JPS6237840A - 真空ヒユ−ズ - Google Patents

真空ヒユ−ズ

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JPS6237840A
JPS6237840A JP17550085A JP17550085A JPS6237840A JP S6237840 A JPS6237840 A JP S6237840A JP 17550085 A JP17550085 A JP 17550085A JP 17550085 A JP17550085 A JP 17550085A JP S6237840 A JPS6237840 A JP S6237840A
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JP
Japan
Prior art keywords
vacuum
fuse
electrode
degree
fuse element
Prior art date
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Pending
Application number
JP17550085A
Other languages
English (en)
Inventor
仙波 克秋
狩野 正幸
杉井 守
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd
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Publication date
Application filed by Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd filed Critical Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd
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Publication of JPS6237840A publication Critical patent/JPS6237840A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 A、産業上の利用分野 この発明は真空度低下の監視機能をもつ真空ヒユーズに
関するものである。
B0発明の概要 この発明は真空容器内においてヒユーズエレメントが断
線する真空ヒユーズにおいて、第1の発明は真空容器を
形成するシールド筒体と電極棒との間に真空度低下初期
時に真先に放電する最長真空ギャップを形成したもので
ある。これによってシールド筒体の対地電位と電極棒の
対地電位を検出して真空度低下の検出を行うものである
。第2の発明はこの構成の真空ヒユーズにおいて、シー
ルド筒対の対地電位と電極棒の対地電位を検出し、かつ
その検出電位の波高値差にもとづいて真空度低下の有無
及びヒユーズエレメントの断線の有無を判定するように
したことにより、真空ヒユーズの真空度低下検出とヒユ
ーズエレメント断線検出が同時にできるようにしたもの
である。
C8従来の技術 最近真空インクラブタの技術を導入した高電圧真空ヒユ
ーズが開発されるようになって来た。第8図はその真空
ヒユーズの一部を断面した構成図で、図中、■は金属(
例えばステンレス鋼)からなる筒体状のシールド筒体、
2a、 2bはシールド筒体1ρ径より細い筒体状の絶
縁スペーサ(例えばアルミナセラミックス)である。シ
ールド筒体1と絶縁スペーサ2a、 2bの一端は異径
結合部材3a、 3bで連結される。絶縁スペーサ2a
、 2’bの他端は端板4a、 4bで閉塞されて真空
容器5に形成される。真空容器5には端板4a、 4b
から電極棒6a、 6bを気密に導入し、その両電極枠
6a、 6bの内端部には電極7a、 7bを所定の間
隔を置いて配設する。両電極7a。
7b間にはヒユーズエレメント8を固着する。
D1発明が解決しようとする問題点 上記のように構成された真空ヒユーズの真空容器は真空
インタラプタの真空容器と比較すると構成が比較的単純
(気密シール部が少ない)であるから真空度低下の発生
のおそれも少ないが、万−真空漏れが発生すると真空に
よるアーク消弧能力が失われて、ヒユーズエレメントの
溶断時に電極間が閃絡状態になってしまう問題点がある
。   ゛上記の他、真空ヒユーズではシールド筒体内
のヒユーズエレメントが溶断しているのかどうかを活線
状態のまま検出できることが要望され゛ている。
E1問題点を解決するための手段 第1の発明はシールド筒体と電櫨棒との間に、真空度低
下初期時にまつさきに放電する最長真空ギャップを形成
したものである。′ 第2の発明は上記第1の発明の真空ヒユーズのシールド
筒体と対地及び電極棒と対地との間にそれぞれ各別に第
1.第2インピーダンス分圧器を形成し、両分圧器に得
られた電位差に基づいて真空度低下及びヒユーズエレメ
ントの断線の有無を判定するようにしたものである。
F3作用 通電中、真空ヒユーズの真空度が低下すると最大のギャ
ップ寸法である真空ギャップの部分で放電が始まる。放
電が始まると系統線路の対地電位とシールド筒対の対地
電位との間の電位差に変動が生じる・。この変動を判定
部で検出して表示させる。また、ヒユーズエレメントの
断線の場合も前配電位差に変動が生じる。この変動を検
出して表示体に表示させる。
G、実施例 以下この発明を図面を参照して実施例に基づき説明する
