は、装置奥行き方向両端部の排出口９０よりも外側に設けられ、かつ各配管８２の断面において装置下方に形成された追加口９６を有している。具体的に追加口９６は、排出口９０Ａよりも手前側に形成された追加口９６Ｐ１と、排出口９０Ｅよりも奥側に形成された追加口９６Ｐ２とを有している。また追加口９６は、排出口９０Ｆよりも手前側に形成された追加口９６Ｓ１と、排出口９０Ｊよりも奥側に形成された追加口９６Ｓ２とを有している。

図１０（Ｂ）に示されるように、追加口９６は、内側排出口９２と同様に、配管８２の断面中心から下方に延ばした垂線に対して０～５０度の範囲（角度Ｙ）、望ましくは２０～５０度の範囲（角度Ｚ）に形成されている。また、追加口９６の開口面積は、内側排出口９２の開口面積と外側排出口９４の開口面積との総和の半分以下に設定されている。

（作用）
本実施形態のめっき装置１０では、ベルトＢに対して以下の各工程によりめっきを施してめっき部品を製造する。
ベルトＢは、前処理工程においてポリイミド基材に対する無電解ニッケルメッキ及びストライク銅めっきが施される。そして、めっき装置１０を用いて、電解銅めっき及び電解ニッケルメッキが施される。この前処理工程を経ることで、ベルトＢは導電性を有することになる。

まず、前処理工程を経たベルトＢは、回転ユニット２０Ａ～回転ユニット２０Ｊに固定される。具体的に、作業者はベルトＢを被せた保持部２４を上部支持部２５及び下部支持部２６で挟み込む。そして、作業者は上部支持部２５及び下部支持部２６に対してベルトＢを粘着テープＴにて固定する。また、作業者は上部支持部２５において板バネ部２１６を本体部２１０に対して固定し、下部支持部２６において板バネ部２２６を本体部２２０に対して固定する。これにより従動部２２が組み立てられる。

次に、作業者は従動部２２のホルダ２９を駆動部３０の外軸部３１０に対して固定する（図３参照）。この際、金属棒２７の先端に接続されたアダプタ３７が挟持部３６に嵌め込まれる。これにより従動部２２は駆動部３０に対して取り付けられ、回転ユニット２０が組み上がる。

ベルトＢが固定された回転ユニット２０は、最初に銅めっき用のめっき槽１２に収容される。つまり、各ベルトＢは銅めっき液に浸漬される。次に、各回転ユニット２０が回転を開始し、循環装置６０が作動を開始し、曝気装置８０が作動を開始する。そして、電源装置１００が立ち上がり、金属Ｍとして銅ボールが収容されたアノードバスケット４０と、ベルトＢが固定された回転ユニット２０との間に電圧が印加されることで、めっき工程として銅めっきが開始される。めっき工程中は、電源装置１００の陰極１０４とベルトＢとの間に接続される制御部１２０において電流値が予め定めた値で制御される。また、循環装置６０がめっき槽１２内のめっき液Ｌを循環させると共に、曝気装置８０では、排出口９０から空気Ａが排出されることでベルトＢに対してバブリングが行われる。

銅めっきが終了すると、回転ユニット２０は銅めっき用のめっき槽１２から取り出され、続いてニッケルメッキ用のめっき槽１２に移される。ニッケルメッキ用のめっき槽１２に収容されることで、各ベルトＢはニッケルメッキ液に浸漬される。そして、銅めっきと同様にめっき工程としてニッケルめっきが開始される。工程の詳細は銅めっきの場合と同様である。

以上、本実施形態のめっき装置１０による作用効果をまとめると以下のとおりとなる。
（１）電流制御による作用効果
電解めっきにおいて、ベルトＢに流れる電流値は、めっき液Ｌの運動量と金属イオンのモル濃度によって左右される。そのため、めっき液Ｌの状態によってベルトＢに流れる電流値が変動するとめっき層の厚さがばらついてしまう。

そこで、本実施形態のめっき装置１０では、ベルトＢから電源装置１００に帰還する電流を制御すべく電流回路中に制御部１２０を設けた。特許文献１のめっき装置のように、定電流電源の出力側（陽極側）で電流を制御する電源の場合、上述のようにめっき液の環境変化が電流値に影響を及ぼしてしまう。これに対して、本実施形態によれば、電源から金属に向かう出力側で電流を制御する場合と比べて、ベルトＢに流れる電流値の変化を抑制することができる。これにより、基材表面に形成されるめっき層の厚さのばらつきを抑制することができる。

また、本実施形態のめっき装置１０では、複数のベルトＢに対してめっきを施すことができる。そして、制御部１２０はベルトＢ毎に電流を制御することができる。すなわち、本実施形態によれば、ベルトＢ毎に流れる電流を一括して制御する場合と比べて、ベルトＢ毎のめっき層の厚さのばらつきを抑制できる。

また、本実施形態のめっき装置１０では、ベルトＢが装置上下方向の両端において制御部１２０に接続され、制御部１２０では別個に電流値が制御されている。本実施形態によれば、制御部１２０に対する接続箇所が１箇所の場合と比べて、ベルトＢ表面に形成されるめっき層のベルトＢの長さ方向に対する厚さのばらつきを抑制できる。なお、本実施形態では、ベルトＢの両端に電極を接続したが、この限りでなく、ベルトＢの長さ方向において複数個所、電極を接続してもよい。

ここで、本実施形態のめっき装置１０では、円筒形状のベルトＢに対してめっきが施される。そのため、制御部１２０からベルトＢの下端に至る配線は、ベルトＢの内部を通すことができる。具体的に、本実施形態では、ベルトＢの内部に金属棒２７を通すことで、ベルトＢの上端から制御部１２０に向かう回路とベルトＢの下端から制御部１２０に向かう回路とを別系統にしている。本実施形態によれば、中実の部材の表面にめっきを施す場合と比べて、ベルトＢの端部に接続される電極を容易に増やすことができる。

（２）アノードマスクによる作用効果
本実施形態のアノードバスケット４０においては、装置幅方向においてベルトＢと対向しない装置上下方向両側の部分がアノードマスク４４により覆われている。ここで、アノードバスケット４０（アノードバック４３）の露出部分がベルトＢの長さよりも長い場合、ベルトＢの上下両端部においては、中央部よりも電流放射が大きい。そのため、ベルトＢの端部では中央部よりもめっき層が成長することが考えられる。これに対して、本実施形態によれば、アノードバスケット４０においてベルトＢと対向する部分の装置上下方向両側が露出している場合と比べて、ベルトＢの両端部のめっき層が他の部分よりも厚くなることを抑制できる。

また、本実施形態では、上部マスク４６は、めっき液Ｌの液面を跨いで設置され、下部マスク４８は筒状の下端部が閉口している。そのため、上部マスク４６においては、アノードバスケット４０の装置上方側から、下部マスク４８においては、アノードバスケット４０の装置下方側からの電流放射が抑制される。すなわち、ベルトＢがアノードバスケット４０から水平方向に電流放射を受けるようにすることで、ベルトＢでは端部における電流密度の増加（エッジ効果）を抑制できるため、ベルトＢの端部が他の部分と比較してめっき層の厚さが厚くなることを抑制できる。

