JPH10303180A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 常に寸法が均一でかつノッチの発生のないレ
ジストパターンが得られるようにし、かつ下地の光反射
によるレジストパターンの寸法変化も防止する。 【解決手段】 まず被エッチング層１上に液状のＢＡＲ
Ｃ膜材料（反射防止膜材料）をその表面が平坦になる厚
みに塗布してＢＡＲＣ膜２を成膜し、次いでＢＡＲＣ膜
２上にレジストパターン４を形成する。続いてレジスト
パターン４をマスクにしたエッチングによってＢＡＲＣ
膜２をエッチングしてＢＡＲＣ膜パターン５を形成し、
続いてエッチングを行って被エッチング層１をパターニ
ングする。このときＢＡＲＣ膜材料には、ＢＡＲＣ膜２
のエッチングにおいてこのＢＡＲＣ膜２がレジストパタ
ーン４に対して選択比がとれかつ被エッチング層１のエ
ッチングにおいてＢＡＲＣ膜２が被エッチング層１に対
して選択比がとれる有機材料を用いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置の製
造方法に関し、特にリソグラフィプロセスに適用される
半導体装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の半導体装置の製造方法では、リソ
グラフィプロセスにおいて例えばポリシリコン膜からな
る被エッチング層上にレジストパターンを形成する場
合、図５に示すようにまず被エッチング層５１上にレジ
ストを塗布してレジスト膜５２を得る。次いで、露光機
を用いてレジスト膜５２にパターンを転写し、続いて現
像を行って所定のレジストパターン５３を得ている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の半導体装置の製造方法では、図５に示すように
被エッチング層５１の表面に凹凸があり、その表面の最
も高い位置と最も低い位置とで段差ｔ1 が生じている場
合に以下のような不具合が生じる。

【０００４】すなわち、レジストを塗布して被エッチン
グ層５１表面の最も高い位置直上のレジスト膜５２部分
（以下、Ａ部分と記す）と最も低い位置直上のレジスト
膜５２部分（以下、Ｂ部分と記す）とにそれぞれパター
ンを形成する場合、Ｂ部分のレジスト膜５２の厚みは、
Ａ部分のレジスト膜５２の厚みよりも段差ｔ1 分だけ厚
くなっている。よってレジストパターン５３を形成する
ための露光の際には、段差ｔ1 分のレジスト膜５２のパ
ターニングのために、Ａ部分からみると余分な露光量の
光をレジスト膜５２に照射しなければならない。結果と
して、例えばレジスト膜５２がポジ型のレジスト膜の場
合、露光しないＡ部分の周縁も露光されて、現像後に得
られたＡ部分のレジストパターン５３がＢ部分のパター
ンに比べて細くなったり、下地からの反射によりレジス
トパターン５３にノッチが発生する等の不具合が生じ
る。

【０００５】また、このような問題を解決するためＢＰ
ＳＧ（ボロン−フォスフォシリケートガラス）膜を用い
る方法も検討されている。これは、例えば図６に示すよ
うに被エッチング層５１上にＢＰＳＧ膜５４を形成し、
ＢＰＳＧ膜５４の表面をＣＭＰ（化学機械研磨）によっ
て平坦にした後、ＢＰＳＧ膜５４上にレジスト膜５２を
形成し、露光、現像を行ってレジストパターン５３を得
る方法である。ところが、この方法ではＢＰＳＧ膜５４
をＣＭＰ処理するため、作業が煩雑になり処理能力的に
満足できない難点がある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】そこで、上記課題を解決
するために請求項１の発明に係る半導体装置の製造方法
は、まず被エッチング層上に液状の反射防止膜材料をそ
の表面が平坦になる厚みに塗布して反射防止膜を成膜
し、次いで反射防止膜上にレジストパターンを形成す
る。続いてレジストパターンをマスクにしたエッチング
によって、反射防止膜をエッチングして反射防止膜のパ
ターンを形成し、続いてエッチングを行って被エッチン
グ層をパターニングする。このとき反射防止膜材料に
は、上記反射防止膜のエッチングにおいてこの反射防止
膜がレジストパターンに対して選択比がとれかつ被エッ
チング層のエッチングにおいて反射防止膜が被エッチン
グ層に対して選択比がとれる有機材料を用いる。

