JP4361760B2 - めっき方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、めっき方法に係り、特に半導体基板に形成された微細配線パターンに銅等の金属（配線材料）を埋込んで配線を形成するのに使用されるめっき方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
最近、半導体基板上に、回路形状の配線溝（トレンチ）や微孔（ビアホール）等の配線用の微細凹部を形成し、銅めっきによりこれらを銅（配線材料）で埋め、残りの部分の銅層（めっき膜）をＣＭＰ等の手段により除去して回路を形成することが行われている。この技術においては、回路形状の配線溝あるいは微孔の中に選択的に銅めっき膜が析出し、それ以外の部分では、銅めっき膜の析出が少ない方が後のＣＭＰの負荷を減らす上で好ましい。従来、このような目的を達成するために、めっき液の浴組成や、使用する光沢剤などめっき液での工夫が行われている。
【０００３】
一方、回路形状の配線溝等の中に選択的に銅めっき膜を析出させるための技術としては、多孔質体を半導体ウエハ等の基板に接触させ、また接触方向に相対的に動かしながらめっきを行うという方法が知られている。この技術で用いる多孔質体としては、ＰＶＡ、多孔質テフロン（登録商標）、ポリプロピレン等を繊維状に編んだり、漉いて紙状に加工したりしたもの、あるいはゲル化シリコン酸化物や寒天質等の不定形物などが一般に使用される（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開２０００−２３２０７８
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
配線溝等のパターン部の内部に銅等の配線材料を完全に埋め込んで銅配線を形成するためには、パターン部以外にもかなりの厚さの銅層を形成し、パターン部以外に成膜された余剰の銅層をＣＭＰ法により除去する必要がある。このため、除去すべき銅の量が多い場合には、ＣＭＰ時間が長くなり、コストアップに繋がってしまうばかりでなく、ＣＭＰ後の基板の研磨面に面内不均一性があると、研磨後に残存する配線の深さが基板内で異なり、この結果、研磨時間が長くなればなる程、配線性能のＣＭＰの性能に対する依存度が大きくなってしまう。
【０００６】
このような問題を解決するため、めっき液の浴組成や、使用する光沢剤等、めっき液での工夫が行われており、これらによってある程度は目的が達成されるが、一定の限界があった。
【０００７】
一方、多孔質体を基板に接触させ、また接触方向に相対的に動かしながらめっきを行うという方法にあっては、めっき液の供給量を凹凸部で変え、つまり基板の被めっき面に設けた凹部内のみにめっきに寄与するめっき液が存在するようにして、平坦性の向上を試みている。しかし、多孔質体表面の表面粗さや多孔質体を基板Ｗの被めっき面に向けて押圧した時に該多孔質体に発生するうねりや反りなどにより、多孔質体の全面を基板の被めっき面の均一に押圧して密着させることが困難で、このため、図３３に示すように、多孔質体Ａと基板Ｗの被めっき面Ｐとの間に局所的に隙間Ｓが生じて該隙間Ｓにめっき液Ｑが存在し、この隙間Ｓに存在するめっき液Ｑに含まれるＣｕ２＋等のイオンがめっきに寄与して、めっき面の面内不均一に繋がってしまうといった問題があった。
【０００８】
なお、多孔質体を接触させるための荷重を大きくし多孔質の空間部を押し潰すことにより、平坦性は向上すると考えられるが、その場合には、基板に非常に大きな荷重を掛ける必要があり、このため、ｌｏｗーｋ材などの柔らかい絶縁膜を対象とした場合には、膜が破壊されたり、まためっき表面にも傷が入りやすくなるなど実現化が困難であった。
【０００９】
本発明は、上記事情に鑑みて為されたもので、荷重を大きくすることなく、多孔質体の全面を基板の被めっき面に均一に密着させた状態でめっきが行えるようにしためっき方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、配線用の微細凹部を有する基板上にシード層を形成し、このシード層とアノードとの間にめっき液を満たしつつ通電してめっきを行い、前記微細凹部内に配線材料を充填するめっき方法であって、前記シード層と前記アノードとの間に前記めっき液に浸漬させて配置した保水性を有する多孔質体を前記シード層に任意の圧力で押圧しつつ、前記基板と前記多孔質体とを相対的に回転させて前記シード層と前記多孔質体との間の隙間に存在するめっき液を排除し、しかる後、前記多孔質体を前記シード層に任意の圧力で押圧しつつ、前記シード層と前記アノードとの間に通電してめっきを行うことを特徴とするめっき方法である。
【００１１】
このように、多孔質体を基板のシード層に任意の圧力で押圧しつつ、多孔質体とシード層との間の隙間に存在するめっき液を排除することで、荷重を大きくすることなく、多孔質体の全面を基板のシード層に均一に密着させた状態でめっきを行うことができる。
【００１２】
基板と多孔質体とを相対的に回転させることで、多孔質体と基板のシード層との間の隙間に存在するめっき液を、この回転に伴う遠心力で外方に排除することができる。
【００１３】
請求項２に記載の発明は、前記多孔質体を前記シード層に任意の圧力で押圧しつつ、前記基板と前記多孔質体とを相対的に回転させて前記シード層と前記多孔質体との間の隙間に存在するめっき液を排除する工程と、前記多孔質体を前記シード層に任意の圧力で押圧しつつ、前記シード層と前記アノードとの間に通電してめっきを行う工程とを少なくとも２回繰返すことを特徴とする請求項１記載のめっき方法である。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。この実施の形態は、半導体ウエハ等の基板の表面に設けた配線用の微細凹部に、配線材料としての銅を埋込んで銅層からなる配線を形成するようにした例を示しているが、他の配線材料を使用しても良いことは勿論である。
【００２５】
図１を参照して、半導体装置における銅配線形成例を説明する。図１（ａ）に示すように、半導体素子を形成した半導体基材１上の導電層１ａの上に、例えばＳｉＯ２からなる酸化膜やＬｏｗ−Ｋ材膜等の絶縁膜２を堆積し、この絶縁膜２の内部に、例えばリソグラフィ・エッチング技術により、配線用の微細凹部としての微孔（ビアホール）３と配線溝（トレンチ）４を形成し、その上にＴａＮ等からなるバリア層５、更にその上に電解めっきの給電層としてのシード層６をスパッタリング等により形成する。
【００２６】
そして、図１（ｂ）に示すように、基板Ｗの表面に銅めっきを施すことで、基板Ｗの微孔３及び配線溝４内に銅を充填させるとともに、絶縁膜２上に銅層７を堆積させる。その後、化学機械的研磨（ＣＭＰ）などにより、絶縁膜２上のバリア層５，シード層６及び銅層７を除去して、微孔３及び配線溝４内に充填させた銅層７の表面と絶縁膜２の表面とをほぼ同一平面にする。これにより、図１（ｃ）に示すように、絶縁膜２の内部にシード層６と銅層７からなる配線（銅配線）８を形成する。
次に、図１（ｄ）に示すように、基板Ｗの表面に無電解めっきを施し、配線８の表面に、Ｃｏ合金やＮｉ合金等からなる保護膜９を選択的に形成し、これによって、配線８の表面を保護膜９で覆って保護する。
【００２７】
図２は、めっき装置を備えた基板処理装置の平面図を示す。図２に示すように、この基板処理装置は、例えばスミフボックス等の内部に多数の半導体ウエハ等の基板を収納した搬送ボックス１０を着脱自在な矩形状の装置フレーム１２を備えている。この装置フレーム１２の内部には、ロード・アンロードステーション１４と、このロード・アンロードステーション１４との間で基板を授受する走行自在な搬送ロボット１６が備えられている。そして、搬送ロボット１６を挟んで該搬送ロボット１６の両側には、一対のめっき装置１８が配置され、更に、搬送ロボット１６を挟んで一方の側には、洗浄・乾燥装置２０、ベベルエッチング・裏面洗浄装置２２及び膜厚測定器２４が直列に配置され、他方の側には、熱処理（アニール）装置２６、前処理装置２８、無電解めっき装置３０及び研磨装置３２が直列に配置されている。
【００２８】
ここで、装置フレーム１２には遮光処理が施され、これによって、この装置フレーム１２内での以下の各工程を遮光状態で、つまり、配線に照明光等の光が当たることなく行えるようになっている。このように、配線に光を当たることを防止することで、例えば銅からなる配線に光が当たって光電位差が生じ、この光電位差によって配線が腐食してしまうことを防止することができる。
【００２９】
図３は、めっき装置１８の概要を示す。図３に示すように、めっき装置１８は、水平方向に揺動自在な揺動アーム５００を備え、この揺動アーム５００の先端に電極ヘッド５０２が回転自在に支承されている。一方、電極ヘッド５０２の下方に位置して、表面（被めっき面）を上向きにして基板Ｗを保持する基板ステージ５０４が上下動自在に配置され、この基板ステージ５０４の上方には、該基板ステージ５０４の周縁部を囲繞するようにカソード部５０６が配置されている。なお、この例では、電極ヘッド５０２として、その径が基板ステージ５０４の径より僅かに小さい径を有するものを使用し、電極ヘッド５０２と基板ステージ５０４との相対位置を変化させることなく、基板ステージ５０４で保持した基板Ｗの表面（被めっき面）のほぼ全面に亘ってめっきを行えるようにした例を示している。
【００３０】
基板ステージ５０４の上面の周縁部には、内部に設けた真空通路５０４ａに連通するリング状の真空吸着溝５０４ｂが設けられ、この真空吸着溝５０４ｂを挟んだ内外の両側に、シールリング５０８，５１０が装着されている。これにより、基板ステージ５０４の上面に基板Ｗを載置し、真空通路５０４ａを介して真空吸着溝５０４ｂ内を真空吸引することで、基板Ｗをその周縁部を吸着して保持するようになっている。
【００３１】
揺動アーム５００は、図示しないサーボモータからなる上下動モータとボールねじを介して上下動し、図示しない旋回モータを介して、旋回（揺動）するようになっている。なお、モータの代わりに空気圧アクチュエータを使用しても良いことは勿論である。
【００３２】
前記カソード部５０６は、この例では６分割されたカソード電極５１２と、このカソード電極５１２の上方を覆うように取付けた環状のシール材５１４とを有している。シール材５１４は、その内周縁部が内方に向け下方に傾斜し、かつ徐々に薄肉となって、内周端部が下方に垂下するように構成されている。これにより、基板ステージ５０４が上昇した時に、この基板ステージ５０４で保持した基板Ｗの周縁部にカソード電極５１２が押付けられて通電し、同時にシール材５１４の内周端部が基板Ｗの周縁部上面に圧接し、ここを水密的にシールして、基板の上面（被めっき面）に供給されためっき液が基板Ｗの端部から染み出すのを防止するとともに、めっき液がカソード電極５１２を汚染することを防止するようになっている。
【００３３】
なお、この例において、カソード部５０６は、上下動不能で基板ステージ５０４と一体に回転するようになっているが、上下動自在で、下降した時にシール材５１４が基板Ｗの被めっき面に圧接するように構成しても良い。
【００３４】
前記電極ヘッド５０２は、共に下方に開口した有底円筒状で、同心状に配置した回転ハウジング５２０と上下動ハウジング５２２とを有している。そして、回転ハウジング５２０は、揺動アーム５００の自由端に取付けた回転体５２４の下面に固着されて該回転体５２４と一体に回転するよう構成されている。一方、上下動ハウジング５２２は、その上部において、回転ハウジング５２０の内部に位置して該回転ハウジング５２０と一体に回転し、相対的に上下動するように構成されている。上下動ハウジング５２２は、下端開口部を多孔質体５２８で閉塞することで、内部に円板状のアノード５２６を配置し、内部に該アノード５２６を浸漬させるめっき液Ｑを導入するアノード室５３０を区画形成している。
【００３５】
この多孔質体５２８は、この例では、多孔質材を３層に積層した多層構造となっている。すなわち、多孔質体５２８は、主にめっき液を保持する役割を果たすめっき液含浸材５３２と、このめっき液含浸材５３２の下面に取付けられた多孔質パッド５３４から構成され、この多孔質パッド５３４は、基板Ｗに直接接触する下層パッド５３４ａと、この下層パッド５３４ａとめっき液含浸材５３２との間に介装される上層パッド５３４ｂから構成されている。そして、めっき液含浸材５３２と上層パッド５３４ｂは、上下動ハウジング５２２の内部に位置し、下層パッド５３４ａで上下動ハウジング５２２の下端開口部を閉塞するようになっている。
【００３６】
このように、多孔質体５２８を多層構造とすることで、例えば基板と接触する多孔質パッド５３４（下層パッド５３４ａ）として、基板の被めっき面上の凹凸面を平坦化するのに十分な平坦性を有するものを使用することが可能となる。
【００３７】
この下層パッド５３４ａは、基板Ｗの表面（被めっき面）と接触する面（表面）の平担性がある程度高く、めっき液が通過できる微細貫通穴を有し、少なくとも接触面が絶縁物もしくは絶縁性の高い物質で形成されていることが必要である。この下層パッド５３４ａに要求される平担性は、例えば、最大粗さ（ＲＭＳ）が数十μｍ以下程度である。
【００３８】
また、下層パッド５３４ａに要求される微細貫通穴は、接触面での平坦性を保つために丸穴の貫通孔が好ましく、更に、微細貫通穴の穴径や単位面積当たりの個数などはめっきする膜質や配線パターンによって最適値が異なるが、両者とも小さい方が凹部内におけるめっき成長の選択性を向上させる上で好ましい。具体的な、微細貫通穴の穴径や単位面積当たりの個数としては、例えば、穴径３０μｍ以下、好ましくは５〜２０μｍの微小貫通孔が、気孔率で５０％以下の状態で存在すれば良い。
【００３９】
更に、下層パッド５３４ａは、ある程度の固さであることが好ましく、例えば、その引張り強度が５〜１００ｋｇ／ｃｍ2、曲げ弾性強度が２００〜１００００ｋｇ／ｃｍ2程度であればよい。
【００４０】
この下層パッド５３４ａは、更に親水性の材料であることが好ましく、例えば下記に示す材料に対し親水化処理または親水基を重合させたものが用いられる。このような材料の例としては、多孔ポリエチレン（ＰＥ）、多孔ポリプロピレン（ＰＰ）、多孔ポリアミド、多孔ポリカーボネートまたは多孔ポリイミド等が挙げられる。このうち、多孔ＰＥ、多孔ＰＰ、多孔ポリアミド等は、超高分子のＰＥ、ＰＰ、ポリアミド等の細かい粉を原料とし、これを押し固め、焼結成形することにより調製したものであり、フルダスＳ（三菱樹脂（株）製）、サンファインＵＦ、サンファインＡＱ（ともに旭化成（株）製）、Ｓｐａｃｙ（スペイシーケミカル社製）等の商品名で市販されている。また、多孔ポリカーボネートは、例えば、ポリカーボネートフィルムにアクセラレーターで加速した高エネルギーの重金属（銅等）を貫通させ、これにより生成する直線上のトラック（軌跡）を選択的にエッチングすることにより調製されるものである。
【００４１】
この下層パッド５３４ａは、基板Ｗの表面と接触する面（表面）を圧縮加工、機械加工等により平坦化加工したものであっても良く、これにより、微小溝でのより高い優先析出が期待できる。
【００４２】
一方、めっき液含浸材５３２は、アルミナ、ＳｉＣ、ムライト、ジルコニア、チタニア、コージライト等の多孔質セラミックスまたはポリプロピレンやポリエチレンの焼結体等の硬質多孔質体、あるいはこれらの複合体、更には織布や不織布で構成される。例えば、アルミナ系セラミックスにあっては、ポア径３０〜２００μｍ、ＳｉＣにあっては、ポア径３０μｍ以下、気孔率２０〜９５％、厚み１〜２０ｍｍ、好ましくは５〜２０ｍｍ、更に好ましくは８〜１５ｍｍ程度のものが使用される。この例では、例えば気孔率３０％、平均ポア径１００μｍでアルミナ製の多孔質セラミックス板から構成されている。そして、この内部にめっき液を含有させることで、つまり多孔質セラミックス板自体は絶縁体であるが、この内部にめっき液を複雑に入り込ませ、厚さ方向にかなり長い経路を辿らせることで、めっき液の電気伝導率より小さい電気伝導率を有するように構成されている。
【００４３】
このようにめっき液含浸材５３２をアノード室５３０内に配し、このめっき液含浸材５３２によって大きな抵抗を発生させることで、シード層６（図１参照）の抵抗の影響を無視できる程度となし、基板Ｗの表面の電気抵抗による電流密度の面内差を小さくして、めっき膜の面内均一性を向上させることができる。
【００４４】
電極ヘッド５０２には、基板ステージ５０４で保持した基板Ｗの表面（被めっき面）に下層パッド５３４ａを任意の圧力で押圧する、この例ではエアバック５４０からなる押圧機構が備えられている。つまり、この例では、回転ハウジング５２０の天井壁の下面と上下動ハウジング５２２の天井壁の上面との間に、リング状のエアバック（押圧機構）５４０が配置され、このエアバック５４０は、加圧流体導入管５４２を介して、加圧流体供給源（図示せず）に接続されている。
【００４５】
これにより、揺動アーム５００を所定の位置（プロセス位置）に上下動不能に固定した状態で、エアバック５４０の内部を圧力Ｐで加圧することで、基板ステージ５０４で保持した基板Ｗの表面（被めっき面）に下層パッド５３４ａを任意の圧力でより均一に押圧し、上記圧力Ｐを大気圧に戻すことで、下層パッド５３４ａの押圧を解くことができる。
【００４６】
上下動ハウジング５２２には、この内部にめっき液を導入するめっき液導入管５４４と、加圧流体を導入する加圧流体導入管（図示せず）が取付けられており、アノード５２６の内部には、多数の細孔５２６ａが設けられている。これにより、めっき液Ｑは、めっき液導入管５４４からアノード室５３０内に導入され、アノード室５３０の内部を加圧することで、アノード５２６の細孔５２６ａ内を通過してめっき液含浸材５３２の上面に達し、この内部から多孔質パッド５３４（上層パッド５３４ｂ及び下層パッド５３４ａ）の内部を通過して、基板ステージ５０４で保持した基板Ｗの上面に達する。