（３）回転ユニットによる作用効果
本実施形態では、ベルトＢを回転させる回転ユニット２０を備えている。電解めっきにおいて、めっき液Ｌを移動する金属イオンの速度は当該金属イオンのモル濃度によって左右される。そのため、めっき対象物の表面積が増えることで、めっき対象物の周辺では金属イオンのモル濃度が低下する。例えば、本実施形態のように、回転ユニット２０ＡのベルトＢにおいては、アノードバスケット４０Ａ側と回転ユニット２０Ｆ側とで金属イオンの濃度差が生ずる。そして、めっき槽１２内において金属イオンに濃度差が生ずると電流密度にも差が生ずる。

そこで本実施形態のように、回転ユニット２０によりベルトＢを回転させることにより、次の効果を奏する。すなわち、本実施形態によれば、ベルトＢが周方向に静止している場合と比べて、ベルトＢが受ける電流密度のばらつきが抑制される。これにより、ベルトＢの表面に形成されるめっき層の周方向に対する厚さのばらつきを抑制できる。

また、本実施形態では、ベルトＢを回転させつつ電流を流すべく、回転ユニット２０にブラシ３４が設けられている。このブラシ３４は、軸部３１に接する複数の接点３５を有している。本実施形態のブラシ３４によれば、接点３５を複数に分割することにより、一の接点３５の腐食が他の接点３５に波及することを抑制している。これにより、ブラシ３４の接点が一つである場合と比較して、接点３５が腐食した場合の電流値の変化を抑制できる。

（４）循環装置による作用効果
本実施形態のめっき槽１２におけるめっき液Ｌは、大局的に見て装置奥行き方向をオーバーフロータンク１３側に向けて流れている。オーバーフロータンク１３において回収されためっき液Ｌは、ポンプ６７を経て液管６２に圧送され、液管６２において回転ユニット２０毎に設けられた吐出口７０から再びめっき槽１２内に吐出される。本実施形態では、吐出口７０が対応する回転ユニット２０に固定された各ベルトＢに対して手前側、すなわち、めっき槽１２の平面視においてめっき液Ｌの流れＦの上流側に位置している。

流れＦの最上流側のベルトＢ、つまり回転ユニット２０ＡのベルトＢ及び回転ユニット２０ＦのベルトＢの周辺では、さらに上流側からめっき液Ｌを吐出しなければ、これら最上流側のベルトＢ付近の金属イオンの濃度は低下してしまう。これに対して、本実施形態のめっき装置１０によれば、各吐出口７０が対応するベルトＢに対して奥側であるオーバーフロータンク１３寄りに配置される場合と比べて、各ベルトＢに提供される金属イオンの濃度のばらつきを抑制することができる。これにより、ベルトＢ毎のめっき層の厚さのばらつきが抑制される。

なお、装置奥行き方向における吐出口７０の位置は、めっき液Ｌの流れＦのベクトル分だけ上流側に設定すると好適である。

また、本実施形態の循環装置６０において、液管６２は、めっき槽１２の平面視において回転ユニット２０に固定されたベルトＢとアノードバスケット４０に収容された金属Ｍとの間に設けられており、一のベルトＢに対応する吐出口７０は、回転ユニット２０（ベルトＢ）側の内側吐出口７２と、アノードバスケット４０（金属Ｍ）側の外側吐出口７４とを有している。図１１（Ａ）及び（Ｂ）に示されるように、局所的には、内側吐出口７２からベルトＢに向かう流れｆ１と、外側吐出口７４からアノードバスケット４０に向かう流れｆ２とが発生している。

したがって、本実施形態のめっき装置１０によれば、各吐出口７０からベルトＢ側だけでなく金属Ｍ側にもめっき液Ｌを供給することにより、各アノードバスケット４０の金属Ｍから生成される金属イオンの濃度のばらつきを抑制することができる。これにより、各吐出口７０からベルトＢ側だけにめっき液Ｌを供給する場合と比べて、ベルトＢ毎のめっき層の厚さのばらつきが抑制される。

また、本実施形態の各液管６２において装置奥行き方向両端の吐出口７０は、装置奥行き方向中央側の吐出口７０よりも１０％から２０％ほど開口面積が大きい。詳しくは、第一液管６２Ｐでは、吐出口７０Ａ及び７０Ｅの内径が、吐出口７０Ｂ、７０Ｃ及び７０Ｄの内径よりも大きい。また、第二液管６２Ｓでは、吐出口７０Ｆ及び７０Ｊの内径が、吐出口７０Ｇ、７０Ｈ及び７０Ｉの内径よりも大きい。

第一液管６２Ｐでは、第一流入管６４Ｐから流れ込んだめっき液Ｌが吐出口７０Ａから吐出口７０Ｅにかけて順に到達する。また、第二液管６２Ｓでは、第二流入管６４Ｓから流れ込んだめっき液Ｌが吐出口７０Ｆから吐出口７０Ｊにかけて順に到達する。ここで、最上流側の吐出口７０（吐出口７０Ａ、７０Ｆ）においては、めっき液Ｌの流速によりエジェクタ効果が発生する場合がある。また、最下流側の吐出口７０（吐出口７０Ｅ、７０Ｊ）においては、液管６２の端部で圧力反射が発生する。

したがって、各液管６２において吐出口７０径が全て同じ場合、装置奥行き方向両端の吐出口７０では、装置奥行き方向中央側の吐出口７０よりも吐出量が低下する恐れがある。これに対して、本実施形態のめっき装置１０によれば、各吐出口７０の開口面積がいずれも等しい場合と比べて、液管６２の両端の吐出口７０におけるめっき液Ｌの吐出量が液管６２の中央側よりも低下することを抑制することができる。

また、本実施形態の循環装置６０では、めっき槽１２に対して液管６２が２本配置されており、各液管６２の終端部は接続管６３により連結されている。

本実施形態のめっき装置１０によれば、液管６２が複数本配置されている場合に液管６２の終端部を封止した場合と比べて、接続管６３を通じて各液管６２におけるめっき液Ｌの流量のばらつきを抑制することができる。なお、液管６２が３本以上の場合であっても、端部を一の接続管により連結させることで、本実施形態と同様の作用効果を得ることができる。

また、本実施形態のめっき装置１０では、各液管６２と対応する流入管６４に対して各々流量調整用の調整弁６５が設けられている。これにより、本実施形態では、第一液管６２Ｐと第二液管６２Ｓとで個別にめっき液Ｌの流量を調整することができる。そして、本実施形態のめっき装置１０によれば、各液管６２に共通する調整弁を設けた場合と比べて、液管６２及び流入管６４の形状や経路の違いによるめっき液Ｌの流量のばらつきを調整することができる。

なお、液管６２を追加した場合、当該追加した液管６２に対応する調整弁６５を設けることにより、本実施形態と同様の作用効果を得ることができる。また、一の液管６２に対応する調整弁６５を省き、残りの液管６２に対応する調整弁６５において流量を調整することにより、各液管６２の流量のばらつきを調整してもよい。