【０００７】この発明では、液状の反射防止膜材料を用
いるため、被エッチング層の表面に段差があっても反射
防止膜材料の流動性により被エッチング層の段差を埋め
るように塗布される。よって、被エッチング層上に形成
される反射防止膜は表面が常に平坦になる。また被エッ
チング層上に表面が平坦な反射防止膜を形成した後、被
エッチング層上にレジストパターンを形成するため、被
エッチング層の表面に段差が生じていても、被エッチン
グ層上のいずれの箇所においても均一な厚みのレジスト
膜が形成される。また反射防止膜によって、レジストパ
ターン形成のための露光では下地からの光反射が防止さ
れる。さらに、反射防止膜を平坦化処理する工程が不要
であるため、工程数が削減されしかも簡易な作業で済む
ことになる。さらに反射防止膜のエッチングにおいて反
射防止膜がレジストパターンに対して選択比がとれかつ
被エッチング層のエッチングにおいて反射防止膜が被エ
ッチング層に対して選択比がとれる有機材料を反射防止
膜材料に用い、得られた反射防止膜のパターンをマスク
にして被エッチング層をエッチングするため、レジスト
パターンにほぼ等しい形状の被エッチング層のパターン
が得られる。

【０００８】請求項３の発明に係る半導体装置の製造方
法は、被エッチング層上に液状の有機材料からなる反射
防止膜材料をその表面が平坦になる厚みに塗布して反射
防止膜を形成し、次いで反射防止膜上に中間膜を形成す
る。次いで中間膜上にレジストパターンを形成し、レジ
ストパターンをマスクにしたエッチングによって中間膜
のパターンを形成する。そして、中間膜のパターンをマ
スクにして反射防止膜および被エッチング層をエッチン
グする。上記中間膜には、中間膜のエッチングにおいて
レジストパターンに対して選択比がとれかつ反射防止膜
および被エッチング層のエッチングにおいて反射防止膜
に対してエッチング選択比がとれる材料膜を用いる。

【０００９】この発明においても、請求項１の発明と同
様に、被エッチング層上へのレジストパターンの形成に
先立ち、被エッチング層上に表面が平坦な反射防止膜を
形成するため、被エッチング層上のいずれの箇所におい
ても均一な厚みのレジスト膜が得られ、レジストパター
ン形成のための露光では下地からの光反射が防止され
る。また、反射防止膜を平坦化処理する工程が不要であ
るため、工程数が削減されしかも簡易な作業で済むこと
になる。また中間膜には、中間膜のエッチングにおいて
レジストパターンに対して選択比がとれかつ反射防止膜
および被エッチング層のエッチングにおいて反射防止膜
に対してエッチング選択比がとれる材料膜を用いるた
め、中間膜パターンをマスクに用いたエッチングでは、
レジストパターンにほぼ等しい形状の被エッチング層の
パターンが得られる。

【００１０】請求項８の発明に係る半導体装置の製造方
法は、まず請求項３の発明と同様にして被エッチング層
上に反射防止膜、中間膜を順次形成し、中間膜上にレジ
ストパターンを形成した後、中間膜のパターンを形成す
る。次いで中間膜のパターンをマスクにしたエッチング
によって反射防止膜のパターンを形成し、続いて反射防
止膜のパターンをマスクにして被エッチング層をエッチ
ングする。上記中間膜には、中間膜のエッチングにおい
てレジストパターンに対して選択比がとれかつ反射防止
膜のエッチングにおいて反射防止膜に対してエッチング
選択比がとれる材料膜を用いる。