【００４７】
なお、アノード室５３０の内部は、化学反応により発生するガスも含み、このため、圧力が変化することがある。このため、アノード室５３０内の圧力は、プロセス中のフィードバック制御によりある設定値にコントロールされるようになっている。
【００４８】
ここで、アノード５２６は、例えば、銅めっきを行う場合にあっては、スライムの生成を抑制するため、含有量が０．０３〜０．０５％のリンを含む銅（含リン銅）で構成されているが、白金、チタン等の不溶解性金属あるいは金属上に白金等をめっきした不溶解性電極であってもよく、交換等が不要なことから、不溶解性金属あるいは不溶解性電極であることが好ましい。更に、めっき液の流通のしやすさ等から、網状であってもよい。
カソード電極５１２はめっき電源５５０の陰極に、アノード５２６はめっき電源５５０の陽極にそれぞれ電気的に接続される。
【００４９】
次に、このめっき装置でめっきを行う時の操作について説明する。先ず、基板ステージ５０４の上面に基板Ｗを吸着保持した状態で、基板ステージ５０４を上昇させて、基板Ｗの周縁部をカソード電極５１２に接触させて通電可能な状態となし、更に上昇させて、基板Ｗの周縁部上面にシール材５１４を圧接させ、基板Ｗの周縁部を水密的にシールする。
【００５０】
一方、電極ヘッド５０２にあっては、アイドリングを行ってめっき液の置換及び泡抜き等を行っている位置（アイドリング位置）から、めっき液Ｑを内部に保持した状態で、所定の位置（プロセス位置）に位置させる。つまり、揺動アーム５００を一旦上昇させ、更に旋回させることで、電極ヘッド５０２を基板ステージ５０４の直上方位置に位置させ、しかる後、下降させて所定の位置（プロセス位置）に達した時に停止させる。そして、アノード室５３０内を加圧して、電極ヘッド５０２で保持しためっき液Ｑを多孔質パッド５３４の下面から吐出させる。次に、エアバック５４０内に加圧空気を導入して、下層パッド５３４ａを下方に押付ける。
【００５１】
この状態で、電極ヘッド５０２及び基板ステージ５０４をそれぞれ回転（自転）させる。これにより、多孔質体５２８（下層パッド５３４ａ）の表面の表面粗さや多孔質体５２８（下層パッド５３４ａ）を基板Ｗの被めっき面に向けて押圧した時に該多孔質体５２８（下層パッド５３４ａ）に発生するうねりや反りなどにより、図４に示すように、多孔質体５２８（下層パッド５３４ａ）と基板Ｗの被めっき面Ｐとの間に局所的に隙間Ｓが生じて該隙間Ｓにめっき液Ｑが存在していても、この隙間Ｓに存在するめっき液Ｑを、この回転に伴う遠心力で外方に排除する。このように、めっき液Ｑを排除することで、多孔質体５２８（下層パッド５３４ａ）の全面を基板Ｗの被めっき面Ｐに均一に押圧して密着させることができる。
【００５２】
なお、この例では、下層パッド５３４ａを下方に押付けた後、電極ヘッド５０２及び基板ステージ５０４をそれぞれ回転させるようにした例を示しているが、エアバック５４０内に加圧空気を導入して、下層パッド５３４ａを下方に押付ける際に、電極ヘッド５０２及び基板ステージ５０４を予め回転させておき、押圧した後もこの回転を所定時間継続するようにしてもよい。
【００５３】
そして、多孔質体５２８（下層パッド５３４ａ）と基板Ｗの被めっき面Ｐとの間に局所的に生じた隙間Ｓに存在するめっき液Ｑが排除され、多孔質体５２８（下層パッド５３４ａ）の全面を基板Ｗの被めっき面Ｓに均一に押圧して密着させるのに十分な時間、電極ヘッド５０２及び基板ステージ５０４を回転させた後、この回転を停止する。
【００５４】
次に、カソード電極５１２をめっき電源５５０の陰極に、アノード５２６をめっき電源５５０の陽極にそれぞれ接続し、これによって、基板Ｗの被めっき面にめっきを施す。このように、下層パッド５３４ａを基板ステージ５０４で保持した基板Ｗの被めっき面に任意の圧力で押圧し、しかも両者の密着性を高めた状態でめっきを行うことで、下層パッド５３４ａと基板Ｗの被めっき面の配線溝（トレンチ）等の配線用の微細凹部以外の部分（パターン部以外の部分）との間における隙間をなくして、基板に設けた配線用の微細凹部の内部にめっき膜を選択的に析出させることができる。
【００５５】
そして、所定時間めっきを継続した後、カソード電極５１２及びアノード５２６のめっき電源５５０との接続を解くとともに、アノード室５３０内を大気圧に戻し、更にエアバック５４０内を大気圧に戻して、下層パッド５３４ａの基板Ｗへの押圧を解く。そして、電極ヘッド５０２を上昇させる。
上記操作を、必要に応じて所定回数繰返し、基板Ｗの表面（被めっき面）に、配線用の微細凹部を埋めるのに十分な膜厚の銅層７（図１（ｂ）参照）を成膜したのち、電極ヘッド５０２を旋回させて元の位置（アイドリング位置）に戻す。
【００５６】
図５は、他のめっき装置の要部を示す。この例の図３に示す例と異なる点は、基板ステージ５０４の上面の基板載置部に、ピエゾ振動子５６０を取付け、基板ステージ５０４で載置した基板Ｗに、このピエゾ振動子５６０により、基板Ｗの被めっき面に対して垂直な上下方向の振動を与えるようにしている点にある。
【００５７】
この例は、前述と同様に、基板ステージ５０４で保持した基板Ｗに向けて、下層パッド５３４ａを押付けた後、ピエゾ振動子５６０を介して基板Ｗを上下方向に所定時間振動させるか、または押付ける際に、予めピエゾ振動子５６０を介して基板Ｗを上下方向に振動させておき、下層パッド５３４ａを押付けた後もこの振動を所定時間継続するのであり、これにより、図４に示すように、多孔質体５２８（下層パッド５３４ａ）と基板Ｗの被めっき面Ｐとの間に局所的に隙間Ｓが生じて該隙間Ｓにめっき液Ｑが存在していても、この隙間Ｓに存在するめっき液Ｑを、この振動に伴って外方に排除することができる。特に、この例のように、基板Ｗを被めっき面に対して垂直方向に振動させて、多孔質体と基板の被めっき面とが互いに摺接しないようにすることで、めっき表面が傷ついてしまうこと防止することができる。更に、振動子として、ピエゾ振動子５６０を使用することで、機構のコンパクト化を図ることができる。
【００５８】
図６は、更に他のめっき装置の要部を示す。この例の図３に示す例と異なる点は、基板ステージ５０４の上面に、例えば純水等の液体を保持する貯槽５０４ｃを形成するとともに、この貯槽５０４ｃの内部に、該貯槽５０４ｃ内の液体に超音波を与えて該液体を高周波で振動させる超音波発振子５６２を設置した点にある。
【００５９】
この例は、基板ステージ５０４の貯槽５０４ｃ内に純水等の液体を満たしておき、前述と同様にして、基板ステージ５０４の上面に基板Ｗを吸着保持する。この時、基板ステージ５０４で保持した基板Ｗと基板ステージ５０４の貯槽５０４ｃ内の液体が接するようにする。そして、基板ステージ５０４で保持した基板Ｗに向けて、下層パッド５３４ａを押付けた後、超音波発振子５６２を介して、基板ステージ５０４の貯槽５０４ｃ内の液体に超音波振動を与える。すると、液体の超音波振動は基板Ｗに伝わって基板を振動させ、更にめっき液Ｑから多孔質体５２８と伝わって、これらを振動させる。これによって、前述と同様に、多孔質体５２８（下層パッド５３４ａ）と基板Ｗの被めっき面Ｐとの間に局所的に生じた隙間Ｓに存在するめっき液Ｑを、この振動に伴って外方に排除することができる。
【００６０】
なお、前述と同様に、下層パッド５３４ａを押付ける際に、予め超音波発振子５６２を介して、基板ステージ５０４の貯槽５０４ｃ内の液体に超音波振動を与えるようにしてもよい。
【００６１】
図７は、更に他のめっき装置の要部を示す。この例の図３に示す例と異なる点は、アノード室５３０を区画形成する上下動ハウジング５２２の頂壁に圧力ポート５６４を取付け、この圧力ポート５６４に、開閉弁５６６を介して、圧力制御部としての真空ポンプ５６８を接続した点にある。
【００６２】
この例によれば、真空ポンプ５６８を駆動してアノード室５３０内を真空排気し、アノード室５３０内の圧力を大気圧より低い圧力（負圧）にすることで、図８に示すように、多孔質体５２８（５３４ａ）と基板Ｗの被めっき面Ｐとの間の隙間Ｓに存在するめっき液Ｑを吸引し、めっき液Ｑが多孔質体５２８（５３４ａ）の内部を通ってアノード室５３０内に流入することを促進して、隙間Ｓからめっき液Ｑを排除することができる。
なお、このめっき液の吸引排除作業は、前述の各例と同様に、基板ステージ５０４で保持した基板Ｗに向けて、下層パッド５３４ａを押付けた後、または押付ける際に予め行うのであるが、めっき中も継続して行うようにしてもよい。
【００６３】
また、図７に示す例では、圧力ポート５６４に開閉弁５６６を介して真空ポンプ５６８を接続した例を示しているが、この真空ポンプ５６８の代わりに加圧ポンプを接続し、更に上下動ハウジングに排気ポートを設けて、アノード室５３０内を加圧ポンプによる加圧と排気ポートからの排気による減圧すること繰返すことによる圧力振動を利用してアノード室５３０内のめっき液Ｑ、更には多孔質体５２８を振動させるようにしてもよい。
【００６４】
図９は、めっき液の組成や液温等を管理してめっき装置１８に供給するめっき液管理供給システムを示す。図９に示すように、めっき装置１８の電極ヘッド５０２を浸漬させてアイドリングを行うめっき液トレー６００が備えられ、このめっき液トレー６００は、めっき液排出管６０２を介してリザーバ６０４に接続されており、めっき液排出管６０２を通して排出されためっき液は、リザーバ６０４に入る。
【００６５】
そして、このリザーバ６０４に入っためっき液は、ポンプ６０６の駆動に伴って、めっき液調整タンク６０８に入る。このめっき液調整タンク６０８には、温度コントローラ６１０や、サンプル液を取出して分析するめっき液分析ユニット６１２が付設され、更に、めっき液分析ユニット６１２の分析によって不足する成分を補給する成分補給管６１４が接続されており、めっき液調整タンク６０８内のめっき液は、ポンプ６１６の駆動に伴って、めっき液供給管６２０に沿って流れ、フィルタ６１８を通過して、めっき液トレー６００に戻されるようになっている。
【００６６】
このように、めっき液調整タンク６０８でめっき液の組成及び温度を一定に調整し、この調整しためっき液をめっき装置１８の電極ヘッド５０２に供給して、該電極ヘッド５０２で保持することで、めっき装置１８の電極ヘッド５０２に、常に一定の組成及び温度を有するめっき液を供給することができる。
【００６７】
図１０及び図１１は、基板を洗浄（リンス）し乾燥させるようにした洗浄・乾燥装置２０の一例を示す。つまり、この洗浄・乾燥装置２０は、まず化学洗浄及び純水洗浄（リンス）を行い、その後、スピンドル回転により洗浄後の基板Ｗを完全乾燥させるようにした装置であり、基板Ｗのエッジ部を把持するクランプ機構４２０を備えた基板ステージ４２２と、このクランプ機構４２０の開閉を行う基板着脱用昇降プレート４２４とを備えている。
【００６８】
基板ステージ４２２は、スピンドル回転用モータ（図示せず）の駆動に伴って高速回転するスピンドル４２６の上端に連結されている。また、クランプ機構４２０で把持した基板Ｗの周囲には、処理液の飛散を防止する洗浄カップ４２８が配置されており、この洗浄カップ４２８は図示しないシリンダの作動に伴って上下動するようになっている。
【００６９】
また、洗浄・乾燥装置２０は、クランプ機構４２０で把持した基板Ｗの表面に処理液を供給する薬液用ノズル４３０と、基板Ｗの裏面に純水を供給する複数の純水用ノズル４３２と、クランプ機構４２０で把持した基板Ｗの上方に配置された回転可能なペンシル型洗浄スポンジ４３４とを備えている。この洗浄スポンジ４３４は、水平方向に揺動可能な旋回アーム４３６の自由端に取付けられている。なお、洗浄・乾燥装置２０の上部には、装置内にクリーンエアを導入するためのクリーンエア導入口４３８が設けられている。
【００７０】
このような構成の洗浄・乾燥装置２０においては、基板Ｗをクランプ機構４２０で把持して回転させ、旋回アーム４３６を旋回させながら、薬液用ノズル４３０から処理液を洗浄スポンジ４３４に向けて供給しつつ、基板Ｗの表面に洗浄スポンジ４３４を擦り付けることで、基板Ｗの表面の洗浄を行うようになっている。そして、純水用ノズル４３２から基板Ｗの裏面に純水が供給され、この純水用ノズル４３２から噴射される純水で基板Ｗの裏面も同時に洗浄（リンス）される。このようにして洗浄された基板Ｗは、スピンドル４２６を高速回転させることでスピン乾燥させられる。
【００７１】
図１２にベベルエッチング・裏面洗浄装置２２の一例を示す。このベベルエッチング・裏面洗浄装置２２は、基板のエッジ（ベベル）部に付着した銅層７（図１参照）のエッチングと裏面洗浄を同時に行い、しかも、基板表面に設けた回路形成部における銅の自然酸化膜の成長を抑えるようにしたもので、有底円筒状の防水カバー９２０の内部に位置して基板Ｗをフェイスアップでその周縁部の円周方向に沿った複数箇所でスピンチャック９２１により水平に保持して高速回転させる基板ステージ９２２と、この基板ステージ９２２で保持された基板Ｗの表面側のほぼ中央部上方に配置されたセンタノズル９２４と、基板Ｗの周縁部の上方に配置されたエッジノズル９２６とを備えている。センタノズル９２４及びエッジノズル９２６は、それぞれ下向きで配置されている。また基板Ｗの裏面側のほぼ中央部の下方に位置して、バックノズル９２８が上向きで配置されている。前記エッジノズル９２６は、基板Ｗの直径方向及び高さ方向を移動自在に構成されている。
【００７２】
このエッジノズル９２６の移動幅Ｌは、基板の外周端面から中心部方向に任意の位置決めが可能になっていて、基板Ｗの大きさや使用目的等に合わせて、設定値の入力を行う。通常、２ｍｍから５ｍｍの範囲でエッジカット幅Ｃを設定し、裏面から表面への液の回り込み量が問題にならない回転数以上であれば、その設定されたカット幅Ｃ内の銅層等を除去することができる。
【００７３】
次に、このベベルエッチング・裏面洗浄装置２２による洗浄方法について説明する。まず、スピンチャック９２１を介して基板を基板ステージ９２２で水平に保持した状態で、基板Ｗを基板ステージ９２２と一体に水平回転させる。この状態で、センタノズル９２４から基板Ｗの表面側の中央部に酸溶液を供給する。この酸溶液としては非酸化性の酸であればよく、例えばフッ酸、塩酸、硫酸、クエン酸、蓚酸等を用いる。一方、エッジノズル９２６から基板Ｗの周縁部に酸化剤溶液を連続的または間欠的に供給する。この酸化剤溶液としては、オゾン水、過酸化水素水、硝酸水、次亜塩素酸ナトリウム水等のいずれかを用いるか、またはそれらの組み合わせを用いる。
【００７４】
これにより、基板Ｗの周縁部のエッジカット幅Ｃの領域では上面及び端面に成膜された銅層等は酸化剤溶液で急速に酸化され、同時にセンタノズル９２４から供給されて基板の表面全面に拡がる酸溶液によってエッチングされ溶解除去される。このように、基板周縁部で酸溶液と酸化剤溶液を混合させることで、予めそれらの混合水をノズルから供給するのに比べて急峻なエッチングプロフィールを得ることができる。このときそれらの濃度により銅のエッチングレートが決定される。また、基板の表面の回路形成部に銅の自然酸化膜が形成されていた場合、この自然酸化物は基板の回転に伴って基板の表面全面に亘って広がる酸溶液で直ちに除去されて成長することはない。なお、センタノズル９２４からの酸溶液の供給を停止した後、エッジノズル９２６からの酸化剤溶液の供給を停止することで、表面に露出しているシリコンを酸化して、銅の付着を抑制することができる。
【００７５】
一方、バックノズル９２８から基板の裏面中央部に酸化剤溶液とシリコン酸化膜エッチング剤とを同時または交互に供給する。これにより基板Ｗの裏面側に金属状で付着している銅等を基板のシリコンごと酸化剤溶液で酸化しシリコン酸化膜エッチング剤でエッチングして除去することができる。なおこの酸化剤溶液としては表面に供給する酸化剤溶液と同じものにする方が薬品の種類を少なくする上で好ましい。またシリコン酸化膜エッチング剤としては、フッ酸を用いることができ、基板の表面側の酸溶液もフッ酸を用いると薬品の種類を少なくすることができる。これにより、酸化剤供給を先に停止すれば疎水面が得られ、エッチング剤溶液を先に停止すれば飽水面（親水面）が得られて、その後のプロセスの要求に応じた裏面に調整することもできる。
【００７６】
このように酸溶液すなわちエッチング液を基板に供給して、基板Ｗの表面に残留する金属イオンを除去した後、更に純水を供給して、純水置換を行ってエッチング液を除去し、その後、スピン乾燥を行う。このようにして基板表面の周縁部のエッジカット幅Ｃ内の銅層の除去と裏面の銅汚染除去を同時に行って、この処理を、例えば８０秒以内に完了させることができる。なお、エッジのエッジカット幅を任意（２ｍｍ〜５ｍｍ）に設定することが可能であるが、エッチングに要する時間はカット幅に依存しない。
【００７７】
図１３及び図１４は、熱処理（アニール）装置２６を示す。この熱処理装置２６は、基板Ｗを出し入れするゲート１０００を有するチャンバ１００２の内部に位置して、基板Ｗを、例えば４００℃に加熱するホットプレート１００４と、例えば冷却水を流して基板Ｗを冷却するクールプレート１００６が上下に配置されている。また、クールプレート１００６の内部を貫通して上下方向に延び、上端に基板Ｗを載置保持する複数の昇降ピン１００８が昇降自在に配置されている。更に、アニール時に基板Ｗとホットプレート１００４との間に酸化防止用のガスを導入するガス導入管１０１０と、該ガス導入管１０１０から導入され、基板Ｗとホットプレート１００４との間を流れたガスを排気するガス排気管１０１２がホットプレート１００４を挟んで互いに対峙する位置に配置されている。
【００７８】
ガス導入管１０１０は、内部にフィルタ１０１４ａを有するＮ２ガス導入路１０１６内を流れるＮ２ガスと、内部にフィルタ１０１４ｂを有するＨ２ガス導入路１０１８内を流れるＨ２ガスとを混合器１０２０で混合し、この混合器１０２０で混合したガスが流れる混合ガス導入路１０２２に接続されている。