（５）曝気装置による作用効果
本実施形態の曝気装置８０では、空気Ａが流れる配管８２が装置奥行き方向に沿って延び、かつ回転ユニット２０の下方、すなわちベルトＢの下方に配置されている。この配管８２は、断面の下方に複数の排出口９０として、回転ユニット２０（ベルトＢ）側に形成された内側排出口９２と、アノードバスケット４０（金属Ｍ）側に形成された外側排出口９４とを有している。

めっき液Ｌ中に配管８２を沈めた場合、空気Ａの圧送前においては、配管８２の内部はめっき液Ｌで満たされている。ここで、排出口が配管の断面の上方に形成されている場合、めっき液で満たされた配管の内部では、圧縮された空気で押し出すことができなかっためっき液が滞留する。また、この場合の配管では、装置奥行き方向両側の排出口付近の空気の流速が、装置奥行き方向中央側の排出口付近の流速よりも速い。これは、装置奥行き方向中央側の排出口から排出される空気を確保するため、及びめっき液により流路が狭くなっていることによる。そして、装置奥行き方向中央側よりも空気の流速の速い装置奥行き方向両側では、空気の流速増加によりエジェクタ効果が発生する場合がある。すると、装置奥行き方向両側の排出口では、装置奥行き方向中央側の排出口よりもバブリングにおける空気の泡の発生が軽減する恐れが生じる。

そこで、本実施形態では、排出口９０を配管８２の断面の下方に形成することで、断面の上方に形成した場合と比べて、配管８２の内部のめっき液Ｌを排出することができる。これにより、排出口９０毎の空気Ａの泡の量、つまりバブリングの強度の偏りを抑制することができ、めっき槽１２の装置上下方向における金属イオン濃度の偏りを抑制することができる。これにより、各ベルトＢに形成されるめっき層の装置上下方向における厚さのばらつきが抑制される。

ここで、各配管８２における排出口９０は、配管８２の断面中心から下方に延ばした垂線に対して中心線が０～５０度の範囲に位置するように形成するとよい。このような範囲で排出口９０を形成した場合は、次の効果を奏する。すなわち、配管８２の断面中心から下方に延ばした垂線に対して５０～９０度の範囲に中心線が位置するように排出口９０を形成した場合と比べて、配管８２内部のめっき液Ｌを多く排出することができる。

また、めっき槽１２の深さに余裕がない場合において、排出口９０は、配管８２の断面中心から下方に延ばした垂線に対して中心線が２０～５０度の範囲に位置するように形成するとなおよい。このような範囲で排出口９０を形成した場合は、上記に加えて次の効果を奏する。すなわち、配管の断面中心から下方に延ばした垂線に対して０～２０度の範囲に中心線が位置するように排出口を形成した場合と比べて、槽の底面から受ける圧力反射を抑制することができる。これにより、配管８２内部のめっき液Ｌをさらに多く排出することができる。

また、本実施形態のめっき装置１０における排出口９０は、対応する回転ユニット２０に固定されたベルトＢに対して手前側、すなわち、めっき槽１２の平面視においてめっき液Ｌの流れＦの上流側に位置している。なおかつ、排出口９０は、吐出口７０よりもベルトＢの近くに設けられている。例えば、排出口９０Ａは対応する回転ユニット２０Ａに固定されたベルトＢに対して流れＦの上流側に位置し、かつ吐出口７０ＡよりもベルトＢの近くに設けられている。

このように排出口９０を配しためっき装置１０によれば、図１１（Ａ）及び（Ｂ）に示されるように、吐出口７０からベルトＢに至るめっき液Ｌの局所的な流れｆ１の途中において、排出口９０からバブリングが行われる。そのため、ベルトＢの周方向において空気Ａの供給が偏ることがなく、ベルトＢは装置下方から装置上方にかけて全体的に空気Ａの泡に覆われる。本実施形態によれば、排出口９０が対応するベルトＢに対して流れＦの下流側、又は組みとなる吐出口７０よりも遠くに配置される場合と比べて、ベルトＢに供給される空気Ａの泡のばらつきを抑制することができる。これにより、各ベルトＢに形成されるめっき層の装置上下方向における厚さのばらつきが抑制される。

なお、排出口９０の位置は、めっき液Ｌの局所的な流れｆ１のベクトルと空気Ａの泡の上昇ベクトルとを合成したベクトルに対応する分だけ上流側に設定すると好適な位置となるが、本実施形態によれば、排出口９０の位置を当該好適な位置に近づけることができる。

また、本実施形態の曝気装置８０では、空気Ａは配管８２の装置幅方向両側の端部に接続された導入管８４から圧送される。ここで、圧送される配管の終端部が封止されている場合、圧力反射の影響で封止された端部に最も近い排出口では、装置奥行き方向中央側の排出口よりも空気の泡の発生が軽減する。

これに対し、本実施形態のめっき装置１０によれば、配管８２の終端部を封止し、一端から空気Ａを圧送する場合と比べて、終端部における圧力反射の影響を抑制することができる。つまり、各配管８２では、排出口９０毎の空気Ａの排出量を均一化することができる。これにより、各ベルトＢの装置奥行き方向の端部と中央部との間におけるめっき層の厚さのばらつきが抑制される。なお、配管８２が３本以上の場合であっても、端部それぞれ導入管８４に接続することで、本実施形態と同様の作用効果を得ることができる。

また、本実施形態の曝気装置８０では、各導入管８４には各々圧力調整用の調圧弁８６が設けられている。そのため、本実施形態では、第一調圧弁８６Ｐと第二調圧弁８６Ｓとで個別に空気Ａの圧力を調整することができる。

本実施形態のめっき装置１０によれば、各導入管８４に共通する調圧弁を設けた場合と比べて、配管８２及び導入管８４の形状や経路の違いによる空気Ａの圧力のばらつきを調整することができる。

さらに、本実施形態の曝気装置８０では、各配管８２において装置奥行き方向両端の排出口９０よりも外側にそれぞれ設けられ、配管８２の断面の下方に形成された追加口９６をさらに備えている。追加口９６は、内側排出口９２と同様に、配管８２の断面中心から下方に延ばした垂線に対して中心線が０～５０度の範囲、望ましくは２０～５０度の範囲に位置するように形成するとよい。本実施形態のめっき装置１０によれば、配管８２に排出口９０のみが設けられている場合と比べて、配管８２内に残存するめっき液Ｌの量をさらに減らすことができる。

バブリングにおいて、めっき液Ｌ中を上昇する空気Ａの泡は、それぞれ互いに引き付けられ、そして併合されて大きくなる。そのため、追加口９６を設けない場合、排出口９０Ａ、９０Ｆから排出された空気Ａは手前側に併合する泡が存在しないため上昇と共に奥側に流れ、排出口９０Ｅ、９０Ｊから排出された空気Ａは奥側に併合する泡が存在しないため上昇と共に手前側に流れる。これに対して、本実施形態によれば、追加口９６を設けたことにより排出口９０Ａ、９０Ｅ、９０Ｆ、９０Ｊから排出される空気Ａは、それぞれ装置奥行き方向外側に引き付けられる。これにより、各ベルトＢが覆われる空気Ａの泡のばらつきが抑制され、ベルトＢ毎のめっき層の厚さのばらつきが抑制される。