【００１１】この発明においても、被エッチング層上へ
のレジストパターンの形成に先立ち、被エッチング層上
に表面が平坦な反射防止膜を形成し、また反射防止膜を
平坦化処理する工程が不要であるため、請求項１と同様
の作用が得られる。また中間膜には、中間膜のエッチン
グにおいてレジストパターンに対して選択比がとれかつ
反射防止膜のエッチングにおいて反射防止膜に対してエ
ッチング選択比がとれる材料膜を用いるため、中間膜パ
ターンをマスクにしたエッチングではレジストパターン
にほぼ等しい形状の反射防止膜パターンが得られる。よ
って、反射防止膜パターンをマスクにしたエッチングで
は、レジストパターンにほぼ等しい形状の被エッチング
層のパターンが得られる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、この発明に係る半導体装置
の製造方法の実施形態を図面に基づいて説明する。図１
はこの発明の第１実施形態を工程順に示す側断面図であ
り、請求項１の発明の一適用形態を示す図である。この
実施形態において半導体装置を製造するにあたっては、
まず図１（ａ）に示すように、表面に段差ｔを有する例
えばポリシリコン膜からなる被エッチング層１上に、例
えばレジストコータを用いて下塗り反射防止膜材料を塗
布する。なお、以下の明細書中では下塗り反射防止膜を
ＢＡＲＣ膜と記す。なお、ＢＡＲＣはBottom Anti-Refl
ection Coat の略である。

【００１３】ＢＡＲＣ膜材料は、例えば露光波長に対し
て十分な吸収を持つ染料を含有し、かつ溶媒によって所
定の粘性に調整された液状の有機樹脂材料からなる。ま
たこれとともに、後述するＢＡＲＣ膜のドライエッチン
グにおいてＢＡＲＣ膜が後述のレジストパターンに対し
て選択比がとれ、かつ後述する被エッチング層１のドラ
イエッチングにおいてＢＡＲＣ膜が被エッチング層１に
対して選択比がとれる有機樹脂材料からなる。

【００１４】ここではＢＡＲＣ膜材料として、例えばシ
リコン粒子を５ｗｔ％程度含有させた有機樹脂材料を用
いる。そして、この塗膜の表面が平坦になる厚みにＢＡ
ＲＣ膜材料を塗布する。つまり、被エッチング層１の段
差ｔを吸収できる膜厚に塗布する。次いでＢＡＲＣ膜材
料の塗膜を加熱処理し、塗膜中の溶媒を除去してＢＡＲ
Ｃ膜２を形成する。

【００１５】次に、ＢＡＲＣ膜２上にレジストを塗布し
てレジスト膜３を形成し、露光処理、現像処理を行っ
て、図１（ｂ）に示すようにレジストパターン４を形成
する。その後、例えばレジストパターン４をマスクとし
て酸化膜エッチング装置によりＢＡＲＣ膜２をドライエ
ッチングし、図１（ｃ）に示すようにＢＡＲＣ膜２のパ
ターン（以下、ＢＡＲＣ膜パターンと記す）５を得る。

【００１６】続いてＢＡＲＣ膜パターン５およびレジス
トパターン４をマスクとして、エッチングガスに塩素系
ガスを用いて被エッチング層１をドライエッチングし、
図１（ｄ）に示すように被エッチング層１を所定のパタ
ーン６に形成する。このエッチングは、先のＢＡＲＣ膜
２のエッチングを行ったエッチング装置の同一チャンバ
ー内にてエッチングガスおよび流量等の条件を変えるこ
とにより連続して行うことが可能である。

【００１７】上記した第１実施形態では、用いるＢＡＲ
Ｃ膜材料が液状であるため、被エッチング層１上にＢＡ
ＲＣ膜材料を塗布すると、ＢＡＲＣ膜材料が被エッチン
グ層１の表面の段差ｔを埋めるように流動する。よっ
て、被エッチング層１上に常に表面が平坦なＢＡＲＣ膜
２を形成することができる。また表面が平坦なＢＡＲＣ
膜２を形成した後、ＢＡＲＣ膜２上にレジスト膜３を形
成するため、被エッチング層１の表面に段差ｔが生じて
いても、被エッチング層１上のいずれの箇所においても
レジスト膜３を均一の厚みに形成することができる。よ
って、レジスト膜３において露光量が過多になる箇所が
生じないため、寸法が均一でかつノッチの発生もないレ
ジストパターン４を形成できる。

【００１８】またレジストパターン４形成のための露光
では、ＢＡＲＣ膜２によって下地からの光反射が防止さ
れるので、光多重干渉によるレジストパターン４の寸法
変化も防止することができる。さらに、ＢＡＲＣ膜２を
ＣＭＰ装置によって平坦化する工程が不要であり、かつ
ＢＡＲＣ膜２および被エッチング層１のドライエッチン
グをエッチング装置の同一チャンバー内にてエッチング
条件を変えることにより連続して実施できるため、工程
数を削減できかつ簡易な作業で済む。したがって処理能
力を大幅に向上できるので、タクトタイムの短縮を図る
ことができ、ひいては製造コストを大幅に削減すること
ができる。