【００７９】
これにより、ゲート１０００を通じてチャンバ１００２の内部に搬入した基板Ｗを昇降ピン１００８で保持し、昇降ピン１００８を該昇降ピン１００８で保持した基板Ｗとホットプレート１００４との距離が、例えば０．１〜１．０ｍｍ程度となるまで上昇させる。この状態で、ホットプレート１００４を介して基板Ｗを、例えば４００℃となるように加熱し、同時にガス導入管１０１０から酸化防止用のガスを導入して基板Ｗとホットプレート１００４との間を流してガス排気管１０１２から排気する。これによって、酸化を防止しつつ基板Ｗをアニールし、このアニールを、例えば数十秒〜６０秒程度継続してアニールを終了する。基板の加熱温度は１００〜６００℃が選択される。
【００８０】
アニール終了後、昇降ピン１００８を該昇降ピン１００８で保持した基板Ｗとクールプレート１００６との距離が、例えば０〜０．５ｍｍ程度となるまで下降させる。この状態で、クールプレート１００６内に冷却水を導入することで、基板Ｗの温度が１００℃以下となるまで、例えば１０〜６０秒程度、基板を冷却し、この冷却終了後の基板を次工程に搬送する。
なお、この例では、酸化防止用のガスとして、Ｎ２ガスと数％のＨ２ガスを混合した混合ガスを流すようにしているが、Ｎ２ガスのみを流すようにしてもよい。
【００８１】
図１５乃至図２１は、基板の無電解めっきの前処理を行う前処理装置２８を示す。この前処理装置２８は、フレーム５０の上部に取付けた固定枠５２と、この固定枠５２に対して相対的に上下動する移動枠５４を備えており、この移動枠５４に、下方に開口した有底円筒状のハウジング部５６と基板ホルダ５８とを有する処理ヘッド６０が懸架支持されている。つまり、移動枠５４には、ヘッド回転用サーボモータ６２が取付けられ、このサーボモータ６２の下方に延びる出力軸（中空軸）６４の下端に処理ヘッド６０のハウジング部５６が連結されている。
【００８２】
この出力軸６４の内部には、図１８に示すように、スプライン６６を介して該出力軸６４と一体に回転する鉛直軸６８が挿着され、この鉛直軸６８の下端に、ボールジョイント７０を介して処理ヘッド６０の基板ホルダ５８が連結されている。この基板ホルダ５８は、ハウジング部５６の内部に位置している。また鉛直軸６８の上端は、軸受７２及びブラケットを介して、移動枠５４に固定した固定リング昇降用シリンダ７４に連結されている。これにより、この昇降用シリンダ７４の作動に伴って、鉛直軸６８が出力軸６４とは独立に上下動するようになっている。
【００８３】
また、固定枠５２には、上下方向に延びて移動枠５４の昇降の案内となるリニアガイド７６が取付けられ、ヘッド昇降用シリンダ（図示せず）の作動に伴って、移動枠５４がリニアガイド７６を案内として昇降するようになっている。
【００８４】
処理ヘッド６０のハウジング部５６の周壁には、この内部に基板Ｗを挿入する基板挿入窓５６ａが設けられている。また、処理ヘッド６０のハウジング部５６の下部には、図１９及び図２０に示すように、例えばＰＥＥＫ製のメインフレーム８０と、例えばポリエチレン製のガイドフレーム８２との間に周縁部を挟持されてシールリング８４ａが配置されている。このシールリング８４ａは、基板Ｗの下面の周縁部に当接し、ここをシールするためのものである。
【００８５】
一方、基板ホルダ５８の下面周縁部には、基板固定リング８６が固着され、この基板ホルダ５８の基板固定リング８６の内部に配置したスプリング８８の弾性力を介して、円柱状のプッシャ９０が基板固定リング８６の下面から下方に突出するようになっている。更に、基板ホルダ５８の上面とハウジング部５６の上壁部との間には、内部を気密的にシールする、例えばテフロン（登録商標）製で屈曲自在な円筒状の蛇腹板９２が配置されている。
【００８６】
これにより、基板ホルダ５８を上昇させた状態で、基板Ｗを基板挿入窓５６ａからハウジング部５６の内部に挿入する。すると、この基板Ｗは、ガイドフレーム８２の内周面に設けたテーパ面８２ａに案内され、位置決めされてシールリング８４ａの上面の所定の位置に載置される。この状態で、基板ホルダ５８を下降させ、この基板固定リング８６のプッシャ９０を基板Ｗの上面に接触させる。そして、基板ホルダ５８を更に下降させることで、基板Ｗをスプリング８８の弾性力で下方に押圧し、これによって基板Ｗの表面（下面）の周縁部にシールリング８４ａで圧接させて、ここをシールしつつ、基板Ｗをハウジング部５６と基板ホルダ５８との間で挟持して保持するようになっている。
【００８７】
なお、このように、基板Ｗを基板ホルダ５８で保持した状態で、ヘッド回転用サーボモータ６２を駆動すると、この出力軸６４と該出力軸６４の内部に挿着した鉛直軸６８がスプライン６６を介して一体に回転し、これによって、ハウジング部５６と基板ホルダ５８も一体に回転する。
【００８８】
処理ヘッド６０の下方に位置して、該処理ヘッド６０の外径よりもやや大きい内径を有する上方に開口した、外槽１００ａと内槽１００ｂを有する処理槽１００が備えられている。処理槽１００の外周部には、蓋体１０２に取付けた一対の脚部１０４が回転自在に支承されている。更に、脚部１０４には、クランク１０６が一体に連結され、このクランク１０６の自由端は、蓋体移動用シリンダ１０８のロッド１１０に回転自在に連結されている。これにより、蓋体移動用シリンダ１０８の作動に伴って、蓋体１０２は、処理槽１００の上端開口部を覆う処理位置と、側方の待避位置との間を移動するように構成されている。この蓋体１０２の表面（上面）には、下記のように、例えば還元力を有する電解イオン水を外方（上方）に向けて噴射する多数の噴射ノズル１１２ａを有するノズル板１１２が備えられている。
【００８９】
更に、図２１に示すように、処理槽１００の内槽１００ｂの内部には、薬液タンク１２０から薬液ポンプ１２２の駆動に伴って供給された薬液を上方に向けて噴射する複数の噴射ノズル１２４ａを有するノズル板１２４が、該噴射ノズル１２４ａが内槽１００ｂの横断面の全面に亘ってより均等に分布した状態で配置されている。この内槽１００ｂの底面には、薬液（排液）を外部に排出する排水管１２６が接続されている。この排水管１２６の途中には、三方弁１２８が介装され、この三方弁１２８の一つの出口ポートに接続された戻り管１３０を介して、必要に応じて、この薬液（排液）を薬液タンク１２０に戻して再利用できるようになっている。更に、この例では、蓋体１０２の表面（上面）に設けられたノズル板１１２は、例えば純水等のリンス液を供給するリンス液供給源１３２に接続されている。また、外槽１００ａの底面にも、排水管１２７が接続されている。
【００９０】
これにより、基板を保持した処理ヘッド６０を下降させて、処理槽１００の上端開口部を処理ヘッド６０で塞ぐように覆い、この状態で、処理槽１００の内槽１００ｂの内部に配置したノズル板１２４の噴射ノズル１２４ａから薬液を基板Ｗに向けて噴射することで、基板Ｗの下面（処理面）の全面に亘って薬液を均一に噴射し、しかも薬液の外部への飛散を防止しつつ薬液を排水管１２６から外部に排出できる。更に、処理ヘッド６０を上昇させ、処理槽１００の上端開口部を蓋体１０２で閉塞した状態で、処理ヘッド６０で保持した基板Ｗに向けて、蓋体１０２の上面に配置したノズル板１１２の噴射ノズル１１２ａからリンス液を噴射することで、基板表面に残った薬液のリンス処理（洗浄処理）を行い、しかもこのリンス液は外槽１００ａと内槽１００ｂの間を通って、排水管１２７を介して排出されるので、内槽１００ｂの内部に流入することが防止され、リンス液が薬液に混ざらないようになっている。
【００９１】
この前処理装置２８によれば、図１５に示すように、処理ヘッド６０を上昇させた状態で、この内部に基板Ｗを挿入して保持し、しかる後、図１６に示すように、処理ヘッド６０を下降させて処理槽１００の上端開口部を覆う位置に位置させる。そして、処理ヘッド６０を回転させて、処理ヘッド６０で保持した基板Ｗを回転させながら、処理槽１００の内部に配置したノズル板１２４の噴射ノズル１２４ａから薬液を基板Ｗに向けて噴射することで、基板Ｗの全面に亘って薬液を均一に噴射する。また、処理ヘッド６０を上昇させて所定位置で停止させ、図１７に示すように、待避位置にあった蓋体１０２を処理槽１００の上端開口部を覆う位置まで移動させる。そして、この状態で、処理ヘッド６０で保持して回転させた基板Ｗに向けて、蓋体１０２の上面に配置したノズル板１１２の噴射ノズル１１２ａからリンス液を噴射する。これにより、基板Ｗの薬液による処理と、リンス液によるリンス処理とを、２つの液体が混ざらないようにしながら行うことができる。
【００９２】
なお、処理ヘッド６０の下降位置を調整して、この処理ヘッド６０で保持した基板Ｗとノズル板１２４との距離を調整することで、ノズル板１２４の噴射ノズル１２４ａから噴射された薬液が基板Ｗに当たる領域や噴射圧を任意に調整することができる。ここで、薬液等の前処理液を循環させて使用すると、処理に伴って有効成分が減少するとともに、基板に付着することによる前処理液（薬液）の持ち出しがあるので、前処理液の組成を分析し、不足分を添加するための前処理液管理ユニット（図示せず）を併置することが好ましい。具体的には、清浄化に使われる薬液は、酸乃至アルカリが主体であるので、例えばｐＨを測定し、所定の値との差から減少分を補給するとともに、薬液貯槽に設けた液面計により減少量を補給することができる。また、触媒液については、たとえば酸性のパラジウム溶液の場合には、ｐＨにより酸の量を、また滴定法ないし比濁法によりパラジウムの量を測定し、同様にして減少量を補給することができる。
【００９３】
図２２乃至図２８に無電解めっき装置３０を示す。この無電解めっき装置３０は、図１（ｄ）に示す保護膜９を形成するためのものあり、めっき槽２００（図２６及び図２８参照）と、このめっき槽２００の上方に配置されて基板Ｗを着脱自在に保持する基板ヘッド２０４を有している。
【００９４】
基板ヘッド２０４は、図２２に詳細に示すように、ハウジング部２３０とヘッド部２３２とを有し、このヘッド部２３２は、吸着ヘッド２３４と該吸着ヘッド２３４の周囲を囲繞する基板受け２３６から主に構成されている。そして、ハウジング部２３０の内部には、基板回転用モータ２３８と基板受け駆動用シリンダ２４０が収納され、この基板回転用モータ２３８の出力軸（中空軸）２４２の上端はロータリジョイント２４４に、下端はヘッド部２３２の吸着ヘッド２３４にそれぞれ連結され、基板受け駆動用シリンダ２４０のロッドは、ヘッド部２３２の基板受け２３６に連結されている。更に、ハウジング部２３０の内部には、基板受け２３６の上昇を機械的に規制するストッパ２４６が設けられている。
【００９５】
ここで、吸着ヘッド２３４と基板受け２３６との間には、同様なスプライン構造が採用され、基板受け駆動用シリンダ２４０の作動に伴って基板受け２３６は吸着ヘッド２３４と相対的に上下動するが、基板回転用モータ２３８の駆動によって出力軸２４２が回転すると、この出力軸２４２の回転に伴って、吸着ヘッド２３４と基板受け２３６が一体に回転するように構成されている。
【００９６】
吸着ヘッド２３４の下面周縁部には、図２３乃至図２５に詳細に示すように、下面をシール面として基板Ｗを吸着保持する吸着リング２５０が押えリング２５１を介して取付けられ、この吸着リング２５０の下面に円周方向に連続させて設けた凹状部２５０ａと吸着ヘッド２３４内を延びる真空ライン２５２とが吸着リング２５０に設けた連通孔２５０ｂを介して互いに連通するようになっている。これにより、凹状部２５０ａ内を真空引きすることで、基板Ｗを吸着保持するのであり、このように、小さな幅（径方向）で円周状に真空引きして基板Ｗを保持することで、真空による基板Ｗへの影響（たわみ等）を最小限に抑え、しかも吸着リング２５０をめっき液（処理液）中に浸すことで、基板Ｗの表面（下面）のみならず、エッジについても、全てめっき液に浸すことが可能となる。基板Ｗのリリースは、真空ライン２５２にＮ２を供給して行う。
【００９７】
一方、基板受け２３６は、下方に開口した有底円筒状に形成され、その周壁には、基板Ｗを内部に挿入する基板挿入窓２３６ａが設けられ、下端には、内方に突出する円板状の爪部２５４が設けられている。更に、この爪部２５４の上部には、基板Ｗの案内となるテーパ面２５６ａを内周面に有する突起片２５６が備えられている。
【００９８】
これにより、図２３に示すように、基板受け２３６を下降させた状態で、基板Ｗを基板挿入窓２３６ａから基板受け２３６の内部に挿入する。すると、この基板Ｗは、突起片２５６のテーパ面２５６ａに案内され、位置決めされて爪部２５４の上面の所定位置に載置保持される。この状態で、基板受け２３６を上昇させ、図２４に示すように、この基板受け２３６の爪部２５４上に載置保持した基板Ｗの上面を吸着ヘッド２３４の吸着リング２５０に当接させる。次に、真空ライン２５２を通して吸着リング２５０の凹状部２５０ａを真空引きすることで、基板Ｗの上面の周縁部を該吸着リング２５０の下面にシールしながら基板Ｗを吸着保持する。そして、めっき処理を行う際には、図２５に示すように、基板受け２３６を数ｍｍ下降させ、基板Ｗを爪部２５４から離して、吸着リング２５０のみで吸着保持した状態となす。これにより、基板Ｗの表面（下面）の周縁部が、爪部２５４の存在によってめっきされなくなることを防止することができる。
【００９９】
図２６は、めっき槽２００の詳細を示す。このめっき槽２００は、底部において、めっき液供給管３０８（図２８参照）に接続され、周壁部にめっき液回収溝２６０が設けられている。めっき槽２００の内部には、ここを上方に向かって流れるめっき液の流れを安定させる２枚の整流板２６２，２６４が配置され、更に底部には、めっき槽２００の内部に導入されるめっき液の液温を測定する温度測定器２６６が設置されている。また、めっき槽２００の周壁外周面のめっき槽２００で保持しためっき液の液面よりやや上方に位置して、直径方向のやや斜め上方に向けてめっき槽２００の内部に、ｐＨが６〜７．５の中性液からなる停止液、例えば純水を噴射する噴射ノズル２６８が設置されている。これにより、めっき終了後、ヘッド部２３２で保持した基板Ｗをめっき液の液面よりやや上方まで引き上げて一旦停止させ、この状態で、基板Ｗに向けて噴射ノズル２６８から純水（停止液）を噴射して基板Ｗを直ちに冷却し、これによって、基板Ｗに残っためっき液によってめっきが進行してしまうことを防止することができる。
【０１００】
更に、めっき槽２００の上端開口部には、アイドリング時等のめっき処理の行われていない時に、めっき槽２００の上端開口部を閉じて該めっき槽２００からのめっき液の無駄な蒸発を防止するめっき槽カバー２７０が開閉自在に設置されている。
【０１０１】
このめっき槽２００は、図２８に示すように、底部において、めっき液貯槽３０２から延び、途中にめっき液供給ポンプ３０４と三方弁３０６とを介装しためっき液供給管３０８に接続されている。これにより、めっき処理中にあっては、めっき槽２００の内部に、この底部からめっき液を供給し、溢れるめっき液をめっき液回収溝２６０からめっき液貯槽３０２へ回収することで、めっき液が循環できるようになっている。また、三方弁３０６の一つの出口ポートには、めっき液貯槽３０２に戻るめっき液戻り管３１２が接続されている。これにより、めっき待機時にあっても、めっき液を循環させることができるようになっており、これによって、めっき液循環系が構成されている。このように、めっき液循環系を介して、めっき液貯槽３０２内のめっき液を常時循環させることにより、単純にめっき液を貯めておく場合に比べてめっき液の濃度の低下率を減少させ、基板Ｗの処理可能数を増大させることができる。
【０１０２】
特に、この例では、めっき液供給ポンプ３０４を制御することで、めっき待機時及びめっき処理時に循環するめっき液の流量を個別に設定できるようになっている。すなわち、めっき待機時のめっき液の循環流量は、例えば２〜２０Ｌ／ｍｉｎで、めっき処理時のめっき液の循環流量は、例えば０〜１０Ｌ／ｍｉｎに設定される。これにより、めっき待機時にめっき液の大きな循環流量を確保して、セル内のめっき浴の液温を一定に維持し、めっき処理時には、めっき液の循環流量を小さくして、より均一な膜厚の保護膜（めっき膜）を成膜することができる。
【０１０３】
めっき槽２００の底部付近に設けられた温度測定器２６６は、めっき槽２００の内部に導入されるめっき液の液温を測定して、この測定結果を元に、下記のヒータ３１６及び流量計３１８を制御する。
【０１０４】
つまり、この例では、別置きのヒータ３１６を使用して昇温させ流量計３１８を通過させた水を熱媒体に使用し、熱交換器３２０をめっき液貯槽３０２内のめっき液中に設置して該めっき液を間接的に加熱する加熱装置３２２と、めっき液貯槽３０２内のめっき液を循環させて攪拌する攪拌ポンプ３２４が備えられている。これは、めっきにあっては、めっき液を高温（約８０℃程度）にして使用することがあり、これと対応するためであり、この方法によれば、インライン・ヒーティング方式に比べ、非常にデリケートなめっき液に不要物等が混入するのを防止することができる。
【０１０５】
図２７は、めっき槽２００の側方に付設されている洗浄槽２０２の詳細を示す。この洗浄槽２０２の底部には、純水等のリンス液を上方に向けて噴射する複数の噴射ノズル２８０がノズル板２８２に取付けられて配置され、このノズル板２８２は、ノズル上下軸２８４の上端に連結されている。更に、このノズル上下軸２８４は、ノズル位置調整用ねじ２８７と該ねじ２８７と螺合するナット２８８との螺合位置を変えることで上下動し、これによって、噴射ノズル２８０と該噴射ノズル２８０の上方に配置される基板Ｗとの距離を最適に調整できるようになっている。
【０１０６】
