JPH09134858A

JPH09134858A - レジストパターンの形成方法

Info

Publication number: JPH09134858A
Application number: JP29287095A
Authority: JP
Inventors: Takeo Watanabe; 健夫渡邊; Shigeyasu Mori; 重恭森; Takashi Fukushima; 隆史福島
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1995-11-10
Filing date: 1995-11-10
Publication date: 1997-05-20

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体基板に十分な酸がトラップされること
になり、所望のレジストパターンを形成する際に、レジ
スト中に発生した酸が半導体基板中へ拡散することが防
止され、断面形状が垂直な、高コントラストを有するレ
ジストパターンを形成することができる。【解決手段】 (i) 半導体基板上に酸発生化学増幅系レ
ジストを塗布し、該レジスト全面を露光した後、該レジ
ストをほぼ完全に剥離し、(ii)再度、前記半導体基板上
に酸発生化学増幅系レジストを塗布した後、該レジスト
に選択的に露光を行い、(iii) 露光後ベーク及び前記レ
ジストの現像を行うレジストパターンの形成方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レジストパターン
の形成方法に関し、より詳細には半導体リソグラフィー
技術に用いられる酸発生化学増幅系レジストを用いたレ
ジストパターンの形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来の
酸発生化学増幅系レジストは、ネガ型レジストではアル
カリ可溶樹脂、酸発生剤及び架橋剤から構成されてお
り、ポジ型レジストでは、架橋剤の代わりに溶解抑止剤
が使用されて構成されている。ポジ型の酸発生化学増幅
系レジストは、露光により発生した酸を触媒として溶解
抑止剤（基）が分解してアルカリ可溶となることによ
り、ポジ型パターンを形成するものである。これを図３
を用いて説明する。

【０００３】図３（ａ）に示したように、半導体基板３
０上に酸発生化学増幅系ポジ型レジスト３１を塗布した
後、露光前ベークを行い、図中に示した光強度プロファ
イル３２を有する光により、選択的にレジスト３１を露
光する。この露光により、図３（ｂ）に示したように、
光強度に応じてレジスト３１に露光部３１Ａが形成され
る。

【０００４】次いで、図３（ｃ）に示したように、露光
後ベーク（ＰＥＢ）を行うことにより露光部３１Ａが可
溶化部３１Ｂに変化する。従って、図３（ｄ）に示した
ように、アルカリ現像を行うことにより、可溶化部３１
Ｂが溶解し、ポジ型のレジストパターン３３が形成され
る。一方、ネガ型の酸発生化学増幅系レジストは、露光
により感光性酸発生剤から発生した酸を触媒として、露
光後ベーク（ＰＥＢ）時に架橋不溶化することにより、
その後のアルカリ現像によってネガ型パターンを形成す
るものである。これを図４を用いて説明する。

【０００５】図４（ａ）に示したように、半導体基板４
０上に酸発生化学増幅系ネガ型レジスト４１を塗布した
後、露光前ベークを行い、図中に示した光強度プロファ
イル４２を有する光により、選択的にレジスト４１を露
光する。この露光により、図４（ｂ）に示したように、
光強度に応じてレジスト４１に露光部４１Ａが形成され
る。

【０００６】次いで、図４（ｃ）に示したように、露光
後ベーク（ＰＥＢ）を行うことにより露光部４１Ａが不
溶化部４１Ｂに変化する。従って、図４（ｄ）に示した
ように、アルカリ現像を行うことにより、不溶化部４１
Ｂ以外の部分が溶解し、ネガ型のレジストパターン４３
が形成される。ところが上記したような酸発生化学増幅
系レジスト３１、４１を用いたレジストパターン形成方
法においては、露光により発生した酸が、レジスト３
１、４１底面において下地基板３０、４０に捕獲され、
レジスト３１、４１の底面付近の酸が失活する。よっ
て、図３（ｄ）に示すようにポジ型レジストパターン３
３では裾引き３３ａが発生し、図４（ｄ）に示すように
ネガ型レジストパターン４３では裾の括れ４３ａが発生
する。つまり、下地基板の影響によりレジストパターン
形状が劣化するという問題があった。