【００１９】またドライエッチングを同一チャンバー内
にて連続して行えるため、被エッチング層１へのパーテ
ィクル付着を防止できる効果も得られる。しかも、ＢＡ
ＲＣ膜材料がレジストパターン４および被エッチング層
１に対して選択比がとれる有機樹脂材料からなるので、
レジストパターン４にほぼ等しい形状のＢＡＲＣ膜パタ
ーン５を得ることができる。そして、ＢＡＲＣ膜パター
ン５をマスクにしたエッチングによってレジストパター
ン４にほぼ等しい形状の被エッチング層１のパターン６
を得ることができる。またＢＡＲＣ膜材料に使用した、
シリコン粒子含有した有機樹脂材料は入手し易く、した
がってこの実施形態は非常に容易に実施することができ
る。

【００２０】なお、第１実施形態では、ＢＡＲＣ膜パタ
ーン５を形成した後、ＢＡＲＣ膜パターン５をマスクと
して被エッチング層１のドライエッチングを行ったが、
図２（ａ）、（ｂ）に示すこの発明の第２実施形態のよ
うに、レジストパターン４をマスクとしてＢＡＲＣ膜２
および被エッチング層１を連続してエッチングすること
も可能である。

【００２１】その場合、ＢＡＲＣ膜材料には、このエッ
チングにおいてＢＡＲＣ膜２が被エッチング層１および
レジストパターン４に対して選択比がとれる材料を用い
る。例えば被エッチング層１が酸化シリコン膜で形成さ
れていれば、ＢＡＲＣ膜材料には第１実施形態と同様の
シリコン粒子を５ｗｔ％程度含有させた有機樹脂材料を
用いることができる。この場合には、エッチング装置の
同一チャンバー内にて同じエッチングガスを用いて連続
してエッチングを行えるため、第１実施形態に比較して
さらにタクトタイムを向上させることができる優れた効
果が得られる。

【００２２】次に、請求項３の発明の一適用形態である
第３実施形態を図３に示す側断面図を用いて説明する。
この実施形態において半導体装置を製造するにあたって
は、まず図３（ａ）に示すように、表面に段差ｔを有す
る例えばポリシリコン膜からなる被エッチング層１上
に、例えばレジストコータを用いてＢＡＲＣ膜材料を塗
布する。この際、塗膜の表面が平坦になる厚みにＢＡＲ
Ｃ膜材料を塗布する。ＢＡＲＣ膜材料は、例えば露光波
長に対して十分な吸収を持つ染料を含有し、溶媒によっ
て所定の粘性に調整された液状の有機樹脂材料からな
る。次いでＢＡＲＣ膜材料の塗膜を加熱処理し、塗膜中
の溶媒を除去してＢＡＲＣ膜２を形成する。

【００２３】次いで図３（ａ）に示すように、ＢＡＲＣ
膜２上に中間膜７を塗布し、中間膜７上にレジストパタ
ーン４を形成する。中間膜７には、後述する中間膜７の
ドライエッチングにおいてレジストパターン４に対して
選択比がとれかつ後述のＢＡＲＣ膜２および被エッチン
グ層１のドライエッチングにおいてＢＡＲＣ膜２に対し
て選択比がとれる材料膜を用いる。また中間膜７の膜厚
は、ＢＡＲＣ膜２および被エッチング層１のエッチング
に耐えられる厚みに形成する。ここでは、例えば中間膜
７としてスピンオンガラス（以下、ＳＯＧと記す）膜を
２０００Å程度の膜厚に形成する。

【００２４】続いて中間膜７上にレジストを塗布してレ
ジスト膜３を形成し、露光処理、現像処理を行って、図
３（ｂ）に示すようにレジストパターン４を形成する。
その後、レジストパターン４をマスクにして例えば酸化
膜エッチング装置により中間膜７をエッチングし、中間
膜７のパターン（以下、中間膜パターンと記す）８を形
成する。