更に、洗浄槽２０２の周壁外周面の噴射ノズル２８０より上方に位置して、直径方向のやや斜め下方に向けて洗浄槽２０２の内部に純水等の洗浄液を噴射して、基板ヘッド２０４のヘッド部２３２の、少なくともめっき液に接液する部分に洗浄液を吹き付けるヘッド洗浄ノズル２８６が設置されている。
【０１０７】
この洗浄槽２０２にあっては、基板ヘッド２０４のヘッド部２３２で保持した基板Ｗを洗浄槽２０２内の所定の位置に配置し、噴射ノズル２８０から純水等の洗浄液（リンス液）を噴射して基板Ｗを洗浄（リンス）するのであり、この時、ヘッド洗浄ノズル２８６から純水等の洗浄液を同時に噴射して、基板ヘッド２０４のヘッド部２３２の、少なくともめっき液に接液する部分を該洗浄液で洗浄することで、めっき液に浸された部分に析出物が蓄積してしまうことを防止することができる。
【０１０８】
この無電解めっき装置３０にあっては、基板ヘッド２０４を上昇させた位置で、前述のようにして、基板ヘッド２０４のヘッド部２３２で基板Ｗを吸着保持し、めっき槽２００のめっき液を循環させておく。
そして、めっき処理を行うときには、めっき槽２００のめっき槽カバー２７０を開き、基板ヘッド２０４を回転させながら下降させ、ヘッド部２３２で保持した基板Ｗをめっき槽２００内のめっき液に浸漬させる。
【０１０９】
そして、基板Ｗを所定時間めっき液中に浸漬させた後、基板ヘッド２０４を上昇させて、基板Ｗをめっき槽２００内のめっき液から引き上げ、必要に応じて、前述のように、基板Ｗに向けて噴射ノズル２６８から純水（停止液）を噴射して基板Ｗを直ちに冷却し、更に基板ヘッド２０４を上昇させて基板Ｗをめっき槽２００の上方位置まで引き上げて、基板ヘッド２０４の回転を停止させる。
【０１１０】
次に、基板ヘッド２０４のヘッド部２３２で基板Ｗを吸着保持したまま、基板ヘッド２０４を洗浄槽２０２の直上方位置に移動させる。そして、基板ヘッド２０４を回転させながら洗浄槽２０２内の所定の位置まで下降させ、噴射ノズル２８０から純水等の洗浄液（リンス液）を噴射して基板Ｗを洗浄（リンス）し、同時に、ヘッド洗浄ノズル２８６から純水等の洗浄液を噴射して、基板ヘッド２０４のヘッド部２３２の、少なくともめっき液に接液する部分を該洗浄液で洗浄する。
【０１１１】
この基板Ｗの洗浄が終了した後、基板ヘッド２０４の回転を停止させ、基板ヘッド２０４を上昇させて基板Ｗを洗浄槽２０２の上方位置まで引き上げ、更に基板ヘッド２０４を搬送ロボット１６との受渡し位置まで移動させ、この搬送ロボット１６に基板Ｗを受渡して次工程に搬送する。
【０１１２】
この無電解めっき装置３０には、図２８に示すように、無電解めっき装置３０が保有するめっき液の液量を計測するとともに、例えば吸光光度法、滴定法、電気化学的測定などでめっき液の組成を分析し、めっき液中の不足する成分を補給するめっき液管理ユニット３３０が備えられている。そして、これらの分析結果を信号処理してめっき液中の不足する成分を、図示しない補給槽から定量ポンプなどを使ってめっき液貯槽３０２へ補給してめっき液の液量と組成を管理するようになっており、これによって、薄膜めっきを再現性良く実現できる。
【０１１３】
このめっき液管理ユニット３３０は、無電解めっき装置３０が保有するめっき液の溶存酸素を、例えば電気化学的方法等により測定する溶存酸素濃度計３３２を有しており、この溶存酸素濃度計３３２の指示により、例えば脱気、窒素吹き込みその他の方法でめっき液中の溶存酸素濃度を一定に管理することができるようになっている。このように、めっき液中の溶存酸素濃度を一定に管理することで、めっき反応を再現性良く実現することができる。
【０１１４】
なお、めっき液を繰り返し利用すると、外部からの持ち込みやそれ自身の分解によってある特定成分が蓄積し、めっきの再現性や膜質の劣化につながることがある。このような特定成分を選択的に除去する機構を追加することにより、液寿命の延長と再現性の向上を図ることができる。
【０１１５】
図２９は、研磨装置（ＣＭＰ装置）３２の一例を示す。この研磨装置３２は、上面に研磨布（研磨パッド）８２０を貼付して研磨面を構成する研磨テーブル８２２と、基板Ｗをその被研磨面を研磨テーブル８２２に向けて保持するトップリング８２４とを備えている。そして、研磨テーブル８２２とトップリング８２４とをそれぞれ自転させ、研磨テーブル８２２の上方に設置された砥液ノズル８２６より砥液を供給しつつ、トップリング８２４により基板Ｗを一定の圧力で研磨テーブル８２２の研磨布８２０に押圧することで、基板Ｗの表面を研磨するようになっている。なお、研磨パッドとして、予め砥粒を入れた固定砥粒方式を採用したものを使用してもよい。
【０１１６】
このようなＣＭＰ装置３２を用いて研磨作業を継続すると研磨布８２０の研磨面の研磨力が低下するが、この研磨力を回復させるために、ドレッサー８２８を設け、このドレッサー８２８によって、研磨する基板Ｗの交換時などに研磨布８２０の目立て（ドレッシング）が行われている。このドレッシング処理においては、ドレッサー８２８のドレッシング面（ドレッシング部材）を研磨テーブル８２２の研磨布８２０に押圧しつつ、これらを自転させることで、研磨面に付着した砥液や切削屑を除去すると共に、研磨面の平坦化及び目立てが行なわれ、研磨面が再生される。また、研磨テーブル８２２に基板の表面の状態を監視するモニタを取付け、その場（In-situ）で研磨の終点（エンドポイント）を検出してもよく、またその場（In-situ）で基板の仕上がり状態を検査するモニタを取付けてもよい。
【０１１７】
図３０及び図３１は、反転機を備えた膜厚測定器２４を示す。同図に示すように、この膜厚測定器２４は反転機３３９を備え、この反転機３３９は、反転アーム３５３，３５３を備えている。この反転アーム３５３，３５３は、基板Ｗの外周をその左右両側から挟み込んで保持し、これを１８０°回動することで反転させる機能を有する。そしてこの反転アーム３５３，３５３（反転ステージ）の直下に円形の取付け台３５５を設置し、取付け台３５５上に複数の膜厚センサＳを設置する。取付け台３５５は駆動機構３５７によって上下動自在に構成されている。
【０１１８】
そして基板Ｗの反転時には、取付け台３５５は、基板Ｗの下方の実線の位置に待機しており、反転の前又は後に点線で示す位置まで上昇して膜厚センサＳを反転アーム３５３，３５３に把持した基板Ｗに接近させ、その膜厚を測定する。
【０１１９】
この例によれば、搬送ロボットのアームなどの制約がないため、取付け台３５５上の任意の位置に膜厚センサＳを設置できる。また、取付け台３５５は上下動自在な構成となっているので、測定時に基板Ｗとセンサ間の距離を調整することも可能である。また、検出目的に応じた複数の種類のセンサを取付けて、各々のセンサの測定毎に基板Ｗと各センサ間の距離を変更することも可能である。但し取付け台３５５が上下動するため、測定時間をやや要することになる。
【０１２０】
ここで、膜厚センサＳとして、例えば渦電流センサが使用される。渦電流センサは渦電流を発生させ、基板Ｗを導通して帰ってきた電流の周波数や損失を検出することにより膜厚を測定するものであり、非接触で用いられる。更に膜厚センサＳとしては、光学的センサも好適である。光学的センサは、試料に光を照射し、反射する光の情報から膜厚を直接的に測定することができるものであり、金属膜だけでなく酸化膜などの絶縁膜の膜厚測定も可能である。膜厚センサＳの設置位置は図示のものに限定されず、測定したい箇所に任意の個数を取付ける。
【０１２１】
次に、このように構成された基板処理装置によって、図１（ａ）に示す、シード層６を形成した基板に銅配線を形成する一連の処理を、図３２を更に参照して説明する。
【０１２２】
先ず、表面にシード層６を形成した基板Ｗを搬送ボックス１０から一枚ずつ取出し、ロード・アンロードステーション１４に搬入する。そして、このロード・アンロードステーション１４に搬入した基板Ｗを搬送ロボット１６で膜厚測定器２４に搬送し、この膜厚測定器２４でイニシャル膜厚（シード層６の膜厚）を測定し、しかる後、必要に応じて、基板を反転させてめっき装置１８に搬送し、このめっき装置１８で、図１（ｂ）に示すように、基板Ｗの表面に銅層７を堆積させて、銅の埋込みを行う。
【０１２３】
そして、この銅層７を形成した基板を、搬送ロボット１６で洗浄・乾燥装置２０に搬送して、基板Ｗの純水による洗浄を行ってスピン乾燥させるか、またはめっき装置１８にスピン乾燥機能が備えられている場合には、このめっき装置１８で基板Ｗのスピン乾燥（液切り）を行って、この乾燥後の基板をベベルエッチング・裏面洗浄装置２２に搬送する。
【０１２４】
このベベルエッチング・裏面洗浄装置２２では、基板Ｗのベベル（エッジ）部に付着した不要な銅をエッチング除去すると同時に、基板の裏面を純水等で洗浄し、しかる後、前述と同様に、搬送ロボット１６で洗浄・乾燥装置２０に搬送して、基板Ｗの純水による洗浄を行ってスピン乾燥させるか、またはベベルエッチング・裏面洗浄装置２２にスピン乾燥機能が備えられている場合には、このベベルエッチング・裏面洗浄装置２２で基板Ｗのスピン乾燥を行って、この乾燥後の基板を、搬送ロボット１６で熱処理装置２６に搬送する。
【０１２５】
この熱処理装置２６で基板Ｗの熱処理（アニール）を行う。そして、この熱処理後の基板Ｗを搬送ロボット１６で膜厚測定器２４に搬送し、ここで銅の膜厚を測定し、この測定結果と前述のイニシャル膜厚の測定結果との差から、銅層７（図１（ｂ）参照）の膜厚を求め、この測定後の膜厚によって、例えば次に基板に対するめっき時間を調整し、また膜厚が不足する場合には、再度めっきによる銅の追加の成膜を行う。そして、この膜厚測定後の基板Ｗを、搬送ロボット１６により研磨装置３２に搬送する。
【０１２６】
この研磨装置３２で、図１（ｃ）に示すように、基板Ｗの表面に堆積した不要な銅層７及びシード層６を研磨除去して、基板Ｗの表面を平坦化する。この時、例えば、膜厚や基板の仕上がり具合をモニタで検査し、このモニタで終点（エンドポイント）を検知した時に、研磨を終了する。そして、この研磨後の基板Ｗを搬送ロボット１６で洗浄・乾燥装置２０に搬送し、この洗浄・乾燥装置２０で基板表面を薬液で洗浄し、更に純水で洗浄（リンス）した後、高速回転させてスピン乾燥させる。そして、このスピン乾燥後の基板Ｗを搬送ロボット１６で前処理装置２８に搬送する。
【０１２７】
この前処理装置２８で、例えば基板表面へのＰｄ触媒の付着や、基板の露出表面に付着した酸化膜の除去等の少なくとも一方のめっき前処理を行う。そして、このめっき前処理後の基板を、前述のように、搬送ロボット１６で洗浄・乾燥装置２０に搬送して、基板Ｗの純水による洗浄を行ってスピン乾燥させるか、または前処理装置２８にスピン乾燥機能が備えられている場合には、この前処理装置２８で基板Ｗのスピン乾燥（液切り）を行って、この乾燥後の基板を搬送ロボット１６で無電解めっき装置３０に搬送する。
【０１２８】
この無電解めっき装置３０で、図１（ｄ）に示すように、露出した配線８の表面に、例えば無電解Ｃｏ−Ｗ−Ｐめっきを施して、配線８の外部への露出表面に、Ｃｏ−Ｗ−Ｐ合金膜からなる保護膜（めっき膜）９を選択的に形成して配線８を保護する。この保護膜９の膜厚は、０．１〜５００ｎｍ、好ましくは、１〜２００ｎｍ、更に好ましくは、１０〜１００ｎｍ程度である。この時、例えば、保護膜９の膜厚をモニタして、この膜厚が所定の値に達した時、つまり終点（エンドポイント）を検知した時に、無電解めっきを終了する。
【０１２９】
そして、無電解めっきが終了した基板を、搬送ロボット１６で洗浄・乾燥装置２０に搬送し、この洗浄・乾燥装置２０で基板表面を薬液で洗浄し、更に純水で洗浄（リンス）した後、高速回転させてスピン乾燥させる。そして、このスピン乾燥後の基板Ｗを搬送ロボット１６でロード・アンロードステーション１４を経由して搬送ボックス１０内に戻す。
なお、この例は、配線材料として、銅を使用した例を示しているが、この銅の他に、銅合金、銀及び銀合金等を使用しても良い。
【０１３０】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明によれば、多孔質体を基板のシード層に任意の圧力で押圧しつつ、多孔質体とシード層との間の隙間に存在するめっき液を排除することで、荷重を大きくすることなく、多孔質体の全面を基板のシード層に均一に密着させた状態でめっきを行うことができる。これによって、配線溝（トレンチ）や微孔（ビアホール）の内部に優先的にめっきを行って配線材料（金属膜）を埋込んで、めっき後の表面の平坦性を向上させることができる。従って、ＣＭＰのような凸部の選択的エッチングプロセスの負荷を削減または省略して、コスト削減のみならず、ディッシングやオキサイドエロージョン等のＣＭＰ特有の問題も解決することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体装置における配線形成例を工程順に示す図である。
【図２】 めっき装置を備えた基板処理装置の平面図である。
【図３】図２に示すめっき装置の要部を示す概要図である。
【図４】図３に示すめっき装置で多孔質体と基板の被めっき面との間に生じる隙間に存在するめっき液を排除する時の説明に付する図である。
【図５】 他のめっき装置の要部を示す概要図である。
【図６】 更に他の実施の形態におけるめっき装置の要部を示す概要図である。
【図７】 更に他のめっき装置の要部を示す概要図である。
【図８】図７に示すめっき装置で多孔質体と基板の被めっき面との間に生じる隙間に存在するめっき液を排除する時の説明に付する図である。
【図９】めっき液管理供給システムの一例を示す系統図である。
【図１０】図３に示す洗浄・乾燥装置の一例を示す縦断正面図である。
【図１１】同じく、平面図である。
【図１２】図３に示すベベルエッチング・裏面洗浄装置の一例を示す概略図である。
【図１３】図３に示す熱処理装置の一例を示す縦断正面図である。
【図１４】同じく、平断面図である。
【図１５】図３に示す前処理装置の基板受渡し時における正面図である。
【図１６】同じく、薬液処理時における正面図である。
【図１７】同じく、リンス時における正面図である。
【図１８】同じく、基板受渡し時における処理ヘッドを示す断面図である。
【図１９】同じく、図１８のＡ部拡大図である。
【図２０】同じく、基板固定時における図１９相当図である。
【図２１】同じく、系統図である。
【図２２】図３に示す無電解めっき装置の基板受渡し時における基板ヘッドを示す断面図である。
【図２３】同じく、図２２のＢ部拡大図である。
【図２４】同じく、基板固定時における基板ヘッドを示す図２３相当図である。
【図２５】同じく、めっき処理時における基板ヘッドを示す図２３相当図である。
【図２６】同じく、めっき槽カバーを閉じた時のめっき槽を示す一部切断の正面図である。
【図２７】同じく、洗浄槽を示す断面図である。
【図２８】同じく、系統図である。
【図２９】図３に示す研磨装置の一例を示す概要図である。
【図３０】図３に示す膜厚測定器における反転機付近の概略正面図である。
【図３１】同じく、反転アーム部分の平面図である。
【図３２】図３に示す基板処理装置における処理フロー図である。
【図３３】従来例における多孔質体と基板の被めっき面との間に生じる隙間にめっき液が存在する状態の説明に付する図である。
【符号の説明】
３ 微孔（微細凹部）
４ 配線溝（微細凹部）
７ 銅層
８ 配線
９ 保護膜
１０ 搬送ボックス
１８ めっき装置
２０ 洗浄・乾燥装置
２２ ベベルエッチング・裏面洗浄装置
２４ 膜厚測定器
２６ 熱処理装置
２８ 前処理装置
３０ 無電解めっき装置
３２ 研磨装置
５６ ハウジング部
５８ 基板ホルダ
６０ 処理ヘッド
１００ 処理槽
１０２ 蓋体
１１２ ノズル板
１１２ａ 噴射ノズル
１２０ 薬液タンク
１２２ 薬液ポンプ
１２４ ノズル板
１２４ａ 噴射ノズル
１３２ リンス液供給源
２００ めっき槽
２０２ 洗浄槽
２０４ 基板ヘッド
２３０ ハウジング部
２３２ ヘッド部
２３４ 吸着ヘッド
２６８ 噴射ノズル
２８０ 噴射ノズル
２８２ ノズル板
２８６ ヘッド洗浄ノズル
３１６ ヒータ
３２０ 熱交換器
３２２ 加熱装置
３２４ 攪拌ポンプ
３３０ めっき液管理ユニット
３３２ 溶存酸素濃度計
４２２ 基板ステージ
４２８ 洗浄カップ
４３０ 薬液用ノズル
４３２ 純水用ノズル
４３４ 洗浄スポンジ
４３６ 旋回アーム
５００ 揺動アーム
５０２ 電極ヘッド
５０４ 基板ステージ
５０４ａ 真空通路
５０４ｂ 真空吸着溝
５０４ｃ 貯槽
５０６ カソード部
５１２ カソード電極
５１４ シール材
５２０ 回転ハウジング
５２２ 上下動ハウジング
５２４ 回転体
５２６ アノード
５２８ 多孔質体
５３０ アノード室
５３２ めっき液含浸材
５３４ 多孔質パッド
５３４ａ 下層パッド
５３４ｂ 上層パッド
５４０ エアバック
５４４ めっき液導入管
５５０ 電源
５６０ ピエゾ振動子
５６２ 超音波発振子
５６４ 圧力ポート
５６８ 真空ポンプ
６００ めっき液トレー
６０４ リザーバ
６０８ めっき液調整タンク
６１０ 温度コントローラ
６１２ めっき液分析ユニット
８２０ 研磨布
８２２ 研磨テーブル
８２４ トップリング
８２６ 砥液ノズル
８２８ ドレッサー
９２２ 基板ステージ
９２４ センタノズル
９２６ エッジノズル
９２８ バックノズル
１００２ チャンバ
１００４ ホットプレート
１００６ クールプレート
【発明の属する技術分野】
本発明は、めっき方法に係り、特に半導体基板に形成された微細配線パターンに銅等の金属（配線材料）を埋込んで配線を形成するのに使用されるめっき方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