【０００７】これに対して、特開平３−１４１６３２号
公報に、基板上に酸化膜を形成し、この酸化膜をプラズ
マ処理して表面を高密度化した後、酸発生化学増幅系レ
ジストを塗布して、レジスト内の酸の酸化膜への拡散を
防止する方法が提案されている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、(i) 半
導体基板上に酸発生化学増幅系レジストを塗布し、該レ
ジスト全面を露光した後、該レジストをほぼ完全に剥離
し、(ii)再度、前記半導体基板上に酸発生化学増幅系レ
ジストを塗布した後、該レジストに選択的に露光を行
い、(iii) 露光後ベーク及び前記レジストの現像を行う
レジストパターンの形成方法が提案される。

【０００９】また、別の観点から、(I) 半導体基板上
に、ベースポリマーと酸発生剤とからなるポリマー塗膜
を形成し、該ポリマー塗膜全面を露光した後、該ポリマ
ー塗膜をほぼ完全に剥離し、(II)しかる後、前記半導体
基板上に酸発生化学増幅系レジストを塗布し、該レジス
トに選択的に露光を行い、(III) 露光後ベーク及び前記
レジストの現像を行うレジストパターンの形成方法が提
案される。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明においては、レジスト底面
において下地基板に捕獲されることによるレジスト内の
酸の失活を防止することにより、垂直な断面形状を有す
るレジストパターンを形成することができるレジストパ
ターンの形成方法である。本発明の方法の工程(i) にお
いては、まず、半導体基板上に酸発生化学増幅系レジス
トを塗布する。この場合の半導体基板としては、一般に
半導体装置を形成するために使用されるシリコン基板、
化合物半導体基板などが用いられ、半導体基板上に直接
酸発生化学増幅系レジストを塗布することが好ましい。

【００１１】化学増幅系レジストは、一般にベースポリ
マー、酸発生剤及び溶解抑止剤（ポジ型）又は溶解抑止
基が導入されたベースポリマーと酸発生剤、あるいはベ
ースポリマー、酸発生剤及び架橋剤（ネガ型）からなる
ものであり、本発明においては、一般にフォトリソグラ
フィ工程において使用することができる全てのポジ型又
はネガ型の化学増幅系レジストを用いることができる。
例えば、ベースポリマーとしては、アルカリ可溶性の樹
脂が好ましく、具体的にはｏ−，ｍ−，ｐ−フェノール
ノボラック、クレゾールノボラック等のノボラック樹
脂、ｍ−，ｐ−ポリヒドロキシスチレン系樹脂が挙げら
れる。また、化学増幅系レジスト自体の薄膜化及びレジ
スト剥離のためのエッチング時に基板等との選択比をか
せぐことができるトリメチルシリルメチルメタリレート
（ＴＭＳＡＡＭ）等のシリコン含有アルカリ可溶樹脂を
挙げることもできる。なかでもクレゾールノボラック系
樹脂及びポリヒドロキシスチレン系樹脂が好ましい。

【００１２】また、酸発生剤としては、オニウム塩又は
非オニウム塩のいずれも使用することができ、ヨードニ
ウム塩、スルホニウム塩、トリアジン、スルホン酸エス
テル系のものを挙げることができる。具体的には、ジフ
ェニルヨードニウムトリフレート、（４−メトキシフェ
ニル）フェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモ
ネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム
ヘキサフルオロボレート等；トリフェニルスルホニウ
ムヘキサフルオロホスフェート、（４−メトキシフェ
ニル）ジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチ
モネート、２−（２−ナフチル）−２−オキソエチルテ
トラヒドロチオフェニウムトリフレート、シクロヘキ
シ（２−オキソシクロヘキシル）メチルスルホニウム
トリフレート等；2,4,6-トリス（トリクロロメチル）−
５−トリアジン、２（４（メトキシ−１−ナフチル）−
４，６−ビス（トリクロロメチル）−トリアジン、２
（ｐ−メトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロ
メトキシ）−５−トリアジン等；ベンゾイントシレー
ト、ピロガロールトリメシレート、２−ニトロベンジ
ルトシレート、ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメ
タン等が挙げられる。なお、この際用いる酸発生剤は、
後の工程、つまりレジストパターン形成のために塗布す
るレジストと同程度の量子収率の酸を発生させることが
できるものを選択して使用することが好ましい。