なお、追加口９６の開口面積は、内側排出口９２の開口面積と外側排出口９４の開口面積との総和の半分以下に設定するとよい。このように設定することで、各配管８２では装置奥行き方向両側の排出口９０における空気Ａの圧力の低下を抑制することができる。つまり、各配管８２では、排出口９０毎の空気Ａの排出量をより均一化することができる。

（変形例）
本実施形態の回転ユニット２０において、上部支持部２５では板バネ部２１６によりベルトＢを第一入力部１３２に対して電気的に接続し、下部支持部２６では板バネ部２２６によりベルトＢを第二入力部１３４に対して電気的に接続している。ただし、接続方法はこれに限らない。本実施形態の変形例として、図１２に示されるように、粘着テープＴに代えて導電体である銅製の粘着テープである銅テープＴｃを使用することで電気的な接続を行うことができる。具体的には、上部支持部２５では、本体部２１０の外周部と保持部２４に保持されたベルトＢとの境界部分を跨ぐように銅テープＴｃを巻くことでベルトＢを第一入力部１３２に対して電気的に接続することができる。また、下部支持部２６では、本体部２２０の外周部と保持部２４に保持されたベルトＢとの境界部分を跨ぐように銅テープＴｃを巻くことでベルトＢを第二入力部１３４に対して電気的に接続することができる。

（備考）
本実施形態のめっき装置１０は、ベルトＢ毎に電流を制御することで各ベルトＢに形成されるめっき層の厚さのばらつきを抑制することを特徴としている。一方、本実施形態によれば、ベルトＢ毎に異なる電流値を設定することで、一のめっき装置１０において、めっき層の厚さが異なる複数種類のベルトＢを同時に形成することができる。

本実施形態のめっき装置１０においては、一つのベルトＢに対して、一つのアノードとなるアノードバスケット４０を装置幅方向において対向するように配置している。一方、本実施形態のように、対となるベルトＢ及びアノードバスケット４０を複数組めっき槽１２に対して浸漬した場合、装置奥行き方向両側のベルトＢと装置奥行き方向中央側のベルトＢでは電流密度に偏りが発生することが考えられる。具体的に、回転ユニット２０Ａに固定されるベルトＢは、主にアノードバスケット４０Ａからの電流が流れると共に、アノードバスケット４０Ｂからの電流も流れる。これに対して、回転ユニット２０Ｂに固定されるベルトＢは、主にアノードバスケット４０Ｂからの電流が流れると共に、アノードバスケット４０Ａ及び４０Ｃからの電流も流れる。つまり、装置奥行き方向両側のベルトＢでは、対向するアノードバスケット４０に隣接するアノードバスケット４０は片側のみとなるため、装置奥行き方向中央側のベルトＢよりも電流密度が小さくなる。

このように、装置奥行き方向における電流密度の偏りをすべく、アノードバスケット４０の装置奥行き方向外側に、陽極１０２と接続した追加のアノードバスケットを設けることができる。この場合、追加のアノードバスケットとアノードバスケット４０Ａとの間隔は、アノードバスケット４０Ａとアノードバスケット４０Ｂとの間隔に揃えるとよい。アノードバスケット４０Ｅ、４０Ｆ及び４０Ｊの装置奥行き方向外側に追加のアノードバスケットを設ける場合についても同様である。本実施形態では、制御部１２０において電流を制御するため、電流密度に偏りが生じてもめっき層への影響を抑制することは可能であるが、制御部１２０により電流を制御しない場合であっても、上記の電流密度の偏りを抑制することができる。

本実施形態のめっき装置１０において、めっき槽１２における金属イオンの濃度や電流密度の偏りを抑制することができれば、必ずしもベルトＢ毎に電流を制御する必要はなく、制御部１２０は全ベルトＢに対する電流を一律に制御することができる。また、この場合、ベルトＢの制御部１２０に対する接続は装置上下方向の何れか一端としてもよい。

本実施形態のめっき装置１０は、２列×５列の合計１０個のベルトＢに対してめっきを施す装置であるが、施工可能なベルトＢの配列はこれに限らない。ベルトＢに対応する回転ユニット２０、アノードバスケット４０、吐出口７０、排出口９０、第一入力部１３２及び第二入力部１３４を設けることができれば、ベルトＢの配列及び数は自由である。１個のベルトＢに対してめっきを施すことも可能である。

本実施形態では、ポリイミドベルトに対してめっき層を施す場合について説明したが、めっき処理が可能な基材はこれに限らない。例えば、めっき処理を行う基材として、樹脂製又は金属製のパイプ、シャフト、ピストン等の部品が挙げられる。

＜第２の実施形態＞
（構成）
第２の実施形態のめっき装置１０は、装置に異常が発生した場合にその原因を特定可能に構成されている。以下、第１の実施形態との相違点について説明する。なお、第１の実施形態と同一の構成には同一の符号を付すこととし、説明については割愛する。

図１３に本実施形態の制御部１２０の構造を示す。制御部１２０は、入力部１３０、出力部１３６、定電流回路１２２、１２４、及び電圧測定部１２７、１２８を含んでいる。電圧測定部１２７、１２８は測定部の一例である。

定電流回路１２２及び電圧測定部１２７は、各第一入力部１３２に対応して設けられている。すなわち、定電流回路１２２はベルトＢ毎に定電流回路１２２Ａ～１２２Ｊを有し、電圧測定部１２７はベルトＢ毎に電圧測定部１２７Ａ～１２７Ｊを有している。また、定電流回路１２４及び電圧測定部１２８は、各第二入力部１３４に対応して設けられている。すなわち、定電流回路１２４はベルトＢ毎に定電流回路１２４Ａ～１２４Ｊを有し、電圧測定部１２８はベルトＢ毎に電圧測定部１２８Ａ～１２８Ｊを有している。

定電流回路１２２は、第一入力部１３２と、出力部１３６に接続されるコモン線１２５と、の間に設けられている。定電流回路１２２は、トランジスタＴＲと、オペアンプＯＰと、複数の抵抗Ｒと、可変抵抗ＶＲと、を含んで構成されている。定電流回路１２２では、トランジスタＴＲのコレクタと第一入力部１３２とが接続され、トランジスタＴＲのエミッタとコモン線１２５とが接続されている。電圧測定部１２７は、第一入力部１３２（トランジスタＴＲのコレクタ）とコモン線１２５との間の電圧Ｖｃを測定する。

定電流回路１２４は、第二入力部１３４と、出力部１３６に接続されるコモン線１２５と、の間に設けられている。定電流回路１２４は、トランジスタＴＲと、オペアンプＯＰと、複数の抵抗Ｒと、可変抵抗ＶＲと、を含んで構成されている。定電流回路１２４では、トランジスタＴＲのコレクタと第二入力部１３４とが接続され、トランジスタＴＲのエミッタとコモン線１２５とが接続されている。電圧測定部１２８は、第二入力部１３４（トランジスタＴＲのコレクタ）とコモン線１２５との間の電圧Ｖｃを測定する。