最近、半導体基板上に、回路形状の配線溝（トレンチ）や微孔（ビアホール）等の配線用の微細凹部を形成し、銅めっきによりこれらを銅（配線材料）で埋め、残りの部分の銅層（めっき膜）をＣＭＰ等の手段により除去して回路を形成することが行われている。この技術においては、回路形状の配線溝あるいは微孔の中に選択的に銅めっき膜が析出し、それ以外の部分では、銅めっき膜の析出が少ない方が後のＣＭＰの負荷を減らす上で好ましい。従来、このような目的を達成するために、めっき液の浴組成や、使用する光沢剤などめっき液での工夫が行われている。
【０００３】
一方、回路形状の配線溝等の中に選択的に銅めっき膜を析出させるための技術としては、多孔質体を半導体ウエハ等の基板に接触させ、また接触方向に相対的に動かしながらめっきを行うという方法が知られている。この技術で用いる多孔質体としては、ＰＶＡ、多孔質テフロン（登録商標）、ポリプロピレン等を繊維状に編んだり、漉いて紙状に加工したりしたもの、あるいはゲル化シリコン酸化物や寒天質等の不定形物などが一般に使用される（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開２０００−２３２０７８
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
配線溝等のパターン部の内部に銅等の配線材料を完全に埋め込んで銅配線を形成するためには、パターン部以外にもかなりの厚さの銅層を形成し、パターン部以外に成膜された余剰の銅層をＣＭＰ法により除去する必要がある。このため、除去すべき銅の量が多い場合には、ＣＭＰ時間が長くなり、コストアップに繋がってしまうばかりでなく、ＣＭＰ後の基板の研磨面に面内不均一性があると、研磨後に残存する配線の深さが基板内で異なり、この結果、研磨時間が長くなればなる程、配線性能のＣＭＰの性能に対する依存度が大きくなってしまう。
【０００６】
このような問題を解決するため、めっき液の浴組成や、使用する光沢剤等、めっき液での工夫が行われており、これらによってある程度は目的が達成されるが、一定の限界があった。
【０００７】
一方、多孔質体を基板に接触させ、また接触方向に相対的に動かしながらめっきを行うという方法にあっては、めっき液の供給量を凹凸部で変え、つまり基板の被めっき面に設けた凹部内のみにめっきに寄与するめっき液が存在するようにして、平坦性の向上を試みている。しかし、多孔質体表面の表面粗さや多孔質体を基板Ｗの被めっき面に向けて押圧した時に該多孔質体に発生するうねりや反りなどにより、多孔質体の全面を基板の被めっき面の均一に押圧して密着させることが困難で、このため、図３３に示すように、多孔質体Ａと基板Ｗの被めっき面Ｐとの間に局所的に隙間Ｓが生じて該隙間Ｓにめっき液Ｑが存在し、この隙間Ｓに存在するめっき液Ｑに含まれるＣｕ２＋等のイオンがめっきに寄与して、めっき面の面内不均一に繋がってしまうといった問題があった。
【０００８】
なお、多孔質体を接触させるための荷重を大きくし多孔質の空間部を押し潰すことにより、平坦性は向上すると考えられるが、その場合には、基板に非常に大きな荷重を掛ける必要があり、このため、ｌｏｗーｋ材などの柔らかい絶縁膜を対象とした場合には、膜が破壊されたり、まためっき表面にも傷が入りやすくなるなど実現化が困難であった。
【０００９】
本発明は、上記事情に鑑みて為されたもので、荷重を大きくすることなく、多孔質体の全面を基板の被めっき面に均一に密着させた状態でめっきが行えるようにしためっき方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、配線用の微細凹部を有する基板上にシード層を形成し、このシード層とアノードとの間にめっき液を満たしつつ通電してめっきを行い、前記微細凹部内に配線材料を充填するめっき方法であって、前記シード層と前記アノードとの間に前記めっき液に浸漬させて配置した保水性を有する多孔質体を前記シード層に任意の圧力で押圧しつつ、前記基板と前記多孔質体とを相対的に回転させて前記シード層と前記多孔質体との間の隙間に存在するめっき液を排除し、しかる後、前記多孔質体を前記シード層に任意の圧力で押圧しつつ、前記シード層と前記アノードとの間に通電してめっきを行うことを特徴とするめっき方法である。
【００１１】
このように、多孔質体を基板のシード層に任意の圧力で押圧しつつ、多孔質体とシード層との間の隙間に存在するめっき液を排除することで、荷重を大きくすることなく、多孔質体の全面を基板のシード層に均一に密着させた状態でめっきを行うことができる。
【００１２】
基板と多孔質体とを相対的に回転させることで、多孔質体と基板のシード層との間の隙間に存在するめっき液を、この回転に伴う遠心力で外方に排除することができる。
【００１３】
請求項２に記載の発明は、前記多孔質体を前記シード層に任意の圧力で押圧しつつ、前記基板と前記多孔質体とを相対的に回転させて前記シード層と前記多孔質体との間の隙間に存在するめっき液を排除する工程と、前記多孔質体を前記シード層に任意の圧力で押圧しつつ、前記シード層と前記アノードとの間に通電してめっきを行う工程とを少なくとも２回繰返すことを特徴とする請求項１記載のめっき方法である。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。この実施の形態は、半導体ウエハ等の基板の表面に設けた配線用の微細凹部に、配線材料としての銅を埋込んで銅層からなる配線を形成するようにした例を示しているが、他の配線材料を使用しても良いことは勿論である。
【００２５】
図１を参照して、半導体装置における銅配線形成例を説明する。図１（ａ）に示すように、半導体素子を形成した半導体基材１上の導電層１ａの上に、例えばＳｉＯ２からなる酸化膜やＬｏｗ−Ｋ材膜等の絶縁膜２を堆積し、この絶縁膜２の内部に、例えばリソグラフィ・エッチング技術により、配線用の微細凹部としての微孔（ビアホール）３と配線溝（トレンチ）４を形成し、その上にＴａＮ等からなるバリア層５、更にその上に電解めっきの給電層としてのシード層６をスパッタリング等により形成する。
【００２６】
そして、図１（ｂ）に示すように、基板Ｗの表面に銅めっきを施すことで、基板Ｗの微孔３及び配線溝４内に銅を充填させるとともに、絶縁膜２上に銅層７を堆積させる。その後、化学機械的研磨（ＣＭＰ）などにより、絶縁膜２上のバリア層５，シード層６及び銅層７を除去して、微孔３及び配線溝４内に充填させた銅層７の表面と絶縁膜２の表面とをほぼ同一平面にする。これにより、図１（ｃ）に示すように、絶縁膜２の内部にシード層６と銅層７からなる配線（銅配線）８を形成する。
次に、図１（ｄ）に示すように、基板Ｗの表面に無電解めっきを施し、配線８の表面に、Ｃｏ合金やＮｉ合金等からなる保護膜９を選択的に形成し、これによって、配線８の表面を保護膜９で覆って保護する。
【００２７】
図２は、めっき装置を備えた基板処理装置の平面図を示す。図２に示すように、この基板処理装置は、例えばスミフボックス等の内部に多数の半導体ウエハ等の基板を収納した搬送ボックス１０を着脱自在な矩形状の装置フレーム１２を備えている。この装置フレーム１２の内部には、ロード・アンロードステーション１４と、このロード・アンロードステーション１４との間で基板を授受する走行自在な搬送ロボット１６が備えられている。そして、搬送ロボット１６を挟んで該搬送ロボット１６の両側には、一対のめっき装置１８が配置され、更に、搬送ロボット１６を挟んで一方の側には、洗浄・乾燥装置２０、ベベルエッチング・裏面洗浄装置２２及び膜厚測定器２４が直列に配置され、他方の側には、熱処理（アニール）装置２６、前処理装置２８、無電解めっき装置３０及び研磨装置３２が直列に配置されている。
【００２８】
ここで、装置フレーム１２には遮光処理が施され、これによって、この装置フレーム１２内での以下の各工程を遮光状態で、つまり、配線に照明光等の光が当たることなく行えるようになっている。このように、配線に光を当たることを防止することで、例えば銅からなる配線に光が当たって光電位差が生じ、この光電位差によって配線が腐食してしまうことを防止することができる。
【００２９】
図３は、めっき装置１８の概要を示す。図３に示すように、めっき装置１８は、水平方向に揺動自在な揺動アーム５００を備え、この揺動アーム５００の先端に電極ヘッド５０２が回転自在に支承されている。一方、電極ヘッド５０２の下方に位置して、表面（被めっき面）を上向きにして基板Ｗを保持する基板ステージ５０４が上下動自在に配置され、この基板ステージ５０４の上方には、該基板ステージ５０４の周縁部を囲繞するようにカソード部５０６が配置されている。なお、この例では、電極ヘッド５０２として、その径が基板ステージ５０４の径より僅かに小さい径を有するものを使用し、電極ヘッド５０２と基板ステージ５０４との相対位置を変化させることなく、基板ステージ５０４で保持した基板Ｗの表面（被めっき面）のほぼ全面に亘ってめっきを行えるようにした例を示している。
【００３０】
基板ステージ５０４の上面の周縁部には、内部に設けた真空通路５０４ａに連通するリング状の真空吸着溝５０４ｂが設けられ、この真空吸着溝５０４ｂを挟んだ内外の両側に、シールリング５０８，５１０が装着されている。これにより、基板ステージ５０４の上面に基板Ｗを載置し、真空通路５０４ａを介して真空吸着溝５０４ｂ内を真空吸引することで、基板Ｗをその周縁部を吸着して保持するようになっている。
【００３１】
揺動アーム５００は、図示しないサーボモータからなる上下動モータとボールねじを介して上下動し、図示しない旋回モータを介して、旋回（揺動）するようになっている。なお、モータの代わりに空気圧アクチュエータを使用しても良いことは勿論である。
【００３２】
前記カソード部５０６は、この例では６分割されたカソード電極５１２と、このカソード電極５１２の上方を覆うように取付けた環状のシール材５１４とを有している。シール材５１４は、その内周縁部が内方に向け下方に傾斜し、かつ徐々に薄肉となって、内周端部が下方に垂下するように構成されている。これにより、基板ステージ５０４が上昇した時に、この基板ステージ５０４で保持した基板Ｗの周縁部にカソード電極５１２が押付けられて通電し、同時にシール材５１４の内周端部が基板Ｗの周縁部上面に圧接し、ここを水密的にシールして、基板の上面（被めっき面）に供給されためっき液が基板Ｗの端部から染み出すのを防止するとともに、めっき液がカソード電極５１２を汚染することを防止するようになっている。
【００３３】
なお、この例において、カソード部５０６は、上下動不能で基板ステージ５０４と一体に回転するようになっているが、上下動自在で、下降した時にシール材５１４が基板Ｗの被めっき面に圧接するように構成しても良い。
【００３４】
前記電極ヘッド５０２は、共に下方に開口した有底円筒状で、同心状に配置した回転ハウジング５２０と上下動ハウジング５２２とを有している。そして、回転ハウジング５２０は、揺動アーム５００の自由端に取付けた回転体５２４の下面に固着されて該回転体５２４と一体に回転するよう構成されている。一方、上下動ハウジング５２２は、その上部において、回転ハウジング５２０の内部に位置して該回転ハウジング５２０と一体に回転し、相対的に上下動するように構成されている。上下動ハウジング５２２は、下端開口部を多孔質体５２８で閉塞することで、内部に円板状のアノード５２６を配置し、内部に該アノード５２６を浸漬させるめっき液Ｑを導入するアノード室５３０を区画形成している。
【００３５】
この多孔質体５２８は、この例では、多孔質材を３層に積層した多層構造となっている。すなわち、多孔質体５２８は、主にめっき液を保持する役割を果たすめっき液含浸材５３２と、このめっき液含浸材５３２の下面に取付けられた多孔質パッド５３４から構成され、この多孔質パッド５３４は、基板Ｗに直接接触する下層パッド５３４ａと、この下層パッド５３４ａとめっき液含浸材５３２との間に介装される上層パッド５３４ｂから構成されている。そして、めっき液含浸材５３２と上層パッド５３４ｂは、上下動ハウジング５２２の内部に位置し、下層パッド５３４ａで上下動ハウジング５２２の下端開口部を閉塞するようになっている。
【００３６】
このように、多孔質体５２８を多層構造とすることで、例えば基板と接触する多孔質パッド５３４（下層パッド５３４ａ）として、基板の被めっき面上の凹凸面を平坦化するのに十分な平坦性を有するものを使用することが可能となる。
【００３７】
この下層パッド５３４ａは、基板Ｗの表面（被めっき面）と接触する面（表面）の平担性がある程度高く、めっき液が通過できる微細貫通穴を有し、少なくとも接触面が絶縁物もしくは絶縁性の高い物質で形成されていることが必要である。この下層パッド５３４ａに要求される平担性は、例えば、最大粗さ（ＲＭＳ）が数十μｍ以下程度である。
【００３８】
また、下層パッド５３４ａに要求される微細貫通穴は、接触面での平坦性を保つために丸穴の貫通孔が好ましく、更に、微細貫通穴の穴径や単位面積当たりの個数などはめっきする膜質や配線パターンによって最適値が異なるが、両者とも小さい方が凹部内におけるめっき成長の選択性を向上させる上で好ましい。具体的な、微細貫通穴の穴径や単位面積当たりの個数としては、例えば、穴径３０μｍ以下、好ましくは５〜２０μｍの微小貫通孔が、気孔率で５０％以下の状態で存在すれば良い。
【００３９】
更に、下層パッド５３４ａは、ある程度の固さであることが好ましく、例えば、その引張り強度が５〜１００ｋｇ／ｃｍ2、曲げ弾性強度が２００〜１００００ｋｇ／ｃｍ2程度であればよい。
【００４０】
この下層パッド５３４ａは、更に親水性の材料であることが好ましく、例えば下記に示す材料に対し親水化処理または親水基を重合させたものが用いられる。このような材料の例としては、多孔ポリエチレン（ＰＥ）、多孔ポリプロピレン（ＰＰ）、多孔ポリアミド、多孔ポリカーボネートまたは多孔ポリイミド等が挙げられる。このうち、多孔ＰＥ、多孔ＰＰ、多孔ポリアミド等は、超高分子のＰＥ、ＰＰ、ポリアミド等の細かい粉を原料とし、これを押し固め、焼結成形することにより調製したものであり、フルダスＳ（三菱樹脂（株）製）、サンファインＵＦ、サンファインＡＱ（ともに旭化成（株）製）、Ｓｐａｃｙ（スペイシーケミカル社製）等の商品名で市販されている。また、多孔ポリカーボネートは、例えば、ポリカーボネートフィルムにアクセラレーターで加速した高エネルギーの重金属（銅等）を貫通させ、これにより生成する直線上のトラック（軌跡）を選択的にエッチングすることにより調製されるものである。
【００４１】
この下層パッド５３４ａは、基板Ｗの表面と接触する面（表面）を圧縮加工、機械加工等により平坦化加工したものであっても良く、これにより、微小溝でのより高い優先析出が期待できる。
【００４２】
一方、めっき液含浸材５３２は、アルミナ、ＳｉＣ、ムライト、ジルコニア、チタニア、コージライト等の多孔質セラミックスまたはポリプロピレンやポリエチレンの焼結体等の硬質多孔質体、あるいはこれらの複合体、更には織布や不織布で構成される。例えば、アルミナ系セラミックスにあっては、ポア径３０〜２００μｍ、ＳｉＣにあっては、ポア径３０μｍ以下、気孔率２０〜９５％、厚み１〜２０ｍｍ、好ましくは５〜２０ｍｍ、更に好ましくは８〜１５ｍｍ程度のものが使用される。この例では、例えば気孔率３０％、平均ポア径１００μｍでアルミナ製の多孔質セラミックス板から構成されている。そして、この内部にめっき液を含有させることで、つまり多孔質セラミックス板自体は絶縁体であるが、この内部にめっき液を複雑に入り込ませ、厚さ方向にかなり長い経路を辿らせることで、めっき液の電気伝導率より小さい電気伝導率を有するように構成されている。
【００４３】
このようにめっき液含浸材５３２をアノード室５３０内に配し、このめっき液含浸材５３２によって大きな抵抗を発生させることで、シード層６（図１参照）の抵抗の影響を無視できる程度となし、基板Ｗの表面の電気抵抗による電流密度の面内差を小さくして、めっき膜の面内均一性を向上させることができる。
【００４４】
電極ヘッド５０２には、基板ステージ５０４で保持した基板Ｗの表面（被めっき面）に下層パッド５３４ａを任意の圧力で押圧する、この例ではエアバック５４０からなる押圧機構が備えられている。つまり、この例では、回転ハウジング５２０の天井壁の下面と上下動ハウジング５２２の天井壁の上面との間に、リング状のエアバック（押圧機構）５４０が配置され、このエアバック５４０は、加圧流体導入管５４２を介して、加圧流体供給源（図示せず）に接続されている。
【００４５】
これにより、揺動アーム５００を所定の位置（プロセス位置）に上下動不能に固定した状態で、エアバック５４０の内部を圧力Ｐで加圧することで、基板ステージ５０４で保持した基板Ｗの表面（被めっき面）に下層パッド５３４ａを任意の圧力でより均一に押圧し、上記圧力Ｐを大気圧に戻すことで、下層パッド５３４ａの押圧を解くことができる。
【００４６】
上下動ハウジング５２２には、この内部にめっき液を導入するめっき液導入管５４４と、加圧流体を導入する加圧流体導入管（図示せず）が取付けられており、アノード５２６の内部には、多数の細孔５２６ａが設けられている。これにより、めっき液Ｑは、めっき液導入管５４４からアノード室５３０内に導入され、アノード室５３０の内部を加圧することで、アノード５２６の細孔５２６ａ内を通過してめっき液含浸材５３２の上面に達し、この内部から多孔質パッド５３４（上層パッド５３４ｂ及び下層パッド５３４ａ）の内部を通過して、基板ステージ５０４で保持した基板Ｗの上面に達する。
【００４７】
なお、アノード室５３０の内部は、化学反応により発生するガスも含み、このため、圧力が変化することがある。このため、アノード室５３０内の圧力は、プロセス中のフィードバック制御によりある設定値にコントロールされるようになっている。
【００４８】
ここで、アノード５２６は、例えば、銅めっきを行う場合にあっては、スライムの生成を抑制するため、含有量が０．０３〜０．０５％のリンを含む銅（含リン銅）で構成されているが、白金、チタン等の不溶解性金属あるいは金属上に白金等をめっきした不溶解性電極であってもよく、交換等が不要なことから、不溶解性金属あるいは不溶解性電極であることが好ましい。更に、めっき液の流通のしやすさ等から、網状であってもよい。