【００１３】さらに溶解抑止剤としては、ジブトキシカ
ルボニルビスフェノールＡ，ジブトキシカルボニル
ｏ−クレゾールフタレイン等のｔ−ブトキシカルボニル
（Ｂｏｃ）基を有するもの、ピラニル基、ｔ−ブトキシ
カルボニルメチル基、トリアルキルシリル（アルキルと
しては、例えばメチル、エチル、プロピル等）基等を有
するビスフェノール、クレゾールフタレイン等を挙げる
ことができる。架橋剤としては、特に限定されるもので
はないが、例えばノボラック系樹脂を用いる場合にはメ
ラミン誘導体等が挙げられる。

【００１４】本発明においては、上記ベースポリマー、
酸発生剤及び溶解抑止剤又は架橋剤等はいずれも任意に
組み合わせて、適当な溶媒に溶解して使用することがで
きる。溶媒としては、使用するベースポリマーを溶解す
ることができ、容易に除去することができるように沸点
が７０〜１６０℃程度と比較的低いものであり、かつ経
済性及び安全性を考慮して適宜選択することができる。
例えば、メチル−３−メトキシプロピオネート、メトキ
シイソプロパノール、エトキシイソプロパノール、ジグ
ライム、乳酸エチル、プロピレングリコールメチルエー
テルアセテート、ペグミヤ等が挙げられ、なかでもジグ
ライムが好ましい。この場合、ベースポリマー、酸発生
剤及び溶解抑止剤又は架橋剤の割合は、それぞれ、溶媒
に対して１０重量％〜６０重量％程度、ベースポリマー
に対して１重量％〜２０重量％程度、ベースポリマーに
対して５重量％〜５０重量％程度が好ましく、より好ま
しくは、それぞれ、３０重量％程度、５重量％程度及び
２５重量％程度である。

【００１５】上記化学増幅系レジストは、スピンコート
法、スプレイ法、気相塗布法等の任意の方法で、膜厚２
０００Å〜１００００Å程度に塗布することが好まし
い。また、半導体基板上にレジストを塗布した後、６０
〜１１０℃、１０〜１２０秒間程度、露光前ベークをす
ることが好ましい。次いで、レジスト全面に露光を行
う。この場合の露光光は特に限定されるものではなく、
ｉ線（３６５ｎｍ）、ｇ線（４３６ｎｍ）、エキシマレ
ーザ（ＫｒＦ：２４８ｎｍ，ＡｒＦ：１９３ｎｍ）、電
子ビーム又はＸ線（１０^-2〜数１００Å）等を用いるこ
とができる。また、露光量は、酸発生剤から酸を十分に
発生させることができる露光量が好ましく、Ｘ線を用い
る場合には照射エネルギーが１０〜８００ｍＪ／ｃｍ²
程度、電子ビームを用いる場合には０．５μＣ／ｃｍ²
〜１０μＣ／ｃｍ²程度、ＫｒＦを用いる場合には１０
〜６０ｍＪ／ｃｍ²程度であることが好ましい。また、
露光は大気中、窒素ガス雰囲気中、真空中で行ってもよ
い。特に大気中の場合、露光の温度は２０〜３０℃程度
であることが好ましい。さらに、照射時間は、エネルギ
ー量により異なるが、０．１〜５秒間程度が好ましい。

【００１６】全面露光の後、半導体基板上のレジストを
ほぼ完全に剥離する。剥離は、特に限定されるものでは
なく、適当な溶解液を用いてレジストを溶解・除去する
ウェットエッチング、酸素プラズマによるアッシング、
例えばＣＦ₄のようなハロゲン化ガスのプラズマ等によ
るドラエイエッチング等により行うことができる。なか
でも、エッチングレートが速く、下地基板との選択性が
良好で、等方性エッチングを可能にする酸素プラズマア
ッシングが好ましい。

【００１７】工程(ii)において、半導体基板上に再度、
酸発生化学増幅系レジストを塗布する。この場合の酸発
生化学増幅系レジストとしては上述と同様のものを用い
ることができ、工程(i) において用いた酸発生化学増幅
系レジストと同じものを再度塗布してもよいし、異なる
種類の酸発生化学増幅系レジストを塗布してもよい。塗
布の方法及び膜厚等は上述と同様である。また、任意に
露光前ベークを行ってもよい。