図１４は、本実施形態に係る制御系のハードウェアの構成の一例を示すブロック図である。
図１４に示されるように、本実施形態の制御部１２０は、処理実行部１４０に接続されている。この処理実行部１４０は、制御処理部１４２と、記憶部１４４と、モニタ１４６と、スピーカ１４８と、を備えている。モニタ１４６及びスピーカ１４８は報知部の一例である。

制御処理部１４２は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１４２Ａ、ＲＯＭ（Read Only Memory）１４２Ｂ、ＲＡＭ（Random Access Memory）１４２Ｃ、および入出力インタフェース（Ｉ／Ｏ）１４２Ｄを備えており、これら各部がバスを介して各々接続されている。

Ｉ／Ｏ１４２Ｄには、処理実行部１４０における記憶部１４４と、モニタ１４６と、スピーカ１４８と、を含む各機能部が接続されている。また、Ｉ／Ｏ１４２Ｄには、電源装置１００と、制御部１２０の定電流回路１２２Ａ～１２２Ｊと、電圧測定部１２７Ａ～１２７Ｊと、定電流回路１２４Ａ～１２４Ｊと、電圧測定部１２８Ａ～１２８Ｊと、を含む各機能部が接続されている。これらの各機能部は、Ｉ／Ｏ１４２Ｄを介して、ＣＰＵ１４２Ａと相互に通信可能とされる。

記憶部１４４としては、例えば、ＳＳＤ（Solid State Drive）、フラッシュメモリ等が用いられる。記憶部１４４には、本実施形態に係る原因特定処理を実行するための処理プログラム１４４Ａと、類型毎の異常の原因が定義された原因テーブル１４４Ｂが記憶されている。なお、処理プログラム１４４Ａ及び原因テーブル１４４Ｂは、ＲＯＭ１４２Ｂに記憶されていてもよい。

モニタ１４６は、装置に異常が発生した場合にその原因を画像で作業者に伝達するための表示装置である。また、スピーカ１４８は、装置に異常が発生した場合にその原因を音声で作業者に伝達するための出力装置である。

図１５は、本実施形態に係る処理実行部１４０の機能的な構成の一例を示すブロック図である。本実施形態に係る処理実行部１４０は、電源管理部４００、電流設定部４０２、電圧取得部４０４、原因報知部４０６として機能する。処理実行部１４０は、ＣＰＵ１４２Ａが記憶部１４４に記憶されている処理プログラム１４４Ａを読み出し、ＲＡＭ１４２Ｃを作業領域として当該処理プログラム１４４Ａを実行することにより、図１５に示す各部として機能する。

電源管理部４００は、電源装置１００の作動状態を管理する機能を有している。本実施形態の電源管理部４００は、めっきの種類毎に予め設定された時間、ベルトＢと金属Ｍとの間に電圧を印加させる。例えば銅めっきの場合は３０分間、ニッケルめっきの場合は１２分間、電源装置１００を作動させる。

電流設定部４０２は、ベルトＢから電源装置１００に帰還する電流を予め定めた値に制御するべく、定電流回路１２２、１２４の設定を行う機能を有している。具体的に、電流設定部４０２は、定電流回路１２２Ａ～１２２Ｊ、及び定電流回路１２４Ａ～１２４Ｊの各々の可変抵抗ＶＲを調整する。

電圧取得部４０４は、電圧測定部１２７Ａ～１２７Ｊ、及び電圧測定部１２８Ａ～１２８Ｊの各々において測定された電圧Ｖｃを取得する。電源管理部４００が電源装置１００を作動させる時間（めっきの種類毎に予め設定された時間）に、電圧取得部４０４が取得した電圧Ｖｃは、ＲＡＭ１４２Ｃに記憶される。例えば、銅めっきの場合は、電圧測定部１２７Ａ～１２７Ｊ及び電圧測定部１２８Ａ～１２８Ｊの各々において予め定めた間隔（サンプリング周期）で３０分間測定された電圧Ｖｃの全てがＲＡＭ１４２Ｃに記憶される。サンプリング周期が１秒の場合、ＲＡＭ１４２Ｃに記憶される電圧Ｖｃの全てのデータの数は、３０（分）×６０（秒／分）×１（個／秒）×１０（ベルトＢの数）＝１８０００個となる。

原因報知部４０６は、電圧取得部４０４が取得し、ＲＡＭ１４２Ｃに記憶された電圧Ｖｃのデータに基づいて、原因特定処理を実行する機能を有している。

（電圧Ｖｃとめっき装置の異常との関係）
入力部１３０（トランジスタＴＲのコレクタ）とコモン線１２５との間の電圧Ｖｃとめっき装置１０の異常との関係について説明する。

まず、定電流回路１２２Ａを例に、電圧Ｖｃの変化について考察する。まず、定電流回路１２２Ａでは、第一入力部１３２Ａから入力された電源装置１００に帰還する電流Ｉが予め設定した電流値から変化すると、当該変化に応じて電流検出電圧Ｖｏが変動し、電流検出電圧Ｖｏと電流設定電圧Ｖｓとの間の電圧差が変化する。そうすると、オペアンプＯＰはトランジスタＴＲのゲートを調整して電流Ｉを予め設定した電流値となる定常状態とする。

以上のような、定電流回路１２２Ａの調整作用において、何らかの原因で電流Ｉが低下した後、定常状態に戻った場合、トランジスタＴＲではゲートを開いてコレクタ－エミッタ間の電流を流しやすくするため、トランジスタＴＲの負荷は低減する（抵抗が減る）。この場合、結果として流れる電流Ｉは元のままであるから電圧Ｖｃは低下する。一方、何らかの原因で電流Ｉが上昇した後、定常状態に戻った場合、トランジスタＴＲではゲートを絞ってコレクタ－エミッタ間の電流を流しにくくするため、トランジスタＴＲの負荷が増加する（抵抗が増える）。この場合、結果として流れる電流Ｉは元のままであるから電圧Ｖｃは上昇する。

このように、めっき電流である電流Ｉが定常状態から変化しても定電流回路１２２、１２４側で電流Ｉが一定にされるため、トランジスタＴＲの負荷が何らかの原因で増減したことは電圧Ｖｃを監視することで把握される。例えば、めっき装置１０の回路における接続不良等は負荷が増加する方向に働くため電圧Ｖｃが低下する。また例えば、銅めっき及びニッケルめっきを行う場合、めっき液Ｌの不足等は負荷が減少する方向に働くため電圧Ｖｃが上昇する。

ここで、めっき装置１０における接触不良により電圧Ｖｃが低下する場合について検証する。同検証では、規定トルクで締め付けた固定ボルト５４（図５（Ａ）参照）を段階的に緩めた場合に銅めっきを行った際の電圧Ｖｃを測定した。図１６は締付け量と電圧Ｖｃとの関係を説明する図である。規定トルクから最小トルク（手で端子５０を容易に動かせる状態）に至るまで５段階で緩めている。図中の「緩和１」から「緩和５」に向けて固定ボルト５４の締付けトルクが減少する。「緩和５」が最小トルクとなる。

検証の結果、固定ボルト５４を規定トルクから一段緩めた段階（緩和１）で、電圧Ｖｃが０．１Ｖ低下（０．０２５Ω分上昇）することが確認され、固定ボルト５４を緩める程、電圧Ｖｃが低下することが確認された。