【００２５】次に、エッチングガスとして例えば塩素を
含むガスを用いかつ中間膜パターン８をマスクにして、
プラズマエッチング装置によりＢＡＲＣ膜２および被エ
ッチング層１をドライエッチングする。これにより、図
３（ｄ）に示すようにＢＡＲＣ膜パターン５および被エ
ッチング層１のパターン６が得られる。このＢＡＲＣ膜
２および被エッチング層１のエッチングは、同じエッチ
ングプロセスにより一括して、すなわち同一チャンバー
内にて連続して行う。

【００２６】この第３実施形態では、液状のＢＡＲＣ膜
材料を用いて被エッチング層１上に表面が平坦なＢＡＲ
Ｃ膜２を形成した後、ＢＡＲＣ膜２上にレジスト膜を形
成するため、第１実施形態と同様に寸法が均一でかつノ
ッチの発生もないレジストパターン４を形成できる効果
が得られる。またレジストパターン４形成のための露光
では、ＢＡＲＣ膜２によって第１実施形態と同様に光多
重干渉によるレジストパターン４の寸法変化も防ぐこと
ができる。さらに、ＢＡＲＣ膜２をＣＭＰ装置によって
平坦化する工程が不要であり、かつＢＡＲＣ膜２および
被エッチング層１のエッチングをエッチング装置の同一
チャンバー内にて連続して実施できるため、作業が煩雑
にならない。したがって処理能力を向上できるので、タ
クトタイムの短縮および製造コストの削減を図ることが
できる。

【００２７】また中間膜７には、中間膜７のエッチング
においてレジストパターン４に対して選択比がとれる材
料膜を用いるため、レジストパターン４にほぼ等しい形
状の中間膜パターン８を得ることができる。さらに中間
膜パターン８はＢＡＲＣ膜２に対してエッチング選択比
がとれる材料膜からなるため、この中間膜パターン８を
マスクにしたＢＡＲＣ膜２および被エッチング層１のエ
ッチングでは、レジストパターン４直下のＢＡＲＣ膜２
の膜厚がレジストパターン４毎に異なっていても、レジ
ストパターン４にほぼ等しい形状のＢＡＲＣ膜パターン
５を得ることができる。よって、ＢＡＲＣ膜２のエッチ
ングに続いてレジストパターン４にほぼ等しい形状の被
エッチング層１のパターンを得ることができる。

【００２８】なお、第３実施形態では、被エッチング層
１がポリシリコン膜からなり、かつ塩素を含むガスを用
いてＢＡＲＣ膜２および被エッチング層１をエッチング
したが、この例に限定されない。例えば被エッチング層
１が金属膜からなる場合には、臭素を含むエッチングガ
スを用いＳＯＧ膜からなる中間膜パターン８をマスクと
して同一チャンバー内にてＢＡＲＣ膜２および被エッチ
ング層１を連続してエッチングすることができる。また
例えば被エッチング層１が窒化シリコン膜（ＳｉＮ膜）
からなる場合には、フッ素を含むエッチングガスを用い
ＳＯＧ膜からなる中間膜パターン８をマスクとして同一
チャンバー内にてＢＡＲＣ膜２および被エッチング層１
を連続してエッチングすることができる。

【００２９】いずれの場合にも、中間膜パターン８をマ
スクとして同一チャンバー内にてＢＡＲＣ膜２および被
エッチング層１を連続してエッチングできるため、処理
能力を向上でき、タクトタイムの短縮を図ることができ
る。

【００３０】また第３実施形態では、中間膜パターン８
をマスクとしてＢＡＲＣ膜２および被エッチング層１を
連続してエッチングしたが、請求項８の発明の一適用形
態となる図４に示す第４実施形態のように、それぞれの
エッチングを独立して行ってもよい。

【００３１】すなわち、まず図４（ａ）に示すように第
３実施形態と同様にして中間膜パターン８を得た後、中
間膜パターン８をマスクにしてＢＡＲＣ膜２のドライエ
ッチングを行い、ＢＡＲＣ膜パターン５を形成する。こ
のとき中間膜７には、中間膜７のエッチングにおいてレ
ジストパターン４に対して選択比がとれかつ、次のＢＡ
ＲＣ膜２のドライエッチングにおいてＢＡＲＣ膜２に対
して選択比がとれる材料膜を用いる。ここでは、例えば
ＳＯＧ膜からなる中間膜７を用いる。