【００１８】次いで、得られたレジスト上に選択的に露
光を行う。この際の選択的露光は、所望のマスクを用い
て所望の露光光をレジスト上に照射することにより行う
ことができる。マスクとしては、例えば、石英基板等の
透明基板上に、例えばクロム、タングステン、タンタ
ル、モリブデン等により所望の形状、例えばライン／ス
ペース、リング形状等のパターンが形成されたマスクを
挙げることができる。この際の露光光の種類、照射量、
照射時間等は上記と同様である。

【００１９】工程(iii) において、露光後ベークを行
う。例えば、８０〜１００℃の温度範囲で６０〜１２０
秒間程度行うことが好ましい。また、レジストの現像
は、用いるレジストの種類、分子量、経済性等を考慮し
て、適当な現像液、例えばアルカリ現像液を選択して行
うことができる。具体的には、テトラメチルアンモニウ
ムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）現像液にレジストを
３０〜１２０秒間程度さらすことにより現像することが
できる。

【００２０】上記工程を順次行うことにより、半導体基
板に十分な酸がトラップされることになり、所望のレジ
ストパターンを形成する際に、レジスト中に発生した酸
が半導体基板中へ拡散することが防止され、断面形状が
垂直な、高コントラストを有するレジストパターンが形
成されることとなる。また、別の発明の工程(I) におい
ては、まず、半導体基板上に、ベースポリマーと酸発生
剤とからなるポリマー塗膜を形成する。この場合のポリ
マー塗膜は、例えば、一般にフォトレジストに用いられ
るベースポリマー（例えばノボラック系樹脂、ポリスチ
レン系樹脂の場合、平均分子量；１０００〜４０００程
度）に酸発生剤を含有した材料を、適当な溶媒に溶解し
て用いることができる。ベースポリマー及び酸発生剤
は、工程(i) のレジストの説明において例示した材料を
挙げることができる。また、上述したベースポリマーの
他、レジストに用いられるコポリマー、例えば４−ヒド
ロキシスチレンとｔ−ブチルアクリレートとの共重合
体、アダマンチルメタクリレートと３−オキソシクロヘ
キシルメタクリレートとの共重合体等を用いることもで
きる。さらに、シロキサン又はシリセスキオキサンを骨
格とした樹脂、又は当該樹脂に上記溶解抑止基を導入し
たシリコン含有ポリマー等を用いることもできる。

【００２１】上記ベースポリマーと酸発生剤とは、上述
のような適当な溶媒に溶解して使用することができる。
この場合、ベースポリマーの割合は、溶媒に対して１０
重量％〜６０重量％程度が好ましい、より好ましくは３
０重量％程度である。また、酸発生剤の割合は、ベース
ポリマーに対して、１重量％〜２０重量％程度が好まし
い。より好ましくは、５重量％程度である。

【００２２】工程(I) におけるその他の工程、工程(II)
及び(III) は、工程(i) 〜(iii) と同様に行うことがで
きる。以下に、本発明に係るレジストパターンの形成方
法の詳細を図面に基づいて説明する。

【００２３】実施の態様１（ネガ型レジスト／ネガ型レ
ジストパターン）図１（ａ）に示したように、半導体基板１０上に、クレ
ゾールノボラック系のネガ型の酸発生化学増幅系レジス
ト（ＳＡＬ６０１−ＥＲ７；シップレイ社製）１１を
０．７μｍ程度の厚さで塗布し、ホットプレート上で１
００℃、６０秒間の露光前ベークを行った。

【００２４】その後、このレジスト１１上に放射光Ｘ線
により全面露光を行った。放射光Ｘ線のピーク波長は
０．７ｎｍであり、露光量は３００ｍＪ／ｃｍ²であっ
た。この全面露光により、レジスト１１の露光部に発生
した酸のうち、レジスト１１底面付近の酸が半導体基板
１０に捕獲される。続いて、図１（ｂ）に示したよう
に、酸素プラズマアッシングによりレジスト１１を全部
剥離した。