第1図はこの発明の実施例を示す断面図、第2図はこの
発明の実施例をヒユーズ取付装置に取付けた場合の構成
図で、第8図と同一部分は同一符号を付して示す。
第1図において、シールド筒体1の異径結合部材3bが
設けられる側の端部を軸方向(図示左方)に延長させ、
その延長部分11が電極棒6bとの間で、真空容器5内
での最大の真空ギャップ長σを得るようにする。前記延
長部分11の図示左端には円形状の絶縁板12を設けて
真空容器5を形成する。13はシールド部材である。真
空容器5の真空度は5X 1.333mPa以下の圧力
である。
上記のように最大の真空ギャップ長σとするのは高真空
中では類ギャップより長ギャップの方が放電開始電圧が
高いことが知られているからである。そこで、このこと
を利用して真空容器5の真空度が良い時点(リーク初期
)で真空度低下を検出し、その時点で真空ヒユーズを交
換すれば次のような場合にもヒユーズとしての機能を保
つことができる。すなわち、事故電流により真空ヒユー
ズのエレメントが溶断しても真空度が良い時点であると
アークを引くことがないため、問題は生じない。しかし
、真空度が悪くなってから検出したのでは、ヒユーズエ
レメントが溶断したとき、アークを引いてしまいヒユー
ズとしての機能が保持できなくなる。従って、最大の真
空ギャップ長eを真空容器5に形成し、後述のようにし
て真空度低下初期時点を検出する。なお最大真空ギャッ
プ長ρは真空容器5内の異電位部材間の最大距離とされ
る。また、異電位部材間で電子が飛行する場合、等電位
線と直行する方向に飛行するので、ここで述べる距離と
は厳密には電子の飛行距離を意味する。
上記のように形成された真空容器5は第2図に示すよう
にヒユーズ取付装置14のホルダ15a、 I5b間に
装着される。16〜18はヒユーズ取付装置14を構成
する支持碍子で、これら支持碍子16〜18の中で支持
碍子17. taには後述する第1及び第2インピーダ
ンス分圧器19及び20が収納されている。21゜22
は系統線路に接続される導体で、導体21は電源側、導
体22は負荷側に接続される。前記支持碍子17は真空
容器5のほぼ直下に配設され、前記第1インピーダンス
分圧器19の一端は真空容器5のシールド筒体1に電気
的に接続され、またその他端は接地される。・ 前記支持碍子18は図示のように配設され、第2インピ
ーダンス分圧器20の一端はホルダ15bに電気的に接
続され、またその他端は接地される。
前記第1及び第2インピーダンス分圧器19及び20は
同一構成であるか第1インピーダンス分圧器19につい
て第3図により述べる。第1インピーダンス分圧器19
はコンデンサC4とC6を直列接続した回路から構成さ
れ、そのコンデンサの直列回路の両端は碍子本体23に
設けられたインサート金具23aと23bに電気的に接
続される。インサート金具23aは真空容器5のシール
ド筒体1に接続され、またインサート金具23bは接地
される。24aは碍子本体23の所定個所に設けられた
端子で、この端子24aと前記コンデンサ鈷、C2との
共通接続点25a間には表示体となる発光ダイオード2
6aと整流用ダイオード27aとの逆並列回路28aが
接続される。発光ダイオード26aの発光状態は碍子本
体23の外部から視覚できるように構成されている。な
お、23c。
23dはインサート金具である。
第3図は第1インピーダンス分圧器I9の構成に関する
ものであるが、第2インピーダンス分圧器20も同様に
構成されて支持碍子18内に収納される。
そのときのコンデンサをC3,C4とする。また支持碍
子18には発光ダイオード26bと整流用ダイオード2
7bとの逆並列回路28bが接続される端子24bが設
けられている。支持碍子17.18の端子24aと24
bは接続線29で接続される。なお、第2インピーダン
ス分圧器20の一端は負荷側の導体22に接続され、他
端は接地される。
第4図は第2図に示した構成図の等価回路図で、第4図
において、Cvはシールド筒体1と電極棒6b間の静電
容量である。この第4図は真空ヒユーズのエレメント正
常時と真空度正常時の等価回路図で、このとき、図示A
点とB点の電圧VA、 VBは次式で表わされる。
2CVE VA−□   ・・・(1) C+Ct+ CtCy+ CvC。
C,E VB=□    ・・・(2) C3+C4 (1)、(2)式において、CIC2CV及びC,C,
の値を選定してVA−vBとなるようにする。すなわち
、図示A点とB点の電位差は零となるようにする。
一方、表示体である発光ダイオード26a、 26bの
発光条件式は次式で与えられる。
EAB≧VF+VLED          −(3)
但し、EAB :図示A点、B点の差電圧波高値、V「
コダイオード27a、 27bの順方向電圧降下、VL
ED :発光ダイオード最低電圧である。
上記(3)式のEAEが零であると(3)式が満たされ
なくなるから第4図の真空度及びヒユーズとも正常時の
場合、発光ダイオード26a、 26bは発光しない。
第5図は真空ヒユーズのエレメント断線時と真空度正常
時における等価回路図で、この第5図においてCVtは
第4図に示したCvと同じ静電容量であす、Cvtはヒ
ユーズエレメント断線による電極7a、7b間の静電容
量である。この第5図の等価回路における図示A点とB
点の電圧は次式で表わされる。
(1)、(5)式にC,〜C4及びCVI、 CV2の
値を代入するとVAf−Vnになり、図示A点とB点間
に電位差が発生する。この電位差EABで(3)式が満