一方、めっき液Ｌの状態変化に伴い、電圧Ｖｃが上昇する場合について検証する。図１７はめっき液Ｌの状態と電圧Ｖｃとの関係を説明する図である。本実施形態ではベルトＢに形成されるめっき層の厚さのばらつきを抑制すべく、循環装置６０によりめっき液Ｌを循環させ、曝気装置８０によりめっき液Ｌに空気Ａを供給し、回転ユニット２０によりベルトＢを回転させているが、本検証では以下の条件を設定した。
（条件１）循環装置６０、曝気装置８０及び回転ユニット２０はいずれも作動
（条件２）循環装置６０は停止、曝気装置８０及び回転ユニット２０は作動
（条件３）回転ユニット２０は停止、循環装置６０及び曝気装置８０は作動

検証の結果、条件２及び条件３は、共に定常状態である条件１と比べて、電圧Ｖｃの上昇率（傾き）が増加している。これは、めっき媒体であるベルトＢの周辺の金属イオンがベルトＢに吸着されるため、ベルトＢ周辺の電導度が上がったことによる。

以上、２つの検証の結果を踏まえると、電圧Ｖｃとめっき装置１０の異常との関係は図１８のとおりとなる。処理実行部１４０の原因テーブル１４４Ｂには、同図に基づいて、異常の原因毎にモニタ１４６に表示させる画像やスピーカ１４８に出力させる音声が記憶されている。

（原因特定処理の流れ）
次に、処理実行部１４０において実行される原因測定装置の流れについて、図１９及び図２０のフローチャートを用いて説明する。なお、上記検証の結果、電圧Ｖｃの初期値は平均で４．７Ｖであるため、電圧Ｖｃの初期値を定常状態とした原因特定処理が実行される。

まず、めっき装置１０を用いてベルトＢのめっき処理を実行する。そうすると、電源管理部４００が電源装置１００を作動させる時間の間、電圧取得部４０４が取得した電圧Ｖｃは、その全てが電圧ＶｃのデータとしてＲＡＭ１４２Ｃに記憶される。

次に、図１９のステップＳ１００において、ＣＰＵ１４２Ａは、ＲＡＭ１４２Ｃに記憶された全ての電圧Ｖｃのデータの中で、電圧Ｖｃの初期値（４．７Ｖ）よりも低下したデータがあるか否かの判定を行う。ＣＰＵ１４２Ａは、電圧Ｖｃの初期値よりも低下した電圧Ｖｃのデータがあると判定した場合、ステップＳ１０１に進む。一方、ＣＰＵ１４２Ａは、電圧Ｖｃの初期値よりも低下した電圧Ｖｃのデータがないと判定した場合、図２０のステップＳ１１０に進む。

図１９のステップＳ１０１において、ＣＰＵ１４２Ａはめっき処理の際の全てのベルトＢにおける電圧Ｖｃのデータの平均値が４．６Ｖ（電圧Ｖｃの初期値－０．１Ｖ）よりも低いか否かの判定を行う。ＣＰＵ１４２Ａは、全てのベルトＢにおける電圧Ｖｃのデータの平均値が４．６Ｖよりも低いと判定した場合、ステップＳ１０２に進む。一方、ＣＰＵ１４２Ａは、全てのベルトＢにおける電圧Ｖｃのデータの平均値が４．６Ｖよりも低くないと判定した場合、ステップＳ１０３に進む。

ステップＳ１０２において、ＣＰＵ１４２Ａは原因テーブル１４４Ｂを参照して報知態様Ａを選択する。報知態様Ａは、めっき槽１２側の回路内に腐食及び／又は接触不良（ネジの緩み等）の原因がある旨を報知する態様である。この場合、全てのベルトＢに流れる電流が通る箇所の腐食やネジの緩み等の接触不良の可能性が高い。報知態様Ａは図１８における状態のＮｏ．１及び２に対応する。

ステップＳ１０３において、ＣＰＵ１４２Ａはめっき処理の際の特定のベルトＢにおける電圧Ｖｃのデータの平均値が４．６Ｖよりも低いか否かの判定を行う。換言すると、ＣＰＵ１４２Ａは、ＲＡＭ１４２Ｃに記憶した電圧Ｖｃのデータに基づいて、個々のベルトＢ（特定のベルトＢ）の平均値を計算し、当該平均値が４．６Ｖよりも低い特定のベルトＢが少なくとも１つあるか否かの判定を行う。その結果、ＣＰＵ１４２Ａは、特定のベルトＢにおける電圧Ｖｃのデータの平均値が４．６Ｖよりも低いと判定した場合、ステップＳ１０４に進む。一方、ＣＰＵ１４２Ａは、特定のベルトＢにおける電圧Ｖｃのデータの平均値が４．６Ｖよりも低くないと判定した場合（全てのベルトＢの平均値が４．６Ｖ以上と判定した場合）、ステップＳ１０５に進む。

ステップＳ１０４において、ＣＰＵ１４２Ａは原因テーブル１４４Ｂを参照して報知態様Ｂを選択する。報知態様Ｂは、ベルトＢを固定する治具側に腐食及び／又は接触不良の原因がある旨を報知する態様である。報知態様Ｂでは、異常のあるベルトＢの位置も合わせて報知される。報知態様Ｂは図１８における状態のＮｏ．３に対応する。ここで、異常のあるベルトＢとは、電圧Ｖｃのデータの平均値が４．６Ｖよりも低い特定のベルトＢのことである。

ステップＳ１０５において、ＣＰＵ１４２Ａはめっき処理の際の全てのベルトＢにおける電圧Ｖｃのデータの瞬時値が４．６Ｖよりも低いか否かの判定を行う。換言すると、ＣＰＵ１４２Ａは、ＲＡＭ１４２Ｃに記憶した電圧ＶｃのデータをベルトＢの個々について見たときに、全てのベルトＢについて４．６Ｖよりも低いデータが少なくとも１個あるか否かの判定を行う。その結果、ＣＰＵ１４２Ａは、全てのベルトＢにおける電圧Ｖｃの瞬時値が４．６Ｖよりも低いと判定した場合（全てのベルトＢが少なくとも１個の４．６Ｖよりも低い電圧Ｖｃのデータを有していると判定した場合）、ステップＳ１０６に進む。一方、ＣＰＵ１４２Ａは、全てのベルトＢにおける電圧Ｖｃの瞬時値が４．６Ｖよりも低くないと判定した場合（全てのベルトＢが４．６Ｖ以上の電圧Ｖｃのデータを有していると判定した場合）、ステップＳ１０７に進む。

ステップＳ１０６において、ＣＰＵ１４２Ａは原因テーブル１４４Ｂを参照して報知態様Ｃを選択する。報知態様Ｃは、入力部１３０から出力部１３６までの回路で腐食及び／又は接触不良の原因がある旨を報知する態様である。報知態様Ｃは図１８における状態のＮｏ．４～７に対応する。そして、ＣＰＵ１４２Ａは原因特定処理を終了させる。