【００２５】次に、図１（ｃ）に示したように、再度、
半導体基板１０上に上述のレジストと同様のネガ型の酸
発生化学増幅系レジスト１３を０．７μｍ程度の厚さで
塗布し、ホットプレート上で１００℃、６０秒間の露光
前ベークを行った。続いて、Ｘ線マスク（図示せず）を
用いて、図中に示した光強度プロファイル１２を有する
放射光Ｘ線により、選択的にレジスト１３を露光した。
この際の放射光Ｘ線のピーク波長は０．７ｎｍであり、
露光量は３００ｍＪ／ｃｍ²であった。

【００２６】さらに、図１（ｄ）に示したように、この
露光により、光強度に応じてレジスト１３に露光部１３
Ａを形成した。この際、すでに全面露光により発生した
酸が半導体基板１０に捕獲されているので、露光部１３
Ａにおいてレジスト１３底面付近の酸が再び半導体基板
１０に捕獲されることはなく、レジスト１３底面付近の
酸濃度は変化しない。

【００２７】次いで、図１（ｅ）に示したように、１０
５℃、６０秒間の露光後ベーク（ＰＥＢ）及び現像液Ｍ
Ｆ−３１９（シップレイ・マイクロエレクトロニクス社
製）によるアルカリ現像を行うことにより、可溶化部１
３Ｂを溶解させ、さらにリンスすることにより、裾引き
無く、垂直なレジストパターン１４を形成した。

【００２８】実施の態様２（ポジ型レジスト／ポジ型レ
ジストパターン）図２（ａ）に示したように、半導体基板２０上に、ポリ
ヒドロキシスチレン系のポジ型の酸発生化学増幅系レジ
スト（ＡＰＥＸ−Ｅ；シップレイ社製）２１を０．７５
μｍ程度の厚さで塗布し、ホットプレート上で１００
℃、６０秒間の露光前ベークを行った。

【００２９】その後、このレジスト２１上に全面露光を
行った。露光波長は２４８ｎｍであり、露光量は２０ｍ
Ｊ／ｃｍ²であった。この全面露光により、レジスト２
１の露光部に発生した酸のうち、レジスト２１底面付近
の酸が半導体基板２０に捕獲される。続いて、図２
（ｂ）に示したように、１２０秒間の酸素プラズマアッ
シングによりレジスト２１を全部剥離した。

【００３０】次に、図２（ｃ）に示したように、再度、
半導体基板２０上に上述のレジストと同様のポジ型の酸
発生化学増幅系レジスト２３を０．７５μｍ程度の厚さ
で塗布し、ホットプレート上で１００℃、６０秒間の露
光前ベークを行った。続いて、クロムマスク（図示せ
ず）を用いて、図中に示した光強度プロファイル２２を
有する露光光により、選択的にレジスト２３を露光し
た。この際の露光波長は２４８ｎｍであり、露光量は２
０ｍＪ／ｃｍ²であった。

【００３１】さらに、図２（ｄ）に示したように、この
露光により、光強度に応じてレジスト２３に露光部２３
Ａを形成した。この際、すでに全面露光により発生した
酸が半導体基板２０に捕獲されているので、露光部２３
Ａにおいてレジスト２３底面付近の酸が再び半導体基板
２０に捕獲されることはなく、レジスト２３底面付近の
酸濃度は変化しない。

【００３２】次いで、図２（ｅ）に示したように、９０
℃、６０秒間の露光後ベーク（ＰＥＢ）及び現像液ＭＦ
−３１９（シップレイ・マイクロエレクトロニクス社
製）によるアルカリ現像を行うことにより、露光部２３
Ａを溶解させて不溶部２３Ｂを残し、さらにリンスする
ことにより、裾引き無く、垂直なレジストパターン２４
を形成した。

【００３３】実施の態様３（ポリマー／ネガ型レジスト
パターン）まず、溶媒としてメチル−３−メトキシプロピオネート
を用い、溶媒に対して３０重量％の骨格樹脂がｍ−クレ
ゾールノボラックである樹脂（平均分子量２０００；ポ
リスチレン換算）、樹脂に対して５重量％の酸発生剤で
あるトリフェニルスルホニウムトリフレートからなる酸
発生剤含有ポリマー溶液を調製した。