カソード電極５１２はめっき電源５５０の陰極に、アノード５２６はめっき電源５５０の陽極にそれぞれ電気的に接続される。
【００４９】
次に、このめっき装置でめっきを行う時の操作について説明する。先ず、基板ステージ５０４の上面に基板Ｗを吸着保持した状態で、基板ステージ５０４を上昇させて、基板Ｗの周縁部をカソード電極５１２に接触させて通電可能な状態となし、更に上昇させて、基板Ｗの周縁部上面にシール材５１４を圧接させ、基板Ｗの周縁部を水密的にシールする。
【００５０】
一方、電極ヘッド５０２にあっては、アイドリングを行ってめっき液の置換及び泡抜き等を行っている位置（アイドリング位置）から、めっき液Ｑを内部に保持した状態で、所定の位置（プロセス位置）に位置させる。つまり、揺動アーム５００を一旦上昇させ、更に旋回させることで、電極ヘッド５０２を基板ステージ５０４の直上方位置に位置させ、しかる後、下降させて所定の位置（プロセス位置）に達した時に停止させる。そして、アノード室５３０内を加圧して、電極ヘッド５０２で保持しためっき液Ｑを多孔質パッド５３４の下面から吐出させる。次に、エアバック５４０内に加圧空気を導入して、下層パッド５３４ａを下方に押付ける。
【００５１】
この状態で、電極ヘッド５０２及び基板ステージ５０４をそれぞれ回転（自転）させる。これにより、多孔質体５２８（下層パッド５３４ａ）の表面の表面粗さや多孔質体５２８（下層パッド５３４ａ）を基板Ｗの被めっき面に向けて押圧した時に該多孔質体５２８（下層パッド５３４ａ）に発生するうねりや反りなどにより、図４に示すように、多孔質体５２８（下層パッド５３４ａ）と基板Ｗの被めっき面Ｐとの間に局所的に隙間Ｓが生じて該隙間Ｓにめっき液Ｑが存在していても、この隙間Ｓに存在するめっき液Ｑを、この回転に伴う遠心力で外方に排除する。このように、めっき液Ｑを排除することで、多孔質体５２８（下層パッド５３４ａ）の全面を基板Ｗの被めっき面Ｐに均一に押圧して密着させることができる。
【００５２】
なお、この例では、下層パッド５３４ａを下方に押付けた後、電極ヘッド５０２及び基板ステージ５０４をそれぞれ回転させるようにした例を示しているが、エアバック５４０内に加圧空気を導入して、下層パッド５３４ａを下方に押付ける際に、電極ヘッド５０２及び基板ステージ５０４を予め回転させておき、押圧した後もこの回転を所定時間継続するようにしてもよい。
【００５３】
そして、多孔質体５２８（下層パッド５３４ａ）と基板Ｗの被めっき面Ｐとの間に局所的に生じた隙間Ｓに存在するめっき液Ｑが排除され、多孔質体５２８（下層パッド５３４ａ）の全面を基板Ｗの被めっき面Ｓに均一に押圧して密着させるのに十分な時間、電極ヘッド５０２及び基板ステージ５０４を回転させた後、この回転を停止する。
【００５４】
次に、カソード電極５１２をめっき電源５５０の陰極に、アノード５２６をめっき電源５５０の陽極にそれぞれ接続し、これによって、基板Ｗの被めっき面にめっきを施す。このように、下層パッド５３４ａを基板ステージ５０４で保持した基板Ｗの被めっき面に任意の圧力で押圧し、しかも両者の密着性を高めた状態でめっきを行うことで、下層パッド５３４ａと基板Ｗの被めっき面の配線溝（トレンチ）等の配線用の微細凹部以外の部分（パターン部以外の部分）との間における隙間をなくして、基板に設けた配線用の微細凹部の内部にめっき膜を選択的に析出させることができる。
【００５５】
そして、所定時間めっきを継続した後、カソード電極５１２及びアノード５２６のめっき電源５５０との接続を解くとともに、アノード室５３０内を大気圧に戻し、更にエアバック５４０内を大気圧に戻して、下層パッド５３４ａの基板Ｗへの押圧を解く。そして、電極ヘッド５０２を上昇させる。
上記操作を、必要に応じて所定回数繰返し、基板Ｗの表面（被めっき面）に、配線用の微細凹部を埋めるのに十分な膜厚の銅層７（図１（ｂ）参照）を成膜したのち、電極ヘッド５０２を旋回させて元の位置（アイドリング位置）に戻す。
【００５６】
図５は、他のめっき装置の要部を示す。この例の図３に示す例と異なる点は、基板ステージ５０４の上面の基板載置部に、ピエゾ振動子５６０を取付け、基板ステージ５０４で載置した基板Ｗに、このピエゾ振動子５６０により、基板Ｗの被めっき面に対して垂直な上下方向の振動を与えるようにしている点にある。
【００５７】
この例は、前述と同様に、基板ステージ５０４で保持した基板Ｗに向けて、下層パッド５３４ａを押付けた後、ピエゾ振動子５６０を介して基板Ｗを上下方向に所定時間振動させるか、または押付ける際に、予めピエゾ振動子５６０を介して基板Ｗを上下方向に振動させておき、下層パッド５３４ａを押付けた後もこの振動を所定時間継続するのであり、これにより、図４に示すように、多孔質体５２８（下層パッド５３４ａ）と基板Ｗの被めっき面Ｐとの間に局所的に隙間Ｓが生じて該隙間Ｓにめっき液Ｑが存在していても、この隙間Ｓに存在するめっき液Ｑを、この振動に伴って外方に排除することができる。特に、この例のように、基板Ｗを被めっき面に対して垂直方向に振動させて、多孔質体と基板の被めっき面とが互いに摺接しないようにすることで、めっき表面が傷ついてしまうこと防止することができる。更に、振動子として、ピエゾ振動子５６０を使用することで、機構のコンパクト化を図ることができる。
【００５８】
図６は、更に他のめっき装置の要部を示す。この例の図３に示す例と異なる点は、基板ステージ５０４の上面に、例えば純水等の液体を保持する貯槽５０４ｃを形成するとともに、この貯槽５０４ｃの内部に、該貯槽５０４ｃ内の液体に超音波を与えて該液体を高周波で振動させる超音波発振子５６２を設置した点にある。
【００５９】
この例は、基板ステージ５０４の貯槽５０４ｃ内に純水等の液体を満たしておき、前述と同様にして、基板ステージ５０４の上面に基板Ｗを吸着保持する。この時、基板ステージ５０４で保持した基板Ｗと基板ステージ５０４の貯槽５０４ｃ内の液体が接するようにする。そして、基板ステージ５０４で保持した基板Ｗに向けて、下層パッド５３４ａを押付けた後、超音波発振子５６２を介して、基板ステージ５０４の貯槽５０４ｃ内の液体に超音波振動を与える。すると、液体の超音波振動は基板Ｗに伝わって基板を振動させ、更にめっき液Ｑから多孔質体５２８と伝わって、これらを振動させる。これによって、前述と同様に、多孔質体５２８（下層パッド５３４ａ）と基板Ｗの被めっき面Ｐとの間に局所的に生じた隙間Ｓに存在するめっき液Ｑを、この振動に伴って外方に排除することができる。
【００６０】
なお、前述と同様に、下層パッド５３４ａを押付ける際に、予め超音波発振子５６２を介して、基板ステージ５０４の貯槽５０４ｃ内の液体に超音波振動を与えるようにしてもよい。
【００６１】
図７は、更に他のめっき装置の要部を示す。この例の図３に示す例と異なる点は、アノード室５３０を区画形成する上下動ハウジング５２２の頂壁に圧力ポート５６４を取付け、この圧力ポート５６４に、開閉弁５６６を介して、圧力制御部としての真空ポンプ５６８を接続した点にある。
【００６２】
この例によれば、真空ポンプ５６８を駆動してアノード室５３０内を真空排気し、アノード室５３０内の圧力を大気圧より低い圧力（負圧）にすることで、図８に示すように、多孔質体５２８（５３４ａ）と基板Ｗの被めっき面Ｐとの間の隙間Ｓに存在するめっき液Ｑを吸引し、めっき液Ｑが多孔質体５２８（５３４ａ）の内部を通ってアノード室５３０内に流入することを促進して、隙間Ｓからめっき液Ｑを排除することができる。
なお、このめっき液の吸引排除作業は、前述の各例と同様に、基板ステージ５０４で保持した基板Ｗに向けて、下層パッド５３４ａを押付けた後、または押付ける際に予め行うのであるが、めっき中も継続して行うようにしてもよい。
【００６３】
また、図７に示す例では、圧力ポート５６４に開閉弁５６６を介して真空ポンプ５６８を接続した例を示しているが、この真空ポンプ５６８の代わりに加圧ポンプを接続し、更に上下動ハウジングに排気ポートを設けて、アノード室５３０内を加圧ポンプによる加圧と排気ポートからの排気による減圧すること繰返すことによる圧力振動を利用してアノード室５３０内のめっき液Ｑ、更には多孔質体５２８を振動させるようにしてもよい。
【００６４】
図９は、めっき液の組成や液温等を管理してめっき装置１８に供給するめっき液管理供給システムを示す。図９に示すように、めっき装置１８の電極ヘッド５０２を浸漬させてアイドリングを行うめっき液トレー６００が備えられ、このめっき液トレー６００は、めっき液排出管６０２を介してリザーバ６０４に接続されており、めっき液排出管６０２を通して排出されためっき液は、リザーバ６０４に入る。
【００６５】
そして、このリザーバ６０４に入っためっき液は、ポンプ６０６の駆動に伴って、めっき液調整タンク６０８に入る。このめっき液調整タンク６０８には、温度コントローラ６１０や、サンプル液を取出して分析するめっき液分析ユニット６１２が付設され、更に、めっき液分析ユニット６１２の分析によって不足する成分を補給する成分補給管６１４が接続されており、めっき液調整タンク６０８内のめっき液は、ポンプ６１６の駆動に伴って、めっき液供給管６２０に沿って流れ、フィルタ６１８を通過して、めっき液トレー６００に戻されるようになっている。
【００６６】
このように、めっき液調整タンク６０８でめっき液の組成及び温度を一定に調整し、この調整しためっき液をめっき装置１８の電極ヘッド５０２に供給して、該電極ヘッド５０２で保持することで、めっき装置１８の電極ヘッド５０２に、常に一定の組成及び温度を有するめっき液を供給することができる。
【００６７】
図１０及び図１１は、基板を洗浄（リンス）し乾燥させるようにした洗浄・乾燥装置２０の一例を示す。つまり、この洗浄・乾燥装置２０は、まず化学洗浄及び純水洗浄（リンス）を行い、その後、スピンドル回転により洗浄後の基板Ｗを完全乾燥させるようにした装置であり、基板Ｗのエッジ部を把持するクランプ機構４２０を備えた基板ステージ４２２と、このクランプ機構４２０の開閉を行う基板着脱用昇降プレート４２４とを備えている。
【００６８】
基板ステージ４２２は、スピンドル回転用モータ（図示せず）の駆動に伴って高速回転するスピンドル４２６の上端に連結されている。また、クランプ機構４２０で把持した基板Ｗの周囲には、処理液の飛散を防止する洗浄カップ４２８が配置されており、この洗浄カップ４２８は図示しないシリンダの作動に伴って上下動するようになっている。
【００６９】
また、洗浄・乾燥装置２０は、クランプ機構４２０で把持した基板Ｗの表面に処理液を供給する薬液用ノズル４３０と、基板Ｗの裏面に純水を供給する複数の純水用ノズル４３２と、クランプ機構４２０で把持した基板Ｗの上方に配置された回転可能なペンシル型洗浄スポンジ４３４とを備えている。この洗浄スポンジ４３４は、水平方向に揺動可能な旋回アーム４３６の自由端に取付けられている。なお、洗浄・乾燥装置２０の上部には、装置内にクリーンエアを導入するためのクリーンエア導入口４３８が設けられている。
【００７０】
このような構成の洗浄・乾燥装置２０においては、基板Ｗをクランプ機構４２０で把持して回転させ、旋回アーム４３６を旋回させながら、薬液用ノズル４３０から処理液を洗浄スポンジ４３４に向けて供給しつつ、基板Ｗの表面に洗浄スポンジ４３４を擦り付けることで、基板Ｗの表面の洗浄を行うようになっている。そして、純水用ノズル４３２から基板Ｗの裏面に純水が供給され、この純水用ノズル４３２から噴射される純水で基板Ｗの裏面も同時に洗浄（リンス）される。このようにして洗浄された基板Ｗは、スピンドル４２６を高速回転させることでスピン乾燥させられる。
【００７１】
図１２にベベルエッチング・裏面洗浄装置２２の一例を示す。このベベルエッチング・裏面洗浄装置２２は、基板のエッジ（ベベル）部に付着した銅層７（図１参照）のエッチングと裏面洗浄を同時に行い、しかも、基板表面に設けた回路形成部における銅の自然酸化膜の成長を抑えるようにしたもので、有底円筒状の防水カバー９２０の内部に位置して基板Ｗをフェイスアップでその周縁部の円周方向に沿った複数箇所でスピンチャック９２１により水平に保持して高速回転させる基板ステージ９２２と、この基板ステージ９２２で保持された基板Ｗの表面側のほぼ中央部上方に配置されたセンタノズル９２４と、基板Ｗの周縁部の上方に配置されたエッジノズル９２６とを備えている。センタノズル９２４及びエッジノズル９２６は、それぞれ下向きで配置されている。また基板Ｗの裏面側のほぼ中央部の下方に位置して、バックノズル９２８が上向きで配置されている。前記エッジノズル９２６は、基板Ｗの直径方向及び高さ方向を移動自在に構成されている。
【００７２】
このエッジノズル９２６の移動幅Ｌは、基板の外周端面から中心部方向に任意の位置決めが可能になっていて、基板Ｗの大きさや使用目的等に合わせて、設定値の入力を行う。通常、２ｍｍから５ｍｍの範囲でエッジカット幅Ｃを設定し、裏面から表面への液の回り込み量が問題にならない回転数以上であれば、その設定されたカット幅Ｃ内の銅層等を除去することができる。
【００７３】
次に、このベベルエッチング・裏面洗浄装置２２による洗浄方法について説明する。まず、スピンチャック９２１を介して基板を基板ステージ９２２で水平に保持した状態で、基板Ｗを基板ステージ９２２と一体に水平回転させる。この状態で、センタノズル９２４から基板Ｗの表面側の中央部に酸溶液を供給する。この酸溶液としては非酸化性の酸であればよく、例えばフッ酸、塩酸、硫酸、クエン酸、蓚酸等を用いる。一方、エッジノズル９２６から基板Ｗの周縁部に酸化剤溶液を連続的または間欠的に供給する。この酸化剤溶液としては、オゾン水、過酸化水素水、硝酸水、次亜塩素酸ナトリウム水等のいずれかを用いるか、またはそれらの組み合わせを用いる。
【００７４】
これにより、基板Ｗの周縁部のエッジカット幅Ｃの領域では上面及び端面に成膜された銅層等は酸化剤溶液で急速に酸化され、同時にセンタノズル９２４から供給されて基板の表面全面に拡がる酸溶液によってエッチングされ溶解除去される。このように、基板周縁部で酸溶液と酸化剤溶液を混合させることで、予めそれらの混合水をノズルから供給するのに比べて急峻なエッチングプロフィールを得ることができる。このときそれらの濃度により銅のエッチングレートが決定される。また、基板の表面の回路形成部に銅の自然酸化膜が形成されていた場合、この自然酸化物は基板の回転に伴って基板の表面全面に亘って広がる酸溶液で直ちに除去されて成長することはない。なお、センタノズル９２４からの酸溶液の供給を停止した後、エッジノズル９２６からの酸化剤溶液の供給を停止することで、表面に露出しているシリコンを酸化して、銅の付着を抑制することができる。
【００７５】
一方、バックノズル９２８から基板の裏面中央部に酸化剤溶液とシリコン酸化膜エッチング剤とを同時または交互に供給する。これにより基板Ｗの裏面側に金属状で付着している銅等を基板のシリコンごと酸化剤溶液で酸化しシリコン酸化膜エッチング剤でエッチングして除去することができる。なおこの酸化剤溶液としては表面に供給する酸化剤溶液と同じものにする方が薬品の種類を少なくする上で好ましい。またシリコン酸化膜エッチング剤としては、フッ酸を用いることができ、基板の表面側の酸溶液もフッ酸を用いると薬品の種類を少なくすることができる。これにより、酸化剤供給を先に停止すれば疎水面が得られ、エッチング剤溶液を先に停止すれば飽水面（親水面）が得られて、その後のプロセスの要求に応じた裏面に調整することもできる。
【００７６】
このように酸溶液すなわちエッチング液を基板に供給して、基板Ｗの表面に残留する金属イオンを除去した後、更に純水を供給して、純水置換を行ってエッチング液を除去し、その後、スピン乾燥を行う。このようにして基板表面の周縁部のエッジカット幅Ｃ内の銅層の除去と裏面の銅汚染除去を同時に行って、この処理を、例えば８０秒以内に完了させることができる。なお、エッジのエッジカット幅を任意（２ｍｍ〜５ｍｍ）に設定することが可能であるが、エッチングに要する時間はカット幅に依存しない。
【００７７】
図１３及び図１４は、熱処理（アニール）装置２６を示す。この熱処理装置２６は、基板Ｗを出し入れするゲート１０００を有するチャンバ１００２の内部に位置して、基板Ｗを、例えば４００℃に加熱するホットプレート１００４と、例えば冷却水を流して基板Ｗを冷却するクールプレート１００６が上下に配置されている。また、クールプレート１００６の内部を貫通して上下方向に延び、上端に基板Ｗを載置保持する複数の昇降ピン１００８が昇降自在に配置されている。更に、アニール時に基板Ｗとホットプレート１００４との間に酸化防止用のガスを導入するガス導入管１０１０と、該ガス導入管１０１０から導入され、基板Ｗとホットプレート１００４との間を流れたガスを排気するガス排気管１０１２がホットプレート１００４を挟んで互いに対峙する位置に配置されている。
【００７８】
ガス導入管１０１０は、内部にフィルタ１０１４ａを有するＮ２ガス導入路１０１６内を流れるＮ２ガスと、内部にフィルタ１０１４ｂを有するＨ２ガス導入路１０１８内を流れるＨ２ガスとを混合器１０２０で混合し、この混合器１０２０で混合したガスが流れる混合ガス導入路１０２２に接続されている。
【００７９】
これにより、ゲート１０００を通じてチャンバ１００２の内部に搬入した基板Ｗを昇降ピン１００８で保持し、昇降ピン１００８を該昇降ピン１００８で保持した基板Ｗとホットプレート１００４との距離が、例えば０．１〜１．０ｍｍ程度となるまで上昇させる。この状態で、ホットプレート１００４を介して基板Ｗを、例えば４００℃となるように加熱し、同時にガス導入管１０１０から酸化防止用のガスを導入して基板Ｗとホットプレート１００４との間を流してガス排気管１０１２から排気する。これによって、酸化を防止しつつ基板Ｗをアニールし、このアニールを、例えば数十秒〜６０秒程度継続してアニールを終了する。基板の加熱温度は１００〜６００℃が選択される。