ステップＳ１０７において、ＣＰＵ１４２Ａはめっき処理の際の特定のベルトＢにおける電圧Ｖｃのデータの瞬時値が４．６Ｖよりも低いか否かの判定を行う。換言すると、ＣＰＵ１４２Ａは、ＲＡＭ１４２Ｃに記憶した電圧Ｖｃのデータを個々のベルトＢ（特定のベルトＢ）について見たときに、４．６Ｖよりも低いデータが少なくとも１個あるか否かの判定を行う。その結果、ＣＰＵ１４２Ａは、特定のベルトＢにおける電圧Ｖｃの瞬時値が４．６Ｖよりも低いと判定した場合、ステップＳ１０８に進む。一方、ＣＰＵ１４２Ａは、特定のベルトＢにおける電圧Ｖｃの瞬時値が４．６Ｖよりも低くないと判定した場合、ステップＳ１０９に進む。ここで、瞬時値とは、具体的には１個の電圧Ｖｃのデータのことである。

ステップＳ１０８において、ＣＰＵ１４２Ａは原因テーブル１４４Ｂを参照して報知態様Ｄを選択する。報知態様Ｄは、ベルトＢを固定する治具において腐食及び／又は接触不良の原因がある旨を報知する態様である。この治具は、ベルトＢを押圧している板バネ部２１６及び板バネ部２２６を含むものである。報知態様Ｄでは、異常のあるベルトＢの位置も合わせて報知される。報知態様Ｄは図１８における状態のＮｏ．４～７に対応する。そして、ＣＰＵ１４２Ａは原因特定処理を終了させる。ここで、異常のあるベルトＢとは、電圧Ｖｃのデータの瞬時値が４．６Ｖよりも低いものが少なくとも１個ある特定のベルトＢのことである。

ステップＳ１０９において、ＣＰＵ１４２Ａは報知態様Ｅを選択する。報知態様Ｅは、今後、腐食や接触不良に起因する異常が発生する可能性を報知する態様である。そして、ＣＰＵ１４２Ａは原因特定処理を終了させる。

図２０のステップＳ１１０において、ＣＰＵ１４２Ａは電圧Ｖｃのデータが初期値より上昇したか否かの判定を行う。換言すると、ＣＰＵ１４２Ａは、ＲＡＭ１４２Ｃに記憶した電圧Ｖｃの全てのデータの中で、電圧Ｖｃの初期値（４．７Ｖ）よりも高いデータが少なくとも１個あるか否かの判定を行う。その結果、ＣＰＵ１４２Ａは、電圧Ｖｃが初期値よりも上昇したと判定した場合、ステップＳ１１１に進む。一方、ＣＰＵ１４２Ａは、電圧Ｖｃが初期値よりも上昇していない（ＲＡＭ１４２Ｃに記憶した電圧Ｖｃの全てのデータが電圧Ｖｃの初期値（４．７Ｖ）以下である）と判定した場合、原因特定処理を終了させる。

ステップＳ１１１において、ＣＰＵ１４２Ａはめっき処理の際の電圧Ｖｃの変動量が０．０２Ｖ以上になったか否かの判定を行う。換言すると、ＣＰＵ１４２Ａは、ＲＡＭ１４２Ｃに記憶した電圧Ｖｃのデータに基づいて、個々のベルトＢ（特定のベルトＢ）の予め定められた時間（例えば、１５０秒間）当たりの電圧Ｖｃの変動量を計算し、当該変動量が０．０２Ｖ以上の特定のベルトＢがあるか否かの判定を行う。その結果、ＣＰＵ１４２Ａは、電圧Ｖｃの変動量が０．０２Ｖ以上になったと判定した場合（電圧Ｖｃの変動量が０．０２Ｖ以上である特定のベルトＢが少なくとも１つあると判定した場合）、ステップＳ１１２に進む。一方、ＣＰＵ１４２Ａは、電圧Ｖｃの変動量が０．０２Ｖ以上ではないと判定した場合（電圧Ｖｃの変動量が０．０２Ｖ以上である特定のベルトＢがないと判定した場合）、ステップＳ１１３に進む。

ステップＳ１１２において、ＣＰＵ１４２Ａは原因テーブル１４４Ｂを参照して報知態様Ｆを選択する。報知態様Ｆは、めっき液Ｌの循環異常及び／又はベルトＢの回転停止の原因がある旨を報知する態様である。報知態様Ｆでは、異常のあるベルトＢの位置も合わせて報知される。報知態様Ｆは図１８における状態のＮｏ．１０に対応する。ここで、異常のあるベルトＢとは、電圧Ｖｃの変動量が０．０２Ｖ以上である特定のベルトＢのことである。

ステップＳ１１３において、ＣＰＵ１４２Ａはめっき処理の際の電圧Ｖｃの瞬時変動量が０．０２Ｖ以上になったか否かの判定を行う。換言すると、ＣＰＵ１４２Ａは、ＲＡＭ１４２Ｃに記憶した電圧Ｖｃのデータに基づいて、個々のベルトＢ（特定のベルトＢ）の予め定められた短時間（例えば、５秒間）当たりの電圧Ｖｃの瞬時変動量を計算し、当該瞬時変動量が０．０２Ｖ以上の特定のベルトＢがあるか否かの判定を行う。その結果、ＣＰＵ１４２Ａは、電圧Ｖｃの瞬時変動量が０．０２Ｖ以上になったと判定した場合（瞬時変動量が０．０２Ｖ以上である特定のベルトＢが少なくとも１つあると判定した場合）、ステップＳ１１４に進む。一方、ＣＰＵ１４２Ａは、電圧Ｖｃの瞬時変動量が０．０２Ｖ以上ではないと判定した場合（全ての特定のベルトＢについて、電圧Ｖｃの瞬時変動量が０．０２Ｖよりも低いと判定した場合）、ステップＳ１１５に進む。

ステップＳ１１４において、ＣＰＵ１４２Ａは原因テーブル１４４Ｂを参照して報知態様Ｇを選択する。報知態様Ｇは、めっき液Ｌの金属イオンの濃度の低下に原因がある旨を報知する態様である。報知態様Ｇは図１８における状態のＮｏ．９に対応する。

ステップＳ１１５において、ＣＰＵ１４２Ａはめっき処理の際の電圧Ｖｃの変動量が０．１Ｖ以上になったか否かの判定を行う。換言すると、ＣＰＵ１４２Ａは、ＲＡＭ１４２Ｃに記憶した電圧Ｖｃのデータに基づいて、個々のベルトＢ（特定のベルトＢ）の予め定められた時間（例えば、１５０秒間）当たりの電圧Ｖｃの変動量を計算し、当該変動量が０．１Ｖ以上の特定のベルトＢがあるか否かの判定を行う。その結果、ＣＰＵ１４２Ａは、電圧Ｖｃの変動量が０．１Ｖ以上になったと判定した場合（電圧Ｖｃの変動量が０．１Ｖ以上の特定のベルトＢが少なくとも１つある場合）、ステップＳ１１６に進む。一方、ＣＰＵ１４２Ａは、電圧Ｖｃの変動量が０．１Ｖ以上ではないと判定した場合（全てのベルトＢの電圧Ｖｃの変動量が０．１Ｖよりも低い場合）、ステップＳ１１７に進む。