【００３４】このポリマー溶液を、実施例１における最
初に半導体基板上に塗布するネガ型レジスト１１の代わ
りに用いた。それ以外は、実施例１と同様に露光前ベー
クを行い、全面露光し、ポリマー底面付近の酸を半導体
基板に捕獲させた。その後、実施例１と同様に、ポリマ
ーを全部剥離し、半導体基板上に実施例１と同様のネガ
型の酸発生化学増幅系レジストを塗布・露光前ベークを
行い、実施例１と同様の方法で裾引きが無く、垂直なレ
ジストパターンを形成した。

【００３５】実施の態様４（ポリマー／ポジ型レジスト
パターン）まず、溶媒としてメチル−３−メトキシプロピオネート
を用い、溶媒に対して３０重量％のベースポリマーがポ
リヒドロキシスチレンである樹脂（平均分子量１０００
〜４０００；ポリスチレン換算）、樹脂に対して５重量
％の酸発生剤であるトリフェニルスルホニウムトリフレ
ートからなる酸発生剤含有ポリマー溶液を調製した。

【００３６】このポリマー溶液を、実施例２における最
初に半導体基板上に塗布するポジ型レジスト２１の代わ
りに用いた。それ以外は、実施例２と同様に露光前ベー
クを行い、全面露光し、ポリマー底面付近の酸を半導体
基板に捕獲させた。その後、実施例２と同様に、ポリマ
ーを全部剥離し、半導体基板上に実施例２と同様のポジ
型の酸発生化学増幅系レジストを塗布・露光前ベークを
行い、実施例２と同様の方法で裾引きが無く、垂直なレ
ジストパターンを形成した。

【００３７】

【発明の効果】本発明のレジストパターンの形成方法に
よれば、予め下地基板に酸をトラップさせることによ
り、レジスト底面において下地基板に捕獲されることに
よるレジスト内の酸の失活を防止することができ、高コ
ントラストを有する垂直な断面形状のレジストパターン
を形成することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るレジストパターンの形成方法の一
つの実施の態様を示す工程図である。

【図２】本発明に係るレジストパターンの形成方法の別
の実施の態様を示す工程図である。

【図３】従来のポジ型レジストを用いたレジストパター
ンの形成方法の一つの態様を示す工程図である。

【図４】従来のネガ型レジストを用いたレジストパター
ンの形成方法の一つの態様を示す工程図である。

【符号の説明】

１０、２０半導体基板１１、１３ネガ型酸発生化学増幅系レジスト１２、２２光強度プロファイル１３Ａ、２３Ａ露光部１３Ｂ可溶化部１４、２４レジストパターン２１、２３ポジ型酸発生化学増幅系レジスト２３Ｂ不溶化部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】 (i) 半導体基板上に酸発生化学増幅系レ
ジストを塗布し、該レジスト全面を露光した後、該レジ
ストをほぼ完全に剥離し、(ii)再度、前記半導体基板上
に酸発生化学増幅系レジストを塗布した後、該レジスト
に選択的に露光を行い、(iii) 露光後ベーク及び前記レ
ジストの現像を行うことを特徴とするレジストパターン
の形成方法。
【請求項２】工程(i) における酸発生化学増幅系レジ
ストと、工程(ii)における酸発生化学増幅系レジストと
が、同一のものである請求項１記載のレジストパターン
の形成方法。
【請求項３】工程(i) における酸発生化学増幅系レジ
ストと、工程(ii)における酸発生化学増幅系レジストと
が、異なるものである請求項１記載のレジストパターン
の形成方法。
【請求項４】 (I) 半導体基板上に、ベースポリマーと
酸発生剤とからなるポリマー塗膜を形成し、該ポリマー
塗膜全面を露光した後、該ポリマー塗膜をほぼ完全に剥
離し、(II)しかる後、前記半導体基板上に酸発生化学増
幅系レジストを塗布し、該レジストに選択的に露光を行
い、(III) 露光後ベーク及び前記レジストの現像を行う
ことを特徴とするレジストパターンの形成方法。
【請求項５】ポリマー塗膜が、ノボラック系樹脂、ポ
リヒドロキシスチレン系樹脂又はそれらの誘導体からな
る群から選択された少なくとも１つと酸発生剤とからな
る請求項４記載のレジストパターンの形成方法。