【００３２】次いで中間膜パターン８をマスクにしてＢ
ＡＲＣ膜２をドライエッチングし、図４（ｂ）に示すよ
うにＢＡＲＣ膜パターン５を形成する。このエッチング
は、例えばプラズマエッチング装置により、酸素原子と
炭素原子とを含むガス、例えば酸素と二酸化炭素とを含
むガスをエッチングガスに用いて行う。その後、ＢＡＲ
Ｃ膜パターン８をマスクとして例えばポリシリコン膜か
らなる被エッチング層１をエッチングし、図４（ｃ）に
示すように所望の被エッチング層１のパターン６を得
る。

【００３３】上記第４実施形態では、中間膜パターン８
をマスクにしてまずＢＡＲＣ膜２のエッチングを行うた
め、このエッチングにおいて、中間膜パターン８とＢＡ
ＲＣ膜２とのエッチング選択比を大きくとれる酸素と二
酸化炭素とを含むガスをエッチングガスとして用いるこ
とができる。したがって、レジストパターン４直下のＢ
ＡＲＣ膜２の膜厚がレジストパターン４毎に異なってい
ても、レジストパターン４にほぼ等しい形状のＢＡＲＣ
膜パターン５を下地の被エッチング層１にダメージを与
えることなく形成できる。

【００３４】

【発明の効果】以上説明したように請求項１の発明に係
る半導体装置の製造方法によれば、被エッチング層上に
表面が平坦な反射防止膜を形成して均一な膜厚のレジス
ト膜を得るため、被エッチング層の表面に段差が生じて
いても、常に寸法が均一でかつノッチの発生のないレジ
ストパターンを得ることができる。また反射防止膜によ
って、光多重干渉によるレジストパターンの寸法変化も
防止できる。さらに、反射防止膜を平坦化処理する工程
が不要であることから工程数を削減できるので、処理能
力を大幅に向上でき、タクトタイムの短縮を図ることが
できる。

【００３５】また請求項３の発明に係る半導体装置の製
造方法によれば、請求項１の発明と同様に、被エッチン
グ層上に表面が平坦な反射防止膜を形成するため、この
上層に寸法が均一でかつノッチが生じていないレジスト
パターンを形成でき、しかも光多重干渉によるレジスト
パターンの寸法変化も防止できる。また、反射防止膜を
ＣＭＰ装置を用いて平坦化処理する工程が不要であるた
め、処理能力を向上でき、タクトタイムの短縮を図るこ
とができる。また、中間膜パターンを用いてエッチング
を行うことにより反射防止膜をレジストパターンにほぼ
等しい形状に加工できるため、続けてエッチングする下
層の被エッチング層を所望のパターンに形成することが
できる。

【００３６】請求項８の発明に係る半導体装置の製造方
法によれば、被エッチング層上へのレジストパターンの
形成に先立ち、被エッチング層上に表面が平坦な反射防
止膜を形成し、また反射防止膜を平坦化処理する工程が
不要であるため、請求項１と同様の効果を得ることがで
きる。また中間膜のパターンをマスクにしたエッチング
によって、レジストパターンにほぼ等しい反射防止膜の
パターンを下層の被エッチング層にダメージを与えるこ
となく形成できるので、反射防止膜のパターンをマスク
したエッチングにより、所望の被エッチング層のパター
ンを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｄ）はこの発明に係る半導体装置の
製造方法の第１実施形態を工程順に示す側断面図であ
る。