足するようになり、発光ダイオード26a、 26bは
発光する。
これにより真空ヒユーズの不良が判別できる。
第6図は真空ヒユーズのエレメント正常時で真空度低下
時における等価回路図で、第6図において、CVに並列
接続された可変抵抗Rは真空度低下時の放電抵抗であり
、次式で表わされる。
上記第6図の等価回路における図示A点とB点の電圧は
次式で表わされる。
(7)、(8)式+:C+〜C4及びCv(7)値を代
入するとVA≠VBになり、図示A点とB点間に電位差
が発生する。この電位差EABで(3)式が満足するよ
うになり、発光ダイオード26a、 26bは発光する
。これにより真空ヒユーズの不良が判別できる。
上記した各等価回路の特徴を表に示すと次表のようにな
る。
表 第7図は発光ダイオードを1個にしたときの実施例で、
この実施例はダイオードD、〜D4をブリッジに構成し
て、ダイオードD、、 D2のカソードを共通接続した
点と、ダイオードD、、 D、のアノードを共通接続し
た点に発光ダイオードLEDを接続し、図示A点、B点
を第4図のA点とB点にそれぞれしたものである。この
第7図の実施例では発光ダイオードLEDが1個で良い
H1発明の効果 以上述べたように、この発明によれば、シールド筒体と
電極棒との間に真空度低下初期時に放電する最長真空ギ
ャップを形成したので、真空ヒユーズの真空度低下が簡
単に検出できる。また、第1、第2インピーダンス分圧
器を用いて系統線の対地電位とシールド筒体の対地電位
の差を検出比較し、その電位差にもとづいて真空度低下
の有無及びヒユーズエレメントの正常、異常を判断する
ようにしたので、真空ヒユーズの真空度低下またはヒユ
ーズエレメントの断線検出表示が常時監視が可能となる
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示す断面図、第2図は第
1図をヒユーズ取付装置に装着したときの概略構成図、
第3図は第1インピーダンス分圧器の構成説明図、第4
図はヒユーズエレメント及び真空度とも正常時の等価回
路図、第5図はヒユーズエレメント断線で真空度正常時
の等価回路図、第6図はヒユーズエレメント正常で真空
度低下した時の等価回路図、第7図は発光ダイオードを
1個にしたときに実施例を示す回路図、第8図は真空ヒ
ユーズの従来例を示す一部を断面して示す正面図である
。 ■・・・シールド筒体、5・・・真空容器、7a、 7
b・・・電極、8・・・ヒユーズエレメント、11・・
・延長部分、12・・・絶縁板、13・・・シールド部
材、16.17.18・・・支持碍子、19・・・第1
インピーダンス分圧器、20・・・第2インピーダンス
分圧器、26a、 26b・・・発光ダイオード、27
a、 27b・・・整流用ダイオード。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)シールド筒体の両端を絶縁部材で閉塞して真空容
    器を形成し、この真空容器の両端絶縁部材から電極棒を
    気密に導入し、これら電極棒の各内端部に所定の間隔を
    隔て電極を設けるとともに両電極間にヒューズエレメン
    トを設けてなる真空ヒューズにおいて、前記筒体と電極
    棒との間に、真空度低下時に放電する最長真空ギャップ
    を形成したことを特徴とする真空ヒューズ。
  2. (2)シールド筒体の両端を絶縁部材で閉塞して真空容
    器を形成し、この真空容器の両端絶縁部材から電極棒を
    気密に導入し、これら電極棒の各内端部に所定の間隔を
    隔て電極を設けるとともに両電極間にヒューズエレメン
    トを設けてなる真空ヒューズにおいて、前記筒体と電極
    棒との間に、真空度低下時に放電する最長真空ギャップ
    を形成し、前記筒体と対地及び前記電極棒と対地との間
    にそれぞれ各別に第1、第2インピーダンス分圧器を形
    成し、第1インピーダンス分圧器を介して得た系統線路
    の対地電位と、第2インピーダンス分圧器を介して得た
    筒体の対地電位とを波高値について比較し、その波高値
    差にもとづいて真空度低下の有無及びヒューズエレメン
    トの正常、異常を判定する表示体とを有してなる真空ヒ
    ューズ。
JP17550085A 1985-08-09 1985-08-09 真空ヒユ−ズ Pending JPS6237840A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5045353A (en) * 1988-09-28 1991-09-03 Hitachi, Ltd. Method for treating interior surfaces of holes and apparatus therefor
US6632335B2 (en) 1999-12-24 2003-10-14 Ebara Corporation Plating apparatus

Cited By (3)

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US7387717B2 (en) 1999-12-24 2008-06-17 Ebara Corporation Method of performing electrolytic treatment on a conductive layer of a substrate

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