【００８０】
アニール終了後、昇降ピン１００８を該昇降ピン１００８で保持した基板Ｗとクールプレート１００６との距離が、例えば０〜０．５ｍｍ程度となるまで下降させる。この状態で、クールプレート１００６内に冷却水を導入することで、基板Ｗの温度が１００℃以下となるまで、例えば１０〜６０秒程度、基板を冷却し、この冷却終了後の基板を次工程に搬送する。
なお、この例では、酸化防止用のガスとして、Ｎ２ガスと数％のＨ２ガスを混合した混合ガスを流すようにしているが、Ｎ２ガスのみを流すようにしてもよい。
【００８１】
図１５乃至図２１は、基板の無電解めっきの前処理を行う前処理装置２８を示す。この前処理装置２８は、フレーム５０の上部に取付けた固定枠５２と、この固定枠５２に対して相対的に上下動する移動枠５４を備えており、この移動枠５４に、下方に開口した有底円筒状のハウジング部５６と基板ホルダ５８とを有する処理ヘッド６０が懸架支持されている。つまり、移動枠５４には、ヘッド回転用サーボモータ６２が取付けられ、このサーボモータ６２の下方に延びる出力軸（中空軸）６４の下端に処理ヘッド６０のハウジング部５６が連結されている。
【００８２】
この出力軸６４の内部には、図１８に示すように、スプライン６６を介して該出力軸６４と一体に回転する鉛直軸６８が挿着され、この鉛直軸６８の下端に、ボールジョイント７０を介して処理ヘッド６０の基板ホルダ５８が連結されている。この基板ホルダ５８は、ハウジング部５６の内部に位置している。また鉛直軸６８の上端は、軸受７２及びブラケットを介して、移動枠５４に固定した固定リング昇降用シリンダ７４に連結されている。これにより、この昇降用シリンダ７４の作動に伴って、鉛直軸６８が出力軸６４とは独立に上下動するようになっている。
【００８３】
また、固定枠５２には、上下方向に延びて移動枠５４の昇降の案内となるリニアガイド７６が取付けられ、ヘッド昇降用シリンダ（図示せず）の作動に伴って、移動枠５４がリニアガイド７６を案内として昇降するようになっている。
【００８４】
処理ヘッド６０のハウジング部５６の周壁には、この内部に基板Ｗを挿入する基板挿入窓５６ａが設けられている。また、処理ヘッド６０のハウジング部５６の下部には、図１９及び図２０に示すように、例えばＰＥＥＫ製のメインフレーム８０と、例えばポリエチレン製のガイドフレーム８２との間に周縁部を挟持されてシールリング８４ａが配置されている。このシールリング８４ａは、基板Ｗの下面の周縁部に当接し、ここをシールするためのものである。
【００８５】
一方、基板ホルダ５８の下面周縁部には、基板固定リング８６が固着され、この基板ホルダ５８の基板固定リング８６の内部に配置したスプリング８８の弾性力を介して、円柱状のプッシャ９０が基板固定リング８６の下面から下方に突出するようになっている。更に、基板ホルダ５８の上面とハウジング部５６の上壁部との間には、内部を気密的にシールする、例えばテフロン（登録商標）製で屈曲自在な円筒状の蛇腹板９２が配置されている。
【００８６】
これにより、基板ホルダ５８を上昇させた状態で、基板Ｗを基板挿入窓５６ａからハウジング部５６の内部に挿入する。すると、この基板Ｗは、ガイドフレーム８２の内周面に設けたテーパ面８２ａに案内され、位置決めされてシールリング８４ａの上面の所定の位置に載置される。この状態で、基板ホルダ５８を下降させ、この基板固定リング８６のプッシャ９０を基板Ｗの上面に接触させる。そして、基板ホルダ５８を更に下降させることで、基板Ｗをスプリング８８の弾性力で下方に押圧し、これによって基板Ｗの表面（下面）の周縁部にシールリング８４ａで圧接させて、ここをシールしつつ、基板Ｗをハウジング部５６と基板ホルダ５８との間で挟持して保持するようになっている。
【００８７】
なお、このように、基板Ｗを基板ホルダ５８で保持した状態で、ヘッド回転用サーボモータ６２を駆動すると、この出力軸６４と該出力軸６４の内部に挿着した鉛直軸６８がスプライン６６を介して一体に回転し、これによって、ハウジング部５６と基板ホルダ５８も一体に回転する。
【００８８】
処理ヘッド６０の下方に位置して、該処理ヘッド６０の外径よりもやや大きい内径を有する上方に開口した、外槽１００ａと内槽１００ｂを有する処理槽１００が備えられている。処理槽１００の外周部には、蓋体１０２に取付けた一対の脚部１０４が回転自在に支承されている。更に、脚部１０４には、クランク１０６が一体に連結され、このクランク１０６の自由端は、蓋体移動用シリンダ１０８のロッド１１０に回転自在に連結されている。これにより、蓋体移動用シリンダ１０８の作動に伴って、蓋体１０２は、処理槽１００の上端開口部を覆う処理位置と、側方の待避位置との間を移動するように構成されている。この蓋体１０２の表面（上面）には、下記のように、例えば還元力を有する電解イオン水を外方（上方）に向けて噴射する多数の噴射ノズル１１２ａを有するノズル板１１２が備えられている。
【００８９】
更に、図２１に示すように、処理槽１００の内槽１００ｂの内部には、薬液タンク１２０から薬液ポンプ１２２の駆動に伴って供給された薬液を上方に向けて噴射する複数の噴射ノズル１２４ａを有するノズル板１２４が、該噴射ノズル１２４ａが内槽１００ｂの横断面の全面に亘ってより均等に分布した状態で配置されている。この内槽１００ｂの底面には、薬液（排液）を外部に排出する排水管１２６が接続されている。この排水管１２６の途中には、三方弁１２８が介装され、この三方弁１２８の一つの出口ポートに接続された戻り管１３０を介して、必要に応じて、この薬液（排液）を薬液タンク１２０に戻して再利用できるようになっている。更に、この例では、蓋体１０２の表面（上面）に設けられたノズル板１１２は、例えば純水等のリンス液を供給するリンス液供給源１３２に接続されている。また、外槽１００ａの底面にも、排水管１２７が接続されている。
【００９０】
これにより、基板を保持した処理ヘッド６０を下降させて、処理槽１００の上端開口部を処理ヘッド６０で塞ぐように覆い、この状態で、処理槽１００の内槽１００ｂの内部に配置したノズル板１２４の噴射ノズル１２４ａから薬液を基板Ｗに向けて噴射することで、基板Ｗの下面（処理面）の全面に亘って薬液を均一に噴射し、しかも薬液の外部への飛散を防止しつつ薬液を排水管１２６から外部に排出できる。更に、処理ヘッド６０を上昇させ、処理槽１００の上端開口部を蓋体１０２で閉塞した状態で、処理ヘッド６０で保持した基板Ｗに向けて、蓋体１０２の上面に配置したノズル板１１２の噴射ノズル１１２ａからリンス液を噴射することで、基板表面に残った薬液のリンス処理（洗浄処理）を行い、しかもこのリンス液は外槽１００ａと内槽１００ｂの間を通って、排水管１２７を介して排出されるので、内槽１００ｂの内部に流入することが防止され、リンス液が薬液に混ざらないようになっている。
【００９１】
この前処理装置２８によれば、図１５に示すように、処理ヘッド６０を上昇させた状態で、この内部に基板Ｗを挿入して保持し、しかる後、図１６に示すように、処理ヘッド６０を下降させて処理槽１００の上端開口部を覆う位置に位置させる。そして、処理ヘッド６０を回転させて、処理ヘッド６０で保持した基板Ｗを回転させながら、処理槽１００の内部に配置したノズル板１２４の噴射ノズル１２４ａから薬液を基板Ｗに向けて噴射することで、基板Ｗの全面に亘って薬液を均一に噴射する。また、処理ヘッド６０を上昇させて所定位置で停止させ、図１７に示すように、待避位置にあった蓋体１０２を処理槽１００の上端開口部を覆う位置まで移動させる。そして、この状態で、処理ヘッド６０で保持して回転させた基板Ｗに向けて、蓋体１０２の上面に配置したノズル板１１２の噴射ノズル１１２ａからリンス液を噴射する。これにより、基板Ｗの薬液による処理と、リンス液によるリンス処理とを、２つの液体が混ざらないようにしながら行うことができる。
【００９２】
なお、処理ヘッド６０の下降位置を調整して、この処理ヘッド６０で保持した基板Ｗとノズル板１２４との距離を調整することで、ノズル板１２４の噴射ノズル１２４ａから噴射された薬液が基板Ｗに当たる領域や噴射圧を任意に調整することができる。ここで、薬液等の前処理液を循環させて使用すると、処理に伴って有効成分が減少するとともに、基板に付着することによる前処理液（薬液）の持ち出しがあるので、前処理液の組成を分析し、不足分を添加するための前処理液管理ユニット（図示せず）を併置することが好ましい。具体的には、清浄化に使われる薬液は、酸乃至アルカリが主体であるので、例えばｐＨを測定し、所定の値との差から減少分を補給するとともに、薬液貯槽に設けた液面計により減少量を補給することができる。また、触媒液については、たとえば酸性のパラジウム溶液の場合には、ｐＨにより酸の量を、また滴定法ないし比濁法によりパラジウムの量を測定し、同様にして減少量を補給することができる。
【００９３】
図２２乃至図２８に無電解めっき装置３０を示す。この無電解めっき装置３０は、図１（ｄ）に示す保護膜９を形成するためのものあり、めっき槽２００（図２６及び図２８参照）と、このめっき槽２００の上方に配置されて基板Ｗを着脱自在に保持する基板ヘッド２０４を有している。
【００９４】
基板ヘッド２０４は、図２２に詳細に示すように、ハウジング部２３０とヘッド部２３２とを有し、このヘッド部２３２は、吸着ヘッド２３４と該吸着ヘッド２３４の周囲を囲繞する基板受け２３６から主に構成されている。そして、ハウジング部２３０の内部には、基板回転用モータ２３８と基板受け駆動用シリンダ２４０が収納され、この基板回転用モータ２３８の出力軸（中空軸）２４２の上端はロータリジョイント２４４に、下端はヘッド部２３２の吸着ヘッド２３４にそれぞれ連結され、基板受け駆動用シリンダ２４０のロッドは、ヘッド部２３２の基板受け２３６に連結されている。更に、ハウジング部２３０の内部には、基板受け２３６の上昇を機械的に規制するストッパ２４６が設けられている。
【００９５】
ここで、吸着ヘッド２３４と基板受け２３６との間には、同様なスプライン構造が採用され、基板受け駆動用シリンダ２４０の作動に伴って基板受け２３６は吸着ヘッド２３４と相対的に上下動するが、基板回転用モータ２３８の駆動によって出力軸２４２が回転すると、この出力軸２４２の回転に伴って、吸着ヘッド２３４と基板受け２３６が一体に回転するように構成されている。
【００９６】
吸着ヘッド２３４の下面周縁部には、図２３乃至図２５に詳細に示すように、下面をシール面として基板Ｗを吸着保持する吸着リング２５０が押えリング２５１を介して取付けられ、この吸着リング２５０の下面に円周方向に連続させて設けた凹状部２５０ａと吸着ヘッド２３４内を延びる真空ライン２５２とが吸着リング２５０に設けた連通孔２５０ｂを介して互いに連通するようになっている。これにより、凹状部２５０ａ内を真空引きすることで、基板Ｗを吸着保持するのであり、このように、小さな幅（径方向）で円周状に真空引きして基板Ｗを保持することで、真空による基板Ｗへの影響（たわみ等）を最小限に抑え、しかも吸着リング２５０をめっき液（処理液）中に浸すことで、基板Ｗの表面（下面）のみならず、エッジについても、全てめっき液に浸すことが可能となる。基板Ｗのリリースは、真空ライン２５２にＮ２を供給して行う。
【００９７】
一方、基板受け２３６は、下方に開口した有底円筒状に形成され、その周壁には、基板Ｗを内部に挿入する基板挿入窓２３６ａが設けられ、下端には、内方に突出する円板状の爪部２５４が設けられている。更に、この爪部２５４の上部には、基板Ｗの案内となるテーパ面２５６ａを内周面に有する突起片２５６が備えられている。
【００９８】
これにより、図２３に示すように、基板受け２３６を下降させた状態で、基板Ｗを基板挿入窓２３６ａから基板受け２３６の内部に挿入する。すると、この基板Ｗは、突起片２５６のテーパ面２５６ａに案内され、位置決めされて爪部２５４の上面の所定位置に載置保持される。この状態で、基板受け２３６を上昇させ、図２４に示すように、この基板受け２３６の爪部２５４上に載置保持した基板Ｗの上面を吸着ヘッド２３４の吸着リング２５０に当接させる。次に、真空ライン２５２を通して吸着リング２５０の凹状部２５０ａを真空引きすることで、基板Ｗの上面の周縁部を該吸着リング２５０の下面にシールしながら基板Ｗを吸着保持する。そして、めっき処理を行う際には、図２５に示すように、基板受け２３６を数ｍｍ下降させ、基板Ｗを爪部２５４から離して、吸着リング２５０のみで吸着保持した状態となす。これにより、基板Ｗの表面（下面）の周縁部が、爪部２５４の存在によってめっきされなくなることを防止することができる。
【００９９】
図２６は、めっき槽２００の詳細を示す。このめっき槽２００は、底部において、めっき液供給管３０８（図２８参照）に接続され、周壁部にめっき液回収溝２６０が設けられている。めっき槽２００の内部には、ここを上方に向かって流れるめっき液の流れを安定させる２枚の整流板２６２，２６４が配置され、更に底部には、めっき槽２００の内部に導入されるめっき液の液温を測定する温度測定器２６６が設置されている。また、めっき槽２００の周壁外周面のめっき槽２００で保持しためっき液の液面よりやや上方に位置して、直径方向のやや斜め上方に向けてめっき槽２００の内部に、ｐＨが６〜７．５の中性液からなる停止液、例えば純水を噴射する噴射ノズル２６８が設置されている。これにより、めっき終了後、ヘッド部２３２で保持した基板Ｗをめっき液の液面よりやや上方まで引き上げて一旦停止させ、この状態で、基板Ｗに向けて噴射ノズル２６８から純水（停止液）を噴射して基板Ｗを直ちに冷却し、これによって、基板Ｗに残っためっき液によってめっきが進行してしまうことを防止することができる。
【０１００】
更に、めっき槽２００の上端開口部には、アイドリング時等のめっき処理の行われていない時に、めっき槽２００の上端開口部を閉じて該めっき槽２００からのめっき液の無駄な蒸発を防止するめっき槽カバー２７０が開閉自在に設置されている。
【０１０１】
このめっき槽２００は、図２８に示すように、底部において、めっき液貯槽３０２から延び、途中にめっき液供給ポンプ３０４と三方弁３０６とを介装しためっき液供給管３０８に接続されている。これにより、めっき処理中にあっては、めっき槽２００の内部に、この底部からめっき液を供給し、溢れるめっき液をめっき液回収溝２６０からめっき液貯槽３０２へ回収することで、めっき液が循環できるようになっている。また、三方弁３０６の一つの出口ポートには、めっき液貯槽３０２に戻るめっき液戻り管３１２が接続されている。これにより、めっき待機時にあっても、めっき液を循環させることができるようになっており、これによって、めっき液循環系が構成されている。このように、めっき液循環系を介して、めっき液貯槽３０２内のめっき液を常時循環させることにより、単純にめっき液を貯めておく場合に比べてめっき液の濃度の低下率を減少させ、基板Ｗの処理可能数を増大させることができる。
【０１０２】
特に、この例では、めっき液供給ポンプ３０４を制御することで、めっき待機時及びめっき処理時に循環するめっき液の流量を個別に設定できるようになっている。すなわち、めっき待機時のめっき液の循環流量は、例えば２〜２０Ｌ／ｍｉｎで、めっき処理時のめっき液の循環流量は、例えば０〜１０Ｌ／ｍｉｎに設定される。これにより、めっき待機時にめっき液の大きな循環流量を確保して、セル内のめっき浴の液温を一定に維持し、めっき処理時には、めっき液の循環流量を小さくして、より均一な膜厚の保護膜（めっき膜）を成膜することができる。
【０１０３】
めっき槽２００の底部付近に設けられた温度測定器２６６は、めっき槽２００の内部に導入されるめっき液の液温を測定して、この測定結果を元に、下記のヒータ３１６及び流量計３１８を制御する。
【０１０４】
つまり、この例では、別置きのヒータ３１６を使用して昇温させ流量計３１８を通過させた水を熱媒体に使用し、熱交換器３２０をめっき液貯槽３０２内のめっき液中に設置して該めっき液を間接的に加熱する加熱装置３２２と、めっき液貯槽３０２内のめっき液を循環させて攪拌する攪拌ポンプ３２４が備えられている。これは、めっきにあっては、めっき液を高温（約８０℃程度）にして使用することがあり、これと対応するためであり、この方法によれば、インライン・ヒーティング方式に比べ、非常にデリケートなめっき液に不要物等が混入するのを防止することができる。
【０１０５】
図２７は、めっき槽２００の側方に付設されている洗浄槽２０２の詳細を示す。この洗浄槽２０２の底部には、純水等のリンス液を上方に向けて噴射する複数の噴射ノズル２８０がノズル板２８２に取付けられて配置され、このノズル板２８２は、ノズル上下軸２８４の上端に連結されている。更に、このノズル上下軸２８４は、ノズル位置調整用ねじ２８７と該ねじ２８７と螺合するナット２８８との螺合位置を変えることで上下動し、これによって、噴射ノズル２８０と該噴射ノズル２８０の上方に配置される基板Ｗとの距離を最適に調整できるようになっている。
【０１０６】
更に、洗浄槽２０２の周壁外周面の噴射ノズル２８０より上方に位置して、直径方向のやや斜め下方に向けて洗浄槽２０２の内部に純水等の洗浄液を噴射して、基板ヘッド２０４のヘッド部２３２の、少なくともめっき液に接液する部分に洗浄液を吹き付けるヘッド洗浄ノズル２８６が設置されている。
【０１０７】
この洗浄槽２０２にあっては、基板ヘッド２０４のヘッド部２３２で保持した基板Ｗを洗浄槽２０２内の所定の位置に配置し、噴射ノズル２８０から純水等の洗浄液（リンス液）を噴射して基板Ｗを洗浄（リンス）するのであり、この時、ヘッド洗浄ノズル２８６から純水等の洗浄液を同時に噴射して、基板ヘッド２０４のヘッド部２３２の、少なくともめっき液に接液する部分を該洗浄液で洗浄することで、めっき液に浸された部分に析出物が蓄積してしまうことを防止することができる。