【図２】（ａ）、（ｄ）はこの発明に係る半導体装置の
製造方法の第２実施形態を工程順に示す側断面図であ
る。

【図３】（ａ）〜（ｅ）はこの発明に係る半導体装置の
製造方法の第３実施形態を工程順に示す側断面図であ
る。

【図４】（ａ）〜（ｃ）はこの発明に係る半導体装置の
製造方法の第４実施形態を工程順に示す側断面図であ
る。

【図５】従来法の一例を説明するための側断面図であ
る。

【図６】従来法の他の例を説明するための側断面図であ
る。

【符号の説明】

１ 被エッチング層 ２ ＢＡＲＣ膜 ３ レジスト膜 ４ レジストパターン ５ ＢＡＲＣ膜パターン ７ 中間膜 ８ 中間膜パターン

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被エッチング層上に液状の反射防止膜材
   料をその表面が平坦になる厚みに塗布して反射防止膜を
   成膜する第１工程と、 前記反射防止膜上にレジストパターンを形成する第２工
   程と、 前記レジストパターンをマスクにしたエッチングによっ
   て、前記反射防止膜をエッチングして反射防止膜のパタ
   ーンを形成し、続いてエッチングを行って前記被エッチ
   ング層をパターニングする第３工程とを有し、 前記反射防止膜材料には、前記反射防止膜のエッチング
   において該反射防止膜が前記レジストパターンに対して
   選択比がとれかつ被エッチング層のエッチングにおいて
   前記反射防止膜が該被エッチング層に対して選択比がと
   れる有機材料を用いることを特徴とする半導体装置の製
   造方法。
2. 【請求項２】 前記反射防止膜材料にはシリコンを含有
   した有機材料を用いることを特徴とする請求項１記載の
   半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 被エッチング層上に液状の有機材料から
   なる反射防止膜材料をその表面が平坦になる厚みに塗布
   して反射防止膜を形成し、次いで該反射防止膜上に中間
   膜を形成する第１工程と、 前記中間膜上にレジストパターンを形成する第２工程
   と、 前記レジストパターンをマスクにしたエッチングによっ
   て前記中間膜のパターンを形成する第３工程と、 前記中間膜のパターンをマスクにして前記反射防止膜お
   よび前記被エッチング層をエッチングする第４工程とを
   有し、 前記中間膜には、前記第３工程のエッチングにおいて前
   記レジストパターンに対して選択比がとれかつ前記第４
   工程のエッチングにおいて前記反射防止膜に対してエッ
   チング選択比がとれる材料膜を用いることを特徴とする
   半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 前記中間膜にはスピンオンガラス膜を用
   いることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造
   方法。
5. 【請求項５】 前記被エッチング層はポリシリコン膜か
   らなり、 前記第４工程のエッチングの際には、塩素を含むエッチ
   ングガスを用いることを特徴とする請求項３または４記
   載の半導体装置の製造方法。
6. 【請求項６】 前記被エッチング層は金属膜からなり、 前記第４工程のエッチングの際には、臭素を含むエッチ
   ングガスを用いることを特徴とする請求項３または４記
   載の半導体装置の製造方法。
7. 【請求項７】 前記被エッチング層は窒化シリコン膜か
   らなり、 前記第４工程のエッチングの際には、フッ素を含むエッ
   チングガスを用いることを特徴とする請求項３または４
   記載の半導体装置の製造方法。
8. 【請求項８】 被エッチング層上に液状の有機材料から
   なる反射防止膜材料をその表面が平坦になる厚みに塗布
   して反射防止膜を形成し、次いで該反射防止膜上に中間
   膜を形成する第１工程と、 前記中間膜上にレジストパターンを形成する第２工程
   と、 前記レジストパターンをマスクにしたエッチングによっ
   て前記中間膜のパターンを形成する第３工程と、 前記中間膜のパターンをマスクにしたエッチングによっ
   て前記反射防止膜のパターンを形成する第４工程と、 前記反射防止膜のパターンをマスクにして前記被エッチ
   ング層をエッチングする第５工程とを有し、 前記中間膜には、前記第３工程のエッチングにおいて前
   記レジストパターンに対して選択比がとれかつ前記第４
   工程のエッチングにおいて前記反射防止膜に対してエッ
   チング選択比がとれる材料膜を用いることを特徴とする
   半導体装置の製造方法。
9. 【請求項９】 前記中間膜にはスピンオンガラス膜を用
   い、 前記第４工程のエッチングの際には、酸素原子および炭
   素原子を含むエッチングガスを用いることを特徴とする
   請求項８記載の半導体装置の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記中間膜にはスピンオンガラス膜を
    用い、 前記第４工程のエッチングの際には、酸素および二酸化
    炭素を含むエッチングガスを用いることを特徴とする請
    求項８記載の半導体装置の製造方法。