ステップＳ１１６において、ＣＰＵ１４２Ａは原因テーブル１４４Ｂを参照して報知態様Ｈを選択する。報知態様Ｈは、電源装置１００の設定を誤った旨を報知する態様である。報知態様Ｈは図１８における状態のＮｏ．８に対応する。そして、ＣＰＵ１４２Ａは原因特定処理を終了させる。

ステップＳ１１７において、ＣＰＵ１４２Ａは報知態様Ｉを選択する。報知態様Ｉは、今後、めっき液Ｌの濃度変化等に起因する異常が発生する可能性を報知する態様である。そして、ＣＰＵ１４２Ａは原因特定処理を終了させる。

なお、以上の原因特定処理において、複数の報知態様が選択される場合があるが、この場合は、選択された全ての報知態様が作業者に向けて報知される。例えば、全てのベルトＢにおける電圧Ｖｃの平均値が４．６Ｖよりも低く、かつ、特定のベルトＢにおける電圧Ｖｃの瞬時値が４．６Ｖよりも低い場合は、報知態様Ａと報知態様Ｄとが共に報知される。

（まとめ）
本実施形態のめっき装置１０では、電源装置１００の陰極１０４と同電圧のコモン線１２５と、定電流回路１２２、１２４の入力部１３０との間の電圧Ｖｃを測定する電圧測定部１２７、１２８を備えている。本実施形態では、各電圧測定部１２７、１２８を備えることにより、ベルトＢ毎の電圧Ｖｃの変化を捉えることができる。

本実施形態では、めっき処理中の電圧Ｖｃとめっき処理の初期に計測した電圧Ｖｃとの差を監視することで、電源回路における機械的な接触不良、腐食、漏電、及びめっき液の濃度変化等の経時変化を見出すことが容易になる。そのため、本実施形態のめっき装置１０によれば、電圧Ｖｃが変化するにも係らずめっき処理を行う場合と比べて、めっき装置１０におけるめっき不良の原因が特定される。また、めっき処理を行う都度、Ｖｃの変化量を積算することにより、めっき処理を行う度に、積算値の推移を示す工程管理図等を用いて異常傾向を認識することができる。

本実施形態のめっき装置１０は、一度に１０個（１ロット）のベルトＢにめっき処理を行うものである。そのため、ベルトＢ毎に電圧Ｖｃを計測することにより、ベルトＢ毎のめっき電流に対する負荷のばらつき、及びベルトＢ毎の電圧Ｖｃ経時変化の監視を行うことが可能になる。なお、ＲＡＭ１４２Ｃに記憶される電圧Ｖｃのデータは、ロット毎にリセット（消去）される。サンプリング周期を長く（例えば１０秒）設定する、又はＲＡＭ１４２Ｃの容量を大容量にした場合は、ＲＡＭ１４２Ｃに記憶される電圧Ｖｃのデータは、ロット毎にリセット（消去）しなくても良い。

また、複数のベルトＢに対して同時にめっき処理を施す場合、隣接するベルトＢ間でめっき電流の相互作用（すなわち、電流の取り合い）が発生し、めっき液Ｌの撹拌性や、めっき循環の整流性が悪化する。このことは金属イオンの分布が偏る等の原因となる。従来は、トライアルでめっき処理を実施してその膜厚などを計測して原因を調査する場合があった。これに対して本実施形態によれば、めっき処理を行いながらめっき液Ｌの濃度分布の異常が把握される。

本実施形態のめっき装置１０は、電圧Ｖｃの変化が予め定めた程度を超えた場合に報知が行われる報知部としてモニタ１４６及びスピーカ１４８を備えている。ここで、「電圧Ｖｃの変化が予め定めた程度を超えた場合」とは、（１）電圧Ｖｃが予め設定された下限閾値を下回った場合、（２）電圧Ｖｃが予め設定された上限閾値を上回った場合、（３）電圧Ｖｃの変化量が予め設定された範囲を超えた場合などが該当する。

本実施形態では、処理実行部１４０により実行される報知特定処理において、原因テーブル１４４Ｂを参照することにより、具体的な原因を作業者に対して知らせることができる。そのため、作業者はめっき装置１０に生じた異常を迅速に排除することが可能である。本実施形態のめっき装置１０によれば、電圧Ｖｃを測定するだけの場合に比べて、めっき不良が抑制される。

（備考）
なお、処理実行部１４０のＩ／Ｏ１４２Ｄに対して、回転ユニット２０の駆動部３０に設けられた駆動装置（図示せず）と、循環装置６０に設けられたポンプ６７と、曝気装置８０に対して設けられたコンプレッサ（図示せず）と、が接続されていてもよい。これにより、めっき処理に要する全ての動作を一元的に管理することができる。

１０ めっき装置
１２ めっき槽（槽の一例）
２０ 回転ユニット（回転部の一例）
２５ 上部支持部（電極の一例）
２６ 下部支持部（電極の一例）
２７ 金属棒（配線の一例）
３４ ブラシ
３５ 接点
４０ アノードバスケット（籠の一例）
４４ アノードマスク（絶縁物の一例）
４６ 上部マスク（上方の絶縁物の一例）
４８ 下部マスク（下方の絶縁物の一例）
１００ 電源装置（電源の一例）
１０２ 陽極
１０４ 陰極
１２０ 制御部
１２２ 定電流回路
１２４ 定電流回路
１２７ 電圧測定部（測定部の一例）
１２８ 電圧測定部（測定部の一例）
１４６ モニタ（報知部の一例）
１４８ スピーカ（報知部の一例）
Ｂ ポリイミドベルト（基材の一例）
Ｌ めっき液（電解液の一例）
Ｍ 金属

Claims (6)

1. 少なくとも表面が導電性を有する基材と、金属と、を浸漬した電解液を有する槽と、
   該基材を回転させ、複数の接点を有するブラシを備える回転部と、
   該金属に向けて電流を流す陽極を有する電源と、
   該電源の陰極と該基材の間に接続され、該基材から該ブラシを介して該電源に帰還する該電流を予め定めた値に制御する制御部と、
   を備えためっき装置。
2. 該槽は複数の該基材を浸漬し、
   該制御部は該基材毎に該電流を制御する
   請求項１に記載のめっき装置。
3. 該基材は一方向に延びており、
   該基材の両端部を少なくとも含む該基材の複数箇所の各々に該制御部を接続している
   請求項１又は２に記載のめっき装置。
4. 該基材は円筒体であって、
   該基材の両端部の各々に設けられ、該制御部に接続される電極と、
   該基材の内部を軸方向に通し、一方の該電極に接続される配線と、
   を備えた請求項３に記載のめっき装置。
5. 該基材は一方向に延びており、
   該金属は、該一方向に沿う方向に長く、該基材の長さよりも長い導電性の籠の中に、該基材の長さよりも長くなるように収容されており、
   該籠における該基材と対向しない両端部分は、絶縁物で遮蔽されている
   請求項１～４の何れか１項に記載のめっき装置。
6. 該基材及び該籠は、長手方向が該槽に対して上下方向に配置されており、
   該籠の下方の該絶縁物は、一端が閉塞された筒状であり、
   該籠の上方の該絶縁物は、該電解液の液面を跨いで設置されている請求項５に記載のめっき装置。

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