【０１０８】
この無電解めっき装置３０にあっては、基板ヘッド２０４を上昇させた位置で、前述のようにして、基板ヘッド２０４のヘッド部２３２で基板Ｗを吸着保持し、めっき槽２００のめっき液を循環させておく。
そして、めっき処理を行うときには、めっき槽２００のめっき槽カバー２７０を開き、基板ヘッド２０４を回転させながら下降させ、ヘッド部２３２で保持した基板Ｗをめっき槽２００内のめっき液に浸漬させる。
【０１０９】
そして、基板Ｗを所定時間めっき液中に浸漬させた後、基板ヘッド２０４を上昇させて、基板Ｗをめっき槽２００内のめっき液から引き上げ、必要に応じて、前述のように、基板Ｗに向けて噴射ノズル２６８から純水（停止液）を噴射して基板Ｗを直ちに冷却し、更に基板ヘッド２０４を上昇させて基板Ｗをめっき槽２００の上方位置まで引き上げて、基板ヘッド２０４の回転を停止させる。
【０１１０】
次に、基板ヘッド２０４のヘッド部２３２で基板Ｗを吸着保持したまま、基板ヘッド２０４を洗浄槽２０２の直上方位置に移動させる。そして、基板ヘッド２０４を回転させながら洗浄槽２０２内の所定の位置まで下降させ、噴射ノズル２８０から純水等の洗浄液（リンス液）を噴射して基板Ｗを洗浄（リンス）し、同時に、ヘッド洗浄ノズル２８６から純水等の洗浄液を噴射して、基板ヘッド２０４のヘッド部２３２の、少なくともめっき液に接液する部分を該洗浄液で洗浄する。
【０１１１】
この基板Ｗの洗浄が終了した後、基板ヘッド２０４の回転を停止させ、基板ヘッド２０４を上昇させて基板Ｗを洗浄槽２０２の上方位置まで引き上げ、更に基板ヘッド２０４を搬送ロボット１６との受渡し位置まで移動させ、この搬送ロボット１６に基板Ｗを受渡して次工程に搬送する。
【０１１２】
この無電解めっき装置３０には、図２８に示すように、無電解めっき装置３０が保有するめっき液の液量を計測するとともに、例えば吸光光度法、滴定法、電気化学的測定などでめっき液の組成を分析し、めっき液中の不足する成分を補給するめっき液管理ユニット３３０が備えられている。そして、これらの分析結果を信号処理してめっき液中の不足する成分を、図示しない補給槽から定量ポンプなどを使ってめっき液貯槽３０２へ補給してめっき液の液量と組成を管理するようになっており、これによって、薄膜めっきを再現性良く実現できる。
【０１１３】
このめっき液管理ユニット３３０は、無電解めっき装置３０が保有するめっき液の溶存酸素を、例えば電気化学的方法等により測定する溶存酸素濃度計３３２を有しており、この溶存酸素濃度計３３２の指示により、例えば脱気、窒素吹き込みその他の方法でめっき液中の溶存酸素濃度を一定に管理することができるようになっている。このように、めっき液中の溶存酸素濃度を一定に管理することで、めっき反応を再現性良く実現することができる。
【０１１４】
なお、めっき液を繰り返し利用すると、外部からの持ち込みやそれ自身の分解によってある特定成分が蓄積し、めっきの再現性や膜質の劣化につながることがある。このような特定成分を選択的に除去する機構を追加することにより、液寿命の延長と再現性の向上を図ることができる。
【０１１５】
図２９は、研磨装置（ＣＭＰ装置）３２の一例を示す。この研磨装置３２は、上面に研磨布（研磨パッド）８２０を貼付して研磨面を構成する研磨テーブル８２２と、基板Ｗをその被研磨面を研磨テーブル８２２に向けて保持するトップリング８２４とを備えている。そして、研磨テーブル８２２とトップリング８２４とをそれぞれ自転させ、研磨テーブル８２２の上方に設置された砥液ノズル８２６より砥液を供給しつつ、トップリング８２４により基板Ｗを一定の圧力で研磨テーブル８２２の研磨布８２０に押圧することで、基板Ｗの表面を研磨するようになっている。なお、研磨パッドとして、予め砥粒を入れた固定砥粒方式を採用したものを使用してもよい。
【０１１６】
このようなＣＭＰ装置３２を用いて研磨作業を継続すると研磨布８２０の研磨面の研磨力が低下するが、この研磨力を回復させるために、ドレッサー８２８を設け、このドレッサー８２８によって、研磨する基板Ｗの交換時などに研磨布８２０の目立て（ドレッシング）が行われている。このドレッシング処理においては、ドレッサー８２８のドレッシング面（ドレッシング部材）を研磨テーブル８２２の研磨布８２０に押圧しつつ、これらを自転させることで、研磨面に付着した砥液や切削屑を除去すると共に、研磨面の平坦化及び目立てが行なわれ、研磨面が再生される。また、研磨テーブル８２２に基板の表面の状態を監視するモニタを取付け、その場（In-situ）で研磨の終点（エンドポイント）を検出してもよく、またその場（In-situ）で基板の仕上がり状態を検査するモニタを取付けてもよい。
【０１１７】
図３０及び図３１は、反転機を備えた膜厚測定器２４を示す。同図に示すように、この膜厚測定器２４は反転機３３９を備え、この反転機３３９は、反転アーム３５３，３５３を備えている。この反転アーム３５３，３５３は、基板Ｗの外周をその左右両側から挟み込んで保持し、これを１８０°回動することで反転させる機能を有する。そしてこの反転アーム３５３，３５３（反転ステージ）の直下に円形の取付け台３５５を設置し、取付け台３５５上に複数の膜厚センサＳを設置する。取付け台３５５は駆動機構３５７によって上下動自在に構成されている。
【０１１８】
そして基板Ｗの反転時には、取付け台３５５は、基板Ｗの下方の実線の位置に待機しており、反転の前又は後に点線で示す位置まで上昇して膜厚センサＳを反転アーム３５３，３５３に把持した基板Ｗに接近させ、その膜厚を測定する。
【０１１９】
この例によれば、搬送ロボットのアームなどの制約がないため、取付け台３５５上の任意の位置に膜厚センサＳを設置できる。また、取付け台３５５は上下動自在な構成となっているので、測定時に基板Ｗとセンサ間の距離を調整することも可能である。また、検出目的に応じた複数の種類のセンサを取付けて、各々のセンサの測定毎に基板Ｗと各センサ間の距離を変更することも可能である。但し取付け台３５５が上下動するため、測定時間をやや要することになる。
【０１２０】
ここで、膜厚センサＳとして、例えば渦電流センサが使用される。渦電流センサは渦電流を発生させ、基板Ｗを導通して帰ってきた電流の周波数や損失を検出することにより膜厚を測定するものであり、非接触で用いられる。更に膜厚センサＳとしては、光学的センサも好適である。光学的センサは、試料に光を照射し、反射する光の情報から膜厚を直接的に測定することができるものであり、金属膜だけでなく酸化膜などの絶縁膜の膜厚測定も可能である。膜厚センサＳの設置位置は図示のものに限定されず、測定したい箇所に任意の個数を取付ける。
【０１２１】
次に、このように構成された基板処理装置によって、図１（ａ）に示す、シード層６を形成した基板に銅配線を形成する一連の処理を、図３２を更に参照して説明する。
【０１２２】
先ず、表面にシード層６を形成した基板Ｗを搬送ボックス１０から一枚ずつ取出し、ロード・アンロードステーション１４に搬入する。そして、このロード・アンロードステーション１４に搬入した基板Ｗを搬送ロボット１６で膜厚測定器２４に搬送し、この膜厚測定器２４でイニシャル膜厚（シード層６の膜厚）を測定し、しかる後、必要に応じて、基板を反転させてめっき装置１８に搬送し、このめっき装置１８で、図１（ｂ）に示すように、基板Ｗの表面に銅層７を堆積させて、銅の埋込みを行う。
【０１２３】
そして、この銅層７を形成した基板を、搬送ロボット１６で洗浄・乾燥装置２０に搬送して、基板Ｗの純水による洗浄を行ってスピン乾燥させるか、またはめっき装置１８にスピン乾燥機能が備えられている場合には、このめっき装置１８で基板Ｗのスピン乾燥（液切り）を行って、この乾燥後の基板をベベルエッチング・裏面洗浄装置２２に搬送する。
【０１２４】
このベベルエッチング・裏面洗浄装置２２では、基板Ｗのベベル（エッジ）部に付着した不要な銅をエッチング除去すると同時に、基板の裏面を純水等で洗浄し、しかる後、前述と同様に、搬送ロボット１６で洗浄・乾燥装置２０に搬送して、基板Ｗの純水による洗浄を行ってスピン乾燥させるか、またはベベルエッチング・裏面洗浄装置２２にスピン乾燥機能が備えられている場合には、このベベルエッチング・裏面洗浄装置２２で基板Ｗのスピン乾燥を行って、この乾燥後の基板を、搬送ロボット１６で熱処理装置２６に搬送する。
【０１２５】
この熱処理装置２６で基板Ｗの熱処理（アニール）を行う。そして、この熱処理後の基板Ｗを搬送ロボット１６で膜厚測定器２４に搬送し、ここで銅の膜厚を測定し、この測定結果と前述のイニシャル膜厚の測定結果との差から、銅層７（図１（ｂ）参照）の膜厚を求め、この測定後の膜厚によって、例えば次に基板に対するめっき時間を調整し、また膜厚が不足する場合には、再度めっきによる銅の追加の成膜を行う。そして、この膜厚測定後の基板Ｗを、搬送ロボット１６により研磨装置３２に搬送する。
【０１２６】
この研磨装置３２で、図１（ｃ）に示すように、基板Ｗの表面に堆積した不要な銅層７及びシード層６を研磨除去して、基板Ｗの表面を平坦化する。この時、例えば、膜厚や基板の仕上がり具合をモニタで検査し、このモニタで終点（エンドポイント）を検知した時に、研磨を終了する。そして、この研磨後の基板Ｗを搬送ロボット１６で洗浄・乾燥装置２０に搬送し、この洗浄・乾燥装置２０で基板表面を薬液で洗浄し、更に純水で洗浄（リンス）した後、高速回転させてスピン乾燥させる。そして、このスピン乾燥後の基板Ｗを搬送ロボット１６で前処理装置２８に搬送する。
【０１２７】
この前処理装置２８で、例えば基板表面へのＰｄ触媒の付着や、基板の露出表面に付着した酸化膜の除去等の少なくとも一方のめっき前処理を行う。そして、このめっき前処理後の基板を、前述のように、搬送ロボット１６で洗浄・乾燥装置２０に搬送して、基板Ｗの純水による洗浄を行ってスピン乾燥させるか、または前処理装置２８にスピン乾燥機能が備えられている場合には、この前処理装置２８で基板Ｗのスピン乾燥（液切り）を行って、この乾燥後の基板を搬送ロボット１６で無電解めっき装置３０に搬送する。
【０１２８】
この無電解めっき装置３０で、図１（ｄ）に示すように、露出した配線８の表面に、例えば無電解Ｃｏ−Ｗ−Ｐめっきを施して、配線８の外部への露出表面に、Ｃｏ−Ｗ−Ｐ合金膜からなる保護膜（めっき膜）９を選択的に形成して配線８を保護する。この保護膜９の膜厚は、０．１〜５００ｎｍ、好ましくは、１〜２００ｎｍ、更に好ましくは、１０〜１００ｎｍ程度である。この時、例えば、保護膜９の膜厚をモニタして、この膜厚が所定の値に達した時、つまり終点（エンドポイント）を検知した時に、無電解めっきを終了する。
【０１２９】
そして、無電解めっきが終了した基板を、搬送ロボット１６で洗浄・乾燥装置２０に搬送し、この洗浄・乾燥装置２０で基板表面を薬液で洗浄し、更に純水で洗浄（リンス）した後、高速回転させてスピン乾燥させる。そして、このスピン乾燥後の基板Ｗを搬送ロボット１６でロード・アンロードステーション１４を経由して搬送ボックス１０内に戻す。
なお、この例は、配線材料として、銅を使用した例を示しているが、この銅の他に、銅合金、銀及び銀合金等を使用しても良い。
【０１３０】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明によれば、多孔質体を基板のシード層に任意の圧力で押圧しつつ、多孔質体とシード層との間の隙間に存在するめっき液を排除することで、荷重を大きくすることなく、多孔質体の全面を基板のシード層に均一に密着させた状態でめっきを行うことができる。これによって、配線溝（トレンチ）や微孔（ビアホール）の内部に優先的にめっきを行って配線材料（金属膜）を埋込んで、めっき後の表面の平坦性を向上させることができる。従って、ＣＭＰのような凸部の選択的エッチングプロセスの負荷を削減または省略して、コスト削減のみならず、ディッシングやオキサイドエロージョン等のＣＭＰ特有の問題も解決することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体装置における配線形成例を工程順に示す図である。
【図２】 めっき装置を備えた基板処理装置の平面図である。
【図３】図２に示すめっき装置の要部を示す概要図である。
【図４】図３に示すめっき装置で多孔質体と基板の被めっき面との間に生じる隙間に存在するめっき液を排除する時の説明に付する図である。
【図５】 他のめっき装置の要部を示す概要図である。
【図６】 更に他の実施の形態におけるめっき装置の要部を示す概要図である。
【図７】 更に他のめっき装置の要部を示す概要図である。
【図８】図７に示すめっき装置で多孔質体と基板の被めっき面との間に生じる隙間に存在するめっき液を排除する時の説明に付する図である。
【図９】めっき液管理供給システムの一例を示す系統図である。
【図１０】図３に示す洗浄・乾燥装置の一例を示す縦断正面図である。
【図１１】同じく、平面図である。
【図１２】図３に示すベベルエッチング・裏面洗浄装置の一例を示す概略図である。
【図１３】図３に示す熱処理装置の一例を示す縦断正面図である。
【図１４】同じく、平断面図である。
【図１５】図３に示す前処理装置の基板受渡し時における正面図である。
【図１６】同じく、薬液処理時における正面図である。
【図１７】同じく、リンス時における正面図である。
【図１８】同じく、基板受渡し時における処理ヘッドを示す断面図である。
【図１９】同じく、図１８のＡ部拡大図である。
【図２０】同じく、基板固定時における図１９相当図である。
【図２１】同じく、系統図である。
【図２２】図３に示す無電解めっき装置の基板受渡し時における基板ヘッドを示す断面図である。
【図２３】同じく、図２２のＢ部拡大図である。
【図２４】同じく、基板固定時における基板ヘッドを示す図２３相当図である。
【図２５】同じく、めっき処理時における基板ヘッドを示す図２３相当図である。
【図２６】同じく、めっき槽カバーを閉じた時のめっき槽を示す一部切断の正面図である。
【図２７】同じく、洗浄槽を示す断面図である。
【図２８】同じく、系統図である。
【図２９】図３に示す研磨装置の一例を示す概要図である。
【図３０】図３に示す膜厚測定器における反転機付近の概略正面図である。
【図３１】同じく、反転アーム部分の平面図である。
【図３２】図３に示す基板処理装置における処理フロー図である。
【図３３】従来例における多孔質体と基板の被めっき面との間に生じる隙間にめっき液が存在する状態の説明に付する図である。
【符号の説明】
３ 微孔（微細凹部）
４ 配線溝（微細凹部）
７ 銅層
８ 配線
９ 保護膜
１０ 搬送ボックス
１８ めっき装置
２０ 洗浄・乾燥装置
２２ ベベルエッチング・裏面洗浄装置
２４ 膜厚測定器
２６ 熱処理装置
２８ 前処理装置
３０ 無電解めっき装置
３２ 研磨装置
５６ ハウジング部
５８ 基板ホルダ
６０ 処理ヘッド
１００ 処理槽
１０２ 蓋体
１１２ ノズル板
１１２ａ 噴射ノズル
１２０ 薬液タンク
１２２ 薬液ポンプ
１２４ ノズル板
１２４ａ 噴射ノズル
１３２ リンス液供給源
２００ めっき槽
２０２ 洗浄槽
２０４ 基板ヘッド
２３０ ハウジング部
２３２ ヘッド部
２３４ 吸着ヘッド
２６８ 噴射ノズル
２８０ 噴射ノズル
２８２ ノズル板
２８６ ヘッド洗浄ノズル
３１６ ヒータ
３２０ 熱交換器
３２２ 加熱装置
３２４ 攪拌ポンプ
３３０ めっき液管理ユニット
３３２ 溶存酸素濃度計
４２２ 基板ステージ
４２８ 洗浄カップ
４３０ 薬液用ノズル
４３２ 純水用ノズル
４３４ 洗浄スポンジ
４３６ 旋回アーム
５００ 揺動アーム
５０２ 電極ヘッド
５０４ 基板ステージ
５０４ａ 真空通路
５０４ｂ 真空吸着溝
５０４ｃ 貯槽
５０６ カソード部
５１２ カソード電極
５１４ シール材
５２０ 回転ハウジング
５２２ 上下動ハウジング
５２４ 回転体
５２６ アノード
５２８ 多孔質体
５３０ アノード室
５３２ めっき液含浸材
５３４ 多孔質パッド
５３４ａ 下層パッド
５３４ｂ 上層パッド
５４０ エアバック
５４４ めっき液導入管
５５０ 電源
５６０ ピエゾ振動子
５６２ 超音波発振子
５６４ 圧力ポート
５６８ 真空ポンプ
６００ めっき液トレー
６０４ リザーバ
６０８ めっき液調整タンク
６１０ 温度コントローラ
６１２ めっき液分析ユニット
８２０ 研磨布
８２２ 研磨テーブル
８２４ トップリング
８２６ 砥液ノズル
８２８ ドレッサー
９２２ 基板ステージ
９２４ センタノズル
９２６ エッジノズル
９２８ バックノズル
１００２ チャンバ
１００４ ホットプレート
１００６ クールプレート
Claims (2)
- 配線用の微細凹部を有する基板上にシード層を形成し、このシード層とアノードとの間にめっき液を満たしつつ通電してめっきを行い、前記微細凹部内に配線材料を充填するめっき方法であって、
前記シード層と前記アノードとの間に前記めっき液に浸漬させて配置した保水性を有する多孔質体を前記シード層に任意の圧力で押圧しつつ、前記基板と前記多孔質体とを相対的に回転させて前記シード層と前記多孔質体との間の隙間に存在するめっき液を排除し、しかる後、
前記多孔質体を前記シード層に任意の圧力で押圧しつつ、前記シード層と前記アノードとの間に通電してめっきを行うことを特徴とするめっき方法。 - 前記多孔質体を前記シード層に任意の圧力で押圧しつつ、前記基板と前記多孔質体とを相対的に回転させて前記シード層と前記多孔質体との間の隙間に存在するめっき液を排除する工程と、前記多孔質体を前記シード層に任意の圧力で押圧しつつ、前記シード層と前記アノードとの間に通電してめっきを行う工程とを少なくとも２回繰返すことを特徴とする請求項１記載のめっき方法。
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