KR20010007323A - 반사방지 하드 마스크 조성물 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (23)
- (a) 기판 위에 유전체 층을 가진 집적 회로 기판을 제공하고;(b) 주기율표 IIIa, IVa, Va, VIa, VIIa, VIII, Ib, IIb, IIIb, IVb 또는 Vb 족 중에서 선택된 하나 이상의 무기 원소를 포함하는 유기 반사방지 하드 마스크(hard mask) 조성물의 코팅층을 유전체 층 위에 침착시키고;(c) 포토레지스트 조성물의 코팅층을 반사방지 하드 마스크 조성물 코팅층 위에 침착시키고;(d) 포토레지스트 조성물 코팅층을 패턴화 조사선에 노광시키고 현상하여 반사방지 하드 마스크 조성물 위에 포토레지스트 릴리프(relief) 이미지를 형성하고;(e) 반사방지 하드 마스크 조성물을 에칭하여 그의 릴리프 이미지를 형성한 다음;(f) 드러낸(bared) 유전체 층 영역을 에칭하는 것을 특징으로 하여, 집적회로 또는 전자 패키징(packaging) 기판 위에 놓인 유전체 층을 에칭하는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 반사방지 하드 마스크 조성물이 조성물의 총 고체를 기준으로 하여 적어도 약 20 몰%의 탄소와 적어도 약 1 몰%의 무기 원자를 함유하는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 반사방지 하드 마스크 조성물이 조성물의 총 고체를 기준으로 하여 약 5몰%의 무기 원자를 갖는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 반사방지 하드 마스크 조성물의 무기 원자가 Si, Al 및 Ge로 구성된 그룹 중에서 선택되는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 반사방지 하드 마스크 조성물을 스핀 코팅에 의해 침착시키는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 반사방지 하드 마스크 조성물이 방향족 그룹을 가진 성분을 포함하는 방법.
- 제 6 항에 있어서, 방향족 그룹이 카보시클릭 아릴 그룹인 방법.
- 제 6 항에 있어서, 방향족 그룹이 임의로 치환된 안트라센일 그룹, 임의로 치환된 나프틸 그룹 또는 임의로 치환된 페닐 그룹인 방법.
- 제 1 항에 있어서, 포토레지스트 조성물을 약 248 nm의 파장을 가진 조사선에 의해 이미지화하고, 반사방지 하드 마스크 조성물이 임의로 치환된 안트라센 그룹 또는 임의로 치환된 나프틸 그룹을 가진 성분을 포함하는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 포토레지스트 조성물을 약 193 nm의 파장을 가진 조사선에 의해 이미지화하고, 반사방지 하드 마스크 조성물이 임의로 치환된 페닐 그룹을 가진 성분을 포함하는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 유전체 층을 산소 함유 플라즈마에 의해 에칭하는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 반사방지 하드 마스크 조성물 층을 할라이드 플라즈마에 의해 에칭하는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 반사방지 하드 마스크 층의 산소 플라즈마에 대한 반응성이 유전체 층보다 적어도 약 3배 적은 방법.
- 제 1 항에 있어서, 반사방지 하드 마스크 조성물이 열(thermal) 산발생제 화합물을 포함하는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 반사방지 하드 마스크 조성물을 포토레지스트 조성물 층을 도포하기 전에 열경화시키는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 반사방지 하드 마스크 조성물이 포토애시드(photoacid) 발생제를 포함하고, 포토애시드 발생제가 포토레지스트 조성물 층의 노광시까지 실질적으로 활성화되지 않는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 반사방지 하드 마스크 조성물이 가교결합제 물질을 포함하는 방법.
- (a) 기판 위에 유전체 층을 가진 기판을 제공하고;(b) 산소 플라즈마 에칭에 대한 반응성이 유전체 층보다 적어도 약 3배 적은 유기 반사방지 하드 마스크 조성물의 코팅층을 유전체 층 위에 침착시키고;(c) 포토레지스트 조성물의 코팅층을 반사방지 하드 마스크 조성물 코팅층 위에 침착시키고;(d) 포토레지스트 조성물 코팅층을 패턴화 조사선에 노광시키고 현상하여 반사방지 하드 마스크 조성물 위에 포토레지스트 릴리프 이미지를 형성하고;(e) 반사방지 하드 마스크 조성물을 에칭하여 그의 릴리프 이미지를 형성한 다음;(f) 드러낸 유전체 층 영역을 에칭하는 것을 특징으로 하여, 집적회로 또는 전자 패키징 기판 위에 놓인 유전체 층을 에칭하는 방법.
- 제 18 항에 있어서, 반사방지 하드 마스크 조성물의 산소 플라즈마에 대한 반응성이 유전체 조성물 층보다 적어도 약 5배 적은 방법.
- 제 19 항에 있어서, 반사방지 하드 마스크 층을 할라이드 플라즈마에 의해 에칭하는 방법.
- 유전체 층을 그 위에 가진 기판;유전체 층 위에, 주기율표 IIIa, IVa, Va, VIa, VIIa, VIII, Ib, IIb, IIIb, IVb 또는 Vb 족 중에서 선택된 하나 이상의 무기 원소를 포함하는 유기 반사방지 하드 마스크 조성물의 코팅층; 및반사방지 하드 마스크 조성물 코팅층 위에, 포토레지스트 조성물의 코팅층을 포함하는 코팅된 기판.
- 유전체 층을 그 위에 가진 기판;유전체 층 위에, 유기 반사방지 하드 마스크 조성물의 코팅층; 및반사방지 하드 마스크 조성물 코팅층 위에, 포토레지스트 조성물의 코팅층을 포함하는 코팅된 기판.
- 조성물의 총 고체를 기준으로 하여, 적어도 약 20몰%의 탄소와 적어도 약 1몰%의 Si, Ge 또는 Al 원자, 및 상층 포토레지스트 층을 패턴화하는데 사용된 노광 조사선을 흡수할 수 있는 유기 발색단을 포함하는, 상부에 코팅된 포토레지스트 층과 함께 사용하기 위한 반사방지 하드 마스크 조성물.
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